Universitatea Tehnică a Moldovei

Departamentul Microelectronica și
Inginerie Biomedicală

Traductoare și Senzori

1
Chișinău 2021
 Modulul T2 (8 ore). Senzori cu ultrasunet. Senzori de
presiune. Senzori de cîmp magnetic.
2.1 Senzori de deplasare, poziție și proximitate (apropiere)
2.1.1. Senzori potențiometrici
2.1.2. Senzori capacitivi
2.1.3. Senzori inductivi
2.1.4. Encoderi
2.1.5. Detectori de radiație infraroșie (IR)
2.1.6. Detectori de flăcări
2.1.7. Detectori de fum
2.2 Senzori cu ultrasunet
2.3 Senzori de presiune
2.3.1 Noțiuni introductive. Principiile fizice de masurare.
2.3.2 Construcția senzorilor de presiune și principiul de funcționare
2.3.3 Tenzosenzori
2.3.4 BMP085
2.4 Senzori de cîmp magnetic.
2.4.1 Noțiuni introductive. Principiile fizice.
2.4.2 Tipurile de senzori magnetici.
2.4.2.1. Magnetometri vectoriali
2.4.2.2. Magnetometre supraconductoare. SQUID.
3
2.4.2.3. Senzorii Hall.
 2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori
Poate prezenta structura unui fir de metal, folie de metal, sau o lentă de semiconductor.
Aceste elemente pot fi încleiate pe o suprafață plană.

Daca astfel de elemente sunt plasate pe un substrat flexibil, ei pot servi ca senzori de
deformare. La deformarea substratului prin aplicarea unei forțe de contact,
elementele de pe substrat vor fi supuse deformării, ceea ce va conduce la
modificarea rezistenței

41
 2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori
La expunerea unor presiuni, rezistența acestora se schimbă, iar modificarea rezistenței
este proporțională cu forța mecanică aplicată aplicată:
R / R  K m
(1)

Deformarea mecanică este egală cu (2)

Legea lui Hooke spune că tensiunea mecanică aplicată (forța de suprafață) (σm) este
egală cu produsul modului Young (ν, modificarea tensiunii mecnaice la deformarea
corpului) și deformarea (εm).

F  kg 
 m   m 
S  cm 2  (3)

Factorul K este gauge factor sau coeficientul efectului tenzorezistiv (coeficientul de

conversie a deformării elastice în semnal electric
R / R R / R
K  (4)
l / l m
Valorile tipice pentru K sunt 2 pentru metal și +100 pentru semiconductori de tip p și -
100 pentru tip-n.
42
 2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori
Material Compoziție K TCR (10-5)
Au 100 %, continuu 2.6
Au 100 %, discontinuu 24-48
Ag 100 %, discontinuu 45
Pd 100 % 2.5
Ni 100 % 40
Constantan 45 Ni, 55 Cu 2.1
Nichrome V 80 Ni, 20 Cr 2.1 10
Pt-W 92 Pt, 8 W 4.0 24
Si (n type) 100 % -100 la -140 70 la 700
Ge (p tip) 100 % 102

Metallic thin film piezoresistive transduction in micromechanical and nanomechanical devices and its application in self-
sensing spm probes EP 1749185 A2 (Patent WO2005103604A2)

dR
TCR = temperature coefficient of resistivity (ºC-1) -  dT
R

43
 2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori
Dacă avem o bucată de metal sub formă de
paralepiped, cu aria S = a ∙ b și volumul V = a ∙ b ∙ l, la
suspensia acesteia de un capăt și aplicarea unei forțe
mecanice la celălalt capăt, vom avea două tipuri de
deformări:
l - deformarea lineară
l
Și a b l (6) - deformarea transversală
  2 pm 
a b l
Coeficientul Poisson va arăta minusul raportul deformării
transversale la deformarea lineară (axială).
a / a
pm   (7)
l / l
S a b l (8)
   2 pm
S a b l

V a b l l l  l 
    2 pm   1  2 pm  (9)
S a b l l l  l 
44
 2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori
Regula Bridgemann
 V (10) - schimbarea rezistenței în funcție de schimbarea volumului
C
 V
R
 f (F ) - schimbarea rezistenței este funcție de forța aplicată, R   l
R S
R    l  S (11)
l
  C  V  C  1  2 pm 
l (12)

Introducem (12) în (11) și obținem

R  C  1  2 p m l  l  2 p m l (13) - modificarea aboslută

R l l l l l
 C  1  2 pm    2 pm  1  2 pm   C (1  2 pm )  K (14) – mod. Rel.
R l l l l l

Coeficientul K este funcție de coeficientul Poisson.

45
 2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori
Tenzosenzori pe bază de semiconductori
Semiconductorii au coef. K mai mare din cauza efectului piezorezistiv mult mai
evidențiat. Dezavantajul principale este coeficient de temperatură foarte
mare.
Specificul semiconductorilor este anizotropia evidențiată a crsitalului, astfel
legea lui Hooke va fi în formă tenzorială
F  kg 
 s   ihkl   s   cm2 
S
R / R R / R
Iar coef. Efectului tenzoelectric va avea forma K    ihkl    ihkl
l / l m

Unde  ihkl - este coeficientul termorezistiv.

46
VIDEO 3

47
2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori
Strain Gauge Load Cell

https://ru.aliexpress.com/item/1PC-A-SET-24bit-AD-Module-1KG-Scale-Load-Cell-Weight-Sensor-New-Arrival- 48
Sensors/32790585153.html?spm=a2g0v.10010108.1000014.9.18bfdda9LHYVNu&traffic_analysisId=recommend_3035_null_null_null
&scm=1007.13338.80878.000000000000000&pvid=78fc577a-6737-4fc8-8d5e-760512d312ee&tpp=1
 2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori

HX711 - 24-Bit Analog-to-Digital

Converter (ADC) for Weigh Scales

See datasheet>>
D:\univer\Senzori si traductori\SENZORI
ARDUINO

HX711

49
 2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori

FEATURES
• Two selectable differential input channels
• On-chip active low noise PGA with selectable gain of 32, 64 and 128
• On-chip power supply regulator for load-cell and ADC analog power supply
• On-chip oscillator requiring no external component with optional external crystal
• On-chip power-on-reset
• Simple digital control and serial interface: pin-driven controls, no programming needed
• Selectable 10SPS or 80SPS output data rate
• Simultaneous 50 and 60Hz supply rejection
• Current consumption including on-chip analog power supply regulator: normal
operation < 1.5mA, power down < 1uA
• Operation supply voltage range: 2.6 ~ 5.5V
• Operation temperature range: -40 ~ +85℃
• 16 pin SOP-16 package

50
2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori

Назначение контактов разъема JP1:

• E+, E- питание тензодатчиков;
• A-, A+ дифференциальный вход канала А;
• B-, B+ дифференциальный вход канала B.
Назначение контактов разъема JP2:
• VCC - напряжение питания;
• GND – общий контакт;
• DT – линия данных;
• SCK – линия синхронизации.

51
 2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori

Output Data Rate and Format

When using the on-chip oscillator, output data rate is typically 10 (RATE=0) or 80SPS
(RATE=1).

When using external clock or crystal, output data rate is directly proportional to the clock
or crystal frequency. Using 11.0592MHz clock or crystal results in an accurate 10 (RTE=0)
or 80SPS (RATE=1) output data rate.

The output 24 bits of data is in 2’s complement format. When input differential signal goes
out of the 24 bit range, the output data will be saturated at 800000h (MIN) or 7FFFFFh
(MAX), until the input signal comes back to the input range.

52
 2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori

Serial Interface
Pin PD_SCK and DOUT are used for data retrieval, input selection, gain selection and
power down controls.
When output data is not ready for retrieval, digital output pin DOUT is high. Serial clock
input PD_SCK should be low. When DOUT goes to low, it indicates data is ready for
retrieval. By applying 25~27 positive clock pulses at the PD_SCK pin, data is shifted out
from the DOUT output pin. Each PD_SCK pulse shifts out one bit, starting with the MSB bit
first, until all 24 bits are shifted out. The 25th pulse at PD_SCK input will pull DOUT pin
back to high (Fig.2).

53
 2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori

Input and gain selection is controlled by the number of the input PD_SCK pulses (Table
3). PD_SCK clock pulses should not be less than 25 or more than 27 within one
conversion period, to avoid causing serial communication error.

54
 2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori

Reset and Power-Down

When chip is powered up, on-chip power on rest circuitry will reset the chip.
Pin PD_SCK input is used to power down the HX711. When PD_SCK Input is low, chip is
in normal working mode.

When PD_SCK pin changes from low to high and stays at high for longer than 60µs,
HX711 enters power down mode (Fig.3). When internal regulator is used for HX711 and
the external transducer, both HX711 and the transducer will be powered down. When
PD_SCK returns to low, chip will reset and enter normal operation mode.
After a reset or power-down event, input selection is default to Channel A with a gain
of 128. 55
2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori

56
2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori

57
 2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori

O dependență aproape de liniară se poate oberva, astfel a fost efectuată o aproximare

lineară cu ajutorul ecuației y = a + b·x, unde y prezintă codul ADC de la HX711, a prezintă
valoarea de offset initială, b prezintă panta dependenței și x prezintă valoarea greutății
amplasate pe dispozitiv.
Conform ecuației primite, greutatea se va calcula conform:

58
 2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori
În bază de polisiliciu
(polySi)

(Al)

polySi SiO2 Si3N4

(not to scale)

59
2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori

60
2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori

61
 2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori
• Siliciul există în trei forme:
monocristalin, policristalin și amorf

• Coeficienții piezorezistenți pierd sensibilitatea față de

direcția cristalină
• Gauge factor de 20 - 40, aproximativ o cincime din
factorul celui de siliciu monocristalin
• The structure; i.e. the grain size and the texture
(preferred orientation of the crystallites) is decisive
for the piezoresistivity
• The longitudinal gauge factor is always larger than
the transverse one

62
2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori

63
2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori

64
 2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori
Microelectromechanical systems (MEMS) devices combine small mechanical and
electronic components on a silicon chip.

Because of their small size and close integration with the electronics, MEMS sensors can be very low power. In some
cases, they can be powered by a small battery that lasts for several years. Some can even operate without a battery,
either using energy harvested from the environment or provided by the external device that reads the sensor data.

The capacitive sensor has the advantages of lower power consumption, greater sensitivity and temperature
independence. The main advantages of piezoresistive sensors are high linearity and stability. MEMS sensors have the
advantage of very small size. This means they can respond rapidly to small changes in pressure. It also enables them to
be used in new application areas such as implantable medical devices.
 2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori

Silicon has many properties that make it ideal for mechanical structures.
As indicated in Table 2.1, it has a modulus of elasticity (Young’s modulus)
comparable to steel and a higher yield strength than steel or aluminum [1,
2].
Silicon has essentially perfect elasticity, resulting in minimal mechanical
hysteresis. (It is, however, a brittle material and will crack when stressed
beyond its elastic limits.) Also, silicon’s electrical properties have made it the
material of choice in most integrated circuits, providing established
manufacturing techniques for many aspects of micromachined sensors.

Micromachined semiconductor sensors take advantage of both the

mechanical and electrical properties of silicon, but products that fully exploit
the combination of the mechanical and electrical properties are still in their
infancy.
2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori
2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori
2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori
2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori
 2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori

Procesul de fabricație

Si <100>
SiO2

Si3N4
 2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori
SiO2

metal
 2.3. Senzori de presiune.
2.3.3 Tenzosenzori

• Siliciul este un material puternic (strong) dar nu rezistent (tough)

73
73
2.3. Senzori de presiune.

74
74
2.3. Senzori de presiune.
2.3.4 BMP085

75
75
2.3. Senzori de presiune.
2.3.4 BMP085

76
76
2.3. Senzori de presiune.
2.3.4 BMP085

77
77
 2.3. Senzori de presiune.
2.3.4 BMP085

See datasheet
D:\univer\Senzori si traductori\SENZORI
ARDUINO\BMP085

GY-65 – modul cu senzor BMP085

78
78