Sunteți pe pagina 1din 189

Circuite integrate analogice

Circuite fundamentale

Prefat¸ˇa

Materialul prezentat ˆın aceastˇa carte se adreseazˇa student¸ilor de la facultˇat¸ile de Electronicˇa ¸si Telecomunicat¸ii, care urmeazˇa cursurile de Circuite Inte- grate Analogice, inginerilor cu aceastˇa specialitate ¸si tuturor celor interesat¸i de proiectarea analogicˇa. Cartea este structuratˇa pe ¸sapte capitole, fiecare abordˆand o categorie de circuite sau principii, utilizate ˆın proiectarea cir- cuitelor analogice integrate.

ˆ

In capitolul 1 sunt prezentate tranzistoarele bipolare ¸si tranzistoarele MOS. Pentru fiecare dispozitiv sunt discutate structura fizicˇa, probleme de pola- rizare, modelul de semnal mare ¸si ecuat¸iile de funct¸ionare, caracteristicile de ie¸sire ¸si de transfer, iar ˆın final modelul de semnal mic ¸si parametrii

specifici, atˆat pentru joasˇa cˆat ¸si pentru ˆınaltˇa frecvent¸ˇa.

Capitolul 2 ˆı¸si propune studiul cˆatorva implementˇari electronice ale surselor de curent. Pornind de la structura cea mai simplˇa ¸si argumentˆand fiecare ˆımbunˇatˇat¸ire se ajunge la structuri mai performante, utilizate ˆın practicˇa.

Capitolul 3 se ocupˇa de oglinzile de curent MOS ¸si bipolare. Accentul este pus pe comportamentul de curent continuu ¸si caracteristicile de semnal mic ale circuitelor. Fiecare oglindˇa este caracterizatˇa prin parametrii ei speci- fici, astfel fiind posibilˇa comparat¸ia ˆıntre diferitele implementˇari la nivel de tranzistor.

ˆ

In capitolul 4 sunt introduse cˆateva tipuri de referint¸e de tensiune ¸si de curent. Pentru fiecare referint¸ˇa sunt date expresia senzitivitˇat¸ii mˇarimii de

ie¸sire cu tensiunea de alimentare ¸si a coeficientului de temperaturˇa. Tot

ˆın aceastˇa sect¸iune este explicata o metodˇa prin care se eliminˇa dependent¸a

de tensiunea de alimentare a mˇarimii generate.

referint¸ele de tip bandˇa interzisˇa, imune la variat¸iile cu temperatura.

In final, sunt prezentate

ˆ

Capitolul 5 se referˇa la principalele configurat¸ii de amplificatoare simple, iar capitolul 6 la amplificatoarele diferent¸iale. Aceste circuite stau la baza oricˇarei structuri mai complicate ale unui amplificator operat¸ional complet. Caracteristicile specifice fiecˇarui etaj de amplificare, discutate ˆın acest pa- ragraf, sunt punctul static de funct¸ionare, domeniul de variat¸ie al tensiunii de ie¸sire, modelul de semnal mic ¸si comportamentul ˆın frecvent¸ˇa.

Ultimul capitol vizeazˇa studiul unei categorii speciale de circuite analogice, ¸si

ˆ

In acest context, sunt discutate

AO avˆand compensare de tip Miller, AO cascodˇa telescop ¸si AO cascodˇa

anume cel al amplificatoarelor operat¸ionale.

ˆ

In cazul fiecˇaruia sunt evident¸iate avantajele, limitˇarile ¸si domeniul

de frecvent¸e ˆın care se utilizeazˇa ˆın practicˇa. Cele trei structuri de AO sunt ˆınsot¸ite de metoda completˇa de proiectare pentru specificat¸ii impuse.

pliatˇa.

Lucrarea oferˇa, pe lˆangˇa prezentarea ¸si analiza concretˇa a unor circuite, o vedere de ansamblu aspura metodelor de analizˇa specifice circuitelor analo- gice. Aceste metode permit cititorului sˇa adapteze algoritmii propu¸si altor categorii de circuite, care nu sunt discutate ˆın aceastˇa carte.

Aprilie, 2007

Autoarea

Cuprins

1 Tranzistoare MOS ¸si bipolare

 

1

1.1 Tranzistoare bipolare

 

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

1

 

1.1.1 Generalitˇat¸i

 

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

1

1.1.2 Funct¸ionarea tranzistorului bipolar

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

2

1.1.3 Modelul de semnal mare ˆın regiunea activˇa normalˇa

 

5

1.1.4 Modelul de semnal mare al tranzistorului

 
 

bipolar ˆın saturat¸ie

 

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

6

 

1.1.5 Modelul de semnal mic al tranzistorului

 
 

bipolar ˆın RAN

 

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

6

 

1.1.6 Caracteristica de ie¸sire

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

8

1.1.7 Caracteristica de transfer

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

9

1.1.8 Modelul de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent¸ˇa

.

.

.

.

.

.

.

.

10

1.2 Tranzistorul MOS cu canal indus

 

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

10

 

1.2.1

Generalitˇat¸i

 

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

10

1.2.2

Funct¸ionarea tranzistoarelor MOS

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

11

1.2.3

Modelul de semnal mare al tranzistorului MOS

.

.

.

.

.

15

1.2.4

Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS

 
 

ˆın saturat¸ie

 

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

17

 

1.2.5

Polarizarea substratului ¸si efectul ”latch-up”

 

.

.

.

.

.

19

1.2.6

 

.

.

.

.

.

.

.

.

20

1.3

Sumar

Modelul de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent¸ˇa .

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

2 Surse de curent

.

.

.

.

.

.

.

.

.

23

24

2.1 Sursa simplˇa de curent cu un singur tranzistor

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

24

2.2 Sursa de curent cu un singur tranzistor ¸si degenerare rezistivˇa

 

27

2.3 Sursa de curent cascodˇa .

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

30

2.4 Sursa de curent cu rezistent¸ˇa de ie¸sire mˇaritˇa

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

32

2.5 Sumar

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

34

 

iii

3

Oglinzi de curent

36

3.1 Introducere .

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

36

3.2 Oglinzi de curent MOS

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

37

3.2.1 Oglinda simplˇa de curent MOS

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

37

3.2.2 Oglinda de curent cascodˇa MOS

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

41

3.2.3 Oglinda cascodˇa MOS de joasˇa tensiune

.

.

.

.

.

.

.

.

.

43

3.2.4 Oglinda de curent Wilson cu tranzistoare MOS

.

.

.

.

.

47

3.3 Oglinzi de curent cu tranzistoare bipolare

 

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

49

3.3.1 Oglinda simpla cu tranzistoare bipolare .

.

.

.

.

.

.

.

.

.

50

3.3.2 Oglinda de curent cu compensare de β .

.

.

.

.

.

.

.

.

.

54

3.3.3 Oglinda de curent bipolarˇa cu degenerare rezistivˇa

 

57

3.3.4 Oglinda cascodˇa bipolarˇa

3.4 Sumar

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

4 Referint¸e electronice

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

61

3.3.5 Oglinda Wilson bipolarˇa .

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

63

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

65

67

4.1 Referint¸ˇa simplˇa cu divizor de tensiune

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

68

4.2 Referint¸a de tensiune cu diodˇa

 

bipolarˇa ¸si MOS

 

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

71

4.3 Referint¸a de tensiune cu diodˇa Zener .

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

74

4.4 Referint¸ˇa de curent cu oglindˇa simplˇa

 

de curent .

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

75

4.5 Referint¸a de curent Widlar

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

76

4.5.1 Referint¸a Widlar cu tranzistoare MOS

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

76

4.5.2 Referint¸a Widlar cu tranzistoare bipolare

 

.

.

.

.

78

4.6 Referint¸a de curent V Th ¸si V BE .

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

79

4.7 Referint¸e independente de V DD .

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

80

4.8 Referint¸e compensate cu temperatura

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

82

4.9 Exemple

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

85

4.10 Sumar

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

89

5 Amplificatoare simple

 

91

5.1 Amplificatorul inversor cu sarcinˇa rezistivˇa

 

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

91

5.2 Amplificatorul inversor cu sarcinˇa diodˇa

 

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

97

5.3 Amplificatorul inversor cu sarcinˇa sursˇa

 

de curent

 

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

. 101

5.4 Amplificatorul inversor cascodˇa

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

. 105

5.5 Amplificatorul inversor cascodˇa simetricˇa

 

.

.

.

.

.

.

.

. 111

5.6 Amplificatorul inversor cascodˇa pliatˇa .

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

. 115

5.7

Sumar

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

. 120

6 Amplificatoare diferent¸iale

 

122

6.1 Introducere .

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

. 122

6.2 Amplificatorul diferent¸ial cu sarcinˇa rezistivˇa

 

.

.

.

.

.

. 123

6.3 Amplificatorul diferent¸ial MOS cu sarcinˇa

 

oglindˇa de curent

 

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

. 130

6.4 Amplificatorul diferent¸ial cu sarcinˇa surse de curent

.

.

.

.

.

.

. 136

6.5 Sumar

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

. 141

7 Amplificatoare operat¸ionale

 

143

7.1 Introducere .

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

. 143

7.2 Amplificatorul operat¸ional Miller

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

. 145

7.2.1 Dimensionarea condensatorului Miller pentru stabilitate

 

necondit¸ionatˇa .

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

. 152

7.2.2 Viteza de variat¸ie a tensiunii de ie¸sire la AO Miller

.

.

. 153

7.2.3 Amplificatorul operational Miller complet diferent¸ial

 

155

7.2.4 Amplificatorul operat¸ional Miller

 
 

cu etaj repetor de ie¸sire

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

. 156

7.2.5 Metoda de proiectare a amplificatorului

 
 

operat¸ional Miller

 

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

. 158

7.3 Amplificatorul operat¸ional cascodˇa telescop

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

. 163

7.3.1

AO cascodˇa telescop complet diferent¸ial

.

.

.

.

.

.

.

.

. 172

7.4 Amplificatorul operat¸ional cascodˇa pliatˇa

 

.

.

.

.

.

.

.

. 173

AO cascodˇa pliatˇa complet diferent¸ial 7.5 .

.

7.4.1

Sumar

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

. 181

. 182

Capitolul 1

Tranzistoare MOS ¸si bipolare

Tranzistoarele sunt cele mai importante componente ale circuitelor integrate. Ele pot fi de mai multe tipuri ˆın funct¸ie de pa¸sii utilizat¸i ˆın procesul de fabricat¸ie. Tranzistoarele cel mai adesea utilizate sunt cele bipolare ¸si MOS cu canal indus.

1.1 Tranzistoare bipolare

1.1.1

Generalitˇat¸i

Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive cu 3 terminale (4 terminale dacˇa se considera ¸si conexiunea de substrat) comandate ˆın curent. Simbolurile tipice utilizate sunt date ˆın Figura 1.1.

B

Simbolurile tipice utilizate sunt date ˆın Figura 1.1. B NPN C E B C E PNP

NPN

C E B C E
C
E
B
C
E

PNP

Figura 1.1: Simbolurile tipice ale tranzistoarelor bipolare

ˆ

In procesele moderne BiCMOS tranzistoarele NPN au o structurˇa fizicˇa ver- ticalˇa, spre deosebire de tranzistoarele PNP, realizate de regulˇa ca dispozitive

2

CAPITOLUL 1.

TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE

laterale. Structura unui tranzistor NPN este prezentatˇa ˆın Figura 1.2 (vedere de sus ¸si sect¸iune).

+ conexiuni metalice p + n + + + n p n _ n _
+
conexiuni metalice
p
+
n
+
+
+
n
p
n
_
n
_
n
_
p
+ conexiuni metalice p + n + + + n p n _ n _ n
SiO 2

SiO 2

SiO 2
SiO 2
+
+

p

+ n

+

p

+

n

+

p

+

_
n

n buried

_
p

Figura 1.2: Structura fizicˇa a unui tranzistor NPN

Colectorul este realizat ca un strat ˆıngropat (eng. n+ buried), contactul aces- tuia fiind accesibil printr-o port¸iune verticalˇa de tip n+ (dopatˇa puternic cu atomi donori cu exces de electroni). Colectorul ˆıngropat de dimensiuni mai mari permite captarea optimˇa a purtˇatorilor. Tranzistorul este izolat de dispo- zitivele adiacente prin structuri p+.

1.1.2 Funct¸ionarea tranzistorului bipolar

Funct¸ionarea tranzistorului bipolar este determinatˇa de cele douˇa jonct¸iuni pn din structurˇa, fiind similarˇa pentru tranzistoarele NPN ¸si PNP. Din acest motiv se va discuta pe larg numai funct¸ionarea variantei NPN.

CAPITOLUL 1.

TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE

3

Tranzistorul nepolarizat

Figura 1.3 prezintˇa distribut¸ia purtˇatorilor de sarcinˇa ˆıntr-un tranzistor NPN ale cˇarui terminale sunt conectate la masˇa.

n p n + + + + + + + + + + + +
n
p
n
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
E
B
C

Figura 1.3: Electronii ¸si golurile ˆıntr-un tranzistor NPN nepolarizat

La limita dintre regiunile n ¸si p electronii se recombinˇa cu golurile astfel ˆıncˆat fˆa¸siile adiacente jonct¸iunii sunt golite de sarcini mobile. Astfel dispozitivul este ˆın echilibru energetic, curentul de conduct¸ie fiind zero.

Tranzistorul corect polarizat

E(n) B(p) C(n) + + + + + + + + + + + +
E(n)
B(p)
C(n)
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
_
_
V
+
V
+
BC
BE

Figura 1.4: Electronii ¸si golurile ˆıntr-un tranzistor NPN corect polarizat

4

CAPITOLUL 1.

TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE

Figura 1.4 aratˇa distribut¸ia purtˇatorilor de sarcinˇa ˆıntr-un tranzistor NPN corect polarizat.

Polarizarea corectˇa ˆınseamnˇa:

- polarizarea directˇa a jonct¸iunii bazˇa-emitor (V BE > 0);

- polarizarea inversˇa a jonct¸iunii bazˇa-colector (V BC < 0);

O tensiune pozitivˇa aplicatˇa ˆıntre bazˇa ¸si emitor reduce lˇat¸imea regiunii de golire

prin compensarea potent¸ialului intrinsec datorat recombinˇarii purtˇatorilor. Cˆand tensiunea externˇa egaleazˇa efectul potent¸ialului intrinsec, dioda bazˇa-emitor intrˇa ˆın conduct¸ie, iar emitorul injecteazˇa electroni mobili ˆın regiunea bazei.

O tensiune negativˇa aplicatˇa ˆıntre bazˇa ¸si colector mˇare¸ste lˇat¸imea regiunii de

golire ¸si ˆın acela¸si timp potent¸ialul pozitiv al colectorului accelereazˇa electronii liberi injectat¸i ˆın zona bazei de cˇatre emitor. Electronii accelerat¸i urmeazˇa sˇa fie captat¸i de colector. Astfel se formeazˇa un curent de conduct¸ie ˆıntre colector

¸si emitor. Mecanismul de conduct¸ie este prezentat ˆın Figura 1.5.

E(n) B(p) C(n) _ _ V + V + BE BC
E(n)
B(p)
C(n)
_
_
V
+
V
+
BE
BC

B

C E
C
E

Figura 1.5: Mecanismul de conduct¸ie a tranzistorului NPN

Observat¸ie: sensul sˇaget¸ilor reprezintˇa direct¸ia de deplasare a electronilor.

Sensul curentului este opus cu sensul de deplasare a purtˇatorilor. Drept urmare, ˆın tranzistoarele NPN curentul curge de la colector la emitor (sens sugerat de sˇageata de pe simbolul dispozitivului).

Electronii liberi din regiunea bazei sunt ˆın numˇar mult mai mic decˆat golurile. Din acest motiv ei se numesc purtˇatori minoritari.

CAPITOLUL 1.

TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE

5

Dintre electronii injectat¸i ˆın bazˇa de cˇatre emitor majoritatea ajung sˇa fie captat¸i de colector. Un numˇar mic de electroni se pierd ˆın bazˇa datoritˇa potent¸ialului pozitiv al bazei fat¸ˇa de emitor. Astfel, apare un curent ˆın bazˇa. Valoarea tipicˇa a curentului de bazˇa este de aproximativ 1% din valoarea curentului de colector.

1.1.3 Modelul de semnal mare ˆın regiunea activˇa normalˇa

Modelul de semnal mare descrie funct¸ionarea dispozitivului, dependent¸a din- tre tensiunile aplicate celor douˇa jonct¸iuni ¸si curent¸ii generat¸i. Ecuat¸iile de funct¸ionare se deduc din concentrat¸iile de purtˇatori ˆın diferite regiuni ¸si pa- rametrii geometrici ai jonct¸iunilor. Curentul de colector se scrie ˆın funct¸ie de tensiunea bazˇa-emitor ca ˆın ecuat¸ia (1.1). Se observˇa dependent¸a exponent¸ialˇa.

v BE

i C = I S · e V T

(1.1)

ˆ

In aceastˇa ecuat¸ie V T = kT /q este tensiunea termicˇa, iar I S este curentul de

saturat¸ie.

Modelul de semnal mare este prezentat ˆın Figura 1.6.

B C i i C B v CE v BE E E Figura 1.6: Modelul
B
C
i
i
C
B
v CE
v BE
E
E
Figura 1.6: Modelul de semnal mare al tranzistorului bipolar

Jonct¸iunea bazˇa-emitor se modeleazˇa cu o diodˇa. Jonct¸iunea colector-emitor se modeleazˇa cu o sursˇa de curent comandatˇa ˆın curent a cˇarei factor de transfer β este cˆa¸stigul de curent al tranzistorului.

ˆ

cont de modulat¸ia lˇat¸imii

bazei cu variat¸ia regiunii de golire bazˇa-colector. Cu cˆat tensiunea negativˇa V BC

In ecuat¸ia (1.1) ¸si modelul de semnal mare nu s-a ¸inutt

6

CAPITOLUL 1.

TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE

este mai mare, cu atˆat regiunea de golire este mai latˇa, iar lˇat¸imea bazei scade. Acest fenomen se nume¸ste efect Early. Ecuat¸ia (1.1) se poate rescrie pentru a considera ¸si efectul Early. Factorul de corect¸ie este invers proport¸ional cu tensiunea Early V EA ¸si direct proport¸ional cu tensiunea colector-emitor.

i C = I S · e

v

BE

V

T

· 1 + V EA

v

CE

(1.2)

Observat¸ie: tensiunea Early se poate exprima ca fiind variat¸ia relativˇa a

lˇat¸imii bazei cu tensiunea colector-emitor.

1.1.4 Modelul de semnal mare al tranzistorului bipolar ˆın saturat¸ie

ˆ

In regim saturat ambele jonct¸iuni sunt polarizate direct. Astfel, atˆat emitorul cˆat ¸si colectorul injecteazˇa sarcini ˆın bazˇa, iar curentul nu se mai conformeazˇa ecuat¸iei i C = βi B . Tipic, curentul de bazˇa cre¸ste, condit¸ia de saturat¸ie fiind

i C βi B

(1.3)

ˆ

In practicˇa, pentru a evita saturat¸ia nedoritˇa a tranzistoarelor bipolare, punctul

static de funct¸ionare se alege astfel ˆıncˆat V BE < V CE .

1.1.5 Modelul de semnal mic al tranzistorului bipolar ˆın RAN

Modelul de semnal mic se obt¸ine din modelul de semnal mare considerˆand variat¸ii infinitezimale ale tensiunilor ¸si curent¸ilor ˆın jurul punctului static de funct¸ionare ales.

Observat¸ie: Modelul de semnal mic este un model inerent liniar datoritˇa

faptului cˇa variat¸iile de semnal sunt infinitezimale ˆın jurul punctului static de funct¸ionare.

CAPITOLUL 1.

TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE

7

v BE

B C i i B C r g v r BE m BE CE E
B
C
i
i
B
C
r
g v
r
BE
m
BE
CE
E
E

v CE

Figura 1.7: Modelul de semnal mic al tranzistorului bipolar ˆın RAN

Parametrii de semnal mic sunt rezistent¸a bazˇa-emitor (r BE ), rezistent¸a colector- emitor (r CE ) ¸si transconductant¸a de semnal mic (g m ).

Rezistent¸a colector-emitor

Definit¸ie:

rezistent¸a colector emitor se define¸ste ca variat¸ia tensiunii

colector-emitor cauzatˇa de variat¸ia infinitezimalˇa a curentului de colector.

Expresia rezistent¸ei colector-emitor este:

r CE = v ∂i CE C

=

1

∂i C

=

∂v CE

1

I

S

V

EA

· e

v

BE

V

T

V

= (1.4)

i

C

EA

Ordinul tipic de mˇarime al rezistent¸ei colector-emitor este de sute de k.

Transconductant¸a de semnal mic

Definit¸ie: transconductant¸a de semnal mic se define¸ste ca variat¸ia curen-

tului de colector cauzatˇa de o variat¸ie infinitezimalˇa a tensiunii bazˇa-emitor.

Expresia transconductant¸ei de semnal mic este:

g m =

i

C

∂v

BE = I S · e

v

BE

V

T

· 1 + v CE ·

V

T

1

V

T

i

C

= V T

(1.5)

8

CAPITOLUL 1.

TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE

Ordinul tipic de mˇarime a transconductant¸ei este de mS.

Rezistent¸a bazˇa-emitor

Definit¸ie:

rezistent¸a bazˇa-emitor se define¸ste ca variat¸ia tensiunii bazˇa-

emitor cauzatˇa de variat¸ia infinitezimalˇa a curentului de bazˇa.

Expresia rezistent¸ei bazˇa-emitor este:

r BE = v ∂i BE B

=

1

∂i B

=

∂v BE

1

1

∂i C

β ·

∂v BE

=

β

g

m

(1.6)

Ordinul tipic de mˇarime a rezistent¸ei bazˇa-emitor este de sute de k.

1.1.6 Caracteristica de ie¸sire

Caracteristica de ie¸sire, datˇa ˆın Figura 1.8, descrie dependent¸a dintre tensiunea colector-emitor ¸si curentul
Caracteristica de ie¸sire, datˇa ˆın Figura 1.8, descrie dependent¸a dintre tensiunea
colector-emitor ¸si curentul de colector. Caracteristica de ie¸sire este o familie de
curbe corespunzˇatoare diferitelor valori ale tensiunii V BE . Panta caracteristicii
ˆın RAN este conductant¸a colector-emitor (1/r CE ).
i
C
SAT
RAN
i
i
C_PSF
C
v
v
BE
CE
0
v
V
v
CE_PSF
CE
EA

Figura 1.8: Caracteristica de ie¸sire a tranzistorului NPN

CAPITOLUL 1.

TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE

9

1.1.7 Caracteristica de transfer

Caracteristica de transfer descrie dependent¸a curentului de colector de tensiunea bazˇa-emitor. Aceastˇa dependent¸ˇa, prezentatˇa ˆın Figura 1.9, este o exponent¸ialˇa rapid crescˇatoare. Panta caracteristicii, mˇasuratˇa ˆın jurul punctului static de funct¸ionare, reprezintˇa transconductant¸a de semnal mic (g m ).

i C i C_PSF i C v BE 0 v v BE_PSF BE
i
C
i
C_PSF
i
C
v
BE
0
v
v
BE_PSF
BE

Figura 1.9: Caracteristica de transfer a tranzistorului NPN

Figura 1.9: Caracteristica de transfer a tranzistorului NPN B r B i B r C C

B

r

B

1.9: Caracteristica de transfer a tranzistorului NPN B r B i B r C C i

i

B

r

C

C

i C C BC C r g v r C BE CS BE m BE
i
C
C
BC
C
r
g v
r
C
BE
CS
BE
m
BE
CE
r
E
E

Substrat

Figura 1.10: Modelul de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent¸ˇa al tranzistorului bipolar

10

CAPITOLUL 1.

TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE

1.1.8 Modelul de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent¸ˇa

Modelul de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent¸ˇa caracterizeazˇa comportamentul ˆın frecvent¸ˇa al tranzistorului. Dependent¸a de frecvent¸a a parametrilor este datˇa de capacitˇat¸ile parazite ale dispozitivului. Modelul este prezentat ˆın Figura 1.10.

ˆ

In acest model r B , r C ¸si r E sunt rezistent¸ele echivalente ale terminalelor, iar C BE , C BC ¸si C CS sunt capacitˇat¸ile asociate cu jonct¸iunile bazˇa-emitor, bazˇa- colector ¸si colector-substrat. Toate capacitˇat¸ile parazite sunt de tip jonct¸iune (eng. ”depletion”). Ele se datoreazˇa regiunilor de golire (acestea act¸ioneazˇa ca izolatoare fˇarˇa sarcini mobile) dintre regiunile p ¸si n din structura dispozitivului.

Expresia tipicˇa a unei capacitˇat¸i de golire depinde de tensiunea aplicatˇa jonct¸iu- nii, de potent¸ialul intrinsec al jonct¸iunii nepolarizate precum ¸si de concentrat¸ia purtˇatorilor din regiunile p ¸si n. De exemplu, capacitatea bazˇa-colector se scrie:

C BC =

C BC0

1

V BC

Φ

intrinsecBC

(1.7)

Capacitatea bazˇa-emitor mai are o componentˇa datoratˇa tensiunii create de difuzia sarcinilor din emitor spre bazˇa. Aceastˇa componentˇa depinde de lˇat¸imea bazei, de constanta de difuzie a electronilor ˆın siliciu ¸si de transconductant¸a de semnal mic a tranzistorului.

1.2 Tranzistorul MOS cu canal indus

1.2.1 Generalitˇat¸i

Tranzistoarele MOS sunt dispozitive cu 4 terminale, comandate ˆın tensiune. Simbolurile tipice sunt prezentate ˆın Figura 1.11.

G

D S
D
S

NMOS

B G

S D
S
D

B

PMOS

prezentate ˆın Figura 1.11. G D S NMOS B G S D B PMOS NMOS PMOS

NMOS

PMOS

Figura 1.11: Simbolurile frecvent utilizate pentru tranzistoarele MOS

CAPITOLUL 1.

TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE

11

Structura tranzistoarelor MOS cu canal n ¸si canal p este datˇa ˆın Figura 1.12. Acest exemplu de structurˇa este valid numai pentru un proces de fabricat¸ie de tip n-well cu substrat de tip p slab dopat. Din figurˇa trebuie remarcatˇa ¸si semnificat¸ia parametrilor geometrici W ¸si L ai tranzistorului. Dispozitivele individuale sunt izolate unul de celˇalalt prin implanturi speciale de izolator.

L L polisiliciu W W G G B S D S D B ISO n+
L
L
polisiliciu
W
W
G
G
B
S
D
S
D
B
ISO
n+
ISO
p+
p+
ISO
n+
n+
ISO
p+
ISO
SiO 2
SiO 2
n-well
substrat p
PMOS
NMOS

Figura 1.12: Sect¸iunea tranzistoarelor MOS

Observat¸ie: din Figura 1.12 se observˇa cˇa tranzistorul PMOS este plasat

ˆıntr-o regiune specialˇa (n-well) menitˇa sˇa elimine un scurt circuit ˆıntre drenˇa ¸si sursˇa prin substrat. Ca regulˇa generalˇa, tranzistoarele cu canalul de acela¸si tip cu substratul sunt pozit¸ionate ˆıntotdeauna pe o regiune implantatˇa cu dopant complementar.

1.2.2 Funct¸ionarea tranzistoarelor MOS

Funct¸ionarea tranzistoarelor MOS este determinatˇa de structura fizicˇa a dispo- zitivelor. Deoarece funct¸ionarea tranzistoarelor PMOS este similarˇa cu a celor NMOS (dacˇa toate tensiunile se considerˇa ˆın modul) ˆın continuare se discutˇa numai tranzistorul cu canal n.

Sect¸iunea unui tranzistor NMOS nepolarizat este prezentatˇa ˆın Figura 1.13. La jonct¸iunea dintre materialele de tip n (drenˇa sau sursˇa) ¸si p (substrat) se formeazˇa regiuni de golire a cˇaror lˇat¸ime depinde de concentrat¸ia de atomi donori ¸si acceptori.

12

CAPITOLUL 1.

TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE

G S D n n regiuni de golire substrat p
G
S
D
n
n
regiuni de golire
substrat p

Figura 1.13: Sect¸iunea unui tranzistor NMOS nepolarizat

Regiunea de sub grilˇa ramˆane de tip p , iar curentul prin dispozitiv este zero.

Dacˇa grila este polarizatˇa cu un potent¸ial pozitiv fat¸ˇa de sursˇa, atunci electronii minoritari din substratul p vor fi atra¸si spre grilˇa. Atˆat timp cˆat tensiunea V GS este mai micˇa decˆat o tensiune de prag V Th , recombinarea acestor electroni cu golurile din regiunea imediat adiacentˇa oxidului de grilˇa duce la extinderea regiunilor de golire dintre drenˇa, sursˇa ¸si substrat. Procesul este ilustrat ˆın Figura 1.14.

V <V GS Th G S D n n e e e e e e
V
<V
GS
Th
G
S
D
n
n
e
e
e
e
e
e
substrat p

Figura 1.14: Extinderea regiunilor de golire sub grilˇa

Dacˇa tensiunea grilˇa-sursˇa depˇa¸se¸ste tensiunea de prag, concentrat¸ia de elec- troni sub grilˇa duce la aparit¸ia temporarˇa a unei regiuni de inversie (numitˇa ˆın continuare canal). Canalul se ment¸ine atˆata timp cˆat V GS > V Th (Figura 1.15).

CAPITOLUL 1.

TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE

13

V >V GS Th G S D n n canal substrat p
V
>V
GS
Th
G
S
D
n
n
canal
substrat p

Figura 1.15: Formarea canalului pentru V GS > V Th

spre deosebire de tranzistoarele bipolare, aici conduct¸ia se

datoreazˇa purtˇatorilor majoritari (regiune complet inversatˇa). Deasemenea, este important de remarcat cˇa dispozitivul are o structurˇa perfect simetricˇa. Drept urmare, din punct de vedere teoretic, este indiferent care terminal se considerˇa drenˇa ¸si care sursˇa.

Observat¸ie:

Funct¸ionarea ˆın regim liniar

Canalul odatˇa format, este necesarˇa aplicarea unei tensiuni ˆıntre drenˇa ¸si sursˇa pentru a accelera electronii ¸si a aduce tranzistorul ˆın conduct¸ie. Odatˇa cu cre¸sterea tensiunii V DS (presupunem V DS > 0) jonct¸iunea substrat-drenˇa este invers polarizatˇa, iar regiunea de golire din jurul drenei se lˇarge¸ste cauzˆand o ˆıngustare a canalului de partea drenei. Fenomenul este prezentat ˆın Figura 1.16.

V >V 0<V <V GS Th DS DSsat G S D n n canal îngustat
V
>V
0<V
<V
GS
Th
DS
DSsat
G
S
D
n
n
canal îngustat
substrat p

Figura 1.16:

ˆ

Ingustarea canalului datoritˇa tensiunii V DS

14

CAPITOLUL 1.

TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE

ˆ

In

regim liniar (eng. ”triode” sau ”weak inversion”) canalul formeazˇa un contact

ohmic ˆıntre drenˇa ¸si sursˇa. Astfel tranzistorul se va comporta ca o rezistent¸ˇa

a cˇarei valoare este controlatˇa de tensiunea V GS . Condit¸ia de funct¸ionare ˆın regim liniar este ca 0 < V DS < V DSsat .

Funct¸ionarea ˆın regim saturat

ˆ

In regim saturat tensiunea V DS depˇa¸se¸ste tensiunea V DSsat . Regiunea de golire din jurul drenei se lˇarge¸ste mai mult decˆat adˆancimea canalului. Astfel contactul ohmic al drenei cu canalul dispare, fiind ˆınlocuit de o regiune de golire numitˇa regiune de ”pinch-off” ca ˆın Figura 1.17.

V >V GS Th V >V DS DSsat G S D n n regiune de
V
>V
GS
Th
V
>V
DS
DSsat
G
S
D
n
n
regiune de ciupire
substrat p

Figura 1.17: Regiunea de golire eliminˇa contactul ohmic al drenei cu ca- nalul

Datoritˇa pierderii contactului ohmic ˆıntre drenˇa ¸si sursˇa curentul prin dispozitiv nu mai depinde de tensiunea drenˇa-sursˇa, ci numai de concentrat¸ia de sarcini din sursˇa-canal, adicˇa de V GS . Electronii accelerat¸i de V DS trec de bariera de potent¸ial fiind apoi eliminat¸i din dispozitiv prin terminalul drenei.

Regiune

V

GS

V

DS

Canal

blocare

< V Th

nu conteazˇa

nu

liniar

> V Th

0 < V DS < V DSsat

da

saturat

> V Th

> V DSsat

da, pinch-off

Tabelul 1.1: Regimurile de funct¸ionare ale tranzistoarelor MOS

CAPITOLUL 1.

TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE

15

1.2.3 Modelul de semnal mare al tranzistorului MOS

Regimurile de funct¸ionare se pot da conform Tabelului 1.1 in funct¸ie de tensiu- nile aplicate la terminale. Ecuat¸iile specifice modelului de semnal mare se obt¸in calculˆand gradientul de variat¸ie a sarcinii ˆın canal ˆın diferite regimuri de funct¸ionare. Cea mai generalˇa ecuat¸ie a curentului de drenˇa se obt¸ine pentru polarizarea ˆın regim liniar. Aici tranzistorul se comportˇa ca o rezistent¸ˇa controlatˇa ˆın tensiune.

I D = µC ox W

L

2

(V GS V Th ) V DS V

DS

2

, 0 < V DS < V DSsat

(1.8)

Mˇarimile din aceastˇa ecuat¸ie au urmˇatoarele semnificat¸ii:

- µ - mobilitatea purtˇatorilor de sarcinˇa (electroni sau goluri);

- C ox - capacitatea specificˇa a oxidului de sub grilˇa;

- W/L - raportul lˇat¸ime/lungime al canalului.

Se observˇa cˇa variat¸ia curentului cu tensiunea drenˇa-sursˇa este parabolicˇa. Acest lucru ˆınseamnˇa cˇa valoarea curentului prin tranzistor va cre¸ste pˇatratic cu V DS pˆanˇa la o valoare maximˇa, dupˇa care ar avea o tendint¸ˇa de scˇadere. Intuitiv, curentul va cre¸ste conform ecuat¸iei (1.8) atˆata timp cˆat contactul ohmic dintre drenˇa ¸si canal persistˇa, adicˇa pˆanˇa la aparit¸ia regiunii ”pinch-off”.

Observat¸ie: valoarea maximˇa a curentului ˆın regim liniar pentru un V GS dat

se determinˇa calculˆand derivata curentului ˆın funct¸ie de V DS ¸si apoi egalˆand derivata cu zero (metoda clasicˇa de calcul ale punctelor de inflexiune).

Prin calcule se demonstreazˇa cˇa valoarea curentului maxim se obt¸ine pentru

V DS = V GS V Th = V DSsat

(1.9)

Aceastˇa ecuat¸ie aratˇa cˇa regiunea ”pinch-off” apare dacˇa V DS depˇa¸se¸ste dife- rent¸a dintre tensiunea grilˇa-sursˇa ¸si tensiunea de prag. Astfel, (V GS V Th )

16

CAPITOLUL 1.

TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE

se identificˇa cu V DSsat . Aceastˇa tensiune este adesea numitˇa ¸si tensiune de ”overdrive” (notatˇa ˆın continuare cu V od ).

Dacˇa V DS > V od curentul ˆı¸si pˇastreazˇa valoarea maximˇa atinsˇa ˆın regim liniar pentru un V GS dat, iar tranzistorul se satureazˇa. Termenul saturat¸ie se referˇa la faptul cˇa valoarea curentului este constantˇa indiferent de V DS . ˆ In consecint¸ˇa valoarea constantˇa a curentului se obt¸ine substituind V DS cu V od ˆın ecuat¸ia

(1.8).

  I D = µC ox W

2L

V DS > V DSsat

2

od

V

(1.10)

Aceastˇa ecuat¸ie presupune cˇa lungimea canalului se ment¸ine constantˇa indi- ferent de V DS . ˆ In realitate ˆınsˇa lungimea regiunii de ciupire cre¸ste cu V DS (modulat¸ia regiunilor de golire), iar lungimea efectivˇa a canalului se mic¸soreazˇa. Astfel, curentul de drenˇa va avea o dependent¸ˇa slabˇa de V DS . Expresia curen- tului de drenˇa trebuie corectatˇa ˆın mod similar ca la tranzistoarele bipolare. Considerˆand gradientul de variat¸ie a lungimii canalului cu V DS se introduce coeficientul de variat¸ie a lungimii canalului λ.

I D = µC ox W 2 · V od · (1 + λV DS
I D = µC ox W
2
· V od · (1 + λV DS )
2L
I
D
Liniar
Saturaþie
V
GS
0
V
DS

(1.11)

Figura 1.18: Variat¸ia curentului de drenˇa cu V DS

CAPITOLUL 1.

TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE

17

Figura 1.18 aratˇa variat¸ia curentului de drenˇa cu V DS pentru regimul liniar ¸si cel saturat (caracteristica de ie¸sire a dispozitivului).

Observat¸ie: curentul de drenˇa variazˇa cu tensiunea substrat-sursˇa, chiar

dacˇa V GS este o valoare constantˇa. Acest lucru se datoreazˇa variat¸iei ten- siunii de prag V Th cu V BS conform ecuat¸iei (1.12).

V Th (V BS ) = V Th0 + γ 2|Φ f | + |V BS | − γ 2|Φ f |

Mˇarimile au urmˇatoarele semnificat¸ii:

- γ - parametrul de prag al substratului;

(1.12)

- V Th0 - tensiunea de prag a tranzistorului pentru V BS = 0;

- Φ f - potent¸ialul intrinsec al jonct¸iunii sursˇa-substrat.

1.2.4 Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS ˆın saturat¸ie

Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS este similar cu modelul tranzis- torului bipolar polarizat ˆın RAN. O diferent¸ˇa este rezistent¸a grilˇa-sursˇa infinitˇa, datoratˇa izolatorului de sub grilˇa. O altˇa diferent¸ˇa este contribut¸ia jonct¸iunii substrat-sursˇa la fenomenul de conduct¸ie. Modelul este prezentat ˆın Figura

1.19.

v GS

G D i D g v g v r mb BS m GS DS S
G
D
i
D
g
v
g v
r
mb
BS
m
GS
DS
S
S

v DS

Figura 1.19: Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS saturat

18

CAPITOLUL 1.

TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE

Parametrii de semnal mic sunt transconductant¸a (g m ), transconductant¸a sursˇa- substrat (g mb ) ¸si rezistent¸a drenˇa-sursˇa (r DS ).

Transconductant¸a de semnal mic

Definit¸ie: transconductant¸a este variat¸ia curentului de drenˇa cauzatˇa de

o variat¸ie infinitezimalˇa a tensiunii grilˇa-sursˇa ˆın jurul punctului static de funct¸ionare.