Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Fenomenelor de transport
353
Conductibilitatea termică a solidului este determinată atât de reţea (de fononi)
conductibilitatea termică a reţelei r, cât şi de purtatorii de sarcină-
conductibilitate termică electronică el, şi deci conductibilitatea termică totală
este
= r + el (VIII.9.2)
Vom analiza conductibilitatea termică clasic, calculul cuantic fiind complicat.
Rezultatele obţinute sunt în concordanţă cu datele experimentale la
temperatura camerei.
1
după axa Ox, v 2f x v 2f , v 2f = viteza pătratică medie a fononilor;
3
l
cr = capacitatea calorică a fononului; f este timpul de relaxare
vf
*)
Masa efectiva este un tensor, ce nu este legată direct de masa electronului liber. Reprezintă
interacţiile dintre electron şi cristal. Valoarea sa este diferită pe direcţii cristalografice diferite. In
anumite cazuri poate fi un scalar.
355
1 3 k BT
e ne ce e (VIII.9.9)
3 me*
l
Ţinând cont că pentru T D , e şi l ~ 1 , produsul eT este independent
ve T
357
1
vt 3k BT se obţine dependenţa ~ T 2 care nu este confirmată de datele
m*e
experimentale. Experimental, la temperatura camerei dependenţă (T )
este liniară; la temperaturi joase este proporţională cu T5. Această comportare
poate fi explicată numai în cadrul teoriei cuantice.
358
purtători variază cu temperatura, această variaţie depinde de concentraţia
purtătorilor intrinseci, a donorilor respectiv a acceptorilor şi de domeniul de
temperatură.
*) mobilitatea purtătorilor este influenţată de:
a) ciocnirile inelastice cu vibraţiile reţelei, şi în acest caz dependenţa
mobilităţii de temperatură este de forma:
3
vib . ~ T 2 (X.2.12)
b) ciocnirile inelastice cu defectele; dintre acestea cele cu sarcină sunt mai
importante, iar dependenţa mobilităţii de temperatură este de forma:
3
def . ~ T 2 (X.2.13)
359
C. Conductivitatea electrică a izolatorilor
Izolatorii au structura de benzi asemănătoare cu cea a semiconductorilor
intrinseci (vezi: § 10.1). Lărgimea benzii interzise este mult mai mare şi în
condiţii de temperatură şi câmp electric obişnuite foarte puţini electroni pot
efectua tranziţii din banda de valenţă în banda de conducţie şi deci densitatea
de curent electric este foarte mică. Dacă există impurităţi care să introducă
nivele adiţionale ca la semiconductori, apare şi o conducţie asemănătoare cu
cea de la aceştia. Într-un izolator bun impurităţile au o concentraţie scăzută
iar conductivitatea electrică datorată acestora este mică. Dacă izolatorul este
un cristal ionic, conductivitatea se realizează prin ionii proprii, componenta
electronică a conductivităţii electrice este neglijabilă faţă de cea ionică. Deci
în izolatori există două tipuri de conducţie electrică: prin electroni-electronică,
şi prin ioni-ionică.
În fig. VIII.13 este prezentată variaţia conductivităţi cu întensitatea
câmpului electric. În domeniul (I) conductivitatea nu depinde practic de E ,
acest domeniu fiind numit intervalul lui
Ohm (fiind valabilă legea Ohm). În
domeniul (II), numit intervalul lui Pool,
conductivitatea depinde puternic de E .
După cum se observă din figură
conductivitatea ionică, fig. X.3, i,
Fig. VIII.13 nu depinde practic de E , atât în intervalul
lui Ohm cât şi în intervalul lui Pool, în timp ce conductivitatea electronică, e,
creşte puternic în intervalul lui Pool, tinzând la infinit în momentul
străpungerii. Deci, în câmpuri electrice intense conductivitatea total, t, creşte
foarte repede cu câmpul electric E tinzând la infinit în momentul
străpungerii, când izolatorul devine conductor.
360
VIII.9.3. Efecte termoelectrice
Efectele termoelectrice apar în materiale conductoare şi semiconductoare
străbătute de curent electric în prezenţa unui gradient de temperatură fiind
datorate interdependenţei dintre fenomenele electrice şi termice. Principale
efecte termoelectrice sunt: efectul Seebeck, Peltier şi Thomson.
361
de exemplu dacă materialul A este semiconductor, se poate explica astfel: în
regiunea caldă concentraţia purtătorilor de sarcină este mai mare, acesta se
încarcă pozitiv sau negativ după semnul sarcinii purtătorilor, şi astfel apare
un câmp electric care se opune creşterii nelimitate a sarcinii stabilindu-se un
regim staţionar. Tensiunea electromotoare staţionară care apare se numeşte
forţa termoelectrică a materialului respectiv, definită ca tensiunea
electromotoare pe grad.
La metale, spre deosebire de semiconductoari, concentraţia purtătorilor de
sarcină nu variază cu temperatura, iar forţa termoelectrică este mult mai mică.
Difuzia purtătorilor este determinată de diferenţa de energie datorată
diferenţei de temperatură a cele două contacte.
Efectul Seebeck are aplicaţii la confecţionarea termocuplelor folosite la
măsurarea temperaturilor. Acestea au două contacte menţinute la temperaturi
diferite. Cunoscând temperatura contactului rece şi măsurând tensiunea se
poate determina temperatura contactului cald.
363
unui câmp magnetic. În cazul în care câmpul magnetic este perpendicular pe
direcţia curentului electric, efectele se numesc efecte transversale.
Principalele efecte sunt: efectul Hall şi efectul Ettingshausen.
În cazul în care câmpul magnetic este paralel cu direcţia curentului electric
efectele se numesc efecte longitudinale. Principalele efecte sunt:
magnetorezistenţa şi efectul Nernst.
364
după semnul acestora, fig. VIII.5. Apare un câmp electric, E H , care se opune
acumulării nelimitate de sarcină stabilindu-se un regim staţionar.
365
este
1
VH E H d J Bd E B d d EB d (VIII.9.4.7)
nq nq
unde d este mobilitatea purtătorilor.
nq
Comparând relaţia (9.4.7) cu relaţia (9.4.1) se obţine pentru constanta Hall
relaţia:
1
RH d (VIII.9.4.8)
nq
Constanta RH este negativă şi foarte mică la metale deoarece purtătorii sunt
electroni şi au concentraţia foarte mare.
Deoarece în semiconductori concentraţia purtătorilor este mult mai mică
decât la metale constanta Hall la aceştia este mult mai mare. La
semiconductori RH este (10 105) cm3/C în timp ce la metale RH este (10-5
10-4) cm3/C. La semiconductori determinând RH se poate stabili tipul de
purtători, şi deci şi tipul semiconductorului (n sau p).
Folosind teoria cuantică se gaseşte că la semiconductorii cu un singur tip de
purtători constanta Hall este
1
RH A (VIII.9.4.9)
ne
unde A este o constantă care depinde de tipul mecanismului de împrăştiere a
purtatorilor.
Prin definiţie, mobilitatea Hall, H este mobilitatea calculată din
măsurători de efect Hall şi este
H RH (VIII.9.4.10)
IX. Supraconductibilitatea
367
Temperatura de tranziţie este temperatura la care se anulează rezistenţa.
Supraconductibilitatea cuprinde şi o serie de aspecte cum ar fi:
*) În câmp magnetic tranziţia normal – supraconductor este o transformare
de fază de ordinul I care se caracterizează printr-o căldură latentă.
*) Un câmp magnetic extern poate distruge starea de supraconductibilitate
dacă acesta atinge o valoare critică Hc; Hc este o funcţie de temperatură.
Temperatura la care se anulează rezistenţa în prezenţa unui câmp magnetic
se numeşte temperatură critică, Tc.
*) Efectul Meissner-Ochsenfeld – Materialele supraconductoare sunt
materiale diamagnetice perfecte.
În câmp magnetic, sub temperatura de tranziţie, liniile de forţă magnetice
sunt respinse la suprafaţa corpului, fig. IX.1.
Fig. IX.1
*)
C. Gorter, H. B. G. Casimir, Physica, 1, 306, 1934.
368
(asemănător cu cel de la heliu, vezi § XII.9.5.1). Acest model se bazează pe
ipoteza unor electroni "normali" şi "supraconductori". Căldura specifică a
fazei supraconductoare se poate presupune ca fiind formată, ca şi în cazul
fazei normale, din căldura specifică a electronilor şi a ionilor:
cs cs i cs e (IX.1)
369
pentru menţinerea temperaturii scăzute. În astfel de solenoizi, solenoizi
supraconductori, se obţin câmpuri magnetice de ordinul zecilor de tesla, ce
sunt utilizaţi în laboratoare de cercetare ştiinţifică în domeniul fizicii
solidului, fizicii nucleare sau fizicii plasmei.
O altă aplicaţie este criotronul. Acesta este un comutator supraconductor
(supraconductor-normal) care constă dintr-un fir, denumit "poartă", realizat
dintr-un metal, cum ar fi tantalul (Ta) ( Tc 4 ,48 K )
şi o „înfăşurătoare de control”, realizată dintr-un
alt material cu o temperatură critică mai mare,
cum ar fi niobiu (Nb) ( Tc 9 ,46 K ), (fig. IX.3).
Fig. IX.3 Curentul care trece prin înfăşurătoarea de control
poate genera un câmp magnetic suficient de mare încât să poată distruge
supraconductibilitatea în poartă. Deci, curentul porţii poate fi întrerupt cu
ajutorul unui curent relativ mic, care străbate înfăşurătoarea de control. Pe baza
acestui dispozitiv simplu s-au construit dispozitive mai complicate, cum ar fi
elementul criotronic bistabil. Criotroanele pot realiza toate operaţiile logice
necesare în computere. Prezintă dezavantajul necesităţii de a menţine
echipamentul la temperaturi foarte scăzute.
O altă aplicaţie se bazează pe joncţiunile Josephson (vezi § VII.3.3.2), ce
sunt denumite dispozitive "SQUID" (”Superconducting Quantum Interference
Devices”). Aceste dispozitive pot detecta câmpuri magnetice extrem de mici
10 13
T . Aceste câmpuri sunt interesante pentru unele aplicaţii în biologie.
Deoarece câmpul magnetic poate fi generat de un curent mic care străbate
o bobină, s-au realizat şi alte dispozitive, cunoscute sub denumirea de
"SLUGS" (”Superconducting Low Inductance Galvanometers). Acestea
permit determinarea, pe o rezistenţă foarte mică, a unei căderi de tensiune
extrem de reduse (de circa ~ 10 14 V ).
370