Circuite integrate analogice

Structura cursului
1. Modelarea dispozitivelor bipolare si MOS
2. Aplicatii ale amplificatoarelor operationale
3. Surse de curent si surse de tensiune
4. Amplificatoare elementare
5. Etaje de iesire
6. Amplificatoare operationale. Structuri interne
7. Raspunsul in frecventa al circuitelor.
Stabilitatea circuitelor cu reactie
8. Structuri analogice liniare
9. Structuri neliniare de calcul analogic
 Capitolul 1
Modelarea dispozitivelor
CMOS si bipolare
1.1. Relatii fundamentale ale tranzistorului MOS
1.1.1. Modelul de semnal mare

Simboluri: Notatii:
G = grila (poarta)
NMOS PMOS D = drena
S = sursa
B = substrat (bulk)
D S
W/L = factor de aspect
G K’ = parametru transconductanta
G B B
VT = tensiune de prag
VGS = tensiune grila-sursa
S D VDS = tensiune drena-sursa
I. Regiunea de inversie puternica
VGS > VT
a. Saturatie
V DS ≥ V DSsat = VGS − VT

K W W
I D = (VGS − VT )2 K = K' = µ n C ox
2 L L
b. Regiunea liniara
V DS < V DSsat

⎡ V ⎤
I D = K ⎢(VGS − VT ) − DS ⎥ VDS
⎣ 2 ⎦

II. Regiunea de inversie slaba

VGS < VT
W ⎛ V − VT ⎞
I D = I D0 exp⎜⎜ GS ⎟⎟
L ⎝ nVth ⎠
Caracteristicile de iesire ale tranzistorului MOS
Efectele de ordin secundar:
a. Modularea lungimii canalului
K
I D = (VGS − VT )2 (1 + λV DS )
2 Modularea lungimii canalului

I
b. Degradarea mobilitatii
K0
K=
[1 + θ G (VGS − VT )](1 + θ DV DS )

c. Efectul de substrat

VT = VT 0 + γ ( Φ − VBS − Φ )
1.1.2. Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS

D B ∂I D
gmbsvbs
gm =
∂VGS
gmvgs vds vbs
G 1 1
rds rds = =
S S g ds ∂I D
vgs
∂V DS

∂I D
gm = ≅ K (VGS − VT )
∂VGS
⇒ g m = 2 KI D
ID =
K
(VGS − VT )2 ⇒ VGS − VT = 2 I D
2 K

1 1 1
rds = = ≅
∂I D K
(VGS − VT )2 λ λI D
∂VDS 2
 Exemplu
I D = 1mA, λ = 10 − 3V − 1 , K = 5 × 10 − 4 A / V 2

⇒ gm = 2 KI D = 1mA / V
1
rds = = 1 MΩ
λI D
Modelul de inalta frecventa
1.2. Relatii fundamentale ale tranzistorului bipolar
Domenii de functionare:
•  Regiunea de blocare (1)
•  Regiunea activa normala (2)
•  Regiunea de saturatie (3)
1.2.1. Functionarea la semnal mare
Regim activ normal:
⎛ v BE ⎞ v BE
⎜ Vth ⎟
ic = I S ⎜ e − 1 ⎟ ≅ I S e Vth
⎜ ⎟
⎝ ⎠
Efectul Early:
v BE
Vth ⎛ v ⎞
ic = I S e ⎜⎜ 1 + CE ⎟⎟
⎝ VA ⎠

iC

vBE = ct.

vCE
-VA
1.2.2. Modelul de semnal mic (regim activ normal)

rµ

B Cµ
C
gmvbe
vbe rπ Cπ ro
E

Conductanta de transfer:
∂I C
gm =
∂V BE ⎛ V ⎞ 1 I
⇒ g m = I S exp⎜⎜ BE ⎟⎟ = C ≅ 40 I C
⎛ VBE ⎞
I C ≅ I S exp⎜⎜ ⎟⎟ ⎝ Vth ⎠ Vth Vth
⎝ Vth ⎠
Rezistenta de iesire:
1 1
ro = =
go ∂I C
∂VCE 1 V
⇒ ro = ≅ A
⎛ VBE ⎞ 1 IC
⎛ VBE ⎞⎛ VCE ⎞ I S exp⎜⎜ ⎟⎟
I C = I S exp⎜⎜ ⎟⎟⎜⎜ 1 + ⎟⎟ ⎝ Vth ⎠ V A
V
⎝ th ⎠⎝ V A ⎠

Rezistenta rπ:
β
rπ =
gm

Rezistenta rµ:
rµ = Kβ ro

K ≥ 10 pt . NPN
K = 2 − 5 pt . PNP
Circuit echivalent cu rezistente serie

rµ

rb Cµ rc
B
C
ro
vbe rπ Cπ gmvbe CCS

re

E
1.3. Rezistente dinamice
 Rezistenta in poarta

G D
iX vGS R2
Q vX gmvGS rds
RO
R1 R2
S
R1

RO = ∞
 Rezistenta in sursa

Q G D
RO
vGS R2
R1
R2 gmvGS rds
R1
S
iX
vX

v 1
i x ≅ − gmv gs = gmv x ⇒RO = x =
ix gm
 Rezistenta in drena
RO

G D
Q vGS iX
R1 vX
gmvGS rds
R1 R2 S

R2

( )
v x = i x − gm v gs rds + i x R2
v
⇒ RO = x = rds (1 + gm R2 ) + R2 ≅ rds (1 + gm R2 )
v gs = − i x R2 ix
 Rezistenta in baza

B C
iX vBE R2
Q vX rπ gmvBE ro
RO
R1 R2
E
R1

v x = i x rπ + (β + 1)i x R1

vx
RO = = rπ + (β + 1)R1
ix
 Rezistenta in emitor

Q B C
RO
vBE R2
R1
R2 rπ gmvBE ro
R1
E
iX
vX

R +r
RO = 1 π
β +1
 Rezistenta in colector

RO

B C
Q vBE iX
R1 vX
rπ gmvBE ro
R1 R2 E

R2

⎛ β R2 ⎞
RO = ro ⎜⎜ 1 + ⎟⎟
⎝ rπ + R1 + R2 ⎠
 Capitolul 2
Aplicatii ale amplificatoarelor
operationale
2.1. Amplificatoare de semnal
 Amplificatoare liniare

Xi(t)
A Xo(t)

X o (t ) = AX i (t − τ ) Po > Pi
2.1.1. Parametri

iO
vI Ai =
Zi = iI
iI
vO
Az =
vO iI
Zo =
iO
i
AY = O
vI
v
Av = O
vI PO
Ap =
PI
2.1.2. Amplificatoare ideale
Amplificatorul de tensiune

vi avvi RL vO = av v I i I = 0; Pi = 0
vo
Ri → ∞; Ro = 0

ii Amplificatorul trans-impedanta

az ii RL vo vO = a z i I v I = 0; Pi = 0
Ri = 0; Ro = 0

ii io
Amplificatorul de curent
iO = ai i I v I = 0; Pi = 0
a i ii RL
Ri = 0; Ro → ∞

io Amplificatorul trans-admitanta
iO = a y v I i I = 0; Pi = 0
vi ayvi RL
Ri → ∞; Ro → ∞
2.1.3. Cuplarea amplificatoarelor

V1 AV1 V2 AV2 V3 AV3 V4

V4
AV = = AV 1 AV 2 AV 3
V1
AV (dB ) = AV 1 (dB ) + AV 2 (dB ) + AV 3 (dB )
2.2. Aplicatii ale amplificatoarelor operationale
2.2. Aplicatii ale amplificatoarelor operationale

-
a vo
vi
+
a→∞
vi → 0
AO ideal
•  impedanta de intrare infinita
•  impedanta de iesire nula
•  amplificare in tensiune infinita
•  banda de frecventa infinita (raspuns instantaneu)
•  tensiune de iesire nula pentru tensiune de intrare nula
•  diferenta de potential nula intre cele doua intrari
•  curenti nuli de intrare

AO real:
•  impedanta de intrare foarte mare
•  impedanta de iesire mica
•  amplificare in tensiune foarte mare
2.2. Aplicatii ale amplificatoarelor operationale
2.2.1. Amplificatorul inversor

i2 R2

R1 i 1
-
vo
vs +

i1 = − i 2
vs v
=− o
R1 R2

v R
⇒ A= o =− 2
vs R1
SIMULARI pentru amplificatorul inversor
SIMULARI pentru amplificatorul inversor

SIM 2.1: v3 (t), vO (t)

SIMULARI pentru amplificatorul inversor

SIM 2.2: vO (v3)

2.2.2. Amplificatorul neinversor

R2

R1
- a v s = vo ⇒
vo R1 + R2
+
R1
vs
v R2
A = o = 1+
vs R1

2.2.3. Circuitul repetor

-
+
vo vO = v s
vs
2.2.4. Circuitul de derivare

i1 R

C
i1 vo
-
vs +

dv s
i1 = C
dt

dv s
v o = − Ri1 = − RC
dt
2.2.4. Circuitul de derivare
2.2.4. Circuitul de derivare
Introducerea R’ – pentru cresterea stabilitatii

C
R’
-
vo
vs +

/A/ (dB)

R R jωR' C 20dB/decada
A( jω ) = − =−
1 R' 1 + jωR' C
R' + ω
jω C
2.2.5. Circuitul de integrare

i1 C

R i1
-
vo
vs +

v s (t )
i1 =
R

1
v o = − ∫ i1 ( t )dt + v o (0 )
C

1
vo = − ∫ v s ( t )dt + v o (0 )
RC
2.2.5. Circuitul de integrare
2.2.5. Circuitul de integrare
Introducerea R’ – pentru evitarea saturarii in curent continuu a AO
Amplificarea in curent continuu finita, Acc = - R’/R

R’

i1 C

R
-
vo
vs +

/A/ (dB)

⎛ 1 ⎞
R' // ⎜ ⎟ -20dB/decada
A( jω ) = − ⎝ jωC ⎠ = − R'
R R(1 + jωR' C ) ω
2.2.6. Circuit cu amplificare marita

i2 R1 i2 R2 R3 i3

R4
vs -

+
vo

v v i3 i2
A= o = o
v s i3 i2 vs

R 2 R 3 + R 2 R4 + R 3 R4
A=−
R1 R4
SIMULARI pentru circuitul cu amplificare marita
SIMULARI pentru circuitul cu amplificare marita

SIM 2.3: v3 (t), vO (t)

SIMULARI pentru circuitul cu amplificare marita

SIM 2.4: vO (v3)

2.2.7. Sumatorul inversor
n n v si
R1 i1 i R i = ∑ ii = ∑
vs1 i =1 i = 1 Ri
R2 i2
vs2

- vo n v si
vsn Rn in v o = − Ri = − R ∑
i = 1 Ri
+

Teorema superpozitiei

V1
V2
Vo
Circuit liniar

Vn

Vo = Vo V1 ≠0 + Vo V2 ≠0 + ... + Vo Vn ≠0
V2 =V3 = ...Vn = 0 V1 =V3 = ...Vn = 0 V1 =V2 = ...Vn − 1 = 0
SIMULARI pentru sumatorul inversor
SIMULARI pentru sumatorul inversor

SIM 2.5: v3 (t), v4 (t), vO (t)

SIMULARI pentru sumatorul inversor

SIM 2.6: vO (t), v4 - parametru

2.2.8. Convertorul curent-tensiune

R
is
-
+
vo vO = − Ri s

2.2.9. Convertorul tensiune-curent

- RL iO
vs + iO iO = v s / R
R
2.2.10. Circuitul de diferenta (1)
⎛ R ⎞ R4 ⎛ R2 ⎞
v o = v s 1 ⎜⎜ − 2 ⎟⎟ + v s 2 ⎜⎜ 1 + ⎟⎟
⎝ R1 ⎠ R3 + R4 ⎝ R1 ⎠

Pentru obtinerea:
R2 v o = A(v s 2 − v s 1 )
este necesara conditia:
R1
vs1 R2 R4 ⎛ R2 ⎞
- vo = ⎜ 1 + ⎟
vs2 + R1 R3 + R4 ⎜⎝ R1 ⎟⎠
R3
R4 echivalenta cu:
R1 R4 = R2 R3

rezultand:
R
vo = 2 (v s 2 − v s 1 )
R1
2.2.11. Circuitul de diferenta (2)
vs1 AO
+

-
1

R1 R3 R4

vo1
R2 AO
R1 vo2 R3 -
3 vo
+

R4
AO
-
2
vs2 +

⎛ R1 ⎞ R1
vo1 = v s 1 ⎜⎜ 1 + ⎟⎟ − v s 2
⎝ R2 ⎠ R2
R1 ⎞ R1 vo ⎛ R ⎞ R
⎛
vo 2 = v s 2 ⎜⎜ 1 + ⎟ − v s 1 ⇒ A= = ⎜⎜ 1 + 2 1 ⎟⎟ 4
R2 ⎟⎠ R2 v s 2 − v s 1 ⎝ R2 ⎠ R3
⎝
R
vo = 4 (vo 2 − vo1 )
R3
SIMULARI pentru circuitul de diferenta (2)
SIMULARI pentru circuitul de diferenta (2)

SIM 2.7: vO (t)

SIMULARI pentru circuitul de diferenta (2)

SIM 2.8: vO (v3)

 2.2.12. Circuitul de diferenta (3)
R2
R1 AO1 R5
vs1 - A vo
vs2 +

R3
R4 AO2 -

R6

⎛ R2 ⎞ v s 2 R4 + vo R3 ⎛ R2 ⎞ R ⎤ R2
v A = v s 1 ⎜⎜ − ⎟⎟ + ⎜⎜ 1 + ⎟⎟ ⎡
1 + 2 ⎥ 1+
⎝ R1 ⎠ R3 + R4 ⎝ R1 ⎠ ⎢⎛ R5 ⎞ R1 R1 R
⇒ vo ⎢⎜⎜ 1 + ⎟⎟ − ⎥ = v s 2 − v s1 2
⎢⎝ R6 ⎠ R4 ⎥ R3 R1
R6 1+ 1+ ⇒
vo = v A ⎢⎣ R3 ⎥⎦ R4
R5 + R6
vo = A(v s 2 − v s 1 )
vo R R
⇒ R1 R4 = R2 R3⇒ A = = 6 2
v s 2 − v s 1 R5 R1
2.2.13. Convertoarele logaritmic si anti-logaritmic
i Q i R

R i Q i
-
vo -
vo
vs + vs +

Convertorul logaritmic Convertorul anti-logaritmic

⎛ i ⎞ vo = − iR
vo = − v BE = −Vth ln⎜⎜ ⎟⎟
⎝ I S ⎠ v EB vs
⎛ v ⎞ Vth Vth
vo = −Vth ln⎜⎜ s ⎟⎟ i = ISe = ISe
⎝ RI S ⎠
2.2.14. Circuit pentru calculul functiei Y = Xn
X n = e n ln x

vI ln vI n ln vI vIn
Circuit Circuit anti-
Amplificator
logaritmic logaritmic
2.2.15. Circuit de multiplicare

vs1 R
-
R R
+ vo1
R

-
- vo
+ v03 +

vs2 R R
-
+ vo2

v v
vo1 = −Vth ln s 1 vo 2 = −Vth ln s 2
RI S RI S

⎛ R ⎞ ⎛ R ⎞ v v
vo 3 = ⎜ − ⎟vo1 + ⎜ − ⎟vo 2 = − (vo1 + vo 2 ) = Vth ln s 12 s22
⎝ R ⎠ ⎝ R ⎠ R IS
vo 3
Vth v s 1v s 2
vo = − RI S e =−
RI S
2.2.16. Circuit de impartire

vs1 R
-
+ vo1 R
R
R
-
+
- vo
v03 +
R
R R
vs2
-
+ vo2

v v
vo1 = −Vth ln s 1 vo 2 = −Vth ln s 2
RI S RI S
v
vo 3 = vo 2 − vo1 = Vth ln s 1
vs2
vo 3
Vth v s1
vo = − RI S e = − RI S
vs2
2.2.17. Circuit de exponentiere (1)

Q1
R3
IO
-
Q2
- vO
vI +
R1 +
R2

R2 ⎛ I C 1 ⎞ ⎛ I O R3 ⎞
vI = v BE 1 − v BE 2 = Vth ln⎜⎜ ⎟⎟ = Vth ln⎜⎜ ⎟⎟ ⇒
R1 + R2 ⎝ I C 2 ⎠ ⎝ vO ⎠

v I R2
−
Vth R1 + R2
⇒ vO = I O R3 e
2.2.18. Circuit de exponentiere (2)
Q1 Q2 R4

IO
VCC R3
-
+ - vO
+

R1
vI

R2

R2 ⎛ I C 1 ⎞ ⎛ I O R4 ⎞
vI = v BE 1 − v BE 2 = Vth ln⎜⎜ ⎟⎟ = Vth ln⎜⎜ ⎟⎟ ⇒
R1 + R2 ⎝ I C 2 ⎠ ⎝ vO ⎠

v I R2
−
Vth R1 + R2
⇒ vO = I O R4 e
2.2.19. Simulator de impedanta
R3

R1 R1
Z = 1/jωC
R2
iI -
vI +
-
(vO1) +
Zech (vO2)

⎛ Z ⎞ ⎛ Z ⎞
vO 2 = v I ⎜⎜ 1 + ⎟⎟ + vO 1 ⎜⎜ − ⎟⎟
⎝ R2 ⎠ ⎝ R2 ⎠ ⇒ vO 2 = v I ⎛⎜ 1 − Z ⎞⎟
⎜ R2 ⎟⎠
⎝ Z
vO 1 = 2 v I ⇒ iI = vI ⇒
v − vO 2 R2 R3
iI = I
R3

v R R
⇒ Z ech = I = 2 3 = jω (R2 R3C ) = jωLech Lech = R2 R3 C
iI Z
2.2.20. Senzori de temperatura (1)

VCC
Q1(A) Q2(A)

I(T)

Q3(nA) Q4(A)

V − VBE 3 Vth ⎛ I C 4 I S 3 ⎞ Vth

I ( T ) = BE 4 = ln⎜⎜ ⎟⎟ = ln n
R R ⎝ I C 3 I S 4 ⎠ R
2.2.21. Senzori de temperatura (2)

VCC

Q1 Q2 R2
R3 -
+ vO1 R1
- vO
vO2 +
+ R1
Q5 Q3 -
Q4 R2

R2 R2 R2 ⎛ I C 2 I S 1 ⎞
vO = (vO 2 − vO 1 ) = (v BE 2 − v BE 1 ) = Vth ln⎜⎜ ⎟⎟ ⇒
R1 R1 R1 ⎝ I C 1 I S 2 ⎠

R2 ⎛ I I ⎞ R ⎛ I I ⎞ R ⎛ A A ⎞
⇒ vO = Vth ln⎜⎜ C 4 S 1 ⎟⎟ = 2 Vth ln⎜⎜ S 4 S 1 ⎟⎟ = 2 Vth ln⎜⎜ 4 1 ⎟⎟ = MT
R1 ⎝ I C 3 I S 2 ⎠ R1 ⎝ I S 3 I S 2 ⎠ R1 ⎝ A3 A2 ⎠
R k ⎛ A A ⎞
M = 2 ln⎜⎜ 4 1 ⎟⎟
R1 q ⎝ A3 A2 ⎠
2.2.22. Redresor mono-alternanta

D1

R D2
vI -
vO
+ vO1

v I > 0 ⇒ vO 1 < 0 ⇒ D1 deschisa , D2 blocata

v I < 0 ⇒ vO 1 > 0 ⇒ D2 deschisa , D1 blocata

2.2.22. Redresor mono-alternanta

vI > 0 vI < 0

R
R
D1

R
vI - R D2
vO vI -
+ vO1 vO
+ vO1

R
vO = 0 vO = − v I = −v I
R
2.2.22. Redresor mono-alternanta
vI
VI

-VI

vo

VI
t

vo1

VI
VD
t
-VD
2.2.22. Redresor mono-alternanta
vI
Exemplu
Fara D1
f=10kHz
VI
T=1/f=100 µs
t T/2=50 µs
-VI
SR= 1V/µs
vo Δvo1=(VCC + VD)=15+0,6=15,6V
VI Δt = Δvo1/SR=15,6 µs

t
15,6µs
Real
vo1 vD
VI +VD

VD
Ideal
t (SR=infinit) 25µs

panta SR

-VCC
2.2.23. Redresor bi-alternanta (1)

R2 = R B R1 = R A R3 = R R4 = 2R

D2 D1

- AO AO2
-
+ 1 vO1 Vo
+

vI
v I > 0 ⇒ vO 1 > 0 ⇒ D2 deschisa , D1 blocata

v I < 0 ⇒ vO 1 < 0 ⇒ D1 deschisa , D2 blocata

2.2.23. Redresor bi-alternanta (1)

R2 = R B R1 = R A R3 = R R4 = 2R

- AO1 AO2
-
+
+
Vo

vI

⎛ R4 ⎞ R4
vI > 0 VB = v I vO = ⎜⎜ 1 + ⎟⎟v I − VB = v I
⎝ R1 + R3 ⎠ R1 + R3
2.2.23. Redresor bi-alternanta (1)

R2 = R B R1 = R A R3 = R R4 = 2R

- AO1 AO2
-
+
vO1 +
Vo

vI

⎛ R1 ⎞ ⎛ R4 ⎞ R
vI < 0 V A = ⎜⎜ 1 + ⎟⎟v I = 2v I vO = ⎜⎜ 1 + ⎟⎟v I − 4 V A = − v I
⎝ R2 ⎠ ⎝ R3 ⎠ R3

Concluzie: vO = v I
SIMULARI pentru redresorul bialternanta (1)
SIMULARI pentru redresorul bialternanta (2)

SIM 2.9: vO (t)

SIMULARI pentru redresorul bialternanta (1)

SIM 2.10: vO (v5)

2.2.24. Redresor bi-alternanta (2)

R1 = R A R4 = R/2 R5 = R
D1
B
R2 = R AO1 D2
- R3 = R AO2
-
+ Vo
vI vO1 +

v I > 0 ⇒ vO 1 < 0 ⇒ D1 deschisa , D2 blocata

v I < 0 ⇒ vO 1 > 0 ⇒ D2 deschisa , D1 blocata

2.2.24. Redresor bi-alternanta (2)

R1 = R R4 = R/2 R5 = R

B
R2 = R AO1
- R3 = R AO2
-
+
+
Vo
vI

R
vI > 0 VB = 0 vO = − 5 v I = − v I
R3
2.2.24. Redresor bi-alternanta (2)

R1 = R A R4 = R/2 R5 = R

R2 = R AO1
- R3 = R AO2
-
+ Vo
vI vO1 +

R1 R R
vI < 0 VA = − vI vO = − 5 V A − 5 v I = v I
R2 R4 R3

Concluzie: vO = − v I
2.2.25. Circuit multifunctional RC 4200
i4

Q1 Q4
i1
-
+
-
+

i3
Q2 Q3

i2
-
+

VBE 1 + VBE 2 = VBE 3 + VBE 4

i i i i
Vth ln 1 + Vth ln 2 = Vth ln 3 + Vth ln 4 ⇒ i1i2 = i 3 i4
IS IS IS IS
2.2.25. Circuit multifunctional RC 4200 - aplicatie

i1i 2 R2 ⎛ VR V X ⎞⎛ VR VY ⎞ VR V X VY R2V X VY

i3 = = ⎜⎜ + ⎟⎟⎜⎜ + ⎟⎟ = + + +
i4 VR ⎝ R2 R1 ⎠⎝ R2 R1 ⎠ R2 R1 R1 VR R12

VR V X VY ⎛⎜ VR V X VY R2V X VY ⎞
⎟ = − R2V X VY
iO = + + − + + +
R2 R1 R1 ⎜⎝ R2 R1 R1 VR R12 ⎟
⎠ VR R12
R R
vO = − iO RO = 2 O2 V X VY
VR R1
2.2.26. Stabilizator de tensiune (1)

VCC
VCC
IO

VZ
VO

VO = VZ
2.2.27. Stabilizator de tensiune (2)

VCC

T1
Referinţă de
tensiune Amplificator T2
IO
VREF de eroare Tranzistoare
serie
R1

VO

R2

R2 ⎛ R1 ⎞
VO = VREF ⇒ VO = VREF ⎜⎜ 1 + ⎟⎟
R1 + R2 ⎝ R2 ⎠
2.2.28. Stabilizator de tensiune (3)

VCC

Tranzistoare
serie
Referinta de
Amplificator
tensiune
de eroare A2
R1
Amplificator
de eroare A1 VO
VREF

R2

R2 ⎛ R1 ⎞
VO = VREF ⇒ VO = VREF ⎜⎜ 1 + ⎟⎟
R1 + R2 ⎝ R2 ⎠
2.2.29. Circuit de protectie la supracurent
VCC

Iampl.
T1
T2

T3

RCL
IO

VO
Circuit limitare
curent

V 0 ,65V
I O = BE =
RCL RCL
2.3. Comparatoare
2.3.1. Comparator simplu

v2 v1 > v 2 ⇒ vO = VOH
-
v1 + vO
v1 < v 2 ⇒ vO = VOL

vO

VOH

vI = v2 – v1

panta a

VOL
 2.3.2. Comparator cu histerezis
VO

R1 R2
V3 VOH = VOM

V4
+ VO VPL VP VPH
V4 -

VOL = -VOM
V3 – sursa de tensiune constanta
V4 – sursa de tensiune variabila

R2 R1 R2 R1
V PL = V3 − VOH V PH = V3 + VOH
R1 + R2 R1 + R2 R1 + R2 R1 + R2

R1 V PL + V PH R2
ΔV P = V PH − V PL = 2VOH VP = = V3
R1 + R2 2 R1 + R2
SIMULARI pentru comparatorul cu histerezis
SIMULARI pentru comparatorul cu histerezis

SIM 2.11: v4 (t), vO (t)

V3 = 2V
V4 - semnal dreptunghiular
VOM ≅ 8 ,5V

Latimea ferestrei de histerezis:

R1
ΔVP = 2VOM ≅0
R1 + R2
SIMULARI pentru comparatorul cu histerezis

SIM 2.12: v4 (t), vO (t)

V3 = 2V
V4 - semnal dreptunghiular
VOM ≅ 8 ,5V

Latimea ferestrei de histerezis:

R1
ΔVP = 2VOM ≅ 650 mV
R1 + R2
SIMULARI pentru comparatorul cu histerezis

SIM 2.13: v4 (t), vO (t)

V3 = 2V
V4 - zgomot de amplitudine maxima
400mV, suprapus peste un
semnal dreptunghiular
VOM ≅ 8 ,5V

Latimea ferestrei de histerezis

(mai mica decat amplitudinea
maxima a zgomotului):
R1
ΔVP = 2VOM ≅0
R1 + R2
SIMULARI pentru comparatorul cu histerezis

SIM 2.14: v4 (t), vO (t)

V3 = 2V
V4 - zgomot de amplitudine maxima
400mV, suprapus peste un
semnal dreptunghiular
VOM ≅ 8 ,5V

Latimea ferestrei de histerezis

(mai mare decat amplitudinea
maxima a zgomotului):
R1
ΔVP = 2VOM ≅ 650 mV
R1 + R2
2.4. Deviatii de la idealitate si limitari ale AO real
Parametri (AO bipolar) Ordin de marime
•  amplificare in tensiune a > 105
•  tensiune de intrare de offset vIO = 2mV
•  curenti de polarizare a intrarilor IB = 80 nA
•  curent de intrare de offset IIO = 5nA
•  impedanta de intrare Ri = 2MΩ
•  domeniul tensiunii de intrare de mod comun [vICmin, vICmax ]
•  excursia maxima a tensiunii de iesire [vOmin, vOmax ]
•  curentul maxim de iesire IOmax (zeci mA)
•  factor de rejectie a tensiunii de mod comun CMRR = 80dB
•  factor de rejectie a tensiunii de alimentare PSRR = 80-120dB
•  impedanta de iesire RO = 75Ω
•  frecventa de amplificare unitara fU = 1MHz
•  slew-rate SR = (0,2-1)V/µs
2.4. Deviatii de la idealitate si limitari ale AO real
2.4.1. Valoarea finita a amplificarii in bucla deschisa (a)
Exemplu 1: Utilizarea unui AO real pentru
realizarea unui comparator de tensiune
vO
a
vi- - vo
vi+ +
VCC 1V
In regiunea liniara: panta a
(
v O = a v I+ − v I− ) -10µV
vI+- vI-
10µV
In saturatia negativa:
vO ≅ − (VCC − 1V )
1V -VCC
In saturatia pozitiva:
saturatie negativa regiunea liniara saturatia pozitiva
vO ≅ VCC − 1V
2.4. Deviatii de la idealitate si limitari ale AO real
2.4.1. Valoarea finita a amplificarii in bucla deschisa (a)

Exemplu 2: Amplificatorul inversor

i2 R2

R1 i1
-
a vO
vO/a
v1 +

vO vO
v1 + v +
a + O a =0⇒
R1 R2

vO R2 1 a →∞ R
⇒ Areal = =− → Aideal = − 2
v1 R1 1 + 1 R1 + R2 R1
a R1
SIMULARI pentru evaluarea erorilor introduse de
valoarea redusa a amplificarii in bucla deschisa (a)
 SIMULARI pentru evaluarea erorilor introduse de
valoarea redusa a amplificarii in bucla deschisa (a)

SIM 2.15: v1 (t), vO (t)

V AMPL = 0 ,1mV
v1 (t ) = VAMPL sin(2π f t ) f = 1kHz
a = 10 3
SIMULARI pentru evaluarea erorilor introduse de
valoarea redusa a amplificarii in bucla deschisa (a)

SIM 2.15: v1 (t), vO (t) (continuare)

R2 1
Areal = −
R1 1 ⎛ R2 ⎞
1 + ⎜⎜ 1 + ⎟
a ⎝ R1 ⎟⎠

1
Areal = −10 3
1
1+
10 3
(1 + 10 3
)

10 3 Aideal
Areal = − =
2 2
2.4. Deviatii de la idealitate si limitari ale AO real
2.4.1. Valoarea finita a amplificarii in bucla deschisa (a)

Exemplu 3: Amplificatorul neinversor

i2 R2

- a
vO
vO/a +
R1
v1
i1

vO v − ⎛ v − vO ⎞
v1 − O ⎜ 1 ⎟
a = ⎝ a ⎠
R1 R2

vO R1 + R2 1 a →∞ R
A= = → 1+ 2
v1 R1 1 + R1 + R2 R1
aR1
2.4. Deviatii de la idealitate si limitari ale AO real
2.4.2. Curentul de polarizare a intrarilor (IB)

Reprezinta media aritmetica a curentilor de intrare in AO.

I + I B2
I B = B1
2

Valori tipice:

•  10-100 nA – pentru etaje de intrare realizate in tehnologia bipolara

•  < 0,001pA – pentru etaje de intrare realizate in tehnologia MOS

2.4. Deviatii de la idealitate si limitari ale AO real
2.4.2. Curentul de polarizare a intrarilor (IB)

Metoda de compensare a erorilor introduse de curentul IB

R2

R1 IB1
-
+
VO
IB2
R3

⎛ R2 ⎞
VO = − I B 2 R3 ⎜⎜ 1 + ⎟⎟ + I B 1 R2
⎝ R1 ⎠
R1 R2
Daca: I B 1 = I B 2 si R3 = R1 // R2 =
R1 + R2
se obtine:
VO = 0
 SIMULARI pentru evaluarea erorilor introduse de
valoarea nenula a curentului de polarizare a intrarilor (IB)
 SIMULARI pentru evaluarea erorilor introduse de
valoarea nenula a curentului de polarizare a intrarilor (IB)

SIM 2.16: v3 (t), vO (t) ( fara compensare cu R3 )

v 3 (t ) = V AMPL sin(2π f t )

V AMPL = 5 mV
f = 1kHz
I B = 80 nA

⎛ R2 ⎞
ΔVO = − I B 2 R3 ⎜⎜ 1 + ⎟⎟ + I B 1 R2
⎝ R1 ⎠

R3 = 0 ⇒ ΔVO = I B 1 R2
ΔVO = 80 nA × 10 MΩ
ΔVO = 800 mV
 SIMULARI pentru evaluarea erorilor introduse de
valoarea nenula a curentului de polarizare a intrarilor (IB)

SIM 2.17: v3 (t), vO (t) ( cu compensare folosind R3 )

v 3 (t ) = V AMPL sin(2π f t )

V AMPL = 5 mV
f = 1kHz
I B = 80 nA

⎛ R2 ⎞
ΔVO = − I B 2 R3 ⎜⎜ 1 + ⎟⎟ + I B 1 R2
⎝ R1 ⎠
R3 = R1 // R2
R3 = 1 MΩ // 10 MΩ
R3 ≅ 910 kΩ
⇒ ΔVO = 0
2.4. Deviatii de la idealitate si limitari ale AO real
2.4.3. Curentul de offset (decalaj) de intrare (IIO)

VCC

R1 R2

IB1 IB2
Q1 Q2

IO
-VCC

IIO = IB1 - IB2

2.4. Deviatii de la idealitate si limitari ale AO real
2.4.4. Domeniul tensiunii de intrare de mod comun [vICmin vICmin]

Domeniul tensiunii de intrare de mod comun este reprezentat de intervalul maxim

de variatie al tensiunii de intrare de mod comun pentru care circuitul functioneaza
corect.
SIMULARI pentru evaluarea limitarilor introduse de [vICmin vICmin]
 2.4. Deviatii de la idealitate si limitari ale AO real
2.4.4. Domeniul tensiunii de intrare de mod comun [vICmin vICmin]
SIMULARI pentru evaluarea limitarilor introduse de [vICmin vICmin]
SIM 2.18: vO (t) – pentru vICmin < vIC < vICmax

v
v 3 (t ) = V AMPL sin(2π f t ) V AMPL = 1mV ; f = 100 Hz ; v IC = 0 A = o = 1100
v3
 2.4. Deviatii de la idealitate si limitari ale AO real
2.4.4. Domeniul tensiunii de intrare de mod comun [vICmin vICmin]
SIMULARI pentru evaluarea limitarilor introduse de [vICmin vICmin]
SIM 2.19: vO (t) – pentru vIC > vICmax

v
v 3 (t ) = V AMPL sin(2π f t ) V AMPL = 1mV ; f = 100 Hz ; v IC = 9V A = o = 1100
v3
 2.4. Deviatii de la idealitate si limitari ale AO real
2.4.4. Domeniul tensiunii de intrare de mod comun [vICmin vICmin]
SIMULARI pentru evaluarea limitarilor introduse de [vICmin vICmin]
SIM 2.20: vO (t) – pentru vIC < vICmin

vo
v 3 (t ) = V AMPL sin(2π f t ) V AMPL = 1mV ; f = 100 Hz ; v IC = −9V A = = 1100
v3
2.4. Deviatii de la idealitate si limitari ale AO real
2.4.5. Excursia maxima a tensiunii de iesire [vOmin, vOmax ]

Reprezinta limitele (minima si maxima) intre care poate evolua tensiunea de

iesire a AO.

Este corelata cu tensiunile de alimentare ale AO, fiind influentata de

configuratia etajului de iesire al acestuia.
SIMULARI pentru evaluarea excursiei maxime
a tensiunii de iesire [vOmin, vOmax ]
SIMULARI pentru evaluarea excursiei maxime
a tensiunii de iesire [vOmin, vOmax ]

SIM 2.21: v3 (t), vO (t)

v 3 (t ) = V AMPL sin(2π f t )

V AMPL = 200 mV
f = 1kHz
V1 = 9V ;V2 = −9V

R
vO (t ) = − 2 v 3 (t ) = −100 v 3 (t )
R1
vO (t ) = −20 V sin(2π f t )
2.4. Deviatii de la idealitate si limitari ale AO real
2.4.6. Curentul maxim de iesire al AO ( IOmax )

Reprezinta valoarea maxima a curentului furnizat de iesirea AO.

SIMULARI pentru evaluarea curentului maxim de iesire ( IOmax )
2.4. Deviatii de la idealitate si limitari ale AO real
2.4.6. Curentul maxim de iesire al AO ( IOmax )

SIMULARI pentru evaluarea curentului maxim de iesire ( IOmax )

SIM 2.22: v3 (t), vO (t)

v 3 (t ) = V AMPL sin(2π f t )

V AMPL = 100 mV
R
vO (t ) = − 2 v 3 (t ) = −10 v 3 (t )
R1
vO (t ) = −1V sin(2π f t )
v (t )
iO (t ) = O
R3
iO (t ) = −100 mA sin(2π f t )
2.4. Deviatii de la idealitate si limitari ale AO real
2.4.7. Factorul de rejectie a tensiunii de mod comun (CMRR)
Caracterizeaza capacitatea amplificatorului operational de a amplifica semnalele
de mod diferential si de a rejecta semnalele de mod comun.

2.4.8. Factorul de rejectie a tensiunii de alimentare (PSRR)

Caracterizeaza capacitatea amplificatorului operational de a rejecta variatiile
tensiunii de alimentare.
2.4. Deviatii de la idealitate si limitari ale AO real
2.4.9. Frecventa de amplificare unitara ( fU )

Reprezinta frecventa pentru care amplificarea in bucla deschisa a AO

devine unitara.

100 dB
-20 dB/dec

fU
f
10 Hz 1MHz

fU – in domeniul 1MHz – 100MHz

2.4. Deviatii de la idealitate si limitari ale AO real
2.4.10. Slew-rate-ul (SR)

Reprezinta panta maxima a raspunsului tranzitoriu pentru un semnal de intrare

de tip treapta.

Semnal de
intrare
treapta t

Semnal de
iesire SR = dVO/dt
t
SIMULARI pentru evaluarea erorilor introduse de
valoarea finita a slew-rate-ului (SR) unui AO
SIMULARI pentru evaluarea erorilor introduse de
valoarea finita a slew-rate-ului (SR) unui AO

SIM 2.23: v3 (t), vO (t)

v 3 - semnal dreptunghiular
dV 10V
SR = O = = 0 ,5V / µs
dt 20 µs
SIMULARI pentru evaluarea erorilor introduse de
valoarea finita a slew-rate-ului (SR) unui AO
SIM 2.24: v3 (t), vO (t)

v3 (t ) = V AMPL sin(2π f t )

V AMPL = 1V
f = 100 kHz
R
vO = − 2 V AMPL sin(2π f t )
R1
dvO (t ) ⎛ R2 ⎞
= 2π f V AMPL ⎜⎜ − ⎟⎟ cos (2π f t )
dt ⎝ R1 ⎠

dvO (t ) R
= 2π f V AMPL 2
dt max R1
dvO (t )
= 6 ,28V / µs > SR ≅ 0 ,5V / µs
dt max
 Capitolul 3
Surse de curent si surse de tensiune
3.1. Surse de curent
3.1. Surse de curent
3.1.1. Introducere

IO VO IO

VO
Parametri:
•  Curentul de iesire IO [A]

•  Rezistenta de iesire [Ω]

dVO
RO =
dI O V
CC , T = ct .
•  Tensiunea minima de iesire [V]

•  Coeficientul de temperatura [A/K]

dI O
TC I O =
dT RL ,VCC = ct .
•  Coeficientul relativ de temperatura [1/K]

1 dI O
RTC I O =
I O dT R ,V = ct .
L CC
•  Factorul de rejectie al tensiunii de alimentare (Power Supply Rejection Ratio) [A/V]

dI O
PSRR =
dVCC RL , T = ct .
•  Sensibilitatea curentului de iesire in raport cu variatiile tensiunii de alimentare [-]

I dI O / I O V dI O
SVO = = CC
CC dVCC / VCC I O dVCC
R L , T = ct . RL , T = ct .
IO

RO = (dIO/dVO)-1
IO

VO
VOmin
Caracteristica de iesire a unei surse de curent
Clasificare
I. Surse de curent elementare
- complexitate redusa
- performante modeste

II. Surse de curent cascod

- rezistenta de iesire mare
- tensiune minima de iesire mare
- tensiune minima de alimentare mare

III. Surse de curent cu autopolarizare

- dependenta redusa IO (VCC)
- necesita circuit de pornire

IV. Surse de curent compensate cu temperatura

- dependenta redusa de temperatura
- complexitare ridicata
3.1.2. Surse de curent elementare
3.1.2. Surse de curent elementare

Sursa de curent CMOS cu un tranzistor

VO

IO
RO V = VGS + I O R
KR
K ⇒ V = VGS + (VGS − VT )2
Q I O = (VGS − VT )2 2
2 ⇒ VGS (> VT ) ⇒ I O
V
R
RO = rds (1 + gm R )
VO min = V − VGS + (VGS − VT ) = V − VT
Sursa de curent bipolara cu un tranzistor

VO V − V BE
IO =
RO R
IO

Q ⎛ β R ⎞
RO = ro ⎜ 1 +
⎜ ⎟⎟
V ⎝ rπ + R ⎠
R

VO min = V − VBE + VCEsat

 Oglinda de curent CMOS

VDD VO
RO

R IO
I
Q1 Q2

Curentul de iesire
V DD = I O R + VGS 1
KR
⇒ V DD = (VGS 1 − VT )2 + VGS 1 ⇒
K 2
IO = (VGS 1 − VT )2
2 1 1
⇒ (VGS 1 )1, 2 = VT − ± 1 + 2 KR(V DD − VT )
KR KR
VGS trebuie sa fie mai mare decat VT:

1 1
VGS 1 = VT − + 1 + 2 KR (V DD − VT )
KR KR

1
⇒ IO =
2
[1 + KR(V DD − VT ) − ]
1 + 2 KR (V DD − VT )
KR

Rezistenta de iesire 1
RO = rds 2 =
λI O
Tensiunea minima de iesire
2IO
VO min = V DS 2 sat = VGS 2 − VT =
K
Efectul de modulare a lungimii canalului

K
(VGS 2 − VT ) 2 (1 + λV DS 2 )
IO 2 1 + λV DS 2 1 + λVO
= = =
I K 1 + λV DS 1 1 + λVGS 1
(VGS 1 − VT ) 2 (1 + λV DS 1 )
2
SIMULARI pentru oglinda de curent CMOS
Caracteristica de iesire
SIMULARI pentru oglinda de curent CMOS
Caracteristica de iesire

SIM 3.1: ID2 (V2)

SIMULARI pentru oglinda de curent CMOS
Caracteristica de iesire

SIM 3.2: ID2 (V2), rds2 - parametru

 SIMULARI pentru oglinda de curent CMOS
Dependenta curentului de iesire de tensiunea de alimentare
 SIMULARI pentru oglinda de curent CMOS
Dependenta curentului de iesire de tensiunea de alimentare

SIM 3.3: ID2 (V1)

Oglinda de curent bipolara
VCC VO
RO

R IO
I
Q1 Q2

Curent de iesire

VCC − VBE ⎛ VBE 1 ⎞

I= ≅ I S 1 exp⎜⎜ ⎟⎟
R ⎝ Vth ⎠
IO I S 2 V − VBE I S 2
⎛ VBE 2 ⎞ ⇒ ≅ ⇒ I O ≅ CC
I O ≅ I S 2 exp⎜⎜ ⎟⎟ I IS1 R IS1
⎝ Vth ⎠

VBE 1 = VBE 2
Rezistenta de iesire
VA VA
RO = ro = =
IC 2 IO
Tensiune minima de iesire
VO min = VCE 2 sat .
Efect Early
V − VBE ⎛ V ⎞⎛ V ⎞
I = CC = I S 1 exp⎜⎜ BE 1 ⎟⎟⎜⎜ 1 + CE 1 ⎟⎟
R ⎝ Vth ⎠⎝ V A ⎠
⎛ VBE 2 ⎞⎛ VCE 2 ⎞
I O = I S 2 exp⎜⎜ ⎟⎟⎜⎜ 1 + ⎟⎟
V
⎝ th ⎠⎝ V A ⎠
V V
1 + CE 1 1 + BE 1
IO I S 2 VA I VA
= = S2
I IS1 V IS1 V
1 + CE 2 1+ O
VA VA
Influenta β
IO βI B β
= =
I βI B + 2 I B β + 2
SIMULARI pentru oglinda de curent bipolara
Caracteristica de iesire
SIMULARI pentru oglinda de curent bipolara
Caracteristica de iesire

SIM 3.4: IC1 (V2)

SIMULARI pentru oglinda de curent bipolara
Caracteristica de iesire

SIM 3.5: IC1 (V2), VA1 - parametru

 SIMULARI pentru oglinda de curent bipolara
Dependenta curentului de iesire de tensiunea de alimentare
 SIMULARI pentru oglinda de curent bipolara
Dependenta curentului de iesire de tensiunea de alimentare

SIM 3.6: IC1 (V1)

Sursa de curent cu reducerea efectului β

Curent de iesire
V − 2V BE
I O ≅ I = CC
VCC R
Rezistenta de iesire
R
VA VA
I VO RO = ro = =
RO IC 2 IO
Q3
IO Tensiune minima de iesire
Q1 Q2
VO min = VCE 2 sat .

Influenta β

IO βI B 1
= = ≅1
I 2IB 2
βI B + 1+
β +1 β2 +β
Sursa de curent multipla

VCC

I
Q3 IO’
IO’’ IO’’’
Q1 Q2’ Q2’’ Q2’’
’
 Sursa de curent Widlar bipolara
Curentul de iesire
V − VBE
VCC VO I = CC
R1
RO
⎛ I ⎞ ⎛ I ⎞
R1 IO Vth ln⎜⎜ ⎟⎟ − Vth ln⎜⎜ O ⎟⎟
V
I O = BE 1
− VBE 2
= ⎝ I S ⎠ ⎝ I S ⎠
I R2 R2
Q1 Q2
V ⎛ I ⎞ V ⎛ V − VBE ⎞
I O = th ln⎜⎜ ⎟⎟ = th ln⎜⎜ CC ⎟⎟
R2 ⎝ I O ⎠ R2 ⎝ R1 I O ⎠
R2
Tensiunea minima de iesire

VO min = VCE 2 sat . + I O R2

Rezistenta de iesire
⎛ β R2 ⎞ V A ⎛ β R2 ⎞
RO = ro ⎜⎜ 1 + ⎟⎟ = ⎜⎜ 1 + ⎟⎟
⎝ rπ2 + R2 + (1 / g m1 ) // R1 ⎠ I O ⎝ rπ2 + R2 + (1 / g m1 ) // R1 ⎠
PSRR

dI O d ⎡Vth ⎛ VCC − V BE ⎞ ⎤
= ⎢ ln⎜⎜ ⎟⎟ ⎥
dVCC dVCC ⎣ R2 ⎝ R1 I O ⎠ ⎦
dI O
R1 I O − (VCC − VBE )R1
dI O Vth R1 I O dVCC
=
dVCC R2 VCC − V BE (R1 I O )2
1 Vth
dI O R2 VCC − V BE
=
dVCC V
1 + th
R2 I O
Sensibilitatea curentului de iesire in raport cu variatiile tensiunii de alimentare

I V dI O 1 1
SVO = CC = =
I O dVCC R I
1 + 2 O 1 + ln⎛⎜ VCC − VBE ⎞⎟
CC
Vth ⎜ R I ⎟
⎝ 1 O ⎠
Sursa de curent CMOS
Curentul de iesire
1 1
VDD VO VGS 1 = VT − + 1 + 2 KR1 (V DD − VT )
KR1 KR1
RO KR 2
R1 IO VGS 1 = VGS 2 + I O R 2 = VGS 2 + (VGS 2 − VT )2
2
I
(VGS 2 > VT )
Q1 Q2
K
IO = (VGS 2 − VT )2 (1 + λV DS 2 )
R2 2
Tensiunea minima de iesire
2 IO
VO min = VDS 2 sat + I O R2 = + I O R2
K

Rezistenta de iesire

RO = rds 2 (1 + g m 2 R 2 )
Sursa de curent standard
Curentul de iesire

v BE 1 + R1 I = v BE 2 + R2 I O
VCC VO
RO 1
IO = (R1 I + v BE 1 − v BE 2 )
R2
R IO
I O R1 Vth ⎛ I I S 2 ⎞
I = + ln⎜⎜ ⎟⎟
I R2 R2 I ⎝ I O I S 1 ⎠
Q1 Q2
Se poate determina I/IO deoarece:
V − v BE
R1 R2 I = CC
R + R1
Daca R1I >> vBE1 – vBE2:
I O R1
=
I R2
Rezistenta de iesire
⎛ β R2 ⎞
RO = ro 2 ⎜ 1 +
⎜ ⎟⎟
⎝ R2 + rπ 2 + R // (1 / g m 1 + R1 ) ⎠
Sursa de curent standard cu iesire multipla
VCC

R1

IREF
Q1 I3
I4 I5 I6
Q2 Q3 Q4 Q5 Q6

R2 R3 R4 R5 R6

Daca ariile tranzistoarelor sunt alese in asa fel incat densitatile de curent sa
fie egale, atunci tensiunile baza-emitor vor fi egale.
 ⎛ I REF I S 3 ⎞ ⎛ jA A ⎞
v BE 2 − v BE 3 = Vth ln⎜⎜ ⎟⎟ = Vth ln⎜⎜ 2 3 ⎟⎟ = 0
⎝ I 3 I S 2 ⎠ ⎝ jA3 A2 ⎠
Deci:
v BE 2 = ... = v BE 6
si:

I 3 R3 = I 4 R4 = I 5 R5 = I 6 R6 = I REF R2

Cei patru curenti de iesire au expresiile:

R2 R
I 3 = I REF ; ... ; I 6 = I REF 2
R3 R6
unde:

V − 2v BE
I REF = CC
R1 + R2
Sursa de curent utilizand ca referinta tensiunea baza-emitor

VCC

R1
IO
IREF
Q2

Q1

R2

v V V − 2v BE
I O = BE 1 = th ln CC
R2 R2 R1 I S
3.1.3. Surse de curent cascod
3.1.3. Surse de curent cascod
Sursa de curent cascod CMOS (1)
Curentul de iesire
V1 = VGS 1 + I O R
KR
K ⇒ V1 = VGS 1 + (VGS 1 − VT )2
IO = (VGS 1 − VT )2 2
VO 2 ⇒ VGS 1 (> VT ) ⇒ I O
RO
IO Rezistenta de iesire
RO = rds 2 (1 + gm RO 1 ) ≅ gm 2 rds
2
R
Q2 RO 1 = rds 1 (1 + gm R )
RO1
VA
Tensiunea minima de iesire
Q1
V2
V1
VO min = V2 − VGS 2 + (VGS 2 − VT ) = V2 − VT
R
Este necesar ca:
V DS 1 > V DS 1 sat ⇔
⇔ (V2 − VGS 2 ) − (V1 − VGS 1 ) > V DS 1 sat ⇔
2 IO
⇔ V2 − V1 > V DS 1 sat = VGS − VT =
K
Oglinda de curent cascod CMOS (2)

Curentul de iesire

I O 1 + λ V DS 2
VDD =
I 1 + λ V DS 3
Rezistenta de iesire
I VO

IO RO ( )
RO = rds 1 1 + gm 1 rds 2 ≅ gm rds2
Q4 Q1
Tensiunea minima de iesire
A
Q3 Q2 VO min = V A + VDS 1 sat = VGS + (VGS − VT )

2I
VO min = 2VGS − VT ≅ VT + 2
K
SIMULARI pentru oglinda de curent CMOS cascod
Caracteristica de iesire
SIMULARI pentru oglinda de curent CMOS cascod
Caracteristica de iesire

SIM 3.7: ID2 (V2)

SIMULARI pentru oglinda de curent CMOS cascod
Caracteristica de iesire

SIM 3.8: ID2 (V2), rds2, rds4 - parametri

 SIMULARI pentru oglinda de curent CMOS cascod
Dependenta curentului de iesire de tensiunea de alimentare
 SIMULARI pentru oglinda de curent CMOS cascod
Dependenta curentului de iesire de tensiunea de alimentare

SIM 3.9: ID2 (V1)

Sursa de curent cascod bipolara (1)

Curentul de iesire
V − V BE 1
IO = 1
R
VO
Rezistenta de iesire
RO
IO ⎛ β RO 1 ⎞
RO = ro 2 ⎜⎜ 1 + ⎟⎟ ≅ β rO 2
⎝ rπ2 + R O 1 ⎠
Q2
⎛ β R ⎞
RO1 RO 1 = ro1 ⎜⎜ 1 + ⎟⎟ >> rπ 2
VA r + R
⎝ π1 ⎠
Q1 Tensiune minima de iesire
V2
V1
R
VO min = V A + VCE 2 sat = V2 − VBE 2 + VCE 2 sat
Este necesar ca:
VCE 1 > VCE 1 sat ⇔
⇔ (V2 − VBE 2 ) − (V1 − VBE 1 ) > VCE 1 sat ⇔
⇔ V2 − V1 > VCE 1 sat
Oglinda de curent cascod bipolara (2)
Curentul de iesire
V − 2v BE
I O = I = CC
VCC VO R
RO

R IO Rezistenta de iesire

I ⎛ RO 3 ⎞
RO = ro 2 ⎜⎜ 1 + β ⎟⎟
⎝ rπ 2 + RO 3 + R //( 2 / g m 1 ) ⎠
Q1 Q2
RO3 RO 3 = ro 3 >> rπ 2 , R //( 2 / g m 1 )
A

Q4 Q3 Deci:
RO ≅ β ro 2

Tensiunea minima de iesire

VO min = V A + VCE 2 sat

V A = v BE 1 + v BE 4 − v BE 2 = v BE
Sursa de curent cascod bipolara (3) Curentul de iesire
v − v BE 5 Vth ⎛ I ⎞
I O = BE 3 = ln⎜⎜ ⎟⎟
R2 R2 ⎝ I O ⎠
VCC
VCC − 3v BE
I=
RO R1
R1 IO
Rezistenta de iesire
I Q4 ⎛ RO 5 ⎞
Q1 RO = ro 4 ⎜⎜ 1 + β ⎟⎟
⎝ rπ 4 + RO 5 + R1 //( 3 / gm 1 ) ⎠
A
RO5 ⎛ β R2 ⎞
Q2 RO 5 ≅ ro5 ⎜ 1 +
⎜ ⎟⎟
⎝ rπ 5 + R2 + 1 / gm 3 ⎠
Q5
Q3 RO 5 >> rπ 4 , R1 //( 3 / gm 1 )
R2 Deci:
RO ≅ β ro 4
Tensiunea minima de iesire
VO min = V A + VCE 4 sat
VA = 2v BE
Sursa de curent cascod MOS (3)
Curentul de iesire
VDD
VO IO = I
I1 = I I2 = I RO
Rezistenta de iesire
IO

Q5 Q4 Q1 R0 = rds 1 (1 + g m 1 rds 2 ) ≅ g m rds2

2 2
(W/L)/(n+1) (W/L)/n (W/L)/n2
IO Tensiunea minima de iesire
Q3 Q2
W/L W/L K' W / L
I= (VGS 5 − VT )2
2 ( n + 1) 2

K' W / L ⇒
I=
2 n2
(
VGS 1( 4 ) − VT 2 )
K'
I=
2
(
(W / L) VGS 2( 3 ) − VT 2 )
 (
VGS 5 − VT = (n + 1) VGS 2( 3 ) − VT )
⇒
(
VGS 1( 4 ) − VT = n VGS 2( 3 ) − VT )
Tensiunea drena-sursa a tranzistorului Q2 este:
V DS 2 = VGS 5 − VGS 1 = (VGS 5 − VT ) − (VGS 1 − VT ) = VGS 2 − VT = V DS 2 sat

Deci, Q2 este polarizat la limita de saturatie. Rezulta:

2I
VO min = V DS 1 sat + V DS 2 = (n + 1)(VGS 2 − VT ) = (n + 1)
K
3.1.4. Surse de curent cu autopolarizare
3.1.4. Surse de curent cu autopolarizare
Oglinda de curent
VCC − v BE
IO =
R
I V ∂I O
SVO = CC ≅1
CC I O ∂VCC
Sursa de curent Widlar bipolara
V I
I O = th ln
R2 I O
∂I O Vth I O ⎛⎜ 1 ∂I I ∂I O ⎞
⎟
= − 2
∂VCC R2 I ⎜⎝ I O ∂VCC I O ∂VCC ⎟
⎠
Vth
∂I O IR2 ∂I
=
∂VCC V ∂VCC
1 + th
R2 I O
I VCC ∂I O V 1 ∂I 1
SVO = = CC ≅
CC I O ∂VCC I R I ∂V R I
1 + 2 O CC 1 + 2 O
Vth Vth
Sursa de curent utilizand ca referinta tensiunea baza-emitor

V V − 2v BE
I O = th ln CC
R2 R1 I S

∂I O V R1 I S 1
≅ th
∂VCC R2 VCC − 2v BE R1 I S

I Vth
SVO ≅ ≅ 4%
CC v BE
 Sursa de curent cu autopolarizare utilizand ca referinta
tensiunea baza-emitor
v V I
I O = BE 1 = th ln REF
R2 R2 IS
VCC
VCC − 2v BE ⇒
1+
Q4 Q5 Q6 I REF VA V − 2v BE
= ≅ 1 + CC
IO v VA
IO 1 + BE
IO VA
IREF
V I V ⎛ V − 2v BE ⎞
Q2 IO ⇒ I O = th ln O + th ln⎜⎜ 1 + CC ⎟⎟
R2 I S R2 ⎝ VA ⎠
Q1 Q3
Derivand:
R2 ∂I O Vth
=
∂VCC R2 (V A + VCC )
rezulta:
I Vth 1
SVO ≅
CC v BE V
1+ A
VCC
Sursa de curent Widlar cu autopolarizare

v −v
I O = BE 1 BE 2
R2
VCC

Vth ⎛ I REF ⎞ Vth ⎛ I S 2 ⎞

Q3 Q4 Q6 IO = ln⎜⎜ ⎟⎟ + ln⎜⎜ ⎟⎟
R2 ⎝ I O ⎠ R2 ⎝ I S 1 ⎠
IO
IO V ⎛ V ⎞ Vth ⎛ I S 2 ⎞
IREF I O ≅ th ln⎜⎜ 1 + CC ⎟⎟ + ln⎜⎜ ⎟⎟
R2 ⎝ VA ⎠ R2 ⎝ I S 1 ⎠
Q1 Q2 IO
Q5 I V 1
SVO ≅ CC
CC VA ⎛ I ⎞
R2 ln⎜⎜ S 2 ⎟⎟
⎝ I S 1 ⎠
Sursa de curent CMOS cu autopolarizare (1)
Curentul de iesire
VGS K
VDD IO = = (VGS − VT ) 2
R 2
Q4 Q5 KR 2 KR 2
VGS − (1 + KRVT )VGS + VT = 0
2 2
Q2 IO Rezolvand ecuatia pentru VGS rezulta:
Q1 Q3
IO 1 2 KRVT + 1
VGS 1, 2 = VT + ±
R KR KR

1 2 KRVT + 1
VGS = VT + +
KR KR
Deci:

1
IO =
2
(1 + KRVT + 1 + 2 KRVT )
KR
Sursa de curent CMOS cu autopolarizare (2)

Curentul de iesire
VDD
2 IO ⎛ I O ⎞
Q5 Q6
VT + + Vth ln⎜⎜ ⎟⎟ =
4K ⎝ I S ⎠
IO 2 IO ⎛ I ⎞
= VT + + Vth ln⎜⎜ O ⎟⎟
Q3 Q4 K ⎝ 10 I S ⎠

Rezulta:
Q1 Q2
IO = 2 K [Vth ln(10 )]2

kT
Vth = - tensiunea termica
q
Sursa de curent CMOS cu autopolarizare (3)

VDD

Q4 Q5 Q6
Curentul de iesire

I IO IO Pentru tranzistoare MOS identice,

Q2 Q3 R2 VA = VB, deci:
A B V
I O = EB 1
R1 R1
Q1
SIMULARI pentru sursa de curent CMOS cu autopolarizare (3)
Dependenta curentului de iesire de tensiunea de alimentare
SIMULARI pentru sursa de curent CMOS cu autopolarizare (3)
Dependenta curentului de iesire de tensiunea de alimentare

SIM 3.10: ID2 (V1)

SIMULARI pentru sursa de curent CMOS cu autopolarizare (3)
Dependenta curentului de iesire de temperatura
SIMULARI pentru sursa de curent CMOS cu autopolarizare (3)
Dependenta curentului de iesire de temperatura

SIM 3.11: ID2 (t)

 Sursa de curent CMOS cu autopolarizare (4)

VDD
Q4 Q5
Q6 Curentul de iesire
n(W/L) W/L

Q2 Q3 Se poate demostra ca VA = VB,

W/L deci:
n(W/L) B
A
R1 R2 V BE 1 − V BE7 V th
IO = = ln(n)
IO R1 R1

Q1 Q7
 Sursa de curent CMOS cu autopolarizare (5)
VDD
Q4 Q5 Q6 VO
n(W/L) W/L W/L
IO
A Q9
Q2 Q3 +
n(W/L) -
M N W/L
R2
R1

R3
Q1 Q7 Q8

VGS 2 = VGS 3
I ⎡ R2 ⎤
V − V EB7 R2 ⇒ IO ( T ) = Vth ln(n) + VEB8 ( T )⎥
V R2 = R2 EB1 = Vth ln(n ) R3 ⎢⎣ R1 ⎦
R1 R1

⎛ T ⎞
VEB ( T ) = A + BT + CT ln⎜⎜ ⎟⎟
⎝ TO ⎠
 Sursa de curent CMOS cu autopolarizare (5) – cont.
VDD
Q4 Q5 Q6 VO
n(W/L) W/L W/L
IO
A Q9
Q2 Q3 +
n(W/L) -
M N W/L
R2
R1

R3
Q1 Q7 Q8

I ⎡ R2 kT ⎛ T ⎞ ⎤
⇒ IO ( T ) = ⎢ ln(n ) + A + BT + CT ln⎜⎜ ⎟⎟ ⎥
R3 ⎣ R1 q ⎝ TO ⎠ ⎦
Conditia de corectie liniara a caracteristicii poate fi scrisa astfel:
R k
B + 2 ln(n ) = 0
R1 q
Rezulta:
I ⎡ ⎛ T ⎞ ⎤
IO ( T ) = ⎢ A + CT ln ⎜⎜ ⎟⎟ ⎥
R3 ⎣ ⎝ TO ⎠ ⎦
3.2. Surse de tensiune
3.2. Surse de tensiune
3.2.1. Clasificare
I. Surse de tensiune elementare
- complexitate redusa
- performante modeste

II. Surse de tensiune cu reactie

- rezistenta de iesire redusa
- complexitate medie

III. Surse de tensiune compensate cu temperatura

- dependenta redusa de temperatura a tensiunii de iesire
- complexitate ridicata
3.2.2. Surse de tensiune cu reactie
 3.2.2. Surse de tensiune cu reactie

Surse de tensiune cu stabilizare serie (schema bloc)

iI iO
EC

A D = bloc de divizare
C = bloc de comparare
R = circuit de referinta
vI A = amplificator
vO RL
C D
EC = element de control

R
 Surse de tensiune cu stabilizare paralel (schema bloc)

iI iO

A
D = bloc de divizare
C = bloc de comparare
vI EC C D vO R = circuit de referinta
RL
A = amplificator
EC = element de control
R
vI

VR R2
+
Q V R = VO
- R1 + R2
R1 ⎛ R ⎞
vO VO = V R ⎜⎜ 1 + 1 ⎟⎟
⎝ R2 ⎠
R2 RL

VCC

VR + R2
Q1 V R = VO
- R1 + R2
Q2
⎛ R ⎞
VO VO = V R ⎜⎜ 1 + 1 ⎟⎟
R1 ⎝ R2 ⎠
-VCC

R2
 VCC
VR +
-
Q1
Q2
VO+
- VCC R1 R2
V R = VO +
R1 + R2
R2 ⎛ R ⎞
R 3' VO + = V R ⎜⎜ 1 + 1 ⎟⎟
⎝ R2 ⎠
- VCC -VCC VO + VO −
R3'' = R3' =− ⇒ VO − = −VO +
R3 ' R3 ' '
-
+
Q3
Q4
VO -
VCC
 - VCC

VCC

AO2
AO1
-
VR Q1
+ R2
+ V R = VO
- Q2 R1 + R2
VO
R1 ⎛ R ⎞
VO = V R ⎜⎜ 1 + 1 ⎟⎟
-VCC ⎝ R2 ⎠
VCC
R2

Protectia la suprasarcina (1)

r IO
Q
V + VD 2 − VBE VD
R4
D1 D2 I OL = D 1 ≅
r r
r IO
Q

V
R4 I OL = BE
r
T1
Protectia la suprasarcina (2)

VCC
I
Q1

Q2

Circuit de Q3
limitare a R
curentului IO
VO

V
I OL = BE 3
R
circuitul BA 723

+
REF -
 Sursa de tensiune pentru VO < VR

VCC Q2 RSC VO

Q1
RL
VR
REF
R3 +
-
Q3

R1
R2

R1 V BE
VO = VR < VR I Osc =
R1 + R3 Rsc
 Sursa de tensiune pentru VO > VR

VCC Q2 RSC VO

Q1
RL
VR R3
REF
+
-
Q3

R1 R2

R1 ⎛ R2 ⎞ V BE
VO = V R ⇒ VO = V R ⎜⎜ 1 + ⎟⎟ > V R I Osc =
R1 + R2 ⎝ R1 ⎠ Rsc
3.2.3. Surse de tensiune compensate cu temperatura
3.2.3. Surse de tensiune compensate cu temperatura

Referinte de tensiune bandgap (banda interzisa)

VBE

VREF=VBE+DVth
Σ

Vth DVth
Vth A
Dependenta de temperatura a tensiunii VBE

⎡ I (T ) ⎤
VBE (T ) = Vth ln ⎢ C ⎥
⎣ I S (T ) ⎦ kT ⎡ I C (T ) ⎤
⇒ VBE (T ) = EG 0 + ln
⎛ E ⎞ q ⎢⎣ CT η ⎥⎦
I S (T ) = CT η exp⎜⎜ − GO ⎟⎟
⎝ Vth ⎠ kTO ⎡ I C (TO ) ⎤ ⇒
VBE (TO ) = EGO + ln ⎢ ⎥
q η
⎢⎣ CTO ⎥⎦

I C (T ) = BT α

VBE ( TO ) − EGO KT ⎛ T ⎞
⇒ VBE ( T ) = EGO + T + (α −η ) ln⎜⎜ ⎟⎟
TO q ⎝ TO ⎠

VBE ( TO ) − EGO
≅ −2 ,1mV / K < 0
TO
Functionarea referintelor de tensiune

VREF ( T ) = DVth + VBE ( T )

⎛ T ⎞ ⇒
VBE (T ) = A + BT + CT ln⎜⎜ ⎟⎟
T
⎝ O ⎠

⎛ k ⎞ ⎛ T ⎞
⇒ VREF (T ) = A + ⎜ B + D ⎟T + CT ln⎜⎜ ⎟⎟
⎝ q ⎠ ⎝ TO ⎠

k ⎛ T ⎞
B+ D = 0 ⇒ VREF (T ) = A + CT ln⎜⎜ ⎟⎟
q ⎝ TO ⎠
Referinta de tensiune (1)
V BE 2 − V BE 1 kT ⎛ I 2 ⎞
I1 = = ln⎜⎜ ⎟⎟
R3 qR 3 ⎝ I 1 ⎠
⇒

I 1 R1 = I 2 R2
R1 R2

I1 I2 kT ⎛ R1 ⎞
⇒ I1 = ln⎜⎜ ⎟⎟
+
VREF qR3 ⎝ R2 ⎠
-

R3
V REF (T ) = I 1 (T ) R1 + V BE 2 (T )
Q1 Q2 ⇒
⎛ T ⎞
VBE (T ) = A + BT + CT ln⎜⎜ ⎟⎟
⎝ TO ⎠

⎡ k R1 ⎛ R1 ⎞ ⎤ ⎛ T ⎞
⇒ VREF (T ) = A + ⎢ B + ln⎜⎜ ⎟⎟ ⎥T + CT ln⎜⎜ ⎟⎟
⎣ q R3 ⎝ R2 ⎠ ⎦ ⎝ TO ⎠
k R1 ⎛ R1 ⎞ ⎛ T ⎞
B+ ln⎜ ⎟ = 0 ⇒ VREF (T ) = A + CT ln⎜⎜ ⎟⎟ ≅ A ≅ 1,2V
q R3 ⎜⎝ R2 ⎟⎠ ⎝ TO ⎠
VREF

t
Referinta de tensiune (2)

VDD

Q6 Q7 Q8

Q4 Q5
VO
A B
R1 R2
I
Q1 Q2 Q3

2 I D5 2 I D4
V A − VB = VGS 5 − VGS 4 = (VGS 5 − VT ) − (VGS 4 − VT ) = −
K5 K4

2 I D 5 ⎛ I K ⎞ 2 I D 5 ⎛ I (W / L)5 ⎞
V A − VB = ⎜⎜ 1 − D 4 5 ⎟⎟ = ⎜⎜ 1 − D6 ⎟⎟
K 5 ⎝ I D 5 K 4 ⎠ K 5 ⎝ I D7 (W / L)4 ⎠
 2 I D 5 ⎛ (W / L)5 (W / L)6 ⎞
V A − VB = ⎜⎜ 1 − ⎟⎟
K ⎝ (W / L)4 (W / L)7 ⎠

(W / L) 4 (W / L)6
Pentru: = ⇒ V A = VB
(W / L) 5 (W / L)7
/ VBE1 (T ) / − / VBE2 (T ) /
⇒ VO (T ) = / VBE3 (T ) / + I (T ) R2 = / VBE3 (T ) / + R2
R1
R kT I D6
VO (T ) = / VBE 3 (T ) / + 2 ln
R1 q I D7

R kT ⎡ (W / L)6 ⎤
VO (T ) = / VBE3 (T ) / + 2 ln ⎢
R1 q ⎣ (W / L)7 ⎥⎦

⎛ T ⎞ ⎛ T ⎞
/ VBE (T ) / = A + BT + CT ln⎜⎜ ⎟⎟ ⇒ VO (T ) = A + CT ln⎜⎜ ⎟⎟
⎝ T0 ⎠ ⎝ T0 ⎠
R2 k ⎡ (W / L)6 ⎤
B+ ln =0
R1 q ⎢⎣ (W / L)7 ⎥⎦
 SIMULARE pentru referinta de tensiune (2)
Dependenta de temperatura a tensiunii de referinta
 SIMULARE pentru referinta de tensiune (2)
Dependenta de temperatura a tensiunii de referinta

SIM 3.13: VD5 (t)

 Referinta de tensiune (3)
V − VBE 1 Vth I C 2
I C 1 = BE 2 = ln
R4 R4 I C 1 ⇒
R1 R2 I C 1 R1 = I C 2 R2
+ VO V R
-
⇒ I C 1 = th ln 1
R3 R6 R4 R2
Q2
Q1
V A (T ) = ( I C 1 + I C 2 ) R5 + VBE 2 (T )
R4 ⇒
A R7
IC1 IC2 V A (T ) = VO (T )
R6 + R7
R5 R7

⎛ R ⎞ ⎡ R ⎛ R ⎞ ⎛ R ⎞ ⎤
⇒ VO (T ) = ⎜⎜ 1 + 6 ⎟⎟ ⎢VBE 2 (T ) + 5 ⎜⎜ 1 + 1 ⎟⎟Vth ln⎜⎜ 1 ⎟⎟ ⎥
⎝ R7 ⎠ ⎣ R4 ⎝ R2 ⎠ ⎝ R2 ⎠ ⎦ ⎛ R6 ⎞ ⎡ ⎛ T ⎞ ⎤
⇒ VO (T ) = ⎜⎜ 1 + ⎟⎟ ⎢ A + CT ln⎜⎜ ⎟⎟ ⎥
R5 ⎛ R1 ⎞ k ⎛ R1 ⎞ ⎝ R7 ⎠ ⎣ ⎝ T0 ⎠ ⎦
⎜⎜ 1 + ⎟⎟ ln⎜⎜ ⎟⎟ + B = 0
R4 ⎝ R2 ⎠ q ⎝ R2 ⎠
Senzori de temperatura
Exemplu (1)

R3 R1 R2

-
VO

Q1 Q2
R4

R5 I1

R4 I R
VO (T ) = VBE 1 − VBE 2 = Vth ln C 1 = Vth ln 2 ⇒
R3 + R4 + R5 IC 2 R1
⎛ R3 + R5 ⎞ ⎛ R2 ⎞
⇒ VO (T ) = ⎜⎜ 1 + ⎟⎟ Vth ln⎜⎜ ⎟⎟ = ct .T
⎝ R 4 ⎠ R
⎝ 1 ⎠
Exemplu (2)
VDD

Q5 Q6 Q7

Q3 Q4
A B VO
R1 R2

Q1 Q2

VBE1 − VBE 2 R2 ⎡ (W / L)5 ⎤

VO = R2 I D7 (T ) = R2 I D 4 (T ) = R2 = Vth ln ⎢ ⎥ = ct .T
R1 R1 ⎣ (W / L ) 6 ⎦
Exemplu (3) – circuit de extragere a tensiunii de prag

VDD
I 1:1 I I
Q1 Q2
K K Q3
K
Q4
4K VO

VC Q6 Q5 Q7
K 4K K

⎛ 2 I ⎞ ⎛ 2 I ⎞
VO = 2VGS4 − VGS3 = 2⎜⎜ VT + ⎟⎟ − ⎜⎜ VT + ⎟⎟ = VT = VT 0 + a (T − T0 )
⎝ 4 K ⎠ ⎝ K ⎠
 Capitolul 4
Amplificatoare elementare
4.1. Etaje de amplificare cu un tranzistor
4.1.1. Etajul sursa comuna

v − gm vGS ( RL // rds )
Av = O =
vI vGS
RL

vi vO Av = − gm (RL // rds )

Ri = ∞

Ro = RL // rds
4.1.2. Etajul drena comuna

vO gm vGS Rs
Av = =
v I vGS + gm vGS Rs

vi gm Rs
Av = ≅1
1 + gm Rs
RS vO
Ri = ∞

1
Ro = // Rs
gm
4.1.3. Etajul grila comuna

RL v − gm vGS RL
AV = O =
iO vI − vGS
vO
AV = gm RL
iI=II+ii
1
Ri =
vi (RI ) gm

Ro = RL // rds (1 + gm RI )
4.1.4. Etajul sarcina distribuita (MOS)

v − gm vGS RL
Av = O =
v I vGS + gm vGS Rs
RL

g m RL
vi vO Av = −
1 + gm Rs
RS
Ri = ∞

Ro = RL // rds (1 + gm RS )
 4.1.5. Etajul emitor comun

VCC

RB1 RC
CL
AV = − gm ( RC // RL )
CB
RL vo Ri = rπ // RB 1 // RB 2
Ro = RL // RC // ro
vi
RB2
RE CE
 4.1.6. Etajul colector comun

VCC

(β + 1)( RE // RL )
RB1 AV =
rπ + (β + 1)( RE // RL )
CB Ri = RB 1 // RB 2 // [rπ + (β + 1)( RE // RL )]
CL Ro = RE // RL // 1 / gm
vi
RB2 RE RL vo
4.1.7. Etajul baza comuna

i
Ai = O ≅ 1
RL iI
iO
v
vO AV = o = gm RL
vi
iI=II+ii 1
Ri =
gm
vI (RI )
⎛ β RI ⎞
Ro = RL // ro ⎜ 1 +
⎜ ⎟⎟
⎝ rπ + RI ⎠
4.1.8. Etajul sarcina distribuita (bipolar)

vO v O iC iB
AV = =
vi iC iB vi
RL
vO
vi Q β RL
AV = −
rπ + ( β + 1 )RE
RE Ri = rπ + ( β + 1 )RE
⎛ β RE ⎞
Ro = RL // ro ⎜⎜ 1 + ⎟⎟
⎝ rπ + RE ⎠
4.2. Amplificatorul cascod
Avantajul amplificatorului cascod: raspuns in frecventa superior
etajului emitor comun.

i Q2 i
vO
i’
vI Q1 R

v v i i' 1
AV = O = O = − Rβ = − gm 1 R
vI i i' v I rπ 1
4.3. Amplificatoare diferentiale CMOS elementare
4.3.1. Amplificatorul diferential CMOS cu sarcina pasiva

VDD
R1 R1
vO1 vO2

vI1 Q1 Q2 vI2

IO RO
Amplificatorul diferential
•  reprezinta un bloc fundamental in proiectarea circuitelor integrate analogice
•  caracteristicile tranzistoarelor trebuie sa fie identice
•  aceeasi temperatura de functionare a tranzistoarelor
•  rezistentele de sarcina de valoare egala

Tensiunea de iesire poate fi:

•  diferentiala (simetrica):

vO = vO1 - vO2
•  asimetrica:
vO = vO 1 sau vO 2
Analiza de semnal mare
⎛ 2 i D1 ⎞ ⎛ 2 i D 2 ⎞ 2
v I 1 − v I 2 = vGS 1 − vGS 2 = ⎜ VT +
⎜ ⎟
⎟
K ⎠ ⎝
− ⎜ VT +
⎜
K ⎠
⎟⎟ =
K
( i D1 − i D 2 )
⎝
i D1 + i D 2 = I O vI = vI 1 − vI 2
⎛ 2 ⎞ 2
2 1 ⎜ Kv I ⎟
⇒ iD 1 − I i
O D1 + I 0 − =0
⎜
4 ⎝ 2 ⎠⎟
Deci:
I I Kv I2 K 2 v I4 IO IO Kv I2 K 2 v I4
i D1 = O + O − i D2 = − −
2 2 IO 4 I O2 2 2 IO 4 I O2
2 IO
pentru v I = rezulta i D1 = I O , i D 2 =. 0
K
Tensiunea de iesire este (pentru iesire diferentiala):
v O = R1 (i D 2 − i D 1 )

Kv I2 K 2 v I4 R1 v I
v O = − I O R1 − =− 4 KI O − K 2 v I2
IO 2 2
4IO
Dezvoltarea in serie Taylor a expresiei tensiunii de iesire este:
K 3 / 2 R1 K 5 / 2 R1
v O (v I ) = − K 1 / 2 I O1 / 2 R1 v I + v I3 + v I5 + ...
8 I O1 / 2 128 I O3 / 2
v O (v I ) = a 1 v I + a 3 v I3 + a 5 v I5 + ...
Amplificarea de mod diferential:
Add = a1 = − R1 KIO

Caracteristicile i D1 , i D 2 (v I )
Caracteristica vO (v I )
Analiza de semnal mic
Tensiuni de mod diferential: vid, vod
Tensiuni de mod comun: vic, voc

v id = v i 1 − v i 2 -  tensiunea diferentiala de intrare

vod = vo 1 − vo 2 - tensiunea diferentiala de iesire
vi1 + vi 2
v ic = - tensiunea de mod comun de intrare
2
v + vo2
v oc = o1 - tensiunea de mod comun de iesire
2

v v
⇒ v i 1 = v ic + id ; vo1 = voc + od
2 2
v id vod
v i 2 = v ic − ; vo 2 = voc −
2 2
Amplificarile in tensiune
v
Add = od - amplificare de mod diferential
v id v = 0
ic

v
Acc = oc -  amplificare de mod comun
v ic v = 0
id

v
Acd = od -  amplificare mod comun - mod diferential
v ic v = 0
id

voc
Adc = -  amplificare mod diferential - mod comun
v id v = 0
ic

Tensiunile de iesire (diferentiala si de mod comun) vor avea expresiile:

vod = Add v id + Acd v ic

voc = Adc v id + Acc v ic
Rezulta:
⎛ A ⎞ ⎛ A ⎞
vo1 = ⎜ Adc + dd ⎟v id + ⎜ Acc + cd ⎟v ic
⎝ 2 ⎠ ⎝ 2 ⎠
⎛ A ⎞ ⎛ A ⎞
vo 2 = ⎜ Adc − dd ⎟v id + ⎜ Acc − cd ⎟v ic
⎝ 2 ⎠ ⎝ 2 ⎠

Pentru un amplificator diferential perfect simetric, Adc = 0 si Acd = 0, deci:

A
vo1 = dd v id + Acc v ic
2
A
vo 2 = − dd v id + Acc v ic
2
Raportul de rejectie a modului comun (CMRR = Common-Mode Rejection Ratio)
este: vo
Adm v id
CMRR = =
Acm vo
v ic
Adm si Acm sunt diferite pentru iesire diferentiala (vo = vod),
respectiv simpla (vo = vo1 sau vo2).
Determinarea amplificarilor de semnal mic: metoda semicircuitului
Mod diferential ( vid ≠ 0, vic = 0 ⇒ vi1 = vid , vi2 = - vid )
S-a introdus o rezistenta de sarcina suplimentara (RL ).

VDD
RD RD
ID+Δid
RL
ID-Δid

vod -vod Q1
vid
Q1 Q2 RD//RL/2 vod
vid -vid

RO

2ID
-VDD

(a) (b)
Amplificarea in tensiune de mod diferential:
vod ⎛ RL ⎞
Add = = − gm 1 ⎜ RD // ⎟
v id ⎝ 2 ⎠
- iesire simetrica:
2 vod
A= = Add
2 v id
- iesire asimetrica:
v A
A = od = dd
2 v id 2
Rezistenta diferentiala de intrare:

Rid = ∞
Mod comun ( vic ≠ 0, vid = 0 ⇒ vi1 = vic , vi2 = vic )
VDD VDD

RD RD RD RD
RL RL

voc voc voc voc

vic Q1 Q2 vic vic Q1 Q2 vic

RO 2RO 2RO

-VDD -VDD

(a) (b)

Q1
vic RD
voc

2RO

(c)
Amplificarea in tensiune de mod comun:
v g m 1 RD R
Acc = oc = − ≅− D
v ic 1 + gm 1 2 RO 2 RO
Rezistenta de intrare de mod comun:

Ric = ∞

Deci:
2 g m 1 RL RO
CMRR =
2 RD + RL

Pentru cresterea CMRR, trebuie marita valoarea rezistentei RO, prin inlocuirea
Sursei de curent de polarizare printr-o sursa de curent de tip cascod.
Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun

VDD
R1 R1
vO

M1 M2

R2

VIC vI R3 IO ⇔
IO M3
R2

min IO
VIC = vGS 1 + v DS 3 sat = vGS 1 + vGS 3 − VT = VT + ( 2 + 1)
K

max I R I R
VIC = VDD − O 1 − v DS 1 sat + vGS 1 = VDD − O 1 + VT
2 2
Caracteristicile vO (v I ) pentru tensiuni de intrare de mod comun multiple

VCmin = V IC
min
≅ 1 ,2V
Caracteristicile vO (v I ) pentru tensiuni de intrare de mod comun multiple

VCmax = VIC
max
≅ 9V
Cresterea domeniului maxim al tensiunii de intrare de mod diferential asociat unei
functionari liniare este posibila prin introducerea unor rezistente in sursele
tranzistoarelor.

VDD
R1 R1
vO

vI1 M1 M2
vI2

R2 R2

IO RO
 gm R1 gm R1
Add = − Acc = −
1 + gm R2 1 + gm ( R2 + 2 RO )
I O R2 I R I I R
VIC min = vGS 1 + v DS 3 sat + = vGS 1 + vGS 3 − VT + O 2 = VT + ( 2 + 1) O + O 2
2 2 K 2
I O R1 I O R1
VIC max = VDD − − v DS 1 sat + vGS 1 = VDD − + VT
2 2

Caracteristicile vO (v I ) pentru curenti de polarizare multipli

Caracteristicile i D1 , i D 2 (v I )
SIMULARI pentru amplificatorul diferential CMOS
Analiza de mod diferential si semnal mare
SIMULARI pentru amplificatorul diferential CMOS
Analiza de mod diferential si semnal mare

SIM 4.1: VO (V2)

SIMULARI pentru amplificatorul diferential CMOS
Analiza de mod diferential si semnal mare

SIM 4.2: iD1, iD2 (V2)

SIMULARI pentru amplificatorul diferential CMOS
Analiza de mod diferential si semnal mare

SIM 4.3: VO (V2), I2 - parametru

SIMULARI pentru amplificatorul diferential CMOS
Analiza de mod diferential si semnal mare

SIM 4.4: iD1, iD2 (V2), I2 - parametru

SIMULARI pentru amplificatorul diferential CMOS
Analiza de mod comun si semnal mare
SIMULARI pentru amplificatorul diferential CMOS
Analiza de mod comun si semnal mare

SIM 4.5: VC1 (V2)

Tensiunea de offset de intrare
Daca cele doua tranzistoare nu sunt identice, este necesara aplicarea unei tensiuni
de intrare nenule (numita tensiune de offset de intrare) in vederea anularii tensiunii
de iesire.

⎛ 2i D1 2iD 2 ⎞
VIO = vGS 1 − vGS 2 = (VT 1 − VT 2 ) + ⎜⎜ − ⎟
⎟
⎝ K ' (W / L)1 K ' (W / L)2 ⎠

2 ( i D + Δi D / 2 ) 2 ( i D − Δi D / 2 )
VIO = ΔVT + −
K ' [(W / L) − Δ (W / L) / 2 ] K ' [(W / L) + Δ (W / L) / 2 ]

2 i D ⎡ Δi D Δ (W / L) Δi D Δ (W / L) ⎤
VIO = ΔVT + ⎢ 1+ + − 1− −
K ' (W / L) ⎣ 2 i D 2(W / L) 2 i D 2(W / L) ⎥⎦

Similar amplificatorului diferential bipolar, rezulta:

V − VT ⎡ Δi D Δ (W / L) ⎤
VIO = ΔVT + GS ⎢ +
2 ⎣ i D (W / L) ⎥⎦
Dar:
⎛ Δi D ⎞⎛ ΔR ⎞ ⎛ Δi D ⎞⎛ ΔR ⎞
i
⎜ D + ⎟⎜ R − = i
⎟ ⎜ D − ⎟⎜ R + ⎟
⎝ 2 ⎠⎝ 2 ⎠ ⎝ 2 ⎠⎝ 2 ⎠
echivalent cu:

Δi D ΔR
=
iD R
Rezulta:

VGS − VT ⎡ ΔR Δ (W / L) ⎤
VIO = ΔVT + ⎢ +
2 ⎣ R (W / L) ⎥⎦
4.3.2. Amplificatorul diferential CMOS elementar cu sarcina activa
VDD

M3 M4
gmvI/2 gmvI vO
gmvI/2
-gmvI/2 Rl
M1 M2
vI/2

-vI/2

IO RO

-VDD

Add = g m (rds 2 // rds 4 // Rl )

rds 1 K
Add Rl → ∞
= gm (rds 2 // rds 4 ) = gm =
2 2λ IO
4.4. Amplificatoare diferentiale bipolare elementare
4.4.1. Amplificatorul diferential bipolar elementar cu sarcina pasiva

VCC
VCC

RC1 RC2
RC1 RC2
vO1 vO2
vO1 vO2
iC1 iC2
vI1 iC1 iC2
Q1 Q2 vI2 vI1
Q1 Q2 vI2

REE IO
RO

-VEE
-VEE

(a) (b)
Analiza de semnal mare
⎛ v BE 1 v BE 2 ⎞
⎜ ⎟
IO = i E 1 + i E 2 αI O = I S ⎜ e Vth + e Vth ⎟
⎜ ⎟
i +i ⎝ ⎠
IO = C 1 C 2 v BE 1 ⎛ v BE 2 − v BE 1
α ⎞
Vth ⎜ Vth ⎟
αI O = I S e ⎜ 1 + e ⎟
Dar: ⎜ ⎟
⎝ ⎠
v BE 1
Vth
iC 1 = I S e
v BE 2 − v BE 1 = v I 2 − v I 1

Expresiile curentilor de colector:

αI O
iC 1 =
v I 2 −v I 1
Vth
1+ e
αI O
iC 2 =
v I 1 −v I 2
Vth
1+ e
Expresiile iC1 si iC2 se pot dezvolta in serii Taylor:

iC 1 ( x ) 1 1 x x3
= = + − + ... v −v
IO 1+ e − x 2 4 48 x = I1 I2
Vth
iC 2 ( x ) 1 1 x x3 α =1
= x
= − + − ...
IO 1+ e 2 4 48

Deci, tangenta la caracteristica iC1(x)/IO are urmatoarea ecuatie:

1 x
y= +
Daca: 2 4
y = 0 ⇒ x = −2 ⇒ v I 1 − v I 2 = −2Vth = −50 mV

Remarci:
•  pentru vI1 = vI2 (sau x = 0), iC1 = iC2 = IO/2
•  pentru o functionare aproximativ liniara, amplitudinea maxima a tensiunii de
intrare trebuie sa fie mai mica decat 2Vth (x =2), deci aproximativ 50mV
Caracteristicile statice (iC1, iC2)/IO = f [(vI1-vI2)/Vth]
ale amplificatorului diferential bipolar
(iC1, iC2)/IO
1 α=1

iC1

1/2

iC2 x = (vI1-vI2)/Vth

-4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
Tensiunea de iesire simetrica are expresia:
⎛ x x 3 ⎞
vO = vO 1 − vO 2 = (iC 2 − iC 1 )RC = − +
⎜ − ... ⎟ I O RC
⎜ 2 24 ⎟
⎝ ⎠

Caracteristica statica vO1-vO2 = f [(vI1-vI2)/Vth] a amplificatorului diferential bipolar

vO1-vO2
IORC

x = (vI1-vI2)/Vth

-4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4

-IORC
Cresterea domeniului maxim al tensiunii de intrare (pentru o functionare liniara) –
prin introducerea unor rezistente serie in emitor

vO1-vO2

(vI1-vI2)/Vth

-4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
Analiza de semnal mic

Determinarea amplificarilor: metoda semicircuitului

Mod diferential ( vid ≠ 0, vic = 0 ⇒ vi1 = vid/2 , vi2 = - vid/2 )
S-a introdus rezistenta de sarcina suplimentara ( Rl ).

RC RC
IC+Δic Rl
IC-Δic
vod/2 -vod/2
vid/2 RC//Rl/2
Q1 Q2 -vid/2 vod/2
vid/2

REE

(a) (b)
Amplificarea semicircuitului:

vod / 2 vod ⎛ R ⎞
A= = = − gm ⎜ RC // l ⎟
v id / 2 v id ⎝ 2 ⎠

Amplificarea de mod diferential:

- iesire diferentiala (simetrica):

vod / 2 − (− vod / 2 ) vod ⎛ R ⎞
Add = = = A = − gm ⎜ RC // l ⎟
v id / 2 − (− v id / 2 ) v id ⎝ 2 ⎠
- iesire simpla (asimetrica)
vod / 2 1 vod A 1 ⎛ R ⎞
Add = = = = − gm ⎜ RC // l ⎟
v id / 2 − (− v id / 2 ) 2 v id 2 2 ⎝ 2 ⎠
Rezistenta de intrare de mod diferential:

Rid = 2 rπ
Mod comun ( vic ≠ 0, vid = 0 ⇒ vi1 = vic , vi2 = - vic )
VCC VCC
RC Rl RC RC Rl RC

voc voc voc voc

vic Q1 Q2 vic vic Q1 Q2 vic

REE 2REE 2REE

-VEE -VEE

(a) (b)
ic
iic=ib
vic RC voc
2REE

(c)
Amplificarea de mod comun:
v β 0 RC R
Acc = oc = − ≅− C
v ic rπ + ( β 0 + 1)2 REE 2 REE
Rezistenta de intrare de mod comun:
v
Ric = ic = rπ + ( β 0 + 1)2 REE
i ic

Raportul de rejectie a modului comun (CMRR) - caracterizeaza capacitatea

amplificatorului diferential de a amplifica semnalele de mod diferential
si de a rejecta semnalele de mod comun.
- pentru iesire diferentiala (vod = 0 pentru vic, deci Acm = Acd = 0), deci:

Adm A − gm RC
CMRR = = dd = =∞
Acm Acd 0

-  pentru iesire simpla (vo = vo1 sau vo2)

Adm Add / 2 − gm RC / 2
CMRR = = = = gm REE
Acm Acc − RC / 2 REE
Pentru cresterea CMRR, este necesara inlocuirea rezistentei REE
cu o sursa de curent.

VCC
RC RC

Q1 Q2

RO
Q3

-VEE

RO reprezinta rezistenta de iesire a sursei de curent.

RC
Acc = −
2 RO
Determinarea domeniului maxim al tensiunii
de intrare de mod comun

VCC
RC RC

VIC Q1 Q2

IO
Q3

-VEE

max I
VIC = VCC − RC O − VCE 1 sat + VBE 1
2

min
VIC = −VEE + VCE 3 sat + VBE 1
SIMULARI pentru amplificatorul diferential bipolar
Analiza de mod diferential si semnal mare
SIMULARI pentru amplificatorul diferential bipolar
Analiza de mod diferential si semnal mare

SIM 4.6: VO (V2)

SIMULARI pentru amplificatorul diferential bipolar
Analiza de mod diferential si semnal mare

SIM 4.7: iC1, iC2 (V2)

SIMULARI pentru amplificatorul diferential bipolar
Analiza de mod diferential si semnal mare

SIM 4.8: VO (V2), I2 - parametru

SIMULARI pentru amplificatorul diferential bipolar
Analiza de mod diferential si semnal mare

SIM 4.9: iC1, iC2 (V2), I2 - parametru

SIMULARI pentru amplificatorul diferential bipolar
Analiza de mod comun si semnal mare
SIMULARI pentru amplificatorul diferential bipolar
Analiza de mod comun si semnal mare

SIM 4.10: VC1 (V2)

SIMULARI pentru amplificatorul diferential bipolar
Analiza de mod comun si semnal mare

SIM 4.11: VC1 (V2), VA5 - parametru

Tensiunea de offset (decalaj) de intrare
Daca cele doua tranzistoare nu sunt identice, este necesara aplicarea unei tensiuni
de intrare nenule (numita tensiune de offset de intrare) in vederea anularii tensiunii
de iesire.

⎛ iC 1 I S 2 ⎞
v IO = v BE 1 − v BE 2 = Vth ln⎜⎜ ⎟⎟
⎝ iC 2 I S 1 ⎠
Deoarece:
iC 1 RC 1 = iC 2 RC 2
rezulta:
⎛ RC 2 I S 2 ⎞
v IO = Vth ln⎜⎜ ⎟⎟
⎝ RC 1 I S 1 ⎠

Se definesc parametrii ce descriu asimetriile astfel:

x1 + x 2 Δx
x= x1 = x +
2 2
Δx
Δx = x1 − x 2 x2 = x −
2
Rezulta:
⎛ ΔRC ΔI S ⎞ ⎛ ΔRC ΔI S ⎞
⎜ RC − IS − ⎟ ⎜ 1 − 1 − ⎟
2 2 ⎟ = V ln⎜ 2 RC 2 I S ⎟
v IO = Vth ln⎜ th
⎜⎜ R + ΔRC I + ΔI S ⎟⎟ ⎜
1 +
ΔRC
1 −
ΔI S ⎟
⎝ C 2 S
2 ⎠ ⎜
⎝ 2 RC 2 I S ⎟⎠
Pentru:
ΔRC << RC si ΔI S << I S
x = ΔRC / 2 RC sau x = ΔI S / 2 I S
se poate utiliza aproximarea:
1− x
≅ (1 − x )(1 − x ) ≅ 1 − 2 x
1+ x
Deci:
⎡⎛ ΔRC ⎞⎛ ΔI S ⎞ ⎤ ⎛ ΔRC ΔI S ⎞
v IO = Vth ln ⎢⎜⎜ 1 − ⎟⎟⎜⎜ 1 − ⎟⎟ ⎥ ≅ −Vth ⎜⎜ + ⎟⎟
⎣⎝ RC ⎠⎝ I S ⎠ ⎦ ⎝ RC IS ⎠
deoarece:
ln(1 + x ) ≅ x , pentru x << 1
Exemplu:
ΔRC ΔI S
= 0 ,01; = 0 ,05 ⇒ v IO = 1 ,5 mV
RC IS
4.4.2. Amplificatorul diferential bipolar elementar cu sarcina activa
VCC

Q3 Q4

Rl vo
vI/2
Q1 Q2 -vI/2

RO IO
-VEE
⎛ v v ⎞
vO = ⎜ gm 1 I + gm 2 I ⎟(Rl // ro 2 // ro 4 ) = gm 1v I (Rl // ro 2 // ro 4 )
⎝ 2 2 ⎠
Add = g m 1 (Rl // ro 2 // ro 4 )

g r I V V
Add R →∞ = gm 1 (ro 2 // ro 4 ) = m 1 o 2 = C 1 A = A
l 2 2Vth I C 1 2Vth
4.5. Amplificatorul diferential bipolar cascod
4.5. Amplificatorul diferential bipolar cascod

VCC

RL R1 RL
vo1 vo2
Q3 Q4

vi1 Q1 R2 Q2 vi2
Re Re

R3

-VEE
 Mod diferential Mod comun

Q3 Q3

vid Q1 vic Q1
vod RL voc
RL
Re Re+2R3 2(R1//R2)

Semicircuitul de mod diferential Semicircuitul de mod comun

β RL β RL
Add = − Acc = −
rπ + ( β + 1) RE rπ + ( β + 1)( RE + 2 R3 )
4.6. Amplificator diferential polarizat
cu o sursa dubla de curent
4.6. Amplificator diferential polarizat
cu o sursa dubla de curent

VDD
R1 R2
vO
vI1 Q1 Q2 vI2
R5
R6 Q3 Q4
VZ
R3 R4
-VDD
Mod diferential Mod comun

R1 R1
vO vO
vI T1 vI T1

(R5/2) // RO3 RO3

Semicircuitul de mod diferential Semicircuitul de mod comun

β R1 β R1 R
Add = − Acc = − ≅− 1
⎛ R5 ⎞ rπ 1 + (β + 1)RO 3 RO 3
rπ 1 + (β + 1)⎜ // RO 3 ⎟
⎝ 2 ⎠

⎛ β R3 ⎞
RO 3 = ro 3 ⎜ 1 +
⎜ ⎟⎟
⎝ rπ 3 + R3 + R6 // rZ ⎠
4.7. Structura cu 2 amplificatoare diferentiale
4.7. Structura cu 2 amplificatoare diferentiale

VCC

R1 R2 R3 R4
vo1 vo2
vi2
vi1
R5 Q1 Q2 R6 Q3 Q4

Q5 Q6 Q7 Q8

-VCC
Mod diferential Mod comun

R1//[r π4+( β+1)2ro8]

R1//r π4 vO
vO vI Q1
vI Q1

2rO6

Semicircuitul de mod diferential (I) Semicircuitul de mod comun (I)

R3
R3
vO
vO
vI Q4
vI Q4

2rO8

Semicircuitul de mod diferential (II) Semicircuitul de mod comun (II)

Amplificarea de mod diferential (I) Amplificarea de mod comun (I)

Add 1 = − g m 1 (R1 // rπ 4 ) R // [rπ 4 + (β + 1)2 ro8 ]

Acc 1 = − β 1
rπ 1 + (β + 1)2 ro6

Amplificarea de mod diferential (II) Amplificarea de mod comun (II)

R3
Add 2 = − gm 4 R3 Acc 2 = − β
rπ 1 + (β + 1)2 ro8
4.8. Amplificator diferential CMOS
cu caracteristica de transfer liniarizata
4.8. Amplificator diferential CMOS cu caracteristica
de transfer liniarizata

VDD
R1 R2
vO

M1 M2
V1 V2

vI
R3 R4
 K K
i D1 = (v GS 1 − VT )2 i D2 = (v GS 2 − VT )2
2 2
KR 1
v O = R1 (i D 2 − i D 1 ) = (v GS 2 − v GS 1 )(v GS 2 + v GS 1 − 2VT )
2

v GS 1 − v GS 2 = 2v I
v I = V1 − v GS 2 = v GS 1 − V 2 ⇒ ⇒
v GS 1 + v GS 2 = 2V

v O = −2 KR1 (V − VT )v I
⇒ V1 = V2 = V
vO
Add = = −2 KR 1 (V − VT )
vI
Implementare posibila

VDD

I1 = IO I2 = IO
R1 R2
vO

M1 M2
M3
M4
R3
VC vI
R4

2IO
V1 = V 2 = VGS 3 = VGS 4 = VT + ⇒ Add = −2 R1 2 KIO
K
4.9. Amplificatoare diferentiale CMOS de tip cascod
 4.9.1. Amplificator diferential CMOS de tip cascoda intoarsa (1)
(folded cascod)
VDD
Curentii in PSF:
VC3 M4 M12 M8
I D 3 = I D 4 = I D5 = I D9 = I O
VC4
M3 M11 M7
IO (fixati de VC 1 ,VC 3 )
v1 v2 I I
M1 M2 vO
I D1 = I D 2 = D 3 = O
2 2
VC2 M10 M6 I D6 = I D7 = I D8 = I D 10 =
IO IO
= I D 11 = I D 12 = I D9 − I D 2 =
M9 M5 2
VC1
IO Curentul de iesire:

iO = iD7 − iD6 = iD10 − iD6 = (iD9 − iD 2 ) − (iD5 − iD1 ) = iD1 − iD 2 = gm 1 (v1 − v2 )

vO = iO RO = gm 1 RO (v1 − v 2 ) = gm 1 (v1 − v 2 )[rds7 gm7 rds 8 // rds6 gm 6 (rds 5 // rds 1 )]
vo
Amplificarea: A=
v1 − v 2
[ 2
= gm 1 gm7 rds ]
8 // gm 6 rds 6 (rds 5 // rds 1 )
 4.9.2. Amplificator diferential CMOS de tip cascoda intoarsa (2)
(folded cascod)
VDD Curentii in PSF:
M17 M16 M10 M11 VC2 fixeaza IC4 = IC5 = IO/2
M13
v1 v2
M1 M2 M8 M9 vO VGS 14 = VGS 15 + I O R
VC1
M14 M15 M12
K M3 M6 M7 2 IO 2 IO
4K VT + = VT + + IO R
K 4K
R
M4 M5
1
IO IO =
VC2
2 KR 2
IO
I D 1 = I D 2 = I D 4 = ... = I D 9 =
2
I D 3 = I O = I D10 = ... = I D17
IO 1 K
I D4 = = = (VC 2 − VT ) 2
2 4 KR 2 2
 4.9.2. Amplificator diferential MOS de tip cascoda intoarsa (2)
(folded cascod) - continuare
VDD

M17 M16 M10 M11

M13
v1 v2
M1 M2 M8 M9 vO
VC1 v O’
M12
M14 M15 M3 M6 M7

R
M4 M5
IO
VC2

Curentul de iesire pentru calculul vO’:

iO' = iD9 − iD7 = iD9 − iD8 = (iD11 − iD 2 ) − (iD10 − iD1 ) = iD1 − iD 2 = gm 1 (v1 − v2 )

vO' = iO' RO' = gm 1 RO' (v1 − v 2 )

Amplificarea: A = gm 1 RO' = gm 1 {rds7 gm7 rds 5 // [rds 9 gm 9 (rds 11 // rds 2 )]}

 4.9.3. Amplificator diferential MOS de tip cascoda intoarsa (3)
(folded cascod)
VDD

M12 M15 M4 M5 M11

vO
M6 M7

M1 M2
v1 v2 v O’

M13 M14 M3 M8 M9 M10

VC

Curentul de iesire pentru calculul vO’:

iO' = i D7 − i D9 = (i D5 − i D 2 ) − (i D 4 − i D1 ) = i D1 − i D 2 = gm 1 RO' (v1 − v 2 )
Amplificarea:
Add 1 = gm 1 RO' = gm 1 {rds 9 // rds7 [1 + gm7 (rds 2 // rds 5 )]} ≅ gm 1rds 9
Add 2 = − gm 11 (rds 10 // rds 11 )
A = Add 1 Add 2
 Capitolul 5
Etaje de iesire
5.1. Notiuni generale
5.1. Caracteristici generale
•  debiteaza putere intr-o sarcina, avand un randament ridicat si putere disipata
redusa pe tranzistoarele finale
•  impedanta redusa de iesire
•  excursie maxima a tensiunii de iesire
•  distorsiuni minime

Clasa A:
- distorsiuni foarte reduse
- randament redus

Clasa B:
- distorsiuni importante
- randament foarte bun

Clasa AB:
- distorsiuni reduse
- randament bun
5.2. Etajul de iesire in clasa A, configuratie colector comun
5.2. Etajul de iesire in clasa A, configuratie colector comun
v O = 0; i O = 0
VCC I C 3 = I ;VCE 3 = VCC
In repaus:
⎛ I ⎞
V I = V BE 3 = Vth ln⎜⎜ ⎟⎟
vI
Q3 ⎝ I S ⎠
ic3 io Caracteristica de transfer vO = f (v I )
R
v I = v BE 3 + vO
I I Rl vo
⎛ vO ⎞
⎛ i ⎞ ⎜ I + ⎟
Q1 Q2 v BE 3 = Vth ln⎜⎜ c 3 ⎟⎟ Rl
⎝ I S ⎠ ⇒ v I = vO + Vth ln⎜ ⎟
⎜ I S ⎟
v ⎜ ⎟
-VCC ic 3 = I + O ⎝ ⎠
Rl
vO ⎛ I ⎞
Cu << I , Vth ln⎜⎜ ⎟⎟ = VBE 3 , expresia caracteristicii de transfer
Rl ⎝ I S
⎠
devine, in consecinta v I = vO + v BE 3 , deci liniara.
 vO

VCC-VCesat3
v
iC 3 = I + O
Rl
panta = 1
VBE3 V − vCE 3
vI iC 3 = I + CC
Rl
Rl mic iC 3 = 0 ⇒ vCE 3 = VCC + IRl
- RlI
- (VCC-VCesat2)
Rl mare

Valoarea maxima pozitiva a tensiunii de iesire este:

++
VO max = VCC − VCEsat 3
Valoarea maxima negativa a tensiunii de iesire depinde de valoarea Rl:

•  pentru valori mari ale Rl, limita negativa a tensiunii de iesire este data de:

VO−max = VCC − VCEsat 2

•  pentru valori mici ale Rl, limita negativa a tensiunii de iesire este data de:
VO−max = IRl < VCC − VCEsat 2
5.3.
`
Etajul de iesire elementar in clasa B
vo

Q1 B B B B C S
VCC Q2 S C B B B B

VCC-VCesat1
panta = 1
Q1
iC1 io
vI
iC2 Q vI
Rl vo
Q2 -VBEon VBEon
panta = 1

Zona “moarta”
-VCC
- (VCC-/VCesat2/)
In repaus:
vO = 0; iO = 0; ic 1 = ic 2 = I ; v BE 1 + v EB 2 = 0
Daca:
⎛ I ⎞
Q1 ≡ Q2 ; I S 1 = I S 2 = I S ⇒ 2Vth ln⎜
⎜ + 1 ⎟⎟ = 0 ⇒ I = 0 ⇒ ic 1 = ic 2 = 0
⎝ I S ⎠
`
vo vo

vI
t

vI

Caracteristica de transfer
5.4. Reducerea neliniaritatii etajului de iesire in clasa B
prin utilizarea rectiei negative v O

VCC=15V
panta = 1

VCC=15V -0,6V vI
0,6V
Rf = 10kΩ
panta = 1
-VCC= -15V
-
+
5
vO
vI a = 10
vO VCC=15V
Rr = 2,5kΩ panta = 5

-6µV vI
-VCC=-15V 6µV
panta = 5
-VCC= -15V
5.5. Etajul de iesire in clasa AB
5.5. Etajul de iesire in clasa AB

VCC

VQ Q1
vI iC1
iC2
VQ Rl vo
Q2

-VCC

Pentru obtinerea unei bune liniaritati a functiei de transfer, este necesar:

-  sa existe o imperechere cat mai buna intre parametrii tranzistoarelor complementare
-  sa se realizeze o pre-polarizare corespunzatoare a etajului de iesire in repaus
-  pre-polarizarea implementata sa asigure evitarea ambalarii termice a etajului
Circuit pentru evitarea ambalarii termice a etajului de iesire (1)
Tensiunea care asigura pre-polarizarea etajului de iesire trebuie sa prezinte
o variatie particulara cu temperatura (de exemplu, o tensiune baza-emitor)
vO
VCC

I VCC-VCesat1

Q1
D -Vthln(IQ/IS2) vI
D
Rl vo
vI Q2
I
- (VCC-VCesat2)
-VCC
Tranzistoarele conectate ca diode trebuie sa prezinte o dependenta de temperatura
similara cu cea a tranzistoarelor finale. In repaus:
vO = 0
⎛ I Q I Q ⎞ ⎛ I ⎞ I S1I S 2
VBE 1 + VEB 2 = 2VD ⇒ Vth ln⎜
⎜ ⎟ = 2Vth ln⎜ I ⎟ ⇒ I Q = I I
⎟ ⎜ ⎟
I I
⎝ S 1 S 2 ⎠ ⎝ SD ⎠ SD
Circuit pentru evitarea ambalarii termice a etajului de iesire (2)

`
VCC
I v BE 1 + v EB 2 = vCE 3
Q1 v ⇒
R2 vCE 3 = BE 3 ( R1 + R2 )
R1
Q3
R1 ⎛ I Q I Q ⎞ ⎛ R ⎞ I
Rl ⇒ Vth ⎜⎜ ln + ln ⎟⎟ = ⎜⎜ 1 + 2 ⎟⎟Vth ln
vo
I Q2 ⎝ I S 1 I S 2 ⎠ ⎝ R1 ⎠ IS3

R
1+ 2
-VCC ⎛ I ⎞ R1
⇒ IQ = I S 1 I S 2 ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ I S 3 ⎠
Circuit pentru evitarea ambalarii termice a etajului de iesire (3)

VC
C
IO

Q3

IQ
Q1 vO
vI Q2
IQ

Q4
IO
-VCC
/ VBE 1 / + VBE 2 = VBE 3 + / VBE 4 /
IQ IO
2Vth ln = 2Vth ln ⇒ IQ = IO
IS IS
Circuit pentru evitarea ambalarii termice a etajului de iesire (4)

VCC
VBE 1 + VBE 2 = VBE 3 + VEB 4
VC Q5 IC 1 I I I
Vth ln + Vth ln C 2 = Vth ln C 3 + Vth ln C 4
Q3 v IS1 IS2 IS3 IS4
O
Q1
RL IS3IS4
Q2 ⇒ IC 3 = IC 4 = IC 1
I S1I S 2
Q4
Q6
vi
VO+max = VCC − VEC 5 sat − VBE 3
-VCC
VO−max = −VCC + VEC 6 sat + VEB 4
Circuit pentru protectia la suprasarcina (1)

VCC

VC Q5
Q3
Q7 V
Q1 R1 I O+ max = BE7
vO R1

Q2 R2 RL
Q4

vi Q6
-VCC
Circuit pentru protectia la suprasarcina (2)

VCC

VC Q5
Q3 V
Q7 I O+ max = BE7
Q1 R1 R1
vO V
I O− max = EB 8
Q2 R2 R2
RL
Q8 Q4

vi Q6
-VCC
 Capitolul 6
Amplificatoare operationale.
Structuri interne
6.1. Introducere
6.1. Introducere

a
vi- - vo
vi+ +

(
v O = a v i+ − v i− )
Un AO prezinta:
- intrare diferentiala si iesire simpla
- capacitatea de a rejecta semnalele parazite
6.1. Introducere

AO ideal
•  impedanta de intrare infinita
•  impedanta de iesire nula
•  amplificare in tensiune infinita
•  banda de frecventa infinita (raspuns instantaneu) – slew rate infinit
•  tensiune de iesire nula pentru tensiune de intrare nula
•  diferenta de potential nula intre cele doua intrari
•  curenti nuli de intrare

AO real:
•  impedanta de intrare foarte mare
•  impedanta de iesire mica
•  amplificare in tensiune foarte mare
6.2. Structuri interne de amplificatoare operationale
Amplificatoare operationale clasice in tehnologie CMOS
 6.2.1. Amplificator operational cu un etaj de amplificare
VDD

M7 M4 M3 M6 Regim static
not K
M1 M2 v2 vO I D9 = I O = (VC 1 − VT )2
v1 2
IO I D1 = I D 2 = ... = I D8 = IO / 2
VC1 M9
M8 M5

Regim dinamic
i D6 − i D5 = i D 3 − i D8 = i D 3 − i D 4 = i D 2 − i D1 = gm 1 (v 2 − v1 )

vO = (i D6 − i D5 )RO = gm 1 (v 2 − v1 )RO RO = rds 6 // rds 5 = rds 5 / 2

1
vO = gm 1 (v 2 − v1 )RO = gm 1rds5 (v 2 − v1 )
2
1 1 K
a= gm 1rds 5 =
2 λ IO
 6.2.2. Amplificator operational cu 2 etaje de amplificare (1)
VDD
M3 M4
R M5

v1 M1 M2 vO
IO A v2

M8 M7 M6

Regim static
RI O + VGS 8 = V DD
RK
⇒ VDD = VGS 8 + (VGS 8 − VT )2 ⇒ VGS 8 (VGS 8 > VT )
K 2
IO = (VGS 8 − VT )2
2 K
⇒ IO = (VGS 8 − VT )2
2
 I D5 = I D6 = I D7 = I D8 = I O

I D1 = I D 2 = I D 3 = I D 4 = I D7 / 2 = I O / 2

Regim dinamic
Amplificarea circuitului

a = gm1 (rds 2 // rds 4 )gm5 (rds 5 // rds6 )

Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun

max 2 IO
VIC = VDD − VSG 5 − VDS 2 sat + VGS 2 = VDD − VSG 5 + VT = VDD −
K

min IO
V IC = V DS7 sat + VGS 1 = VGS7 + VGS 1 − VT = VT + ( 2 + 1)
K
6.2.3. Amplificator operational cu 2 etaje de amplificare (2)
VDD
M13
M9
M6 M 5 M3 M4

M 1 M2 vO
v1 v2

IO M10
M14
M11 M12 M7 M8

Regim static
IO
I D 1 = ... = I D 8 =
2
I D9 = ... = I D14 = I O
Regim dinamic
Amplificarea circuitului
1
a = gm 1 (rds 4 // rds 8 )gm 10 (rds 10 // rds 9 ) = gm 1 gm 10 rds 4 rds 10
4

Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun

max IO
V IC = V DD − V SG 3 − V DS 2 sat + VGS 2 = V DD −
K

min IO
V IC = VGS 2 + V DS 14 sat = ( 2 + 1) + VT
K
 6.2.4. Amplificator operational cu 3 etaje de amplificare
Regim static
VDD K
I D1 = (VDD − VC 1 − VT )2
VC1 VC2 VC3 2
M1 M6 M10 K
I D6 = I D7 = (V DD − VC 2 − VT )2
M8 2
v1 v2 vO
M2 M3 I D 10 = I D 11 = I D 8 = I D 9 =
M7 K
M9 M11
= (VDD − VC 3 − VT )2
M4 M5 2
I
I D 2 = I D 3 = I D 4 = I D5 = D1
2

Regim dinamic
AddI = gm 2 (rds 3 // rds 5 )

AII = − gm7 (rds6 // rds7 )

AIII = − gm 8 (rds 10 // rds 11 )

Amplificatoare operationale cascod in tehnologie CMOS
6.2.5. Amplificator operational cascod cu un etaj de amplificare (1)
VDD

M7 M9 M6 M8

M5 M3 M4 M10 Regim static

vO I D1 = I D 2 = ... = I D14 = IO / 2
v1 M1 M2 v2

IO
M11 M12

M13 M14

Regim dinamic
2 2 1 2
RO = gm 10 rds10 // gm 12 rds12 = gm 10 rds 10
2
1 2 (v − v )
vO = gm 1 (v 2 − v1 )RO = gm 1 gm 10 rds 10 2 1
2
1 2
a= gm 1 gm 10 rds 10
2
6.2.6. Amplificator operational cascod cu un etaj de amplificare (2)

VDD

T3 T5 T4 T6

R VC1
T8
vO
IO T1 T2
v1 v2 T9
VC2

T12 T11 T10 T7

Regim static
I D1 = I D2 = ... = I D10 = I D11 / 2 = I D12 / 2 = I O / 2
Regim dinamic
a = gm 1 RO
1 2
RO = g m9 rds9 rds7 // g m8 rds8 rds6 = g m9 rds9
2
Amplificatoare operationale cascoda intoarsa (folded cascod)
in tehnologie CMOS
 6.2.7. Amplificator operational cascoda intoarsa (1)
VDD Regim static
VC2
M5 M6
I D1 = I D 2 = I O / 2

R VC1 M3 M4 I D11 = I D12 = IO

v1 M1 M2 v2 vO
K
IO M7 M8 I D5 = I D6 = (V DD − VC 2 − VT ) 2
M12 M11 2
M9 M10
I D 3 = I D 4 = I D7 = ...
... = I D 10 = I D6 − I D 2

Regim dinamic
i D 4 − i D 8 = i D 4 − i D 3 = ( I D6 − i D 2 ) − ( I D 5 − i D 1 ) = i D 1 − i D 2

a = gm 1 RO

RO = rds 8 gm 8 rds 10 // [rds 4 gm 4 (rds 6 // rds 2 )]

 6.2.8. Amplificator operational cascoda intoarsa (2)
VDD

M8 M9 M10 M13 M11

K 3K 3K 12K 27K

M1A M2A
M1 M2 3K/2 3K/2 vOUT
v1 v2 M14
K K
IO K C

M3A M4A
K K M12
M7 5K
K
M5 M6 M3 M4
K K K K

Regim static
I D 5 = I D6 = I D7 = I D 8 = I O ; I D 9 = I D 10 = 3 I O ; I D 13 = I D 14 = 12 I O
IO 5 IO
I D 11 = I D 12 = 27 I O ; I D 3 A = I D 4 A = I D 1 A = I D 2 A = I D 3 = I D 4 = 3 I O − =
2 2
6.2.8. Amplificator operational cascoda intoarsa (3) - continuare
VDD

M8 M9 M10 M13 M11

K 3K 3K 12K 27K

M1A M2A
M1 M2 3K/2 3K/2 vOUT
v1 v2 M14
K K
IO K C

M3A M4A
K K M12
M7 5K
K
M5 M6 M3 M4
K K K K

Regim dinamic
a1 = gm 1 RO 1
RO 1 = gm 4 Ards2 4 A // rds 2 A [1 + gm 2 A (rds 10 // rds 2 )]
a 2 = − gm 12 RO 2
RO 2 = rds 11 // rds 12
6.2.8. Amplificator operational cascoda intoarsa (3) - continuare
Analiza functionarii sursei de curent pentru tensiuni reduse
V1 Tranzistoare identice
IO2
IO1 IO1 VGS 3 A = VGS 4 A =
M14
not
V M4A
= VGS 3 = VGS 4 = VGS =
M3A
2 IO1
= VT +
K
M3 M4
2 IO 2
V = VGS 14 = VT +
K
VDS 3 = VDS 4 = V − VGS > VGS − VT ⇒ V > 2VGS − VT
VDS 3 A = VGS − (V − VGS ) = 2VGS − V > VGS − VT ⇒ V < VGS + VT
Se obtine:
⎛ 2 I O 1 ⎞ 2 IO 2 2 IO1
2⎜ VT +
⎜ ⎟ − VT < VT +
⎟ < + 2VT
Deci: ⎝ K ⎠ K K
2 IO 2 2 IO1
4 I O 1 < I O 2 si − < VT - conditii de proiectare
K K
Avantaj: V1 min = VGS (fata de oglinda clasica cascod avand V1 min = 2VGS )
6.2.8. Amplificator operational cascoda intoarsa (3) - continuare
Efectul capacitorului C de compensare Miller
C
vO
v12 gm12v12
gm1vi RO1 RO2

⎛ 1 ⎞
v12 ⎜⎜ + sC ⎟⎟ = gm 1v i + vO sC
⎝ RO 1 ⎠
⎛ 1 ⎞
vO ⎜⎜ + sC ⎟⎟ = v12 sC − gm 12 v12
⎝ RO 2 ⎠
Rezulta:
sC sC
1− 1−
gm 12 gm 12
a = − gm 1 gm 12 RO 1 RO 2 = a 1a 2
1 + gm 12 RO 1 RO 2 sC 1 + gm 12 RO 1 RO 2 sC
Amplificatoare operationale in tehnologie bipolara
6.2.9. Amplificator operational cu 2 etaje de amplificare
VCC

Regim static
Q3 Q4
R Q7
io1 2VCC − VBE
vo
I C 5 ,6 ,7 ,8 =
v1 v2
R
Q1 Q2 io
I
RL I C 1 ,2 ,3 ,4 = C 5
2
Q5 Q6 Q8

-VCC

Regim dinamic
io1 = g m 1 (v 1 − v 2 )

vo i R β i R ⇒ Add = g m 1 β7 RL
Add = = o L = 7 o1 L
v1 − v 2 v1 − v 2 v1 − v 2
6.2.10. Amplificator operational cu 3 etaje de amplificare

etajul I etajul al II-lea etajul al III-lea

VCC = 6V

R1 R2 R3 R4
9kΩ 9kΩ 2,6kΩ 2,6kΩ Q9
Q3 Q4

R7
vI1 vI2
Q1 Q2 2kΩ Q10
R6
Ω
R9 400 R8
4,3k Ω 5,3kΩ
vO
Q5 Q6 Q7 Q8 R5
3kΩ
R11 R10
1kΩ 1kΩ
-VCC = - 6V
Regim static

VCC − V BE 6
IC 6 = = 1mA
R9 + R10
R10
IC 5 = IC 6 = 1mA
R11
IC 5
IC 1 = IC 2 = = 0 ,5 mA
2
V − R2 I C 2 − V BE 3
IC 3 = IC 4 = CC = 2 mA
2 R6
VCC − V BE7
I C7 = I C 8 = I C 9 = = 1mA
R8
2VCC − I C 4 R4 − I C 9 R7 − V BE 9 − V BE 10
I C 10 = ≅ 1mA
R5
Regim dinamic (analiza de mod diferential)
Semicircuitul de mod diferential (etajul I)

R1 // rπ3
Add I = − gm 1 ( R1 // rπ 3 // ro1 )
vO
vI Q1

Semicircuitul de mod diferential (etajul al II-lea)

R3 1
vO
Add II ≅ − gm 3 (R3 // ro 3 )
2
vI Q3

Etajul al III-lea

AIII ≅ 1
Regim dinamic (analiza de mod comun)
Semicircuitul de mod comun (etajul I)

β ( R1 // RI 2 )
R1 // RI2 Acc I = −
rπ 1 + (β + 1)2 RO 1
vO
RI 2 = rπ 3 + (β + 1)2 R6
vI Q1
⎛ β R11 ⎞
2RO1 RO 1 = ro5 ⎜⎜ 1 + ⎟⎟
⎝ rπ 5 + R11 + ( 1 / gm 6 + R10 ) // R9 ⎠

Semicircuitul de mod comun (etajul al II-lea)

R3
vO β R3
Acc II = −
vI Q3 rπ 3 + (β + 1)2 R6
2R6
 6.2.11. Amplificator operational cu 4 etaje de amplificare

VCC
Q13 Q14 Q15
Q12 Q16

Q10
R1 R2 Q9

R3 Q3 Q4
Rl vO
Q8
vI1 Q1 Q2 vI2
A Q11
Q7
Q17 Q18 Q5 Q6

-VCC

etajul I etajul al II-lea etajul etajul

al III-lea al IV-lea
Regim static
2VCC − VBE
I C 12 = = I C 13 = I C 14 = I C 15 = I C 16 = I C 9 = I C 8 = I C7 = I
R3
I C 17 = I C 18 = 2 I IC 3 = IC 4 = IC 5 = IC 6 = I / 2 IC 1 = IC 2 = I
I I
/ VBE 8 / + / VBE 9 / = VBE 10 + VEB 11 ⇒ 2Vth ln = 2Vth ln C 10 ⇒
IS8 I S 10
I S 10 A10
⇒ I C 10 = I C 11 = I =I
IS8 A8
Regim dinamic
Amplificarea primului etaj

R1 // rπ4
vO Add I = − gm 1 ( R1 // rπ 4 // ro1 )
vI Q1
Amplificarea etajului al II-lea
Add II = gm 3 (ro6 // ro 4 // rπ 7 )

Amplificarea etajului al III-lea

ro16
rπ10 + (β+1)Rl

2/gm9 A III = − gm7 (ro7 // ro16 // β Rl )

ro7

Amplificarea etajului al IV-lea

β Rl
AIV = ≅1
rπ 10 + β Rl
Rezistenta de intrare de mod diferential

Rid = 2 rπ 1

Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun

min
VIC = −VCC + VBE 1 + VCE 18 sat
max
V IC = VCC − R1 I C 1 − VCE 1 sat + V BE 1

Excursia maxima a tensiunii de iesire

VO+max = min (VCC − / VCE 16 sat / − VBE 10 ; I C 16 β Rl )

VO−max = −VCC + VCE7 sat + / VBE 11 /

Amplificatoare operationale transconductanta
(operational transconductance amplifiers – OTA)
in tehnologie CMOS
Diferente fata de amplificatorul operational clasic:
-  iesire in curent
-  este utilizat in mod uzual in bucla deschisa, fara reactie negativa; amplitudinea
tensiunii de iesire este controlata prin intermediul rezistentei de iesire

iOUT = Gm (v1 − v 2 )

vOUT = iOUT RO = Gm RO (v1 − v 2 )

vOUT
a= = Gm RO
v1 − v 2

Dezavantaje:
-  neliniaritatea amplificatorului transconductanta
-  dependenta de temperatura a transconductantei echivalente