CIA1CursSkript TOT BW Tipar

Circuite integrate analogice
Circuite fundamentale
Prefaţǎ
Materialul prezentat ı̂n aceastǎ carte se adreseazǎ studenţilor de la facultǎţile

de Electronicǎ şi Telecomunicaţii, care urmeazǎ cursurile de Circuite Inte-
grate Analogice, inginerilor cu aceastǎ specialitate şi tuturor celor interesaţi
de proiectarea analogicǎ. Cartea este structuratǎ pe şapte capitole, fiecare
abordând o categorie de circuite sau principii, utilizate ı̂n proiectarea cir-
cuitelor analogice integrate.
În capitolul 1 sunt prezentate tranzistoarele bipolare şi tranzistoarele MOS.

Pentru fiecare dispozitiv sunt discutate structura fizicǎ, probleme de pola-
rizare, modelul de semnal mare şi ecuaţiile de funcţionare, caracteristicile
de ieşire şi de transfer, iar ı̂n final modelul de semnal mic şi parametrii
specifici, atât pentru joasǎ cât şi pentru ı̂naltǎ frecvenţǎ.
Capitolul 2 ı̂şi propune studiul câtorva implementǎri electronice ale surselor

de curent. Pornind de la structura cea mai simplǎ şi argumentând fiecare
ı̂mbunǎtǎţire se ajunge la structuri mai performante, utilizate ı̂n practicǎ.
Capitolul 3 se ocupǎ de oglinzile de curent MOS şi bipolare. Accentul este

pus pe comportamentul de curent continuu şi caracteristicile de semnal mic
ale circuitelor. Fiecare oglindǎ este caracterizatǎ prin parametrii ei speci-
fici, astfel fiind posibilǎ comparaţia ı̂ntre diferitele implementǎri la nivel de
tranzistor.
În capitolul 4 sunt introduse câteva tipuri de referinţe de tensiune şi de

curent. Pentru fiecare referinţǎ sunt date expresia senzitivitǎţii mǎrimii de
ieşire cu tensiunea de alimentare şi a coeficientului de temperaturǎ. Tot
ı̂n aceastǎ secţiune este explicata o metodǎ prin care se eliminǎ dependenţa
de tensiunea de alimentare a mǎrimii generate. În final, sunt prezentate
referinţele de tip bandǎ interzisǎ, imune la variaţiile cu temperatura.
Capitolul 5 se referǎ la principalele configuraţii de amplificatoare simple,
iar capitolul 6 la amplificatoarele diferenţiale. Aceste circuite stau la baza
oricǎrei structuri mai complicate ale unui amplificator operaţional complet.
Caracteristicile specifice fiecǎrui etaj de amplificare, discutate ı̂n acest pa-
ragraf, sunt punctul static de funcţionare, domeniul de variaţie al tensiunii
de ieşire, modelul de semnal mic şi comportamentul ı̂n frecvenţǎ.
Ultimul capitol vizeazǎ studiul unei categorii speciale de circuite analogice, şi
anume cel al amplificatoarelor operaţionale. În acest context, sunt discutate
AO având compensare de tip Miller, AO cascodǎ telescop şi AO cascodǎ
pliatǎ. În cazul fiecǎruia sunt evidenţiate avantajele, limitǎrile şi domeniul
de frecvenţe ı̂n care se utilizeazǎ ı̂n practicǎ. Cele trei structuri de AO sunt
ı̂nsoţite de metoda completǎ de proiectare pentru specificaţii impuse.
Lucrarea oferǎ, pe lângǎ prezentarea şi analiza concretǎ a unor circuite, o

vedere de ansamblu aspura metodelor de analizǎ specifice circuitelor analo-
gice. Aceste metode permit cititorului sǎ adapteze algoritmii propuşi altor
categorii de circuite, care nu sunt discutate ı̂n aceastǎ carte.
Aprilie, 2007 Autoarea

Cuprins
1 Tranzistoare MOS şi bipolare 1

1.1 Tranzistoare bipolare . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.1.1 Generalitǎţi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.1.2 Funcţionarea tranzistorului bipolar . . . . . . . . . . . . 2
1.1.3 Modelul de semnal mare ı̂n regiunea activǎ normalǎ . . . 5
1.1.4 Modelul de semnal mare al tranzistorului
bipolar ı̂n saturaţie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.1.5 Modelul de semnal mic al tranzistorului
bipolar ı̂n RAN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.1.6 Caracteristica de ieşire . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.1.7 Caracteristica de transfer . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.1.8 Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ . . . . . . . . 10
1.2 Tranzistorul MOS cu canal indus . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.2.1 Generalitǎţi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.2.2 Funcţionarea tranzistoarelor MOS . . . . . . . . . . . . 11
1.2.3 Modelul de semnal mare al tranzistorului MOS . . . . . 15
1.2.4 Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS
ı̂n saturaţie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.2.5 Polarizarea substratului şi efectul ”latch-up” . . . . . . . 19
1.2.6 Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ . . . . . . . . 20
1.3 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2 Surse de curent 24
2.1 Sursa simplǎ de curent cu un singur tranzistor . . . . . . . . . . 24
2.2 Sursa de curent cu un singur tranzistor şi degenerare rezistivǎ . . 27
2.3 Sursa de curent cascodǎ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.4 Sursa de curent cu rezistenţǎ de ieşire mǎritǎ . . . . . . . . . . 32
2.5 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
iii
3 Oglinzi de curent 36
3.1 Introducere . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
3.2 Oglinzi de curent MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
3.2.1 Oglinda simplǎ de curent MOS . . . . . . . . . . . . . . 37
3.2.2 Oglinda de curent cascodǎ MOS . . . . . . . . . . . . . 41
3.2.3 Oglinda cascodǎ MOS de joasǎ tensiune . . . . . . . . . 43
3.2.4 Oglinda de curent Wilson cu tranzistoare MOS . . . . . 47
3.3 Oglinzi de curent cu tranzistoare bipolare . . . . . . . . . . . . 49
3.3.1 Oglinda simpla cu tranzistoare bipolare . . . . . . . . . . 50
3.3.2 Oglinda de curent cu compensare de β . . . . . . . . . . 54
3.3.3 Oglinda de curent bipolarǎ cu degenerare rezistivǎ . . . . 57
3.3.4 Oglinda cascodǎ bipolarǎ . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
3.3.5 Oglinda Wilson bipolarǎ . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
3.4 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
4 Referinţe electronice 67
4.1 Referinţǎ simplǎ cu divizor de tensiune . . . . . . . . . . . . . . 68
4.2 Referinţa de tensiune cu diodǎ
bipolarǎ şi MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
4.3 Referinţa de tensiune cu diodǎ Zener . . . . . . . . . . . . . . . 74
4.4 Referinţǎ de curent cu oglindǎ simplǎ
de curent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
4.5 Referinţa de curent Widlar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
4.5.1 Referinţa Widlar cu tranzistoare MOS . . . . . . . . . . 76
4.5.2 Referinţa Widlar cu tranzistoare bipolare . . . . . . . . . 78
4.6 Referinţa de curent VT h şi VBE . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
4.7 Referinţe independente de VDD . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
4.8 Referinţe compensate cu temperatura . . . . . . . . . . . . . . 82
4.9 Exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
4.10 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
5 Amplificatoare simple 91
5.1 Amplificatorul inversor cu sarcinǎ rezistivǎ . . . . . . . . . . . . 91
5.2 Amplificatorul inversor cu sarcinǎ diodǎ . . . . . . . . . . . . . 97
5.3 Amplificatorul inversor cu sarcinǎ sursǎ
de curent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
5.4 Amplificatorul inversor cascodǎ . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
5.5 Amplificatorul inversor cascodǎ simetricǎ . . . . . . . . . . . . . 111
5.6 Amplificatorul inversor cascodǎ pliatǎ . . . . . . . . . . . . . . . 115
5.7 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
6 Amplificatoare diferenţiale 122

6.1 Introducere . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
6.2 Amplificatorul diferenţial cu sarcinǎ rezistivǎ . . . . . . . . . . . 123
6.3 Amplificatorul diferenţial MOS cu sarcinǎ
oglindǎ de curent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
6.4 Amplificatorul diferenţial cu sarcinǎ surse de curent . . . . . . . 136
6.5 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
7 Amplificatoare operaţionale 143

7.1 Introducere . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
7.2 Amplificatorul operaţional Miller . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
7.2.1 Dimensionarea condensatorului Miller pentru stabilitate
necondiţionatǎ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
7.2.2 Viteza de variaţie a tensiunii de ieşire la AO Miller . . . 153
7.2.3 Amplificatorul operational Miller complet diferenţial . . . 155
7.2.4 Amplificatorul operaţional Miller
cu etaj repetor de ieşire . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
7.2.5 Metoda de proiectare a amplificatorului
operaţional Miller . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
7.3 Amplificatorul operaţional cascodǎ telescop . . . . . . . . . . . 163
7.3.1 AO cascodǎ telescop complet diferenţial . . . . . . . . . 172
7.4 Amplificatorul operaţional cascodǎ pliatǎ . . . . . . . . . . . . . 173
7.4.1 AO cascodǎ pliatǎ complet diferenţial . . . . . . . . . . 181
7.5 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182
Capitolul 1
Tranzistoare MOS şi bipolare
Tranzistoarele sunt cele mai importante componente ale circuitelor integrate.

Ele pot fi de mai multe tipuri ı̂n funcţie de paşii utilizaţi ı̂n procesul de fabricaţie.
Tranzistoarele cel mai adesea utilizate sunt cele bipolare şi MOS cu canal indus.
1.1 Tranzistoare bipolare

1.1.1 Generalitǎţi
Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive cu 3 terminale (4 terminale dacǎ se
considera şi conexiunea de substrat) comandate ı̂n curent. Simbolurile tipice
utilizate sunt date ı̂n Figura 1.1.
C E
B B
E C
NPN PNP
Figura 1.1: Simbolurile tipice ale tranzistoarelor bipolare
În procesele moderne BiCMOS tranzistoarele NPN au o structurǎ fizicǎ ver-

ticalǎ, spre deosebire de tranzistoarele PNP, realizate de regulǎ ca dispozitive
2 CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE
laterale. Structura unui tranzistor NPN este prezentatǎ ı̂n Figura 1.2 (vedere
de sus şi secţiune).
conexiuni metalice
n+ p+
n+ p+ n+
n_
n__
p
SiO2
n+ p+ n+
p +
p+
+
n_
n buried
p_
Figura 1.2: Structura fizicǎ a unui tranzistor NPN
Colectorul este realizat ca un strat ı̂ngropat (eng. n+ buried), contactul aces-

tuia fiind accesibil printr-o porţiune verticalǎ de tip n+ (dopatǎ puternic cu
atomi donori cu exces de electroni). Colectorul ı̂ngropat de dimensiuni mai
mari permite captarea optimǎ a purtǎtorilor. Tranzistorul este izolat de dispo-
zitivele adiacente prin structuri p+.
1.1.2 Funcţionarea tranzistorului bipolar

Funcţionarea tranzistorului bipolar este determinatǎ de cele douǎ joncţiuni pn
din structurǎ, fiind similarǎ pentru tranzistoarele NPN şi PNP. Din acest motiv
se va discuta pe larg numai funcţionarea variantei NPN.
CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS ŞI BIPOLARE 3
Tranzistorul nepolarizat
Figura 1.3 prezintǎ distribuţia purtǎtorilor de sarcinǎ ı̂ntr-un tranzistor NPN ale
cǎrui terminale sunt conectate la masǎ.
n p n
+ +
+ +
+ +
+ +
+ +
+ +
E B C
Figura 1.3: Electronii şi golurile ı̂ntr-un tranzistor NPN nepolarizat
La limita dintre regiunile n şi p electronii se recombinǎ cu golurile astfel ı̂ncât

fâşiile adiacente joncţiunii sunt golite de sarcini mobile. Astfel dispozitivul este
ı̂n echilibru energetic, curentul de conducţie fiind zero.
Tranzistorul corect polarizat
E(n) B(p) C(n)

+
+ + +
+
+ + +
+
+ + +
+
+ + +
+
+ + +
+
+ + +
_ V + _ V +
BE BC
Figura 1.4: Electronii şi golurile ı̂ntr-un tranzistor NPN corect polarizat
Figura 1.4 aratǎ distribuţia purtǎtorilor de sarcinǎ ı̂ntr-un tranzistor NPN corect
polarizat.
Polarizarea corectǎ ı̂nseamnǎ:

- polarizarea directǎ a joncţiunii bazǎ-emitor (VBE > 0);
- polarizarea inversǎ a joncţiunii bazǎ-colector (VBC < 0);
O tensiune pozitivǎ aplicatǎ ı̂ntre bazǎ şi emitor reduce lǎţimea regiunii de golire
prin compensarea potenţialului intrinsec datorat recombinǎrii purtǎtorilor. Când
tensiunea externǎ egaleazǎ efectul potenţialului intrinsec, dioda bazǎ-emitor
intrǎ ı̂n conducţie, iar emitorul injecteazǎ electroni mobili ı̂n regiunea bazei.
O tensiune negativǎ aplicatǎ ı̂ntre bazǎ şi colector mǎreşte lǎţimea regiunii de
golire şi ı̂n acelaşi timp potenţialul pozitiv al colectorului accelereazǎ electronii
liberi injectaţi ı̂n zona bazei de cǎtre emitor. Electronii acceleraţi urmeazǎ sǎ
fie captaţi de colector. Astfel se formeazǎ un curent de conducţie ı̂ntre colector
şi emitor. Mecanismul de conducţie este prezentat ı̂n Figura 1.5.
E(n) B(p) C(n) C
_ V + _ V + E
BE BC
Figura 1.5: Mecanismul de conducţie a tranzistorului NPN
Observaţie: sensul sǎgeţilor reprezintǎ direcţia de deplasare a electronilor.

Sensul curentului este opus cu sensul de deplasare a purtǎtorilor. Drept
urmare, ı̂n tranzistoarele NPN curentul curge de la colector la emitor (sens
sugerat de sǎgeata de pe simbolul dispozitivului).
Electronii liberi din regiunea bazei sunt ı̂n numǎr mult mai mic decât golurile.
Din acest motiv ei se numesc purtǎtori minoritari.
Dintre electronii injectaţi ı̂n bazǎ de cǎtre emitor majoritatea ajung sǎ fie captaţi
de colector. Un numǎr mic de electroni se pierd ı̂n bazǎ datoritǎ potenţialului
pozitiv al bazei faţǎ de emitor. Astfel, apare un curent ı̂n bazǎ. Valoarea tipicǎ
a curentului de bazǎ este de aproximativ 1% din valoarea curentului de colector.
1.1.3 Modelul de semnal mare ı̂n regiunea activǎ normalǎ

Modelul de semnal mare descrie funcţionarea dispozitivului, dependenţa din-
tre tensiunile aplicate celor douǎ joncţiuni şi curenţii generaţi. Ecuaţiile de
funcţionare se deduc din concentraţiile de purtǎtori ı̂n diferite regiuni şi pa-
rametrii geometrici ai joncţiunilor. Curentul de colector se scrie ı̂n funcţie de
tensiunea bazǎ-emitor ca ı̂n ecuaţia (1.1). Se observǎ dependenţa exponenţialǎ.
vBE
iC = IS · e VT
(1.1)
În aceastǎ ecuaţie VT = kT /q este tensiunea termicǎ, iar IS este curentul de

saturaţie.
Modelul de semnal mare este prezentat ı̂n Figura 1.6.
B C
iB iC
vBE vCE
E E
Figura 1.6: Modelul de semnal mare al tranzistorului bipolar
Joncţiunea bazǎ-emitor se modeleazǎ cu o diodǎ. Joncţiunea colector-emitor se

modeleazǎ cu o sursǎ de curent comandatǎ ı̂n curent a cǎrei factor de transfer
β este câştigul de curent al tranzistorului.
În ecuaţia (1.1) şi modelul de semnal mare nu s-a ţinut cont de modulaţia lǎţimii
bazei cu variaţia regiunii de golire bazǎ-colector. Cu cât tensiunea negativǎ VBC
este mai mare, cu atât regiunea de golire este mai latǎ, iar lǎţimea bazei scade.
Acest fenomen se numeşte efect Early. Ecuaţia (1.1) se poate rescrie pentru
a considera şi efectul Early. Factorul de corecţie este invers proporţional cu
tensiunea Early VEA şi direct proporţional cu tensiunea colector-emitor.
vBE

vCE
iC = IS · e VT
· 1+ (1.2)
VEA
Observaţie: tensiunea Early se poate exprima ca fiind variaţia relativǎ a

lǎţimii bazei cu tensiunea colector-emitor.
1.1.4 Modelul de semnal mare al tranzistorului

bipolar ı̂n saturaţie
În regim saturat ambele joncţiuni sunt polarizate direct. Astfel, atât emitorul
cât şi colectorul injecteazǎ sarcini ı̂n bazǎ, iar curentul nu se mai conformeazǎ
ecuaţiei iC = βiB . Tipic, curentul de bazǎ creşte, condiţia de saturaţie fiind
iC ≤ βiB (1.3)
În practicǎ, pentru a evita saturaţia nedoritǎ a tranzistoarelor bipolare, punctul

static de funcţionare se alege astfel ı̂ncât VBE < VCE .
1.1.5 Modelul de semnal mic al tranzistorului

bipolar ı̂n RAN
Modelul de semnal mic se obţine din modelul de semnal mare considerând
variaţii infinitezimale ale tensiunilor şi curenţilor ı̂n jurul punctului static de
funcţionare ales.
Observaţie: Modelul de semnal mic este un model inerent liniar datoritǎ

faptului cǎ variaţiile de semnal sunt infinitezimale ı̂n jurul punctului static
de funcţionare.
Modelul de semnal mic este dat ı̂n Figura 1.7.

B C
iB iC
vBE rBE gmvBE rCE vCE
E E
Figura 1.7: Modelul de semnal mic al tranzistorului bipolar ı̂n RAN
Parametrii de semnal mic sunt rezistenţa bazǎ-emitor (rBE ), rezistenţa colector-

emitor (rCE ) şi transconductanţa de semnal mic (gm ).
Rezistenţa colector-emitor
Definiţie: rezistenţa colector emitor se defineşte ca variaţia tensiunii

colector-emitor cauzatǎ de variaţia infinitezimalǎ a curentului de colector.
Expresia rezistenţei colector-emitor este:
∂vCE 1 1 ∼ VEA
rCE = = = vBE = (1.4)
∂iC ∂iC IS iC
· e VT
∂vCE VEA
Ordinul tipic de mǎrime al rezistenţei colector-emitor este de sute de kΩ.
Transconductanţa de semnal mic
Definiţie: transconductanţa de semnal mic se defineşte ca variaţia curen-

tului de colector cauzatǎ de o variaţie infinitezimalǎ a tensiunii bazǎ-emitor.
Expresia transconductanţei de semnal mic este:
vBE

∂iC vCE 1 iC
gm = = IS · e VT · 1 + · = (1.5)
∂vBE VT VT VT
Ordinul tipic de mǎrime a transconductanţei este de mS.
Rezistenţa bazǎ-emitor
Definiţie: rezistenţa bazǎ-emitor se defineşte ca variaţia tensiunii bazǎ-

emitor cauzatǎ de variaţia infinitezimalǎ a curentului de bazǎ.
Expresia rezistenţei bazǎ-emitor este:
∂vBE 1 1 β
rBE = = = = (1.6)
∂iB ∂iB 1 ∂iC gm
·
∂vBE β ∂vBE
Ordinul tipic de mǎrime a rezistenţei bazǎ-emitor este de sute de kΩ.
1.1.6 Caracteristica de ieşire

Caracteristica de ieşire, datǎ ı̂n Figura 1.8, descrie dependenţa dintre tensiunea
colector-emitor şi curentul de colector. Caracteristica de ieşire este o familie de
curbe corespunzǎtoare diferitelor valori ale tensiunii VBE . Panta caracteristicii
ı̂n RAN este conductanţa colector-emitor (1/rCE ).
iC
SAT RAN
iC_PSF ¶i C
¶v CE vBE
VEA 0 vCE_PSF vCE

Figura 1.8: Caracteristica de ieşire a tranzistorului NPN
1.1.7 Caracteristica de transfer
Caracteristica de transfer descrie dependenţa curentului de colector de tensiunea

bazǎ-emitor. Aceastǎ dependenţǎ, prezentatǎ ı̂n Figura 1.9, este o exponenţialǎ
rapid crescǎtoare. Panta caracteristicii, mǎsuratǎ ı̂n jurul punctului static de
funcţionare, reprezintǎ transconductanţa de semnal mic (gm ).
iC
iC_PSF ¶i C
¶v BE
0 vBE_PSF vBE
Figura 1.9: Caracteristica de transfer a tranzistorului NPN
B rB iB CBC iC rC C
CBE rBE gmvBE rCE CCS
Substrat
rE
E
Figura 1.10: Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ al tranzistorului
bipolar
1.1.8 Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ

Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ caracterizeazǎ comportamentul ı̂n
frecvenţǎ al tranzistorului. Dependenţa de frecvenţa a parametrilor este datǎ
de capacitǎţile parazite ale dispozitivului. Modelul este prezentat ı̂n Figura 1.10.
În acest model rB , rC şi rE sunt rezistenţele echivalente ale terminalelor, iar
CBE , CBC şi CCS sunt capacitǎţile asociate cu joncţiunile bazǎ-emitor, bazǎ-
colector şi colector-substrat. Toate capacitǎţile parazite sunt de tip joncţiune
(eng. ”depletion”). Ele se datoreazǎ regiunilor de golire (acestea acţioneazǎ ca
izolatoare fǎrǎ sarcini mobile) dintre regiunile p şi n din structura dispozitivului.
Expresia tipicǎ a unei capacitǎţi de golire depinde de tensiunea aplicatǎ joncţiu-

nii, de potenţialul intrinsec al joncţiunii nepolarizate precum şi de concentraţia
purtǎtorilor din regiunile p şi n. De exemplu, capacitatea bazǎ-colector se scrie:
CBC0
CBC = r (1.7)
VBC
1−
ΦintrinsecBC
Capacitatea bazǎ-emitor mai are o componentǎ datoratǎ tensiunii create de

difuzia sarcinilor din emitor spre bazǎ. Aceastǎ componentǎ depinde de lǎţimea
bazei, de constanta de difuzie a electronilor ı̂n siliciu şi de transconductanţa de
semnal mic a tranzistorului.
1.2 Tranzistorul MOS cu canal indus

1.2.1 Generalitǎţi
Tranzistoarele MOS sunt dispozitive cu 4 terminale, comandate ı̂n tensiune.
Simbolurile tipice sunt prezentate ı̂n Figura 1.11.
D S
G B G B
S D
NMOS PMOS NMOS PMOS
Figura 1.11: Simbolurile frecvent utilizate pentru tranzistoarele MOS

Structura tranzistoarelor MOS cu canal n şi canal p este datǎ ı̂n Figura 1.12.
Acest exemplu de structurǎ este valid numai pentru un proces de fabricaţie
de tip n-well cu substrat de tip p slab dopat. Din figurǎ trebuie remarcatǎ
şi semnificaţia parametrilor geometrici W şi L ai tranzistorului. Dispozitivele
individuale sunt izolate unul de celǎlalt prin implanturi speciale de izolator.
L L
polisiliciu
W W
G G
B S D S D B
ISO n+ ISO p+ p+ ISO n+ n+ ISO p+ ISO
SiO2 SiO2
n-well
substrat p
PMOS NMOS
Figura 1.12: Secţiunea tranzistoarelor MOS
Observaţie: din Figura 1.12 se observǎ cǎ tranzistorul PMOS este plasat
ı̂ntr-o regiune specialǎ (n-well) menitǎ sǎ elimine un scurt circuit ı̂ntre drenǎ
şi sursǎ prin substrat. Ca regulǎ generalǎ, tranzistoarele cu canalul de acelaşi
tip cu substratul sunt poziţionate ı̂ntotdeauna pe o regiune implantatǎ cu
dopant complementar.
1.2.2 Funcţionarea tranzistoarelor MOS

Funcţionarea tranzistoarelor MOS este determinatǎ de structura fizicǎ a dispo-
zitivelor. Deoarece funcţionarea tranzistoarelor PMOS este similarǎ cu a celor
NMOS (dacǎ toate tensiunile se considerǎ ı̂n modul) ı̂n continuare se discutǎ
numai tranzistorul cu canal n.
Secţiunea unui tranzistor NMOS nepolarizat este prezentatǎ ı̂n Figura 1.13.
La joncţiunea dintre materialele de tip n (drenǎ sau sursǎ) şi p (substrat) se
formeazǎ regiuni de golire a cǎror lǎţime depinde de concentraţia de atomi
donori şi acceptori.
G
S D
n n
regiuni de golire
substrat p
Figura 1.13: Secţiunea unui tranzistor NMOS nepolarizat
Regiunea de sub grilǎ ramâne de tip p− , iar curentul prin dispozitiv este zero.
Dacǎ grila este polarizatǎ cu un potenţial pozitiv faţǎ de sursǎ, atunci electronii
minoritari din substratul p− vor fi atraşi spre grilǎ. Atât timp cât tensiunea VGS
este mai micǎ decât o tensiune de prag VT h , recombinarea acestor electroni
cu golurile din regiunea imediat adiacentǎ oxidului de grilǎ duce la extinderea
regiunilor de golire dintre drenǎ, sursǎ şi substrat. Procesul este ilustrat ı̂n
Figura 1.14.
VGS<VTh
G
S D
n n
e e
e e
e e substrat p
Figura 1.14: Extinderea regiunilor de golire sub grilǎ
Dacǎ tensiunea grilǎ-sursǎ depǎşeşte tensiunea de prag, concentraţia de elec-

troni sub grilǎ duce la apariţia temporarǎ a unei regiuni de inversie (numitǎ ı̂n
continuare canal). Canalul se menţine atâta timp cât VGS > VT h (Figura 1.15).
VGS>VTh
G
S D
n n
canal
substrat p
Figura 1.15: Formarea canalului pentru VGS > VT h
Observaţie: spre deosebire de tranzistoarele bipolare, aici conducţia se

datoreazǎ purtǎtorilor majoritari (regiune complet inversatǎ). Deasemenea,
este important de remarcat cǎ dispozitivul are o structurǎ perfect simetricǎ.
Drept urmare, din punct de vedere teoretic, este indiferent care terminal se
considerǎ drenǎ şi care sursǎ.
Funcţionarea ı̂n regim liniar
Canalul odatǎ format, este necesarǎ aplicarea unei tensiuni ı̂ntre drenǎ şi sursǎ
pentru a accelera electronii şi a aduce tranzistorul ı̂n conducţie. Odatǎ cu
creşterea tensiunii VDS (presupunem VDS > 0) joncţiunea substrat-drenǎ este
invers polarizatǎ, iar regiunea de golire din jurul drenei se lǎrgeşte cauzând o
ı̂ngustare a canalului de partea drenei. Fenomenul este prezentat ı̂n Figura 1.16.
VGS>VTh 0<VDS<VDSsat
G
S D
n n
canal îngustat
substrat p
Figura 1.16: Îngustarea canalului datoritǎ tensiunii VDS

În regim liniar (eng. ”triode” sau ”weak inversion”) canalul formeazǎ un contact
ohmic ı̂ntre drenǎ şi sursǎ. Astfel tranzistorul se va comporta ca o rezistenţǎ
a cǎrei valoare este controlatǎ de tensiunea VGS . Condiţia de funcţionare ı̂n
regim liniar este ca 0 < VDS < VDSsat .
Funcţionarea ı̂n regim saturat
În regim saturat tensiunea VDS depǎşeşte tensiunea VDSsat . Regiunea de golire
din jurul drenei se lǎrgeşte mai mult decât adâncimea canalului. Astfel contactul
ohmic al drenei cu canalul dispare, fiind ı̂nlocuit de o regiune de golire numitǎ
regiune de ”pinch-off” ca ı̂n Figura 1.17.
VGS>VTh
VDS>VDSsat
G
S D
n n
regiune de ciupire
substrat p
Figura 1.17: Regiunea de golire eliminǎ contactul ohmic al drenei cu ca-

nalul
Datoritǎ pierderii contactului ohmic ı̂ntre drenǎ şi sursǎ curentul prin dispozitiv
nu mai depinde de tensiunea drenǎ-sursǎ, ci numai de concentraţia de sarcini
din sursǎ-canal, adicǎ de VGS . Electronii acceleraţi de VDS trec de bariera de
potenţial fiind apoi eliminaţi din dispozitiv prin terminalul drenei.
Regiune VGS VDS Canal

blocare < VT h nu conteazǎ nu
liniar > VT h 0 < VDS < VDSsat da
saturat > VT h > VDSsat da, pinch-off
Tabelul 1.1: Regimurile de funcţionare ale tranzistoarelor MOS

1.2.3 Modelul de semnal mare al tranzistorului MOS

Regimurile de funcţionare se pot da conform Tabelului 1.1 in funcţie de tensiu-
nile aplicate la terminale.
Ecuaţiile specifice modelului de semnal mare se obţin calculând gradientul de
variaţie a sarcinii ı̂n canal ı̂n diferite regimuri de funcţionare. Cea mai generalǎ
ecuaţie a curentului de drenǎ se obţine pentru polarizarea ı̂n regim liniar. Aici
tranzistorul se comportǎ ca o rezistenţǎ controlatǎ ı̂n tensiune.
2
VDS
µCox W
ID = (VGS − VT h ) VDS − , 0 < VDS < VDSsat (1.8)
L 2
Mǎrimile din aceastǎ ecuaţie au urmǎtoarele semnificaţii:
- µ - mobilitatea purtǎtorilor de sarcinǎ (electroni sau goluri);
- Cox - capacitatea specificǎ a oxidului de sub grilǎ;
- W/L - raportul lǎţime/lungime al canalului.
Se observǎ cǎ variaţia curentului cu tensiunea drenǎ-sursǎ este parabolicǎ. Acest

lucru ı̂nseamnǎ cǎ valoarea curentului prin tranzistor va creşte pǎtratic cu VDS
pânǎ la o valoare maximǎ, dupǎ care ar avea o tendinţǎ de scǎdere. Intuitiv,
curentul va creşte conform ecuaţiei (1.8) atâta timp cât contactul ohmic dintre
drenǎ şi canal persistǎ, adicǎ pânǎ la apariţia regiunii ”pinch-off”.
Observaţie: valoarea maximǎ a curentului ı̂n regim liniar pentru un VGS dat
se determinǎ calculând derivata curentului ı̂n funcţie de VDS şi apoi egalând
derivata cu zero (metoda clasicǎ de calcul ale punctelor de inflexiune).
Prin calcule se demonstreazǎ cǎ valoarea curentului maxim se obţine pentru
VDS = VGS − VT h = VDSsat (1.9)
Aceastǎ ecuaţie aratǎ cǎ regiunea ”pinch-off” apare dacǎ VDS depǎşeşte dife-
renţa dintre tensiunea grilǎ-sursǎ şi tensiunea de prag. Astfel, (VGS − VT h )
se identificǎ cu VDSsat . Aceastǎ tensiune este adesea numitǎ şi tensiune de

”overdrive” (notatǎ ı̂n continuare cu Vod ).
Dacǎ VDS > Vod curentul ı̂şi pǎstreazǎ valoarea maximǎ atinsǎ ı̂n regim liniar
pentru un VGS dat, iar tranzistorul se satureazǎ. Termenul saturaţie se referǎ
la faptul cǎ valoarea curentului este constantǎ indiferent de VDS . În consecinţǎ
valoarea constantǎ a curentului se obţine substituind VDS cu Vod ı̂n ecuaţia
(1.8).
I = µCox W V 2

D od
2L (1.10)
VDS > VDSsat

Aceastǎ ecuaţie presupune cǎ lungimea canalului se menţine constantǎ indi-

ferent de VDS . În realitate ı̂nsǎ lungimea regiunii de ciupire creşte cu VDS
(modulaţia regiunilor de golire), iar lungimea efectivǎ a canalului se micşoreazǎ.
Astfel, curentul de drenǎ va avea o dependenţǎ slabǎ de VDS . Expresia curen-
tului de drenǎ trebuie corectatǎ ı̂n mod similar ca la tranzistoarele bipolare.
Considerând gradientul de variaţie a lungimii canalului cu VDS se introduce
coeficientul de variaţie a lungimii canalului λ.
µCox W 2
ID = · Vod · (1 + λVDS ) (1.11)
2L
ID
Liniar Saturaþie
VGS
0
VDS
Figura 1.18: Variaţia curentului de drenǎ cu VDS

Figura 1.18 aratǎ variaţia curentului de drenǎ cu VDS pentru regimul liniar şi
cel saturat (caracteristica de ieşire a dispozitivului).
Observaţie: curentul de drenǎ variazǎ cu tensiunea substrat-sursǎ, chiar

dacǎ VGS este o valoare constantǎ. Acest lucru se datoreazǎ variaţiei ten-
siunii de prag VT h cu VBS conform ecuaţiei (1.12).
q q
VT h (VBS ) = VT h0 + γ 2 |Φf | + |VBS | − γ 2 |Φf | (1.12)
Mǎrimile au urmǎtoarele semnificaţii:
- γ - parametrul de prag al substratului;
- VT h0 - tensiunea de prag a tranzistorului pentru VBS = 0;
- Φf - potenţialul intrinsec al joncţiunii sursǎ-substrat.
1.2.4 Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS

ı̂n saturaţie
Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS este similar cu modelul tranzis-
torului bipolar polarizat ı̂n RAN. O diferenţǎ este rezistenţa grilǎ-sursǎ infinitǎ,
datoratǎ izolatorului de sub grilǎ. O altǎ diferenţǎ este contribuţia joncţiunii
substrat-sursǎ la fenomenul de conducţie. Modelul este prezentat ı̂n Figura
1.19.
G D
iD
vGS gmbvBS gmvGS rDS vDS
S S
Figura 1.19: Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS saturat
Parametrii de semnal mic sunt transconductanţa (gm ), transconductanţa sursǎ-

substrat (gmb ) şi rezistenţa drenǎ-sursǎ (rDS ).
Transconductanţa de semnal mic
Definiţie: transconductanţa este variaţia curentului de drenǎ cauzatǎ de

o variaţie infinitezimalǎ a tensiunii grilǎ-sursǎ ı̂n jurul punctului static de
funcţionare.
Expresia transconductanţei se scrie:
r
∂iD µCox W 2iD ∼ 2µCox W iD
gm = = vod (1 + λvDS ) = = (1.13)
∂vGS L vod L
Valoarea tipicǎ a transconductanţei este de sute de µS, de 3-4 ori mai micǎ
decât a tranzistoarelor bipolare la acelaşi curent.
Transconductanţa sursǎ-substrat
Definiţie: transconductanţa sursǎ-substrat se defineşte ca variaţia curen-

tului de drenǎ cauzatǎ de o variaţie infinitezimalǎ a tensiunii substrat-sursǎ.
Expresia transconductanţei sursǎ-substrat este:
∂iD ∂iD ∂VT h ∂VT h γ

gmb = = · = gm = gm · p (1.14)
∂vBS ∂VT h ∂vBS ∂vBS 2 |vBS | + 2 |Φf |
Datoritǎ factorului γ, tensiunii substrat-sursǎ şi potenţialului intrinsec, valoarea

tipicǎ a transconductanţei sursǎ-substrat este cu un ordin de mǎrime mai micǎ
decât cea a transconductanţei de semnal mic.
Rezistenţa drenǎ-sursǎ
Definiţie: rezistenţa drenǎ-sursǎ se defineşte ca variaţia tensiunii drenǎ-

sursǎ cauzatǎ de variaţia infinitezimalǎ a curentului de drenǎ ı̂n jurul punc-
tului static de funcţionare.
Expresia rezistenţei drenǎ-sursǎ se calculeazǎ ca ı̂n ecuaţia (1.15):
 

∂vDS  1  = 1 + λvDS =
∼ 1
rDS = = (1.15)
∂iD sat
 ∂iD  λiD λiD
∂vDS sat
Valoarea tipicǎ a rezistenţei drenǎ-sursǎ este de sute de kΩ, dar tinde sǎ fie
mai redusǎ decât rezistenţa colector-emitor a tranzistorului bipolar.
1.2.5 Polarizarea substratului şi efectul ”latch-up”

Regiunile dopate ale douǎ tranzistoare adiacente, unul NMOS şi celǎlalt PMOS,
formeazǎ elementele parazite Rn , Rp , Q1 şi Q2 din Figura 1.20.
Gp Gn
Bp Sp Dp Sn Dn Bn
ISO n+ ISO p+ p+ ISO n+ n+ ISO p+ ISO
Rn Q1 Q2 Rp
n-well
PMOS NMOS substrat p
Figura 1.20: Elementele parazite ale structurii complementare
Tranzistorul PNP Q1 are terminalele conectate dupǎ cum urmeazǎ: baza la Bp ,

emitorul la Sp şi colectorul la Bn . În mod similar, Q2 , de tip NPN, are baza
conectatǎ la Bn , emitorul la Sn şi colectorul la Bp . Structura echivalentǎ cu
conexiuni este datǎ ı̂n Figura 1.21.
Bp
Rn Q2
Sn
reactie
pozitiva Rp
Sp Q1
Bn
Figura 1.21: Structura parazitǎ echivalentǎ a tranzistoarelor complemen-
tare adiacente
Rezistenţele ı̂mpreunǎ cu tranzistoarele bipolare PNP şi NPN sunt conectate

ı̂ntr-o structurǎ de reacţie pozitivǎ. O perturbaţie aplicatǎ la una din bazele
tranzistoarelor poate aduce structura ı̂n conducţie. În acest caz circuitul ajunge
rapid la echilibru, pǎstrând starea de conducţie pânǎ când tensiunea dintre
nodurile Sp şi Sn este redusǎ la zero. Acest fenomen se numeşte ”agǎţare”
sau ”latch-up”.
Pentru a evita agǎţarea elementelor parazite ı̂n starea de conducţie se impune

blocarea explicitǎ a tranzistoarelor bipolare parazite. Pentru aceasta trebuie sǎ
asigurǎm o tensiune de bazǎ corespunzǎtoare ambelor tranzistoare. Un tran-
zistor bipolar NPN este blocat dacǎ potenţialul bazei este mai mic sau egal
cu potenţialul emitorului. Drept urmare, nodul Bn se conecteazǎ ı̂n totdeauna
la cel mai mic potenţial din circuit (alimentarea negativǎ). Un raţionament
asemǎnǎtor duce la concluzia cǎ nodul Bp trebuie conectat la cel mai ı̂nalt
potenţial din circuit (alimentarea pozitivǎ).
1.2.6 Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ

Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ cuprinde capacitǎţile parazite şi
rezistenţele echivalente ale terminalelor. Dintre aceste elemente cele mai impor-
tante sunt capacitǎţile parazite introduse de structura fizicǎ a tranzistoarelor.
Figura 1.22 aratǎ distribuţia capacitǎţilor parazite.
- COLS , COLD - capacitǎţi formate din suprapunerea unei porţiuni din con-
tactul grilei cu regiunea sursei şi a drenei (eng. ”overlap capacitances”);
- CjBS , CjBD , CjCh - capacitati de tip golire/joncţiune (eng. ”deple-

tion”/”junction capacitances”) formate de contactul dintre douǎ regiuni
adiacente dopate complementar;
- CCh - capacitatea canalului care are o naturǎ similarǎ cu capacitǎţile de
suprapunere.
S COLS CCh COLD D
CjBCh
CjBS CjBD
L
LOL LOL B
Figura 1.22: Capacitǎţile parazite specifice structurii NMOS
Capacitǎţi de joncţiune
Expresia capacitǎţilor de joncţiune este similarǎ cu cea din ecuaţia (1.7).
CBS0 CBD0
CjBS = r ; CjBD = r (1.16)
VBS VBD
1− 1−
Φ0BS Φ0BD
Capacitǎţi de suprapunere
Aceste capacitǎţi sunt de tip planar. Prin urmare, expresia lor se scrie ca un
produs ı̂ntre o capacitate specificǎ (acelaşi Cox ca ı̂n expresia curentului) şi aria
de suprapunere a grilei cu sursa, respectiv cu drena.
COLS = COLD ∼
= W · LOL · Cox = CGS0 · LOL = CGD0 · LOL (1.17)
În ecuaţia de mai sus s-a considerat cǎ regiunile de suprapunere a grilei cu drena
şi cu sursa au aceeaşi arie.
Capacitatea canalului
Capacitatea canalului este tot o capacitate planarǎ, formatǎ prin suprapunerea

grilei cu canalul. Drept urmare, expresia sa este similarǎ cu cea din ecuaţia
(1.17).
CCh = W · (L − 2LOL ) · Cox (1.18)
Fiecare dintre aceste capacitǎţi contribuie la capacitǎţile parazite totale dintre

terminale, ı̂n funcţie de regimul de funcţionare al tranzistorului. Tabelul 1.2
aratǎ contribuţia fiecǎrei capacitǎţi ı̂n diferitele regimuri de funcţionare. Lungi-
mea efectivǎ a canalului se defineşte ca fiind Lef = L − LOL .
Blocare Liniar Saturaţie
CGD W LOL Cox W LOL Cox + W LOL Cox

1
+ W Lef Cox
2
CGS W LOL Cox W LOL Cox + W LOL Cox +

1 2
+ W Lef Cox + W Lef Cox
2 3
CGB CGB0 + CGB0 CGB0

+W Lef Cox
1 2
CSB CjSB CjSB + CjBCh CjSB + CjBCh
2 3
1
CDB CjDB CjDB + CjBCh CjDB
2
Tabelul 1.2: Contribuţia capacitǎţilor parazite ı̂n diferite regimuri de

funcţionare
1.3 Sumar
În aceastǎ secţiune s-au studiat tranzistoarele bipolare şi tranzistoarele MOS.
Pentru fiecare dispozitiv au fost discutate urmǎtoarele aspecte:
• structura fizicǎ simplificatǎ;
• probleme de polarizare generale ( adiţional efectul ”latch-up” la MOS);
• modelul de semnal mare şi ecuaţiile de funcţionare;
• caracteristicile de ieşire şi de transfer;
• modelul de semnal mic şi parametrii specifici;
• modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ;
• capacitǎţile parazite.
Bibliografie
1. Lelia Feştilǎ - Circuite integrate analogice I, Casa Cǎrţii de Ştiinţǎ, 1997;
2. Lelia Feştilǎ - Circuite integrate analogice II, Casa Cǎrţii de Ştiinţǎ, 1999;
3. Doris Csipkes, Gabor Csipkes - Fundamental analog circuits. Practical

simulation exercises, UTPres, 2004;
4. P.E. Allen, D. Holberg - CMOS analog circuit design, Oxford University

Press, 1987
5. B. VanZeghbroeck - Principles of Semiconductor Devices, online book

2004, http://ece-www.colorado.edu/ bart/book/.
Capitolul 2
Surse de curent
Sursele de curent joacǎ un rol important ı̂n polarizarea circuitelor electronice.

În mod ideal ele furnizeazǎ un curent independent de tensiunea de la borne.
Parametrii specifici implementǎrii electronice:
- rezistenţa de ieşire - trebuie sǎ fie cât mai mare pentru a se apropia de
sursele de curent ideale;
- tensiunea minimǎ la ieşire - trebuie sǎ fie cât mai micǎ pentru a permite
funcţionarea la tensiuni de alimentare joase.
2.1 Sursa simplǎ de curent cu un singur tranzistor

Figura 2.1 prezintǎ sursa de curent cu un tranzistor ı̂n varianta MOS şi bipolarǎ.
Tensiunile de comandǎ sunt aplicate ı̂n grila, respectiv ı̂n baza tranzistoarelor.
Iout Iout Iout

M1 Q1
VG VB
Figura 2.1: Sursa de curent simplǎ cu un tranzistor

CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT 25
Observaţie: orice tranzistor poate fi considerat sursǎ de curent controlatǎ

ı̂n tensiune dacǎ este polarizat ı̂n regiunea activǎ normalǎ (bipolar) sau ı̂n
regim saturat (MOS).
Datoritǎ rǎspândirii pe scarǎ mai largǎ a tehnologiilor CMOS şi BiCMOS, ı̂n
aceastǎ secţiune se vor discuta numai sursele de curent ı̂n varianta MOS.
Ecuaţia (2.1) defineşte condiţia de saturaţie pentru un tranzistor MOS.
VDS ≥ Vod ⇒ VDSmin = Vod (2.1)
Aceastǎ ecuaţie defineşte implicit şi tensiunea minimǎ admisǎ la ieşire şi anume
Voutm in = VDSmin .
Caracteristica de ieşire a sursei simple de curent este datǎ ı̂n Figura 2.2.
I
150uA out
real PSF
100uA
ideal
50uA
Vout_min
0A Vout
0V 0. 5V 1. 0V 1. 5V 2. 0V
I D( M1)
V_V1
Figura 2.2: Caracteristica de ieşire a sursei de curent cu un tranzistor
Din figurǎ se observǎ cǎ valoarea curentului depinde slab de tensiunea de ieşire.
Acest lucru conduce la ideea cǎ sursa implementatǎ de tranzistor nu este idealǎ,
26 CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT
ci are rezistenţa de ieşire finitǎ. Valoarea lui Rout se poate determina mǎsurând
panta caracteristicii ı̂n regim saturat ı̂n jurul PSF.
Se poate demonstra cǎ rezistenţa de ieşire este egalǎ cu rezistenţa drenǎ-sursǎ a

tranzistorului. Pentru demonstraţie se considerǎ modelul echivalent de semnal
mic al tranzistorului din Figura 2.3.
Iout
gmVGS gmbVBS rDS

Vout
Figura 2.3: Schema echivalentǎ de semnal mic a sursei de curent cu un

tranzistor
Rezistenţa de ieşire se scrie:
Vout (Iout − gm VGS − gmb VBS ) · rDS

Rout = = (2.2)
Iout Iout
La construcţia modelului echivalent de semnal mic se pasivizeazǎ toate sursele

constante din circuit. Astfel toate sursele de curent devin ı̂ntrerupere, iar toate
sursele de tensiune devin scurt circuit la masǎ. Din acest motiv atât VGS cât
şi VBS sunt egale cu zero. Rezistenţa de ieşire devine:
Vout
Rout = = rDS (2.3)
Iout
Ordinul tipic de mǎrime al rezistenţei drenǎ-sursǎ a fost precizat la secţiunea

de tranzistoare MOS, aceasta fiind de o sutǎ de kΩ. Acest lucru ı̂nseamnǎ cǎ
o variaţie de tensiune de 1V la bornele sursei (VDS ) va produce o variaţie de
10µA. De multe ori aceastǎ variaţie este consideratǎ prea mare. Astfel este
necesarǎ gǎsirea unei metode de a mǎri rezistenţa de ieşire a sursei.
2.2 Sursa de curent cu un singur tranzistor şi de-

generare rezistivǎ
O metodǎ de a mǎri rezistenţa de ieşire a sursei simple cu un tranzistor este
conectarea ı̂ntre terminalul sursei şi masǎ a unei rezistenţe ca ı̂n Figura 2.4.
Iout
Iout
M1 gmVGS gmbVBS rDS
VG VB
Iout Vout
R
R
Figura 2.4: Schema şi modelul de semnal mic al sursei degenerate rezistiv
Rezistenţa de ieşire se calculeazǎ ı̂n mod similar ca pentru sursa farǎ degenerare.
Vout (Iout − gm VGS − gmb VBS ) · rDS + Iout R

Rout = = (2.4)
Iout Iout
Observaţie: De aceastǎ datǎ, deşi grila şi terminalul de substrat ale tranzis-
torului sunt conectate la masǎ ı̂n modelul de semnal mic, terminalul sursei
este un nod flotant. Din acest motiv tensiunile VGS şi VBS sunt diferite de
zero şi pot fi exprimate ca diferenţe de potenţial.

VGS = VG − VS = −VS = −Iout R
(2.5)
VBS = VB − VS = −VS = −Iout R
Din ecuaţiile (2.4) şi (2.5) rezultǎ:

Rout = rDS + R + (gm + gmb ) rDS R (2.6)
Deoarece gmb este tipic cu un ordin de mǎrime mai mic decât gm , rezistenţa de
ieşire se aproximeazǎ:
Rout ∼
= rDS + R + gm rDS R ∼
= gm rDS R (2.7)
În afarǎ de modul de calcul al rezistenţei de ieşire bazat pe schema de semnal

mic, mai existǎ un mod intuitiv de abordare a problemei care duce la acelaşi
rezultat aproximativ (ca ı̂n ecuaţia (2.7)).
Aceastǎ metodǎ de analizǎ se bazeazǎ pe identificarea unei reacţii negative de

tip serie-serie care mǎreste rezistenţa de ieşire a amplificatorului de pe calea
directǎ de semnal cu un factor egal cu câştigul buclei.
Din analiza sursei de curent se observǎ cǎ mǎrimea de ieşire este chiar curentul
Iout . Mǎrimea de intrare este consideratǎ potenţialul de comandǎ din grila
tranzistorului. Astfel amplificatorul de pe calea directǎ de semnal este de tip
transconductanţǎ, câştigul acestuia fiind egal cu transconductanţa de semnal
mic a tranzistorului. Curentul de ieşire este mǎsurat ı̂n serie şi transformat ı̂n
tensiune cu un factor de reacţie egal cu R. Din schemǎ mai rezultǎ cǎ aceastǎ
cǎdere de tensiune pe R se scade din tensiunea de intrare, astfel bucla de reacţie
negativǎ fiind ı̂nchisǎ.
rDS
VGS gm
VG Iout Rout
VR
Figura 2.5: Bucla de reacţie negativǎ serie-serie

Observaţie: reacţia este serie-serie deoarece la intrare tensiunile se

ı̂nsumeazǎ serie, iar la ieşire curentul se mǎsoarǎ tot serie.
Rezistenţa de ieşire a amplificatorului transconductanţǎ de pe calea directǎ

este rezistenţa rDS a tranzistorului, dupǎ cum s-a arǎtat la sursa simplǎ fǎrǎ
degenerare. Reacţia negativǎ mǎreşte rezistenţa de ieşire ı̂n buclǎ ı̂nchisǎ cu
un factor egal cu câştigul buclei, adica cu gm · R. Astfel se ajunge la aceeaşi
aproximare a rezistenţei de ieşire ca ı̂n ecuaţia (2.7).
Tensiunea minimǎ admisǎ la ieşire necesarǎ tranzistorului pentru a funcţiona ı̂n

regim saturat este:
Voutmin = VDSmin + RIout (2.8)
Ca exemplu, vom calcula câteva valori pentru Rout şi Voutmin corespunzǎtoare
sursei de curent cu degenerare rezistivǎ, ştiind cǎ tranzistorul are rDS = 100kΩ,
gm = 1mS şi Vod = 200mV , pentru diferite valori ale rezistentei R.
Ştiind valoarea transconductanţei şi a tensiunii de overdrive se poate calcula

curentul prin tranzistor ca fiind 100µA.
În Tabelul 2.1 sunt calculate Rout şi Voutmin pentru o rezistenţǎ de degenerare
de 1kΩ, 10kΩ şi 100kΩ.
R Rout Voutmin
1kΩ 201kΩ VDSmin + 0, 1V
10kΩ 1, 11M Ω VDSmin + 1V
100kΩ 10, 2M Ω VDSmin + 10V
Tabelul 2.1: Rout şi Voutmin pentru diferite valori ale lui R
Observaţie: valorile din acest tabel sunt valide numai dacǎ presupunem
cǎ punctul static de funcţionare al tranzistorului este menţinut constant.
Acest lucru implicǎ o creştere a potenţialului din grilǎ pentru a compensa
cǎderea de tensiune pe rezistenţǎ. Astfel tranzistorul se va menţine saturat.
Dacǎ nu este compensatǎ cǎderea de tensiune pe R, tranzistorul va intra ı̂n
regim liniar odatǎ cu scǎderea excesivǎ a tensiunii de ieşire.
Din tabel se poate vedea cǎ pentru valori mari ale rezistenţei pasive se obţine
creşterea rezisţentei de ieşire, dar tensiunea minimǎ la ieşire creşte şi ea limitând
funcţionarea sursei ı̂n circuitele mai complicate cu alimentare redusǎ. Astfel
apare ideea de a gǎsi o structurǎ care sǎ implementeze o sursǎ de curent având
Rout mǎritǎ şi totodatǎ Voutmin sǎ se menţinǎ la valori relativ reduse. Soluţia
este ı̂nlocuirea rezistenţei pasive cu un tranzistor (privit ı̂n saturaţie ca sursǎ de
curent).
2.3 Sursa de curent cascodǎ

Schema şi modelul echivalent de semnal mic al sursei de curent cascodǎ sunt
prezentate ı̂n Figura 2.6.
Iout
gm2VGS2 gmb2VBS2 rDS2

Iout
M2
VG2 VB2 Iout
M1
Vout
VG1 gm1VGS1 rDS1
Figura 2.6: Sursa de curent cascodǎ şi modelul echivalent de semnal mic
corespunzǎtor
Rezistenţa de ieşire se scrie:
(Iout − gm1 VGS1 ) · rDS1

Rout = +
Iout
(Iout − gm2 VGS2 − gmb2 VBS2 ) · rDS2
+ (2.9)
Iout
Tensiunea VGS1 este zero datoritǎ pasivizǎrii, iar expresiile lui VGS2 şi VBS2
sunt:

VGS2 = VG2 − VS2 = −VS2 = −Iout rDS1
(2.10)
VBS2 = VB2 − VS2 = −VS2 = −Iout rDS1
Înlocuind tensiunile grilǎ-sursǎ şi substrat-sursǎ ale lui M2 ı̂n ecuaţia (2.9),
rezultǎ:
Rout = rDS1 + rDS2 + (gm2 + gmb2 ) rDS2 rDS1 ∼

= gm2 rDS2 rDS1 (2.11)
Din aceastǎ ecuaţie se poate vedea cǎ expresia lui Rout este aceeaşi ca pentru
sursa de curent cu degenerare rezistivǎ, cu diferenţa cǎ rezistenţa pasivǎ a fost
ı̂nlocuita̧ cu rezistenţa drenǎ-sursǎ a lui M1 . Astfel ordinul teoretic de mǎrime
al rezistenţei de ieşire este cel al MΩ -lor, pentru cazul ı̂n care tranzistoarele au
rDS de o sutǎ kΩ şi gm de ordinul mS. În practicǎ aceastǎ valoare este adesea
imposibil de realizat.
Tensiunea minimǎ de ieşire este ı̂n acest caz:
Voutmin = VDSmin1 + VDSmin2 (2.12)
Caracteristica de iesire a sursei de curent cascodǎ este data ı̂n Figura 2.7.
Din caracteristica de ieşire simulatǎ se observǎ o aplatizare a curbei ı̂n regiunea

corespunzǎtoare regimului de saturaţie a ambelor tranzistoarelor faţǎ de sursa
simplǎ de curent. Acest fapt indicǎ o creştere considerabilǎ a rezistenţei de
ieşire. O altǎ remarcǎ importantǎ este aceea cǎ existǎ douǎ puncte de frı̂ngere
pe caracteristicǎ, unul corespunzǎtor intrǎrii ı̂n regim liniar a lui M2 , iar celǎlalt
intrǎrii ı̂n regim liniar a lui M1 . Tensiunea minimǎ la ieşire este impusǎ de
condiţia de funcţionare ı̂n regim saturat a ambelor tranzistoare.
120uA
Iout
80uA
40uA
Vout_min
0A Vout
0V 1. 0V 2. 0V 3. 0V
I D( M2)
V_V1
Figura 2.7: Caracteristica de ieşire a sursei de curent cascodǎ
2.4 Sursa de curent cu rezistenţǎ de ieşire mǎritǎ

O creştere ı̂n continuare a rezistenţei de ieşire a sursei de curent cascodǎ este
posibilǎ prin mǎrirea câştigului buclei de reacţie negativǎ. Aceasta se poate
face prin conectarea unui amplificator inversor ı̂ntre sursa şi grila tranzistorului
M2 .
VG2 Iout
gm2VGS2 gmb2VBS2 rDS2
Iout
VCT +
a VG2 M2
-a
- VB2 Iout
Vout
M1
gm1VGS1 rDS1
VG1
Figura 2.8: Sursa de curent cascodǎ cu Rout maritǎ şi modelul echivalent
de semnal mic
Rezistenţa de ieşire se determinǎ dupǎ cum urmeazǎ:
(Iout − gm1 VGS1 ) · rDS1

Rout = +
Iout
(Iout − gm2 VGS2 − gmb2 VBS2 ) · rDS2
+ (2.13)
Iout
Tensiunea VGS1 este zero, iar expresiile lui VGS2 şi VBS2 se scriu:

VGS2 = VG2 − VS2 = −aVS2 − VS2 = − (a + 1) Iout rDS1
(2.14)
VBS2 = VB2 − VS2 = −VS2 = −Iout rDS1
Combinând ecuaţiile (2.13) şi (2.14) rezultǎ:
Rout = rDS1 + rDS2 + [(a + 1) gm2 + gmb2 ] rDS2 rDS1 ∼

=
∼
= (a + 1) gm2 rDS2 rDS1 (2.15)
Din expresia lui Rout se poate vedea cǎ aceasta a crescut de aproximativ a ori
faţǎ de sursa de curent cascodǎ. Ordinul teoretic de mǎrime este cel al zecilor de
MΩ dacǎ se ia rDS de o sutǎ kΩ, gm de ordinul mS şi câştigul amplificatorului
de ordinul zecilor.
Tensiunea minimǎ de ieşire este identicǎ cu cea a sursei de curent cascodǎ.

O posibilǎ implementare a sursei de curent cascodǎ cu rezistenţǎ mǎrita este
datǎ ı̂n Figura 2.9.
Rezistenţa de ieşire are urmǎtoarea formǎ:

Rout = rDS1 + rDS2 + [(a + 1) gm2 + gmb2 ] rDS2 rDS1
(2.16)
a = gm3 (rDS3 || rDS4 )
VDD
VCT
M4
Iout
M2
VG2
VB2
M3
M1
VG1
Figura 2.9: Implementarea la nivel de tranzistor a sursei de curent cas-

codǎ cu Rout mǎritǎ
2.5 Sumar
În aceastǎ secţiune s-au prezentat câteva implementǎri electronice ale sursei
de curent. Pornind de la structura cea mai simplǎ şi argumentând fiecare
ı̂mbunǎtǎţire se ajunge la structuri mai performante, utilizate ı̂n practicǎ. Pen-
tru fiecare structurǎ au fost discutate urmǎtoarele aspecte:
- schema şi modelul echivalent de semnal mic;
- rezistenţa de ieşire;
- tensiunea minimǎ de ieşire pentru care circuitul mai funcţioneazǎ ca sursǎ

de curent;
- caracteristica de ieşire şi interpretarea ei.
Bibliografie:


Press, 1987
Capitolul 3
Oglinzi de curent
În secţiunea Surse de curent au fost prezentate structurile unor surse de curent
electronice şi parametrii specifici de funcţionare. S-a presupus cǎ toate tranzis-
toarele sunt corect polarizate ı̂n regim de saturaţie. Punctul nediscutat a fost
metoda cu care sunt generate tensiunile constante din grilele tranzistoarelor. În
majoritatea cazurilor tensiunile de grilǎ sunt generate injectând un curent de
referinţǎ ı̂ntr-un tranzistor conectat ca diodǎ MOS, determinând astfel tensiu-
nea grilǎ-sursǎ a tranzistorului. Astfel se ajunge la o clasǎ de subcircuite numite
oglinzi de curent. Oglinzile sunt utilizate pentru distribuirea curenţilor de po-
larizare, dar mai pot fi utilizate şi ca amplificatoare de curent. În continuare se
vor discuta câteva variante constructive implementate cu tranzistoare MOS şi
tranzistoare bipolare.
3.1 Introducere
Parametrul de bazǎ care descrie funcţionarea oglinzii de curent este câştigul de
curent sau raportul de reflexie. Raportul de reflexie se defineşte ca raportul
dintre curentul de ieşire şi curentul de intrare/referinţǎ.
Iout
n= (3.1)
Iin
Cerinţele de performanţǎ pentru oglinzile de curent sunt asemǎnǎtoare cu cele

de la sursele de curent, dar adiţional mai punem condiţiile necesare ca intrarea
oglinzii sǎ fie o intrare de curent (de joasǎ impedanţǎ):
CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT 37
- rezistenţa de ieşire sǎ fie cât mai mare pentru a reduce dependenţa cu-
rentului de ieşire cu tensiunea de ieşire (ca la sursele de curent);
- tensiunea minimǎ la ieşire pentru care circuitul mai funcţioneazǎ ca sursǎ

de curent sǎ fie cât mai micǎ (ca la sursele de curent);
- tensiunea minimǎ la intrare sǎ fie cât mai micǎ (determinatǎ de PSF a
diodei MOS);
- rezistenţa de intrare sǎ fie cât mai micǎ;
- raportul de reflexie sǎ fie cât mai precis, constant cu tensiunea de alimen-
tare şi independent de temperaturǎ.
3.2 Oglinzi de curent MOS

3.2.1 Oglinda simplǎ de curent MOS
Oglinda simplǎ de curent se obţine din sursa de curent cu un singur tranzistor
prin conectarea grilei la dioda MOS care genereazǎ tensiunea de grilǎ. Schema
circuitului este datǎ ı̂n Figura 3.1 ı̂mpreuna cu modelul echivalent de semnal
mic.
Iin Iin Iout

Iout
gm1VGS1 rDS1 gm2VGS2 rDS2
M1 M2
Vin Vout
Figura 3.1: Oglinda simplǎ de curent şi modelul echivalent de semnal mic
Observaţie: modelul de semnal mic se deseneazǎ pentru tranzistoare ı̂n

saturaţie. M1 este ı̂ntotdeauna saturat datoritǎ conexiunii de diodǎ MOS
(VDS = Vod + VT h > Vod ), iar M2 este o sursǎ de curent.
38 CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
Observaţie: ı̂n schema echivalentǎ de semnal mic nu apar sursele de curent

corespunzǎtoare transconductanţei de substrat (gmb ) deoarece tensiunile
VBS de control ale acestora sunt zero (B conectat la S pentru ambele
tranzistoare).
Rezistenţa de intrare a oglinzii se calculeazǎ din schema echivalentǎ de semnal

mic, ţinând cont de faptul cǎ tensiunea grilǎ-sursǎ a tranzistorului M1 este egalǎ
cu tensiunea drenǎ-sursǎ:
Vin rDS1 ∼ 1
Rin = = = (3.2)
Iin 1 + gm1 rDS1 gm1
Rezistenţa de ieşire este aceeaşi ca pentru sursa de curent simplǎ:
Vout
Rout = = rDS2 (3.3)
Iout
Tensiunea minimǎ admisǎ la ieşire este aceeaşi ca pentru sursa simplǎ de curent
şi este egalǎ cu tensiunea drenǎ-sursǎ a lui M2 pentru care acesta este ı̂ncǎ ı̂n
regim saturat.
Curenţii de drenǎ ai tranzistoarelor se scriu:


iD1 = β1 (VGS1 − VT h1 )2 (1 + λVDS1 )


iD2 = β2 (VGS2 − VT h2 )2 (1 + λVDS2 )

(3.4)


 µCox W1 µCox W2
β1 =
 ; β2 =
2L1 2L2
Ştiind cǎ tensiunile grilǎ-sursǎ ale tranzistoarelor sunt egale, rezultǎ expresia
raportului de reflexie:
Iout β2 (VGS2 − VT h2 )2 (1 + λVDS2 )

n= = (3.5)
Iin β1 (VGS1 − VT h1 )2 (1 + λVDS1 )
Examinând ecuaţia (3.5) se observǎ cǎ sunt trei factori care afecteazǎ precizia
raportului de reflexie: modulaţia lungimii canalului, neı̂mperecherea tensiunilor
de prag a tranzistoarelor şi neı̂mperecherea geometriei tranzistoarelor.
Pentru analiza efectului de modulaţie a lungimii canalului se considerǎ un raport

de reflexie unitar (presupunând cǎ tranzistoarele au aceeaşi geometrie) şi cǎ
tensiunile de prag sunt perfect ı̂mperecheate. În acest caz obţinem:
Iout 1 + λVDS2
n= = (3.6)
Iin 1 + λVDS1
Ca o concluzie, se poate spune cǎ un dezechilibru ı̂ntre tensiunile de intrare şi

de ieşire va produce o eroare a raportului de reflexie.
Pentru a analiza efectul neı̂mperecherii tranzistoarelor se considerǎ tensiunile

drenǎ-sursǎ egale. Diferenţa dintre tensiunile de prag se noteazǎ cu VT h iar
diferenţa dintre geometriile tranzistoarelor se traduce ı̂n ∆β. Pentru tensiunile
de prag şi parametrii β se pot scrie relaţiile:
 
1 1

VT h1 = VT h − ∆VT h 
β1 = β − ∆β
2 2

 


 

1 1
 
VT h2 = VT h + ∆VT h β2 = β + ∆β (3.7)

 2 
 2
 
 V + VT h2  β + β2
VT h = T h1 β = 1

 

2 2
Combinând ecuaţiile (3.5) şi (3.7) rezultǎ:

∆β ∆VT h
1+ 1−
2β 2 (VGS − VT h )2
n= (3.8)
∆β ∆VT h
1− 1+
2β 2 (VGS − VT h )2
În continuare se considerǎ funcţia binomialǎ inversǎ şi dezvoltarea sa ı̂n serie
Taylor:
X (−x)k∞
1 1 x x2 x3
= = − + − 4 + ... (3.9)
a+x ak+1 a a2 a3 a
k=0
Dacǎ se considerǎ x << 1 atunci termenii de ordin mai mare sau egal cu doi
se neglijeazǎ, iar ecuaţia (3.9) devine:
1 ∼ 1 x
= − 2 (3.10)
a+x a a
∆β ∆VT h
Pentru cazul ı̂n care, a = 1, << 1 şi , termenii de grad
β 2 (VGS − VT h )
mai mare decât doi se neglijeazǎ şi expresia aproximativǎ a lui n devine:
2 4
∆β ∆VT h
n∼
= 1+ 1− (3.11)
2β 2 (VGS − VT h )
Ridicând la puterile corespunzǎtoare şi neglijn̂d din nou termenii de ordin mai
mare decât unitatea, raportul de reflexie se poate aproxima astfel:
∆β 2∆VT h
n∼
=1+ − (3.12)
β VGS − VT h
Observaţie: eroarea raportului de reflexie se poate reduce dacǎ dimensiunea

tranzistoarelor este mai mare (geometria depinde de β) sau dacǎ curentul
prin ele este mai mare (curentul depinde de VGS − VT h ). Intuitiv, douǎ
tranzistoare se ı̂mperecheazǎ mai bine dacǎ dimensiunile lor sunt mai mari.
Însumând performanţele oglinzii simple de curent se poate observa cǎ rezistenţa

de ieşire este relativ redusǎ (ca la sursa simplǎ de curent), iar factorul de reflexie
variazǎ puternic cu asimetriile din circuit. Pentru a ı̂mbunǎtǎţi raportul de
reflexie şi rezistenţa de ieşire trebuie gǎsitǎ o structurǎ care sǎ egaleze tensiunile
drenǎ-sursǎ ale tranzistoarelor. De asemenea trebuie mǎritǎ şi rezistenţa de
ieşire. Metoda cu care toate aceste neajunsuri sunt reduse este cascodarea.
3.2.2 Oglinda de curent cascodǎ MOS

Oglinda de curent cascodǎ se obţine din oglinda simplǎ prin cascodarea ambelor
ramuri de circuit, având schema şi modelul echivalent de semnal mic din Figura
3.2.
Iin Iout
Iin Iout gm3VGS3 gmb3VBS3 rDS3 gm4VGS4 gmb4VBS4 rDS4
VB3 M3 M4 VB4
Iin Iout
Vin Vout
M1 M2 gm1VGS1 rDS1 gm2VGS2 rDS2
Figura 3.2: Oglinda de curent cascodǎ MOS şi modelul de semnal mic
Determinarea rezistenţei de intrare se face considerând teorema lui Norton la

ieşire (la ieşire curentul se mǎsoarǎ serie ⇒ Norton), conform cǎreia rezistenţa
de sarcinǎ se ı̂nlocuieşte cu un scurt circuit la masǎ. Drept urmare, trebuie
sǎ considerǎm Vout = 0. În mod similar, pentru calculul rezistenţei de ieşire
aplicǎm teorema lui Thevenin la intrare (curentul se ı̂nsumeaza paralel ⇒ The-
venin). Astfel, se considerǎ Iin = 0.
Calculul rezistenţelor de intrare şi de ieşire
Tensiunea de intrare se scrie ca suma cǎderilor de tensiune pe tranzistoarele M1

şi M3 :
Vin = VDS1 + VDS3 (3.13)
Ţinând cont de faptul cǎ tensiunile drenǎ-sursǎ ale lui M1 şi M3 sunt egale cu
tensiunile grilǎ-sursǎ, rezultǎ:
rDS1 1
VDS1 = (Iin − gm1 VGS1 ) rDS1 ⇒ VDS1 = Iin ∼
= Iin
1 + gm1 rDS1 gm1
(3.14)
În mod similar se scrie VDS3 :
rDS3 ∼ 1 Iin
VDS3 = Iin = (3.15)
1 + gm3 rDS3 gm3
Înlocuind ecuaţiile (3.14) şi (3.15) ı̂n (3.13), rezultǎ:
Vin ∼ 1 1
Rin = = + (3.16)
Iin gm1 gm3
Rezistenţa de ieşire este identicǎ cu cea a sursei de curent cascodǎ:
Vout
Rout = = rDS2 +rDS4 +(gm4 + gmb4 ) rDS4 rDS2 ∼
= gm4 rDS4 rDS2 (3.17)
Iout
Ordinul de mǎrime pentru Rin este de kΩ, iar pentru Rout de MΩ.
Calculul tensiunii minime admise la ieşire
Pentru a determina tensiunea minimǎ admisǎ la ieşirea circuitului se vor consi-

dera toate tranzistoarele de aceeaşi dimensiune şi perfect ı̂mperecheate (VGS1 =
VGS2 = VGS3 = VGS4 ). Ştiind cǎ tensiunea drenǎ-sursǎ pentru care un tran-
zistor mai este ı̂n regim de saturaţie este notatǎ cu VDSmin , putem scrie:
VoutM IN =DSmin4 +VDSmin2 =

= VDSmin4 + (VGS3 + VGS1 − VGS4 ) = 2VDSmin + VT h (3.18)
Din expresia tensiunii minime admise la ieşire se poate remarca faptul cǎ pe
tranzistorul M2 cade o tensiune VDSmin + VT h . Pentru a lucra ı̂n regim saturat
valoarea minimǎ necesarǎ acestuia ar fi VDSmin . Prin urmare, structura clasicǎ
de oglindǎ de curent cascodǎ nu este soluţia optimǎ din punctul de vedere al

tensiunii minime la ieşire (având cu VT h mai mult decât este necesar pentru a
polariza tranzistoarele).
Raportul de reflexie al oglinzii cascodǎ este ı̂mbunǎtǎţit deoarece prin cascodare

tensiunile drenǎ-sursǎ ale tranzistoarelor M1 şi M2 au fost echilibrate (curenţii
din M3 şi M4 precum şi geometriile identice egaleazǎ VGS3 cu VGS4 ). Astfel
câştigul de curent este mult mai puţin influenţat de efectul de modulaţie al
lungimii canalului.
În practicǎ, pentru ı̂mbunǎtǎţirea raportului de reflexie, tranzistoarele M1 şi M2

sunt optimizate pentru o ı̂mperechere cât mai bunǎ, având aria relativ extinsǎ,
iar M3 şi M4 sunt optimizate pentru transconductanţǎ cât mai mare ı̂n vederea
creşterii rezistenţei de ieşire.
3.2.3 Oglinda cascodǎ MOS de joasǎ tensiune

Oglinda de curent cascodǎ de joasǎ tensiune ı̂ncearcǎ sǎ optimizeze oglinda de
curent cascodǎ din punctul de vedere al tensiunii minime admise la ieşire. În
acelaşi timp se pǎstreaza structura etajului de ieşire a oglinzii cascodǎ şi implicit
şi rezistenţa de ieşire.
Iin Iout
VTh
M3 M4
VGS3 VGS4
M1
VDSmin
M2
VGS1
Figura 3.3: Principiul utilizat la reducerea tensiunii minime de ieşire
În secţiunea anterioarǎ s-a demonstrat cǎ tensiunea minimǎ la ieşirea oglinzii
de curent cascodǎ era 2VDSmin + VT h , ı̂n timp ce valoarea necesarǎ este doar
2VDSmin . Considerând structura oglinzii din Figura 3.2 se observǎ cǎ surplusul
de tensiune VT h se datoreazǎ potenţialului prea ridicat din grila tranzistorului
M4 . Pentru a elimina VT h din expresia tensiunii minime de ieşire este necesar
ca potenţialul acestui punct sǎ scadǎ cu VT h . Aceastǎ scǎdere se poate realiza
prin inserarea unei surse de tensiune constantǎ ca ı̂n Figura 3.3. Tensiunea
furnizatǎ de aceastǎ sursǎ trebuie sǎ fie egalǎ cu VT h .
Pentru o funcţionare corectǎ a circuitului este necesar ca toate tranzistoa-

rele sǎ fie saturate. Teorema lui Kirchhoff pentru tensiunile pe buclǎ duce
la urmǎtoarea ecuaţie:
VGS1 + VGS3 = VT h + VGS4 + VDSmin (3.19)
Din aceastǎ ecuaţie rezultǎ cǎ potenţialul din grila tranzistorului M3 trebuie
sǎ fie suficient de mare pentru a permite funcţionarea ı̂n regim saturat a lui
M2 . Relaţia practicǎ de proiectare se poate scrie (ı̂ntr-o primǎ aproximare se
considerǎ acelaşi VT h pentru toate tranzistoarele):
Vod1 + Vod3 = Vod4 + VDSmin (3.20)
O implementare practicǎ a acestui principiu este prezentatǎ ı̂n Figura 3.4. În
aceastǎ structurǎ deplasarea de nivel se face cu ajutorul unei ramuri suplimen-
tare (M5 -M6 ).
Iref Iin Iout
M3 M6
VGS6 M4
VGS3
VGS4
M1
VDSmin
M5 M2
VGS1
Figura 3.4: Schema practicǎ de oglindǎ cascodǎ de joasǎ tensiune

Ecuaţia pentru tensiuni este:
VGS1 + VGS3 = VGS6 + VGS4 + VDSmin (3.21)
Dacǎ se considerǎ aceeaşi tensiune de prag pentru toate tranzistoarele, rezultǎ:
Vod1 + Vod3 = Vod6 + Vod4 + VDSmin (3.22)
Pentru a realiza tensiunile de overdrive Vod1 şi Vod3 suficient de mari, ı̂n acea
ramurǎ de circuit se injecteazǎ un curent de referinţǎ, iar dimensiunile se aleg
ı̂n concordanţǎ cu tensiunile Vod dorite şi cu valoarea curentului de referinţǎ.
O altǎ implementare implicǎ scǎderea potenţialului din sursa tranzistorului M3 .

Acest lucru este posibil (farǎ a bloca tranzistorul M1 ) numai dacǎ potenţialul
din grila lui M3 este independent de VGS1 . Structura de circuit este datǎ ı̂n
Figura 3.5 a).
Iref Iin Iout Iref Iin Iout
M3 M4 M3 M4
VGS3 VGS4 VGS3 VGS4
M1 M1
VDSmin R VDSmin VDSmin
VGS1 M2 M2
a) b)
Figura 3.5: Altǎ modalitate de a scǎdea tensiunea minimǎ la ieşire
Aceastǎ structurǎ de circuit ne permite sǎ fixǎm tensiunea drenǎ-sursǎ a lui M2

conform urmǎtoarei relaţii:
Vod3 = Vod4 + VDSmin (3.23)

Din nou Vod3 trebuie sǎ fie suficient de mare pentru a permite funcţionarea
tranzistorului M2 ı̂n regim saturat. Dezavantajul structurii este acela cǎ pentru
a obţine Vod3 suficient de mare trebuie fie sǎ mǎrim curentul prin ramurǎ, fie sǎ
alegem dimensiuni mult mai reduse pentru M3 decât pentru M4 . O soluţie ar
fi introducerea unei rezistenţe care sǎ preia o parte din tensiunea VGS3 (Figura
3.5 b). În acest caz tensiunile se scriu:
Vod3 + Iref R = Vod4 + VDSmin (3.24)
Dacǎ M3 se alege identic cu M4 atunci cǎderea de tensiune drenǎ-sursǎ a lui

M2 va fi tocmai Iref R. Prin aceastǎ metodǎ putem regla cu uşurinţǎ tensiunea
minimǎ la ieşire la 2VDSmin .
Observaţie: raportul de reflexie al oglinzii din Figura 3.5 este afectat de

dezechilibrul dintre tensiunile VDS ale M1 şi M2 . Corecţia se poate face
inserând un tranzistor care sǎ echilibreze VDS2 cu VDS1 . Suplimentar, im-
plementarea numai cu tranzistoare este preferatǎ rezistenţei pasive ori de
câte ori este posibil.
Iref Iin Iout Iref Iin Iout
M5 M5
M3 M4 VGS3 M4
VGS3 VGS4 M3 VGS4
R M1 VDSmin M1 VDSmin
VDSmin VDSmin
M6
M2 M2
a) b)
Figura 3.6: Implementarea practicǎ a oglinzii cascodǎ de joasǎ tensiune
Observaţie: rolul ramurii M3 -M6 este sǎ stabileascǎ potenţialul ı̂n grilele
tranzistoarelor M5 şi M4 . Aceastǎ ramurǎ nu va afecta expresia rezistenţei
de intrare.
Calculul rezistenţei de intrare şi de ieşire
Rezistenţa de ieşire este aceeaşi ca la oglinda cascodǎ clasicǎ. Rezistenţa de

intrare se calculeazǎ pentru Vout = 0, conform teoremei lui Norton (similar ca
la oglinda cascodǎ clasicǎ). Din calcule rezultǎ:
rDS1 + rDS5 + (gm5 + gmb5 ) rDS5 rDS1 ∼ 1

Rin = = (3.25)
1 + gm1 rDS1 + (gm5 + gmb5 ) rDS5 gm1 rDS1 gm1
Se observǎ cǎ rezistenţa de intrare este comparabilǎ cu cea a oglinzii MOS

simple.
3.2.4 Oglinda de curent Wilson cu tranzistoare MOS

Oglinda Wilson utilizeazǎ reacţia negativǎ pentru a mǎri rezistenţa de ieşire.
Structura şi schema echivalentǎ de semnal mic a circuitului sunt date ı̂n Figura
3.7.
Iout
Iin Iout gm3VGS3 gmb3VBS3 rDS3
M3 VB3
VGS3 Iout
Vout
Iin
gm1VGS1 rDS1 gm2VGS2 rDS2

M1 M2 Vin
Figura 3.7: Structura şi schema echivalentǎ a oglinzii Wilson cu tranzis-

toare MOS
Tensiunea minimǎ la ieşire
Tensiunea minimǎ la ieşire trebuie sǎ asigure funcţionarea tranzistorului M3 ı̂n

regim saturat, precum şi sǎ acopere tensiunea VGS2 . Astfel, se obţine o valoare
similarǎ ca şi pentru oglinda cascoda clasicǎ:
VoutM IN = 2VDSmin + VT h (3.26)
Este important de remarcat cǎ, datoritǎ conexiunii de diodǎ a M2 , nu avem nici

o posibilitate de a reduce tensiunea minimǎ la ieşire.
Calculul rezistenţelor de intrare şi de ieşire
Rezistenţele de intrare şi de ieşire se calculeazǎ ı̂n condiţii similare ca pentru

oglinzile de pâna acum (Iin = 0 pentru Rout şi Vout = 0 pentru Rin ). Din
calcule rezultǎ:
 rDS1

Rin ∼
= gm1 gm3 rDS1
1+


1 1


+ + gm2 + gm3

rDS2 rDS3 (3.27)


rDS2 1 + gm1 rDS1

Rout ∼

= rDS3 + + gm3 rDS3 rDS2 ·


1 + gm2 rDS2 1 + gm2 rDS2
În relaţiile (3.27) se pot face câteva simplificǎri care conduc la expresiile apro-
ximative din sistemul (3.28). Acestea sunt urmǎtoarele:
◦ gm rDS >> 1 si gm rDS rDS >> rDS
◦ rDS /(1 + gm rDS ) ∼

= 1/gm
◦ adiţional s-a ignorat efectul substratului asupra tensiunii de prag

(gm >> gmb ).
∼ gm2 + gm3

Rin = g g


m1 m3
(3.28)
R ∼
 gm1 gm3 rDS1 rDS3
 out =
gm2
Din structura circuitului (Figura 3.7) se observǎ cǎ tensiunile drenǎ-sursǎ ale
tranzistoarelor M1 şi M2 nu sunt egale. Drept urmare, raportul de reflexie este
afectat de o eroare sistematicǎ. Aceastǎ eroare se poate reduce prin echilibrarea

tensiunilor drenǎ-sursǎ. Rezultǎ o structurǎ similarǎ cu cascoda clasicǎ (Figura
3.8).
Iin Iout
Iin Iout gm4VGS4 gmb4VBS4 rDS4 gm3VGS3 gmb3VBS3 rDS3
VB4 M4 M3 VB3
Iin Iout
Vin Vout
M1 M2 gm1VGS1 rDS1 gm2VGS2 rDS2
Figura 3.8: Structura şi schema de semnal mic a oglinzii Wilson MOS
echilibrate
Tensiunea minimǎ la ieşire rǎmâne aceeaşi, iar rezistenţele de intrare şi de ieşire
se calculeazǎ conform urmǎtoarelor relaţii:
 rDS4
 rDS1 +
1 + gm4 rDS4

Rin ∼

=

g g rDS1

m1 m3


 1+
1 1

+ + gm2 + gm3 (3.29)


 rDS2 rDS3

rDS2 1 + gm1 rDS1

Rout ∼

= rDS3 + + gm3 rDS3 rDS2 ·


1 + gm2 rDS2 1 + gm2 rDS2
Deşi structura circuitului s-a modificat, valorile aproximative ale rezistenţei de

ieşire şi ale rezistenţei de intrare sunt aceleaşi ca pentru oglinda Wilson simplǎ.
3.3 Oglinzi de curent cu tranzistoare bipolare

Oglinzile de curent cu tranzistoare bipolare au aceeaşi topologie ca şi oglinzile cu
tranzistoare MOS. Principalele diferenţe ı̂n funcţionare se datoreazǎ rezistenţei
bazǎ-emitor finite şi curentului de bazǎ diferit de zero.
3.3.1 Oglinda simpla cu tranzistoare bipolare

Schema oglinzii de curent simple cu tranzistoare bipolare este datǎ ı̂n Figura
3.9.
Iin Iout
IC1 IC2
Q1 Q2
IB1 IB2
Figura 3.9: Oglinda de curent simplǎ cu tranzistoare bipolare
În primul pas se analizeazǎ erorile factorului de reflexie. Aceste erori pot fi
introduse de dezechilibrul tensiunilor colector-emitor ale celor douǎ tranzis-
toare, de amplificarea de curent β şi, ı̂n mod similar ca la oglinda MOS, de
neı̂mperecherea ariilor. Neı̂mperecherea ariilor se traduce ı̂n neı̂mperecherea
curenţilor de saturaţie IS ai tranzistoarelor.
Analiza factorului de reflexie ı̂ncepe de la expresiile curenţilor de colector ale

tranzistoarelor Q1 şi Q2 . Datoritǎ faptului cǎ atât bazele cât şi emitoarele sunt
conectate ı̂mpreunǎ, se poate considera VBE1 = VBE2 .
 VBE1

VCE1
I
 C1
 = IS1 · e VT
· 1 +
VEA

(3.30)
VBE2
 VCE2
IC2 = IS2 · e T · 1 +

 V
VEA
O relaţie importantǎ, dedusǎ din sistemul de mai sus, este dependenţa curentului
IC2 de IC1 . Pentru a determina aceastǎ dependenţǎ se calculeazǎ raportul
curenţilor de colector. Dupǎ efectuarea calculelor rezultǎ:

IS2 VCE2 − VCE1
IC2 = IC1 1+ (3.31)
IS1 VCE1 + VEA
Aplicând teorem lui Kirchhoff pentru curenţi la nodul de intrare al oglinzii se

obţine expresia curentului de intrare.
IC1 IC2
Iin = IC1 + IB1 + IB2 = IC1 + + =
β β

1 IS2 VCE2 − VCE1 1
= IC1 1 + + IC1 1+ (3.32)
β IS1 VCE1 + VEA β
Din schema circuitului se poate scrie curentul de ieşire:

IS2 VCE2 − VCE1
Iout = IC2 = IC1 1+ (3.33)
IS1 VCE1 + VEA
Factorul de reflexie este raportul dintre curentul de ieşire şi curentul de intrare.
Se observǎ cǎ ı̂n acest raport curentul IC1 se simplificǎ. Astfel expresia lui n
rezultǎ:

IS2 VCE2 − VCE1
1+
Iout IS1 V + VEA
n= = CE1 (3.34)
Iin 1 IS2 VCE2 − VCE1 1
1 + + IC1 1+
O transformare a acestei relaţii permite exprimarea factorului de reflexie ı̂n

funcţie de o eroare sistematicǎ :
IS2
n= (1 + ) , (3.35)
IS1
unde eroarea se scrie:

VCE2 − VCE1
1+
VCE1 + VEA
= −1 + (3.36)
1 + + IC1 1+
În cazul ideal, dacǎ VCE1 = VCE2 şi β tinde la infinit, eroarea sistematicǎ a
raportului de reflexie va tinde la 0, iar factorul de reflexie este definit numai de
raportul curenţilor de saturaţie şi implicit de raportul ariilor.
IS2 A2
n= = (3.37)
IS1 A1
Acest lucru ı̂nseamnǎ cǎ, de exemplu, dacǎ tranzistorul Q2 are o arie dublǎ faţǎ
de Q1 , atunci raportul ideal de reflexie va fi egal cu doi (curentul de ieşire dublu
faţǎ de cel de intrare).
Observaţie: şi ı̂n acest caz este valabilǎ teorema suprapunerii efectelor.
Eroarea totalǎ se obţine prin cumularea erorilor datorate dezechlibrului ten-
siunilor colector-emitor şi câştigului de curent β (conform ecuaţiei (3.36)).
Observaţie: raportul de reflexie este influenţat şi de neı̂mperecherea geo-

metricǎ a ariilor celor douǎ tranzistoare. Astfel pot sǎ aparǎ erori statistice
chiar dacǎ β tinde la infinit şi VCE1 = VCE2 .
Performanţele oglinzii de curent mai depind şi de rezistenţele de intrare şi de

ieşire. Aceste rezistenţe se determinǎ din schema echivalentǎ de semnal mic
Observaţie: orice sursǎ de curent controlatǎ de tensiunea de la propriile

borne este conform legii lui Ohm o rezistenţǎ. Valoarea rezistenţei echiva-
lente este R = 1/gm .
Rezistenţa de intrare
Iin Iout
rBE1 gm1VBE1 rCE1 rBE2 gm2VBE2 rCE2
Vin Vout
Iin Iout
rBE1 1/gm1 rCE1 rBE2 gm2VBE2 rCE2
Vin Vout
Figura 3.10: Schema echivalentǎ de semnal mic a oglnzii simple cu TB
Rezistenţa de intrare se calculeazǎ pentru Vout = 0 conform teoremei lui Nor-

ton. Tensiunea de intrare se scrie ı̂n funcţie de curentul de intrare şi rezistenţa
echivalentǎ vǎzutǎ la masǎ.

1
Vin = Iin rBE1 || || rCE1 || rBE2 (3.38)
gm1
Rezistenţa de intrare rezultǎ:
Vin 1 1
Rin = = rBE1 || || rCE1 || rBE2 ∼
= (3.39)
Iin gm1 gm1
La aproximare s-a ţinut cont de faptul cǎ rezistenţa colector-emitor (de ordinul
100kΩ) şi rezistenţa bazǎ-emitor (100kΩ) sunt mult mai mari decât 1/gm (kΩ).
Rezistenţa de ieşire
Rezistenţa de ieşire se calculeazǎ pentru un curent de intrare Iin = 0 conform

teoremei lui Thevenin. Din nou se ţine cont de egalitatea tensiunilor bazǎ-
emitor ale celor douǎ tranzistoare. Astfel, VBE1 = VBE2 = Vin = Rin Iin = 0.
Tensiunea de ieşire şi rezistenţa de ieşire se scriu:
Vout
Vout = rCE2 (Iout − gm2 VBE2 ) = rCE2 Iout ⇒ Rout = = rCE2 (3.40)
Iout
Tensiunea minimǎ la ieşire trebuie sǎ permitǎ funcţionarea tranzistorului Q2 ı̂n

regiunea activǎ normalǎ (ca sursǎ de curent). Drept urmare, VCE2 trebuie sǎ
fie suficient de mare pentru a evita polarizarea directǎ şi deschiderea diodei
bazǎ-colector. În caz contrar Q2 poate sǎ treacǎ ı̂n regimul de saturaţie. În
practicǎ se impune condiţia ca VCE = VBE (ı̂n ciuda faptului cǎ tranzistorul
este ı̂n RAN şi pentru pentru VBE = VCE = VCEsat ).
În mod similar ca la oglinda simplǎ cu tranzistoare MOS, se pot face urmǎtoarele
observaţii:
• rezistenţa de ieşire este relativ redusǎ, fiind necesarǎ o metodǎ de ı̂mbu-

nǎtǎţire;
• factorul de reflexie prezintǎ o eroare sistematicǎ chiar şi dacǎ tensiunile
colector-emitor sunt echilibrate.
3.3.2 Oglinda de curent cu compensare de β

(eng. EFA - Emitter Follower Augmented)
Din schema oglinzii simple cu tranzistoare bipolare se observǎ cǎ responsabil

pentru eroarea sistematicǎ a factorului de reflexie introdusǎ de β este curentul
pierdut ı̂n bazele celor douǎ tranzistoare. Astfel curentul de colector IC1 nu mai
este perfect egal cu IC2 ca ı̂n cazul realizǎrii MOS. Intuitiv, eroarea datoratǎ
câştigului de curent s-ar putea reduce dacǎ s-ar micşora curentul pierdut ı̂n baze.
Cea mai simplǎ metodǎ de a realiza aceastǎ ı̂mbunǎtǎţire este introducerea unui
buffer de curent care sǎ permitǎ extracţia unui curent foarte redus din colectorul
lui Q1 şi ı̂n acelaşi timp sǎ producǎ curentul IB1 +IB2 prin amplificare de curent.
Bufferul se poate implementa cu un simplu tranzistor ca ı̂n Figura 3.11 a.
Raportul de reflexie se calculeazǎ ı̂n mod similar ca la oglinda simplǎ. În primul
pas se scrie curentul de intrare ı̂n funcţie de curenţii de colector IC1 şi IC2 .
gm3VBE3 rCE3
Iin Iout
Iin Iout
Q3
IB3 rBE3
IC1 IE3 IC2
rCE1 rBE1 rBE2 rCE2
Q1
IB1 IB2 Q2 gm1VBE1 gm2VBE2
Vin Vout
a) b)
Figura 3.11: Structura şi schema echivalentǎ de semnal mic a oglinzii EFA
IE3 IB1 + IB2 IC1 + IC2

Iin = IC1 +IB3 = IC1 + = IC1 + = IC1 + (3.41)
β+1 β+1 β (β + 1)
Utilizând relaţia (3.31) expresia curentului de intrare devine:

Iin = IC1 1+ + IC1 1+ (3.42)
β (β + 1) IS1 VCE1 + VEA β (β + 1)
Curentul de ieşire are aceeaşi expresie ca ı̂n cazul oglinzii simple (ecuatia (3.31)).
Raportul de reflexie rezultǎ:

VCE2 − VCE1
IS2
1+
Iout V IS1
+ VEA
n= = CE1 (3.43)
Iin 1 IS2 VCE2 − VCE1 1
1+ + 1+
β (β + 1) IS1 VCE1 + VEA β (β + 1)
Eroarea sistematicǎ va avea aceeaşi formǎ ca ı̂n relaţia (3.35), dar β este ı̂nlocuit
de β (β + 1). Astfel, ı̂n cazul unui β finit funcţia 1/[β(β +1)] va tinde la 0 mult
mai rapid decât 1/β, iar eroarea sistematicǎ datoratǎ lui β este mult redusǎ.
Observaţie: aceastǎ oglindǎ este ı̂n continuare sensibilǎ la erorile dato-

rate dezechilibrului tensiunilor colector-emitor şi neı̂mperecherii aleatoare a
ariilor. Corecţia rezolvǎ numai problemele legate de β.
Rezistenţa de intrare se calculeazǎ din schema echivalentǎ de semnal mic datǎ

ı̂n Figura 3.11 b). Scriind teoremele lui Kirchhoff şi legea lui Ohm se ajunge la
sistemul de ecuaţii (3.44). Din schema de semnal mic se observǎ cǎ rezistenţa
rCE2 este conectatǎ cu ambele borne la masǎ. Drept urmare, curentul prin ea
este zero. Deasemenea, sursa gm2 VBE2 extrage şi injecteazǎ acelaşi curent ı̂n
nodul de masǎ şi astfel nu contribuie la echilibrul curenţilor (se neglijeazǎ).



Vin = VBE3 + VBE1

Vin


Iin = gm1 VBE1 + r + IB3



CE1
(3.44)


VBE3 = rBE3 IB3


VBE1 VBE1


IB3 + gm3 VBE3 − =


rCE3 rBE1 || rBE2
Rezolvarea acestui sistem duce la urmǎtoarea expresie a rezistenţei de intrare:
 1
Rin =

 1 1 gm1
+ +

rBE3 + rech 1 + rBE3

rCE1 (3.45)


 rech

rech = (1 + gm3 rBE3 ) (rBE1 || rBE2 || rCE3 )

Ţinând cont de faptul cǎ rCE şi rBE sunt mult mai mari decât 1/gm , expresia
rezistenţei de ieşire se aproximeazǎ:
1
Rin ∼
= (3.46)
gm1
Se observǎ cǎ valoarea rezistenţei de intrare este similarǎ cu cea a oglinzii simple.
La calculul rezistenţei de ieşire Iin se considerǎ egal cu zero. Drept urmare

nodul de intrare va fi un nod flotant al cǎrui potenţial se stabileşte prin echilibrul
curenţilor şi tensiunilor ı̂n restul circuitului. Se poate scrie urmǎtorul sistem de
ecuaţii:



Vin = VBE3 + VBE1

Vin


gm1 VBE1 + r + IB3 = 0



CE1
(3.47)


VBE3 = rBE3 IB3


VBE1 VBE1


IB3 + gm3 VBE3 − =


rCE3 rBE1 || rBE2
Rezolvând sistemul, rezistenţa de ieşire se scrie:

VBE1 = VBE2 = 0
(3.48)
CE2 (Iout − gm2 rBE2 ) = Iout rCE2
V = r
out
Astfel:
Vout
Rout = = rCE2 (3.49)
Iout
Tensiunea minimǎ la ieşire este aceeaşi ca la oglinda bipolarǎ simplǎ.
3.3.3 Oglinda de curent bipolarǎ cu degenerare rezistivǎ

Oglinda bipolarǎ simplǎ şi cea cu compensare de β nu rezolvǎ problema rezisten-
ţei de ieşire relativ reduse. Ca şi ı̂n cazul oglinzilor MOS, o soluţie ar fi in-
troducerea unei reacţii negative prin douǎ rezistenţe conectate ı̂n emitoarele
tranzistoarelor ca ı̂n Figura 3.12 a).
Iin Iout
Iin IB2 Iout Iout
IC1 IC2 rBE1 gm1VBE1 rCE1 rBE2 gm2VBE2 rCE2
Q1 Q2
IB1 IB2
Vin Vout
R1 R2 R1 R2
a) b)
Figura 3.12: Oglinda bipolarǎ cu degenerare rezistivǎ
Considerând tranzistoarele perfect ı̂mperecheate şi β tinzând la infinit

(Iin = IC1 ), teorema lui Kirchhoff pentru tensiunile pe ramuri se scrie:
VBE1 + Iin R1 = VBE2 + Iout R2 (3.50)
Dacǎ tensiunile bazǎ-emitor sunt egale (aproximativ acelaşi curent şi aceeaşi
arie) atunci raportul de reflexie rezultǎ:
Iout ∼ R1
n= = (3.51)
Iin R2
Observaţie: raportul de reflexie este ı̂n continuare influenţat de β finit şi

de dezechilibrul tensiunilor colector-emitor ale tranzistoarelor.
Observaţie: pentru a obţine un raport de reflexie diferit de unitate

este necesarǎ şi scalarea ariilor celor douǎ tranzistoare (pe lânga scalarea
rezistenţelor). Ecuatia (3.51) este validǎ sub aceastǎ formǎ numai dacǎ
VBE1 = VBE2 . Dacǎ aceasta condiţie nu este ı̂ndeplinitǎ atunci raportul de
reflexie rezultǎ diferit de unitate, dar valoarea va fi diferitǎ de cea doritǎ.
(a se vedea exemplul)
Exemplu: dacǎ se doreşte un factor de reflexie egal cu 2 atunci se alege R1 =

2R2 . Suplimentar, aria tranzistorului Q2 trebuie sǎ fie de douǎ ori mai mare.
În acest caz raportul de reflexie va fi aproximativ 2, cu eroarea introdusǎ de β

finit şi de dezechilibrul tensiunilor.
Rezistenţa de intrare se calculeazǎ din schema echivalentǎ de semnal mic din

Figura 3.12 b) pentru Vout = 0. Teoremele lui Kirchhoff şi legea lui Ohm duc
la urmǎtorul sistem de ecuaţii:

1
Vin = R1 + rBE1 || || rCE1 (Iin − IB2 )


gm1






Vout = rCE2 (Iout − gm2 VBE2 ) + R2 (Iout + IB2 ) = 0

(3.52)

VBE2 = rBE2 IB2







V = V
in BE2 + R2 (Iout + IB2 )
Rezistenţa de intrare rezultǎ:
1
R1 + rBE1 || || rCE1
Vin gm1 ∼ 1
Rin = = = R1 + (3.53)
Iin 1 gm1
R1 + rBE1 || || rCE1
gm1
1+
rBE2 + (1 + gm2 rBE2 ) (R2 || rCE2 )
La aproximare s-a considerat R1 de ordinul kΩ-lor. Dacǎ R1 este mai mare, de

exemplu 100kΩ, atunci conteazǎ toţi termenii fracţiei.
Pentru a determina rezistenţa de ieşire se scrie urmǎtorul sistem de ecuaţii:


Vout = rCE2 (Iout − gm2 VBE2 ) + R2 (Iout + IB2 )




VBE2 = rBE2 IB2




1

VBE2 + R2 (Iout + IB2 ) = R1 + rBE1 || || rCE1 (Iin − IB2 )



 gm1


I = 0
in
(3.54)
Rezistenţa de ieşire este raportul dintre tensiunea şi curentul de ieşire. Aceasta
este de forma:
 
rech

 1+
gm2 R2


   rBE2
Rout = rCE2 
1 +
 + R2


R2 rech  R2 rech
1+ + 1+ + (3.55)

 rBE2 rBE2 rBE2 rBE2


 1
rech
 = R1 + rBE1 || || rCE1
gm1
Expresia aproximativǎ a lui Rout este:
Rout = rCE2 + R2 + gm2 rCE2 R2 ∼

= gm2 rCE2 R2 (3.56)
Observaţie: din ecuaţia (3.56) se observǎ cǎ rezistenţa de ieşire are aceeaşi
formǎ ca la sursele de curent MOS. Rezistenţa de ieşire aproximativǎ a unei
structuri de tip cascodǎ se scrie ı̂n totdeauna ca un produs ı̂ntre câştigul
tranzistorului cascodǎ (gmcas rCE(DS)cas ) şi rezistenţa echivalentǎ vǎzutǎ ı̂n
emitor/sursǎ.
Tensiunea minimǎ la ieşire trebuie sǎ permitǎ funcţionarea tranzistorului Q2 ı̂n

regiunea activǎ normalǎ şi sǎ acopere cǎderea de tensiune Iout R2 pe rezistenţǎ.
Dacǎ se doreşte obţinerea unei rezistenţe de ieşire foarte mari, aceastǎ cǎdere
de tensiune devine semnificativǎ. În practicǎ rezistenţa pasivǎ se ı̂nlocuieşte
adesea cu o sursǎ de curent care permite o rezistenţǎ echivalentǎ similarǎ cu
R2 , dar cu avantajul unei cǎderi de tensiune mult mai reduse. Astfel se ajunge
la structura cascodǎ.
3.3.4 Oglinda cascodǎ bipolarǎ

Structura circuitului este datǎ ı̂n Figura 3.13.
Iin Iout
IC3 IC4
Q3 Q4
IB3 IB4
IE3 IE4
IC1 IC2
Q1 Q2
IB1 IB2
Figura 3.13: Oglinda cascodǎ bipolarǎ
Forma generalǎ a raportului de reflexie se deduce ı̂n mod similar ca la oglinzile

discutate anterior. Pentru ı̂nceput se scrie curentul de intrare având urmǎtoarea
formǎ:
βIE3 IE3 βIE4 IE4

Iin = IC3 + IB3 + IB4 = + + = IE3 + (3.57)
β+1 β+1 β+1 β+1
Identificând IE3 şi IE4 de pe schema circuitului se obţine:

IC2 IC1 IC2 IC2

Iin = (IC1 + IB1 + IB2 ) + = IC1 + + + (3.58)
β+1 β β β+1
În urmǎtorul pas se ţine cont de relaţia (3.31) dintre IC1 şi IC2 . Rezultǎ:

1 IS2 VCE2 − VCE1 1 1
Iin = IC1 1+ + IC1 1+ + (3.59)
β IS1 VCE1 + VEA β β+1
Curentul de ieşire se scrie:

β β IS2 VCE2 − VCE1 β
Iout = IC4 = IE4 = IC2 = IC1 1+
β+1 β+1 IS1 VCE1 + VEA β+1
(3.60)
Raportul de reflexie se obţine ı̂mpǎrţind ecuaţiile (3.60) şi (3.59).

IS2 VCE2 − VCE1 β
1+
IS1 VCE1 + VEA β + 1
n= (3.61)
1 IS2 VCE2 − VCE1 2β + 1
1+ + 1+
β IS1 VCE1 + VEA β (β + 1)
Eroarea sistematicǎ (faţǎ de unitate) rezultǎ:

VCE2 − VCE1 β
1+
V + VEA β + 1
= −1 + CE1 (3.62)
1 IS2 VCE2 − VCE1 2β + 1
1+ + 1+
β IS1 VCE1 + VEA β (β + 1)
Se observǎ cǎ eroarea sistematicǎ depinde ı̂n continuare de β şi de diferenţa de

tensiune VCE2 − VCE1 . Dacǎ curenţii prin tranzistoarele Q3 şi Q4 sunt apro-
ximativ egali atunci se poate spune cǎ şi VBE3 = VBE4 . Astfel, tranzistoarele
cascodǎ echilibreazǎ tensiunile colector-emitor, iar eroarea raportului de reflexie
va depinde foarte puţin de VCE2 − VCE1 . Dacǎ tranzistoarele sunt identice,
factorul de reflexie se aproximeazǎ:
β2
n= (3.63)
β 2 + 4β + 2
Calculul riguros al rezistenţei de intrare este relativ complicat datoritǎ curenţi-

lor de bazǎ şi rezistenţelor bazǎ-emitor finite ale tranzistoarelor. O expresie
aproximativǎ este datǎ ı̂n urmǎtoarea ecuaţie (similarǎ ca la varianta MOS):
1 1
Rin ∼
= + (3.64)
gm3 gm1
Calculul riguros este din nou relativ complicat. Drept urmare ı̂n ecuaţia (3.65)
este datǎ expresia aproximativǎ a rezistenţei de ieşire.
gm4 rCE4 rCE2 rBE4

Rout ∼
= (3.65)
gm2
rBE4 + rCE2 1 +
gm1
Tensiunea minimǎ la ieşire trebuie sǎ asigure funcţionarea tranzistoarelor Q2 şi

Q4 ı̂n regiunea activǎ normalǎ.
3.3.5 Oglinda Wilson bipolarǎ

Varianta bipolarǎ a oglinzii de curent Wilson utilizeazǎ aceeaşi reacţie nega-
tivǎ ca şi implementarea MOS pentru a mǎri rezistenţa de ieşire a circuitului.
Schemele oglinzii simple şi a oglinzii ehilibrate sunt date ı̂n Figura 3.14. În
continuare se discutǎ numai varianta echilibratǎ.
Forma generalǎ a raportului de reflexie se calculeazǎ ı̂n mod similar ca şi pentru
celelalte oglinzi bipolare discutate anterior. Dupǎ calcule raportul de reflexie al
oglinzii Wilson echilibrate se obţine:
Iin Iout
Iin Iout
IC4 IC3
Q3
Q4 Q3
IB3
IE3 IB4 IB3
IE4 IE3
IC1 IC2 IC1 IC2
Q1 Q2 Q1 Q2
IB1 IB2 IB1 IB2
Figura 3.14: Oglinzile bipolare Wilson a) simplǎ şi b) echilibratǎ

1 IS2 VCE2 − VCE1
+ 1+
1 + β IS1 V + VEA
n= CE1 (3.66)
1+ + 1+
β (β + 1) IS1 VCE1 + VEA β
În cazul particular ı̂n care tranzistoarele sunt identice (aceeaşi arie a emitorului)
şi VCE1 = VCE2 (tranzistoarele Q3 şi Q4 echilibreazǎ oglinda Q1 -Q2 ), raportul
de reflexie va fi o funcţie numai de β, expresia lui fiind urmǎtoarea:
β 2 + 2β
n= (3.67)
β 2 + 4β + 2
Expresia aproximativǎ a rezistenţei de intrare este:
rBE3 (gm2 + gm3 ) ∼ 1 1

Rin ∼
= = + (3.68)
gm2 + gm1 gm3 rBE3 gm3 gm1
Se observǎ cǎ rezistenţa de ieşire aproximativǎ are aceeaşi expresie ca şi ı̂n cazul
oglinzii cascodǎ clasice. În calcule s-a ţinut seama de egalitatea lui gm1 cu gm2 .
Aceastǎ egalitate este valabilǎ numai dacǎ raportul de reflexie al oglinzii este
unitar.
Rezistenţa de ieşire aproximativǎ se scrie:
rCE1
gm1 gm3 rCE1 rCE3 +
∼ rBE3
Rout = (3.69)
rCE1 rCE1
gm2 1 + + gm1
rBE3 rBE3
Tensiunea minimǎ la ieşire trebuie sǎ asigure funcţionarea tranzistoarelor Q2 şi

Q3 ı̂n regiunea activǎ normalǎ. Din structura circuitului se observǎ cǎ tran-
zistorul Q2 va funcţiona ı̂n RAN datoritǎ conexiunii de diodǎ. Drept urmare
tensiunea minimǎ teoreticǎ la ieşire este ceva mai mare decât la oglinda cascodǎ.
În practicǎ, punând condiţia VCE = VBE pentru fiecare tranzistor, rezultǎ valori
similare pentru tensiunea minimǎ la ieşire ca şi pentru oglinda cascodǎ bipolarǎ.
3.4 Sumar
În acest capitol s-au studiat structurile de oglinzi de curent MOS şi bipolare.
Accentul s-a pus pe comportamentul de curent continuu şi caracteristicile de
semnal mic ale circuitelor. Fiecare oglindǎ a fost caracterizatǎ prin factorul de
reflexie, tensiunea minimǎ la ieşire, rezistenţa de intrare şi rezistenţa de ieşire.
La oglinzile MOS raportul de reflexie depinde de neı̂mperecherea geometricǎ a

tranzistoarelor şi de dezechilibrul tensiunilor drenǎ-sursǎ ale tranzistoarelor din
oglinda fundamentalǎ. Adiţional, la oglinzile bipolare mai apare şi dependenţa
de câştigul de curent finit al tranzistoarelor bipolare. Soluţia care ı̂mbunǎtǎţeste
performanţele oglinzilor (ı̂n general precizia raportului de reflexie şi rezistenţa
de ieşire) este alegerea unor structuri de tip cascodǎ.
Bibliografie:


Press, 1987
4. A. Manolescu - Analog Integrated Circuits, editura Foton International,

1999
Capitolul 4
Referinţe electronice
Referinţele de curent şi de tensiune sunt implementǎrile cu dispozitive active

ale unor surse ideale. Ele furnizeazǎ o tensiune sau un curent independent de
sarcinǎ, de temperaturǎ şi de tensiunea de alimentare.
În realitate, termenul de referinţǎ este utilizat pentru a denumi circuitele care
genereazǎ tensiuni şi curenţi cu o precizie mai bunǎ şi mai independente de
temperaturǎ şi tensiunea de alimentare decât sursele electronice obişnuite.
Pentru a caracteriza calitativ performanţele unei referinţe, trebuie luate ı̂n con-
siderare dependenţele curentului sau tensiunii generate de temperaturǎ precum
şi de parametrii de circuit. Astfel referinţele se caracterizeazǎ prin doi parametrii
principali: senzitivitatea şi coeficientul de temperaturǎ.
Senzitivitatea este o mǎrime relativǎ şi se defineşte astfel:
y ∂Xref y
SXref = · (4.1)
∂y Xref
În aceastǎ ecuaţie Xref este tensiunea sau curentul generat, iar y este parame-
trul de circuit care introduce dependenţa (de ex. tensiunea de alimentare sau
o rezistenţǎ).
Coeficientul de temperaturǎ este senzitivitatea la variaţii ale temperaturii de

funcţionare, normatǎ la 1◦ C.
68 CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE
∂Xref 1
TC = · (4.2)
∂T Xref
Coeficientul de temperaturǎ este dat de regulǎ ı̂n V(A)/◦ C sau ı̂n ppm/◦ C.
Majoritatea parametrilor de circuit care intervin ı̂n expresia curentului sau a

tensiunii de referinţǎ depind de temperaturǎ. Astfel determinarea riguroasǎ a
coeficientului de temperaturǎ poate deveni foarte laborioasǎ.
4.1 Referinţǎ simplǎ cu divizor de tensiune

Cea mai simplǎ implementare a unei surse de tensiune este un divizor de
tensiune. Pentru realizǎri practice se pot utiliza elemente pasive sau active.
Schema circuitului este datǎ ı̂n Figura 4.1.
VDD VCC
I I
M2
R1
Vref Vref
R2
M1
Figura 4.1: Referinţǎ cu divizor de tensiune
Expresia tensiunii de ieşire se poate gǎsi uşor scriind regula divizorului de ten-
siune.
R2
Vref = · VDD (4.3)
R1 + R2
Aceastǎ ecuaţie este validǎ numai dacǎ circuitul funcţioneazǎ ı̂n gol sau dacǎ
rezistenţa de sarcinǎ este foarte mare.
CAPITOLUL 4. REFERINŢE ELECTRONICE 69
Senzitivitatea cu tensiunea de alimentare se calculeazǎ dupǎ cum urmeazǎ:
V
ref ∂Vref VDD R2 · VDD R1 + R2
SVDD = · = · =1 (4.4)
∂VDD Vref R1 + R2 R1 · VDD
Senzitivitatea fiind unitarǎ, o variaţie de 10% a tensiunii de alimentare (uzualǎ

de altfel ı̂n practicǎ) va produce o variaţie de 10% a tensiunii de referinţǎ.
Coeficientul de temperaturǎ depinde de variaţia raportului de rezistenţe precum

şi de variaţia tensiunii de alimentare cu temperatura. Coeficientul de tempera-
turǎ al unui raport de rezistenţe de acelaşi tip este foarte redus. Prin urmare
factorul care influenţeazǎ variaţia lui Vref cu temperatura este VDD .
Tensiunea de referinţǎ furnizatǎ de varianta activǎ a circuitului se calculeazǎ

din urmǎtorul sistem de ecuaţii:



ID1 = βn · (VGS1 − VT hn )2

ID2 = βp · (VSG2 − |VT hp |)2

(4.5)
k W k W

βn = n 1 βp = p 2



2L1 2L2
Exprimând tensiunile VGS ale celor douǎ tranzistoare rezultǎ ecuaţiile de dispo-
zitiv:
 r
ID1
V = VT hn +


 GS1

 βn
s (4.6)
 ID2
VSG2 = |VT hp | +


βp

Din circuit se mai obţine:
(
VDD − VSG2 = Vref
(4.7)
VGS1 = Vref
Din combinaţia sistemelor (4.6) şi (4.7) rezultǎ curentul prin circuit. În calcule
se considerǎ ID1 = ID2 .
√ VDD − |VT hp | − VT hn
I= (4.8)
1 1
√ +p
βn βp
Ştiind cǎ VGS1 = Vref şi considerând expresia lui VGS1 ı̂n funcţie de curent, se
ajunge la urmǎtoarea expresie a tensiunii de referinţǎ:
VDD − VT hn − |VT hp |
Vref = VT hn + s (4.9)
βn
1+
βp
Senzitivitatea cu tensiunea de alimentare se obţine prin calculul derivatei.
Vref ∂Vref VDD VDD

SVDD = · = s (4.10)
∂VDD Vref βn
VDD + VT hn − |VT hp |
βp
În cazul particular ı̂n care βn = βp şi VT hn = |VT hp | senzitivitatea este egalǎ
cu unitatea. În practicǎ acest caz particular este foarte puţin probabil.
Coeficientul de variaţie cu temperatura al implementǎrii active se determinǎ

calculând derivatele parţiale ı̂n raport cu toţi parametrii de circuit care variazǎ
cu temperatura. Astfel se poate scrie:
∂Vref 1
T CVref = · = f T CVDD , T CVT hn , T CVT hp , T Cβn , T Cβp (4.11)
∂T Vref
Calculul matematic riguros al lui T CVref este relativ laborios.
Din expresia senzitivitǎţii şi coeficientului de temperaturǎ se observǎ cǎ tensiu-

nea furnizatǎ de referinţǎ este puternic dependentǎ de tensiunea de alimentare şi
de temperaturǎ. Aceastǎ dependenţǎ se datoreazǎ faptului cǎ Vref este definitǎ
de curentul de echilibru prin circuit, care la rândul lui depinde proporţional de

VDD . O ı̂mbunǎtǎţire s-ar putea aduce circuitului dacǎ Vref ar depinde neliniar
de curentul de echilibru. Dependenţa neliniarǎ se poate realiza prin ı̂nlocuirea
rezistenţei la masǎ cu un element neliniar, tipic o diodǎ bipolarǎ sau MOS.
4.2 Referinţa de tensiune cu diodǎ

bipolarǎ şi MOS
Schemele referinţelor de tensiune cu diodǎ bipolarǎ şi diodǎ MOS sunt date ı̂n
Figura 4.2.
VDD VCC
I I
R R
Vref Vref
M1 Q1
Figura 4.2: Referinţa de tensiune cu diodǎ bipolarǎ şi diodǎ MOS
Expresia tensiunii de ieşire şi senzitivitatea cu VDD se pot determina cu metode

similare ca la referinţa cu divizor de tensiune. Presupunând cǎ referinţa este
izolatǎ de sarcinǎ (functioneazǎ ı̂n gol) punctele statice de funcţionare se gǎsesc
la intersecţia dintre caracteristicile tranzistoarelor şi dreapta de sarcinǎ.
Varianta MOS
Pentru varianta MOS se scrie urmǎtorul sistem de ecuaţii:

VDD − Vref

I =


R r (4.12)
I
Vref = VGS = VT h +


β
unde β are aceeaşi semnificaţie ca la circuitele discutate anterior.
Tensiunea de referinţǎ rezultǎ:

s
VDD − Vref
Vref = VT h + (4.13)
β·R
Aceastǎ ecuaţie are soluţii multiple (prin rearanjarea termenilor rezultǎ o ecuaţie
de gradul 2). Calculul riguros al soluţiilor nu este neapǎrat necesar pentru
a determina senzitivitatea tensiunii de referinţǎ cu tensiunea de alimentare.
Senzitivitatea se obţine cu metoda clasicǎ prin calculul derivatelor.
Vref ∂Vref VDD VDD

SVDD = · = p (4.14)
∂VDD Vref 2Vref β · R · (VDD − Vref )
Coeficientul de temperaturǎ este din nou o funcţie de variaţiile cu temperatura

ale tuturor parametrilor de circuit. Determinarea expresiei exacte se face prin
derivare ı̂n raport cu temperatura.
∂Vref 1
T CVref = · = f (T CVDD , T CVT h , T Cβ , T CR ) (4.15)
∂T Vref
Varianta bipolarǎ
Sistemul de ecuaţii care caracterizeazǎ punctul static de funcţionare se scrie:

I

Vref = VBE = VT · ln I


S
(4.16)

 VCC − Vref
I=
R
Tensiunea de referinţǎ rezultǎ:

VCC − Vref
Vref = VT · ln (4.17)
R · IS
Se observǎ cǎ aceastǎ ecuaţie este transcendentǎ. Din acest motiv pentru
rezolvare se utilizeazǎ metode numerice. Senzitivitatea cu VDD se calculeazǎ
cu ajutorul derivatelor parţiale.
V
ref ∂Vref VCC VCC · VT
SVCC = · = (4.18)
∂VCC Vref Vref · (VCC − Vref )
Se observǎ cǎ senzitivitatea scade cu Vref . Acest fapt se datoreazǎ variaţiei

neliniare a lui Vref cu valoarea curentul prin circuit.
Observaţie: comparând senzitivitǎţile variantelor MOS şi bipolare se poate

ajunge la concluzia cǎ implementarea bipolarǎ oferǎ o senzitivitate mai
scǎzutǎ datoritǎ neliniaritǎţii accentuate a funcţiei IC = f (VBE ). Chiar
şi aşa, uneori senzitivitatea nu este suficient de micǎ pentru aplicaţii de pre-
cizie. În aceste cazuri este nevoie de structuri speciale care sǎ compenseze
dependenţele de VDD .
Coeficientul de temperaturǎ se scrie:
T CVref = f (T CVCC , T CVT , T CR , T CIS ) (4.19)
Un dezavantaj al referinţei cu diodǎ simplǎ este domeniul limitat de valori ale

tensiunii de referinţǎ. Din schemǎ rezultǎ cǎ Vref este ı̂ntotdeauna egal cu
tensiunile grilǎ-sursǎ sau bazǎ-emitor ale tranzistoarelor.
O extensie a domeniului de valori se obţine prin introducerea unui divizor de

tensiune rezistiv ca ı̂n Figura 4.3. Tensiunea de referinţǎ pentru varianta MOS
se scrie:
s !
R1 VDD − Vref
Vref = 1+ VT h + (4.20)
R2 β·R
VDD VCC
I I
R R
R1 R1
Vref Vref
M1 Q1
R2 R2
Figura 4.3: Referinţa de tensiune cu diodǎ şi domeniu extins de valori
În mod similar pentru varianta bipolarǎ rezultǎ:

R1 VCC − Vref
Vref = VT 1+ ln (4.21)
R2 R · IS
4.3 Referinţa de tensiune cu diodǎ Zener

Din comparaţia referinţelor de tensiune cu dioda MOS şi dioda bipolarǎ a re-
zultat cǎ o dependenťǎ mai neliniarǎ a tensiunii pe diodǎ (proporţionalǎ sau
egalǎ cu Vref ) duce la o senzitivitate mai scǎzutǎ cu VDD . Intuitiv, cu cât
variaţia curentului prin diodǎ cu tensiunea aplicatǎ (VGS sau VBE ) este mai
abruptǎ, cu atât senzitivitatea cu VDD scade. Aceastǎ proprietate a circuitului
este exploatatǎ prin utilizarea unor diode Zener cu caracteristica VD = f (ID )
foarte abruptǎ. Figura 4.4 prezintǎ referinţa de tensiune cu o diodǎ Zener şi
variaţia curentului cu tensiunea pe diodǎ. Punctul static de funcţionare este
determinat tot de intersecţia caracteristicii diodei cu dreapta de sarcinǎ.
Dioda Zener este utilizatǎ ı̂n regim de strǎpungere pentru a implementa carac-
teristica tensiune-curent abruptǎ. Tensiunea de strǎpungere VBV este puternic
dependentǎ de concentraţia purtǎtorilor de sarcinǎ din regiunile p+ şi n+ ale
joncţiunii.
VDD
I
I
R VDD/R
D Vref IPSF
VBV VDD V
Figura 4.4: Referinţa de tensiune cu diodǎ Zener
Dezavantajul major al circuitului este faptul cǎ ı̂n tehnologiile MOS tensiunea de
strǎpungere are valori ridicate, tipic 5-6V. Astfel referinţa nu poate fi utilizatǎ
ı̂n circuitele de joasǎ tensiune unde alimentarea nu depǎşeste 2,5-3V.
4.4 Referinţǎ de curent cu oglindǎ simplǎ

de curent
Referinţa de tensiune cu diodǎ discutatǎ anterior se poate transforma ı̂ntr-o

referinţǎ de curent prin copierea curentului din circuit cu o oglindǎ de curent.
Prin adǎugarea unui tranzistor de ieşire din oglindǎ rezultǎ schema din Figura
4.5.
Dacǎ tranzistoarele sunt identice şi oglinzile echilibrate, atunci senzitivitatea

curentului de ieşire cu VDD va fi egalǎ cu senzitivitatea lui Iref . O ı̂mbunǎtǎţire
a senzitivitǎţii este posibilǎ dacǎ senzitivitatea curentului Iref ar fi scalatǎ cu
un coeficient subunitar. Aceastǎ scalare se poate implementa dacǎ o parte din
tensiunea VGS (VBE ) creatǎ de curentul Iref ar fi preluatǎ de un element liniar.
Astfel s-ar introduce o dependenţǎ mai slabǎ a curentului de ieşire cu VDD .
Circuitul rezultat se numeşte oglindǎ de curent sau referinţǎ Widlar.
VDD VCC
Iref Iref
R Io R Io
M1 M2 Q1 Q2
Figura 4.5: Referinţǎ de curent cu oglindǎ de curent simplǎ
4.5 Referinţa de curent Widlar

Referinţa Widlar se poate implementa atât cu tranzistoare MOS cât şi cu tran-
zistoare bipolare. Schemele celor douǎ variante sunt date ı̂n Figura 4.6.
VDD VCC
Iref Iref
R1 R1
Io Io
M1 M2 Q1 Q2
R2 R2
Figura 4.6: Referinţǎ de curent Widlar
4.5.1 Referinţa Widlar cu tranzistoare MOS
Funcţionarea circuitului este descrisǎ de urmǎtorul sistem de ecuaţii:



VGS1 = VGS2 + R2 Io

 r
Iref



VGS1 = VT h + (4.22)
 β1
 r
Io



VGS2 = VT h +

β2
Calculând diferenţa tensiunilor grilǎ-sursǎ şi ı̂nlocuind ı̂n prima ecuaţie rezultǎ:
s s
Io Iref
Io R2 + − =0 (4.23)
β2 β1
√
Aceastǎ ecuaţie este de gradul doi cu necunoscuta Io . Soluţia este de forma:
 v 
u s
p 1  1 u 1 Iref 
Io = · − √ ± t + 4R2 (4.24)
2R2 β2 β2 β1

Dat fiind faptul cǎ termenul din stânga este un radical, soluţia acceptatǎ este
numai cea cu semnul plus.
Senzitivitatea curentului de ieşire cu tensiunea de alimentare se determinǎ prin

calculul derivatelor din ecuaţia (4.23) şi identificarea senzitivitǎţilor SVIoDD şi
SVIref
DD .
r
Iref
I β1 I Vod1
SVIoDD = SVref · s = SVref · (4.25)
DD
Iref
r
Io
DD 2Vod1 − Vod2
2 −
β1 β2
Din prima ecuaţie a sistemului (4.22) rezulta ca VGS1 > VGS2 . Aceastǎ inega-
litate este valabilǎ şi pentru perechea Vod1 şi Vod2 . Astfel:
I
SVIoDD = k · SVref
DD
, k<1 (4.26)
4.5.2 Referinţa Widlar cu tranzistoare bipolare

Sistemul de ecuaţii care descrie funcţionarea circuitului se scrie:

V = VBE2 + R2 Io
 BE1



Iref


VBE1 = VT · ln

IS1 (4.27)


Io


VBE2 = VT · ln


IS2
Înlocuind ı̂n prima ecuaţie tensiunile bazǎ-emitor se obţine:

Io IS1
Io R2 + VT · ln · =0 (4.28)
Iref IS2
Curentul de ieşire rezultǎ:

VT Iref IS2
Io = · ln · (4.29)
R2 Io IS1
Aceastǎ ecuaţie este transcendentǎ, prin urmare valoarea curentului de ieşire se

determinǎ prin metode numerice.
Observaţie: curentul de ieşire depinde direct proporţional de VT deci de

temperatura absolutǎ. Astfel, putem spune cǎ referinţa de curent Widlar
cu tranzistoare bipolare genereazǎ un curent de tip PTAT (Proportional To
Absolute Temperature). Pentru a fi PTAT curentul trebuie sǎ fie indepen-
dent de curentul de saturaţie al tranzistoarelor, IS .
Senzitivitatea curentului de ieşire cu VDD se calculeazǎ similar ca la varianta

MOS, rezultând:
I VT I
SVIoCC = SVref · = k · SVref , k<1 (4.30)
CC VT + R2 Io CC
Senzitivitatea se poate ı̂mbunǎtǎţi dacǎ ı̂ntreaga tensiune VGS2 (VBE2 ) este

preluatǎ de o rezistenţǎ pasivǎ astfel ı̂ncât valoarea curentului de ieşire nu va
mai depinde de VGS2 (VBE2 ).
4.6 Referinţa de curent VT h şi VBE

Structura circuitului rezultǎ din observaţia de mai sus şi este datǎ ı̂n Figura 4.7.
VDD VCC
Iref Iref
R1 Io R1 Io
M2 Q2
M1 Q1
R2 R2
Figura 4.7: Referinţǎ de curent VT h şi VBE
În aceastǎ structurǎ rolul tranzistorului M2 (Q2 ) este sǎ acţioneze ca tampon
şi sǎ stabileascǎ rezistenţa de ieşire a circuitului.
Curenţii de ieşire se scriu:
 r
Iref
VT h +


V


IoM OS = GS1 =

 β1
R2 R2

(4.31)
 Iref
VT ln


V IS1

IoT B = BE1 =



R2 R2
Prin derivare se gǎsesc senzitivitǎţile curenţilor de ieşire cu tensiunea de alimen-

tare.
Vod1

IoM OS Iref
SVDD = SVDD ·


2 (Vod1 + VT h )
(4.32)
VT
SVIoT B = SVIref

 ·
CC CC VBE1
Prin calcule numerice se poate demonstra cǎ referinţele de tip VT h şi VBE
au senzitivitǎţi mai reduse cu tensiunea de alimentare decât oglinzile Widlar
corespunzǎtoare.
4.7 Referinţe independente de VDD

Curenţii şi tensiunile furnizate de referinţele studiate depind de tensiunea de
alimentare, având o senzitivitate nenulǎ cu VDD .
VDD VDD
M3 M4 M5 M3 M4 M5
Rp Rp
I5 I5
M7 Iref M7 Iref
Io Io
I6
M2 I6
M1 M2 M6
M8 M8
M1 M6
R R
Circuit de pornire Circuit de pornire
Figura 4.8: Referinţǎ bootstrap
La referinţele studiate pânǎ ı̂n acest moment curentul de ieşire depinde de

tensiunea de alimentare prin intermediul curentului de referinţǎ Iref . La rândul
lui Iref depinde de VDD prin metoda cu care a fost generat (echilibrul din prima
ramurǎ, duce la o cǎdere de tensiune pe o dioda MOS sau bipolarǎ). Intuitiv,
dacǎ Iref ar fi generat cu ajutorul lui Io , fǎrǎ o dependenţǎ de VDD , atunci
curentul de ieşire ar fi teoretic independent de tensiunea de alimentare. Acest
lucru este posibil prin dubla definiţie a curentului de ieşire şi fenomenul numit
”bootstrapping”.
Generarea curentului Iref cu ajutorul lui Io se face prin simpla copiere a curen-
tului Io ı̂n cealaltǎ ramurǎ printr-o oglindǎ de curent. Schema circuitului este
Cele douǎ variante se bazeazǎ pe referinţele Widlar şi VT h cu tranzistoare MOS.

Tranzistoarele M5 şi M6 preiau şi distribuie curentul de ieşire spre alte circuite
dupǎ necesitate.
Ecuaţiile care descriu funcţionarea circuitului sunt urmǎtoarele (scrise pentru

varianta cu referinţa VT h ):

VGS1 = Io R


r (4.33)
Iref
VGS1 = VT h +


β1
Dacǎ se considerǎ tranzistoarele M3 şi M4 identice şi se neglijeazǎ neidealitǎţile

oglinzii de curent rezultǎ Iref = Io . În aceste condiţii, din sistemul (4.33) se
poate obţine expresia curentului de ieşire.
r
p 1 1 1
Io = · √ + + 4RVT h (4.34)
2R β1 β1
Se observǎ cǎ aceastǎ ecuaţie nu conţine elemente dependente de tensiunea de

alimentare. Drept urmare, senzitivitatea curentului de ieşire cu tensiunea de
alimentare este zero.
Observaţie: ı̂n realitate eroarea raportului de reflexie al oglinzii PMOS

depinde de dezechilibrul tensiunilor drenǎ-sursǎ ale tranzistoarelor. Deze-
chilibrul conţine ı̂n expresia sa tensiunea de alimentare VDD . Astfel, dacǎ
raportul de reflexie nu este precis, senzitivitatea va avea o valoare diferitǎ
de zero.
Observaţie: datoritǎ principiului de funcţionare, circuitul are douǎ puncte

de echilibru. Primul punct este ı̂n origine, unde atât Iref cât şi Io sunt zero.
Al doilea punct este definit de egalitatea lui Iref şi Io la valori diferite de
zero. Pentru a ne asigura cǎ circuitul pǎrǎseşte punctul static nedorit din
origine trebuie sǎ adaugǎm un circuit de pornire.
Circuitul de pornire asigurǎ un curent iniţial prin circuit şi este dezactivat treptat
dacǎ circuitul evolueazǎ spre punctul static de funcţionare definit de ecuaţia
(4.34). Funcţionarea circuitului de pornire din Figura 4.8 este urmǎtoarea:
- Iref = Io = 0 → ı̂n drena lui M1 avem potenţial zero, dar ı̂n grila lui
M7 avem un potenţial egal cu VGS8 → M7 conduce → se injecteazǎ un
curent ı̂n dioda MOS M1 → apare o cǎdere de tensiune pe rezistenţa R
→ apare un curent Io la ieşire → Io este copiat ı̂n ramura de referinţǎ
→ curenţii Iref şi Io vor converge spre o valoare de echilibru prin reacţie
pozitivǎ;
- tototdatǎ potenţialul din drena lui M1 creşte → M7 pierde VGS şi se va

bloca treptat → circuitul de pornire este dezactivat, curentul prin M7
reducându-se la zero.
4.8 Referinţe compensate cu temperatura

Referinţele prezentate pânǎ acum erau puternic influenţate de variaţia tempera-
turii. În practicǎ este adesea necesarǎ generarea unei tensiuni sau a unui curent
stabil cu temperatura. Aceastǎ condiţie este ı̂ndeplinitǎ de referinţele de tip
bandǎ interzisǎ (eng. ”bandgap”).
Tensiunile şi curenţii generaţi de referinţele studiate aveau o variaţie pozitivǎ

sau negativǎ cu temperatura. În continuare se vor considera douǎ tipuri de
tensiuni: VBE şi VBE , prima generatǎ de referinţa de curent de tip VBE , iar a
doua generatǎ de referinţa de curent Widlar cu tranzistoare bipolare.
Variaţia lui VBE cu temperatura
Reamintim variaţia lui VBE cu valoarea curentului printr-un tranzistor bipolar:

IC
VBE = VT · ln (4.35)
IS
La prima vedere s-ar pǎrea cǎ VBE creşte cu temperatura (fiind proporţionalǎ
cu VT ). Pentru a determina sensul de variaţie corect trebuie consideratǎ
urmǎtoarea expresie semi-empiricǎ a curentului de saturaţie:
VG0
−
IS = I0 · e VT (4.36)
În aceastǎ ecuaţie I0 este un curent dependent de procesul de fabricaţie (mult

mai mare decât IS ), iar VG0 este tensiunea de bandǎ interzisǎ a siliciului, ex-
trapolatǎ la temperatura de 0◦ K. Înlocuind expresia lui IS ı̂n ecuaţia (4.35),
rezultǎ:
 
VG0
 IC I0
VBE = VT · ln  · e VT  = VG0 − VT · ln (4.37)

I0 IC
Din aceastǎ ecuaţie se observǎ cǎ tensiunea VBE scade liniar cu temperatura.
Deasemenea, la 0◦ K, VBE este egalǎ cu VG0 . Drept urmare, se poate spune cǎ
VBE este o tensiune de tip CTAT (Complementary To Absolute Temperature).
Variaţia tensiunii ∆VBE cu temperatura
Tensiunea ∆VBE este de fapt o diferenţǎ de tensiuni de tip VBE . Astfel, se

poate scrie:

IC1 IS2
∆VBE = VBE1 − VBE2 = VT · ln · (4.38)
IC2 IS1
Dacǎ cele douǎ tranzistoare sunt identice, atunci ∆VBE va depinde numai de
raportul curenţilor de colector, iar curenţii IS1 şi IS2 se simplificǎ. Astfel,
dependenţa de temperaturǎ a lui IS este eliminatǎ, iar ∆VBE va creşte liniar
cu temperatura. Drept urmare putem spune cǎ ∆VBE este o tensiune de tip
PTAT.
Observaţie: de câte ori avem nevoie de tensiune (sau curent) PTAT, vom
cǎuta sǎ generǎm o tensiune de tip ∆VBE . De câte ori avem nevoie de o
tensiune CTAT, generǎm o tensiune de tip VBE .
Principiul de funcţionare a referinţelor compensate cu temperatura se bazeazǎ

pe ı̂nsumarea ponderatǎ a douǎ tensiuni având coeficientul de temperaturǎ
de semn opus (practic ı̂nsumǎm un PTAT cu un CTAT). Adţional, ambele
tensiuni ar trebui sǎ fie independente de tensiunea de alimentare (se obţine prin
bootstrapping) deoarece sumarea compenseazǎ numai variaţiile cu temperatura.
Schema de principiu a unei referinţe ”bandgap” este datǎ ı̂n Figura 4.9.
VDD
VT
a PTAT
I
I1 aVT
VBE Vo
Q
Figura 4.9: Schema de principiu a unei referinţe ”bandgap”
Tensiunea de ieşire se scrie:
Vo = VBE + a · VT (4.39)
Coeficientul a este o mǎrime constantǎ, independentǎ de temperaturǎ (de cele

V
mai multe ori realizatǎ ca raport de rezistenţe şi/sau de curenţi de saturaţie).
Ţinând cont de expresiile tensiunilor VBE şi ∆VBE , tensiunea de ieşire se scrie:

I0 IC1 IS2
Vo = VG0 − VT · ln + VT · ln · (4.40)
IC IC2 IS1
Dacǎ circuitul este corect dimensionat, atunci termenii dependenţi de tempe-

raturǎ se reduc, iar tensiunea de ieşire va fi aproximativ egalǎ cu VG0 (de aici
numele de ”bandgap”).
Pentru a gǎsi variaţia tensiunii de ieşire cu temperatura se deriveazǎ ecuaţia

(4.39) ı̂n raport cu temperatura. Pentru un calcul corect ar trebui sǎ cunoaştem
valorile exacte ale tensiunilor şi coeficientul lor de variaţie cu temperatura.
4.9 Exemple
Referinţa ”bandgap” de tip Widlar
Una dintre primele implementǎri ale referinţelor ”bandgap”, bazatǎ numai pe

tranzistoare bipolare, este cea datǎ de Widlar. Schema circuitului este prezen-
tatǎ ı̂n Figura 4.10.
VCC
I3
Q4
Rp
Vo
R2 R1
I2 I1
Q3
Q2 Q1
R3
Figura 4.10: Referinţa ”bandgap” de tip Widlar

Pentru simplitate, ı̂n calcule se considerǎ β = ∞. Expresia tensiunii de ieşire

se calculeazǎ din urmǎtorul sistem de ecuaţii:

V = R1 I1 + VBE1
 o


VBE1 = VBE2 + R3 I2 (4.41)


VBE1 + R1 I1 = VBE3 + R2 I2

Dacǎ tranzistoarele Q1 şi Q3 sunt identice, atunci expresia lui I2 se scrie:

VT R2 IS2
I2 = · ln · (4.42)
R3 R1 IS1
Tensiunea de ieşire rezultǎ:

R2 R2 IS2
Vo = VBE1 + VT · · ln · (4.43)
R3 R1 IS1
Din aceastǎ ecuaţie se observǎ cǎ tensiunea de ieşire este compensatǎ cu tem-
peratura.
Observaţie: ı̂n general referinţele ”bandgap” prezintǎ o curburǎ a carac-

teristicii Vo = f (T ) datoratǎ neidealitǎţilor. Punctul de maxim al curbei
semnificǎ un coeficient de temperaturǎ egal cu zero şi se ajusteazǎ la tem-
peratura nominalǎ cu ajutorul elementelor de circuit.
Referinţa ”bandgap” de tip Song
Referinţa ”bandgap” Song foloseşte o oglindǎ Widlar bipolarǎ pentru a ge-

nera curentul PTAT. Oglinda de curent PMOS utilizatǎ pentru compensarea
variaţiilor cu VDD este o oglindǎ cascodǎ care reduce erorile raportului de re-
flexie şi implicit senzitivitatea curentului de ieşire cu VDD . Schema circuitului
este datǎ ı̂n Figura 4.11.
Sistemul de ecuaţii corespunzǎtoare circuitului se scrie:


V = VBE3 + R2 IP T AT
 o


VBE1 = VBE2 + R1 I2 (4.44)


I1 = I2 = IP T AT

Rezultǎ:

R2 IS2
Vo = VBE3 + VT · · ln (4.45)
R1 IS1
VDD
M6 M7 M8
M3 M4 M5
I1 IPTAT
I2 Vo
M1 M2
R2
Q1 Q2 Q3
R1
Figura 4.11: Referinţa ”bandgap” de tip Song
Referinţa ”bandgap” de tip Brokaw

V
Una dintre cele mai cunoscute structuri de referinţe ”bandgap” este celula
Brokaw. Diferenţa dintre tensiunile bazǎ-emitor necesarǎ pentru producerea
curentului PTAT este generatǎ cu ajutorul unui divizor rezistiv de tensiune.
VCC
R1 R2
Vo
-
I1 I2
Q1 Q2
R3
R4
Figura 4.12: Referinţa ”bandgap” cu celulǎ Brokaw
În aceastǎ variantǎ de celulǎ Brokaw amplificatorul operaţional este utilizat ı̂n
configuraţia cu reacţie pentru a egala tensiunile la bornele sale de intrare. Dacǎ
se considerǎ amplificatorul operaţional ideal (tensiune de offset şi curenţi de
polarizare neglijabili) atunci potenţialele de la bornele inversoare şi neinversoare
sunt egale. Astfel, cǎderile de tensiune pe rezistenţele R1 şi R2 sunt egale, iar
curenţii sunt ponderaţi de valorile rezistenţelor.
Sistemul de ecuaţii caracteristic circuitului se scrie:

V = VBE1 + R4 (I1 + I2 )
 o


VBE1 = VBE2 + R3 I2 (4.46)


R1 I1 = R2 I2

Tensiunea de ieşire rezultǎ:

R4 R2 R2 IS2
Vo = VBE1 + VT · · 1+ · ln · (4.47)
R3 R1 R1 IS1
Observaţie: ı̂n realitate variaţia cu temperatura a lui VBE este uşor ne-
liniarǎ, astfel ı̂ncât caracteristica de ieşire a referinţei ”bandgap” variazǎ
cu temperatura ca ı̂n Figura 4.13. Se observǎ cǎ panta caracteristicii se
anuleazǎ la o singurǎ temperaturǎ, consideratǎ temperatura nominalǎ de
proiectare. De multe ori, mai ales la circuitele integrate de joasǎ putere,
aceastǎ temperaturǎ este egalǎ cu cea a camerei (27◦ C).
Vo
T
o o o
-40 C 27 C 100 C
Figura 4.13: Variaţia realǎ a tensiunii de ieşire cu temperatura
4.10 Sumar
În acest capitol s-au prezentat câteva tipuri de referinţe considerate imple-
mentǎri electronice ale surselor ideale. Majoritatea referinţelor simple sunt sen-
sibile la variaţiile tensiunii de alimentare şi ale temperaturii. Pentru a com-
pensa variaţiile cu tensiunea de alimentare se utilizeazǎ procedeul de boots-
trapping care introduce o dubla definiţie a curentului de ieşire eliminând astfel
dependenţa de VDD .
Pentru a compensa variaţiile tensiunii sau curentului generat cu temperatura

se utilizeazǎ ı̂nsumarea unor tensiuni cu coeficienţi de temperaturǎ de semn
opus. În paragrafele dedicate referinţelor de tip bandǎ interzisǎ s-a arǎtat cǎ
aceste referinţe sunt, ı̂n cazul ideal, imune la schimbǎrile de temperaturǎ, dar
ı̂n realitate existǎ o curburǎ a caracteristicii temperaturǎ-tensiune. Elementele
de circuit permit o ajustare a temperaturii nominale la care coeficientul de
temperaturǎ al referinţei se anuleazǎ.
Bibliografie:


Press, 1987

1999.
5. T. H. Lee - The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits,

Cambridge University Press, 1998;
6. J-T. Wu - Voltage and Current References - Lecture Notes, National

Chiao-Tung University, Taiwan, 2003
Capitolul 5
Amplificatoare simple
Amplificatoarele inversoare simple constituie etajele fundamentale ı̂n circuitele

de amplificare mai complexe, cum sunt amplificatoarele operaţionale sau com-
paratoarele integrate.
Structura amplificatoarelor inversoare conţine ı̂ntotdeauna o sursǎ de curent

controlatǎ ı̂n tensiune şi un circuit de sarcinǎ. Mecanismul de amplificare are la
bazǎ principiul de conversie a tensiunii de intrare ı̂n curent, iar apoi acest curent
este injectat ı̂ntr-un nod de ı̂naltǎ impedanţǎ de unde se culege tensiunea de
ieşire.
Discuţia asupra amplificatoarelor simple din aceastǎ secţiune prezintǎ analiza

punctului static de funcţionare, modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ, pre-
cum şi comportamentul la frecvenţe mari.
5.1 Amplificatorul inversor cu sarcinǎ rezistivǎ

La acest tip de amplificator tensiunea de intrare este convertitǎ ı̂n curent de
tranzistorul de intrare. Sarcina este o rezistenţǎ pasivǎ care determinǎ ı̂n ultima
instanţǎ câştigul. Schema circuitului este datǎ ı̂n Figura 5.1.a.
Punctul static de funcţionare
Punctul static de funcţionare se gǎseşte din condiţia de echilibru al circuitului.

Condiţia de echilibru implicǎ egalitatea curenţilor prin rezistenţǎ şi prin tranzis-
tor (presupunând funcţionarea ı̂n gol sau cu sarcinǎ pur capacitivǎ). Punctul
92 CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
static de funcţionare se poate determina ı̂n mod grafic din intersecţia caracte-
risticii de ieşire a tranzistorului M1 şi a dreptei de sarcinǎ (Figura 5.1.b).
VDD I
VDD R
R R
I vout PSF
vin M1 M1
VDD Vout
a) b)
Figura 5.1: Amplificatorul inversor cu sarcinǎ rezistivǎ
Observaţie: fiecǎrei tensiuni de intrare continue (fiecǎrui VGS1 ) ı̂i va cores-

punde un punct de echilibru diferit, circuitul are mai multe puncte statice
de funcţionare posibile
Domeniul de variaţie a tensiunii de ieşire
Punctul static de funcţionare al circuitului trebuie ales astfel ı̂ncât la valori de

vârf ale semnalului tranzistorul sǎ rǎmânǎ ı̂n regim saturat. Invers, pentru un
PSF ales se poate determina domeniul de variaţie a semnalului de ieşire.
În cazul amplificatorului cu sarcinǎ rezistivǎ limita de sus a domeniului de

variaţie este chiar VDD deoarece rezistenţa nu impune reguli asupra cǎderii
de tensiune la bornele sale. Limita de jos este determinatǎ de polarizarea tran-
zistorului care funcţioneazǎ ı̂n regim saturat dacǎ VDS > Vod . Astfel, la un vârf
negativ al semnalului tensiunea instantanee la ieşire nu are voie sǎ scadǎ sub
Vod1 .
CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE 93
Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ
Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ, prezentatı̂n Figura 5.2, ignorǎ efectele
capacitǎţilor parazite şi a capacitǎţii de sarcinǎ asupra funcţionǎrii circuitului.
vin gm1vGS1 rDS1 R vout
Figura 5.2: Schema de semnal mic a amplificatorului cu sarcinǎ rezistivǎ
La construcţia modelului s-a considerat transconductanţa de substrat mult mai

micǎ decât gm , iar nodurile conectate la surse constante au fost pasivizate (de
ex. VDD devine masǎ).
Observaţie: modelul de semnal mic este inerent liniar deoarece descrie

variaţii mici (infinitezimale) ale semnalelor ı̂n jurul punctului static de
funcţionare. Acest lucru ı̂nseamnǎ cǎ o tensiune sinusoidalǎ aplicatǎ la
intrarea modelului va produce la ieşire tot un semnal sinusoidal de aceeaşi
frecvenţǎ.
Observaţie: modelul de semnal mic conţine doar elemente pasive şi surse
comandate. Drept urmare, efectele dinamice din circuit (de ex. limitarea
semnalului sau viteza de variaţie a semnalului) nu sunt modelate.
Câştigul de joasǎ frecvenţǎ se determinǎ scriind teorema lui Kirchhoff şi legea
lui Ohm la nodul de ieşire.
vout vout
gm1 vin + + =0 (5.1)
rDS1 R
Dacǎ se considerǎ rDS1 >> R, rezultǎ:

vout −gm1
A0 = = = −gm1 Rout ∼
= −gm1 R (5.2)
vin 1 1
+
rDS1 R
Observaţie: câştigul de joasǎ frecvenţǎ al unui amplificator simplu de ten-

siune se scrie ı̂ntotdeauna ca produsul dintre transconductanţa tranzistoru-
lui de intrare (conversia tensiune-curent) şi rezistenţa de ieşire (conversia
curent-tensiune).
Pentru amplificatorul cu sarcinǎ rezistivǎ transconductanţa tranzistorului de

intrare este gm1 , iar rezistenţa de ieşire se aproximeazǎ cu R.
Comportamentul ı̂n frecvenţǎ
Pentru a descrie comportamentul ı̂n frecvenţǎ trebuie sǎ ţinem cont de capa-
citǎţile parazite din circuit şi de capacitatea de sarcinǎ. Figura 5.3 prezintǎ
schema amplificatorului cu toate capacitǎţile nodurilor explicitate.
VDD
R
rhz vout
C1
p
M1
vin
M1 C2
Figura 5.3: Schema amplificatorului cu sarcinǎ rezistivǎ şi capacitǎţile ex-

plicitate
Capacitatea C1 este chiar capacitatea grilǎ-drenǎ a tranzistorului M1 . Capa-

citatea C2 conţine toate capacitǎţile parazite conectate la nodul de ieşire şi
capacitatea de sarcinǎ.
Din examinarea schemei se observǎ cǎ nodul de ieşire va introduce un pol ı̂n
funcţia de transfer a circuitului. Etajul fiind inversor, efectul Miller datorat
cuplajului capacitiv prin C1 va produce şi un zero ı̂n semiplanul drept (RHZ
= Right Half-plane Zero). În concluzie, dacǎ se considerǎ o sursǎ de tensiune
idealǎ la intrare, funcţia de transfer a amplificatorului va avea un pol şi un zero
pozitiv.
Schema de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ a circuitului este datǎ ı̂n Figura 5.4.
C1
vin Gmvin Rout C2 vout
Figura 5.4: Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ al amplificatorului

cu sarcinǎ rezistivǎ
Teorema lui Kirchhoff pentru curenţi la nodul de ieşire conduce la urmǎtoarea

funcţie de transfer:

sC1 sC1
gm1 Rout 1 − gm1 Rout 1 −
vout gm1 ∼ gm1
A(s) = =− =− (5.3)
vin 1 + s (C1 + C2 ) Rout 1 + sCL Rout
În aceastǎ ecuaţie capacitatea conectatǎ la nodul de ieşire este dominatǎ de

capacitatea de sarcinǎ. Funcţia de transfer se mai poate scrie sub forma generalǎ
dupǎ cum urmeazǎ:

s
A0 · 1 −
ωrhz
A(s) = − s (5.4)
1+
ωp
Identificând parametrii rezultǎ câştigul de joasǎ frecvenţǎ A0 , frecvenţa polului

fp şi frecvenţa zeroului pozitiv fz .

∼
A0 = −gm1 Rout = −gm1 R



1


fp = (5.5)
 2πRC L
gm1



fz =

2πC1
Diagramele Bode corespunzǎtoare funcţiei de transfer de mai sus sunt date ı̂n
Figura 5.5.
|A(s)|
20
-20
-40
f
Ð A(s) fp frhz
180d
90d
0d f
10KHz 1.0MHz 100MHz 10GHz 1.0THz
Figura 5.5: Caracteristicile de frecvenţǎ ale amplificatorului cu sarcinǎ

rezistivǎ
Pe figurǎ sunt identificate frecvenţele aproximative fp şi fz . Se observǎ cǎ zeroul

pozitiv compenseazǎ cǎderea cu -20dB/decadǎ a caracteristicii de amplitudine,
dar introduce un defazaj suplimentar de −90◦ . Deasemenea trebuie remarcate
ordinele de mǎrime ale celor douǎ frecvenţe şi câştigul de joasǎ frecvenţǎ relativ
redus (< 10).
5.2 Amplificatorul inversor cu sarcinǎ diodǎ

Amplificatorul cu sarcinǎ diodǎ are structura similarǎ cu cea a amplificatorului cu
sarcinǎ rezistivǎ. Sarcina este de aceastǎ datǎ o diodǎ MOS. Schema circuitului
este datǎ ı̂n Figura 5.6.a.
Punctul static de funcţionare se determinǎ din condiţia de echilibru a circuitului

(acelaşi curent prin ambele tranzistoare). În mod grafic, punctul static de
funcţionare este la intersecţia dintre caracteristica de ieşire a tranzistorului M1 şi
caracteristica de transfer a lui M2 (Figura 5.6.b). M2 fiind ı̂ntotdeauna saturat
(diodǎ), caracteristica sa de transfer este o parabolǎ cu vârful ı̂n tensiunea
VDD − |VT hp |.
VDD
I
M2
M2
PSF
I vout
M1 M1
vin
VDD-|VThp| Vout
a) b)
Figura 5.6: Amplificatorul inversor cu sarcinǎ diodǎ

Valoarea instantanee a tensiunii de ieşire trebuie sǎ permitǎ pǎstrarea tranzis-

torului M1 ı̂n regim saturat şi a lui M2 ı̂n conducţie. La evaluarea domeniului
admis de variaţie trebuie luat ı̂n seamǎ şi semnalul suprapus peste componenta
continuǎ. Astfel rezultǎ:
Vod1 + vmax ≤ Vout ≤ VDD − |VT hp | − vmax (5.6)
În aceastǎ inegalitate vmax este amplitudinea semnalului la ieşirea circuitului.
Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ, prezentat ı̂n Figura 5.7, permite
determinarea rezistenţei de ieşire şi a câştigului de joasǎ frecvenţǎ.
vin gm1vGS1 rDS2 vout

rDS1 gm2vGS2
Figura 5.7: Modelul de semnal mic al amplificatorului cu sarcinǎ diodǎ
Câştigul de joasǎ frecvenţǎ se calculeazǎ scriind teorema lui Kirchhoff pentru

curenţi la nodul de ieşire al circuitului. Dacǎ se considerǎ gDS << gm rezultǎ:
vout gm1 ∼ gm1

A0 = = −gm1 Rout = − =− (5.7)
vin gDS1 + gDS2 + gm2 gm2
Se observǎ cǎ rezistenţa de ieşire este redusǎ datoritǎ conexiunii de diodǎ a

tranzistorului M2 (rezistenţa echivalentǎ aproximativ 1/gm2 ). Astfel, câştigul
de joasǎ frecvenţǎ este apropiat de unitate, iar circuitul se utilizeazǎ ca repetor.
În mod similar ca şi amplificatorul cu sarcinǎ rezistivǎ existǎ un singur nod ı̂n
calea semnalului. Capacitǎţile specifice circuitului sunt date ı̂n Figura 5.8. Polul
introdus de nodul de ieşire este mutat la frecvenţe mai mari datoritǎ rezistenţei
de ieşire reduse. Zeroul pozitiv apare aproximativ la aceeaşi frecvenţǎ ca şi la
amplificatorul cu sarcinǎ rezistivǎ.
VDD
M2
rhz vout
p
C1 C2
M1
vin
Figura 5.8: Capacitǎţile specifice amplificatorului cu sarcinǎ diodǎ
Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ a amplificatorului este dat ı̂n Figura
5.9. Se observǎ cǎ modelul este identic cu cel al amplificatorului cu sarcinǎ
rezistivǎ (topologia circuitului este neschimbatǎ), dar expresia rezistenţei de
ieşire Rout este diferitǎ.
C1
Figura 5.9: Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ al amplificatorului

cu sarcinǎ diodǎ
Pentru Rout aproximativ egal cu 1/gm2 şi C1 + C2 aproximativ egal cu CL

funcţia de transfer rezultǎ:
sC1 s
1− 1−
vout ∼ gm1 gm1 ωz
A(s) = =− · = A0 · s (5.8)
vin gm2 sCL 1+
1+ ωp
gm2
Parametrii funcţiei de transfer sunt:
gm1 gm2 gm1

A0 ∼
=− ; fp = ; fz = (5.9)
gm2 2πCL 2πC1
Diagramele Bode corespunzǎtoare sunt date ı̂n Figura 5.10.
|A(s)|
0
-20
-40
f
Ð A(s) fp frhz
180d
90d
0d f

diodǎ
Se observǎ deplasarea polului spre frecvenţe mai ı̂nalte faţǎ de amplificatorul

cu sarcinǎ rezistivǎ. Zeroul a rǎmas la aceeaşi frecvenţǎ, iar câştigul de joasǎ
frecvenţǎ este apropiat de 0dB.
5.3 Amplificatorul inversor cu sarcinǎ sursǎ

de curent
Topologia circuitului nu se schimbǎ faţǎ de circuitele discutate pânǎ acum,
dar sarcina este ı̂nlocuitǎ cu o sursa de curent simplǎ cu un singur tranzistor.
Schema circuitului este datǎ ı̂n Figura 5.11.a.
VDD
M2
I
VG2 M2 M1
I
PSF
vout
M1
vin
VDD Vout
a) b)
Figura 5.11: Amplificatorul inversor cu sarcinǎ sursǎ de curent
Punctul static de funcţionare se gǎseşte la intersecţia caracteristicilor de ieşire

ale celor douǎ tranzistoare (Figura 5.11.b). Tensiunile de polarizare din grilele
celor douǎ tranzistoare trebuie alese astfel ı̂ncât intersecţia caracteristicilor sǎ
fie ı̂n zonele de saturaţie ale tranzistoarelor. Astfel, ambele tranzistoare vor fi
saturate şi se vor comporta ca şi surse de curent.
Domeniul de variaţie a tensiunii de ieşire se determinǎ din condiţiile de satu-

raţie ale celor douǎ tranzistoare. Condiţiile de saturaţie, scrise pentru cazurile
ı̂n care semnalul la ieşire ı̂şi atinge valoarea maximǎ (vmax ) respectiv minimǎ
(−vmax ), conduc la urmǎtoarea inegalitate:
Vod1 + vmax ≤ Vout ≤ VDD − Vod2 − vmax (5.10)
Inegalitatea de mai sus este utilizatǎ şi pentru a determina valoarea componentei
continue a tensiunii de ieşire. Alegerea se face astfel ı̂ncât circuitul sǎ poatǎ fi
conectat ı̂n cascadǎ ı̂n timp ce variaţia semnalului este maxim posibilǎ (trebuie
evitatǎ limitarea). În practicǎ apar frecvent amplificatoare ı̂n cascadǎ unde
polarizarea tranzistorului de intrare ı̂ntr-un etaj este asiguratǎ de ieşirea etajului
precedent.
Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ al amplificatorului inversor cu sarcinǎ

sursǎ de curent este datǎ ı̂n Figura 5.12.
vin gm1vGS1 rDS2 vout

rDS1 gm2vGS2
Figura 5.12: Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ al amplificatorului

cu sarcinǎ sursǎ de curent
Observaţie: grila şi sursa tranzistorului M2 sunt conectate la un potenţial

constant, independent de semnal. Prin pasivizare aceste noduri sunt conec-
tate la masǎ. Drept urmare, VGS2 = 0 şi sursa comandatǎ gm2 VGS2 dispare
din schema de semnal mic.
Teorema lui Kirchhoff pentru curenţi şi legea lui Ohm conduc la urmǎtoarea
expresie a câştigului de joasǎ frecvenţǎ:
gm1
A0 = − = −gm1 (rDS1 || rDS2 ) = −gm1 Rout (5.11)
gDS1 + gDS2
Rezistenţa de ieşire a circuitului se obţine ca o conexiune paralelǎ ı̂ntre rezisten-

ţele drenǎ-sursǎ ale celor douǎ tranzistoare.
Intuitiv, se poate spune cǎ amplificatorul cu sarcinǎ sursǎ de curent va avea

un comportament similar ı̂n frecvenţǎ ca şi amplificatoarele discutate anterior.
Acest lucru se datoreazǎ topologiei identice. Schema circuitului cu capacitǎţi
parazite este prezentatǎ ı̂n Figura 5.13.
VDD
M2
VG2
p rhz vout
C1
M1
vin C2
Figura 5.13: Capacitǎţile parazite ı̂n amplificatorul cu sarcinǎ sursǎ de

curent
Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ este dat ı̂n Figura 5.14.
C1
Figura 5.14: Capacitǎţile parazite ı̂n amplificatorul cu sarcinǎ sursǎ de

curent
Funcţia de transfer ı̂n s a circuitului este:

sC1 s
gm1 (rDS1 || rDS2 ) 1 − 1−
vout ∼ gm1 ωz
A(s) = =− = A0 · s (5.12)
vin 1 + s (rDS1 || rDS2 ) CL 1+
ωp
Câştigul de joasǎ frecvenţǎ, frecvenţa polului şi frecvenţa zeroului se scriu:
1 gm1
A0 ∼
= −gm1 (rDS1 || rDS2 ) ; fp = ; fz = (5.13)
2πRout CL 2πC1
Datoritǎ rezistenţei de ieşire mǎrite frecvenţa polului se deplaseazǎ la frecvenţe

mai joase, ı̂n timp ce câştigul de joasǎ frecvenţǎ al circuitului creşte. Aceste
modificǎri sunt ilustrate ı̂n diagramele Bode din Figura 5.15. Parametrii funcţiei
de transfer sunt comparabile cu cele ale amplificatorului cu sarcinǎ rezistivǎ.
|A(s)|
20
-20
-40
f
Ð A(s) fp frhz
180d
90d
0d f

sursǎ de curent
5.4 Amplificatorul inversor cascodǎ

Amplificatoarele discutate ı̂n paragrafele anterioare se pot utiliza numai pentru
un câştig relativ redus (tipic ı̂n jur de 20-30dB), chiar unitar. Adiţional, s-a
ignorat efectul rezistenţei nenule al sursei de semnal de la intrare. Aceastǎ
rezistenţǎ poate deteriora semnificativ comportamentul ı̂n frecvenţǎ al circui-
tului dacǎ se combinǎ cu capacitatea reflectatǎ la intrare prin efect Miller (de
ordinul sutelor de fF sau chiar pF dacǎ A0 > 20dB). Rezultatul efectului Miller
este ı̂n aceste cazuri un pol suplimentar la frecvenţe joase sau medii.
Observaţie: deşi de cele mai multe ori efectul Miller nu este dorit, el poate
avea şi efecte benefice. Aceste efecte se folosesc la ı̂mbunǎtǎţirea stabilitǎţii
amplificatoarelor cu etaje multiple (discuţie mai detaliatǎ la structuri de
AO).
VDD
M3 I
VG3 M3 M1+ M2
PSF
M2
vout
M2
VG2 M1+ M2 liniar
liniar
M1
vin
VDD Vout
a) b)
Figura 5.16: Amplificatorul cascodǎ
Utilizarea structurilor cascodǎ mǎreşte rezistenţa de ieşire a amplificatorului.

Adiţional, tranzistorul M1 va vedea ı̂n drena sa o rezistenţǎ de valoare apro-
ximativ egalǎ cu 1/gm2 şi astfel câştigul lui va scǎdea faţǎ de amplificatorul
cu sarcinǎ sursǎ de curent. Drept urmare, capacitatea reflectatǎ la intrare prin

efect Miller va fi mai redusǎ. Acest lucru ı̂nseamnǎ cǎ structura cascodǎ permite
reducerea consecinţelor efectului Miller pe tranzistorul de intrare.
Structura amplificatorului cascodǎ este datǎ ı̂n Figura 5.16.a.
Punctul static de funcţionare al amplificatorului cascodǎ cu sarcinǎ sursǎ de

curent se obţine prin intersectarea caracteristicilor de ieşire ale tranzistorului
M3 şi a sursei de curent cascodǎ M1 -M2 ca ı̂n Figura 5.16.b.
Cele douǎ coturi ale caracteristicii de ieşire a sursei cascodǎ corespund tensiu-
nilor la care tranzistorul M2 şi apoi M1 intrǎ ı̂n regim liniar. Aceste aspecte au
fost discutate detaliat ı̂n paragraful cu surse de curent.
Valorile extreme ale tensiunii instantanee la ieşire trebuie sǎ permitǎ menţine-
rea tuturor tranzistoarelorı̂n regim saturat, chiar dacǎ semnalulı̂şi atinge valorile
maxime pozitive şi negative.
Limita superioarǎ a domeniului admis pentru tensiunea de ieşire este determi-

natǎ de tensiunea sursǎ-drenǎ minimǎ a tranzistorului M3 .
VoutM AX = VDD − Vod3 − vmax (5.14)
Limita inferioarǎ a domeniului de variaţie se obţine similar, impunând condiţia

de saturaţie pentru tranzistoarele M1 şi M2 .
VoutM IN = Vod1 + Vod2 + vmax (5.15)
Schema de semnal mic se obţine prinı̂nlocuirea fiecǎrui tranzistor cu modelul sǎu

de semnal mic. Tensiunile VG2 şi VG3 nu depind de semnal şi devin conexiuni
la masǎ dupǎ pasivizarea schemei. Figura 5.17 aratǎ schema de semnal mic
rezultatǎ dupǎ pasivizare.
gm2vGS2 rDS2
rDS3 vout
vin gm1vGS1 rDS1
Figura 5.17: Schema de semnal mic a amplificatorului cascodǎ cu sarcinǎ

sursǎ de curent
Observaţie: la circuitele care conţin surse de curent mai complicate (de ex.
cascodǎ) este util sǎ se construiascǎ schema echivalentǎ de semnal mic prin
ı̂nlocuirea tranzistoarelor. Astfel, pot fi puse ı̂n evidenţǎ aspectele legate
de etajele intermediare de amplificare. În cazul amplificatorului cascodǎ
tranzistorul M2 reprezintǎ un etaj tampon de curent (grilǎ comunǎ).
Câştigul de joasǎ frecvenţǎ rezultǎ din teorema lui Kirchhoff pentru curenţi şi
legea lui Ohm.
−gm1 (gDS2 + gm2 + gmb2 )

A0 = (5.16)
gDS1 (gDS2 + gDS3 ) + gDS3 (gDS2 + gm2 + gmb2 )
Dacǎ se considerǎ transconductanţa de semnal mic mult mai mare decât con-
ductanţa drenǎ-sursǎ şi transconductanţa sursǎ-substrat, A0 se aproximeazǎ:
A0 ∼
= −gm1 rDS3 = −gm1 Rout (5.17)
Se observǎ cǎ rezistenţa de ieşire a amplificatorului este aproximativ egalǎ cu

rDS3 .
Figura 5.18 prezintǎ schema amplificatorului cascodǎ cu capacitǎţile parazite

explicitate.
VDD
M3
vG3
p1 vout
M2
vG2
C3
rhz
C1 p2
M1
C2
vin
Figura 5.18: Capacitǎţile parazite ı̂n amplificatorul cascodǎ cu sarcinǎ

sursǎ de curent
Diferenţa majorǎ dintre caracteristicile de frecvenţǎ ale amplificatoarelor stu-

diate pânǎ acum şi ale amplificatorului cascodǎ este apariţia unui pol suplimen-
tar (p2 ) datorat etajului ı̂n grilǎ comunǎ. Frecvenţa acestui pol este determinatǎ
de capacitatea şi de rezistenţa echivalentǎ a nodului din drena tranzistorului M1 .
Schema echivalentǎ de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ este datǎ ı̂n Figura 5.19.
gm2vGS2 rDS2
vout
C1 rDS3 C3
vin gm1vGS1 rDS1 C2
Figura 5.19: Schema echivalentǎ de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ ampli-
ficatorul cascodǎ
Funcţia de transfer a circuitului rezultǎ:

sC1
A0 1 −
gm1
A(s) = 2 (5.18)
s a + sb + 1
Coeficienţii lui s se identificǎ dupǎ cum urmeazǎ:
C3 (C1 + C2 )


a=

 gDS1 (gDS2 + gDS3 ) + gDS3 (gDS2 + gm2 )
C3 (gDS1 + gDS2 + gm2 ) + (C1 + C2 ) (gDS2 + gDS3 ) (5.19)
b =


gDS1 (gDS2 + gDS3 ) + gDS3 (gDS2 + gm2 )

Examinând ecuaţia (5.18) se observǎ cǎ funcţia de transfer a circuitului are doi
poli şi un zero pozitiv. Câştigul de joasǎ frecvenţǎ, frecvenţa polilor şi frecvenţa
zeroului se pot aproxima ca ı̂n urmǎtoarele ecuaţii:
∼

A0 = −gm1 rDS3


1 ∼ 1



fp1 = 2πb = 2πRout C3



b ∼ gm2 (5.20)

fp2 = =
2πa 2π (C1 + C2 )




g

fz = m1


2πC1
Diagramele Bode corespunzǎtoare circuitului sunt date ı̂n Figura 5.20.
|A(s)|
40
-40
-80
f
Ð A(s) fp1 fp2 frhz
90d
0d
-90d f
Figura 5.20: Diagramele Bode corespunzǎtoare amplificatorului cascodǎ
Se observǎ cǎ frecvenţa polului dominant a rǎmas aproximativ neschimbatǎ faţǎ

de amplificatorul simplu cu sarcinǎ sursǎ de curent, ı̂n timp ce câştigul de joasǎ
frecvenţǎ a crescut uşor. Frecvenţa polului al doilea, introdus de etajul ı̂n grilǎ
comunǎ este de ordinul GHz-lor.
Un dezavantaj al circuitului este acela cǎ structura de cascodǎ nu este simetricǎ.

Din acest motiv, beneficiul adus de cascodǎ rezistenţei de ieşire se pierde. O
soluţie la aceastǎ problemǎ este utilizarea unei structuri de cascodǎ p-n simetrice
raportat la nodul de ieşire.
5.5 Amplificatorul inversor cascodǎ simetricǎ

Amplificatorul cascodǎ simetricǎ pǎstreazǎ avantajul introdus de cascoda simplǎ
ı̂n ceea ce priveşte reducerea consecinţelor efectului Miller pe tranzistorul de
intrare. Adiţional, rezistenţa de ieşire este mǎritǎ considerabil prin simetrizarea
structurii. Schema circuitului este datǎ ı̂n Figura 5.21.
VDD
M4
VG4 I
M3
M3+ M4 M1+ M2
VG3 PSF
vout M2 M3+ M4
M2 M1+ M2 liniar liniar
liniar
VG2 M3
liniar
M1
VDD Vout
vin
a) b)
Figura 5.21: Amplificatorul inversor cu cascodǎ simetricǎ
Punctul static de funcţionare se gǎseşte la intersecţia caracteristicilor de ieşire

ale celor douǎ surse de curent cascodǎ (M1 -M2 şi M3 -M4 ). Este de remarcat
faptul cǎ ambele caracteristici prezintǎ frânturile specifice introduse de intrarea
ı̂n regim liniar a tranzistoarelor cascodǎ şi apoi ale tranzistoarelor conectate la
VDD respectiv VSS . În punctul static de funcţionare curentul este acelaşi prin
toate cele patru tranzistoare.
Valoarea instantanee a tensiunii de ieşire trebuie sǎ permitǎ menţinerea ı̂n

saturaţie a tuturor tranzistoarelor. Limitele domeniului admis de variaţie se
scriu similar ca la amplificatorul cascodǎ simplu:

VoutM AX = VDD − Vod3 − Vod4 − vmax
(5.21)
V
outM IN = Vod1 + Vod2 + vmax
Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ a amplificatorului cu cascodǎ simetricǎ

(Figura 5.22) se construieşte ı̂nlocuind tranzistoarele cu schemele echivalente.
Suplimentar, potenţialele din grilele tuturor tranzistoarelor ı̂n afarǎ de M1 sunt
constante şi devin conexiuni la masǎ dupǎ pasivizare.
gm2vGS2 rDS2 gm3vGS3 rDS3
vout
rDS4
vin gm1vGS1 rDS1
Figura 5.22: Schema de semnal mic a amplificatorul inversor cu cascodǎ

simetricǎ
Teoremele lui Kirchhoff şi legea lui Ohm scrise pentru circuit duc la urmǎtoarea
expresie a câştigului de joasǎ frecvenţǎ:
A0 ∼
= −gm1 (gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4 ) = −gm1 Rout (5.22)
Ordinul de mǎrime a rezistenţei de ieşire este cel al MΩ-lor, considerabil mai

mare decât ı̂n cazul amplificatorului cascodǎ simplu.
VDD
M4
vG4
Rech3-4
M3
vG3
p1 vout
M2
vG2
p2 C3
C1
rhz C2
vin
M1
Figura 5.23: Capacitǎţile specifice amplificatorului cu cascodǎ simetricǎ
Comportamentul ı̂n frecvenţǎ al circuitului se determinǎ considerând capa-

citǎţile parazite şi rezistenţele echivalente ale tuturor nodurilor din circuit. Fi-
gura 5.23 prezintǎ schema amplificatorului cu capacitǎţile nodurilor explicitate.
gm2vGS2 rDS2
Rech3-4 C3 vout
C1
vin gm1vGS1 rDS1 C2 v
Figura 5.24: Schema de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ a amplificatorului

cu cascodǎ simetricǎ
Funcţia de transfer a circuitului are aceeaşi formǎ ca şi ı̂n cazul variantei cu
cascodǎ simplǎ, conţinând un zero pozitiv şi doi poli.

s
A0 1 −
ω
A(s) = rhz (5.23)
s s
1+ 1+
ωp1 ωp2
Frecvenţele polilor şi a zeroului se scriu:
A0 ∼


 = −gm1 (gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4 )




∼ 1 ∼ 1
fp1 = 2πC3 (gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4 ) = 2πRout C3



gm2 (5.24)

 ∼
fp2 =



 2π (C1 + C2 )


∼ m1
fz =
 g
2πC1
Diagramele Bode corespunzǎtoare sunt date ı̂n Figura 5.25.
|A(s)|
40
-40
-80
f
180d
90d
0d
-90d f
Figura 5.25: Raspunsul ı̂n frecvenţǎ al amplificatorului cu cascodǎ sime-
tricǎ
Din figurǎ se observǎ cǎ polii şi zeroul pozitiv duc la un comportament ı̂n
frecvenţǎ similar cu cel al amplificatorului cascodǎ simplǎ. Diferenţa principalǎ
constǎ ı̂n creşterea câştigului datoritǎ rezistenţei mǎrite de ieşire şi deplasarea
polului dominant la frecvenţe mai joase.
5.6 Amplificatorul inversor cascodǎ pliatǎ

Dezavantajul amplificatorului cu structuri p şi n simetrice este cǎ ı̂n tehnolo-
giile cu tensiuni de alimentare joase tranzistoarele sunt dificil de polarizat ı̂n
saturaţie (insuficient VDS ). Soluţia este plierea structurii cascodǎ pentru a
reduce numǎrul de tranzistoare dintre cele douǎ conexiuni de alimentare. Cas-
codarea este fǎcutǎ cu un tranzistor PMOS care serveşte ca şi cascodǎ atât
pentru tranzistorul de intrare cât şi pentru cel de sarcinǎ.
Schema amplificatorului inversor cascodǎ pliatǎ este datǎ ı̂n Figura 5.26.
VDD
vG4
M4
VG2
M2
vout
vin
VG3
M1
M3
Figura 5.26: Amplificatorul inversor cascodǎ pliatǎ
Punctul static de funcţionare este mai dificil de reprezentat ı̂n mod grafic deoa-
rece curentul furnizat de tranzistorul M4 se divide ı̂ntre douǎ ramuri de circuit.
La dimensionarea tranzistoarelor trebuie ţinut cont de valoare curentului prin
fiecare dispozitiv ı̂n parte.
Limitele domeniului de variaţie a tensiunii de ieşire se determinǎ dupǎ acelaşi

raţionament ca ı̂n paragrafele precedente. Pentru o funcţionare corectǎ toate
tranzistoarele trebuie menţinute ı̂n regim saturat, chiar şi ı̂n prezenţa semnalului.
Rezultǎ:

VoutM AX = VDD − Vod2 − Vod4 − vmax
(5.25)
V
outM IN = Vod3 + vmax
Similar, tensiunea ı̂n nodul de pliere este şi ea limitatǎ. Din condiţiile de
saturaţie ale tranzistoarelor se obţine:

Vnod−pliereM AX = VDD − Vod4 − vmax
(5.26)
V
nod−pliereM IN = Vod2 + Vod3 + vmax
Observaţie: În cazul ı̂n care alimentarea este simetricǎ ı̂ntre VDD şi VSS ,
limitele inferioare ale domeniilor de variaţie corespunzǎtoare celor douǎ ten-
siuni se raporteazǎ la VSS .
Schema echivalentǎ de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ a amplificatorului inversor

cascodǎ pliatǎ este datǎ ı̂n Figura 5.27.
rDS4
vin gm1vGS1 rDS1 gm2vGS2 rDS2
rDS3 vout
Figura 5.27: Modelul echivalent de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ al am-
plificatorului inversor cascodǎ pliatǎ
Observaţie: Sursele de curent comandate ı̂n tensiune corespunzǎtoare tran-

zistoarelor M3 şi M4 se pot elimina din model deoarece atât grilele cât şi
sursele sunt conectate la potenţiale constante. Astfel ı̂n schema de semnal
mic tensiunile grilǎ-sursǎ sunt egale cu zero dupǎ pasivizare.
Câştigul de joasǎ frecvenţǎ şi rezistenţa de ieşire rezultǎ:

A0 = −gm1 Rout
(5.27)
R ∼
out = rDS3 || [gm2 rDS2 (rDS1 || rDS4 )]
Rezistenţa de ieşire se poate aproxima cu rDS3 , similar ca şi ı̂n cazul amplifica-
torului cu cascodǎ simplǎ.
Comportamentul ı̂n frecvenţǎ al amplificatorului cascodǎ pliatǎ este similar cu

cel al amplificatorului cascodǎ asimetricǎ. Schema circuitului cu capacitǎţile
parazite explicitate este datǎ ı̂n Figura 5.28.
VDD
vG4
M4
vG2
p2
C1 M2
rhz C2 p1 vout
vin
M1
vG3
M3 C3
Figura 5.28: Capacitǎţile parazite din structura amplificatorului cascodǎ

pliatǎ
Schema de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ corespunzǎtoare este datǎ ı̂n Figura
5.29.
rDS4
C1
vin gm1vGS1 rDS1 C2 gm2vGS2 rDS2
rDS3 C3 vout
Figura 5.29: Modelul echivalent de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ al am-
plificatorului inversor cascodǎ pliatǎ
Funcţia de transfer a circuitului conţine doi poli şi un zero pozitiv, scriindu-se
sub forma:

s
A0 1 −
ω
A(s) = rhz (5.28)
s s
1+ 1+
ωp1 ωp2
Frecvenţele polilor şi a zeroului se calculeazǎ din schema de semnal mic şi ı̂naltǎ
frecvenţǎ. Dupǎ efectuarea calculelor rezultǎ:


Rout ∼
= rDS3 || [gm2 rDS2 (rDS1 || rDS4 )]


 1
fp1 ∼

=




 2πR C out 3
gm2 (5.29)

fp2 ∼
=


 2π (C1 + C2 )

∼ gm1



fz =

2πC1
Ordinele de mǎrime ale frecvenţelor sunt foarte similare cu cele obţinute pentru
amplificatorul cascodǎ simplu. Asemǎnarea se observǎ şi pe diagramele Bode
din Figura 5.30.
|A(s)|
0
-40
-80
f
90d
0d
-90d f
Figura 5.30: Caracteristicile de frecvenţǎ simulate ale amplificatorului
cascodǎ pliatǎ
5.7 Sumar
În acest capitol s-au prezentat principalele configuraţii de amplificatoare simple.
Aceste circuite stau la baza oricǎrei structuri mai complicate ale unui ampli-
ficator, fie acesta un amplificator diferenţial sau un amplificator operaţional
complet.
Caracteristicile specifice fiecǎrui etaj de amplificare, discutate ı̂n acest paragraf,

sunt punctul static de funcţionare, domeniul de variaţie a tensiunii de ieşire,
modelul de semnal mic şi comportamentul ı̂n frecvenţǎ. Aceste caracteristici
determinǎ performanţele unui amplificator ı̂n cazul ı̂n care semnalul este sufi-
cient de mic pentru a se putea considera o funcţionare liniarǎ.
Bibliografie:


Press, 1987

1999.
5. J-T. Wu - Multiple-Transistor Gain Stages - Lecture Notes, National

Capitolul 6
Amplificatoare diferenţiale
6.1 Introducere
Amplificatoarele diferenţiale sunt circuite care, spre deosebire de amplificatoa-
rele simple, au un semnal de intrare diferenţial. Acest semnal se exprimǎ ca
o diferenţǎ de potenţial dintre douǎ noduri flotante (fiecare nod este la rândul
lui raportat la masǎ). Adesea semnalul diferenţial util este suprapus peste un
semnal de mod comun. Modul de aplicare a semnalului de intrare unui etaj
diferenţial este ilustrat ı̂n Figura 6.1.
v ip v ip
v
+ in
2
v in v
v im - in
VMC 2
v im
VMC
Figura 6.1: Semnalul de intrare diferenţial şi tensiunea de mod comun
A doua reprezentare permite utilizarea semicircuitelor ı̂n analiza amplificatoare-

lor diferenţiale. Aceastǎ abordare este foarte des utilizatǎ la calculele efectuate
pe baza modelului de semnal mic.
CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE 123
Expresia semnalului de intrare este:
Vin = vip − vim + VM Cin = vin + VM Cin (6.1)
Observaţie: tensiunea de mod comun afecteazǎ ı̂n mod identic ambele

intrǎri. Ea serveşte la polarizarea corectǎ a tranzistoarelor de intrare.
În paragrafele urmǎtoare sunt prezentate câteva amplificatoare diferenţiale folo-

site ı̂n proiectarea circuitelor analogice mai complicate (de ex. la amplificatoare
operaţionale). Pentru fiecare structurǎ se vor discuta domeniile de variaţie ale
tensiunilor de intrare şi ieşire, modelul de semnal mic şi comportamentul ı̂n
frecvenţǎ.
6.2 Amplificatorul diferenţial cu sarcinǎ rezistivǎ

Cea mai simplǎ variantǎ de amplificator diferenţial este cea cu sarcinǎ rezistivǎ.
VDD
RD RD
v out v out
- +
2 2
M1 M2
v v in
+ in VX -
2 2
M3
Vbiasn
VSS
Figura 6.2: Amplificatorul diferenţial cu sarcinǎ rezistivǎ

124 CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE
Domeniul de variaţie a tensiunii de intrare
Tensiunea instantanee la intrǎrile amplificatorului diferenţial trebuie sǎ permitǎ

polarizarea corectǎ (ı̂n regim saturat) a tranzistoarelor de intrare M1 -M2 şi a
sursei de curent M3 .
Aparent, cel mai defavorabil caz pentru tranzistoarele de intrare şi pentru M3
este atunci când semnalul de la una dintre intrǎri atinge valoarea maximǎ nega-
tivǎ faţǎ de tensiunea de mod comun. În acest caz s-ar putea scrie urmǎtoarea
ecuaţie:
vin
VM Cin−M IN − = Vod1,2 + VT h1,2 + Vx−M IN (6.2)
2
Tensiunile Vod1 şi Vod2 sunt stabilite prin polarizare şi se considerǎ constante.
Ecuaţia (6.2) exprimǎ cazul cel mai defavorabil numai dacǎ vârful de semnal
negativ cauzeazǎ scǎderea tensiunii Vx şi intrarea ı̂n regim liniar a tranzistorului
M3 . Aici se pot pune douǎ ı̂ntrebǎri:
- ce efect are cealaltǎ ramurǎ asupra tensiunii Vx ?
- cum afecteazǎ semnalul de intrare tensiunea Vx dacǎ se considerǎ şi efec-

tul celeilalte ramuri?
La prima ı̂ntrebare se poate rǎspunde considerând perechea ecuaţiei (6.2), scrisǎ

pentru cealaltǎ ramurǎ a etajului diferenţial:
vin
VM Cin−M IN + = Vod1,2 + VT h1,2 + Vx−M IN (6.3)
2
Din comparaţia celor douǎ ecuaţii se observǎ cǎ ramura opusǎ, unde semnalul
atinge valoarea maximǎ pozitivǎ, compenseazǎ scǎderea tensiunii Vx . Rezultǎ
rǎspunsul la a doua ı̂ntrebare: tensiunea Vx este independentǎ de semnal.
Observaţie: Deorece tensiunea Vx nu depinde de semnal, nodul X, comun

celor douǎ tranzistoare M1 şi M2 , este un nod de masǎ virtualǎ.
Dacǎ Vx este constantǎ, punctele statice de funcţionare ale tranzistoarelor nu

depind de semnalul de intrare, ci numai de tensiunea de mod comun VM Cin
(adicǎ de polarizare). Astfel alegerea domeniului de variaţie a tensiunii de intrare
se reduce la determinarea intervalului de valori admise pentru tensiunea de mod
comun VM Cin pentru care toate tranzistoarele sunt saturate.
Tensiunea de mod comun minimǎ este:
VM Cin−M IN = Vod1,2 + VT h1,2 + Vod3 (6.4)
Tensiunea maximǎ admisǎ la ieşire se calculeazǎ ţinând seama de cǎderea de

tensiune pe rezistenţa de sarcinǎ şi de variaţia maximǎ a semnalului.
Vout−M AX = VDD − VR − vmax (6.5)
Rezistenţa de sarcinǎ nu impune o cǎdere de tensiune minimǎ. Totuşi, trebuie

ţinut cont de faptul cǎ tensiunea la ieşire polarizeazǎ intrarea urmǎtorului etaj
ı̂ntr-o cascadǎ de amplificatoare. VR se alege astfel ı̂ncât tranzistoarele de
intrare ale etajului urmǎtor sǎ poatǎ fi corect polarizat ı̂n regim saturat.
Tensiunea minimǎ la ieşire trebuie sǎ asigure polarizarea tranzistoarelor de in-

trare M1 şi M2 ı̂n regim saturat. Rezultǎ:
Vout−M IN = Vx + Vod1,2 + vmax (6.6)
Observaţie: Existǎ un echilibru strict ı̂ntre tensiunea de mod comun la

intrare VM Cin şi tensiunea de mod comun la ieşire VM Cout . Legǎtura dintre
cele douǎ tensiuni este potenţialul mesei virtuale Vx .
Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ al amplificatorului diferenţial cu sarcinǎ

rezistivǎ este dat ı̂n Figura 6.3.
v out v out
- +
2 2
v in v in
+ gm1vGS1 rDS1 RD RD rDS2 gm2vGS2 -
2 2
Figura 6.3: Modelul de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ al amplificatorului

diferenţial cu sarcinǎ rezistivǎ
Observaţie: Tranzistorul M3 lipseşte complet din modelul de semnal mic

deoarece prin pasivizare drena şi sursa sunt ambele conectate la masǎ (scurt
circuit ı̂ntre VSS şi masa virtualǎ).
Câştigul de joasǎ frecvenţǎ şi rezistenţa de ieşire se obţin rezolvând urmǎtorul

sistem de ecuaţii:
1 vout 1 vout

gm1 vGS1 − r · − · =0


DS1 2 RD 2
(6.7)
1 vout 1 vout
· ·

gm2 vGS2 +
 + =0
rDS2 2 RD 2
Adiţional, se ţine cont de modul de aplicare a semnalului de intrare diferenţial

şi de urmǎtoarele egalitǎţi:
vin vin
vGS1 = ; vGS2 = − (6.8)
2 2
Câştigul de joasǎ frecvenţǎ rezultǎ dupǎ efectuarea calculelor:
vout gm1 + gm2

A0 = = (6.9)
vin 1 1 2
+ +
rDS1 rDS2 RD
Dacǎ se considerǎ tranzistoarele de intrare şi rezistenţele de sarcinǎ identice şi

perfect ı̂mperecheate, atunci gm1 = gm2 şi rDS1 = rDS2 , iar A0 devine:
gm1
A0 = = gm1 (rDS1 || RD ) = gm1 Rout (6.10)
1 1
+
rDS1 RD
Ştiind cǎ rezistenţele de sarcinǎ RD au valoarea maximǎ limitatǎ din conside-
rente de zgomot, aria ocupatǎ pe silicu şi polarizare, ele vor fi ı̂n majoritatea
cazurilor cu cel puţin un ordin de mǎrime mai mici decât rezistenţa rDS a unui
tranzistor MOS. Astfel câştigul de joasǎ frecvenţǎ se aproximeazǎ:
A0 ∼
= gm1 RD (6.11)
Observaţie: Din expresia câştigului de joasǎ frecvenţǎ se observǎ cǎ

transconductanţa etajului diferenţial este jumǎtate din transconductanţa
unui tranzistor de intrare gm1 , iar rezistenţa de sarcinǎ diferenţialǎ este de
douǎ ori rezistenţa RD .
VDD
RD RD
p
v out v out p
- +
rhz 2 2 rhz
C1 C3 C4 C2
M1 M2
v in M1 M2 v in
+ -
2 2
M3
Vbiasn
VSS
Figura 6.4: Amplificatorul diferenţial cu sarcinǎ rezistivǎ şi capacitǎţile
parazite
Schema amplificatorului diferenţial cu sarcinǎ rezistivǎ, având capacitǎţile pa-

razite utilizate la determinarea comportamentului ı̂n frecvenţǎ explicitate este
datǎ ı̂n Figura 6.4. Din figurǎ se observǎ cǎ funcţia de transfer a amplificatorului
va avea un singur pol şi un zero pozitiv, datorat efectului Miller pe tranzistoa-
rele de intrare. Suplimentar, dacǎ rezistenţa de ieşire a sursei de semnal este
diferitǎ de zero, atunci funcţia de transfer se va extinde cu un pol determinat
de capacitǎţile CGD reflectate la intrare prin efect Miller.
v out v out
C1 - + C2
2 2
v in gm1vGS1 rDS1 rDS2 gm2vGS2 v in

+ RD C3 C4 RD -
2 2
Figura 6.5: Schema de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ
Teoremele lui Kirchhoff şi legea lui Ohm duc la urmǎtoarea expresie a funcţiei
de transfer ı̂n s:

gm1 + gm2 s (C1 + C2 )
· 1−
1 1 2 gm1 + gm2
+ +
rDS1 rDS2 RD
A (s) = (6.12)
C1 + C2 + C3 + C4
1+s
1 1 2
+ +
rDS1 rDS2 RD
Identificând câştigul de joasǎ frecvenţǎ din ecuaţia (6.9) şi considerând din nou
tranzistoarele şi rezistenţele de sarcinǎ identice, rezultǎ:

sC1 sC1
A0 · 1 − A0 · 1 −
gm1 gm1
A (s) = = (6.13)
C1 + C3 1 + s (C1 + C3 ) (rDS1 || RD )
1+s
1 1
+
rDS1 RD
Funcţia de transfer de mai sus se poate scrie sub forma generalǎ dupǎ cum
urmeazǎ:

s
A0 1 −
ωrhz
A (s) = s (6.14)
1+
ωp
Identificând coeficienţii termenilor ı̂n s din ecuaţiile (6.13) şi (6.14) se obţin
frecvenţele polului şi a zeroului.

1
fp =

2πRout (C1 + C3 )

(6.15)
gm1
frhz =


2πC1
Caracteristicile de amplitudine şi fazǎ ale amplificatorului sunt date ı̂n Figura
6.6.
|A(s)|
20
10
0 f
Ð A(s) fp frhz
0d
-45d
-90d
-135d
f
Figura 6.6: Caracteristica de amplitudine şi fazǎ a amplificatorului

6.3 Amplificatorul diferenţial MOS cu sarcinǎ

oglindǎ de curent
În Figura 6.7 este prezentatǎ schema amplificatorului diferenţial cu sarcinǎ
oglindǎ de curent. Tranzistoarele de intrare M1 -M2 sunt cu canal n, iar cele
de sarcinǎ M3 -M4 cu canal p. Ieşirea este asimetricǎ şi se culege din drena
tranzistorului M2 .
VDD
M3 M4
vout
v in v in
+ -
2 M1 M2 2
M5
Vbiasn
VSS
Figura 6.7: Schema amplificatorului diferenţial cu sarcinǎ oglindǎ de cu-

rent
Tensiunea maximǎ admisǎ la ieşirea circuitului se calculeazǎ astfel ı̂ncât tran-

zistorul de sarcinǎ M4 sǎ fie saturat şi ı̂n plus se ţine cont de variaţia maximǎ
a semnalului de ieşire. Prin urmare, Vout−M AX va avea expresia:
Tensiunea minimǎ admisǎ la ieşire trebuie sǎ asigure funcţionarea ı̂n regim
saturat a tranzistoarelor de intrare M1 -M2 şi a lui M5 care implementeazǎ sursa
de curent.
vout−M IN = Vod1,2 + vod5 + vmax (6.17)
Modelul echivalent de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ este prezentat ı̂n Figura
6.8 şi include doar rezistenţele echivalente nu şi capacitǎţi.
1 rDS3 rDS4 gm4vGS4

gm3
vout
v in v in
+ -
2 2
gm1vGS1 rDS1 gm2vGS2 rDS2
Figura 6.8: Modelul echivalent de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ a circui-
tului
Determinarea câştigului de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ necesitǎ scrierea teo-
remei lui Kirchhoff pentru curenţi ı̂n nodul intermediar din drena tranzistorului
M1 şi ı̂n nodul de ieşire.

gm1 vGS1 + gDS1 v + gDS3 v + gm3 v = 0
(6.18)
gm2 vGS2 + gDS2 vout + gm4 vGS4 + gDS4 vout = 0

Din inspecţia circuitului din Figura 6.7 rezultǎ urmǎtoarele identitǎţi:

vin vin
vGS1 = ; vGS2 = − ; vGS4 = v (6.19)
2 2
Înlocuind tensiunile grilǎ-sursǎ din sistemul (6.18) cu aceste expresii şi apoi
eliminând tensiunea v din cele douǎ ecuaţii, se obţine câştigul circuitului:
vout gm2 (gDS1 + gDS3 + gm3 ) + gm1 gm4

A0 = = (6.20)
vin 2 (gDS2 + gDS4 )
Ţinând cont de faptul cǎ tranzistoarele de intrare sunt identice, la fel şi cele de
sarcinǎ, se pot scrie egalitǎţile:
gm1 = gm2 , gm3 = gm4 (6.21)
Astfel, câştigul amplificatorului devine:
gm1 (gDS1 + gDS3 + 2gm3 )

A0 = (6.22)
2 (gDS2 + gDS4 ) (gDS1 + gDS3 + gm3 )
Ştiind cǎ transconductanţa unui tranzistor MOS este mult mai mare decât
conductanţa sa drenǎ-sursǎ, câştigul de joasǎ frecvenţǎ se poate scrie sub o
forma simplificatǎ, dupǎ cum urmeazǎ:
gm1
A0 = = gm1 (rDS2 || rDS4 ) (6.23)
gDS2 + gDS4

transconductanţa etajului diferenţial este de fapt cât transconductanţa unui
tranzistor de intrare, iar rezistenţa de sarcinǎ este egalǎ cu rezistenţele
drenǎ-sursǎ a tranzistoarelor cu canal n şi p conectate ı̂n paralel.
În Figura 6.9 este datǎ schema amplificatorului diferenţial cu sarcinǎ oglindǎ de
curent având desenate capacitǎţile parazite ale tranzistoarelor.
Modelul echivalent de semnal mic folosit la analiza de frecvenţǎ este dat ı̂n
Figura 6.10.
VDD
M3 M4
lhz rhz p1 vout

rhz p2
C1 C3 C2
C4
M1 M2
v in v in
+ -
2 2
M5
Vbiasn
VSS
Figura 6.9: Schema amplificatorului cu capacitǎţile sale parazite
1
gm3 rDS3 rDS4 gm4vGS4
vout
v in v in
+ -
2 2
C1 C2
gm1vGS1 rDS1 C3 C4 rDS2 gm2vGS2
Figura 6.10: Modelul echivalent de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ

Comportamentul ı̂n frecvenţǎ al circuitului se determinǎ scriind teorema lui

Kirchhoff pentru curenţi ı̂n nodul intermediar din drena tranzistorului M1 şi
ı̂n nodul de ieşire. Dupǎ efectuarea calculelor şi ţinând seama de expresiile
tensiunilor grilǎ-sursǎ date ı̂n (6.19) se obţine funcţia de transfer a circuitului:

C2
gm2 1 − s (gDS1 + gDS3 + gm3 + sC1 + sC3 )
gm2
A(s) = +
2 (gDS1 + gDS3 + gm3 ) (gDS2 + gDS4 ) (as2 + bs + 1)

C1
gm1 1 − s gm4
gm1
+ (6.24)
2 (gDS1 + gDS3 + gm3 ) (gDS2 + gDS4 ) (as2 + bs + 1)
unde coeficienţii a şi b au expresiile de mai jos:

(C1 + C3 ) (C2 + C4 )
a =

(gDS1 + gDS3 + gm3 ) (gDS2 + gDS4 )


 (C2 + C4 ) (gDS1 + gDS3 + gm3 ) + (C1 + C3 ) (gDS2 + gDS4 )
b =


(gDS1 + gDS3 + gm3 ) (gDS2 + gDS4 )
(6.25)
Deoarece structura circuitului este simetricǎ sunt valabile urmǎtoarele egalitǎţi:
gm1 = gm2 , gm3 = gm4 , C1 = C2 (6.26)
Folosind aceste egalitǎţi şi identificând termenii care constituie câştigul de joasǎ
frecvenţǎ, funcţia de transfer din (6.24) se poate rescrie dupǎ cum urmeazǎ:

C1 C1 + C3
A0 1−s 1+s
gm1 gDS1 + gDS3 + 2gm3
A(s) = (6.27)
as2 + bs + 1
Din analiza lui A(s) se observǎ cǎ aceasta are doi poli şi douǎ zerouri. Expresia
generalǎ a unei funcţii de transfer cu doi poli şi douǎ zerouri este datǎ ı̂n (6.28).

s s
A0 1 − 1+
ωrhz ωlhz
A(s) = (6.28)
s s
1+ 1+
ωp1 ωp2
Polii funcţiei de transfer rezultǎ prin identificarea coeficienţilor ı̂n s a polinoa-

melor de la numitorul expresiilor date ı̂n (6.27) şi (6.28). Astfel vom avea:
1 b
fp1 = , fp2 = (6.29)
2πb 2πa
În relaţiile lui a şi b date ı̂n (6.25) se considerǎ conductanţa drenǎ-sursǎ a tran-
zistoarelor mult mai mare decât transconductanţa lor. Astfel rezultǎ expresiile
simplificate ale polilor:
∼ gDS2 + gDS4 1

fp1 = 2π (C + C ) = 2π (C + C ) R


2 4 2 4 out
(6.30)
gm3
fp2 ∼

 =
2π (C1 + C3 )
Se observǎ cǎ polul dominat este introdus de nodul de ieşire, iar polul de ı̂naltǎ
frecvenţǎ de nodul intermediar din drena tranzistorului M1 .
Expresiile zerourilor se obţin prin identificarea coeficienţilor termenilor ı̂n s de

la numǎrǎtorul expresiilor (6.27) şi (6.28). Este uşor de remarcat faptul cǎ
zeroul pozitiv este introdus de calea directǎ de semnal de la intrare la ieşire prin
capacitǎţile C1 şi C2 . Zeroul negativ provine de la oglinda de curent M3 -M4 .
 gm1
frhz = 2πC1


(6.31)
g + gDS3 + 2gm3 ∼ 2gm3
flhz = DS1

 =
2π (C1 + C3 ) 2π (C1 + C3 )
În Figura 6.11 este prezentatǎ caracteristica de amplitudine şi fazǎ a amplifica-
torului diferenţial discutat.
|A(s)|
20
-0
-20
-40
-60
f
Ð A(s) fp1 fp2 flhz frhz
0d
-45d
-90d
-135d
f
Figura 6.11: Caracteristica de amplitudine şi fazǎ a circuitului
Din analiza caracteristicilor se poate observa prezenţa celor doi poli negativi, a
unui zero pozitiv şi a unui zero negativ, dupǎ cum am obţinut şi din calculul
teoretic. Mai mult, se poate specifica ordinea ı̂n care sunt situate ı̂n frecvenţǎ
singularitǎţile. Primul pol este polul dominat datorat nodului de ieşire a circui-
tului. Apoi urmeazǎ polul dat de nodul intermediar din grilele tranzistoarelor
care formeazǎ oglinda de curent şi la frecvenţǎ apropiatǎ zeroul dat de acelaşi
nod intermediar. Faptul cǎ aceste singularitǎţi sunt apropiate ı̂n frecvenţǎ se
poate dovedi şi teoretic analizând ecuaţiile (6.30) şi (6.31). Ultimul este zeroul
datorat cǎii directe de semnal de la intrare la ieşire prin capacitatea grilǎ-drenǎ
a tranzistoarelor de intrare.
6.4 Amplificatorul diferenţial cu sarcinǎ surse de

curent
Schema amplificatorului diferenţial cu sarcinǎ surse de curent este prezentatǎ
ı̂n Figura 6.12. Tranzistoarele M3 -M4 constituie circuitul de sarcinǎ. Ieşirea se
culege diferenţial din drena tranzistoarelor M1 şi M2 .
VDD
M3 M4
Vbiasp
v out v out
- +
2 2
v in M1 M2 v in
+ -
2 2
M5
Vbiasn
VSS
Figura 6.12: Schema amplificatorului cu sarcinǎ surse de curent
Tensiunea maximǎ admisǎ la ieşirea circuitului se calculeazǎ similar ca pentru

amplificatorul diferenţial cu sarcinǎ oglindǎ de curent. Astfel voutM AX este de
forma:
Tensiunea minimǎ admisǎ la ieşire se scrie conform relaţiei:
voutM IN = Vod1 + Vod5 + vmax (6.33)
Schema echivalentǎ de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ este prezentatǎ ı̂n Fi-
gura 6.13. Fiecare tranzistor este modelat cu o sursǎ de curent comandatǎ de
tensiunea grilǎ-sursǎ a sa ı̂n paralel cu rezistenţa drenǎ-sursǎ.
rDS3 gm3vGS3 rDS4 gm4vGS4

v out v out
- +
2 2
v in v in
+ -
2 2
gm1vGS1 rDS1 rDS2 gm2vGS2
Figura 6.13: Modelul echivalent de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ a circui-
tului
Calculul câştigului de semnal mic şi joasǎ frecvenţǎ se determinǎ scriind teorema
lui Kirchhoff pentru curenţi ı̂n nodurile de ieşire, ca ı̂n ecuaţiile (6.34).
 vod vod
gm1 vGS1 −
 gDS1 − gDS3 = 0
2 2
(6.34)
gm2 vGS2 + vod gDS2 +
 vod
gDS4 = 0
2 2
Analizând schema din Figura 6.12 se pot exprima tensiunile grilǎ-sursǎ ale tran-
zistoarelor de intrare astfel:
vin vin
vGS1 = ; vGS2 = − (6.35)
2 2
Înlocuind tensiunile grilǎ-sursǎ cu tensiunile de intrare corespunzǎtoare ı̂n siste-

mul (6.34) şi scǎzând cele douǎ ecuaţii, se obţine câştigul de semnal mic:
vout gm1 + gm2

A0 = = (6.36)
vin gDS1 + gDS2 + gDS3 + gDS4
Dacǎ se considerǎ tranzistoarele de intrare perfect ı̂mperecheate, la fel şi cele

de sarcinǎ, se pot scrie identitǎţile:
gm1 = gm2 , gDS1 = gDS2 , gDS3 = gDS4 (6.37)
Bazat pe aceste egalitǎţi, expresia câştigului de joasǎ frecvenţǎ devine mai

simplǎ şi este datǎ ı̂n ecuaţia (6.38).
gm1
A0 = = gm1 (rDS1 || rDS3 ) (6.38)
gDS1 + gDS3

transconductanţa etajului diferenţial este jumǎtate din transconductanţa
unui tranzistor de intrare gm1 , iar rezistenţa de sarcinǎ diferenţialǎ este du-
blul rezistenţei rezultate prin conectarea ı̂n paralel rDS a tranzistoarelor cu
canal n şi p.
In Figura 6.14 este datǎ schema cu paraziţi a amplificatorului diferenţial cu

sarcinǎ surse de curent.
VDD
M3 M4
Vbiasp
p1 v out v out p1
rhz - 2
+
2 rhz
C1 C3 C4 C2
v in M1 M2 v in
+ -
2 2
M5
Vbiasn
VSS
Figura 6.14: Schema amplificatorului cu capacitatile sale parazite

Modelul echivalent de semnal mic folosit la analiza de frecvenţǎ este dat ı̂n
Figura 6.15.
rDS3 gm3vGS3 rDS4 gm4vGS4

v out v out
- +
2 2
v in v in
+ -
2 2
C1 C2
gm1vGS1 rDS1 C3 C4 rDS2 gm2vGS2
Figura 6.15: Modelul echivalent de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ a am-
plificatorului
Funcţia de transfer a circuitului se poate determina scriind teorema lui Kirchhoff

pentru curenţi ı̂n nodurile de ieşire. Ţinând seama de expresia câştigului de
joasǎ frecvenţǎ din ecuaţia (6.36), ı̂n urma calculelor raportul dintre tensiunea
de ieşire şi cea de intrare rezultǎ:

C1 + C2
A0 1 − s
gm1 + gm2
A(s) = (6.39)
C1 + C2 + C3 + C4
1+s
gDS1 + gDS2 + gDS3 + gDS4
Funcţia de transfer obţinutǎ se poate scrie simplificat, dacǎ se considerǎ tran-

zistoarele de intrare perfect ı̂mperecheate şi la fel cele de sarcinǎ. Aceasta
ı̂nseamnǎ cǎ urmǎtoarele identitǎţi sunt adevǎrate:
gm1 = gm2 , gm3 = gm4 , C1 = C2 , C3 = C4 (6.40)
Astfel comportamentul ı̂n frecvenţǎ al circuitului va fi caracterizat de relaţia

(6.41).
sC1
A0 (1 − )
g1
A(s) = (6.41)
s(C1 + C3 )
1+
gDS1 + gDS3
Din analiza expresiei lui A(s) se observǎ cǎ funcţia de transfer are un pol şi un
zero. O astfel de funcţie de transfer se poate scrie dupǎ cum urmeazǎ:

s
A0 1 −
ωrhz
A (s) = s (6.42)
1+
ωp
În continuare se identificǎ coeficienţii termenilor ı̂n s din relaţiile (6.41) şi (6.42),
obţinându-se expresia polului şi a zeroului.
 gDS1 + gDS3 1
fp = =
2π (C1 + C3 ) 2πRout (C1 + C3 )



gm1 (6.43)
f =
 rhz

 2πC1
Polul este introdus de nodul de ieşire, iar zeroul este datorat cǎii directe de
semnal de la intrare la ieşire prin capacitatea grilǎ-drenǎ a tranzistoarelor de
intrare.
Caracteristica de amplitudine si faza simulatǎ pentru amplificatorul discutat

este datǎ ı̂n Figura 6.16.
6.5 Sumar
În acest capitol s-au prezentat cele mai des utilizate configuraţii de amplifica-
toare diferenţiale. Aceste circuite stau la baza oricǎrei structuri de amplificator
operaţional.
În cazul fiecǎrui etaj diferenţial s-a discutat domeniul de variaţie a tensiunii de
ieşire, câştigul de joasǎ frecvenţǎ şi comportamentul ı̂n frecvenţǎ. Determinarea
acestor parametrii s-a facut pe baza modelelor cu surse comandate.
|A(s)|
20
-0
-20
-40
-60 f
Ð A(s) fp frhz
0d
-45d
-90d
-135d
f
Figura 6.16: Caracteristica de amplitudine şi fazǎ a circuitului
Bibliografie:


Press, 1987

1999.

Capitolul 7
Amplificatoare operaţionale
7.1 Introducere
Amplificatoarele operaţionale pot fi considerate ı̂n cazul ideal surse de tensiune
comandate ı̂n tensiune, ale cǎror tensiuni de ieşire depind de tensiunea de intrare
cu factorul de scalare numit câştig. În cazul ideal câştigul este independent
de frecvenţǎ. În AO reale câştigul depinde de frecvenţǎ, iar comportamentul
circuitului poate fi modelat cu unul sau mai mulţi poli şi zerouri de transmisie.
Amplificatoarele operaţionale se folosesc ı̂n numeroase aplicaţii, dintre care cele

mai uzuale sunt:
- ca detector de erori şi amplificator ı̂n sistemele cu reacţie;
- ı̂n filtrele AO-RC, AO-CMOS sau cu capacitǎţi comutate;
- ı̂n amplificatoarele cu câştig variabil;
- ca şi comparatoare de vitezǎ micǎ sau medie.
Pentru a obţine câştigul specificat (ı̂n general de ordinul miilor sau zecilor de
mii), structura internǎ a AO trebuie sǎ permitǎ conversii succesive tensiune-
curent şi apoi curent-tensiune. Circuitul de intrare al fiecǎrui etaj din structura
amplificatorului operaţional converteşte tensiunea diferenţialǎ de intrare ı̂n cu-
rent diferenţial. Acest curent este reconvertit ı̂n tensiune de cǎtre circuitul de
sarcinǎ al etajului. Astfel, câştigul dorit este obţinut prin cascadarea câtorva
etaje de amplificare.
144 CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE
Dacǎ notǎm cu Gm câştigul de conversie tensiune-curent, iar cu Rout câştigul

curent-tensiune, atunci pentru un AO cu n etaje câştigul de joasǎ frecvenţǎ se
scrie:
A0 = (Gm1 Rout1 ) · (Gm2 Rout2 ) . . . (Gmn Routn ) · (7.1)
Schema de principiu a unui amplificator cu n etaje este prezentatǎ ı̂n Figura 7.1.
Etajele acestuia s-au ales sǎ fie de tipul amplificator simplu ı̂n conexiune sursǎ-
comunǎ. Astfel, se poate ı̂nţelege uşor principiului conversiilor succesive, şi
anume: pe fiecare tranzistor se face conversia tensiune-curent, iar apoi curentul
din drenǎ este convertit ı̂napoi ı̂n tensiune pe rezistenţa echivalentǎ de sarcinǎ.
VDD
Circuit Circuit Circuit

de sarcina de sarcina de sarcina
Vout
Vin
Rech1 Rech2 Rechn
M1 M2 Mn
Figura 7.1: Ilustrarea principiului conversiilor succesive ı̂n amplificatoare

cu etaje multiple
VDD
I–›V I–›V I–›V
R1 R2 Rn
V–›I V–›I V–›I VDD
Vout
Vin M1 M2 Mn
Figura 7.2: Exemplu concret de implementare a unui amplificator simplu

cu etaje cascadate
VDD
CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE 145
Un exemplu concret de implementare este arǎtat ı̂n Figura 7.2. În acest scenariu
circuitul de sarcinǎ este o simplǎ rezistenţǎ care determinǎ valoarea aproximativǎ
a rezistenţei de ieşire echivalente corespunzǎtoare fiecǎrui etaj.
În structurile practice de AO prima conversie V-I se face pe un etaj diferenţial,

iar conversia I-V se face pe sarcina acestuia, care poate fi rezistivǎ, sursǎ de
curent sau oglindǎ de curent ı̂n funçtie de câştigul pe care dorim sǎ-l obţinem
şi de topologia impusǎ (ieşire asimetricǎ sau diferenţialǎ).
În categoria amplificatoarelor care se bazeazǎ pe cascadarea mai multor etaje

pentru a obţine câştigul dorit, reprezentantul cel mai cunoscut este AO Miller.
Câştigul mǎrit al unui AO se poate realiza nu numai prin cascadarea mai multor
etaje, fiecare aducandu-şi aportul la câştigului final, ci şi prin folosirea unui
singur etaj de amplificare cu o structurǎ având rezistenţa de ieşire mare, ceea ce
implicǎ şi un câştig ridicat. Acesta este cazul AO cascodǎ telescop şi cascodǎ
pliatǎ. În cele ce urmeazǎ vor fi studiate diferite topologii de amplificatoare
operaţionale.
7.2 Amplificatorul operaţional Miller

Amplificatorul operaţional Miller se foloseşte pentru aplicaţiile unde funcţiona-
rea la frecvenţe ı̂nalte nu este criticǎ. Existǎ douǎ variante de implementare ale
acestuia, cu şi farǎ repetor la ieşire, având schemele bloc din Figura 7.3.
CM
Vin Vout
A1 -A2
Etaj diferential Etaj inversor

de intrare
a)
CM
Vin Vout
A1 -A2 +1
Etaj diferential Etaj inversor Etaj de iesire

de intrare
b)
Figura 7.3: Schemele bloc ale AO Miller a) farǎ şi b)cu repetor la ieşire
VDD
Varianta simplǎ, farǎ etaj repetor la ieşire, are rezistenţa de ieşire mare şi se
poate numi amplificator transconductanţǎ, deoarece livreazǎ la ieşire curent.
Acest tip de AO poate comanda sarcini strict capacitive farǎ a fi influenţat
câştigul de joasǎ frecvenţǎ.
Structura unui AO Miller cu repetor la ieşire este bazatǎ pe un amplificator

transconductanţǎ şi un etaj de ieşire având o rezistenţǎ de ieşire (Rout ) micǎ,
ı̂n caz ideal zero. Varianta de AO Miller cu repetor la ieşire poate comanda
sarcini rezistiv-capacitive. La joasǎ frecvenţǎ rezistenţa de sarcinǎ (RL ) va
determina tensiunea de ieşire din divizorul de tensiune format din Rout şi RL .
Astfel, câştigul repetorului este aproximativ egal cu unitatea.
Schema implementatǎ la nivel de tranzistor a amplificatorului operaţional Miller

este aratatǎ ı̂n Figura 7.4. Tranzistoarele M1 - M2 formeazǎ etajul diferenţial
de intrare, iar M3 -M4 sarcina acestuia de tip oglindǎ de curent. Amplificatorul
diferenţial este polarizat de sursa de curent M5 . Cel de-al doilea etaj este un
amplificator inversor simplu, constituit din M6 şi M7 .
VDD
M3 M4
M6
M1 M2 Vout
Vip Vim CL
M7
M5
Vbiasn
VSS
Figura 7.4: Schema AO Miller simplu
Modelul echivalent de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ corespunzǎtor AO Miller

este dat ı̂n Figura 7.5. Se poate observa cǎ fiecare etaj de câştig este modelat
cu rezistenţa echivalentǎ vǎzutǎ la ieşirea etajului ı̂n paralel cu capacitatea

echivalentǎ a acestui nod şi o sursǎ de curent comandatǎ ı̂n tensiune, având
parametrul Gm . Oglinda de curent M3 -M4 introduce un pol şi un zero negativ
la frecvenţe ı̂nalte unde nu influenţeazǎ funcţionarea AO, din acest motiv nu
au fost modelate.
Vin Gm1Vin R1 C1 Gm2V R2 C2 Vout
Figura 7.5: Modelul echivalent de semnal mic a AO Miller simplu
Conform acestui model, funcţia de transfer a amplificatorului operaţional este

de forma:

1 1
A(s) =Gm1 R1 || Gm2 R2 || =
sC1 sC2
VDD
Gm1 R1 Gm2 R2
= (7.2)
(1 + sR1 C1 ) (1 + sR2 C2 )
Parametrii de semnal mic au urmǎtoarele expresii:



Gm1 = gm1 , Gm2 = gm6

DS2 || rDS4 , R2 = rDS6 || rDS7
R = r
1
(7.3)


C1 = CBD2 + CBD4 + CGS6 + CGD6 (Gm2 R2 )

C = C
2
∼
BD6 + CBD7 + CGD7 + CL = CL
Analizând ecuaţia (7.2) se observǎ cǎ circuitul are doi poli: unul dat de nodul
de ieşire şi celǎlalt de nodul intermediar. Condensatorul C1 este mult mai mic
decât C2 deoarece primul este format din capacitǎţile parazite ale tranzistoarelor
conectate la nodul intermediar al circuitului, iar cel de-al doilea include pe lângǎ
capacitǎţile parazite şi condensatorul de sarcinǎ. O altǎ observaţie este aceea cǎ
rezistenţele R1 şi R2 sunt de acelaşi ordin de mǎrime. Din aceste considerente

rezultǎ cǎ polul p1 este cel dominant şi p2 este polul de ı̂naltǎ frecvenţǎ.
Câştigul de tensiune continuǎ şi polii funcţiei de transfer sunt daţi ı̂n sistemul
de ecuaţii (7.4).


A0 = Gm1 R1 Gm2 R2



 1
fp1 = (7.4)
 2πR2 C2



fp2 =
 1
2πR1 C1
Considerând scenariul ı̂n care p1 este polul dominant, caracteristicile de ampli-

tudine şi fazǎ, aproximate prin asimptotele lor, ale AO ı̂n buclǎ deschisǎ, sunt
date ı̂n Figura 7.6 a).
|A(s)| |A(s)|
p1 p1
p1* p2
p2
GBW f GBW f
p2*
A(s) A(s)
f f
-90 -90
-180 mj -180 mj
a) b)
Figura 7.6: Rǎspunsul ı̂n frecvenţǎ a AO ı̂n buclǎ deschisǎ
Din inspecţia caracteristicilor de frecvenţǎ se poate vedea cǎ valoarea fazei la

frecvenţa unde câştigul este zero dB (notatǎ GBW, eng. Gain BandWidth)
este apropiatǎ de -180 ◦ . Acest fapt se datoreazǎ celor doi poli apropiaţi, ambii
situaţi la frecvenţe mai mici decât GBW. Astfel la frecvenţa unde amplitudinea
este unitarǎ, faza a scǎzut deja douǎ decade ajungând ı̂n jurul valorii de -180◦ .
În aceste condiţii marginea de fazǎ este insuficientǎ pentru a asigura stabilitatea
necondiţionatǎ a amplificatorului ı̂n buclǎ ı̂nchisǎ.
Din condiţia de stabilitate a lui Barkhausen rezultǎ cǎ faza nu trebuie sǎ fie mul-
tiplu de 180◦ la frecvenţa egalǎ cu produsul amplificare-banda (GBW). Pentru
a realiza stabilitatea necondiţionatǎ, marginea de fazǎ se recomandǎ sǎ fie mai
mare decât 45◦ . O valoare a marginii de fazǎ de 60◦ asigurǎ stabilitatea simul-
tan cu compromisul overshoot minim şi vitezǎ de variaţie a tensiunii de ieşire
maximǎ al rǎspunsului la semnal treaptǎ.
Soluţia la acestǎ problemǎ este aşa numita procedurǎ de compensare a carac-

teristicii de frecvenţǎ. Prin aceasta polii sunt separaţi, un pol deplasându-se la
frecvenţe mai joase, iar celǎlat pol la frecvenţe mai mari decât GBW. Separarea
ı̂n frecvenţǎ a celor doi poli are ca efect creşterea marginii de fazǎ. Concret,
compensarea Miller se face cu ajutorul unei capacitǎţi, CM , conectate ı̂ntre
nodul intermediar şi nodul de ieşire al circuitului.
VDD
M3 M4
M6
CM
M1 M2 Vout
Vip Vim CL
M7
M5
Vbiasn
VSS
Figura 7.7: Schema AO Miller compensat
Schema AO Miller compensat este prezentatǎ ı̂n Figura 7.7. Compensarea este
realizatǎ folosind efectul Miller pe etajul al doilea, inversor. Practic, capacitatea
grilǎ-drenǎ a tranzistorului M6 este mǎritǎ cu o capacitate pasivǎ CM . Deoarece
câştigul etajului al doilea este ridicat, CM va fi reflectatǎ la ieşirea etajului

diferenţial cu valoare mǎritǎ. Drept urmare, capacitatea echivalentǎ a acestui
nod va fi mǎritǎ, iar polul corespunzǎtor nodului se va deplasa la frecvenţe mai
joase, devenind polul dominant ı̂n urma compensǎrii.
Adiţional, rezistenţa de ieşire a etajului de câştig ridicat va fi redusǎ de cǎtre

reacţia negativǎ prin capacitatea de compensare. Datoritǎ faptului cǎ la frecven-
ţe ı̂nalte CM este un scurtcircuit virtual, tranzistorul M6 poate fi considerat ı̂n
conexiune de diodǎ. Astfel, rezistenţa de ieşire se poate aproxima cu 1/gm6 .
Reducerea acestei rezistenţe echivalente are drept efect translatarea polului dat
de nodul de ieşire a AO la frecvenţe mai ı̂nalte.
Modelul echivalent de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ al AO Miller compensat

este prezentat ı̂n Figura 7.8. În acest model s-au ignorat polul şi zeroul datorat
oglinzii de curent şi zeroul pozitiv datorat efectului Miller pe tranzistoarele de
intrare.
V CM
Vin Gm1Vin R1 C1 Gm2V R2 C2 Vout
Figura 7.8: Modelul echivalent de semnal mic a AO Miller compensat
Scriind teorema lui Kirchhoff ı̂n nodul intermediar şi ı̂n nodul de ieşire, rezultǎ
sistemul de ecuaţii (7.5).
V

Gm1 Vin + R + V sC1 + sCM (V − Vout ) = 0

VDD

1
(7.5)
V
sCM (V − Vout ) = Gm2 V + out + sC2 Vout


R2
Dupǎ eliminarea variabilei V corespunzǎtoare nodului intermediar al circuitului,

rezultǎ urmǎtoarea funcţie de transfer:

CM


 Gm1 Gm2 R1 R2 1 − s

 Vout Gm2
A(s) = =


Vin 2
s a + sb + 1
(7.6)



a = R1 R2 (C1 C2 + C1 CM + C2 CM )



b = R1 C1 + R2 C2 + (R1 + R2 ) CM + Gm2 R1 R2 CM
Examinând ecuaţia (7.6) se poate vedea cǎ funcţia de transfer a circuitului

are doi poli la frecvenţele ωp1 , ωp2 şi un zero pozitiv la ωrhz (eng. Right
Halfplane Zero). Din nou s-au ignorat polii şi zerorurile de ı̂naltǎ frecvenţǎ
introduse de oglinda de curent, care nu influenţeazǎ funcţia de transfer ı̂n re-
giunea frecvenţelor de interes. În conformitate cu aceastǎ observaţie, forma
generalǎ a funcţiei de transfer se scrie ca ı̂n ecuaţia (7.7).

s
A0 1 −
ω
A (s) = rhz (7.7)
s s
1+ 1+
ωp1 ωp2
Determinarea expresiei polilor şi a zeroului se face prin identificarea coeficienţilor

termenilor ı̂n s din relaţiile (7.6) şi (7.7). În vederea simplificǎrii calculelor se
presupune cǎ polul al doilea este situat la frecvenţǎ mult mai ı̂naltǎ decât polul
dominant, ωp2 >> ωp1 . Utilizând aceastǎ aproximare, rezultǎ:

A0 = Gm1 R1 Gm2 R2



 1 1

ωp1 = =
b [C2 R2 + C1 R1 + CM (R1 + R2 ) + CM Gm2 R1 R2 ]





b C2 R2 + C1 R1 + CM (R1 + R2 ) + CM Gm2 R1 R2 (7.8)
ωp2 = =


 a R1 R2 [C1 C2 + CM C1 + CM C2 ]


Gm2



ωrhz = C


M
Pentru a simplifica expresiile polilor şi ale zeroului se ţine cont de urmǎtoarele
aproximǎri:
- etajul al doilea are un câştig ridicat → Gm2 R2 >> 1;
- capacitatea de sarcinǎ este mult mai mare decât capacitatea parazitǎ a

nodului intermediar → CL >> C1 .
Expresiile aproximative ale frecvenţelor polilor şi a zeroului rezultǎ ca ı̂n sistemul
(7.9).
1

fp1 ∼
 =



 2πGm2 R1 R2 CM

Gm2

fp2 ∼
= (7.9)


 2πC2
Gm2



frhz =

2πCM
Din expresiile polilor se observǎ cǎ p1 este situat la frecvenţe joase datoritǎ
efectului Miller. Efectul Miller se menifestǎ prin mǎrirea capacitǎţii echivalente
la nodul intremediar. Capacitatea reflectatǎ are valoarea amplificatǎ de câştigul
etajului al doilea, Gm2 R2 . Polul p2 este translatat la frecvenţǎ ı̂naltǎ datoritǎ
scurtcircuitului realizat de CM şi conexiunii virtuale de diodǎ a tranzistorului
M6 la frecvenţe mari. Caracteristicile de frecvenţǎ ale circuitului compensat
sunt date ı̂n Figura 7.6 b).
Dimensionarea condensatorului Miller CM este problema cheie pentru a asigura

marginea de fazǎ suficient de mare a amplificatorului cu douǎ etaje. În paragra-
ful urmǎtor sunt deduse relaţiile de dimensionare a condensatorului CM pornind
de la o valoare impusǎ a marginii de fazǎ.
7.2.1 Dimensionarea condensatorului Miller pentru stabili-

tate necondiţionatǎ
Considerând cǎ polii sunt separaţi ı̂n frecvenţǎ ı̂n urma compensǎrii, iar fp1 <<
fp2 , efectele lor nu se vor suprapune, prin urmare se poate utiliza modelul cu
pol pseudo-dominat. Modelul cu pol pseudo-dominant ı̂nseamnǎ cǎ primul etaj
va fi considerat un integrator ideal, cu polul specific ı̂n origine (polul dominant
p1 al AO), având defazaj de −90◦ la orice frecvenţǎ. Adiţional, ştiind cǎ zeroul
pozitiv introduce un defazaj suplimentar ı̂n caracteristica de fazǎ, trebuie luat
ı̂n calcul şi efectul acestuia asupra marginii de fazǎ. În aceste condiţii, se obţine
expresia marginii de fazǎ dupǎ cum urmeazǎ:

◦ −1 GBW −1 GBW
mφ = 90 − tan − tan (7.10)
fp2 frhz
Considerând, de exemplu, zeroul poziţionat la frecvenţǎ de zece ori mai mare

decât GBW , se poate calcula frecvenţa polului al doilea raportatǎ la GBW
pentru o valoare a marginii de fazǎ impusǎ. Astfel, pentru mφ = 45◦ rezultǎ
fp2 = 1, 22 · GBW , iar pentru mφ = 60◦ se obţine fp2 = 2, 22 · GBW .
În practicǎ, amplificatorul Miller se proiecteazǎ pentru o margine de fazǎ

mφ = 60◦ , valoare care asigurǎ un compromis ı̂ntre stabilitate, overshoot şi
viteza de variaţie a tensiunii de ieşire. Prin urmare, dacǎ valoarea raportului
dintre fp2 şi GBW este cunoscutǎ, utilizând relaţiile (7.11), rezultǎ raportul
dintre capacitatea Miller şi a celei de sarcinǎ.
 Gm1
GBW = A0 fp1 = 2πC


M
(7.11)
fp2 ∼
 Gm2
=

2πCL
Capacitatea de compensare se dimensioneazǎ conform urmǎtoarei relaţii:
Gm1 1
CM = CL · · (7.12)
Gm2 GBW
tan 90◦ − mφ − tan−1
frhz
7.2.2 Viteza de variaţie a tensiunii de ieşire la AO Miller
Viteza de variaţie a tensiunii de ieşire, notatǎ SR (eng. Slew-Rate), este un

parametru de ı̂naltǎ frecvenţǎ şi semnal mare al amplificatoarelor operaţionale.
Acesta se defineşte ca rata maximǎ cu care poate varia tensiunea de ieşire a
amplificatorului operaţional.
Dacǎ amplitudinea semnalului de intrare depǎşeste o valoare criticǎ, atunci tot

curentul dat de sursa de curent care polarizeazǎ etajul diferenţial va trece prin
unul dintre tranzistoarele de intrare M1 sau M2 . Blocarea uneia sau a celeilalte
dintre ramurile etajului diferenţial depinde de semnul tensiunii de intrare. Pentru
o tensiune pozitivǎ la intrare, tranzistorul M1 conduce şi M2 este blocat. Astfel,
tot curentul de polarizare se regǎseşte ı̂n M1 şi prin oglinda de curent M3 - M4 .
Capacitatea de compensare CM se va ı̂ncǎrca de la acest curent furnizat de
oglindǎ. Sensul curentului este reprezentat cu linie continuǎ ı̂n Figura 7.9. În
cazul unei tensiuni negative la intrare, M1 este blocat şi M2 conduce, iar curentul
de polarizare al etajului descarcǎ direct condensatorul CM . Sensul curentului
este desenat cu linie punctatǎ, ı̂n acest caz.
VDD
M3 M4 CM
-A2
Vout
M1 M2 CL
Vip Vim
M5
Vbiasn
VSS
Figura 7.9: Sensul curentului de polarizare ı̂n AO Miller pentru tensiuni

de intrare pozitive şi negative
La determinarea vitezei de variaţie a tensiunii de ieşire trebuie ţinut cont de

fiecare nod al circuitului. În formula finalǎ a SR-ului apare raportul minim
dintre curentul de ı̂ncǎrcare şi capacitatea echivalentǎ asociatǎ fiecǎrui nod ı̂n
parte. Pentru AO Miller, expresia SR se poate scrie dupǎ cum urmeazǎ:

dVout I5 I6 I5
SR = = min , = (7.13)
dt CM CL CM
7.2.3 Amplificatorul operational Miller complet diferenţial
Schema AO Miller complet diferenţial este prezentatǎ ı̂n Figura 7.10.
VDD
M3 M4
Vbiasp M6
CM
M8
CM
M1 M2
Vip Vim Vom CL Vop
M7 M9
M5
Vbiasn
VSS
Figura 7.10: Schema AO Miller complet diferenţial
Avantajele prelucrǎrii de semnal diferenţiale au fost punctate ı̂n capitolul ”Am-

plificatoare Diferenţiale” şi datoritǎ acestora, ı̂n lanţurile de prelucrare a sem-
nalului sunt preferate structurile complet diferenţiale.
Circuitul este similar cu AO Miller simplu, cu diferenţa cǎ etajul de intrare are
sarcina de tipul sursǎ de curent, formatǎ din tranzistoarele M3 -M4 , iar etajul al
doilea este dublat. Astfel, este posibilǎ sǎ culegem semnalul de ieşire diferenţial.
Vip CM Vop
Vin Gm1Vin R1 C1 V Gm2V R2 C2 Vout
CM
Vim Vom
Figura 7.11: Modelul echivalent pentru varianta complet diferenţialǎ

Schema de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ este datǎ ı̂n Figura7.11.
Parametrii de semnal mic se exprimǎ ı̂n mod similar ca la varianta cu ieşire

asimetricǎ, dar trebuie ţinut cont de conexiunile diferenţiale ale componentelor.
 gm1 gm6
Gm1 = , Gm2 =



 2 2
R = 2 (r || r ) , R2 = 2 (rDS6 || rDS7 )

 1 DS2 DS4


1 (7.14)
C1 = · [CBD2 + CBD4 + CGS6 + (CGD6 + CM ) A2 ]
2




C2 = 1 · (CBD6 + CBD7 + CL ) ∼ CL



=
2 2
7.2.4 Amplificatorul operaţional Miller

cu etaj repetor de ieşire
Amplificatorul operaţional Miller cu etaj repetor de ieşire este folosit ca sursǎ
de tensiune comandatǎ ı̂n tensiune şi poate comanda sarcini rezistiv-capacitive.
Schema AO Miller cu etaj repetor de ieşire este datǎ ı̂n Figura 7.12. Tranzis-
toarele M8 si M9 constituie bufferul de ieşire, având câştig unitar.
VDD
M3 M4
M6 M8
CM
M1 M2 Vout
Vip Vim CL
M7 M9
M5
Vbiasn
VSS
Figura 7.12: Schema AO Miller cu etaj repetor de ieşire

Modelul echivalent de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ este arǎtat ı̂n Figura 7.13.
Etajul de ieşire este modelat cu o sursǎ de tensiune comandatǎ ı̂n tensiune
având câştig unitar şi ı̂n serie cu ea este conectatǎ rezistenţa echivalentǎ de
ieşire a bufferului.
V CM R3
Vin Gm1Vin R1 C1 Gm2V R2 C2 AV=1 C3 Vout
Figura 7.13: Modelul echivalent de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ pentru
circuitul din Figura 7.9
Funcţia de transfer a circuitului este similarǎ cu cea a AO Miller simplu, cu

diferenţa cǎ etajul repetor de ieşire introduce un pol deı̂naltǎ frecvenţǎ adiţional.
Astfel, expresia lui A(s) este ı̂n conformitate cu ecuaţia (7.15).

CM VDD
Gm1 Gm2 R1 R2 1 − s




 Gm2
A(s) =

 2
(s a + sb + 1) (1 + sR3 C3 )
(7.15)
a = R1 R2 (C1 C2 + C1 CM + C2 CM )







b = R C + R C + (R + R ) C + G R R C
1 1 2 2 1 2 M m2 1 2 M
Parametrii de semnal mic G1 , R1 , C1 , G2 şi R2 sunt aceaşi ca la AO Miller

fǎrǎ etaj repetor din ecuaţia (7.3). Însǎ, expresia lui C2 se modificǎ datoritǎ
influenţei capacitǎţilor parazite ale etajului repetor asupra capacitǎţii echivalente
din nodul de ieşire a amplificatorului simplu. Astfel, C2 , rezistenţa şi capacitatea
echivalentǎ a bufferului de ieşire se scriu:

C = CBD6 + CBD7 + CGD7 + CGD8
 2


1 ∼ 1
R3 = rDS9 || = (7.16)
 gm8 gm8
C3 = CBD8 + CBS9 + CGS8 + CGD9 + CL ∼

= CL

Frecvenţele aproximative ale polilor şi a zeroului funcţiei de transfer sunt date
ı̂n sistemul (7.17).

∼ 1
fp1 =
2πGm2 R1 R2 CM








∼ Gm2
fp2 =


2πC2
(7.17)
 1
fp3 =


2πR3 C3





frhz = Gm2



2πCM
Analizând aceste ecuaţii se observǎ cǎ frecvenţa polului dominant a rǎmas

aceeaşi ca la AO Miller simplu. Polul de ı̂naltǎ frecvenţǎ s-a mutat mai sus
ı̂n frecvenţǎ, datoritǎ capacitǎţii echivalente scǎzute a nodului de la intrarea
etajului repetor. Etajul repetor de ieşire introduce un pol suplimentar ı̂n funcţia
de transfer putând contribui semnificativ la ı̂nrǎutǎţirea marginii de fazǎ. Drept
urmare, expresia marginii de fazǎ trebuie completatǎ ca ı̂n urmǎtoarea ecuaţie:

GBW GBW GBW
mφ = 90◦ − tan−1 − tan−1 − tan−1 (7.18)
fp2 frhz fp3
Dezavantajul compensǎrii Miller este acela cǎ impune un compromis ı̂ntre ban-
dǎ, marginea de fazǎ şi consumul de curent al amplificatorului operaţional.
Astfel, stabilitatea necondiţionatǎ şi banda largǎ se pot obţine numai cu preţul
unui consum de curent ridicat. Datoritǎ acestei limitǎri AO Miller este utilizat
cu precǎdere ı̂n circuitele la care frecvenţa de funcţionare nu depǎşeşte câţiva
MHz.
7.2.5 Metoda de proiectare a amplificatorului

operaţional Miller
În acest paragraf este prezentatǎ metoda completǎ de proiectare a unui ampli-
ficator operaţional Miller pentru specificaţii impuse.
Specificaţiile considerate ı̂n majoritatea aplicaţiilor sunt urmǎtoarele:

- câştigul de joasǎ frecvenţǎ A0 ≥ 60dB;

- viteza maximǎ de variaţie a tensiunii de ieşire SR ≥ 15V /µs;
- produsul amplificare-bandǎ GBW ≥ 10M Hz;
- zeroul pozitv sǎ fie situat la o frecvenţǎ frhz = 10GBW ;
- capacitatea de sarcinǎ CL = 10pF ;
- alimentare simetricǎ VDD = −VSS = 3V ;
- stabilitate necondiţionatǎ cu mφ = 60◦ ;
- tensiunea de overdrive a tranzistoarelor care nu rezultǎ din calcul se con-
siderǎ Vod = 200mV .
Tip ID W/L Vod VT h

NMOS 50µA 10µ/1µ 174mV 450mV
PMOS 50µA 20µ/1µ 225mV 450mV
Tabelul 7.1: Valorile parametrilor din setul de referinţǎ
Pasul 1: determinarea capacitǎţii de compensare ı̂n raport cu cea de sarcinǎ.
Conform expresiilor deduse pentru GBW si frhz , pe care le repetǎm din nou ı̂n
ecuaţiile (7.19), şi ţinând cont de relaţia dintre frecvenţa zeroului şi GBW datǎ
ı̂n specificaţii, vom avea:
Gm1

GBW =

 2πCM
(7.19)
 G m2
frhz =
 ⇒ Gm2 = 10Gm1
2πCM
Determinarea raportului dintre frecvenţa polului al doilea şi produsul amplifica-

re-bandǎ se face pe baza ecuaţiei (7.10), dupǎ cum urmeazǎ:

GBW ◦ −1 GBW
= tan 90 − mφ − tan ⇒ fp2 ≥ 2, 22GBW (7.20)
fp2 frhz
Ţinând cont de acest rezultat, de legǎtura dintre transcoductanţele celor douǎ

etaje dedusǎ ı̂n (7.19) şi de expresiile lui GBW si fp2 , pe care le rescriem ı̂n
sistemul (7.21), rezultǎ relaţia dintre capacitatea Miller şi cea de sarcinǎ:
Gm1

GBW = 2πC


M
(7.21)
G
fp2 = m2

 ⇒ CM ≥ 0, 22CL
2πCL
Pe baza acestei relaţii şi ştiind cǎ CL = 10pF , putem alege capacitatea de
compensare CM = 2, 5pF .
CM = 2, 5pF
Pasul 2: calculul curentului de polarizare a etajului diferenţial.
Din formula vitezei maxime de variaţie a tensiunii de ieşire se calculeazǎ curentul

I5 astfel:
I5
SR = ⇒ I5 = SR · CM = 37, 5µA (7.22)
CM
I5 = 37, 5µA
Pasul 3: calculul valorilor transconductanţelor celor douǎ etaje.
Din expresia produsului amplificare-bandǎ putem obţine valoarea lui Gm1 :
Gm1
GBW = ⇒ G1 = 2πCM · GBW = 157µS (7.23)
2πCM
Am arǎtat anterior cǎı̂ntre transconductanţele celor douǎ etaje exitǎ urmǎtoarea

relaţie:
Gm2 = 10Gm1 = 1, 57mS (7.24)
Gm1 = gm1 = 157µS, Gm2 = gm6 = 1, 57mS

Pasul 4: gǎsirea tensiunilor de ovedrive pentru tranzistoarele M1 -M2
Ştiind valorile transconductanţei şi a curentului prin M1 , putem afla tensiunea

de overdrive a acestui tranzistor:
2I1 I5 I5
gm1 = = ⇒ Vod1 = = 239mV (7.25)
Vod1 Vod1 gm1
Vod1 = Vod2 = 239mV, restul Vod = 200mV
Pasul 5: dimensionarea tranzistoarelor M1 -M2
Folosind setul de referinţǎ pentru tranzistoare NMOS (I = 50µA, Vod =

174mV, W/L = 10µ/1µ) se face o scalare pentru a obţine setul de parametrii
doriţi (I1 = 18, 75µA, Vod1 = 239mV, W1 /L1 ):
2
50µ 10L1 174m W1 2µ
= · ⇒ =2= (7.26)
18, 75µ W1 239m L1 1µ
W1 W2 2µ
= =
L1 L2 1µ
Pasul 6: dimensionarea tranzistorului M5
Se face o nouǎ scalare pentru setul de parametrii doriţi

(I5 = 37, 5µA, Vod5 = 200mV, W5 /L5 ):
2
50µ 10L5 174m W5 5, 7µ
= · ⇒ = 5, 7 = (7.27)
37, 5µ W5 200m L5 1µ
W5 5, 7µ
=
L5 1µ
Pasul 7: dimensionarea tranzistoarelor M3 -M4
Din nou scalǎm, de data aceasta folosind setul de referinţǎ pentru tranzistoare
PMOS (I = 50µA, Vod = 225mV, W/L = 20µ/1µ). Parametrii doriţi sunt
(I3 = 18, 75µA, Vod3 = 200mV, W3 /L3 ):
2
50µ 20L3 225m W3 9, 5µ
= · ⇒ = 9, 5 = (7.28)
18, 75µ W3 200m L3 1µ
W3 W4 9, 5µ
= =
L3 L4 1µ
Pasul 8: determinarea curentului prin etajul al doilea de câştig şi dimensionarea

lui M6
Pentru ca factorul de reflexie al oglinzii de curent M3 -M4 şi M6 sǎ nu depindǎ

de eroarea datoratǎ coeficientului de modulaţie al lungimii canalului, se impune
condiţia de echilibru a tensiunilor drenǎ-sursǎ. În aceste condiţii tensiunile de
overdrive ale tranzistoarelor ce formeazǎ oglinda sunt egale:
Vod3 = Vod4 = Vod6 = 200mV (7.29)
Din formula transconductanţei pentru M6 , rezultǎ curentul prin acesta conform

ecuaţiei (7.28).
2I6 1
gm6 = ⇒ I6 = · gm6 · Vod6 157µA (7.30)
Vod6 2
I6 = 157µA
Facem o nouǎ scalare pentru a obţine raportul dintre lǎţimea şi lungimea ca-
nalului lui M6 :
2
50µ 20L6 225m W6 40µ
= · ⇒ = 80 = (7.31)
157µ W6 200m L6 0, 5µ
W6 40µ
=
L6 0, 5µ
Pasul 9: dimensionarea lui M7
2
50µ 10L7 174m W7 23, 8µ
= · ⇒ = (7.32)
157µ W7 200m L7 1µ
W7 23, 8µ
=
L7 1µ
Pasul 10: calculul tensiunii de polarizare Vbiasn
Vbiasn = VSS + VT hn + Vod5 = −3 + 0, 45 + 0, 2 = −2, 35V (7.33)
Vbiasn = −2, 35V
Observaţie: metoda de dimensionarea a circuitului prezentatǎ anterior, tre-

buie completatǎ prin rularea unor simulǎri atât de punct static de funcţionare
cât şi de curent alternativ şi se ajusteazǎ fin, ı̂n câteva iteraţii geometria
tranzistoarelor pânǎ se obţin performanţele dorite ale AO proiectat.
7.3 Amplificatorul operaţional cascodǎ telescop

Dezavantajul major al AO Miller este acela cǎ pentru un consum rezonabil
putem obţine o bandǎ modestǎ. Limitarea se datoreazǎ metodei de compensare
Miller. O structurǎ care pentru acelaşi consum oferǎ o bandǎ mai largǎ este
amplificatorul cascodǎ telescop. La aceastǎ variantǎ de AO câştigul ridicat
este asigurat de rezistenţa de ieşire mare, tipic de ordinul MΩ-lor, a structurii
cascodǎ.
Schema AO cascodǎ telescop este prezentatǎ ı̂n Figura 7.14. Tensiunea de

intrare se aplicǎ tranzistoarelor M1a -M1b din etajul diferenţial. Sarcina acestuia
este oglinda cascodǎ formatǎ din M3a -M3b şi M4a -M4b . Pentru a mǎri rezistenţa
de ieşire se utilizeazǎ cascoda de tip NMOS ı̂n locul structurii simple de etaj
diferenţial. Întreg etajul este polarizat cu sursa de curent implementatǎ cu M5 .
VDD
M4a M4b
M3a M3b
Vout
M2a M2b
CL
Vcasn
D1a D1b
M1a M1b
Vip Vim
M5
Vbiasn
VSS
Figura 7.14: AO cascodǎ telescop
Modelul echivalent de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ corespunzǎtor AO cascodǎ

telescop este dat ı̂n Figura 7.15. Similar ca la AO cu compensare Milller s-au
ignorat singularitǎţile introduse de oglinda de curent cascodǎ M3a -M3b .
D1a
Vin Rp Cp Vp Rout Cout Vout

Gm1Vin Gm2Vp
D1b
Figura 7.15: Modelul echivalent de semnal mic al AO cascodǎ telescop
Conform acestui model funcţia de transfer a amplificatorului operaţional rezultǎ

de forma:
Gm1 Rout Gm2 Rp

A(s) = , (7.34)
(1 + sRp Cp ) (1 + sRout Cout )
unde parametrii de semnal mic au urmǎtoarele expresii:

Gm1 = gm1 ,

 Rout = gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4

gm2 2

Rp ∼

Gm2 = 2 ,


 =
gm2
(7.35)


Cout = CBD2 + CBD3 + CGD2 + CGD3 + CL ∼ = CL



Cp = 1 (CBS2 + CGS2 + CBD1 )



2
În cele ce urmeazǎ sunt prezentaţi paşii de proiectare sistematicǎ a unui AO

cascodǎ telescop, având specificaţile:
- alimentarea simetricǎ VDD = −VSS = 2V ;
- amplitudinea maximǎ a semnalului de ieşire VsemnM AX = 0, 5V
Pasul 1: domeniul maxim de variaţie a semnalului la ieşire.
La proiectare se considerǎ toate tranzistoarele polarizate ı̂n regim saturat. Prin

urmare, tensiunea drenǎ-sursǎ a fiecǎrui tranzistor este mai mare decât ten-
siunea sa de overdrive. Pentru tranzistoarele M4 , M5 alegem Vod = 250mV
in vederea obţinerii unei bune ı̂mperecheri. În cazul tranzistoarelor cascodǎ se
alege o valoare mai micǎ, Vod = 200mV , pentru a obţine o valoare mǎritǎ a
transconductanţei, necesarǎ realizǎrii rezistenţei de ieşire ridicate a AO. Tensiu-

nea de overdrive a tranzistoarelor de intrare M1 rezultǎ din specificaţii ca fiind
Vod1 = 150mV , dupǎ cum se va arǎta la Pasul 5.
Tensiunea drenǎ-sursǎ a fiecǎrui tranzistor se alege cu o margine ∆V = 100mV

pentru a pǎstra tranzistoarele ı̂n regim saturat chiar şi ı̂n cazul cel mai defavo-
rabil, ı̂n care tensiunea de prag şi punctul static de funcţionare se deplaseazǎ
cu temperatura şi cu neidealitǎţile procesului de fabricaţie.
Domeniul de variaţie al tensiunii de ieşire trebuie ales astfel ı̂ncât tranzistoarele

sǎ nu ajungǎ ı̂n regim liniar sau blocate. În consecinţǎ, limitele de variaţie ale
tensiunii de ieşire se pot scrie:


VDD − VoutM AX = VDS3 + VDS4

VoutM AX = VDD − (Vod3 + ∆V ) + (Vod4 + ∆V )







 ⇒ VoutM AX = 1, 35V

(7.36)



VoutM IN − VSS = VDS1 + VDS2 + VDS5

V = VSS + Vod1 + Vod2 + Vod5 + 3∆V
 outM IN




⇒ VoutM IN = −1, 1V

S-a notat cu VoutM AX şi VoutM IN tensiunea maximǎ, respectiv minimǎ instan-
tanee la ieşirea circuitului.
Rezultǎ cǎ variaţia maximǎ vârf la vârf a tensiunii de ieşire este:
∆Vout = VoutM AX − VoutM IN = 1, 35 − (−1, 1) = 2, 45V (7.37)
Valoarea teoreticǎ maximǎ a tensiunii de ieşire suportate de circuit farǎ dis-

torsiuni (limitare) este 2, 45V . Pentru aplicaţia noastrǎ considerǎm variaţia
semnalului de ieşire de 1V , valoare normalǎ ı̂n circuitele cu AO. Se pot alege
şi alte valori ı̂n limitele admise şi considerând tensiunea de mod comun datǎ.
Notǎm amplitudinea semnalului de ieşire cu VsemnM AX , acesta având valoarea
egalǎ cu jumǎtate din variaţia semnalului de ieşire, mai precis 0, 5V .
Pasul 2: calculul tensiunii de mod comun VM C .

Pentru ca AO sǎ funcţioneze corect atunci când este cascadat ı̂ntr-un lanţ de
amplificatoare, tensiunile de mod comun la intrare şi ieşire trebuie sǎ fie egale,
VM Cin = VM Cout .
Limita inferioarǎ a domeniului de variaţie a tensiunii de mod comun trebuie

sǎ permitǎ ca tranzistoarele de intrare M1a -M1b şi cel de polarizare al etaju-
lui diferenţial M5 sǎ fie ı̂n regim saturat. Conform acestei condiţii, tensiunea
grilǎ-sursǎ a tranzistoarelor de intrare şi cea drenǎ-sursǎ a tranzistorului ce im-
plementeazǎ sursa de curent trebuie sǎ asigure funcţionarea dispozitivelor ı̂n
regim saturat.
VM Cmin − VSS = VGS1 + VDS5 , (7.38)

unde:
(
VGS1 = Vod1 + VT hn = 0, 15 + 0, 45 = 0, 6V
(7.39)
VDS5 = Vod5 + ∆V = 0, 25 + 0, 1 = 0, 35
Rezultǎ VM Cmin = −1, 05V
Pe de altǎ parte, tot valoarea minimǎ a tensiunii de ieşire se poate obţine

conform ecuaţiei (7.40).
VM Cmin − VSS = VDS1 + VDS2 + VDS5 + VsemnM AX , (7.40)

unde:

VDS1 = Vod1 + ∆V = 0, 15 + 0, 1 = 0, 25V

VDS2 = Vod2 + ∆V = 0, 2 + 0, 1 = 0, 3V (7.41)

VDS5 = Vod5 + ∆V = 0, 25 + 0, 1 = 0, 35

De aceastǎ datǎ, rezultǎ VM Cmin = −0, 6V .
Pentru a afla valoarea minimǎ a tensiunii de mod comun, se ia cazul cel mai
defavorabil VM Cmin = −0, 6V .
Limita superioarǎ a domeniului de variaţie a tensiunii de mod comun trebuie sǎ

permitǎ funcţionarea tranzistoarelor M3b şi M4b din oglinda de curent cascodǎ ı̂n
regim saturat, chiar şi atunci când semnalul de ieşire atinge valoarea sa maximǎ.
VDD − (VM Cmax + VsemnM AX ) = VDS3 + VDS4 , (7.42)

unde:
(
VDS3 = Vod3 + ∆V = 0, 3V
(7.43)
VDS4 = Vod4 + ∆V = 0, 35V
Rezultǎ valoarea maximǎ a tensiunii de mod comun, ca fiind VM Cmax = 0, 85V
Teoretic, tensiunea de mod comun poate fi aleasǎ oriunde ı̂ntre -0,6V şi +0,85V.
În practicǎ, variaţia optimǎ a semnalului la ieşire este obţinutǎ atunci când
tensiunea de mod comun este aleasǎ la aproximativ jumǎtatea intervalului dintre
limitele admise pentru VM C . Prin urmare, o posibilǎ valoare ar putea fi VCM =
0V .
Pasul 3: calculul tensiunilor de polarizare Vbiasn si Vcasn .
Pentru a determina tensiunile de polarizare, trebuie mai ı̂ntâi stabilite cǎderile de

tensiune drenǎ-sursǎ pe fiecare tranzistor. Cǎderea de tensiune pe fiecare tran-
zistor trebuie sǎ permitǎ polarizarea acestuia ı̂n regim saturat. În consecinţǎ,
tensiunea sa drenǎ-sursǎ se alege cu o margine de cel puţin 100mV faţǎ de
tensiunea de overdrive.
Se porneşte cu aşezarea ı̂n tensiune a tranzistorului M5 . Tensiunea VDS5 este

condiţionatǎ de valoarea tensiunii de mod comun la intrare, astfel:
VM Cin − VSS = VGS1 + VDS5 ⇒ VDS5 = 1, 4V (7.44)
Dacǎ VM Cin = VM Cout , atunci valoarea teoreticǎ calculatǎ a tensiunii instanta-

nee la ieşire nu se mai conformeazǎ ecuaţiei 7.36, ci este limitatǎ de tensiunea
grilǎ-sursǎ a tranzistorului de intrare şi de tensiunea drenǎ-sursǎ a lui M5 . Deoa-
rece la M5 asigurǎm 1, 4V , atunci restul de 0, 6V care rǎmân trebuie ı̂mpǎrţiţi
ı̂ntre tranzistoarele M1 şi M2 . Vom aloca mai mult spaţiu ı̂n tensiune tranzisto-
rului cascodǎ, deoarece ca şi la sursa de curent cascodǎ, tranzistorul care intrǎ
primul ı̂n regim liniar este cel cascodǎ. Prin urmare, alegem VDS1 = 0, 25V şi
VDS2 = 0, 35V .
Cascodarea tranzistorului de intrare duce la o structurǎ nepotrivitǎ pentru egali-
tatea tensiunilor de mod comun de la intrare şi ieşire. Aceasta, datoritǎ faptului
cǎ bugetul de tensiune alocat tranzistorului de intrare şi celui cascodǎ este prea
redus. Este posibil ca pentru valori mai mari ale tensiunii de overdrive a Min ,
acest tranzistor sǎ fie la limita regimului saturat.
În cazul tranzistoarelor PMOS nu mai este o problemǎ alocarea tensiunilor

drenǎ-sursǎ, deoarece dispunem de 2V pe care sǎ-i ı̂mpǎrţim ı̂ntre M3 şi M4 .
Din nou alocǎm mai mult tranzistorului cascodǎ şi vom avea VDS3 = 1, 5V şi
VDS4 = 0, 5V .
În Figura 7.16 sunt marcate tensiunile drenǎ-sursǎ şi curenţii prin tranzistoare.
VDD=2V
M4a M4b
VDS4=0,5V
100uA 100uA
M3a M3b
VDS3=1,5V
VMC=0V
M2a M2b
Vcasn=0,3V
VDS2=0,35V
M1a VDS1=0,25V M1b
VMC=0V VMC=0V
200uA
Vbiasn=-1,3V
VDS5=1,4V
M5
VSS=-2V
Figura 7.16: AO cascodǎ telescop - aşezare ı̂n tensiune
Acum se pot calcula tensiunile de polarizare, conform ecuaţiilor (7.45) şi (7.46).
Vcasn − VSS =VGS2 + VDS1 + VDS5

⇒ Vcasn = VSS + (Vod2 + VT hn ) + VDS1 + VDS5 (7.45)
Vbiasn − VSS = VGS5 ⇒ Vbiasn = VSS + (Vod5 + VT hn ) (7.46)
Dupǎ ı̂nlocuirea valorilor numerice şi efectuarea calculelor rezultǎ:
(
Vcasn = −2 + (0, 2 + 0, 45) + 0, 25 + 1, 4 = 0, 3V
(7.47)
Vbiasn = −2 + (0, 25 + 0, 45) = −1, 3V
Pasul 4: determinarea curentului de polarizare a etajului diferenţial.
Curentul I5 se obţine din expresia SR-ului, astfel:
I5
SR = ⇒ I5 = SR · CL = 200µA (7.48)
CL
Curentul prin cele douǎ ramuri ale etajului diferenţial este egal cu jumǎtate din
curentul dat de sursa implementatǎ cu M5 .
I1 = I2 = I3 = I4 = I5 /2 = 100µA (7.49)
I5 = 200µA, I1 = I2 = I3 = I4 = 100µA
Pasul 5: calculul tensiunii de overdrive a tranzistoarelor de intrare.
Din expresia lui GBW se poate calcula transconductanţa Gm1 .
Gm1
GBW = ⇒ Gm1 = gm1 = 2πCL · GBW = 1, 33mS (7.50)
2πCL
Pe de altǎ parte transconductanţa tranzistorului M1 se poate scrie conform

ecuaţiei (7.51).
2I1
gm1 = (7.51)
Vod1
Din ecuaţiile (7.50) şi (7.51) rezultǎ valoarea tensiunii de overdrive pentru tran-
zistoarele M1a -M1b .
2I1
Vod1 = = 150mV (7.52)
gm1
gm1 = 1, 33mS, Vod1 = 150mV
Pasul 6: dimensionarea tranzistoarelor.

Tip ID Vod VDS
M1a − M1b 100µA 150mV 0,3V
M2a − M2b 100µA 200mV 0,45V
M3a − M3b 100µA 200mV 1,5V
M4a − M4b 100µA 250mV 0,5V
M5 200µA 250mV 1,25V
Tabelul 7.2: Curenţii şi tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor
Curenţii şi tensiunile de overdrive a tuturor tranzistoarelor din schemǎ sunt date
ı̂n Tabelul 7.2. Conform acestor valori şi folosind setul de referinţǎ, se poate
calcula raportul W/L pentru fiecare tranzistor.
Pentru dimensionarea tranzistoarelor se face urmǎtoarea scalare:
!2 !2
ref ref
Iref Wref L Vod W Wref I Vod
= · · ⇒ = · · (7.53)
I Lref W Vod L Lref Iref Vod
Particularizând aceastǎ ecuaţie pentru fiecare tranzistor din schemǎ, rezultǎ

geometria acestora, conform Tabelului 7.3.
Pentru tranzistoarele cascodǎ M2 şi M3 s-a ales lungimea canalului mai redusǎ
decât a celorlate, ı̂n vederea diminuǎrii capacitǎţilor parazite de la ieşire.
M M1 M2 M3 M4 M5
W 26, 9µ 7, 5µ 25, 3µ 32, 4µ 19, 4µ
L 1µ 0, 5µ 0, 5µ 1µ 1µ
Tabelul 7.3: Valorile W/L a tranzistoarelor
7.3.1 AO cascodǎ telescop complet diferenţial

Schema AO cascodǎ telescop cu ieşire diferenţialǎ se obţine din structura de
AO cascodǎ telescop cu ieşire simplǎ. Pentru aceasta se ı̂nlocuieşte sarcina
oglindǎ de curent cascodǎ cu surse de curent cascodǎ şi se culege diferenţial
ieşirea din drenele tranzistoarelor M2 . În acest caz, circuitul de polarizare trebuie
sǎ furnizeze pe lângǎVtensiunile
casn Vbiasn , Vcasn şi tensiunea de polarizare Vcasp ,
necesarǎ pentru polarizarea tranzistoarelor cascodǎ PMOS.
Schema AO cascodǎ telescop complet diferenţialǎ este datǎ ı̂n Figura 7.17.
VDD
M4a M4b
Vbiasp
M3a M3b
Vcasp
Vop Vom
M2a CL M2b
Vcasn
M1a
D1a D1b M1b
Vip Vim
M5
Vbiasn
VSS
Figura 7.17: AO cascoda telescop complet diferenţialǎ

Un caz special ı̂l constituie modul de generare a tensiunii de polarizare Vbiasp ,

care este furnizatǎ de un circuit destinat reglajului tensiunii de mod comun.
Acesta are la intrarea sa componenta continuǎ a tensiunii instantanee de la
fiecare ieşire a AO diferenţial, pe care o comparǎ cu o tensiune de referinţǎ,
egalǎ chiar cu tensiunea de mod comun. Printr-o buclǎ de reacţie negativǎ, prin
intermediul lui Vbiasp se regleazǎ curentul prin ramurile AO, pânǎ când tensiunea
de mod comun la ieşire are valoarea doritǎ. În literatura de specialitate se gǎsesc
mai multe variante de implementare a circuitelor de reglaj a tensiunii de mod
comun, dar acestea, aparţinând unei tematici mai avansate, nu fac obiectul
cursului nostru.
Modelul echivalent de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ este arǎtat ı̂n Figura 7.18.
D1a
Vin Rp Cp Vp Rout Cout Vout

Gm1Vin Gm2Vp
D1b
Figura 7.18: Modelul echivalent corespunzǎtor AO din Figura 7.17
Parametrii de semnal mic sunt daţi ı̂n urmǎtorul sistem de ecuaţii:
 gm1
Gm1 = , Rout = 2 (gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4 )



 2

 gm2 ∼ 2
Gm2 = 2 , Rp = gm2



(7.54)
1
Cout = (CBD2 + CBD3 + CGD2 + CGD3 + 2CL ) ∼ = CL


2





Cp = 1 (CBS2 + CGS2 + CBD1 )



2
7.4 Amplificatorul operaţional cascodǎ pliatǎ

Dezavantajul major al AO cascodǎ telescop ı̂l constituie polarizarea proble-
maticǎ a tranzistorului de intrare şi a celui cascodǎ NMOS, datoritǎ spaţiului
restrâns ı̂n tensiune care poate fi alocat acestora. Deoarece tensiunile de mod
comun la intrare şi ieşire sunt egale, suma tensiunilor drenǎ-sursǎ a lui M1 şi
M2 este egalǎ cu tensiunea grilǎ-sursǎ a tranzistorului de intrare. Pentru o po-
larizare corectǎ, valoarea tensiunii grilǎ-sursǎ se considerǎ insuficientǎ, ı̂n cazul
cel mai defavorabil, pentru a acoperi echivalentul a douǎ tensiuni drenǎ-sursǎ.
Un caz concret a fost arǎtat ı̂n exemplul de proiectare al AO cascodǎ telescop,
unde 0,6V au fost alocaţi tranzistorului de intrare şi celui cascodǎ NMOS.
VDD VDD
Vbiasp M4 Vbiasp
M4
Vcasp M3
VoutMC Vcasp
VSD3 M3
Vcasn M2 VDS2 VoutMC

VDSin Min VinMC
VDS1 VinMC Vcasn
M1 M2
VGS1
VGS1
VS1 VSin
Vbiasn Vbiasn Vbiasn
M5 M5 M1
VSS VSS VSS
Figura 7.19: Secţiuni ale AO cascodǎ telscop şi AO cascodǎ pliatǎ
În Figura 7.19 a) este datǎ o secţiune din AO cascodǎ telescop. Dacǎ scriem
cǎderea de tensiune dintre ieşire şi intrare, se poate demonstra afirmaţia ante-
rioarǎ.

VoutM C − VS1 = VDS2 + VDS1

VinM C − VS1 = VGS1 (7.55)

VinM C = VoutM C ⇒ VDS2 + VDS1 = VGS1

O soluţie la aceastǎ problemǎ ar fi ı̂nlocuirea tranzistorului cascodǎ NMOS cu

unul PMOS, ca ı̂n Figura 7.19 b). Tranzistorul cascodǎ PMOS introduce o
deplasare de nivel şi astfel diferenţa tensiunilor drenǎ-sursǎ a tranzistorului de
intrare şi a celui cascodǎ PMOS trebuie sa fie egalǎ cu tensiunea grilǎ-sursǎ a
lui Min , conform ecuaţiei (7.56). Astfel, se pot aloca cu o margine rezonabilǎ
tensiunile drenǎ-sursǎ tuturor tranzistoarelor din schemǎ, evitând intrarea lor ı̂n
regim liniar sau blocat. Rezultǎ structura cascodǎ pliatǎ. În acest caz ecuaţiile
7.55 se rescriu dupǎ cum urmeazǎ:

VoutM C V−casnVSin = VDSin − VSD3

VinM C − VSin = VGSin (7.56)

VinM C = VoutM C ⇒ VDSin − VSD3 = VGSin

Schema AO cascodǎ pliatǎ este prezentatǎ ı̂n Figura 7.20.
VDD
M4a M4b
Vbiasp
M3a M3b
Iin Iin
Vcasp
Vout
Mina Minb
Vip Vim M2b
CL
M2a
Icas Icas
M5
M1a M1b
Vbiasn
VSS
Figura 7.20: Amplificatorul operaţional cascodǎ pliatǎ
Aceastǎ variantǎ de amplificator operaţional are douǎ etaje. Primul, format

din tranzistoarele Mina şi Minb converteşte tensiunea diferenţialǎ de intrare
ı̂n curent şi apoi din nou ı̂n tensiune pe rezistenţa echivalentǎ a nodului de
pliere. Acest nod prezintǎ o impedanţa joasǎ, aproximativ egalǎ cu inversul
transconductanţei tranzistoarelor cascodǎ PMOS. Al doilea etaj, este format cu
tranzistoare ı̂n conexiune grilǎ-comunǎ şi amplificǎ curentul din nodul de pliere,
folosind rezistenţa de ieşire a circuitului de valoare ridicatǎ.
Modelul echivalent de semnal mic este acelaşi ca cel al AO cascodǎ telescop din
Figura 7.15. Parametrii de semnal mic sunt daţi ı̂n sistemul de ecuaţii (7.57).



Gm1 = gmin , Rout = gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4

gm3 2

Rp ∼

Gm2 = 2 ,


 =
gm3
(7.57)
C = C
 out BD2 + CBD3 + CGD2 + CGD3 + CL = CL
∼




Cp = 1 (CBS3 + CGS3 + CBD4 + CGD4 + CBD1 )



2
Pentru a arǎta metoda completǎ de proiectare a unui AO cascodǎ pliatǎ, se

considerǎ urmǎtoarele specificaţii:
- alimentare simetricǎ VDD = −VSS = 1, 5V ;
- amplitudinea semnalului de ieşire VsemnM AX = 0, 5V ;
- curentul prin ramurile etajului cascodǎ este Icas = 1, 5 ∗ Iin , pentru a

evita blocarea tranzistoarelor din etajul de ieşire la semnal mare.
Pasul 1: domeniul maxim de variaţie a semnalului la ieşire.
Valorile tensiunilor de overdrive se aleg Vod = 250mV pentru tranzistoarele de

polarizare M1 , M4 , M5 şi Vod = 200mV pentru tranzistoarele cascodǎ M2 , M3 .
Tensiunea de overdrive a tranzistoarelor de intrare Min rezultǎ Vod = 160mV ,
dupǎ cum se va aratǎ la Pasul 5. Adiţional, tensiunea drenǎ-sursǎ a fiecǎrui
tranzistor se alege cu o margine ∆V = 100mV faţǎ de valoarea VDSsat minimǎ
admisǎ.
Domeniul de variaţie al tensiunii de ieşire trebuie ales astfel ı̂ncât tranzistoarele

sǎ fie polarizate ı̂n regim saturat. Rezultǎ cǎ limitele de variaţie ale tensiunii de
ieşire sunt:


VDD − VoutM AX = VDS3 + VDS4

VoutM AX = VDD − (Vod3 + ∆V ) + (Vod4 + ∆V )







 ⇒ VoutM AX = 0, 85V

(7.58)



VoutM IN − VSS = VDS1 + VDS2



VoutM IN = VSS + Vod1 + Vod2 + 2∆V



⇒ VoutM IN = −0, 85V

Rezultǎ cǎ variaţia maximǎ vârf la vârf a tensiunii de ieşire este:
∆Vout = VoutM AX − VoutM IN = 0, 85 − (−0, 85) = 1, 7V (7.59)
Pentru aplicaţia noastrǎ considerǎm cǎ variaţia semnalului de ieşire este de 1V .

Aceasta este mai micǎ decât valoarea teoreticǎ maximǎ calculatǎ ı̂n (7.59).
Pasul 2: calculul tensiunii de mod comun VM C .
Din nou punem condiţia ca tensiunile de mod comun la intrare şi ieşire sǎ fie
egale, VM Cin = VM Cout .
Limita inferioar a a domeniului de variaţie a tensiunii de mod comun trebuie

sǎ permitǎ tranzistoarelor de intrare Mina -Minb şi celui de polarizare a etajului
diferenţial M5 sǎ funcţioneze ı̂n regim saturat.
VM Cmin − VSS = VGS1 + VDS5 , (7.60)

unde:
(
VGSin = Vodin + VT hn = 0, 16 + 0, 45 = 0, 61V
(7.61)
VDS5 = Vod5 + ∆V = 0, 25 + 0, 1 = 0, 35
Rezultǎ VM Cmin = −0, 54V

Pe de altǎ parte, tot valoarea tensiunii de mod comun la ieşire se poate obţine
conform ecuaţiei (7.61).
VM Cmin − VSS = VDS1 + VDS2 + VsemnM AX , (7.62)

unde:
(
VDS1 = Vod1 + ∆V = 0, 16 + 0, 1 = 0, 26V
(7.63)
VDS2 = Vod2 + ∆V = 0, 2 + 0, 1 = 0, 3V
De aceastǎ datǎ, rezultǎ VM Cmin = −0, 35V .

Valoarea minimǎ a tensiunii de mod comun care acoperǎ ambele valori parţiale
calculate mai sus este VM Cmin = −0, 35V .
Limita superioarǎ a domeniului de variaţie a tensiunii de mod comun trebuie sǎ

permitǎ funcţionarea tranzistoarelor M3 şi M4 ı̂n regim saturat, ı̂n condiţiile ı̂n
care semnalul de ieşire atinge valoarea sa maximǎ.
VDD − (VM Cmax + VsemnM AX ) = VDS3 + VDS4 , (7.64)

unde:
(
VDS3 = Vod3 + ∆V = 0, 3V
(7.65)
VDS4 = Vod4 + ∆V = 0, 35V
Rezultǎ valoarea maximǎ a tensiunii de mod comun, ca fiind VM Cmax = 0, 35V
Teoretic tensiunea de mod comun poate fiı̂n intervalul -0,35V si +0,35V. Pentru
maximizarea domeniului de variaţie a semnalului de ieşire alegem VCM = 0V .
Pasul 3: calculul tensiunilor de polarizare Vbiasp , Vcasp si Vbiasp .
Mai ı̂ntâi stabilim cǎderile de tensiune pe fiecare tranzistor din schemǎ, astfel
ı̂ncât ele sǎ fie polarizate ı̂n regim saturat. Pentru aceasta, tensiunile drenǎ-
sursǎ se aleg cu o margine de cel puţin 100mV faţǎ de tensiunile de overdrive.
Deoarece schema este simetricǎ, tranzistoarelor M1 -M2 şi M3 -M4 vom aloca
1,5V. În mod similar ca la AO cascodǎ telescop, repartizǎm mai mult spatiu ı̂n
tensiune tranzistoarelor cascodǎ. Prin urmare, alegem VDS1 = VDS4 = 0, 5V

şi VDS2 = VDS3 = 1V .
Tensiunea VDS5 este condiţionatǎ de valoarea tensiunii de mod comun la intrare

şi se calculeazǎ conform ecuaţiei:
VM Cin − VSS = VGSin + VDS5 ⇒ VDS5 = 0, 89V (7.66)
În Figura 7.21 sunt marcate tensiunile drenǎ-sursǎ şi curenţii prin tranzistoare.
VDD=1,5V
M4a M4b
Vbiasp=0,8V
VDS4=0,5V
250uA 250uA
150uA 150uA
Vcasp=0,35V
VDS3=1V
100uA 100uA M3a M3b
VMC=0V
Mina Minb
M2b
VMC=0V VMC=0V
M2a VDS2=1V
200uA
M1b
Vbiasn=-0,8V VDS5=0,89V M1a
VDS1=0,5V
M5
VSS= -1,5V
Figura 7.21: AO cascodǎ pliatǎ - aşezare ı̂n tensiune
Acum se pot calcula tensiunile de polarizare, conform ecuaţiilor anterioare.

Vbiasn − VSS = VGS5 ⇒ Vbiasn = −0, 8V

VDD − Vbiasp = VSG4 ⇒ Vbiasp = 0, 8V (7.67)

VDD − Vcasp = VSD4 + VSG3 ⇒ Vcasp = 0, 35V

Pasul 4: determinarea curentului de polarizare a etajului diferenţial.

Curentul I5 se obţine din expresia SR-ului, astfel:
I5
SR = ⇒ I5 = SR · CL = 200µA (7.68)
CL
Curentul prin cele douǎ ramuri ale etajului diferenţial de intrare este egal cu
jumǎtate din curentul prin M5 .
IDina = IDinb = I5 /2 = 100µA (7.69)
I5 = 200µA, Iina = Iinb = 100µA, Icas = 1, 5 ∗ Iin = 150µA
Pasul 5: calculul tensiunii de overdrive a tranzistoarelor de intrare.
Din expresia lui GBW determinǎm transconductanţa Gm1 .
Gm1
GBW = ⇒ Gm1 = gmin = 2πCL · GBW = 1, 25mS (7.70)
2πCL
Pe de altǎ parte, transconductanţa lui Min se poate scrie astfel:
2IDin
gmin = (7.71)
Vodin
Din ecuaţiile (7.70) şi (7.71) rezultǎ valoarea tensiunii de overdrive pentru tran-
zistoarele de intrare.
2Iin
Vodin = = 160mV (7.72)
gmin
gmin = 1, 25mS, Vodin = 160mV
Pasul 6: dimensionarea tranzistoarelor.
În Tabelul 7.4 sunt daţi curenţii şi tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor din
schemǎ.
Tip ID Vod VDS

Min 100µA 160mV 1,61V
M1 150µA 250mV 0,5V
M2 150µA 200mV 1V
M3 150µA 200mV 1V
M4 250µA 250mV 0,5V
M5 200µA 250mV 0,89V
Tabelul 7.4: Curenţii şi tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor
Deoarece curenţii din ramurile circuitului sunt multiplii unui curent unitate,
egal cu 50µA, se vor face scalǎri pentru tranzistoarele de tip NMOS şi PMOS
având curentul egal cu unitatea şi tensiunea de overdrive de 200mV şi 250mV .
Utilizând ecuaţia (7.53), rezultǎ:
Wp

Wn 7, 5µ 25, 3µ


 Ln = , = , pentru Vod = 200mV
1µ Lp 1µ

(7.73)
 Wn 4, 8µ Wp 16, 2µ
= , = , pentru Vod = 250mV


Ln 1µ Lp 1µ

In Tabelul 7.5 sunt date dimensiunile tranzistoarelor din schemǎ.
M Min M1 M2 M3 M4 M5
W 23, 6µ 4, 8µ 3, 7µ 12, 6µ 16, 2µ 4, 8µ
3* 3* 3* 5* 4*
L 1µ 1µ 0, 5µ 0, 5µ 1µ 1µ
Tabelul 7.5: Geometria tranzistoarelor
7.4.1 AO cascodǎ pliatǎ complet diferenţial

Varianta complet diferenţialǎ a amplificatorului cascodǎ pliatǎ este datǎ ı̂n Fi-
gura 7.22. Trecerea de la AO cascodǎ pliatǎ cu ieşire simplǎ la structura complet
diferenţialǎ se face ı̂n mod similar ca la amplificatorul cascodǎ telescop.
Vcasn
VDD
M4a M4b
Vbiasp
M3a M3b
Vcasp
Mina Minb
Vop Vom
Vip Vim
M2a CL M2b
Vcasn
M5 M1a
M1b
Vbiasn
VSS
Figura 7.22: AO cascodǎ pliatǎ complet diferenţial
Schema de semnal mic este aceeaşi ca la AO cascodǎ telescop din Figura 7.18.
Parametrii de semnal mic sunt urmǎtorii:
 gmin
Gm1 = 2 ,
 Rout = 2 (gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4 )



 gm3 2
Rp ∼

Gm2 = 2 , =


gm3

(7.74)
1
Cout = (CBD2 + CBD3 + CGD2 + CGD3 + 2CL ) ∼ = CL


2





Cp = 1 (CBS3 + CGS3 + CBD4 + CGD4 + CBD1 )



2
7.5 Sumar
În acest capitol s-au prezentat câteva configuraţii de amplificatoare operaţiona-
le. Astfel, au fost discutate AO Miller, AO cascodǎ telescop şi cascodǎ pliatǎ.
În cazul fiecǎruia s-au evidenţiat avantajele, limitǎrile şi domeniul de frecvenţe
ı̂n care se utilizeazǎ ı̂n practicǎ.
Cele trei structuri de AO sunt ı̂nsoţite de metoda completǎ de proiectare pentru

specificaţii impuse. Aceşti paşi de proiectare permit ca pentru un nou set de
specificaţii sǎ se obţinǎ cu uşurinţǎ dimensiunile tranzistoarelor şi a componen-
telor pasive, acolo unde este cazul.
Bibliografie:


Press, 1987


CIA1CursSkript TOT BW Tipar

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

CIA1CursSkript TOT BW Tipar

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Circuite integrate analogice

Materialul prezentat ı̂n aceastǎ carte se adreseazǎ studenţilor de la facultǎţile

În capitolul 1 sunt prezentate tranzistoarele bipolare şi tranzistoarele MOS.

Capitolul 2 ı̂şi propune studiul câtorva implementǎri electronice ale surselor

Capitolul 3 se ocupǎ de oglinzile de curent MOS şi bipolare. Accentul este

În capitolul 4 sunt introduse câteva tipuri de referinţe de tensiune şi de

Lucrarea oferǎ, pe lângǎ prezentarea şi analiza concretǎ a unor circuite, o

Aprilie, 2007 Autoarea

1 Tranzistoare MOS şi bipolare 1

6 Amplificatoare diferenţiale 122

7 Amplificatoare operaţionale 143

Tranzistoare MOS şi bipolare

Tranzistoarele sunt cele mai importante componente ale circuitelor integrate.

1.1 Tranzistoare bipolare

În procesele moderne BiCMOS tranzistoarele NPN au o structurǎ fizicǎ ver-

Figura 1.2: Structura fizicǎ a unui tranzistor NPN

Colectorul este realizat ca un strat ı̂ngropat (eng. n+ buried), contactul aces-

1.1.2 Funcţionarea tranzistorului bipolar

Figura 1.3: Electronii şi golurile ı̂ntr-un tranzistor NPN nepolarizat

La limita dintre regiunile n şi p electronii se recombinǎ cu golurile astfel ı̂ncât

Tranzistorul corect polarizat

E(n) B(p) C(n)

Polarizarea corectǎ ı̂nseamnǎ:

E(n) B(p) C(n) C

Figura 1.5: Mecanismul de conducţie a tranzistorului NPN

Observaţie: sensul sǎgeţilor reprezintǎ direcţia de deplasare a electronilor.

1.1.3 Modelul de semnal mare ı̂n regiunea activǎ normalǎ

În aceastǎ ecuaţie VT = kT /q este tensiunea termicǎ, iar IS este curentul de

Modelul de semnal mare este prezentat ı̂n Figura 1.6.

Joncţiunea bazǎ-emitor se modeleazǎ cu o diodǎ. Joncţiunea colector-emitor se

Observaţie: tensiunea Early se poate exprima ca fiind variaţia relativǎ a

1.1.4 Modelul de semnal mare al tranzistorului

În practicǎ, pentru a evita saturaţia nedoritǎ a tranzistoarelor bipolare, punctul

1.1.5 Modelul de semnal mic al tranzistorului

Observaţie: Modelul de semnal mic este un model inerent liniar datoritǎ

Modelul de semnal mic este dat ı̂n Figura 1.7.

Figura 1.7: Modelul de semnal mic al tranzistorului bipolar ı̂n RAN

Parametrii de semnal mic sunt rezistenţa bazǎ-emitor (rBE ), rezistenţa colector-

Definiţie: rezistenţa colector emitor se defineşte ca variaţia tensiunii

Expresia rezistenţei colector-emitor este:

Ordinul tipic de mǎrime al rezistenţei colector-emitor este de sute de kΩ.

Transconductanţa de semnal mic

Definiţie: transconductanţa de semnal mic se defineşte ca variaţia curen-

Expresia transconductanţei de semnal mic este:

Ordinul tipic de mǎrime a transconductanţei este de mS.

Definiţie: rezistenţa bazǎ-emitor se defineşte ca variaţia tensiunii bazǎ-

Expresia rezistenţei bazǎ-emitor este:

Ordinul tipic de mǎrime a rezistenţei bazǎ-emitor este de sute de kΩ.

1.1.6 Caracteristica de ieşire

VEA 0 vCE_PSF vCE

1.1.7 Caracteristica de transfer

Caracteristica de transfer descrie dependenţa curentului de colector de tensiunea

1.1.8 Modelul de semnal mic şi ı̂naltǎ frecvenţǎ

Expresia tipicǎ a unei capacitǎţi de golire depinde de tensiunea aplicatǎ joncţiu-

Capacitatea bazǎ-emitor mai are o componentǎ datoratǎ tensiunii create de

1.2 Tranzistorul MOS cu canal indus

Figura 1.11: Simbolurile frecvent utilizate pentru tranzistoarele MOS

Figura 1.12: Secţiunea tranzistoarelor MOS

1.2.2 Funcţionarea tranzistoarelor MOS

Figura 1.13: Secţiunea unui tranzistor NMOS nepolarizat

Figura 1.14: Extinderea regiunilor de golire sub grilǎ

Dacǎ tensiunea grilǎ-sursǎ depǎşeşte tensiunea de prag, concentraţia de elec-

Figura 1.15: Formarea canalului pentru VGS > VT h