REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA

UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA DE LA FUERZA ARMADA
MARACAIBO; ESTADO ZULIA
PROF.: ING. ORLANDO SALAZAR
SECCIÓN: TCV-6A

ALUMNOS:
Fernández, Wilfredo. C.I.: 19.936.055.
Larez, Mariné. C.I.: 17.834.650.
Masellis, Francisco. C.I.: 9.785.038.

Maracaibo; abril de 2011

 ESQUEMA

-. INTRODUCCIÓN.
-. HIMNO DE LA UNEFA.

1.- Conductor y Aislante.

2.- Semiconductor.
3.- Estructura Atómica de los Semiconductores.
3.1.- Silicio (Si).
3.2.- Germanio (Ge).

4.- Bandas de Energía.

5.- Enlaces Covalentes.

5.1.- Silicio (Si).
5.2.- Dopaje.

6.- Materiales Puros (Intrínsecos) e Impuros (Extrínsecos).

6.1.- Materiales Puros (Intrínsecos).
6.2.- Materiales Impuros (Extrínsecos).
-. Material tipo N, contaminado con Átomos Pentavalentes.
-. Material tipo P, contaminado con Átomos Trivalentes.
6.3.- Portadores Mayoritarios y Minoritarios.

7.- Diodo Unión o Semiconductor.

7.1.- Polarización Directa.
7.2.- Polarización Inversa.
7.3.- Sin Polarización.

8.- Diodo Zener.

8.1.- Características.
8.2.- Curva Característica del Diodo Zener.

9.- Curva Característica del Diodo Semiconductor.

9.1.- Tensión Umbral, de Codo o de Partida (Vγ).
9.2.- Corriente Máxima (Imax).
9.3.- Corriente Inversa de Saturación (Is).
9.4.- Corriente Superficial de Fugas.
9.5.- Tensión de Ruptura (Vr).
-. Efecto Avalancha (Diodos poco Dopados).
-. Efecto Zener (Diodos muy Dopados).
9.6.- Región Zener.

10.- Diodo Rectificador.

11.- Construcción de un Semiconductor.
11.1.- Construcción de un Diodo LED.

-. CONCLUSIÓN.
-. BIBLIOGRAFÍA.
 HIMNO DE LA UNEFA

Coro
A tus aulas cual rico panal
hoy venimos tu miel a beber
de la ciencia anhelantes soldados
bajo luz de sapiencia y de fe.

Primera Estrofa
En tus venas discurre la sabia
de la patria , de estudio farol,
y en tu surco levanta la espiga
juventud del esfuerzo creador.

Segunda Estrofa
Adalid que en tu paso adelante
vas sembrando semillas de anhelos
orientando las mentes a cumbres,
de ilusión, esperanzas y ensueños.

Tercera Estrofa
Con batuta de luz encaminas
los hombres por sendas de sol,
el deber de tu voz de campanas,
que en el alba despierta tu honor.

Letra: Coronel (GN) Guillermo Parra García.

Música: Edgar Jesús Arteaga.
 INTRODUCCIÓN

La gran mayoría de los dispositivos de estado sólido que actualmente hay en el

mercado, se fabrican con un tipo de materiales conocido como semiconductores. De ahí
que vamos a empezar nuestro estudio examinando las propiedades físicas de dichos
elementos.

Estudiaremos las características de los materiales que nos permiten distinguir un

semiconductor de un aislante y de un conductor. Veremos, además, el dopado de un
semiconductor con impurezas para controlar su funcionamiento.

El estudio anterior puede abordarse desde dos puntos de vista:

 Basándonos en la estructura cristalina de los semiconductores y, más

concretamente, en el enlace covalente.

 Desde el punto de vista energético, es decir, a través del modelo de las bandas
de energía.
1.- Conductor y Aislante: Un conductor eléctrico es un
material que ofrece poca resistencia al paso de la
electricidad. Generalmente son aleaciones o compuestos
con electrones libres que permiten el movimiento de
cargas. Cuando se aplica una diferencia de potencial a los
extremos de un trozo de metal, se establece de inmediato
un flujo de corriente, pues los electrones o cargas
eléctricas de los átomos que forman las moléculas del
metal, comienzan a moverse de inmediato empujados por la presión que sobre ellos ejerce
la tensión o voltaje. Esa presión procedente de una fuente de fuerza electromotriz (FEM)
cualquiera (batería, generador, etc.) es la que hace posible que se establezca un flujo de
corriente eléctrica a través del metal.

Por último están los materiales aislantes, cuyos átomos ni

ceden ni captan electrones. Entre esos materiales se
encuentran el plástico, la mica, el vidrio, la goma, la cerámica,
etc. Todos esos materiales y otros similares con iguales
propiedades, oponen total resistencia al paso de la corriente
eléctrica.

2.- Semiconductor: Un semiconductor es una

sustancia que se comporta como conductor o como
aislante dependiendo de diversos factores, como por
ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la
radiación que le incide, o la temperatura del ambiente
en el que se encuentre. Un semiconductor es un
elemento material cuya conductividad eléctrica puede
considerarse situada entre las de un aislante y la de un
conductor, considerados en orden creciente.

Los semiconductores más conocidos son el silicio (Si) y el germanio (Ge). Debido a
que el comportamiento del silicio es más estable que el germanio frente a todas las
perturbaciones exteriores que pueden variar su respuesta normal, será el primero (Si) el
elemento semiconductor más utilizado en la fabricación de los componentes electrónicos
de estado sólido. El proceso del germanio es absolutamente similar al del Silicio (Si).

3.- Estructura Atómica de los Semiconductores.

3.1.- Silicio (Si): Como todos los demás, el átomo de silicio tiene tantas cargas
positivas en el núcleo, como electrones en las órbitas que le rodean. (En el caso del silicio
este número es de 14). El interés del semiconductor se centra en su capacidad de dar
lugar a la aparición de una corriente, es decir, que haya un movimiento de electrones. Un
electrón se siente más ligado al núcleo cuanto mayor sea su cercanía entre ambos. Por
tanto los electrones que tienen menor fuerza de atracción por parte del núcleo y pueden
ser liberados de la misma, son los electrones que se encuentran en las órbitas exteriores.
Estos electrones pueden, según lo dicho anteriormente, quedar libres al inyectarles una
pequeña energía. En estos recaerá nuestra atención y es así que en vez de utilizar el
modelo completo del átomo de silicio (figura 1), utilizaremos la representación simplificada
(figura 2) donde se resalta la zona de nuestro interés. El átomo de Silicio (Si) contiene 14
electrones dispuestos de la siguiente forma:

-. 2 electrones en la primera capa (capa completa)

-. 8 electrones en la segunda capa (capa completa)
-. 4 electrones en la tercera capa o externa (capa incompleta).

3.2.- Germanio (Ge): El germanio es un ejemplo de semiconductor. En la figura, se

muestra un átomo de germanio. El átomo de Germanio (Ge) contiene 32 electrones
dispuestos de la siguiente forma:

-. 2 electrones en la primera
capa (capa completa).
-. 8 electrones en la segunda
capa (capa completa).
-. 18 electrones en la tercera
capa (capa completa).
-. 4 electrones en la cuarta
capa o externa (capa
incompleta).
4.- Bandas de Energía: Los niveles de energía de los electrones en los átomos de un
cristal no coinciden con los niveles de energía de los electrones para átomos aislados. En
un gas, por ejemplo, se pueden despreciar las interacciones de unos átomos con otros y
los niveles de energía no se ven modificados. Sin embargo, en un cristal el campo eléctrico
producido por los electrones de los átomos vecinos modifica los niveles energéticos de los
electrones de los átomos de sus alrededores.

De este modo el cristal se transforma en un sistema electrónico que obedece al

principio de exclusión de Pauli, que imposibilita la existencia de dos electrones en el mismo
estado, transformándose los niveles discretos de energía en bandas de energía donde la
separación entre niveles energéticos se hace muy pequeña.

La diferencia de energía máxima y mínima es variable dependiendo de la distancia

entre átomos y de su configuración electrónica. Dependiendo de la distancia interatómica y
del número de electrones de enlace entre otros factores, pueden formarse distintos
conjuntos de bandas que pueden estar llenas, vacías o separaciones entre bandas por
zonas prohibidas o bandas prohibidas, formándose así bandas de valencia, bandas de
conducción y bandas prohibidas.

En un conductor las dos bandas están solapadas, no necesitándose ninguna energía

para alcanzar la conducción. En un semiconductor la banda prohibida es muy estrecha, o
lo que es lo mismo, es muy fácil que un electrón sea liberado y pueda contribuir a la
conducción. Así en un aislante la separación entre la banda de valencia y la banda de
conducción es muy grande (» 10 eV), y esto significa que un electrón en la banda de
valencia necesita mucha energía para ser liberado y convertirse en un electrón libre
necesario para la conducción.
5.- Enlaces Covalentes: El enlace covalente consiste en el compartimiento de pares de
electrones por dos átomos, dando lugar a moléculas y puede ser polar o no polar. El
enlace covalente puede dar lugar a compuestos
sólidos cristalinos de malla rígida tridimensional
que une a cada uno de los átomos con todos los
demás, en los que la totalidad del cristal es una
sola molécula (p. ej., el cuarzo y el diamante), o
bien a moléculas discretas que, en estado sólido,
están unidas por fuerzas intermoleculares y reciben
el nombre de cristales moleculares. Estos
compuestos, en cualquiera de los estados de
agregación, están formados por las mismas
moléculas y sólo se diferencian en la ordenación de
éstas.

El modelo de enlace entre iones no se puede utilizar para explicar la unión entre
cualquier pareja de átomos. Si dos átomos son iguales, no existe ninguna razón que
justifique que uno de estos átomos se transforme en ión. Para justificar estas situaciones
se utiliza otro modelo de enlace. Cuando los átomos que forman un enlace comparten sus
electrones con la finalidad de cumplir con la regla de los ocho, se forma un enlace. El tipo
de enlace que se observa en la molécula de hidrógeno y en otras moléculas en que los
electrones son compartidos por los dos núcleos se llama enlace covalente. En la molécula
de H2 los electrones residen principalmente en el espacio entre los núcleos en donde son
atraídos de manera simultánea por ambos protones. El aumento de fuerzas de atracción
en esta zona provoca la formación de la molécula de H2 a partir de dos átomos de
hidrógeno separados. La formación de un enlace entre los átomos de hidrógeno implica
que la molécula H2O es más estable por determinada cantidad de energía, que dos
átomos separados (energía de enlace).

5.1.- Silicio (Si): Como podemos observar en

el dibujo, el átomo de silicio presenta un enlace
covalente, esto quiere decir que cada átomo
está unido a otros cuatro átomos y
compartiendo sus electrones de valencia.

Es así, porque de otra manera el silicio no

tendría el equilibrio en la capa de valencia,
necesita 8 electrones para su estabilidad. El
enlace covalente lo forman todos los elementos
del grupo IV de la tabla periódica, al cual
pertenece el silicio.
 Al aplicarle energía externa, ya sea de calor o de luz, se rompen los enlaces
quedando un electrón libre por cada enlace roto, pero a su vez, se tiene un hueco
vacío, el que ocupaba el electrón. De esta forma se obtiene corriente eléctrica, por el
movimiento de los electrones hacía los potenciales positivos y del movimiento de los
huecos hacía los potenciales negativos. Esto sucede así siempre que se utiliza al silicio
como un semiconductor intrínseco.

Cuando queremos usar el silicio como semiconductor extrínseco, se colocan

impurezas en el enlace covalente, lo cual hace que sea más fácil ganar o perder un
electrón. Pero esto, lo veremos en la página destinada a la unión N-P.

5.2.- Dopaje: se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un

semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de
cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de
semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se
los conoce como extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado que actúa más
como un conductor que como un semiconductor es llamado degenerado.

El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las

capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeño. Cuando se agregan
un pequeño número de átomos dopantes (en el orden de 1 cada 100.000.000 de
átomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos
más átomos (en el orden de 1 cada 10.000 átomos) entonces se dice que el dopaje es
alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para material
de tipo N, o P+ para material de tipo P.
6.-Materiales Puros (Intrínsecos) e Impuros (Extrínsecos).

6.1.- Materiales Puros (Intrínsecos): Un cristal

intrínseco es aquél que se encuentra puro (aunque no
existe prácticamente un cristal 100% puro); es decir, no
contiene impurezas; mientras que un cristal extrínseco es
aquél que ha sido impurificado con átomos de otra
sustancia. Al proceso de impurificación se le llama también
dopado, y se utiliza para obtener electrones libres que sean
capaces de transportar la energía eléctrica a otros puntos
del cristal.

Un material en estado intrínseco puede tener electrones

libres cuando algunos de sus electrones de valencia llegan
a romper su enlace covalente por adquirir energía adicional
debido a fuentes de calor o de luz; o bien debido a las
pocas impurezas que no han podido eliminarse; sin
embargo, la energía ganada disminuye cuando el electrón
tiene alguna colisión con otra partícula, volviendo a
cantidades de energía propias de la banda de valencia,
haciendo que el electrón viajero “se aloje”, en algún hueco
disponible, dándose el fenómeno llamado recombinación.

Los huecos que resultan de la liberación de estos Celda fundamental en un cristal de

electrones son en cantidades poco significativas; así que átomos de silicio (puntos rojos) con
un átomo de fósforo (punto verde)
tanto las cargas libres negativas o positivas en el cristal no que lo impurifica, convirtiéndolo en
serían suficientes para transportar cantidades de material extrínseco tipo N.
electricidad significativas. Por lo tanto, si se desea que un
material semiconductor pueda ser capaz de transportar la corriente eléctrica de mejor
manera, se procede a impurificarlo. El proceso de impurificación permite alterar
sensiblemente las características de los materiales semiconductores, y consiste en agregar
átomos de otra sustancia a un cristal intrínseco, que pueden periféricos de valencia, o
trivalentes (aceptores, del grupo III-a) con 3 electrones periféricos de valencia. La
diferencia del número de electrones de valencia entre el material dopante (tanto si acepta
como si confiere electrones) y el material receptor hace que crezca el número de
electrones de conducción negativos (tipo n) o los huecos positivos (tipo p).

6.2.- Materiales Impuros (Extrínsecos): Las características de los materiales

semiconductores pueden ser alteradas significativamente por la adición de ciertos átomos
de impureza a un material semiconductor relativamente puro. Estas impurezas, aunque
solo haya sido añadida 1 parte en 10 millones, pueden alterar en forma suficiente la
estructura de la banda y cambiar totalmente las propiedades eléctricas del material.
 Un material semiconductor que haya sido sujeto al proceso de dopado, se denomina un
material impuro o extrínseco. Existen dos materiales extrínsecos de gran importancia para
la fabricación de dispositivos semiconductores: el tipo N y el tipo P.

-. Material Tipo N, contaminado con Átomos Pentavalentes: Tanto el material

tipo N como el tipo P, se forman mediante la adición de un número predeterminado de
átomos de impureza al germanio o silicio. El tipo N se crea a través de la introducción de
elementos de impureza que poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes), como el
armonio, arsénico y fósforo.

Obsérvese que las cuatro uniones covalentes aún se encuentran presentes. Existe,
sin embargo, un quinto electrón adicional debido al átomo de impureza, mismo que se
encuentra desasociado de cualquier unión covalente en particular. Este electrón restante,
unido débilmente a su átomo (antimonio), se encuentra relativamente libre para moverse
dentro del recién formado material tipo N. Debido a que el átomo de impureza ha donado
un electrón relativamente “libre” a la estructura: a las impurezas difundidas con cinco
electrones de valencia se les llama como donadores.

-. Material Tipo P, contaminado con Átomos Trivalentes: El material tipo P, se

forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de silicio con átomos de
impureza que poseen tres electrones de valencia (trivalentes). Los elementos que se
utilizan con mayor frecuencia para éste propósito son el boro, galio e indio.
 Obsérvese que ahora existe un número de electrones insuficiente para completar
las uniones covalentes de la red cristalina recién formada. A la vacante que resulte se
le llama hueco, y está representado por un pequeño círculo o signo positivo debido a
la ausencia de una carga negativa. Por tanto, la vacante resultante aceptará con
facilidad un electrón “libre”: a las impurezas difundidas con tres electrones de valencia
se les conoce como átomos aceptores. El material resultante tipo P es eléctricamente
neutro, por las mismas razones descritas para el material tipo N.

6.3.- Portadores Mayoritarios y Minoritarios: En el estado intrínseco, el número de

electrones libres en Ge o Si se debe sólo a aquellos electrones en la banda de valencia
que han adquirido suficiente energía de las fuentes térmicas o lumínicas para romper
la unión covalente o a las pocas impurezas que no pudieron eliminarse. Las “vacantes”
dejadas atrás en la estructura de uniones covalentes representan una cantidad muy
limitada de huecos. En un material tipo N, el número de huecos no ha cambiado de
manera significativa de su nivel intrínseco. El resultado neto, por tanto, es que el
número de electrones supera por mucho el número de huecos. Por esta razón: en un
material tipo N, se le llama portador mayoritario y el hueco es el portador
minoritario.

Portadores Mayoritarios y Minoritarios. Material tipo N

Para el material tipo P, el número de huecos supera por mucho el número de

electrones. Por tanto: en un material tipo P, el hueco es el portador mayoritario y el
electrón es el portador minoritario. Cuando el quinto electrón de un átomo donador
deja a su átomo, el átomo restante adquiere una carga positiva neta: de ahí el signo
positivo en la representación del ión donador. Por razones análogas, el signo negativo
aparece en el ión aceptor. Los materiales tipo N y P, representan los bloques de
construcción básicos de los dispositivos semiconductores.

Portadores Mayoritarios y Minoritarios. Tipo P

7.- Diodo Unión o Diodo Semiconductor: El diodo semiconductor se forma con solo
juntar los materiales tipo P y N (construidos en la misma base: Ge o Si). En el momento en
que son “unidos” los dos materiales, los electrones y los huecos en la región de la unión se
combinan, dando por resultado una falta de portadores en la región cercana a la unión.

A esta región de iones positivos y negativos descubiertos, se les llama región de

agotamiento, debido al agotamiento de portadores en ésta región. Como el diodo es un
dispositivo de dos terminales, la aplicación de un voltaje a través de sus terminales permite
tres posibilidades: sin polarización ( ), polarización directa ( ) y polarización
inversa ( ). Cada una es una condición que dará un resultado que el usuario deberá
comprender con claridad para que el dispositivo se aplique en forma efectiva.

7.1.- Polarización Directa ( ): Una condición de polarización directa o

“encendido” se establece al aplicar el potencial positivo al material tipo P y el potencial
negativo al material tipo N, por tanto: un diodo semiconductor tiene polarización directa
cuando se ha establecido la asociación tipo P –positivo y tipo N-negativo.

La aplicación de un potencial de polarización directa, “presionara” los electrones en el

material tipo N y los huecos en el material tipo P, para que se recombinen con los iones
cercanos a la unión y reducirá el ancho de la región de agotamiento.
 El flujo de los electrones, portadores minoritarios, del material tipo P al tipo N (y de los
huecos del material tipo N al tipo P) no ha cambiado en magnitud (debido a que el nivel de
conducción se encuentra controlado básicamente por el número limitado de impurezas en
el material), pero la reducción en el ancho de la región de agotamiento ha generado un
gran flujo de portadores mayoritarios a través de la unión.

Ahora, un electrón de material tipo N, “observa” una barrera muy reducida en la unión,
debido a la pequeña región de agotamiento y a una fuerte atracción del potencial positivo
aplicado al material tipo P. Mientras se incremente en magnitud la polarización aplicada, la
región de agotamiento continuará disminuyendo su anchura hasta que un flujo de
electrones pueda pasar a través de la unión, lo que da como resultado un incremento
exponencial en la corriente.

7.2.- Polarización Inversa ( ): Si un potencial externo de V volts se aplica a

través de la unión P-N de tal forma que la terminal positiva se encuentre conectada con el
material tipo N y la terminal negativa esté conectada con el material tipo P, el número de
iones positivos en la región de agotamiento del material tipo N, se incrementará debida al
gran número de electrones “libres” atraídos por el potencial positivo del voltaje aplicado.
 Por razones similares, el número de iones negativos se incrementará en el material
tipo P. El efecto neto, por tanto, es una ampliación de la región de agotamiento. Dicha
ampliación establecerá una barrera de potencial demasiado grande para ser superada por
los portadores mayoritarios, además de una reducción efectiva del flujo de los portadores
mayoritarios a cero.

7.3.- Sin Polarización ( : Bajo condiciones sin polarización, cualquiera de los

portadores minoritarios (huecos) en el material tipo N que se encuentren dentro de la
región de agotamiento, pasarán directamente al material tipo P. Mientras más cercano se
encuentre el portador minoritario a la unión, mayor será la atracción de la capa de iones
negativos y menor la oposición de los iones positivos en la región de agotamiento del
material tipo N.

Con la idea de que surjan análisis futuros, se supone que todos los portadores
minoritarios del material tipo N que se localizan en la región de agotamiento debido a su
movimiento aleatorio pasarán directamente al material tipo P. Se puede considerar que
algo similar pasa con los portadores minoritarios (electrones) del material tipo P.
 Los portadores mayoritarios (electrones) del material tipo N, deben sobreponerse a las
fuerzas de atracción de la capa de iones positivos del material tipo N, y a la capa de iones
negativos en el material tipo P, con el fin de migrar hacia el área localizada más allá del
área de agotamiento del material tipo P.

En resumen: En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto de la

carga en cualquier dirección para un diodo semiconductor es cero.

8.- Diodo Zener: El diodo Zener, que recibe un nombre por su inventor, el Dr. Clarence
Melvin Zener, es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas
de rupturas. El diodo zener es la parte esencial de los reguladores de tensión casi
constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensión de
red, de la resistencia de carga y temperatura. Son mal llamados a veces diodos de
avalancha, pues presentan comportamientos similares a estos, pero los mecanismos
involucrados son diferentes.

El análisis de las redes que utilizan diodos Zener es muy similar al que se aplica al
análisis de diodos semiconductores. Primero debe determinarse el estado del diodo,
seguido por una sustitución del modelo adecuado, y una determinación de las otras
cantidades desconocidas de la red.

8.1.- Características: Si a un diodo Zener se le aplica una corriente de Ánodo al

Cátodo toma las características de un diodo rectificador básico. Pero si se le suministra
una corriente inversa, el diodo solo dejara pasar un voltaje constante. En conclusión: el
diodo Zener debe ser polarizado al revés para que adopte su característica de regulador de
tensión. Tres son las características que diferencian a los diversos diodos Zener entre sí:

-. Tensiones de Polarización Inversa, conocida como Tensión Zener: Es la

tensión que el Zener va a mantener constante.
 -. Corriente Mínima de Funcionamiento: Si la corriente a través del Zener es
menor, no hay seguridad en que el Zener mantenga constante la tensión en sus bornes.

-. Potencia Máxima de Disipación: Puesto que la tensión es constante, nos

indica el máximo valor de la corriente que puede soportar el Zener.
Por tanto el Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante la
tensión en sus bornes a un valor llamado tensión de Zener, pudiendo variar la corriente
que lo atraviesa entre el margen de valores comprendidos entre el valor mínimo de
funcionamiento y el correspondiente a la potencia de Zener máxima que puede disipar. Si
superamos el valor de esta corriente el Zener se destruye.

8.2.- Curva Característica del Diodo Zener: Analizando la curva del diodo Zener se
ve que conforme se va aumentando negativamente el voltaje aplicado al diodo, la corriente
que pasa por el aumenta muy poco.

Pero una vez que se llega a un determinado voltaje, llamada voltaje o tensión de Zener
(Vz), el aumento del voltaje (siempre negativamente) es muy pequeño, pudiendo
considerarse constante. Para este voltaje, la corriente que atraviesa el diodo zener, puede
variar en un gran rango de valores. A esta región se le llama la zona operativa. Esta es la
característica del diodo zener que se aprovecha para que funcione como regulador de
voltaje, pues el voltaje se mantiene prácticamente constante para una gran variación de
corriente. Ver el gráfico.

9.- Curva Característica del Diodo Semiconductor: la curva característica de un diodo

(I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta
como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con
una resistencia eléctrica muy pequeña. Debido a este comportamiento, se les suele
denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de
cualquier señal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente
continua. Su principio de funcionamiento está basado en los experimentos de Lee De
Forest.
 9.1.- Tensión Umbral, de Codo o de Partida (Vγ): La tensión umbral (también
llamada barrera de potencial) de polarización directa coincide en valor con la tensión de la
zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la
barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente,
alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensión externa supera la tensión
umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeños incrementos de
tensión se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

9.2.- Corriente Máxima (Imax): Es la intensidad de corriente máxima que puede

conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de
calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del mismo.

9.3.- Corriente Inversa de Saturación (Is): Es la pequeña corriente que se establece

al polarizar inversamente el diodo por la formación de pares electrón-hueco debido a la
temperatura, admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10º en la temperatura.

9.4.- Corriente Superficial de Fugas: Es la pequeña corriente que circula por la

superficie del diodo (ver polarización inversa), esta corriente es función de la tensión
aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de
fugas.

9.5.- Tensión de Ruptura (Vr): Es la tensión inversa máxima que el diodo puede
soportar antes de darse el efecto avalancha. Teóricamente, al polarizar inversamente el
diodo, este conducirá la corriente inversa de saturación; en la realidad, a partir de un
determinado valor de la tensión, en el diodo normal o de unión abrupta la ruptura se debe
al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la
ruptura puede deberse a dos efectos:
 -. Efecto Avalancha (Diodos poco Dopados): En polarización inversa se
generan pares electrón-hueco que provocan la corriente inversa de saturación; si la tensión
inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energía cinética de forma
que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de
conducción. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensión,
chocando con más electrones de valencia y liberándolos a su vez. El resultado es una
avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenómeno se produce
para valores de la tensión superiores a 6 V.

-. Efecto Zener (Diodos muy Dopados): Cuanto más dopado está el material,
menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo eléctrico E puede
expresarse como cociente de la tensión V entre la distancia d; cuando el diodo esté muy
dopado, y por tanto d sea pequeño, el campo eléctrico será grande, del orden de 3·105
V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de
valencia incrementándose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o
menores. Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales,
como los Zener, se puede producir por ambos efectos.

9.6.- Región Zener: La corriente se incrementa a una velocidad muy rápida en una
dirección opuesta a aquella de la región de voltaje negativo. El potencial de polarización
inversa que da como resultado este cambio muy drástico de las características se le llama
potencial Zener y se le da el símbolo de . Mientras el voltaje a través del diodo se
incrementa en la región de polarización inversa, la velocidad de los portadores minoritarios
responsables de la corriente de saturación inversa , también se incrementarán.

Eventualmente, su velocidad y energía

cinética asociada ( ) será suficiente
para liberar portadores adicionales por medio de
colisiones con otras estructuras atómicas
estables. La región de avalancha ( ) se puede
acercar al eje vertical al incrementar los niveles
de dopado en los materiales tipo P y N. Sin
embargo, mientras disminuye a niveles muy
bajos, como -5V, otro mecanismo llamado
ruptura Zener contribuirá con un cambio agudo
en la característica. Esto ocurre debido a que
existe un fuerte campo eléctrico en la región de
la unión que puede superar las fuerzas de unión
dentro del átomo y “generar” portadores.

Aunque el mecanismo de ruptura Zener es un contribuyente significativo solo en los

niveles más bajos de , este cambio rápido en la característica a cualquier nivel se
denomina región Zener, y los diodos que utilizan esta porción única de la característica de
una unión P-N son los diodos Zener. La región Zener del diodo semiconductor descrito, se
debe evitar si la respuesta de un sistema no debe ser alterada completamente por el
severo cambio en las características de esta región de voltaje inverso.

El máximo potencial de polarización inversa que puede ser aplicado antes de

entrar a la región Zener se conoce como voltaje pico inverso (VPI o PRV).

10.- Diodo Rectificador: Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la familia de

los diodos más sencillos. El nombre diodo rectificador” procede de su aplicación, la cual
consiste en separar los ciclos positivos de una señal de corriente alterna.

Si se aplica al diodo una tensión de corriente alterna durante los medios ciclos
positivos, se polariza en forma directa; de esta
manera, permite el paso de la corriente eléctrica.

Pero durante los medios ciclos negativos, el

diodo se polariza de manera inversa; con ello,
evita el paso de la corriente en tal sentido.

Durante la fabricación de los diodos

rectificadores, se consideran tres factores: la
frecuencia máxima en que realizan
correctamente su función, la corriente máxima en
que pueden conducir en sentido directo y las tensiones directa e inversa máximas que
soportarán.

Una de las aplicaciones clásicas de los diodos rectificadores, es en las fuentes de

alimentación; aquí, convierten una señal de corriente alterna en otra de corriente directa.

11.- Construcción de un Semiconductor: Se colocan dos

materiales semiconductores con contenido de carga opuesta
uno al lado del otro. un material es semiconductor como silicio o
germanio excesivamente cargado de partículas negativas
(electrones). El otro material es del mismo tipo semiconductor
con la diferencia de que este tiene la ausencia de cargas
negativas.

El diodo semiconductor está constituido fundamentalmente por una unión P-N,

añadiéndole un terminal de conexión a cada uno de los contactos metálicos de sus
extremos y una cápsula que aloja todo el conjunto, dejando al exterior los terminales que
corresponden al ánodo (zona P) y al cátodo (Zona N). El diodo deja circular corriente a
través suyo cuando se conecta el polo positivo de la batería al ánodo, y el negativo al
cátodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la conexión opuesta. Esta interesante
propiedad puede utilizarse para realizar la conversión de corriente alterna en continua, a
este procedimiento se le denomina rectificación.

11.1.- Construcción de un Diodo LED: Un diodo LED,

acrónimo inglés de Light-Emitting Diode (diodo emisor de luz) es un
dispositivo semiconductor que emite luz policromática, es decir, con
diferentes longitudes de onda, cuando se polariza en directa y es
atravesado por la corriente eléctrica. El color depende del material
semiconductor empleado en la construcción del diodo, pudiendo
variar desde el ultravioleta, pasando por el espectro de luz visible,
hasta el infrarrojo, recibiendo éstos últimos la denominación de
diodos IRED (Infra-Red Emitting Diode).

El dispositivo semiconductor está comúnmente encapsulado en una cubierta de

plástico de mayor resistencia que las de vidrio que usualmente se emplean en las
lámparas incandescentes. Aunque el plástico puede estar coloreado, es sólo por razones
estéticas, ya que ello no influye en el color de la luz emitida. Para obtener una buena
intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que atraviesa el LED; la tensión de
operación va desde 1,5 hasta 2,2 voltios aproximadamente, y la gama de intensidades que
debe circular por él va desde 10 hasta 20 mA en los diodos de color rojo, y de 20 a 40 mA
para los otros LEDs.

Como vemos el led viene provisto de los dos

terminales correspondientes que tienen
aproximadamente 2 a 2,5 cm de largo y sección
generalmente de forma cuadrada.

En el esquema podemos observar que la parte

interna del terminal del cátodo es más grande que el
ánodo, esto es porque el cátodo está encargado de
sujetar al sustrato de silicio, por lo tanto será este
terminal el encargado de disipar el calor generado hacia
el exterior ya que el terminal del ánodo se conecta al
chip por un delgado hilo de oro, el cual prácticamente no
conduce calor.

Es de notar que esto no es así en todos los leds, solo en los últimos modelos de alto
brillo y en los primeros modelos de brillo estándar, ya que en los primeros led de alto brillo
es al revés. Por eso no es buena política a la hora de tener que identificar el cátodo,
hacerlo observando cual es el de mayor superficie. Para eso existen dos formas más
convenientes, la primera y más segura es ver cuál es el terminal más corto, ese es siempre
el cátodo no importa que tecnología sea el led.
 La otra es observar la marca plana que también indica el cátodo, dicha marca plana
es una muesca o rebaje en un reborde que tiene los leds. Otra vez este no es un método
que siempre funciona ya que algunos fabricantes no incluyen esta muesca y algunos
modelos de leds pensados para aplicaciones de clúster
donde se necesitan que los leds estén muy pegados,
directamente no incluye este reborde. El terminal que
sostiene el sustrato cumple otra misión muy importante,
la de reflector, ya que posee una forma parabólica o su
aproximación semicircular, este es un punto muy crítico
en la fabricación y concepción del led ya que un mal
enfoque puede ocasionar una pérdida considerable de
energía o una proyección despareja. Un led bien
enfocado debe proyectar un brillo parejo cuando se
proyecta sobre una superficie plana.

Un led con enfoque defectuoso se puede

identificar porque proyecta formas que son copia del
sustrato y a veces se puede observar un aro más
brillante en el exterior de circulan, síntoma seguro de que la posición del sustrato se
encuentra debajo del centro focal del espejo terminal. Dentro de las características ópticas
del led aparte de su luminosidad esta la del ángulo de visión, se define generalmente el
ángulo de visión como el desplazamiento angular desde la perpendicular donde la potencia
de emisión disminuye a la mitad. Según la aplicación que se le dará al led se necesitara
distintos ángulos de visión así son típicos leds con 4, 6, 8, 16, 24, 30, 45,60 y hasta 90
grados de visión.

Generalmente el ángulo de visión está determinado por el radio de curvatura del

reflector del led y principalmente por el radio de curvatura del encapsulado. Por supuesto
mientras más chico sea el ángulo y a igual sustrato semiconductor se tendrá una mayor
potencia de emisión y viceversa.
 CONCLUSIÓN

Los semiconductores han revolucionado la electrónica moderna en todos sus campos y

han abierto un mundo sin fronteras a sus posibilidades de aplicación. La radio no ha sido
ajena a su influencia. El moderno receptor superheterodino, la televisión a color y las
videograbadoras, son apenas algunos ejemplos de este desarrollo.

La consecuencia más notable de tal revolución tecnológica ha sido el desarrollo de los

transistores y de los circuitos integrados o chips. Un circuito integrado concentra, en una
pastilla muy delgada, miles de componentes como resistencias, condensadores, diodos,
transistores, conductores, etc.

El conocimiento de la teoría básica de los semiconductores y diodos, es indispensable

para comprender cómo trabajan no solamente los transistores y los circuitos integrados
sino también los dispositivos de la llamada generación silicio.

El hecho de que en un semiconductor extrínseco existan dos concentraciones de

cargas móviles (portadores mayoritarios y portadores minoritarios), hace que el
semiconductor extrínseco tenga carácter unipolar, puesto que la conducción de corriente
puede proviene en mayor medida de un tipo de portador que de otro (electrones en el caso
de un semiconductor de tipo N y huecos en el caso de uno de tipo P).

Comparado con un semiconductor intrínseco, en un semiconductor extrínseco el

número de cargas móviles aumenta enormemente (generación intrínseca + electrones
libres provenientes de las impurezas), lo cual repercute también en un aumento muy
destacable de la conductividad.
 BIBLIOGRAFÍA

-. Electrónica Teoría de Circuitos 6° edición. Autor: Robert L. Boylestad.

-. Principios de electrónica (VI edición). Autor: Albert Paul Malvino.
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