ANTENE Si Circuite Pentru Microunde

See discussions, stats, and author profiles for this publication at: https://www.researchgate.
net/publication/301771446
ANTENE și Circuite pentru Microunde
Book · September 2008
CITATIONS READS
0 257
1 author:
Nicolae Crişan
Universitatea Tehnica Cluj-Napoca
65 PUBLICATIONS 84 CITATIONS
SEE PROFILE
Some of the authors of this publication are also working on these related projects:
Software Defined Radio and Antennas View project
All content following this page was uploaded by Nicolae Crişan on 06 February 2021.
The user has requested enhancement of the downloaded file.

Nicolae Crişan
Antene şi circuite pentru

microunde
Editura RISOPRINT
CLUJ-NAPOCA • 2008
ISBN
2
RECENZENŢI:
Prof. dr. ing. Costin MIRON
Prof. dr. ing. Aurel VLAICU
3
Cuprins
Cuprins
Prefaţă .......................................................................................................9
CAPITOLUL 1. Linii de transmisie de înaltă

frecvenţă TEM – Linia coaxială ...................................... 11
1.1. Analiza câmpurilor din linia coaxială .....................................14
1.2. Relaţii între curent şi tensiune.................................................15
1.3. Impedanţa caracteristică a liniei de transmisie TEM ..............17
1.4. Coeficientul de reflexie ...........................................................18
1.5. Impedanţa pe linie ...................................................................20
1.6. Linii coaxiale cu pierderi mici ................................................22
1.7. Optimizarea liniei de transmisie coaxiale pentru
minimizarea pierderilor ..........................................................25
1.8. Linii coaxiale fără pierderi ......................................................29
1.9. Unde staţionare în linii TEM...................................................35
1.10. Raportul de undă staţionară de tensiune (VSWR-ul) ...............38
1.11. Determinarea impedanţei de sarcină .......................................39
1.12. Pierderi de întoarcere (return loss) .........................................41
1.13. Frecvenţa de tăiere a liniei coaxiale .......................................44
1.14. Pierderile de inserţie (insertion loss).......................................47
1.15. Pierderi în conductorul metalic şi dielectric............................50
CAPITOLUL 2. Linii de transmisie de înaltă

frecvenţă quasi – TEM...................................................... 59
2.1. Linia microstrip.........................................................................59
2.1.1. Ecuaţii utilizate la calcularea impedanţei caracteristice ..62
2.1.2. Determinarea permitivităţii electrice efective
a liniei microstrip ............................................................65
2.1.3. Pierderi de energie în microstrip .....................................66
2.1.4. Corecţii pentru microstrip................................................69
2.1.5. Dispersia în microstrip ....................................................71
2.1.6. Discontinuităţi în linii microstrip ....................................75
2.1.7. Componente electronice în tehnologie microstrip...........78
2.1.8. Componente electronice integrate în tehnologie
microstrip cu parametri quasi (semi) concentraţi............81
2.1.9. Rezonatori în tehnologie microstrip ................................85
5
ANTENE ŞI CIRCUITE PENTRU MICROUNDE Nicolae Crişan
CAPITOLUL 3. Tehnici de adaptare a impedanţelor ...... 93

3.1. Diagrama Smith (Smith chart)...................................................94
3.2. Metoda de adaptare cu tronsoane de linii................................109
3.3. Metoda de adaptare cu două tronsoane de linie
(double Stub maching)............................................................122
3.4. Metoda grafică cu parametri concentraţi.................................130
3.5. Metoda liniilor în sfert de undă ..............................................136
CAPITOLUL 4. Circuite lineare pentru microunde....... 139

4.1. Parametri de dispersie (parametrii S) ......................................139
4.2. Efectul liniei de transmisie asupra parametrilor de dispersie..146
4.3. Proiectarea amplificatoarelor de microunde cu tranzistoare ...151
4.3.1. Determinarea câştigului de putere a cuadripolului activ...152
4.3.2. Adaptarea amplificatoarelor de microunde ...................155
4.3.3. Analiza stabilităţii unui amplificator .............................165
4.3.4. Modelul tranzistorului unilateral ...................................167
CAPITOLUL 5. Circuite complexe pentru microunde... 183

5.1. Analiza la zgomot ...................................................................183
5.2. Tehnici de proiectare a amplificatoarelor de microunde
utilizând tehnologii microstrip................................................193
5.2.1. Transformări de impedanţă cu tronsoane singulare
de linie microstrip .........................................................194
5.2.2. Transformări de impedanţă cu tronson legat
direct la impedanţa de sarcină .......................................197
CAPITOLUL 6. Circuite nelineare de RF........................ 205

6.1. Proiectarea oscilatoarelor de microunde .................................206
6.1.1. Determinarea zonei de instabilitate a oscilatorului
de microunde..................................................................207
6.2. Mixere neechilibrate................................................................216
6.3. Mixere echilibrate ...................................................................220
6.4. Mixere echilibrate ce suprimă la ieşire frecvenţa
oscilatorului local ....................................................................222
6.5. Mixere dublu echilibrate .........................................................223
6.6. Pierderile de conversie ............................................................225
6.7. Distorsiuni de intermodulaţie..................................................227
6.8. Mixere active cu tranzistoare FET ..........................................230
6.9. Analiza linearităţii unui amplificator ......................................233
6
Cuprins
CAPITOLUL 7. Antene pentru microunde ..................... 239

7.1. Criterii de clasificare a antenelor ............................................239
7.2. Antena izotropă (punctiformă) ................................................240
7.3. Zonele de câmp ale antenei .....................................................244
7.4. Parametri ai antenelor .............................................................247
7.4.1. Impedanţa de intrare ......................................................247
7.4.2. Banda de frecvenţă ........................................................248
7.4.3. Caracteristica de radiaţie ...............................................250
7.4.4. Unghiul de deschidere (de radiaţie)...............................255
7.4.5. Rezistenţa de radiaţie.....................................................256
7.4.6. Polarizarea .....................................................................259
7.4.7. Aria efectivă şi câştigul .................................................261
7.5. Antena microstrip de tip„patch” .............................................264
7.5.1. Dimensionarea antenei ..................................................265
7.5.2. Impedanţa de intrare a antenei „patch” .........................269
7.5.3. Caracteristica de radiaţie a antenei „patch”...................273
7.5.4. Eficienţa antenei „patch” şi unghiul de deschidere .......276
7.5.5. Antena „half patch” .......................................................279
7.5.6. Antene „patch” cu polarizare circulară .........................282
7.5.7. Reţele pentru alimentarea antenelor microstrip.............283
7.5.8. Reţele de alimentare (Franklin array)...........................285
7.5.9. Antene microstrip cuplate prin fante
(slot coupled antennas) ..................................................286
7.5.10. Antene microstrip de tip „pixel-patch”.......................290
Bibliografie........................................................................... 298
7
Capitolul 1. Linii de transmisie de înaltă frecvenţă TEM – linia coaxială
În memoria regretatului dascăl şi coleg,

Dan Roman
Prefaţă
Într-o eră a telecomunicaţiilor sistemele wireless reprezintă pentru
ingineri o nouă provocare. Cele mai cunoscute dintre acestea sunt:
sistemele de comunicaţii celulare, fixe sau mobile, sistemele de
transmisii prin televiziune şi satelit, sistemele de radiodifuziune şi
comandă la distanţă, sisteme pentru aplicaţii de telemedicină. Drept
urmare a aplicării acestor tehnologii moderne se schimbă structura unei
lumi întregi; multe valori, precum educaţia, accesul la informaţie în
scopul cunoaşterii, dreptul la liberă exprimare, nu mai pot fi îngrădite
uşor. În noul context creat, tot mai multe structuri administrative,
educaţionale sau politice se redefinesc pe ele însele. Informaţia circulă cu
viteza luminii, într-un cadru în care distanţele dintre oameni devin
relative, iar individul este împins la limita dintre real şi virtual. La baza
acestei lumi informaţionale se află tehnologia, dar mai ales competenţele
profesionale şi potenţialul uman. Educaţia este cea care le determină pe
toate trei, din nefericire, pe termen lung şi cu sacrificii mari. Multe
aspecte relevate în această lucrare erau până nu demult considerate tabu,
într-o lume a războiului rece, dar astăzi, graţie comunicaţiilor moderne,
accesul la informaţie creează continuu valori. Scopul acestei cărţi este
acela de a ajuta la formarea unei noi generaţii de ingineri, competente din
punct de vedere profesional şi pregătite pentru o lume diferită de cea de
azi.
Lucrarea este structurată în şapte capitole. Primele două capitole
tratează transmiterea semnalelor de radiofrecvenţă, pe linii de transmisie
caracterizate de modul de propagare transversal electro-magnetic, TEM
(Capitolul 1 – linii coaxiale) şi quasi-TEM (Capitolul 2 – linii
microstrip). Cele mai importante fenomene electrice care acţionează în
mod determinant asupra circuitelor de microunde pot fi înţelese şi
aprofundate în aceste prime două capitole. Capitolul trei prezintă
modurile de proiectare şi adaptare pe linii de transmisie sau între
echipamentele wireless. Se insistă aici asupra rolului inginerului în
9
optimizarea performanţelor, nu doar în stabilirea de legături sau
furnizarea de servicii. Capitolele patru şi cinci abordează stratul fizic al
unui sistem wireless, din perspectiva fenomenului electric. Astfel, sunt
tratate teoriile moderne de proiectare a circuitelor active de microunde,
ce au la bază parametri de dispersie S. Circuitele nelineare, utilizate în
microunde, sunt studiate în capitolul şase, tratându-se cele mai profunde
probleme ce apar pe interfeţele radio, cât şi modul de soluţionare a
acestora. Fenomenologia tratată în primele şase capitole îşi regăseşte
utilitatea în înţelegerea celui de-al şaptelea capitol. Acesta abordează o
categorie mai specială de antene utilizate la frecvenţe foarte înalte (în
domeniul microundelor), şi anume antenele microstrip.
Cartea se adresează în special studenţilor ce urmează cursurile de
„master” sau post-universitare şi totodată studenţilor de la profilul
electric, specializările electronică aplicată şi telecomunicaţii. Aceasta
poate fi utilă însă tuturor celor care lucrează în domeniul comunicaţiilor
wireless (inclusiv al distribuţiei semnalelor RF), tocmai datorită
numărului mare de exemple, multe dintre acestea implementate şi
verificate practic de autor. Detaliile concrete de proiectare a antenelor
microstrip (utilizate la telefoanele mobile şi în reţelele WLAN) se vor
dovedi utile tuturor celor interesaţi de implementarea lor practică.
Simularea acestor dispozitive pe platforme de tip CAD – EM (de
proiectare numerică asistată de calculator, prin modelarea câmpului
electro-magnetic) deschide orizonturi noi cititorului, orizonturi ce
converg subtil spre cercetare aplicativă şi exploratorie, fără a pierde însă
legătura cu aspectele practice.
Vreau să mulţumesc tuturor celor care mi-au fost alături în
elaborarea materialului, în primul rând soţiei şi părinţilor mei.
Domnului profesor Tudor Palade îi mulţumesc pentru cadrul
profesional creat timp de 12 ani. Apreciez şi mulţumesc pentru
observaţiile constructive colegilor mei asistenţi, Ligia Cremene şi
Emanuel Puşchiţă. Mulţumesc, de asemenea, colegilor din Catedra de
Comunicaţii a Facultăţii de Electronică, Telecomunicaţii şi Teoria
Informaţiei din Cluj-Napoca, ale căror observaţii constructive, exprimate
de-a lungul timpului, m-au ajutat la structurarea acestei cărţi.
Autorul
10
CAPITOLUL 1
Linii de transmisie de înaltă
frecvenţă TEM – linia coaxială
Linia de transmisie coaxială este la ora actuală, una din cele mai
populare linii de transmisie. Se foloseşte în conjuncţie cu antenta fiind
practic indispensabilă acesteia. Mulţi parametrii ce caracterizează antena
sunt în strânsă corelaţie cu cei ai liniei de transmisie. Pentru o mai bună
înţelegere a fenomenului ce stă la baza unui echipament de emisie
recepţie (a lanţului RF), studiul liniei are o importanţă covârşitoare.
Modelarea liniei are la bază ecuaţii diferenţiale, dar şi o reprezentare
grafică pe diagrama Smith. Înţelegerea diagramei Smith folosită pentru
studiul parametrilor ce măsoară calitatea unui sistem de RF (de radio
frecvenţă) este condiţionată de înţelegerea fenomenelor electrice pe linia
de transmisie. Liniile TEM (Transversal electro-magnetic) din care cate-
gorie face parte şi linia coaxială au avantajul unor lungimi medii (100 m),
suficiente pentru conectarea antenei la un receptor sau emiţător. Un alt
avantaj este că se vehiculează pe linie direct semnale electrice, deci nu
sunt necesare conversii, iar legarea liniei se poate face direct la
echipamentul de RF.
O linie de transmisie coaxială este realizată dintr-un conductor de
cupru, ecranat cu ajutorul unei trese metalice. Secţiunea conductorului
rămâne constantă pe toată lungimea sa, punctele de pe extremitatea
exterioară (circumferinţa tresei) păstrându-şi simetria faţă de punctul din
centrul conductorului privit în secţiune (figura 1.1). Rz este raza
conductorului exterior măsurat de la punctul de simetrie aflat în centru şi
tresă, iar r este raza conductorului central de cupru. Tresa metalică este
realizată dintr-o plasă de sârmă subţire sau o foiţă de plastic argintată
pentru a oferi mai multă flexibilitate lucru necesar de cele mai multe ori
la o linie de transmisie de microunde. Domeniul de frecvenţă în care pot
funcţiona aceste linii de transmisie coaxiale este limitat între zero şi 10 -
15 GHz, ele ne acoperind integral spectrul utilizat în microunde [Pal97].
11
Tresa Rz Strat
metalică r
dielectric
Conductor
metalic
Fig. 1.1. Linia de transmisie coaxială – secţiune transversală

Linia coaxială face parte din cadrul linilor de transmisie TEM,
putând fi analizată pornind de la o schemă electrică echivalentă
prezentată în figura 1.2, pornind de la ideea că se poate considera un
curent şi o tensiune ce străbat linia.
Rdz Ldz Rdz Ldz
Cdz Gdz Cdz Gdz
dz dz
a
I(z) I(z+dz)
V(z+dz)
Rdz Ldz
V(z) Cdz Gdz
dz
b
Fig. 1.2. Schema electrică echivalentă a unei linii coaxiale:
a – elemente de lungimi infinitezimale cascadate;
b – element infinitezimal singular.
12
În figura 1.2.b este ilustrată schema echivalentă a unui element

infinitezimal, linia din punct de vedere fizic fiind constituită dintr-o
infinitate de astfel de elemente cascadate (figura 1.2.a). Este de remarcat
faptul că, analiza liniilor de înaltă frecvenţă nu se poate face apelând
direct la legile lui Ohm, decât în cazul în care lungimea liniei este mult
mai mică comparativ cu lungimea de undă. Acest lucru se respectă în
mod implicit în cazul liniilor ce lucrează la frecvenţe mai mici de 100 MHz,
dar nu mai este valabil pentru liniile de înaltă frecvenţă care au lungimi
fizice mult mai mari decât lungimea de undă. Astfel tensiunea schimbă
polaritatea de mai multe ori înainte de a ajunge la capătul liniei, iar
aceasta nu se mai substituie unui scurt circuit ca în DC (curent continuu).
O
U max e j 90
Umax
A A B
O λ
0e j 0 l=
4
Fig. 1.3. Tensiunea de-a lungul liniei coaxiale în sfert de undă
Fenomenul este ilustrat în figura 1.3, unde, o linie în sfert de undă
este traversată de un semnal de RF determinat de o tensiune sinusoidală
de înaltă frecvenţă. Lungimea liniei este egală cu un sfert din lungimea
undei pe o perioadă, astfel încât, la momentul iniţial în punctul de plecare
(puctul A), tensiunea măsurată este zero. Este interesant de văzut ce
indică un voltmetru vectorial care poate măsura simultan tensiunea la
capetele liniei. Voltmetrul vectorial, aşa cum se ştie, pe lângă modulul
tensiunii indică şi faza acesteia, astfel că, în punctul A (ales ca referinţă)
faza indicată este zero grade. La capătul liniei în punctul B, tensiunea
indicată este Umax, iar faza este de 90 grade. Observaţia că tensiunea nu
este constantă între cele două puncte A şi B este evidentă, deşi între cele
două puncte există un conductor metalic, ce la frecvenţe mici, se
comportă ca un scurt circuit. Acesta nu acţionează ca un scurt circuit, de
astă dată, între punctele A şi B existând o diferenţă de potenţial diferită de
zero, ca urmare a faptului că avem de-a face cu un conductor cu lungime
13
comparabilă cu cea a undei. Rezultă astfel că legile lui Ohm valabile la

liniile de joasă frecvenţă în acest context nu mai sunt valabile, decât în
cazul în care sunt aplicate pe lungimi infinitezimale, caz în care,
lungimea unui element infinitezimal va fi întotdeauna mult mai mică
decât lungimea de undă. Pentru elementele inifinitezimale tensiunea nu se
modifică decât foarte puţin, fiind aproape constantă de-a lungul liniei ca în
cazul frecvenţelor mici. Aici tronsonul infinitezimal poate fi considerat
un scurt circuit şi ca atare putem aplica legile lui Ohm. De obicei, când se
lucrează cu tronsoane scurte, se foloseşte mai degrabă lungimea electrică
a liniei, parametru care indică faptul că aceasta este străbătută de un
semnal de frecvenţă mare, lungimea ei fiind evaluată comparativ cu
lungimi de undă corespunzătoare semnalului ce o străbate. În acest fel,
lungimea electrică este o mărime corelată cu frecvenţa pe acea linie, fiind
exprimată ca multiplu sau submultiplu de λ în grade sau radiani. În cazul
π
prezentat în figura 1.3, lungimea electrică a liniei este de 90 grade sau
2
radiani.
1.1. Analiza câmpurilor din linia coaxială
Pentru analiza câmpurilor din interiorul liniei coaxiale se ţine cont

de faptul că, drept urmare a diferenţei de potenţial dintre conductorul
metalic şi tresă, apar sarcini electrice distribuite uniform de-a lungul
conductorului, în funcţie de potenţialul dintre cele două conductoare
(interior şi exterior). Notând cu r raza conductorului central şi cu Rz raza
corespunzătoare celui exterior (indicele z evită confuzia dintre raza Rz şi
rezistenţa R a conductorului) şi ţinând cont de simetria liniei, se poate
aplica legea lui Gauss (vezi figura 1.2) astfel:
__ __
∫∫ ε E ds = ∫∫∫ pdV ,
__
R
Q Q ⎛R ⎞
rezultând E r =
2πε rΔz
şi tensiunea V = − Edl =
r
∫ ln⎜ z ⎟ .
2πε Δz ⎝ r ⎠
Capacitatea pe element formată între conductorul de cupru şi tresă
C, se poate calcula cu formula:
Q 2πε
C= = [F/m] . (1.1.1).
VΔz ⎛R ⎞
ln⎜⎜ z ⎟⎟
⎝ r ⎠
14
Aplicând legea lui Ampère vom putea determina valoarea

inductanţei L per element adică Δz:
−
∫ Hd l = I 0 ,
I0
de unde rezultă că: H Φ = , iar inductanţa elementului este:
2π r
1 _ _
μ ⎛ Rz ⎞
L=
I 0 Δz ∫∫
B dS = ln⎜ ⎟ [H/m]
2π ⎝ r ⎠
(1.1.2).
Conductanţa G apare ca urmare a pierderii puterii în materialul

dielectric şi se determină pornind de la expresia curentului şi a tensiunii
pe elementul de linie considerat, adică:
I 2πσ
G= = (1.1.3),
VΔz ⎛ Rz ⎞
ln⎜ ⎟
⎝ r ⎠
unde σ este conductivitatea stratului dielectric pornind de la ideea că
pierderile se datorează unui curent radial ce trece prin dielectric cu
densitatea Jr, de valoare Ir având expresia: J r = σE r , I r = 2π rΔzσE r .
1.2. Relaţii între curent şi tensiune
Pornindu-se de la tronsonul infinitezimal de linie (vezi figura. 1.2),

se pot aplica legile lui Ohm exact ca în cazul unui circuit de joasă
frecvenţă din considerentele explicate anterior, obţinându-se expresia
curenţilor şi a tensiunilor astfel:
d
I (z ) − I ( z + dz ) = GdzV ( z ) + Cdz V ( z ) (1.2.1),
dt
d
V ( z ) − V ( z + dz ) = RdzI ( z + dz ) + Ldz I ( z + dz ) (1.2.2).
dt
Pentru un element infinitezimal suficient de mic se poate face
dI ( z )
aproximaţia I (z + dz ) = I ( z ) + dz . Astfel ecuaţiile (1.2.1) şi (1.2.2)
dz
devin:
dI ( z ) ⎛ d⎞
= −⎜ G + C ⎟V ( z ) (1.2.3),
dz ⎝ dt ⎠
15
dV (z ) ⎛ d⎞
≈ −⎜ R + L ⎟ I ( z ) (1.2.4).
dz ⎝ dt ⎠
Fiind vorba de semnale de frecvenţe foarte mari, acestea pot fi
considerate ca fiind de formă armonică, caz în care ştim că:
V ( z ) = V exp( j (ω t + ϕ )) , iar V (z ) = jωV (z ) .
d
dt
În acest caz, ecuaţiile (1.2.3) şi (1.2.4) pot fi aduse la forma:
dI ( z )
= −(G + jωC )V ( z ) (1.2.5),
dz
dV (z )
= −(R + jωL )I ( z ) (1.2.6).
dz
Derivând încă o dată ecuaţia (1.2.6), obţinem:
d 2V ( z ) dI ( z )
2
= − ( R + jω L ) ,
dz dz
dI ( z )
iar apoi prin înlocuirea lui din ecuaţia (1.2.5) în ultima ecuaţie,
dz
vom ajunge la:
d 2V
= (R + jωL )(G + jωC )V (z ) (1.2.7)
dz 2
cunoscută sub numele de ecuaţia telegrafiştilor.
Dacă notăm cu: γ 2 = ( R + jωL )( G + jωC ) , vom scrie ecuaţia
(1.2.7) în forma sa finală, adică:
d 2V ( z )
2
= γ 2V ( z ) (1.2.8),
dz
ea având o infinitate de soluţii de forma:
V ( z ) = V+ exp(−γ z ) + V− exp(γ z )
(1.2.9).
I (z ) = I + exp(−γ z ) − I − exp(γ z )
Constanta de propagare γ = (R + jωL )(G + jωC ) = α + jβ este o
mărime de formă complexă ce depinde numai de parametrii liniei. Va
rămâne constantă numai dacă frecvenţa este aceeaşi, α măsurând
pierderile în general, iar β este constanta de fază. Înlocuind γ cu α + jβ
în ecuaţia (1.2.9) vom obţine:
16
V = V exp(− (α + jβ )z ) + V exp((α + jβ )z ) =
+ −
= V exp(− αz ) exp(− jβ z ) + V exp(αz ) exp( jβ z ) .
+ −
Această ecuaţie arată că tensiunea de-a lungul liniei este formată
din două componente, una directă de amplitudine maximă V+ ce se
propagă atenuat (exponenţial) de la generator spre sarcină şi altă
componentă cu amplitudinea maximă V- ce se propagă atenuat în sens
invers. Propagarea inversă a componentei cu amplitudinea V- este
evidenţiată de faptul că ea are amplitudine maximă pe sarcină,
amplitudine care apoi scade pe măsură ce se apropie de generator
(datorită termenului exp(αz), care scade odată cu scăderea lui z). Astfel,
s-a evidenţiat faptul că un semnal armonic se propagă atenuat pe orice
linie coaxială, atenuare ce respectă o lege determinată de o expresie
exponenţială, chiar dacă sensul de deplasare al acesteia este invers undei
directe. Tensiunea de-a lungul liniei putem spune că este formată din
componenta directă şi componenta reflectată, α fiind coeficientul de
atenuare pe linie, exprimat în Neperi/metru. Constanta de fază β indică
faza undei într-un punct oarecare z, deci putem spune că într-o perioadă
avem: β ( z + λ ) − β z = 2π , de unde rezultă expresia constantei de
2π
fază β = . Constanta de fază nu depinde de nici un alt parametru în
λ
afară de frecvenţa care o determină, iar faza undei va fi egală cu
constanta de fază înmulţită cu distanţa parcursă de undă (adică z).
1.3. Impedanţa caracteristică a liniei de transmisie TEM
Este normal să ne întrebăm în ce condiţii se poate micşora sau chiar

anula unda reflectată pe o linie de transmisie. Această undă ce se
„întoarce”, micşorează puterea transferată sarcinii în mod nedorit. Ar fi
posibil să existe o impedanţă la care linia să fie adaptată şi puterea să fie
transferată în totalitate sarcinii? Răspunsul este afirmativ, iar impedanţa
căutată se poate determina pornind de la ecuaţia 1.2.6, dacă o derivăm în
raport cu z, astfel având:
dV (z ) 1 dV
= −(R + jωL )I ( z ) , iar I ( z ) = − .
dz R + jωC dz
Ştiind că V ( z ) = V+ exp(−γ z ) + V− exp(γ z ) şi derivând expresia
tensiunii V(z) după variabila z, obţinem:
17
dV
(z ) = γ (V− exp(γ z ) − V+ exp(− γ z )) ,
dz
care la rândul ei înlocuită în I(z) se va transforma în:
1
I (z ) = − (R + jωL )(G + jωC )(V− exp(γ z ) − V+ exp(− γ z )) ,
R + jω L
în final după simplificările de rigoare forma finală va fi:
V (z ) R + jωL
= = Z0 (1.3.1).
I (z ) G + jω C
Z0 este desigur o impedanţă, fiind definită de raportul dintre
tensiunea şi curentul de pe linie măsurate în punctul analizat, aflat la
distanţa z faţă de generator. Tot ceea ce se poate spune în acest moment
despre impedanţa caracteristică Z0 este că, dacă parametrii şi frecvenţa pe
linie sunt constante, valoarea lui Z0 rămâne neschimbată fiind un
parametru caracteristic liniei. Impedanţa caracteristică va depinde în mod
sigur de raportul Rz/r (vezi ecuaţiile (1.1.1) şi (1.1.2)) dintre raza
conductorului exterior şi interior deoarece aceste dimensiuni influenţează
capacitatea, respectiv inductanţa tronsonului de linie.
1.4. Coeficientul de reflexie
Se va pleca de la premisa că parametrii liniei (L,C,R şi G) nu

depind de frecvenţă şi au valoare constantă pentru o linie dată. Cu alte
cuvinte, pentru a fi valabilă această afirmaţie, linia trebuie să fie
omogenă, realizată dintr-un material fără discontinuităţi. Aceste
discontinuităţi apar în mod evident la îndoirea liniei sau constructiv,
datorită imperfecţiunii de tragere (tehnologia ce stă la baza realizării ei).
Pornind de la ideea că există două unde, una directă ce se deplasează de
la generator spre sarcină şi alta reflectată ce se propagă invers, se poate
vorbi de un coeficient de reflexie care va estima cantitativ raportul dintre
cele două (unda directă şi cea reflectată). Este clar că acest raport va
măsura din punct de vedere calitativ modul în care linia transferă puterea
de la generator la sarcină, astfel că, în conformitate cu definiţia enunţată
mai sus avem:
V− exp(γ L ) V
ΓL = = − exp(2 γ L ) .
V+ exp(− γ L ) V+
18
În figura 1.4.1 este o reprezentare simbolică a liniei coaxiale, în

care este ilustrată direcţia de propagare a undelor directă şi reflectată.
Coeficientul de reflexie ГL este definit chiar pe sarcină (la intrarea în
antenă) de la capătul liniei de lungime L şi este o mărime complexă de
forma: ΓL = ΓL exp( j ϕ ) . Dacă tensiunea pe sarcină este
V L = V+ exp(− γ L ) + V− exp(γ L ) (vezi ecuaţia (1.2.9)) curentul care trece
prin sarcină ţinând cont de impedanţa caracteristică a liniei este:
V V
I L = + exp(− γ L ) − − exp(γ L ) , iar atunci vom avea:
Z0 Z0
V+ exp(− γ L )
ZL
V− exp(γ L )
Fig. 1.4.1. Reprezentarea simbolică a liniei coaxiale
V−
exp(2γ L)
1+
VL V+ exp(− γ L ) + V− exp(γ L ) V+ 1 + ΓL
ZL = = = Z0 = Z0 ,
Z L V+ V− V− 1 − ΓL
exp(− γ L ) − exp(γ L ) 1 - exp(2γ L )
Z0 Z0 V+
din care îl vom putea exprima pe ГL în funcţie de impedanţe, astfel,
ajungându-se la binecunoscuta expresie:
ZL − Z0
ΓL = (1.4.1).
ZL + Z0
19
2
V+
Având în vedere că puterea incidentă este de forma: P+ = , iar
Z0
2
V−
puterea reflectată este: P− = , cu ajutorul coeficientului de reflexie
Z0
V−
pe sarcină ΓL = putem determina o relaţie de interdependenţă între
V+
2 2
V+ ΓL 2
cele două puteri şi anume: P− = = P+ ΓL . Din ultima expresie
Z0
rezultă importanţa controlului asupra coeficientului de reflexie, fiind clar
că puterea reflectată poate fi zero numai în condiţile în care ГL este nul.
Acest lucru se poate întâmpla dacă Z L = Z 0 , sarcina fiind în acest caz
adaptată la linie. Mai avem două cazuri speciale şi anume:
• Scurt circuit la capătul liniei Z L = 0 , rezulţând că:
ΓL = ΓL exp( jϕ ) = −1 (adică ΓL = 1, ϕ = π ).
• Capătul liniei este în gol ZL = ∞ , rezultând că:
ΓL = ΓL exp( jϕ ) = 1 ( adică ΓL = 1, ϕ = 0 ).
1.5. Impedanţa pe linie
Dacă se taie linia într-un punct oarecare A, se poate căuta o relaţie

a impedanţei văzută din acest punct spre sarcină. Această ecuaţie ne-ar
permite să estimăm variaţia impedanţei de-a lungul liniei în funcţie de
parametrii acesteia şi, totodată, să vedem cum evoluează valoric curentul
şi tensiunea de-a lungul liniei. În figura 1.5.1 este ilustrat bine acest
scenariu, ZA fiind impedanţa pe care va trebui să o determinăm în punctul
V
A. Se va porni de la expresia impedanţei în A adică Z A = A . Tăierea
IA
liniei coaxiale în punctul oarecare A este desigur una simbolică, aceasta
nefăcându-se efectiv.
20
z x = L-z
ZL
ZA
Fig. 1.5.1. Tăierea simbolică a liniei coaxiale, determinarea
impedanţei într-un punct oarecare A
Vom avea:
VA −
exp(− γ z ) + exp(γ z )
VA + exp(− γ z ) + VA − exp(γ z ) VA + exp(γ L )
Z A = Z0 = Z0
VA − exp(− γ z ) − VA − exp(γ z ) V exp(γ L )
exp(− γ z ) − A − exp(γ z )
VA +
exp[(L − z )γ] + Γ L exp(− 2γ L ) exp[−γ ( L − z )]

Z A = Z0 =
exp[(L − z )γ] − Γ L exp(− 2γ L ) exp[−γ ( L − z )]
exp[γ (L − z )] + ΓL exp[−γ ( L − z )]
= Z0 .
exp[γ (L − z )] − ΓL exp[−γ ( L − z )]
exp[γ x] + Γ L exp[− γ x]
Sau mai simplu: Z A = Z 0 substituind pe ГL
exp[γ x] − Γ L exp[− γ x]
Z L − Z0
cu ΓL = vom avea în continuare:
ZL + Z0
(Z + Z 0 )exp(γ x ) + (Z L − Z 0 ) exp(− γ x )
Z A = Z0 L .
(Z L + Z 0 )exp(γ x ) − (Z L − Z 0 ) exp(− γ x )
Grupând apoi termenii doi câte doi se dă factor comun pe Z L şi
Z 0 , rezultând:
21
Z L [exp(γ x ) + exp(− γ x )] + Z 0 [exp(γ x ) − exp(− γ x )]

Z A = Z0 =
Z L [exp(γ x ) − exp(− γ x )] + Z 0 [exp(γ x ) + exp(− γ x )]
Z L cosh (γ x ) + Z 0 sinh (γ x )
= Z0 ,
Z L sinh (γ x ) + Z 0 cosh (γ x )
iar trecând la tangentă hiperbolică relaţia finală va fi:
Z + Z 0 tgh(γ x )
Z A = Z0 L (1.5.1).
Z L tgh(γ x ) + Z 0
Ecuaţia (1.5.1) ne permite să determinăm impedanţa de-a lungul
liniei în orice punct, impedanţă văzută privind spre sarcină (sending end
impedance). Astfel, dacă dorim să determinăm impedanţa văzută de
generator la intrarea liniei coaxiale, vom înlocui în ecuaţia (1.5.1) pe x cu
L (adică cu lungimea liniei), obţinând în acest caz expresia:
Z + Z 0 tgh(γ L )
Z in = Z 0 L .
Z L tgh(γ L ) + Z 0
Din ecuaţia (1.5.1), rezultă de asemenea faptul că impedanţa de-a
lungul liniei nu are valoare constantă, ci variază pe măsură ce ne
deplasăm pe ea după o lege impusă de funcţia tangentă. Dacă însă sarcina
este adaptată la impedanţa caracteristică a liniei (ZL = Z0), atunci ZA va fi
egală cu Z0 pe toată lungimea liniei de transmisie. Ecuaţia (1.5.1) ne
permite să facem câteva observaţii legate de impedanţa caracteristică,
definită în paragraful 1.3.
Observaţii!
Impedanţa caracteristică Z0 este impedanţa văzută în lungul liniei în
orice punct, dacă sarcina este adaptată (ZL=Z0).
Impedanţa caracteristică Z0 este impedanţa văzută în lungul liniei
în orice punct, dacă linia are lungime infinită. O linie infinită se
adaptează la impedanţa caracteristică proprie.
1.6. Linii coaxiale cu pierderi mici
Liniile cu pierderi mici sunt în general liniile scurte, la care

pierderile nu depăşesc 0.5 dB. Pentru analiza acestor linii se porneşte de
la constanta: γ = (R + jωL )(G + jωC ) care se poate dezvolta în serie
binomială astfel:
22
1/ 2 1/ 2
⎛ R ⎞ ⎛ G ⎞
γ = jω LC ⎜⎜1 + ⎟ ⎜⎜1 + ⎟ =
⎝ jωL ⎟⎠ ⎝ jωC ⎟⎠
⎛ R R2 ⎞⎛ G G2 ⎞
= jω LC ⎜⎜1 + − + .... ⎟ ⎜ 1 + − + .... ⎟.
2 j ω L 4( j ωL ) 2 ⎟⎜ 2 jωC 4( jωC ) 2 ⎟
⎝ ⎠⎝ ⎠
Dacă linia de transmisie este cu pierderi mici atunci termenii:
R 2 , G 2 , R 3 , G 3 ..... vor tinde la zero, acest lucru semnificând faptul că
începând cu al III-lea termen toţi se pot neglija, astfel că vom avea în
continuare o expresie simplificată:
⎛ R ⎞⎛ G ⎞
γ = jω LC ⎜⎜1 + ⎟⎟⎜⎜1 + ⎟⎟ =
⎝ 2 j ω L ⎠⎝ 2 j ω C ⎠
⎛ RG R G ⎞
= jω LC ⎜1 − −j −j ⎟=
⎝ 4ω LC
2
2ωL 2ωC ⎠
R C G L ⎛ ⎡ RG ⎤ ⎞
= + + j ⎜⎜ ω LC ⎢1 − ⎥ ⎟⎟ = α + jβ ,
⎣ 4ω LC ⎦ ⎠
2
2 L 2 C ⎝
R C G L
unde α = + este atenuarea exprimată în Neperi/metru şi
2 L 2 C
⎡ RG ⎤
β = ω LC ⎢1 − 2 ⎥ este constanta de fază. Fiindcă am presupus că
⎣ 4ω LC ⎦
termenii: R 2 , G 2 , R 3 , G 3 ..... sunt neglijabili, rezultă că şi produsul RG
este neglijabil fiind considerat produs între două numere foarte mici
RG
rezultând că şi =0, iar constanta de fază se simplifică adică
4ω 2 LC
devine: β = ω LC . Omolog, dar pornindu-se de la expresia impedanţei
caracteristice vom avea:
1/ 2 −1 / 2
jωL ⎛ R ⎞ ⎛ G ⎞
Z 0 = (R + jωL ) (G + jωC )
1/ 2 −1 / 2
= ⎜⎜1 + ⎟ ⎜⎜1 + ⎟ =
jωC ⎝ jωL ⎟⎠ ⎝ jωC ⎟⎠
L⎛ R R2 ⎞⎛ G G2 ⎞
= ⎜1 + − + .... ⎟⎜ 1 − + − .... ⎟=
C ⎜⎝ 2 jωL 4( jωL ) 2 ⎟⎜ 2 jωC 4( jωC )
⎠⎝
2 ⎟
⎠
L⎛ R ⎞⎛ G ⎞ L⎛ RG ⎡ G R ⎤⎞
= ⎜⎜1 + ⎟⎟⎜⎜1 − ⎟⎟ = ⎜⎜1 + + j⎢ − ⎟⎟.
C ⎝ 2 jωL ⎠⎝ 2 jωC ⎠ C ⎝ 4ω LC ⎣ 2ωC 2ωL ⎥⎦ ⎠
2
23
Din acelaşi motiv, dar presupunând că termenii R 2 , G 2 , R 3 , G 3 .....

RG ⎡ G R ⎤
sunt neglijabili şi termenii: şi ⎢ − sunt zero. Astfel,
4ω LC ⎣ 2ωC 2ωL ⎥⎦
2
putem sintetiza concluziile obţinute în urma analizei din punct de vedere

matematic asupra liniilor cu pierderi mici, după următorii parametri ce
definesc linia:
• Atenuarea liniei este:
R C G L R GZ 0
α= + = + (1.6.1),
2 L 2 C 2Z 0 2
• Constanta de fază va fi:
β = ω LC = ωCZ 0 (1.6.2),
• Impedanţa caracteristică este:
L
Z0 = (1.6.3).
C
Observaţii!
Impedanţa caracteristică Z0 este o mărime reală în cazul unei linii
cu pierderi mici, ce depinde de inductanţa şi capacitatea tronsonului
astfel:
μ ⎛ Rz ⎞
L= ln⎜ ⎟ [H/m] (1.6.4)
2π ⎝ r ⎠
2πε
C= [F/m] (1.6.5),
⎛ Rz ⎞
ln⎜ ⎟
⎝ r ⎠
unde aici Rz, respectiv r reprezintă razele corespondente conduc-
toarelor exterior, respectiv interior, iar:
μ ⎛ Rz ⎞
ln⎜ ⎟
L 2π ⎝ r ⎠ 1 μ ⎛ Rz ⎞
Z0 = = = ln⎜ ⎟ (1.6.6).
C 2πε 2π ε ⎝ r ⎠
⎛R ⎞
ln⎜ z ⎟
⎝ r ⎠
24
Pentru acelaşi material dielectric se poate păstra neschimbată

valoarea impedanţei caracteristice chiar dacă se modifică grosimea
cablului, dacă se păstrează constant raportul Rz /r.
1.7. Optimizarea liniei de transmisie coaxiale pentru

minimizarea pierderilor
Se ştie că la ora actuală se găsesc pe piaţă două feluri de linii

coaxiale: o linie coaxială utilizată pentru aparatura de recepţie TV şi
satelitară, cu impedanţa caracteristică de 75 Ω şi liniile de transmisie
coaxiale pentru echipamentele de comunicaţii radio cu o impedanţă de 50 Ω.
Deşi mai puţin cunoscute, dar mult mai importante ca arie de utilizare,
sunt cele din urmă. Mulţi dintre utilizatori, dar chiar şi dintre operatori,
îşi pun întrebarea de ce există două tipuri de linii coaxiale şi de ce s-a
ales tocmai valoarea de 75 respectiv 50 de ohmi pentru impedanţa
caracteristică a liniei. Este incredibil cât de puţini au şi reuşit să găsească
răspunsul la această întrebare, deşi, acesta face referire la optimizarea
liniei de transmisie, operaţie de care inginerul este direct responsabil.
Vom încerca să răspundem în acest paragraf şi să clarificăm acest aspect
deosebit de important pentru un inginer sau un operator ce lucrează cu
echipamente radio. Ideea optimizării liniei coaxiale a apărut în primă fază
de la expresia parametrului α ce măsoară pierderile pe linie. Astfel,
problema optimizării, cel puţin la prima vedere, s-ar reduce la
minimizarea acestui parametru, prin găsirea unui optim în raport cu
parametrii geometrici r şi respectiv Rz, atunci când se consideră un un
anume material dielectric. Parametrii electrici desigur nu contează aici,
materialul fiind totdeauna cel care are mereu un cuvânt important de spus
la reducerea pierderilor, dar, neexistând deocamdată un material perfect,
nu se poate pune problema optimizării liniei din acest punct de vedere.
Tresa Rz
metalică r
Fig. 1.7.1. Optimizarea liniei coaxiale pentru reducerea pierderilor
25
În figura 1.7.1 este ilustrată o linie coaxială pentru care raza

interioară este r, iar cea exterioară Rz. Raza x este aleasă arbitrar între r şi
Rz pentru a evidenţia anumite aspecte legate de simetria liniei. Plecând
de la ecuaţia (1.6.1), avem relaţia atenuării semnalului de-a lungul liniei
pentru o linie cu pierderi mici, şi anume:
R C G L R GZ 0
α= + = + .
2 L 2 C 2Z 0 2
Nu se prea pot aduce obiecţii cu privire la motivul alegerii unei linii
cu pierderi mici în vederea optimizării ei, din două motive: linia fără
pierderi nu necesită optimizare, iar linia cu pierderi mari nu se foloseşte.
Observaţie!
R este rezistenţa serie a liniei pe unitatea de lungime,
G este conductanţa dintre firul central şi tresă (acţionează ca un
shunt).
Expresia lui R funcţie de geometria liniei a fost determinată ca:
R ⎛ 1 1⎞
R = 0 ⎜⎜ + ⎟ , unde R0 este rezistenţa datorată materialului
2π ⎝ R z r ⎟⎠
conductor fiind vorba de o rezistenţă de volum. Expresia conductanţei G
este determinată pornind de la observaţia că pierderile se datorează
dielectricului care, deşi are o conductanţă mică (σ), există un curent de
pierderi radial ce trece de la conductorul de cupru la tresă prin elementul
dielectric ce le separă, având expresia: I 0 = 2π rΔz σEr [Nic83]. Expresia
conductanţei a fost determinată (vezi ecuaţia (1.1.3)) sub forma:
I 2πσ
G= = . Se vor înlocui R respectiv G de mai sus în expresia
VΔz ⎛ Rz ⎞
ln⎜ ⎟
⎝ r ⎠
coeficientului de pierderi α (vezi ecuaţia (1.6.1)), apoi Z0 din ecuaţia
(1.6.6) şi rezultă o altă expresie de forma:
R0 ⎛ 1 1 ⎞ πσ Z 0 R0 ⎛ 1 1 ⎞ ση
α= ⎜⎜ + ⎟⎟ + = ⎜ + ⎟+ .
4π Z 0 ⎝ r R z ⎠ Rz ⎛ R z ⎞ ⎜⎝ r R z ⎟⎠ 2
ln 2η ln⎜ ⎟
r ⎝ r ⎠
26
Această funcţie este minimă atunci când derivata lui α în raport cu

dα
r se anulează, adică: = 0 . Acest lucru implică egalitatea:
dr
r ⎛R ⎞ R
+ 1 − ln⎜ z ⎟ = 0 , ceea ce este adevărat numai dacă: z = 3,6 , raport
Rz ⎝ r ⎠ r
pentru care Z0 are valoarea optimă adică aproximativ 75 ohmi. Cel puţin
pentru o perioadă s-a crezut că aceasta era valoarea optimă pentru
impedanţa caracteristică a liniei. Un lucru însă s-a omis pentru moment,
plecându-se de la ideea că pe linie, nu se transportă puteri mari. În cazul
creşterii puterii transmise pe linie câmpul electric poate ajunge la o
valoare critică la care dielectricul îşi modifică proprietăţile (acesta fiind
criteriul la care puterea pe linie este considerată “mare”). Ştiind din
Q Q ⎛R ⎞
paragraful 1.1 că: E r = şi V = ln⎜ z ⎟ rezultă că
2πε rΔz 2πε Δz ⎝ r ⎠
V
Er = . Din această ecuaţie se deduce că, în interiorul liniei
Rz
r ln
r
coaxiale câmpul electric este maxim în zona aflată între dielectric şi
conductorul de cupru. Aici poate apare un fenomen de saturaţie datorat
V
unui câmp electric prea intens, caz în care vom avea: E max = ,
Rz
r ln
r
iar puterea transmisă pe linie va fi determinată de expresia:
V 2 2π 2 2 ⎛ R z ⎞ μ
Pmax = = E max r ln⎜ ⎟ ţinându-se cont că s-a notat η = .
Z0 η ⎝ r ⎠ ε
dPmax
Această putere are un maxim pentru: = 0 , lucru ce implică
dr
⎛ ⎛R ⎞ ⎞ R
egalitatea: r ⎜⎜ 2 ln⎜ z ⎟ − 1⎟⎟ = 0 , având soluţia unică z = 1,65 ; raport
⎝ ⎝ r ⎠ ⎠ r
pentru care impedanţa liniei va fi Z0 = 30 Ω. Rezultatul la care s-a ajuns
este puţin ambigu pentru că, pe de o parte, am demonstrat că o impedanţă
caracteristică de 75 ohmi garantează minimizarea pierderilor pe linie, iar
pe de altă parte a rezultat că puterea ce traversează linia este maximă
pentru o impedanţă de 30 ohmi. Nu e chiar aşa! Realitatea e că, la puteri
foarte mici atunci când intensitatea câmpului electric E este mult mai
27
mică decât valoarea de saturaţie a dielectricului este optimală linia de

75 ohmi. De obicei, acest lucru este valabil pentru receptoare, atunci
când linia coaxială face legătura dintre antenă şi receiver datorită
puterilor foarte mici furnizate de antenă. În cazul în care, linia este legată
la un emiţător, există pericolul apariţiei fenomenului de saturaţie, caz în
care lucrurile se inversează, linia devenind optimală pentru impedanţa de
30 Ω. Realizarea unui compromis între cele două valori se impune de la
sine, alegându-se valoarea de mijloc (adică 50 Ω), valoare utilizată în
prezent numai pentru linii de transmisie la care pot fi conectate şi
emiţătoare. În figura 1.7.2 se poate vedea reprezentarea grafică a
pierderilor pe linie şi a raportului puterilor P / Pmax în funcţie de
impedanţa caracteristică a liniei. Aşa cum s-a arătat anterior, α este
minim pentru Z0 = 75 Ω, pe când puterea transmisă pe linie (valoarea
normalizată) este maximă dacă Z0 = 30 Ω. Se observă vizual pe cele două
curbe din figura 1.7.2 (cu galben sunt ilustrate pierderile iar cu roşu
puterea normalizată pe linie – vezi CD) că valoarea de 50 Ω realizează un
excelent compromis minimizând inconvenientul menţionat anterior,
vizavi de transmiterea puterilor mari. Programul folosit la reprezentarea
grafică a fost scris în TestPoint, verificându-se şi din punct de vedere
vizual rezultatul matematic.
Fig. 1.7.2. Simularea pierderilor pe linia coaxială în TestPoint
28
1.8. Linii coaxiale fără pierderi
În cazul liniilor coaxiale fără pierderi coeficientul α este zero.

Atunci linia se idealizează dintr-un anumit punct de vedere având
pierderi de 0 Neperi/m. Pot fi considerate fără pierderi liniile foarte
scurte a căror lungime este comparabilă cu câteva lungimi de undă.
Aceste linii sunt cunoscute în literatura de specialitate sub denumirea de
linii “STUB”. Remarcăm că pentru aceste linii, coeficientul de propagare
γ este imaginar, adică γ = jβ . O altă remarcă vizavi de funcţia tangentă
hiperbolică este că, în acest caz putem considera egalitatea:
tgh( jβ l ) = jtg (β l ) , iar impedanţa văzută în lungul liniei va fi:
⎡ Z + jZ 0 tg (β L ) ⎤
Z in = Z 0 ⎢ L ⎥ (1.8.1).
⎣ Z 0 + jZ L tg (β L ) ⎦
Reactanţă
inductivă
gol scc
Lungimea
liniei
Reactanţă
capacitivă
λ/4 λ/2 3λ/4 λ
Z0
Zg ZL
L=λ
Fig. 1.8.1. Variaţia impedanţei în lungul liniei – linia continuă

descrie linia scurt circuitată la ieşire – linia punctată descrie linia
terminată în gol (λ – lungimea de undă)
Aceste linii pot fi legate în scurt circuit sau lăsate în gol (fără
sarcină), caz în care impedanţa văzută în lungul liniei se determină ca:
Z in − scc = jZ 0 tg (β L ) ; Z L = 0 scurt circuit la ieşire (scc),
29
Z in − gol = − jZ 0 ctg (β L ) ; Z L → ∞ linia este lăsată în gol la un capăt

(vezi figura 1.8.1).
Observaţie!
Datorită variaţiei impedanţei de-a lungul liniei, aceste tronsoane
coaxiale de tip STUB pot fi utilizate ca adaptoare de impedanţă.
Această afirmaţie se bazează pe observaţia că dacă la capetele liniei
impedanţele sunt diferite, linia acţionează ca un transformator de
impedanţă. Nu este posibilă însă adaptarea în orice condiţii,
existând cazuri în care adaptarea nu se poate realiza din lipsa
soluţiilor celor două ecuaţii. În acest caz se face apel la alte metode
de adaptare în general mult mai complexe.
Chiar dacă din punct de vedere matematic adaptarea este posibilă,
din punct de vedere tehnologic s-ar putea ca impedanţa caracteristică să
nu poată fi realizată, practic, putând rezulta dimensiuni ale cablului mult
prea mici.
• Linia în sfert de undă
λ
Lungimea liniei este L = , iar în această situaţie vom avea:
4
⎛ 2π λ ⎞ ⎛π ⎞
tg (β L ) = tg ⎜ ⎟ = tg ⎜ ⎟ → ∞ . Atunci la limită înlocuind în ecuaţia
⎝ λ 4⎠ ⎝2⎠
(1.8.1) pe L, vom avea:
λ
Z in = Z 0
(Z Ltg (β L ) + jZ 0 ) 4 Z 02
→
L=
(1.8.2).
Z 0 tg (β L ) + jZ L ZL
Z0
Zg ZL
L=λ/4
Fig. 1.8.2. Adapare cu linie în sfert de undă între două
impedanţe reale
30
Din ecuaţia (1.8.2), rezultă cel puţin un lucru şi anume că, se va putea
folosi linia în sfert de undă pentru a realiza adaptări de impedanţe. Astfel
se pot adapta impedanţe reale, presupunând că avem un generator cu
impedanţa de ieşire Zg diferită de impedanţa sarcinii ZL, dar ambele reale.
Atunci vom lega generatorul la sarcină prin intermediul unei linii în sfert
de undă cu o impedanţă caracteristică: Z 0 = Z g Z L (vezi figura 1.8.2).
Observaţie!
Nu este posibil a se realiza o adaptare între două impedanţe
complexe cu o linie în sfert de undă, nici între una reală şi alta
complexă (numai dacă e vorba de o diferentă de fază de 180 de
grade). Această metodă este aplicată pentru adaptarea antenelor, cu
impedanţa de ieşire a emiţătorului respectiv a receptorului, caz în
care toate impedanţele adaptate sunt reale la rezonanţă.
Se poate afirma despre linia în sfert de undă că este o linie mai
specială ce are câteva proprietăţi remarcabile. Când impedanţa la un
capăt este infinită, la celălalt capăt este zero şi viceversa. Această
proprietate remarcabilă o face utilă în filtrarea semnalelor de frecvenţă
înaltă sau poate fi utilizată practic ca şi circuit rezonant. Fiind un STUB
(adică o linie de lungime mică comparabilă cu lungimea de undă), nu va
avea pierderi şi cel puţin teoretic poate fi privită acţionând ca filtru ideal.
λ/4
A
Zg ZL
Fig. 1.8.3. Linia în sfert de undă utilizată ca filtru opreşte bandă
Acest aspect este ilustrat în figura 1.8.3 unde, de-a lungul liniei este
plasat un tronson coaxial în sfert de undă, ce este în gol la extremitatea de
sus şi conectat la linia de transmisie la cea de jos. Dacă la un capăt
impedanţa este infinită (la capătul în care linia este în gol) la celălalt
capăt în punctul A impedanţa liniei este zero. Acest lucru va determina
31
rejecţia undelor având frecvenţa egală cu cea de acord a liniei, adică:

c
f 0 = . Dacă linia în sfert de undă va fi însă terminată în scurt circuit
λ
(scc) atunci capătul de sus va fi la masă, iar impedanţa în punctul A tinde
la infinit neavând nici un efect asupra semnalului de frecvenţă f 0 , în acel
punct al tronsonului principal. Semnalul “vede” pe linie impedanţe şi ca
urmare va “alege” calea adaptată, deci se va deplasa nedistorsionat spre
sarcină. Acest lucru este valabil numai dacă semnalul are aceeaşi
frecvenţă cu cea de rezonanţă a liniei în sfert de undă, adică f 0 . Dacă
frecvenţa diferă mult faţă de această valoare, linia în sfert de undă
acţionează ca un scurt rejectând semnalul, acesta ne mai “ajungând” la
sarcină.
Rolul liniei în sfert de undă, de filtrare a semnalului, este evidenţiat
astfel, dar, nu este clar cât este în acest caz banda filtrului astfel realizat.
Fiind vorba de un filtru pasiv, banda se va putea estima cu binecunoscuta
f
formulă: BW = 0 (la 3 dB - [Rau01]), unde Q este factorul de calitate a
Q
liniei. Importanţa deosebită a liniei coaxiale în sfert de undă ne obligă să
insistăm mai mult asupra acestui factor de calitate. În determinarea
factorului de calitate Q, poate apărea o problemă ce bulversează simţurile
noastre, deoarece, dacă linia este ideală (deci fără pierderi) atunci Q ar
trebui să tindă spre infinit, lucru care aproape că se întâmplă şi în
realitate pentru această linie. Este greu de acceptat totuşi ideea unei linii
fără pierderi, deci vom accepta mai degrabă ipoteza conform căreia linia
considerată, în sfert de undă, are pierderi extrem de mici, dar diferite
totuşi de zero. Nu ne va mai mira acum că factorul de calitate va fi foarte
mare în urma observaţiei făcute anterior. Vom presupune că linia în sfert
de undă este terminată în scurt, dar la fel de bine putem considera şi cazul
în care ea este în gol (rezultatul final va fi desigur acelaşi). Pentru linia cu
pierderi din ecuaţia (1.5.1), avem:
Z L + Z 0 tgh(γ L )
Z in = Z 0 , ZL = 0 ,
Z L tgh(γ L ) + Z 0
deci rezultă că: Z in = Z 0 tgh(α L + jβ L ) şi descompus va fi:
tgh(α L ) + jtg (β L )
Z in = Z 0 (1.8.3).
1 + jtgh (α L )tg (β L )
32
Constanta de fază face referire la faza undei pe linie, fază

corespunzătoare semnalului de frecvenţă oarecare f . Linia în sfert de
undă e acordată pe o frecvenţă foarte apropiată, deci putem scrie că
tg (β L ) = tg [(β 0 + Δβ )L] , unde β 0 este constanta de fază ce corespunde
frecvenţei de acord f 0 a liniei, iar Δβ este diferenţa dintre constantele de
fază prin compararea undei de frecvenţă oarecare f şi cea de frecvenţă
f 0 . Descompunerea funcţiei tangentă se poate aplica şi de data aceasta,
tg (β 0 L ) + tg (Δβ L )
astfel că egalitatea devine: tg (β L ) = .
1 − tg (β 0 L )tg (Δβ L )
Acum este momentul să considerăm că linia este în sfert de undă,
λ0
deci vom face substituţia: L = , iar faza de referinţă devine
4
2π λ0 π
β0 L = = . Pentru această valoare tangenta tinde la infinit, iar la
λ0 4 2
λ
L→
4 −1
limită vom avea: tg (β L ) → . Ţinând cont de faptul că
tg (Δβ L )
diferenţa de fază este foarte mică, vom face aproximarea:
tg (Δβ L ) ≈ Δβ L , şi, datorită pierderilor foarte mici: tgh(α L ) ≈ α L .
Înlocuind în ecuaţia (1.8.3), vom avea în final expresia:
1
α L- j
Δβ L α L Δβ L - j
Z in = Z 0 = Z0 .
α Δβ L - j (α L )
1- j
Δβ
Observăm că apare un produs între două mărimi foarte mici
( α L Δβ ), lucru din care rezultă un număr şi mai mic, deci, care poate
2
fi aproximat “inginereşte” cu zero. Expresia se mai simplifică, astfel că

-j Z 1
putem scrie în final: Z in = Z 0 = 0 , iar termenul
Δβ L - j (α L ) α L Δβ
1+ j
α
Δβ
se poate “cosmetiza” puţin prin înmulţire şi împărţire cu β 0
α
33
2π Δf
β0
rezultând astfel:
Δβ Δβ β 0
= = c = Δf β 0 . În capitolul 2,
α α β0 2π f 0 f0 α
α
c
ecuaţia (2.1.9.6) se va demonstra că expresia impedanţei de intrare este
echivalentă cu cea corespunzătoare unui circuit rezonant paralel, iar prin
β0
comparaţie va rezulta: Q = . Din paragraful 1.7 ştim că pierderile sunt
2α
R GZ 0
de forma: α = + şi este uşor de observat că pentru o linie
2Z 0 2
foarte scurtă, conductanţa G nu poate avea decât valori extrem de mici,
putându-se cu uşurinţă neglija la rându-i (numai de un inginer). Vom
trage astfel concluzia că responsabilă pentru pierderile foarte mici de pe
linia în sfert de undă este numai parametrul R. Acestea sunt pierderi
datorate numai materialului conductor, bineînţeles material cu pierderi,
iar atunci Q devine:
2π
λ 2π Z 0
Q= 0 = (1.8.4),
R λ0 R
Z0
în care înlocuind cei doi parametri rămaşi adică: R (vezi paragraful 1.7) şi
Z0 (vezi ecuaţia (1.6.6)) obţinem:
η ⎛ Rz ⎞
ln⎜ ⎟
2π 2π ⎝ r ⎠ 2π η rR z ⎛R ⎞
Q= = ln⎜ z ⎟ ,
λ0 R0 ⎛ 1 1 ⎞ λ0 R0 r + R z ⎝ r ⎠
⎜ + ⎟
2π ⎜⎝ r R z ⎟⎠
μ
unde η = .
ε
2π η
Se poate vedea că expresia este constantă pentru un anumit
λ 0 R0
fel de material şi o anumită frecvenţă, lucru care face posibilă
determinarea maximului lui Q în raport cu diametrul conductorului
dQ
central. Maximul căutat se va găsi rezolvând ecuaţia: = 0 , ceea ce
dr
34
⎛R ⎞ r R
implică egalitatea: ln⎜ z ⎟ = 1 + , satisfăcută numai pentru z = 3,6
⎝ r ⎠ Rz r
adică pentru Z0 = 75 Ω. Acest rezultat reconfirmă valabilitatea expresiei
determinate pentru Q, linia optimizată având o impedanţă caracteristică
Z0 de 75 Ω şi un factor de calitate maxim. Acesta din urmă fiind definit
tocmai ca o mărime ce apreciază din punct de vedere calitativ pierderile
într-un circuit rezonant, nu se putea practic ajunge la un alt rezultat,
ambele metode fiind în consens (deci implică aceeaşi soluţie).
1.9. Unde staţionare în linii TEM
Unda staţionară este probabil unul dintre cele mai interesante

fenomene ce se distinge cu precădere în liniile de transmisie. Importanţa
undelor staţionare este foarte mare, practic, în domeniul comunicaţiilor,
înţelegerea fenomenului fiind imperioasă, dar şi în alte domenii cum ar fi
energetica sau fizica cuantică. Aprecierea cantitativă a acestor unde se
rezumă de fapt la o apreciere calitativă a adaptării liniei la sarcină, cu
implicaţii majore, nu numai din punct de vedere al transferului energetic,
dar şi din acela al aprecierii calităţii unui semnal recepţionat.
Pentru intuirea fenomenului mai sus amintit putem afirma că unda
staţionară se formează prin suprapunerea a două unde coerente (care
provin de la aceaşi sursă). Se porneşte de la expresia tensiunii pe linie
ecuaţia (1.2.9), considerându-se o linie fără pierderi (cu α = 0) de
lungime L (vezi figura 1.9.1), şi anume:
V = V+ exp(− jβ z ) + V− exp( jβ z ) =
⎡ V ⎤
= V+ exp(− jβ L) ⎢exp jβ (L − z ) + − exp(2 jβ L ) exp(− jβ (L − z ))⎥
⎣ V+ ⎦
V = V+ exp(− jβ L)[exp jβ (L − z ) + Γ exp(− jβ (L − z ))] (1.9.1).
Această ecuaţie corespunde undei staţionare ce este compusă din
două unde ce traversează linia în direcţii opuse. În cazul în care aceasta
este în gol sau în scurt ne aşteptăm ca unda să “rămână capturată” în
interiorul liniei, astfel că în acest caz coeficientul Г poate avea numai
valoarea: 1 sau -1 (vezi paragraful 1.4). Vom considera spre exemplu
cazul în care la capătul liniei avem un scurt circuit (scc), deci ZL = 0, iar
Г = -1. Notând cu x = L – z şi ţinând cont de scurt circuitul de la capătul
liniei, avem: V = V+ exp(− jβ L )[exp( jβ x ) + exp(− jβ x )] , iar având în
35
vedere şi faptul că funcţia exponenţială se poate scrie sub forma:

exp( jβ x ) = cos(β x ) + j sin (β x ) , vom “cosmetiza” ecuaţia făcând
înlocuirea apoi simplificările corespunzătoare, şi anume:
V = j 2V+ exp(− jβ L )sin (β x ) (1.9.2).
Singurul aparat care poate măsura şi indica această tensiune ca
atare, este vector voltmetru, acesta indicând atât modulul acestei mărimi
complexe cât şi faza. Un voltmetru de RF indică însă numai modulul
părţii reale, adică:
V = P.REAL{ j 2V+ exp(− jβ L )} sin (β x ) =
(1.9.3).
= 2V+ sin (β L ) sin (β x )
Fiind vorba de o undă staţionară, caz în care linia e închisă (datorită
scurtcircuitului de la capătul ei), unda este capturată în interiorul liniei.
Dat fiind şi faptul că am presupus lipsa pierderilor, cele două unde se
adună în acele puncte de pe linie unde sunt în fază şi se scad unde sunt în
opoziţie de fază, rezultând noduri şi ventre (minime şi maxime) ca în
figura 1.9.1.
λ 2
Umax
π 2 π 3π 2 2π 5π 2 3π Lungimea
electrică a
liniei
Z0
L = 6 (λ/2)
Fig. 1.9.1. Formarea undelor staţiunare pe linia TEM
Se concluzionează că lungimea electrică a liniei (lungimea electrică

a unei linii este exprimarea lungimii fizice a liniei în multiplii de lungimi
36
de undă sau radiani, pornind de la ideea că pentru π radiani corespunde o

lungime electrică de λ/2) este un multiplu întreg de λ/4. Ventrele sunt
determinate de acele puncte (staţionare) în care amplitudinea tensiunii
este maximă, iar nodurile, sunt determinate de punctele pentru care
tensiunea este zero. Dacă dorim să determinăm poziţia nodurilor se vor
căuta soluţiile ecuaţiei sin (β x ) = 0 .
Astfel se determină soluţii de forma: β x = (n − 1)π , unde n este un

întreg pozitiv (avem practic o infinitate de soluţii). Ţinând cont de
2π
expresia constantei de fază ( β = ), vom putea scrie:
λ
π λ
x = (n − 1) = (n − 1) . Dându-se valori lui n de la 1 la infinit vom
β 2
obţine poziţia tuturor nodurilor de-a lungul liniei, poziţie care
transformată în radiani este reprezentată în figura 1.9.1, şi anume:
0, π , 2π , 3π ... etc.
Distanţa dintre două noduri consecutive va fi obţinută făcându-se
λ
diferenţa dintre doi indici consecutivi: Δx = x n +1 − x n = . Pentru
2
determinarea ventrelor se vor căuta soluţiile pentru ecuaţia: sin (β x ) = 1
caz în care amplitudinea este maximă. Se vor găsi soluţiile sub forma:
λ π 3π 5π
x = (2n − 1) , cu n întreg şi pozitiv adică: , , ... .etc. Linia
2 2 2 2
punctată corespunde situaţiei în care linia este terminată în gol. În acest
caz tensiunea de la capătul liniei este maximă, iar Г = 1; tensiunea
indicată de un voltmetru de RF este asemănătoare cu cea determinată
anterior adică:
V = P.REAL{ j 2V+ exp(− jβ L )} cos(β x ) = 2V+ sin (β L ) cos(β x ) .
λ
Nodurile vor fi găsite în poziţiile pentru care: x = (2n − 1) , iar
2
λ
ventrele în puncte de forma: x = (n − 1) pentru orice n întreg şi pozitiv.
2
Valoarea indicată de voltmetru este maximă, adică 2V+ , numai dacă linia
este un multiplu întreg de λ/4, caz în care vom avea egalitatea:
37
⎛ 2π λ ⎞ ⎛ π⎞
sin (β l ) = sin ⎜ n ⎟ = sin ⎜ n ⎟ = 1 , lucru valabil pentru orice n mai
⎝ λ 4⎠ ⎝ 2⎠
mare ca unu. Cu alte cuvinte, pentru a obţine un efect maxim de undă
staţionară, linia trebuie să aibă o lungime egală cu un multiplu întreg de
λ/4 (observaţie foarte importantă ce se aplică la antene).
1.10. Raportul de undă staţionară de tensiune (VSWR-ul)
Dacă am plasa un detector şi l-am mişca de-a lungul liniei, am putea

măsura variaţia tensiunii de-a lungul acesteia. Raportul VSWR este
determinat tocmai de tensiunea maximă şi minimă pe linie astfel că:
Vmax
VSWR = S = .
Vmin
De unde rezultă că domeniul său de variaţie este între unu şi infinit
( 1 ≤ S ≤ ∞ ). Din punct de vedere calitativ, SWR-ul apreciază gradul de
adaptare sau dezadaptare a unei linii la sarcină. În cazul adaptării la
sarcină, valoarea lui S este unu (Vmax = Vmin neexistând undă staţionară),
iar dacă linia este în scc sau în gol valoarea indicată tinde spre infinit
(Vmin = 0). Ştiind că ΓL = ΓL exp( j ϕ ) şi dezvoltând ecuaţia (1.9.1),
obţinem:
V = V+ exp(− jβ (L - x ))[1 + Γ exp j (ϕ − 2 β x )].
Dacă tensiunea V devine egală cu |Vmax|, atunci:
V = Vmax = V+ [1 + Γ ] , ceea ce este posibil numai pentru cazul în care
expresia: exp j (ϕ − 2 β x ) = cos(ϕ − 2 β x ) + j sin (ϕ − 2 β x ) = 1 , adică
pentru ϕ − 2 β x = 2kπ oricare ar fi k = 0,1,2,3 …În acelaşi fel V poate
deveni egal cu |Vmin| atunci când V = Vmin = V+ [1 − Γ ], caz în care
ϕ − 2 β x = (2k + 1)π . Se va putea afirma că se poate găsi S sub o altă
formă, şi anume:
Vmax 1+ Γ
S= = (1.10.1),
Vmin 1− Γ
S −1
Γ = (1.10.2).
S +1
38
Ecuaţiile (1.10.1) şi (1.10.2) sunt foarte utilizate în practică

putându-se exprima coeficientul de reflexie dacă se cunoaşte SWR-ul.
Acest lucru se face practic cu ajutorul unui VSWR-metru care măsoară
valoarea lui S de pe linie, iar apoi se calculează coeficientul de reflexie
pe sarcină cu ajutorul ecuaţiei (1.10.2).
Observaţie!
Tensiunea este minimă dacă ϕ = 2 β x min + π , iar în acest caz
⎛V ⎞
rezultă Z min = ⎜ ⎟ . Dezvoltând după Vmin avem relaţia următoare:
⎝ I ⎠ min
Vmin = V+ exp(− jβ (L − x min ))[1 + Γ exp j (ϕ − 2 β x min )], iar curentul

minim se obţine ţinând cont de impedanţa caracteristică a liniei
I min = + exp(− jβ (L − x min ))[1 − Γ exp j (ϕ − 2 β x min )].
V
Z0
După ce facem înlocuirile de rigoare, vom obţine:

1 + Γ exp( jπ ) 1− Γ Z0
Z min = Z0 = Z0 = , iar pentru valoarea
1 − Γ exp( jπ ) 1+ Γ S
maximă, procedând în acelaşi fel obţinem: Z max = Z 0 S .
1.11. Determinarea impedanţei de sarcină
De cele mai multe ori, în practică, atunci când se doreşte legarea

liniei la sarcină nu se cunoaşte valoarea impedanţei acesteia. Acest lucru
se întâmplă de cele mai multe ori la legarea liniei la antene. Este evident
că orice producător va indica impedanţa antenei furnizate operatorului,
dar, de multe ori, se combină mai multe antene pentru obţinerea unei
caracteristici de radiaţie cerute. În această situaţie, obţinem o impedanţă
de valoare necunoscută, ce va acţiona ca impedanţă de sarcină, trebuind
făcută adaptarea liniei necunoscându-se impedanţa ce trebuie adaptată la
aceasta. Legându-se sarcina la linie prin intermediul unui VSWR-metru
care indică valoarea lui S, se va determina valoarea xmin faţă de sarcină
(dacă sarcina este reală şi mai mare decât impedanţa caracteristică, atunci
maximul tensiunii este chiar pe sarcină, iar în cazul când e mai mică,
minimul tensiunii este cel ce se formează pe sarcină). Pornim de la
expresia tensiunii determinate în paragraful 1.10 şi anume:
39
V = V+ exp(− jβ (L - x ))[1 + Γ exp j (ϕ − 2 β x )],

aceasta, având o valoare minimă pentru ϕ = 2 β x min + π (lucru demon-
strat în paragraful 1.10), impedanţa de sarcină din ecuaţia (1.10.1) poate
fi scrisă sub forma:
⎛ S −1 ⎞
1 − ΓL ⎛ 1 + ΓL exp( j ϕ ) ⎞ ⎜1+ exp( j ϕ ) ⎟
Z L = Z0 = Z 0 ⎜⎜ ⎟ = Z0 ⎜ S +1 ⎟.
1 + ΓL ⎝ 1 − Γ exp ( j ϕ ) ⎟
⎠ ⎜ S - 1 ⎟
exp( j ϕ ) ⎟
L
⎜ 1-
⎝ S +1 ⎠
Presupunând că ϕ = 2 β x min + π şi înlocuind mai sus vom avea:
⎛ S −1 ⎞
⎜1+ exp( j (2β x min + π )) ⎟
Z L = Z0 ⎜ S +1 ⎟,
⎜ S -1 ⎟
⎜ 1- exp( j (2 β x min + π )) ⎟
⎝ S +1 ⎠
iar apoi ţinând cont că exp( j π ) = −1 rezultă că:
⎛ S + 1 − ( S − 1) exp ( j ( 2βxmin ) ) ⎞
Z L = Z0 ⎜ ⎟=
⎜ S + 1 + ( S-1) exp ( j ( 2βxmin ) ) ⎟
⎝ ⎠
⎡ S ⎡1 − exp ( j ( 2β xmin ) ) ⎤ + ⎡1 + exp ( j ( 2β xmin ) ) ⎤ ⎤
= Z0 ⎢ ⎣ ⎦ ⎣ ⎦⎥.
⎢ S ⎡1 + exp ( j ( 2β xmin ) )⎦⎤ + ⎣⎡1 − exp ( j ( 2β xmin ) ) ⎤⎦ ⎥
⎣ ⎣ ⎦
Înmulţind apoi la numărător şi la numitor cu exp ( − j ( β xmin ) ) , vom
cos(β x min ) − jS sin (β x min )
obţine: Z L = Z 0 , adică:
S cos(β x min ) − j sin (β x min )
1 − jStg (β x min )
Z L = Z0 (1.11.1)
S - jtg (β x min )
Determinarea lui xmin este desigur dificilă, deoarece se folosesc linii
de test de diferite lungimi pentru identificarea lui, scurtcircuitate la un
capăt. Liniile sunt etalonate şi nu pot fi utilizate decât la echipamentul
pentru care s-au calibrat. Dacă sarcina este reală, atunci lucrurile se
simplifică mult deoarece: ZL = Z0S (pentru ZL > Z0) sau ZL = Z0/S (pentru
ZL < Z0).
40
1.12. Pierderi de întoarcere (return loss)
Pierderile de întoarcere (reflexie) se definesc ca o mărime ce

estimează semnalul ce se întoarce de la sarcină datorită dezadaptării şi
implicit a existenţei unui raport de undă staţionară mai mare decât unu.
Mărimea este exprimată în decibeli, iar dacă spre exemplu, avem o
sarcină ce absoarbe 100% din energia transmisă de generator, atunci
energia reflectată pe sarcină reprezintă 0%, iar pierderile de întoarcere
vor tinde prin definiţie la infinit ( RL → ∞ dB) . Dacă însă energia
reflectată pe sarcină este de 100% din energia provenită de la generator,
atunci pierderile de întoarcere vor fi 0 dB. Mărimea apreciază gradul de
adaptare pe o scară logaritmică (în decibeli) astfel că avem:
RL = −20 lg( Γ ) [dB] ,
⎛ S −1⎞
RL = −20 lg⎜ ⎟ [dB] (1.12.1).
⎝ S +1⎠
Se poate exprima chiar coeficientul de reflexie în funcţie de
− RL[ dB ]
pierderile de întoarcere: Γ = 10 20
, iar în final raportul de undă
staţionară funcţie de pierderile de întoarcere:
− RL[ dB ]
10 20
+1
S = VSWR = − RL[ dB ] (1.12.2).
10 20
−1
Viteza de propagare depinde de valoarea constantei electrice
relative: cu cât materialul dielectric (care separă cele două conductoare)
are o permitivitate electrică relativă mai mare, cu aceeaşi valoare va
întârzia unda după legea:
c
Vp = (1.12.3).
εr
Ecuaţia (1.12.2) este foarte importantă, în practică măsurându-se cu
cele mai moderne aparate pierderile de întoarcere mai degrabă decât
raportul de undă staţionară. Mai jos este prezentat şi un tabel de con-
versie (tabelul 1.12.1), pentru comparaţia între cei trei parametrii. Pentru
determinarea parametrilor din tabel s-au folosit ecuaţiile de mai sus.
În figura 1.12.1, este prezentată interfaţa unui echipament portabil,
realizat de producătorul Tektronics, ce estimează pierderile de întoarcere
pe o linie coaxială între 0,1 GHz şi 2 GHz. Linia are o impedanţă caracte-
41
ristică de 50 Ω şi este adaptată la sarcină. Măsurătorile sunt efectuate cu

ajutorul unui generator de înaltă frecvenţa ce vobulează frecvenţa
(modifică frecvenţa) continuu între cele două extreme menţionate
anterior. Se observă că pierderile de întoarcere variază mult de-a lungul
liniei, arătând faptul că adaptarea nu este realizată pentru orice frecvenţă,
iar la frecvenţe mai mici avem cea mai bună adaptare (RL = 48 dB). Cea
mai proastă adaptare este la aproximativ 2 GHz, caz în care parametrul
RL este de numai 15 dB. Această valoare este inacceptabilă, în
conformitate cu tabelul de conversie prezentat mai jos VSWR-ul este de
1,43, caz în care coeficientul de reflexie este de 0,178. Astfel, se
interpretează că 17,8% din puterea transmisă sursei se va întoarce pe linie
(prea mult), lucru de loc de neglijat pentru un emiţător de putere.
Tabelul 1.12.1
Tabel de conversie a parametrilor RL, SWR şi Г
∞
Dacă, de exemplu, puterea de emisie este de 6 W, puterea radiată
de o antenă omnidirecţională punctiformă va fi de numai 5 W (EIRP –
Isotropic radiated power), iar finalul va suporta o sarcină suplimentară ce
se ”reîntoarce” sub forma unei energii ce se transformă în căldură. Acest
lucru poate conduce la ambalarea lui termică şi în final la distrugerea
tranzistorului final de RF. În figura 1.12.2 este prezentat un alt caz,
măsurătorile fiind făcute de astă dată în prezenţa unei linii etalonate de
foarte bună calitate, la care aparatul se calibrează automat în momentul
apăsării butonului de calibrare. Curba ce reprezintă pierderile de
întoarcere, nu mai prezintă salturi de astă dată, dar este totodată departe
de cazul unei caracteristici ideale. Se vede că se păstrează trend-ul
ascendent al său, lucru care confirmă încă o dată faptul că adaptarea este
∞ nevoiţi
mai greu de realizat la frecvenţe mari, de cele mai multe ori fiind
să acceptăm un SWR mai mare (1,2-1,3) pentru frecvenţe mai mari de
42
2 GHz. Până la 101 MHz se pare că adaptarea e aproape ideală (este la

limita lui RL adică 54 dB), după care pierderile de întoarcere se
depreciază (adică încep să scadă) în jurul valorii de 39 dB la frecvenţa de
1946 MHz.
Fig. 1.12.1. Măsurători pe o linie coaxială de calitate scăzută
Fig. 1.12.2. Măsurători pe o linie coaxială etalonată
43
Chiar dacă am scris despre depreciere, lucrurile nu stau chiar aşa de

rău, pe acest cablu unda reflectată fiind pentru această valoare de numai
1% din unda directă (99% din energia transmisă de generator se transferă
sarcinii). Adaptarea este foarte importantă, doar că, este la fel de greu de
realizat la frecvenţe foarte mari precum ne este să aruncăm o piatră într-
un lac fără a produce valuri (cu cât frecvenţa creşte piatra devine tot mai
mare). Acest lucru nu este benefic pentru un sistem de comunicaţii,
deoarece, în general, la frecvenţe foarte mari se lucrează cu puteri foarte
mici, tocmai datorită dificultăţii amplificării semnalului de RF.
Semnalul fiind şi aşa destul de mic, pierderea unui procent din
acesta poate împinge dispozitivul la limita funcţionării sale în parametrii
normali. Deprecierea parametrului RL cu frecvenţa, explică într-un fel de
ce anumite canale TV transmise pe cablu se vizionează în condiţii mai
slabe decât altele deşi, la furnizor, toate semnalele au acelaşi nivel
calitativ.
1.13. Frecvenţa de tăiere a liniei coaxiale
Linia coaxială are, ca de altfel multe dispozitive pasive de

microunde, o caracteristică de tip filtru trece jos. Astfel, apare o limită
superioară în spaţiul frecvenţelor de la care atenuarea produsă pe linie
este mai mare de 3 dB. Această frecvenţă delimitează banda unor
dispozitive cum ar fi filtrele, bandă apreciată la o atenuare de 3 dB.
Lucrurile nu stau tocmai aşa vizavi de conceptul de frecvenţă de tăiere a
a b
Fig. 1.13.1. a – modul TEM, b – mod superior TE11
(evanescent mode)
liniei coaxiale, de multe ori analizând linia cu ajutorul unui
microvoltmetru selectiv, vom observa că, pentru anumite frecvenţe apar
atenuări mai mari de 3 dB, ca pe urmă, pe măsură ce se modifică
44
(vobulează) crescător sau descrescător frecvenţa, atenuările să scadă sub

3 dB. De fapt, frecvenţa de tăiere a liniei coaxiale nu are nici o legătură
cu atenuarea la 3dB.
Frecvenţa de tăiere este privită mai degrabă ca o limită de la care
modurile superioare de propagare pot să apară în orice moment. Modul
fundamental care se propagă în liniile coaxiale este modul TEM în care
caz nu există o componentă electrică sau magnetică de-a lungul direcţiei
de propagare (în afară de cea practic produsă de sursa de alimentare în
eventualitatea existenţei unei surse DC). Acest mod apare teoretic de la
frecvenţe foarte mici şi se menţine evident până la frecvenţa numită de
tăiere. În acest caz, câmpul electric în secţiunea liniei este uniform
distribuit, având o repartizare radială ca în figura 1.13.1.a. În figura
amintită, este ilustrat modul de distribuţie a câmpului electric în modul
TEM, mod fundamental în liniile coaxiale. Câmpul electric este distribuit
uniform, deci şi sarcina electrică (câmpul electric din interiorul
conductorului este zero). Teoretic, nu ar exista la prima vedere, o aşa zisă
frecvenţă critică superioară care s-ă influenţeze propagarea. La frecvenţe
foarte mari însă, de peste 15 GHz, câmpul electric se curbează din cauza
apariţiei unor forţe ce redistribuie sarcina electrică, golurile ocupând
partea de sus a conductorului (să presupunem), iar electronii partea de jos
(apoi se redistribuie invers pe măsură ce se deplasează pe linie). Forţa ce
redistribuie sarcina în interiorul conductorului, devine mai puternică
decât forţa electrostatică de respingere dintre sarcinile de acelaşi semn.
Forţa electrostatică fiind mai slabă cu creşterea distanţei dintre sarcini, ne
aşteptăm ca fenomenul să apară mai repede pentru cazul în care
conductorul este mai gros. Apariţia unui mod superior, va creşte cu mult
atenuarea peste limita celor 3 dB, frecvenţa critică la care apare
fenomenul nedorit fiind stabilită de ecuaţia (1.13.1):
c0
FCutOff −TE 11 = (1.13.1)
π (D + d )
unde modul care apare primul este TE 11,
iar pentru alte moduri:
c0
FCutOff −TM n1 = (1.13.2 )
π (D − d )
unde modul care apare primul este TM n,1.
Demostraţia implică noţiuni de teoria propagării prin ghiduri de
undă, iar deocamdată o acceptăm fără demonstraţie [Pal97][Cha00]. Este
45
destul de clar acum că, practic, cu cât conductorul central (inner cable)
este mai gros, cu atât riscul degenerării modului de propagare
fundamental (la o frecvenţă de tăiere mult mai mică) creşte.
Figura 1.13.2 indică trei zone distincte prin valoarea frecvenţei.
Prima zonă este cea care predomină, zonă în care atenuarea este mai mică
şi în care semnalul se propagă în modul fundamental TEM. Celelalte
zone sunt delimitate de frecvenţele de tăiere a liniei, determinate cu
ecuaţia (1.13.1) pentru modul TE11 şi, respectiv, ecuaţia (1.13.2) pentru
modurile degenerate TMn,1. De aici rezultă că, linia coaxială este limitată
superior de o anumită frecvenţă de tăiere, lucru care o face utilizabilă
pentru frecvenţe mici, medii şi mari de până la 15 GHz, dar nu foarte
mari în care caz este nevoie de un alt mediu de transmisie ce are atenuări
TE – 11
Atenuarea
α – [dB/100m]
TM – n1
TEM TE11
TMn1
20
Frecvenţa
10-15 40-50 [GHz]
Fig. 1.13.2. Caracteristica atenuare frecvenţă a liniei în
funcţie de modul de propagare dominant
mult mai mici decât cele ce corespund liniei coaxiale la aceste frecvenţe.
Din cauza faptului că puterile vehiculate pe liniile de transmisie scad pe
măsură ce frecvenţa creşte, acest lucru necesită scăderea pierderilor,
drept compensaţie cu creşterea frecvenţei. Aceste linii ce realizează acest
deziderat, sunt ghidurile de undă care au pierderi extrem de mici
comparativ cu linia coaxială, dar care nu pot fi utilizate (din păcate) decât
la frecvenţe mai mari de 3 GHz. Totuşi, liniile coaxiale sunt mult mai
flexibile şi mai uşor de utilizat (deci şi mai ieftin de întreţinut) decât
ghidurile de undă care au profile metalice prinse unul de altul în şuruburi
46
(lucru care le determină rigiditatea). Există şi ghiduri de undă flexibile

dar, deocamdată, nu egalează gradul de flexibilitate a liniei coaxiale.
Modurile TE11 şi TMn,1 au fost studiate la analiza ghidului de undă
circular sau rectangular [Pal97] (curs Microunde). În figura 1.13.2, se
observă că la trecerea dintr-un mod de propagare la altul, atenuarea este
teoretic infinită, ca apoi cu creşterea frecvenţei să scadă, dar, în orice caz,
nu sub cea produsă de modul fundamental TEM. Cel mai critic mod este
TE11 care apare primul şi care determină în final frecvenţa limită
superioară a liniei coaxiale. Aceste moduri superioare, nedorite, pun
probleme serioase la ora actuală. Liniile coaxiale cu pierderi mai mici
sunt şi cele mai groase, lucru ce determină scăderea pierderilor în
dielectric. Ele ar putea fi utilizate la frecvenţe mari tocmai din acest
motiv, dar riscul apariţiei modurilor superioare este mai mare la liniile
groase comparativ cu cele subţiri.
Dacă linia coaxială este foarte subţire este şi foarte flexibilă,
modurile superioare nu apar decât la frecvenţe deosebit de mari. Însă, din
cauza dielectricului subţire, pierderile cresc. Soluţia de compromis
combină parametrii: lungime linie, grosime şi impedanţă caracteristică
pentru a oferi o legătură cât mai bună între antenă şi echipamentul
emiţător/receptor.
1.14. Pierderile de inserţie (insertion loss)
Pierderile de inserţie sunt definite ca raportul dintre puterea

recepţionată la capătul liniei (de către sarcină) PR şi puterea transmisă de
sursă pe linie PT. Este o mărime ce caracterizează linia din punct de
vedere a pierderilor suportate de semnal până la sarcină. Se apreciază în
decibeli şi trebuie să fie cât mai mică posibil, adică 0 dB. Determinarea
valorică ţine în final cont de lungimea cablului, astfel că, mărimea se
exprimă în dB/m şi este pozitivă (argumentul logaritmului fiind
totdeauna subunitar):
P
IL = −10 lg R (1.14.1).
PT
Fig. 1.14.1. Determinarea pierderilor de inserţie

47
Măsurarea pierderilor de inserţie presupune utilizarea unui analizor

prin baleierea spectrului de frecvenţă. În figura 1.14.2 se prezintă modul
în care se leagă liniile la sarcină sau analizor. În prima fază, tronsonul de
măsurat se va conecta la analizor prin intermediul unui tronson de
adaptare (figura 1.14.2.a). Acesta nu este necesar decât în cazul în care
tronsonul de măsurat are altă impedanţă caracteristică, adaptorul putând
fi o linie în sfert de undă de impedanţă Zx. La capătul tronsonului de
măsurat se montează o linie etalonată de foarte bună calitate. Această
linie este necesară, ea fiind de regulă mai flexibilă, putându-se curba
pentru a urmări mufa de intrare a antenei. Antena se va deconecta de la
linie, iar în locul acesteia se montează o mufă etalonată în scurt circuit.
Automat coeficientul de reflexie va fi –1, iar unda se va întoarce înapoi
spre analizor. Se montează apoi antena prin intermediul liniei măsurate,
iar analizorul compară valoarea undei reflectate ce a ajuns la intrarea lui,
cu unda injectată iniţial. Se determină pierderile de inserţie, apoi procesul
se repetă după schimbarea frecvenţei cu o anumită valoare ce stabileşte
rezoluţia dispozitivului şi numărul punctelor afişate în final pe ecran.
Apăsând butoanele M1 şi M2 se activează doi mark-eri ce vor determina
cea mai mică valoare şi cea mai mare valoare: M1 = 3,23 dB (la 750,4
MHz) şi M2 = 3,95 dB (la 848,4 MHz – vezi figura 1.14.3). Pe axa y
(ordonată) se citeşte valoarea pierderilor de inserţie pe o scară
logaritmică pe când pe axa x (abscisă) este reprezentat domeniul analizat
prin procesul de scanare a frecvenţelor. În acest exemplu au fost
determinate un număr de 517 valori cu o rezoluţie a frecvenţei de 193,4
KHz, număr indicat în partea de sus a interfeţei S251x utilizate. Se poate
accepta ca valoare finală pentru pierderile de inserţie media aritmetică
dintre: M1 şi M2 adică 3,59 dB. Analizorul este portabil având un
domeniu de utilizare de la DC până la 7,5 GHz.
Observaţie!
Autonomia acumulatorului scade la jumătate dacă este folosit la
frecvenţe mai mari de 2 GHz.
48
Linie Tronson pt.

Tronson pt. etalonată în
eventuale eventuale
scurtcircuit adaptări
adaptări
Tronson de
măsurat
a
Antena
Linie Linie
etalonată Linie etalonată
flexibilă măsurată flexibilă
b
Fig. 1.14.2. a – Etalonare dispozitiv, b – Măsurarea pierderilor
de inserţie cu linia măsurată
Fig. 1.14.3. Interfaţa analizorului de linie Site Master-S251x
49
1.15. Pierderi în conductorul metalic şi dielectric
Înainte de a analiza aceste tipuri de pierderi este bine să remarcăm

faptul că se porneşte de la premiza că, adâncimea de pătrundere (skin
depth) este mult mai mică decât diametrul conductorului. Aceste pierderi
sunt determinate de o mulţime de factori, care vor fi trecuţi în revistă în
continuare.
• Rezistenţa de suprafaţă a conductorului
(sheet resistance of conductor)
În literatură se mai foloseşte termenul de RF sheet resistance,
denumire care evidenţiază faptul că efectul pelicular (skin effect) apare
doar la frecvenţele radio. Se pleacă de la presupunerea că adâncimea de
pătrundere este mult mai mică decât diametrul conductorului [Nic83],
deci vom avea:
π fμ
RRFSH = ,
σ
unde: f – frecvenţa pe linie în [Hz],
μ – permeabilitatea magnetică [Henries/metru],
1
σ – conductivitatea electrică [Siemen], σ = , unde ρ este rezisti-
ρ
vitatea electrică (ρ pentru materiale masive – bulk materials – este: Al =
= 2,65 μΩ/cm, Cu = 1,673 μΩ/cm, Fe = 9,66 μΩ/cm, Ag = 1,59 μΩ/cm).
• Rezistenţa pe unitatea de lungime
Se determină rezistenţa pe unitatea de lungime atât pentru
conductorul interior, cât şi pentru cel exterior astfel că:
– rezistenţa pentru conductorul exterior pe metru este:
R
RELconductor _ exterior = RFSH ,
πD
– rezistenţa pentru conductorul interior pe metru este:
R
RELconductor _ int erior = RFSH ,
πd
unde D – diametrul tresei exterioare,
d – diametrul conductorului în [m],
50
RRFSH RRFSH f μ 0 ⎛⎜ μ r _ out ρ out μ r _ in ρ in ⎞⎟

RELtotal = + = +
πD πd π ⎜ D d ⎟
⎝ ⎠
unde μ r _ out – permitivitatea magnetică relativă a conductorului exterior
(a tresei),
μ r _ in – permitivitatea magnetică relativă a conductorului interior,
μ0 – permitivitatea magnetică a vidului,
ρ out – rezistivitatea electrică a tresei metalice,
ρ in – rezistivitatea electrică a conductorului interior.
Observaţie!
Dacă se împarte RELtotal la 2Z0 se va transforma rezistenţa pe
unitatea de lungime în pierderi pe metru (doar că unitatea de
măsură este [Neperi/metru], iar Z0 este impedanţa caracteristică a
liniei). Apoi, dacă se înmulţeşte rezultatul cu 8,686, se vor obţine
pierderile totale în [dB/m]:
RELtotal
Pierderi / metru = 8,686 [dB/m] – rezultat exact.
2Z 0
Ţinând cont de Ecuaţia 1.6.6 şi notând cu D = 2Rz diametrul
interior al tresei, iar cu d diametrul exterior al conductorului central,
1 μ ⎛D⎞
avem: Z 0 = ln⎜ ⎟ .
2π ε ⎝ d ⎠
Ecuaţia finală va fi de forma:
8,686 fμ 0 ⎛⎜ μ r _ out ρ out μ r _ in ρ in ⎞⎟
Pierderi / metru = + =
1 μ 0 ⎛ D ⎞ π ⎜⎝ D d ⎟
2 ln⎜ ⎟ ⎠
2π ε 0ε r ⎝ d ⎠
8,686π lg e f ε r μ 0 ⎛⎜ μ r _ out ρ out μ r _ in ρ in ⎞⎟

= + =
120π ⎛D⎞ π ⎜⎝ D d ⎟
⎠
lg⎜ ⎟
⎝d⎠
51
0.032 f ε r μ 0 ⎛⎜ μ r _ out ρ out μ r _ in ρ in ⎞⎟

= + [dB/m].
⎛D⎞ π ⎜⎝ D d ⎟
⎠
lg⎜ ⎟
⎝d⎠
μ0
S-a ţinut cont că ≈ 120π , iar pentru un calcul mai exact se
ε0
consideră că μ 0 = 4π 10 −7 H/m şi ε 0 = 8.85418782 10 −12 Farad/m .
• Unghiul de pierderi
Este o mărime care apreciază pierderile în materialul dielectric.
Acesta înconjoară firul central pentru a face separarea faţă de tresă şi
care, este conectată la rândul ei la masă. Există două tipuri de materiale
dielectrice: izotrope (la care permitivitatea nu ţine cont de direcţia de
propagare) şi anizotrope (la care valoarea permitivităţii electrice este
funcţie de direcţia de propagare); din fericire, aproape toate materialele
sunt izotrope. Pentru realizarea dielectricului, se folosesc materiale
pentru care permitivitatea relativă este cuprinsă între 2,2 şi 10 (de
exemplu, alumina are εr = 9,9). Permitivitatea electrică relativă, ştim
foarte bine că, ne indică de câte ori permitivitatea electrică a materialului
considerat este mai mare decât a vidului:
ε
εr = .
ε0
Unghiul de pierderi face referire la faptul că avem de-a face cu o
permitivitate electrică complexă de forma: ε = ε Re al + jε Im aginar . Partea
imaginară apare diferită de zero ori de câte ori există o dependenţă între
pierderile din materialul testat şi frecvenţă (de regulă pierderile cresc o
dată cu creşterea frecvenţei). Atunci, unghiul de pierderi este definit în
aşa fel ca să ia valoarea zero în primul caz, şi mai mare decât zero în rest,
când apare interdependenţa dintre pierderi şi frecvenţă, astfel că:
ε
tgδ = Im aginar .
ε Re al
Pierderile în material datorită frecvenţei se vor estima, pornindu-se
de la unghiul de pierderi indicat de producător pentru frecvenţa în cauză
(de regulă se indică ungiul pentru o gamă de frecvenţe), astfel:
52
π ε r tgδ
αD = [Neperi/m] (1.15.1),
λ0
unde: λ0 este lungimea de undă în spaţiu liber exprimată în metri.
Observaţie!
20
8,686 Neperi = 1 dB (valoare exactă ), aşa că, în final,
ln 10
pierderile pe linie datorită dielectricului vor fi exprimate sub forma
finală:
π ε r tan δ
α D = 8,686 [dB/m] (1.15.2).
λ0
Pierderile totale vor fi date de suma dintre cele două tipuri de
pierderi, în conductor pe unitatea de lungime şi pierderile în
dielectric, ambele exprimate în [dB/m].
Exemplu 1.15.1 – Aprecierea calitativă a unui cablu coaxial dat
Să luăm un exemplu în care avem un cablu coaxial la care
cunoaştem dimensiunile firului central (inner conductor) d = 1,02
mm şi diametrul interior al tresei metalice (outer jacket ) D = 4.6
mm. Trebuie să observăm din ce material este confecţionată tresa
cablului astfel că vom presupune că e dintr-o folie subţire de
aluminiu. Plasa de sârmă ce înfăşoară tresa nu mai contează, decât
practic pentru rezistenţa sa mecanică. Mai ştim de asemenea că
furnizorul ne garantează că este vorba de un cablu de 75 Ω.
Rezolvare:
Din ecuaţia (1.6.6), ţinând cont de constantele electrice în aer şi
neglijând permitivitatea magnetică din interiorul cablului, vom determina
120π 1 ⎛ 4.6 ⎞
pe ε r ca: Z 0 = ln⎜ ⎟ = 75Ω , rezultând εr = 1,43.
2π ε r ⎝ 1,02 ⎠
O primă concluzie ar fi că, materialul dielectric ar trebui, conform
valorii permitivităţii relative, să fie făcut din spumă polietilenică (foam
polyethylene), pentru care permitivitatea relativă este cuprinsă între 1,2 şi
1,8. Polietilena masivă (bulk polyethylene) are permitivitatea în jurul
valorii de 2,2. Ar fi o greşală să se încerce determinarea celei de-a treia
zecimale, lucru imposibil din punct de vedere practic, valoarea miimilor
53
schimbându-se de la o măsurătoare la alta, în funcţie de poziţia

dielectricului. Pasul următor constă în calculul rezistenţei de suprafaţă ce
apare datorită efectului pelicular (skin effect):
π fμ
R RFSH _ Cu = = 10 −3 π 4π 1,673 = 8,13 10 -3 Ω m 2
σ .
Această valoare se obţine pentru cupru la frecvenţa de 1 GHz ştiind
că rezistivitatea este inversa conductanţei, iar pentru cupru este: 1,67310
μΩ / cm 2 . Pentru tresa care este din folie de aluminiu cu permitivitatea
de 2,65 μΩ / cm 2 se va obţine R RFSH _ Al = 10,23 10 -3 Ω m 2 .
Analiza calitativă a metalelor conductoare, respectiv a rezistenţei
de suprafaţă, se poate repeta iterativ pentru frecvenţe cuprinse de
exemplu între 0 şi 3 GHz. Se ridică astfel graficul din figura 1.15.1
(grafic obţinut în urma analizei în TestPoint) pentru cele două
conductoare care compun linia coaxială prezentată. Este firesc ca
rezistenţa cuprului să fie mai mică, pierderile fiind mai mici în cupru
decât în aluminiu.
În continuare, se va calcula rezistenţa conductoarelor pe unitatea de
lungime [Ω/m]. De astă dată ne ăşteptăm ca situaţia din figura 1.15.1 să
se schimbe (vezi figura 1.15.2) în sensul inversării celor două curbe,
conductorul cu pierderile cele mai mari pe metru linear va fi conductorul
central din cupru:
0.032 f ε r μ 0 ⎛ μ r _ out ρout μ r _ in ρin ⎞
Pierderi / metru = ⎜ + ⎟ =
⎛D⎞ π ⎜ D d ⎟
lg ⎜ ⎟ ⎝ ⎠
⎝d⎠
RRFSH _ Cu RRFSH
= + = 2,53617 + 0 , 70889 = 3, 24506 Ω/m.
πd πD
Într-adevăr, după ce se efectuează calculele pentru 0,5 GHz, 1 GHz,
1,5 GHz, 2 GHz, 2,5 GHz şi 3 GHz rezultă următorul grafic care
ilustrează lucrul pe care îl remarcasem anterior şi anume că, pierderile
cele mai mari se regăsesc pe conductorul central sub formă de căldură.
Acest lucru este firesc, deşi cuprul are o permitivitate mai bună decât
aluminiul, dar, în cazul acesta, are o secţiune mult mai mică decât tresa,
lucru ce explică rezultatul obţinut sub formă grafică şi numerică. Ca o
primă concluzie pentru micşorarea pierderilor, conductorul central
trebuie să fie cât mai gros, lucru care limitează serios frecvenţa de tăiere
(adică riscul apariţiei unor moduri superioare creşte).
54
Ultimul pas îl constituie transformarea în putere pierdută, lucru care

se face prin aplicarea ecuaţiei deduse în paragraful 1.7, şi anume:
R GZ 0
α= + .
2Z 0 2
R RFSH Ω m 2
Tresa
Conductor central
Frecvenţa
[GHz]
Fig. 1.15.1. Determinarea rezistenţei la suprafaţa conductorului

Primul termen reprezintă pierderile în metalul conductor (central şi
tresă), iar al II-lea reprezintă pierderile în dielectric. Ultimul termen se
poate neglija dacă producătorul nu indică unghiul de pierderi tgδ. Dacă o
facem totuşi, putem folosi ecuaţia (1.15.1) la care adăugăm pierderile în
conductor. În exemplul de faţă, fiind vorba de un cablu necunoscut, nu
putem determina fără un dispozitiv de măsură acest unghi, lucru care ne
obligă să ţinem cont numai de primul termen. Pe R tocmai l-am
determinat foarte riguros, iar prin împărţire la 2Z0 vom obţine pierderile
în [Neperi/m], iar în ultima etapă vom înmulţi cu 8,686 şi vom ajunge la
exprimarea lor în [dB/m], aşa cum am învăţat. Iată că în fine pentru
1 GHz avem:
R 3,24506
α = 8,686 = 8,686 = 0,1879 [dB/m] = 5,69 [dB/100 feet] .
2Z 0 150
Producătorul, dacă este american sau englez lucrează cu feet în loc
de metrii 1[feet] aproximativ 0,3 m, deci vom aprecia şi noi la fel
pierderile la 100 ft. Căutând într-un tabel de conversie, găsim cablul RG-
6 cu exact aceaşi parametrii.
55
Re zist . Ω m
Tresa
Conductor central
Frecvenţa
[GHz]
Fig. 1.15.2. Determinarea rezistenţei pe unitatea de lungime
Următoarele imagini au fost luate de pe site-ul producătorului,

informaţia fiind publică. Datele din tabelul 1.15.1 sunt luate ca atare, fără
nici o modificare, fiind corespondente cablului coaxial RG-6.
Tabelul 1.15.1
Valorile măsurate de producător,
Datele de catalog se vor interpreta în felul următor: conductorul

central este din cupru 18 AWG (este o scară de conversie în milimetrii
sau inches, aici 18 AWG = 1,02 mm), dielectricul este din spumă
polietilenică (nu se indică permitivitatea relativă pe care în acest exemplu
am dedus-o εr = 1,43), tresa metalică este din folie de aluminiu cu
diametrul interior de 4,6 mm, iar dielectricul rezistă la maxim 3000 V
curent continuu.
56
Tabelul 1.15.2
Valorile specifice liniei coaxiale RG-6 obţinute prin calcul
Crt. C[pF/ft] - L[nH/ft] - Z0 dB/100ft Frequency [MHz]
1 15,9 90,27 75,5 1,8 100
2 15,9 90,27 75,5 2,54 200
3 15,9 90,27 75,5 3,6 400
4 15,9 90,27 75,5 4,76 700
5 15,9 90,27 75,5 5,4 900
6 15,9 90,27 75,5 5,69 1000
În tabelul 1.15.2, se prezintă parametrii obţinuţi prin calcul şi în

tabelul 1.15.1, cei aparţinători furnizorului în urma măsurătorilor la
frecvenţele specificate. Mai jos este prezentat desenul producătorului
acestui tip de cablu coaxial şi câteva caracteristici tehnice.
Producătorul nu aminteşte nimic despre permitivitatea electrică

relativă, dar specifică faptul că viteza de propagare (velocity of
propagation) este 82% din viteza luminii. Ştiind formula de calcul – vezi
ecuaţia (1.12.3) –, o putem determina:
c 1
Vp = ⇒εr = = 1,22 .
εr 0,82
Valoarea este destul de apropiată de cea calculată (1,43), atunci
când vorbim de permitivitate. În figura 1.15.3 este reprezentat un tronson
de linie coaxială în secţiune, tronson în care se evidenţiază denumirile în
limba engleză la care producătorul face referire. Alegerea cablului se face
după anumite criterii cum ar fi: frecvenţa, impedanţa caracteristică,
pierderile pe metru, şi nu în ultimul rând frecvenţa de tăiere ce
delimitează modul dominant TEM de celelalte moduri degenerate
(evanescent modes). Cel mai bun criteriu în alegerea unui cablu este
criteriul ce face referire la lungimea sa, adică, trebuie să avem în vedere
faptul că, cel mai bun cablu este cel mai scurt posibil. Plecând de la
această premisă, dacă reuşim înjumătăţirea cablului faţă de lungimea sa
iniţială, puterea ce ajunge la sarcină va avea o valoare dublă.
57
Un alt criteriu în principiul de selecţie a unui cablu pleacă de la

observaţia „The cheaper the worst”, lucru care ne determină să alegem
un cablu mai scump de fiecare dată când lungimea sa este mai mare de
10 metri. Un cablu ieftin nu se foloseşte niciodată în domeniul UHF
(Ultra High Frequencies), iar altele nu se folosesc în RF cum ar fi: RG
58, care este dedicat numai reţelelor ethernet. Unele au denumiri
speciale, cum ar fi „Heliax”, care înseamnă că dielectricul este din spumă
polietilenică (de exemplu, RG 213). Nu trebuie să uităm faptul că, deşi
cele mai bune sunt cele cu un conductor central de diametru mare, asta le
face semi-flexibile, lucru care limitează unghiul la care se pot îndoi. Aici
producătorul indică acest unghi, unele se rup sau îşi schimbă impedanţa
caracteristică în cazul depăşirii acestui unghi, lucru care dezadaptează în
final antena. Liniile de trasmisie coaxiale studiate, vor rămâne încă mult
timp pe piaţă chiar dacă, fibra optică este net superioară acestora.
Outside insulation (Jacket, Outer

Jacket)
Copper mesh (Shield, Braid)
Inner insulation (Dielectric)
Central wire (Core, fider)
Fig. 1.15.3. Linia coaxială cu părţile ei componente denumite în engleză,

forma prescurtată şi neprescurtată
58
Capitolul 2. Linii de transmisie de înaltă frecvenţă – quasi TEM
CAPITOLUL 2
Linii de transmisie de înaltă
frecvenţă quasi – TEM
2.1. Linia microstrip
Linia microstrip este o linie mai specială, fiind folosită în sinteza

circuitelor active şi pasive de microunde. Acest capitol evidenţiază
majoritatea ecuaţiilor ce stau la baza modelelor matematice aplicate la
liniile microstrip. Astfel, capitolul este util celor care folosesc linii
microstrip la proiectarea circuitelor de microunde şi, totodată, pentru
înţelegerea fenomenelor fizice ce stau la baza componentelor electronice
distribuite, bazate pe această tehnologie. Interesul comunităţii ştiinţifice
faţă de tehnologia microstrip, a condus la creşterea domeniilor în care se
aplică, inclusiv la apariţia antenelor microstrip. Linia a fost realizată
prima dată în laboratoarele ITT de către Grieg şi Engelmann, în anul
1956. Principalul ei avantaj îl constituie marea capacitate de integrare pe
substraturile DUROID, pe care sunt de regulă plantate componentele
electronice. Există şi antene microstrip, deci studiul acestor linii de
distribuţie a semnalelor de RF este important. Din punct de vedere fizic,
sunt două linii metalice paralele separate de un substrat dielectric. Unul
dintre straturi (cel care acoperă toată suprafaţa dielectricului) este legat la
masă, iar pe celălalt strat se aplică semnalul de înaltă frecvenţă.
εr , δ E
Fig. 2.1.1. Linia microstrip văzută în secţiune transversală
59
Liniile microstrip sunt utilizate frecvent în domeniul microundelor,

realizarea lor fiind de regulă cu substrat dielectric izotrop (adică un
dielectric care are aceeaşi permitivitate în toate direcţiile), constituind
una dintre modalităţile cele mai cunoscute de realizare a dispozitivelor de
microunde. Linia microstrip este prezentată în figura 2.1.1 şi se compune
din doi conductori paraleli, separaţi de un substrat dielectric, şi anume:
• un conductor panglică îngust, cu lăţimea w şi cu grosimea t,
plasat pe partea frontală a substratului dielectric;
• un conductor plasat pe partea inferioară a substratului dielectric,
care acoperă toată suprafaţa acestuia.
Electrozii se caracterizează prin rezistivitatea lor electrică ρ, iar
substratul dielectric se caracterizează prin următorii parametri:
h – grosimea substratului,
εr – constanta dielectrică relativă,
tanδε – factorul de pierderi în dielectric;
σ – conductivitatea dielectrică.
Materialul dielectric uzual folosit este sticlotextolitul placat cu folie
de cupru, utilizat la frecvenţe sub 1 GHz. La frecvenţe mai mari,
piederile în dielectric devin importante şi atunci se utilizează alte
materiale dielectrice ca: alumină, duroid, cuarţ, siliciu sau GaAs (vezi
tabelul 2.1.1).
Tabelul 2.1.1
Materiale utilizate ca dielectric
Materialul Constanta dielectrică relativă relativa εr
Al2O3 9.8
Safir 9.4
Sticla quarţ 3.78
Oxid de Beriliu 6.3
GaAs 12.9
Siliciu 11.9
Ferită 9-16
DICLAD 2.20; 2.33; 2.6; 2.97; 3.24; 10.2
RT 2.33; 2.20; 2.94; 6; 10.5
Liniile microstrip au o structură de bază (vezi figura 2.1.2 – stânga)
şi mai multe variante modificate care derivă din aceasta. Ca şi în cazul
cablului coaxial, şi în linia microstrip lungimea de undă se modifică după
legea:
60
λ aer
λ strip = (2.1.1).
εeff
În ecuaţia (2.1.1), apare termenul de permitivitate efectivă a liniei
( ε eff ), parametru ce atestă faptul că nu toate liniile de câmp electric se
închid prin dielectric, o parte închizându-se şi prin aer. Datorită acestui
lucru, permitivitatea rezultată va fi ceva mai mare decât permitivitatea
relativă a aerului (εr = 1), dar mai mică decât permitivitatea relativă a
dielectricului, deci putem scrie că: 1 < ε eff < ε r .
Fig. 2.1.2. Linia microstrip de bază şi alte tipuri de

linii microstrip derivate
De regulă, se consideră că parametri liniei, enumeraţi mai sus, nu
depind de frecvenţă, caz în care tanδε = 0, iar permitivitatea efectivă este
o mărime reală. Dacă însă, tangenta unghiului de pierderi are valori
ε imag
diferite de zero, atunci: ε eff = ε real + jε imag , iar tanδε = .
ε real
În acest caz, se interpretează că există o interdependenţă cu
frecvenţa, atenuarea crescând mult şi se preferă, dacă e posibil,
schimbarea materialului dielectric cu altul izotrop (la frecvenţa de lucru),
iar dacă nu este cu putinţă, atunci cu unul cu tan δε cât mai mic posibil.
H
Fig. 2.1.2. Distribuţia liniilor de câmp în linia microstrip

Liniile câmpului electric şi magnetic sunt reprezentate în figura
2.1.2, vizualizându-se modul în care câmpul electric se curbează la
marginea panglicii conductoare, rămânând perpendicular pe câmpul
magnetic (desenat cu linie punctată). Acest lucru nu se poate realiza
61
decât prin deformarea sa, în final, închizându-se şi prin aer. Modul de

propagare poate fi considerat încă TEM, deşi distribuţia câmpului electric
este neuniformă, neputându-se considera încă mod superior de propagare,
datorită faptului că structura în semiunde specifică modurilor degenerate
nu este încă formată (ne existând componentă E sau H pe direcţia de
propagare [Bai96]). Din această cauză, modul de propagare se numeşte
quasi-TEM, iar metoda de analiză a liniei microstrip va fi una statică, în
domeniul de frecvenţă DC < f < fstat, unde fstat este frecvenţa de tăiere
pentru linia microstrip. Ca şi la linia coaxială, peste această frecvenţă
apar moduri de propagare superioare, pentru care atenuarea creşte extrem
de mult. Pentru cazul din urmă se folosesc modelele dinamice de analiză,
modele care conduc la formule diferite faţă de modelul static prezentat
aici, valabil pentru quasi-TEM.
2.1.1. Ecuaţii utilizate la calcularea impedanţei

caracteristice a liniei microstrip
Linia microstrip este caracterizată, ca şi linia coaxială (fiind şi ea o

linie TEM), prin impedanţa sa caracteristică Z0 şi prin constanţa
dielectrică efectivă εeff. Într-un model static al liniei între DC < f < fstat
putem considera impedanţa caracteristică Z0 şi constanta dielectrică
efectivă εeff ca fiind dependente de materialul dielectric şi de raportul
dintre lăţimea panglicii şi grosimea substratului (vezi figura 2.1.1.1), Z0
şi εeff = F(w/h, t/h, εr). Frecvenţa de tăiere până la care această
dependenţă rămâne valabilă, se determină cu formula:
Z 0 _ ε =1[Ω]
f stat ≈ 0,04 r [ GHz ] (2.1.1.1),
h[ mm]
Z 0 _ ε r =1 este impedanţa caracteristică a liniei microstrip, ca şi cum
în loc de dielectric ar fi aer. Ec. 2.1.1.1 este însă destul de greu de aplicat
dacă nu se dispune de aparatură adecvată pentru a măsura Z 0 _ ε r =1 , caz în
care, se poate folosi o altă formulă mai puţin exactă dar mai practică:
21,3
f stat ≈ [GHz] (2.1.1.2).
(w[mm] + 2h[mm]) ε r + 1
Se vor face însă nişte aproximări, şi anume că t este zero. Modelul
static al liniei microstrip dă rezultate bune până la frecvenţe de 4 GHz. În
62
acest model, dimensiunile fizice ale liniei microstrip sunt normalizate

w
astfel că u = .
h
În figura 2.1.1.1, este ilustrată linia microstrip în secţiune
transversală, scoţându-se în evidenţă parametri geometrici ai acesteia.
Fig. 2.1.1.1. Linia microstrip în secţiune transversală

În literatură se prezintă mai multe metode de calcul a lui Z0 şi εeff ,
dar cele mai cunoscute sunt ecuaţiile lui Wheeler obţinute prin metoda
imaginilor conforme modificate. Plecându-se de la considerentul că t = 0,
iar dielectricul este neomogen (parţial aer εr = 1 parţial dielectric εr > 1)
avem următoarele ecuaţii ce aproximează impedanţa caracteristică a
liniei microstrip.
• Ecuaţiile lui Wheeler
– Pentru w/h ≤ 3,3 (conductori panglică înguşti) impedanţa
caracteristică va putea fi determinată cu:
⎡ ⎛ 2 ⎞ ⎤
Z0 =
120 ⎢ln ⎜ 4h + 16 ⎛ h ⎞ + 2 ⎟ − 1 ε r − 1 ⎛⎜ ln ⎛ π ⎞ + 1 ln ⎛ 4 ⎞ ⎞⎟ ⎥ (2.1.1.2)
⎜ w⎟ ⎟ 2 ε r + 1 ⎝ ⎜⎝ 2 ⎟⎠ ε r ⎜⎝ π ⎟⎠ ⎠ ⎥
2( ε r + 1 ) ⎢ ⎜ w ⎝ ⎠
⎣ ⎝ ⎠ ⎦
– Pentru w/h ≥ 3,3 (conductori panglică laţi) impedanţa caracteris-
tică este egală cu:
−1
⎡w 1 ⎤
⎢ 2h + π ln(4) + ⎥
60π ⎢ ⎥
Z0 = (2.1.1.3),
⎢
εr + rε + 1 ⎛ ⎛ π e ⎛ w ⎞ ⎞ ⎞ (ε − 1 ) ⎛ eπ 2 ⎞
⎥
⎢ 2πε ⎜⎜ ln⎜⎜ 2 ⎜ 2h + 0,94 ⎟ ⎟⎟ ⎟⎟ +
r
ln⎜⎜ ⎟⎥
⎟
⎣ r ⎝ ⎝ ⎝ ⎠ ⎠ ⎠ 2π ε r 2
⎝ 16 ⎠⎦
– Pentru w/h ≤ ,7 (conductori panglica foarte înguşti) impedanţa
caracteristică va putea fi determinată cu:
⎡ ⎛ w⎞
2
⎛ ⎛ 4 ⎞ ⎞⎤
⎢ ⎜ ⎟ ⎜ ln⎜ ⎟ ⎟⎥
Z0 =
120 ⎢ln⎛⎜ 8h ⎞⎟ + ⎝ h ⎠ − ε r − 1 ⎜ ln⎛⎜ π ⎞⎟ + ⎝ π ⎠ ⎟⎥ (2.1.1.4).
2(ε r + 1) ⎢ ⎝ w ⎠ 32 2(ε r + 1) ⎜ ⎝ 2 ⎠ ε r ⎟⎥
⎢ ⎜ ⎟⎥
⎢⎣ ⎝ ⎠⎥⎦
63
• Ecuaţiile de aproximare ale lui M. V. Schneider

Aplicând aceeaşi metodologie ca şi în cazul liniei coaxiale, dar
ţinând cont de diferenţele corespunzătoare redistribuirii câmpurilor
electric şi magnetic, se va obţine o relaţie a impedanţei valabilă la
frecvenţe mai mici
η 1 ⎛8 u⎞
Z0 = 0 ln⎜ + ⎟ (2.1.1.5).
2π ε r ⎝ u 4 ⎠
Este binecunoscuta ecuaţie a lui M. V. Schneider, valabilă pentru
u ≤ 1 , iar pentru u > 1 vom folosi aproximaţia :
−1
η0 ⎡ 0,44 ⎛ 1 ⎞ ⎤
6
Z0 = ⎢u + 2,42 − + ⎜1 − ⎟ ⎥ (2.1.1.6).
ε r ⎣⎢ u ⎝ u ⎠ ⎦⎥
Aceste două aproximaţii au o acurateţe ce determină o eroare de
0,25% în jurul valorii reale a impedanţei caracteristice căutate. Eroarea
este mai mare cu 0,15% decât în cazul utilizării ecuaţiilor lui Wheeler,
dar domeniul de aplicabilitate este mai larg. Pentru u > 10 eroarea scade
la numai 1%, depăşind acurateţea ecuaţiilor lui Wheeler.
• Ecuaţiile de aproximare ale lui Hammerstad şi Jensen
în medii omogene
Sunt utilizate pentru linia microstrip omogenă (de regulă pentru linii
microstrip în aer, cu ε r = 1 ). Acest lucru denotă faptul că materialul
dielectric este omogen, iar impedanţa obţinută este :
η 0 ⎛⎜ f (u ) ⎛ 2 ⎞ ⎞⎟
2
Z0 = ln + 1+ ⎜ ⎟ (2.1.1.7),
2π ⎜ u ⎝ u⎠ ⎟
⎝ ⎠
unde:
⎡ ⎛ 30,666 ⎞ 0, 7528 ⎤
f (u ) = 6 + (2π − 6) exp ⎢− ⎜ ⎟ ⎥.
⎢⎣ ⎝ u ⎠ ⎥⎦
Vom considera că η0 = 376,73 Ω este impedanţa intrinsecă a vidului,
eroarea fiind mai mică de 0,01% pentru u < 1 şi 0,03% dacă u < 1000.
În figura 2.1.1.2, se face o comparaţie între cele trei metode de
determinare a impedanţei caracteristice, luându-se drept referinţă ecuaţia
lui Hammerstad şi Jensen. Pe abscisă este reprezentată dimensiunea
w
normalizată a liniei u = , iar pe ordonată se reprezintă eroarea obţinută
h
64
prin diferenţierea dintre valoarea impedanţei obţinută în urma aplicării

ecuaţiei lui Schneider sau Wheeler şi ecuaţia lui Hammerstad şi Jensen
aleasă ca referinţă.
Εroarea %
Fig. 2.1.1.2 Comparaţii între cele trei metode de calcul a liniei

microstrip luându-se ca referinţă ecuaţia lui Hammerstand şi Jensen
2.1.2. Determinarea permitivităţii electrice

efective a liniei microstrip
Pentru conductori panglică înguşti, caz în care w/h < 3 (formula

este determinată de Wheeler – eroarea relativă fiind sub 1%):
ε + 1 η0 ε r − 1 ⎛ π 1 4 ⎞
εeff = r + ⎜ ln + ln ⎟ (2.1.2.1).
2 2πZ 0 2 ⎜⎝ 2 ε r π ⎟⎠
Pentru w/h ≤ 1,3 (conductori panglică înguşti) constanta dielectrică
efectivă este (determinată de Wheeler – eroarea relativă este sub 1%):
2
1+ εr ⎛ A ⎞
εeff = ⎜ ⎟ ,
2 ⎝ A− B⎠
⎡⎛ w ⎞2 ⎤
⎢⎜ ⎟ ⎥
⎛ 8h ⎞ ⎢ ⎝ h ⎠ ⎥
unde: A= ln⎜ ⎟ + şi
⎝ w ⎠ ⎢ 32 ⎥
⎢ ⎥
⎢⎣ ⎥⎦
65
⎡ ⎛ 4 ⎞⎤
⎢ ln⎜ ⎟ ⎥
ε −1 π
B= r ⎢ln⎛⎜ ⎞⎟ + ⎝ π ⎠ ⎥ (2.1.2.2).
2(ε r + 1) ⎢ ⎝ 2 ⎠ εr ⎥
⎢ ⎥
⎣ ⎦
Pentru conductori panglică laţi care îndeplinesc relaţia 1,3 ≤ w/h,
constanta dielectrică efectivă va fi (determinată de Wheeler – eroarea
relativă este sub 1%):
2
⎛E −D⎞
εeff = ε r ⎜ ⎟ ,
⎝ E ⎠
ε − 1 ⎧⎪ ⎡ π e ⎛ w ⎞⎤ 1 ⎛⎜ eπ ⎞⎟⎫⎪
2
unde: D = r ⎨ln ⎜ + 0, 94 ⎟⎥ − ln ⎬ (2.1.2.3),
2πε r ⎪⎩ ⎢⎣ 2 ⎝ 2h ⎠⎦ ε r ⎜⎝ 16 ⎟⎠⎪⎭
w 1 ⎧ ⎡ ⎛w ⎞⎤ ⎫
E= + ⎨ln ⎢π e⎜ + 16,0547 ⎟⎥ ⎬ , iar e = exp(1) = 2,718281.
2h π ⎩ ⎣ ⎝ h ⎠⎦ ⎭
În schimb, pentru conductori panglică înguşti, care îndeplinesc
relaţia w/h ≤ 1,3, constanta dielectrică efectivă este (determinată de
Schneider – eroarea relativă este sub 2%):
−0 ,5
ε r + 1 ε r − 1 ⎛ 10h ⎞
εeff = + 1+ (2.1.2.4).
2 2 w ⎜⎝ w ⎟⎠
Pentru conductori care au εr < 128 şi 0,01 ≤ w/h ≤ 100
(determinată de Hammerstad şi Jensen – având un domeniu de
aplicabilitate mult mai mare), permitivitatea va fi:
− ab
ε r +1 ε r −1⎛ h⎞
εeff = + ⎜1 + 10 ⎟ (2.1.2.5),
2 2 ⎝ w⎠
1 ⎛ u + ( u / 52 ) ⎞ ⎛ ⎛ u ⎞3 ⎞
4 2
1
unde: a = 1 + ln ⎜ ⎟ + ln ⎜ 1 + ⎟ şi
49 ⎜ u 4 + 0 , 432 ⎟ 18, 7 ⎜⎝ ⎜⎝ 18,1 ⎟⎠ ⎟⎠
⎝ ⎠
0 ,053
⎛ ε − 0 ,9 ⎞
b = 0 ,564 ⎜ r ⎟ .
⎝ εr + 3 ⎠
2.1.3. Pierderi de energie în microstrip
Coeficientul de pierderi este notat tot cu α, ca şi în cazul liniei

coaxiale şi este datorat valorii finite a rezistivităţii specifice ρ a metalului
66
conductor. Modul de propagare dominant pe liniile microstrip este quasi –

TEM, iar pierderile pentru aceste moduri sunt mici. Aceste pierderi
depind atât de proprietăţile electrice ale conductorului, cât şi de cele ale
substratului dielectric. Conductorul va fi caracterizat de rezistenţa sa pe
unitatea de lungime ρ[Ω/m], iar dielectricul, de permitivitatea sa relativă,
ε r , şi de tangenta unghiului de pierderi, tanδε. În situaţia în care
componenta magnetică a materialului este importantă, se va considera şi
tanδμ. Pentru conductori microstrip cu pierderi mici, avem două unghiuri
de pierderi şi anume: o componentă de pierderi în metalul conductor,
R G
tanδc = şi una în dielectric, tanδd = . Schema electrică
ωL ωC
echivalentă (vezi figura 2.1.3.1) este identică cu cea de la linia coaxială,
intervenind aceleaşi mărimi electrice ce caracterizează această linie
adică: L, C şi G. Constanta de propagare γ = α + jβ având astfel aceeaşi
semnificaţie, cunoscută de la liniile coaxiale (α măsoară pierderile
datorate metalului conductor, iar β este constanta de fază).
I(z) I(z+dz)
V(z+dz)
Rdz Ldz
V(z Cdz Gdz
dz
Fig. 2.1.3.1. Schema electrică echivalentă a unei linii

de transmisiuni cu pierderi mici
Coeficienţii de pierderi pot fi exprimaţi în funcţie de tangenta
unghiului de pierderi:
C L R ⎛β ⎞
αc = R = = ⎜ ⎟ tan (δ L ) (2.1.3.1),
2 2Z 0 ⎝ 2 ⎠
LC 2G ⎛ β ⎞
αd = G = = ⎜ ⎟ tan (δ T ) (2.1.3.2).
2 Z0 ⎝ 2 ⎠
67
Ecuaţiile (2.1.3.1) şi (2.1.3.2) se determină în acelaşi mod cum s-a

procedat de altfel la linia coaxială, rezultatul fiind identic. Valorile lui C
şi L nu se pot deduce însă pe acelaşi principiu (aplicat la linia coaxială),
simetria liniei fiind diferită. Pierderile totale sunt obţinute prin însumarea
celor doi parametri, şi anume:
R 2G
α = αc + αd = + (2.1.3.3).
2Z 0 Z 0
Până în acest punct, deducerea coeficientului de pierderi
corespunde modului de calcul aplicat liniilor cu pierderi mici.
Determinarea parametrilor electrici va conduce însă la rezultate diferite.
• Pierderi în dielectric
Se datorează mărimii tanδd şi, în mod normal, valoarea creşte cu
creşterea frecvenţei. Pentru Al2O3 avem: tanδd = 10–3, putându-se neglija
în comparaţie cu pierderile în conductor. Pentru linia microstrip se
obţine:
π ε r εeff − 1
αd = tanδd [Neperi/m] =
λ 0 εeff ε r − 1
20π f 0 ε r εeff − 1
= tanδd [dB/m] (2.1.3.4).
ln10 c0 εeff ε r − 1
• Pierderi în conductor
Sunt determinate de E. Hammerstad şi Jensen care ajung la
următoarea relaţie a pierderilor în conductor pentru liniile microstrip:
R
αc = K r Ki =
Z0 w
ρπμ f 0 ⎛ ⎛ Z ⎞⎞ ⎡ 2 ⎛ ⎛ Δ ⎞2 ⎞ ⎤
= exp ⎜ −1, 2 ⎜ 0
⎜ ⎟ ⎟⎟ ⎢1 + arctg ⎜1, 4 ⎜ ⎟ ⎟ ⎥ [Neperi/m](2.1.3.5),
⎠ ⎠ ⎢⎣ π ⎜ ⎟
Z0 w ⎝ ⎝ RRFSH ⎝ ⎝ δ ⎠ ⎠ ⎥⎦
unde: RRFSH – rezistenţa de suprafaţă a conductorului (care apare datorită
efectului pelicular),
Ki – factorul de distribuţie a curentului,
f – frecvenţa pe linie,
Kr – factorul de corecţie.
De astă dată, spre deosebire de linia coaxială, se ţine cont şi de
rugozitatea materialului, Δ, care va influenţa rezistenţa de suprafaţă după
legea:
68
⎧⎪ 2 ⎡ ⎛ Δ ⎞ 2 ⎤ ⎫⎪
R RFSH (Δ ) = RRFSH ⎨1 + arctg ⎢1,4⎜ ⎟ ⎥ ⎬ ,
⎪⎩ π ⎣⎢ ⎝ δ ⎠ ⎦⎥ ⎪⎭
1
RRFSH este rezistenţa suprafeţei netede: R RFSH = ,
σδ
unde: σ – conductivitatea care este inversul rezistivităţii l/ρ,
δ – adâncimea de pătrundere în interiorul materialului, definită la o
densitate a curentului de 1/e din valoarea sa maximă:
1
δ= .
πμ 0 f σ
Observaţie!
Toate formulele date mai sus se deduc la fel ca în cazul liniei
coaxiale, dar ţinându-se cont de distribuţia câmpurilor electric şi
magnetic, ce diferă faţă de situaţia anterioară din capitolul 1.
Aceste ecuaţii vor fi valabile numai dacă se face aproximaţia t ≈ 3δ!
Mai rămân de definit parametri efectivi ai liniei (vezi figura
2.1.3.1), adică:
c
1. Viteza de propagare: v p = 0 ,
ε eff
1
2. Capacitatea pe unitatea de lungime: C = ,
vp Zo
Z0
3. Inductanţa pe unitatea de lungime: L = ,
vp
R
4. Pentru frecvenţe mici avem pierderile: α = [Neperi/m],
2Z 0
ln10
5. Rezistenţa serie pe unitatea de lungime: R = α c Z 0 [Ω/m],
10
ln10 α d
6. Conductanţa: G = [mho/m].
10 Z 0
2.1.4. Corecţii pentru microstrip
În modelul static s-a făcut o presupunere simplificatoare, şi anume că
t = 0 (adică grosimea conductorului a fost neglijată), iar lungimea liniei
69
microstrip a fost considerată infinită. Numai în aceste condiţii relaţiile

prezentate pentru calcularea impedanţei caracteristice şi permitivităţii
electrice efective mai rămân valabile. Pentru linii microstrip de grosimi
şi lungimi diferite de cele amintite mai sus, se fac corecţii asupra
parametrului w, iar ecuaţiile amintite se pot folosi în continuare fără nici
o modificare. Astfel, lăţimea rezultată în urma corecţiei va fi:
weff = w + Δweff.
• Corecţia Wheeler
Harold A. Wheeler propune următoarea ecuaţie pentru calcularea
factorului de corecţie a lăţimii liniei microstrip valabilă numai dacă în
locul substratului dielectric este aer:
t 4e
Δw = ln (2.1.4.1).
π ⎛ ⎞
t
2
⎛ 1 / π ⎞
⎜ ⎟ + ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ h ⎠ ⎝ w t + 1,1 ⎠
Dacă există un dielectric având εr mai mare decât unu, atunci se va
aplica corecţia:
1 ⎛ 1⎞
Δweff = Δw⎜⎜1 + ⎟⎟ (2.1.4.2).
2 ⎝ εr ⎠
• Corecţia Schneider
M. V. Schneider determină următoarea formulă de corecţie:
⎧t ⎛ 4πw ⎞ 1
⎪⎪π ⎜1 + ln t ⎟ pt. u ≤ 2π
Δw = ⎨ ⎝ ⎠ (2.1.4.3).
t ⎛ 2 h ⎞
⎪ ⎜1 + ln ⎟ pt. u > 1
⎪⎩ π ⎝ t ⎠ 2π
Pentru a aplica formula de corecţie a lui Schneider, grosimea
peliculei conductoare (adică t) trebuie să fie mult mai mică decât h şi
w t
t< , < 0,75 .
2 Δw
• Corecţia Hammerstad Jensen
Hammerstad şi Jensen nu dezvoltă o formulă de corecţie nouă ci
practic aduc îmbunătăţiri formulei de corecţie a lui Wheeler, numai
pentru linii microstrip subţiri, realizate pe un substrat dielectric cu
permitivităţi relative mici. Pentru dielectrici omogeni ei au în vedere
expresia:
70
t ⎛⎜ 4e ⎞
Δw = ln 1 + ⎟ (2.1.4.4),
hπ ⎜⎝ (t h ) coth 6,517 w ⎟⎠
2
iar pentru dielectrici neomogeni vom aplica corecţia:

1
(
Δweff = Δw 1 + sec h ε r − 1
2
) (2.1.4.5).
2.1.5. Dispersia în microstrip
Fenomenul de dispersie în microstrip este legat de neomogenităţile

substratului dielectric, ceea ce determină o dependenţă cu frecvenţa a
permitivităţii electrice relative. Ca urmare, odată cu creşterea frecvenţei,
creşte şi valoarea lui εeff. Această variaţie va antrena la rându-i o
modificare a impedanţei caracteristice.
• Ecuaţiile de dispersie a lui Kirschning şi Jansen
Eroarea cu care se determină permitivitatea relativă este 0,6% în
h
domeniul 0,1 < u < 100 , 1 ≤ ε r ≤ 20 , 0 ≤ ≤ 0,13 până la frecvenţa de
λ0
w
60 GHz pentru un substrat cu grosimea de până la 25 mm ( u = ). Vom
h
avea astfel:
ε r − ε eff
εr (f ) = εr − (2.1.5.1).
1 + P( f )
unde: P ( f ) = P1 P2 [(0,1844 + P3 P4 ) f n ]
1, 5763
,
⎛ 0 ,525 ⎞
P1 = 0 , 27488 + u ⎜ 0 ,6315 + ⎟ − 0,065683 exp ( −8, 7513u ) ,
⎜ ( ) ⎟
20
⎝ 1 + 0 , 0157 f n ⎠
P2 = 0,33622[1 − exp(− 0,03442ε r )] ,
⎛ ⎛ ⎛ f n ⎞ 4,97 ⎞ ⎞
⎜
P3 = 0,0363 exp(− 4,6u ) 1 − exp⎜ − ⎜ ⎟ ⎟⎟ ,
⎜ ⎜ ⎝ 38,7 ⎠ ⎟ ⎟
⎝ ⎝ ⎠⎠
⎛ ⎛ ⎛ ε r ⎞8 ⎞ ⎞
⎜
P4 = 1 + 2,751 1 − exp⎜ − ⎜ ⎟ ⎟⎟ ,
⎜ ⎜ ⎝ 15,916 ⎠ ⎟ ⎟
⎝ ⎝ ⎠⎠
fn = f h este frecvenţa normalizată în [GHz mm].
71
• Ecuaţiile de dispersie a lui Yamashita

Dacă se utilizează relaţia de calcul a dispersiei obţinută de Yamashita,
eroarea este de 1%. Se porneşte de la premisa că se cunoaşte valoarea per-
mitivităţii electrice efective, calculată cu relaţiile date în paragraful 2.1.2,
pentru cazul static. Domeniul de aplicabilitate este între 2 < εr < 16,
0,06 < u < 16 şi 0,1 GHz < f < 100 GHz, având în vedere relaţia:
2
⎛ 1 1,5 ⎞
⎜ 1 + kF ⎟
ε r ( f ) = ε eff ⎜ 4 ⎟ (2.1.5.2),
⎜ 1 + 1 F 1,5 ⎟
⎜ ⎟
⎝ 4 ⎠
4hf ε r − 1
unde k =
εr
ε eff
şi F =
c0
( 0,5 + (1 + 2 lg(1 + u )) .
2
)
• Ecuaţiile de dispersie a lui Kobayashi
Se bazează pe un model numeric şi au o foarte bună acurateţe, ce
generează o eroare de numai 0,6% în domeniul 0,1 ≤ u ≤ 10, 1 < εr < 128,
practic fără nici o limită de frecvenţă. Preţul plătit acurateţii deosebite
constă în creşterea complexităţii formulei de calcul, creştere ce duce la
mărirea numărului de operaţii. Implementarea acesteia pe calculator este
necesară, fiind singura modalitate de a o utiliza. Permitivitatea electrică
relativă va avea următoarea dependenţă de frecvenţă:
ε r − ε eff
εr ( f ) = εr − m0 mc (2.1.5.3),
⎛ f ⎞
1 + ⎜⎜ ⎟⎟
f
⎝ 50 ⎠
⎛ ε eff − 1 ⎞
arctan⎜ ε r ⎟
c0 ⎜ ε r − ε eff ⎟
iar f 50 = ⎝ ⎠,
⎡ ⎛ 0,332 ⎞ ⎤ ε r − ε eff
2πh ⎢0,75 − ⎜⎜ 0,75 − 1, 73 ⎟⎟u ⎥
⎣⎢ ⎝ ε r ⎠ ⎦⎥
3
1 ⎛ 1 ⎞
m0 = 1 + + 0,32⎜⎜ ⎟⎟ ,
1+ u ⎝1+ u ⎠
⎧ 1,4 ⎛⎜ ⎛ f ⎞ ⎞⎟
⎪1 + 0,15 − 0, 235 exp ⎜⎜ − 0,45 ⎟ pt. u ≤ 0,7
mc = ⎨ 1 + u ⎜
⎝ ⎝ f 50 ⎟⎠ ⎟⎠ .
⎪1 pt. u > 0,7
⎩
72
• Ecuaţiile de dispersie a lui Getsinger

Această metodă se bazează pe analiza curbei de dispersie pentru un
substrat microstrip din alumină, extrem de utilizată la frecvenţe foarte
mari, dar face referire la un substrat limitat numai la alumină şi cu alte
restricţii referitor la grosimea materialului conductor între 0,025 inch şi
0,05 inch. Formula determinată de Getsinger este însă simplă:
ε r − ε eff
εr ( f ) = εr − 2
(2.1.5.4),
⎛ f ⎞
1 + G⎜ ⎟
⎜f ⎟
⎝ p⎠
Z0
unde f p = şi G = 0,6 + 0,009Z 0 .
2μ 0 h
Pe baza măsurătorilor efectuate pe linii microstrip cu lăţimea de
0,1 inch, 0,25 inch şi grosimea de 0,25 inch, pe substrat dielectric din
alumină, Getsinger determină două modele de dispersie pentru
determinarea impedanţei caracteristice, şi anume:
ε eff
Z0 ( f ) = Z0 (2.1.5.5),
εr ( f )
εr ( f ) 1
Z0 ( f ) = Z0 (2.1.5.6),
ε eff 1 + D( f )
(ε r − ε r ( f ))(ε r ( f ) − ε eff )
cu D( f ) = .
ε r ( f )(ε r − ε eff )
• Ecuaţiile de dispersie a lui Hammerstad şi Jensen
Realizează un compromis prin extinderea domeniului la toate
tipurile de substraturi dielectrice, cu rezultate acceptabile. Se utilizează
teoria simplă a armăturilor plan paralele, între care coexistă un dielectric.
Se obţine corecţia:
ε r − ε eff
εr ( f ) = εr − 2
(2.1.5.7),
⎛ f ⎞
1 + G⎜ ⎟
⎜f ⎟
⎝ p⎠
Z0 ε − 1 2π Z 0
unde f p = şi G = r , iar impedanţa caracteristică
2μ 0 h ε eff η0
corectată funcţie de frecvenţă, va fi dată de expresia:
73
ε eff ε r ( f ) − 1
Z0 ( f ) = Z0 (2.1.5.8).
ε r ( f ) ε eff − 1
• Ecuaţiile de dispersie a lui Edwards şi Owens
Această formulă este obţinută de Edwards şi Owens numai pe bază
de măsurători efectuate pe linii microstrip pe suport dielectric de safir, în
domeniul 10 Ω ≤ Z0 ≤ 100 Ω, până la maxim 18 GHz. Din aceste
măsurători a rezultat:
ε r − ε eff
εr ( f ) = εr − (2.1.5.9),
1+ P
1,33
⎛ h ⎞
unde P = ⎜ ⎟ ( )
0 , 43 f 2 − 0 ,009 f 3 , caz în care h este în milimetri, iar
⎝ Z0 ⎠
f este în GHz.
Modelul propus de Edwards şi Owen diferă de celelalte modele
prin faptul că pleacă de la un polinom ce prezice prin interpolări
succesive stările dintre două sau mai multe măsurători. Cu toate acestea,
se pare că formula determinată de cei doi nu este foarte sensibilă la
schimbarea substratului dielectric, lucru care-i conferă o aplicabilitate
mărită.
• Ecuaţiile de dispersie a lui Pramanick şi Bhartia
Sunt pretabile la substrate dielectrice cu permitivităţi ce depind de
frecvenţă, având formula de calcul:
ε r − ε eff
εr ( f ) = εr − 2
(2.1.5.10),
⎛ f ⎞
1 + ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ fT ⎠
ε r Z0
unde f T = , iar dispersia impedanţei caracteristice funcţie de
ε eff 2μ 0 h
frecvenţă va fi:
ηh
Z0 ( f ) = (2.1.5.11),
we ( f ) ε r ( f )
weff − w η0h
pe când we ( f ) = w + şi weff = , unde η0 este impe-
Z 0 ε eff
2
⎛ f ⎞
1 + ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ fT ⎠
danţa intrinsecă a vidului.
74
• Ecuaţiile de dispersie a lui Schneider

Martin V. Schneider propune următoarele ecuaţii pentru calcularea
dispersiei în linii microstrip fără restricţii şi cu o eroare mai mică de 3%:
2
⎛ 1 + f n2 ⎞
ε r ( f ) = ε eff ⎜⎜ ⎟
⎟ (2.1.5.12),
⎝ 1 + kf n
2
⎠
4hf ε r − 1 ε eff
cu f n = şi k = .
c0 εr
Impedanţa caracteristică funcţie de frecvenţă se va calcula cu:
ε eff
Z0 ( f ) = Z0 (2.1.5.13).
εr ( f )
2.1.6. Discontinuităţi în linii microstrip
• Variaţia lăţimii w
Pentru o variaţie simetrică a lăţimii conductorului liniei microstrip,
efectul resimţit pe linie, se manifestă prin apariţia unui circuit electric
echivalent, ca cel din figura 2.1.6.1. Astfel apar nişte inductanţe parazite
L1,L2 şi o capacitate C. Acestea pot fi aproximate astfel:
ε r1 ⎛ w2 ⎞ ⎛ ε r1 + 0,3 ⎞ ⎛ w1 / h + 0 , 264 ⎞
C = 0,00137 h ⎜1 − ⎟ ⎜ ⎟⎜ ⎟ [pF] (2.1.6.1),
Z 01 ⎝ w1 ⎠ ⎝ ε r1 − 0 , 258 ⎠ ⎝ w1 / h + 0 ,8 ⎠
LW 1 LW 2 Z 0i ε ri
unde: L1 = L , L2 = L , LWi = şi
LW 1 + LW 2 LW 1 + LW 2 c
2
⎛ Z ε r1 ⎞
L = 0.000987 h ⎜1 − 01
⎜ Z ⎟⎟ [ nH ] (2.1.6.2).
⎝ 01 εr 2 ⎠
Fig. 2.1.6.1. Efecte determinate de variaţia lăţimii w în microstrip
75
În aceste ecuaţii LW i reprezintă inductanţa pe unitatea de lungime

a liniei microstrip corespunzătoare (lui i = 1 sau i = 2). Impedanţele
caracteristice corespunzătoare celor două linii de grosimi diferite sunt
Z 0i , iar permitivitatea electrică relativă ε ri (h este determinat de grosi-
mea substratului dielectric).
• Efectul liniei microstrip terminate în gol
Dacă considerăm o linie terminată în gol, de lăţime finită w, este de
remarcat faptul că la terminaţia liniei, câmpul nu se va frânge brusc, ci în
mod treptat, efect asemănător cu cel creat de o capacitate shunt Cp (figura
2.1.6.2).
Fig. 2.1.6.2 Efectul liniei microstrip terminate în gol

Efectul apare ca şi cum linia ar deveni mai lungă cu Δl. Această
lungime (echivalentă cu Δl) poate fi determinată astfel:
cZ 0 C p
Δl = (2.1.6.3),
εr
ε 0 ,81 + 0, 26 ( w / h )
0 ,8544
Δl ξ1ξ 3ξ 5 + 0, 236
cu = , ξ1 = 0 , 434907 r ,
ξ4 ε0r ,81 − 0,8189 ( w / h )
0 ,8544
h + 0 ,87
( w / h)
0 ,371
ξ2 = 1+ ,
2,35ε r + 1
0 ,5274tg −1 ⎡0 , 08 ( w / h ) ⎤
1,9413 / ξ 2
ξ3 = 1 + ⎣ ⎦,
ε0r ,9236
ξ 4 = 1 + 0 , 037tg −1 ⎡ 0 , 067 ( w / h )
⎣
1,456
⎦ {
⎤ 6 − 5 exp ⎡0 , 036 (1 − ε ) ⎤
⎣ r ⎦ },
ξ5 = 1 − 0 , 218 exp ( −7 ,5w / h ) ,
abaterea ecuaţiei (2.1.6.3) este de 2% dacă 0,01 ≤ w/h ≤ 100 pentru εr ≤ 128.
De această alungire a liniei se ţine cont la calculul antenei microstrip de
tip patch.
76
• Efectul unei întreruperi pe linia microstrip

Efectul unei întreruperi pe linie se manifestă sub forma unui circuit
electric echivalent, ca şi cel din figura 2.1.6.3. Este evidenţiat astfel
faptul că efectul unei întreruperi pe linie apare sub forma unei capacităţi
echivalente. Capacitatea echivalentă este compusă din trei capacităţi
parazite, într-o configuraţie dispusă în π. Abaterea de la valoarea reală
este de maxim 7% pentru domeniul: 0.5 ≤ w / h ≤ 2 şi 2.5 ≤ ε r ≤ 15 .
Capacităţile se determină astfel:
C p = 0,5Ce (2.1.6.4),
C g = 0,5C0 − 0, 25Ce (2.1.6.5),
0 ,8 m
C0 ⎛ εr ⎞ ⎛ s ⎞
0
unde:
w
[ pF / m ] ⎜ 9,6 ⎟ ⎜ w ⎟ exp ( k0 ) ,
=
⎝ ⎠ ⎝ ⎠
0 ,9 me
Ce ⎛ ε ⎞ ⎛s⎞
w
[ pF / m ] = 12 ⎜ r ⎟ ⎜ ⎟ exp ( ke ) ,
⎝ 9,6 ⎠ ⎝ w ⎠
w
m0 = ⎡⎣0,619 lg ( w / h ) − 0,3853⎤⎦ , pentru 0,1 ≤ s/w ≤ 1,
h
k0 = 4 , 26 − 1, 453 lg ( w / h ) ,
me = 0,8675, pentru 1 < s/w ≤ 0,3,
0 ,12
⎛ w⎞
ke = 2, 043 ⎜ ⎟ ,
⎝h⎠
1,565
me = − 1 , pentru 0,3 ≤ s/w ≤ 1,
( w / h)
0 ,16
0, 03
şi ke = 1,97 − .
w/ h
Cg
Cp Cp
Ce
Fig. 2.1.6.3 Linia microstrip întreruptă
77
• Efectul unui cot asupra liniei microstrip

Dacă linia schimbă direcţia cu 90 de grade, avem un cot care va
afecta parametri liniei. Astfel, apare un filtru trece jos, în serie cu linia de
transmisie (figura 2.1.6.4). Valorile componentelor filtrului pot fi
calculate pornind de la o reţea echivalentă în T. Expresia matematică de
calcul a componentelor este dată de:
⎧ (14ε r + 12 ,5 ) w / h − (1,83ε r − 2 , 25 ) 0, 02ε r
C ⎪ + , pentru w / h < 1
w
[ pF / m ] = ⎨ w/ h w/ h
⎪ ( 9,5ε + 1, 25 ) w / h + 5, 2ε + 7 , pentru w / h ≥ 1
⎩ r r
L ⎧ ⎫
[nH / m] = 100⎨4 w − 4.21⎬ (2.1.6.6).
h ⎩ h ⎭
Fig. 2.1.6.4 Efectul unui cot drept de-a lungul liniei microstrip
2.1.7. Componente electronice în tehnologie microstrip
Componentele electronice pasive, cum sunt condensatoarele şi

bobinele, pot fi implementate direct pe cablajul imprimat, graţie
tehnologiei microstrip; astfel: filtre, rezonatoare sau circuite de adaptare
de impedanţă, pot fi, integrate direct pe suportul microstrip scăzând
foarte mult preţul de fabricaţie. În continuare se va prezenta succint
modul în care se pot implementa, în tehnologie microstrip, componentele
electronice pasive de bază.
• Bobine şi condensatori, integrate în tehnologie microstrip
În figura 2.1.7.1, sunt prezentate mai multe tehnici de realizare a
unor bobine în tehnologie microstrip. Se pot realiza componente în acest
mod, numai dacă dimensiunile fizice ale acestora sunt mai mici decât
lungimea undei asociate în spaţiul liber.
78
Acestea au astfel avantajul unor dimensiuni reduse, dar posedă un

factor de calitate scăzut (datorită pierderilor). Banda asigurată este însă
foarte largă, constituindu-se într-un candidat serios pentru tehnologii ca
MMIC (Monolithic Microwaves Integrated Circuits). Valorile compo-
nentelor sunt foarte mici astfel că, pentru o bobină cu inductanţe de până
la 3 nH, se poate aborda tehnica prezentată în figura 2.1.7.1.a, iar pentru
o valoare de până la 10 nH, celelalte tehnici (figurile 2.1.7.1. b, c şi d).
Ecuaţia de calcul a inductanţei (2.1.7.1) este valabilă pentru toate
tipurile de bobine prezentate în figura 2.1.7.1, presupunând că lăţimea
panglicii conductoare este w, grosimea sa h, iar lungimea l. Grosimea
stratului conductor t trebuie să fie mai mare decât adâncimea de
pătrundere datorată efectului pelicular.
Fig. 2.1.7.1 Bobine integrate în tehnologie microstrip

În cazul unei bobine în formă de spirală, s este distanţa dintre spire,
iar n numărul lor. Rezistenţa electrică ce determină pierderile electrice în
conductor este RS, măsurată în Ω pe unitatea de suprafaţă.
Pentru conductorul drept avem:
⎡ ⎛ l ⎞ w+t⎤
L [ nH ] = 2 x10−4 l ⎢ln ⎜ ⎟ + 1,193 + 0 , 2235 K g (2.1.7.1),
⎣ ⎝ w+t ⎠ l ⎥⎦
79
RS l ⎡ ⎛ w ⎞⎤ w
unde: R = ⎢1, 4 + 0 , 217ln ⎜ ⎟ ⎥ , pentru 5 < < 100 .
2(w + t ) ⎣ ⎝ 5t ⎠ ⎦ t
Pentru conductorul spiralat avem:
a 2n2
L ( nH ) = 0,03937 Kg ,
8a + 11c
D + Di D − Di
unde: a [μm ] = 0 , c [μm ] = 0 ,
4 2
πanRS
iar rezistenţa este R = 1,5 ,
w
K g este un factor de corecţie care ţine cont de efectul planului de
masă care tinde să descrească valoarea inductanţei, odată cu micşorarea
grosimii substratului dielectric, astfel:
⎛ w⎞ w
K S = 0,57 − 0,145ln ⎜ ⎟ , pentru > 0,05 ,
⎝h⎠ h
unde h este grosimea substratului dielectric.
În figura 2.1.7.2, este prezentat modul în care se poate implementa în
tehnologie microstrip un condensator. Schema din figura 2.1.7.2.a
seamănă cu un pieptene, având distanţa dintre lame egală cu s, iar lăţimea
unei lame w. Pentru a obţine valori maxime ale capacităţii punem
condiţia ca w = s, iar h >> w.
a b
c
Fig. 2.1.7.2 Capacităţi realizate în tehnologie microstrip
80
În acest caz, capacitatea rezultată după integrare, se va putea

calcula cu formula:
C [ pF ] = 3,937 x10−5 l ( ε r + 1) ⎡⎣ 0,11( n − 3) + 0, 252 ⎤⎦ ,
caz în care l este considerat în micrometri, iar n este numărul lamelor.
Factorul de calitate corespunzător pierderilor în conductor, este:
1 4 Rs l
Qc = pentru R = ,
ωCR 3 wn
iar factorul de calitate în dielectric:
1
Qd = ,
tanδ
unde: tanδ este tangenta unghiului de pierderi în dielectric.
1 1 1
Factorul de calitate total va fi: = + .
Q Qc Qd
Capacitatea condensatorului plan din figura 2.1.7.2.b, poate fi
ε (wl )
apreciată cu formula condensatorului plan: C = .
d
1 R l
Factorul de calitate în conductor este: Qc = pentru R = S .
ωCR w
2.1.8. Componente electronice integrate în tehnologie

microstrip cu parametri quasi (semi) concentraţi
Liniile microstrip de lungimi mici (cu pierderi mici), se numesc

linii stub (tronson). O linie stub, ce are lungimea fizică mai mică de un
sfert din lungimea de undă corespunzătoare pe linie (λg), se numeşte
element quasilumped. Aceste elemente se comportă ca nişte filtre, având
avantajul unei dimensiuni reduse, dublat de un preţ de cost scăzut. De
regulă, lungimea lor este mai mică de λg/8. Se utilizează ca adaptoare de
impedanţă, având pierderi extrem de mici.
• Linii cu parametrii concentraţi ce au impedanţe mari
Echivalentul electric al acestor linii este elementul în π (figura
2.1.8.1.b). Aici Zc este impedanţa caracteristică a liniei cu parametrii
concentraţi, iar Z0 este impedanţa caracteristică a liniei de transmisie.
Constanta de propagare este:
81
2π
β= ,
λg
unde λg este lungimea de undă pe linie (figura 2.1.8.1.a).
a b
Fig. 2.1.8.1 Tronson cu impedanţă mare
Reactanţa inductivă se calculează cu:
⎛ 2π ⎞ B 1 ⎛⎜ π ⎞⎟
x = Z c sin ⎜ l ⎟ şi = tg l ,
⎜λ ⎟ 2 Z ⎜λ ⎟
⎝ g ⎠ c ⎝ g ⎠
λg ⎛ 2π ⎞
iar dacă l < , atunci se poate face aproximarea: x ≈ Z c ⎜ l ⎟ şi
8 ⎜λ ⎟
⎝ g ⎠
B 1 ⎛⎜ π ⎞⎟
≈ l . Se poate considera de asemenea faptul că, pentru
2 Z c ⎜⎝ λ g ⎟⎠
Zc>>Z0, efectul susceptanţei B poate fi neglijat, putându-se considera o
simplă inductanţă serie în locul filtrului π.
• Linii cu parametrii concentraţi ce au impedanţe mici
În cazul în care lăţimea liniei creşte, impedanţa caracteristică scade
astfel că Zc < Z0. În figura 2.1.8.2, este prezentă o astfel de linie, la care
elementele vor fi calculate pornind de la această observaţie:
a b
Fig. 2.1.8.2 Tronson cu impedanţă mică
82
1 ⎛ 2π ⎞ x ⎛π ⎞
B= sin ⎜ l ⎟ şi = Z c tg ⎜ l⎟.
Zc ⎜λ ⎟ 2 ⎜λ ⎟
⎝ g ⎠ ⎝ g ⎠
λg
Pentru l < valorile componentelor se aproximează cu:
8
1 ⎛ 2π ⎞ x ⎛π ⎞
B≈ ⎜ l ⎟ şi ≈ Z c ⎜ l ⎟ .
Zc ⎜λ ⎟ 2 ⎜λ ⎟
⎝ g ⎠ ⎝ g ⎠
Ca şi în cazul precedent, dacă Zc << Z0, atunci efectul reactanţei
serie se poate neglija, iar linia se va comporta ca o capacitate legată la
masă. Factorul de calitate al acestor linii este:
β
Q= ,
2α
unde α este coeficientul de pierderi al liniei.
• Circuite cu parametrii concentraţi ce sunt terminate
în gol şi în scurtcircuit
În conformitate cu teoria liniilor, prezentată în capitolul precedent,
o linie de transmisie cu pierderi mici ce funcţionează cu unul dintre
⎛ 2π ⎞
capete în gol, are inductanţa: Yin = jYc tg ⎜ L ⎟ , unde L este lungimea
⎜λ ⎟
⎝ g ⎠
λg
tronsonului. Dacă L < , admitanţa Yin are un caracter capacitiv (Yin > 0).
4
Acest lucru poate fi determinat de pe diagrama Smith ţinând cont de
faptul că o jumătate de rotaţie pe diagramă este echivalentă cu o
λg
deplasare pe linie cu [Whi04].
4
Dacă linia este în gol, are la acel capăt o impedanţă infinită, adică
ne aflăm în punctul P din figura 2.1.8.3. Situaţi fiind la capătul liniei, ne
deplasăm spre generator, adică vom efectua o rotaţie echivalentă pe
diagramă în sens invers trigonometric, şi ne poziţionăm astfel în zona ce
λg
determină un caracter pur capacitiv. Dacă lungimea liniei este L <
8
(figura 2.1.8.4.a), lucrurile se simplifică, pentru că se poate aproxima
⎛ 2π ⎞ ⎛Y ⎞
Yin ≈ jYc ⎜ L ⎟ = jω ⎜ c L ⎟ , unde vp este viteza de fază.
⎜λ ⎟ ⎜v ⎟
⎝ g ⎠ ⎝ p ⎠
83
Caracter
inductiv
Caracter
capacitiv
Fig. 2.1.8.3. Diagrama Smith de tip XY
Yin Zin
(inductanţa)
L>λg/8
L<λg/8
a b
Fig. 2.1.8.4 Caracterul capacitiv sau inductiv al liniei funcţie de lungime
Yc
Acum este evident că C = L , unde L este lungimea liniei, iar
vp
efectul este egal cu cel al unei capacităţi plasate în paralel. În mod similar
(pentru figura 2.1.8.4.b), pentru linia în scurtcircuit, vom avea:
⎛ 2π ⎞ ⎛Z ⎞ Z
Z in ≈ jZ c ⎜ L ⎟ = jω ⎜ c L ⎟ , adică inductanţa este c L .
⎜λ ⎟ ⎜v ⎟ vp
⎝ g ⎠ ⎝ p ⎠
84
2.1.9. Rezonatori în tehnologie microstrip
Sunt circuite care oscilează pe anumite frecvenţe ce sunt stabilite

de dimensiunile lor fizice. Au dimensiuni mai mici decât lungimea de
undă din microstrip, deci au pierderi mici. Se utilizează pe scară largă la
implementarea generatorului de purtătoare pentru telefoane mobile. Pot
avea mai multe frecvenţe de oscilaţie, dar de cele mai multe ori este
vizată frecvenţa fundamentalei adică: ω0 = 1 LC . Frecvenţele superi-
oare de oscilaţie pot fi calculate astfel: f ≈ (2n − 1) f 0 unde f0 este frecvenţa
fundamentalei, iar n este un întreg pozitiv care ia valorile: n = 2, 3,...,
dimensiunea rezonatorului în acest caz fiind λg/4. Dacă însă avem un
rezonator cu dimensiunea de λg/2, adică jumătate din lungimea undei în
microstrip, atunci f ≈ nf 0 pentru orice n = 2, 3,...
• Rezonator în inel
Este din punct de vedere fizic un inel cu raza medie r corespun-
zătoare lungimii de undă a fundamentalei, adică λ0 (figura 2.1.9.1). Raza
λ
se calculează cu formula r = 0 şi are, după cum se constată, dimensiuni
2π
mai mici decât jumătate din lungimea de undă a fundamentalei. Se poate
astfel considera că circumferinţa cercului va avea aceeaşi lungime cu cea
corespunzătoare undei, pentru frecvenţa fundamentală. Modurile superi-
oare vor oscila pe multiplii n ai frecvenţei fundamentale.
Observa ie!
Observaţie!
Un lucru interesant de remarcat la acest rezonator în inel este că
poate rezona pe aceaşi frecvenţă pentru două unde diferite ce
coexistă în microstrip, cu condiţia ca ele să fie ortogonale.
r = λ 0 ( 2π )
Fig. 2.1.9.1. Rezonator în inel
85
• Rezonator patch circular

Sunt frecvent utilizaţi ca antene, putându-se remarca tendinţa lor de a
radia puternic energia sub formă electromagnetică. Dacă se ecranează
electrostatic, funcţionează ca şi celelalte rezonatoare cu pierderi mici. Din
punct de vedere analitic, pot fi priviţi ca nişte cavităţi rezonante cu pereţi
magnetici. Frecvenţa de rezonanţă poate să corespundă mai multor moduri
simultan, ca şi în cazul precedent, astfel putându-le dimensiona cu formula:
K nm c 2h ⎡ ⎛ π a ⎞ ⎤
f mn 0 = , pentru ae = a 1 + ⎢ ln ⎜ ⎟ + 1, 7726 ⎥ .
2π ae ε r πa ⎣ ⎝ 2h ⎠ ⎦
În acest caz (figura 2.1.9.2), raza a se modifică datorită dispersiei
de la a la ae (raza efectivă). După cum se ştie, h este grosimea
substratului dielectric.
Fig. 2.1.9.2. Rezonator patch circular

K indică zeroul de ordin m a derivatei funcţiei Bessel de ordin n,
J’n. Pentru m = 1 zerourile sunt:
⎧ 3,83171 n = 0
⎪ 1,84118 n = 1
⎪
K n1 = ⎨ .
⎪3, 05424 n = 2
⎪⎩4, 20119 n = 3
• Linia microstrip utilizată ca rezonator

Liniile microstrip în scurtcircuit sau în gol, pot fi utilizate în confi-
guraţii ce utilizează fenomenul de rezonanţă mai ales în UHF (Ultra High
Frequency între 0,3 GHz şi 3 GHz) şi în domeniul microundelor. Datorită
factorului de calitate redus, nu pot fi utilizate decât în cazul în care au
pierderi foarte mici, adică dacă au lungimi comparabile cu λg. Pentru a
funcţiona ca element rezonant într-un circuit, lungimea L va fi calculată cu:
( 2n − 1) λ g nλ
L= sau L = g ,
4 2
unde n ia valorile n = 1, 2, 3,…
86
Privită ca linie de transmisie cu pierderi foarte mici, şi generalizând

linia la modelul liniei de transmisie din figura 2.1.3.1, ecuaţiile
determinate în continuare sunt perfect valabile pentru toate linile TEM
(inclusiv linia coaxială), cu observaţia că linia microstrip se pretează cel
mai bine la aplicaţii de tip rezonator.
a) Linia microstrip în scurtcircuit utilizată ca rezonator
Se va considera o linie de transmisie cu lungimea L şi de impedanţă
caracteristică Z0. Constanta de propagare va fi: γ = α + jβ, fiind
scurtcircuitată la unul dintre cele două capete ale sale. Impedanţa văzută
privind de la capătul lăsat liber spre scurtcircuitul de la capătul său, va fi
denumită Zin, fiind vorba de o impedanţă de intrare, expresia ei a fost
determinată în paragraful 1.5, astfel:
Z + Z 0 tgh ( γ L )
Z in = Z 0 L .
Z L tgh ( γ L ) + Z 0
Ţinând cont de faptul că este scurtcircuitată, deci ZL = 0 vom avea:
tgh ( αL ) + j tg ( β L )
Z in = Z 0 tgh ( γL ) = Z 0 tgh ( α + jβ ) L = Z 0 (1.8.3)
1 + j tgh ( αL ) tg ( βL )
Tocmai pentru că pierderile sunt foarte mici, aceasta implică
tgh(αL) ≈ αL, şi plecând de la premisa că linia suportă doar modul de
2π ωL
propagare TEM avem: β L = L= , unde aici vp este viteza de
λg vp
propagare pe linie. Pulsaţia (frecvenţa unghiulară) ω este stabilită de o
frecvenţă instantanee a semnalului, frecvenţă care oscilează valoric în
jurul frecvenţei de rezonanţă a liniei, adică ω0. Pornind de la această
remarcabilă observaţie, avem:
ωL ( ω0 + d ω0 ) L dω
βL = = = β0 L + L,
vp vp vp
unde: β0 este constanta de fază la rezonanţă,
dω este diferenţiala frecvenţei pe linie.
Dacă lungimea liniei considerate este jumătate din lungimea de undă
2π λ 0 L π
(L = λ0/2) la rezonanţă, atunci: β0 L = = π , ceea ce implică = .
λ0 2 v p ω0
Astfel se va putea aproxima cu:
⎛ d ωL ⎞ ⎛ πd ω ⎞ πd ω
tg ( βL ) = tg ⎜ π + ⎟⎟ = tg ⎜ ⎟≈ ,
⎜
⎝ vp ⎠ ⎝ ω0 ⎠ ω0
87
astfel că impedanţa de intrare devine:

πd ω
αL + j
ω0 ⎛ πd ω ⎞
Z in = Z 0 ≈ Z 0 ⎜ αL + j ⎟ (2.1.9.1),
⎛ πd ω ⎞ ⎝ ω0 ⎠
1 + j ( αL ) ⎜ ⎟
⎝ ω0 ⎠
⎛ ⎞
considerându-se că (αL )⎜⎜ π dω ⎟⎟ << 1(în paragraful 1.8 s-a dedus
⎝ ω0 ⎠
ecuaţia (2.1.9.1) printr-o abordare diferită, deci ecuaţia se verifică).
Se poate observa că impedanţa de intrare (2.1.9.1) este
asemănătoare cu impedanţa unui circuit rezonant serie, adică cu
Z in ≈ R + j 2L S dω (aici LS este inductanţa!). Prin separarea părţii reale
şi imaginare, se pot calcula parametri liniei şi anume:
Z αλ
R S ≈ Z 0α L = 0 0 (2.1.9.2),
2
π Z0
LS ≈ (inductanţa) (2.1.9.3),
2ω 0
1
CS ≈ (2.1.9.4).
πω0 Z 0
În final se poate calcula factorul de calitate al liniei:
ωL 2π β
QS = 0 ≈ ≈ 0 (2.1.9.5).
R 2αλ 0 2α
Dacă linia considerată este în sfert de undă L = λ0/4, se procedează
2π λ 0 π L π
în mod similar, deci: β0 L = = , iar = . După acelaşi mod
λ0 4 2 v p 2ω0
de abordare, vom avea în continuare:
⎛ π d ωL ⎞ ⎛ π πd ω ⎞ ⎛ π dω ⎞ 2ω
tg ( βL ) = tg ⎜ + ⎟ = tg ⎜ + ⎟ = −ctg ⎜ ⎟ ≈− 0 ,
⎜2 v p ⎟⎠
⎝ ⎝ 2 ω0 ⎠ ⎝ 2ω0 ⎠ πd ω
iar mpedanţa de intrare devine aproximativ egală cu:
2ω 0 Z0
−j
Z in ≈ Z 0 π dω ≈ αL (2.1.9.6).
⎛ 2ω 0 ⎞ 1 + j π dω
1 − j (αL )⎜ ⎟
⎝ π dω ⎠ αL 2ω 0
88
Ecuaţia (2.1.9.6) caracterizează un circuit rezonant paralel, forma

ecuaţiei fiind specifică unui astfel de circuit pentru care:
jω 0 L p
ZP = .
⎛ L ⎞
⎜ 1 − ω 0 L P C P + jω 0
2 P ⎟
⎜ R ⎟
⎝ p ⎠
În mod similar, vom determina parametri principali ai rezonatorului
în sfert de undă:
Z 4Z 0
Rp ≈ 0 = (2.1.9.7),
αL αλ 0
4Z 0
Lp ≈ (2.1.9.8),
π ω0
π
Cp ≈ (2.1.9.9),
4ω 0 Z 0
π β
şi Qp = = 0 (2.1.9.10).
4αL 2α
b) Linia microstrip lăsată în gol utilizată ca rezonator
Linia microstrip în gol poate fi analizată similar cu cea în scc. Se
porneşte de la expresia impedanţei de intrare, ţinând cont de faptul că
sarcina tinde la infinit:
Z0
Z in = .
tgh(γL )
Considerându-se o linie cu lungimea egală cu jumătate din lungi-
mea de undă (L = λ0/2), vom avea pentru impedanţa de intrare:
⎛ π dω ⎞
1 + j (αL )⎜⎜ ⎟
⎝ ω 0 ⎟⎠ Z0
Z in ≈ Z 0 ≈ .
π dω π dω
αL + j αL + j
ω0 ω0
Expresia finală a impedanţei de intrare este după cum se poate
vedea, asemănătoare cu cea a unui circuit rezonant paralel, iar în mod
similar, prin echivalarea parametrilor, se obţine:
Z 2Z 0
RP ≈ 0 = (2.1.9.11),
αL αλ 0
2Z 0
LP ≈ (2.1.9.12),
πω0
89
π
Cp ≈ (2.1.9.13),
2ω 0 Z 0
π β
Q= = 0 (2.1.9.14).
2αL 2α
Pornind însă de la o linie în sfert de undă (L = λ0/4), vom avea o
expresie diferită pentru impedanţa de intrare pe linie:
⎛ 2ω 0 ⎞
1 − j (αL )⎜ ⎟
⎝ π dω ⎠ ⎛ π dω ⎞
Z in ≈ Z 0 ≈ Z 0 ⎜⎜ αL + j ⎟⎟ .
2ω 0 ⎝ 2ω 0 ⎠
αL - j
π dω
De asemenea se observă că această expresie corespunde unui
rezonator serie, pentru care:
Z αλ
R S ≈ Z 0α L = 0 0 (2.1.9.15),
4
πZ 0
LS ≈ (2.1.9.16),
4ω 0
4
CS ≈ (2.1.9.17).
πω0 Z 0
Factorul de calitate rămâne acelaşi ca în cazul anterior, când
lungimea liniei era considerată jumătate din cea a undei adică L = λ0/2.
Este obligatoriu să remarcăm faptul că parametrii electrici depind atât de
impedanţa caracteristică cât şi de frecvenţă. Factorul de calitate este un
parametru foarte important ce limitează banda de trecere a rezonatorului,
formula determinată fiind valabilă doar pentru rezonatori microstrip nu şi
pentru linii microstrip în general.
• Factorul de calitate al unei linii microstrip cu pierderi
Apare ca urmare a pierderilor, fiind apreciat practic factorul de
calitate la mers în gol, atunci când nu este legată sarcina la linie. Pentru
orice tip de rezonator, factorul de calitate este determinat de:
TMO
Qu = ω ,
PMP
unde: TMO – timpul mediu de oscilaţie,
PMP – puterea medie pierdută.
Pierderile în rezonator pot apărea din cauza stratului conductor, caz
în care avem: pierderi în fier, pierderi datorită dielectricului sau din cauza
90
radiaţiei elementului rezonant. Factorul de calitate total, în cazul în care

nu este cuplată sarcina, se calculează cu:
1 1 1 1
= + + ,
QTot Qcond Qdiel Qradiat
unde: Qcond – factorul de calitate al conductorului,
Qdiel – factorul de calitate al dielectricului,
Qradiat – factorul de calitate al rezonatorului radiant.
Este destul de greu de exprimat sub formă matematică, din cauza
complexităţii câmpului, fiind necesară mai întâi o analiză asupra
distribuţiei acestuia. Dacă se presupune o distribuţie uniformă a
câmpului, atunci:
⎛ h ⎞ ⎛ 120π ⎞
Qc ≈ π ⎜ ⎟ ⎜ ⎟,
⎝ λ ⎠ ⎝ RS ⎠
unde: RS este rezistenţa de suprafaţă a conductorului considerat.
Pentru dielectric se poate face aproximaţia:
1 π
Qd = ≈
tgδ α d λ g
unde: αd reprezintă pierderile în substratul dielectric în Neperi/m.
Observaţii!
Observa ii!
Există asemănări şi deosebiri între rezonatorii prezentaţi şi antenele
microstrip de tip patch. Pentru aceşti rezonatori (spre deosebire de
antene) se iau toate măsurile pentru ca energia să nu fie pierdută.
Cu alte cuvinte, au un factor de calitate mare (factorul de calitate
apreciază calitativ orice circuit rezonant din punct de vedere al
energiei pierdute). Antenele fac şi ele parte din categoria
rezonatorilor, dar sunt proiectate să piardă energia acumulată, prin
radiaţie electromagnetică (având un factor de calitate mai mic). În
cazul unei linii coaxiale, utilizată ca rezonator (parametri liniei sunt
vizibili pe interfaţa de analiză de mai jos) în sfert de undă, la 1
GHz, se vede că factorul de calitate este Q = 1219659, pe când o
antenă microstrip (se va arăta în capitolul 7, paragraful 7.5.4) are
un factor de calitate între 20 şi 200.
Factorul de calitate al unei linii microstrip cu pierderi, scade
semnificativ, odată cu creşterea frecvenţei. Acest lucru se datorează
pierderilor în dielectric şi în stratul conductor ce cresc cu frecvenţa,
aşa cum s-a arătat în capitolul 1.
91
Factorul de calitate la mers în gol este determinat matematic, când

nu este legată nici o sarcină la rezonator. Sarcina poate fi conectată
direct la rezonator sau prin intermediul unui cuplaj, inductiv sau
capacitiv. În acest caz avem de-a face cu factorul de calitate în
sarcină, ce va avea valori mai mici, datorită transferului de energie
de la rezonator la sarcină (ce apare sub forma unei pierderi de
energie). Practic, orice tronson de linie sau plan de masă, ce se va
apropia de rezonator, efectul produs, va determina scăderea
factorului de calitate al rezonatorului. Efectele acestei scăderi se
resimt asupra circuitului, prin modificarea benzi de frecvenţă şi
creşterea zgomotului termic. Simpla apropiere a mâinii de aceste
circuite rezonante, poate avea efecte (în general negative) asupra
funcţionării lor. Ecranele electrostatice protejează circuitul în acest
sens, împotriva agenţilor externi, dar depreciază totodată factorul
de calitate prin creşterea cuplajelor.
92
Capitolul 3. Tehnici de adaptare a impedanţelor
CAPITOLUL 3
Tehnici de adaptare a impedanţelor
Când la linie este conectată o impedanţă, poate rezulta, în caz de

neadaptare, un coeficient de reflexie mai mare decât zero. Acest lucru se
manifestă ori de câte ori impedanţa sarcinii este diferită de impedanţa
caracteristică a liniei. Pentru a reduce coeficientul de reflexie este nevoie
de un adaptor de impedanţă, ca în figura 3.1.
Adaptor
Γin
Fig. 3.1. Adaptarea de impedanţ prin intermediul unui adaptor

Adaptorul de impedanţă din figura 3.1 transformă de fapt
coeficientul de reflexie pe sarcină ΓL în coeficientul Γin, corespunzător
intrării. Adaptorul de impedanţă nu are întotdeauna rolul de a minimiza
coeficientul Γin, ci uneori se doreşte forţarea unui coeficient de reflexie Γin
cerut, după caz. Acest caz este întâlnit la calculul amplificatoarelor de
microunde, unde amplificarea maximă la ieşire se obţine pentru
Γin = S 22
*
, nu pentru Γin = 0 (se va reveni în capitolul 4 şi 5, unde se va
folosi parametrul de dispersie S 22 , la analiza circuitelor active de
microunde). Se poate trage astfel concluzia că nu se doreşte în orice
situaţie minimizarea lui Γin, ci mai degrabă o adaptare controlată, în
funcţie de parametri pe care dorim să-i obţinem referitor la dispozitivul
testat (DUT- Device under test).
Mai multe metode se pot utiliza pentru transformarea unui
coeficient de reflexie în altul, şi anume: metoda tronsoanelor de linie
(stub), metoda liniilor în sfert de undă şi metoda elementelor cu
93
parametri concentraţi (lump). Metoda liniilor în sfert de undă a fost deja

prezentată în paragraful 1.8, aceasta fiind destul de limitată din punct de
vedere a adaptării impedanţelor complexe, folosindu-se mai degrabă
pentru adaptarea antenelor, care la rezonanţă, au impedanţe reale.
Celelalte două metode sunt utile în cazul adaptărilor de la ieşire sau de la
intrare a unor amplificatoare sau circuite cu impedanţe complexe. Pentru
adaptrea impedanţelor se foloseşte diagrama Smith, ce este utilă atât la
proiectarea amplificatoarelor cât şi a oscilatoarelor pentru microunde.
3.1. Diagrama Smith (Smith chart)
A fost inventată de P.H. Smith în 1939, pe când lucra pentru Bell

Laboratory. Diagrama are o importanţă covârşitoare în domeniul analizei
circuitelor de microunde, dar şi în adaptarea impedanţelor. Pe scurt este
vorba de o reprezentare grafică a parametrilor liniei: impedanţa,
reactanţa, coeficientul de reflexie şi a altor mărimi specifice liniilor de
transmisie ce vor fi evidenţiate la momentul oportun. Deşi toţi aceşti
parametrii pot fi obţinuţi direct prin calcule, aplicând formulele din
capitolul 1, importanţa diagramei este covârşitoare. Indiferent de valorile
impedanţelor sau reactanţelor pe linie, acestea pot fi reprezentate pe
diagramă chiar dacă tind spre infinit. Diagrama comprimă valorile mari
ale impedanţei printr-o transformare de coordonate în care parametri ca:
impedanţa, admitanţa şi coeficientul de reflexie sunt vizualizaţi grafic în
lungul liniei. Se obţine astfel o nouă perspectivă de vizualizare, printr-o
reprezentare grafică restrânsă, având în permanenţă o imagine de
ansamblu asupra comportării sistemului de transmisie (din punct de
vedere al performanţelor sale prin intermediul parametrilor liniei) în
strânsă corelaţie cu frecvenţa de lucru. Pentru a înţelege mai bine această
abordare, este ca şi cum am compara un ceas cu afişaj digital ce măsoară
exact ora cu unul clasic, cu cadran, ce afişează atât timpul curent cât şi
timpul rămas sau scurs de la un eveniment considerat, lucru ce induce
vizual o imagine de ansamblu mai completă asupra trecerii timpului, şi
creşte gradul de percepţie temporală. Diagrama Smith s-a materializat din
nevoia de a reprezenta grafic valorile foarte mari şi foarte mici într-un
spaţiu finit, şi de a creşte totodată viteza de calcul într-un moment în care
nu erau calculatoare portabile performante. Pentru ca acest lucru să
devină posibil, se lucrează numai cu valorile normalizate ale impedanţei
Z (L ) − −
adică: z = = R ( L) + j X ( L) = r + jx . Valoarea coeficientului de
Z0
94
reflexie va fi: Γ = Γ( L) = Γr ( L) + jΓi ( L) , unde L este distanţa până la

sarcină. În paragraful 1.4 avem determinată expresia coeficientului de
V exp(γ L ) V V
reflexie adică: Γ = − = − exp(2γL ) , unde Γ = − (este
V+ exp(− γ L ) V+ V+
coeficientul de reflexie în modul). Ţinând cont de coeficientul de reflexie
pe sarcină (pentru L = 0) şi înlocuindu-l în expresia impedanţei vom
1 + ΓL
avea: Z L = Z 0 , expresie determinată şi în paragraful 1.4. Se poate
1 − ΓL
1+ Γ 1 + Γr + jΓi
extrapola expresia impedanţei astfel: z = ⇔ r + jx = .
1− Γ 1 − Γr − jΓi
Înmulţind şi împărţind în partea dreaptă cu 1 − Γr + jΓi vom avea:
(1 − Γr )(1 + Γr ) + jΓi + jΓi Γr − Γi2 + jΓi − jΓi Γr
r + jx = =
(1 − Γr )2 − jΓi + jΓi Γr + jΓi − jΓi Γr + Γi2
1 − Γr2 + 2 jΓi − Γi2
=
1 − 2Γr + Γr2 + Γi2
şi separând partea reală de cea imaginară obţinem:
⎧ 1 − Γr2 − Γi2
⎪ r =
⎪ 1 − 2Γr + Γr2 + Γi2
⎨ 2Γi
⎪x =
⎪⎩ 1 − 2Γr + Γr2 + Γi2
apoi dezvoltând prima ecuaţie rezultă:
r − 2rΓr + rΓr2 + rΓi2 = 1 − Γr2 − Γi2
1
(1 + r )Γr2 + (1 + r )Γi2 + r − 2rΓr =1
1+ r
r 2r 1
Γr2 + Γi2 + − Γr =
1+ r 1+ r 1+ r
2 2
⎛ r ⎞ r r 1
⎜ Γr − ⎟ + Γi − + =
2
⎝ 1+ r ⎠ (1 + r ) 1 + r 1 + r
2
2
⎛ r ⎞ 1
⎜ Γr − ⎟ + Γi =
2
(3.1.1).
⎝ 1+ r ⎠ (1 + r )2
Dezvoltând în final după a doua ecuaţie din sistemul de două
ecuaţii, vom putea scrie că:
95
2Γi
1 − 2Γr + Γr2 + Γi2 =
x
1
Adunând în stânga şi dreapta pentru a păstra egalitatea,
x2
2Γ 1 1
obţinem: ( Γ r − 1) + Γi2 − i + 2 = 2 , adică:
2
x x x
2 2
⎛ 1⎞ ⎛1⎞
( r ) ⎜ i ⎟ ⎜ ⎟
2
Γ − 1 + Γ − = (3.1.2).
⎝ x⎠ ⎝ x⎠
Observaţie!
Γr – reprezintă partea reală a coeficientului de reflexie determinat
într-un punct oarecare, aflat la distanţa L faţă de sarcină.
Γi – reprezintă partea imaginară a coeficientului de reflexie

determinat într-un punct oarecare, aflat la distanţa L faţă de sarcină.
R (L )
r= – reprezintă partea reală a impedenţei (rezistenţa norma-
Z0
lizată), determinată într-un punct oarecare la distanţa L faţă de
sarcină.
X (L )
x= – reprezintă partea imaginară a impedenţei (reactanţa
Z0
normalizată), determinată într-un punct oarecare la distanţa L faţă
de sarcină.
Coeficienţii de reflexie Γr şi Γi pot lua valori numai între 0 şi 1

pentru circuitele pasive (disipative energetic), deci şi pentru liniile de
transmisie. Pe de altă parte, r şi x pot lua valori, practic, până la infinit.
Analizând ecuaţiile (3.1.1) şi (3.1.2), observăm că acestea corespund
unor familii de cercuri având centrele şi razele variabile. Dacă variabilele
sunt Γr şi Γi atunci r şi x corespund impedanţei care le determină, adică
1 + Γr + jΓi
respectându-se egalitatea : r + jx = .
1 − Γr − jΓi
Ecuaţia (3.1.1) reprezintă o familie de cercuri cu centrul în
⎛ r ⎞ 1
⎜ 1 + r , 0 ⎟ din planul complex, cu razele de forma 1 + r . Locul
⎝ ⎠
96
geometric al centrelor cercurilor determinate cu ecuaţia (3.1.1) este chiar

abscisa sistemului de reprezentare, cu observaţia că, toate aceste cercuri
trec printr-un punct comun (şi fix totodată). Acest punct se determină
adunând la coordonata x a centrelor cercurilor, determinate cu ecuaţia
(3.1.1), raza sa, pentru orice r. Acest raţionament este schiţat de desenul
din figura 3.1.1, care arată că dacă la coordonata x a centrului oricărui
cerc, se adună raza sa, punctul obţinut este acelaşi, adică 1. Rezultă astfel
că toată familia de cercuri, determinate cu ecuaţia (3.1.1) trece prin 1,
acestea numindu-se cercuri de rezistenţă constantă. Acest lucru se
datorează faptului că desenarea lor se poate face menţinând parametrul r
constant, iar variabile sunt: Γr şi Γi. Coeficientul Γr ia valori de-a lungul
abscisei, iar Γi pe ordonată între –1 şi 1 (vezi 1.22).
Centrul cercului cu rezistenţa

r
r =2 constantă: Ω r =
1 1+ r
r =1 r =2 Raza =
1+ r Axa reală (abscisa), se
reprezintă partea reală a
lui z, rezistenţa r.
Se reprezintă Γr (este
tipărită separat şi se
Γr = 0 Γr = 0,33 Γr = 1 foloseşte compasul).
Fig. 3.1.1. Toate cercurile de rezistenţă constantă trec

prin acelaşi punct Γr = 1
De exemplu, pentru r = 2, cercul de rezistenţă constantă (r = 2) va
intersecta abscisa în punctul comun tuturor celorlaltor cercuri, adică în
Γr = 1 (vezi figura 3.1.1) şi în punctul Γr ≈ 0,33 (vezi figura 3.1.1).
Punctele în care cercurile de rază constantă intersectează abscisa sunt
r 1 r 1 r −1
determinate de: Γ r = + = 1 şi Γ r = − = . În
1+ r 1+ r 1+ r 1+ r r +1
r −1 1
consecinţă, conform exemplului dat, pentru r = 2, Γ r = = ≈ 0 ,33 .
r +1 3
Pe diagrama Smith nu este însă înscrisă valoarea lui Γr pe abscisă, ci
97
valoarea lui r, adică 2. În felul acesta, se folosesc două scări de

reprezentare pe axa x, una pentru rezistenţa normalizată r (tipărită direct
pe abscisa diagramei Smith) şi alta pentru Γr, vizibilă în afara diagramei
(prima e nelineară, iar a doua este lineară), reprezentată separat.
Reprezentarea pe aceeaşi axă ar fi fost posibilă, dar încărca prea mult
graficul, astfel că, s-a ales această variantă în care Γr se poate determina
cu compasul, ca în figura 3.1.2. Ecuaţia (3.1.2) reprezintă familia
cercurilor de reactanţă constantă pentru care x = ct., în timp ce Γi ia valori
pe ordonată de la –1 la 1 (vezi figura 3.1.3). Centrele acestor cercuri, de
⎛ 1⎞
coordonate ⎜ 1, ⎟ , sunt determinate de o dreaptă ce intersectează abscisa
⎝ x⎠
în 1 şi este totodată şi perpendiculară pe aceasta.
0.33
Fig. 3.1.2. Trasarea diagramei Smith
1
Razele cercurilor menţionate sunt de forma , fiind vorba de o
x
valoare variabilă (de la zero la infinit) şi se numesc cercuri de reactanţă
constantă. Acestea se intersectează cu cercurile de rezistenţă constantă,
astfel că pentru x = 1 avem Γi = 1 (vezi figurile 3.1.2 şi 3.1.3).
98
Valorile reactanţei x sunt marcate pe cercul de rezistenţă constantă,

cu raza cea mai mare (r = 0), la intersecţiile dintre aceste cercuri şi
cercurile de reactanţă constantă (x = ct.). Valorile pentru x sunt de la zero
la infinit sau de la zero la minus infinit; pentru x = 0 cercul de reactanţă
constantă corespunzător are raza infinită, adică circumferinţa lui este o
dreaptă (chiar abscisa), pentru care Γi = 0 şi Γr = –1. Pentru x → ∞ avem
un cerc corespunzător cu raza egală cu zero, adică punctul pentru care
Γi = 0 şi Γr = 1. Dacă avem determinat un punct pe diagramă,
corespunzător unui anumit coeficient de reflexie Γ = Γr + jΓi, acesta
trebuie să se afle la intersecţia a două cercuri, unul de rezistenţă constantă
(r = ct.), iar celălalt de reactanţă (x) constantă, pentru care se verifică
1 + Γ r + jΓ i
egalitatea: r + jx = .
1 − Γ r − jΓ i
Fig. 3.1.3. Trasarea diagramei Smith (cercurile de reactanţă constantă)

Să alegem un punct oarecare pe diagrama din figura 3.1.4, cel
indicat spre exemplu de săgeata cu linie punctată. Punctul ales se află la
intersecţia cercului de rază constantă care trece prin r = 0,25 cu cel de
99
reactanţă constantă care trece prin x = 0,5. Acestui punct trebuie să-i
corespundă o impedanţa normalizată z = 0,25 + j0,5. Dacă se ia în
compas OZ (vezi figura 3.1.4) şi se roteşte compasul spre dreapta, din Z,
până ajungem la abscisă, se poate determina unghiul ZOS care poate fi
apreciat la 123°. Segmentul OS, pe scara coeficienţilor de reflexie,
corespunde valorii 0,6, valoare ce trebuie să fie egală la rându-i cu
modulul coeficientului de reflexie. În final, coeficientul de reflexie
O
căutat, corespunzător impedanţei z este: Γ = 0 , 6e j123 . Amintindu-ne de
faptul că z este impedanţa normalizată, pentru a obţine valoarea reală a
impedanţei se va înmulţi valoarea lui z cu Z0 (impedanţa caracteristică
liniei). De exemplu, dacă lucrăm pe o linie cu Z0 = 50 Ω, atunci valoarea
denormalizată este: Z = 12,5 + j25 Ω.
O S
Fig. 3.1.4. Citirea impedanţelor pe diagrama Smith

Să presupunem că Z este chiar impedanţa de sarcină, deci Z = ZL;
dacă ne deplasăm pe linie cu λ/2 ar trebui să măsurăm iarăşi aceeaşi
valoare adică ZL. Acest lucru se verifică pentru că din ecuaţia (1.20) avem:
⎡ ⎛ 2π λ ⎞ ⎤
Z L + jZ 0 tg ⎜
⎛ λ⎞ ⎢
⎝ λ 2 ⎟⎠ ⎥
Z in ⎜ L = ⎟ = Z 0 ⎢ ⎥ = ZL .
⎝ 2⎠ ⎢ Z + jZ tg ⎛ 2π λ ⎞ ⎥
⎢⎣ 0 L ⎜ λ 2 ⎟⎥
⎝ ⎠⎦
100
Vom măsura astfel aceeaşi impedanţă din λ/2 în λ/2 pe măsură ce

ne deplasăm pe linie, deci dacă rotim compasul cu 360° (2π radiani) pe
diagrama Smith vom ajunge iarăşi în acelaşi punct din care am plecat,
adică în ZL. Rezultă că o rotaţie de 360° pe diagrama Smith corespunde
unei deplasări pe linia de transmisie cu λ/2. Întrebarea este dacă este
totuna în ce direcţie rotim compasul. Răspunsul la această întrebare poate
fi dat dacă analizăm o linie terminată în gol. În acest caz, impedanţa de
sarcină tinde la infinit şi deci Γr = –1 şi Γi = 0, pentru că din paragraful
1.8 ştim că:
Zin − gol = − jZ 0ctg ( βL ) ; ZL → ∞ ; Γ = e j 0 = 1 .
Dacă Γ = 1, atunci funcţia cotangentă ia numai valori negative între
λ
(0, π] (vezi figura 1.9) deci impedanţa pe o linie cu lungimi între (0, ]
4
este pur imaginară (ceea ce înseamnă că ne deplasăm pe circumferinţa
cercul de rezistenţă constantă căruia îi corespunde r = 0 şi raza 1, adică
cel mai mare cerc) şi negativă pe acest interval. Este deci cazul să
sesizăm caracterul capacitiv al liniei, însemnând că ne situăm în
jumătatea de jos a diagramei Smith, unde partea imaginară este negativă.
Spre
sarcină
Caracter
inductiv zL
Г = 1 în gol
Г = –1 în
scurtcircuit
yL=1/zL
Caracter
capacitiv Spre
generator
Fig. 3.1.5. Determinarea sensului de rotaţie pe diagramă
101
Dacă linia considerată a fost în gol (deci întreruptă) şi ne deplasam

pe ea de la capătul lăsat în gol, înseamnă că numai spre generator o
puteam face, în sensul indicat de săgeata din figura 3.1.5. Urmând
raţionamentul anterior, dacă ne deplasăm invers o vom lua spre sarcină,
deci sensul de rotire a compasului pe diagramă contează. În centrul
diagramei Smith coeficientul Γ este zero, adică sarcina este adaptată la
linie (cazul în care ZL = Z0). O proiectare optimală a sistemului de
transmisiuni presupune să urmărim ca în orice punct de pe linie, punctul
corespondent pe diagrama Smith să rămână poziţionat în centru (unde
coeficientul de reflexie este zero, iar linia rămâne adaptată).
• Citirea admitanţelor
Să presupunem că la capătul liniei este legată o sarcină cu
impedanţa normalizată zL = 2 + j2 care este reprezentată în figura 3.1.5.
Luând în compas acest punct împreună cu originea diagramei şi rotind
compasul cu 180°, ajungem în punctul diametral opus, căruia îi
corespunde impedanţa zin = 0,25 – j0,25. Rotirii cu 180° pe diagrama
Smith îi va corespunde o deplasare pe linie de L = λ/4 (lucru normal dacă
pentru 360° avem o deplasare echivalentă pe linie de λ/2), adică:
⎡ ⎛ 2π λ ⎞ ⎤ ⎛ π ⎞
⎢ Z L + jZ 0 tg ⎜ ⎟ tg ⎜ ⎟→∞
__
⎛ λ⎞ ⎢ ⎝ λ 4 ⎠ ⎥⎥ ⎝ 2 ⎠ Z 0
z in = Z in ⎜ L = ⎟ = → = yL
⎝ 4⎠ ⎢ ⎛ 2π λ ⎞ ⎥ ZL
⎢ Z 0 + jZ L tg ⎜⎝ λ 4 ⎟⎠ ⎥
⎣ ⎦
Tocmai am demonstrat că impedanţa zin, la o distanţă de λ/4 de
sarcină (adică punctul diametral opus celui notat cu zL), este egală cu
admitanţa sarcinii adică cu yL . În acest mod se va putea determina foarte
repede şi uşor pe lângă impedanţă, respectiv coeficient de reflexie şi
admitanţa, printr-o simplă rotire cu 180° în sensul indicat de săgeată
(spre sarcină sau spre generator) adică tocmai direcţia de deplasare pe
linie. Acestă observaţie ne determină să realizăm şi faptul că, rotind
diagrama Smith cu 180°, cercurile de rezistenţă constantă se transformă
în cercuri de admitanţă constantă respectiv cele de reactanţă constantă, în
cercuri de susceptanţă constantă după cum se observă în figura 3.1.6.
Coeficientul de reflexie se exprimă cu ajutorul impedanţei normalizate
z −1
astfel: Γ = şi ţinând cont de faptul că admitanţa normalizată y este
z +1
102
1 y −1 1 − y
inversa impedanţei z avem: Γ = = . Admitanţa y va fi egală
1 y +1 1+ y
cu conductanţa g plus susceptanţa b adică: y = g + jb. Astfel cercurile de
rezistentă constantă se transformă în cercuri de conductanţă constantă,
respectiv cele de reactanţă constantă în cercuri de susceptanţă constantă,
după o rotire cu 180°.
Caracter
inductiv
Caracter
capacitiv
Fig. 3.1.6. Cercurile de admitanţă şi susceptanţă constantă (cu verde) şi

rezistenţă respectiv reactanţă constantă (cu roşu) – vezi CD
Toate regulile de transformare ale impedanţei de-a lungul liniei se
aplică ad literam şi în cazul admitanţei. Direcţia de deplasare pe
diagrama Smith rămâne neschimbată adică în sensul acelor de ceasornic,
înspre generator şi în sens invers, înspre sarcină. Zonele ce evidenţiază
caracterul inductiv sau capacitiv al porţiunii de pe linie nu se
interschimbă prin rotirea diagramei. Deşi această observaţie pare fără
sens la prima vedere, o bobină are o reactanţă inductivă ce este
întotdeauna pozitivă, pe când susceptanţa sa va fi totdeauna negativă. La
fel, un condensator are întotdeauna o reactanţă capacitivă negativă, dar o
susceptanţă pozitivă. În felul acesta vorbind de conductanţă şi
susceptanţă, caracterul inductiv rămâne plasat întotdeauna în jumătatea
superioară a diagramei, iar cel capacitiv în parte inferioară a ei. Astfel, o
103
impedanţă complexă cu caracter inductiv, plasată în jumătatea superioară

a diagramei Smith, se poate scrie ca: z = rezistenţa + j reactanţa (z = r + jx)
pe când o admitanţa sa y, ca: y = conductanţa – j susceptanţa (y = g – jb) şi
reciproc pentru o impedanţă cu un caracter capacitiv y = g + jb (figura 3.1.7). Pe
abscisă, pe cercul g = 0, se află punctul corespunzător unui scurt, pe când
în punctul diametral opus vom avea o impedanţă infinită.
Fig. 3.1.7. Cercurile de conductanţã şi susceptanţã constantã

• VSWR –ul pe diagrama Smith
VSWR-ul poate fi citit chiar de pe diagrama Smith, dacă se ţine cont
de anumite proprietăţi remarcabile ale cercurilor sale. Să considerăm de
exemplu o impedanţă normalizată de forma zA = 1 + j, indicată în figura
3.1.8 chiar de vârful săgeţii la intersecţia cercului de rezistenţă constantă
r = 1 şi reactanţă constantă x = 1.
Dacă se ia în compas segmentul OA şi se roteşte în sens orar până
ce intersectează abscisa în punctul SVR, valoarea citită pe axa x în acest
punct reprezintă chiar raportul de undă staţionară în tensiune VSWR.
Operaţia prin care se obţine VSWR-ul este destul de uşor de înţeles, dar
explicaţia fizică ce stă în spatele acesteia are la bază faptul că SWR-ul
este un punct determinat de un anumit cerc de rază constantă ce
intersectează abscisa, chiar prin punctul determinat în modul descris
anterior şi căruia îi corespunde un anumit r constant. Pentru a demonstra
acest lucru se va considera pentru moment că punctul găsit astfel pe
abscisă este VSWR-ul, iar prin acest punct trece un cerc de rază constantă
r = ct. ce va avea centrul undeva pe abscisă. Ştim deja că toate cercurile
de rezistenţă constantă au centrele plasate pe abscisă şi trec prin punctul
104
Γr = 1. Cum centrul corespunzător acestui cerc este determinat de

r
punctul: Ω r = , atunci, scăzând din această valoare raza sa, va trebui
r +1
să ajungem în punctul SVR.
r
Ωr =
r +1
A
SVR = 2,7
O
r −1
Γr =
r +1
Fig. 3.1.8. Determinarea SWR-ului

r 1 r −1
Avem: SWR = Ω r − raza = Ω r = − = = Γ r , când Γi = 0.
r +1 r +1 r +1
r −1
1 + Γr 1+
Mai ştim că: SWR = = r +1 = r ,
1 − Γr r −1
1−
r +1
lucru pe care trebuia să-l demonstrăm. Punctul presupus a fi r este egal
chiar cu valoarea raportului de undă staţionară în tensiune (de exemplu
pentru z = 1 + j, SWR = 2,7).
• Determinarea poziţiei maximelor/minimelor tensiunii
în lungul liniei
De pe diagrama Smith poate fi determinată distanţa faţă de sarcină
la care este amplasat primul minim sau primul maxim al tensiunii. Acest
lucru poate fi făcut uşor deoarece există această concordanţă între
105
deplasarea pe linie şi cea pe diagramă. Se ştie din paragraful 1.9 că linia

în scurt se termină cu un minim al tensiunii (un zero), iar linia lăsată în
gol cu un maxim. Pentru cazul în care avem un scurt la capătul liniei de
transmisie, coeficientul de reflexie este la acest capăt negativ, adică –1.
0,375 λg
zL = j
Spre
generator
SCC În gol
0 λg 0,25 λg
MINIM MAXIM
0,125 λg
Fig. 3.1.9. Determinarea distanţei electrice la primul
maxim/minim al tensiunii de pe linie
Acest punct este determinat pe diagrama Smith de: Γr = –1, Γi = 0,
adică pe abscisă, în partea din stânga originii pe circumferinţa cercului de
rezistenţă constantă r = 0. În cazul în care linia este în gol la capătul
aecesteia, avem un maxim al tensiunii, coeficientul de reflexie fiind 1,
iar: Γr = 1, Γi = 0, punctul corespunzător pe diagramă fiind plasat de
această dată la extremitatea opusă celui prezentat anterior (vezi figura
3.1.9). Să luăm drept exemplu o impedanţă de sarcină normalizată aflată
la capătul liniei de transmisiuni zL = j. Dacă luăm în deschiderea
compasului acest punct şi originea diagramei Smith, iar apoi rotim
compasul în sensul deplasării spre generator (vezi figura 3.1.9 – în sens
invers sensului trigonometric), în momentul în care ajungem la abscisă
întâlnim primul maxim al tensiunii pe linie. Distanţa electrică parcursă pe
106
π λ
linie este de radiani, adică xmax = g = 0,125λ g (unde λg este lun-
2 8
gimea de undă în interiorul reţelei ghidante a liniei). Din figura 1.28
rezultă că distanţa dintre maxim şi minim (a tensiunii pe linie) este de
λg
, ceea ce corespunde cu deducţia teoretică din paragraful 1.9. Distanţa
4
λ λ
de la sarcină până la primul minim va fi de: xmin = g + g = 0,375λ g
8 2
3π
(adică radiani).
2
Observaţie!
Dacă sarcina are un caracter capacitiv, atunci se află poziţionată pe
diagrama Smith, în jumătatea de jos, iar primul întâlnit (păstrându-
se direcţia de rotaţie) este minimul tensiunii pe linie. În acest caz
lucrurile se inversează, minimul fiind mai aproape de sarcină decât
maximul corespunzător tensiunii.
Diagrama Smith, având un caracter general, este valabilă pentru
toate liniile de transmisiuni doar că trebuie să se ţină cont de
periodicitatea liniei ( în cazul liniei coaxiale este de π) în cazul altor
linii putând fi diferită, o rotaţie completă pe diagrama Smith
corespunde întotdeauna cu o lungime electrică egală cu perioada
funcţiei periodice a expresiei mărimilor armonice ce coexistă pe
linie (tensiune/curent sau câmp electric/magnetic).
• Reprezentarea rezistenţelor negative pe diagrama Smith
Zona aflată în exteriorul diagramei Smith corespunde coeficienţilor
de reflexie ce au modulul supraunitar. Acest lucru se explică prin faptul
că amplitudinea undei reflectate este mai mare decât a celei incidente.
Situaţia evidenţiază posibilitatea unei sarcini care amplifică unda
incidentă, lucru ce poate explica de ce uneori unda reflectată poate fi mai
mare decât cea incidentă. Acest fenomen nu apare pentru o sarcină cu
rezistenţă pozitivă, ci numai pentru o sarcină cu rezistenţă negativă.
Rezistenţa negativă corespunde amplificatorilor de RF, iar în acest caz se
poate depăşi limita impusă de circumferinţa celui mai mare cerc de
rezistenţă constantă, pentru care raza este unu.
107
În acest caz, diagrama Smith a fost modificată redefinindu-se cercul

cu diametrul maxim corespunzător unui coeficient de reflexie Γ = 3,16.
Centrul acestui cerc este marcat de intersecţia dreptelor din figura 3.1.10,
fiind acelaşi cu cel original. Totuşi, nu se mai poate vorbi de posibilitatea
de a reprezenta orice impedanţă de valoare negativă, aşa cum se întâmplă
cu impedanţele pozitive pe diagrama Smith. Extinderea diagramei Smith
în acest fel permite reprezentarea oricărui coeficient de reflexie, lucru ce
se constituie într-un avantaj. Utilizarea diagramei Smith modificate,
permite reprezentarea parametrilor de dispersie S şi în cazul studiului
oscilatoarelor de microunde, pentru care, în condiţii de instabilitate, se
poate trece la reprezentarea unor evoluţii ale sistemului oscilant în afara
diagramei Smith clasice. Diagrama Smith modificată, se generează pe
calculator cu programele de proiectare asistată, care deduc cercurile ce
descriu diagrama în funcţie de valorile ce urmează a fi reprezentate. În
felul acesta, scara de reprezentare este redusă pe cât posibil, obţinându-se
totodată o rezoluţie foarte bună.
Fig. 3.1.10. Diagrama Smith modificatã
108
3.2. Metoda de adaptare cu tronsoane de linii
• Metoda analitică
Această metodă este printre cele mai utilizate mai ales pentru
adaptarea impedanţelor complexe. Se utilizează un tronson de linie ce
shunt-ează linia principală (Stub – linii fără pierderi pentru care lungimea
devine comparabilă cu lungimea de undă, iar la un capăt linia poate fi în
gol sau în scurt). Efectul obţinut este remarcabil, acesta constând în
modificarea impedanţei de intrare Zin într-o gamă destul de mare.
Problema adaptării constă în determinarea prin calcul a lungimilor L1 şi
respectiv L2, reprezentate în figura 3.2.1, astfel că: yin = yS + yA = 1
(admitanţă normalizată, plasată în centrul diagramei Smith unde linia este
adaptată). Pentru ca egalitatea de mai sus să fie verificată, tronsonul de
linie este în scurt circuit sau terminat în gol, iar L2 va fi calculat în aşa fel
încât: yA = 1 + jb şi L1 pentru yS = –jb. Vom avea:
yin = yS + yA = 1, cu
y + j tgβL2
yA = L = 1 + jb şi yS = − jc tgβ L1 = − jb ,
1 + jyL tgβL 2
rezultând după separarea părţii reale şi imaginare că trebuie satisfăcută
ecuaţia:
( )
yL 1 + tg 2β L 2
+ j
( )
tgβ L 2 1 − yL2
= 1 + jctg ( β L1) (3.2.1).
1 + yL2 tg 2β L 2 1 + yL2 tg 2β L 2
Figura 3.2.1 arată foarte clar modul de conectare a tronsonului de
linie în scurt, dar totodată, este destul de greu de desenat, după cum se
vede în figura 3.2.1.a preferându-se o scriere simbolică mai simplă.
Aceasta este redesenată în figura 3.2.1.b pentru diferite moduri de
amplasare a liniei L1 cu reactanţa jB, linie care poate avea caracter
inductiv sau capacitiv (vezi figura 3.2.1.a), de shunt-ul de lungime L1.
Ecuaţia (3.2.1) este greu de abordat având mai multe soluţii. Numărul
soluţiilor poate fi micşorat dacă analiza se restrânge la două cazuri şi o
abordare separată pe caz. Această situaţie se evidenţiază în figura 3.2.1,
apărând un grad de incertitudine prin faptul că, liniile L1 sau L2 pot avea
un caracter capacitiv sau inductiv în funcţie de lungimea lor, lucru care
nu este evidenţiat în figură. Astfel, linia se comportă capacitiv dacă
lungimea ei este mai mică decât λ/4 şi inductiv între λ/4 şi λ/2. Acest
lucru creează ambiguităţi ce pot fi însă limitate prin abordarea simbolică
109
din figura 3.2.1.b, abordare ce reduce modul de implementare la două

cazuri distincte în funcţie de semnul lui B.
in A
L2
Z0 ZL
spre generator
scc
YS YA
Yin
L1
linie adaptată
a
L2
± jB ZL
Z0
b
Fig. 3.2.1. a – adaptarea cu tronson de linie terminat în scurt circuit (scc),
b – adaptarea cu tronson de linie în reprezentare simbolicã
Dacă se consideră o sarcină complexă cu admitanţa egală
1
cu: y L = = g L + jbL , formată din conductanţa normalizată g L şi
xL
susceptanţa normalizată a sarcinii notată cu bL , făcând substituţia lui y L
din ecuaţia (3.2.1) se poate determina lungimea liniilor, şi anume:
1
L2 = arctg ⎜ L L L[
⎛ b ± b 2 − g ( g − 1) + b 2 (1 − g ) ⎞
L L L ⎟ ]
(3.2.2),
β ⎜ g L ( g L − 1) + bL
2 ⎟
⎝ ⎠
110
⎛ ⎡b + tg ( βL ) ⎤ ⎡1 − b tg ( β L ) ⎤ − g 2 tg (β L ) ⎞
1
arccos ⎜ ⎣
2 ⎦⎣ 2 ⎦
L1 =
L L L 2
⎟ (3.2.3),
β ⎜ ⎡⎣ g L tg ( β L2 ) ⎤⎦ + ⎡⎣1 − BL tg ( β L2 ) ⎤⎦
2 2
⎟
⎝ ⎠
⎛ ⎡b + tg ( β L ) ⎤ ⎡1 − b tg ( β L ) ⎤ − g 2 tg (β L ) ⎞
1
L1 = arctg ⎜ − ⎣
2 ⎦⎣ 2 ⎦
L L L 2
⎟ (3.2.4).
⎜ ⎟
⎣⎡ g L tg ( β L2 ) ⎦⎤ + ⎣⎡1 − BL tg ( β L2 ) ⎦⎤
β 2 2
⎝ ⎠
Ecuaţia (3.2.3) este valabilă pentru linii stub scurtcircuitate la un
capăt pe când ecuaţia (3.2.4) pentru linia terminată în gol. O altă
abordare, dar cu un tronson de linie dispus în serie, este schiţată în figura
3.2.2. În acest caz, este mai bine să se aibă în vedere impedanţa de
intrare, mai degrabă decât admitanţa, tocmai datorită faptului că
elementele reactive, respectiv linia stub şi sarcina, sunt înseriate. În acest
caz, făcându-se raţionamentul în corespondenţă cu diagrama Smith, z L şi
z in sunt impedanţe normalizate. Se va considera ca în cazul precedent o
sarcină complexă de forma: zL = rL + jxL, iar atunci impedanţa la intrarea
z + jtg ( β L2 )
pe linie va fi: zin = L .
1 + jz L tg ( βL2 )
L2
jX
ZL
Zin
Fig. 3.2.2. Adaptarea cu linie stub dispusã în serie

În mod similar, pentru a realiza adaptarea, partea reală a impedanţei
de intrare normalizată z in , trebuie să fie egală cu unu (adică impedanţa
de intrare să fie egală cu impedanţa caracteristică a liniei de transmisie).
Rolul liniei stub în acest caz este de a neutraliza partea imaginară a
acestei impedanţe, fiind egală dar de semn opus acesteia. Aplicând
primul principiu, se va putea determina lungimea L2 astfel:
111
1
L2 = arctg ⎜ L L [L L ]
⎛ x ± x 2 − r (r − 1) + x 2 (1 − r ) ⎞
L L ⎟
(3.2.5.),
β ⎜
⎝
[ ]
rL (rL − 1) + x L2 ⎟
⎠
iar partea imaginară a impedanţei de intrare va fi:
xin = L
[ ]
[x + tg (βL2 )] 1 − x L tg (βL2 ) − rL2 tg (βL2 ) (3.2.6.).
[rL tg (βL2 )]2 + [1 − x L tg (βL2 )]2
Pentru determinarea lungimii liniei stub înseriate, se pune condiţia
a doua, de anulare a părţii imaginare a impedanţei de intrare z in . În con-
secinţă linia stub va anula xin dacă are semn opus acesteia. Va avea
astfel un caracter capacitiv (deci L1 < λ/4), dacă impedanţa de intrare are
un caracter inductiv şi invers (ceea ce implică λ/4 < L1 < λ/2), dacă
sarcina are caracter capacitiv. Lungimea liniei stub înseriate poate fi
determinată cu:
1
L1 = arccos ( xin ) , pentru circuitul terminat în scurt (3.2.7),
β
1
L1 = arctg ( − xin ) , pentru circuitul lăsat în gol (3.2.8.).
β
Funcţiile de mai sus sunt periodice, ca urmare condiţia de adaptare
se repetă din sfert în sfert de undă. Desigur, este preferabil alegerea unei
lungimi minime a liniilor stub, lucru ce asigură minimizarea pierderilor
pe linie.
• Metoda grafică
Metoda grafică utilizează diagrama Smith pentru determinarea
tronsoanelor L1 şi L2, putând fi structurată pe paşi, astfel:
Se determină impedanţa normalizată a sarcinii, iar apoi este
localizat punctul corespunzător acesteia pe diagrama Smith.
Se desenează cercul pentru care VSWR-ul este constant, cerc ce
trece prin ZL (determinat la punctul 1) şi care are centrul în originea
diagramei Smith. Dacă linia stub se doreşte a fi conectată în paralel, ne
vom deplasa un sfert de undă din punctul ZL efectuând o rotaţie cu 180°
pe diagrama Smith, cu plecare din zL. Punctul găsit este diametral opus
faţă de ZL, deci reprezintă admitanţa normalizată a sarcinii adică yL. În
cazul în care linia stub se doreşte a fi pusă în serie, nu facem rotaţia
descrisă mai sus, ci vom rămâne în zL.
Din punctul determinat la pasul 2 (zL-serie sau yL-paralel) ne vom
deplasa spre generator efectuând o rotaţie pe diagrama Smith urmărind
112
cercul de VSWR constant, până când acesta intersectează cercul de rezis-

tenţă r = 1 (ce trece întotdeauna prin mijlocul diagramei Smith). Distanţa
parcursă din punctul iniţial (zL-serie sau yL-paralel) până la cel căutat la
pasul 3, reprezintă chiar lungimea tronsonului L2, pe care o căutam.
Admitanţa corespunzătoare punctului determinat la pasul 3 este 1 + jb,
iar atunci va fi nevoie de o susceptanţă –jb plasată în paralel. Această
susceptanţă poate fi astfel aleasă încât se forţează o deplasare spre
mijlocul diagramei unde avem adaptare. Susceptanţa –jb poate fi
realizată cu o linie stub în scurt sau în gol.
Lungimea liniei stub necesară la pasul 4 se poate determina ţinând
cont de faptul că, dacă la un capăt va fi terminată în scurt sau în gol,
VSWR-ul va tinde la infinit. Acest loc geometric este determinat pe
diagrama Smith de cercul cu raza 1 (cel mai mare cerc de rezistenţă
constantă r = 0, ce are centrul în originea diagramei). Se identifică cercul
cu susceptanţa dorită, adică –jb, ce se va intersecta într-un punct cu cel
menţionat anterior. Distanţa dintre punctul găsit şi susceptanţa punctului
iniţial (determinat la pasul 3) reprezintă lungimea liniei L1.
Observaţie!
În cazul unui tronson de linie dispus în serie, paşii 4 şi 5 sunt
identici cu cei descrişi anterior doar că reactanţa normalizată se
schimbă cu susceptanţa normalizată.
Exemplu 3.2.1. O linie de transmisiuni fără pierderi, cu impedanţa
caracteristică Z0 = 100 Ω, este conectată la o sarcină ZL = 50 – j75 ca în
figura 3.2.3. O linie stub cu aceaşi impedanţă caracteristică de 100 Ω este
conectată în paralel la o distanţă L2 faţă de sarcină. Să se determine
valoarea minimă pentru L2 şi L1 astfel încât linia să fie adaptată la intrare.
Rezolvare:
Problema se poate rezolva prin metoda numerică (prezentată în
paragraful 3.2) sau prin metoda grafică cu ajutorul diagramei Smith. În
continuare se va aborda problema folosind ambele metode.
• Rezolvare prin metoda analitică
Se determină admitanţa normalizată yL corespunzătoare lui YL,
având în vedere că linia stub este în paralel, vom lucra cu admitanţe
(fiind mai avantajos pentru că acestea se adună).
Y Z 100
yL = L = 0 = = 0.6154 + j 0.9231 = bL + jg L
Y0 Z L 50 − j 75
113
Aplicând ecuaţia (3.2.2) obţinem cele două valori posibile pentru L2:
L2 =
λg
arctg ⎜ L L L L[
⎛ b ± b 2 − g ( g − 1) + b 2 (1 − g ) ⎞
L L ⎟ ]
.
2π ⎜
⎝
( )
g L g L − 1 + bL
2 ⎟
⎠
L2
L1
Fig. 3.2.3. Reţea de adaptare cu o singur linie stub în scc –

reprezentare simbolică
[ ]
Notânt cu Bg expresia g L ( g L − 1) + bL2 şi făcând înlocuirile vom
B
avea: Bg = 0,6154. Deci L2 se poate calcula astfel:

B
λg ⎛ − 0,75 + (− 0,75)2 − 0,6154(1 − 0,5) ⎞

L2 = arctg ⎜ ⎟ = 0,1949λ
2π ⎜ 0,6154 ⎟ g
⎝ ⎠
λg ⎛ − 0,75 − (− 0,75)2 − 0,6154(1 − 0,5) ⎞
L2 = arctg ⎜ ⎟ = 0,0353λ
2π ⎜ 0,6154 ⎟ g
⎝ ⎠
La distanţa L2 = 0,1949λg de sarcină, partea reală a admitanţei
normalizate este 1, iar partea imaginară va fi:
⎡⎣bL + tg ( β L2 ) ⎤⎦ ⎡⎣1 − bL tg ( βL2 ) ⎤⎦ − g L2 tg ( β L2 )
= −1, 2748 .
⎡⎣ g L tg ( βL2 ) ⎤⎦ + ⎡⎣1 − BL tg ( β L2 ) ⎤⎦
2 2
Pentru anihilarea efectului ei avem nevoie de o linie stub cu

caracter invers ce oferă susceptanţa j1,2748. Utilizând ecuaţia (3.2.3),
vom obţine lungimea tronsonului:
1
L1 = arccos ( −1, 2748 ) = 0 ,3941λ g .
β
Dacă se alege L2 = 0,0353λg, admitanţa normalizată corespun-
zătoare acestei distanţe este 1 + j1,2748; aplicând aceeaşi formulă, tron-
sonul de linie oferă susceptanţa –j1,2748, iar prin efect invers pentru
anularea părţii imaginare a admitanţei de intrare pe linie avem un
114
1
tronson: L1 = arccos (1, 2748 ) = 0,1059λ g . Sunt, după cum se vede,
β
două soluţii, dar cea pe care o vom alege va minimiza lungimile L1 şi L2
aşa cum se cere în enunţul problemei.
• Rezolvare prin metoda graficã (utilizându-se diagrama
Smith)
Pasul 1. Se trece la determinarea impedanţei normalizate:
50 − j 75
zL = = 0 ,5 − j 0 ,75 .
100
Pasul 2. Se localizează punctul de pe diagrama Smith cores-
punzător impedanţei normalizate determinate la punctul 1, apoi se
trasează cercul de VSWR constant ce trece prin acest punct şi are centrul
în originea diagramei Smith (figura 3.2.4).
zL
Fig. 3.2.4. Reţea de adaptare cu o singurã linie stub în scurt-pasul 2

Pasul 3. Se determină poziţia punctului diametral opus celui deter-
minat la punctul 1, corespunzător admitanţei normalizate: yL = 0,62 + j 0,91
(vezi figura 3.2.5.b).
115
yL
yL
zL
b
Fig. 3.2.5. Reţea de adaptare cu un singur tronson de
linie terminat în scurt – pasul 3
Observaţie!
Datorită faptului că se va face adaptarea cu ajutorul unui tronson
plasat în paralel cu linia de transmisie este recomandat să lucrăm cu
116
admitanţe (care fiind puse în paralel se pot aduna cum s-a mai
afirmat). Din acest motiv, este nevoie de admitanţa YL care
corespunde sarcinii, valoare care este imposibil de citit pe o
diagramă Smith de tip X, pe care sunt reprezentate doar cercurile de
reactanţă constantă. Astfel, există două metode de citire a
admitanţei şi anume: rotirea diagramei Smith cu 180° ca în figura
3.2.5.a şi citirea directă a admitanţei YL sau pornind de la ideea
simetriei cercurilor de reactanţă constantă cu cele de susceptanţă
constantă. Pornind de la această simetrie, se poate determina
admitanţa corespunzătoare oricărei impedanţe reprezentate pe
diagramă prin determinarea punctului diametral opus (figura
3.2.5.b). În ambele situaţii, valoarea determinată pentru YL este
aceaşi. Desigur că prima opţiune prezentată în figura 3.2.5.a,
presupune utilizarea unei diagrame Smith YX sau utilizarea unei
diagrame Smith normale X şi a alteia Y desenată la aceaşi scară cu
prima, dar pe o folie transparentă (folia ce reprezintă diagrama Y se
va suprapune peste diagrama X reprezentată pe hârtie normală şi
apoi se roteşte).
Pasul 4. Se localizează punctele aparţinătoare cercului de VSWR
constant, pentru care partea reală a admitanţei este egală cu 1. Există
două astfel de puncte care satisfac această condiţie, puncte ce se află la
intersecţia dintre cercul de VSWR constant desenat în figura 3.2.6.b cu
linie punctată şi cercul de rezistenţă constantă r = 1. Punctul notat cu A
indică admitanţa normalizată, adică: yA = 1 + j 1,3 (vezi figura 3.2.6.b)
respectiv 1 – j 1,3 (notat cu B în aceaşi figură). Aceste admitanţe se
determină astfel: pe o diagramă Smith de tip X (figura 3.2.6.b) sau prin
citire directă fără rotaţie de 180°, pe o diagramă Smith de tip Y (figura
3.2.6.a).
Observaţie!
Diagramele Smith de tip X sunt acelea pentru care sunt desenate
numai cercurile de rezistenţă constantă şi cercurile de reactanţă
constantă X = ct. Diagramele de tip Y includ numai cercurile de
admitanţă şi respectiv susceptanţă constantă. Unele diagrame,
numite diagrame Smith de tip XY sau YX, includ toate cele patru
familii de cercuri: rezistenţă, reactanţă, conductanţă şi susceptanţă
constantă, dar necesită o reprezentare color, pentru o mai bună
117
distingere. Din acest motiv sunt mai rar utilizate şi din cauza
faptului că sunt mult mai multe cercuri, fiind mai greu de citit.
A
yL
yL
A
B
zL
b
Fig. 3.2.6. Reţea de adaptare cu un singur tronson
de linie terminat în scurt – pasul 4
118
Pasul 5. Distanţa L2 este echivalentă cu drumul parcurs pe

diagrama Smith de la admitanţa determinată la pasul 3, la punctul A
(urmând drumul cel mai scurt), pe cercul de VSWR constant desenat cu
linie punctată. Deplasarea pe cercul de VSWR constant, presupune o
deplasare efectivă pe linia de transmisie de la sarcină (yL) la un punct A
(yA), în care admitanţa văzută “privind” spre sarcină este: yA = 1 + j 1,3.
În acest punct se va amplasa tronsonul, care din acest punct, va putea
anula efectul susceptanţei lui yA în aşa fel încât, în continuare, de-a lungul
liniei principale până la generator, admitanţa să rămână y = 1. L2 se
determină pe diagrama Smith, pornind de la observaţia că o rotaţie
completă pe diagramă este echivalentă cu o deplasare pe linie de λg/2.
Atunci, o deplasare din punctul YL în punctul A (pe drumul cel mai scurt),
implică un unghi α determinat de: yL , centrul diagramei Smith şi punctul
α λg
A. Astfel, L2 va fi determinat cu: L2 = (figura 3.2.7).
720
0,125 λ P(0,134λ)
M(0,17λ)
yL
A
α
0λ 0,25 λ
0.329λ
0,375 λ
O altă metodă este să citim valorile în multipli de λg din dreptul
punctelor P şi M (vezi figura 3.2.7) înscrise chiar pe marginea diagramei.
Putem face diferenţa între cele două valori în modul. În felul acesta, L2 va
119
fi: (0,17 – 0,134)λg = 0,036 λg. În cazul în care punctul B este cel
considerat, vom avea: L2 = (0,329 – 0,134) λg = 0,195 λg.
Pasul 6. Pentru a anula efectul părţii imaginare a admitanţei
punctului A (+j 1,3), se va plasa în paralel în acest punct al liniei o
susceptanţă –j 1,3. Această susceptanţă este simulată de o linie Stub scurt
circuitată la un capăt.
0,125 λg
j 1,3 => 0,146 λg
Gol Scc
0 λg 0,25 λg
-j 1,3 => 0,146 λg

0,375 λg U
Se va localiza pe diagrama Smith punctul –j 1,3, iar din acest punct
ne vom deplasa pe cercul de rezistenţă constantă r = 0 spre sarcină (adică
în sens trigonometric – vezi figura 3.2.8). Acest sens de rotaţie se explică
prin faptul că, simulând deplasarea pe tronsonul de linie, ne îndreptăm
spre scurt circuitul produs la celălalt capăt, deci spre o sarcină. Lungimea
L1, corespunzătoare liniei Stub puse în paralel în punctul A cu tronsonul
principal, va fi determinată de pe diagrama Smith ca fiind echivalentă cu
drumul parcurs din U (vezi figura 3.2.8) până în punctul în care
admitanţa este infinită (capătul liniei Stub care este în scc). Diferenţa
dintre cele două puncte de pe diagrama Smith se ia în modul ca în pasul
anterior, adică: L1 = (0,25 – 0,146) λg = 0,104 λg (unde λg este lungimea
de undă pe linia de transmisie).
120
YA sau YB
Y0
Spre generator W
L2
(linia poate fi oricât de lungă)
L1
Tronson principal YL
W (linia microstrip cu
în secţiune
Z0 = 100 Ω)
transversal
Tronson secundar în paralel (linia Stub

cu Z0 = 100 Ω)

linie terminat în scurt – realizată în tehnologie microstrip
Dacă luăm ca punct de referinţă pe B din figura 3.2.7, atunci vom
pleca din j1,3 pe cercul r = 0 spre sarcină, rotind compasul în sens
trigonometric până ajungem în punctul scc din figura 3.2.8. În această
situaţie, linia Stub va fi mai lungă decât în cazul precedent, adică va avea
lungimea: L2 = (0,25 + 0,146) λg = 0,396 λg. Efectul liniei Stub şi într-un
caz şi în celălalt, este de a forţa saltul din punctul A sau B, de pe cercul de
VSWR constant, în centrul diagramei Smith, acolo unde avem adaptare.
Fig. 3.2.10. Interfaţa programului AppCAD de calcul a

parametrilor liniei microstrip
121
În figura 3.2.9 este prezentată linia de adaptare implementată în

tehnologie microstrip. Toate lungimile, respectiv L1 şi L2 au fost
determinate anterior. Pentru a obţine impedanţa caracteristică de 100 Ω,
se poate alege ca dielectric aerul, iar atunci se va căuta cu ajutorul
programului de proiectare AppCAD lăţimea W a liniei pentru care se
obţine această impedanţă caracteristică. După cum rezultă din interfaţa
programului, prezentată în figura 3.2.10, W = 1,75 mm pentru o grosime
a substratului dielectric de 1,2 mm. Această impedanţă este posibil de
implementat, dar pentru valori mai mari pot să apară probleme. Cu cât
impedanţa caracteristică este mai mare, cu atât lăţimea şi grosimea liniei
trebuie să fie mai mică, pentru acelaşi material dielectric. Este uşor de
intuit că există limite tehnologice pentru această tehnologie şi sunt
undeva între 10 Ω şi 300 Ω, pentru obţinerea unei impedanţe
caracteristice dorite. Peste limita de 300 Ω, linia ar fi mult prea subţire,
lucru care ar implica tehnologii mai scumpe.
3.3. Metoda de adaptare cu două tronsoane de linie

(double Stub maching)
Metoda liniilor duble, implică plasarea primului tronson la o

anumită distanţă faţă de sarcină. Acest lucru restrânge foarte mult
domeniul de valori ale sarcinii. Metoda este mult mai greu de aplicat, dar
oferă avantaje faţă de metodele precedente referitor la banda largă în care
se oferă adaptarea. Vom presupune că prima linie Stub se află la distanţa
L faţă de sarcină, iar lungimea ei este L1, respectiv L2 pentru cea de-a
doua. Distanţa dintre cele două linii o vom nota cu d. Se va lucra la fel ca
în cazul precedent, cu admitanţe, aşa că impedanţa sarcinii ZL = R + j X
se transformă în YL = G + j B. Lucrăm cu impedanţe şi, respectiv, admi-
Z Z
tanţe normalizate, astfel că: z L = L şi y L = 0 .
Z0 ZL
• Metoda analitică
Desenul simbolic al liniei este ilustrat în figura 3.3.1, fiind mai uşor
de înţeles. Săgeţile indică punctele în care sunt măsuraţi parametrii liniei
privind în direcţia specificată de săgeată. Admitanţa văzută de pe
tronsonul principal de admitanţă caracteristică Y0, privind din punctul A
spre sarcină, este YA (figura 3.6.1). Fiind plasată la distanţa L faţă de
sarcină, vom avea:
122
y L + jtg (β L )
yA = = g A + jb A (3.3.1.)
1 + jy L tg (β L )
Această admitanţă YA apare în paralel cu susceptanţa primei linii
Stub de lungime L1. În felul acesta, în punctul A va rezulta o admitanţă
echivalentă, egală cu suma celor două şi anume: Y Aech = Y A + jB1 .
Aceasta va afecta numai partea imaginară a admitanţei, lucru ce ne
permite să exprimăm admitanţa echivalentă normalizată din punctul B,
astfel:
y A + j ( b1 + tg ( βd ) )
yBech = + jb2 = 1 ,
1 + j ( y A + jb1 ) tg ( βd )
unde b1 şi, respectiv b2 reprezintă susceptanţele normalizate ale lui B1 şi B2. B B
YB B YA A
d L
YL = GL + jBL
L2
jB2 L1
jB1
Fig. 3.3.1. Adaptare cu două tronsoane de linie

Partea imaginară nu contează în această egalitate, aceasta fiind
zero, iar egalitatea implică:
g A2 tg 2 ( β d ) − g A ⎡⎣1 + tg 2 ( β d ) ⎤⎦ + ⎡⎣1 − ( bA − b1 ) tg ( β d ) ⎤⎦ = 0 (3.3.2.)
2
Din moment ce conductanţa oricărui element pasiv (consumator de

energie) este întotdeauna pozitivă, pentru ca adaptarea cu două linii Stub
să fie posibilă, trebuie satisfăcută condiţia: 0 ≤ g A ≤ cosec 2 ( β d ) (aceasta
fiind, de fapt, condiţia ce restrânge domeniul de valori posibile ale
sarcinii). Dacă condiţia este îndeplinită, pot fi găsite următoarele soluţii:
b1 = ctg (β d )⎡1 − b A tg (βd ) ± g A sec 2 (β d ) − [g A tg (β d )] ⎤ (3.3.3.)
2
⎢⎣ ⎥⎦
123
Iar susceptanţa celui de al II-lea tronson va putea fi determinată cu:

g A2 tg ( β d ) − ⎡⎣bA + b1 + tg ( β d ) ⎤⎦ ⎡⎣1 − ( bA + b1 ) tg (β d ) ⎤⎦
b2 = (3.3.4.)
⎡⎣ g A tg ( βd ) ⎤⎦ + ⎡⎣1 − ( bA + b1 ) tg ( β d ) ⎤⎦
2 2
După ce s-au determinat susceptanţele celor două tronsoane, se

poate trece la pasul final, adică la calcularea lungimii acestora, anume:
1
L1 = arcctg ( −b1 ) (3.3.5)
β
1
şi L2 = arcctg ( −b2 ) (3.3.6.)
β
• Metoda grafică
Metoda grafică cu două linii Stub implică nişte paşi operatori exact
ca şi în cazul adaptării cu o singură linie. Aceşti paşi sunt:
1. Se localizează pe diagrama Smith impedanţa normalizată, apoi se
desenează cercul de VSWR constant ce trece prin acest punct. Se
determină apoi punctul corespunzător admitanţei yL.
2. Se roteşte cercul de conductanţă constantă g = 1 în sensul acelor
de ceasornic cu 2βL în jurul originii diagramei Smith. În
interiorul cercului rotit va fi zona interzisă, adică orice admitanţă
ce se doreşte a fi adaptată trebuie să fie obligatoriu în afara
acestei zone.
3. Din punctul yL pe diagramă ne deplasăm spre generator (în
sensul acelor de ceasornic) pe cercul de VSWR constant,
corespunzător unei deplasări cu 2βL pe linia principală de
transmisie. Punctul determinat îl notăm pe diagramă cu A şi are
admitanţa normalizată yA = gA + jbA. Ne deplasăm pe cercul de
rezistenţă constantă ce trece prin yA până în momentul în care
întâlnim cercul de conductanţă constantă g = 1, rotit cu 2βL.
Sunt cel puţin două puncte care satisfac această condiţie, sensul
de parcurgere neavând practic importanţă. Se citeşte admitanţa
normalizată a primului punct găsit fie ea: gA + j b1 (punctul A).
4. Susceptanţa normalizată a primului tronson care intervine în
acest punct va fi determinată astfel: j (b1 – b).
5. Se desenează cercul de VSWR constant care trece prin punctul
determinat de gA + jb1, iar apoi din acest punct ne deplasăm pe
cercul trasat, în sensul acelor ceasornicului cu exact 2βL faţă de
punctul de plecare. Punctul determinat „cade” exact pe cercul de
124
conductanţă constantă g = 1 fie el: 1 + jb2. Susceptanţa cerută

ultimului tronson de linie ce va fi la rându-i plasat chiar în acest
punct, va fi egală cu –jb2.
6. Odată ce se cunosc valorile susceptanţelor, lungimea tronsoane-
lor de linie se calculează cu metoda descrisă anterior ca în cazul
adaptării, cu un singur tronson.
Exemplu 3.3.1. Să se proiecteze un adaptor de impedanţă cu două
linii Stub astfel încât lungimea acestora să fie minimă.
Se cunoaşte : ZL, L, d, Z0 (vezi figura 3.3.2) şi se cere L1 şi L2.
YB B d= YA A L=
λ/8 λ/8
Z0= 50 Ω ZL = 100 + j50 Ω

Z0= 50 Ω
L2
jB2 L1
jB1
Fig. 3.3.2. Adaptare cu două tronsoane de linie – vezi exemplu 3.3.1

• Rezolvare prin metoda grafică (utilizând diagrama Smith)
Pasul 1. Se normalizează impedanţa de sarcină astfel încât zL = 2 + j.
Se localizează impedanţa zL pe diagrama Smith (vezi figura 3.3.3) şi se
desenează cercul de VSWR constant ce trece prin punctul zL (cerc desenat
cu linie punctată în figura 3.3.3). Presupunem că dispunem de o diagramă
Smith normală (de tip X) şi vom lucra cu admitanţe normalizate.
Avantajul lucrului cu admitanţe a fost explicat, aşa că vom trece la
determinarea lui yL ca fiind punctul diametral opus lui zL. Aşa cum s-a
precizat în paragraful 3.2.1 putem în felul acesta lucra cu admitanţe pe o
diagramă de tip X (vezi exemplul 3.2.1). În acest caz, admitanţa sarcinii
va fi: yL = 0,4 – j0,2 fiind plasată în zona cu caracter capacitiv. Practic,
vom pleca din acest punct, yL fiind considerat punct de referinţă. Puteam
pleca din xL, dar numai dacă foloseam o diagramă de tip Y. În cazul
diagramei de tip X nu le putem citi direct, aşa că, ne vom deplasa în yL
125
printr-o rotaţie cu 180°. Acestui punct îi corespunde o impedanţă egală

cu admitanţa sarcinii.
zL
yL
Fig. 3.3.3. Reţea de adaptare cu două tronsoane de linie

terminate în scurt – pasul 1
zona interzisă
zL
yL

terminate în scurt – pasul 2
126
Pasul 2. Cercul de conductanţă constantă g = 1 se va roti în sensul

acelor de ceasornic în jurul originii diagramei Smith (punctul notat cu O
π
în figura 3.3.4) cu 2β d = . Apare definită zona interzisă după cum se
2
observă în figura 3.3.4, aceasta, este delimitată de cercul de conductanţă
constantă g = 1 rotit cu 90° în jurul originii O. Orice impedanţă de
sarcină ce se doreşte a fi adaptată, nu trebuie să fie plasată în interiorul
acestei regiuni.
Pasul 3. Vom efectua o deplasare din punctul yL pe cercul de
VSWR constant în sensul acelor de ceasornic (spre generator), echivalentă
cu o deplasare pe linia de transmisie egală cu L (λ/8), adică exact distanţa
dintre sarcină şi primul tronson (vezi figura 3.3.2). Aceasta implică desi-
gur o rotaţie de 90°, găsindu-se punctul A de admitanţă yA = 0,5 + j0,5.
Din punctul yA (desenat cu roz) ne vom deplasa pe cercul de rezistenţă
constantă r = 0,5, până în momentul întâlnirii cercului de conductanţă
constantă g = 1 rotit cu 90° (desenat cu linie punctată în figura 3.3.5).
După cum se vede în figură, există două posibilităţi ce implică
determinarea a două puncte diferite a1 şi a2 (desenate cu roşu – vezi CD).
a2 ya2
A yA
zL
0,25λ
a1 ya1
0
90
O
yL
–j0,37
0,056λ
–j0,72
0,099λ

terminate în scurt – paşii 3 şi 4
127
Dacă punctul a1 este ales ca punct de referinţă, atunci susceptanţa

primului tronson trebuie să fie egală cu: ja1 = ( j 0,13 − j 0,5) = − j 0,37
unde j0,13 este susceptanţa punctului a1, iar j0,5 este susceptanţa
punctului A din care s-a plecat. Dacă se alege ca referinţă punctul a2,
atunci susceptanţa primei linii Stub va fi: ja 2 = ( j1,86 − j 0,5) = j 1,36
unde j1,86 este susceptanţa punctului a2.
Pasul 4. În continuare, considerăm ca referinţă punctul a1, iar atunci
susceptanţa primului tronson este de –j0,37. Localizăm pe diagrama
Smith acest punct, apoi din –j0,37 facem o rotaţie pe cercul de rezistenţă
constantă r = 0 spre sarcină (în sens trigonometric – vezi figura 3.3.5)
până în punctul în care y tinde la infinit (G (scc) portocaliu – Atenţie!
Lucrând cu admitanţe în acest punct linia este terminată în scurt). Acest
punct corespunde capătului tronsonului ce este terminat în scurt, deci are
admitanţa infinită. Lungimea primului tronson este: L1 = (0,25 –
0,056)λ = 0,194 λ. În mod similar, considerând ca punct de plecare
punctul a2, avem: L1 = (0,15 + 0,25) λ = 0,4 λ pentru o susceptanţă
echivalentă j1,36.
Pasul 5. Se va desena cercul de VSWR constant ce va trece prin
punctul a1 şi a2, apoi din a1 pe acest cerc de VSVR constant, ne deplasăm
a2 ya2
Ba1
B
a1 ya1 90 0 G
j0 0,25λ
0λ O scc.
Ba2
–j0,37
B
0,056λ
–j0,72
0,099λ

terminate în scurt – paşii 5 şi 6
128
spre generator cu d = λ/4 adică facem o rotaţie de 90°, ajungând în final

în punctul Ba1 (figura 3.3.6).
Legând în paralel primul tronson, s-a forţat modificarea VSWR-ului
pe linie, lucru ce implică, pe diagrama Smith, saltul din punctul A (figura
3.3.5) în punctul a1, respectiv din A în a2. Deplasarea pe cercul de
rezistenţă constantă pentru efectuarea acestui salt, se explică prin faptul
că, legând în paralel un tronson terminat în scurt, impedanţa acestuia este
pur imaginară, lucru ce determină modificarea numai a reactanţei şi
susceptanţei pe linie în punctul A (din figura 3.3.2) fără a modifica partea
reală (r = 0,5 rezistenţa rămânând constantă pe linie în A după legarea
tronsonului L1). Efectul primului tronson apare ca şi cum s-ar modifica
valoarea sarcinii, lucru ce determină saltul de pe un cerc de VSWR
constant pe altul. Punctele a1 sau a2 determinate de efectul primului
tronson sunt alese astfel încât, făcând o rotaţie de 90° (determinată de
distanţa dintre cele două linii Stub), să ajungem pe cercul cu rezistenţă
constantă r = 1 (în punctele BA1, respectiv Ba2). Susceptanţa punctului Ba1
B B B
este j0,37, pe când conductanţa sa, obligatoriu va fi 1. Susceptanţa

punctului Ba2 este –j1,36, şi conductanţa sa este 1. Punctele Ba1 şi Ba2 de
B B B
pe diagrama Smith corespund punctului B din figura 3.3.2. Dacă vom lua
ca referinţă punctul Ba1 vom avea în B (din figura 3.3.2) admitanţa
B
y = 1 + j0,72, iar pentru Ba2, respectiv y = 1 – j2,7. În punctul B din

B
figura 3.3.2 se plasează al doilea tronson (L2), care va anula efectul

susceptanţei lui y.
Pasul 6. Ultimul pas constă în determinarea lungimii tronsonului
de linie (L2) plasat în punctul B din figura 3.3.2, punct căruia pe diagramă
îi corespunde Ba1 sau Ba2. Rolul tronsonului este de a anihila susceptanţa
B
–j2,7 (dacă se consideră punctul Ba2 drept referinţă) prin forţarea unei
B
susceptanţe egale, dar de semn opus, adică: j2,7. Se localizează pe dia-

gramă această susceptanţă şi se face o rotaţie în sens trigonometric (spre
sarcină) până se ajunge în punctul G, unde y = 0 (iar linia este terminată
în scurt – figura 3.3.6). Operaţia este identică cu cea descrisă anterior în
cazul adaptării cu un singur tronson. Aceasta implică L2 = (0,25 – 0,099)λ =
= 0,15λ dacă se ia ca referinţă punctul Ba1 şi L2 = 0,44λ pentru punctul
B
Ba2. Problema pretinde alegerea celor mai scurte linii, deci alegerea
B
corectă este: L1 = 0,194λ şi L2 = 0,15λ, iar desenul adaptorului proiectat

este prezent în figura 3.3.7.
Alegerea unor tronsoanelor lungi implică acelaşi efect, adică
adaptarea impedanţelor de la capete, dar scade factorul de calitate al
129
adaptorului. Acest lucru poate fi exploatat pentru creşterea benzii de

frecvenţă în care este asigurată adaptarea.
Tronson principal
(Z0 = 100 Ω)
Spre generator (linia
poate fi oricât de Y0 YA sau YB
W
lungă)
lăţimea
λ/4 λ/4 YL
W L2 L1
Tronsoane secundare
în paralel, terminate
în scurt la capete
( Z0 = 100 Ω)
Fig. 3.3.7. Reţea de adaptare cu două tronsoane de linie –

în tehnologie microstrip
3.4. Metoda grafică cu parametri concentraţi
Metoda grafică utilizată la adaptarea impedanţelor are în vedere

proprietăţile diagramei Smith în analiza liniilor. Astfel, se evidenţiază
încă o dată importanţa covârşitoare a diagramei Smith în analiza liniilor
de microunde de orice fel. Analiza se bazează pe observaţia că deplasarea
pe diagrama Smith prin rotirea compasului este echivalată simbolic cu
deplasarea efectivă pe linie. Se trage atunci concluzia că se pot găsi
trasee pe diagramă ce echivalează cu interpunerea unei linii Stub sau a
unor componente capacitive ori inductive, în serie sau paralel cu linia de
transmisie. Liniile Stub în gol sau scurt circuit se comportă inductiv sau
capacitiv şi ca urmare traseul echivalent, urmat pe diagramă, nu mai
corespunde cu acela al cercului de VSWR constant, ca în cazul liniei
obişnuite. De-a lungul unei bobine, modulul coeficientului de reflexie nu
mai poate rămâne constant aşa cum se întâmplă de-a lungul liniei de
Z − Z0
transmisie omogene, impedanţa ZL modificându-se ( ΓL = L ) de la
ZL + Z0
un capăt spre celălalt al bobinei. La o linie omogenă, acest lucru nu se
130
întâmplă, deoarece impedanţa sarcinii rămâne constantă (ZL = ct.). Dacă

analizăm puţin prima ecuaţie utilizată la desenarea cercurilor de
rezistenţă constantă pe diagrama Smith, avem posibilitatea să observăm
că, dacă r = ct. – vezi ecuaţia (3.4.1), se determină deplasarea pe unul
dintre cercurile de rezistenţă constantă prin variaţia coeficientului de
reflexie Γ = Γr + jΓi – vezi ecuaţia (3.1.1).
2
⎛ r ⎞ 1
⎜ Γr − ⎟ + Γi =
2
(3.4.1)
⎝ 1+ r ⎠ (1 + r )2
Putem vizualiza această deplasare în figura 3.4.1 plecând din
punctul A spre punctul B, pe cercul de rezistenţă constantă r = 0,5 (acest
cerc este marcat cu o linie punctată subţire). În punctul A impedanţa este
pur rezistivă, iar în punctul B acesteia i se adaugă şi o componentă
inductivă de reactanţă j0,5. Acelaşi efect se poate obţine prin înserierea
unei inductanţe ideale la o rezistenţă: zB = r + jb = 0,5 + j0,5. Rezultă că,
B
în cazul deplasării din punctul A în C, practic, efectul este echivalent cu

înserierea unei capacităţi la rezistenţa sarcinii. Lucrul acesta se explică
datorită reactanţei negative obţinute, partea imaginară adăugată rezisten-
ţei sarcinii având valoare negativă adică –j0,5.
Гi
A O Гr
Fig. 3.4.1. Adaptare de impedanţã pe diagrama Smith

La deplasarea din punctul B în punctul O (originea diagramei
Smith), ne deplasăm practic pe cercul de admitanţă constantă g = 1,
modificând numai susceptanţa. Efectul obţinut este similar cu amplasarea
131
în paralel a unei capacităţi. Idem pentru drumul parcurs pe diagramă de la

O la B, echivalent cu plasarea în paralel a unei bobine. Observaţiile de
mai sus sunt şi mai bine evidenţiate de desenele din figura 3.4.2, figură
care sintetizează cele afirmate. Este bine de remarcat că se pot folosi mai
multe componente reactive combinate. Astfel, o bobină în serie cu
sarcina se poate combina cu un condensator în paralel.
b
Fig. 3.4.2. Deplasarea pe cercurile de rezistenţă constantă
132
Efectul acestei combinaţii ar determina parcurgerea cercurilor r =

ct., cât şi g = ct. Această abordare determină posibilitatea găsirii a cel
puţin două drumuri posibile pe diagrama Smith, drumuri ce vor duce spre
centrul diagramei, acolo unde linia este adaptată. Altfel spus, să
presupunem că avem o linie cu impedanţa caracteristică Z0 ce trebuie
adaptată la o sarcină complexă ZL, cu un caracter inductiv (vezi figura
3.4.3). Se pleacă din ZL (spre generator – figura 3.4.4), din punctul A spre
B. Punctul B din figura 3.4.4 se află la intersecţia cercului de rezistenţă
constantă ce trece prin A (punct determinat de ZA) şi cercul de suscep-
tanţă constantă ce trece prin originea diagramei Smith. Acest cerc de sus-
ceptanţă constantă este a II-a variantă de drum ce ne va conduce spre
centrul diagramei acolo unde vrem de fapt să ajungem.
ZC ZB
C B A
ZL
Fig. 3.4.3. Adaptare cu douã componente reactive prin metoda graficã
Fig. 3.4.4. Parcurgerea diagramei Smith pentru adaptarea liniei la sarcinã
133
În punctul C linia de transmisie este adaptată, adică impedanţa în C va fi egală

cu impedanţa caracteristică a liniei. În punctul B, impedanţa văzută spre sarcină
este: ZB = ZA + jωL, iar în C va fi Z0, asigurându-se adaptarea dorită.
B
Exemplu 3.4.1. Să se realizeze adaptarea unei impedanţe

normalizate zL = 0,5 + j2 Ω la impedanţa caracteristică a liniei utilizând
diagrama Smith din figura 3.4.6.b. Frecvenţa de lucru este de 500 MHz,
iar impedanţa caracteristică a liniei este 50 Ω.
Rezolvare:
Pasul 1. Se localizează pe diagrama Smith, reprezentată în figura
3.4.6.b impedanţa zL. După cum se vede, este situată pe cercul de
rezistenţă constantă r = 0,5, cerc pe care ne vom deplasa până vom întâlni
cercul de conductanţă constantă g = 1. Deplasarea din A în B implică
scăderea reactanţei de la xA = 2j la xB = 0,5j, cu o variaţie negativă dx =
B
xB – xA = –1,5j. Din cauza caracterului capacitiv (jdx < 0), avem de-a face
B
cu un condensator plasat în serie cu sarcina.

Pasul 2. Din punctul B ne deplasăm pe cercul de conductanţă
constantă, ce ne va conduce spre centrul diagramei Smith, unde linia se
adaptează. Trecerea din B în O implică variaţia susceptanţei de la
valoarea –j (punct indicat de imaginea punctului B faţă de centrul O al
diagramei) la zero. Variaţia susceptanţei este db = 0j – (–j) = j, adică o
variaţie corespunzătoare plasării unui condensator derivaţie (paralel),
plasat în punctul B.
Pasul 3. Vom calcula valoarea capacităţii serie:
−j
= −1,5 j , adică C1 = 4, 2 pF .
2πf C1 50
Pasul 4. Se va calcula capacitatea paralel:
j 2πf C2 50 = j , de unde C2 = 6,3 pF .
C1= 4,2 pF
C2= 6,3 pF ZL=25+j200 Ω
Zin = 50 Ω
Fig. 3.4.5. Adaptare cu elemente distribuite
134
Adaptorul cu elemente distribuite este desenat în figura 3.4.5.
IB
r=1
O
yL A
A
zL
B
g=1 O
IB
b
Fig. 3.4.6. Adaptare cu elemente distribuite:
a – diagrama Y, b – diagrama X
135
Exemplu 3.4.2. Să se realizeze adaptarea unei admitanţe

normalizate yL = 0,5 + j la o linie cu admitanţa caracteristică Y0 = 0,02 s.
Frecvenţa de lucru pe linie este de 500 MHz.
Rezolvare:
Pasul 1. Se localizează admitanţa pe diagrama Smith de tip Y din
figura 3.4.6.a. Din punctul A (ne aflăm chiar pe sarcină) ne vom deplasa
pe cercul g = 0,5 până în B. Acest drum (pe care l-am ales) corespunde
plasării în paralel cu sarcina a unei bobine j db = bb – bA = (0,5 -1)j = –0,5j
(o susceptanţă negativă caracterizează o bobină).
Pasul 2. Din punctul B, care se află obligatoriu pe cercul r = 1 ne
deplasăm spre centrul diagramei Smith (punctul O). Vom avea relaţia:
j dx = (0 – (–1))j, deci tot o bobină, dar plasată în serie.
Pasul 3. Se calculează valoarea bobinei paralel:
− j 50
= −0,5 j , adică L1 = 31nH .
2π f L1
Pasul 4 – Se calculează valoarea bobinei serie:
j 2πf L2
= j , adică L2 = 15nH .
50
Observaţie!
Pentru o precizie mai bună se va folosi o diagramă Smith mai mare
(vezi la adresa: http://www.circuitsage.com/matching/smith_c.pdf ).
3.5.Metoda liniilor în sfert de undă
După cum s-a afirmat în paragraful 1.8, în cazul impedanţelor

complexe, adaptarea devine posibilă cu linii în sfert de undă. Metoda
poate fi aplicată în cazul impedanţelor reale pozitive. Dacă dorim ca Zin =
Z0, se poate utiliza o linie în sfert de undă cu impedanţa caracteristică Z0T
(aici T-ul este prescurtarea de la “tronson” de linie) astfel că :
Z + jZ 0T tgβ L
Z in = Z 0T L ,
Z 0T + jZ L tgβ L
iar dacă L = λ/4, adică βL = π/2, atunci Z 0T = Z in Z L . În figura 3.5.1,
este ilustrat modul în care, cunoscând impedanţa ZL şi Z0T, se poate
136
deduce impedanţa de intrare Zin. Impedanţele zL şi zin sunt impedanţele

Z Z
normalizate: z in = in , z L = L .
Z 0T Z 0T
Se vede cum linia în sfert de undă transformă impedanţa de la capăt
într-o admitanţă la celălalt capăt printr-o rotaţie cu 180° pe diagrama
Smith. Astfel, dacă rezistenţa normalizată de la un capăt este 2 atunci, la
celălalt capăt al liniei în sfert de undă, vom avea admitanţa normalizată,
corepunzătoare acesteia, adică 0,5. În acest caz, impedanţa, respectiv
admitanţa corespunzătoare de la captele liniei în sfert de undă, trebuie să
aibă orice valoare egală cu multiplii de Z0T . Acest lucru face ca linia de
transmisie să fie proiectată special pentru a avea o impedanţă caracteris-
tică de o anumită valoare, deci se impun cerinţe speciale în care se ţine
cont de gama de variaţie a impedanţei caracteristice. Din păcate, liniile
coaxiale ce se găsesc pe piaţă, sunt produse doar în două variante, cu
impedanţe caracteristice de 50 Ω şi, respectiv 75 Ω.
zin zL
Fig. 3.5.1. Adaptarea de impedanţă cu linie în sfert

de undă pe diagrama Smith
Metoda liniilor în sfert de undă se pretează în special pentru linii
microstrip, ce sunt mai uşor de construit, impedanţa lor caracteristică
putându-se controla încă din faza de proiectare, prin modificarea lăţimii
137
liniei sau mecanic, chiar la montare, prin modificarea distanţei dintre

linie şi planul de masă, ceea ce le conferă gama de variaţie a impedanţei
caracteristice necesară adaptării.
Alegerea unei anumite metode de adaptare, depinde şi de
dimensiunile fizice ale adaptorului rezultat. Pe lângă adaptarea în sine
este bine să se ţină cont şi de faptul că, adaptarea este realizată la o
singură frecvenţă, iar modul în care adaptorul „îşi face treaba” la alte
frecvenţe implică o analiză în frecvenţă ce poate fi făcută cu ajutorul
programelor de proiectare asistată, în care, se va analiza adaptorul
proiectat.
138
Capitolul 4. Circuite active pentru microunde
CAPITOLUL 4
Circuite lineare pentru microunde
Din categoria circuitelor lineare pentru microunde fac parte toate

circuitele de RF care lucrează în domeniul de frecvenţă corespunzător
microundelor şi care folosesc porţiunea lineară a caracteristicii de
transfer (de semnal mic) cum ar fi amplificatoarele de foarte mică putere.
Aceste circuite sunt realizate cu elemente active: tranzistoare de
microunde, tuburi electronice de microunde, intitulate generic cuadripol
activ sau cuadripol amplificator. La frecvenţe sub 300 MHz, circuitele
active sunt analizate prin metode clasice, avându-se în vedere metode
bazate pe circuite electrice echivalente. Dezavantajele acestor tehnici
sunt evidenţiate odată cu creşterea frecvenţei, practic, schemele
echivalente ce modelează elementele active sau pasive depind de
frecvenţă, lucru care implică studiul circuitelor pe domenii restrânse. Din
acest motiv, teoria circuitelor de microunde diferă din punct de vedere
analitic de cea clasică, utilizată la frecvenţe de sub 300 MHz. Conform
acestei teorii, circuitele de microunde sunt tratate generalizat cu ajutorul
parametrilor de dispersie S, ce descriu comportamentul oricărui circuit,
practic la orice frecvenţă.
4.1. Parametri de dispersie (parametrii S)
Aşa cum se ştie, parametrii Z sunt utili la analiza circuitelor serie,

pe când parametrii Y la circuitele paralel. Utilizarea acestor parametri
necesită configuraţii în scurt circuit sau în gol, la ieşire respectiv intrare.
Pentru măsurarea parametrilor caracteristici acest lucru este dificil de
realizat la frecvenţe mari (un scurt la frecvenţă mare este greu de realizat
pentru că nu poate fi considerat ideal, coeficienţii de reflexie fiind diferiţi
de 1).
Parametri de dispersie S ţin cont de undele directă şi inversă ce
traversează linia, fiind dependenţi de coeficientul de reflexie. În figura
4.1.1 sunt reprezentaţi vectorii undelor incidente de la intrare şi ieşire (a1
139
şi a2) respectiv a undelor reflectate (b1 şi b2). Undele reflectate se

datorează dezadaptărilor de impedanţă la intrarea respectiv ieşirea
cuadripolului. Ele depind de toate undele incidente, atât la intrare (a1) cât
şi ieşire (a2). Se poate scrie că:
b1 = S11 a1 + S12 a 2
(4.1.1)
b2 = S 21 a1 + S 22 a 2
⎡ S11 S12 ⎤
unde S = ⎢ este matricea parametrilor de dispersie S ce descriu
⎣ S 21 S 22 ⎥⎦
cuadripolul.
I1 I2
a1 a2
Cuadripol [S]
V V
b1 b2
Fig. 4.1.1. Vectorii undelor de intrare şi ieşire

Ecuaţia (4.1.1) se poate scrie sub formă matricială astfel:
⎡ b1 ⎤ ⎡ S11 S12 ⎤ ⎡ a1 ⎤
⎢b ⎥ = ⎢ S ⎥ ⎢ ⎥ şi simplificat [b ] = [S ][a ] .
⎣ 2 ⎦ ⎣ 21 S 22 ⎦ ⎣a 2 ⎦
Dacă portul 2 (la ieşire) este adaptat şi a2 este zero, atunci:
b b
S11 = 1 şi S 21 = 2 .
a1 a2 =0 a1 a2 =0
Similar, în cazul în care sursa este conectată la portul 2, iar portul 1
este adaptat avem:
b b
S12 = 1 şi S 22 = 2 .
a2 a1 =0 a2 a1 =0
Se poate observa uşor că S11 şi S22 reprezintă coeficienţii de reflexie
de la portul 1 respectiv portul 2, deoarece se raportează la mărimi ce se
140
referă strict la portul studiat, pe când S12 şi S21 alternează cu mărimi de la

cele două porturi. Vectorul undelor incidente [a] şi a undelor reflectate
[b] trebuie definite în raport cu tensiunile, respectiv curenţii şi puterile ce
străbat linia de transmisie: Vi = Vi + + Vi − , unde Vi + este unda de tensiune
incidentă la portul i, pe când Vi − este unda de tensiune reflectată la portul
i. Ţinând cont de definiţia impedanţei caracteristice, vom putea defini
unda de curent de la portul i astfel: I i =
1
Z0
( )
Vi + − Vi − , plecând de la
presupunerea că linia de transmisie are aceeaşi impedanţă caracteristică şi

la portul 1 şi la 2. Din cele două ecuaţii vom avea:
1 1
Vi + = (Vi + Z 0 I i ) şi, respectiv, Vi − = (Vi − Z 0 I i )
2 2
Presupunând că ambele porturi sunt fără pierderi, vom avea pentru
puterea incidentă de la intrare:
⎧⎪ ⎛ V + ⎞* ⎫⎪
+ 1
{
Pi = Re al Vi I i
2
+
( )}
+
* 1
= Re al ⎨Vi + ⎜ i ⎟ ⎬ =
2 ⎪⎩ ⎝ Z 0 ⎠ ⎪⎭ 2Z 0
1 2
Vi + (4.1.2.)
− 1
{
Pi = Re al Vi I i
2
−
( )}
− * 1 ⎧⎪ ⎛ V − ⎞ * ⎫⎪
= Re al ⎨Vi − ⎜⎜ i ⎟⎟ ⎬ =
2
1 2
Vi − (4.1.3.)
⎪⎩ ⎝ Z 0 ⎠ ⎪⎭ 2Z 0
Vectorii ai şi bi sunt definiţi astfel încât pătratul amplitudinii lor să
reprezinte chiar puterea transmisă pe direcţia cerută, adică:
V+ 1 ⎛ V + Z0 Ii ⎞ 1 ⎛ Vi ⎞
ai = i = ⎜ i ⎟= ⎜ + Z0 Ii ⎟ (4.1.4.)
2Z 0 2 ⎜⎝ 2Z 0 ⎟⎠ 2 2 ⎜⎝ Z 0 ⎟
⎠
V −
1 ⎛ V − Z0 Ii ⎞ 1 ⎛ Vi ⎞
bi = i = ⎜ i ⎟= ⎜ − Z0 Ii ⎟ (4.1.5.)
2 Z 0 2 ⎜⎝ 2Z 0 ⎟⎠ 2 2 ⎜⎝ Z 0 ⎟
⎠
2
Puterea maximă pe care o poate debita generatorul este: Pavs = a1 ,
2
iar puterea reflectată la portul 1 va fi: Pref = b1 . În final putem
concluziona că puterea furnizată efectiv portului 1 (deci puterea
2 2
transmisă mai departe cuadripolului) este: Pd = Pavs − Pref = a1 − b1 .
În figura 4.1.2, se conectează un generator Eg la intrare, iar la ieşire
o sarcină ZL. În acest context, coeficientul de reflexie pe sarcină, ţinând
cont de ecuaţia (4.1.1) este:
141
Z L − Z 0 a2 Z g − Z 0 a1
ΓL = = şi la generator Γg = = .
Z L + Z 0 b2 Z g + Z 0 b1
Coeficienţii de reflexie la intrarea cuadripolului vor depinde de
impedanţele de intrare Z1 respectiv ieşire Z2, deci vor avea valori diferite,
astfel că:
Z − Z 0 b1 1 Z − Z 0 b2 1
Γ1 = 1 = = , Γ2 = 2 = = .
Z1 + Z 0 a1 Γ g Z 2 + Z 0 a2 Γ L
I1 I2
ΓL
Γg a1 a2
Zg Cuadripol [S]
V2 ZL
V1
Z1 Z2
E b1 b2
Γ1 Γ2
Fig. 4.1.2. Cuadripol cu generator la intrare şi sarcină la ieşire

Împărţind prima ecuaţie (4.1.1) la a1 şi ţinând cont de ultimele două
ecuaţii obţinem:
b Z − Z0 ⎛a ⎞ 1
Γ1 = 1 = 1 = S11 + S12 ⎜ 2 ⎟ = ,
a1 Z1 + Z 0 a
⎝ 1⎠ Γ g
iar a doua ecuaţie împărţind-o la a2, vom avea

b2 ⎛a ⎞ 1
= S 22 + S 21 ⎜⎜ 1 ⎟⎟ =
a2 ⎝ a 2 ⎠ ΓL
a1 1 − S 22 ΓL
de unde rezultă că: = .
a2 S 21ΓL
În final vom avea, după substituirea lui a1/a2:
b Z − Z0 S S Γ
Γ1 = 1 = 1 = S11 + 12 21 L (4.1.6.)
a1 Z1 + Z 0 1 − S 22 Γ L
şi similar pentru ieşire:
142
b2 Z 2 − Z 0 S12 S 21Γ g
Γ2 = = = S 22 + (4.1.7.)
a2 Z 2 + Z 0 1 − S11Γ g
Observaţie!
• Dacă sarcina este adaptată atunci ΓL este zero, iar Γ1 = S11.
• Dacă generatorul este adaptat atunci Γg este zero, iar Γ2 = S22.

• Pentru a măsura parametrul S11 portul 2 va fi adaptat, lucru care
face ca, prin măsurarea directă a coeficientului de reflexie de la
intrarea cuadripolului, să se determine valoarea lui S11. La fel se
poate proceda şi pentru găsirea lui S22 doar că se va adapta intrarea,
iar generatorul se plasează la ieşire.
b2
• Pentru determinarea lui S21 avem: S 21 = , iar din ecuaţia
a1 a2 = 0
(4.1.4), avem:
V2+ 1 ⎛ V + Z0 I 2 ⎞ 1 ⎛ V2 ⎞
a2 = = ⎜ 2 ⎟= ⎜ + Z0 I2 ⎟ = 0 ,
2Z 0 2 ⎜⎝ 2Z 0 ⎟⎠ 2 2 ⎜⎝ Z 0 ⎟
⎠
Lucru ce implică egalitatea: V2 = − Z 0 I 2 .
Ţinând cont de ultima egalitate, avem:
1 ⎛ V − Z0 I 2 ⎞ Z0 1 ⎛ V1 + Z 0 I1 ⎞ 1 ⎛ Vg ⎞
b2 = ⎜ 2 ⎟ = −I2 şi a1 = ⎜ ⎟= ⎜ ⎟.
2 ⎜⎝ 2Z 0 ⎟⎠ 2 2 ⎜⎝ 2Z 0 ⎟⎠ 2 2 ⎜⎝ Z 0 ⎟⎠
Făcând substituţia b2, a1, avem, în final, expresia:
− Z0 I 2
b2 2 2V2
S 21 = = = .
a1 a2 = 0
Vg Vg
2 2Z 0
143
• Pentru a determina S12, se procedează în mod similar

b 2V
obţinându-se: S12 = 1 = 1 , cu observaţia că generatorul va
a2 a =0 Vg
1
fi plasat la poarta 2, iar poarta 1 este adaptată pentru ca a1 să fie

zero. Tensiunile V1 şi V2 sunt tensiuni de radiofrecvenţă şi pot fi
măsurate cu ajutorul unui voltmetru vectorial, ce determină atât
modulul cât şi faza tensiunii faţă de o referinţă aleasă (de obicei
tensiunea de RF de la ieşirea generatorului).
2
⎛− Z I ⎞
⎜ 0 2
⎟
• Putem calcula S21 =
2 ⎜ 2 ⎟ = Pav 2 , unde P este pute-
av2
⎜ Vg ⎟ Pavs
⎜ ⎟
⎜ 2 2Z ⎟
⎝ 0 ⎠
rea disponibilă la portul 2 (la ieşire), iar Pavs este puterea maximă
ce o poate debita sursa (generatorul la intrare). Mărimea reprezintă
câştigul în putere pe calea directă de la poarta 1 spre poarta 2, fiind
cel mai important parametru al cuadripolului! Amplificarea sau
câştigul.
2
• Similar, pentru S12 , care reprezintă câştigul invers în putere de
la poarta 2 spre poarta 1. Dacă avem un cuadripol amplificator fără
amplificare inversă (adică un amplificator unilateral), atunci S12 = 0.
Exemplul 4.1.1. La intrarea şi ieşirea unui cuadripol cu ajutorul
unui voltmetru vectorial, se măsoară următorii parametri pe o linie cu
impedanţa caracteristică de 50 Ω:
V1 = 10e j 0 = 10 V , V2 = 12e j 30° = 12 exp ( j 30° ) V , I1 = 0,1e j 40° = 0,1exp ( 40° ) A
0
şi I 2 = 0 ,15e j100° = 0 ,1 exp (100° ) A .

Să se găsească undele incidente şi reflectate la intrare şi ieşire.
Rezolvare:
1
Folosim expresia determinată mai sus: Vi + = (Vi + Z 0 I i ) , şi vom
2
obţine:
144
1
V1+ = (V1 + Z 0 I1 ) = 1 (10 + 50 x0,1exp( j 40) ) = 6,915 + j1,607 V ,
2 2
1 1
V1− = (V1 − Z 0 I 1 ) = (10 − 50 x0,1exp( j 40) ) = 3,085 − j1,607 V ,
2 2
1 1
V2+ = (V2 + Z 0 I 2 ) = (12 exp( j 30) + 50 x0,15 exp( j100) ) =
2 2
= 4,545 + j 6,695 V ,
1 1
V2− = (V2 − Z 0 I 2 ) = (12 exp( j 30) − 50 x0,15 exp( j100) ) =
2 2
= 5,845 − j 0,691 V .
I1 I2
Cuadripol
[S ] = ⎡⎢
V S11 S12 ⎤ V
⎣ S 21 S 22 ⎥⎦
Exemplul 4.1.2. Să se arate că dacă RL este mai mare decât zero,

atunci ΓL < 1 .
Rezolvare:
Z L − Z0 zL −1
Se va porni de la suma: Z L + Z L* ştiind că: Γ = = ,
Z L + Z0 zL −1
unde z L este impedanţa normalizată a sarcinii ( Z L* – este interpretat ca şi
1+ Γ
complex conjugat). Se poate uşor constata că: zL = şi pornind de la
1− Γ
suma impedanţelor normalizate:
1 + Γ 1 + Γ* 1 − ΓΓ*
z L + z*L = + = 2 .
1 − Γ 1 − Γ* (
(1 − Γ ) 1 − Γ* )
În continuare, observând că avem coeficientul Γ exprimat ca mărime
complexă, cu proprietatea: ΓΓ * = (ΓR + jΓI )(ΓR − jΓI ) = ΓR2 + ΓI2 = Γ .
2
145
( )
La fel notând cu X = (1 − Γ ) avem (1 − Γ ) 1 − Γ * = XX * = X
2 2
= 1− Γ ,
rezultând că:
zL + z = 2
*
1− Γ
2
=2
1− Γ
2
=
(1 − Γ )( z 2
L +1
2
),
L 2 2
1− Γ zL + 1 − zL + 1 2
zL + 1
iar în cele din urmă, prin separarea impedanţelor de coeficientul de
reflexie, putem scrie relaţia:
2 z + z* 4
1 − Γ = 2 L L2 = 2
RL > 0 , care, este mai mare decât zero
zL + 1 zL + 1
deoarece din enunţ ştim că RL > 0. De aici rezultă Γ = ΓL < 1 , adică
ceea ce trebuia demonstrat.
4.2. Efectul liniei de transmisie asupra

parametrilor de dispersie
După cum se poate bănui, parametrii S depind de frecvenţă şi de

parametri electrici ai liniei de transmisie. Astfel, lungimea liniei poate
influenţa valoarea iniţială, măsurată înaintea interpunerii liniei din figura
4.2.1. Linia montată la intrare este de lungime L1, iar cea de la ieşire este
L2. În felul acesta, unda incidentă pe linia de transmisie este ai' pe când
cea reflectată este bi' .
L1 I1 I2 L2
a1' a1 Cuadripol [S] a2 a 2'

Zg
V1' V1 Z1 Z2 V2 V2' ZL
b1' b2'
b1 b2
E
Fig. 4.2.1. Cuadripol cu o linie de transmisie de lungime Li
146
Se poate scrie pentru noul cuadripol ecuaţia matricială sub forma:

⎡ b1' ⎤ ⎡ S11' S12 '
⎤ ⎡ a1' ⎤
⎢ '⎥ ⎢ ' = ' ⎥⎢ ' ⎥
(4.2.1.)
⎣b2 ⎦ ⎣ S21 S22 ⎦ ⎣ a2 ⎦
Unda b1 va fi întârziată cu ϕ = β L1 , în momentul propagării ei pe
L1 deci b1' este întârziată faţă de b1 cu β L1 , putând scrie că b1 = b1' e jβ L1 .
Unda a1 se propagă invers, deci a1 = a1' e − jβ L1 şi, în mod similar, pentru
portul 2 avem: b2 = b2' e jβ L2 şi a 2 = a 2' e − jβ L 2 . Ţinând cont de ecuaţia
matricială determinată pentru cuadripolul simplu, fără linii de transmisie
adiţionale, avem:
⎡ b1 ⎤ ⎡ S11 S12 ⎤ ⎡ a1 ⎤
⎢b ⎥ = ⎢ S ⎥⎢ ⎥
⎣ 2 ⎦ ⎣ 21 S 22 ⎦ ⎣a 2 ⎦
şi, făcând substituţia parametrilor ai şi bi cu cei determinaţi anterior,
obţinem:
⎡ b1' e jβ L1 ⎤ ⎡ S11 S12 ⎤ ⎡ a1' e− jβ L1 ⎤
⎢ ' jβ L2 ⎥ = ⎢ ⎥ ⎢ ' − jβ L2 ⎥ ,
⎣ b2e ⎦ ⎣ S21 S 22 ⎦ ⎣a 2 e ⎦
echivalentă cu:
⎡ b1' ⎤ ⎡ S11e − j 2 β L1 S12 e − jβ ( L1+ L2) ⎤ ⎡ a1' ⎤
⎢ '⎥ ⎢ = − jβ (L1+ L2) ⎥⎢ ⎥ (4.2.2.)
⎣b 2 ⎦ ⎣ S 21e S 22 e − j 2 β L2 ⎦ ⎣a '2 ⎦
Comparând termen cu termen ecuaţia (4.2.1) cu ecuaţia (4.2.2),
vom găsi:
⎡ S11' S12' ⎤ ⎡ S11e − j 2 β L1 S12 e − jβ ( L1+ L2) ⎤
⎢ ' ' ⎥
=⎢ − jβ (L1+ L2) ⎥ (4.2.3.)
⎣ S 21 S 22 ⎦ ⎣ S 21e S 22 e − j 2 β L2 ⎦
⎡ S11 S12 ⎤ ⎡ S '11e j 2 β L1 S '12 e jβ ( L1+ L2) ⎤
şi ⎢ =
⎥ ⎢ ' jβ (L1+ L2) ⎥ (4.2.4.)
⎣ S 21 S 22 ⎦ ⎣ S 21e S ' 22 e j 2 β L2 ⎦
Se poate observa că modificarea lungimii liniei de transmisie, duce
la modificarea parametrilor de dispersie şi are drept efect modificarea
comportamentului cuadripolului. Este interesant însă de observat că, din
aceste linii (de la intrare şi ieşire), putem forţa funcţionarea cuadripolului
la parametri doriţi, deci, putem practic avea controlul asupra parametrilor
electrici ai acestuia (amplificarea, factorul de zgomot etc.).
Exemplul 4.2.1. Să se găsească parametrii S ai unei impedanţe Z,
conectată în serie, ca în figura de mai jos. Linia are impedanţa
147
caracteristică Z0 pe toată lungimea sa. Se va considera linia adaptată la

ambele capete.
Rezolvare:
Vom folosi ecuaţia (4.1.6) ştiind că linia este adaptată; astfel,
avem: ΓL = 0 şi
S S Γ Z − Z0 ( Z + Z0 ) − Z0
Γ1 a = 0 = S11 + 12 21 L = S11 = 1 = =
2
1 − S 22 Γ L Z1 + Z 0 ( Z + Z 0 ) + Z 0
Z
= = S 22 .
Z + 2Z 0
Z0
Z
V1 V2
Z1 Z2
Pentru determinarea parametrilor S12 şi S21 se va monta la intrare un

generator şi se va păstra adaptarea impusă. Astfel, impedanţa
generatorului trebuie să fie egală cu impedanţa liniei pentru a nu
modifica parametri de dispersie, iar impedanţa sarcinii va avea aceeaşi
Z0 Z0
Z
Vg Z0
V1 V2
Z1 Z2
impedanţă cu cea caracteristică liniei de transmisie.

Utilizând teorema divizorului de tensiune aplicată la ieşirea
circuitului desenat mai sus, avem:
Z0
V2 = Vg .
Z + 2Z 0
Pentru determinarea parametrului S21 vom folosi formula
determinată în paragraful precedent, adică:
b 2V 2Z0 2Z + Z − Z Z
S 21 = 2 = 2 = = 0 = 1− .
a1 a2 = 0 Vg Z + 2Z 0 Z + 2Z 0 Z + 2Z 0
148
Pentru a determina parametrul S12, se va monta generatorul la ieşire

(portul 2), iar sarcina la intrare (portul 1). Se va proceda întocmai ca în
cazul determinării lui S21 şi se va obţine aceeaşi valoare, adică:
Z
S12 = S 21 = 1 − .
Z + 2Z 0
În final, putem scrie sub formă matricială ecuaţia:
⎡ Z Z ⎤
⎢ 1−
⎡ S11 S12 ⎤ Z + 2Z 0 Z + 2Z 0 ⎥
⎢ ⎥ = ⎢ ⎥.
⎣ S 21 S 22 ⎦ ⎢1 − Z Z ⎥
⎢⎣ Z + 2 Z 0 Z + 2 Z 0 ⎥⎦
Avem în final egalităţile: S11 = S 22 şi S12 = S 21 , lucru care se
datorează faptului că avem simetrie, cuadripolul numindu-se în acest caz
reciproc.
Observaţie!
Observa ie!
• Dacă impedanţa Z ar fi pur imaginară, de forma jX, atunci
coeficientul de reflexie de la intrare ar fi de forma:
jZ
Γ1 = ,
jZ + 2Z 0
iar atunci suma pătratelor modulelor parametrilor de forma: Sii, Sij
este 1:
2 2
2 2 jX jX
S11 + S 21 = + 1− =
jX + 2 Z 0 jX + 2 Z 0
X2 4Z 02
= + =1
X 2 + 4Z 02 X 2 + 4Z 02
2 2
la fel S22 + S12 = 1 .
jX 2Z 0 2Z 0 − jX
*
• S11S12 + S 21S 22
*
= + = 0.
jX + 2Z 0 2 Z 0 − jX jX + 2Z 0 2Z 0 − jX
149
2Z 0 − jX jX 2Z 0
*
• S12 S11 + S 22 S 21
*
= + = 0.
jX + 2 Z 0 2 Z 0 − jX jX + 2Z 0 2Z 0 − jX
• Aceste proprietăţi remarcabile ale parametrilor de dispersie pot fi

scrise sub o formă generalizată astfel:
⎧1; j = k
∑S S ij
*
ij =⎨
⎩0; j ≠ k
Exemplul 4.2.2. Să se găsească parametrii S ce caracterizează o

admitanţă Y plasată în paralel. Linia este adaptată la intrare şi ieşire,
pentru o impedanţă caracteristică de 50 Ω.
Rezolvare:
Procedând ca în exemplul precedent, avem:
1 1
−
Z1 − Z 0 Y1 Y0 Y0 − Y1 Y0 − (Y + Y0 )
S11 = Γ1 = = = = =
Z1 + Z 0 1 + 1 Y0 + Y1 Y0 + (Y + Y0 )
Y1 Y0
Y
=− = Γ 2 = S 22
2Y0 + Y
Z0
V1 V2
Z1 Z2
Pentru a determina parametrul S21, vom conecta un generator la

intrare şi o sarcină la ieşire, exact ca în exemplul anterior. Se aplică
teorema divizorului de tensiune, obţinându-se:
1
Y + Y0 Y0
V2 = Vg = Vg ,
1 Y + 2Y
Z0 + 0
Y + Y0
iar apoi:
150
2V2 2Y0 Y
S 21 = = = 1− .
Vg Γg = 0 Y + 2Y0 Y + 2Y0
Z0
Z0
V1 V2
Vg Y Z0
Z1 Z2
Ţinând cont şi de simetria cuadripolului, avem: S21 = S12 = 1 + Γ1 şi

conform egalităţilor dintre parametrii S se poate afirma că avem de-a face
şi în acest caz cu un cuadripol simetric şi reciproc.
4.3. Proiectarea amplificatoarelor de microunde

cu tranzistoare
Înţelegerea modului de proiectare a amplificatoarelor de microunde

de mică putere cu tranzistoare este crucială. Alegerea corectă a
elementului activ în functie de frecvenţă, realizarea adaptărilor necesare,
utilizarea diagramei Smith la proiectarea amplificatorului, sunt deprinderi
cerute specialistului, în domeniul radiocomunicaţiilor. Este evident faptul
că pentru asta sunt necesare toate noţiunile însuşite în capitolele
anterioare adică: lucrul cu parametri S, citirea şi interpretarea datelor pe
diagrama Smith, noţiuni despre adaptarea diportului la frecvenţe înalte şi,
nu în ultimul rând, noţiunile de bază despre linii de transmisie de înaltă
frecvenţă. Să nu uităm că aceste amplificatoare de microunde lucrează în
imediata vecinătate a antenei. Cu alte cuvinte, se poate ghici că
proiectarea acestor amplificatoare ţine cont într-o măsură foarte mare de
performanţele antenei şi reciproc.
Amplificatorul de microunde este un cuadripol căruia i se aplică la
intrare o putere activa Pi, cu scopul de a obţine la ieşire o putere mai
mare, P0. Amplificarea, în acest caz, se referă la creşterea puterii de
intrare având de-a face cu un amplificator în putere, dar se poate de
asemenea urmări amplificarea în tensiune sau în curent, ceea ce nu
implică neaparat creşterea puterii de intrare. Este evident însă că scopul
declarat al amplificatorului de microunde este acela de a amplifica un
151
semnal slab de intrare, pentru a putea extrage apoi din acesta parametrul
util într-o anumită etapă (deviaţia de fază, frecvenţă sau amplitudine), caz
în care se doreşte proiectarea unui amplificator de zgomot cât mai mic.
Amplificatorul de microunde poate fi constituit, de asemenea, din mai
multe componente active, ce includ mai multe etaje adaptate (de regula
maxim trei), pentru creşterea câştigului la valoarea cerută.
4.3.1. Determinarea câştigului de putere a
cuadripolului activ
Cuadripolul activ are la bază tranzistorul, ce preia rolul elementului
activ (amplificator) şi căruia i se cunosc parametrii S, măsuraţi în
prealabil de către producător pe impedanţe de referinţă de 50 Ω şi la un
anumit punct static de funcţionare (Ic, UCE). Problema principală în cazul
oricărui amplificator de microunde, este că impedanţa de intrare a
generatorului Zg, nu este egală întodeauna cu impedanţa de intrare a
elementului activ. Pentru un transfer maxim al puterii, atât la intrare cât
şi la ieşire, şi pentru creşterea câştigului de putere al amplificatorului,
peste valoarea forţată de S21 este necesară proiectarea unui etaj de
adaptare la intrare şi ieşire. Câştigul de putere al cuadripolului
amplificator din figura 4.3.1.1 [Bot98] este:
puterea disipatã pe sarcinã
GT =
puterea disponibilã de la sursã
După cum se poate vedea în figura 4.3.1.1, avem:
Z g − R0
Γg = <1;
Z g + R0
Z L − R0
ΓL = < 1,
Z g + R0
adică, coeficienţii de reflexie pentru sursă şi respectiv sarcină.
Pentru intrare avem:
a1' = b1 , b1' = a1 .
Adică puterea debitată pe generator este egală cu puterea reflectată
la intrare şi de asemenea, puterea debitată de sursă este egala cu puterea
transferată intrării elementului activ, dacă intrarea este adaptată.
152
I 1' I1 I 2' I2
Cuadripol
a1' a1 activ
a2 a 2'
Zg
R0 [S] R0 ZL
'
b V1 = V1' V2 = V2'
1
b1 b2 b2'
E
Fig. 4.3.1.1. Cuadripolul amplificator

Din ecuaţia (4.1.4), rezultă:
V ' + R0 I 1' V1 − R0 I 1 V ' − R0 I 1' V1 + R0 I 1
a1' = 1 = = b1 şi b1' = 1 = = a1 .
2 R0 2 R0 2 R0 2 R0
Se va recurge la un artificiu pentru a dezvolta ultima expresie:
b1 =
' V1' − R0 I1' Z g + R0
=
(
V1' + R0 I1' − 2 R0 I1' Z g − R0 + 2 R0
=
)( )
2 R0 Z g + R0 2 R0 Z g + R0 ( )
=
(V 1
'
)( )
+ R0 I1' Z g − R0 − 2 R0 I1' Z g + 2 R0V1'
=
(
2 R0 Z g + R0 )
=
(V 1
'
)
+ R0 I1' Z g − R0
+
2 R (V − Z I )
0 1
' '
g 1
2 R0 Z g + R0 2 R (Z + R )
0 g 0
R0 R0
şi b1' = Γg a1' + E , rezultând că a1 = Γg b1 +E , unde R0
Z g + R0 Z g + R0
este rezistenţa etalon folosită de producător pentru măsurarea
parametrilor S (aceasta are valoarea de 50 Ω). Pentru ieşire avem:
a'2 = b2 , b2' = a2 şi a 2 = ΓL b2
Puterea transmisă sarcinii şi disipată pe aceasta este:
2
1⎛ ' 2 ' 2⎞
E
⎜ a 2 − b2 ⎟ , iar puterea disponibilă de la sursă (fără
2⎝ ⎠ 8 Re al {Z g }
demonstraţie). Câştigul quadripolului se va deduce pornind de la
expresia:
153
1⎛ ' 2
⎜ a 2 − b2' ⎞⎟
2
puterea disipata pe sarcina ⎝ ⎠

GT = = 2 2
,
puterea disponibila de la sursa E
8 Re al {Z g }
lucru care ne obligă să dezvoltăm separat numărătorul, iar apoi numitorul
fracţiei de mai sus, astfel:
2
a 2' − b2'
2 2
= b2 − a 2
2 2
= b2 − ΓL b2
2 2 2
= b2 1 − ΓL ( 2
),
2 2
E 1 − Γg
)( ).
2
= E
4 Re al {Z g } (
2 Z g + Z g* 1 − Γg
2
În exemplul 4.1.2, s-a demostrat că:

2
1 − Γg =
2
2
(
z g + z *g =
2 R0
) 2
(Z g + Z g* )
zg +1 Z g + R0
şi, înlocuind în expresia de mai sus, vom avea:
2
E R0
( ),
2
= E
4 Re al {Z g } 2
Z g + R0 1 − Γg
2
iar expresia câştigului devine:
( )(
2
Z g + R0
)
2
b 2 2
GT = 2 1 − Γg 1 − ΓL .
E R0
Ţinând cont şi de matricea parametrilor S, vom încerca să
2
b2
exprimăm raportul , astfel încât, în expresia câştigului, să intervină
E
numai parametri de dispersie şi coeficienţii de reflexie. Ştim că:
b1 = S11 a1 + S12 a 2 Γg ,
b2 = S 21 a1 + S 22 a 2 (1 - Γg S11 ),
R0
a1 = Γg b1 + E,
Z g + R0
a 2 = ΓL b2 .
Şi vom putea scrie, din prima şi din a treia ecuaţie, că:
154
R0
a1 − E = Γg S11 a1 + S12 a 2 Γg .
Z g + R0
Din a patra ecuaţie, rezultă că:
R0
a1 (1 − Γg S11 ) = E + S12 Γg ΓL b2 , iar din a doua ecuaţie, prin
Z g + R0
înmulţire cu (1 − Γg S11 ), rezultă expresia:
R0
b2 (1 − Γg S11 ) = ES 21 + S 21 S12 Γg ΓL b2 + S 22 ΓL b2 − S 22 S11Γg ΓL b2 ,
Z g + R0
R0
b2 (1 − Γg S11 ) = ES 21 + S 21 S12 Γg ΓL b2 + S 22 ΓL b2 (1 − S11Γg ) ,
Z g + R0
R0
b2 (1 − Γg S11 )(1 − S 22 ΓL ) − S 21 S12 Γg ΓL b2 = S 21 E,
Z g + R0
de unde rezultă raportul căutat, şi anume:
b2 R0 S 21
= .
E Z g + R0 (1 − Γg S11 )(1 − S 22 ΓL ) − S 21 S12 Γg ΓL
Câştigul cuadripolului devine astfel egal cu:
GT =
S21
2
(
1− Γg
2
) (1 − Γ )
L
2
(4.3.1.1.)
(1 − Γ S ) (1 − Γ S ) − Γ Γ S
2
g 11 L 22 g L 12 S21
Acest câştig se numeşte câştig disponibil, fiind câştigul maxim care
se poate obţine de la un amplificator.
Observa ie!
Observaţie!
2
Dacă Zg = ZL = R0, atunci ΓL = Γg = 0, GT = S 21 şi câştigul obţi-
nut este chiar câştigul de putere pe calea directă de la portul 1 la 2.
Ecuaţia (4.3.1.1) confirmă faptul că se poate obţine un câştig mai mare
2
decât S 21 , dacă se aleg în mod optim coeficienţii de reflexie ΓL şi Γg .
4.3.2. Adaptarea amplificatoarelor de microunde

Adaptarea simultană la intrare şi la ieşire, va asigura un câştig de
putere maxim, dar, înainte de a proiecta circuitul de adaptare, trebuie să
155
determinăm tipul tranzistorului ce poate funcţiona în banda de frecvenţă

dorită, ca amplificator. Pentru aceasta, circuitul trebuie să fie stabil,
problema stabilităţii necondiţionate reducându-se la următoarele cerinţe:
impedanţele generatorului şi respectiv sarcinii, au părţi reale pozitive şi
atunci: Γ g < 1 şi Γ L < 1 (vezi demonstraţia din exemplul 4.1.2). Pentru
a analiza fenomenul transferului maxim de putere şi a determina
condiţiile necesare pentru efectuarea acestuia la parametri maximi, vom
considera în locul cuadripolului un generator ce este legat direct la
sarcină. Generatorul E furnizează un semnal de radiofrecvenţă, aplicat
direct sarcinii ZL , fără nici o linie de transmisie (vezi figura 4.3.2.1).
I
E
I=
Zg
Zg + ZL
V ZL EZ L
E V =
Zg + ZL
Fig. 4.3.2.1. Transferul maxim de putere la sarcină

Curentul şi tensiunea sunt formate din undele directe respectiv
reflectate, aşa cum s-a constatat în primul capitol, astfel că vom putea
scrie:
I = I + − I − , V = V + +V − ,
unde I + – unda de curent incidentă (directă),
I – – unda reflectată (semnificaţia se păstrează şi pentru tensiuni).
În cazul adaptării de impedanţă avem Z L = Z g* şi rezultă:
E E
Ii = = ,
Z g + Z g 2Rg
*
+
EZ g* EZ g*
unde Z g = R g + jX g ; pentru tensiune vom scrie: V = = .
Z g + Z g* 2Rg
Curentul pe linie devine:
156
− + E E E ⎛ Z g + Z *g ⎞
I =I −I = − = ⎜⎜ 1 − ⎟⎟ =
Z g + Z g Z g + Z L Z g + Z *g
*
⎝ Zg + ZL ⎠
+
Z L − Z *g
=I ,
ZL + Zg
I−
iar, cum ΓI = (coeficientul de reflexie în curent), vom avea:
I+
Z L − Z g*
ΓI = .
ZL + Zg
Pentru tensiune avem:
−
V = V −V = + EZ L
− *
EZ g*
= *
EZ g* ⎛ Z L Z g* + Z g
⎜ − 1
(
⎞
⎟,
)
Z g + Z L Z g + Z g Z g + Z g ⎜⎝ Z g* (Z g + Z L ) ⎟⎠
iar după simplificări obţinem:
V − Zg ZL − Zg
*
ΓV = + = * .
V Zg ZL + Zg
Dacă impedanţa generatorului este reală, atunci avem egalitatea:
ΓV = ΓI = Γ .
Dacă punem condiţia de adaptare de impedanţă Z L = Z g* vom avea
egalitatea: ΓL = Γg* . După cum se vede, câştigul este influenţat de
relaţiile dintre coeficienţii de reflexie şi impedanţe, astfel că studiul
adaptării trebuie să pornească chiar de la aceste relaţii. De asemenea, se
poate trage concluzia că parametrul gamma conjugat este relevant, deci
vom porni de la acest parametru, şi anume:
Z *g − R0 b1 Z * − R0 b2
Γg =
*
= = Γ gV = Γ gI şi Γ*L = *L = ,
Z g + R0 a1 Z L − R0 a2
Iar din relaţiile:
b1 = S11a1 + S12 a2 , b2 = S 21a1 + S 22 a2 şi a2 = Γ Lb2 , putem obţine:
b1 a
Γ*g = = S11 + S12 2 ,
a1 a1
⎛ 1 ⎞ a S21
dar S 21a1 = a2 ⎜ − S 22 ⎟ , 2 = , rezultând:
⎝ ΓL ⎠ a1 ⎛ 1 − S ⎞
⎜ 22 ⎟
⎝ ΓL ⎠
157
S12 S 21 S S
Γ*g = S11 + şi Γ*L = S22 + 12 21 .
1 1
− S 22 − S11
ΓL Γg
Coeficienţii de reflexie pot fi scrişi pornind de la ultimele două
ecuaţii:
S* S* S* S*
Γ g = S11
*
+ 12 21 , Γ L = S 22
*
+ 12 21 .
1 1
− S22
*
− S11
*
ΓL*
Γg*
Pentru ca amplificatorul să fie stabil, trebuie ca ecuaţiile prezentate

să admită soluţii astfel ca: Γg < 1 şi ΓL < 1 . Vom porni de la ecuaţia
următoare:
S12 S 21 S − S S Γ + Γ L S12 S 21 S11 − Γ L Δ
Γ*g = S11 + = 11 22 11 L = ,
1 1 − S Γ 1 − S Γ
− S 22 22 L 22 L
ΓL
S 22 − Γ g Δ
unde Δ = S11S 22 − S12 S21 respectiv Γ*L = .
1 − S11Γ g
Vom înlocui Γg* în Γg şi vom obţine:
* * * *
S12 S21 S12 S 21
Γg = S +
*
= S11 +
*
=
11
1 1 − S Γ
− S *
22
11 g
− S 22
*
Γ*L S 22 − Γ g Δ
=S +
*
* *
S12 (
S 21 S 22 − Γ g Δ ) ,
11 2
1 − S11Γ g − S22 + S Γ g Δ *
22
expresie care ne va conduce la o ecuaţie de gradul al II-lea în Γg :
(
Γ 2g S 22
*
) (
Δ − S11 + Γ g 1 − S 22
2
)=
(
= Γ g ΔS11
* * 2
S 22 − S11 − ΔS12
* *
S 21 + S11
*
− S11
*
)
S22 + S12
* *
S 21S 22
2
2
Ţinând cont că ΔΔ* = Δ , vom avea:
( 2
Γg 1 − S 22 + S11 − Δ
2 2
)− Γ (S 2
g 11 − ΔS 22
*
)
= S11* − S 22 Δ* .
Se va folosi notaţia următoare pentru simplitate:
2 2 2
B1 = 1 + S11 − S 22 − Δ , C1 = S11 − ΔS 22*
( C1* = S11* − Δ* S 22 ),
158
rezultând ecuaţia de gradul al II-lea după Γg , simplificată:

C1Γ 2g − B1Γ g + C1* = 0 (4.3.2.1)
cu soluţiile:
2
B1 ± B12 − 4 C1
Γg = (4.3.2.2)
2C1
Şi respectiv pentru ΓL în mod similar folosind notaţiile:
2 2 2
B2 = 1 + S 22 − S11 − Δ , C 2 = S 22 − ΔS11* ( C 2* = S 22
*
− Δ* S11 ),
avem soluţiile pentru ΓL sub forma:
2
B2 ± B22 − 4 C2
ΓL = (4.3.2.3).
2C2
Desigur că cei doi coeficienţi de reflexie (vezi figura 4.3.2.1) Γg şi
ΓL vor avea modulul subunitar, deoarece partea reală a sarcinii şi a
impedanţei generatorului au valori reale pozitive (vezi Ex. 4.1.2). Acest
lucru se transpune matematic astfel:
Γg < 1 , ΓL < 1 ,
S 21 S12 ΓL
Γin = S11 + < 1,
1 − S 22 ΓL
S21S12 Γ g
Γies = S22 + <1 (vezi ecuaţia (4.1.6)).
1 − S11Γ g
Zg Adaptor Tranzistor Adaptor

intrare ieşire ZL
E
Γg Γin Γies ΓL
Fig. 4.3.2.1. Schema bloc a cuadripolului şi distribuţia

coeficienţilor de reflexie
159
Observaţie!
Observa ie !
A treia ecuaţie poate fi rearanjată în felul următor:
S22 S 21S12 Γ L + ( S12 S 21 − S12 S 21 )

S11 + =
S 22 (1 − S 22 Γ L )
1 ⎛ S11S22 (1 − S22 Γ L ) − S22 S12 S21Γ L + S21S12 − S21S12 ⎞

= ⎜ ⎟⎟ < 1 .
S22 ⎜⎝ (1 − S22Γ L ) ⎠
Dacă notăm cu Δ = S11S22 − S12 S 21 , avem:
1 ⎛ Δ − S11S22 S22 Γ L + S22 S21S12 Γ L + S12 S21 ⎞

⎜ ⎟⎟ =
S 22 ⎝⎜ (1 − S22Γ L ) ⎠
1 ⎛ Δ (1 − S22 Γ L ) + S 21S12 ⎞
= ⎜ ⎟⎟ ,
S22 ⎜⎝ (1 − S22Γ L ) ⎠
1 ⎛ S21S12 ⎞
⎜⎜ Δ + ⎟ < 1.
S 22 ⎝ (1 − S22Γ L ) ⎟⎠
Problema stabilităţii unui amplificator de microunde se reduce la
2
analiza determinantului ecuaţia 4.3.2.1, B12 − 4 C1 , primul termen B12
suportând înainte o uşoară cosmetizare, şi anume:
( )
2
2 2 2 4 4 4 2
B12 = 1 + S11 − S 22 − Δ = 1 + S11 + S 22 + Δ + 2 S11 −
2 2 2 2 2 2
− 2 S22 − 2 Δ + 2 S22 Δ − 2 S11 S22 ,
iar, pornind de la:
2 2 2 2 2
Δ = S11 S 22 − S11 S 22 S12* S 21
*
− S12 S 21 S11* S 22
*
+ S12 S 21 , avem:
( )( S )
2 2
C1 = S11 − ΔS 22
*
= S11 − ΔS 22
* *
11 − Δ* S 22 =
2 2 2
= S11 − ΔS 22
* *
S11 − Δ* S11S 22 + Δ S22 =
= S11 + Δ S22 − ( S11S22 − S12 S21 ) S22
2 2 2 * *
S11 − S11
* *
S22 − S12
* *
S21 S11S22 = ( )
2 2 2 2 2 2 2
= S11 + Δ S 22 − S11 S 22 + S12 S 21S 22
* *
S11 − S11 S 22 +
2 2 2 2 2 2 2 2
+ S12
* *
S 21S11S 22 = S11 + Δ S 22 − Δ − S11 S 22 + S12 S 21 .
160
În final, expresia discriminantului ecuaţiei (4.3.2.1) este de forma:

2 4 4 4 2 2 2 2 2
B − 4 C1 = 1 + S11 + S22 + Δ + 2 S11 − 2 S 22 − 2 Δ + 2 S 22 Δ −
1
2
2 2 2 2 2 2 2 2 2 2
−2 S11 S 22 − 4 S11 − 4 Δ S 22 + 4 Δ + 4 S11 S 22 − 4 S12 S 21 =
4 4 4 2 2 2 2 2
= 1 + S11 + S 22 + Δ − 2 S11 − 2 S 22 + 2 Δ − 2 S 22 Δ −
2 2
+ 2 S11 S 22 − 4 S12
2 2
(
S 21 = 1 + Δ − S11 − S 22
2 2 2 2
) −4 S 12
2
S 21
2
şi notând cu:
2 2 2
1 + Δ − S11 − S 22
K= ( 4.3.2.4),
2 S12 S21
vom putea scrie că:
B12 − 4 C1 = 4 ( K − 1) S 21 S12
2 2 2
( 4.3.2.5).
Observaţie! !
• K este o constantă absolută a cuadripolului ce rămâne neschim-
bată, indiferent de configuraţia circuitului. Chiar dacă valorile
parametrilor de dispersie se modifică în funcţie de polarizare sau
configuraţia circuitului (EC, BC sau CC), K rămâne constant.
• Parametrul K este un invariant al cuadripolului, acesta rămânând
nemodificat la punerea în cascadă a mai multor etaje
amplificatoare.
• K depinde însă de frecvenţă.
• În cazul unei adaptări simultane la intrare şi la ieşire discuţia se
face în funcţie de parametrul K, acesta fiind cel mai important
parametru ce stabileşte proprietăţile legate de stabilitatea
cuadripolului.
2
• Discriminantul B12 − 4 C1 poate lua valori negative, caz în care,
coeficientul de reflexie este un număr complex de modul subunitar.
Cazul 1. K = 1
2 2
În acest caz, avem B12 = 4 C1 şi B22 = 4 C2 , iar din ecuaţia
B1 B
(4.3.2.2) rezultă că: Γ g = şi Γ L = 2 . Substituind B1 respectiv B2
2C1 2C2
161
2 C1
avem: Γ g = =1, respectiv ΓL = 1 . Tocmai am stabilit că, dacă
2C1
sarcina respectiv generatorul, au partea reală a impedanţei pozitivă,
aceasta implică : Γ g < 1 , respectiv Γ L < 1 . Interpretarea fizică constă în
faptul că, pentru K = 1, nu vom putea realiza adaptarea simultană, a
intrării şi a ieşirii cuadripolului.
Cazul 2. K > 1
Ecuaţia (4.3.2.1), C1Γ 2g − B1Γ g + C1* = 0 , admite două soluţii reale:
2
B1 ± B12 − 4 C1
Γ g1,2 = .
2C1
*
C* C1
Cu ajutorul relaţiilor lui Viéte avem: Γ g1 Γ g 2 = 1 = = 1,
C1 C1
asta însemnând că cel puţin o soluţie este subunitară. Acest caz permite
adaptarea simultană pentru soluţia subunitară, pe când cea supraunitară
este eliminată (adaptarea simultană fiind imposibilă pentru o soluţie
supraunitară).
Cazul 3. K < 1
Cazul este mai complex şi va fi analizat în paragraful următor. În
acest caz, se ajunge la o stabilitate condiţionată, în care cuadripolul poate
lucra ca oscilator (în regim nelinear) sau amplificator (vezi paragraful
5.3.1).
În figura 4.3.2.2, este prezentat cazul adaptării simultane a
cuadripolului amplificator. După cum se vede, după adaptare, coeficienţii
S11ad şi S 22ad ce reprezintă coeficienţii de reflexie a cuadripolului adaptat,
iau valoarea zero. Parametrii de dispersie ai tranzistorului rămân
neschimbaţi dacă tranzistorul are acelaşi punct static de funcţionare, iar
frecvenţa semnalului este egală cu frecvenţa la care s-au măsurat
parametri de dispersie S, de către producător. Totul se petrece ca şi cum
cuadripolul s-ar redefini pe sine, prin faptul că intrarea acestuia se
apropie de generator şi ieşirea de sarcină. Astfel, generatorul este legat
direct la cuadripol ca şi cum nu ar mai fi o linie de transmisie între acesta
şi cuadripol. Condiţia de adaptare este realizată, în acest fel, coeficienţii
de reflexie la intrare şi la ieşirea cuadripolului, redefinit, fiind zero.
Pentru aceasta coeficienţii de reflexie ΓL şi Γg sunt diferiţi de zero. Să nu
uităm că, producătorul a măsurat parametri de dispersie pe impedanţe
162
etalon de 50 Ω şi nu are cum să ştie impedanţele de intrare şi de ieşire a

circuitului de la intrare şi ieşire după caz. Prin aceasta energia oferită de
sursă se transferă integral intrării, iar cea de ieşire integral sarcinii.
Zg
Tranzistor
Adaptor Adaptor
intrare ieşire ZL
S11 S12
S =
E S 21 S 22
Γg Γin Γout ΓL
Γout
ad
=0
Γgad = 0 S11ad = 0 S12ad
S ad
= ΓLad = 0
S 21ad S 22ad = 0
Γinad = 0
Fig. 4.3.2.2 Schema bloc a cuadripolului adaptat

Câştigul cuadripolului adaptat simultan la intrare şi ieşire devine
conform cu ecuaţia (4.3.1.1), după cum urmează:
GTMAX =
S21
2
(1 − Γ ) (1 − Γ )
g
2
L
2
=
(1 − Γ S ) (1 − Γ S ) − Γ Γ S
2
g 11 L 22 g L 12 S 21
=
S21ad
2
(1 − Γ )(1 − Γ )
ad
g
2
ad
L
2
= S21ad ,
(1 − Γ )(1 − Γ )−Γ
2
ad
g S ad
11
ad
L S ad
22
ad
g Γ S Sad
L
ad
12
ad
21
unde Γg şi ΓL sunt soluţii ale ecuaţiei (4.3.2.2), respectiv ale ecuaţiei

(4.3.2.3). Determinantul cuadripolului adaptat este:
ad
Δ = S11ad S 22ad − S12ad S 21ad = S12ad S 21ad ,
2
1 + Δad
iar parametrul K va fi: K = (vezi ecuaţia (4.3.2.4)).
2 Δad
163
Notând cu X = Δad , rezultă ecuaţia: X2 – 2KX + 1 = 0. Soluţiile

ecuaţiei sunt:
X = Δ ad = S12ad S21
ad
= K ± K 2 −1 ,
reale deoarece adaptarea simultană este posibilă K > 1.
Aplicând relaţiile lui Viéte, avem:
X1 + X2 = 2K,
X1X2 = 1,
iar, din a doua, rezultă că cel puţin una din soluţii este mai mică decât 1,
aceasta fiind: Δ ad = S12ad S 2ad1 = K − K 2 − 1 < 1 . Soluţiea va fi reţinută
2 2 2
deoarece Δ ad = S 21ad S12ad reprezintă produsul dintre amplificarea
directă şi inversă, care dacă este supraunitar, conduce la instabilitate
(echivalentă cu condiţia lui Barkhausen GB = 1). Din ecuaţiile (4.2.3) şi
(4.2.4), avem:
⎡ S11ad S12ad ⎤ ⎡ S11e − j 2β L1 S12 e− jβ (L1 + L2 ) ⎤
⎢ ad ad ⎥
= ⎢ − jβ (L1 + L2 ) − j 2β L2 ⎥
,
S
⎣ 21 S 22 ⎦ S
⎣ 21e S 22 e ⎦
⎡ S11 S12 ⎤ ⎡ S11ad e j 2β L1 S12ad e jβ (L1 + L2 ) ⎤
⎢ =
⎥ ⎢ ad jβ (L1 + L2 ) ad j 2β L2 ⎥
,
S
⎣ 21 S 22 ⎦ S
⎣ 21 e S 22 e ⎦
− jβ (L1 + L2 ) ad jβ (L1 + L2 )
S 21e S12 e = S 21S12 = S21 S12 ,
ad ad
S 21ad S 21
rezultând că: = .
S12ad S12
Vom putea scrie în final că:
GTMAX = S 21ad =
S12
2 S 21
(K − K 2 −1
(4.3.2.6.) )
Acesta este câştigul maxim care se poate obţine de la un etaj cu
tranzistor, în cazul în care este adaptat simultan la intrare şi la ieşire,
S
având K >1. Raportul G MSK = 21 se numeşte câştig maxim în condiţii
S12
(
de stabilitate adică GTMAX = G MSK K − K 2 − 1 . )
164
4.3.3. Analiza stabilităţii unui amplificator

Se va porni de la influenţa sarcinii asupra intrării cuadripolului
amplificator având în vedere coeficienţii de reflexie ΓL şi Γin. Din Ecuaţia
4.1.6 avem:
S 21 S12
Γin = S11 + , iar dacă se pune condiţia ca Γin < 1 nu va
1
− S 22
ΓL
exista riscul apariţiei oscilaţiilor. Asta înseamnă că avem o condiţie
critică, şi anume Γin = 1 , deci vom căuta locul geometric al punctelor ΓL
(reprezentate pe diagrama Smith) care satisfac condiţia critică menţionată
anterior, şi anume:
S 21S12
S11 + =1 ( 4.3.3.1).
1
− S 22
ΓL
Această ecuaţie poate fi adusă sub forma:
⎪⎧ S 22 − ΔS11 ⎪⎫ S11 − 1
*
2
Γ L − 2Real ⎨ 2 2
Γ L ⎬ = 2 2
( 4.3.3.2),
⎪⎩ S 22 − Δ ⎪⎭ S 22 − Δ
formă corespunzătoare unui cerc, în planul complex sau sub formă
simplificată:
2
{
ΓL − 2 Re al Ω *L ΓL = RL2 − Ω L ,
2
}
*
S 22 − Δ* S11
corespunzătoare aceluiaşi cerc cu centrul în Ω L = 2 2
şi de rază
S 22 − Δ
2 2
S11 − 1 2 S12 S 21
R =
2
− ΩL = (fără demonstraţie).
L 2
S 22 − Δ
2
(S 22
2
−Δ
2 2
)
Locul geometric căutat este format din puncte de forma ΓL ,
dispuse pe un cerc de rază R L şi centru Ω L = Ω R + jΩ i pentru care
Γin = 1 , numit cerc de stabilitate la intrare (vezi figura 4.3.3.1).
165
ΩL
ΩI=ГI
RL
ΩR=ГR
Fig. 4.3.3.1 Cercul de stabilitate la intrare

În mod similar, la ieşirea cuadripolului se va căuta locul geometric
al lui Гg, pentru care este satisfăcută egalitatea Γ out = 1 , loc geometric
reprezentat de un cerc cu centrul în:
S11* − Δ* S 22 S12 S 21
Ωg = 2 2
şi de rază R g = 2 2
.
S11 − Δ S11 − Δ
Observaţii!
Observa ii !
• Cazul 1. Cercul de stabilitate de la intrare nu conţine centrul
diagramei Smith ( Ω g − Rg < 1 ).
În acest caz centrul diagramei Smith indică adaptarea şi stabilitatea,

lucru care înseamnă că, dacă cercul de stabilitate nu conţine centrul
diagramei din figura 4.3.2.1, zona interzisă se află în interiorul
cercului de stabilitate (sau zona de instabilitate). Coeficientul de
reflexie Гg nu trebuie proiectat în zona interzisă pentru a nu
destabiliza cuadripolul.
• Cazul 2. Cercul de stabilitate de la intrare conţine centrul
diagramei Smith ( Rg − Ω g > 1 ).
166
Interiorul acestui cerc reprezintă zona de stabilitate, zona interzisă

aflându-se în afara cercului din figura 4.3.3.2. Ca şi în cazul
anterior, Гg nu trebuie să fie poziţionat în zona interzisă pentru a nu
destabiliza cuadripolul.
Zona de
stabilitate
ΩL
ΩI=ГI
RL
ΩR=ГR
Zona de
instabilitate
Fig. 4.3.3.2. Cercul de stabilitate la intrare (zona interzisă)

• Vom avea stabilitate necondiţionată la intrare sau ieşire dacă
cercul de stabilitate de la intrare respectiv de la ieşire include în
întregime diagrama Smith.
Pentru o stabilitate necondiţionată atât la intrare cât şi la ieşire vor
fi necesare condiţiile: K > 1, Δ < 1 . Dacă una dintre cele două condiţii
sau amândouă nu sunt îndeplinite putem avea de-a face cu o stabilitate
condiţionată (suntem în cazul 1 sau 2 prezentate anterior). În acest caz,
stabilitatea cuadripolului va fi discutată din punct de vedere al
poziţionării punctelor Γg şi ΓL faţă de zona interzisă.
4.3.4. Modelul tranzistorului unilateral
Condiţia de unilateralitate implică S12 = 0. Mai concret,
unilateralitatea unei componente active semnifică faptul că, aceasta nu
167
are amplificare în putere pe calea inversă (sau nu are reacţie internă).

Aproape toate componentele active utilizate în amplificatoarele de
microunde sunt unilaterale (mai puţin amplificatoarele bidirecţionale)
deoarece producătorii se străduiesc să le producă astfel. În general, se
acceptă faptul că un tranzistor neutrodinat poate fi considerat ca fiind
unul unilateral, producătorul având grijă (se străduieşte cel puţin) să
realizeze intern neutrodinarea componentei. În figura 4.3.4.1, este ilustrat
modul în care este realizată adaptarea unei componente unilaterale. În
acest caz, pentru realizarea adaptării simultane este necesar ca:
Γ g = S11
*
, Γ L = S22
*
,
iar pentru ca sistemul să fie stabil, avem nevoie ca: S11 < 1 şi S 22 < 1 .
Din ecuaţia (4.3.1.1), putem deduce câştigul pentru componenta unilaterală:
GTU =
S21
2
(1 − Γ ) (1 − Γ )
g
2
L
2
=
( )
2
1 − Γ g S11 (1 − Γ L S22 ) − Γ g Γ L S12 S21
2 2
1− Γg 2 1− ΓL
= 2
S21 2
=
1 − Γ g S11 1 − Γ L S 22
2 2
1 − S11 2 1 − S 22 1 2 1
= 2
S21 2
= 2
S21 2
,
1 − S11
2
1 − S22
2
1 − S11 1 − S22
iar în final avem:

1 2 1
GTU max = 2
S 21 2
= Gg max G0GL max (4.3.4.1),
1 − S11 1 − S 22
1
unde: Gg max = 2
– câştig suplimentar datorat adaptării la intrare,
1 − S11
1
GL max = 2
– câştig suplimentar datorat adaptării la ieşire,
1 − S22
2
G0 = S 21 – câştig de transfer direct al tranzistorului amplificator
măsurat pe impedanţe etalon de 50 Ω la intrare şi la
ieşire (vezi figura 4.3.4.1).
168
50Ω 50 Ω
Adaptor Tranzistor Adaptor
Intrare Unilateral Ieşire
S12 = 0
G g max G0 G L max
E
Γg Γies
Γin ΓL
Fig. 4.3.4.1. Adaptarea componentei unilaterale
Observa ie !
Observaţie!
• Centrul cercului de stabilitate de la intrare pentru o componentă
unilaterală pentru care: S12 = 0, S11 < 1 , , S 22 < 1 este în afara
diagramei Smith:
*
S11 − Δ* S 22 *
S11 − S11
* *
S 22 S 22 *
S11 1
Ω gU = = = = > 1.
2
S11 − Δ
2
S11
2
(1 − S )
22
2
S11
2
S11
• Raza cercului de stabilitate de la intrare este zero dacă avem de-a
face cu o componentă unilaterală:
S 12 S 21
RgU = 2 2
=0.
S11 − Δ
1
• În mod similar, pentru ieşire avem: Ω LU = > 1 şi R LU = 0 .
S 22
• În varianta unilaterală, cercurile de stabilitate se reduc la două

puncte ce sunt plasate în exteriorul diagramei Smith, deci
amplificatorul este necondiţionat stabil (nu există zone interzise).
• Fără celulele de adaptare la intrare avem:
Γg = ΓL = 0 şi Gg = GL = 1, iar GTU = G0.
• În cazul dezadaptării totale Γ g = Γ L = 1 , Gg = GL = 0.
169
1,6 dB
S11*
0 dB
1,8 dB
Fig. 4.3.4.2. Cercurile de câştig constant la intrare pe diagrama Smith

Primul, respectiv ultimul termen din ecuaţia (4.3.4.1), reprezintă
aportul suplimentar (Ggmax, GLmax) de putere adus de adaptoare la intrare
şi la ieşire, faţă de cazul în care adaptarea nu este realizată (GTUmax = G0).
Asta înseamnă că aportul circuitului de la intrare asupra câştigului este
1
între: 0 ≤ Gg ≤ Gg max = 2
, adică variază de la zero (pentru
1 − S11
Γ g = Γ L = 1 ⇒ Gg = 0 ) la valoarea maximă G g max . Această variaţie a
câştigului poate fi explicată prin faptul că există o interdependenţă între
acesta şi valoarea coeficientului de reflexie la intrare Γg. Se poate în acest
fel căuta locul geometric al lui Γg, pentru care câştigul Gg = ct. Acest loc
geometric este un cerc (vezi figura 4.3.4.2 – fără demonstraţie) de centru
şi respectiv rază (Ω Gr , RGr ) adică:
G g S11*
Ω Gr = 2
– centrul cercului,
1 + G g S11
iar RGr =
(
1 − G g 1 − S11
2
) – raza cercului.
2
1 + G g S11
Din figura 4.3.4.2 se poate de asemenea observa că, cercurile
căutate au toate centrul pe dreapta ce uneşte centrul diagramei Smith
170
(punctul O) cu punctul S11* (indicat de vârful săgeţii). Se remarcă de

asemenea că pentru Gg = 0, cercul corespunzator are centrul în originea
diagramei Smith şi raza egală cu unitatea, adică exact conturul diagramei.
1
Pentru Gg = 2
*
, cercul căutat are centrul în S11 şi raza este zero (în
1 − S11
acest caz câştigul G g este maxim, G g max şi tranzistorul este adaptat la
intrare). Pentru Gg = 1 (Gg = 0 dB), centrul cercului se află chiar în
mijlocul dreptei de culoare roşie (vezi figura 4.3.4.2) având raza
S11
RGg = ΩGg = 2
şi trece întotdeauna prin centrul diagramei Smith.
1 + S11
Eroarea comisă în cazul în care aproximăm o componentă ca fiind
unilaterală, este dată de raportul dintre cele două expresii ale câştigului:
2 2
GT 1 − Γg S11 1 − ΓL S 22
= ( 4.3.4.2).
GTU | (1 − Γg S11 )(1 − ΓL S 22 ) − Γg ΓL S12 S 21 | 2
S11S22 S12 S21
Notând cu u = factorul de merit al tranzis-
(1 − S )(1 − S )
11
2
22
2
torului amplificator, se poate scrie (fără demonstraţie) că:

1 G 1
≤ T ≤ .
(1 + u ) GTU (1 − u )
2 2
Exemplul 4.3.4.1. Un tranzistor MESFET are parametrii S în func-

ţie de frecvenţă, în conformitate cu tabelul 4.3.4.1 (măsuraţi pe o impe-
danţă caracteristică Z0 = 50 Ω). Se cere să se deseneze pe diagrama Smith
cercurile de câştig constant la frecvenţa de 4 GHz, pentru GL = 0 dB şi,
respectiv 1 dB, iar corespunzător intrării pentru Gg = 2 dB şi 3 dB.
Utilizând aceste cercuri, să se calculeze amplificatorul de microunde
pentru a asigura un câştig de 11 dB la frecvenţa de 4 GHz. Să se
calculeze de asemenea pierderile de întoarcere pentru acest tranzistor la
frecvenţa de 3 GHz şi 5 GHz.
171
Rezolvare:
Tabelul 4.3.4.1.
Parametrii S în funcţie de frecvenţă
Frecv. (GHz) S11 S21 S12 S22
3 0,8 ≤ 90o 2,8 < 100o 0 0,66 ≤ 50o
4 0,75 ≤ 120o 2,5 < 80o 0 0,6 ≤ 70o
5 0,71 ≤ 140o 2,3 < 60o 0 0,68 ≤ 85o
Acest tranzistor este unilateral, S12 fiind egal cu zero. Din acest mo-
tiv, parmetrul K tinde la infinit, iar Δ = S11S 22 = S11 S22 < 1 . Tranzis-
torul are: K > 1 şi Δ < 1 , fiind necondiţionat stabil (vezi paragraful 4.3.2).
În conformitate cu ecuaţia (4.3.4.1), pentru frecvenţa de 4 GHz avem:
1 1
Gg max = = = 2, 28857 = 3,6 dB ,
1 − S11
2
1 − 0 ,752
1 1
GL max = = = 1,5625 = 1,9 dB
1 − S22
2
1 − 0 , 62
2
G0 = S21 = 2,52 = 6, 25 = 7 ,96 dB ,
deci vom avea un câştig total de
GTU max = 3,59 + 7 ,96 + 1,92 = 13, 487 dB .
Se poate observa că acest câştig este unul maxim disponibil şi este
mai mare decât cel cerut în problemă cu 2,487 dB. Centrele cercurilor de
câştig constant se determină astfel:
*
Gg S11
ΩGr = 2
= 0, 63 < 120o ,
1 + Gg S11
iar raza RGr =

(
1 − Gg 1 − S11
2
) = 0,29 ,
2
1 + Gg S11
ambele valori corespund cercului de câştig constant de 2 dB.
Aplicând relaţiile de mai sus pentru celelalte valori ale câştigului,
atât la intrare, cât şi la ieşirea amplificatorului, vom putea sintetiza
rezultatele în tabelul 4.3.4.2.
172
Tabelul 4.3.4.2
Parametrii cercurilor de câştig constant
Gg GL Ωg ΩL Rg RL
2 dB - 0,63 < 120 - 0,29 -
3 dB - 0,71 < 120 - 0,17 -
- 1 dB - 0,52 < 70 - 0,3
- 0 dB - 0,44 < 70 - 0,44
Cercurile de câştig constant caracterizate de parametrii sintetizaţi în
tabelul 4.3.4.2, sunt desenaţi pe diagrama Smith în figura 4.3.4.3. Dacă
G0 este de aproximativ 8 dB, atunci mai avem nevoie de un câştig
suplimentar de 3 dB aşa cum ne cere problema, câştig suplimentar pe
care îl putem obţine din circuitele de adaptare la intrare şi ieşire. Putem
în acest fel să optăm pentru o variantă în care avem: Gg= 3 dB şi GL = 0
dB pentru a obţine câştigul total cerut de 11 dB. Pe de altă parte putem
alege Gg = 2 dB şi GL = 1 dB, caz în care câştigul total va fi tot de 11 dB.
120o 70o GL = 1 dB
Gg = 2 dB
GL = 0 dB
A
Gg = 3 dB
C
D
B
Fig. 4.3.4.3. Cercurile de câştig constant în reprezentare grafică

pe diagrama Smith
Vom alege un punct situat pe cercul de câştig constant Gg = 2 dB,
punct care, cel puţin teoretic, poate fi plasat oriunde pe circumferinţa
cercului corespunzător. Fie de exemplu punctul A, cel mai apropiat de
173
centrul diagramei Smith. Distanţa dintre acest punct şi centrul diagramei

reprezintă raza unui cerc de VSWR constant, egal cu 2 (vezi figura
4.3.4.3). În mod similar, se va alege un punct pe cercul de câştig
constant de la ieşirea amplificatorului cu GL = 1 dB (cel mai apropiat de
centrul diagramei Smith). Acest punct, notat cu C în figura 4.3.4.3, se află
pe cercul de VSWR = 1,8. Admitanţa corespunzătoare punctului A este B,
punct pentru care avem o susceptanţă normalizată –j0,75, cu un caracter
inductiv. Vom porni din punctul B şi ne vom deplasa pe cercul de VSWR
constant ce trece prin B şi are centrul în mijlocul diagramei Smith. Sensul
de deplasare (spre sarcină) corespunde, pe diagrama Smith, invers
sensului orar. Punctul căutat E, se află la intersecţia dinstre cercul de
VSWR constant 2 şi cercul de rezistenţă constantă r = 1 pentru care avem
admitanţa yε = 1 + j0,7. Susceptanţa punctului E poate fi anihilată de o
alta, cu caracter inductiv –j0,7, moment în care efectul ei determină saltul
din E, în centrul diagramei unde avem adaptare, adică: y = 1. Distanţa
parcursă din B în E pe cercul de VSWR constant 2 este determină de:
Lg = (0,35 – 0,16) λ = 0,19 λ. Lungimea liniei ce anihilează susceptanţa
j0,7 va fi de: Sg = 0,098 λ determinată de rotaţia efectuată din punctul
–j0,7 până la intersecţia cu abscisa, în sens orar (linia fiind terminată în
gol – vezi figura 4.3.4.4).
LL = 0,044 λ
Lg = 0,19 λ
50 Ω
SL = 0,43 λ
50 Ω
Sg = 0,098 λ
Fig. 4.3.4.4. Proiectarea circuitelor de adaptare

În cazul ieşirii se procedează în mod similar, cu menţiunea că se va
porni din punctul C (vezi figura 4.3.4.3), punct care se transformă în
D specific lucrului cu admitanţe normalizate. În final, se obţin liniile:
LL = 0,044 λ şi SL = 0,43 λ. Rezultatele de mai sus au fost verificate cu un
program de calcul scris de autor în TestPoint, interfaţa programului fiind
prezentată mai jos.
174
Pierderile de întoarcere se obţin prin calcularea lui Γin în dB.

Astfel, vom porni de la expresia determinată în ecuaţia 4.1.6, şi anume:
S S Γ
Γin = S11 + 12 21 L .
1 − S 22 ΓL
Vom avea: Γin 4 GHz
= 0,75 , Γ in 3GHz = 0,8 şi Γin 3GHz = 0, 71 valori
ce rezultă direct din tabelul 4.3.4.2, ţinând cont că S12 = 0. Pierderile de
întoarcere exprimate în dB rezultă imediat astfel:
RL4GHz = 20 lg ( 0, 75 ) = −2,5 dB ,
RL3GHz = 20 lg ( 0 ,8 ) = −1,94 dB ,
RL5GHz = 20 lg ( 0, 71) = −2 ,97 dB .
Observaţie!
Observa ie!
În momentul în care se face adaptarea, sarcina este considerată ca
fiind definită de impedanţa (admitanţa) de la capătul liniei la care
dorim să adaptăm “celălalt capăt”. Această observaţie este
importantă din punct de vedere al sensului de parcurgere al
diagramei Smith.
Exemplul 4.3.4.2. Un tranzistor cu GaAs FET este polarizat la
punctul static: Vds = 5 V şi Ids = 10 mA. Parametrii S măsuraţi în aceste
175
condiţii la frecvenţa de 1 GHz sunt: S11 = 2,27 ≤ 120°, S21 = 4 < 50°, S12
= 0 şi S22 = 0,6 ≤ 80°.
a) Utilizând diagrama Smith, să se determine impedanţa de intrare
şi să se indice regiunea de instabilitate.
b) Desenaţi pe diagramă cercurile de câştig constant Gg = 3 dB şi
Gg = 5 dB.
c) Să se determine impedanţa specifică generatorului care
furnizează un câştig Gg = 3 dB şi un grad maxim de stabilitate al
amplificatorului. Să se proiecteze circuitul de intrare şi ieşire pentru
realizarea acestui deziderat.
d) Să se determine câştigul total al amplificatorului în dB.
Rezolvare:
a) Regiunea de instabilitate în cazul tranzistorului unilateral se
1 1
reduce la un punct: Ω gU = = < 120o = 0, 44 < 120o , iar
S11 2, 27
S S Γ
coeficientul de reflexie este: Γin = S11 + 12 21 L = S11 deoarece S12 = 0,
1 − S 22 Γ L
de unde rezultă că punctul Γin este în afara diagramei Smith deoarece
S11 > 1 . Găsirea punctului Γin implică utilizarea unei diagrame Smith
extinse (vezi figura 3.1.10). În lipsa unei diagrame extinse, punctul căutat
1 1
va fi determinat analitic P = ∠ϕ11 = ∠ − 120 0 = 0,44∠ − 120 0 ,
S11 2,27
dar se va ţine cont de faptul că rezistenţa de intrare corespunzătoare
acestui punct are partea reală negativă (vezi figura 4.3.4.5). Rezistenţa de
intrare normalizată citită de pe diagrama Smith utilizând punctul P este:
zin = –0,49 – j0,46. Ţinând cont şi de impedanţa caracteristică liniei de 50 Ω
avem: Zin = -24,5 – j23. Dacă vom utiliza un generator pentru care partea
reală a impedanţei este mai mică decât 24,5 Ω, partea reală a rezistenţei
rămâne negativă. Dacă circuitul este stabil pentru Zin atunci prin
conectarea generatorului, partea reală trebuie să fie pozitivă, deci
rezistenţa generatorului trebuie să fie mai mare decât 24,5 Ω. Pe
diagrama Smith, această condiţie se transpune în delimitarea unei zone de
stabilitate ce se află în interiorul cercului de rezistenţă constantă r = 0,49.
176
120o 80o
Gg = 3 dB
B
Gg = 5 dB
Fig. 4.3.4.5. Diagrama Smith – exemplul 4.3.4.2

b) Se va aplica formula dedusă în paragraful 4.3.3, adică centrul
*
Gg S11
cercului de câştig constant este plasat în: ΩGr = 2
, iar raza
1 + Gg S11
acestuia este: RGr =

(
1 − Gg 1 − S11
2
) . Se obţine următorul tabel.
2
1 + Gg S11
Tabelul 4.3.4.3
Parametrii cercurilor de câştig constant
Gg [dB] Ωg (centrul cercului) Rg (raza)
5 0,45 < 120° 0,217
3 0,4 < 120° 0,27
c) Pentru a se obţine un câştig la intrare de 3 dB, se va alege un
punct pe cercul de câştig constant 3 dB de la intrare (vezi figura.4.3.4.5 –
notat cu A), aflat la intersecţia acestuia cu cercul de rezistenţă constantă r
=1. Acest punct va fi caracterizat de impedanţa:
zg = 1 + j0,5 Ω, cu un coeficient de reflexie corespunzător: Γg = 0,24 < 76°.
Ţinând cont de impedanţa caracteristică de 50 Ω, impedanţa genera-
torului va avea valoarea: Zg = 50 + j25 Ω şi ţinând cont de impedanţa de
intrare calculată la punctul a. (Zin = –24,5 – j23) vom avea la intrare o
177
rezistenţă pozitivă de: 50 Ω – 24,5 Ω = 25,5 Ω, ceea ce asigură

stabilitatea la intrare. Pentru a avea un câştig maxim la ieşire vom
proiecta: ΓL = S22* = 0,6 < 80°. În figura 4.3.4.5 punctul este notat cu B,
iar impedanţa sa normalizată este zL = 0,55 + j1,03, adică ZL = 27,5 +
j51,5. Câştigul de la intrare Gg va fi cel proiectat, adică 3 dB, iar cel de la
ieşire va fi maxim, deci se va calcula astfel:
1 1
GL max = = = 1,9382 = 1,9382 dB .
1 − S22
2
1 − 0 , 62
Câştigul total va fi GTU = 3 + 1,9382 + 12,0412 = 16,9794 dB.
Exemplul 4.3.4.3. Doi tranzistori sunt caracterizaţi de următorii
parametri de dispersie din tabelul 4.3.4.4. Să se determine eroarea
produsă de modelul unilateral pentru tranzistorii A şi B.
Rezolvare:
Tabelul 4.3.4.4
Parametrii S pentru exemplul 4.3.4.3
TR S11 S12 S21 S22
A 0,45 < 150° 0,01 ≤ 10° 2,05 < 10° 0,4 < 150°
B 0,641 ≤ 171,3° 0,057 < 16,3° 2,058 < 28,5° 0,572 < 95,7°
Se va calcula factorul de merit (figure of merit) pentru cei doi
tranzistori A şi, respectiv B:
S11S 22 S12 S 21 0 , 01* 0 , 45* 2 ,05* 0 , 4
uA = = = 0 , 00551 ,
( 2
)(
1 − S11 1 − S 22
2
) ( )(
1 − 0 , 452 1 − 0 , 42 )
0 ,057 * 0 , 641* 2 ,058* 0 ,572
uB = = 0 ,1085 .
( )(
1 − 0 ,6412 1 − 0 ,5722 )
Pentru evaluarea pierderilor se utilizează formula dată în paragraful
4.3.3, şi anume:
1 G 1
≤ T ≤ ,
(1 + u ) GTU (1 − u )
2 2
GT
adică 0 ,9891 < < 1,0055 pentru tranzistorul notat cu A şi
GTU
GT
0 ,8138 < < 1, 2582 pentru tranzistorul B. Rezultatele obţinute se pot
GTU
178
GT
transforma în dB, astfel: −0 ,0476 < < 0 ,0238 pentru A şi
GTU
GT
−0 ,8948 < < 0 ,9976 pentru B. Domeniul în care variază eroarea este
GTU
destul de mic în primul caz, adică: 0,0714 dB pentru tranzistorul A şi mai
mare, de 1,8924 dB, pentru tranzistorul B. În concluzie putem afirma că
se poate simplifica mult modelul şi metodologia de calcul considerând
tranzistoarele unilaterale, modelul simplificat de calcul fiind mult mai
uşor de abordat şi mai rapid, iar o eroare sub 1 dB faţă de câştig,
acceptabilă.
Exemplul 4.3.4.4. Parametrii S măsuraţi la frecvenţa de 6 GHz în
cazul unui tranzistor sunt daţi în tabelul de mai jos. Să se proiecteze
amplificatorul pentru un câştig maxim.
Rezolvare:
Frecv.
S11 S21 S12 S22
(GHz)
6 0,641 ≤ 167,4° 2,187 < 32,4° 0,046 < 65° 0,716 ≤ 83°
Primul pas constă în determinarea condiţiilor în care tranzistorul

este stabil. Pentru aceasta se va calcula Δ şi K, astfel:
2 2 2
1 + Δ − S11 − S22
Δ = S11S 22 − S12 S 21 = 0 ,3419 , K= = 1,1296
2 S12 S21
(vezi ecuaţia 4.3.2.4), rezultând că amplificatorul va fi necondiţionat
stabil (vezi paragraful 4.3.2). Putem calcula coeficienţii de reflexie la
intrare şi ieşire, văzuţi spre generator, respectiv spre sarcină:
2
B1 − B12 − 4 C1
Γg = = 0 ,8673 < 169 ,76o (consultă pentru detalii
2C1
ecuaţia 4.3.2.2 şi ecuaţia 4.3.3.3)
2
B2 − B22 − 4 C2
şi ΓL = = 0 ,9011 < 84 , 48o .
2C2
Adaptarea de impedanţă la intrare şi la ieşire se face efectiv pe
diagrama din figura 4.3.4.6. Primul pas constă în identificarea punctelor
corespunzătoare celor două valori determinate anterior, în funcţie de
179
coeficienţii de reflexie Γg şi ΓL, puncte notate cu A şi C. Vom lucra cu

admitanţele lor normalizate, transformarea făcându-se automat prin rotire
cu 180 de grade în jurul originii, rezultând astfel punctele B şi D. Pornind
din punctul B, căruia îi corespunde admitanţa normalizată yB, trebuie să
ajungem (pentru a face adaptarea) în centrul diagramei Smith unde avem
y = 1. Pentru asta ne vom deplasa din B pe cercul de VSWR constant ce
trece prin B şi A în sensul trigonometric, spre punctul de intersecţie dintre
cercul menţionat şi cel de rezistenţă constantă r = 1 (acest punct este
notat cu E în figura 4.3.4.6). Această rotaţie corespunde deplasării pe o
linie de transmisie de lungime Lg = 0,065λ. Admitanţa normalizată a
punctului E este: yE = 1 + j2,7, iar susceptanţa acesteia j2,7 poate fi
neutralizată de o linie cu caracter inductiv de susceptanţă –j2,7 terminată
în gol sau scurt. Această linie ar determina deplasarea din punctul E pe
cercul de rezistenţă constantă r = 1 ce duce spre centrul diagramei. Pentru
a calcula lungimea acestei linii vom identifica punctul –j2,7 pe diagrama
Smith apoi ne vom deplasa din acest punct pe cercul de rezistenţă
constantă r = 0 (de rază 1) în sens trigonometric (adică spre sarcină).
Primul punct de pe abscisă pe care îl vom întâlni, este situat în partea
dreaptă a diagramei Smith şi corespunde unui scurt.
84 , 48o
C
169 ,76o A
B
F
Fig. 4.3.4.6. Diagrama Smith – exemplul 4.3.4.4
180
Putem să continuăm deplasarea până se ajunge pe abscisă în partea

stângă (pentru a termina linia în gol), dar în acest caz, linia ar fi mai
lungă. Deplasarea ar corespunde unei linii de transmisie de lungime
S g = 0,25 – 0,198 = 0,052 λ faţă de 0,302 λ, cât ar corespunde în
mod normal dacă linia e terminată în gol. Ambele cazuri prezentate au
acelaşi efect, dar pe lângă diferenţa de lungime, o linie mai lungă are
pierderi mai mari, efectul manifestându-se sub forma unei creşteri a
benzii amplificatorului.
LL = 0,093 λ
Lg = 0,065 λ
50 Ω
SL = 0,29 λ
50 Ω
Eg
Sg = 0,052 λ
Fig. 4.3.4.7. Schema electrică a amplificatorului la

semnal mic – exemplul 4.3.4.4
În cazul circuitului de ieşire, se va pleca din punctul D pe cercul de
VSWR constant (VSWR = 20) ce trece prin D şi C, în sens trigonometric
până se intersectează cu cercul de rază constantă r = 1 (marcat cu F în
figura 4.3.4.6). Acest punct are admitanţa yF = 1 – j4, iar pentru anihi-
larea susceptanţei sale e nevoie de o linie de transmisie plasată în paralel,
care oferă o susceptanţă de +j0,4. Se va căuta pe diagrama Smith punctul
j4 plasat pe cercul de rezistenţă constantă r = 0, iar din acest punct se va
face o rotaţie în sens trigonometric, primul punct întâlnit pe abscisă fiind
cel corespunzător unei linii terminate în gol. Această rotaţie corespunde
unei linii de lungime SL = 0,29 λ, montată în paralel ca în figura 4.3.4.7.
Lungimea liniilor astfel obţinute va fi direct responsabilă de
pierderile din circuitele de adaptare, având o influenţă asupra benzii
acestora. De cele mai multe ori, în cazul circuitelor de bandă largă, se va
căuta adaptarea într-o gamă cât mai largă de frecvenţă chiar dacă acest
lucru este posibil cu preţul măririi pierderilor din circuitele utilizate
pentru adaptare. Este identificată în acest fel chiar problema în sine a
adaptării, şi anume, creşterea pierderilor deşi, iniţial, scopul declarat era
de maximizarea puterii transferate sarcinii. La antene spre exemplu
181
pierderile datorită adaptării anulează avantajul plasării în paralel a mai

multor elemente, dacă se depăşeşte un anumit număr. Adaptarea, ca şi
orice alt proces prin care se urmăreşte optimizarea are costuri.
182
Capitolul 5. Circuite complexe pentru microunde
CAPITOLUL 5
Circuite complexe pentru microunde
Circuitele electronice au schimbat practic lumea în care trăim

începând din secolul al XX-lea până în prezent. Apogeul acestora a
determinat apariţia circuitelor integrate ce deschid calea erei digitale,
care, la rândul ei, determină apariţia calculatoarelor numerice atât de
utilizate în prezent. Circuitele electronice destinate microundelor, circuite
ce operează cu semnale electrice de frecvenţă cu adevărat mare [Pal98],
fac parte însă dintr-o categorie aparte. Ele au fost de la început
predestinate pentru echipamentele de radiocomunicaţii, având un rol
hotărâtor în dezvoltarea televiziunii, comunicaţiilor prin satelit şi, la
apariţia internetului. Ingineria frecvenţelor înalte implică şi analiza
circuitelor complexe pentru microunde care, pe lângă amplificare,
prelucrează abil semnalul de microunde în condiţii de zgomot. Se
folosesc la: producerea semnalelor sinusoidale pentru purtătoarea de RF,
la heterodinarea semnalelor RF pentru translaţia frecvenţei,
amplificatoare de zgomot mic, emiţătoare etc. Toate aceste procese
complexe permit transmiterea semnalelor la distanţe foarte mari, practic,
fără fir şi, de cele mai multe ori, în condiţii de mobilitate ale staţiilor
corespondente. După liniile de transmisie, aceste circuite se proiectează
în conformitate cu antena şi canalul radio, fiind în strânsă corelaţie cu
acestea. Ca urmare, un nou concept, cel al mobilităţii, îşi face tot mai
sigur loc printre cele deja consacrate.
5.1. Analiza la zgomot
Factorul de zgomotul este un parametru foarte important ce

reprezintă degradarea raportului semnal-zgomot între intrarea şi ieşirea
unui cuadripol [Bot98], fiind definit astfel:
( S N ) int rare
F= (5.1.1).
( S N ) iesire
183
Dacă vom considera un amplificator de microunde cu câştigul în

putere G, atunci factorul de zgomot poate fi scris ca:
Sin N in N
F= = 1+ a ,
GSin / G ( N in + N a ) N in
unde N a – puterea de zgomot adiţional a amplificatorului raportată la intrare.
Na
În continuare, se poate deduce raportul folosind modelul
N in
cuadripolului din figura 5.1.1, unde: Zg = Rg + jXg este impedanţa
generatorului cu tensiunea de zgomot corespunzatoare de la intrare vgn.
Pornind de la binecunoscuta formulă a zgomotului termic la bornele unei
rezistenţe (v2 = 4KTRΔf) şi având în vedere modelul utilizat la măsurarea
zgomotului din figura 5.1.1, considerând că:
2
vgn = 4 KTRg Δf , v 2 = 4 KTRn Δf , i 2 = 4 KTG p Δf ,
unde Rn este rezistenţa echivalentă de zgomot a cuadripolului, iar Gp este
conductanţa echivalentă de zgomot (se mai consideră de asemenea că
sursele v şi i sunt corelate, iar impedanţa de corelaţie este Zc = Rc + jXc
astfel încât v = Zci), se poate găsi factorul de zgomot sub forma:
Gp 2 Xg
R
F = 1+ n +
Rg Rg
(R g + X g2 ) + 2 Rc G p + 2 X c G p
Rg
(5.1.2)
v
V gn
i Cuadripol ideal fără zgomot ZL
Zg
Fig. 4.3.4.1. Modelul cuadripolului din punct de vedere al zgomotului

Impedanţa generatorului este cea care influenţează cel mai mult
valoarea factorului de zgomot a cuadripolului. Ceea ce este mai
important din punct de vedere a minimizării efectului negativ al
zgomotului, este determinarea valorii lui Zg, pentru care F este minim. Se
caută în acest fel valorile pentru care derivatele parţiale ale factorului de
zgomot se anulează, lucru ce implică rezolvarea sistemului de ecuaţii:
184
⎧ ∂F
⎪ ∂X = 0
⎪ g
⎨ ∂F (5.1.3)
⎪ =0
⎪⎩ ∂R g
Se găsesc soluţiile:
Rn Rn
Ropt = − X c2 ; X c < şi X opt = − X c [Bot98].
Gp Gp
Rn
În acest caz, pentru X g = − X c şi R g = − X c2 , factorul de
Gp
zgomot are o valoare minimă, adică:
⎡ Rn ⎤
Fmin = 1 + 2G p ⎢ Rc − X c2 ⎥ (5.1.4)
⎢⎣ Gp ⎥⎦
Factorul de zgomot F poate fi exprimat în mai multe forme, în
funcţie de Fmin, astfel:
2
R Zg
F = Fmin + n −1 (5.1.5)
R g Z opt
sau considerând admitanţele:
1 1 1 1
Zg = = , Z opt = = ,
Yg G g + jB g Yopt Gopt + jBopt
F = Fmin +
Rn
Gg
[
(G g − Gopt )2 + (Bg − Bopt )2 , ]
Rn 2
F = Fmin + Yg − Yopt (5.1.6)
Gg
Iar în funcţie de coeficienţii de reflexie:
2
R Γg − Γopt
F = Fmin +4 n
(
R0 1 − Γ 2 1 + Γ
g )opt
2
(5.1.7)
F − Fmin 2
Notând cu N = 1 + Γ opt , vom căuta locul geometric al lui
R
4 n
R0
Γg pentru care factorul de zgomot F este constant. Locul geometric căutat
este un cerc cu centrul în punctul:
185
Γopt
ΩN = (5.1.8)
1+ N
şi raza:
RN =
(
N 2 + N 1 − Γopt
2
) (5.1.9)
1+ N
Observaţie!
Punctul Γopt pentru care factorul de zgomot este minim (vezi figura
*
5.1.2) este amplasat diferit de punctul S11 , pentru care amplificarea
este maximă. Astfel rezultă că trebuie realizat un compromis între
câştig şi factor de zgomot şi anume, se va căuta un punct pe dreapta
dintre cele doua puncte amintite mai sus, rezultând în acest mod cel
puţin trei criterii de calcul al unui amplificator de microunde şi
anume: după câştig, după zgomot sau o combinaţie între cele două.
În CD-ul ataşat sunt prezentate cercurile de zgomot şi de câştig
constant pentru care producătorul specifică parametrii tranzistorului
amplificator de microunde, măsuraţi pe impedanţe de 50 Ω la frecvenţa
de 2,5 GHz; de exemplu:
Fmin = 1,8 dB,
Rn = 13,8 Ω ,
o
Γ opt = 0 , 412e j104 ,
VCE = 10V , I C = 10 mA,
f = 2 ,5 GHz.
În cazul unor amplificatoare legate în cascadă pentru estimarea
factorului de zgomot, se utilizează formula lui Friis, şi anume:
F − 1 F3 − 1 Fn − 1
FTotal = F1 + 2 + + ...... + (5.1.10)
G1 G1G2 G1G2 .....Gn −1
unde: n – numărul de amplificatoare;
Fi – factorul de zgomot corespunzător etajului i, i = 1,n ;
Gi – câştigul etajului i, i = 1,n .
Exemplul 5.1.1. Să se proiecteze un preamplificator de zgomot

redus cu un tranzistor bipolar ce va funcţiona la frecvenţa de 2,4 GHz. Să
se aleagă în mod corespunzător tipul tranzistorului.
186
Rezolvare:
Primul pas constă în alegerea tranzistorului potrivit, acesta va fi
stabil la frecvenţa de lucru (cu K > 1) şi va avea un factor de zgomot cât
mai mic (< 2 dB). Componentele cu mobilitate mare a purtatorilor sunt
tranzistoarele NPN, deci, vom căuta un tranzistor la care dopajul să
favorizeze electronii, ca purtatori majoritari. O buna alegere ar fi
tranzistorul bipolar HXTR 6102 (NPN), pentru care punctul static de
funcţionare optim indicat de producator în zona lineară a caracteristicii
este: UCE = 10 V la un curent de colector Ic = 4 mA.
La frecvenţa de 2,4 GHz parametrii S măsuraţi de producator sunt:
S11 = 0,57 ≤ 163°, S22 = 0,76 ≤ 50°, S21 = 2,646 < 59°, S12 = 0,042 < 25°,
Fmin = 1,8 dB, Rn = 13,8 Ω, Γoptim = 0,412 < 104°.
Pentru determinarea parametrilor s-a scris un program în Test Point
ce afişează grafic atât parametri de intrare cât şi parametri caracteristici:
|Delta|, K, B1, B2, C1, C2, GTmax. Parametrii C1, C2, B1 şi B2 sunt
specifici paşilor intermediari descrişi în capitolul 4 (vezi figura 5.1.2).
Fig. 5.1.2. Interfaţa de calcul a amplificatorului pentru microunde,

de zgomot redus, proiectat la frecvenţa de 2,4 GHz
Se poate observa că tranzistorul este necondiţionat stabil (K = 1,1419
şi Δ < 1 ), putându-se adapta simultan la intrare şi ieşire, iar câştigul
maxim ce poate fi obţinut în cazul în care se face adaptarea simultană nu
poate depăşi 15.7 dB. GTUmax este câştigul în cazul în care tranzistorul
ar fi considerat unilateral. Eroarea în acest caz ar fi egală cu diferenţa
187
dintre cele două câştiguri: 15,7 dB – 13,9 dB = 1,8 dB (eroarea este

acceptabilă).
În figura 5.1.3, se ilustrează grafic schema bloc a amplificatorului
şi coeficienţii de reflexie înspre generator şi respectiv înspre sarcină,
pentru care s-ar obţine un câştig maxim de 15,7 dB în cazul în care
adaptarea simultană a intrării şi a ieşirii amplificatorului poate fi realizată.
Pe diagrama Smith vom plasa coeficienţii de reflexie Γg, ΓL, corespun-
zători impedanţelor Zg, ZL, parametrii calculaţi de program cu ajutorul
ecuaţiilor (4.3.2.2) şi (4.3.2.3) care corespund unui câştig maxim. Astfel,
se vor citi valorile corespunzătoare impedanţelor ZL = 12,6 + j92,8 şi, res-
pectiv Zg = 5,24 + j0,825 de pe diagramă sau direct din câmpurile RE(Zg),
IMG(Zg), RE(ZL) şi IMG(ZL) ale interfeţei prezentate în figura 5.1.2.
50Ω 50Ω
Adaptor Tranzistor Adaptor

intrare HXTR ieşire
6102-npn
Eg
ZL
j178 0 j 560
Γg = 0,8e Γin Γies ΓL = 0,894e
Fig. 5.1.3. Schema bloc a amplificatorului de zgomot redus

Dacă se face proiectarea etajului realizându-se adaptarea simultană,
după criteriul câştigului maxim, atunci factorul de zgomot rezultat va fi
mult mai mare decât cel minim (Fmin = 1,8 dB) adică: F = 5,61 dB. În
acest caz, etajul va avea o amplificare foarte bună (15,7 dB), dar va fi
totodată şi mult mai zgomotos, lucru inadmisibil pentru un preampli-
ficator de zgomot redus, care lucrează ca prim etaj într-un amplificator de
microunde şi care, obligatoriu trebuie să aibă un factor de zgomot mai
mic de 2 dB. În cazul bilateral (când S12 nu se aproximează cu zero),
proiectarea după criteriul câştigului maxim presupune plasarea coefici-
enţilor de reflexie Γg, ΓL în punctele marcate cu un cerc în figura 5.1.3. În
cazul prezentat se cere o proiectare după criteriul reducerii zgomotului,
deci vom fi nevoiţi să facem un compromis între câştig şi zgomot,
criteriul prioritar fiind acela de reducere a zgomotului prin acceptarea
unui câştig ceva mai mic decât cel maxim, dar cât mai mare posibil.
188
Observăm astfel că dacă am considera tranzistorul unilateral, GTUmax

este mai mic decât GTmax cu 1.8 dB, ceea ce reprezintă o mică pierdere.
Totuşi, aportul circuitului de adaptare de la intrare asupra lui GTmax este
mic (de doar 1,7 dB faţă de cel de la ieşire care este de 3,7 dB). Se poate
aproxima tranzistorul ca fiind unilateral, numai când vorbim de adaptarea
la intrare, fără a pierde mai mult de 0,9 dB (aportul adaptorului de la
ieşire fiind mai mare asupra câştigului total decât aportul adaptorului de
la intrare).
Γ
L
Γ
S* opt
11
Γ
g
Fig. 5.1.3. Plasarea coeficienţilor de reflexie de la intrarea circuitului:

*
în Гopt avem un factor de zgomot F = 1,8 dB, în S11
avem un câştig maxim, dar F este de 5,6 dB
Metoda propusă este o combinaţie între modelul unilateral şi
bilateral în care, atunci când proiectăm intrarea considerăm S12 = 0, dar
ţinem cont că S12 este diferit de zero, la proiectarea adaptorului de ieşire.
Modelul de la ieşire este unul bilateral, iar la intrare o combinaţie între
unilateral şi criteriul de reducere a zgomotului. Pasul următor constă în
trasarea cercurilor de câştig constant pe diagrama Smith, considerând
tranzistorul unilateral numai la intrare, Γgeste în felul acesta determinat
*
unic de valoarea lui S11 (vezi modelul tranzistorului unilateral – paragra-
ful 4.3.3). Calculăm raza Rg şi centrul cercului Ωg, pentru care Gg = 0 dB
189
(aportul circuitului de adaptare de la intrare asupra câştigului este 0 dB –

vezi paragraful 4.3.3). Vom obţine un cerc cu raza:
RGr =
(
1 − Gg 1 − S11
2
) = 0,43
2
1 + Gg S11
şi cu centrul poziţionat în punctul:
*
Gg S11
ΩGr = 2
= 0 , 43 < 163o
1 + Gg S11
(OmgG = 0,43, Faza = 163 – vezi figura 5.1.4) care trece prin originea
diagramei Smith. În afara acestui cerc, tranzistorul nu mai amplifică, ca
urmare, ne vom strădui să alegem un coeficient de reflexie la intrare,
undeva în interiorul acestuia unde avem amplificare.
Fig. 5.1.4. Interfaţa de calcul a amplificatorului de zgomot redus

Se vor determina trei cercuri de câştig constant la intrare de: 0 dB,
0,6 dB şi 1 dB. Apoi se determină cercul cu factor de zgomot constant:
F = 1,9 dB cu ajutorul ecuaţiei (5.1.8) şi a razei din ecuaţia (5.1.9),
obţinându-se:
Γ
Ω N = opt = 0 , 4 < 104o ,
1+ N
RN =
(
N 2 + N 1 − Γ opt
2
) = 0,158 ,
1+ N
190
F − Fmin 2
unde N = 1 + Γ opt – parametru intermediar (vezi tabelul 5.1.1).
R
4 n
R0
În final, se vor desena cele trei cercuri şi se observă că toate
cercurile de câştig constant indicate de săgeţile cu linie punctată (vezi
figura 5.1.5) au centrele plasate pe dreapta care uneşte originea diagramei
Smith şi S11* . O altă observaţie remarcabilă este că centrele cercurilor cu
factor de zgomot constant aparţin dreptei ce uneşte originea diagramei
Smith cu punctul corespunzător lui Γopt.
Tabelul 5.1.1.
Cercuri cu câştig constant la intrare
Gg [dB] Ωg Rg
0 0,43 < 163° 0,43
0,6 0,48 < 163° 0,35
1 0,51 < 163° 0,27
F [dB] ΩNg RNg
1,9 0,4 < 104° 0,158
În ambele cazuri locul geometric al centrelor cercurilor numite mai
sus este o dreaptă. Pe măsură ce aceste centre se apropie de S11* sau de
Γopt, razele lor tind la zero. Privind figura 5.1.5, se mai poate afirma că
cercul cu Gg = 1 dB este tangent la cercul cu un factor de zgomot F = 1,9 dB
într-un punct, în care avem Γg = 0,39 < 129°. Acest punct realizează
compromisul dorit între zgomot şi câştig prin faptul că la intrare câştigul
scade prin deplasarea din S11* spre Γg = 0,39 < 129°, dar totodată factorul
de zgomot scade de la 5,6 dB sub valoarea de 2 dB. În momentul în care
se ajunge în jurul punctului Γg = 0,39 < 129° se poate afirma că
amplificatorul este unul de zgomot redus, dar totodată are o amplificare
maximă (atât cât permite criteriul abordat). Pentru acest tip de tranzistor,
coeficientul de reflexie optim dat de producator este Γoptim = 0,412ej104.
Acesta este indicat pe diagrama din figura 5.1.5, undeva la marginea
cercului ce indică limita minimă a câştigului la intrare. Asta semnifică
faptul că, pentru Γoptim, câştigul la intrare este de Gg = 0 dB, dar factorul
de zgomot asigurat este cel minim, adică Fmin = 1,8 dB. Nu putem să
minimizăm zgomotul la această valoare neavând nici un câştig la intrare,
astfel că, vom alege un factor de zgomot mai mare adică Fg = 1,9 dB, în
191
acest fel, determinându-se cercul de zgomot constant (RNg_F_ct = 0,158

cu centrul în |OmgNg| = 0,4 şi faza 104 grade – vezi interfaţa progra-
mului de calcul TestPoint cu ajutorul căreia s-au verificat rezultatele).
Γ
Γ = 0,39∠129
0 L
g
Γ
opt
S*
11 F = 1,9dB
G = 0dB
g
0,48∠163 0
G = 1dB
g
Fig. 5.1.5. Optimizarea amplificatorului pe diagrama Smith
Observaţie!
Coeficienţii de reflexie ΓL şi Γg sunt puternic corelaţi prin
intermediul parametrilor S12 şi S21. Acest lucru semnifică faptul că,
modificând valoarea lui Γg, se va modifica şi valoarea lui ΓL,
S S
pornind de la ecuaţia Γ*g = S11 + 12 21 , dedusă în paragraful 4.3.2.
1
− S22
ΓL
Acest lucru semnifică faptul că, în cazul în care adoptăm modelul
bilateral, parametrul S12 nu mai este zero şi practic, nu mai putem
avea controlul asupra unui coeficient de reflexie fără al deteriora
valoric pe celălalt. În cazul prezentat am modificat coeficientul de
reflexie de la intrare de la valoarea Γg = 0,8 < 178° (caz în care am
fi avut câştig maxim la intrare) la valoarea optimă Γg = 0,39 < 189°
(caz în care s-a redus factorul de zgomot). În această situaţie este
normal ca valoarea lui ΓL să se modifice, iar dacă se aplică din nou
192
ecuaţia de mai sus putem determina noul coeficient de reflexie de la

ieşire, ţinând cont de noua valoare a celui ales la intrare (ΓL = 0,812 <
50,2° – deplasarea lui ΓL în noua poziţie este ilustrată în figura 5.1.5
de o săgeată). Această deplasare va determina modificarea
câştigului total.
Recalcularea câştigului total si reevaluarea pierderilor obţinute prin
minimizarea zgomotului este ultimul pas. Câştigul total scade de la
15,706 dB la 14,09 dB, ca urmare a uşoarei dezadaptări a intrării
tranzistorului, dezadaptare ce are ca efect scăderea factorului de zgomot
de la 5.6 dB la 1.92 dB. De asemenea se va modifica uşor şi valoarea
coeficientului de reflexie pe sarcină, aşa cum s-a observat mai sus. Cu o
pierdere faţă de câştigul total de numai 1,6 dB s-a diminuat factorul de
zgomot cu 3,7 dB, valoare care face diferenţa între un amplificator de
zgomot redus şi unul de câştig. Conform ecuaţiei (5.1.10) a lui Friis,
primul etaj are o influenţă foarte mare asupra factorului de zgomot al
întregului lanţ de amplificare dintr-un receptor radio, motiv pentru care
se încearcă diminuarea acestuia în detrimentul câştigului.
5.2. Tehnici de proiectare a amplificatoarelor de

microunde utilizând tehnologii microstrip
Aşa cum s-a arătat în capitolul 2, o linie microstrip este caracte-

rizată de mai mulţi parametri: lăţime w, grosime substrat dielectric h,
constantă dielectrică relativă εr şi impedanţă caracteristică Z0. În cazul
amplificatoarelor de microunde cu tranzistoare, adaptarea de impedanţă
necesară la intrare şi ieşire, pentru alinierea unui coeficient de reflexie, se
poate face utilizând liniile microstrip. Avantajul acestora faţă de alte
metode constă în faptul că realizarea tehnologică implică nişte costuri cu
mult mai mici faţă de ghiduri sau linii coaxiale. După cum s-a văzut în
lucrarea precedentă, adaptarea la intrare presupune trecerea de la o
impedanţă caracteristică generatorului (de regulă 50 Ω), la una complexă
specifică intrării amplificatorului. Acest lucru se face pentru a forţa un
anumit coeficient de reflexie la intrare, coeficient care, îşi va pune
amprenta asupra parametrilor de funcţionare a amplificatorului (zgomot,
amplificare, bandă etc.). În urma adaptării sunt nişte ingerinţe legate de
grosimea microstripului (w) sau de lungimea acestuia (L) pornind de la
un material dielectric pe care îl avem la dispoziţie.
193
Z0 [Ω]
Fig. 5.2.1. Impedanţa caracteristică funcţie de w/h pentru DUROID 5870

Unul dintre cele mai folosite materiale este substratul DUROID
5870 ce poate avea grosimi (h) între 0,13 mm şi 3,18 mm. În graficul din
figura 5.2.1 este ilustrată dependenţa dintre raportul w/h şi impedanţa
caracteristică rezultată Z0 a microstripului. Substratului DUROID 5870 îi
corespunde permitivitatea electrică relativă de 2,3, iar dacă, de exemplu,
dorim să calculăm lăţimea w a liniei microstrip pornind de la impedanţa
ei caracteristică de 50 Ω, considerând un subtrat dielectric cu grosimea
de 0,79 mm, vom observa de pe grafic că raportul w/h corespunzător
acestei impedanţe este trei, rezultând că lăţimea liniei microstrip va fi de
3*0,79, adică 2,37 mm. În urma unor calcule mai laborioase, pe baza
ecuaţiilor lui Wheeler (vezi capitolul 2), se obţine valoarea 2,35 mm.
Chiar dacă rezultatele obţinute prin folosirea metodelor de estimare
grafică nu sunt foarte exacte, ele ne oferă o imagine relevantă asupra
liniilor microstrip, putându-ne verifica astfel calculele măcar ca ordin de
mărime pentru evitarea unor greşeli frecvente.
5.2.1. Transformări de impedanţă cu tronsoane
singulare de linie microstrip
Metoda poate fi utilizată în cazul adaptării unei impedanţe
complexe la una de asemenea complexă sau de la una reală la alta
complexă. Metoda [Bai96] presupune amplasarea unui tronson microstrip
de lungime L într-un loc cât mai aproape de impedanţa de sarcină ZL,
194
pentru care partea reală a impedanţei normalizate cât şi partea reală a

admitanţei normalizate sunt egale cu 1.
zA = 1 + jxA, ..., yA = 1 + jbA.
Tronsonul de adaptare este plasat perpendicular pe linia de
transmisie şi apare ca o admitanţă în paralel cu YA, dar cu un caracter
reactiv invers. Astfel, se caută anularea părţii reactive prin modificarea
lungimii L2 şi a lăţimii liniei w (aşa cum s-a explicat în paragraful 3.2). L1
corespunde lungimii electrice care asigură sinfazarea semnalului pe
impedanţa de sarcină.
w
L2
ZL
Z0
A
L1
Fig. 5.2.1.1. Tronson da adaptare în tehnologie microstrip, amplasat

perpendicular pe linia de transmisie
În general, sarcina unui amplificator este reală fiind pur rezistivă,
lucru ce se explică dacă este vorba de o antenă (aceasta lucrând la
rezonanţă). De exemplu, la rezonanţă, partea imaginară a impedanţei se
anulează. La fel se întâmplă cu circuitele acordate sau filtrele, deci putem
simplifica problema considerând ZL = RL fără parte imaginară. ZA devine
ZA = RL + jXA, iar dacă RL = Z0 atunci vom avea zA = 1 + jxA după
normalizare. Tronsonul de adaptare trebuie să aibă un efect invers pentru
a anula partea imaginară, astfel, e ca şi cum linia se termină în A cu o
impedanţă de sarcină egală cu Z0 adică apare ca fiind adaptată. Pentru
1
asta, admitanţa tronsonului de adaptare în A va fi: − jbA , proiectat ca
RL
să anuleze componenta inductivă produsă de sarcină în A. Avantajul me-
todei constă în faptul că nu este nevoie să se modifice grosimea w a tron-
sonului de adaptare, grosime care rămâne egală cu cea a liniei principale
(pentru o linie cu Z 0 = 50 Ω din DUROID 5870 cu h = 0,79 mm rezultă o
195
lăţime w = 2,35 mm). Se poate folosi o formulă simplificată pentru o sar-

cină pur rezistivă, faţă de ecuaţia generalizată dedusă în paragraful 3.2:
(Y0 + GL ) − (Y0 − GL )
2 2 2
ΓL
jbA = ± 2
1− ΓL
unde: Y0 – admitanţa caracteristică a liniei,
GL – partea reală a admitanţei de sarcină,
ΓL – coeficientul de reflexie văzut (în cazul unui amplificator) la
ieşire spre sarcină.
Lungimea L2 a tronsonului adaptor se va calcula cu relaţia:
⎛ Y ⎞
arctg ⎜⎜ 0 ⎟⎟
Y
tg ( βL2 ) = 0 , β =
2π
, de unde rezultă L2 = ⎝ jbA ⎠ ,
jbA λ microstrip β
L1 este lungimea minimă a liniei microstrip ce va asigura transferul
puterii pe sarcină şi care nu trebuie să defazeze semnalul. Se poate cal-
cula L1 pornind de la coeficientul de reflexie pe sarcină şi din punctul A.
ΓL este cunoscut, fiind calculat la proiectarea amplificatorului, iar
Y −Y
Γ A = 0 A = Γ A exp ( jϕ A ) şi Γ L = Γ L exp ( jϕL ) .
Y0 + YA
Pentru o deplasare în direcţia undei incidente, vom avea
ϕ −ϕ
L1 = A o L λ microstrip , exprimându-se de regulă în centimetri. Pentru o
720
deplasare în sens invers undei incidente, vom avea faza în punctul de
plecare şi vom fi nevoiţi să adunăm 360 de grade pentru ca
360o − ϕ A − ϕL
L1 = λ microstrip , să fie mai mare decât zero.
720o
L2
Zg Z0
A
L1
Fig. 5.2.1.2. Tronson da adaptare în tehnologie microstrip, amplasat

perpendicular pe linia de transmisie, chiar lângă sarcină
196
Este destul de evident că deplasarea în sens invers corespunde

adaptării la intrare între generator şi baza tranzistorului, după cum se
vede în figura 5.2.1.2, iar coeficienţii de reflexie vor fi:
Y −Y
Γ A = 0 A = Γ A exp ( jϕ A ) şi ΓG = ΓG exp ( jϕG ) ,
Y0 + YA
1
YA = − jbA ,
RG
unde RG este rezistenţa de ieşire a generatorului,
deci:
(Y0 + GG ) − (Y0 − GG )
2 2 2
ΓG
jbA = ± 2
1 − ΓG
1
unde GG = este partea reală a admitanţei generatorului.
RG
În continuare, avem:
Y
cos ( βL 2 ) = 0
jbA
⎛ Y ⎞
arcos ⎜⎜ 0 ⎟⎟
⎝ jbA ⎠ 360o − ϕ A − ϕL
deci L2 = , iar L1 = λ microstrip .
β 720o
Metoda prezentată este una simplificată ce se pretează la adaptarea
antenelor ce lucrează la rezonanţă, având în acest caz o impedanţă pur
rezistivă. Desenul de mai sus corespunde modului efectiv în care se
realizează în tehnologie microstrip adaptorul de impedanţă. Tronsonul
adaptor, aici este în gol, dar poate fi proiectat şi în scurt la capăt. La fel
de bine adaptorul poate fi calculat prin metoda analitică generalizată sau
cu ajutorul diagramei Smith (metoda grafică) aşa cum ne-am obişnuit,
această metodă realizând la fel adaptarea, dar dintr-o perspectivă diferită.
5.2.2. Transformări de impedanţă cu tronson legat
direct la impedanţa de sarcină
Este o metodă care implică o tehnologie şi mai puţin costisitoare,
dar care are unele limitări neputând fi aplicată în toate cazurile.
Domeniul restrâns al parametriilor liniei microstrip pentru care poate fi
aplicată această metodă, o face mai puţin utilizată decât metoda
197
precedentă. Ideea de bază constă în faptul că o impedanţă de sarcină

complexă de forma ZL = RL ± jXL, poate deveni pur rezistivă dacă între
impedanţa de sarcină şi impedanţa de intrare pe linie se interpune un
tronson de linie microstrip a cărei impedanţă ZT se modifică corespunză-
tor prin găsirea unei lungimi potrivite L. Din teoria liniilor de transmisie
se ştie că impedanţa de intrare pe linie, văzută spre sarcină, este de forma:
Z + jZT tg ( β L )
Z in = ZT L ,
ZT + jZ L tg( β L )
2π
unde β = .
λ microstrip
Lucrând cu valori normalizate ale impedanţei avem:
Z R + jX L
zin = IN , zL = L = rL + jxL ,
Z0 Z0
Z
( rL + jxL ) + j T tg (βL )
Z Z0
deci zin = T =1.
Z 0 ZT
+ j ( rL + jxL ) tg ( βL )
Z0
Astfel în cazul adaptării de impedanţă la intrarea pe linie,
impedanţa de intrare normalizată va avea valoarea unu. Dacă separăm
partea reală de cea imaginară din ultima ecuaţie vom obţine:
rL 2 + xL2 − rL RL2 + X L2 − Z 0 RL
ZT = Z 0 = Z0
rL − 1 Z 0 RL − Z 02
ZT ⎡1 − rL ⎤ ZT ⎡ Z 0 − RL ⎤
şi tg ( βL ) = ⎢ ⎥= ⎢ ⎥ , partea imaginară.
Z 0 ⎣ xL ⎦ Z 0 ⎣ X L ⎦
Din cauza primei ecuaţii apar limitări datorită faptului că termenul
de sub radical trebuie să fie pozitiv. Acest lucru nu poate fi valabil pentru
orice valori ale impedanţelor şi ca atare nu în toate cazurile se poate
aplica această metodă. În figura 5.2.2.1 se prezintă modul în care este
proiectată linia microstrip în cazul în care se poate aplica metoda de
adaptare prezentată.
198
ZT
Z0
ZL
in
Fig. 5.2.2.1. Adaptare cu tronson de linie legat direct

la impedanţa de sarcină
Exemplul 5.2.1. Proiectarea amplificatorului RF în tehnologie micro-
strip. Obiectiv: Proiectarea unui amplificator în tehnologie microstrip la
frecvenţa de 750 MHz folosind un tranzistor bipolar 2N 3570 (Motorola) pe
criteriul amplificării maxime. Parametrii statici ai tranzistorului sunt:
VCE = 10 V, IC = 4 mA, iar parametrii S la frecvenţa de lucru sunt:
S11 = 0,277 ≤ j59°, S12 = 0,078 < j93°, S21 = 1,92 < j64° şi S22 = 0,848 ≤ j31°.
Rezolvare: Rezolvarea este structurată pe paşi:
Pasul 1. Calculul parametrilor amplificatorului
Pentru o mai bună percepţie din punct de vedere valoric, se va
alătura următorul tabel care evidenţiază rezultatele obţinute şi în care se
fac şi rotunjirile pentru limitarea numărului de zecimale. Formulele
utilizate la pasul 1 sunt aceleaşi cu cele folosite în exemplul 5.1.1.
Câştigul maxim care poate fi obţinut cu ajutorul acestui amplificator este
relativ mare (12,807 dB – vezi tabelul 5.2.1), adaptarea simultană a
ieşirii şi intrării tranzistorului necesitând un coeficient de reflexie spre
sarcină de 0,951 < 33,8° şi, respectiv spre generator de 0,73 < 135,4°.
Dacă tranzistorul ar fi considerat unilateral, simplificarea făcută ar
conduce la o micşorare a amplificării cu 1,3 dB. Acest lucru se explică
dată fiind valoarea destul de ridicată a amplificării inverse a componentei
considerate la frecvenţa de 750 MHz, indicată de parametrul S12. Pasul 1
nu introduce nici o noutate faţă de ce s-a învăţat până acum.
Tabelul 5.2.1.
Parametri specifici amplificatorului din exemplul 5.2.1
GMAX ZL ZG
K Δ C1 B1 C2 B2 ΓG ΓL
[dB] [Ω] [Ω]
0,324 ≤ 0,12 ≤ 0,768≤ 0,73< 0,951< 14,7+ 9,08+

1,033 12,807 0,253 1,537
64,8 135,4 3,8 135,4 33,8 + j163 +j19,9
199
Pasul 2. Proiectarea liniei microstrip utilizând metoda

tranformării de impedanţă cu tronsoane singulare
Acest pas va introduce un element nou legat de aplicarea
tehnologiei microstrip la implementarea practică a amplificatorului,
pornind de la un substrat dielectric DUROID 5870 cu h = 0,79 mm. Dacă
vom considera ZG = ZL = 50 Ω rezultă că grosimea liniei microstrip pe
dielectricul considerat va fi: w = 2,35 mm (vezi figura 5.2.1), ştiind că
acest substrat are permitivitatea electrică relativă εr = 2,3.
Adaptor
50 Ω Adaptor TB NPN
ieşire
intrare 2N3570
E
50 Ω
Γ g = 0 , 73 < 135, 4o Γ L = 0,951 < 33,8o
Fig. 5.2.2. Schema bloc a amplificatorului din exemplul 5.2.1

Vom aplica metoda analitică, de această dată utilizând modelul
simplificat descris în paragraful 5.2.1 (adică se va opta pentru o abordare
diferită faţă de metodele anterioare), avantajul metodei constând în faptul
că grosimea liniei microstrip (w) rămâne constantă pe toată lungimea sa.
Practic, va trebui să proiectăm două circuite de adaptare, unul pentru
intrare şi altul pentru ieşire, care vor adapta sarcina, respectiv
generatorul, la tranzistor şi pe de altă parte vor asigura coeficienţii de
reflexie (ΓG, ΓL) care „împing” câştigul amplificatorului la maxim adică
la 12,8 dB. Schema din figura 5.2.3 ilustrează practic, modul de
implementare a liniei microstrip cu cele două tronsoane dispuse în
paralel, tronsoane singulare, perpendiculare pe linia de transmisie şi
poziţionate cât mai aproape de generator şi respectiv sarcină, terminate în
gol. După cum se vede în figură, va trebui să calculăm lungimile
tronsoanelor: L1, L2, L3 şi L4 aplicând modelul simplificat descris în
paragraful 5.2.1. Ne vom ocupa de circuitul de adaptare de la intrare
pentru care avem în punctul de joncţiune: ZA = RL + jXA = 50 + jXA ştiind
că RL = Z0 = 50 Ω.
200
L3
L2 C2=1pF
in C1=1pF T1
B
A out
L4
L1
Condensator
BP – scc la RF
Vcc = 10V
Vb
C4=1pF
C3=1pF
Fig. 5.2.3. Schema electrică a amplificatorului realizat în tehnologie

microstrip la frecvenţa de 750 MHz
Vom urma metodologia descrisă în paragraful 5.2.1 deci
1
YA = − jbA = 20 − jbA [mmho] , apoi vom determina mărimea:
RL
(Y0 + GG ) − (Y0 − GG )
2 2 2
ΓG
jbA = ± 2
= 42 ,8 [mmho].
1 − ΓG
Ştiind că GG = GL = Y0 = 20 [mmho] şi că s-a ales valoarea pozitivă
după extragerea radicalului, lucru ce echivalează cu un tronson capacitiv
lăsat în gol. Lungimea tronsonului perpendicular pe linia principală se va
calcula astfel (vezi paragraful 5.2.1):
⎛ Y ⎞
arcos ⎜⎜ 0 ⎟⎟
⎝ jbA ⎠ 65o
L1 = = λ microstrip
β 360
La frecvenţa de 750 MHz, lungimea de undă este de λmicrostrip =
28,54 cm, deci L1 = 5,15 cm (este mai mic decât un sfert de undă ceea ce
este bine din punct de vedere al minimizării pierderilor). Lungimea
tronsonului L2 se calculează cu formula:
360o − ϕ A − ϕL
L2 = λ microstrip .
720o
201
Pentru determinarea fazei în punctul de joncţiune ϕA, va trebui să

calculăm mai întâi coeficientul de reflexie în punctul A cu formula
cunoscută a coeficientului de reflexie în punctul A, adică:
Y −Y 20 − ( 20 + j 42,8 )
ΓA = 0 A = = 0,73 < 135, 4o .
Y0 + YA 20 + ( 20 + j 42,8 )
Faza undei în A este deci de 135,4°, iar după o deplasare de-a
lungul liniei cu L2 trebuie asigurată faza de 137° la baza tranzistorului.
Aplicând formula de mai sus avem:
360o − 135, 4 − 137
L2 = 28,54 cm = 3,47 cm
720o
după care ne orientăm asupra ieşirii calculând:
(Y0 + GL ) − (Y0 − GL )
2 2 2
ΓL
jbB = ± 2
= −123,5 mmhos .
1− ΓL
După cum se poate observa, s-a ales semnul minus, după extragerea
radicalului, lucru ce implică folosirea unui tronson de adaptare cu
caracter inductiv (fiind plasat în paralel are un comportament invers faţă
de tronsonul serie, care în acest caz ar fi capacitiv). Prin alegerea
semnului sau a caracterului inductiv sau capacitiv, căutăm să minimizăm
lungimea tronsonului de adaptare (aici a lui L4). L4 se va calcula astfel
(conform explicaţiilor din paragraful 5.2.1):
⎛ Y ⎞
arctg ⎜⎜ 0 ⎟⎟
⎝ jbA ⎠ 9 , 2o
L4 = = λ microstrip = 0, 73 cm .
β 360o
Ca şi în cazul precedent, pentru calcularea lui L3, se va deduce
coeficientul de reflexie în punctul specific jocţiunii dintre tronsoane,
adică în punctul B:
Y −Y 20 − ( 20 − j123,5 )
ΓB = 0 B = = 0,953 < 162o .
Y0 + YB 20 + ( 20 − j123,5 )
Ne interesează doar faza semnalului ajuns în punctul B, de 162 de
grade şi ţinem cont de faptul că la capătul tronsonului L3 faza „pleacă” de
la valoarea iniţială de 33,8°. L3 se va calcula plecând de la acest aspect,
cu formula:
ϕ −ϕ 162 − 33,8
L1 = A o L λ microstrip = 28,54 cm = 5,08 cm .
720 720
202
Rezultatul obţinut conduce la implementarea practică a substratului

microstrip din figura 5.2.4 (reprezentarea tranzistorului este simbolică).
Fig. 5.2.4. Schema electrică a amplificatorului realizat în tehnologie

microstrip: dimensiunea tronsoanelor de adaptare la intrare şi la
ieşire, la frecvenţa de 750 MHz – Implementare în TestPoint
Observaţie!
• Metoda simplificată prezentată în exemplul 5.2.1 face parte din
categoria metodelor analitice. Aceasta este prezentată în aşa fel
încât se poate vizualiza evoluţia fazelor semnalului de-a lungul
liniei, pentru o înţelegere mai profundă a fenomenelor ce apar la
radio frecvenţă (RF).
• Metoda grafică (pe diagrama Smith) poate fi, de asemenea, aplica-
tă, dar aceasta a mai fost exemplificată dându-se astfel posibilitatea
unor abordări din perspective diferite, lucru ce evidenţiază într-un
mod mai profund fenomenul ce are loc într-un dispozitiv de
microunde.
Exemplu 5.2.2. Proiectarea liniei microstrip utilizând metoda
transformării de impedanţă cu tronsoane legate direct la impedanţa de
sarcină. Obiectiv: Utilizând o linie microstrip cu impedanţa caracteristică
de 50 Ω şi impedanţa de sarcină ZL = 15 + j10 Ω, dorim să facem
203
adaptarea de impedanţă prin metoda transformării de impedanţă cu

tronsoane legate direct la sarcină.
Rezolvare:
zL = 0,3 + j0,2 Ω este impedanţa de sarcină normalizată, apoi:
5,925mm ZT
2,35mm
Z0
ZL
in
4,748cm
Fig. 5.2.5. Schema electrică a adaptorului realizat în tehnologie

microstrip din exemplu 5.2.2
rL 2 + xL2 − rL RL2 + X L2 − Z 0 RL
ZT = Z 0 = Z0 = 24 , 64 Ω ,
rL − 1 Z 0 RL − Z 02
ZT ⎡1 − rL ⎤ ZT ⎡ Z 0 − RL ⎤
tg ( βL ) = ⎢ ⎥= ⎢ ⎥ = 1,725 ,
Z 0 ⎣ xL ⎦ Z 0 ⎣ X L ⎦
arctg( 1, 725 )
L= λ microstrip = 0 ,166 * 28,54 cm = 4 , 748 cm .
2π
Refăcând calculele pentru un substrat DUROID 5870 cu h = 0,79 mm
şi εr = 2,3 vom observa că alegând o plăcuţă de grosime normală (0,79 mm)
pentru a obţine o impedanţă ZT = 24,64 Ω, din graficul prezentat în figura
5.2.1 rezultă un raport w/h de aproximativ 7,5. Aceasta înseamnă că
lăţimea liniei microstrip va fi de 5,925 mm (vezi figura 5.2.5), putându-se
proiecta linia de adaptare prin metoda tranformării de impedanţă cu
tronsoane legate direct la impedanţa de sarcină, prezentată pentru datele
de intrare considerate anterior, adică:
Γ g = 0 , 73 < 135, 4o , Γ L = 0 ,951 < 33,8o , ZG = ZL = 50 Ω şi se va
desena linia microstrip.
204
Capitolul 6. Circuite neliniare de RF
CAPITOLUL 6
Circuite nelineare de RF
Circuitele nelineare sunt amplificatoarele de putere sau de bandă

largă în clasa A (A-B) care datorită puterilor mari intră în saturaţie,
amplificatoarele nelineare în clasă C, D, E şi F şi nu în ultimul rând,
mixerele şi oscilatoarele sinusoidale de RF (radio frecvenţă). Din punct
de vedere al tehnicilor utilizate la frecvenţe înalte, mixerele sunt cele mai
importante fiind utilizate pentru schimbarea frecvenţei purtătoare. Este
important ca, încă de la început, să se facă o distincţie clară între
mixerele de RF şi cele audio, care sunt circuite lineare ce nu au nici o
legătură cu mixerele RF la care vom face referire aici. Mixerele pot fi
aditive sau multiplicative după modul în care adună, respectiv, multiplică
semnalele de la intrare. Scopul declarat al mixerului este de a distorsiona
controlat semnalele de la intrare în aşa fel încât, să apară la ieşire produse
de intermodulaţie de ordinul 2 şi 3, produse ale semnalelor de intrare, cu
scopul de a modifica frecvenţa purtătoare de RF de la o valoare foarte
mare la una mică (la recepţie), sau de la o valoare mică la una foarte
mare (la emisie). Amplificatoarele nelineare evită produsele de
intermodulaţie care nu pot fi rejectate, printr-o proiectare adecvată, fiind
tratate cu ajutorul punctului de intercepţie de ordinul 3 sau nivelul de
compresie de 1 dB, separat de primele. Studiul nelinearităţii
dispozitivelor de radiocomunicaţii este crucial pentru înţelegerea
fenomenelor ce apar în blocul de RF şi pentru identificarea măsurilor ce
pot creşte calitatea legăturii. Oscilatoarele de RF sunt de asemenea
circuite nelineare, folosite pentru generarea purtătoarei de RF şi la
schimbarea frecvenţei purtătoare în cazul echipamentelor de
radiorecepţie. Se va începe în ordine inversă adică cu oscilatoarele, iar
apoi vom continua cu mixerele de RF, terminând capitolul cu
amplificatoarele de putere. În felul acesta se va putea înţelege mai bine
205
problematica ce stă la baza circuitelor nelineare în domeniul

microundelor.
6.1. Proiectarea oscilatoarelor de microunde
Spre deosebire de oscilatoarele cu reacţie, care reprezintă un caz

particular simplificat, proiectarea oscilatoarelor pe baza parametrilor de
dispersie S, ţine cont de teoria generalizată de proiectare. Astfel, se pun
bazele unor principii inginereşti de calcul, valabile pentru toate
oscilatoarele de RF. Nevoia tot mai crescândă de comunicare dublată de
ieftinirea tehnologiilor implică necesitatea de a realiza oscilatoare tot mai
stabile la frecvenţe tot mai mari, şi nu în ultimul rând tot mai ieftine.
Dacă din punct de vedere practic este uşor să proiectăm un oscilator de
frecvenţă foarte mare la un preţ tot atât de mare, nu acelaşi lucru se poate
spune şi despre oscilatoarele utilizate în dispozitivele de radiocomunicaţii
mobile, care, implică preţuri foarte mici, dar se cer performanţe bune.
Este bine de ştiut faptul că preţul de cost nu poate scădea în acelaşi timp
cu creşterea performanţelor, decât în cazul în care performanţele fiecărei
componente sunt “împise” spre limita maximă pritr-o proiectare optimală
a dispozitivului. Numai astfel putem vorbi de sisteme ieftine, cu
performanţe acceptabile într-o eră în care aproape toate sistemele tind să
devină mobile, sau nomade (un echipament nomad este unul portabil care
nu este proiectat totuşi să funcţioneze în condiţii de mobilitate, adică
până la viteze de 120 km/h – de exemplu un laptop sau un PDA).
I 1' I2 I 2'
I1
a1' a1 Cuadripol a2 a 2'

instabil
Zg ZL
'
V1 = V' [S] V2 = V2'
b 1 1
E b1 b2 b2'
S’11
Fig. 6.1.1. Cuadripol instabil, descris de parametri de dispersie S
206
Abordând problema dintr-un punct de vedere generalizat, prin

intermediul parametrilor de dispersie, nu vom mai ţine cont de faptul că
există sau nu o reacţie pozitivă ci doar de valoarea finală a parametrilor S
ai cuadripolului oscilator (figura 6.1.1).
Plasarea în circuit a unor componente în reacţie vor avea drept
efect imediat modificarea coeficienţilor de reflexie la intrare şi ieşire,
'
drept care se va modifica S11 astfel:
S S Γ Z − R0 Z − R0
S11' = S11 + 12 21 L , Γ g = g , ΓL = L ,
1 − S22 Γ L Z g + R0 Z g + R0
unde R0 este rezistenţa etalon folosită de producător pentru măsurarea
parametrilor S (de regulă 50 Ω). Ecuaţia de mai sus ne arată că acest
coeficient de reflexie ΓL influenţează coeficientul de reflexie rezultat la
intrarea cuadripolului S '11 . Condiţia de instabilitate presupune ca:
S11' > 1 , lucru care nu este posibil decât dacă unda reflectată de la intrare
este mai mare decât cea directă. Acestă condiţie este îndeplinită numai
dacă avem un element activ ce amplifică invers, adică un tranzistor cu
reacţie (reacţie care poate fi internă din construcţie sau realizată în
exterior). Din teoria cuadripolului activ ştim că (vezi paragraful 4.3.1):
R0
a1 = Γ g b1 + E şi b1 = S11' a1 .
Z g + R0
Înlocuind a doua ecuaţie în prima, avem:
R0
( )
a1 1 − Γ g S11' =
Z g + R0
E , iar pentru ca unda de curent a1 să fie diferită
de zero, chiar dacă E = 0 (în cazul unui oscilator RF nu avem generator,

deci semnalul provine de la tranzistor care devine instabil şi preia rolul
generatorului), trebuie ca 1 − Γ g S11' = 0 . Acest lucru se transpune
1
matematic astfel: Γ g = .
S11'
6.1.1. Determinarea zonei de instabilitate
a oscilatorului de microunde
Un element activ este stabil, dacă parametrul K > 1 (s-a demonstrat
în paragraful 4.3.2 – Cazul 2), deci zona de instabilitate va fi căutată
pentru K < 1. Aproape toate tranzistoarele de microunde au K > 1, fiind
207
dedicate în principal realizării de amplificatoare lineare. Transformarea

unui element stabil într-unul instabil, cu K < 1, este de multe ori o
chestiune care implică realizarea unor reacţii de la ieşire la intrare. Există
totuşi tranzistoare create astfel încât, pentru anumite domenii de
frecvenţă, parametrul K să fie subunitar, putându-se utiliza la realizarea
unor oscilatoare fără reacţie. Firma Hewlett Packard produce un astfel de
tranzistor sub denumirea HXTR-4101, proiectat special pentru oscilatoare
RF în jurul frecvenţei de 2 GHz. Această frecvenţă este aleasă astfel încât
acest dispozitiv să poată lucra pe post de oscilator local pentru conversia
de frecvenţă în domeniul 1 600-1 800 MHz cât şi pentru 2 400-2 500 MHz.
În conexiune bază comună [Bot98] tranzistorul va avea următorii
parametri S:
S11 = 0,964 < 144o , S12 = 0,039 < 120o ,
.
S21 = 1,95 ≤ 59o , S22 = 1,068 ≤ 45o
Aceste valori ale parametrilor S conduc la instabilitate, putându-se
utiliza tranzistorul special pentru proiectarea oscilatoarelor RF. Ţinând
cont de faptul că pentru un oscilator, coeficientul de reflexie al intrării
trebuie să fie supraunitar, vom nota cu k valoarea posibilă a acestuia (deci
k > 1 – a nu se confunda cu K), şi avem:
S S Γ
S11' = S11 + 12 21 L (6.1.1.1)
1 − S 22 ΓL
unde S11' este coeficientul de reflexie rezultat la intrarea tranzistorului
după punerea acestuia în circuit.
Se va căuta locul geometric al coeficienţilor de reflexie pe sarcină
ΓL , pentru care se verifică relaţia:
S12 S 21Γ L
S11 + = k (6.1.1.2)
1 − S 22 Γ L
Vom încerca să vedem unde se poate ajunge plecând de la această
relaţie, prin aducere la acelaşi numitor comun şi simplificările de rigoare,
anume:
S S Γ S − ( S11S22 − S12 S21 ) Γ L S − ΔΓ L
S11' = S11 + 12 21 L = 11 = 11 =k .
1 − S22Γ L 1 − S 22Γ L 1 − S22Γ L
Utilizând proprietăţile modulului, avem:
S11 − ΔΓL = k 1 − S 22 ΓL (6.1.1.3)
208
Fiind vorba de modul, vom încerca să-l eliminăm prin ridicare la

pătrat după cum urmează:
S11 + Δ Γ L − 2 Re {ΔΓ L S11 } = k 2 + k 2 S22 2 Γ L 2 − 2k 2 Re {Γ L S22 } ,
2 2 2 *
apoi vom da factor comun pe ΓL şi astfel vom avea:

( 2
ΓL2 Δ − k 2 S 22
2
)− 2 Re{k Γ S 2
L 22 } 2
− ΔΓL S11* = k 2 − S11 (6.1.1.4)
Ecuaţia obţinută este ecuaţia în planul complex a unui cerc, dar
trebuie cosmetizată pentru a evidenţia mai bine acest lucru; prin înmulţire
−1
cu: 2
, aceasta devine:
k S 22 − Δ
2
2
2 S11 − k 2
Γ −
2
L
k 2 S 22 − Δ
2 {
Re k Γ L S 22 − ΔΓ S =
2
k 2 S 22 − Δ
2
*
(6.1.1.5)
L 11 }
Ecuaţia unui cerc în planul complex este de forma:
{ 2
Γ 2L − 2 Re Ω* Γ L = R 2 − Ω , }
unde Ω – centrul cercului în planul complex (partea reală reprezintă coor-
donata x, iar cea imaginară coordonata y a centrului cercului),
R – raza cercului în planul complex.
Făcându-se comparaţie între termeni, ne dăm uşor seama de faptul
că centrul cercului este stabilit de:
(k S )
*
2
22 − ΔS11
*
k 2 S22
*
− Δ* S11
Ωk = 2 2
= 2 2
(6.1.1.6)
k 2 S22 − Δ k 2 S22 − Δ
şi deci raza:
2
2 S11 − k 2
R =Ω +
2
k 2
(6.1.1.7)
k 2 S 22 − Δ
Folosindu-ne de proprietăţile modulului ştim că: | Ω | 2 = ΩΩ* astfel
deducem că: Ω *k =
(k 2
S 22 − ΔS11* ) şi avem în final relaţia pentru rază:
2 2
k 2 S 22 − Δ
209
R 2
=
(k S 2
22 − ΔS11
*
) (k S 2 *
22 − Δ* S11 )+ 2
S11 − k 2
=
k 2 2 2 2 2
k 2 S 22 − Δ k 2 S 22 − Δ k 2 S 22 − Δ
=
(k S 2
22 − ΔS11
* *
k 2 S 22 )(
− Δ* S11 + S11 − k 2 k 2 S 22 − Δ ) ( 2
)( 2 2
)=
(k )
2
2 2
2
S 22 − Δ
=
2 2
k 2 S11 S 22 + k 2 Δ − k 2 Δ* S11S 22 + ΔS11
* *
S 22
2
( ).
(k )
2
2 2
2
S 22 − Δ
Expresia matematică a razei poate fi simplificată şi mai mult dacă
se are în vedere că:
2 2
Δ* S11 S 22 + ΔS11* S 22
*
= 2 S11 S 22 − S12* S 21
*
S11 S 22 − S12 S 21 S11* S 22
*
=a
şi pornind de la observaţia că:
Δ2 = (S11 S 22 − S12 S 21 ) =
2
2 2 2 2
= S11 S 22 − S12* S 21
*
S11 S 22 − S12 S 21 S11* S 22
*
+ S12 S 21 ,
2 2 2 2 2
de aici relaţia de mai sus devine: a = S11 S 22 − S12 S 21 + Δ .
După înlocuirea expresiei lui a în formula razei şi extragerea
radicalului, vom obţine expresia finală:
k S12 S 21
Rk = 2 2
(6.1.1.8).
k 2 S 22 − Δ
Dacă derivăm relaţia de mai sus în raport cu k observăm că derivata
este mai mică decât zero, oricare ar fi k real, deci raza va descreşte pe
măsură ce k tinde la infinit:
2 2 2
∂Rk S12 S21 k 2 S 22 − Δ − 2k 2 S 22 S12 S 21 k →∞
= < 0 şi Rk → 0 .
∂k 2
k 2 S 22 − Δ
2
În figura 6.1.1.1, este ilustrată sugestiv variaţia lui Rk cu parametrul

k. Referitor la locul geometric al centrelor cercurilor de instabilitate Ωk,
se poate spune că este determinat de o dreaptă. Această dreaptă de unghi
∠OPK este determinată la rându-i de originea planului complex (O),
punctul determinat pentru k = 1 (Ω1) şi pentru orice k > 1 (Ωk). Acesta
210
poate fi determinat grafic chiar pe diagrama Smith, dându-se valori lui k

sau mai riguros cu formula:
2 Ω 1 cos(∠OPK ) =
=
(S 22
2
−Δ
2
)( Δ 2 2
− S11 S 22
2
)+ S S ( S 12
2
21
2
22
2
+Δ
2
) (6.1.1.9)
S12 S 21 S 22( 2
−Δ )Δ S
2
22
Rk
k →∞
1 2 3 4
Fig. 6.1.1.1. Variaţia razei cercurilor de instabilitate cu parametrul k
Observaţie!
Trebuie să observăm faptul că, dacă parametrul k tinde la infinit,
*
k 2 S22 − Δ* S11 1
avem: Ω k →∞ = lim 2 2
= şi astfel vom discuta de
k →∞
k S22 − Δ
2 S22
două cazuri distincte în funcţie de valoarea lui S22.
Cazul 1.
Desenul din figura 6.1.1.2 corespunde cazului în care S22 < 1 adică
Ωk este în afara diagramei Smith. Se poate de asemenea distinge unghiul
∠OPK ce determină locul geometric al centrelor cercurilor de
instabilitate. Raza cercului de instabilitate R1 are valoarea cea mai mare,
deci, circumferinţa acestui cerc este maximă. În cazul prezentat în figura
6.1.1.2 originea diagramei Smith nu este inclusă în interiorul acestui cerc,
deci zona de instabilitate este în interiorul cercului cu centrul în Ω1.
Centrul diagramei Smith (punctul O) marchează în acest caz zona de
stabilitate căreia îi corespunde un coeficient de reflexie nul (adică
adaptare plus stabilitate). Practic pentru a forţa apariţia oscilaţiilor,
trebuie să proiectăm un coeficient de reflexie pe sarcină, ΓL, undeva în
interiorul cercului de instabilitate cu centrul în Ω1. În primul caz, cel mai
211
1
instabil punct este cel corespunzător lui k → ∞ adică punctul Γ L = .
S22
Problema este că, dacă sarcina este un consumator (pasiv) are partea
reală pozitivă şi, Γ L ≤ 1 , lucru ce nu rezultă din egalitatea precedentă
pentru că am presupus că S22 este subunitar, deci Γ L > 1 (lucru imposibil
de realizat apărând o contradicţie între termeni).
K
P
Ω3
O Ω1 Ω2
Fig. 6.1.1.2. Cercurile de instabilitate în cazul 1

Problema se reduce la găsirea unui punct de maximă instabilitate
pentru care Γ L = 1 (ΓL maxim) adică un punct aflat pe circumferinţa
diagramei Smith. Va trebui să ne mulţumim cu valoarea Γ L = 1 ,
deoarece nici o sarcină disipativă (consumatoare de energie) nu poate
avea un coeficient de reflexie supraunitar. Valoarea de maximă
instabilitate se obţine atunci când se găseşte un kt pentru care cercul
corespunzător de instabilitate (Ωkt, Rkt) să fie tangent la diagrama Smith.
Această condiţie se transpune matematic în:
Ω kt = 1 + Rkt .
Din ecuaţia de mai sus se poate determina expresia matematică a
parametrului kt (fără demonstraţie):
212
kt =
S12 S 21 + S12
2 2
(
S 21 − 1 − S 22
2
)( Δ 2
− S11
2
) (6.1.1.10).
2
1 − S 22
jarg ( Ωkt )
Astfel instabilitatea maximă se va obţine pentru Γ L = e ,
punct în care se va proiecta ieşirea oscilatorului.
Cazul 2.
Desenul din figura 6.1.1.3 corespunde cazul în care S22 > 1 adică
centrele cercurilor de instabilitate Ωk sunt toate în interiorul diagramei
1
Smith deoarece: Ω k →∞ = şi Rk →∞ = 0 . Pe măsură ce k tinde la infinit,
S22
raza cercurilor tinde la zero şi instabilitatea sistemului creşte. Punctul cel
1
mai instabil se obţine pentru k infinit, adică . Astfel, coeficientul de
S22
reflexie spre sarcină va trebui plasat chiar în acest punct, ce se află în
mod sigur undeva pe diagrama Smith.
Ωk
P
Ω1 Ω Ω3
2
Fig. 6.1.1.3. Cercurile de instabilitate în cazul 2
Observaţie!
Parametrul k nu ia numai valori întregi ci şi valori reale pozitive.
213
Exemplul 6.1.1. Se va proiecta un oscilator de RF (sinusoidal) la

frecvenţa de 1,9 GHz, utilizând un tranzistor de microunde LAE-2001R.
Acest tranzistor este necondiţionat stabil, dar, dacă se plasează un
condensator de 1,2 pF între colector şi bază, parametrii S la 1,9 GHz se
modifică după cum urmează în tabelul 6.1.1.1.
Tabelul 6.1.1.1
Parametrii S modificaţi
S11 S22 S12 S21
0,4731 ≤ 37° 0,1122 ≤ 87° 0,5309 ≤ 74° 1,2589 ≤ 117°
Rezolvare:
Aceste valori sunt obţinute de producător prin măsurători în
configuraţie emitor comun (EC), în zona lineară a caracteristicii, factorul
K fiind subunitar (K = 0,93323), iar Δ = 0,69564 ≤ 7,2°. Ne încadrăm în
cazul 1, când |S22| < 1, iar |Δ| > |S22| caz în care cercul de instabilitate
obţinut pentru kt este tangent exterior la diagrama Smith într-un punct pe
care-l vom determina grafic.
Pasul 1. Determinarea unghiului OPK şi desenarea cercurilor
de instabilitate
Se dau valori lui k pentru a calcula centrul şi raza cercurilor de
instabilitate. Se determină pe diagrama Smith poziţia lui Ω1 şi a lui Ω1,5
apoi cu ajutorul unui raportor se măsoară unghiul ∠OPK (~ 80°). Pe
dreapta PK sunt plasate toate centrele cercurilor de instabilitate (se
desenează cercurile cu un compas).
k Rk |Ωk| Faza |Ωk| [grade]
1 1,42 0,6 –10,47
1,1 1,57 0,6 –5,77
1,1182 1,6 0,6 –4,85
1,2 1,74 0,59 –0,49
1,5 2.27 0,63 17,98
2 3,49 0,89 47,35
3 13,92 2,36 74,6
Pasul 2. Determinarea punctului de instabilitate maximă
Se determină – vezi ecuaţia (6.1.1.10) – kt pentru care se poate
desena cercul tangent la circumferinţa diagramei Smith (pe interfaţa
programului scris de autor în TestPoint – vezi figura 6.1.1.5, apare kt =
1,1182), pentru care raza este 1,6. Se trasează cercul şi se determină
214
punctul de tangenţă, punct în care vom plasa pe ΓL. Se determină cu

ajutorul compasului şi se citeşte pe diagrama Smith valoarea:
o
ΓL = e j175,15 (vezi figura 6.1.1.4).
Pasul 3. Determinarea impedanţei de ieşire
Impedanţa de ieşire va determina un coeficient de reflexie pe
sarcină:
o
Γ L = e j175 ,15 .
Acestui coeficient de reflexie îi corespunde impedanţa de sarcină:
ZL = j2,5 Ω dacă se lucrează cu o linie de transmisie cu impedanţa
caracteristică Z0 = 50 Ω.
. . Γ g = 0 ,89 < 28o

Γ L = 1 < 175o R1,1182
O
. S OPK
...
Ω1, 2
Γ L = 1 < 175o
Ω1
Fig. 6.1.1.4. Proiectarea oscilatorului utilizând

diagrama Smith – exemplul 6.1.1
Pasul 4. Determinarea impedanţei de intrare
Se pleacă de la premisa că sarcina ZL va influenţa coeficientul de
reflexie de la intrare; datorită reacţiei avem:
S S Γ
S11' = S11 + 12 21 L = 1,12 ≤ 28o .
1 − S 22 Γ L
215
Fig. 6.1.1.5. Interfaţa programului de calcul al oscilatorului de microunde,

realizat în Test Point – exemplul 6.1.1
1
Apoi, ştiind că: Γ g = se găseşte valoare pentru coeficientul de
S11'
o
reflexie spre generator: Γ g = 0 ,894e j 28 . În mod similar, se caută pe
diagrama Smith impedanţa corespunzătoare acestui coeficient găsindu-se
valoarea: ZG = 50+j190 Ω. La intrare pentru realizarea adaptării se poate
o
lucra şi cu admitanţa YG, care se găseşte pornind de la Γ g = 0 ,894e j 28
prin rotirea compasului cu 180 de grade (punctul găsit este admitanţa:
YG = 3,5 – j12,5 mho). Prin metodele cunoscute, se poate trece la
proiectarea adaptorului de la intrare şi ieşire, pornind de la o anumită
metodă învăţată în capitolul 3.
6.2. Mixere neechilibrate
Sunt cele mai simple şi au performanţele cele mai slabe. Sunt totuşi
utilizate la frecvenţe foarte mari, unde alte tipuri nu pot lucra. Au două
intrări şi o singură ieşire, la care este conectat un filtru trece bandă pentru
selectarea semnalului dorit (vezi figura 6.2.1). Curentul de la ieşirea
elementului nelinear are expresia:
i0 = I 0 + c1vi + c2 vi2 + c3vi3 + ...... + c n vin (6.2.1),
216
unde ci (i este un număr natural diferit de zero) sunt coeficienţi constanţi

ce depind de componentele electronice şi au valori din ce în ce mai mici,
pe măsură ce exponentul corespondent tensiunii de intrare vi creşte.
Curentul de polarizare Id va forţa funcţionarea în zona nelineară A,
aşa cum se vede în figura 6.2.2. În această zonă elementul este mai mult
sau mai puţin nelinear, practic, cu cât nelinearitatea este mai pronunţată
cu atât apar mai multe armonici la ieşire. Ponderea coeficienţilor ci
determină acest lucru, ordinul caracteristicii fiind stabilit de valoarea
acestora.
i0
vRF
vi v0
Ci Li
vLO
Id
BP (scc. la RF – by pass)
Fig. 6.2.1. Mixer pasiv cu diodă, neechilibrat

Se presupune că semnalul de la intrare este sinusoidal, notat cu vRF,
iar frecvenţa purtătoare este fRF şi vLO este un semnal sinusoidal furnizat
de oscilatorul local, cu frecvenţa fLO, definite astfel: vLO = cosωLOt, vRF =
AcosωRFt (vezi figura 6.2.1). Mixerul prezentat în figura 6.2.1 este aditiv,
deci tensiunea de ieşire va fi de forma: vi = vRF + vLO, iar pentru început
se va considera o caracteristică pătratică doar din considerente de
simplitate, obţinându-se curentul de ieşire – din ecuaţia (6.2.1):
i0 = I D + avi + bvi2 = I d + c1 cos ωLO t + c1 cos ωRF t +
+ c2 cos 2 ωLO t + 2 Ac2 cos ωLO t cos ωRF t + c2 A2 cos 2 ωRF t =
⎛ c c A2 ⎞ c
= ⎜ I d + 2 + 2 ⎟ + c1 cos ωLO t + c1 Acos ωRF t + 1 cos 2 2ωLO t +
⎝ 2 2 ⎠ 2
217
c1 A2
+ c1 Acos ( ωLO + ωRF ) t + c1 Acos ( ωLO − ωRF ) t + cos 2 ωRF t
2
Ţinându-se cont că termenii au fost grupaţi astfel:
c
c1 cos 2 ω LO t = 1 (1 + cos 2ω LO t ),
2
c1 A2 c1 A2
c1 A cos ωRF t =
2 2
+ cos 2 ωRF t ,
2 2
2c1 Acos ωLO t cos ωRF t = c1 Acos ( ωLO + ωRF ) t + c1 Acos ( ωLO − ωRF ) t.
i0
curentul Zona A
Punctul de funcţionare
fără semnal de intrare în
regim static.
Punctul de funcţionare
după aplicarea semna-
lului de intrare, în regim
dinamic.
⎛ 2⎞
⎜ I d + c1 + c1 A ⎟
⎜ 2 2 ⎟⎠
⎝
tensiunea u
Id
u0
Fig. 6.2.2. Caracteristica curent/tensiune a diodei – determinarea

punctului static de funcţionare
Un exemplu destul de sugestiv e prezentat în figura 6.2.3, unde
purtătoarea de RF are frecvenţa de 16 MHz şi oscilatorul local 24 MHz.
Frecvenţa intermediară rezultată este de 8 MHz şi dacă se consideră o
caracteristică cubică, a elementul nelinear (dioda), atunci apare şi
frecvenţa imagine la 32 MHz, adică:
fimg = fRF – 2fRF + 2fLO = 2fLO – fRF = fRF + 2(fLO – fRF) dacă fLO >fRF
şi
fimg = fRF – 2fRF + 2fLO = 2fLO – fRF = fRF – 2(fRF – fLO) dacă fLO <fRF.
Dezavantajul major al acestor mixere neechilibrate constă în faptul
că nu rejectează frecvenţa imagine fimg, la ieşire fiind prezente şi cele
două semnale de la intrare, cu frecvenţele corespunzătoare fRF şi fLO. Cele
218
trei frecvenţe sunt cele mai apropiate de componenta utilă (frecvenţa

intermediară) ce se calculează cu: f i = f LO − f RF . Frecvenţa imagine
poate ajunge chiar în banda de trecere a filtrelor de frecvenţă
intermediară punând probleme la recepţie. Acesta este unul din
dezavantajele majore ale mixerelor neechilibrate, dezavantaj compensat
prin utilizarea unor mixere echilibrate sau dublu-echilibrate. Totuşi,
mixerele neechilibrate, se folosesc la frecvenţe foarte mari unde
distanţele (în spaţiu frecvenţelor) dintre armonicile rezultate în urma
mixării (spurious signals) sunt semnificative, putându-se extrage cu filtre
trece bandă. Avantajul major al lor este că dioda nu lucrează în regim de
comutaţie, putând lucra la frecvenţe mai mari de 10 GHz.
Fig. 6.2.3. Spectrul semnalului la ieşirea mixerului cu diodă –

Interfaţă TestPoint
Semnalele utile sunt: cel de frecvenţă intermediară f i = f LO − f RF
în cazul receptoarelor şi, respectiv, suma fp = fLO + fRF pentru emiţătoare.
Din acest motiv, se mai numesc convertoare de frecvenţă (down
converter sau up converter). Ultimul semnal, de frecvenţă fp, se aplică
antenei, iar primul (fi), demodulatorului. Din punct de vedere al antenei,
“riscul” constă în faptul că, dacă nu există o bună izolare a semnalelor de
intrare (< 40 dB) şi o rejecţie a frecvenţei imagine, ele pot ajunge pe
calea inversă la antena de recepţie, ce le radiază în spaţiu liber. Aşa se
explică de ce o antenă de satelit poate radia, datorită cablului dintre LNB
şi receiver, pe calea inversă, semnalul fimg care, fiind modulat, poate fi
recepţionat de un receptor TV din imediata vecinătate. Acest fenomen se
219
manifesta cu precădere la receptoarele de satelit din prima generaţie şi

era exploatat din plin de cunoscători.
6.3. Mixere echilibrate
Pentru simplitate se va considera dioda ideală din punct de vedere

al comutaţiei ON sau OFF. Se va considera că semnalul ce comandă
dioda este unul dreptunghiular şi ca atare, acţionează asupra acesteia
saturând-o sau blocând-o, după caz. Aşa cum s-a subliniat anterior,
dezavantajul major al mixerelor neechilibrate este că, oferă la ieşire atât
semnale nedorite produse ca rezultat al mixării (spurious signals), cât şi
semnalele aplicate la intrare, ca cel de la oscilatorul local LO sau
semnalul purtător de radio frecvenţă RF. În figura 6.3.1 este ilustrată
schema unui mixer echilibrat la care se consideră semnalul vLO ca fiind
mult mai mare decât semnalul de intrare vRF, motiv pentru care este
aproximat ca fiind dreptunghiular. Astfel, numai semnalul vLO (furnizat
de oscilatorul local) este responsabil de comanda diodelor ce comută în
starea ON – OFF. În cazul în care, alternanţa tensiunii de intrare vRF
corespunde cu cea din figura 6.3.1, dioda D1 este deschisă (ON), iar D2
închisă (OFF).
D1
Rg
+
+ vRF vLO
RL
Vg vRF -
+ -
- v0 +
- vRF
-
D2
Fig. 6.3.1. Schema electrică a unui mixer echilibrat

Tensiunea de la ieşire devine:
⎧v + v ; v > 0
v0 = ⎨ LO RF LO
⎩vLO − vRF ; vLO < 0
adică v0 = vLO + vRF' = vLO + vRF s ( t ) ,
220
⎧ 1; vLO > 0
unde: s ( t ) = ⎨ şi, dezvoltând pe s (t ) în serie Fourier, vom
⎩−1; vLO < 0
obţine:
4 ∞ ( −1)
n +1
nπ
s (t ) = ∑ sin cos ( nπ LO ) t (6.3.1).
π n =1 n 2
Dacă vom considera semnalul de intrare vRF sinusoidal de forma
vRF = Vcos(ωRFt), atunci:
( −1)
n +1
2V ∞
nπ
RF ( ) ∑
' =v s t =
vRF sin ⋅
π n =1 n 2
⋅ ⎡⎣cos ( nωLO + ωRF ) t + cos ( nωLO − ωRF ) t ⎤⎦ (6.3.2).
Din ecuaţia (6.3.2), rezultă că semnalul de la ieşirea mixerului va
avea expresia:
2V ∞ ( −1)
n +1
nπ
v0 = vLO + vRF = vLO +
'
∑
π n =1 n
sin ⋅
2
⋅ ⎡⎣cos ( nωLO + ωRF ) t + cos ( nωLO − ωRF ) t ⎤⎦ (6.3.3).
Observaţie!
• La ieşirea mixerului echilibrat se regăseşte semnalul vLO şi un
număr infinit de armonici reprezentate de suma şi diferenţa
frecvenţei unghiulare ωRF şi nωLO.
• Componentele utile sunt: ωLO – ωRF şi ωLO + ωRF componente

care pot fi separate de produsele de ordin superior (spurious), adică
„nedorite”.
• Semnalul vRF de radio frecvenţă nu mai apare la ieşirea mixerului,
fiind suprimat, dar numai în situaţia în care diodele sunt identice
(adică perfect echilibrate).
• Frecvenţa imagine este egală cu: fimg = fLO + fi = fLO + (fLO – fRF) =
= 2fLO – fRF (dacă fLO >fRF) şi este obţinută pentru n = 2. Pentru
nπ
această valoare, sin = 0 , astfel frecvenţa imagine fiind rejectată
2
aşa cum ne-am şi dorit încă de la început.
221
6.4. Mixere echilibrate ce suprimă la ieşire frecvenţa

oscilatorului local
Semnalul aplicat la intrarea mixerului ce provine de la oscilatorul

local este de fapt cel mai puternic dintre toate semnalele existente la
intrarea şi la ieşirea mixerului. Este astfel firesc interesul deosebit
manifestat asupra modului de suprimare a acestei frecvenţe. Schema din
figura 6.4.1 realizează acest lucru, cu câteva modificări la ieşirea mixe-
rului echilibrat, faţă de schema precedentă. Semnalul de la ieşire va fi:
⎧1; v > 0
v0 = vRFs(t), unde s ( t ) = ⎨ LO .
⎩0; vLO ≤ 0
Schimbarea expresiei lui s(t) este datorată în special faptului că s-a
schimbat modul de amplasare a sarcinii, prin intermediul transforma-
torului de la ieşire, cu priză mediană. Ambele diode intră în conducţie
dacă vLO > 0 şi ambele sunt blocate dacă vLO ≤ 0.
D1
Rg
+
+ vRF vLO
Vg vRF - RL v0
+ -
- vRF
-
D2
Fig. 6.4.1. Mixer echilibrat ce suprimă fLO

În acest caz, avem o dezvoltare Fourier diferită pentru s(t), şi anume:
1 ∞ 2 ⎛ nπ ⎞
s (t ) = + ∑ sin ⎜ ⎟ cos(nω LO t ) (6.4.1),
2 n =1 nπ ⎝ 2 ⎠
iar dacă vRF = Vcos(ωRFt) se va găsi tensiunea de ieşire sub forma:
V V ∞ 1 nπ
v0 = cos ( ωRF t ) + ∑ sin ⋅
2 π n =1 n 2
⋅ ⎡⎣cos ( nωLO + ωRF ) t + cos ( nωLO − ωRF ) ⎤⎦ (6.4.2).
Se observă dispariţia semnalului vLO, care corespunde frecvenţei
oscilatorului, lucru urmărit de la început.
222
6.5. Mixere dublu echilibrate
Aceste dispozitive nelineare utilizează patru diode echilibrate şi două

transformatoare, fiind ceva mai complexe decât precedentele variante,
simplu echilibrate. Diodele trebuie să fie identice, ele fiind de regulă în
pereche. Astfel, D1 şi D2 conduc pentru alternanţa pozitivă (vezi figura
6.5.1.a), a lui vLO şi D3, respectiv D4 pentru cea negativă. Se va
presupune, tocmai datorită importanţei faptului că diodele trebuie să fie
identice, că rezistenţa lor în timpul conducţiei este rd. Pentru primul caz,
atunci când vor intra în conducţie diodele D1 şi D2, tensiunea vLO > 0. În
acestă situaţie, în figura 6.5.1.b se simplifică configuraţia rezultată în
urma stării diodelor D1, D2, D3 şi D4.
D4 RLO
Rg
+
vRF D3
+ +
Vg vRF – v0 vLO vL
+
RL
– vRF –
– D2
D1
a
rd +
vLO
i1
–
– v +
RF
v0
RL
+
i2 vLO
rd –
b
Fig. 6.5.1. Mixer dublu echilibrat
Aplicând legea lui Ohm în cele două bucle, în care curenţii ce le
străbat sunt i1 şi i2, vom putea scrie că:
223
⎧⎪ vRF = RL ( i1 − i2 ) + rd i1 − vLO
⎨ (6.5.1).
⎪⎩−vRF = − RL ( i1 − i2 ) + rd i2 − vLO ( −1)
Ultima ecuaţie se va înmulţi, după cum se vede, cu (–1), apoi se
adună cele două ecuaţii din cadrul sistemului rezultând:
v RF
i1 − i2 = .
⎛ rd ⎞
RL + ⎜ ⎟
⎝2⎠
− v0
Ştiind că în mod natural i1 − i2 = şi combinând cele două
RL
v RL
ecuaţii, rezultă că: 0 = − . Procedând în mod similar pentru
v RF rd
RL +
2
v0 RL
cazul când vLO < 0, vom avea: = .
v RFi rd
RL +
2
Generalizând, pentru cele două cazuri avem simultan:
RL
v0 = v s (t ) ,
rd RF
RL +
2
⎧ 1; vLO < 0
unde: s ( t ) = ⎨ .
⎩−1; vLO > 0
Folosind dezvoltarea în serie Fourier a lui s(t) – vezi ecuaţia
(6.4.1), vom obţine expresia semnalului de la ieşirea mixerului dublu
echilibrat sub forma:
2V ∞ ( −1)
n +1
RL nπ
sin cos ( nωLO ) t
rd RFi π ∑
v0 = v (6.5.2),
n 2
RL + n =1
2
iar dacă expresia semnalului de intrare este sinusoidală, atunci:
RL 2V ∞ ( −1)
n +1
nπ
v0 = ∑
r π n =1 n
sin ⋅
2
RL + d
2
⋅ ⎡⎣cos ( nωLO + ωRF ) t + cos ( nωLO − ωRF ) t ⎤⎦ (6.5.3),
224
unde v0 este tensiunea de la ieşirea mixerului.

După cum se observă lipsesc semnalele de intrare, deci ele sunt
izolate faţă de ieşire, dacă diodele sunt identice. Din fericire, cea mai
apropiată componentă de frecvenţa intermediară ( ω LO − ω RF ), şi anume
frecvenţa imagine 2ωLO – ωi este rejectată, deoarece componentele de
ordin doi sunt zero din cauza sinusului, aşa cum s-a arătat la mixerul
echilibrat.
6.6. Pierderile de conversie
Ca urmare a faptului că semnalul util de la ieşirea mixerului este un

produs al deformării inteligente a semnalelor de intrare, el are o
amplitudine mai mică decât acestea datorită prelucrării. Se poate defini
astfel o mărime ce evaluează pierderile de conversie. Ea se va scrie ca
raportul dintre puterea semnalului util de la ieşire şi puterea semnalelor
de intrare. Semnalul util de la ieşirea mixerului are frecvenţa egală cu
diferenţa, luată în modul, dintre frecvenţele semnalelor de la intrare sau
suma acestora după caz (recepţie sau emisie). Din figura 6.5.1.b, rezultă
că rezistenţa de intrare a mixerului este:
v r
Rin = RF = RL + d (6.6.1).
i1 − i2 2
După cum se poate intui, rezistenţa în starea ON a diodei (adică rd)
este mult mai mică decât rezistenţa sarcinii, deci vom putea considera că
Rin = RL. Tot din figura 6.5.1.a se poate vedea că generatorul de la intrare
are rezistenţa de ieşire Rg, care trebuie să fie egală cu rezistenţa de intrare
a mixerului, pentru ca energia transferată acestuia să fie maximă; trebuie
pusă condiţia:
Rg = RL (6.6.2).
După cum am remarcat, rezistenţa generatorului apare la intrare în
serie cu rezistenţa de intrare, care, la rândul ei, este egală cu cea a
sarcinii. Rezultă că, dacă Vg = vRF = Vpksin(ωit), atunci tensiunea se va
distribui în mod egal pe două rezistenţe, adică pe Rg şi respectiv RL. Asta
înseamnă că jumătate din ea se disipă pe Rg, iar cea rămasă se transmite
prin transformatorul de la intrare prin intermediul puterii:
( )V pk 2 1
Pi = (6.6.3).
8 RL
225
Conform ecuaţiei (6.6.1), tensiunea maximă de la ieşire este

2V 2V pk V pk
V0 = = = , ţinând cont că tensiunea se împarte între cele
π 2π π
două rezistenţe după cum s-a scris. În felul acesta, pornind de la expresia
tensiunii de la ieşire V0, se poate spune despre puterea de ieşire că este
egală cu:
2
⎛ V0 ⎞
⎜ ⎟ 2
⎝ 2⎠ V pk
P0 = = (6.6.4).
RL 2π 2 R L
Aşa cum s-au definit de la început pierderile de conversie, raportul
puterilor va fi:
2
P0 V pk 8RL 4
CL = = = 2 (CL-conversion loss) (6.6.5),
Pi 2π R L V pk π
2 2
valoare care, transformată în dB, oferă expresia finală a pierderilor de

conversie pentru un mixer dublu echilibrat, şi anume:
⎛ π2 ⎞
[CL ]dB = 10lg ⎜ 4 ⎟ = 3,92 dB ≈ 4 dB (6.6.6).
⎝ ⎠
Cum 4 dB reprezintă mai mult de jumătate din puterea de la intrare,
înseamnă că numai 40% din putere se va putea utiliza la ieşirea
mixerului. Pierderile de conversie reprezintă circa 60% pentru un mixer
dublu echilibrat, iar pentru unul echilibrat, puterea de ieşire după un
raţionament similar este:
1 ⎛V ⎞
2
V pk2
P0 = ⎜ ⎟ = ,
2 RL ⎝ π ⎠ 8π 2 R L
deoarece amplitudinea maximă a semnalului util la iesirea mixerului,
V
conform ecuaţiei (6.4.2), este . Puterea de intrare având aceeaşi
π
expresie, putem deduce că pierderile de conversie în cazul unui mixer
simplu echilibrat sunt:
2
P0 V pk 8RL 1
CL = = = 2 (6.6.7),
Pi 8π R L V pk π
2 2
iar în dB vom avea expresia finală corespunzătoare:

( )
[CL ]dB = 10lg π2 = 9,943 dB ≈ 10 dB (6.6.8).
226
Observaţie!
La exprimarea în dB a pierderilor de conversie s-a inversat raportul
apărut ca argument în interiorul logaritmului, pentru a se evita
valoarea negativă. Fiind vorba de pierderi sunt oricum valori
negative adică de – 4 dB respectiv – 10 dB (fiind vorba de pierderi,
în literatura de specialitate se foloseşte valoarea pozitivă ca în
ecuaţiile (6.6.6) şi (6.6.8), dar se intuieşte minusul din faţă).
6.7. Distorsiuni de intermodulaţie
Având în vedere că mixerul este un dispozitiv nelinear, este normal

să presupunem că efectul său asupra semnalului util este, pe lângă
schimbarea frecvenţei şi deformarea sa (adică de distorsionare). Este
important de ştiut în ce mod se produc aceaste distorsiuni şi dacă se poate
identifica o modalitate de apreciere calitativă a unui mixer. Se va
considera în continuare că tensiunea vLO este suficient de mare ca să fie
singura responsabilă de comanda diodelor de RF.
R +
iL – i iL vLO
i
–
RL
+ - + –
vRF
v0
+
2i
i vLO
iL + i iL
R –
Fig. 6.7.1. Principiul superpoziţiei aplicat curenţilor din mixer

Pornind de la circuitul din figura 6.7.1, derivat din schema de
principiu din figura 6.5.1.a, şi considerând că în serie cu diodele s-a
plasat o rezistenţă R, iar punctul de masă a fost schimbat, se poate aplica
principiul superpoziţiei pentru curenţii produşi separat de fiecare sursă în
parte. Astfel, iL este curentul produs de vLO independent de celelalte
surse, iar în mod similar i este curentul produs de vRF. Sensul tensiunii v0
este stabilit de principiul suprapunerii curenţilor, dar ţinând cont că vLO
este mai mare decât vRF, se poate presupune încă de la început că sensul
227
este cel indicat în figura 6.7.1. Diodele D1 şi D4 sunt în starea ON şi

celelalte două în starea OFF. După cum se ştie, curentul printr-o diodă
este de forma:
( )
i = I S eαvd − 1 = I S eαvd ,
1 ⎛ id ⎞
unde vd = ln ⎜ ⎟ este tensiunea la bornele diodei. Ţinând cont de cele
α ⎝ IS ⎠
două ochiuri ale circuitului din figura 6.7.1 avem:
⎧⎪ vLO = ( iL − i ) R + vd 1 − RL 2i + vRF
⎨
⎪⎩vLO = ( iL + i ) R + vd 2 + RL 2i − vRF
Apoi, făcând diferenţa dintre cele două ecuaţii de sus obţinem:
0 = −2iR + (v d 1 − v d 2 ) − 4iR L + 2v RF ,
v d 1 − v d 2 = 2(R + 2 RL )i − 2v RF
şi, înlocuind tensiunea la bornele diodelor cu cea de mai sus, rezultă:
1 ⎡ ⎛ iL − i ⎞ ⎛ iL + i ⎞ ⎤
⎢ln ⎜ ⎟ − ln ⎜ ⎟ ⎥ = 2 ( R + 2 RL ) i − 2vRF (6.7.1).
α ⎣⎢ ⎝ I S ⎠ ⎝ I S ⎠ ⎦⎥
Din care, dacă separăm tensiunea vRF sub forma:
1 i +i
v RF = (R + 2 RL )i + ln L (6.7.2),
2α i L − i
se poate observa că ultimul termen admite o scriere sub forma unei serii
infinite de termeni:
⎛ 1 ⎞ 1 3 1 5
vRF = ⎜ R + 2 RL + ⎟i + i + i + ...
⎝ α iL ⎠ 3α iL 3
5α iL5
Din această ecuaţie se poate afla expresia curentului i sub forma:
3
vRF vRF
i= − + ... ,
1 ⎛ 1 ⎞
4
R + 2 RL +
α i L 3α i L ⎜ R + 2 RL + α i ⎟
3
⎝ L ⎠
fără a demostra acest lucru.

Tensiunea de la ieşirea mixerului este v0 = 2iRL, iar termenul de
ordinul trei este:
2 RL
IMD = − 4
(6.7.3),
3⎛ 1 ⎞
3α iL ⎜ R + 2 RL + ⎟
⎝ α iL ⎠
228
fiind responsabil de distorsiunile de intermodulaţie (inter modulation

distortions). Se poate vedea că factorul IMD poate fi micşorat prin
plasarea în paralel a unei rezistenţe R cu fiecare dintre diode, preţul plătit
pentru această măsură fiind creşterea pierderilor de conversie CL
(conversion loss).
Exemplul 6.1. La mixerul prezentat în figura de mai jos, diodele
sunt ideale. Transformatorul de la intrare are 400 de spire în primar şi
800 în secundar, cu o priză inductivă la mijlocul bobinei. Să se determine
expresia tensiunii de la ieşire şi valoarea RL a sarcinii astfel încât puterea
transferată de generator să fie maximă.
Rezolvare:
Având în vedere faptul că rezistenţa de ieşire a generatorului este
Rg = 50 Ω şi ţinând cont de ecuaţia (6.6.2), rezultă că rezistenţa sarcinii
pentru un transfer maxim de putere va fi de 50 Ω. În enunţ se spune că
priza inductivă este realizată chiar la mijlocul bobinei, iar din desen
rezultă mai clar că este vorba de bobina din secundar; atunci numărul de
spire de o parte şi de alta a prizei este egal cu cel din primar, şi anume
400. Aşa cum s-a scris în paragraful 6.6, rezistenţa de ieşire a genera-
torului apare în serie cu rezistenţa de intrare a mixerului, care la rândul ei
este egală cu cea a generatorului. Astfel, tensiunea oferită de acesta, se
distribuie jumătate pe rezistenţa generatorului, iar jumătate pe sarcină în
mod egal. Se va presupune că vLO este mult mai mare decât vRF.
Rg
+
+ vRF vLO D1 RL
vg vRF – v0
+ –
D2 RL
– vRF
–
Mixerul prezentat în figura alăturată fiind aditiv, vom putea scrie:

⎧⎪ ( v + v ) ; vLO > 0
v0 = ⎨ LO RF
⎪⎩− ( vLO + vRF ) ; vLO < 0
plecând de la premisa că vLO este singurul responsabil de comanda
diodelor, poate fi considerat un semnal rectangular, iar prin generalizare:
229
⎧ 1 ; v LO > 0
v0 = (vLO + vRF)s(t), unde s (t ) = ⎨ .
⎩− 1 ; v LO < 0
Semnalul s(t) se va dezvolta în serie Fourier sub forma descrisă
4 ∞ ( −1)
n +1
nπ
anterior, şi anume: s ( t ) = ∑ sin cos ( nωLO ) t (vezi ecuaţia
π n =1 n 2
6.3.1), iar dacă semnalul de intrare este cosinusoidal: vRF = VRFicos(ωRFt)
şi vLO = VLOcos(ωLOt), tensiunea de la ieşirea mixerului va fi de forma:
4 ∞ ( −1)
n +1
nπ
v0 = ⎣⎡VRF cos ( ωRF t ) + VLO cos ( ωLO t ) ⎤⎦ ∑ sin cos ( nωLO ) t =
π n =1 n 2
2 ∞ ( −1)
n +1
nπ
= ∑ sin ⎡VRF ( cos ( nωLO + ωRF ) t + cos ( nωLO − ωRF ) t ) +
π n =1 n 2 ⎣
+ VLO ( cos ( nωLO + ωRF ) t + cos ( nωLO − ωRF ) t ) ⎤⎦
observându-se faptul că, datorită modificărilor aduse schemei, nu sunt
prezente la ieşire nici unul dintre semnale de la intrare (ceea ce este
benefic pentru următorul etaj sau pentru antenă). Se spune, în acest caz
că, semnalele de intrare sunt izolate faţă de ieşire. Nici frecvenţa imagine
nπ
nu este prezentă (componenta 2ωLO – ωRF), deoarece sin = 0 pentru
2
componentele de ordin 2 (n = 2) . Pentru un receptor, semnalul util este
2 π
diferenţa, adică: sin (VRF + VLO ) cos ( ωLO − ωRF ) t , iar pentru un
π 2
2 π
emiţător suma, adică: sin (VRF + VLO ) cos ( ωLO + ωRF ) t .
π 2
Aceste semnale utile se vor extrage după caz cu ajutorul unui filtru
trece bandă de tip Chebyshev, dacă semnalul modulator este analogic.
6.8. Mixere active cu tranzistoare FET
Avantajul mixerelor realizate cu diode constă în faptul că zgomotul

termic (care este proporţional cu numărul joncţiunilor) este mic,
comparativ cu cel al mixerelor cu tranzistoare. Dezavantajul major a lor
este că pierderile de conversie nu pot fi micşorate sub 3,92 dB. Mixerele
cu tranzistoare FET sunt în schimb printre cele mai utilizate la
230
radiofrecvenţă, având distorsiuni de intermodulaţie mai mici, comparativ

cu alte dispozitive nelineare.
În figura 6.8.1 este prezentat un mixer cu FET la care vLO se aplică
direct pe pinul sursă al tranzistorului, prin intermediul unei capacităţi BP
(scurt la radiofrecvenţă – RF), pe când semnalul de intrare este vRF. Cel
din urmă este un semnal de radiofrecvenţă, ce ajunge pe grila
tranzistorului în urma amplificării sale, după cum se vede în figura 6.8.1.
+VDD
Li L0
Ci v0
D
G
BP
+ S
+
vRF Rg RS vLO
Fig. 6.8.1. Mixer cu FET

Curentul de drenă în funcţie de vgs (tensiunea dintre grilă şi sursă)
este:
2
⎛ v ⎞
iD = I DSS ⎜1 − GS ⎟ ,
⎝ VP ⎠
unde Vp este tensiunea de prag (pinch off voltage), iar IDSS curentul de
drenă pentru cazul în care vGS este egal cu zero. Mixerul din figura 6.8.1
este unul aditiv, deci tensiunea totală între grilă şi sursă va fi: vGS = vRF +
+ vLO + VGS, unde VGS este tensiunea de polarizare în curent continuu, iar
curentul de drenă va fi:
2
⎛ v + v LO + VGS ⎞
i D = I DSS ⎜⎜1 − RF ⎟⎟ .
⎝ VP ⎠
Dacă vom considera ambele semnale de intrare cosinusoidale adică:
vRF = VRFcos(ωRFt) şi vLO = VLOcos(ωLOt), curentul de drenă va deveni:
231
⎛ V cos ( ωRF t ) + VLO cos ( ωLO t ) + VGS ⎞

2
iD = I DSS ⎜1 − RF ⎟ +
⎝ VP ⎠
I
+ DSS2 ⎡⎣VGS2 + 2VGSVRF cos ( ωRF t ) + VRF
2
cos 2 ( ωRF t ) −
VP
−2VLOVGS cos ( ωLO t ) + VLO

2
cos 2 ( ωLO t ) − 2VRFVLO cos ( ωRF t ) cos ( ωLO t ) ⎤⎦
şi, grupând termenii, obţinem:
⎡ I V I V2 ⎤
iD = ⎢ I DSS − DSS GS + DSS 2 GS ⎥ + a1cos ( ωRF t ) +
⎢⎣ Vp V p ⎥⎦
+ a2 cos ( ωLO t ) + b1cos ( 2ωRF t ) + 2cos ( 2ωLO t ) −
I DSSVRFVLO
− ⎡⎣cos ( ωLO + ωRF ) t + cos ( ωLO − ωRF ) t ⎤⎦ (6.8.1 ).
V p2
I DSS V RF VLO
Se va nota cu c = , iar raportul dintre c şi tensiunea
V p2
maximă notată cu VRF, se numeşte raport de transconductanţă al
c I V
mixerului g c = = DSS 2 LO . Pentru un câştig de conversie mare,
VRF Vp
trebuie ca valoarea raportului de transconductanţă să fie cât mai mare
Vp
posibil. Cea mai bună alegere indică valoarea v LO = (fără
2
demonstraţie), valoare pentru care transconductanţa tranzistorului este:
δ iD 2I ⎛ V ⎞
gm = = − DSS ⎜⎜1 − GS ⎟⎟ , iar pentru VGS = 0 rezultă că:
δ VGS Vp ⎝ VP ⎠
2 I DSS
gm = − = −4 g c . De aici, se poate concluziona că, pentru o
Vp
amplificare în tensiune AV = G = gcRL, cât mai mare, transconductanţa de
conversie trebuie să aibă o valoare cât mai mare la un mixer cu FET.
232
6.9. Analiza linearităţii unui amplificator
Este greu de definit o metodă universal valabilă prin care se pot

evalua amplificatoarele din punct de vedere a nelinearităţii lor. În cazul
amplificatoarelor de putere, nelinearităţile sunt mai evidente, deoarece
acestea lucrează la limita de saturaţie. Una din metodele de evaluare a
acestor amplificatoare este compresia de 1 dB, produsă la limita satu-
raţiei, amintită anterior. Aceasta face de fapt referire la puterea de ieşire,
care nu are o variţie lineară cu puterea de la intrare în toată gama
operaţională a amplificatorului. Astfel, puterea de ieşire creşte linear,
până într-un punct al caracteristicii, după care, variaţia puterii este neline-
ară (coresponzătoare unei caracteristici reale). Atunci, când la intrarea
amplificatorului nelinear este prezent un semnal v(t ) , la ieşire avem:
v0 ( t ) = a0 + a1v ( t ) + a2 v 2 ( t ) + a3v3 ( t ) + ... + an v n ( t ) (6.9.1).
Când tensiunea de la intrare este mică, se poate considera variaţia
lineară, iar ecuaţia (6.9.1) se reduce la forma simplificată:
v0 ( t ) ≈ a1v ( t ) (6.9.2),
unde a1 corespunde amplificării globale. Pe măsură ce semnalul de la
intrare creşte şi se apropie de limita de saturaţie, ceilalţi termeni au o
pondere din ce în ce mai semnificativă, iar amplificatorul devine
nelinear. La evaluarea parametrilor ai în condiţii de nelinearitate
pronunţată (în apropierea limitei de saturaţie), parametrul a2 ia numai
valori negative, ceea ce determină apariţia unei compresii de 1 dB a
tensiunii de ieşire faţă de valoarea avută, în cazul ideal în care ecuaţia
(6.9.2) ar fi fost valabilă în toată gama puterilor de intrare.
Compresia de 1 dB este reprezentată de punctul P1 dB C şi este
stabilită de puterea de ieşire, mai mică cu 1 dB decât ar fi fost în condiţii
ideale (de linearitate) a amplificatorului de RF.
Dacă puterea de intrare ajunge la pragul corespunzător puterii de la
ieşire, de P1 dB C, se poate considera că s-a intrat în zona puternic
nelineară (vezi figura 6.9.1) unde funcţionarea este exclusă. Peste această
limită se poate ajunge la saturaţia amplificatorului, caz în care, puterea de
ieşire ar rămâne constantă, adică PSAT. Dreapta desenată în figura 6.9.1 cu
linie punctată, semnifică o caracteristică ideală a amplificatorului,
caracteristică faţă de care se măsoară P1 dB C. Faptul că P1 dB C se află sub
aceasta, denotă faptul că parametrul a2 este totdeauna negativ, lucru
233
perceput la ieşire sub forma unei compresii a puterii. Peste limita de P1 dB C,

funcţionarea amplificatorului este exclusă, din cauza distorsiunilor
(produse asupra) semnalului de intrare, aşa cum s-a scris. Sub punctul
menţionat P1 dB C, nelinearitatea amplificatorului determină apariţia de
armonici ca de exemplu: 2f0, 3f0, 4f0 etc. (produse de ordin doi). De
regulă, aceste armonici nu reprezintă un pericol real, deoarece banda de
trecere a amplificatorului nu este mai mare de 10-20% din frecvenţa
centrală pe care este acordat (adică f0), deci aceste componente de ordin
doi se află întotdeauna în afara benzii de trecere, putând fi uşor rejectate.
puterea la ieşire
PSAT
1 dB
P1 dB C
Pin puterea la intrare
Fig. 6.9.1. Determinarea punctului P1 dB C de la care apare

fenomenul de saturaţie
Problema majoră apare atunci când la intrare sunt aplicate două
frecvenţe diferite: f1 şi f2, care, datorită intermodulaţiei, apar la ieşire sub
forma: f1, f2, 2f1, 2f2, (2f1 – f2) şi (2f2 – f1). Dacă primele două sunt utile,
iar următoarele două nu pun probleme, aşa cum s-a menţionat, ultimele
două pun probleme serioase, pentru că se află chiar în banda de lucru a
amplificatorului (din acest motiv neputând fi suprimate cu filtrele de
rejecţie). Frecvenţele (2f1 – f2) şi (2f2 – f1) se numesc produse de ordinul
trei. În termeni specifici terminologiei mixerelor RF, frecvenţele f1 şi f2
sunt frecvenţe fundamentale (sau termeni de ordin I), frecvenţele 2f1, 2f2
sunt de ordinul II, iar cele de forma (2f1 – f2) şi (2f2 – f1) apar după cele
de ordin II (2f1 şi 2f2), pe caracteristici de ordin III. Producerea acestora
se realizează în etape, în funcţie de gradul de nelinearitate a
caracteristicii. În prima etapă apar doar componentele de ordin I, în a
doua cele de ordin II, iar în final cele de ordin III (aici nedorite –
234
spurious). Asta înseamnă că, pe măsură ce ne apropiem de valoarea

limită P1dBC, caracteristica amplificatorului suportă transformări
succesive de la ordinul I la II şi în final la ordinul III. Una dintre soluţiile
acceptate pentru evitarea apariţiei produselor de intermodulaţie de ordin
III, este de a păstra nivelul semnalului de intrare la limita zgomotului de
fond (noise floor), lucru practic imposibil pentru amplificatoarele de
putere, pentru care semnalul de intrare este puternic.
A
m BW – banda amplificatorului
p
l
i
t
u
d
i
n
e
a
f1-f2 f2-f1 2f1-f2 f1 f2 2f2-f1 2f1 2f2 3f1 3f2
Fig. 6.9.2. Spectrul la ieşirea amplificatorului când la intrare

au fost aplicate două tonuri diferite, f1 şi f2, pe caracteristica
nelineară a amplificatorului
În figura 6.9.2 este ilustrat modul în care se modifică spectrul
semnalului de la ieşire, când la intrare se aplică două „tonuri” (frecvenţe)
diferite (de test) f1 şi f2. Dacă frecvenţa semnalului de la intrare f1 atinge
un anumit prag PA, a doua armonică 2f1 apare vizibilă peste zgomotul de
fond, după care pentru fiecare creştere cu 1 dB peste limita lui PA, nivelul
armonicii 2f1 creşte cu 2 dB. În continuare, dacă se va ajunge la al II-lea
nivel de prag, PB, armonica 3f1 va apare vizibilă peste zgomotul de fond
B
şi va creşte cu 3 dB la fiecare creştere a puterii de intrare cu 1 dB peste

limita PB. Se poate generaliza fenomenul la celelalte armonici, putând
B
concluziona în final că aceste componente spectrale, nfi, cresc cu o pantă

egală cu indexul propriu i, dacă puterea la intrare depăşeşte un anume
prag (cu atât mai mare cu cât indexul i este mai mare). O metodă
acceptată pentru analiza linearităţii amplificatorului este reprezentarea
grafică a variaţiei puterii de la intrare, la ieşire şi evidenţierea domeniului
în care apar distorsiunile de ordin trei. Această metodă se bazează pe
faptul că, punctul P3 corespunde nivelului de putere la care panta
235
corespunzătoare armonicii de ordin trei, întâlneşte dreapta

corespunzătoare caracteristicii ideale a amplificatorului (vezi figura
6.9.3). În acest punct, raportul dintre puterea corespunzătoare lui P3 şi cea
de pe caracteristica ideală, este egal cu 0 dB (ambele puteri fiind egale).
Dacă din punctul P3 scădem puterea de intrare cu 1 dB, coborând pe
panta de ordin trei, scăderea echivalentă a puterii armonicilor de ordin
trei este de 3 dB.
Punctul P3 se numeşte în literatură punct de intercepţie de ordinul
trei, reprezentând de fapt o valoare teoretică ce nu poate fi atinsă în mod
natural din cauza limitei de saturaţie a amplificatorului (PSAT fiind mai
mic decât P3), punct în care funcţionarea amplificatorului este exclusă,
după cum s-a scris. Punctul de intercepţie de ordinul trei, oferă
informaţii cu privire la cât de mare poate fi dinamica puterii de ieşire a
unui amplificator în condiţii acceptabile de liniaritate, fiind o referinţă
excelentă ce stă la baza evaluării calităţii şi linearităţii acestuia. Se poate
demonstra că P3 este cu 10 dB deasupra lui P1dBC, lucru acceptat în
unanimitate de comunitatea ştiinţifică (aici fără demonstraţie) [Suá03].
puterea la
ieşire [dBm] 10 dB
P3 – punctul de intercepţie de ordinul trei
PSAT
1 dB 1/3 – zona nelineară

P1 dB C P1 dB C – punctul de compresie cu 1 dB
2/3 – zona lineară SFDR UDR
2 3
1
SMIN 1 1 1
N0
PA PB puterea la intrare [dBm]
Fig. 6.9.3. Determinarea punctului de intercepţie de ordinul trei

Diferenţa în decibeli dintre zgomotul de fond Nmin şi două treimi din
distanţa până la P3, este zona lineară în care amplificatorul poate lucra
fără distorsiuni (SFDR – the spurious free dynamic range) şi se
determină astfel:
236
2
[ SFDR ]dB = 3 [ P3 − N min ] =
2
= ⎡ P3 + 174dBm − 10lgBWdB − NF[ dB ] − GdB ⎤⎦ (6.9.3)
3⎣
unde: P3 – punctul de intercepţie de ordinul trei [dBm],
BW – banda amplificatorului (Hz),
NF – factorul de zgomot (dB),
G – câştigul amplificatorului.
Se poate aprecia că semnalul minim, la limita sensibilităţii
amplificatorului, este deasupra zgomotului. În acest caz, reajustarea
SFDR devine necesară, deoarece pragul minim la intrare nu mai este
pragul de zgomot, ci semnalul Smin (vezi figura 6.9.3). Se poate defini
astfel domeniul dinamic util UDR (the useful dynamic range) care se
determină cu relaţia modificată:
2
[UDR ]dB = 3 ⎡⎣ P3 + 174dBm − 10lgBWdB − NFdB − GdB − Smin_ dBm ⎤⎦ (6.9.4)
unde Smin este semnalul minim detectabil la intrarea amplificatorului.
Este uşor de observat că UDR este mai mic decât SFDR, cu o valoare
egală cu a semnalului minim detectabil Smin. Din acest considerent atât
sensibilitatea cât şi sensibilitatea primului etaj amplificator este foarte
importantă în proiectarea unui receptor RF. Domeniul UDR determinat,
asigură faptul că nu vor apare produse de intermodulaţie în banda
amplificatorului, iar linearitatea acestuia va fi acceptabilă. În cazul în
care domeniul UDR este prea mic se pot lua măsuri pentru creşterea
linearităţii, cum ar fi tehnica predistorsionării semnalului, dar ele nu fac
obiectul acestei cărţi. Problema linearităţii este acută mai ales în cazul
amplificatoarelor de bandă largă ce amplifică semnale OFDM. Creşterea
nelinearităţii peste domeniul UDR descris, implică pierderea
ortogunalităţii dintre sub-purtătoarele de RF, lucru ce implică pierderea
avantajelor oferite de tehnica OFDM.
Exemplul 7.1. Un amplificator are câştigul de 25 dB, iar factorul
său de zgomot este 4 dB la o bandă de trecere de 10 MHz. Dacă punctul
de compresie la 1 dB al amplificatorului este 1 W, să se calculeze
dinamica SFDR a amplificatorului.
Rezolvare:
237
Rezolvare:
2
[ SFDR ]dB = 3 ⎡⎣( 30dBm + 10dB ) + 174dBm − 10lg107 − 4dB − 25dB⎤⎦ ≈
≈ 77 dB
238
Capitolul 7. Antene pentru microunde
CAPITOLUL 7
Antene pentru microunde
Un studiu complet referitor la antene nu este uşor de făcut,

depăşind cu mult cadrul unui capitol. În continuare se vor sintetiza cele
mai importante caracteristici şi parametri ce corespund antenelor folosite
în domeniul microundelor, ce au aplicaţii practice în tehnologiile pentru
comunicaţii wireless ale momentului. Conform unei definiţii larg
acceptate, antena este o componentă a unui sistem de comunicaţii
wireless, ce radiază sau preia energia electromagnetică. Este bine de
remarcat că o antenă este în acelaşi timp un dispozitiv reciproc, ce poate
în orice situaţie funcţiona conectată la un emiţător cât şi la un receptor
radio. Pe de altă parte, antena poate fi privită şi ca o interfaţă între o linie
de transmisie de radio frecvenţă şi canalul radio. La intrarea receptorului
poate fi echivalată cu o sursă de semnal, un convertor de energie, din
electromagnetică în putere electrică şi invers, dacă este folosită ca
element radiant interpus canalului radio. Liniile de transmisiuni tratate în
primele capitole au fost calculate pe criteriul radiaţiei minime, pe când
antena este calculată pentru o radiaţie maximă a puterii injectate. Este
destul de evident încă de la început că antena reprezintă un element cheie
într-un sistem de comunicaţii radio, element care contribuie din ce în ce
mai activ la îmbunătăţirea parametrilor de transmisie, prin adaptabilitate
sau diversitate în condiţiile unui trafic radio tot mai intens.
7.1. Criterii de clasificare a antenelor
Există mult mai multe criterii de clasificare, dar aici se vor

evidenţia cele mai importante, şi anume:
– după formă;
– antene filare (helix, loop, dipol);
– antene imprimate (patch, quasi-yagi, lump, MEMS);
– antene cu apertură (horn, slot);
239
– după câştig;
– de câştig foarte mare (dish sau parabolice);
– de câştig mediu (horn);
– de câştig mic (loop, dipol, slot, patch);
– după forma diagramei de radiaţie;
– omnidirecţionale (baston, dipol);
– directive (parabolice);
– cu lob de radiaţie deformabil (array);
– după banda de frecvenţă;
– de bandă îngustă (slot, patch)
– de bandă largă (logaritmică, elicoidală).
Un sistem de comunicaţii wireless, ce implică utilizarea unor
antene, arată ca în figura 7.1.1:
A B
Canal radio
Emiţător/ Emiţător/
Receptor Receptor
Fig. 7.1.1. Sistem de comunicaţii ce realizează legătura dintre punctele

A şi B pe un canal radio ce necesită utilizarea a două antene
Din punct de vedere al unui circuit la care este conectată, antena
este un dispozitiv cu o singură intrare sau o singură ieşire, căreia i se
asociază o impedanţă. Înainte de a putea înţelege ce reprezintă câştigul
unei antene, trebuie descris conceptul de antenă izotropă şi modul de
propagare a undei plane în spaţiu liber.
7.2. Antena izotropă (punctiformă)
O antenă izotropă este o antenă teoretică ce nu poate fi realizată

practic, dar se poate utiliza ca etalon pentru evaluarea calitativă a
antenelor reale. Radiaţia antenei izotrope are aceeaşi intensitate în toate
direcţiile, lucru care pare imposibil, teoretic, energia dispersându-se
uniform pe suprafaţa unei sfere de rază R . Raza sferei va fi la un
moment dat egală cu distanţa dintre emiţător şi receptor. Dacă se
240
consideră că emiţătorul are puterea Pt pe care o injectează în antenă,

densitatea de putere pe sfera de rază R este:
P
ρR = t 2 (7.2.1).
4πR
Densitatea de putere scade cu pătratul distanţei, iar intensitatea
câmpurilor electric şi magnetic se determină pornind de la ecuaţiile lui
Maxwell pentru unda electromagnetică:
_
∂E _
∇ ΧH = ε (7.2.2),
∂t
_
∂H
_
∇ ΧE = -μ (7.2.3),
∂t
_
∇E =0 (7.2.4),
_
∇H = 0 (7.2.5),
din ecuaţia lui Helmotz rezultată prin aplicarea operatorul rotor, în
ecuaţiile (7.2.2) şi (7.2.3), avem:
⎛ _ ⎞ _
⎛ _ ⎞ ⎜ ∂E⎟ ∂ ⎛ _⎞
∂2 H
∇ Χ ⎜⎜ ∇ Χ H ⎟⎟ = ∇ Χ ⎜ ε ⎟ = ε ∂ t ⎜⎜ ∇ Χ E ⎟⎟ = − εμ (7.2.6),
⎝ ⎠ ⎜ ∂t ⎟ ⎝ ⎠ ∂ t2
⎝ ⎠
iar în continuare, ţinând cont de proprietăţile rotorului, avem ecuaţia:
⎛ _
⎞ ⎛ _ ⎞ _
⎛ _⎞ _ _
∇ Χ ⎜ ∇ Χ H ⎟ = ⎜ H ∇ ⎟ ∇ − ( ∇∇ ) H + ∇ ⎜ ∇ H ⎟ − H ( ∇∇ ) = −∇ 2 H (7.2.7).
⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
Ţinând cont de faptul că primul şi ultimul termen nu au sens
(operatorul de derivare spaţială a lui Hamilton neavând argument), iar al
treilea termen este zero, rezultă din ecuaţia (7.2.5), egalând ecuaţia
(7.2.6) cu ecuaţia (7.2.7) că:
_
_
∂2 H
∇ 2 H = με 2 (7.2.8),
∂t
_
2
_
∂2 E
∇ E = με 2 (7.2.9).
∂t
Ecuaţiile (7.2.8) şi (7.2.9) au aceeaşi structură cu cele ale corzii
vibrante[Moţ94], unde este demonstrat faptul că, termenul din faţa
derivatei de ordinul doi în raport cu timpul, are semnificaţia unei viteze,
în condiţiile în care se inversează expresia şi se extrage radicalul:
241
1
v= (7.2.10),
εμ
punând condiţia că unda se propagă numai pe o singură direcţie (de
regulă în lungul axei z) şi că aceasta este de formă armonică
_ _
( E (x, y,z,t ) = E t ( x, y )e jω t − γz ) se ajunge la ecuaţia lui Helmotz:
_ _
∇ 2 E + k 02 E = 0 (7.2.11)
sau
_ _
∇ 2 H + k 02 H = 0 (7.2.12),
unde k0 este constanta undei ( k 0 = ω εμ ), iar γ constanta de propagare.
Antena de
R
recepţie
antena
punctiformă
a
λ
R
Antena de
Antena
recepţie
punctiformă
Fronturi de
egală fază
b
Fig. 7.2.1. a – Energia radiată de antena punctiformă se distribuie uniform pe o
sferă; b – între două fronturi de egală fază unda se repetă
242
În figura 7.2.1.a se observă cum iniţial unda transmisă este una

sferică, iar pe măsură ce raza creşte, se transformă într-o undă plană a
cărei fronturi de egală fază (vezi. figura 7.2.1.b) tind să se alinieze. Între
două fronturi de egală fază este o distanţă λ, deci valorile câmpului E şi
H se repetă, funcţiile lor fiind periodice. Soluţiile ecuaţiei lui Helmotz
conduc la expresia lui E şi H în funcţie de distanţă, direcţie şi timp. Este
important de remarcat faptul că rezolvarea ecuaţia (7.2.11) se face ţinând
cont de tipul antenei, impunându-se condiţii diferite la limită, soluţiile
obţinute fiind diferite în funcţie de tipul antenei. Din fericire, e suficientă
determinarea expresiei lui E, pentru că din ecuaţiile lui Maxwell rezultă
că între E şi H există următoarea relaţie:
_⎞
_
1 ⎛ ε0 ∧ _ ∧ _
H=− ⎜⎜ ∇ Χ E ⎟⎟ = nΧ E = η nΧ E (7.2.13),
jω μ 0 ⎝ ⎠ μ0 − −
unde η este impedanţa intrinsecă (aici în vid şi se aproximează cu 120π),

μ0 este permeabilitatea magnetică a vidului, ε0 este permitivitatea
electrică a vidului, iar ω este frecvenţa unghiulară (pulsaţia) a undei.
∧
Vectorul n este perpendicular pe frontul undei, indicând direcţia de
−
propagare. Cele două câmpuri vectoriale E şi H sunt în permanenţă
∧ _
perpendiculare, astfel că produsul vectorial dintre n şi E va fi
−
_
întotdeauna pe direcţia lui H .
y ∧
n
_ −
E
_
H
z
O
Elementul radiant este amplasat în

originea sistemului cartezian
x
Fig. 7.2.2. Frontul undei este perpendicular pe direcţia de propagare
243
Pentru o antenă izotropă ce radiază aceeaşi putere în toate

direcţiile, intensitatea câmpului electric scade după legea:
60 Pt
E= = 2 Erms (7.2.14),
R
unde Erms este rădăcina pătratică medie şi Pt este puterea de RF injectată
în antenă. Din moment ce s-a definit noţiunea de front de undă, putem
vorbi despre zonele de câmp a antenei.
7.3. Zonele de câmp ale antenei
Se spune că o antenă lucrează în zona de câmp îndepărtat sau

apropiat. Aceaşi expresie se foloseşte şi când se vorbeşte despre o
caracteristică de radiaţie ce corespunde unei antene, şi anume că s-a
măsurat în zona de câmp îndepărtat (far field region) sau zona de câmp
apropiat, după caz. Pentru a determina limita de separaţie a celor două
zone de câmp se porneşte de la desenul din figura 7.3.1.
R
D Antena de
Elementul 2 recepţie
radiant
α R − Δl β
C D
O B Δl
Front de undă
sferic
R
Fig. 7.3.1. Configuraţia utilizată pentru calculul zonelor de câmp ale antenei
După cum se poate intui din figura 7.3.1, R este distanţa dintre
cele două antene de emisie şi de recepţie. Antena de recepţie este una cu
apertură, de înălţime D, iar frontul de undă ce ajunge la receptor este încă
unul sferic. Din triunghiul dreptunghic astfel format, avem relaţia:
D2 D2
R 2 = (R − Δl ) +
2
= R 2 − 2 RΔl + Δl 2 + ,
4 4
244
iar dacă dorim ca Δl 2 ≈ 0 (infinit mic relativ de ordinul doi), aceasta

D2
implică aproximaţia 2 RΔl ≈ , iar distanţa minimă dintre cele două
4
D2
antene va fi: R = .
δΔl
Se poate observa că, datorită frontului sferic al undei nu toate
punctele de pe acest front (puncte de egală fază) ajung în acelaşi moment
la antenă. Primul punct de egală fază cu a frontului, ajunge cel dintâi,
aflându-se pe dreapta de vizibilitate directă (line of sight); abia apoi ajung
celelalte puncte. Cel mai târziu ajunge unda de la extremitatea aperturii
antenei, eroarea de fază maximă acceptată de comunitatea ştiinţifică fiind
de 22,5°. Aceasta, va delimita practic cele două regiuni, apropiată pe
deoparte şi îndepărtată pe de altă parte. Ştim din primul capitol că
ϕ λϕ
ϕ = βΔl, unde β este constanta de fază, iar atunci Δl = = este cu
β 2π
atât mai mare cu cât frecvenţa undei creşte. Cunoscând pe Δl putem
ϕλ
calcula întârzierea undei ce ajunge ultima: Δτ = , unde c este viteza
2cπ
de propagare 3·108 m/s, iar λ este lungimea sa de undă. Dacă se împart
cele 360° corespunzătoare unei lungimi de undă, la 22,5°, rezultatul
obţinut este 16. Înseamnă că pentru această eroare maximă de fază (de
λ λ
22,5°), avem: Δl = . Practic se poate spune că dacă Δl > , ne aflăm
16 16
în zona de câmp apropiat a antenei, iar eroarea de fază este mai mare de
λ
22,5 grade. Sub această valoare Δl < , poziţionaţi fiind în zona de
16
câmp îndepărtat a antenei, iar erorile de fază sunt mai mici de 22,5°.
Acest fenomen nu este de neglijat la frecvenţe mai mari de 1 GHz, în
picocelule, la debite mari, mai ales că antenele cu apertură sunt folosite
din plin. Putem astfel scrie că:
2D 2
R far _ field = (7.3.1),
λ
unde λ este lungimea de undă în mediul de propagare (aer). Această
distanţă este luată în calcul atunci când în faţa antenei se află un obstacol.
Este bine ca antena să aibă deschidere, adică în zona de câmp apropiat să
245
nu existe nimic în afară de mediul de propagare. Un eventual obstacol

prea apropiat, poate deforma caracteristica de radiaţie a antenei.
Exemplul 7.3.1. Care este distanţa minimă la care se poate amplasa
o antenă cu apertura de 0,5 m faţă de o alta care radiază pe frecvenţa de
5 GHz, astfel încât întârzierea maximă a semnalului recepţionat pentru
primul front al undei să fie de 15 psec.
Rezolvare:
Transformăm eroarea maximă acceptată de fază în radiani
ϕ = 22,5° = 0,39 rad, iar apoi calculăm lungimea de undă
c 3
corespunzătoare: λ = = 10−1 = 6 cm . Vom aplica relaţia determinată
f 5
ϕλ
în paragraful 7.3, anume: Δτ = = 12,5 psec . Deci, la această
2cπ
întârziere, antena de recepţie se află la limita dintre cele două regiuni,
2D2
adică la distanţa de: R far _ field = = 8,3 m . O eroare de 15 psec implică
λ
o apropiere la o distanţă mai mică de 8,3 m. Din triunghiul AOC şi ABC
D
din figura 7.3.1, rezultă că: α = π – 2β, R = Rcos ( α ) + , de unde
2tg ( β )
va reieşi că:
D D D
R= = = (7.3.2),
2tgβ ⎡⎣1 − cos ( π − 2β ) ⎤⎦ 2tg ( β )(1 + cos2β ) 2sin2β
sin2β
ţinând cont de egalitatea tgβ = .
1 + cos2β
Pentru un timp de zbor de numai Δτ = 15 psec , unda parcurge
D
Δl = cΔτ = 4,5 mm , iar tgβ = = 55,55° de unde β = 88,96°, iar din
2Δl
ecuaţia dedusă mai sus rezultă că ne aflăm la o distanţă
D 0 ,5
R= = = 6 ,94 m faţă de antena de emisie. Din ecuaţia
2sin2β 2 ⋅ 0 ,035
π D
(7.3.2) rezultă că, dacă unghiul β tinde la atunci distanţa R = , adică
4 2
pentru cazul exemplificat în 7.3.1, R este egal cu 0,25 m.
246
7.4. Parametri ai antenelor
Parametri specifici antenelor fac referire la proprietăţile şi carac-

teristicile acestora, fiind foarte importanţi pentru aprecierea calitativă a
unei antene. Numărul parametrilor definiţi referitor la o antenă este foarte
mare, şi, fără a avea pretenţia evidenţierii tuturor acestora, se va face
referire strict la cei mai consacraţi şi utilizaţi în mod curent.
7.4.1. Impedanţa de intrare
Este un parametru extrem de important evaluat cu ajutorul
parametrului de dispersie S11 sau parametrul Γ (coeficientul de reflexie)
descris în primele capitole. Cele două mărimi amintite evaluează calitativ
adaptarea antenei la receptorul sau la emiţătorul la care este conectată.
Un alt parametru, strâns corelat cu cei doi, este VSWR-ul (Voltage
Standing Wave Ratio), care apreciază calitatea adaptării, „ajutând”
totodată şi la determinarea benzii de trecere a antenei. După cum s-a
demonstrat în capitolul 1, la secţiunea 1.2, avem relaţiile:
1+ Γ
VSVR = ≥ 1 şi [ RL ]dB = −20lg Γ (pierderile de întoarcere).
1− Γ
În cazul antenei VSWR-ul se poate măsura cu VSWR-metrul, ce se
plasează între antenă şi receptor (emiţător), VSWR-ul ideal pentru o
antenă fiind 1. La această valoare a VSWR-ului, coeficientul de reflexie la
intrare este zero ( Γ = 0 ), semnificaţia fiind că toată puterea transmisă
antenei este radiată sau toată puterea recepţionată este oferită sarcinii. Nu
se caută totdeauna obţinerea unui VSWR = 1 deoarece vom arăta că banda
antenei este cu atât mai mare cu cât VSWR-ul este mai mare, lucru care
determină producerea intenţionată a unei uşoare dezadaptări la intrare
pentru lărgirea benzii de trecere a acesteia, numai dacă cerinţele
sistemului de comunicaţii o cer. Un VSWR < 2 este acceptabil, mai ales
din cauza faptului că, odată cu creşterea frecvenţei, adaptarea este mai
greu de realizat (e ca şi cum am încerca să aruncăm o piatră într-un lac
fără să facem valuri, piatra având dimensiuni cu atât mai mari cu cât
frecvenţa creşte, după cum am mai spus în primul capitol). Tot în
capitolul 1 s-a demonstrat că puterea transmisă sarcinii (antenei) este de
(1 − Γ ) ori puterea disponibilă de la sursă. Această putere depinde de
2
calitatea adaptării dintre antenă şi emiţător (receptor), putându-se

exprima în funcţie de coeficientul de reflexie:
247
1+ Γ
Z in = Z 0 (7.4.1.1),
1− Γ
unde Z0 este impedanţa caracteristică a liniei de transmisie ce este
conectată la antenă.
7.4.2. Banda de frecvenţă
Banda de frecvenţă este, de asemenea, un parametru important care
defineşte în spaţiul frecvenţelor domeniul de eficienţă a antenei. O
definiţie unanim acceptată a acestui parametru nu există, dar este acceptat
de o largă majoritate de specialişti faptul că, banda antenei este strâns
legată de valoarea VSWR-ului. După cum am amintit mai sus, se acceptă
un VSWR = 2, valoare peste care dezadaptarea devine inacceptabilă.
Peste această valoare a VSWR-ului, antena poate deprecia substanţial
parametrii funcţionali ai echipamentului de transmisiuni, putând apare
erori cauzate de unda reflectată.
0
fL fH frecvenţa
–5
–9,54 VSWR = 2
–10
–15
–20
RL (pierderile de
întoarcere în dB) f0
dB
Fig. 7.4.2.1. Banda antenei delimitată de un VSWR = 2

Se acceptă faptul că, domeniul de eficienţă al unei antene se
încadrează, în frecvenţă, la limita unui raport de undă staţionară egal cu
248
doi. Limita benzii astfel determinate, admite o undă reflectată cu o

valoare de 11% din valoarea totală a puterii undei incidente.
În figura 7.4.2.1 este prezentată evoluţia în frecvenţă a pierderilor
de întoarcere, care se calculează funcţie de parametrul de dispersie S11 cu
relaţia: [ RL ]dB = −20lg S11 . Se poate remarca faptul că, parametrul RL
prezintă o scădere bruscă, ce marchează frecvenţa la care antena se
acordează (sau pe scurt frecvenţa de acord a antenei). La frecvenţa f0
antena se adaptează la sarcină şi pierderile sunt foarte mici, lucru care se
întâmplă din păcate pentru o singură frecvenţă. Banda BW (bandwidth)
este limitată de frecvenţa inferioară fL (low frequency) şi frecvenţa
superioară fH (high frequency) la care 11% din puterea incidentă furnizată
antenei este reflectată (bounce back). Această delimitare este de natură
teoretică, practic antena putând funcţiona în afara benzii delimitate de fL
şi fH.
RL [dB]
Frecvenţa [GHz]
Fig. 7.4.2.2. Determinarea benzii de frecvenţă a antenei utilizând

caracteristica RL în cazul unei antene cu două frecvenţe
de rezonanţă (dual band)
În acest caz însă dezadaptarea va fi inacceptabil de mare, lucru care
se răsfrânge negativ asupra calităţii recepţiei. Caracteristica din figura
7.4.2.1 se poate obţine prin metoda descrisă în paragraful 1.12. Întrebarea
care se poate pune în acest caz este, dacă e posibil ca parametrul RL să
249
aibă mai multe minime sub limita celor 9,54 dB. Răspunsul la această
întrebare îl oferă diagrama din figura 7.4.2.2, unde se reprezintă
pierderile de întoarcere RL în funcţie de frecvenţă. Se vede că antena are
două frecvenţe de rezonanţă pentru care pierderile coboară cu mult sub
limita de aproximativ 10 dB. Pentru prima frecvenţă de rezonanţă, banda
antenei este îngustă (fL = 7,5 GHz, fH = 7,75 GHz, BW = 250 MHz),
însemnând că aici antena se adaptează cel mai bine sarcinii, iar pentru a
doua frecvenţă, banda este mai largă (fL = 18 GHz, fH = 18,75 GHz, BW
= 750 MHz). Caracteristica prezentată în figura 7.4.2.2 s-a obţinut prin
simularea unei antene patch modificate (antena Abouzahra), realizate în
tehnologie microstrip şi implementate în HFSS (High Frequency
Structures Simulator).
7.4.3. Caracteristica de radiaţie
Distribuţia puterii (radiate sau recepţionate) în funcţie de direcţia
relativă a antenei în câmpul electromagnetic este definiţia unanim
acceptată a caracteristicii de radiaţie a unei antene. Pentru desenarea
caracteristicii de radiaţie, se folosesc două metode: reprezentarea spaţială
şi reprezentarea în planul vertical sau orizontal.
Ambele caracteristici sunt, de fapt, reprezentări unghiulare în
sisteme carteziene sau polare. Dacă se folosesc reprezentări în plan ale
acestei caracteristici de radiaţie, atunci se definesc două plane, unul
numit principal E, reprezentat de poziţionarea vectorului intensitate
electrică şi unul H, reprezentat de câmpul magnetic. Este evident că cele
două plane sunt perpendiculare unul pe celălalt, datorită relaţiei de
poziţionare dintre cele două câmpuri. Cercul cu cea mai mare
circumferinţă corespunde unei puteri radiate de 7 dB, iar pe măsură ce se
face referire la un cerc cu circumferinţă mai mică, puterea scade de la 7
dB până la –9,77 dB. Toate cercurile de pe caracteristica de radiaţie sunt
concentrice, după cum se vede în figura 7.4.3.1, având o putere
corespondentă minimă de –18,2 dB pentru punctul din mijloc. Se vede de
asemenea că, cele două caracteristici sunt diferite, practic, căutându-se
cea mai potrivită caracteristică de radiaţie ce îmbină proprietăţile
canalului cu cerinţele sistemului de comunicaţii.
O mărime importantă ce are legătură cu modul în care antena
distribuie puterea radiată este directivitatea, definită cu ajutorul raportului
(vezi figura 7.4.3.2):
puterea radiata pe unitatea de unghi solid
D ( θ,φ ) = =
puterea medie pe unitatea de unghi solid
250
dPrad d Ω dP dΩ
= 4π rad (7.4.3.1)
Prad 4π Prad
Planul H
secundar
Planul E
principal
Fig. 7.4.3.1. Caracteristica de radiaţie a antenei – reprezentare

polară (obţinută în HFSS – High Frequency Structure Simulator)
Unitatea de unghi solid considerată este dΩ = sinθdθdϕ, iar dl este
lungimea elementului activ al antenei. Dacă dl este mult mai mic decât
lungimea de undă, la limită, antena tinde la un punct, caz în care o
numim punctiformă (filament antenna). Această antenă nu există practic
în realitate, dar e definită matematic în acest fel şi se poate considera că
radiază aceaşi putere în toate direcţiile. Imposibilitatea realizării practice,
este legată de condiţia la limită (dl → 0), antena folosindu-se însă ca
referinţă. Puterea radiată [Col01] de antena punctiformă este:
H * η ( k0 dl ) 2 π π 2 H * η ( k0 dl )
2 2
Prad =
32π2 ∫0 ∫0 sin θsinθdθdφ = 12π (7.4.3.2),
251
μ
unde η = ≈ 120π = 377 Ω – impedanţa intrinsecă a vidului;
ε
k0 – constanta undei;
H – intensitatea câmpului magnetic în punctul P.
punctul de alimentare a z
_ _
antenei – feed point
aθ ar
punct oarecare în
θ P
care se măsoară
_
puterea radiată
_ aφ
r y
dl
antena
x
Fig. 7.4.3.2. Antena reprezentată într-un sistem de coordonate sferic

Pentru o antenă punctiformă, expresia câmpului H este:
_
e − jk 0 r _
H = jI dl k 0 sin (θ ) aθ ,
4π r
unde aθ este un vector derivat dintr-un potenţial A, care este definit
pentru rezolvarea ecuaţiei lui Helmotz. Acest vector indică direcţia lui H
în planul transversal, pe direcţia de propagere în punctul P (vezi figura
7.4.3.2). În figura 7.4.3.3.a, se reprezintă modul în care este radiată
puterea de o antenă Horn ce lucrează la frecvenţa de 10 GHz, prin
intermediul variaţiei câştigului în funcţie de direcţia de radiaţie. De
această dată, reprezentarea este 3D, câştigul maxim este de 13 dB pe
direcţia z, pentru care unghiul θ este zero. Reprezentarea a fost obţinută
în urma proiectării antenei şi simulării ulterioare în HFSS. În cazul
prezentat în figură (vezi figura 7.4.3.3.a), unghiul de elevaţie θ ia valori
între –90° şi +90° în timp ce unghiul azimutal ψ ia valori între 0° şi 360°.
252
X X
b
Fig. 7.4.3.3. Caracteristica de radiaţie reprezentată în zona de câmp
îndepărtat pentru o antenă Horn rectangulară la frecvenţa
de 10 GHz în reprezentare polară 3D
253
Prin „baleierea” unghiulară, se obţine o structură de tip suprafaţă,

aproximată de o reţea de tip mash, colorată funcţie de intensitatea
mărimii reprezentate (în acest caz câştigul antenei). În figura 7.4.3.3.b,
este ilustrat modul în care a fost amplasată antena, fapt ce clarifică multe
lucruri legate de modul de citire şi interpretare a caracteristicii din figura
7.4.3.3.a. Se vede astfel că, antena poate avea mai mulţi lobi de radiaţie,
unul principal, pentru care puterea radiată este maximă şi mai mulţi lobi
secundari (pentru care puterea radiată este mult mai mică). Deformarea
acestor lobi în scopul interpunerii lobilor secundari cu un câştig mic pe
direcţia undei reflectate este posibilă, în cazul antenelor inteligente. Iată
cum va arăta caracteristica de radiaţie a antenei Horn în reprezentare
polară 2D pentru cazul când unghiul azimutal ψ variază de la zero la
360° (reprezentare în secţiune transversală).
10 dB
Fig. 7.4.3.4. Caracteristica de radiaţie a antenei Horn la frecvenţa

de 10 GHz – reprezentare polară 2D
În figura 7.4.3.4 este reprezentată caracteristica antenei Horn într-o
reprezentare polară la 10 GHz. Se vede că de fapt caracteristicile de
radiaţie 2D reprezintă doar o secţiune (aici în planul zoy) din
caracteristica antenei. Este acum destul de evident faptul că în
254
reprezentarea din figura 7.4.3.1 unghiul azimutal ia valori doar între zero
şi 180°, caz în care interesează numai radiaţia din faţa antenei.
7.4.4. Unghiul de deschidere (de radiaţie)
Unghiul de radiaţie este un parametru ce defineşte unghiul solid ce
restrânge direcţiile de eficienţă ale antenei. Astfel eficienţa de radiaţie a
antenei este apreciată cantitativ de acest parametru pentru diferite
direcţii. Se poate aprecia faptul că în interiorul unghiului solid, format în
interiorul lobului principal de radiaţie, este asigurată o putere mai mare
de jumătate din puterea maximă radiată (Pmax – 3 dB). Unghiul de
deschidere ne mai oferă informaţii cu privire la forma lobului principal şi
totodată informaţii asupra directivităţii antenei.
0 dB 0 dB
– 3 dB
θHP
SLL
– 10 dB
– 3 dB
θFN
– 40 dB
Unghiul θ
θHP
θFN
a b
Fig. 7.4.4.1. Măsurarea unghiului de radiaţie (half beam) pe o caracteristică
de radiaţie în reprezentare: a – polară 2D (în plan), b – carteziană 2D
Dacă unghiul de deschidere este mai mic de 45 de grade, antena
este directivă, focalizând energia radiată pe o direcţie dorită, iar dacă este
între 45° şi 90°, antena este sectorială, radiaţia fiind una dispersivă (se
spune că în acest caz antena împrăştie). Remarcabil este de asemenea
faptul că, dacă unghiul de deschidere sau de radiaţie θHF se defineşte la 3
dB, unghiul dintre primele două nuluri consecutive (first null), θFN , este
255
delimitat de primele două minime ce încadrează lobul principal pe

caracteristică (vezi figurile 7.4.4.1 a şi b). În exemplul din figura
7.4.4.1.b, primele două nuluri au valori egale de – 40 dB fiind plasate
simetric faţă de maximul puterii, specific lobului principal de radiaţie.
Este evident că nu întotdeauna se va păstra această simetrie, lucrul acesta
depinzând exclusiv de tipul antenei. În afara lobului principal (main lobe)
ceilalţi sunt lobi secundari (minor lobes). Primii doi lobi secundari
suportă o atenuare de –10 dB faţă de nivelul maxim al puterii radiate,
fenomen ce este apreciat de parametrul SSL (Side lobes level), definit ca
fiind egal cu atenuarea primilor doi lobi secundari (ce încadrează lobul
principal) faţă de nivelul maxim al puterii (de exemplu, în figura
7.4.4.1.b, avem SLL = 10 dB).
7.4.5. Rezistenţa de radiaţie
Se ştie că antena nu are decât o intrare ce este caracterizată de
parametrul de dispersie S11. Valoarea acestui parametru depinde exclusiv
de valoarea impedanţei la intrarea antenei. Având în vedere faptul că
antena se comportă ca un circuit rezonant, acest parametru va avea un
caracter pur rezistiv, doar la frecvenţa de rezonanţă a antenei. La această
frecvenţă, partea imaginară a impedanţei de intrare corespunzătoare
antenei, se anulează. Antena rezonează pe acea frecvenţă pentru care
impedanţa are o valoare pur rezistivă, comportându-se ca un circuit
rezonant RLC serie. Notând impedanţa de intrare cu Zin vom avea:
Z − Z0
Γ = S11 = in ,
Z in + Z 0
unde Z0 este impedanţa caracteristică a liniei de transmisie conectată la
antenă (vezi. capitolul 1). O valoare diferită de zero a lui S11 produce un
VSWR supraunitar ce indică o dezadaptare, astfel că (vezi paragraful 1.10):
1+ Γ
VSWR = >1.
1− Γ
O valoare a VSWR-ului mai mică de 1,5 este considerată accepta-
bilă, având în vedere că în acest caz, coeficientul de reflexie este de
numai 0,2 (vezi paragraful 1.12, tabelul 1.12.1). Aceasta semnifică faptul
că 20% din puterea incidentă se întoarce şi numai 80% este radiată.
Valoarea este totuşi acceptabilă la frecvenţe mari, deoarece adaptarea
este greu de realizat. În mod normal, dacă nu există probleme legate de
adaptarea antenei un VSWR de 1,1 va produce o undă reflectată de numai
4% din cea incidentă. Puterea reflectată se va disipa pe tranzistorul final
256
al emiţătorului de putere ce este conectat la antenă, lucru de care trebuie

ţinut cont în momentul proiectării acestuia. Dacă tranzistorul final al
emiţătorului lucrează fără sarcină (adică antena este deconectată de la
ieşirea/intrarea echipamentului de emisie/recepţie), VSWR-ul tinde la
infinit, iar unda incidentă se va disipa datorită reflexiei în proporţie de
100% pe tranzistorul final, putând produce distrugerea acestuia.
Expresia rezistenţei de radiaţie a antenei este egală, prin definiţie,
cu raportul dintre media puterii radiate şi media valorii efective a
curentului ce străbate antena. Spre deosebire, rezistenţa de intrare în
antenă este definită ca raportul dintre puterea medie injectată şi media
valorii efective a curentului din antenă, astfel că:
P + Pd + 2 jω (WH − WE )
Rin = r (7.4.5.2),
I 0 I 0* 2
unde Pr – puterea radiată;
Pd – puterea disipată pe rezistenţa (pe partea reală a impedanţei)
antenei;
WH – energia medie cheltuită pentru producerea câmpului mag-
netic în zona de câmp apropiat;
WE – energia cheltuită pentru componenta electrică în aceleaşi
condiţii.
Puterea Pd se datorează rezistenţei de suprafaţă a conductorului (în
mare parte datorită efectului pelicular - skin effect). Rezistenţa de radiaţie
P P
este deci egală cu: Rr = 2 r 2 , iar la rezonanţă Rin = Rr + 2 d 2 .
I0 I0
Dacă se consideră o antenă dipol în λ/2 din cupru electrolitic,
parcursă de un curent I0cos(β0z), densitatea de suprafaţă a curentului este:
(I0/2πr)cos(k0z),
unde: I0 – intensitatea maximă a curentului,
k0 – constanta undei,
z – distanţa de la un capăt la un punct oarecare aflat de-a lungul
antenei.
Se observă că valoarea curentului variază, după o lege
cosinusoidală, iar valoarea I0 a curentului este reală. Puterea disipată în
conductor [Col01] are expresia:
λ0 / 4 2
2π 2
1 ⎛ I 0 ⎞ cos β 0 z
Pd =
2 ∫ rdϕ ∫ ⎜
⎝
⎟
2π .r ⎠ σδ
dz (7.4.5.3),
0 − λ0 / 4
257
unde σ – conductanţa,
δ – adâncimea de pătrundere în materialul conductor.
De exemplu, la frecvenţa de 100 MHz (λ0 = 3 m), adâncimea de
pătrundere în cupru este de δ = 6 , 6 × 10−6 metri. Pornind de la faptul că:
1
Pd = I 02 R şi rezolvând integrala, vom avea în final egalitatea:
2
2
λ ⎛ I ⎞ 1 1 2
2π.r0 0 ⎜ 0 ⎟ = I 0 R , din care rezultă că rezistenţa ohmică este
8 ⎝ 2π.r0 ⎠ σδ 2
λ0
R= . Se poate scrie că expresia rezistenţei de intrare, în acest caz
8π.r0 σδ
P λ0
este: Rin = Rr + 2 d 2 = Rr + . Pentru cupru, rezistenţa ohmică R
I0 8π.r0 σδ
este 0,062 Ω, adică o valoare mică ce se poate neglija. Rezultă că puterea
radiată determină preponderent rezistenţa de intrare, ţinând cont că la
rezonanţă energia acumulată de cele două câmpuri E şi H este egală (deci
WH – WE = 0). În final, rezistenţa de intrare a antenei va fi pur rezistivă
la rezonanţă, lucru ce simplifică circuitul de adaptare. Puterea radiată
pentru o antenă dipol [Bal97] are expresia:
⎡ ⎛π ⎞⎤
2 2 π π ⎢ cos ⎜ cosθ ⎟ ⎥
I Z ⎝2 ⎠ ⎥ sinθdθdψ = 36 ,565 I 2 (7.4.5.4),
Pr = 0 2 0 ∫ ∫ ⎢ 0
8π 0 0 ⎢ sinθ ⎥
⎢⎣ ⎥⎦
Pr + Pd + 2 jω (WH − WE )
2
36,565 I 0
de unde Rin = ≈2 2
= 73,13 Ω .
I 0 I 0* 2 I0
În mod normal, s-a ales acest exemplu a antenei dipol în λ/2, fiind
o antenă folosită ca etalon, şi foarte utilizată în combinaţie cu alte antene.
Pentru alte antene rezistenţa de radiaţie variază, având o altă valoare, dar
semnificaţia este aceeaşi. Această impedanţă poate fi măsurată într-un
singur punct, fiind determinată de lungimea L a antenei, pentru care
aceasta rezonează la frecvenţa aleasă. Dacă L este un multiplu de λ0
(lungimea de undă în vid) prima lungime normalizată la care apare
rezonanţa antenei este: L/λ0 = 0,48 (aproape de mijlocul antenei). În
figura 7.4.5.1 se poate observa faptul că, valoarea impedanţei la capetele
antenei în λ/2 este maximă, dar depinde de raportul L/D. Dacă diametrul
258
tronsonului din care este confecţionată antena tinde la zero, atunci impe-
danţa la capete tinde la infinit. Caracteristica din figura 7.4.5.1 este im-
portantă din punct de vedere al determinării punctului optim în care se va
alimenta antena (feed point). Este de remarcat faptul că în figura 7.4.5.1 e
reprezentată numai partea reală a impedanţei de-a lungul antenei.
|Z|
1200 Ω
L/D=100
300 Ω
Rin
L/D=20 L /λ0 (lungimea

normalizată)
0.48 1
D
Fig. 7.4.5.1. Variaţia impedanţei de-a lungul antenei

7.4.6. Polarizarea
Antena este responsabilă de modul în care va fi dispus vectorul E
(intensitate câmp electric) din momentul formării undei în zona de câmp
apropiat. Dacă vectorul E acţionează în planul orizontal, atunci unda este
polarizată orizontal, iar dacă E acţionează în planul vertical atunci
polarizarea este verticală. Cele două tipuri de polarizări sunt
fundamentale şi sunt folosite pe scară largă. Importanţa polarizării undei
este evidenţiată de faptul că, pentru o bună recepţie, este obligatoriu ca
antena să utilizeze acelaşi tip de polarizare ca şi la emisie. Dacă pe
aceeaşi frecvenţă se transmit două unde, una cu polarizare orizontală H,
iar a doua cu polarizare verticală V, între cele două semnale este o
diferenţă de putere ce depinde de antenă, în favoarea undei polarizate
identic cu cea corespunzătoare antenei de recepţie. Se poate face astfel
distincţie între cele două semnale, teoretic fiind posibil accesul multiplu
cu divizare în polarizare. În prezent sunt utilizate polarizări mai speciale
ce implică de regulă rotirea câmpului electric astfel încât, cele două
componente ale vectorului intensitate a câmpului electric E în planul
259
transversal (figura 7.4.6.1), Eθ şi Eψ să se rotească, vârful vectorului

putând descrie un cerc sau o elipsă. Între cele două componente există o
diferenţă de fază care, de regulă, face distincţia astfel: dacă diferenţa de
fază între Eθ şi Eψ este de ±90°, cele două componente au modulele egale
şi vârful vectorului descrie un cerc, polarizarea numindu-se circulară.
Dacă între cele două componente este o diferenţă de fază de 180°, avem
de-a face cu o polarizare lineară. În ultimă instanţă, dacă diferenţa de
fază are o valoare oarecare, dar diferită de cele două cazuri anterioare,
atunci avem o polarizare eliptică.
z _
_
Eθ E
θ
_
_ Eψ
r y
Fig. 7.4.6.1. Polarizarea undei, reprezentată în coordonate sferice

În figura 7.4.6.2 sunt schiţate cele trei cazuri corespunzătoare pola-
__ __ __ ^
rizărilor: eliptică ( E e ), circulară ( E c ) şi lineară ( E ). Vectorul n indi-
−
că direcţia de propagare, fiind perpendicular pe frontul undei. După cum
se observă din figură, vectorul corespunzător intensităţii câmpului
electric este un versor (vector rotitor), ce descrie în planul transversal o
elipsă, un cerc sau o dreaptă, după caz . Polarizarea lineară este cea mai
utilizată; prin particularizare avem polarizările H (orizontală) şi V
(verticală). Practic, polarizarea este stabilită de locul geometric al
vârfurilor versorului E în timp şi spaţiu. Dezavantajul major al polarizării
lineare este că unda se poate depolariza în timp, depolarizarea undei fiind
apreciată de un parametru CPL (cross – polarization level) ce este
determinat de gradul de rotire a lui E faţă de direcţia teoretică (luată drept
260
referinţă). Depolarizarea este evaluată în grade sau procentual în raport

cu 360°, cât reprezintă o rotaţie completă a vectorului E.
^
n
−
→ ^
Ee n
−
^
→ n
Ec → −
E
__ __ __
Fig. 7.4.6.1. Polarizare: eliptică ( E e ), circulară ( E c ) şi lineară ( E )
7.4.7. Aria efectivă şi câştigul

Aria efectivă este de fapt suprafaţa de eficienţă a unei antene
folosite la recepţie sau, este definită ca apertura maximă echivalentă a
unei antene. Energia electromagnetică este preluată practic de pe această
suprafaţă, iar o parte este convertită în putere electrică. Din punct de
vedere matematic, aria efectivă se calculează cu:
PR = ρRAeR (7.4.7.1),
unde PR – puterea electrică furnizată de antenă la bornele sale,
ρR – densitatea de putere din vecinătatea antenei.
Aria de eficienţă trebuie să fie corelată cu directivitatea antenei D,
fiind în strânsă dependenţă cu aceasta. Astfel, o antenă directivă are un
câştig mare, deci va trebui să aibă şi o arie efectivă (de eficienţă) mai
mare. Este evident că aria efectivă va trebui coroborată cu directivitatea
261
antenei; acest lucru se poate face, folosind noţiunea de arie efectivă

pentru antena de recepţie, aşa cum s-a definit la început, iar antena de
emisie să fie caracterizată de directivitatea sa. Sugestiv în acest sens este
desenul din figura 7.4.7.1, unde DT şi DR sunt directivităţile antenelor de
emisie respectiv de recepţie, iar AeT şi AeR sunt arile efective asociate
acestora.
DT , AeT D R , AeR
Emiţător Receptor
Fig. 7.4.7.1. Bugetul de putere la recepţie

Densitatea relativă la receptor ρ0 este în relaţie cu directivitatea
antenei de emisie, astfel că vom avea:
PD
ρ R = ρ0 DT = T T2 (7.4.7.2),
4πR
şi ţinând cont de ecuaţia (7.4.7.1), vom putea scrie că:
P
DT AeR = R 4πR 2
PT
( ) (7.4.7.3),
dar ţinânt cont şi de reciprocitatea antenelor se poate scrie egalitatea:

DT D
= R (7.4.7.4),
AeT AeR
P
( )
din care rezultă că: DR AeT = R 4πR 2 . Dacă se consideră că antena de
PT
emisie este izotropă atunci DT = 1 şi se va deduce din ecuaţia (7.4.7.4) că:
A
AeT _ isotrop = eR (7.4.7.5),
DR
ceea ce semnifică faptul că aria efectivă a unui radiator izotrop (a unei
antene izotrope) este egală cu raportul dintre aria efectivă şi directivitatea
oricărei antene. Din ecuaţia (7.4.7.3) se poate observa că raportul PR /PT
poate fi interpretat sub forma unei atenuări în spaţiu liber, din ecuaţia
(7.4.7.3), rezultând:
262
PR DR AeR
as = = (7.4.7.6).
PT 4πR 2
3
Pentru un dipol, directivitatea este: D = , iar aria efectivă
2
3 2
maximă este Aem _ dipol = λ , apoi, din ecuaţia (7.4.7.5), rezultă că:
8π
A λ2
AeT _ izotrop = em _ dipol = ,
DR 4π
de unde, pentru orice antenă, putem scrie directivitatea sub forma
generalizată (valabilă atât pentru emisie cât şi pentru recepţie):
4π Aem
D= (7.4.7.7).
λ2
Câştigul antenei este definit ca, produsul dintre directivitatea sa şi
eficienţa de radiaţie, în cazul în care se raportează la o antenă etalon
izotropă, adică:
P 4π 4π
G = Dηrad = D T = 2 ( ηrad Aem ) = 2 Ae (7.4.7.8),
PRF λ λ
unde PRF – puterea de radio frecvenţă injectată în antenă ;
PT – puterea radiată de aceasta.
Egalitatea Ae = η rad Aem se interpretează prin faptul că aria efectivă
maximă este, de fapt, aria fizică a aperturii antenei, iar aria efectivă, adi-
că suprafaţa de eficienţă, va fi întotdeauna mai mică (deoarece ηrad < 1).
Se poate deduce astfel că, în general, câştigul antenei creşte prin mărirea
suprafeţei ei de eficienţă (ceea ce implică creşterea dimensiunii antenei)
sau prin creşterea frecvenţei (echivalentă cu scăderea lungimii de undă).
Eficienţa de radiaţie ηrad are o valoare subunitară deoarece antena are o
rezistenţă de radiaţie pe care apar pierderi, şi datorită dezadaptării,
puterea radiată este mai mică decât puterea PRF, injectată în antenă.
Orice antenă are o arie de eficienţă chiar dacă nu are o arie fizică
(de exemplu antena punctiformă sau antena dipol); această suprafaţă de
eficienţă nu ar trebui suprapusă peste aria altei antene, scăzându-i
câştigul în acest mod.
263
7.5. Antena microstrip de tip „patch”
Este una dintre cele mai folosite antene pentru microunde, mai ales
la echipamentele radio mobile (telefoane mobile, receptoare GPS), dar şi
în cazul interfeţelor radio ce echipează plăcile WLAN pe calculatoare
portabile (laptop-uri). În acest paragraf se va încerca o descriere cât mai
pragmatică a antenelor „patch”, astfel încât cititorul să poată utiliza
informaţia asimilată în scopul proiectării efective a acestora. Teoria ce stă
la baza acestor antene se extinde pe câteva mii de pagini, putând fi tratată
(în exclusivitate) într-o carte consistentă ca volum informaţional.
Avantajele antenei „patch” sunt: eficienţa şi dimensiunea redusă
(putându-se integra direct pe cablajul imprimat de unde denumirea de
printed antennas). Astfel se conformează perfect tehnologiei planare,
nemaifiind necesară separarea antenei de interfaţa radio la care se
conectează direct. Vechile telefoane mobile utilizau antene în sfert de
undă, care erau inestetice şi chiar periculoase uneori, din cauză că erau
plasate în exteriorul telefoanelor mobile. Graţie noii tehnologii microstrip
şi odată cu creşterea frecvenţelor utilizate în reţelele de telefonie mobilă,
această antenă a câştigat tot mai mult teren şi s-a adoptat pe scară largă.
În figura 7.5.1 este desenată antena microstrip de tip “patch”.
L
W
W
εr h
a. b.
Fig. 7.5.1. Antena microstrip de tip „patch”: a. – vedere în secţiune,
b – vedere de sus, planul radiant
Se poate vedea că antena „împrumută” câteva notaţii specifice
liniilor microstrip cu care, de fapt se înrudeşte (vezi capitolul 2).
Sunt două modele care stau la baza calculului acestei antene şi
anume: modelul liniilor de transmisie şi modelul cavităţii rezonante. Cel
mai utilizat este primul, în care se consideră că antena este de fapt o linie
microstrip terminată în gol. Acest model utilizează pentru calculul
antenei ecuaţii ce sunt specifice liniilor de transmisie, simplificând mult
264
abordarea matematică şi oferă rezoluţii acceptabile. Al doilea model

presupune că antena este o cavitate rezonantă cu pereţi magnetici. Cum
în această carte nu s-au tratat modelele cavităţilor rezonante, ne vom
rezuma la modelul liniilor de transmisie pe care l-am studiat în primele
două capitole.
7.5.1. Dimensionarea antenei
În figura 7.5.1.1.b, se vede practic că este luată în considerare o
linie echivalentă, echilibrată la capete de două admitanţe echivalente,
modelul cu admitanţe fiind cel preferat din cauza uşurinţei cu care se
lucrează (vezi capitolul 1). În figura 7.5.1.1.a, se observă curbarea
câmpului electric la capetele antenei, fenomen care, exact ca în teoria
liniilor microstrip, implică unele calcule de corecţie, ca şi când linia ar fi
mai lungă cu 2ΔL.
plan de radiaţie
_
εr E
plan de masă
a
Y0
G+jB G+jB
Yin
b
Fig. 7.5.1.1. Modelul liniei de transmisie aplicat antenei „patch”:
a – în secţiune, b – cu admitanţele de capăt
La mijlocul antenei câmpul electric este zero, iar la capete are
valoare maximă. Impedanţa caracteristică liniei este:
120π h
Z0 = (7.5.1.1),
W ε eff
unde εeff este permitivitatea efectivă care apare datorită deformării
câmpului la capete (vezi teoria liniilor microstrip – capitolul 2), adică:
265
−1 2
ε r + 1 ε r − 1 ⎛ 12h ⎞
εeff = + 1+ (7.5.1.2),
2 2 ⎜⎝ W ⎟⎠
având o valoare ceva mai mică decât εr. Conductanţele de la capete se
calculează cu formulele:
W2
G= pentru W < λ0 (7.5.1.3),
90λ 02
W2
sau G= pentru W > λ0 (7.5.1.4).
120λ 02
Cazul W = λ0 este evitat din cauza discontinuităţii funcţiei
conductanţă în acest punct. Este destul de evident că λ0 este lungimea de
undă în vid, iar susceptanţa la capete se va putea calcula cu:
β0 ΔL εeff
B= (7.5.1.5),
Z0
unde β0 este aşa cum ne-am obişnuit cu notaţia, constanta de fază în vid.
Datorită curbării la capete a câmpului electric, antena apare ca şi cum ar
fi puţin mai lungă, lucru de care trebuie să ţinem cont (vezi 2.1.6.), iar
corecţia va fi determinată cu:
⎛ εeff + 0,3 ⎞ (W h ) + 0, 264
ΔL = 0, 412h ⎜
⎜ εeff − 0 , 258 ⎟⎟ (W h ) + 0 ,8
(7.5.1.6).
⎝ ⎠
Admitanţa de intrare la rezonanţă ţine cont de faptul că partea
imaginară a admitanţei (susceptanţa – vezi figura 7.5.1.1.b) se anulează,
deci vom scrie că: Yin = 2G, iar lungimea corectată a antenei va fi, la
rezonanţă:
λg λ0
L + 2ΔL = = (7.5.1.7),
2 2 εeff
din care se poate deduce frecvenţa de rezonanţă a antenei, adică:
c
fr = (7.5.1.8).
2 ε eff (L + ΔL )
Antena are o lungime egală cu jumătate din lungimea de undă din
antenă (adică jumătate din λg), aceasta fiind ceva mai mică decât
lungimea de undă din vid [Pal97]. Lăţimea antenei se poate calcula
folosind ecuaţia (7.5.1.9):
266
−1 / 2
c ⎛ ε r +1⎞
W= ⎜ ⎟ (7.5.1.9).
2 fr ⎝ 2 ⎠
Exemplul 7.5.1.1. Se va proiecta o antenă microstrip de tip „patch”,
ce va lucra la frecvenţa de 1,6 GHz, pe un substrat dielectric FR4 cu per-
mitivitatea electrică relativă εr = 4,4 având grosimea de h = 1,524 mm.
Linia de alimentare a antenei are o impedanţă caracteristică de 50 Ω. Să
se facă adaptarea de impedanţă.
Rezolvare:
c
λ0 = = 18,69 cm, iar din ecuaţia (7.5.1.9) rezultă:
fr
−1 / 2
λ ⎛ ε +1⎞
W= 0⎜ r ⎟ = 5,7 cm.
2 ⎝ 2 ⎠
Din ecuaţia (7.5.1.2), avem:
−1 2
ε + 1 ε r − 1 ⎛ 12h ⎞
εeff = r + 1 + = 4, 2 ;
2 2 ⎜⎝ W ⎟⎠
aplicând corecţia de lungime, calculăm ΔL cu ecuaţia (7.5.1.6), astfel:
⎛ ε + 0 ,3 ⎞ (W h ) + 0, 264
ΔL = 0 , 412h ⎜ eff = 0,7 mm.
⎜ εeff − 0, 258 ⎟⎟ (W h ) + 0,8
⎝ ⎠
Lungimea L a antenei nu va fi afectată foarte mult de această corec-
λ
ţie (7.5.1.7) L = 0 − 2ΔL = 4, 43 cm. Impedanţa de intrare la rezo-
2 εr
45λ 02
nanţă are o valoare reală astfel încât: Rin = = 486 Ω (se va reveni).
W2
Rezistenţa de intrare este diferită de impedanţa caracteristică liniei de
transmisie, deci va fi nevoie de o adaptare. Prima metodă de adaptare
este cu o linie în sfert de undă după cum se vede în figura 7.5.1.3 (Lg).
Impedanţa caracteristică a liniei în sfert de undă este (vezi 3.5):
Z 0T = Rin 50 = 156 Ω.
267
W1
W2 W
Lq
Fig. 7.5.1.3. Metoda de adaptare cu linie în sfert de undă

Utilizând programul AppCAD de la Agilent se poate calcula lăţimea
W1 necesară liniei în sfert de undă care va avea impedanţa caracteristică
de 156 Ω. La o asemenea impedanţă, pentru substratul FR4, este nevoie
de o linie cu lăţimea de numai 0,06 mm. Această linie nu se poate
produce, practic neexistând încă o tehnologie accesibilă (fiind prea
subţire pentru FR4), metoda de adaptare cu linie în sfert de undă
neputându-se aplica în cazul prezentat.
Se va opta pentru metoda de adaptare cu tronsoane de linie (linii
Stub), descrisă în paragraful 3.2. Considerând că lungimea de undă pe
λ
linia microstrip este de: λ g = 0 = 9,14 cm, rezultă linia de adaptare
εr
din figura 7.5.1.4.
d=20
d=20 mm mm
W = 57
D=4,2
W=3 mm
mm
50Ω
L=50 mm
Fig. 7.5.1.4. Metoda de adaptare cu tronsoane de linie la antena Patch
268
7.5.2. Impedanţa de intrare a antenei „patch”

Impedanţa de intrare a antenei are valoare reală la rezonanţă, iar
după cum s-a putut vedea în paragraful 7.4.5, depinde de conductanţa la
capetele antenei. De cele mai multe ori problema care apare este că,
impedanţa de intrare a antenei este diferită de a liniei de transmisie, caz
în care trebuie făcută adaptarea. Această problemă, aşa cum s-a văzut în
exemplul 7.5.1.1, se poate rezolva printr-o adaptare cu tronsoane de linie
(linii Stub), adaptare care, tehnic vorbind, este uneori greu de
implementat, din cauza dimensiunilor mici ale cablajului imprimat. Acest
paragraf va oferi câteva soluţii diferite de cele clasice studiate până
acum, pornind de la observaţia că lăţimea W a antenei are impact asupra
impedanţei de intrare. Oportună este deci ideea de a găsi o lăţime W
pentru care impedanţa de intrare să fie de 50 Ω (adică egală cu impedanţa
caracteristică a liniei). Dacă se poate găsi această lăţime W, atunci nu va
mai fi nevoie de un adaptor de impedanţă. Admitanţa de intrare se
regăseşte sub forma:
W2
Yin = 2G = ,
45λ02
45λ 02
de unde rezultă că impedanţa de intrare este Z in = Rin = = 50 Ω. De
W2
aici, pentru o lăţime (la frecvenţa de rezonanţă) de W ≈ (0,95...1,2)λ0 –
vezi ecuaţiile (7.5.1.3) şi (7.5.1.4), se va obţine impedanţa dorită la
intrare. Metoda poate fi generalizată şi pentru alte valori ale impedanţei
de intrare, dar poate fi scrisă şi în funcţie de lungimea de undă din antenă
cu o precizie mărită, şi anume:
( )
W = hλ g ⎡⎣ln λ g / h − 1⎤⎦ (7.5.2.1).
În mod surprinzător, la o antenă microstrip, în ciuda aperturii
relativ reduse, eficienţa de radiaţie este foarte mare (tinde la 1). Este
evident (vezi secţiunea 7.4.7) că, dacă W creşte, va creşte şi câştigul, prin
creşterea ariei efective, dar suprafaţa antenei patch nu poate fi mărită
oricum, tot din considerente tehnologice. Se pune întrebarea: este
posibilă adaptarea „fără adaptor” păstrând W constant? Răspunsul este
afirmativ, având în vedere faptul că, impedanţa variază de-a lungul
antenei după o lege cosinusoidală. În acest caz, se poate opta pentru o
metodă de alimentare, cunoscută în literatură sub denumirea de „inset
269
feed”. Este vorba de o alimentare în adâncime (în profunzime), punctul

de alimentare este ales folosind ecuaţia:
⎛π z ⎞
Rin _ inset = Rin cos 2 ⎜ ⎟ (7.5.2.2),
⎝ L ⎠
unde z este adâncimea de pătrundere în interiorul elementului radiant.
b
Fig. 7.5.2.1. a – Interfaţa de calcul ce evidenţiază variaţia
rezistenţei de intrare cu adâncimea z; b – modul de alimentare
„inset feed” a antenei patch (desenată în Ansoft designer)
270
Ecuaţia (7.5.2.2) ne arată că rezistenţa de intrare variază după o

lege cosinusoidală, de-a lungul antenei, adâncimea de pătrundere z
putând lua valori între zero şi L. În figura 7.5.2.1, este prezentată grafic
această dependenţă pentru exemplul prezentat anterior. Se poate observa
că pe abscisă este adâncimea de pătrundere z, iar pe ordonată se
reprezintă valoarea rezistenţei de-a lungul antenei, toate celelalte valori
rezultând din ecuaţiile date în paragraful precedent şi verificate de
L ⎛ R ⎞
calcule. Din ecuaţia (7.5.2.2) putem deduce că: z = cos −1 ⎜ in _ inset ⎟ ,
π ⎜ Rin ⎟⎠
⎝
observându-se că la mijlocul antenei (z = 2,5 cm), impedanţa este egală cu
zero. Deci, se poate găsi un anume punct pentru care aceasta să fie egală
cu impedanţa caracteristică liniei (z = 2 cm), fiind evident că nici în acest
caz nu este nevoie de un circuit separat de adaptare. Câştigul acestui
procedeu se rezumă doar la minimizarea pierderilor şi indirect la
controlul asupra benzii de frecvenţă.
În figura 7.5.2.2, se practică un alt mod de adaptare (asimetrică) în
care caz, axa de simetrie a liniei (feed line), nu coincide cu axa de
simetrie a antenei. Această tehnică se bazează pe observaţia că, impe-
danţa de intrare nu se modifică numai în adâncime ci şi de-a latul antenei.
W
d
feed line
Zin
Fig. 7.5.2.2. Alimentarea asimetrică a antenei “patch”
271
Dacă distanţa faţă de muchia cea mai apropiată este d, atunci

admitanţa de intrare are următoarea expresie:
−1
⎡ ⎛ εeff ⎞ G2 + B2 ⎛ εeff ⎞⎤
⎢
Yin = 2G cos ⎜ 2π
2
d⎟ + sin 2
⎜ 4 π d ⎟⎥ ,
⎢⎣ ⎜ λ ⎟ Y 2
⎜ λ ⎟⎥
⎝ 0 ⎠ 0 ⎝ 0 ⎠⎦
unde G – conductanţa de la capetele antenei – vezi figura 7.5.1.1.b;
B –susceptanţa de la capetele antenei – vezi figura 7.5.1.1.b;
Y0 – admitanţa caracteristică – vezi ecuaţia (7.5.1.1).
Parametrul G a fost descris în ecuaţiile (7.5.1.3) şi (7.5.1.4), iar B
are următoarea expresie pentru o antenă patch:
2π ε eff
B= ΔL .
λg Z0
y
x
Fig. 7.5.2.3. Interfaţa „Ansoft” de calcul a punctului de alimentare –

Ansoft Designer este proprietatea Ansoft Coorporation
272
În lungul antenei (în adâncime), ecuaţia (7.5.2.2) este valabilă, dar

1
Rin va fi înlocuit cu: Z in = . O combinaţie între ultimele două metode
Yin
este posibilă, caz în care, antena va fi alimentată într-un punct oarecare
de coordonate (x, y) ce poate asigura impedanţa de intrare dorită. În
figura 7.5.2.3 este prezentată interfaţa programului de proiectare asistată
a antenei „patch”, pe un suport dielectric FR4, exemplificat anterior.
După cum se vede din figură s-au păstrat valorile din exemplul
7.5.1.1. Calculele referitoare la dimensiunile antenei se verifică, iar pe baza
metodelor descrise anterior se indică punctul (x = 28,5 mm şi y = 16,16 mm)
ca punct de alimentare, în care este asigurată o impedanţă de intrare egală
cu cea caracteristică liniei (de 50 Ω). Alimentarea se poate face cu aju-
torul unei linii coaxiale ce se pretează foarte bine din punct de vedere
tehnologic, fiind asemănătoare cu geometria unei treceri de pe un strat pe
altul (vias), ce se foloseşte în tehnologia circuitelor imprimate (vezi
figura 7.5.2.3.a – vias cu trecere metalizată coaxială şi figura 7.5.2.3.b –
cu fantă între două substraturi dielectrice).
linie transmisie
antena „patch” antena „patch”
trecere coaxială
două substraturi
dielectrice cu fantă
a b
Fig. 7.5.2.3. Moduri de alimentare a antenei:
a – trecere coaxială, b – de tip EM
7.5.3. Caracteristica de radiaţie a antenei „patch”
Caracteristic antenei „patch” este modul în care aceasta radiază
eficient, în ciuda dimensiunii reduse a profilului său. Cauza principală
pentru care apare fenomenul de radiaţie, este datorată formei câmpului
electric dintre muchiile antenei şi planul de masă. Lewis arată [Bal97] că
factorul de calitate Q a cavităţii rezonante echivalente a antenei fiind
273
formată din doi pereţi în scurt şi patru în gol, au caracteristici electrice

care depind de: constanta dielectrică relativă (εr), grosimea stratului
dielectric (h) şi de dimensiunea stratului radiant al antenei. Rezultatul
obţinut de Lewis relevă faptul că, pentru frecvenţe mai mari de 900 MHz,
pierderile de radiaţie, spre deosebire de pierderile în conductor şi în
substratul dielectric, sunt foarte mari, ceea ce determină disiparea
energiei sub formă de undă electromagnetică.
λ
~
2
alimentare
εr
_
E h
b
Fig. 7.5.3.1. Câmpul electric de-a lungul antenei în substratul dielectric:
a – alimentare clasică cu linie microstrip; b – alimentare cu linie coaxială
274
În figura 7.5.3.1.a se evidenţiază faptul că forma câmpului în

substratul dielectric diferă de forma avută iniţial pe linia microstrip
(compară cu figura 2.1.2). Se poate observa că la mijlocul liniei apare un
„gol”, care se explică prin faptul că, intensitatea câmpului electric la
mijlocul substratului dielectric este zero. Totul se întâmplă ca şi cum
câmpul ar dispărea, fiind practic radiat pe partea de sus spre o direcţie
care iese din planul de masă înspre stratul radiant.
Câmpul electric este curbat atât de mult la mijlocul antenei (din
cauza restricţiilor impuse de pereţii electrici menţionaţi mai sus) înspre
exterior, încât „scapă” şi radiază pur şi simplu în spaţiu liber. În figura
7.5.3.1.b, se vede cel mai bine acest lucru (vezi rezultatul grafic obţinut
în HFSS, unde se vede cum se curbează câmpul electric în partea de sus a
antenei) la două muchii opuse. Din punct de vedere al caracteristicii de
radiaţie, performanţele antenei nu sunt deosebite, fiind practic o antenă
ce împrăştie puterea radiată. În figura 7.5.3.2, se relevă forma
tridimensională a caracteristicii de directivitate, utilizând o scară
logaritmică. Aici culoarea reprezintă intensitatea undei, iar aceasta
înmulţită cu eficienţa antenei (care tinde la 1), reprezintă câştigul antenei
pe direcţia respectivă.
Fig. 7.5.3.2. Caracteristica de directivitate a antenei „patch” – simulare în

HFSS a frecvenţa de rezonanţă de 2,5 GHz pe un substrat DUROID 5880
275
7.5.4. Eficienţa antenei „patch” şi unghiul

de deschidere (radiaţie)
Având de-a face până la urmă cu un circuit rezonant se poate vorbi
de o energie stocată, energie care este invers proporţională cu h. Se poate
aminti astfel de un factor de calitate similar cu cel definit la circuitele
rezonante. Spre deosebire de un circuit clasic, pierderile în antenă sunt
foarte mari ca urmare a radiaţiei sale. Factorul de calitate se poate calcula cu:
2π f r W
Q= (7.5.4.1),
h(Prad + Pd + Pc + Psw )
unde: fr – frecvenţa de rezonanţă (antena „patch” poate fi imaginată
ca o cavitate rezonantă, dar modelul acesta nu a fost prezentat);
Pr – pierderi prin radiaţie (utile);
Pd – pierderile în dielectric (nedorite);
Pc – pierderile în conductor;
Psw – pierderile superficiale la suprafaţa conductorului (vezi capi-
tolul 1 – se poate neglija).
Randamentul sau eficienţa antenei se poate defini ca raportul dintre
puterea utilă (Pr – puterea radiată) şi puterile pierdute (nedorite) şi are
expresia:
Prad
η[%] = 100% (7.5.4.2).
Pd + Pc + Prad
În mod obişnuit eficienţa antenei este între 80% şi 90%, exprimată
procentual sau între 0,8 şi 0,9. Valorile tipice pentru factorul de calitate
sunt undeva între 20 şi 200, iar banda antenei se poate aproxima cu
relaţia:
100(S − 1)
BW = (7.5.4.3),
Q S
unde S = VSWR.
70, 71
La un VSWR = 2, avem BW = .
Q
Unghiul de radiaţie al antenei este definit în paragraful 7.4.4 şi
reprezintă deschiderea unghiulară între direcţiile pentru care câştigul
descreşte cu 3 dB sau, valoarea caracteristicii de radiaţie reprezentată pe
o scară lineară, se reduce la jumătate. Acest unghi poate fi calculat în
planul corespunzător amplasării lui E sau H cu relaţiile:
276
1
θ H = 2cos −1 (7.5.4.4),
(1 + β0W )
7 , 03
θ E = cos −1 (7.5.4.5),
3β L + β02 h 2
2 2
0
unde β0 este constanta de propagare în vid, L este lungimea şi W lăţimea

antenei (vezi figura 7.5.2.1.a). Din cele două ecuaţii se observă că,
practic, cu cât dimensiunile antenei scad, cu atât unghiul de deschidere se
îngustează, antena devenind din ce în ce mai directivă. De asemenea, se
poate concluziona faptul că, lobii de radiaţie din planul orizontal şi
vertical nu sunt identici. Unghiul θE poate fi controlat prin modificarea
grosimii h a substratului dielectric, lucru folosit în practică.
Exemplul 7.5.4.1. Se va proiecta o antenă „patch” pe frecvenţa de
1,691 GHz ce va lucra într-o bandă îngustă (Q = 50, S = VSWR = 1,1), pe
un substrat dielectric RT DUROID 5880 cu o permitivitate electrică
relativă de εr = 2,2 şi cu o grosime de 3,185 mm. Antena va fi conectată
la o linie cu impedanţa de 50 Ω.
Rezolvare:
Se va calcula lungimea de undă în vid şi în antenă:
1 1
λ0 = = = 17 , 683 cm,
f r ε 0μ 0 1, 691×10 8,9 × 10−12 4π× 10−7
9
λ
iar în antenă: λ g = 0 = 12,9146 cm. Lăţimea recomandată pentru o
εr
λ0 2
eficienţă cât mai mare, se va calcula astfel: W = = 6 ,9898 cm.
2 fr εr + 1
Se observă că ne încadrăm în cazul în care λ0 ≥ W, deci conductanţa de la
2
1 ⎛W ⎞
capetele antenei se va calcula cu relaţia: G = ⎜ ⎟ = 1, 719 mS , de
90 ⎝ λ 0 ⎠
1
unde rezultă că rezistenţa de intrare în antenă va fi: Ra = Rin == 288 Ω.
2G
Cum avem de-a face cu o linie de transmisie de 50 Ω, se va realiza
adaptarea căutând un punct în adâncime la distanţa z faţă de intrare, unde
impedanţa antenei va fi egală cu impedanţa caracteristică a liniei de
transmisie. Se va aplica ecuaţia 7.5.2.2 şi vom obţine:
277
⎛π z⎞
Rin _ inset = 288cos 2 ⎜ ⎟ = 50 Ω,
⎝ L ⎠
din care se va deduce că z = 2,2 cm. Figura 7.5.4.1.a prezintă modul de
alimentare a antenei „în adâncime”, iar figura 7.5.4.1.b reprezintă
interfaţa programului TestPoint cu care s-au verificat rezultatele.
W = 6,99
z = 2,2
L = 6.11
b
Fig. 7.5.4.1. a – alimentarea şi dimensiunile fizice ale antenei
(toate valorile sunt în cm); b – Verificarea rezultatelor în TestPoint
(Rsetin – este rezistenţa în adâncime corespunzătoare unui punct
aflat la distanţa z = 2,2 cm de marginea antenei)
278
Aceeaşi figură arată modul în care variază rezistenţa de-a lungul

antenei după o lege cosinusoidală, aşa cum s-a demonstrat. Banda de
100 ( S − 1)
frecvenţă se va calcula cu: BW = fiind egală cu 3,382 MHz,
Q S
adică 0,002% din frecvenţa purtătoare.
7.5.5. Antena „half patch”
Din figura 7.5.4.1.b, rezultă faptul că impedanţa la mijlocul antenei
este zero. Totul se întâmplă ca şi cum am avea un scurt ce acţionează la
mijlocul antenei. În acel punct tensiunea va fi desigur egală cu zero, iar
curentul va fi maxim. Această observaţie ar putea fi utilă dacă am dori
micşorarea dimensiunii antenei la jumătate. Faptul că apare o simetrie
electrică faţă de dreapta imaginară ce „taie” în două antena, ne permite să
forţăm acest scurt cu o trecere care, practic, va scurtcircuita mijlocul
antenei, fără a perturba unda ce trece prin aceasta, lucru ce va conduce la
înjumătăţirea lungimii L a antenei. Din figura 7.5.5.1, se poate înţelege
modul în care se taie antena şi se scurtcircuitează în punctul A, planul de
masă şi planul radiant.
λ ΔL
L= − 2ΔL Zona haşurată
2 se elimină şi
antena se
alimentare A înjumătăţeşte
εr
_
λ E h
− ΔL
4
masa electrică
Fig. 7.5.5.1. Obţinerea antenei „patch” în sfert de undă
Lungimea antenei se va reduce la jumătate şi va fi în final egală cu:
λ0
Lλ 4 = − ΔL – vezi ecuaţiile (7.5.1.6) şi (7.5.1.7).
4 εeff
279
Fig. 7.5.5.2. Antena „patch“ în sfert de undă proiectată în HFSS

În figura 7.5.5.2 este prezentată antena “patch” în sfert de undă
proiectată în HFSS. Alimentarea antenei este realizată prin intermediul
unei linii coaxiale de 75 Ω într-un punct determinat cu ajutorul ecuaţiei
(7.5.2.2). Se realizează astfel adaptarea de impedanţă fără un adaptor
suplimentar. În partea stângă a liniei coaxiale (vezi figura 7.5.2.2), se
introduce o panglică metalică ce scurt-circuitează elementul activ al
antenei (planul de sus – vezi figura 7.5.5.2) cu planul de masa aflat în
partea de jos sub dielectric. Astfel, lungimea antenei se înjumătăţeşte aşa
cum s-a arătat în figura 7.5.5.1.
Materialul din care este confecţionat dielectricul are permitivitatea

electrică relativă de 2,2 (Rogers AT/duroid 5580) putându-se alege din
mai multe tipuri de materiale, cel dorit. Antena a fost proiectată după
metoda descrisă în paragraful 7.5.1 aplicânduse modelul liniei de
280
transmisie, pe frecvenţa de 2,32 GHz, aşa cum se observă din figura

7.5.5.3. Grosimea substratului dielectric este de 0,32 cm, lăţimea antenei
de 3 cm, iar lungimea este aşa cum am mai spus, jumătate din cea
rezultată din calcule, adică de numai 1,98 cm. Banda antenei este de BW
= (2,34 – 2,29) GHz = 40 MHz (vezi figura 7.5.5.3).
Fig. 7.5.5.3. RL în funcţie de frecvenţă pentru antena în sfert de undă

Pierderile de întoarcere sunt mici la frecvenţa de lucru, adică de –
23,87 dB, ceva mai bune decât cele obţinute la o antenă “patch” normală.
Acest fenomen se explică datorită micşorării pierderilor cu descreşterea
lungimii antenei. Partea reală a impedanţei de intrare (în punctul de
alimentare) este de 75 Ω, adică egală cu impedanţa caracteristică liniei de
transmisie, dar numai la frecvenţa de 2,32 GHz, în timp ce partea
imaginară se anulează. Înlocuirea panglicii metalice ce scurt-circuitează
antena la un capăt cu diode PIN, poate modifica dinamic lungimea
antenei prin comanda diodelor în starea ON sau OFF, putându-se astfel
controla frecvenţa de acord a antenei.
281
7.5.6. Antene „patch” cu polarizare circulară

Polarizarea circulară este impusă la antena rectangulară de tip
„patch” prin intermediul a două puncte de alimentare. Urmând această
idee, o antenă rectangulară „patch” are două intrări prin care se aplică
acelaşi semnal, dar cu un defazaj de 90°.
E
0
− 90
Δ 00
λ/4+Δ λ/4
IN
a
A
λ/4
100Ω
50Ω
100Ω > λ/4

70,7Ω 100Ω
E
B
b
Fig. 7.5.6.1. a – Metoda de alimentare încrucişată; b – metoda
de alimentare hibridă în cuadratură [Poz98]
282
Există două metode clasice de alimentare a antenei, şi anume:

metoda hibridă şi metoda încrucişată (figura 7.5.6.1). Ambele metode
sunt evidenţiate (figura 7.5.6.a şi b), fiind vizibil faptul că, în cazul
metodei hibride (figura 7.5.6.1.b) defazajul de 90 de grade este asigurat
de liniile în sfert de undă (cu impedanţa caracteristică de 70,7 Ω).
Ambele metode implică uşoare dezadaptări, ce determină pierderi de
circa 3 dB. În ambele cazuri, antenele sunt atacate din două puncte
diferite cu acelaşi semnal, dar între care există un defazaj de 90°. Se
creează astfel două unde ce parcurg antena pe direcţii perpendiculare,
întâlnindu-se la mijlocul antenei. Câmpul electric rezultant este suma
vectorială a celor două câmpuri corespunzătoare fiecărei unde în parte.
Cum ele sunt defazate cu 90°, nu vor fi egale, rezultând un vector de
modul constant (tocmai datorită defazajului de 90° dintre semnale), dar
faza variază de la 0° la 360°. Se obţine un fazor E (vector rotitor) ce
descrie un cerc, deci polarizarea rezultată este circulară. Avantajul
evidenţiat în figura 7.5.6.1.b este că, dacă se aplică semnalul pe tronsonul
de sus (IN), rotirea vectorului E este în sensul acelor ceasornicului (RHC
– right hybrid circularly polarized) sau invers (LHC – left hybrid
circularly polarized) dacă semnalul se aplică pe tronsonul de jos. Pentru
primul caz, în punctul A, faza este de 0°, iar în B este de –90°, pe când în
cel din urmă caz avem în A faza de –90°, iar în B de 0°. Un switch ce
comută intrarea va putea schimba sensul de rotire al versorului E
(intensitate câmp electric), putându-se realiza o separare între semnale,
după sensul de rotaţie a versorului E, lucru greu de realizat încă practic.
7.5.7. Reţele pentru alimentarea antenelor microstrip
Reţelele de alimentare a antenelor sunt poate chiar mai importante
decât antena propriu zisă. Această afirmaţie poate da naştere unor
dezbateri furtunoase, dar, din perspectiva antenelor inteligente ce vor fi
folosite în viitorul apropiat, afirmaţia devine credibilă, în contextul
utilizării ariilor FPGA pentru logica de comandă a switch-urilor de RF la
alimentarea antenei. Este deja un fapt acceptat că nu există o antenă ce se
poate adapta „singură”, condiţiilor variabile ale canalului sau la alţi
parametri imprevizibili legaţi de mobilitatea terminalelor radio. Ideea
este următoarea: dacă o singură antenă nu poate face faţă unor necesităţi
ale sistemului radio, nu este neapărat nevoie de „o antenă mai mare” ci
de un sistem de antene care îşi pun în comun” resursele. Prin cuvântul
„comun”, aici se va înţelege că antenele îşi pot combina caracteristicile
de directivitate, rezultând forme ce optimizează transmiterea sau recepţia
283
unui semnal. Câştigul poate fi şi el controlat, teoretic cel puţin, legarea în

paralel a două antene ar trebui să conducă la dublarea câştigului, lucru
care nu se întâmplă însă din cauza pierderilor din adaptorul de
impedanţă. Totuşi, se poate spune că prin legarea mai multor antene, se
pot controla mai mulţi parametri cum ar fi: directivitatea, câştigul, forma
lobilor de radiaţie, banda etc. Reţelele de alimentare fac acest lucru şi
oferă posibilitatea mai multor antene de a se adapta caracteristicilor
sistemului radio, făcându-se primul pas înspre adaptabilitate.
În figura 7.5.7.1 este ilustrat modul în care se pot alimenta patru
antene microstrip de tip „patch”, pentru a-şi combina caracteristicile de
radiaţie. Pornind chiar din punctul de conectare a antenei „patch” şi
făcând presupunerea că rezistenţa de intrare în antenă este de 200 Ω, prin
intermediul unei linii în sfert de undă, se poate reduce impedanţa de la
200 Ω la 100 Ω. Această transformare implică utilizarea unei linii în sfert
de undă cu impedanţa de: Z 0T 1 = Z I Z A = 141 Ω .
0,75 λ
ZI =200 Ω ZI =200 Ω I I
< Z0T 1=141 A T A
Z0T 2=100 Ω λ/4
Z0T 3=70,71 Ω
λ/4 B 50 Ω
Z0=50 Ω
Fig. 7.5.7.1. Reţea de alimentare şi adaptare a antenelor „patch”
Cele două tronsoane AT şi TA au impedanţe caracteristice de 100 Ω,
deci, privind spre A din T, se vede aceeaşi impedanţă de 100 Ω în ambele
sensuri (linia fiind adaptată). Cele două impedanţe de 100 Ω apar legate
în paralel, rezultând o impedanţă echivalentă în punctul T de 50 Ω
(datorită tronsonului în T). Tronsonul de linie ce conectează punctele T şi
B, transformă impedanţa de 50 Ω din punctul T, în 100 Ω în punctul B
(fiind un tronson în sfert de undă Z 0T 3 = ZT Z B = 70,71 Ω ). Din punctul
B spre ieşire, fenomenul se repetă, fiind două tronsoane de 100 Ω în
paralel prin intermediul unei linii în formă de T. Impedanţa echivalentă
fiind de 50 Ω, practic, impedanţa de intrare va fi egală cu a liniei adică de
284
50 Ω. În felul acesta se pot conecta, un număr de 2n antene, unde n este

un număr natural, formându-se o arie (reţea) de antene (antenna array).
Puterea furnizată de emiţător se va distribui în mod egal pe cele n antene
şi semnalele de RF furnizate antenelor vor fi în fază. Pentru a forma o
arie de antene pe o suprafaţă cât mai mică, va trebui ca distanţele dintre
liniile reţelei de adaptare să fie cât mai mici. Totuşi, fenomene
imprevizibile pot să apară, distanţele optime fiind stabilite funcţie de
frecvenţă şi materialul dielectric (distanţa minimă acceptată între antene
este de 0,75λ).
7.5.8. Reţele de alimentare (Franklin array)
Sunt printre cele mai sofisticate şi avansate reţele de alimentare
folosite în cazul ariilor de antene microstrip. Înţelegerea principiului de
funcţionare a reţelelor de alimentare (de tip) Franklin (array) implică
noţiuni de teoria liniilor de transmisie, noţiuni prezentate în capitolul 2.
Se folosesc proprietăţile remarcabile ale tronsoanelor în λ/4 lăsate în gol.
După cum se poate observa din figura 7.5.8.1, antenele microstrip au o
lungime de λ/2, iar la capete sunt cuplate prin intermediul unei linii în λ/2
îndoite. Acest lucru se datorează faptului că, la capetele antenei, curenţii
sunt în antifază (au sensuri opuse şi module egale), lucru ce face ca
acestea să nu poată fi conectate direct (curenţii s-ar anula reciproc), ci
prin intermediul unui tronson în λ/2, care îndoit, se comportă ca o linie în
sfert de undă (impedanţa la un capăt este infinită, iar la celălalt este zero).
Tronsonul în λ/4 are un dublu rol: sinfazează curenţii de la capetele
antenelor (curentul va parcurge un drum de λ/2 dus-întors schimbând
sensul şi ajunge în fază cu cel din antena următoare) şi scurtcircuitează
la capete antenele pentru a avea un curent maxim (tensiunea este zero, iar
curentul maxim).
W
λ/4
L = λ/2
Fig. 7.5.8.1. Reţea de alimentare Franklin

Datorită sensului opus al curenţilor de RF prin linia în sfert de undă
(linia în λ/4), câmpurile se anulează reciproc şi nu apar radiaţii
285
electromagnetice, pe când în antenele microstrip apar. Antenele sunt de

bandă îngustă, dar se pot obţine performanţe bune dacă avem arii cu
multe antene într-o reţea Franklin. Lăţimea unei antene “patch” într-o
reţea Franklin se va calcula cu relaţia:
45
W =λ (7.5.8.1),
Rin N
unde N este numărul antenelor pe o linie, iar Rin rezistenţa de intrare în
antenă, ţinând cont de faptul că acestea sunt practic identice.
7.5.9. Antene microstrip cuplate prin fante
(slot coupled antenas)
Aceste antene sunt alimentate prin intermediul unei fante, direct pe
partea inferioară sau superioară a aperturii antenei. Acest mod de
alimentare este necesar uneori pentru că, în anumite cazuri, linia de
alimentare nu poate ajunge la antenă. De cele mai multe ori, între linia de
alimentare şi antenă, se interpune un strat dielectric din sticlă, caz în care
antena poate fi alimentată printr-o fantă.
Fig. 7.5.9.1. Antena slot de tip patch (cuplată prin fantă)

Din dimensiunea fantei se poate mări sau micşora banda de trecere
a antenei prin controlul VSWR-ului. În figura 7.5.9.1 este prezentat modul
286
în care s-a realizat antena slot de tip patch în HFSS (High Frequency
Structure Simulator). Axa z arată direcţia de radiaţie, planul xoy fiind cel
corespunzător elementului radiant (de culoare mov). Sub planul radiant
se vede fanta (un dreptunghi dispus în lungul axei y), iar sub fantă se
vede linia microstrip de alimentare a antenei (dispusă în lungul axei x).
Sub linia de alimentare se află planul de masă (care este transparent
pentru a se putea vedea planele din spate). La un capăt a liniei microstrip
este definită o suprafaţă de excitaţie cu o impedanţă egală cu cea
caracteristică liniei de transmisie (a liniei microstrip Z0 = 50 Ω – fiind
vorba de capătul mai îndepărtat de antenă). Antena este proiectată pentru
frecvenţa de 2,3 GHz pe un suport dielectric Rogers RT/ Duroid 5880
având o permitivitate electrică relativă εr = 2,2.
În figura 7.5.9.2, se reprezintă variaţia cu frecvenţa a parametrului
S11 de la intrarea în antenă. Acesta coboară sub valoarea de 10 dB (pentru
care VSWR-ul este mai mic ca 2) în jurul frecvenţei de 2,3 GHz. Banda
antenei este determinată de linia punctată din figura 7.5.9.2.
RL [dB]
BW
Frecvenţa [GHz]
Fig. 7.5.9.2. Variaţia cu frecvenţa a parametrului RL de la intrarea antenei

Pentru a determina cu precizie banda antenei, s-a mărit caracteristica
prezentată în figura 7.5.9.2, obţinându-se caracteristica din figura 7.5.9.3.
Din aceasta reiese faptul că, banda antenei este de 18 MHz, adică mai
mare decât la o antenă cuplată direct la linie. Modificând dimensiunea
287
fantei putem controla atât banda, cât şi caracteristica de directivitate.

Astfel, se poate susţine că acest mod de alimentare este potrivit mai
degrabă sistemelor de comunicaţii de bandă largă, ce utilizează antene
microstrip de tip patch.
RL [dB]
BW = 18 MHz
Frecvenţa [GHz]
Fig. 7.5.9.3. Variaţia cu frecvenţa a parametrului S11 de la intrarea antenei

Banda antenei şi modul în care antena se adaptează la sarcină pot fi
analizate şi pe diagrama Smith. Figura 7.5.9.4 relevă acest lucru, fiind
reprezentată aici evoluţia lui S11 în funcţie de frecvenţă. Pe măsură ce
curba corespunzătoare lui S11 se apropie de originea diagramei, antena se
adaptează. Cel mai apropiat punct este corespunzător frecvenţei de 2,275
GHz, caz în care VSWR-ul este de 1,799. Acest lucru confirmă rezultatul
obţinut în fig.ura 7.5.9.3. Pe diagrama Smith se poate citi direct valoarea
VSWR-ului, pe când, în reprezentare carteziană doar indirect prin
intermediul lui S11. Oricum, în practică, ambele moduri de analiză a
antenei sunt folosite.
În figura 7.5.9.6, este reprezentată caracteristica de radiaţie a
antenei slot, în reprezentare polară, prin metoda wire-frame. Această
metodă de reprezentare este mai deosebită (şi este propusă de autor sub
forma unei alte perspective de vizualizare) faţă de cea clasică, prin faptul
că, reuşeşte printr-un proces de subeşantionare spaţială, să transforme
frontul undei din sferic în front plan pe porţiuni. Se evidenţiază mai bine
288
direcţiile de propagare, păstrându-se nealterată forma lobilor de radiaţie,

dar fără a aduce un plus de informaţie. Există trei lobi principali, doi pe
direcţia x şi unul pe z. Culoarea este şi în acest caz un mod de
reprezentare a intensităţii semnalului. Roşu este aici echivalent cu 7 dB,
pe când albastru cu –10 dB.
Fig. 7.5.9.4. Evoluţia lui S11 pe diagrama Smith

Reprezentarea wireframe este determinată de o metodă grafică de
reprezentare tridimensională, complexă. Pe scurt, reţeaua wireframe se
aseamănă cu o plasă de sârmă ce ia forma caracteristicii de directivitate a
antenei (a lobilor de radiaţie). Fiecare ochi al reţelei poate avea diferite
forme geometrice elementare (triunghi, hexagon, dreptunghi, trapez) ce
sunt determinate pe baza unor ecuaţii matematice complexe. Metoda de
calcul este iterativă, suprafeţele geometrice elementare micşorându-se
după fiecare iteraţie. Criteriul de convergenţă (bazat pe determinarea
energiei minime) este cel care determină în final, oprirea procesului
iterativ. Dezavantajul este că implică operaţii cu matrici de dimensiuni
mari, iar volumul computaţional creşte odată cu creşterea suprafeţei sau a
289
rezoluţiei. Metoda este utilizată în teoria elementelor finite FEM, utilizată

în HFSS şi în reprezentările grafice 3D.
Fig. 7.5.9.6. Caracteristica de directivitate în reprezentare

polară 3D, prin metoda wire-frame
7.5.10. Antene microstrip de tip pixel- patch
Aceste tipuri de antene fac parte din categoria antenelor hibride ce
utilizează şi alte elemente cum ar fi : diode, dispozitive MEMS (Micro
electromechanical systems) pe post de microîntrerupătoare de RF. Aceste
dispozitive conferă antenei noi caracteristici ce-i permit să-şi reajusteze
dinamic frecvenţa de acord sau să-şi modifice polarizarea. Primele sunt
diode PIN, iar ultimele sunt dispozitive electromecanice de dimensiuni
micro sau nano-metrice cu actuatori. Impactul nano-tehnologiilor asupra
antenelor va fi major în următorii ani, studiul acestor tehnologii fiind
considerat, la noi în ţară, de importanţă strategică. Ne vom ocupa deci de
aceste dispozitive MEMS (cunoscute şi sub denumirea de nano-boţi), ce
ne vor ajuta în înţelegerea noilor tehnologii ce vor fi folosite la
construirea antenelor în viitorul apropiat.
Forma actuatorului (vezi figura 7.5.10.1) îşi propune micşorarea
timpilor de comutare şi evitarea blocării dispozitivului de actuare (braţul
mobil). Atât forma cât şi dimensiunile fac referire la proprietăţile
mecanice ale MEMS-ului şi nu fac obiectul tematicii abordate aici. Ne
vom ocupa strict de aspectele electrice ce intervin în funcţionare,
proprietăţile mecanice fiind omise. Totuşi, forma actuatorului este
stabilită de simulăriile ce se efectuează prima dată în simulatoare precum
ANSYS după care, se pot analiza proprietăţile electrice ce rezultă
290
automat. Calitatea unui dispozitiv MEMS depinde în mare măsură de

materialele şi forma actuatorului, timpii de comutaţie şi numărul sigur de
anclanşări. În tabelul 7.5.10.1 se poate vedea un exemplu în care sunt
identificate dimensiunile tipice pentru un astfel de dispozitiv [Cri07].
Vid Actuator W
L
H1
H2
Siliciu εr = 11.9
W1 h
L1
Masa
electrică
Fig. 7.5.10.1. Simularea funcţionării unui dispozitiv MEMS în HFSS

Tabel 7.5.10.1.
εr F w/ w H1 H2 L Z0
[GHz] h [μm] [μm] [μm] [Ω]
11.8 5 0.71 20 145 1.3- 20- 50.22

0.5 50
Toţi parametrii prezentaţi în tabel fac referire la figura 7.5.10.1

unde pot fi identificaţi. Frecvenţa la care a fost realizată simularea este de
5 GHz, pe un substrat de siliciu. În tabelul 7.5.10.2 sunt prezentaţi trei
tipuri diferite de actuatori ce au fost simulaţi în HFSS, având capacităţi
parazite diferite în funcţie de suprafaţa elementului activ al actuatorului
LxW.
Tabel 7.5.10.2.
Tip actuator Capacitate Puterea Puterea

Dimensiune teoretică Vp critică de Vpk critică
[L x W] up-st/dwn-st anclanşare maximă
dwn-st up-st
[μm2] [fF] [V] [W] [V] [W]
20*20 32/83 70 2.1 12 120
30*25 60/156 70 1.6 12 120
50*25 87/261 70 0.9 12 120
Vp este tensiunea maximă ce poate fi aplicată pe cele două armături

ale actuatorului, iar Vpk este tensiunea maximă ce determină actuarea.
291
Tensiunea medie ce mişcă braţului mobil se va determina cu (calculată

pentru prima linie din tabelul 7.5.10.1) :
2V pk
V avg = = 7,63 V ,
π
iar puterea ce o determină este:
V eff2 V pk2 (πV ) 2
P= = = = 1,27 W .
avg
Z 2Z 8Z
Actuarea propriuzisă este realizată efectiv prin folosirea
proprietăţilor electrice ale substratului semiconductor (siliciu), ce
conduce în curent continuu (DC). Astfel, se va aplica un potenţial pozitiv
pe grila mobilă (cantilever), în timp ce planul de masă va determina
potenţialul negativ necesar, în aşa fel încât, diferenţa de potenţial dintre
cele două grile (fixă şi mobilă) să fie de 7,63 V. Desigur, tensiuni mai
mici sau mai mari pot fi obţinute prin modificarea dimensiunilor
dispozitivului MEMS.
Pentru minimizarea dispozitivului, pereţii de protecţie pot fi
calculaţi tinând cont de dimensiunile propriuzise ale MEMS-ului, în aşa
fel încât să nu fie afectaţi parametrii electrici [Cri07] (vezi figura
7.5.10.2).
5w = 100
Waveport
w = 20 4h = 112
h = 28
Fig. 7.5.10.2. Alegerea celei mai mici suprafeţe de ecranare

Secţiunea cutiei de ecranare ţine astfel cont de lăţimea w şi de
grosimea substratului h. Această suprafaţă denumită în figură Waveport
poate fi oricât de mare dar, de minim 5wx4h. Având în vedere faptul că
antena pixel-patch poate avea un număr foarte mare de astfel de
dispozitive MEMS, minimizarea structurii de mai sus poate fi deosebit de
utilă la proiectare.
292
În figura 7.5.10.3 se poate observa diferenţa dintre două stări

diferite, caz în care în figura 7.5.10.3.a armătura mobilă este depărtată de
cea fixă, iar în b ea se apropie datorită măririi tensiunii de comandă. În
momentul în care distanţa dintre armături (braţe) scade, S11 descreşte, iar
S21 creşte, exact ca în cazul unui comutator.
S11
S11
S21
S21
Frq. [GHz] Frq. [GHz]
a. b.
Fig. 7.5.10.3. Parametrii S11 şi S21 funcţie de frecvenţă a. Up-condition b. Down-
condition - simulare în HFSS
Această observaţie ne determină să concluzionăm că, un dispozitiv
MEMS poate fi utilizat ca un comutator de RF sau poate înlocui un
varactor. Izolarea foarte bună în starea deconectat (Up) şi rezistenţa mică
în starea cuplat (Down), chiar şi la frecvenţe mari de până la 40 GHz, fac
din acest dispozitiv un serios candidat ce poate înlocui, în unele cazuri
când numărul de comutări este mic şi când timpii de comutare nu sunt
critici, diodele PIN. În figura 7.5.10.4 se prezintă structura de bază a unei
antene pixel-patch dreptunghiulară, cu N x M elemente.
W = Mdl
l = L + 2Δl = Ndl
Fig. 7.5.10.4. Antena pixel-patch dreptunghilară
293
Un element are formă pătrată şi dimensiunea dlxdl ; datorită

curbării câmpurilor la capete, antena pare mai lungă cu 2Δl (vezi ecuaţia
(7.5.1.7)). Între elementele antenei sunt plasate dispozitivele MEMS ce
pot realiza legătura dintre ele sau legătura la masă. Pentru o mai bună
înţelegere în figura 7.5.10.5 s-a mărit structura şi au fost micşorate destul
de mult numărul de elemente.
Z in _ 0
y
x
Fig. 7.5.10.5. Antenă pixel-patch cu 6x5 elemente

Cu negru apar vizibile dispozitivele MEMS ce interconectează
elementele antenei, iar cu alb atunci când fac legătura cu masa. Se vede
cum practic ultima coloană este conectată la masă, antena devenind astfel
puţin mai scurtă. Fără a lua în calcul neomogenităţiile elementului activ
se poate arăta [Cri08] că, frecvenţa de rezonanţă a antenei pixel-patch
poate fi ajustată prin intermediul unui index i, astfel :
N
f i0 = f0 (7.5.10.1),
N −i
unde i reprezintă numărul de coloane consecutive conectate la masă (vezi
_________
figura 7.5.10.5 unde i = 1 şi N = 6 şi i = 0, N − 1 ). Frecvenţa f 0
reprezintă frecvenţa de rezonanţă a antenei pentru cazul în care toate
elementele sunt active ( i = 0). Pasul cu care se poate ajusta frecvenţa de
rezonanţă este din păcate nelinear [Cri08] şi anume :
N
Δf i = f (i +1) 0 − f i 0 = f (7.5.10.2).
( N − i )2 0
În felul acesta indexul i poate fi controlat prin intermediul unui
microcontroler ce comandă fiecare coloană în parte, braţele mobile ale
294
dispozitivelor MEMS fiind înseriate pe coloane în curent continuu.

Antena funcţionează cu un capăt legat la masă, deci este o antenă pixel-
patch în sfert de undă (vezi 7.5.5). În felul acesta problemele legate de
inducţia în elementele inactive (de la capete) sunt eliminate. Soluţia
găsită [Cri08] este remarcabilă, eliminând practic fenomenele nedorite de
trecere a undei din elementul activ pe elementele inactive ce rezultă în
procesul de ajustare a frecvenţei (prin creşterea indexului i). Aceste
elemente inactive, fiind conectate la masă, nu permit dispersia semnalului
ci acţionează ca un scc ce reflectă semnalul în totalitate. Observaţia se
bazează pe faptul că o antenă poate funcţiona la fel de bine şi cu
marginile sale conectate la masă (spre deosebire de cazul uzual când ele
sunt în gol). Deosebirea constă în redistribuirea câmpurilor din antenă,
unda de curent fiind zero la mijloc şi maximă la capete. Frecvenţa de
rezonanţă a antenei nu se modifică dar, poziţia punctului de alimentare
da.
Z in _ 0
y
x
Fig. 7.5.10.6. Antenă pixel-patch cu geometrie variabilă

Impactul nanotehnologiilor asupra geometriei antenei este
evidenţiat în figura 7.5.10.6, caz în care este necesar controlul fiecărui
MEMS în parte. Geometria antenei poate fi schimbată dinamic, chiar în
timpul funcţionării, fiind posibilă atât reajustarea frecvenţei cât şi a
impedanţei de intrare. Antena pixel-patch se pretează astfel cel mai bine
pentru definirea antenei autonome, reconfigurabile prin soft SDAA
[Chi07]. Această antenă datorită multitudinii de soluţii oferite de variaţia
geometriei sale, deschide calea antenei cognitiv-evolutive ce va funcţiona
pe baza algoritmilor genetici. O astfel de antenă va avea propriul ei
295
sistem de operare, autonomia ei fiind determinată de posibilitatea de

adaptare continuă la echipamentul de comunicaţii la care este conectată.
RL[db]
BW=90MHz
i=20
2.69GHz,RL=-34dB
a.
RL[db]
BW=130MHz
i=30
3GHz,RL=-40dB
b.
Fig. 7.5.10.7. Modificarea frecvenţei de rezonanţă prin intermediul
indexului i
296
Cel puţin teoretic o astfel de antenă va fi capabilă să identifice

singură tipul echipamentului la care a fost conectată, caracteristicile
tehnice ale acestuia, nevoile sale şi se va reajusta în cosecinţă pentru a
satiface aceste nevoi. Spre exemplu, în figura 7.5.10.7 se văd rezultatele
obţinute în urma simulării acestei antene în HFSS. Frecvenţa antenei
poate fi ajustată între 2,29 şi 3 GHz. Banda antenei nu rămâne constantă,
dar pierderile de întoarcere rămân sub pragul de – 24 dB ceea ce este
remarcabil. În tabelul 7.5.10.3 [Cri08] se vede mult mai bine domeniul în
care se pot ajusta parametri antenei, pentru cazul în care metoda de
adaptare este în profunzime (vezi 7.5.2). Ultima coloană din tabel indică
pasul cu care se modifică lungimea antenei în funcţie de indexul i.
Tabel 7.5.10.3.
Nr. Index L/2 In set Return FRQ FRQ BW Step
Crt. i [cm] [cm] loss f f0 [MHz] [mm]
RL [dB] [GHz] [GHz]
1 0 2 1.6 -24 2.29 2.29 60 0
2 1 1.98 1.58 -24 2.31 2.29 50 0.2
3 2 1.96 1.56 -25 2.33 2.29 60 0.4
4 3 1.94 1.54 -27 2.35 2.29 60 0.6
5 4 1.92 1.52 -28 2.37 2.29 70 0.8
6 5 1.9 1.5 -21 2.39 2.29 70 1
7 10 1.8 1.4 -27 2.46 2.29 70 2
8 20 1.6 1.2 -40 2.69 2.29 90 4
9 30 1.4 1 -35 3 2.29 130 6
Dezavantajul antenei pixel-patch constă în numărul mare de

MEMS-uri şi în necesitatea de a controla fiecare MEMS individual.
Tehnologia de realizare practică se aseamănă cu cea utilizată la ecranele
LCD. Preţul de cost este mare, dar poate să scadă pe măsură ce se trece la
producţia de serie.
297
Bibliografie selectivă
În ordinea apariţiei:
[Stu81] W. L. Stutzman, G. A. Thiele, Antenna Theory and Design, John

Willey & Sons Inc., 305 pagini, 1981
[Con82] I. Constantin, M. Ivanovici, I. Diaconescu, C. Şerbu, Aplicaţii şi
Probleme de Radio şi Televiziune, Editura Didactică şi Pedagogică,
Bucureşti, B.T. 16.02.1982, 364 pagini, 1982
[Spi83] E. Spindler, Antene, Editura Tehnică Bucureşti, Seria Electronică
Aplicată, CZ 621.389.67, 284 pagini, 1983
[Nic83] A. Nicolaide, Bazele Fizice ale Electrotehnicii – Teoria
Generală a Câmpului Electromagnetic, Editura Scrisul Românesc,
Craiova, 1983, BDT 9. V., 617 pagini, 1983
[Col85] R. E. Collin, Antenna and Radiowave Propagation, McGraw-
Hill Inc. International Student Edition, Series in Electrical Engineering,
ISBN 0-07-011808-6, 263 pagini, 1985
[Dun88] J. Dunlop, D. G. Smith, Telecommunications Engineering,
Clays Ltd, Chapman & Hall University and Professional Division, ISBN
0-412-56270-7, 599 pagini, 1988
[Lor88] P. Lorrain, D. R. Corson, Electromagnetic Fields and Waves
Including Electric Circuits, W. H. Freeman and Company New York,
ISBN 0-716-71823-5, 383 pagini, 1988
[Nic89] E. Nicolau (editor), M. Săvescu, I. Constantin, A. T. Murgan, V.
Poplăcean, G. Dogaru, Manualul Inginerului Electronist - Radiotehnica,
vol. III, Editura Tehnică Bucureşti, ISBN 973-31-0116-8, 374 pagini,
1989
[Chi93] M. Chivu, F. Breban, Recepţia Emisiunilor de Televiziune şi
Radio prin Satelit, Editura de Vest Timişoara, 195 pagini, 1992
[Joh93] R. C. Johnson, Antenna Engineering Handbook, McGraw-Hill
Inc., ISSN 1063-665X, 1511 pagini, 1993
Bibliografie
[Moţ94] C. Moţoc, Fizica, Editura All, Bucureşti, ISBN 973-9156-32-0,

445 pagini, 1994
[Loj95] G. Lojewski, Microunde Dispozitive şi Circuite, Teora –
Electronică Profesională, ISBN 973-601-198-4, 236 pagini, 1995
[Bai96] R. Baican, Circuite Integrate de Microunde, Promedia Plus,
Cluj-Napoca, ISBN 973-97377-6-5, 590 pagini, 1996
[Bal97] C. Balanis, Antenna Theory, John Willey & Sons Inc., ISBN 0-
471-59268-4, 959 pagini, 1997
[Ceh97] V. Cehan, Bazele Radioemiţătoarelor, Matrix Rom, Bucureşti,
ISBN 973-9254-39-X, 299 pagini, 1997
[Pal97] T. P. Palade, Tehnica Microundelor, Editura Genesis, Cluj-
Napoca, ISBN 973-98204-3-3, 265 pagini, 1997
[Poz98] D. M. Pozar, Microwave Engineering, John Willey & Sons, Inc.,
ISBN 0-471-17096-8, 736 pagini, 1998
[Bot98] I. C. Botez, Teoria şi Proiectarea Circuitelor de Microunde,
Matrix Rom, Bucureşti, ISBN 973-9254-87-X, 377 pagini, 1998
[Pal99] T. Palade, N. Crişan, H. Ciocârlie, I. Chisăliţă, O. Popovici,
Radiocomunicaţii – Îndrumător de Laborator, Mediamira Cluj-Napoca,
ISBN 973-97791-2-3, 74 pagini, 1999
[Cri99] T. Palade, N. Crişan, I. Chisăliţă, O. Popovici, Radiocomunicaţii
– Culegere de Probleme, Editura Mediamira, Cluj-Napoca, ISBN 973-
97790-9-3, 158 pagini, 1999
[Loj99] G. Lojevski, Microunde – Dispozitive şi Circuite Ed a II-a,
Teora, ISBN 973-601-660-9, 227 pagini, 1999
[Cha00] K. Chang, RF and Microwave Wireless Systems, John Wiley &
Sons Inc. , ISBN 0-741-22432-4, 355 pagini, 2000
[Sul00] D. M. Sullivan, Electromagnetic Simulation Using The FDTD
Method, IEEE Press Series on RF and Microwave Technology, ISBN 0-
7803-4747-1, 176 pagini, 2000
[Roh00] U. L. Rohde, D. P. Newkirk, RF/Microwave Circuit Design for
Wireless Applications, John Willey & Sons Inc., ISBNs: 0-471-29818-2
(Hardback), 0-471-22413-8 (Electronic), 972 pagini, 2000
299
[Şte00] A. Ştefan, C. Strâmbu, Simularea Asistată a Circuitelor de

Microunde, Editura Albastră, Cluj-Napoca, 220 pagini, 2000
[Bog00] I. Bogdan, C. Miroiu, E. Şofron, Comunicaţii Moderne –
Antene, Sel Soft Computer, ISBN 973-0-00218-5, 256 pagini, 2000
[Gar01] R. Garg, P. Bhartia, I. Bahl, A. Ittipiboon, Microstrip Antenna
Design Handbook, Artech House, ISBN 0-89006-513-6, 435 pagini,
2001
[Pal01] T. P. Palade, Radiocomunicaţii Celulare, Editura Mediamira,
Cluj-Napoca, ISBN 973-9358-35-7, 251 pagini, 2001
[Mis01] D. K. Mistra, Radio-Frequency and Microwave Communication
Circuit, John Willey & Sons Inc., ISBN 0-471-22435-9, 588 pagini, 2001
[Col01] R. E. Collin, Foundations for Microwave Engineering, IEEE
Press Series on Electromagnetic Wave Theory, John Willey & Sons Inc.,
ISBN 0-7803-6031-1, 945 pagini, 2001
[Gol01] M. Golio, The RF and Microwave Handbook, Boca Raton: CRC
Prec LLC, Library of Congress Cataloging in Publication Data, ISBN 0-
8493-8592-X, 1356 pagini, 2001
[Rau01] C. Rauscher, Fundamentals of Spectrum Analysis, Rohde &
Schwartz GmbH & Co. KG, 222 pagini, 2001
[Car01] J. J. Carr (K4IPV), Antenna Toolkit, Butterworth-Heinemann
Linacre House, Jordan Hill, Oxford, ISBN 0-7506-4947-X, 264 pagini,
2001
[Won02] K. L. Wong, Compact and Broadband Microstrip Antennas,
John Wiley & Sons, Inc., ISBN 0-471-41717-3, 301pagini, 2002
[Swa03] D. G. Swanson, W. J. R. Hoefer, Microwave Circuit Modeling
Using Electromagnetic Field Simulation, Artech House Boston –
London, ISBN 1-58053-308-6,488 pagini, 2003
[Suá03] A. Suárez, R. Quéré, Stability Analysis of Nonlinear Microwave
Circuits, Artec House Boston – London, ISBN 1-58053-303-5, 354
pagini, 2003
[Whi04] J. F. White, High Frequency Techniques – An Introduction to
RF and Microwave Engineering, IEEE Press, John Willey & Sons Inc. ,
ISBN 0-471-45591-1, 531 pagini, 2004
300
Bibliografie
[God04] L. C. Godara, Smart Antennas, CRC Press Boca Raton –

London, ISBN 0-8493-1206-X, 458 pagini, 2004
[Vis05] H. J. Visser, Array and Phased Array Antenna Basis, John
Willey & Sons Ltd. , ISBN 13 978-0-470-87117-1, 378 pagini, 2005
[Mil05] T. A. Milligan, Modern Antenna Design, John Willey & Sons
Inc., ISBN 13 978-0-471-45776-3, 633 pagini, 2005
[Fre05] R. L. Freeman, Fundamentals of Telecommunications, IEEE
Press Wiley-Interscience John Willey & Sons Inc., 705 pagini, 2005
[Loj05] G. Lojevski, Dispozitive şi Circuite de Microunde, Editura
Tehnică, ISBN 973-31-2263-7, 450 pagini, 2005
[Cri07] N. Crişan, Ligia Cremene, “Analysis of High Power MEMS
Varactors for RF and Microwaves Integrated Circuits”, Acta Technica
Napocensis, Vol. 49, No. 4 ,ISSN: 1221-6542, pp. 27-31, 2007
[Chi07] L. Chira Cremene, N. Crişan, The Adaptive Potential of the
Reconfigurable MEMS in MIMO Antenna Technology, CISSE 2007,
IEEE Conference, International Joint Conferences on Computer,
Information and System Sciences, and Engineering, University of
Bridgeport, USA, 2007
[Cri08] N. Crişan, Ligia Chira Cremene, "The Impact of Novel RF
MEMS and SDCs on Smart Antenna Technologies", The Fourth
International Conference on Wireless and Mobile Communications -
ICWMC 2008, ISBN 979-0-7695-3274-5, Library of Congress Number
2008926138, July 27-August 1, 2008, Athens, Greece
301
View publication stats

ANTENE Si Circuite Pentru Microunde

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

ANTENE Si Circuite Pentru Microunde

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

See discussions, stats, and author profiles for this publication at: https://www.researchgate.

ANTENE și Circuite pentru Microunde

Book · September 2008

Software Defined Radio and Antennas View project

The user has requested enhancement of the downloaded file.

Antene şi circuite pentru

Prof. dr. ing. Costin MIRON

Prof. dr. ing. Aurel VLAICU

CAPITOLUL 1. Linii de transmisie de înaltă

CAPITOLUL 2. Linii de transmisie de înaltă

CAPITOLUL 3. Tehnici de adaptare a impedanţelor ...... 93

CAPITOLUL 4. Circuite lineare pentru microunde....... 139

CAPITOLUL 5. Circuite complexe pentru microunde... 183

CAPITOLUL 6. Circuite nelineare de RF........................ 205

CAPITOLUL 7. Antene pentru microunde ..................... 239

În memoria regretatului dascăl şi coleg,

Fig. 1.1. Linia de transmisie coaxială – secţiune transversală

Rdz Ldz Rdz Ldz

Cdz Gdz Cdz Gdz

În figura 1.2.b este ilustrată schema echivalentă a unui element

comparabilă cu cea a undei. Rezultă astfel că legile lui Ohm valabile la

1.1. Analiza câmpurilor din linia coaxială

Pentru analiza câmpurilor din interiorul liniei coaxiale se ţine cont

Aplicând legea lui Ampère vom putea determina valoarea

Conductanţa G apare ca urmare a pierderii puterii în materialul

1.2. Relaţii între curent şi tensiune

Pornindu-se de la tronsonul infinitezimal de linie (vezi figura. 1.2),

1.3. Impedanţa caracteristică a liniei de transmisie TEM

Este normal să ne întrebăm în ce condiţii se poate micşora sau chiar

1.4. Coeficientul de reflexie

Se va pleca de la premisa că parametrii liniei (L,C,R şi G) nu

În figura 1.4.1 este o reprezentare simbolică a liniei coaxiale, în

Fig. 1.4.1. Reprezentarea simbolică a liniei coaxiale

1.5. Impedanţa pe linie

Dacă se taie linia într-un punct oarecare A, se poate căuta o relaţie

exp[(L − z )γ] + Γ L exp(− 2γ L ) exp[−γ ( L − z )]

Z L [exp(γ x ) + exp(− γ x )] + Z 0 [exp(γ x ) − exp(− γ x )]

1.6. Linii coaxiale cu pierderi mici

Liniile cu pierderi mici sunt în general liniile scurte, la care

Din acelaşi motiv, dar presupunând că termenii R 2 , G 2 , R 3 , G 3 .....

putem sintetiza concluziile obţinute în urma analizei din punct de vedere

Pentru acelaşi material dielectric se poate păstra neschimbată

1.7. Optimizarea liniei de transmisie coaxiale pentru

Se ştie că la ora actuală se găsesc pe piaţă două feluri de linii

Fig. 1.7.1. Optimizarea liniei coaxiale pentru reducerea pierderilor

În figura 1.7.1 este ilustrată o linie coaxială pentru care raza

Această funcţie este minimă atunci când derivata lui α în raport cu

mică decât valoarea de saturaţie a dielectricului este optimală linia de

Fig. 1.7.2. Simularea pierderilor pe linia coaxială în TestPoint

1.8. Linii coaxiale fără pierderi

În cazul liniilor coaxiale fără pierderi coeficientul α este zero.

Fig. 1.8.1. Variaţia impedanţei în lungul liniei – linia continuă

Z in − gol = − jZ 0 ctg (β L ) ; Z L → ∞ linia este lăsată în gol la un capăt

Fig. 1.8.3. Linia în sfert de undă utilizată ca filtru opreşte bandă

rejecţia undelor având frecvenţa egală cu cea de acord a liniei, adică:

Constanta de fază face referire la faza undei pe linie, fază

fi aproximat “inginereşte” cu zero. Expresia se mai simplifică, astfel că

1.9. Unde staţionare în linii TEM

Unda staţionară este probabil unul dintre cele mai interesante

vedere şi faptul că funcţia exponenţială se poate scrie sub forma:

Fig. 1.9.1. Formarea undelor staţiunare pe linia TEM

Se concluzionează că lungimea electrică a liniei (lungimea electrică

de undă sau radiani, pornind de la ideea că pentru π radiani corespunde o

Pentru conductori panglică înguşti, caz în care w/h < 3 (formula