Sunteți pe pagina 1din 11

Componente active de circuit electronic

5. COMPONENTE ACTIVE DE CIRCUIT ELECTRONIC

5.1. Noţiunea de semiconductor. Joncţiunea p-n


Din punct de vedere al conductibilităţii materiale se împart în conductoare, semiconductoare şi
izolatoare. Asemănarea fundamentală între cele trei categorii constă în faptul că toate au structura internă
bazată pe atomi, constituiţi la rândul lor din nucleu şi electroni. Cu cât orbitele electronilor sunt mai departe
de nucleu, forţele de legătură cu acesta sunt mai slabe şi astfel electronii pot fi îndepărtaţi mai uşor prin
aplicarea unei energii exterioare. Electronii de pe ultimul strat (orbită) se numesc electroni de valenţă. În
Fig.5.1. sunt prezentate diagramele energetice ale celor trei categorii de materiale.

BC BC
BC

BI BI
BV BV BV
a) b) c)

Fig.5.1. Diagrama energetică a materialelor: conductoare (a); semiconductoare (b); izolatoare (c)

Prin aplicarea unei energii exterioare un număr de electroni din banda de valenţă (BV) pot fi smulşi
devenind electroni liberi. Sub acţiunea unui câmp electric exterior care îi dirijează ei formează curentul
electric, trecând în banda de conducţie (BC). Dacă energia exterioară aplicată unui semiconductor este mai
mică decât pragul necesar trecerii în BC, electronii de valenţă trec în aşa numita bandă interzisă (BI) după
care ei revin înapoi în BV.
Semiconductoarele sunt materiale care stau la baza realizării componentelor active (ex: diode,
tranzistoare, etc.). La acestea, spre deosebire de conductoare şi izolatoare, conductibilitatea depinde foarte
mult de temperatură, iluminare sau de impurificarea cu materiale sau cu atomi străini.
Materialele semiconductoare uzuale sunt germaniu şi siliciu, ambele făcând parte din grupa a VI-a, având
deci 4 electroni de valenţă pe ultima orbită.
Semiconductorul pur, la rece, se comportă ca un izolator. Electronii de valenţă fiind bine fixaţi asigurând
legăturile dintre atomi. Ca urmare nu există purtători de sarcină (electroni sau goluri) liberi.

Ge Ge

Ge

Ge Ge

Fig.5.2. Semiconductor pur

Semiconductorul de tip N constă dintr-un semiconductor pur în a cărui reţea cristalină s-au introdus
atomi cu 5 electroni de valenţă din grupa a V-a (ex: Arseniu As). Patru legături de valenţă ai arseniului
asigură legăturile cu atomii vecini ai semiconductorului iar cel de-al 5-lea rămânând slab legat de atomul său

70
Componente active de circuit electronic

devine disponibil (liber) şi chiar la temperaturi obişnuite poate căpăta o mişcare liberă. Aceşti atomi capabili
să producă electroni liberi se numesc donori.

Ge Ge

As
Electron liber

Ge Ge

a)

Si Si

Ir

Gol
Si Si

b)

Fig.5.3. Semiconductoare extrinseci: de tip N (a); de tip P (b)

Semiconductorul de tip P se obţine prin dotarea semiconductorului pur cu atomi din grupa a III-a , cu 3
electroni de valenţă (ex: Iridiu Ir). În acest caz una din legăturile reţelei rămâne nesatisfăcută, astfel încât
dacă un electron dintr-o legătură vecină primeşte o cantitate foarte mică de energie (prin agitare termică) el
poate completa legătura lipsă lăsând în urma sa un gol. Golul format poate fi completat la rândul său de un
electron vecin care îşi părăseşte propria legătură lăsând un alt loc gol. Cu alte cuvinte, un atom bivalent a
dat naştere unui gol mobil în semiconductor. Aceşti atomi care pot capta electroni se numesc atomi
acceptori. Concluzionând, semiconductorul de tip N conţine sarcini negative în exces (electroni), iar
semiconductorul de tip P sarcini pozitive în exces (goluri) care se pot deplasa prin reţeaua cristalină a
semiconductorului sub influenţa unor cauze energetice aplicate din exterior (căldură, lumină, forţă
electromotoare, etc).
Dotarea semiconductoarelor pure se poate face prin diverse procedee tehnologice ca: alierea, difuzia,
implantarea ionică etc. Dacă într-un cristal semiconductor se creează prin dotare (impurificare) două zone
vecine, una de tip P şi alta de tip N se spune că s-a obţinut o joncţiune P-N.
Această joncţiune nu se poate obţine printr-o simplă alipire a două regiuni impurificate de tip P şi respectiv N,
deoarece metodele tehnologice actuale de alipire fac ca distanţa dintre cele două regiuni să fie foarte mare
(distanţa interatomică la Si şi Ge are ordinul de mărime 10-10 m). În aceste condiţii fenomenele de trecere
dintr-o zonă în alta a purtătorilor de sarcină ar fi împiedicat, cele două regiuni rămânând astfel izolate. În
situaţia când joncţiunii P-N nu i se aplică nici o tensiune, golurile din zona P vor difuza în zona N, iar
electronii din zona N difuzează în zona P (Fig.5.4). Golurile care trec în zona N se vor combina cu o parte a
electronilor majoritari din această zonă, iar electronii care trec în zona P se recombină cu o parte a golurilor

71
Componente active de circuit electronic

care sunt purtători majoritari în această zonă. Datorită plecării golurilor din zona P rămân atomi acceptori
necompensaţi care sunt încărcaţi negativ iar prin plecarea electronilor din zona N, rămân atomi donori
necompensaţi care sunt încărcaţi pozitiv. Între zona N şi zona P ia naştere un câmp electric îndreptat de la
zona pozitivă din N spre zona negativă din P. Acest câmp acţionează ca o barieră asupra purtătorilor
majoritari împiedicându-i să mai înainteze. Acest strat se mai numeşte şi strat de barieră (zonă de barieră).
Valoarea diferenţei de potenţial dintre cele două zone ale stratului de barieră este de (0,2 → 0,3) V pentru
germaniu şi de (0,55 → 0,7) V pentru siliciu. În consecinţă în cazul joncţiunii P-N libere (nepolarizat) după o
mişcare iniţială de purtători majoritari se realizează un echilibru electric, în care joncţiunea prezintă 2 zone
(de tip P şi de tip N) separate printr-o zonă (strat) de barieră situată de o parte şi de alta a suprafeţei de
separaţie, caracterizată printr-un anumit potenţial de barieră specific tipului de semiconductor folosit.
P B N
P N

Fig.5.4. Joncţiunea P-N nepolarizată

Dacă la extremităţile joncţiunii P-N se aplică o sursă exterioară de tensiune, cu borna negativă pe
regiunea P şi cu borna pozitivă pe regiunea N atunci electronii sunt atraşi de borna pozitivă iar golurile de
borna negativă a barierei. Stratul de barieră se lărgeşte şi joncţiunea este blocată. Se spune că joncţiunea
P-N este polarizată invers. Cu toate că joncţiunea P-N este polarizată invers apare totuşi un curent de
valoare foarte mică Iinv datorat deplasării golurilor din regiunea N spre regiunea P, respectiv electronilor din P
spre N. Acest curent se numeşte curent invers. Dacă la extremităţile joncţiunii P-N se aplică o sursă
exterioară de tensiune, cu borna pozitivă pe regiunea P şi cu cea negativă pe regiunea N se spune că
joncţiunea P-N este polarizată direct. Câmpul electric datorat sursei fiind de sens contrar potenţialului de
barieră, golurile din zona P vor migra spre borna negativă iar electroni din zona N spre cea pozitivă astfel că
prin circuitul exterior se va închide un curent Idir numit curent direct.

P B N P N

Iinv Idir

Iinv Idir
a) b)

Fig.5.5. Joncţiunea P-N polarizată: invers (a); direct (b)

5.2. Diode semiconductoare


Sunt alcătuite dintr-o joncţiune PN la care s-au ataşat 2 contacte. Din motive de protecţie faţă de mediul
exterior, joncţiunea este introdusă într-o capsulă metalică (din sticlă sau plastic). Regiunea P se numeşte
anodul diodei iar regiunea N catodul diodei.

72
Componente active de circuit electronic

Dacă aplicăm diodei, o tensiune continuă UD cu plusul pe anod şi minusul pe catod, după depăşirea unei
anumite valori UD0 (tensiune de prag), dioda începe să se deschidă şi prin ea va circula un curent Id (curent
direct), curent care creşte parabolic cu creşterea tensiunii UD. Aplicând o tensiune continuă cu minusul pe
anod şi cu plusul pe catod, dioda este blocată sau este polarizată inversă, curentul prin diodă având o
valoare mică. Dacă tensiunea inversă depăşeşte o anumită valoare Ustr, numită tensiune de străpungere,
curentul prin diodă creşte brusc ducând la distrugerea diodei prin efect termic.

Fig.5.7. Caracteristica curent – tensiune a unei diode semiconductoare

Forma caracteristicii reale determinată prin măsurări experimentale diferă de cea ideală. La polarizarea
directă dioda începe să conducă numai de la o anumită tensiune UD0 numită tensiune de deschidere.
Valoarea tensiunii de deschidere este diferită pentru diferite materiale de semiconductor. Astfel la siliciu
UD0=0,55V iar la germaniu UD0=0,2V- 0,3V. La polarizarea inversă prin diodă trece un curent de valoare
extrem de mică (IS de ordinul µ A pentru germaniu şi de ordinul nA pentru siliciu).

Aplicaţia 5.1
Să se determine curentul prin circuitul alăturat dacă dioda este:
a) cu siliciu;
b) cu germaniu.

Aplicaţia 5.2
Considerăm circuitul din Fig.5.8, alcătuit dintr-o diodă cu catodul la masă şi
anodul legat printr-o rezistenţă de 1k la o sursă de tensiune continuă de
10V. Să se determine curentul prin diodă, dacă tensiunea pe aceasta este
UD=0,62V (măsurată în punctul B).
După utilizarea lor practică, diodele semiconductoare se împart în mai
multe categorii, astfel: Fig.5.8. Circuitul analizat
Dupa materialul din care se realizeaza:
- dioda cu germaniu,
- dioda cu siliciu.
Dupa caracteristicile jonctiunii:
- dioda redresoare
- dioda stabilizatoare de tensiune (dioda Zener)
- dioda electroluminiscentă (LED)
- dioda de comutatie

73
Componente active de circuit electronic

- dioda cu capacitate variabila (varactor sau varicap)


- dioda tunel
- dioda diac
- dioda Gunn
- dioda Schottky

5.3. Circuite de redresare


Diodele redresoare sunt proiectate şi fabricare special pentru redresarea semnalelor alternative.
Acestea prezintă o rezistenţă mică la trecerea curentului direct (polarizare directă) şi o rezistenţă foarte mare
la polarizarea inversă a joncţiunii.
Un circuit de readresare este compus în general din trei părţi: transformator, redresor şi filtru. Rolul
circutelor de redresare este de a obţine un curent de un singur sens prin sarcină. Acest curent este, în lipsa
filtrului, pulsatoriu. Filtrul are rolul de a separa componenta continuă de componentele alternative ale
curentului redresat. Redresoarele monofazate se utilizează pentru puteri mai mici de 1KW.

5.3.1. Schemă de redresare monofazată, monoalternanţă, cu sarcină rezistivă


În semialternanţă pozitivă a lui u2(t) (u2(t) > 0), dioda D este polarizată direct ca urmare ea conduce,
u2 ( t )
ur(t)=u2(t); ir(t)= . În semialternanţă negativă a lui u2(t) (u2(t) < 0), dioda D este polarizată invers, ca
Rs
urmare ea este blocată, ur(t)=0; ir(t)=0. Ca urmare graficele tensiunii şi a curentului prin sarcină sunt
prezentate în Fig.5.10.
Tr ir(t)

u1(t)
u2(t) Rs ur(t)

Fig.5.9. Schemă de redresare monofazată, monoalternanţă

Tensiunea redresată ur(t) la bornele rezistenţei de sarcină este alcătuită dintr-o componentă continuă
U0, egală cu valoarea medie a tensiunii redresate ur(t) şi una alternativă u~(t).
ur(t) = U0 + u~(t) (5.8)

u2(t)
2 U2
ωt

ur,ir

ur
2 U2
ir
U0 ωt
T/2 T
Fig.5.10.Graficele tensiunii şi a curentului prin sarcină

74
Componente active de circuit electronic

5.3.2. Scheme de redresare monofazate, bialternanţă, cu sarcină rezistivă


Există două scheme de redresare bialternanţă:
- scheme de redresare cu punct median;
- scheme de redresare în punte.

ir

u11 ur Rs
u1

u12

a)

ir
D1
D2
u1 ur Rs

D4
D3

b)
Fig.5.11. Schemă de redresare cu punct median (a), şi respectiv în punte (b)

Deoarece cele două secţiuni ale înfăşurării secundare sunt identice (Fig.5.11.a) cele două tensiuni u11 şi u12
vor fi în opoziţie de fază (defazate cu 1800). Diodele D1 şi D2 conduc alternativ, fiecare câte o semialternanţă,
astfel încât tensiunea redresată şi curentul redresat are forma din Fig.5.12.
Referitor la redresorul în punte, în timpul semialternanţei pozitive a tensiunii u2 conduc diodele D1 şi D3 , D2 şi
D4 fiind blocate. În semialternanţă negativă conduc D2 şi D4, D1 şi D3 fiind blocate. Ca şi în cazul
redresoarelor monoalternanţă şi în cazul redresoarelor bialternanţă, tensiunea şi curentul prin sarcină au
două componente: o componentă continuă (U0 respectiv I0) şi o componentă alternativă.

u2(t)
2 U2
ω
t

ur,ir

ur ir
2 U2
U0
ω
t
T/2 T
Fig.5.12. Formele de undă ale tensiunilor şi curentului prin sarcină

75
Componente active de circuit electronic

5.3.3. Filtrarea tensiunii redresate


La toate schemele de redresare studiate a rezultat că tensiunea redresată care se aplică sarcinii nu este
ideal continuă. Obţinerea la bornele rezistenţei de sarcină a unei tensiuni cât mai continue (cu factor de
ondulaţie mic) necesită diminuarea componentei alternative din tensiunea redresată, operaţie ce se
realizează cu ajutorul filtrelor. Funcţionarea filtrelor se bazează pe proprietatea bobinelor conectate în serie
cu Rs de a avea o rezistenţă neglijabilă pentru componenta continuă a curentului şi o reactanţă mare pentru
componena alternativă din curentul redresat, respectiv pe proprietatea capacităţilor mari, conectate în paralel
cu sarcina de a şunta componenta alternativă.
Filtrele utilizate frecvent la redresoarele de mică putere au schemele din Fig.5.13.

1 2 L
1 2
C
11 2
1 2
a. capacitiv
b. inductiv

R L
1 2 1 2
C C C C
1 2 1 2

e. tip π CRC d. tip π CLC

Fig.5.13. Tipuri de filtre

Schema unui redresor monofazat monoalternanţă cu filtru capacitiv este prezentată în Fig.5.14.

Fig.5.14. Redresor monofazat monoalternanţă cu filtru capacitiv

Tensiunea la bornele condensatorului uC este în acelaşi timp tensiunea la bornele rezistenţei de sarcină şi
tensiunea după elementul redresor.
Tensiunea pe diodă este ud = u2 - uC. Considerăm tensiunea u2 sinusoidală de forma
u 2 = 2U 2 sin ωt şi condensatorul este iniţial descărcat.
În intervalul de timp 0..t1, u2>uC şi deci uD>0. Ca urmare dioda D conduce şi condensatorul se încarcă
prin secundarul transformatorului şi diodă. Rezistenţa de încărcare Ri este foarte mică: Ri=rD+rTr.
rD – rezistenţa în conducţie directă a diodei
rTr – rezistenţa înfăşurării secundare a transformatorului
Constanta de timp de încărcare a condensatorului Ti=Ri*C, rezultă foarte mică, deci condensatorul se
încarcă rapid.
După intervalul de timp t1, tensiunea u2 scade, astfel că ud=u2-uc este negativă şi deci dioda se
blochează, iar condensatorul începe să se descarce prin rezistenţa de sarcină Rs. Constanta de timp de
descărcare a condensatorului Td=Rs*C >>Ti şi deci tensiunea uC scade lent până în momentul t2, când dioda
se deschide iar şi condensatorul se încarcă iarăşi până în momentul t 3. Tensiunea pe condensator are mici
oscilaţii în jurul valorii U0, care reprezintă componenta continuă a tensiunii la bornele sarcinii. Valoarea

76
Componente active de circuit electronic

tensiunii continue U0 precum şi amplitudinea componentei alternative depind mult de valoarea rezistenţei de
sarcină Rs. Odată cu micşorarea lui Rs, scade U0, iar componenta alternativă creşte.

uC(t), u 2(t) u2(t) uC(t)


2 U2
U0 t
t1 t2 t3

Fig.5.15. Graficul tensiunilor u2 şi uC

5.4. Diode stabilizatoare (Zener)


Sunt fabricate special pentru funcţionarea în zona de străpungere nedistructivă (cu polarizare inversă), zonă
în care tensiunea pe diodă rămâne practic constantă pentru un interval larg de variaţie al curentului prin
diodă.
Idir

Uz UzMUzNUzm 0 Udir
K A
Izm (+ (-
) )
IzN

IzM
Iz
a) b)
Fig.5.16. Caracteristica curent – tensiune (a) şi simbolul (b) al diodei Zener

Se observă că pentru un interval mare de variaţie a curentului din diodă cuprins între Izm şi IzM ,
tensiunea pe diodă variază într-un interval foarte mic cuprins între Uzm şi UzM putând fi considerată că rămâne
practic constantă.
Principalii parametrii ai unei diode Zener sunt tensiunea nominală U zN, curentul nominal IzN, tensiune
minim Uzm, tensiune maximă UzM, curent minim Izm, curent maxim IzM, puterea disipată maximă PzM = UzM * IzM şi
rezistenţă dinamică.
∆U z U zM − U zm
rz = = (5.19)
∆I z I zM − I zm
Diodele Zener sunt utilizate pentru menţinerea constantă a tensiunii pe o anumită sarcină de curent
continuu. În Fig.5.17 este prezentată o schemă de principiu a unui stabilizator derivaţie. Din caracteristica
diodei Zener (Fig.5.16) se observă că la variaţii mari ale curentului prin diodă ΔI z, datorate unor variaţii mari
ale tensiunii de intrare ΔUin se obţine o variaţie mică a tensiunii la bornele diodei şi deci şi la bornele sarcinii
ΔUz= ΔUs=constant.

77
Componente active de circuit electronic

Iin R
Iz Is
Uin Dz Uz=Us Rs

Fig.5.17. Stabilizator derivaţie

Aceste stabilizatoare se folosesc pentru a stabiliza tensiuni de ordinul 4-50V, pentru curenţi de sarcină de
10-500mA. Pentru a obţine tensiuni stabilizate mai mari se pot conecta mai multe diode Zener în serie. Rolul
rezistenţei R este de a limita curentul prin dioda Zener la valori cuprinse între Izm şi IzM.

5.5. Tranzistoare bipolare


Se numesc bipolare întrucât la conducţia curentului electric participă atât purtătorii ambele tipuri de
purtători: goluri şi electroni. Un tranzistor bipolar este constituit din trei zone alternante ca dotare, PNP sau
NPN, realizate pe acelaşi monocristal de Si sau Ge. Zona centrală este foarte subţire comparativ cu cele
extreme şi se numeşte bază (B). Zonele extreme se numesc emitor (E) şi respectiv colector (C). Există două
tipuri de tranzistoare : NPN şi PNP.
Săgeata din simbolul tranzistorului indică sensul de trecere al curentului principal între colector şi
emitor.

Datorită modului de realizare, apar două joncţiuni PN: joncţiunea E-B (joncţiunea emitorului) şi
joncţiunea B-C (joncţiunea colectorului).

C C

n n
B p B p
n n
E E
a) b)
Fig.5.18. Tranzistor NPN (a) şi PNP (b)

Fig.5.19. Tipuri de capsule utilizate pentru tranzistoare

În funcţie de tensiunile aplicate unui tranzistor bipolar se deosebesc 4 regiuni (zone de funcţionare):
1 – regiunea activă normală, în care joncţiunea emitorului este polarizată direct iar joncţiunea
colectorului este polarizată invers;
2 – regiunea de blocare, în care ambele joncţiuni sunt polarizate invers
3 – regiunea de saturaţie în care ambele joncţiuni sunt polarizate direct

78
Componente active de circuit electronic

4 – regiunea activă inversă în care colectorul ia locul emitorului şi invers, deci joncţiunea colectorului
este polarizată direct în timp ce joncţiunea emitorului este polarizată invers.
Efectul de tranzistor apare în regiunea activă normală.
Pentru a studia acest efect vom considera funcţionarea unui tranzistor PNP, în regiunea activă normală.

P N P

IpE IpC
IpB
IC
IE InB ICB0
IB

EE EC
Fig.5.19. Curenţii care apar într-un tranzistor PNP, în regiunea activă normală

Polarizările celor 2 joncţiuni se fac cu circuite de polarizare exterioare tranzistorului. Datorită polarizării
directe a joncţiunii emitorului, purtătorii majoritari ai acestuia (golurile) vor difuza masiv în volumul bazei
formând curentul IpE, iar electronii din bază vor difuza în emitor formând curentul InB. Deoarece baza este
foarte subţire şi slab impurificată cea mai mare parte a golurilor din emitor vor ajunge în joncţiunea
colectorului. Această joncţiune fiind polarizată invers cu tensiunea EC, apare un câmp electric care
accelerează deplasarea golurilor spre borna minus a sursei EC. Doar o mică parte din golurile injectate în
bază nu trec în colector, recombinându-se cu electronii din bază şi formând curentul IpB. Curentul ICBO este
curentul purtătorilor minoritari din colector (electroni) care difuzează în bază datorită polarizării inverse a
joncţiunii colectorului.
De menţionat că sensul convenţional al curenţilor de electroni InB şi ICB0 este invers sensului deplasării
electronilor.
IE = IpE + InB
IC = IpC + ICBO (5.20)
IB = IpB + InB - ICBO
rezultă
IC +IB = IpC + IpB + InB = IpE + InB = IE (5.21)
Ca urmare se obţine prima relaţia fundamentală a unui tranzistor:
IE = IC + IB (5.22)
Factorul α = IpC/IpE se numeşte factor de transport şi are valori cuprinse între 0,98…0,998.
Neglijând InB în raport cu IpE obţinem:
αI +I
IC = pE CBO (5.23)
I = α (I +I ) +I
C C B CBO (5.24)
I (1- α )= α I + I
C B CBO (5.25)
α 1
IC = IB + I CBO (5.26)
1−α 1−α
α
Notăm: β= ; (5.27)
1 −α
β−factor de amplificare în curent fiind cuprins între 10 – 1000

79
Componente active de circuit electronic

1 1−α α
= + =1 +β (5.28)
1−α 1−α 1−α
IC = βI B + (1 + β)I CBO (5.29)
Relaţia (5.29) reprezintă a doua relaţie fundamentală a unui tranzistor.
În multe calcule practice, întrucât ICBO este foarte mic ultimul termen al relaţiei se neglijează astfel încât:
IC = βI B (5.30)
Această relaţie evidenţiază că, curentul de colector nu depinde de elementele circuitului exterior ci doar
de curentul de bază. De aceea tranzistorul este folosit ca element de amplificare.
Pentru ca un tranzistor să nu se manifeste ca două diode, trebuie ca între ele să se realizeze un cuplaj,
acest cuplaj are rolul de a transfera purtătorii de sarcină de la o regiune la alta. Acest transfer se realizează
numai dacă baza este suficient de subţire. Transferul se numeşte EFECT
DE TRANZISTOR UCB
Caracteristicile statice ale unui tranzistor exprimă dependenţa grafică IC

dintre curenţii continui prin tranzistor şi tensiunile continue aplicate IB


UCE
(Fig.5.20)
UBE IE
Fig.5.20. Curenţii şi tensiunile unui tranzistor

Aplicaţia 5.1.
Circuitul din figura alăturată, reprezintă o sursă de curent. Să se
determine curentul I0 furnizat de sursă.

80