Sunteți pe pagina 1din 6

Curs 01

Materiale componente şi circuite pasive: 2009 – 2010

2. Materiale semiconductoare

Sunt utilizate la obţinerea dispozitivelor semiconductoare: tranzistoare, diode, etc precum


şi la realizarea circuitelor integrate.

2.1. Materiale semiconductoare intrinseci.


Materialele semiconductoare intrinseci sunt materiale semiconductoare pure, la care atomii
din reţeaua cristalină sunt de un singur tip, din grupa aIVa a tabelului periodic al elementelor şi
anume: Siliciul şi Germaniul. În prezent, cel mai utilizat element pentru obţinerea materialelor
semiconductoare este siliciul, structura sa fiind prezentată în Figura 3.

Figura 3.

Revenind la diagrama benzilor energetice, la


temperatura de 00K, electronii sunt plasaţi
numai în banda de valenţă. Deoarece nu
există electroni de conducţie (electroni
liberi), în structura materialului
semiconductor nu se generează curent
electric.
La temperaturi mai mari de 00K, o
parte a energiei termice este preluată de
către electronii de valenţă, care, beneficiind
de acest aport energetic, pot trece de
nivelele energetice din banda interzisă şi
ajunge pe nivelele energetice din banda de
conducţie, devenind liberi să se deplaseze
prin structura materialului.
Prin plecarea acestor electroni din
banda de valenţă, locul ocupat iniţial de
către aceştia pe nivelul energetic din banda
de valenţă devine liber, altfel spus - gol.
Acest gol poate fi ocupat de un alt electron
de valenţă, fără un aport energetic
Figuraal4.2lea electron de valenţă, prin ocuparea nivelului energetic lăsat liber de
substanţial. Acest
primul electron, lasă la rândul lui un nou loc liber, un nou gol, pe nivelul energetic ocupat în
banda de valenţă. Se constată astfel, o deplasare a golurilor în banda de valenţă, motiv pentru
care şi golul este un purtător de sarcină mobil. Acest fenomen este prezentat în Figura 4.

1
Curs 01
Materiale componente şi circuite pasive: 2009 – 2010

Acelaşi fenomen poate fi explicat pe baza structurii reţelei cristaline a atomului de siliciu.
La temperatura de 00K, atomii de siliciu sunt legaţi prin legături covalente la care fiecare dintre
aceştia participă cu câte 4 electroni de valenţă. La nivelul reţelei cristaline, electronii de valenţă
pot căpăta suficientă energie astfel încât să rupă legăturile covalente în care au fost fixaţi. Prin
ruperea legăturii covalente, electronii de valenţă devin liberi (devin electroni de conducţie) şi
lasă în urmă, la nivelul atomului de unde au plecat un gol, caracterizat printr-un un exces de
sarcină pozitivă la nivelul atomului respectiv. Din acest motiv, golul respectiv poate fi echivalat,
din punct de vedere electric, cu o sarcină electrică pozitivă fictivă. În continuare, dacă un alt
electron de valenţă rupe o legătură covalentă, devenind liber, poate ocupa golul lăsat de primul
electron de valenţă. Acest fenomen este sugerat în Figura 5.

Figura 5.

Purtători mobili de sarcină electrică


Purtătorii mobili de sarcină electrică în semiconductoare sunt electronii de conducţie şi
golurile. Deoarece aceştia sunt mobili, se pot deplasa prin structura semiconductorului. În cazul
în care deplasarea purtătorilor de sarcină este orientată (nu este haotică), fenomen care se poate
observa, de exemplu, în cazul în care se aplică asupra semiconductorului un câmp electric, prin
structura semiconductorului se observă apariţia unor fenomene de conducţie electrică (fenomene
legate de generarea curentului electric). În consecinţă, fenomenele de conducţie în materialele
semiconductoare sunt generate pe baza electronilor de conducţie şi a golurilor.

Generarea purtătorilor mobili de sarcină


Din cele prezentate mai sus se constată că, într-un material semiconductor, purtătorii
mobili de sarcină (electroni de conducţie şi goluri) sunt generaţi prin ruperea legăturilor
covalente.
În plus, se constată că prin creşterea temperaturii, numărul de electroni de valenţă care
capătă suficientă energie pentru a rupe legăturile covalente, creşte. În concluzie, prin creşterea
temperaturii, tot mai multe legături covalente se rup şi astfel sunt generaţi tot mai mulţi purtători
mobili de sarcină.
Mecanismul de generare a purtătorilor mobili de sarcină în semiconductoare pe baza
creşterii temperaturii se numeşte generare termică de purtători de sarcină.

Din fenomenele descrise mai sus s-a constatat că, prin ruperea legăturilor covalente,
electronii de conducţie şi golurile sunt generaţi în perechi.
Deoarece electronii de conducţie şi golurile sunt generaţi în perechi, concentraţiile de
purtători mobili de sarcină electrică într-un semiconductor intrinsec sunt egale. Concentraţiile de
purtători mobili de sarcină electrică într-un semiconductor se notează astfel:

2
Curs 01
Materiale componente şi circuite pasive: 2009 – 2010

n = concentraţia de electroni de conducţie,


p = concentraţia de goluri.

Valoarea comună a acestor concentraţii se numeşte concentraţie intrinsecă şi se notează


cu ni. În concluzie, pentru un semiconductor intrinsec este valabilă relaţia:

n = p = ni (1)

Concentraţia intrinsecă creşte cu creşterea temperaturii


semiconductorului. La temperatura camerei, considerată 3000K, ni
are valoarea 1,45× 1010cm-3 pentru siliciu, respectiv 2× 1013cm-3, la
germaniu. În Figura 6 se prezintă modul în care variază cu
temperatura T concentraţia intrinsecă a unui material
semiconductor din siliciu.

Figura 6.

Recombinarea purtătorilor de sarcină


În cadrul semiconductoarelor, pe lângă mecanismul de generare a purtătorilor de sarcină
este prezent şi mecanismul invers, care duce la dispariţia purtătorilor de sarcină. Mecanismul
respectiv se numeşte recombinare de purtători de sarcină şi este caracterizat prin revenirea
electronilor de pe un nivel energetic superior, din banda de conducţie, pe un nivel energetic
inferior, în banda de valenţă.
Revenirea în banda de valenţă a unui electron de conducţie duce atât la dispariţia unui
electron de conducţie cât şi a unui gol.
Deci, mecanismul de recombinare a purtătorilor de sarcină duce la dispariţia în perechi a
acestora.

2.2. Doparea materialelor semiconductoare. Materiale semiconductoare extrinseci.


Fenomenul de dopare constă în introducerea în materialul semiconductor intrinsec, prin
diverse procedee controlate, a unor atomi diferiţi faţă de cei din Si sau Ge, denumiţi şi atomi de
impuritate, în scopul modificării proprietăţilor electrice ale materialului semiconductor. Un
material semiconductor dopat cu atomi de impuritate se numeşte material semiconductor
extrinsec. Condiţia necesară ca un material semiconductor să fie extrinsec este ca concentraţia
de atomi de impuritate cu care este dopat materialul semiconductor intrinsec, notată Nimpurităţi să
fie mult mai mare decât concentraţia intrinsecă ni:

N impuritati >> ni (2)

Materialele semiconductoare extrinseci sunt utilizate pentru realizarea dispozitivelor


semiconductoare: circuite integrate, tranzistoare sau diode.

3
Curs 01
Materiale componente şi circuite pasive: 2009 – 2010

Atomii de impuritate cu care se dopează materialele semiconductoare intrinseci sunt atomi


din grupele V, respectiv III, din care cei mai frecvent utilizaţi sunt cei prezentaţi în Figura 7.

În funcţie de atomii de impuritate cu care sunt dopate materialele semiconductoare


intrinseci, materialele semiconductoare extrinseci se împart în 2 categorii:
 materiale semiconductoare de tip N
 materiale semiconductoare de tip P

Figura 7.

Materiale semiconductoare de tip N


Pentru obţinerea acestui material electronic, semiconductorul intrinsec este dopat cu atomi
de impuritate pentavalenţi, (din grupa a Va a tabelului periodic al elementelor chimice), care, în
structura cristalină a materialului substituie atomii de siliciu sau germaniu. Patru din cei cinci
electroni de valenţă a atomului de impuritate formează 4 legături covalente cu electronii de
valenţă ai atomilor de Siliciu sau Germaniu învecinaţi, în timp ce al 5lea electron de valenţă al
atomului de impuritate este slab legat, astfel că la temperatura camerei primeşte suficientă
energie pentru a se desprinde de atomul de impuritate, devenind astfel electron liber, sau
electron de conducţie, capabil să participe la fenomenele de conducţie, aşa cum este prezentat şi
în Figura 8.

Figura 8.

Se constată că formarea electronului de conducţie nu este însoţită de generarea unui gol.

Electronii de conducţie obţinuţi în acest mod sunt generaţi prin doparea materialului cu
atomii de impuritate. Pe lângă acest procedeu de obţinere a electronilor de conducţie, aceştia

4
Curs 01
Materiale componente şi circuite pasive: 2009 – 2010

mai pot fi generaţi şi prin mecanismul de generare termică (prin creşterea temperaturii), dar, în
acest caz, generarea unui electron de conducţie este însoţită de generarea unui gol.

Din cele prezentate mai sus, se constată că, în cazul materialului semiconductor de tip N,
concentraţia de electroni de conducţie este mult mai mare decît cea de goluri. Din acest motiv,
electronii de conducţie se numesc purtători de sarcină majoritari, iar golurile se numesc
purtători de sarcină minoritari.

Deoarece atomul de impuritate cedează acest al 5lea electron de valenţă, el se numeşte


atom donor. În urma cedării celui de al 5lea electron, atomul donor devine ion pozitiv (se
reaminteşte că un atom este neutru dpdv electric; prin cedarea unui electron, atomul respectiv
devine ion pozitiv, iar prin primirea unui electron, atomul respectiv devine ion negativ).

Materiale semiconductoare de tip P


Pentru obţinerea acestui material electronic, semiconductorul intrinsec este impurificat cu
atomi trivalenţi, (din grupa a IIIa a tabelului periodic al elementelor chimice), cum ar fi borul,
galiul, indiul, care, în structura cristalină a materialului substituie atomii de siliciu sau germaniu.
Atomul de impuritate poate participa, prin cei trei electroni de valenţă ai săi, la formarea numai
a trei legături covalente cu electronii de valenţă ai atomilor de siliciu sau germaniu învecinaţi,
lăsând electronul de valenţă al celui de-al 4lea atom de siliciu învecinat fără legătură covalentă,
astfel creînd un gol la nivelul atomului de impuritate respectiv.
Electronul de valenţă al celui de-al 4lea atom de siliciu învecinat (în Figura 9, atomul de
siliciu din dreapta) poate forma o legătură covalentă cu un alt electron de valenţă al unui alt
atom de siliciu învecinat, care, prin completarea acestei legături covalente, lasă la rîndul său, în
urma sa un gol.

Figura 9.

Se constată că formarea unui gol nu este însoţită de generarea unui electron de conducţie.

Golurile obţinute în acest mod sunt generate prin impurificarea materialului cu atomii de
impuritate. Pe lângă acest procedeu de obţinere a golurilor, acestea mai pot fi generate şi
mecanismul prin generare termică (prin creşterea temperaturii), dar, în acest caz, generarea unui
gol nu este însoţită de generarea unui electron de conducţie.

Din cele prezentate mai sus, se constată că, în cazul materialului semiconductor de tip P,
concentraţia de goluri este mult mai mare decît cea a electronilor de conducţie. Din acest motiv,
golurile se numesc purtători de sarcină majoritari, iar electronii de conducţie se numesc
purtători de sarcină minoritari.

5
Curs 01
Materiale componente şi circuite pasive: 2009 – 2010

Deoarece atomul de impuritate primeşte un electron de valenţă de la un atom de siliciu


învecinat, el se numeşte atom acceptor. În urma primirii acestui electron, atomul acceptor
devine ion negativ.

Bibliografie:

1. C. Oriţă, M. Derevlean, Materiale Electronice, Editura VIE, Iaşi 2001


2. D. Dascalu, Dispozitve si Circuite Electronice, Editura Didactica si Pedagogica, Bucuresti, 1982.