Circuite integrate analogice

Structura cursului
1. Modelarea dispozitivelor bipolare si MOS
2. Aplicatii ale amplificatoarelor operationale
3. Surse de curent si surse de tensiune
4. Amplificatoare elementare
5. Etaje de iesire
6. Amplificatoare operationale. Structuri interne
7. Raspunsul in frecventa al circuitelor.
Stabilitatea circuitelor cu reactie
8. Structuri analogice liniare
9. Structuri neliniare de calcul analogic
 Capitolul 1
Modelarea dispozitivelor
CMOS si bipolare
1.1. Relatii fundamentale ale tranzistorului MOS
1.1.1. Modelul de semnal mare

Simboluri: Notatii:
G = grila (poarta)
NMOS PMOS D = drena
S = sursa
B = substrat (bulk)
D S
W/L = factor de aspect
G K’ = parametru transconductanta
G B B
VT = tensiune de prag
VGS = tensiune grila-sursa
S D VDS = tensiune drena-sursa
I. Regiunea de inversie puternica
VGS > VT
a. Saturatie
V DS ≥ V DSsat = VGS − VT

K W W
I D = (VGS − VT )2 K = K' = µ n C ox
2 L L
b. Regiunea liniara
V DS < V DSsat

⎡ V ⎤
I D = K ⎢(VGS − VT ) − DS ⎥ VDS
⎣ 2 ⎦

II. Regiunea de inversie slaba

VGS < VT
W ⎛ V − VT ⎞
I D = I D0 exp⎜⎜ GS ⎟⎟
L ⎝ nVth ⎠
Caracteristicile de iesire ale tranzistorului MOS
Efectele de ordin secundar:
a. Modularea lungimii canalului
K
I D = (VGS − VT )2 (1 + λV DS )
2 Modularea lungimii canalului

I
b. Degradarea mobilitatii
K0
K=
[1 + θ G (VGS − VT )](1 + θ DV DS )

c. Efectul de substrat

VT = VT 0 + γ ( Φ − VBS − Φ )
1.1.2. Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS

D B ∂I D
gmbsvbs
gm =
∂VGS
gmvgs vds vbs
G 1 1
rds rds = =
S S g ds ∂I D
vgs
∂V DS

∂I D
gm = ≅ K (VGS − VT )
∂VGS
⇒ g m = 2 KI D
ID =
K
(VGS − VT )2 ⇒ VGS − VT = 2 I D
2 K

1 1 1
rds = = ≅
∂I D K
(VGS − VT )2 λ λI D
∂VDS 2
 Exemplu
I D = 1mA, λ = 10 − 3V − 1 , K = 5 × 10 − 4 A / V 2

⇒ gm = 2 KI D = 1mA / V
1
rds = = 1 MΩ
λI D
Modelul de inalta frecventa
1.2. Relatii fundamentale ale tranzistorului bipolar
Domenii de functionare:
•  Regiunea de blocare (1)
•  Regiunea activa normala (2)
•  Regiunea de saturatie (3)
1.2.1. Functionarea la semnal mare
Regim activ normal:
⎛ v BE ⎞ v BE
⎜ Vth ⎟
ic = I S ⎜ e − 1 ⎟ ≅ I S e Vth
⎜ ⎟
⎝ ⎠
Efectul Early:
v BE
Vth ⎛ v ⎞
ic = I S e ⎜⎜ 1 + CE ⎟⎟
⎝ VA ⎠

iC

vBE = ct.

vCE
-VA
1.2.2. Modelul de semnal mic (regim activ normal)

rµ

B Cµ
C
gmvbe
vbe rπ Cπ ro
E

Conductanta de transfer:
∂I C
gm =
∂V BE ⎛ V ⎞ 1 I
⇒ g m = I S exp⎜⎜ BE ⎟⎟ = C ≅ 40 I C
⎛ VBE ⎞
I C ≅ I S exp⎜⎜ ⎟⎟ ⎝ Vth ⎠ Vth Vth
⎝ Vth ⎠
Rezistenta de iesire:
1 1
ro = =
go ∂I C
∂VCE 1 V
⇒ ro = ≅ A
⎛ VBE ⎞ 1 IC
⎛ VBE ⎞⎛ VCE ⎞ I S exp⎜⎜ ⎟⎟
I C = I S exp⎜⎜ ⎟⎟⎜⎜ 1 + ⎟⎟ ⎝ Vth ⎠ V A
V
⎝ th ⎠⎝ V A ⎠

Rezistenta rπ:
β
rπ =
gm

Rezistenta rµ:
rµ = Kβ ro

K ≥ 10 pt . NPN
K = 2 − 5 pt . PNP
Circuit echivalent cu rezistente serie

rµ

rb Cµ rc
B
C
ro
vbe rπ Cπ gmvbe CCS

re

E
1.3. Rezistente dinamice
 Rezistenta in poarta

G D
iX vGS R2
Q vX gmvGS rds
RO
R1 R2
S
R1

RO = ∞
 Rezistenta in sursa

Q G D
RO
vGS R2
R1
R2 gmvGS rds
R1
S
iX
vX

v 1
i x ≅ − gmv gs = gmv x ⇒RO = x =
ix gm
 Rezistenta in drena
RO

G D
Q vGS iX
R1 vX
gmvGS rds
R1 R2 S

R2

( )
v x = i x − gm v gs rds + i x R2
v
⇒ RO = x = rds (1 + gm R2 ) + R2 ≅ rds (1 + gm R2 )
v gs = − i x R2 ix
 Rezistenta in baza

B C
iX vBE R2
Q vX rπ gmvBE ro
RO
R1 R2
E
R1

v x = i x rπ + (β + 1)i x R1

vx
RO = = rπ + (β + 1)R1
ix
 Rezistenta in emitor

Q B C
RO
vBE R2
R1
R2 rπ gmvBE ro
R1
E
iX
vX

R +r
RO = 1 π
β +1
 Rezistenta in colector

RO

B C
Q vBE iX
R1 vX
rπ gmvBE ro
R1 R2 E

R2

⎛ β R2 ⎞
RO = ro ⎜⎜ 1 + ⎟⎟
⎝ rπ + R1 + R2 ⎠