Modele pentru tranzistoare

bipolare
Modelul static și de semnal mare (EBERS-MOLL)
• model neliniar ce exprimă
legătura dintre curenții și
tensiunile la bornele unui
tranzistor indiferent de
polarizarea celor două
joncțiuni
• În situația în care joncțiunea
E-B polarizată direct și C-B uCB
polarizată invers iC   F iE  I CB0 [exp  1]
 UT
Modelul static și de semnal mare (EBERS-MOLL)
• situație inversată,
joncțiunea E-B
polarizată invers
C-B polarizată direct
• amplificarea în curent
de la colector la
emitor, are o valoare u EB
mult mai mică,  iE   R  iC  I EB0 [exp  1]
 U T
deoarece joncţiunea
CB nu este asimetrică
Modelul static și de semnal mare (EBERS-MOLL)
forma implicită a ecuației Ebers-Moll sau modelul Ebers-Moll în funcție de
curenții la borne

uCB
iC   F iE  I CB0 [exp  1]
 UT

uCB
iE   R iC  I EB0 [exp  1]
 UT
Modelul static și de semnal mare (EBERS-MOLL)
• modelul Ebers-Moll explicit sau în funcție de tensiunea la borne

I EB0 u EB R u
iE  [exp  1]  I CB0 [exp CB  1]
1   R F  UT 1   R F  UT
 F I EB u 1 u
iC  [exp EB  1] 
0
I CB [exp CB  1]
1   R F  UT 1   R F  UT
0
Modelul static și de semnal mare (EBERS-MOLL)

I EB0 u EB u EB
 I ES iE  I ES [exp  1]   R I CS [exp  1]
1   R F  UT  UT
I CB0 u EB u EB
 I CS iC   F I ES [exp  1]  I CS [exp  1]
1   R F  UT  UT
Modelul static și de semnal mare (EBERS-MOLL)
• Curenții Ics și IES depind de
suprafața celor două
joncțiuni și de nivelul de
dopare cu impurități al
zonelor ce formează
joncțiunile respective.
• Curenții depind de
temperatură. Are loc o
dublare la fiecare creștere
de 10 grade C a
temperaturii.
 Cazuri particulare pentru modelului Ebers-Moll
Joncțiunea E-B polarizată invers, joncțiunea C-B polarizată invers,
tranzistorul blocat.
uCB
uEB  UT exp 1
 UT
uCB  UT exp 10
1
I CB0
exp
uCB
 0, iC   F I ES  I CS   R I CS  1   R 
  UT 1   R F
uCB
exp  0, iE   I ES   R I CS   F I ES  I ES  I CB0
 UT
În stare blocată, prin tranzistor nu există un curent constant, în schimb, tensiunea poate avea valori până la o limită
(străpungerea joncțiunii = limită). Într-o schemă echivalentă, se poate înlocui tranzistorul cu un circuit deschis
Cazuri particulare pentru modelului Ebers-Moll
Joncțiunea E-B polarizată direct, joncțiunea C-B polarizată direct,
tranzistorul se află în stare saturată.
În stare saturată când IC și IE sunt mari
trebuie considerate și efectul rezistențelor
RE și RC care cresc tensiunea C-E la saturație.
În stare saturată IBE nu mai controlează
curentul de colector. Acesta este determinat
de valoarea tensiunii și a rezistenței
echivalente din bucla C-E.
Într-un model echivalent simplificat putem
uCE  uCB  u EB
reprezenta tranzistorul în stare saturată
printr-un scurtcircuit între C și E.
Cazuri particulare pentru modelului Ebers-Moll
Joncțiunea B-E polarizată direct, iar joncțiunea C-B este polarizată
invers.
uCB  UT iC   F iE
 
iB  iE  iC   1   F I ES  exp
u EB
Curentul invers al joncțiunii B-E este neglijabil față  1
de cel direct. Curentul direct al joncțiunii C-B este  U T 
neglijabil față de cel invers.
Dioda dintre B și C se poate modela ca o
diodă polarizată direct
Modelarea după IB nu înseamnă că
tranzistorul bipolar este un dispozitiv
comandat de curent. IB este un efect nedorit,
curentul de colector fiind modificat de uBE.
Cazuri particulare pentru modelului Ebers-Moll
Joncțiunea B-E este polarizată invers iar joncțiunea C-B este polarizată
direct.

Nu are aplicații practice datorită 𝛼𝑅 < 1

Caracteristicile statice pentru conexiunea EC
• Caracteristica de intrare
𝑖𝐵 = 𝑓 𝑢𝐸𝐵
𝑢𝐶𝐸 =𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡

• Caracteristica de transfer
𝑖𝐶 = 𝑓 𝑢𝐵𝐸
𝑢𝐶𝐸 =𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡
𝑖𝐶 = 𝑓 𝑖𝐵
𝑢𝐶𝐸 =𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡
• Caracteristica de ieșire
𝑖𝐶 = 𝑓 𝑢𝐸𝐶
𝑢𝐵𝐸 ,𝑖𝐵 =𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡
Caracteristica de intrare
Caracteristica de intrare corespunde unei joncțiuni polarizate direct cu
un efect indirect adus de 𝛼𝑅 din partea 𝑢𝐶𝐸

uCB  uCE  u BE  U T
uCE  1  1,5V
 
ib  iE  iC  1   F    exp
u BE
  1
 U T 
 F  f uCE 
Caracteristica de transfer
Are aceiaşi formă ca şi caracteristica de intrare. Dacă se reprezintă o
caracteristică 𝑖𝐶 = 𝑓(𝑖𝐵 ) aceasta este, teoretic, o dreaptă datorită
efectului 𝑢𝐶𝐸 asupra 𝛽𝐹 (𝑇).
iCB   F iB  I CE0   F iB
 
  F 1   F    exp
u BE
iC  1
 U T 
Caracteristica de transfer arată efectul de amplificare introdus
de tranzistor prin intermediul parametrului
iC
gm  uCE  cst .
u BE
Caracteristica de ieșire
uCB  uCE  u BE  U T
uCB
iC   F iE  I CB0 [exp  1]
 UT
iC   F iE  I CB0

 uCB  I CB0
I C   F I ES  exp  1 
   UT  1   R F

Teoretic, dacă 𝑢𝐶𝐸 are o astfel de valoare încât 𝑢𝐶𝐵 ≫ 𝜂𝑈𝑇 curentul de
colector depinde de 𝑢𝐶𝐸 numai prin intermediul parametrului 𝛼𝐹 . Există o
valoare maximă pentru tensiunea C-E până la care este valabilă afirmația
anterioară. Această valoare depinde de 𝑖𝐶 și depășind-o se ajunge în situația
de străpungere C-E (curentul de colector crește foarte rapid odată cu
tensiunea C-E). Între colector și emitor tranzistorul nu se comportă ca un
generator de curent ideal, 𝑖𝐶 apare și ca variație a tensiunii C-E. Se poate ține
cont de efectul lui 𝑢𝐶𝐸 cu ajutorul tensiunii VAF.