COLEGIUL “ŞCOALA NAŢIONALĂ DE GAZ” MEDIAŞ

Oscilatoare cu circuite integrate

Elev:

BUCUR PAUL GABRIEL

Clasa a XII-a Tehnician în automatizări

Îndrumător:

Prof. MOLDOVAN MARIA RODICA

2020

1
 Cuprins

Cuprins 2
Memoriu justificativ 3
Generatoarele de semnal 4
Oscilatoare 5
Oscilatoarele cu reacţie 6
Circuite integrate. Generalităţi 8
AO integrat 9
Procesul tehnologic de realizare a circuitului 12
Masuri de sanatate si securitate in munca (protectie impotriva pericolului de
electrocutare) 19
Concluzii 21
Bibliografie 22

2
 Memoriu justificativ

Datorită utilizărilor sale vaste, tehnica impulsurilor pătrunde tot mai mult, aproape în
toate domeniile electronicii, cu precădere în calculatoare , radiolocaţie, telecomunicaţii,
transmisia şi prelucrarea de date, sisteme de reglare automată, osciloscopie, etc.
Aceasta poate şi explica ritmul de creştere accelerată a lucrărilor consacrate acestui
domeniu în care îşi fac apariţia tot mai multe dispozitive electronice şi metode de obţinere şi
prelucrare a semnalelor de impulsuri.

În aparatura electronică şi în echipamentele de măsură sunt necesare semnale

sinusoidale de anumite frecvenţe.Pentru producerea lor se utilizează circuite numite
oscilatoare electronice.Acestea sunt realizate din amplificatoare care sunt aduse în regim
de autooscilaţie prin aplicarea unei reacţii pozitive la intrare cu ajutorul unor reţele de
defazare. După reţeaua de defazare oscilatoarele sunt:

Oscilatoare RC - au reţeaua de reacţie constituită din rezistoare şi condensatoare

conectate într-un mod specific.Perioada de oscilaţie este determinată de constanta globală
de timp a reţelei de reacţie.Cu elemente RC se pot realiza frecvenţe de ordinul  Hz 2 6 10
10  ,ceea ce conduce la o serie numeroasă de aplicaţii în domeniul de joasă frecvenţă..

Oscilatoare LC - au în reţeaua de reacţie un circuit oscilant de tip LC care determină

frecvenţa de oscilaţie conform formulei lui Thomson.Aceste oscilatoare funcţionează în
domeniul  Hz 5 8 10 10 . Aşa cum s-a discutat în lucrarea precedentă un amplificator cu
reacţie poate deveni instabil dacă sunt satisfăcute simultan două condiţii: a)Condiţia de
fază – cere ca semnalul de reacţie aplicat la intrare să fie în fază cu cel iniţial.

3
 Generatoarele de semnal

Circuitele electronice care, in anumite conditii specifice, genereaza semnale se

numesc generatoare de semnal.

In functie de conditiile fundamentale de producere a semnalului se pot impartii in

doua categorii : oscilatoare si generatoare comandate.

Generatoarele de semnal sunt aparate electronice care genereaza (produc) tensiuni

electrice de valori relativ mici de o anumita forma si marime numite semnale.

In principiu un generator de semnal transforma energia electrica de curent continuu

a sursei de alimentare in tensiune alternativa cu parametrii variabili.

Generatoarele de semnal (GS ) se utilizeaza pentru verificarea, reglarea si

depanarea aparatelor si echipamentelor electronice.

In functie de conditiile fundamentale de producere a semnalului GS se impart in

doua categorii :

- oscilatoare (generatoare necomandate)

- generatoare comandate

4
 Oscilatoare

Definiţie: Oscilatoarele sunt generatoare de oscilaţii electrice întreţinute, cu

frecvenţă proprie (funcţionează fără semnal de intrare).

a. Parametrii oscilatoarelor

 Forma semnalului generat

 Domeniul de frecvenţă în care lucrează
 Stabilitatea frecvenţei de oscilaţie
 Amplitudinea semnalului de ieşire
 Stabilitatea amplitudinii semnalului de ieşire
 Coeficientul de distorsiuni neliniare impus

b. Clasificarea oscilatoarelor

Nr. Criterii de clasificare Tipuri de oscilatoare

crt.
1 După forma semnalului generat
2 După domeniul de frecvenţă în
care lucrează
3 După natura componentelor din
reţeaua selectivă
- oscilatoare sinusoidale
- oscilatoare nesinusoidale
- oscilatoare de audiofrecvenţă ( j. f)
- oscilatoare de radiofrecvenţă (î. f)
- oscilatoare de foarte înaltă frecvenţă
- oscilatoare RC
- oscilatoare LC
- oscilatoare cu cuarţ

Oscilatoarele sinusoidale

Acest tip de oscilatoare se caracterizeaza prin faptul ca semnalul generat contine o

singura frecventa , având forma:

u = Um sim ωt.

Valoarea frecvenței dorite se poate obține fie cu ajutorul unui circuit LC acordat
(oscilatoate LC), fie prin intermediul unui reacții pozitive selective( oscilatoare RC).

5
 Oscilatoarele cu reacţie

Definiţie: Oscilatoarele LC cu reacție. Oscilatoarele LC cu reactie sunt

amplificatoare cu reacție pozitivă , având fie componenta circuitului de sarcină, fie in
cuadripolul de reacție un circuit oscilant alcatuit din bobine si condensatoare .
Oscilatoarele cu reacţie sunt amplificatoare cu reacţie pozitivă care generează un
semnal sinusoidal de forma u = Umax sin ωt .
Valoarea frecvenţei de oscilaţie se obţine cu ajutorul unui circuit acordat LC sau cu o reţea
selectivă RC
Schema de principiu

Fig. 1 Oscilator cu reacţie – schema de principiu

Relaţii specifice

 Valoarea amplificării cu reacţie este

A
Ar 
1  A Ar - amplificarea circuitului cu reacţie

β– factor de reacţie sau de transfer al cuadrtipolului de reactie

A - amplificarea circuitului fără reacţie

 Condiţia de oscilaţie sau de reacţie pozitivă

1- β A = 0 sau β A = 1 - Relaţia lui Barkhausen

Amplificarea cu reacţie Ar = ∞ şi amplificatorul devine oscilator

6
 Relaţia lui Barkhausen este echivalentă cu două condiţii : condiţia de amplitudine şi
condiţia de fază ce rezultă din forma de exprimare în complex a amplificării şi a factorului
de transfer.
j 
A  A e j A , j  1   e

|A | . |b | = 1 Condiţia de amplitudine

jA + jb = 0, 2 p, 4p.... Condiţia de fază

φA - defazajul produs de amplificator ; φβ - defazajul produs de circuitul de reacţiec

Circuite integrate. Generalităţi

7
 Rolul unui generator de semnal este de a produce o anumită formă de undă
ale cărei caracteristici de frecvenţă, amplitudine şi factor de umplere sunt bine determinate.
Principalele categorii de generatoare de semnal sunt: oscilatoarele sinusoidale, cu
ajutorul cărora se pot produce semnale sinusoidale; oscilatoarele de relaxare cu ajutorul
cărora se pot produce semnale triunghiulare, în formă de dinte de ferăstrău, exponenţiale,
dreptunghiulare

Prin integrare se înţelege tehnica de realizare a unor circuite electronice având

componentele interconectate electric inseparabil şi plasate în aceeaşi capsulă.

Caracteristici şi clasificări
Există o mare diversitate de structuri semiconductoare şi peliculare utilizate în
construcţia de circuite integrate. După modul de realizare, circuitele integrate pot fi:
semiconductoare, peliculare sau hibride.
Circuitele integrate semiconductoare sunt structuri formate în interiorul sau pe
suprafaţa unei porţiuni de material semiconductor monocristalin. Dintre acestea, circuitele
tip monolitic au elementele de circuit formate într-o singură structură semiconductoare (cip),
iar cele fragmentare se realizează din mai multe structuri monolitice, interconectate între
ele.
Elementele componente din structura circuitelor integrate monolitice: tranzistoare,
diode, rezistoare, condensatoare se realizează printr-o succesiune de procese tehnologice
specifice tehnologiei planare. Într-un circuit integrat monolitic toate componentele se
execută simultan, în cadrul operaţiilor tehnologice specifice la care sunt supuse plachetele
semiconductoare.
.Procesul tehnologic poate fi optimizat numai pentru un singur tip de componentă. În
cazul circuitelor cu tranzistoare bipolare este optimizat procesul tehnologic al tranzistoarelor
npn. Operaţiile de realizare a componentelor din structura circuitelor integrate se
aseamănă, în mare măsură, cu cele folosite la realizarea tranzistoarelor discrete
Probleme specifice care apar la tehnologia circuitelor integrate monolitice sunt:
- izolarea componentelor din structura aceluiaşi cip (unele faţă de altele);
- aducerea la faţa superioară a structurii (cipului) a contactelor componentelor,
inclusiv a contactelor de colector ale tranzistoarelor;
- interconectarea dispozitivelor realizate pe structura semiconductoare conform
schemei electrice a circuitului.
Pentru marea majoritate a circuitelor integrate analogice procesul de fabricaţie constă
din şase sau şapte etape de mascare şi patru difuzii. În cazul în care sunt necesare
performanţe speciale, unii parametri se pot îmbunătăţi prin introducerea de etape
suplimentare în procesul tehnologic.
Parametrii componentelor dintr-un circuit integrat prezintă variaţii datorită factorilor
perturbatori din procesul tehnologic. Pentru majoritatea parametrilor distribuţia valorilor se
apropie de cea gausiană.
- Componentele integrate au unul sau mai multe straturi de material comune, ceea ce
duce la apariţia efectelor parazite. Minimizarea efectelor parazite se poate obţine pe
baza regulilor de proiectare specifice tehnologiei de realizare a circuitului integrat.
Circuitele integrate peliculare sunt structuri realizate prin depunerea unor pelicule pe
suprafaţa unui material dielectric, peliculele fiind fie subţiri (sub 1 µm), fie groase (peste 10
µm).
Circuitele integrate hibride sunt structuri în care unele elemente de circuit se
montează pe un substrat dielectric, iar restul elementelor se realizează prin depuneri pe
suprafaţa suportului dielectric.
AO integrat
8
 Amplificatoarele operaţionale AO reprezintă o categorie de circuite analogice
amplificatoare cu performanţe deosebite.
Denumirea are o justificare istorică fiind datorată faptului că au fost create şi utilizate
pentru realizarea unor operaţii matematice în calculatoarele anlogice.
Primele tipuri de AO aveau componente discrete şi performanţe relativ modeste.
Tehnologia circuitelor integrate a condus la variantele actuale de AO care au performanţe
spectaculoase.

Un AO integrat este un circuit integrat monolitic care conţine tranzistoare, diode,

rezistoare şi condensatoare realizând:

- O amplificare în tensiune de valoare ridicată : în buclă

- deschisă, în regiunea liniară de funcţionare: A0 104 106 ;

- O impedanţă de intrare foarte mare : Zin 106 1015  ;

- O impedanţă de ieşire foarte mică : Zieş 102 103  ;

- O bandă de trecere începând din curent continuu şi cuprinsă uzual între 0Hz 106 Hz ;
- Două intrări şi o ieşire pentru semnal: intrarea neinversoare la care un semnal
aplicat este regăsit la ieşire cu aceeaşi fază şi intrarea inversoare la care acelaşi
semnal aplicat este regăsit la ieşire defazat cu  ;

- Un raport semnal zgomot foarte bun în procesul de amplifi-care ;

- Sensibilitate deosebită la intrare : 108 106 Vef ;

- Consum redus de putere şi alimentare la tensiuni joase 12V 

În fig.5.1 este prezentată schema bloc a unui AO. Aceasta conţine trei blocuri distincte,
fiecare putând fi constituit din unul sau mai multe etaje de amplificare realizate cu
tranzistoare.

Fig.5.1 Schema bloc a unui AO : AD-amplificator diferenţial de intrare ; AI

-amplificator intermediar ; AE - amplificator de ieşire.

Blocul de intrare, (AD), este un amplificator diferenţial numit astfel deoarece amplifică
diferenţa semnalelor
 
Vin şi Vin .

Acesta este cel mai important bloc realizând o amplificare ridicată în condiţii de derivă
minimă şi un raport semnal-zgomot favorabil.

9
 Blocul de intrare, prin structura sa , permite şi amplificarea semnalelor de curent continuu ,
fapt extrem de important în multe aplicaţii. Blocul intermediar, (AI), are rol de adaptare spre
blocul de ieşire, (AE), care trebuie să asigure curenţi tipici de ordinul zecilor de miliamperi.
O particularitate a AO este alimentarea cu tensiune simetrică faţă de masă astfel încât atât
tensiunile de intrare cât şi tensiunea de ieşire pot fi pozitive sau negative. În fig.5.2 se
prezintă simbolul AO în care sunt figurate bornele de conexiune principale. (Toate
tensiunile sunt aplicate faţă de masa comună ; AO nu are de regulă bornă de masă ).

Fig 5.2.. Simbolul AO cu principalele borne de conexiune.

IN- -intrarea inversoare ; IN+- intrarea neinversoare; E - ieşirea; +Vcc , bornă alimentare cu
tensiune pozitivă; - Vcc , bornă de alimentare cu tensiune negativă.
Amplificarea.

Pentru un AO tensiunea de ieşire este de forma :

V0 A0Vd  AMCVMC VD0

unde :
 A0 reprezintă amplificarea diferenţială pe modul diferenţial şi simetric de excitaţie în
buclă deschisă ;

 AMC reprezintă amplificarea pe mod comun de excitaţie în buclă deschisă ;

 Vd reprezintă tensiunea de excitaţie pe modul diferenţial şi

simetric de, excitaţie ,

V V V


d in in

- VMC este tensiunea de excitaţie pe modul comun de excitaţie ;


VMC  Vin Vin
 
/ 2

10
 VD0 este o tensiune de decalaj care apare la ieşire când tensiunile de intrare sunt nule.

Neliniaritatea amplificării este definită ca abaterea maximă a tensiunii de ieşire faţă de

răspunsul liniar ideal : V0  A0Vd , măsurată pe întreg domeniul de variaţie al Vd .

Procesul tehnologic de realizare a circuitului

11
 Circuitele integrate constau dint-un ansamblu de dispozitive active şi pasive
interconectate pe suprafaţa cristalului semiconductor.
Pentru o bună funcţionare a circuitului, dispozitivele componente trebuie să fie izolate
între ele cât mai bine. Izolarea componentelor dintr-un circuit integrat a fost una dintre
problemele cele mai importante în tehnologia circuitelor integrate.
Creşterea densităţii de integrarea a accentuat rolul tehnicilor de izolare. Procedeele
eficiente de izolare trebuie să se caracterizeze prin următoarele:

 curentul de pierderi dintre dispozitivele active să fie neglijabil;

 distanţa dintre dispozitivele active să fie minimă;
 suprafaţa ocupată de partea de izolare să fie minimă;
 procedeul de izolare să nu afecteze parametrii dispozitivelor.

Dintre metodele de izolare a componentelor se pot enumera: izolarea prin joncţiuni

polarizate invers, izolare cu strat de bioxid de siliciu localizat (LOCOS), izolarea dielectrică
(prin corodarea substratului).
a) Izolarea prin joncţiuni p-n polarizate invers
Izolarea prin joncţiuni p-n polarizate invers se obţine prin realizarea pe pastila de
siliciu a unor zone cu conductibilitate diferită de conductibilitatea substratului, a unor
“insule”, care sunt izolate de substrat prin joncţiuni p-n care vor trebui polarizate
invers, aşa cum se arată sugestiv în figura 6.1.

Fig. 6.1 Izolarea electrică prin joncţiuni p- n polarizate invers a zonelor din structura unui
C.I

Izolarea prin joncţiuni prezentată poate fi realizată în mai multe feluri, fiecare cu
propriile avantaje şi dezavantaje. O modalitate de izolare a două tranzistoare de tip npn
se obţine în urma difuziilor de colector într-o plachetă de siliciu de tip p (fig.6.2).

Placheta de siliciu de tip p (fig.6.2.a) este oxidată (fig.6.2.b), urmând ca în stratul de

oxid să se fotograveze (masca 1) ferestre (fig. 6.2.c). În ferestrele realizate se difuzează
(difuzie de tip n) colectorul celor două tranzistoare. După reoxidarea plachetei (fig. 6.2.d)
printr-un nou proces fotolitografic (masca 2) se deschid ferestrele de bază (fig. 6.2.e). Se
oxidează din nou placheta (fig. 6.2.h) şi prin procesul fotolitografic (masca 3) se deschid
ferestrele de emitor, după care se difuzează emitoarele tranzistoarelor (fig. 6.2.h). Se
deschid ferestrele contactelor (masca 4) şi se metalizează structura (depunere Al). Se
gravează stratul de Al (masca 5) şi se realizează contactele (fig. 6.2.i). Colectoarele celor
două tranzistoare, astfel realizate sunt separate galvanic prin joncţiunea n-p pe care o
formează fiecare colector (zona n) în raport cu substratul de tip p.

12
 O altă modalitate de izolare a structurilor, mai frecvent utilizată este cea care
realizează regiuni izolate (insule) în stratul epitaxial de tip n depus pe placheta
semiconductoare (substrat) de tip p. Etapele realizării "insulelor" sunt următoarele:

- creşterea unui strat epitaxial de tip n pe substratul de siliciu (de tip p) şi apoi
oxidarea stratului depus (fig. 6.3.a);

- deschiderea ferestrelor pentru difuziile de izolare (fig. 6.3.b);

- difuzia cu impurităţi de tip p pe adâncime mai mare decât stratul epitaxial (fig. 6. 3.c);
- reoxidarea suprafeţei şi pregătirea etapelor de realizare a elementelor din
structura C.I. (în stratul epitaxial al regiunilor izolate).
Prin parcurgerea etapelor enumerate anterior (fig.6.3) se ob ţin regiunile n, care
reprezintă insulele, în care urmează să se realizeze componentele circuitului integrat.
Dimensiunile zonelor izolate sunt în funcţie de dimensiunile componentelor care urmează a
se realiza în interiorul lor, de precizia poziţionării măştilor şi de precizia de localizare a
straturilor dopate (difuzie sau implantare).
Separarea componentelor se obţine prin conectarea zonelor, care conţin difuzii de
izolare sau a substratului, la cel mai negativ potenţial din circuit, iar stratul epitaxial de tip n
din regiunile izolate (insule) trebuie să fie polarizat la potenţialul cel mai ridicat din circuit.

Izolarea galvanică cu joncţiuni p-n polarizate invers permite obţinerea unor rezistenţe
de izolare mari (rezistenţa inversă a joncţiuni). Tranzistoarele bipolare npn şi pnp, izolate în
acest fel, sunt limitate din punct de vedere al frecvenţei maxime, datorită capacităţilor
parazite ale joncţiunilor de izolare, capacităţi care pot introduce cuplaje parazite între
componentele învecinate.

13
 La circuitele integrate de frecvenţă mare izolarea componentelor se realizează cu alte
tehnici cum ar fi: cu strat de bioxid de siliciu localizat (LOCOS) sau prin corodarea
substratului.

b) Tehnici de realizare a tranzistoarelor bipolare din C.I.

Dintre elementele componente ale circuitelor integrate tranzistoarele ocupă o

pondere ridicată. Etapele principale de realizare a tranzistoarelor planar epitaxiale din C.I.
sunt asemănătoare cu cele de la tranzistoarele discrete, dar intervin şi operaţii
suplimentare. Operaţiile suplimentare care apar sunt determinate de:

- izolarea între ele a dispozitivelor implementate;

- aducerea contactului de colector în planul de conexiuni (faţa superioară a
plachetei);
- reducerea rezistenţei echivalente serie.
Tranzistoarele integrate prezintă o dispersie mai mare a parametrilor decât
omoloagele lor discrete.

De exemplu: tensiunea de saturaţie UCEsat la tranzistorul integrat este mai mare decât
la cel discret, deoarece colectorul se conectează pe aceeaşi parte a cipului ca şi ceilalţi
electrozi (baza, emitorul) şi prin aceasta creşte rezistenţa serie de colector.

Simultan cu realizarea tranzistoarelor npn, în regiunile izolate (insule) ale cipurilor de

pe plachetă, se realizează şi alte elemente necesare unui circuit integrat analogic sau
logic:

- tranzistoare pnp laterale sau de substrat;

- rezistoare difuzate;
- condensatoare de valori mici (pF, zeci pF).
În figura 6.6 se indică o secţiune printr-o zonă a unui circuit integrat, care pe
substratul de tip p, în stratul epitaxial, conţine două zone izolate (Zona 1 şi Zona 2).

14
 În interiorul zonei 1 s-a realizat un tranzistor tip npn şi în zona 2 un strat difuzat care
poate constitui baza unui viitor tranzistor sau elementul rezistiv al unui rezistor difuzat.
Componentelor sunt izolate între ele prin joncţiunile care în funcţionare se vor polariza în
sens invers. Straturile puternic impurificate n+, situate sub stratul epitaxial (strat îngropat)
au rolul de reducere a rezistenţei serie de colector. Într-un circuit integrat după
implementarea componentelelor, în interiorul insulelor, se realizează legăturile electrice

(conexiuni) între contactele metalizate ale acestora.

Fig. 6.6 Secţiune printr-o parte a structuri unui circuit integrat

c) Tehnologii moderne în fabricaţia tranzistoarelor din C.I

Elementul de circuit cel mai utilizat, care intră în structura unui C.I. este tranzistorul
bipolar tip npn, motiv pentru care procesul tehnologic a fost încontinuu perfecţionat pentru
ob ţinerea performanţelor optime. Caracteristicile T.B. din structura C.I. au devenit
comparabile cu cele al T.B. discrete.

Tendinţele din fabricaţia C.I. moderne sunt:

- creşterea frecvenţei de lucru; această cerinţă impune realizarea unei baze subţiri
(wB din relaţia 8.1) pentru reducerea timpului de tranzit a purtătorilor de sarcină;
- scăderea dimensiunilor dispozitivului; prin aceasta se reduc capacităţile parazite
ale structurii.
Pentru realizarea acestor cerinţe a fost dezvoltată o nouă tehnologie bipolară care se
caracterizează prin:

- creşterea unui strat epitaxial mai subţire şi mai puternic dopat;

- izolarea structurilor cu oxid (LOCOS) şi nu cu joncţiuni polarizate invers;
- folosirea unui strat de siliciu policristalin care serveşte ca sursă de dopare a
emitorului;

15
 Structura care se obţine după oxidarea localizată (SiO 2 de izolare) pentru izolarea
regiunii de zonele învecinate şi delimitarea contactului de colector se prezintă în figura

6.11. Oxidul de izolare se extinde până la substratul p, izolând astfel între ele regiunile
epitaxiale de tip n (şanţuri).
Se efectuează apoi următoarele operaţii:

- implantare ionică în zona de colector; zona implantată este redistribuită prin

difuzie până la stratul îngropat, obţinându-se astfel o cale de rezistenţă mică
către colector.
- procesul fotolitografic pentru deschiderea ferestrelor de implantare a bazei;
- Implantare ionică tip p (implantare de Bor ) a zonei bazei

Pentru acest tip de tranzistor o problemă dificilă, din punct de vedere tehnologic, o
reprezintă formarea zonelor de grosime foarte mică pentru bază şi emitor şi asigurarea
unui contact ohmic de mică rezistenţă pentru bază şi emitor.

Rezolvarea acestor probleme se face prin utilizarea ca sursă de dopare a siliciului

policristalin. În acest caz, succesiunea operaţiilor specifice este următoareae:

- depunerea unui strat de polisiliciu;

- proces fotolitografic de mascare şi corodare a siliciului policristalin cu excepţia

zonei emitorului;
- difuzia din siliciu policristalin a impurităţilor de tip n în regiunea cu grosime foarte
subţire ce formează emitorul (n+);
- implantarea de tip p de concentraţie mare a zonei bazei, a părţilor care nu sunt
acoperite cu polisiliciu; implantarea are rolul de formare a zonelor cu rezistenţă
mică pentru contactarea bazei (formarea structurii autoaliniate); Alinierea bazei
faţă de emitor se realizează automat şi nu depinde de precizia de aliniere a
măştilor.

16
- Metalizarea contactelor de bază şi de colector, contacte care pot să se extindă şi
peste stratul de oxid, deoarece şanţurile sunt umplute cu oxid de siliciu; în acest
fel se reduc dimensiunile minime permise pentru bază şiemito

17
18
 Masuri de sanatate si securitate in munca (protectie impotriva
pericolului de electrocutare)

Pentru protectia impotriva electrocutarii prin atingere directa (atingerea directa a cablurilor
ne izolate, a bornelor sau a altor piese conductoare, care in mod normal se afla sub
tensiune)  trebuie sa se aplice masuri tehnice si organizatorice. Masurile organizatorice le
completeaza pe cele tehnice in realizarea protectiei necesare.

Masurile tehnice care pot fi folosite pentru protectia impotriva electrocutarii prin atingere
directa sunt urmatoarele:    

a) acoperiri cu materiale electroizolante ale partilor active (izolarea de protectie)

ale instalatiilor si echipamentelor electrice;    
b) inchideri in carcase sau acoperiricu invelisuri exterioare;    
c) ingradiri;    
d) protectia prin amplasare in locuri inaccesibile prin asigurarea unor distante
minime de securitate;    
e) scoaterea de sub tensiune a instalatiei sau echipamentului electric la care
urmeaza a se efectua lucrari si verificarea lipsei de tentiune;    
f) utilizarea de dispozitive speciale pentru legari la pamant si in scurtcircuit;    
g) folosirea mijloacelor de protectie electroizolante;    
h) alimentarea la tensiune foarte joasa (redusa) de protectie;    
i) egalizarea potentialelor si izolarea fata de pamant a platformei de lucru.

Masuri organizatorice care pot fi aplicate impotriva electrocutarii prin atingere directa sunt
urmatoarele:    

a) executarea interventiilor la instalatiile electrice (depanari, racordari, etc.) trebuie sa

se faca numaide personal calificat in meseria de electrician, autorizat si instruit
pentru lucrul respectiv;    
b) delimitarea materiala a locului de munca (ingradire);    
c) elaborarea unor instructiuni de lucru pentru fiecare interventie la instalatiile
electrice;    
d) organizarea si executarea verificarilor periodice ale masurilor tehnice de protectie
impotriva atingerilor directe

Pentru protectia impotriva electrocutarii prin atingere indirecta (atingerea carcaselor sau a
altor componente metalice care in mod normal nu se afla sub tensiune) trebuie sa se
realizeze si sa se aplice numai masuri si mijloace tehnice nu si masuri organizatorice.

Pentru evitarea electrocutarii prin atingere indirecta trebuie sa se aplice doua masuri
de protectie : o masura de protectie principala, care sa asigure protectia in orice conditii, si
o masura de protectie suplimentara, care sa asigure protectia in cazul deteriorarii protectiei
principale.     Cele doua masuri de protectie trebuie sa fie astfel alese incat sa nu se
anuleze una pe caelalta. In locurile putin periculoase din punct de vedere al pericolului de
electrocutare este suficienta aplicarea numai a unei masuri de protectie, considerata
principala.

Masurile de protectie pentru atingerea indirecta pot fi:    

a) folosirea tensiunilor foarte joase de securitate;    

b) legarea la nulul de protectie;    
c) legarea la pamant;    
19
d) izolarea suplimentara de protectie, aplicata utilajului atuncea cand se fabrica;    
e) izolarea amplasamentului;    
f) separarea de protectie;    
g) egalizarea si/sau dirijarea potentialelor;    
h) deconectarea automata in cazul aparitiei unei tensiuni sau a unui curent de defect
periculoase;    
i) folosirea mijloacelor de protectie electroizolante 

20
 Concluzii

Se numeşte proces oscilatoriu (oscilaţie) variaţia în timp, după o lege periodică sau
cvasiperiodică a mărimilor fizice caracteristice unui sistem, variaţie corelată cu o conversie
a energiei dintr-o formă în alta.

Exemple: oscilaţii mecanice (sistem mecanic oscilant într-un mediu elastic), oscilaţii
electromagnetice (într-un circuit “RLC” alimentat la tensiune sinusoidală), oscilaţii termice,
electromecanice, magnetomecanice.

Oscilatoarele sunt generatoare de oscilaţii electrice întreţinute, cu frecvenţe proprie

(care deci funcţionează fara semnal de intrare).
Faţă de amplificatoare, oscilatoarele prezintă asemanari şi deosebiri.

Asemanarea constă în proprietatea comună de a transforma energia de curent

continuu a sursei de alimentare in energie de curent alternativ a semnalului generat.

Deosebirea constă, in primul rand, in faptul ca pentru executarea acestei operaţii

amplificatoarele necesită un semnal de comandă, pe când oscilatoarele lucrează fară
semnal exterior de comandă.

În al doilea rând, semnalul de ieşire al unui amplificator are frecvenţă dată de

semnalul de intrare, pe când semnalul generat de oscilator are frecvenţa dată de parametrii
circuitelor care il compun.

21
 Bibliografie

1. https://biblioteca.regielive.ro/cauta.html?s=Amplificatorul+opera
2. TEHNOLOGIA CIRCUITELOR INTEGRATE- T.E.-Cap.9
3. Laurenţiu Frangu, Circuite Electronice Fundamentale – 2008 105
4. Nicoleta_Eseanu_-_Fizica_TET_Anul_1_(2014)/Cap.II.Oscilatii.pdf
5. http://n-referate.blogspot.com/2008/09/referat-generatoare-de-semnal.html
6. Gabriel Oltean, "Circuite electronice", Editura U.T. Press, Cluj-Napoca, 2007;
7. Ovidiu Pop, Gabriel Chindis, Ana Rusu, "Proiectare asistata a circuitelor electronice",
Editura Casa Cartii de Stiinta, Cluj-Napoca, 2019;
8. Ovidiu Pop, Curs Proiectare Asistata de Calculator;
9. http://www.bel.utcluj.ro/dce/didactic/cef/cef.htm
10. http://www.mce.utcluj.ro/pac.html#

22