Sunteți pe pagina 1din 18

VIII.9.

Fenomenelor de transport

O mare importanţă teoretică şi practică o au pe lângă stările de echilibru,


stările de neechilibru ale purtătorilor de sarcină, stări determinate de
deplasarea acestora sub acţiunea unor câmpuri externe: electric, magnetic,
termic, etc
Pentru sistemele aflate în starea de echilibru termodinamic (statistic),
proprietăţile lor nu depind de mecanismul de interacţiune a particulelor din
sistem. Procesele legate de deplasarea electronilor şi golurilor, numite
fenomene de transport sau efecte cinetice, depind de mecanismul de
interacţiune din interiorul sistemului, adică de interacţiunea purtătorilor cu
fononii, cu defectele de reţea, cu impurităţile, etc. Principalele fenomene de
transport şi efectele legate de acestea sunt următoarele:
- conductibilitatea termică;
- conductibilitatea electrică;
- efectele termoelectrice: Seebeck, Peltier, Thomson;
- efectele galvanomagnetice: Hall, magnetorezistiv, Ettingshausen, Nernst;
- efectele termomagnetice: Nernst- Ettingshausen, Ettingshausen-Nernst,
Righi-Leduc, Maggi-Righi-Leduc.

VIII.9.1. Conductibilitatea termică


Proprietatea unui material de a transporta energie termică în prezenţa unui
gradient termic se numeşte conductibilitatea sau conductivitate termică.
T
Fluxul termic datorat unui gradient termic , este
x
T
J   (VIII.9.1)
x
unde  este coeficientul de conductibilitate.

353
Conductibilitatea termică a solidului este determinată atât de reţea (de fononi)
 conductibilitatea termică a reţelei  r, cât şi de purtatorii de sarcină-
conductibilitate termică electronică el, şi deci conductibilitatea termică totală
este
 = r + el (VIII.9.2)
Vom analiza conductibilitatea termică clasic, calculul cuantic fiind complicat.
Rezultatele obţinute sunt în concordanţă cu datele experimentale la
temperatura camerei.

A. Contribuţia reţelei cristaline la conductibilitatea termică


Considerând gazul de fononi ca un gaz clasic, fluxul de energie este de
forma:
T
J f  n f cr  v 2f x   f (VIII.9.3)
x

unde: nf =numărul fononilor din unitatea de volum; v f x = componenta vitezei

1
după axa Ox,  v 2f x    v 2f  ,  v 2f  = viteza pătratică medie a fononilor;
3
l
cr = capacitatea calorică a fononului;  f  este timpul de relaxare
vf

(valoarea medie a timpului dintre două ciocniri); l = drumul liber mijlociu


determinat de împrăştierea geometrică şi de împrăştierea datorată interacţiei
cu ceilalţi fononi.
Considerând că fononul se deplasează cu viteză constantă şi egală cu viteza
medie vf, şi notând cu Cr = nf cr capacitatea calorică a fononilor din unitatea
de volum se obţine:
1 2 T 1 T
Jf  v f n f cr  f  v f Cr l (VIII.9.4)
3 x 3 x
Comparând relaţia (VIII.9.1) cu relaţia (VIII.9.4) rezultă:
354
1 2 1
r  v f n f cr  f  v f C r l (VIII.9.5)
3 3
Pentru T >  D, Cr şi vf sunt practic independente de temperatură în timp ce
1
l ~ 1/ T şi deci r ~ . Pentru temperaturi foarte scăzute Cr  Cr T  ,
T
  
l ~ exp   D  şi deci:
 2T 
  
r ~ C r (T ) exp   D  (VIII.9.6)
 2T 
unde D este temperatura Debye specifică fiecărui element

B. Contribuţia gazului electronic la conductibilitatea termică


Pentru gazul electronic tratat ca un gaz clasic, procedând ca şi pentru gazul
de fononi se găseşte:
1
e  ve2 ne ce  e (VIII.9.7)
3

unde ne = numărul electronilor din unitatea de volum, ce = capacitatea


calorică a electronului, iar  e este timpul de relaxare.
În aproximaţia clasică energia cinetică a electronilor se datoreşte în principal
agitaţiei termice şi deci:
3 k BT
ve2  (VIII.9.8)
me*

unde me* este masa efectivă*).


Introducând relaţia (VIII.9.8) în relaţia (VIII.9.7) se obţine:

*)
Masa efectiva este un tensor, ce nu este legată direct de masa electronului liber. Reprezintă
interacţiile dintre electron şi cristal. Valoarea sa este diferită pe direcţii cristalografice diferite. In
anumite cazuri poate fi un scalar.
355
1 3 k BT
e ne ce e (VIII.9.9)
3 me*
l
Ţinând cont că pentru T  D ,  e  şi l ~ 1 , produsul eT este independent
ve T

de temperatură şi deci conform teorie clasice  e este independent de


temperatură.

C. Conductibilitatea termică totală


Conductibilitatea termică totală a metalului se obţine din relaţiile (VIII.9.2),
(VIII.9.5) şi (VIII.9.9) şi este
1 2 3 k BT 
  v f n f cr  f  ne ce *
 e  (VIII.9.10)
3 me 
Concentraţia purtătorilor de sarcină (electroni) fiind mare la metale,
contribuţia principală la conductibilitatea termică provine de la gazul de
electroni.

VIII.9.2 Conductivitatea electrică


A. Conductivitatea electrică a metalelor
Teoria clasică a conductivităţii electrice, teoria lui Drude, admite că
ciocnirile electronilor cu ionii sunt elastice, legile de conservare a energiei şi
impulsului fiind respectate. Fie un electron din reţeaua metalului asupra

căruia acţionează un câmp electric E . Electronul va fi supus unei acceleraţii
de forma:

 eE
a * (VIII.9.9)
me
iar viteza sa după timpul t este
eE
v(t )  v0  t (VIII.9.12)
me*

unde ve este viteza iniţială a electronului.
356
Valoarea medie a expresie (VIII.9.12) este

eE
 v(t )   v0   *  t  (VIII.9.13)
me
 
unde:  v (t )  vd = viteza de drift sau viteza de transport; <v0> = valoarea
medie a vitezei în absenţa câmpului electric şi este zero întrucât mişcarea
electronilor în acest caz este dezordonată;  t   = timpul de relaxare.
Deci:

 eE
vd   *  (VIII.9.14)
m
Densitatea de curent pentru electroni este
  e 2 n 
J   n e vd  * E (VIII.9.15)
m
unde n este concentraţia electronilor.
 
Ţinând cont de legea lui Ohm ( J   E ) şi din relaţia (VIII.9.15) se obţine
pentru conductivitate electrică relaţia:
e2 n 
 * (VIII.9.16)
me
şi respectiv pentru rezistivitate:
m*e
1
  2 (VIII.9.17)
 e n
Experimental se constată că:
  0  ( T ) (VIII.9.18)
unde 0 nu depinde de temperatură şi se datoreşte defectelor din metal.
l
Conform ipotezei lui Drude,  ~ , şi ţinând cont că viteza medie de
vt
1
natură termică este conform teoriei clasice proporţională cu T2

357
1
 
 vt  3k BT  se obţine dependenţa  ~ T 2 care nu este confirmată de datele
 m*e 
 
experimentale. Experimental, la temperatura camerei dependenţă    (T )
este liniară; la temperaturi joase este proporţională cu T5. Această comportare
poate fi explicată numai în cadrul teoriei cuantice.

B. Conductivitatea electrică a semiconductorilor



În prezenţa unui câmp electric E , densitatea de curent este dată atât de
electroni cât şi de goluri, şi este
  
J  Jn  J p (X.2.9)
 
unde: J n   e n vn este densitatea de curent dată de electroni, cu n
  
concentraţia de electroni, şi vn viteza electronului; J p  e p v p este densitatea

de curent dată de goluri, cu p concentraţia de goluri, şi v p viteza golului.

Introducând mobilitatea electronilor şi golurilor definite de relaţiile:


 
vn vp
n    şi  p   (X.2.10)
E E
şi ţinând cont de legea lui Ohm se obţine pentru conductivitatea
semiconductorilor relaţia:
  en n  p p  (X.2.9)

Experimental se constată că variaţia conductivităţii


semiconductorilor extrinseci cu temperatura este
cea din fig. VIII.12, şi nu poate fi explicată printr-o
teorie clasică. Teoria cuantică arată că variaţia cu
temperatura a conductivităţii se datoreşte variaţiei
cu temperatura a concentraţiei şi a mobilităţii
Fig. VIII.12 purtătorilor. Se arată că: *) concentraţia de

358
purtători variază cu temperatura, această variaţie depinde de concentraţia
purtătorilor intrinseci, a donorilor respectiv a acceptorilor şi de domeniul de
temperatură.
*) mobilitatea purtătorilor este influenţată de:
a) ciocnirile inelastice cu vibraţiile reţelei, şi în acest caz dependenţa
mobilităţii de temperatură este de forma:
3

vib . ~ T 2 (X.2.12)
b) ciocnirile inelastice cu defectele; dintre acestea cele cu sarcină sunt mai
importante, iar dependenţa mobilităţii de temperatură este de forma:
3
 def . ~ T 2 (X.2.13)

Pe un domeniu larg de temperatură se poate considera că mobilitatea


purtatorilor este
1 1 1
  (X.2.14)
 vibr .  def .
Din cele arătate anterior şi din fig. X.2 rezultă că:
*) La temperaturi suficient de joase conductivitatea este deteminată de
componenta extrinsecă prin ionizarea impurităţilor, de variaţia mobilităţii cu
temperatura în special a componentei vibr. şi creşte când temperatura creşte.
*) La temperaturi medii se produce ionizarea totală a donorilor şi/sau
acceptorilor. Variaţia conductivităţii se datoreşte în special variaţiei cu
temperatura a mobilităţii, în special a componentei  def. şi scade cu creşterea
temperaturii.
*) La temperaturi înalte conductivitatea este determinată de variaţia
concentraţiei purtătorilor cu temperatura datorată excitării din domeniul
intrinsec, şi creşte când temperatura creşte variind în principiu ca la metale.

359
C. Conductivitatea electrică a izolatorilor
Izolatorii au structura de benzi asemănătoare cu cea a semiconductorilor
intrinseci (vezi: § 10.1). Lărgimea benzii interzise este mult mai mare şi în
condiţii de temperatură şi câmp electric obişnuite foarte puţini electroni pot
efectua tranziţii din banda de valenţă în banda de conducţie şi deci densitatea
de curent electric este foarte mică. Dacă există impurităţi care să introducă
nivele adiţionale ca la semiconductori, apare şi o conducţie asemănătoare cu
cea de la aceştia. Într-un izolator bun impurităţile au o concentraţie scăzută
iar conductivitatea electrică datorată acestora este mică. Dacă izolatorul este
un cristal ionic, conductivitatea se realizează prin ionii proprii, componenta
electronică a conductivităţii electrice este neglijabilă faţă de cea ionică. Deci
în izolatori există două tipuri de conducţie electrică: prin electroni-electronică,
şi prin ioni-ionică.
În fig. VIII.13 este prezentată variaţia conductivităţi cu întensitatea

câmpului electric. În domeniul (I) conductivitatea nu depinde practic de E ,
acest domeniu fiind numit intervalul lui
Ohm (fiind valabilă legea Ohm). În
domeniul (II), numit intervalul lui Pool,

conductivitatea depinde puternic de E .
După cum se observă din figură
conductivitatea ionică, fig. X.3, i,

Fig. VIII.13 nu depinde practic de E , atât în intervalul
lui Ohm cât şi în intervalul lui Pool, în timp ce conductivitatea electronică, e,
creşte puternic în intervalul lui Pool, tinzând la infinit în momentul
străpungerii. Deci, în câmpuri electrice intense conductivitatea total, t, creşte

foarte repede cu câmpul electric E tinzând la infinit în momentul
străpungerii, când izolatorul devine conductor.

360
VIII.9.3. Efecte termoelectrice
Efectele termoelectrice apar în materiale conductoare şi semiconductoare
străbătute de curent electric în prezenţa unui gradient de temperatură fiind
datorate interdependenţei dintre fenomenele electrice şi termice. Principale
efecte termoelectrice sunt: efectul Seebeck, Peltier şi Thomson.

VIII.9.3.1. Efectul Seebeck


Efectul Seebeck constă din apariţia unei forţe electromotoare într-un circuit
format din două materiale diferite ale căror contacte (suduri) sunt menţinute
la temperaturi diferite ( T2  T1 ), fig. VIII.14.
Experimental se constată că dacă circuitul este deschis apare o tensiune
electromotoare, VAB, la capetele circuitului care depinde de diferenţa de
temperatură a contactelor şi de natura
conductoarelor, iar dacă circuitul este închis
prin el trece un curent numit curent
termoelectric.
Pentru diferenţe mici între temperaturile
Fig. VIII.14 contactelor tensiunea electromotoare care
apare este de forma
VAB =  AB T (VIII.9.25)
unde  AB=(  B   A),  A şi  B sunt coeficienţi Seebeck absoluţi ai
materialelor A şi B, iar  AB este coeficientul Seebeck relativ, iar T  T2  T1
este diferenţa de temperatură. Deoarece  AB depinde de temperatură
tensiunea electromotoare măsurată este
T2
V AB    AB (T ) d T (VIII.9.26)
T1

Apariţia diferenţei de potenţial între punctele aflate la temperaturile T1 şi T2,

361
de exemplu dacă materialul A este semiconductor, se poate explica astfel: în
regiunea caldă concentraţia purtătorilor de sarcină este mai mare, acesta se
încarcă pozitiv sau negativ după semnul sarcinii purtătorilor, şi astfel apare
un câmp electric care se opune creşterii nelimitate a sarcinii stabilindu-se un
regim staţionar. Tensiunea electromotoare staţionară care apare se numeşte
forţa termoelectrică a materialului respectiv, definită ca tensiunea
electromotoare pe grad.
La metale, spre deosebire de semiconductoari, concentraţia purtătorilor de
sarcină nu variază cu temperatura, iar forţa termoelectrică este mult mai mică.
Difuzia purtătorilor este determinată de diferenţa de energie datorată
diferenţei de temperatură a cele două contacte.
Efectul Seebeck are aplicaţii la confecţionarea termocuplelor folosite la
măsurarea temperaturilor. Acestea au două contacte menţinute la temperaturi
diferite. Cunoscând temperatura contactului rece şi măsurând tensiunea se
poate determina temperatura contactului cald.

VIII.9.3.2. Efectul Peltier


Efectul Peltier constă în degajarea sau absoarbţia de căldură la contactul
(joncţiunea) a două materiale (metal sau semiconductor) la trecerea unui
curent electric I în funcţie de sensul curentului. Căldura degajată (sau
absorbită) este
QP = AB It (VIII.9.27)
unde:  AB = coeficientul Peltier relativ, iar t este timpul cât a trecut curentul.
Coeficientul Peltier relativ este
Π AB  Π B  Π A (VIII.9.28)
unde A şi B sunt coeficienţii Peltier absoluţi ai celor două materiale.
Dacă A > B căldura Peltier este negativă, deci joncţiunea absoarbe căldura.
Explicaţia efectului Peltier pentru o joncţiune semiconductor n – metal este:
362
la trecerea electronii din metal în semiconductor sub acţiunea câmpului
electric, aceştia au de trecut o barieră de potenţial, astfel că ei absorb energie
de la reţeau cristalină şi joncţiunea se răceşte. Dacă electronii sunt dirjaţi de
câmpul extern din semiconductor spre metal, atunci ei vor ceda energie
reţelei cristaline şi joncţiunea se încălzeşte.
În mod similar se poate explica efectul într-un semiconductor neomogen.
Efectul Peltier are aplicaţii practice la construcţia generatorilor de căldură sau
refrigeratori cu semiconductori.

VIII.9.3.3. Efectul Thomson


Efectul Thomson constă în absorbţia sau degajarea de căldură la trecerea
unui curent electric printr-un material omogen în care există un gradient de
temperatură. Se degajă sau se absoarbe căldură în funcţie de sensul curentului
electric şi de natura materialului. Căldura degajată (sau absorbită) este
T
QTh   I x t (VIII.9.29)
x
unde  = coeficientul Thomson, Ix intensitatea curentului electric, t timpul cât
T
a trecut curentul electric prin probă, gradientul de temperatură.
x
Efectul Thomson se poate explica astfel: dacă sensul curentului electric
este acelaşi cu cel al curentului termoelectric determinat de gradientul de
temperatură atunci electronii sunt antrenaţi spre regiunile mai reci unde
cedează energie reţelei şi materialul se încălzeşte. Dacă câmpul electric
antrenează electronii spre regiunile mai calde ei absorb energie de la reţea iar
materialul se răceşte.

VIII.9.4. Efecte galvanomagnetice


Efectele galvanomagnetice sunt efectele care apar în materiale conductoare
(metalice sau semiconductoare) străbătute de un curent electric în prezenţa

363
unui câmp magnetic. În cazul în care câmpul magnetic este perpendicular pe
direcţia curentului electric, efectele se numesc efecte transversale.
Principalele efecte sunt: efectul Hall şi efectul Ettingshausen.
În cazul în care câmpul magnetic este paralel cu direcţia curentului electric
efectele se numesc efecte longitudinale. Principalele efecte sunt:
magnetorezistenţa şi efectul Nernst.

VIII.9.4.1. Efectului Hall


Fie o bară conductoare strabătută de curentul electric de intensitate i după

direcţia Ox în prezenţa unui câmp magnetic de inducţie B după direcţia Oy,
fig. VIII.15. Experimental se constată o diferenţă de potenţial după direcţia
Oz, tensiunea Hall, care este de forma:
VH   RH J B d (VIII.9.4.1)
i
unde: RH = constanta Hall; J  = densitatea de
S
curent electric după axa Ox, S este secţiunea barei
după axa Ox; d = este grosimea barei după Oz;
Fig. VIII.15 semnul (+) corespunde purtătorilor de tip goluri,
iar semnul (-) corespunde purtătorilor de tip electroni. În prezenţa câmpului

magnetic B apare forţa Lorentz după axa Oz care deviază purtători în această
direcţie şi care este de forma
  
F  qvd  B  (VIII.9.4.2)

unde: q = sarcina unui purtator; vd = viteza de drift.
  
În relaţia (9.4.2) viteza de drift, d , este perpendiculară pe B ( B fiind
v
perpendicular pe direcţia câmpului electric).

Sub acţiunea forţei F , care deviază purtători de sarcină, are loc o acumulare
de purtătorii pe faţa superioară a probei care se încarcă negativ sau pozitiv

364

după semnul acestora, fig. VIII.5. Apare un câmp electric, E H , care se opune
acumulării nelimitate de sarcină stabilindu-se un regim staţionar.

a) purtători de tip electroni; b) purtători de tip goluri


Fig. VIII.5

Câmpul staţionar, E H , este câmpul Hall, iar semnul său depinde de semnul
purtătorilor de sarcină q.
Ţinând cont că densitatea de curent este forma:
 
J  n q vd (VIII.9.4.3)
unde n este concentraţia purtătorilor, relaţia (9.4.3) devine:
 1     
F  J  B   E  B  (VIII.9.4.4)
n n

unde  este conductibilitatea materialului, E intensitatea câmpului electric, şi
arată că forţa care deviază purtatorii nu depinde de semnul acestora ci de
   
direcţia lui J şi B (sau E şi B ).

Câmpul Hall împiedică apariţia unui curent după Oz, compensând forţa F ,
adică:
 
qE H  F (VIII.9.4.5)
Din relaţiile (9.4.4) şi (9.4.5) se obţine:
 1  1  
EH  F  J  B  (VIII.9.4.6)
q nq
 
Tensiunea Hall corespunzatoare ţinând cont că B este perpendicular pe J

365
este
1 
VH  E H d  J Bd  E B d   d EB d (VIII.9.4.7)
nq nq

unde  d  este mobilitatea purtătorilor.
nq
Comparând relaţia (9.4.7) cu relaţia (9.4.1) se obţine pentru constanta Hall
relaţia:
1 
RH    d (VIII.9.4.8)
nq 
Constanta RH este negativă şi foarte mică la metale deoarece purtătorii sunt
electroni şi au concentraţia foarte mare.
Deoarece în semiconductori concentraţia purtătorilor este mult mai mică
decât la metale constanta Hall la aceştia este mult mai mare. La
semiconductori RH este (10  105) cm3/C în timp ce la metale RH este (10-5 
10-4) cm3/C. La semiconductori determinând RH se poate stabili tipul de
purtători, şi deci şi tipul semiconductorului (n sau p).
Folosind teoria cuantică se gaseşte că la semiconductorii cu un singur tip de
purtători constanta Hall este
1
RH   A (VIII.9.4.9)
ne
unde A este o constantă care depinde de tipul mecanismului de împrăştiere a
purtatorilor.
Prin definiţie, mobilitatea Hall,  H este mobilitatea calculată din
măsurători de efect Hall şi este
 H  RH  (VIII.9.4.10)

IX. Supraconductibilitatea

Fenomenul de supraconductibilitatea constă în anularea rezistenţei


366
electrice a unui material la temperaturi joase în general mai mici de 20 K.
Aceasta trebuie înţeleasă în sensul că dacă se induc curenţi într-o bobină în
formă de inel aceştia durează nelimitat (calculele indică 100.000 ani) după
suprimarea câmpului electric exterior dacă starea de supraconductibilitate
există. Elemente ce prezintă supraconductibilitatea electrică sunt: Al, Cd, Sn,
In, Pb etc. Supraconductibilitate prezintă deasemenea o serie de compuşi cum
ar fi: azoturi şi carburi, unele materiale ceramice etc.
În 1985, J. C. Bendoz şi K. A. Müller au arătat că ceramicile de tipul
Ba x La2  x CuO4 , unde x  ( 0 ,15  0 ,20 ) , prezintă proprietăţi supraconductoare
şi au temperaturile de tranziţie înalte variind între ( 20  77 ) K . De atunci au
luat o amploare deosebită cercetările privind supraconductibilitatea la
temperaturi înalte.
O teorie cuantică a supraconductibilităţii a fost dată în 1957 de J.Bardeen,
L. N. Cooper şi J. Schrieffer - teoria B.C.S. Se arată că în starea
supraconductoare, pe lângă electronii normali apar şi electroni
supraconductori, aceştia fiind grupaţi în perechi, cu vectori de undă egali şi
de sens contrar, şi cu spini opuşi. Suma spinilor fiind nulă perechea se
comportă ca un boson, principiul de excluziune Pauli ne mai fiind aplicabil.
Formarea perechilor se datoreşte interacţiilor de tip electron-fonon-electron
în urma cărora are loc scăderea energiei sistemului şi o atracţie între cei doi
electroni cu formarea unei perechi. Probabilitatea ca perechile să se găsească
în starea cu energia minimă este foarte mare şi deci împrăştierea acestora pe
reţeaua cristalină este puţin probabilă deoarece aceasta ar conduce la
modificarea stării menţionate. Electronii circulă prin cristal practic fără
ciocniri şi deci reţeaua cristalină nu prezintă rezistenţă. Legatură este foarte
slabă, şi este uşor distrusă de agitaţia termică. Perechea dispare când
temperatura este mai mare decât temperatura de tranziţie.

367
Temperatura de tranziţie este temperatura la care se anulează rezistenţa.
Supraconductibilitatea cuprinde şi o serie de aspecte cum ar fi:
*) În câmp magnetic tranziţia normal – supraconductor este o transformare
de fază de ordinul I care se caracterizează printr-o căldură latentă.
*) Un câmp magnetic extern poate distruge starea de supraconductibilitate
dacă acesta atinge o valoare critică Hc; Hc este o funcţie de temperatură.
Temperatura la care se anulează rezistenţa în prezenţa unui câmp magnetic
se numeşte temperatură critică, Tc.
*) Efectul Meissner-Ochsenfeld – Materialele supraconductoare sunt
materiale diamagnetice perfecte.
În câmp magnetic, sub temperatura de tranziţie, liniile de forţă magnetice
sunt respinse la suprafaţa corpului, fig. IX.1.

Fig. IX.1

Inducţia magnetică, densitatea curentului electric şi intensitatea câmpului


electric sunt diferite de zero numai într-un strat subţire de la suprafaţă, numit
adâncime de pătrundere, care are valoarea  = (10-7  10-8) m.
*) Experienţa arată că în absenţa câmpului magnetic tranziţia din starea
normală în starea supraconductoare este o tranziţie de ordinul al II-lea fără
variaţia volumului specific şi fără căldură latentă de tranziţie. Comportarea
căldurilor specifice este prezentată în fig. IX.2 Gorter şi Casimir*), pentru a
explica saltul căldurilor specifice, au aplicat "modelul celor două fluide"

*)
C. Gorter, H. B. G. Casimir, Physica, 1, 306, 1934.
368
(asemănător cu cel de la heliu, vezi § XII.9.5.1). Acest model se bazează pe
ipoteza unor electroni "normali" şi "supraconductori". Căldura specifică a
fazei supraconductoare se poate presupune ca fiind formată, ca şi în cazul
fazei normale, din căldura specifică a electronilor şi a ionilor:
cs  cs i  cs e (IX.1)

Căldura specifică a ionilor, datorată vibraţiilor


reţelei, este ca şi în cazul fazei normale (vezi §
IX.8.3.2) de forma:
cs i  A T 3 (IX.2)
unde A este o constantă.
Fig. IX.2 Pentru căldura specifică electronică, experimental
s-a obţinut o relaţie de forma:
 b
cee  a  Tc exp   (IX.3)
 T
unde a şi b sunt constante,  constanta lui Sommerfeld, iar T este temperatura.
Variaţia căldurii specifice electronice, relaţia (IX.15.3), sugerează că saltul
căldurilor specifice se datoreşte acesteia, şi deasemenea prezenţa unei benzi
interzise între starea normală şi cea supraconductoare. Prezenţa unei benzi
interzise a fost confirmată experimental prin experienţe de absorbţie în
infraroşu şi prin experienţe de tunelare.

IX.1. Aplicaţii ale supraconductibilităţii


Starea supraconductoare a diferitelor materiale prezintă o serie de aplicaţii.
Una dintre aplicaţiile se bazează pe faptul că un conductor aflat în starea
supraconductoare are o rezistenţă nulă. Pentru un solenoid aflat la o
temperatură sub temperatura de tranziţie energie consumată pentru a menţine
câmpurile magnetice intense este foarte mică, singura energie necesară este

369
pentru menţinerea temperaturii scăzute. În astfel de solenoizi, solenoizi
supraconductori, se obţin câmpuri magnetice de ordinul zecilor de tesla, ce
sunt utilizaţi în laboratoare de cercetare ştiinţifică în domeniul fizicii
solidului, fizicii nucleare sau fizicii plasmei.
O altă aplicaţie este criotronul. Acesta este un comutator supraconductor
(supraconductor-normal) care constă dintr-un fir, denumit "poartă", realizat
dintr-un metal, cum ar fi tantalul (Ta) ( Tc  4 ,48 K )
şi o „înfăşurătoare de control”, realizată dintr-un
alt material cu o temperatură critică mai mare,
cum ar fi niobiu (Nb) ( Tc  9 ,46 K ), (fig. IX.3).
Fig. IX.3 Curentul care trece prin înfăşurătoarea de control
poate genera un câmp magnetic suficient de mare încât să poată distruge
supraconductibilitatea în poartă. Deci, curentul porţii poate fi întrerupt cu
ajutorul unui curent relativ mic, care străbate înfăşurătoarea de control. Pe baza
acestui dispozitiv simplu s-au construit dispozitive mai complicate, cum ar fi
elementul criotronic bistabil. Criotroanele pot realiza toate operaţiile logice
necesare în computere. Prezintă dezavantajul necesităţii de a menţine
echipamentul la temperaturi foarte scăzute.
O altă aplicaţie se bazează pe joncţiunile Josephson (vezi § VII.3.3.2), ce
sunt denumite dispozitive "SQUID" (”Superconducting Quantum Interference
Devices”). Aceste dispozitive pot detecta câmpuri magnetice extrem de mici
10 13

T . Aceste câmpuri sunt interesante pentru unele aplicaţii în biologie.
Deoarece câmpul magnetic poate fi generat de un curent mic care străbate
o bobină, s-au realizat şi alte dispozitive, cunoscute sub denumirea de
"SLUGS" (”Superconducting Low Inductance Galvanometers). Acestea
permit determinarea, pe o rezistenţă foarte mică, a unei căderi de tensiune
extrem de reduse (de circa ~ 10 14 V ).
370

S-ar putea să vă placă și