Regimul de comutație al diodei semiconductoare cu joncțiune p-n

Comportamentul diodelor semiconductoare într-un circuit este dat de caracteristica

curent – tensiune sau reprezentarea grafică I-V (figura 2.62). Forma curbei este determinată
de deplasarea purtătorilor de sarcină liberi prin stratul de epuizare care există la nivelul
joncțiunii p-n dintre semiconductori dopați diferit.

Fig. 2.62 Caracteristica curent – tensiune (sau caracteristica de funcționare) a diodei

semiconductoare cu joncțiune p-n. [40 – editat]

Caracteristica I-V a diodei are patru regiuni majore de funcționare:

I. Cazul în care tensiunea de polarizare inversă este inferioară tensiunii de străpungere

VBR :

𝐕𝐃 < 𝐕𝐁𝐑 , (2.1)

unde:

VD = tensiunea la bornele diodei, (2.2)

1
VBR = 𝐭𝐞𝐧𝐬𝐢𝐮𝐧𝐞𝐚 𝐝𝐞 𝐬𝐭𝐫ă𝐩𝐮𝐧𝐠𝐞𝐫𝐞 a diodei. (2.3)

Pentru o tensiune de polarizare inversă mai mică decât tensiunea de străpungere VBR ,
apare un proces de străpungere în avalanșă care provoacă o creștere mare a curentului (adică
un număr mare de electroni și goluri sunt deplasate în banda de conducție și se îndepărtează
de joncțiunea p-n) care, dacă nu este limitat, provoacă distrugerea termică ireversibilă a
dispozitivului.

Dioda cu avalanșă controlată este proiectată în mod deliberat pentru a fi utilizată în

acest mod. În dioda Zener, conceptul de tensiune de străpungere ca limită de funcționare nu
este aplicabil. O diodă Zener conține o joncțiune p-n puternic dopată care permite electronilor
să migreze din banda de valență a materialului semiconductor de tip p în banda de conducție
a materialului semiconductor de tip n, astfel încât tensiunea de străpungere să fie adusă la o
valoare prestabilită și controlată tehnologic, numită tensiune Zener1, iar multiplicarea în
avalanșă este puternic limitată de efectul Zener.

Cu toate acestea, ambele dispozitive au o limită a curentului maxim și puterii pe care

le pot suporta în regiunea de străpungere. De asemenea, după terminarea conducției din
polarizarea directă, în diodă există un curent invers pentru o perioadă scurtă de timp.
Dispozitivul nu intră în regim de blocare completă decât atunci când curentul de polarizare
directă devine nul (în apropierea originii caracteristicii I-V).

II. Cazul în care tensiunea de polarizare inversă este cuprinsă între tensiunea de
străpungere VBR și originea caracteristicii I-V (0 V):

𝐕𝐁𝐑 < 𝐕𝐃 < 𝟎, (2.4)

unde:

VD = tensiunea la bornele diodei, (2.5)

VBR = tensiunea de străpungere a diodei. (2.6)

Pentru o tensiune de polarizare inversă mai mare decât tensiunea de străpungere,

curentul invers este foarte mic. Pentru o diodă redresoare cu joncțiune p-n normală, curentul

1
Denumită astfel după fizicianul american Clarence Melvin Zener.

2
invers prin dispozitiv este de domeniul micro-amperilor (μA), deci foarte scăzut în raport cu
curentul direct din zona deschisă utilă. Totuși, valoarea curentului invers este dependentă de
temperatură, iar la temperaturi suficient de ridicate poate fi observată o valoare semnificativă
a curentului invers de ordinul miliamperilor (mA) sau chiar mai mare.

III. Cazul în care tensiunea de polarizare directă este cuprinsă între originea
caracteristicii I-V (0 V) și tensiunea de deschidere VF0 :

𝟎 < 𝐕𝐃 < 𝐕𝐅𝟎 , (2.7)

unde:

VD = tensiunea la bornele diodei, (2.8)

VF0 = 𝐭𝐞𝐧𝐬𝐢𝐮𝐧𝐞𝐚 𝐝𝐞 𝐝𝐞𝐬𝐜𝐡𝐢𝐝𝐞𝐫𝐞 a diodei. (2.9)

Trecerea în zona de polarizare directă, pentru tensiuni de polarizare mai mici decât
tensiunea de prag corespunde unui curent de polarizare directă de valori foarte mici în special
în zona de origine a caracteristicii de funcționare a diodei bazată pe joncțiune p-n.
Reprezentarea grafică curent – tensiune are o formă exponențială conformă cu ecuația ideală
de funcționare a diodei.

Există o anumită valoare a tensiunii de polarizare directă pentru care curentul prin
diodă începe să crească în mod semnificativ. Aceasta poartă de numirea de tensiune de prag
sau tensiune de deschidere și este egală cu potențialul de barieră al joncțiunii p-n. Aceasta
este o caracteristică a curbei exponențiale rezultată din relația lui Shokley (relația 2.19).

IV. Cazul în care tensiunea de polarizare directă este superioară tensiunii de

deschidere VF0 :

𝐕𝐅𝟎 < 𝐕𝐃 , (2.10)

unde:

VD = tensiunea la bornele diodei, (2.11)

VF0 = tensiunea de deschidere a diodei. (2.12)

3
 Pe măsură ce tensiunea de polarizare directă se apropie de și depășește tensiunea de
prag, caracteristica curent – tensiune începe să fie dominată de rezistența ohmică a
semiconductorului dopat brut (nejoncționat). Curba nu mai este exponențială, este
asimptotică unei linii drepte a cărei pantă este rezistența semiconductorului dopat brut.
Această regiune este deosebit de importantă pentru diodele redresoare destinate circuitelor
de alimentare. În această regiune este uzual ca dioda să fie modelată ca o diodă ideală în serie
cu un rezistor fix.

Pentru dioda din siliciu care funcționează la curenții nominali, căderea de tensiune
este de aproximativ 0,6 până la 0,7 volți. Valoarea este diferită pentru alte tipuri de diode
cum ar fi diodele Schottky pot fi deschise la o valoare de 0,2 V (specific joncțiunilor metal –
semiconductor), diodele din germaniu de 0,25 până la 0,3 V, iar diodele emițătoare de lumină
(LED) pot avea valori ale tensiunii de prag de 1,4 V (LED roșu) și respectiv 4,0 V (LED albastru)
și o caracteristică exponențială cu evoluție mai puțin „abruptă”.

La curenți mari, tensiunea de deschidere a diodei crește semnificativ odată cu

creșterea curentului de polarizare directă.

Ecuații de funcționare

Ecuația diodei ideale Shockley sau legea de funcționare a diodei (denumită după co-
inventatorul tranzistorului bipolar bazat pe joncțiuni William Bradford Shockley) exprimă
matematic caracteristica aproximativă curent tensiune I-V a unei diode ideale deopotrivă în
regim de polarizare directă sau polarizare inversă până la tensiunea de străpungere.

Ecuația de funcționare neideală care ține cont de caracteristicile constructive ale

diodei reale este exprimată prin relația (2.13) și aproximează funcționarea diodei în afara
zonei de discontinuitate situată în jurul originii coordonatelor I-V (un interval de câțiva mV
sau câteva zeci de mV în jurul valorii de 0 V):

𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑛∙𝑉𝑇 − 1), (2.13)

unde:

4
ID = curentul electric prin diodă, (2.14)

IS = curentul electric de saturație specific polarizării inverse, (2.15)

VD = tensiunea electrică la bornele diodei, (2.16)

VT = tensiunea termică a diodei, (2.17)

n = este factorul de idealitate (factor de calitate sau coeficient de emisie). (2.18)

Relația 2.13 devine ecuația diodei ideale a lui Shockley atunci când n, factorul de
idealitate, este egal cu 1:

𝐕𝐃
𝐈𝐃 = 𝐈𝐒 (𝐞𝐕𝐓 − 𝟏) (2.19)

Factorul de idealitate n variază de obicei de la 1 la 2 (deși poate fi în unele cazuri mai

mare), în funcție de procesul de fabricație și de materialul semiconductor și este egal cu 1
pentru cazul unei diode "ideale" (cazul ecuației Shokley). Factorul de idealitate a fost adăugat
pentru a ține cont de joncțiunile imperfecte, așa cum se regăsesc în diodele și tranzistoarele
reale. Elementul principal al factorului de idealitate este reprezentat de recombinarea
purtătorilor de sarcină în timpul procesului de traversare a regiunii de epuizare.

Tensiunea termică 𝐕𝐓 este de aproximativ 25,85 mV la 300 K, o temperatură apropiată

de „temperatura camerei” frecvent utilizată în software-ul de simulare a dispozitivelor.
Pentru o temperatură dată T, VT este o constantă de material prezentată în cataloagele de
dispozitiv al producătorilor și este definită de relația:

𝑘∙𝑇
VT = , (2.20)
𝑞

unde:

k = 1.38064852(79) ∙ 10−23 𝐽⁄𝐾 = 𝐜𝐨𝐧𝐬𝐭𝐚𝐧𝐭𝐚 𝐥𝐮𝐢 𝐁𝐨𝐥𝐭𝐳𝐦𝐚𝐧𝐧, (2.21)

T = 𝐭𝐞𝐦𝐩𝐞𝐫𝐚𝐭𝐮𝐫𝐚 𝐚𝐛𝐬𝐨𝐥𝐮𝐭ă 𝐚 𝐣𝐨𝐧𝐜ț𝐢𝐮𝐧𝐢𝐢 𝐩 − 𝐧 exprimată în K, (2.22)

q = 1.6021766208(98) ∙ 10−19 C = sarcina electrică elementară a electronului. (2.23)

5
 Curentul de saturație inversă IS nu este constant pentru un anumit dispozitiv
semiconductor, fiind dependent de temperatură într-o măsură mai semnificativă decât VT ,
astfel încât VD are un coeficient de temperatură negativ.

Ecuația diodei ideale Shockley sau legea de funcționare a diodei se deduce din ipoteza
că singurele procese care dau naștere curentului prin diodă sunt migrarea purtătorilor de
sarcină datorită câmpului electric, difuzia și recombinarea (procesul normal din joncțiunea
izolată) – generarea (proces rezultat prin acțiunea stimulilor energetici exteriori joncțiunii p-
n) termică (când factorul de idealitate n = 1). Se presupune, de asemenea, că magnitudinea
curentului de recombinare – generare din regiunea epuizării purtătorilor de sarcină liberi este
nesemnificativ.

Aceasta înseamnă că ecuația diodei ideale Shockley nu ține cont de procesele

implicate în recombinare – generare datorate prezenței fotonilor sau a energiei termice. În
plus, nu descrie forma de aplatizare a curbei caracteristicii curent – tensiune I-V la o tensiune
de polarizare directă ridicată datorită rezistenței interne. Introducerea factorului de idealitate
n din relația (2.13) explică recombinarea și generarea purtătorilor de sarcină electrică liberi
din joncțiune p-n expusă sau nu stimulilor externi.

În cazul tensiunilor de polarizare inversă, caracteristica exponențială a funcționării

diodei este neglijabilă, iar curentul are o valoare relativ constantă (negativă) a curentului de
saturație inversă 𝐼𝑆 . Regiunea de polarizare inversă nu este modelată de ecuația diodei ideale
(Shockley).

Pentru tensiuni de polarizare directă, chiar de valoare mică, valoarea funcției

exponențiale este foarte mare, mult supraunitară, deoarece tensiunea termică este foarte
mică în comparație cu tensiunea la bornele diodei. În acest caz termenul „1” din ecuația diodei
devine neglijabil, iar curentul de polarizare directă prin diodă poate fi aproximat prin relația
următoare:

𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 ∙ 𝑒 𝑛∙𝑉𝑇 (2.24)

Comutarea între zona de polarizare directă în cea de polarizare inversă se realizează

cu întârziere datorită faptului că refacerea zonei de depleție nu se realizează instantaneu în
special în procesele de comutare a curenților mari. Întârzierea poartă numele de „timp de
6
recuperare inversă” (reverse recovery time) 𝑡𝑟𝑟 (de ordinul a zeci de nanosecunde până la
câteva microsecunde) pentru a elimina încărcarea cu purtători de sarcină liberi a joncțiunii p-
n din timpul polarizării directe a diodei.

În timpul acestui timp de recuperare, dioda poate conduce efectiv în sens invers. Acest
lucru ar putea genera un curent constant mare în direcție inversă pentru o perioadă scurtă de
timp în timp ce dioda este polarizată invers. Amplitudinea unui astfel de curent invers este
determinată de circuitul în care dioda operează (adică rezistența conectată în serie cu
aceasta), iar dioda se spune că se află în faza de stocare de sarcină.

În anumite situații din lumea reală este important să se ia în considerare pierderile

care sunt cauzate de acest efect de comportament neideal al diodei. Cu toate acestea, atunci
când timpul de creștere (slew-rate) a curentului prin diodă nu este critic (de exemplu în cazul
frecvenței scăzute de 50 Hz a rețelelor de alimentare cu energie electrică), efectul poate fi
neglijat în siguranță, dacă nu se depășește puterea disipată a diodei. Pentru majoritatea
aplicațiilor, efectul este, de asemenea, neglijabil pentru diodele Schottky (care au un timp de
creștere foarte mic).

Curentul de stocare invers se oprește brusc atunci când sarcina stocată este epuizată,
această oprire bruscă fiind exploatată de către diodele de recuperare pentru generarea de
impulsuri extrem de înguste (apropiate de impulsul Dirac).

Puncte statice de funcționare

Așa cum s-a prezentat în subcapitolele anterioare, o dioda poate funcționa în 2

regimuri diferite din punct de vedere al polarității tensiunii la bornele diodei (fiecare format
din două regiuni de funcționare) si anume regimul de polarizare directă, respectiv regimul de
polarizare inversă. Regimul de funcționare a diodei, în general al oricărui dispozitiv electronic
activ, este stabilit prin procedeul de polarizare.

Polarizarea diodei este realizată prin intermediul unui circuit de polarizare (figura
2.63). Circuitul de polarizare conține întotdeauna o sursă de alimentare (o sursă de tensiune

7
continuă sau o sursă de curent continuu), care se mai numește și sursă de polarizare si un
rezistor de polarizare (sau mai multe, dacă e cazul, în special pentru dispozitivele active cu
mai multe terminale, cum ar fi tranzistorul), care are rolul de a limita curentul prin dioda astfel
încât aceasta să nu se distrugă prin depășirea valorii maxim admise pentru curentul prin ea,
dedusă din puterea maximă disipată prin diodă datorată condițiilor termice de funcționare ce
nu duc la procese interne ireversibile, valoare furnizata în cataloagele de dispozitive
electronice ale producătorilor.

Dacă circuitul de polarizare asigură un potențial electric mai mare ca valoare reală pe
anod față de cel aplicat pe catodul diodei, atunci dioda funcționează în regiunea de conducție
directă si se spune despre aceasta că este polarizată direct.

În mod similar, dacă circuitul de polarizare asigură un potențial electric mai mic ca
valoare reală pe anod față de cel aplicat pe catodul diodei, aceasta funcționează în regiunea
de conducție inversă si se spune ca dioda respectivă este polarizata invers.

Circuitul de polarizare al diodei semiconductoare cu joncțiune p-n este prezentat în

figura 2.63, în care sursa de tensiune continuă notată cu V este sursa de polarizare, iar
rezistorul notat cu R este rezistorul de polarizare.

Deoarece potențialul electric al anodului diodei notată cu D are o valoarea superioara

celui aplicat pe catod (borna „+” a sursei de polarizare V se aplica pe anod prin intermediul
rezistorului R, borna „–” a sursei de polarizare V se aplica pe catod), dioda D funcționează în
regiunea de conducție directă sub sau peste tensiunea de prag. În consecința, prin dioda D
apare un curent continuu pozitiv ID iar la bornele diodei va apărea o tensiune VD a cărei
valoare este în domeniul de valori al tensiunii de prag VF0 .

8
 Fig. 2.63 Circuitul de polarizare al diodei semiconductoare cu joncțiune p-n.

Perechea de mărimi electrice de la nivelul terminalelor diodei (ID − VD ), impusă de

circuitul de polarizare al diodei polarizate, se numește punct static de funcționare (notat
prescurtat prin acronimul PSF) al diodei. Punctul static de funcționare al diodei caracterizează
complet funcționarea acesteia în regim de curent continuu. Valoarea punctului static de
funcționare al diodei indică situarea în una din cele patru regiuni de funcționare a acesteia în
regim de curent continuu.

Determinarea punctului static de funcționare al diodei constă în calcularea valorilor

curentului continuu prin diodă notat cu ID , respectiv valoarea tensiunii continue la bornele
diodei, notată cu VD . Determinarea punctului static de funcționare se face pe circuitul de
polarizare al acesteia prezentat în figura 2.63. Mărimile electrice ale punctului static de
funcționare al diodei D se determină rezolvând un sistem de două ecuații având ca
necunoscute perechea de mărimi electrice care compun PSF-ul diodei.

Prima ecuație se obține din ecuația Shockley de funcționare a diodei

semiconductoare, particularizată pentru mărimi electrice continue:

VD
ID = IS (e VT − 1) (2.25)

9
 A doua ecuație se obține aplicând teorema a doua a lui Kirchhoff (de tensiuni) pe bucla
de circuit compusă din elementele circuitului de polarizare din figura 2.63:

−V + (R ∙ ID ) + VD = 0 (2.26)

S-a obținut astfel un sistem neliniar de două ecuații, care se poate rezolva doar prin
metode numerice sau utilizând programe software de simulare a funcționării circuitelor
electronice, soluție care complică analiza circuitului de polarizare a diodei și calcularea
punctului static de funcționare.

O alternativă la determinarea analitică a valorilor mărimilor electrice de la nivelul

terminalelor diodei ce compun punctul static de funcționare este reprezentată de metoda
grafică de determinare a PSF, prezentată în figura 2.64. Pe baza analizei grafice, valorile
corespunzătoare perechii PSF al diodei sunt reprezentate de coordonatele punctului de
intersecție ale graficelor relațiilor 2.25 și 2.26 în planul ID − VD pe coordonatele rectangulare
ale graficului.

Prin intersectarea celor 2 curbe ce reprezintă grafic relațiile menționate, se determină

punctul static de funcționare al diodei (ID0 , VD0 ) din figura 2.63, prin proiecțiile punctului de
intersecție PSF pe coordonate ID0 și VD0 .

Pentru rezolvarea analitică a sistemului de două ecuații care permite calcularea valorii
PSF-ului diodei, este necesar ca pentru dioda semiconductoare cu joncțiune p-n să se dezvolte
un circuit echivalent liniar al comportamentului acesteia, care modelează comportamentul
diodei în diverse regiuni de funcționare. În acest mod se poate obține un sistem de două
ecuații liniare a cărui rezolvare este mult simplificată.

10
Fig. 2.64 Determinarea grafică a punctului static de funcționare a diodei semiconductoare cu
joncțiune p-n.

11
2.7.1.5 Modelare liniară în regim de curent continuu și semnal mare

Metoda utilizată pentru modelarea funcționării diodei semiconductoare folosește

modele liniare realizate pe porțiuni. În modelul liniar pe porțiuni al diodei semiconductoare,
se ține cont de comportamentul acesteia atât în regiunea de conducție inversă până în zona
de străpungere (regiunea II din figura 2.62) unde curentul prin diodă este considerat nul, cât
și în regiunea de conducție directă sub tensiunea de prag (regiunea III din figura 2.62), unde
curentul este, de asemenea, considerat nul și în regiunea superioară tensiunii de prag
(regiunea IV din figura 2.62), unde creșterea curentului este considerată, în modelul liniar pe
porțiuni, ca fiind liniară. Modelul liniar al diodei neglijează comportamentul acesteia în
regiunea de străpungere (regiunea I din figura 2.62).

Modelul liniar pe porțiuni modelează comportamentul diodei semiconductoare pas cu

pas în regim de curent continuu, unde valorile mărimilor electrice de la nivelul terminalelor
diodei semiconductoare sunt constante, cât si în regim variabil de semnal mare, unde valorile
mărimilor electrice la nivelul terminalelor diodei semiconductoare sunt caracterizate de
magnitudine mai mare decât ordinul zecilor de milivolți.

Modelul liniar pe porțiuni al diodei semiconductoare cu joncțiune p-n conține doi

parametri specifici modelului liniar, care sunt determinați din caracteristica reală de
funcționare a diodei si anume: tensiunea de prag VF0 , respectiv rezistența internă a diodei
semiconductoare, notată generic rD și care depinde de regimul de funcționare.

În figura 2.65 este prezentată caracteristica de funcționare curent – tensiune dinamică

(iD , vD ) a modelului liniar pe porțiuni a diodei. După cum se observă, regiunile II, III și IV ale
caracteristicii reale de funcționare a diodei semiconductoare prezentată în figura 2.62 a fost
aproximată prin 3 segmente de dreaptă, fiecare corespunzând câte unei regiuni de
funcționare (polarizare inversă peste zona de străpungere – regiunea II, polarizare directă sub
tensiunea de prag – regiunea III și peste tensiunea de prag – regiunea IV).

iD

12
 1
α = arctg (r )
D

I VBR II III α IV vD

VF0

Fig. 2.65 Caracteristica de funcționare a modelului liniar pe porțiuni al diodei

semiconductoare cu joncțiune p-n.

Modelul liniar pe porțiuni al diodei semiconductoare cu joncțiune p-n este caracterizat

matematic de următoarea ecuație, care descrie fiecare din cele 3 segmente ale caracteristicii
de funcționare, conform regiunii de funcționare specifice:

0 pentru VBR < vD < 0

iD = { 0 pentru 0 < vD < VF0 , (2.27)
𝑖𝐷 = f(𝑣𝐷 , 𝑟𝐷 , 𝑉𝐹0 ) pentru VF0 < vD

unde:

iD = curentul electric instantaneu prin diodă, (2.28)

vD = tensiunea electrică instantanee la bornele diodei, (2.29)

13
rD = rezistența internă a diodei pentru regiunea de funcționare III, (2.30)

VBR = tensiunea electrică de străpungere a diodei, (2.31)

VF0 = tensiunea electrică de deschidere a diodei. (2.32)

Din ecuația de funcționare a modelului liniar pe porțiuni a diodei semiconductoare, se

poate deduce faptul că, pentru întreaga regiunea a patra de polarizare directă, tensiunea pe
polarizare variabilă a diodei este exprimată de relația:

vD = VF0 + rD ∙ iD , (2.33)

de unde se poate obține pentru curentul variabil prin diodă următoarea relație:

vD − VF0
iD = (2.34)
rD

Prin înlocuire tensiunii vD din relația (2.34), relația (2.27) devine:

𝟎 𝐩𝐞𝐧𝐭𝐫𝐮 𝐕𝐁𝐑 < 𝐯𝐃 < 𝟎

𝟎 𝐩𝐞𝐧𝐭𝐫𝐮 𝟎 < 𝐯𝐃 < 𝐕𝐅𝟎
𝐢𝐃 = { 𝐯 − 𝐕 (2.35)
𝐃 𝐅𝟎
𝐩𝐞𝐧𝐭𝐫𝐮 𝐕𝐅𝟎 < 𝐯𝐃
𝐫𝐃

În figura 2.66 este prezentată caracteristica de funcționare curent – tensiune dinamică

(iD , vD ) a modelului liniar pe porțiuni a diodei obținut prin neglijarea rezistenței interne a
diodei 𝐫𝐃 în cazul în care rezistența de polarizare a diodei are o valoare mult mai mare decât
cea a rezistenței interne.

După cum se observă, regiunile II, III și IV ale caracteristicii reale de funcționare a
diodei semiconductoare prezentată în figura 2.62 a fost aproximată prin 3 segmente de
dreaptă, fiecare corespunzând câte unei regiuni de funcționare (polarizare inversă peste zona
de străpungere, polarizare directă sub tensiunea de prag și peste tensiunea de prag).

14
 iD

rD = 0

I VBR II III α = 90° IV vD

VF0

Fig. 2.66 Caracteristica de funcționare a modelului liniar pe porțiuni al diodei

semiconductoare cu joncțiune p-n obținut prin neglijarea rezistenței interne a diodei rD .

Modelul liniar pe porțiuni al diodei semiconductoare cu joncțiune p-n este caracterizat

matematic de următoarea ecuație, care descrie fiecare din cele 3 segmente ale caracteristicii
de funcționare, conform regiunii de funcționare specifice:

𝟎 𝐩𝐞𝐧𝐭𝐫𝐮 𝐕𝐁𝐑 < 𝐯𝐃 < 𝟎

𝐢𝐃 = { 𝟎 𝐩𝐞𝐧𝐭𝐫𝐮 𝟎 < 𝐯𝐃 < 𝐕𝐅𝟎 (2.36)
𝐥𝐢𝐦𝐢𝐭𝐚𝐭 𝐝𝐞 𝐜𝐢𝐫𝐜𝐮𝐢𝐭𝐮𝐥 𝐝𝐞 𝐩𝐨𝐥𝐚𝐫𝐢𝐳𝐚𝐫𝐞 𝐩𝐞𝐧𝐭𝐫𝐮 𝐕𝐅𝟎 < 𝐯𝐃

În figura 2.67 este prezentată caracteristica de funcționare curent – tensiune dinamică

(iD , vD ) a modelului liniar pe porțiuni a diodei obținut prin neglijarea tensiunii de deschidere
a diodei 𝐕𝐅𝟎 în cazul în care tensiunea de prag a diodei are o valoare mult mai mică decât cea
a tensiunii depolarizare.

15
 După cum se observă, regiunile II, III și IV ale caracteristicii reale de funcționare a
diodei semiconductoare prezentată în figura 2.62 a fost aproximată prin 3 segmente de
dreaptă, fiecare corespunzând câte unei regiuni de funcționare (polarizare inversă peste zona
de străpungere, polarizare directă sub tensiunea de prag și peste tensiunea de prag).

iD

1
α = arctg (r )
D

I VBR II III α IV vD

VF0

Fig. 2.67 Caracteristica de funcționare a modelului liniar pe porțiuni al diodei

semiconductoare cu joncțiune p-n obținut prin neglijarea tensiunii de deschidere (de prag) a
diodei VF0 .

Modelul liniar pe porțiuni al diodei semiconductoare cu joncțiune p-n este caracterizat

matematic de următoarea ecuație, care descrie fiecare din cele 3 segmente ale caracteristicii
de funcționare, conform regiunii de funcționare specifice:

16
 𝟎 𝐩𝐞𝐧𝐭𝐫𝐮 𝐕𝐁𝐑 < 𝐯𝐃 < 𝟎
𝟎 𝐩𝐞𝐧𝐭𝐫𝐮 𝟎 < 𝐯𝐃 < 𝐕𝐅𝟎
𝐢𝐃 = { 𝐯𝐃 (2.37)
𝐩𝐞𝐧𝐭𝐫𝐮 𝐕𝐅𝟎 < 𝐯𝐃
𝐫𝐃

În figura 2.68 este prezentată caracteristica de funcționare curent – tensiune dinamică

(iD , vD ) a modelului liniar pe porțiuni a diodei obținut prin neglijarea deopotrivă a
rezistenței interne a diodei 𝐫𝐃 și a tensiunii de prag 𝐕𝐅𝟎 în cazul în care rezistența de
polarizare a diodei are o valoare mult mai mare decât cea a rezistenței interne și cea a
tensiunii de deschidere o valoare mult mai mică decât cea a tensiunii de polarizare.

iD

I VBR II III IV vD

VF0

Fig. 2.68 Caracteristica de funcționare a modelului liniar pe porțiuni al diodei

semiconductoare cu joncțiune p-n obținut prin neglijarea deopotrivă a rezistenței interne a
diodei rD și a tensiunii de prag VF0 .
17
 După cum se observă, regiunile II, III și IV ale caracteristicii reale de funcționare a
diodei semiconductoare prezentată în figura 2.62 a fost aproximată prin 3 segmente de
dreaptă, fiecare corespunzând câte unei regiuni de funcționare (polarizare inversă peste zona
de străpungere, polarizare directă sub tensiunea de prag și peste tensiunea de prag).

Modelul liniar pe porțiuni al diodei semiconductoare cu joncțiune p-n este caracterizat

matematic de următoarea ecuație, care descrie fiecare din cele 3 segmente ale caracteristicii
de funcționare, conform regiunii de funcționare specifice:

𝟎 𝐩𝐞𝐧𝐭𝐫𝐮 𝐕𝐁𝐑 < 𝐯𝐃 < 𝟎

𝐢𝐃 = { 𝐥𝐢𝐦𝐢𝐭𝐚𝐭 𝐝𝐞 𝐜𝐢𝐫𝐜𝐮𝐢𝐭𝐮𝐥 𝐝𝐞 𝐩𝐨𝐥𝐚𝐫𝐢𝐳𝐚𝐫𝐞 𝐩𝐞𝐧𝐭𝐫𝐮 𝟎 < 𝐯𝐃 < 𝐕𝐅𝟎 , (2.38)
𝐥𝐢𝐦𝐢𝐭𝐚𝐭 𝐝𝐞 𝐜𝐢𝐫𝐜𝐮𝐢𝐭𝐮𝐥 𝐝𝐞 𝐩𝐨𝐥𝐚𝐫𝐢𝐳𝐚𝐫𝐞 𝐩𝐞𝐧𝐭𝐫𝐮 𝐕𝐅𝟎 < 𝐯𝐃

18