Sunteți pe pagina 1din 24

1

Schema de principiu (schema bloc):

Schema bloc cuprinde :


Stabilizator de tensiune
Oscilator audio frecventa
Formator semnal dreptunghiular
Etaj amplificator-separator
2

Oscilatorul cu retea Wien


Asa cum se observa , circuitul principal al oscilatorului este amplificatorul cu
reactie negativa. Acest circuit are doua intrari: una inversoare , notata pe schema cu “-”,
si una neinversoare notata pe schema cu “+“.Semnificatia lor este aceea ca amplificatorul
amplifica de fapt diferenta semnalelor de la cele doua intrari ,cea neinversoare, respectiv
cea inversoare. Astfel la iesirea amplificatorului vom avea un semnal :

Uies= A(Uin+-Uin-)

Unde:
Uies este tensiunea la iesirea amplificatorului
Uin+ tensiunea la borna neinversoare
Uin- tensiunea la borna inversoare
A amplifiacrea amplificatorului in prezenta reactiei negative.

Inainte de a proiecta propriu-zis amplificatorul, vom proiecta reteaua de


reactie negativa , ai carei paremetri vor determina proiectarea amplificatorului.Reteaua de
reactie negativa este un circuit RC cu proprietati de selectivitate , in sensul ca prezinta un
Uies
maxim al caracteristicii de transfer, FW(ω )= , unde Uies,Uin sunt tensiunile de iesire
Uin
, respectiv de intrare ale retelei de reactie negativa .

Reteaua Wien este cel mai folosit circuit de reactie pozitiva din oscilatoarele RC:

Schema retelei Wien este urmatoarea:

Comportarea in frecventa a circuitului poate fi intuita tinand cont ca la


frecvente joase condensatorul C1 reprezinta o intrerupere , iar la frecvente inalte C2
scurcircuiteaza la masa semnalul de la iesire . Astfel la frecvente extreme circitul are
caracteristica de transfer nula in sensul ca la aceste frecvente circuitul “nu lasa sa treaca
nimic”.Rezolvand analitic se obtine un factor de transfer
3

1
Uies (ω)
FW(ω )= Uin (ω) = 1 + R1 + C 2 + j ( ωR C − 1
).
ωR2 C1
1 2
R2 C1

Maximul acestei functii de ω este la frecventa la care termenul

1
j ( ωR1C 2 − )
ωR2 C1
1
este nul , adica ω 0= R1 R2 C1C 2
. La acesata pulsatie defazajul introdus de retea este
nul. Si acest aspect este important , pentru ca defazajul introdus de retea poate influenta
caracterul reactiei (de exemplu , daca s-ar introduce un defazaj de 90° reactia nu ar mai fi
pozitiva ci negativa).
Alura caracteristicii de transfer FW(ω ) si a defazajului Φ W(ω ) introdus de reteaua Wien
este data in figura de mai jos:

In practica se aleg cele doua rezistente respectiv cele doua condensatoare de valori egale
astfel incat R1=R2=R iar C1=C2=C . In acest caz se obtine pentru caracteristica de transfer
a amplificatorului , la frecventa f0=ω 0/2Π valoarea de 1/3 adica atenuarea minima a
retelei Wien este de 3 ori. Rezulta ca , pentru a indeplini conditia lui Bakhausen , care
este in cazul nostru: FW(ω ) ⋅ Av =1 trebuie realizat un amplificator cu amplificarea Av=3.
4

De o importanta deosebita sunt si aspectele legate de impedantele de intrare si iesire ale


retelei Wien , care trebuie sa satisfaca anumite relatii impreuna cu impedantele de
intrare , respectiv de iesire ale amplificatorului . Aceste relatii sunt legate de conditiile de
idealitate in care a fost dedusa analitic caracteristica de transfer a retelei . In aceste
conditii de idealitate , impedanta de iesire a amplificatorului ( considerat ca generatorul
care ataca reteaua ) a fost considerata nula , iar impedanta de intrare la borna
neinversoare a amplificatorului (considerata ca sarcina a retelei Wien) a fost considerata
infinit de mare (reteaua in gol). Cum aceste valori nu pot fi obtinute , se va cauta ca
rezistentele de intrare , respectiv iesire ale amplificatorului sa satisfaca conditiile de
idealitate prin inegalitatile:

Ramplificatoriesire<< RWienintrare
Ramplificatorintrare>>RWieniesire

Se calculeaza analitic impedantele de intrare ale retelei Wien la ω 0:

3R
RWienintrare=
2

2R
R Wien iesire =
3

Astfel se va proiecta amplificatorul , astfel incit conditiile de mai sus sa fie indeplinite.
Realizarea unei retele Wien a carei frecvente f0 sa poata fi reglata in cazul
nostru pe o decada in jurul frecventei centrale de 5 KHz se va face prin introducerea , in
locul rezistentelor din retea a unor rezistente variabile intre Rmin si Rmax astfel incat :
Luam fmin=1kHz si fmax=10kHz

1 1
fmin> si fmax< .
2πRmaz C 2πRmin C
5

Schema retelei Wien este data mai jos:

Asa cum se vede in figura potentiometrele P variaza sincron (fizic ele au cursoarele
montate pe acelasi ax) iar cand cursorul e la minim, rezistenta potentiometrelor este nula
iar R=Rmin. Cand cursorul e la maxim R=Pmax+Rmin , unde Pmax este valoarea maxima pe
care o poate lua potentiometrul P.

Proiectarea Retelei Wien:

Calculam condensatorul retelei Wien

1
C≤ 2πR f == 1/(2*3.14*1010*10000)=15nf
min max

Alegem C1=15nF ± 10%.

In cel mai defavorabil caz , atunci cand Rmin=1010Ω si C1=15nF +10%=16,5nF,


frecventa maxima va fi:

fmax=1/(2*3.14*1010*16,5)=9555 Hz .

Calculam acum potentiometrul necesar.Valoarea sa maxima ,

1
Pmax= -Rmin=10K Ω
2πC1 f min
6

Alegem Pmax=10kΩ cu o toleranta de 20%.De mentionat ca in calculul acestei valori


am considerat tot cazul cel mai defavorabil , adica:

Rmin=1010Ω si

C1=16nF

Calculam , in cazul cel mai defavorabil (C1=16nF , Pmax=10 kΩ , Rmin=900 Ω ),


frecventa minima a oscilatorului.:

fmin==877 Hz ,

deci este atinsa oricum si frecventa minima de 1000Hz..

Cu acestea putem trece la proiectarea amplificatorului:

Proiectarea Amplificatorului:

Trebuie , asadar sa proiectam un amplificator cu intrare diferentiala si cu urmatorii


parametri:

-Amplificarea in bucla deschisa av>>3

-Rezistenta de intrare la borna neinversoare >>1,5⋅ 57kΩ

-Rezistenta de iesire <<1,5⋅ 1kΩ

-Rezistenta de sarcina RL=75Ω


7

Schema propusa este:

Etajul diferential de intrare este format din tranzistoarele Q1,Q2 care au in


emitoare sursa de curent constant Q3 iar in colector au fiecare sarcini active realizate cu
tranzistoarele Q4,Q5 in montaj “oglinda de curent”.Aceasta solutie face ca spre etajul
urmator , Q6 sa treaca atat curentul din colectorul lui Q2 cat si cel din colectorul lui Q1
“oglindit “ de oglinda Q4,Q5, obtinandu-se o mai buna folosire a etajului diferential catre
8

etajul urmator. Etajul urmator este un etaj clasic cu sarcina distribuita care are in colector
sarcina activa Q7.

Calculul elementelor de circuit:

Alegem tensiunea de alimentare de ± 11V astfel incat etajul de iesire sa poata


livra tensiunea necesara de ± 1V fara ca nici unul din tranzistoare sa se blocheze sau sa se
satureze.

Prin tranzistoarele Q1,Q2 alegem curenti de 0,5mA , deci prin Q3 va circula un curent de
1mA , suma curentilor din cele doua tranzistoare ,Q1,Q2.

Alegand dioda Zerner de 3,6V (DZ3V6) , putem dimensiona R3:

U z − VBE 3,6V − 0,6V


R3= = = 3kΩ
I C3 1mA

Alegand caderi de tensiune pe rezistentele R1,R2 de 2V , obtinem valorile lor:

R1=R2=2V/0.5mA=4KΩ

Alegem potentiale de +2.4V in colectoarele lui Q1,Q2

Curentul maxim prin Q6 pentru a asigura la bornele rezistentei de sarcina Rl


=150Ω U0=1v este I6=6mA , deci R4 va fi:

R4=(Vcc-Va-Vbe)/I4=1,3 kΩ

Putem calcula astfel si R5:

Vz − V BE 3,6V − 0,6V
R5= = = 300 Ω 500
10 mA 10 mA

Rezistenta R6 polarizeaza dioda Zerner astfel incat prin ea sa circule curentul nominal de
5mA:

R6=[-(-Vcc)-Vz]/5mA=1,48kΩ

Rp se alege astfel incat curentul de polarizare al bazei tranzistorului Q2 sa nu provoace o


cadere semnificativa pe ea.Vom folosi tranzistoare cu factorul de amplificare in curent
continuu h21e de minim 125 , deci ,alegand Rp=50kΩ obtinem o cadere de tensiune pe Rp
de:

URp=Rp⋅ IB2=0,2V

De remarcat ca pentru a compensa aceasta cadere si a asigura o functionare simetrica in


curent continuu a etajului diferential , bucla de reactie negativa va trebui sa fie in curent
9

continuu o rezistenta egal cuRp , intre iesire si masa. Astfel se asigura o deriva minima a
tensiunii de iesire a amplificatorului de la valoarea de 0V , in regim static

Bucla de reactie negativa va avea schema generela din figura de mai jos:

Cf are practic o reactanta nula in banda de frecvente utila si se alege astfel incat

1 1
XC <
< Rf adica << Rf de unde rezulta Cf>>
ωmin Cf ωmin Rf

f min
unde ωmin este pulsatia minima la care va functiona ( ωmin =

=60Hz/2*3.14=9.55 rad/s)

Alegerea tranzistoarelor din circuit:

Alegem :

Q1,Q2,Q3,Q7=BC107 si

Q4,Q5,Q6=BC177 cu paramerii dati in tabelul de mai jos:


10

VALORI MAXIM ADMISIBILE

VCE max IC max Pd max h21e


Tranzistor
[V] [mA] [mW]

BC 107 45 100 300 125…300

BC 177 -45 -100 300 125…300

Alegerea rezistoarelor din circuit :

Pentru rezistoarele folosite am ales valorile standardizate din tabelul de mai jos:

Rezistenta aleasa
Rezistor Valoarea
nr calculata Valoarea Toleranta Puterea disipata
aleasa
[kΩ ] [%] [W]
[kΩ ]

R1,R2 4 4 E24 5% 0,25

R3 3 3 E24 5% 0,25

R4 1,3 1,3 E24 5% 0,25

R5 0,3 0,3 E48 5% 0,25

R6 1,48 1,5 E12 10% 0,25

Rp 50 50 E12 10% 0,25


11

Calculul parametrilor de curent alternativ

1.Calculul parametrilor in bucla deschisa

-amplificarea: av

Deoarece sunt folositi ambii curenti ai etajului diferential amplificarea


circuitului diferential este:

avd=-gm⋅ RechivC2

unde⋅ RechivC2 este rezistenta din colectorul lui Q2

gm⋅ este transconductanta tranzistorului Q2 si este egala cu minim 40⋅ Ic=40⋅ 5⋅ 10-4=0,02

Neglijand influenta oglinzii de curent se poate afirma ca RechivC2 este chiar rezistneta de
intrare a tranzistorului Q6.

h21e
Rezistenta de intrare a tranzistorului Q6 este (h21e+1)⋅ R4+rΠ 6=126⋅ 800+
40 ⋅ I c
=100800+

125
+ =100800+312,5=101112,5Ω
40 ⋅10 −2

Rezulta ca amplificarea etajului diferential este de -gm⋅ [ (h21e+1)⋅ R4+rΠ 6 ] =

= -0,02*101112,5=-2022 ori .

Etajul urmator , realizat cu tranzistorul Q6 este un etaj cu sarcina distribuita si are


Q7
Rechiv // RL
amplificarea de- . Deoarece rezistenta de iesire a tranzistorului Q7 est mult
R4
R
mai mare decat RL , avem ca amplificarea etajului de iesire este de- L ≈ −1
R4

Rezulta amplificarea circuitului , av=-2022⋅ -1=2022. Aceasta valoare este convenabila


deoarece este mult mai mare decat amplificarea necesara in bucla inchisa de valoare
3,deci se va folosi o reactie negativa puternica , care are avantaje:

-mareste rezistenta de intrare a circuitului amplificator ;

-micsoreaza rezistenta de iesire a circuitului;

-imunizeaza amplificatorul fata de factorii perturbatori (variatii de


temperatura , variatii ale tensiunii de alimentare , etc. );
12

Calculam si ceilalti doi paremetri ai amplificatorului , in bucla deschisa:

-Rezistenta de intrare a circuitului este , daca consideram rezistenta de iesire a lui Q3


foarte mare fata de rezistenta de iintrare a lui Q2 , de valoare:

h21e
rin= 2⋅ rΠ 2//Rp=2⋅ //50kΩ =12500Ω //50kΩ =49kΩ
40 ⋅ 5 ⋅ 10 − 4

1 + g m R4 1 + g m R4
VA
ries=ro⋅ 1 + g m R 4 = ⋅ 1+ m
g R 4 =1507Ω
h21 e IC h21 e

Aceste valori sunt calculate in bucla deschisa , adica fara a conecta reactia negativa.In
urma conectarii reactiei negative performantele amplificatorului se imbunatatesc , si
anume:

Tinand cont de teoria reactiei negative , amplificarea in bucla deschisa este data de
formula:

av
Av= unde av este amplificarea in bucla deschisa –2022 iar Av trabuie
1 + fa v
1
sa fie , conform relatiei Barkhausen , egala cu 3. Rezulita un factor de reactie f≈ A
V

=0,33.

Marimea

T=av⋅ f , numita castig pe bucla are valoarea T=2022⋅ 0,33=674.

Rezistenta de iesire are , in prezenta reactiei negetive , valoarea de

ries
R ies= =1507/674=2,23Ω ,
T

iar cea de intrare are valoarea

Rin=ries⋅ T=50kΩ ⋅ 674=33.7MΩ ,

valori care verifica relatiile de proiectare:

-Rezistenta de intrare la borna neinversoare >>15 kΩ


13

-Rezistenta de iesire <<1,5kΩ

Putem alege acum si condensatorul de la intrarea amplificatorului ,

1 1
C1>> = =5,4nF. Alegem C1=100nF± 10%
ωmin rin 2πf min rin

Veificarea functionarii sigure a componentelor active:

Tensiunile la care functioneaza ± 11V la care adaugam amplitudunea maxima de ± 1V


nu pot pune in pericol functionarea tranzistorilor care suporta tensiuni maxime de 45V.

Curentii de colector nu pot depasi nici ei valoarea maxima admisa de 100mA deoarece in
regim static curentii de colector sunt foarte mici.

Verificari in putere :

Q1,Q2:

Q1,Q2 functioneaza la VCE=2,8V si la IC=0,5mA deci disipa P= VCE⋅ IC=2.8⋅ 0,5⋅ 10-3
=1,4mW<300mW deci functioneaza in zona sigura din punct de vedere a puterii disipate.

Q3:

Q3 functioneaza la VCE=4,4V si la IC=1mA deci P=4,4.10-3=4,4 mW

Q5,Q4:

In mod analog rezulta P=1⋅ 0,5⋅ 10-3=0,5mW

Q6,Q7

La acesti tranzistori se pune problema luarii in calcul si a coponentei alternative a puterii


ce trece prin ei mai ales datorita rezistentei de iesire mici.

La momentele de timp cand tensiunile ating valori extreme de ± 2V curentul maxim prin
Vout , max
tranzistorul Q6 va fi de Ic7+ =10mA+10mA=20mA.Tensiunea VCE are valoarea
Rl
maxima de 5V, deci puterea disipata de Q6 nu depaseste 100mW.

La Q7 curentul de colector este constant , de -10mA iar tensiunea maxima , VCE=-5V deci
puterea disipata este de 50mW.

Deci toate componentele functioneaza in zona de siguranta.

Reactia negativa:
14

Acest circuit este realizat cu TEC-J si are rolul de a mentine amplificarea circuitului la
valoarea 3 atunci cand semnalul la iesire este de 1VVV.Atuci cand el tinde sa creasca ,
amplificarea circuitului scade , iar cand semnalul scade , amplificarea creste.Acest circuit
de autoreglare este necesar deoarece conditia de oscilatie a semnalului este o egalitate
( relatia Barkhausen ) , imposibil de obtinut practic.

Schema retelei de reactie negativa:

Functionare:

Dioda Df redreseaza tensiunea de la iesirea oscilatorului , astfel ca la bornele


condensatorului Cf2 de obtine o tensiune continua , negativa proportionala cu
amplitudunea semnalului de iesire . Aceasta tensiune comanda poarta tranzistorului care
isi modifica transconductanta si influenteaza reactia negativa , asa cum a fost descris.

Alegem TEC-J-ul de tip BF 256 cu urmatorii parametri de catalog:

IDSS=6..10 mA , VT=-1..-3V , VDsmax=30V.

Deoarece am ales RF1=Rp1=50kΩ trebuie ca rezistenta echivalenta a circuitului format


din Rf2 in paralel cu restul circuitului sa fie de circa 25kΩ , pentru ca factorul de
transfer sa fie 1/3=25 kΩ /25 kΩ +50 kΩ

Cand semnalul de iesite are valoarea OV (conditie initiala ) , TEC-ul are


transconductanta:
15

2 I DSS  VGS 
gm= − 1− ;
V P  Vp 

2 I DSS 2 ⋅ 8 ⋅10 −3 A
Cum VGS=0 rezulta ca gm=- =- =8 mA/V
VP − 2V

1
Rezistenta echivalenta a TEC-J-ului este rech= =0,125 kΩ =125Ω .
gm

Estimam transconductanta TEC-J-ului la VGS=-1V:

2 ⋅ 8 ⋅10 −3 A −1
gm=- (1- )=4mA/V
− 2V −2

Rezistenta echivalenta in acest caz este de 250Ω .

Alegem Rf2 ceva mai mare decat valoarea de 25kΩ :

Rf2=27 kΩ

Putem calcula acum Rf3:

Rf3 este inseriata cu rech si acestea doua , in paralel cu Rf2 trebuie sa aiba rezistenta de
25kΩ ;

rech=este considerata la VGS=-1V.

Deci:

( rech + Rf 3) ⋅ Rf 2
25kΩ = rezulta Rf3:
rech + Rf 2 + Rf 3

50 kΩ( rech + Rf 2) − Rf 2 ⋅ rech


Rf3= =337kΩ deci alegem Rf3=350 kΩ .
Rf 2 − 50 kΩ

Se doreste obtinerea unei tensiuni la intrarea etajului formator de impulsuri


dreptunghiulare de aproximativ 5V. Pentru aceasta se realizeaza un divizor de tensiune
format din rezistenta Rf si potentiometrul Pf ,calculate astfel:

Vg=Pf*Vo/Pf+Rf =>Pf=1,5KΩ ,Rf=6,8K

Alegem condensatorul Cf2 astfel incat:


16

1 1
Cf2>> = =42µ F Alegem un condensator electrolitic de
ωmin Rf 4 2πf min Rf 4
100µ F± 20% la tensiune de lucru de16V.

1 1
Alegem Cf1>> = =21µ F Alegem Un condensator de 10µ F
ωmin Rf 2 2πf min Rf 2
± 20%

la tensiune de lucru de 16V.

Mai alegem dioda Df de tip 1N4148 care suporta 200mA si o tensiune inversa maxima de
75V

ETAJUL FORMATOR DE IMPULSURI DREPTUNGHIULARE:


Schema etajului este dată în figura :

3.1 Funcţionarea circuitului şi relaţii de proiectare

Triggerul Schmitt poate fi considerat un CBB cu structură asimetrică.Circuitul se compune din


două tranzistoare cu cuplaj în emitor (prin rezistenţaR5).Circuitul prezintă particularitatea că starea
bistabilului e determinată de valoarea tensiunii aplicate la intrare .
Considerând Ui=0, Q1 e blocat, iar Q2 e în conducţie datorită curentului de bază dat de
divizorul R1,R3,R4. Se poate calcula valoarea tensiunii UR5:
17

UR5=E[R4/(R1+R3+R4)]-VBE2
Crescând Ui, Q1 se va menţine blocat până când Ui atinge valoarea de prag:
Ui1=UR5+VBE1= E[R4/(R1+R3+R4)]
În acest moment ,Q1 trece în conducţie şi forţează Q2 blocat; din acest moment tensiunea la
ieşire are valoarea Uo2max=E, şi ramâne constantă ,oricât de mult am creşte Ui.
Bascularea inversă se face atunci când UR4-UR5≅ VBE:
UR4=R4/(R1+R3+R4)*(E-R1IC1)
Valoarea curentului de colector pentru Q1 este:
IC1≅ Ui/R5.
Rezultă următoarele expresii pt. pragurile de basculare:

R4 1
E
Ui2= R1 + R3 + R 4 R1 R 4
1+[ ]
R5 ( R1 + R3 + R 4 )
R4
Ui1= E
R1 + R3 + R4

Tensiunea de ieşire este:

R2 R4
Uiesmin= E[1 − R ( R + R + R ) ] =3,85V
5 1 3 4

Uiesmax≅ 11V

Alegând pragurile de basculare Ui1=4V şi Ui2=3V şi, tinând cont de valorile tensiunii de
ieşire,rezultă valorile componentelor din schemă.Toate rezistoarele se aleg din clasa E24
(± 5%),de tip RCG 1025.
Condensatorul C are rolul de a accelera procesul de comutaţie,valoarea sa se alege astfel încât
|XC|<<R3, la frecvenţe egale cu frecvenţa semnalului de intrare.Practic, pentru C=1µ F se obţine o
scădere a timpului de basculare cu cca. 35%.
Pentru a ajusta cu precizie pragurile de basculare, R5 şi R3 se pot înlocui cu potenţiometre
semireglabile de 5kΩ .
Tensiunea maximă de intrare e dată de intrarea în saturaţie a lui Q1:
E
Ui max= 1 + R1 ≅ 4V,
R5
.
18

Tranzistorii Q1 şi Q2 se aleg de tipul BC107 (β =125...400,Vcesatmax=0,6V la Ic=100mA,


Pmax=1W, Icmax=500mA).Ţinând cont de tipul de tranzistoare folosite,se obţine o rezistenţă de
intrare :
-foarte mare,când Q1 e blocat;
- ≅ β R5=125*3,6kΩ ≅ 450kΩ (minim), când Q1 e în conducţie.

2.Etajul de ieşire

Schema etajului de ieşire este dată în figura 3.

Fig.3-Etajul de ieşire.

În continuare se va descrie funcţionarea etajului de ieşire .

2.1.Funcţionarea etajului

Dacă tensiunea de intrare în acest bloc este mare,de cca. 8V (vezi secţiunea 3.1) atunci Q1 este
saturat,având joncţiunea B-E polarizată direct.Ca urmare,în baza lui Q2 există un potenţial scăzut
şi acesta,fiind de tip pnp,se va satura.Un fenomen asemănător se petrece şi la nivelul lui Q3,deci şi
acesta se va satura.Tensiunea la ieşire va fi maximă: uo= E-VEC3sat=7V .
Dacă tensiunea de intrare în acest bloc este mică (egală cu cca. 2,2V-vezi secţiunea 3.1),atunci
Q1 este blocat şi, printr-un mecanism asemănător cu cel de mai sus, rezultă Q2 şi Q3 blocaţi. În
acest mod rezultă că tensiunea la ieşire este minimă,u0=0V,deoarece prin sarcină nu circulă curent.

2.2 Dimensionarea circuitului


19

Q3 va lucra saturat/blocat şi în starea saturat va suporta un curent de 4V/300Ω =13mA.Din


catalog se alege Q3 de tip 2N5872 (β =20...100,VECsat max=1V la Ic=4A, Pmax=117W, Ic max=15A) .Se
justifică astfel de ce am ales E=u0max+ VECsat max=5V.
Determinăm Ib3satmin=13mA/20=0,6mA, curent care este suportat de Q2.R1 închide curentul
rezidual de colector al lui Q2;căderea de tensiune pe R1 este de maxim 0,7V, astfel încât
IR1<=0,7mA.
Se ia Ic2sat=2mA,pentru o saturare sigură a lui Q3.Alegem Q2 de tip BD140/25
(β =170...300,VCEsat max=1V la Ic=0,5A, Pmax=12,5W, Ic max=1A).
Din relaţia : E=VEB3+VEC2sat+R5Ic2sat rezultă,prin înlocuire numerică, R5=4,7KΩ .
Avem Ib2sat min=2mA/170≅ 12uA,care este suportat de Q1.
Q1 suportă curentul de bază al lui Q2,deci alegem Q1 de tipul BC107
(β =125...400,Vcesatmax=0,6V la Ic=100mA, Pmax=1W, Icmax=500mA).Dacă se ia R2 suficient de mare,
Q1 suportă doar curentul de bază al lui Q2, R2 având rol de închidere a curentului rezidual de
colector al lui Q1.Se ia Ib2=30uA, suficient pt. saturarea lui Q2.
Căderea de tensiune pe R3,cu Q1 saturat,este:
UR3=E-VEB3-VEB2-VCEsat1≅ 5-0,7-0,7-0,6≅ 3V
deci R3=UR3/Ic1=3/0,03≅ 100kΩ .
R2 se dimensionează astfel încât curentul prin R2,cu Q1 saturat,să fie mult mai mic decât Ib2,pt, a
nu influenţa PSF-ul calculat pentru Q1.Practic se ia IR4=Ib2/100=0.3µ A.
Cunoscând UR4=VEB3≅ 0,7V,rezultă R4=0,7V/0,3µ A≅ 2.3MΩ .
La saturaţie,Q1 are Ic1=30uA,deci Ib1sat min=30uA/100≅ 0,3µ A.Etajul formator ,cu Q2|form
blocat,poate suporta fără nici un dubiu acest curent.

Apar probleme în starea Q2|form saturat,când formatorul nu mai trebuie să


livreze un curent mai mare ca Ib1sat min, pt. a nu-l satura pe Q1.
Problema e rezolvată înseriind între colectorul lui Q2|form şi Q1 un rezistor R1 de valoare
mare,astfel încât suma căderilor de tensiune pe R1,pe joncţ. B-E a lui Q1 si pe R3 să fie foarte
apropiate de E:
R1Ib1sat min+VBE1+R3Ic1sat min=11V.
Rezultă:
R1≅ 709kΩ , practic se ia R1=720kΩ .
La saturaţie,Q3 disipă PQ3=2A*1V=2W,deci radiatorul se va proiecta pt. cel puţin 5W.
Q2 disipă la saturaţie PQ2=0,2*1,1=0,22W; este bine ca şi Q2 să fie fixat pe un radiator în formă
de “U”.
Q1 disipă doar 12mW la saturaţie,deci nu necesită radiator.
Avem: PR5=(Ic2sat)2R5=1,28W, deci se ia R5 de 2W.
Astfel se aleg R1...R4 cu valorile precizate,din clasa E24(± 5%),de tip RCG1025,iar R5 din
aceeaşi clasă,dar de tip RMG1100.
20

Proiectarea sursei de alimentare:

Sursa de alimentare va asigura cele doua tensiuni de alimentare , direct de la reteaua de


220V
Schema bloc:

Pentru o buna functionare a stabilizatorului va trebui ca la intrarea acestuia , adica la


iesirea redresorului sa avem o tensiune mai mare cu cativa volti fata de cea stabilizata. O
tensiune mare duce de obicei la cresterea factorului de stabilizare a stabilizatorului prin
cresterea amplificarii amplificatorului de eroare, dar scade randamentul sursei. Uzual ,
pentru tensiuni mai mici de 12V se alege tensiunea mai mare cu circa 2V. Vom avea ,
asadar o tensiune de ± 11V dupa redresor si filtru.Aceasta este obtinuta prin redresarea si
filtrarea unei tensiuni sinusoidale si este de obicei egala cu valoarea de varf a tensiunii
alternative.Astfel , putem calcula valorile efective ale tensiunilor date de transformator:

Vef=Vintr,stabilizator⋅ =13V/1,41=9,2V.
Vom dimensiona un transformator cu priza mediana care are cele doua tensiuni secundare
de 9,2Vef.

a) proiectarea transformatorului

Transformatorul va fi confectionat din tole “E+I” care au cotele standard in figura:


21

Grosimea pachetului de tole va fi de dimensiune 2a. Vom calcula parametrii


transformatorului , care sunt:
-dimensiunea a
-numarul de spire pe volt
-grosimea conductorilor folositi:

Pentru a cacula parametrii transformatorului , tinem cont ca pe cele doua ramuri curentul
de varf nu depasaete 350 mA. Proiectam transformatorul la o putere de
350mA⋅ 2⋅ 5=3,5W

P
Sectiunea miezului de tole este Sf ≥10 −3 unde f este fercventa retelei , 50Hz
f
22

Rezulta , cu aceasta formula o sectiune de : 1,4cm2. Cu valoarea acestei sectiuni alegem


tola necesara. Alegem tola de tip E16 cu a=16mm
Pentru acest tip de tole se calculeaza numarul de spire pe volt
1
nv= 4,44 fBS ,unde B este inductia maxima in miez si care se considera 0,6…1,2 T
f

pentru B=0,6 , cazul cel mai nefavorabil , nv=29 spire pe volt (in primar se vor lua cu
circa 10% mai multe).
Rezulta pentru primar n=29*9.2=266 spire
Pentru o incarcare in curent a conductorilor de 2A/mm2 , alegem pentru secundar
diametrul conductorullui de 0,7 mm la curentul maxim de 350mA.
I ⋅10V
In primar curentul este de sec undar =9,09mA. Alegem diametrul conductorului din
220 V
infasurarea primara de 0,08 mm..
A rezultat un transformator cu urmatorii parametri:

Marimea Prmar Secundar

Tensiunea: 220Vef 2X9,2Vef


Nr.de spire 6380 sp 2x266 sp
Curentul: 9,09mA 350mA
Puterea 3,5W⋅ 110%=3,85mW 3,5W
Diametrul conductorului 0,08mm 0,7mm
Marimea lui “a” 16mm
Suprafata sectiunii miezului 2,56mm2

b) Proiectarea redresorului si a filtrului:

Schema propusa:
23

Alegem puntea de diode DB =1PM05 cu un curent maxim admis de 1A si o tensiune


maxima admisa de 50V
Alegem condensatoarele electrolitice de filtraj Cr1=Cr2=1500µ F/16V.

c) proiectarea stabilizatorului:

Schema propusa:

Calcului elementelor schemei :

La acest tip de satabilizator tensiunea de iesire este de Uies=Uz-2VBE Cum VBE=0,6V,


vom alege dioda Zerner de 12V (DZ12 ) care are un curent nominal de 5 mA.
Alegem T1=BC107 , cu h21 = 125 minim , T2=BD135 cu h21e=70 minim , deci
IBs11=300mA/70=4,28mA si rezulta un curent de baza pentru T1=4,28mA/125=0,034mA.
24

Caderea de tensiune pe R este Vin-Vz=13V-12V=1V , iar curentul prin R este IZ+0,034


mA=0,534 mA

Putem calcula R=1V/0,534mA=1,87kΩ E24 , ± 10%.

Pentru stabilizatorul de –11V toate componentele isi schimba polaritatea:

-T1 se schimba cu T3 , complementarul sau BC 108


-T2 se schimba cu T4 , complementarul sau BD136
-Dioda Zerner isi schimba anodul cu catodul
Schema obtinuta este

Calculul rezistentei de iesire:

Ro=(R//Rz)/β 1∗ β 2 = ( 400Ω//20Ω)/70∗125=0,002Ω
Ro<0,03 , deci conditia de proiectare este satisfacuta.