Capitolul 3

Traductoare rezistive şi circuite electrice de măsurare

3.1. Traductoare rezistive metalice

Iniţial, traductoarele rezistive se obţineau din fire foarte subţiri din aliaje
metalice cu rezistivitate mare (constantan, nichel-crom etc), fixate sub forma
unor reţele unidirecţionale pe suporturi izolatoare din răşină sau hârtie
(fig.3.1,a). Datorită aspectului lor au fost numite “mărci” tensometrice.
Extremităţile firelor sunt lipite de segmente de conductori mai groşi care
servesc la conectarea TER în circuitele de măsurare.
După ce metoda tensometriei electrice rezistive şi-a arătat utilitatea în
analiza experimentală a tensiunilor şi în tehnica măsurării, a fost impusă o
nouă tehnologie de fabricaţie. Se porneşte de la folii metalice foarte subţiri
lipite pe filme din materiale izolante (răşini fenolice, epoxidice etc) cu grosimi
foarte mici (fig.3.1,b). Forma reţelei rezultă în urma unui proces de
fotocorodare a foliei. Se fabrică o mare diversitate de TER, cu lungimi ale
reţelelor între 0,2 şi 100mm, având valorile standard ale rezistenţelor de 120 Ω
şi 350 Ω. Filmul-suport asigură izolarea electrică a reţelei traductorului faţă de
piesa (de regulă, metalică) pe care se lipeşte.

a b
Fig. 3.1

Rezistenţa electrică a TER este dată de formula

 2
R= ρ = ρ , (3.1)
S V
unde ρ este rezistivitatea materialului,  , S, V, lungimea, aria secţiunii,
respectiv, volumul firului reţelei.

19
 Logaritmând, rezultă
ln R = ln ρ + 2 ln  − ln V . (3.2)
Derivând această relaţie şi introducând notaţia dx = ∆ x , se obţine
∆R ∆ρ ∆ ∆V
= + 2 − . (3.3)
R ρ  V
Firul reţelei se poate considera desfăşurat, examinându-se ca bară
solicitată axial, având deformaţiile specifice: longitudinală ε x şi transversale
ε y , ε z , legate prin relaţiile [B.5]:
∆ ∆V
εx= ; ε y = ε z = −ν ε x ; = εx+ε y +ε z = (1 − 2ν ) ε x . (3.4)
 V
Substituind (3.4) în (3.3), se obţine
∆R ∆ρ
= + (1 + 2ν ) ε x . (3.5)
R ρ
Sensibilitatea materialului reţelei, definită prin expresia
∆ R/R ∆ ρ /ρ
km = = + (1 + 2ν ) , (3.6)
εx εx
depinde de variaţia rezistivităţii cu deformaţia ( ∆ ρ / ρ ) / ε x şi de modificarea
dimensiunilor reţelei exprimată prin termenul (1 + 2ν ) . Mărimea km mai este
cunoscută şi sub numele de coeficient de tensosensibilitate al conductorului.
Valorile sensibilităţii k m determinate experimental se situează între 2 şi 4,
pentru aliajele utilizate curent la fabricarea TER [D2] (v. tabelul 3.1). Deoarece
1 + 2ν ≈ 1,6 rezultă că ( ∆ ρ / ρ ) / ε x are valori între 0,4 şi 2,4.
Cea mai largă utilizare o are aliajul Ni-Cu, cunoscut sub numele de
constantan, deoarece are caracteristică ( ∆ R / R funcţie de ε x ) liniară într-un
domeniu larg de deformaţii, rezistivitate mare şi foarte bună stabilitate termică.
Pentru fiecare lot de fabricaţie se determină experimental o constantă
kt , care reprezintă sensibilitatea traductorului. Din relaţia
∆ R/R
kt = , (3.7)
εx
rezultă legea de transformare specifică traductorului rezistiv
∆R
= kt ε , (3.8)
R
unde ε este deformaţia specifică longitudinală a reţelei acestuia.
Factorul kt are valori apropiate de 2, fiind totdeauna mai mic decât km ,
deoarece reţeaua în serpentină este mai puţin sensibilă la deformaţie decât
conductorul drept cu aceeaşi secţiune şi lungime.
Ieşirea ∆ R / R este transformată de obicei într-un semnal în tensiune,
prin intermediul unei punţi de tip Wheatstone.

20
 Tabelul 3.1: Sensibilităţile aliajelor utilizate curent pentru fabricarea TER [D.1]
Material Compoziţie km
Constantan Ni (45%), Cu (55%) 2,1
Nicrom V Ni (80%), Cr (20%) 2,1
Isoelastic Ni (36%), Cr (8%), Mo (0,5%), Fe (55,5%) 3,6
Karma Ni (74%), Cr (20%), Al (3%), Fe (3%) 2,0
Armour D Fe (70%), Cr (20%), Al (10%) 2,0
Platinum-Tungsten Pt (92%), W (8%) 4,0

În construcţia captoarelor se utilizează atât traductoare simple (fig. 3.1)

cât şi duble sau cvadruple (fig. 3.2).

a b c d e
Fig. 3.2

Traductoarele multiple se realizează pe acelaşi suport, în poziţii relative

precise, oferind avantajul lipirii comode şi rapide pe elementele elastice ale
captoarelor. Sunt fabricate în serie traductoare duble cu reţele paralele (fig.
3.2,a), perpendiculare, suprapuse şi izolate electric între ele (fig. 3.2,b) sau
perpendiculare alăturate (fig. 3.2,c). Cele patru traductoare realizate pe suport
patrat (fig. 3.2,d) sau circular (fig. 3.2,e) sunt conectate în punte completă.
În această lucrare nu se vor prezenta aspecte privind lipirea,
conectarea şi protejarea traductoarelor, deoarece aceste operaţii sunt descrise
în prospectele de produs şi în alte monografii [B6], [C3], [D1], [D2],[M5]. De
asemenea, nu se va insista prea mult asupra caracteristicilor şi performanţelor
traductoarelor metalice, pentru că şi aceste probleme au fost analizate în
detaliu în literatura de specialitate [A1],[B1], [B6], [D2], [R3].
Valoarea maximă a deformaţiei specifice care se poate măsura cu un
TER din folie depinde de materialele reţelei şi suportului. Pentru deformaţii
cuprinse între ± 0,5 % şi ± 1,5 % se pot utiliza folii din aliaje Constantan şi
Karma pe suporturi din poliamide [D2].
Variaţiile temperaturii mediului şi reţelei pot influenţa semnalele de
ieşire ale traductoarelor. Puterea P disipată de traductor este transformată în
căldură, ce se transferă în mediul ambiant. În expresia
U2
P= = I 2R , (3.9)
R

21
intervin R – rezistenţa traductorului, U , I – tensiunea şi intensitatea curentului
care trece prin reţeaua acestuia.
Disiparea căldurii este influenţată de următorii factori:
- dimensiunile şi configuraţia reţelei; - materialul şi grosimea suportului; - tipul
de adeziv şi grosimea acestuia; - materialul şi volumul elementului elastic al
captorului; - tipul şi grosimea stratului de protecţie contra umidităţii.
Un parametru utilizat adesea pentru a caracteriza disiparea căldurii
este densitatea de putere
P
PD = , (3.10)
A
unde A este aria secţiunii reţelei traductorului.
Tensiunea maximă de alimentare a unei punţi Wheatstone cu patru
TER se calculează cu formula
U a = 4 A PD R . (3.11)
La evaluarea sensibilităţii traductorului rezistiv trebuie să se ţină seamă
de efectul de integrare al acestuia, care face ca deformaţia specifică ε ,
dedusă din relaţia (3.8)
1 ∆R
ε = ⋅ , (3.12)
kt R
să fie o valoare mediată pe lungimea o a reţelei.
Răspunsul traductorului, care preia deformaţii specifice ε = ε x (x) ,
variind pe lungimea o = x 2 − x1 (fig. 3.3), se poate calcula cu relaţia [B1]
x2
1
ε =
x 2 − x1 ∫ ε x ( x ) dx . (3.13)
x1

Fig. 3.3 Fig. 3.4

22
 Pentru ca valoarea mediată ε să fie mai mare se recomandă utilizarea
unor TER cu bază o cât mai mică (fig. 3.4), amplasate pe elementul elastic al
captorului pe direcţiile şi în locurile cu deformaţii specifice extreme.
Situaţia ideală, când deformaţia specifică sub reţeaua TER este cons-
tantă şi de modul maxim, apare la barele de egală rezistenţă [B5].
Identificarea celor mai convenabile locuri pentru poziţionarea traduc-
toarelor pe elementele elastice ale captoarelor este unul dintre principalele
obiective ale proiectantului.

3.2. Traductoare rezistive cu semiconductoare

Materiale semiconductoare, precum germaniul şi siliciul, posedă

proprietatea de piezorezistivitate, care se manifestă prin schimbarea
rezistivităţii atunci când sunt supuse solicitării mecanice. Aceste elemente sunt
tetravalente, adică au patru electroni de valenţă pe ultima orbită a atomului.
Aceşti electroni formează legături covalente cu electronii atomilor vecini.
Germaniul şi siliciul în stare pură se comportă ca izolatori, deoarece nu
au electroni liberi care să permită transmiterea unui curent electric. Prin
adăugarea unor mici cantităţi de materiale cu altă valenţă, numite impurităţi,
elementele amintite devin conductoare. Astfel, dacă se introduce un element
pentavalent (fosfor, stibiu, arsen), patru dintre electronii de valenţă se vor fixa
în legături intra-atomice cu electronii elementului tetravalent, iar al cincilea
electron rămâne liber şi poate fi deplasat sub acţiunea unui câmp electric.
Conductibilitatea electrică este datorată sarcinilor negative, de aceea, semi-
conductorul astfel tratat (dopat), este numit de tip n. Dacă se introduc în
materialul tetravalent impurităţi de elemente trivalente (galiu, indiu, bor), el
devine conductor datorită golurilor, adică numărului de electroni care lipsesc
pentru a completa reţeaua elementului de bază (tetravalent). Sub acţiunea
unui câmp electric golurile smulg electroni de la atomii vecini, creând alte goluri
în reţea. Semiconductoarele la care conductibilitatea se realizează prin
deplasarea golurilor (echivalente cu sarcini pozitive), se numesc de tip p. De
regulă, semiconductoarele conţin impurităţi de ambele tipuri, dar unele au
concentraţie mai mare. Traductorul tensometric cu semiconductor (TES)
constă dintr-un filament subţire (de regulă, un monocristal de siliciu tratat cu
impurităţi şi orientat) fixat pe un suport protector din răşină epoxidică. În figura
3.5 sunt prezentate patru tipuri de traductoare. Primele trei, cu monocristal,
diferă prin poziţiile conductorilor de legătură, iar ultimul este un traductor dublu,
constând dintr-un cristal p şi unul n, legate în semipunte.
De regulă, pentru lipirea TES pe piese care suportă solicitări mecanice
ce trebuie evaluate, se utilizează aceiaşi adezivi ca şi în cazul traductoarelor
metalice.
Traductoarele cu semiconductoare au sensibilitate la deformaţie mult
mai mare decât cele metalice. În funcţie de tipul şi cantitatea de impurităţi
introduse în cristalul de siliciu pur, constantele traductoarelor pot avea valori
foarte mari, cuprinse între 50 şi 175.

23
 Fig. 3.5

Totuşi TES au şi dezavantaje precum: comportamentul neliniar,

compensarea dificilă a erorilor introduse de variaţiile de temperatură,
necesitatea de a se lipi numai pe suprafeţe plane (datorită fragilităţii
filamentului).
Rezistivitatea ρ a unui monocristal de siliciu cu o concentraţie a
impurităţilor de ordinul 1016 - 1020 atomi/cm3 este dată de relaţia
1
ρ = , (3.14)
eNµ
unde e – sarcina electronului, determinată de tipul de impurităţi,
N – numărul purtătorilor de sarcină, dependent de concentraţia
impurităţilor,
µ - mobilitatea medie a purtătorilor de sarcină.
Prin solicitare mecanică se modifică N şi µ. Mobilitatea purtătorilor de
sarcină depinde de mărimea deformaţiei şi de direcţia acesteia în raport cu
axele cristalului.
Efectul piezorezistiv se explică prin influenţa mărimii şi direcţiei
deformării mecanice asupra energiilor relative ale benzilor de conducţie şi de
valenţă. Pe două direcţii ortogonale din cristal mobilitatea purtătorilor variază în
sensuri contrare (creşte pe o direcţie şi scade pe cealaltă). Mobilităţile pot avea
valori egale şi de semne contrare pe diferite direcţii, ceea ce permite fabricarea
unor traductoare cu compensare intrinsecă a efectelor variaţiilor de
temperatură.
Sensibilitatea la deformaţie a traductorului piezorezistiv (cu rezistenţa
Rs) este dată de o relaţie de forma [D2]
ΔRs / Rs
ks = = 1 + 2ν + E π  , (3.15)
εx
în care E , ν , π  sunt, respectiv, modulul de elasticitate longitudinală, coefi-
cientul Poisson şi coeficientul piezorezistiv longitudinal al semiconductorului.
Anterior s-a stabilit relaţia (3.6), similară cu (3.15), valabilă pentru un
conductor metalic. În cazul traductoarelor metalice 1 + 2ν ≈ 1,6 iar termenul
(Δρ / ρ) / ε x este cuprins între 0,4 şi 2,4 .
24
 Termenul ( 1 + 2ν ) din (3.15) reprezintă variaţiile dimensionale ale
cristalului, iar Eπ  reflectă variaţia rezistivităţii ca urmare a solicitării
mecanice. Pentru traductoarele cu semiconductoare, Eπ  se poate situa între
40 şi 200, în funcţie de tipul şi concentraţia impurităţilor, de direcţia cristalină
pe care acţionează solicitarea şi de rezistivitate, iar 1 + 2ν ≈ 1,6.
Practic
ks ≈ E π . (3.16)
Siliciul cristalizează într-un sistem cubic cu feţe centrate, fiind izotrop în
această stare. Dacă este solicitat mecanic devine anizotrop şi conductivitatea
creşte sau scade pe diferitele direcţii cristaline. Se măsoară rezistenţa electrică
a cristalului pe direcţia de variaţie maximă a conductivităţii (direcţia [111]
pentru siliciul tip p şi [100] pentru siliciul tip n).
Coeficientul ks este pozitiv pentru tipul p şi negativ pentru tipul n, iar
valoarea sa depinde de mai mulţi factori: tip de impurităţi şi nivelul de dopaj,
temperatură, solicitare mecanică.
Datorită faptului că sensibilitatea traductorului tensometric semicon-
ductor este variabilă, relaţia dintre ΔR s / R s şi deformaţia specifică ε x = ε
este neliniară.
Pentru materiale semiconductoare uşor dopate (sub 1019 atomi/cm3),
sensibilitatea la deformaţie se exprimă în funcţie de temperatură (T ) şi de
solicitarea mecanică ( ε ), prin relaţia
2 3
T T  T  2
k s = 0 k s 0 + C1  0  ε + C 2  0  ε +, (3.17)
T  T   T 
unde k s 0 este sensibilitatea iniţială, la temperatura ambiantă T0 = 294 K,
C1 , C2 sunt constante ce depind de tipul şi concentraţia impurităţilor şi
de orientarea elementului sensibil al traductorului faţă de axele cristalului din
care este tăiat.
În figura 3.6 se arată variaţia sensibilităţii ks în funcţie de concentraţia
impurităţilor pentru siliciul de tip p. Când concentraţia de impurităţi creşte de la
1016 la 1020 atomi/cm3, sensibilitatea traductorului scade de la 155 la 50, dar se
reduce şi influenţa temperaturii asupra acesteia [D2].
Efectul concentraţiei impurităţilor asupra variaţiei de rezistenţă, în
funcţie de temperatură, pentru siliciul de tip p, este evidenţiat în figura 3.7.
Se observă că efectele termice sunt minime la concentraţii de 1019
atomi/cm3, pentru care se asigură ks =100 (v. fig. 3.6).
Compensarea efectului termic nu este posibilă pentru traductorul cu un
singur element semiconductor de tip p. Există două posibilităţi de compensare
termică prin utilizarea materialelor rezistive de tip n (cu sensibilitate negativă).
În prima variantă se realizează un traductor dublu (fig. 3.5,d ), care
constă dintr-un element de tip p şi altul de tip n, cu aceeaşi sensibilitate la
temperatură, care se conectează în două braţe adiacente ale punţii
Wheatstone utilizată la măsurare.

25
 Fig. 3.6

Fig. 3.7

Aşa cum se va arăta în paragraful următor, acest montaj are

proprietatea de a scădea efectele din braţele adiacente. Astfel se obţine un
semnal de ieşire proporţional cu dublul deformaţiei specifice aplicată
traductorului, neafectat de variaţiile de temperatură. Traductoarele duble au şi
avantajul unei sensibilităţi mărite, ks fiind cuprins între 220 şi 265.
O a doua posibilitate de compensare termică la elementele simple este
de a utiliza materiale de tip n, ale căror rezistenţe cresc cu temperatura astfel
încât să compenseze efectele deformaţiilor parazite produse de dilatările
pieselor pe care sunt lipite traductoarele.
Prin controlul concentraţiei de impurităţi se obţin traductoare cu
semiconductoare care asigură compensarea în cazul lipirii acestora pe piese
din materiale cu coeficienţi de dilatare având valorile 7,2⋅10-6, 10,8⋅10-6, 16,2⋅
10-6, 12,6⋅10-6 [oC]-1.

26
 Ecuaţia (3.17) evidenţiază o dependenţă neliniară între răspunsul
traductorului şi deformaţia specifică pe care o suportă. Totuşi, după cum
rezultă din figura 3.8, neliniaritatea este semnificativă pentru materiale
piezorezistive cu concentraţie redusă de impurităţi.
Prin creşterea concentraţiei de impurităţi la 1019 - 1020 atomi/cm3,
neliniaritatea este diminuată considerabil. Se recomandă ca traductoarele de
tip p să fie solicitate la întindere, iar cele de tip n, la compresiune.

Fig. 3.8

Micile elemente sensibile ale TES, obţinute prin secţionarea

monocristalelor de siliciu, sunt aduse la dimensiunile finale prin corodare.
Siliciul este casant şi cedează prin rupere fragilă la deformaţii specifice de
aproximativ 3000 µm/m. Pentru a se evita suprasolicitarea traductoarelor,
acestea vor fi lipite pe suprafeţe plane sau de curbură mică.
Rezistenţa la oboseală a traductoarelor cu semiconductoare este mult
mai redusă decât a celor metalice. De aceea, TES se utilizează în studiul
solicitărilor variabile numai dacă tensiunile au oscilaţii mici.
Captoarele cu TES asigură semnale de ieşire de circa 100 ori mai mari
decât cele cu traductoare metalice. Semnalele de ieşire se pot mări sensibil
prin conectarea în punţi Wheatstone a unor TES cu constante negative şi
pozitive. În producţia curentă de traductoare se utilizează monocristale de
siliciu ultrapur. Borul se foloseşte pentru obţinerea traductoarelor de tip p, cu
coeficient de tensosensibilitate pozitiv, iar arsenul în producţia celor cu
coeficient negativ (de tip n).
Rezistivitatea traductoarelor de tip p cu siliciu este de circa 500 µΩ⋅m,
adică de 1000 de ori mai mare decât cea a constantanului (0,49 µΩ⋅m). De
aceea, TES nu au formă de grilă, ci de bastonaşe paralelipipedice subţiri cu
lăţimi de 0,1 – 0,5 mm, grosimi de 0,01 – 0,05 mm şi lungimi de 2 - 7 mm.
Terminalele se realizează din cupru, argint sau nichel.

27
 Datorită sensibilităţii mari, se recomandă utilizarea traductoarelor cu
semiconductoare în următoarele situaţii: • pentru măsurarea deformaţiilor
foarte mici (ε < 10−8 ); • în sistemele de control şi reglare automată, dacă se
cere un semnal de ieşire mare la bornele senzorului; • pentru măsurarea
deformaţiilor cu aparatură simplă, fără amplificare.
Traductoarele cu semiconductoare pot fi utilizate la fabricarea unor
captoare miniaturizate cu semnal mare la ieşire şi cu frecvenţă naturală înaltă.
De regulă, acestea sunt destinate măsurării presiunilor, aceleraţiilor, forţelor şi
deplasărilor foarte mici.

3.3. Circuite electrice de măsurare

Adaptoarele de semnal sunt concepute astfel încât să permită

urmărirea cât mai fidelă a micilor variaţii de rezistenţă ale TER, produse de
deformaţiile preluate de la elementele elastice pe care sunt lipite.
În componenţa adaptoarelor se pot identifica două părţi distincte: un
circuit de măsurare de tip punte Wheatstone (numită punte tensometrică) în
braţele căreia se conectează traductoarele şi un bloc de amplificare şi
conversie în semnal util.

3.3.1. Puntea Wheatstone alimentată la tensiune constantă

În cele patru braţe ale punţii se pot conecta traductoare rezistive şi/sau
rezistenţe calibrate. Configuraţiile uzuale sunt cele prezentate în figura 3.9:
a) sfert de punte (fig. 3.9, a), cu un traductor şi trei rezistenţe calibrate;
b) semipunte (fig. 3.9, b), cu două traductoare şi două rezistenţe calibrate;
c) punte completă (fig. 3.9, c), cu patru traductoare.
După cum este cunoscut [B6], [D1] schema de montaj se alege în
funcţie de tipul măsurării şi de precizia cerută, profitând de proprietatea punţii
Wheatstone de a însuma efectele din braţele opuse şi de a le scădea pe cele
din braţele adiacente.
Se consideră montajul cu patru rezistenţe reglabile (fig 3.10), alimentat
în curent continuu, la tensiunea constantă Ua . Aplicând circuitului legile lui
Kichhoff, când rezistenţele au valorile R1 , R2 , R3 , R4 , se determină tensiunea
de ieşire Ue [D1]:
R1 R3 - R2 R4
Ue = U . (3.18)
( R1 + R2 ) ( R3 + R4 ) a
Puntea este echilibrată, adică semnalul de ieşire este nul ( U e = 0 ), dacă
R1 R3 = R2 R4 . (3.19)
Dacă rezistenţele Ri suferă variaţiile ∆Ri va rezulta o variaţie de
semnal ∆ U e care, conform (3.18) are expresia

28
 ( R1 + ∆ R1 )( R3 + ∆ R3 ) − ( R2 + ∆ R2 )( R4 + ∆ R4 )
∆ Ue = Ua . (3.20)
( R1 + ∆ R1 + R2 + ∆ R2 )( R3 + ∆ R3 + R4 + ∆ R4 )
Efectuând produsele, neglijând infiniţii mici de ordin superior şi ţinând
seamă de (3.19) se obţine
r  ∆ R1 ∆ R2 ∆ R3 ∆ R4 
∆ Ue =  − + −  Ua , (3.21)
(1 + r )  R1
2
R2 R3 R4 
unde r = R2 / R1 .

Fig. 3.9
Dependenţa liniară (3.21) dintre semnalul de ieşire şi variaţiile
rezistenţelor este aparentă, deoarece fără negljarea unor cantităţi mici, din
(3.20) rezultă relaţia
r  ∆ R1 ∆ R2 ∆ R3 ∆ R4 
∆ Ue =  − + −  (1 − η ) U a , (3.22)
(1 + r )  R1
2
R2 R3 R4 
1
η =
r+1
în care intervine 1+
∆ R1 ∆ R4  ∆ R 2 ∆ R3  . (3.23)
+ + r  + 
R1 R4  R2 R3 
În majoritatea cazurilor practice R1 = R2 = R3 = R4 , rezultând r = 1 şi
 4 ∆ Ri   4 ∆ Ri 
η =  ∑  /  ∑ + 2  . (3.24)
 i = 1 Ri   i = 1 Ri 

29
 Din (3.22), se deduce că 100 ⋅ η se poate considera drept eroare
procentuală ce se înregistrează la evaluarea semnalului cu formula (3.21).
În montaj sfert de punte (fig.3.9,a), rezistenţa traductorului R1 variază
cu ∆R1 , iar celelalte sunt fixe (∆R2=∆R3=∆R4=0), astfel că din (3.23) se obţine
1
η =
r+1 . (3.25)
1+
∆ R1 / R1
În figura 3.11 este prezentată grafic variaţia erorii procentuale 100 ⋅ η în
funcţie de ∆R1 /R1 . Dacă ∆R1 /R1 < 0,02 , eroarea de neliniaritate este sub 1%.
Din (3.21), ţinând seamă de (3.8), rezultă sensibilitatea punţii cu un
singur traductor activ (cu rezistenţa R1 şi constanta kt ):
∆ Ue Ua r ∆ R1 r
S ′p1 = = ⋅ ⋅ = kt ⋅ ⋅ Ua , (3.26)
ε1 ε 1 (1 + r ) 2
R1 (1 + r ) 2
în care ε1 este deformaţia specifică de măsurat.

Fig. 3.10 Fig. 3.11

Din ultima relaţie rezultă că există următoarele posibilităţi de mărire a

sensibilităţii circuitului de măsurare:
1) utilizarea unor TER cu constante kt de valori mari, de exemplu,
traductoare cu semiconductoare;
2) mărirea tensiunii de alimentare Ua până la limita admisă, indicată
de către producători, pentru fiecare tip de TER.
3) constituirea punţilor din rezistenţe egale ( R1 = R2 = R3 = R4 ),
deoarece, pentru r = R2 / R1 = 1 , după cum rezultă din figura 3.12, eficienţa
r
circuitului de măsurare exprimată prin raportul devine maximă.
(1 + r ) 2
Pentru r = 1 , din relaţia (3.26), se obţine
∆ Ue 1
S ′p1 = = kt U a . (3.27)
ε1 4

30
 De asemenea, sensibilitatea creşte proporţional cu numărul de
traductoare active. Din relaţia (3.21) rezultă:
- pentru montaj în semipunte cu două TER identice ( R1 = R2 , r = 1 )

r  ∆ R1 ∆ R2  1
∆ Ue = 
2 
−  U a = k t ( ε 1 − ε 2 )U a ; (3.28)
(1 + r )  R1 R2  4

- pentru punte completă cu patru TER identice ( R1 = R2 = R3 = R4 , r = 1 )

r  ∆ R1 ∆ R2 ∆ R3 ∆ R4  1
∆ Ue =  − + −  U a = k t ( ε 1 − ε 2 + ε 3 − ε 4 )Ua . (3.29)
(1 + r ) 2  R1 R2 R3 R4  4

Fig. 3.12 Fig. 3.13

Dacă traductoarele, conectate în punte completă, sunt lipite în aceeaşi

secţiune, pe o lamelă elastică paralelipipedică solicitată la încovoiere (fig.
3.13), atunci ε 1 = − ε 2 = ε 3 = − ε 4 şi din ultima relaţie rezultă
∆ U e = kt ε 1 U a ; (3.30)
∆ Ue
S ′p 4 = = kt U a . (3.31)
ε1
Totuşi, mai frecvent sensibilitatea unui captor Sp se defineşte ca raport
între semnalul de ieşire şi tensiunea de alimentare, măsurându-se în mV/V.
Pentru montaj în punte completă cu patru TER identice
∆ Ue 1
Sp = = kt ( ε 1 − ε 2 + ε 3 − ε 4 ) , (3.32)
Ua 4
iar dacă ε 1 = − ε 2 = ε 3 = − ε 4 , rezultă
∆ Ue
S p4 = = kt ε 1 . (3.33)
Ua
Montajul în sfert de punte (fig. 3.9,a) se utilizează în măsurări dinamice.
Rezistenţa R1 este cea a traductorului, iar celelalte trei sunt alese astfel încât

31
să se maximizeze sensibilitatea circuitului. La captoare se constituie punţi
complete cu 4, 8 sau 16 traductoare active. Montajele în semipunte se
utilizează mai rar şi pot conţine, în braţe adiacente (fig. 3.9,b), două
traductoare active sau unul activ şi altul inactiv (nesolicitat), introdus în circuit
pentru compensarea efectului variaţiei de temperatură. Aflându-se în aceleaşi
condiţii ambiante traductoarele suferă aceleaşi deformaţii termice.
Puntea Wheatstone (completă sau semipunte) scade efectele din
braţele adiacente, eliminând efectele parazite ale dilatării elementelor elastice
ale captoarelor [D1].
Problema aducerii semnalului de ieşire la o valoare standardizată sau
dorită se rezolvă practic prin introducerea unor rezistenţe adiţionale în trepte,
ajustabile prin tăiere (fig. 3.14). Rezistenţa ajustabilă din cupru, introdusă între
braţele 3 şi 4 ale punţii, are rolul de a compensa acele abateri de la zero
datorate variaţiilor de temperatură, care nu au fost eliminate prin montajul în
punte completă sau semipunte, abateri care există deoarece TER nu sunt
perfect identice. Echilibrarea punţii la sarcină nulă se poate realiza prin
introducerea unui rezistor de compensaţie, constând dintr-o rezistenţă dublu
ajustabilă, între braţele 1 şi 2 ale punţii. Domeniul semnalului de ieşire se
poate corecta reducând tensiunea Ua prin introducerea unor rezistenţe
ajustabile în serie cu bateria de alimentare.

Fig. 3.14

32