UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

. Universidad del Peru, DECANA DE AMERICA

Curso : Dispositivos Electronicos (Laboratorio)

Horario : Sabados de 12 a 2pm

Tema : Caracteristicas Transistor NPN 2N3904 ( Informe Previo)

Profesor Laboratorio : Jorge Luis Mestas Ramos

Alumno : Carranza Chiara Paul Alejandro

Codigo: 12190268
Introducción
Una vez visto el diodo, el siguiente componente electrónico a estudiar es el transistor. Fue
inventado en 1947 por W. H. Brattain y J. Bardeen de los Bell Laboratories. Inicialmente su
ganancia se definió como el cociente entre la tensión de salida y la corriente de entrada y por
tanto con unidades de resistencia. De ahí que J. R. Pierce también de Bell Laboratories describió el
componente como trans resistencia o transistor. La estructura del transistor son tres capas de
semiconductor colocadas alternativamente y existirán dos combinaciones posibles: p-n-p y n-p-n.
Cada una de las capas lleva un conector, teniendo el transistor por lo tanto tres y su
funcionamiento básico es un conector de entrada, uno de salida y un tercero para controlar el
paso de corriente. La aplicación básica del transistor es como amplificador y al igual que en el
diodo existen muchos tipos especializados de transistor según su aplicación, por ejemplo de
potencia, de RF,

Caracterización del transistor bipolar

Como ya hemos dicho la estructura del transistor son tres capas de semiconductor dopado
colocadas alternativamente en secuencia n-p-n o p-n-p. El emisor está fuertemente dopado (n+),
la base es estrecha y menos dopada (p) y el colector es el de mayor tamaño (para poder disipar el
calor que generan los portadores al perder energía por pasar de la base al colector) y dopado
"moderadamente" o poco dopado (n o n−). El transistor p-n-p es el complementario del n-p-n,
pero dado que el n-p-n tiene una mejor respuesta a alta frecuencia es el preferido y por tanto el
más utilizado. En la siguiente figura se muestran ambos transistores y su símbolo electrónico.

Al igual que en el diodo en las uniones p-n se forma una zona de agotamiento que tendrá grosores
diferentes según el dopado de cada material. Para utilizar el transistor como amplificador,
debemos polarizar la unión base-emisor directamente mientras que la unión base-colector debe
estar inversamente polarizada. Bajo esas condiciones, la zona de agotamiento de la unión base-
emisor se estrechará mientras que la zona de agotamiento de la unión base colector se
ensanchará. Su funcionamiento es el siguiente: inicialmente el emisor inyecta portadores
mayoritarios en la base en donde se convierten en portadores minoritarios. Como la base está
poco dopada, sólo algunos portadores se recombinan con los pocos portadores de carga contraria
presentes en la base y por tanto la corriente de base es muy pequeña. Además debido a su
pequeño espesor, muchos portadores son capaces de atravesar la base y pasar al colector donde
son arrastrados hasta el contacto eléctrico.

Transistor NPN
Así es como funciona un
transistor NPN:
A medida que aumenta la corriente a la base de un transistor NPN, el transistor se
activa cada vez más hasta que se conduce completamente desde el colector al emisor.
Y a medida que disminuye la corriente a la base de un transistor NPN, el
transistor se
enciende cada vez menos, hasta que la corriente es tan baja, el transistor ya no
conduce a través del colector al emisor y se apaga
.
Transistor PNP
Un transistor PNP funciona de manera totalmente opuesta.
A medida que la corriente se hunde
desde la base (fluye desde la base hasta la tierra),
el transistor está encendido y conduce a través de la alimentación en la carga de salida.
Estos son los conceptos principales de los transistores NPN y PNP
Efectos de la temperatura en el transistor

Todos los parámetros del transistor se ven afectados por la temperatura y es muy importante
tener todas estas variaciones en cuenta durante el diseño. Las corrientes de pérdidas ICBO e ICEO
aumentan con la temperatura. Las ganancias βDC y αDC también aumentan con la temperatura,
mientras que la tensión de polarización directa de la unión base-emisor para una determinada
corriente de colector disminuye con la temperatura. El coeficiente de temperatura de la unión
base-emisor es igual al de cualquier otra unión p-n polarizada directamente. Así, la tensión de
polarización directa de la unión base-emisor para una determinada corriente de colector
disminuye 2,2mV por cada grado de incremento de la temperatura. La variación de la corriente de
pérdidas de colector varía de forma parecida a la corriente inversa del diodo, doblándose cada 8º
de aumento de la temperatura. Su expresión es

Efectos de la temperatura en diferentes curvas del transistor en emisor común. (a) caída de
tensión en el diodo base-emisor en función de la corriente de base; (b) corriente de colector

Curvas características

El transistor es también un elemento altamente no lineal por lo que será muy conveniente hacer
diseños utilizando un método gráfico para una mayor rapidez. Se podrán obtener para el transistor
las características de entrada, las de salida y las de transferencia. Esto además se repetirá para
cada una de las tres configuraciones que hemos descrito antes y midiendo en cada caso las
corrientes y tensiones de entrada y salida y su relación. En la siguiente figura se muestran las
curvas de entrada de una configuración en base común
2. De los manuales, obtener los datos del transistor bipolar 2N3904

2N3904

Transistor 2N3904 de pequeña señal. El 2N3904 es un transistor de conmutación rápida, corta

apague y baja tensión de saturación, adecuado para la conmutación y amplificación.
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida
en respuesta a una señal de entrada.
Actualmente se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras,lámparas
fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, aunque casi siempre dentro de los llamados
circuitos integrados.

Especificaciones

• TRANSISTOR BIPOLAR, NPN, 40 V, TO-92

• Polaridad del transistor: NPN
• Voltaje V (br) ceo: 40 V
• Transición de frecuencia ft: 300 MHz
• Disipación de potencia Pd: 625 mW
• DC Corriente del colector: 200 mA
 • Ganancia de corriente contínua hFE: 100
• Rango de temperatura de funcionamiento en el empalme de -55 ° C a 150 ° C
• Colector emisor tensión de saturación es inferior a 300 mV en Ic = 10 mA
• DC ganancia de corriente es mayor que 30 en Ic = 100 mA
• Encapsulado TO-92
• 3 pines
• Sustituto: NTE123AP

este transistor NPN es usado mucho como switcheo los encuentras mucho en los estavilizadores
de voltajes, por su rapido respuesta y tambien es usado para ociladores en fm ya que trabaja a 270
mhz, y a 200 miliamperio, 40 voltios, 625 milivatios estos datos siempre hay que tenerlos en
cuenta al compararlo con otros transistores, es bastante parecido al 2N2222.
3 Determinar el punto de operación del circuito del experimento
CONCLUSIÓNES.

-el funcionamiento de un transistor BJT ya sea NPN o PNP , depende de la polarización que se le
aplica en sus terminales , ya que una mala polarización podría funcionar mal en todo el circuito en
el que se le aplique o el usuario no podría funcionar mal todo el circuito en el que se le aplique o el
el usuario no podría tener los resultados satisfactorios.

-Tambien se pudo demostrar que si se le aplica un voltaje entre el emisor y la base se puede
obtener una ganacia de voltaje en el colector y la base asi se puede comprobar que este tipo de
dispositivos se pueden utilizar como amplificadores.

- Debemos ser cuidadosos al verificar los terminales del transistor por medio del medidor de
continuidad, ya que si erramos alguna parte vamos a obtener datos completamente erróneos del
circuito y en la comparación con el simulador no habrá ningún tipo de coincidencia.

- Para ésta práctica, el método más factible para determinar las corrientes es usando la Ley de
Ohm, ya que si conectáramos el multímetro en serie con el circuito corremos el riesgo de
desconectar un elemento y obtener un dato erróneo.

Bibliografia

https://www.uv.es/~esanchis/cef/pdf/Temas/A_T2.pdf