ARHITECTURA

CALCULATOARELOR

Capitolul 1

COMPONENTELE DE BAZĂ ALE

SISTEMELOR DE CALCUL MODERNE
 ARHITECTURA CALCULATOARELOR
1.3. UNITATEA DE MEMORIE
1. Structura fizică a memoriei
2. Clasificarea dispozitivelor de memorare
3. Tehnologii de realizare a memoriilor. Memorii semiconductoare
4. Structura ierarhică de organizare a memoriei
5. Conectarea memoriei la SC – va urma... ☺
6. Memoria virtuală – vezi curs şi SO

1.4. PROIECTAREA CALCULATOARELOR MODERNE

Principiile proiectării calculatoarelor moderne
[Patterson & Hennessy]
ARHITECTURA CALCULATOARELOR

1.3. UNITATEA DE MEMORIE

= colecţie de:
medii de memorare = componente destinate
memorării datelor şi
soluţii electrice/magnetice – necesare pentru
gestiunea memoriei şi
transferul de date/instrucţiuni înspre şi dinspre memorie
 ARHITECTURA CALCULATOARELOR
1.3. UNITATEA DE MEMORIE
1.3.1. Structura fizică a memoriei
memoria = mediu de memorare + circuite

Cuvinte cheie:
bit, bit de informaţie
celulă-bit
particule magnetice cu polaritate specifică --> discuri magnetice
porţi logice NAND/NOR --> memorii semiconductoare
circuit electronic cu două stări stabile - bistabil, condensator --> RAM
dispozitiv electronic cu două stări – diodă, tranzistor --> ROM, flash, SSD
locaţie de memorie, octet, cuvânt de memorie
adresă de memorie (octet adresabil)
capacitatea memoriei, byte
1KB, 1MB, 1GB, 1TB
LSB – Least Significant Bit, MSB – Most Significant Bit
ARHITECTURA CALCULATOARELOR
1.3. UNITATEA DE MEMORIE
1.3.2. Clasificarea dispozitivelor de memorare
Principalele tehnologii de realizare a memoriilor:
tambur magnetic, inele de ferită, cartele perforate, bandă
magnetică, disc magnetic, circuite semiconductoare, procedee
optice

După tipul de acces la date:

m. cu acces aleator – e.g. RAM, ROM, Flash
locaţiile pot fi citite/scrise pe bază de adresă într-o ordine
oarecare
fiecare locaţie poate fi selectată aleator şi accesată direct
m. cu acces asociativ – e.g. m. Cache
locaţia căutată este identificată prin conţinut
m. cu acces secvenţial - e.g. benzi magnetice
m. cu acces direct – e.g. disc
 ARHITECTURA CALCULATOARELOR
1.3. UNITATEA DE MEMORIE
1.3.3. Memorii semiconductoare
Memorii semiconductoare = circuite integrate
bazate pe metale semiconductoare (Si, Ge)
Celulă-bit = circuit de memorie cu capacitatea
de 1 bit
Cuvânt-memorie = conţinutul unui cuvânt de
memorie
Spaţiu de adrese = domeniul adreselor locaţiilor
unui circuit de memorie
 ARHITECTURA CALCULATOARELOR
1.3. UNITATEA DE MEMORIE
1.3.3. Memorii semiconductoare
Parametrii caracteristici:
geometria: dispunerea celulelor-bit, lungimea cuvântului-memorie, modul de
adresare a cuvintelor
capacitatea
latenţa sau timpul de acces: t acces = t DateOut – t AdrIn
ciclul memoriei: intervalul de timp dintre două aplicări succesive de adresă pe
liniile de intrare în circuitul de memorie; se măsoară în ns sau µs

puterea consumată: se măsoară în µW / bit

volatilitatea: m. volatilă vs. m. nevolatilă sau remanentă
tehnologia de realizare
memorii bipolare: f. rapide, densitate mică de integrare, tehnologii:
TTL, ECL
memorii MOS: latenţă mai mare, densitate mare de integrare, putere
consumată mică, viteză mică la operaţii de scriere-citire;
 e.g.: memoriile flash = carduri de memorie, dispozitive flash USB,
camere digitale, telefoane mobile
 ARHITECTURA CALCULATOARELOR
1.3. UNITATEA DE MEMORIE
1.3.3. Memorii semiconductoare
Operaţii specifice:
citire
ROM (Read Only Memory) = memorii de capacitate mică, cu viteză mare de
acces la date; actual – componentă UCP pentru programul de control sau ca
suport pentru BIOS*
citire şi scriere – tehnologie pentru citire-scriere
RAM (Random Access Memory) = memorii cu acces aleator
SRAM (Static RAM)
uzual, celula-bit a unei memorii RAM statice este un bistabil
DRAM (Dynamic RAM)
uzual, celula-bit a unei memorii RAM dinamice este un condensator
Clasificarea în memorii RAM şi ROM mai are în prezent doar o semnificaţie academică,
deoarece memoriile EEPROM şi Flash pot fi şi citite şi scrise în funcţionare normală la
orice adresă (comportament de RAM), iar memoriile SRAM nevolatile (NV SRAM)
stochează informaţia peste 10 ani fără alimentare externă (comportament de ROM).
programare – memorii PROM
regenerare – citire incompletă
utilă în memoriile DRAM
rata uzuală de regenerare este ~2ms/NN, unde NN = nr de nivele de celule-
bit din geometria memoriei (e.g. 2ms/128 ≈ 15,625µs)
*BIOS (Basic Input Output System) = set de aplicaţii low-level pentru: iniţializarea sistemului,
verificarea iniţială a perifericelor, accesul primar la periferice, funcţiile de bază pentru unele dispozitive
auxiliare (dispozitive mobile, controlere de reţea, controlere video)
 ARHITECTURA CALCULATOARELOR
1.3. UNITATEA DE MEMORIE
1.3.3. Memorii semiconductoare
n linii de date de intrare

Bloc standard k linii de adresă

Unitate de memorie
Read
de memorie RAM Write
cu 2k cuvinte şi
n biţi pe cuvânt

n linii de date de ieşire

k linii de intrare de adresă

Unitate de memorie
Bloc standard cu 2k cuvinte şi
n biţi pe cuvânt

de memorie ROM
n linii de date de ieşire
 ARHITECTURA CALCULATOARELOR
1.3. UNITATEA DE MEMORIE
1.3.4. Structura ierarhică de organizare
In timpul execuţiei lor, programele accesează în orice
moment o zonă relativ mică a spaţiului de adrese.
Această observaţie a condus la delimitarea unor aspecte
fundamentale în utilizarea memoriei, care sunt
recunoscute ca principiul localizării:
principiul localizării temporale
principiul localizării spaţiale
Aplicarea principiului localizării a condus la organizarea
ierarhică a memoriei. O ierarhie de memorie constă în
nivele de memorii cu viteze de acces diferite şi de
dimensiuni diferite.

Statistic: 90% din timpul rezervat pentru un program este utilizat

pentru execuţia a numai 10% din codul sursă al programului
respectiv...
ARHITECTURA CALCULATOARELOR
1.3. UNITATEA DE MEMORIE
1.3.4. Structura ierarhică de organizare
p.v. utilizator
memorie externă
este la dispoziţia utilizatorului
se conectează la SC prin interfeţe I/O
memorie internă
este accesibilă pentru UCP
este accesată direct de UCP prin intermediul magistralelor, fără
intermediul canalelor de comunicaţie de I/O

p.v. programator – informaţia stocată în memorie trebuie corelată cu

programul curent de executat:
memorie secundară
conţine informaţia păstrată pentru o eventuală utilizare ulterioară
memorie principală
conţine informaţia în curs de utilizare (utilizată curent de UCP)
 ARHITECTURA CALCULATOARELOR
1.3. UNITATEA DE MEMORIE
1.3.4. Structura ierarhică de organizare
Memoria de arhivare • date şi programe
(auxiliară) utilizate curent / în
Memorie externă curs de utilizare
Memorie auxiliară de procesor
• DRAM
Memoria secundară
Bandă magnetică Memorie
Procesor I/O principală
Disc magnetic

Memoria operativă

Memorie internă Memorie

UCP
Memoria cache cache

• datele cele mai recent utilizate de procesor

• pricipiul localizării
cache on-chip • principiul vecinătăţii
UCP • SRAM
registre

Memoria operativă conţine datele şi instrucţiunile pentru toate procesele active la un moment dat.
Memoria secundară apare la sistemele care cunosc mecanismul de memorie virtuală. Aceasta reprezintă
o extensie logică a memoriei operative.
ARHITECTURA CALCULATOARELOR
1.4. PROIECTAREA CALCULATOARELOR MODERNE

Principiul 1.
Simplitatea favorizează uniformitatea.
Principiul 2.
Mai mic înseamnă mai rapid.
Principiul 3.
Proiectarea bună necesită compromisuri bune.
Principiul 4.
Cazul frecvent trebuie făcut să aibă execuţie rapidă.

Patterson & Hennessy