ConvertoareEchipamenteElectroniceAvansate NoteCurs DS

Digitally signed by
Library TUM
Reason: I attest to the
accuracy and integrity
of this document
UNIVERSITATEA TEHNICĂ A MOLDOVEI
Valeriu Blajă
Note de curs
Chişinău
2021
Universitatea Tehnică a Moldovei
Facultatea Energetică și Inginerie Electrică
Departamentul Inginerie Electrică
Valeriu Blajă
CONVERTOARE ŞI
ECHIPAMENTE ELECTRONICE
AVANSATE
Note de curs
Chişinău
Editura ”Tehnica-UTM”
2021
CZU 621.315(075.8)
B5
Notele de curs prezente sunt elaborate conform curriculei
disciplinei Convertoare și echipamente electronice avansate și sunt
destinate studenţilor (masteranzilor) ciclului II, Masterat, Facultatea
Energetică şi Inginerie Electrică, precum și disciplinei Dispozitive
semiconductoare de putere destinate studenţilor ciclului I, Facultatea
Calculatoare, Informatică și Microelectronică, programul
Microelectronică și Nanotehnologii. Lucrarea propune prezentarea
dispozitivelor semiconductoare de putere moderne și convertoarelor
statice de putere aplicate în diverse domenii, sisteme și echipamente
electrice și energetice moderne: convertoare cu factor de putere unitar
pentru acționări electrice de curent continuu, variatoare de curent
alternativ, choppere, invertoare autonome, convertoare de frecvență,
compensatoare de putere reactivă și filtre electrice active (aplicate în
sistemele enegeticee de tip FACTS). Fără a utiliza un aparat matematic
prea sofisticat, în lucrare sunt explicate clar principiile de funcţionare,
modelele matematice, caracteristicile şi parametrii dispozitivelor
semiconductoare de putere și convertoarelor statice de putere moderne.
Lucrarea este adresată studenţilor tuturor specialităţilor cu profil electric
şi electronic (atât cursuri la zi, cât şi fără frecvenţă) şi poate fi, de
asemenea, utilă masteranzilor şi doctoranzilor.
Referent ştiinţific: conf. univ., dr. Tudor Ciuru
Recenzent: conf. univ., dr. Nicolae Bejan
DESCRIEREA CIP A CAMEREI NAŢIONALE A CĂRŢII DIN RM

Blajă, Valeriu.
Convertoare şi echipamente electronice avansate: Note de curs/
Valeriu Blajă; referent ştiinţific: Tudor Ciuru; Universitatea
Tehnică a Moldovei, Facultatea Energetică și Inginerie Electrică,
Departamentul Inginerie Electrică. – Chişinău: Tehnica-UTM,
2021. – 216 p.: fig., fig. color, tab.
Referințe bibliogr.: p. 209-211 (41 tit.). – 60 ex.
ISBN 978-9975-45-692-0
621.315(075.8)
B5
Bun de tipar 25.05.21 Coli de tipar 13,5 Comanda nr. 38

Hârtie ofset. Tipar RISO Formatul hârtiei 60x84 1/16
2004, UTM, Chişinău, bd. Ştefan cel Mare și Sfânt, 168
Editura”Tehnica-UTM”
2045, Chişinău, str. Studenţilor, 9/9
ISBN 978-9975-45-692-0 © UTM, 2021
CONVERTOARE ŞI ECHIPAMENTE ELECTRONICE AVANSATE
1. CONVERTOARE STATICE DE PUTERE

1.1. Noțiuni generale
Convertoarele statice de putere (CSP) sunt circuite
electronice poziționate în instalația electrică între sursa de energie
electrică și consumator, care poate avea câteva dintre următoarele
funcții [1, 2, 3]:
 conversia curentului electric de o formă, în curent electric de
altă formă;
 reglarea parametrilor și caracteristicilor curentului electric
furnizat consumatorului pentru a realiza comanda funcționării
echipamentului electric consumator;
 stabilizarea parametrilor și caracteristicilor curentului electric
furnizat consumatorului;
 poate schimba sensul fluxului de energie între sursă și
consumator, de exemplu, pentru realizarea regimului de
frânare recuperativă a mașinii electrice.
CSP sunt, practic, omniprezente în toate sistemele și
instalațiile în care are loc un consum de energie electrică (vezi
fig.1.1).
Practic, toată varietatea de CSP este clasificată în diagrama
din figura 1.2.
S CSP L
Fig.1.1. Convertorul static de putere (CSP) în instalație
electrică: S – sursa de energie electrică; L – consumator.
În etapa actuală, dezvoltarea circuitelor electronice este
caracterizată de câteva tendințe [2, 4]:
• creșterea fiabilității;
• creșterea gradului de automatizare;
• reducerea consumului de energie;
• minimizarea gabaritelor și masei;
• reducerea prețului de cost.
3
CONVERTOARE STATICE DE PUTERE
CSP
I II III
CSP de CA CSP de CC CSP mixte

1 2 3 4 5 6 7
   = =  =
=    
Fig.1.2. Clasificarea CSP:
= 
 =
1 – redresoare;
2 – variatoare de c.a.;
3 – cicloconvertoare;
4 – invertoare;
5 – choppere;
6 – convertoare de frecvență;
7 – variatoare de c.c.
Pentru o gama vastă de aplicații ale convertoarelor statice de
putere condițiile de exploatare presupun tensiuni și curenți de valori
foarte mari. Simultan cresc rigorile față de stabilitatea funcționării,
parametrii de calitate (nivelul pulsațiilor, factorul de putere),
cerințele de compatibilitate electromagnetică, separarea galvanică a
circuitelor de curenți sau tensiuni diferite.
Convertoarele statice moderne servesc nu numai pentru
reglarea și comanda fluxului de energie între sursă și consumator,
dar și transformarea energiei electrice cum ar fi, de exemplu, în
astfel de aplicații ca [4]:
• încălzirea cu inducție;
• transportul electric;
• UPS;
dar și pentru:
• distribuția energiei electrice;
• formarea unor circuite rapide de protecție;
• compensarea puterii reactive.
4
În ultimul timp, termenul “convertoare statice” este înlocuit cu

„procesoare de putere” sau „condiționere de putere”. Transformarea
energiei este realizată de circuitul de forță cuplat cu alte circuite cum
ar fi:
• sistemul de comandă;
• circuitele de protecție;
• filtrele de rețea și alte filtre;
• sistemul de control al temperaturii etc.
În circuitul de forță sunt incluse și alte dispozitive destinate
să excludă salturile de tensiune sau curentul pe ventile etc.
Funcțiile circuitului de forță nu sunt prestabilite rigid. De
exemplu, același convertor poate să asigure tensiunea stabilizată la
ieșire pentru orice regim al sursei și orice regim al consumatorului,
dar poate și să treacă într-un regim de comandă programată în care
tensiunea de ieșire va varia sau poate trece în regim de stabilizare a
curentului sau puterii.
Progresele tehnologice considerabile în industria
producătoare de dispozitive semiconductoare de putere au condus la
creșterea performanțelor și posibilităților CSP. La moment, cea mai
mare parte a CSP sunt realizate cu ventile complet comandate cum
ar fi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sau MOSFET
(Metal–Oxide–Semiconductor Field Effect Transistor) asociate cu
diode rapide.
Un moment de asemenea important este frecvența înaltă de
comutație care a permis minimizarea filtrelor pasive și a gabaritelor
CSP. Pe de o parte, filtrele asigură cerințele de compatibilitate
electromagnetică, influențând proiectarea unor convertoare cu
frecvențe înalte de comutație. O astfel de comutație este folosită cu
metoda PWM (Pulse Width Modulation).
La trecerea dintre secole, odată cu apariția și dezvoltarea
ventilelor complet comandate de putere, s-au extins considerabil
domeniile de aplicare a convertoarelor statice de putere care cuprind
practic toate sferele de activitate umană (vezi fig.1.3 [4]):
• complex energetic;
• transport;
• telecomunicații;
5
CONVERTOARE STATICE DE PUTERE
• aviație;
• astronautică;
• tehnică militară și multe altele.
Fig.1.3. Domeniile de aplicare a CSP cu dispozitive

semiconductoare de putere moderne
1.2. Convertoare statice în electroenergetică

Odată cu creșterea puterilor generate, a fluxurilor de energie
prin linie și a nivelurilor de sofisticare sunt înaintate cerințe noi față
de sistemele energetice, care permit creșterea puterilor transmise, și
anume:
❖ creșterea stabilității statice și dinamice;
❖ menținerea tensiunii în rețea;
❖ distribuirea puterii în rețele;
dar și o serie de probleme cum ar fi:
 costul înalt al liniilor noi;
 costul terenurilor pentru linii;
 capacitatea de transmitere a liniei
6
și, în același timp, liniile de joasă tensiune nu sunt încărcate.

O soluție inteligentă sunt liniile flexibile formate pe baza
convertoarelor cu dispozitive de generații noi, microprocesoare etc.
Sistemele pentru aceste linii au:
1. Linii (segmente) de curent continuu care permit
transportul unor puteri mai mari la distanțe mari.
2. Compensatoare statice cum ar fi:
• compensatoare cu compensare directă cu baterii de
condensatoare;
• compensatoare statice cu reglare fină a curentului
prin reactor.
3. Convertoare pe baza invertoarelor autonome de tensiune
care funcționează în regim de generator de putere
reactivă:
 regulator de putere montat paralel pe barele liniei;
 regulator de putere montat serie, a cărui înfășurare
primară este montată în linie în serie;
 conexiunea mixtă în linie;
 regulator de defazaj format din redresor montat pe
barele liniei paralel și invertor serie cu un
condensator comun pentru ambele în circuitul de
curent continuu.
4. Dispozitiv de compensare serie.
5. Acumulatoare de energie electrică pentru multiplexare
(separare) în timp a proceselor de generare și consum de
energie. În momentele necesare energia este întoarsă în
rețea. Tipurile de sisteme acumulatoare pot fi:
 stații hidroacumulatoare;
 acumulatoare electrochimice;
 acumulatoare condensatoare;
 acumulatoare supraconductoare inductive.
7
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE
2. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

2.1. Nivelul actual și perspectivele dezvoltării dispozitivelor
semiconductoare de putere
Dispozitivele semiconductoare de putere (DSP) în cadrul
convertoarelor funcționează în regim de comutație. Prin urmare, ele
realizează funcțiile unui întreruptor (poartă) electronic. Când
întreruptorul este deschis (dispozitivul este blocat), el este parcurs
de un curent neglijabil, dar pe el se poate aplica o tensiune înaltă,
iar puterea consumată este aproape de zero. Dacă întreruptorul este
închis (dispozitivul este în conducție), prin el circulă un curent
foarte mare (de regulă, determinat de sarcină), căderea de tensiune
pe el este dorită cât mai aproape de zero, încât pierderile pe
dispozitiv să fie neglijabile în comparație cu puterea transmisă
consumatorului.
Deoarece în circuitele electronicii de putere are loc conversia
energiei electrice, una dintre caracteristicile cele mai importante
este randamentul (eficiența energetică). Reieșind din cele
menționate, rezultă că pierderile în ventile și alte elemente de circuit
contează foarte mult, spre deosebire de electronica analogică sau
digitală de curenți mici, în care în prim-plan sunt puse caracteristici
cum ar fi amplificarea, factorul distorsiunilor și raportul semnal-
zgomot.
În CSP sunt folosite DSP: ventile necomandate (diode,
diacul), ventile semicomandate (tiristorul, triacul) și ventile complet
comandate (tiristoare cu stingere pe poartă, tranzistoare bipolare de
putere, tranzistoare unipolare de putere ș.a.).
Dispozitivele tradiționale de la care a pornit electronica de
putere sunt:
• diodele de putere;
• tiristoarele convenționale;
• tiristoarele cu stingere pe poartă GTO (Gate Turn Off);
• tranzistoarele bipolare de putere PBT (Power Bipolar
Transistor).
Însă, în ultimul timp, mai mult sunt înlocuite cu dispozitive cu efect
de câmp (MOSFET și IGBT).
8
În ultimele decenii s-a manifestat o creștere permanentă a

performanțelor CSP însoțită de scăderea gabaritelor lor datorită
perfecționării continue a componentelor semiconductoare și
implementării tehnicii digitale, inclusiv microprocesoarelor și
microcontrollelor. La trecerea dintre secole, odată cu apariția și
dezvoltarea ventilelor complet comandate de putere, s-au extins
considerabil domeniile de aplicare ale convertoarelor statice de
putere care cuprind practic toate sferele de activitate umană:
complex energetic, transport, telecomunicații, tehnică militară și
multe altele (vezi figura 1.3).
Printre noile realizări în domeniul dispozitivelor
semiconductoare de putere se pot menționa: dioda rapidă, dioda
dublă cu avalanșă controlată, tiristorul rapid, GTO, PBT, MOSFET
de putere, IGBT. La moment, majoritatea CSP sunt realizate cu
IGBT sau MOSFET asociate cu diode rapide. Aceste DSP sunt
realizate pentru o gamă foarte vastă de valori ale tensiunilor,
curenților și puterilor, ajungând la mii de amperi și volți și sute de
kiloWați.
Obiectivele-cheie ale dezvoltării ulterioare a DSP sunt
următoarele [4]:
• creșterea performanțelor de comutare (curent, tensiune);
• reducerea pierderilor în DSP, precum și în circuitele de
control și de protecție;
• extinderea intervalului de temperaturi de funcționare;
• extinderea termenului de exploatare și a fiabilității;
• reducerea parametrilor necesari de controlat și de protecție;
• reducerea prețului de cost.
9
2.2. Diode semiconductoare de putere

Dioda este un element al circuitului electric cu două terminale, care
manifestă conductivitate unilaterală (proprietate de redresare). În dioda
semiconductoare, pentru a asigura proprietatea de conductibilitate
unilaterală, în cristalul semiconductor este formată joncţiunea p-n.
Joncţiunea p-n reprezintă un cristal semiconductor în care un domeniu are
conductivitate de tip p, iar altul – conductivitate de tip n. Structura
simplificată a joncţiunii p-n, simbolul grafic al diodei semiconductoare şi
I
A p n K A K
a b c U
Fig.2.1. Structura simplificată a joncţiunii p-n (a),
simbolul grafic al diodei semiconductoare (b)
şi caracteristica statică a diodei ideale (c)
caracteristica statică a diodei ideale sunt reprezentate în figura 2.1 [5].
Diodele redresoare vor ocupa și în continuare o pondere importantă în
CSP. Cu toate că acest tip de dispozitive este foarte bine studiat și dezvoltat,
evoluția lor și dezvoltarea tehnologiei de fabricare continuă. Limitele atinse la
momentul actual pentru diodele de putere sunt peste 10 kV în tensiune și peste
8 kA în curent [4]. Un loc aparte îl ocupă diodele rapide moderne, rămânând
să fie produse pe siliciu prin aplicarea unor tehnologii moderne cum ar fi
structurile trench, celule cu diode Schottky, folosirea radiației pentru
reducerea duratei de viață a purtătorilor de sarcină. Valoarea limită a tensiunii
de blocare pentru diodele rapide este de 8 kV. De asemenea, se produc diode
rapide pe alte materiale semiconductoare cum ar fi: CaAs, SiC care pot deveni
dominante pentru aplicații de înaltă frecvență și temperaturii foarte înalte. De
asemenea, este prevăzută apariția diodelor rapide pe alte materiale ca GaN și
pe pelicule de diamant.
Un loc special îl ocupă diodele Schottky care au structura metal–
semiconductor. În aceste structuri lipsește efectul de acumulare a
purtătorilor de sarcină, fapt care le face mult mai rapide. Aceste structuri
sunt caracterizate de valori mai mici (în comparație cu joncțiunea p-n) ale
tensiunii pe dioda în conducție de câteva zecimi de volt, dar curentul
invers are valori mai mari [4].
10
2.2.1. Joncțiunea p-s-n

Diodele de putere trebuie să poată funcționa la curenți mari la
polarizare directă (de circa zeci sau sute de Amperi), asigurând o
cădere mică de tensiune pe ventil, și să poată funcționa la tensiuni
foarte înalte (de câțiva kiloVolți) la polarizare inversă.
Pentru funcționare la curenți mari cu cădere de tensiune mică
ambele domenii ale joncțiunii p-n trebuie să fie puternic dopate.
Însă în acest caz crește valoarea Eint (câmpului electric intern) în
joncțiunea p-n, și, prin urmare, scade valoarea maxim admisibilă a
tensiunii inverse repetitive URRM. −+ −−− + +
Ieșirea din situație a fost A −+ +
+ K
− p − + s− − − + n
găsită în structura p-s-n, în care −+ +
+ +a
−+ −−− + +
domeniile p și n sunt dopate − +
n, p
puternic, iar între ele este plasat
(format) un domeniu s cu dopare
slabă de tip p (vezi fig. 2.2) [6, 7]. b
Grosimea stratului s nu trebuie să x
depășească lungimea de difuzie a q
purtătorilor de sarcină.
La polarizare directă, x
datorită satisfacerii acestei c
condiții, majoritatea purtătorilor de 
sarcină injectați reușesc să ajungă x
din domeniul n în p, iar din p în n,
și recombinarea lor în domeniul s
d
este redusă, deoarece domeniul s
este slab dopat.
La polarizarea inversă, Fig.2.2. Joncţiunea p-s-n
domeniul de sarcină spațială polarizată invers:
a − structura;
(DSS) se extinde mult în domeniul
s și n și, prin urmare, curentul b − profilul concentraţiei
invers va fi mic, iar tensiunea de purtătorilor de sarcină;
străpungere mare. c − profilul sarcinii electrice;
d − profilul potenţialului
11
2.2.2. Regimul dinamic

Deoarece trecerea diodei semiconductoare din stare de
conducție în stare blocată și invers nu poate avea loc momentan, la
aceste treceri ale diodei de putere apare un regim tranzitoriu numit
regim de comutație sau dinamic. Importante sunt pierderile care au
loc în diodă în timpul acestui regim.
iF 2.2.2.1. Comutație directă
IF La comutația directă dioda este trecută
din stare nepolarizată în conducție prin
t aplicarea unei tensiuni directe (vezi fig.2.3)
uF [6, 7]. Durata de timp tfr este scurtă, deoarece
reprezintă timpul în care purtătorii de sarcină
invadează domeniul s.
tfr este definit din momentul aplicării polarizării
UF directe până la stabilirea valorii de 1,1UF.
t UF este căderea de tensiune pe dioda în
tfr conducție.
Fig.2.3. Diagrame Timpul tfr este relativ mic în diode și
temporale ale depinde de tipul diodei și elementele
curentului iF și circuitului de comutație.
tensiunii uF Variația tensiunii uF depinde de panta
diodei de putere la (viteza de creștere) a curentului și valoarea lui
comutare în direct staționară IF, care depinde de parametrii
circuitului.
2.2.2.2. Comutație în invers
Dacă dioda este în conducție cu curentul IF și pe diodă se
aplică o tensiune inversă UR în momentul t1, ea nu se va bloca
momentan, deoarece în joncțiune sunt mulți purtători de sarcină,
care trebuie eliminați din structură prin difuzie și recombinare.
La aplicarea tensiunii inverse dioda este blocată numai pentru
purtătorii majoritari, dar rămâne polarizată direct pentru purtătorii
minoritari, care formează o sarcină stocată în joncțiune și care
trebuie disipată prin recombinare cu un curent invers. La sfârșitul
acestui proces rămân regiuni cu sarcină spațială, care se comportă
ca o capacitate dependentă de tensiune.
12
Încărcarea acestei iF
capacități solicită un curent IF
invers suplimentar.
După aplicarea tensiunii
inverse uR (vezi fig. 2.4) [6, 7] trr
curentul scade de la valoarea IF ts tf IR
diF t4 t
spre zero cu viteza − ,
t1
dt t2 t3
după care continuă să scadă
până la IRM=IRRM, iar în
continuare revine spre zero Qs Qf
stabilizându-se la valoarea IR. IRM iR
IRRM se numește curent invers uF
de revenire maximal. t
Din momentul t3, când
IRM=IRRM, atestăm a doua
etapă a procesului de comutare
în invers, în timpul căreia UR
curentul de drift al purtătorilor
majoritari încarcă capacitatea URM
de barieră Cb. uR
Deoarece rezistența Fig.2.4. Diagrame temporale ale
joncțiunii polarizate invers crește curentului și tensiunii diodei
considerabil, curentul prin diodă la comutare în invers
scade exponențial. Variația
bruscă a curentului de la IRRM spre IR provoacă apariția unei supratensiuni
negative de comutație cu valoarea maximală URM datorită energiei
câmpului magnetic acumulată (înmagazinată) în inductanța circuitului.
Prin urmare, la comutația în invers curentul este constituit din
trei componente:
1. Componenta ce corespunde disipației sarcinii mobile
minoritare stocate. Disiparea are loc prin recombinare.
2. Curentul de extracție a purtătorilor de sarcină stocați, care
are loc prin acțiunea tensiunii externe.
3. Curentul de încărcare a capacității de barieră.
13
În continuare vom defini mărimile caracteristice procesului de

comutare în invers. Intervalul de timp de la momentul t2 până la t3
ts=t2-t3 se numește timp de stocare (acumulare), ts este proporțional
cu timpul mediu de viață a purtătorilor minoritari stocați.
Timpul tf=t4-t3 (de la t3 la t4) t4, fiind momentul când dioda este
blocată definitiv, se numește timp de cădere.
Timpul de la t2 la t4, adică tr2=t3+tf, se numește timp de
revenire în invers a diodei.
ts
Qs =  i R dt este sarcina stocată în joncțiune care trebuie

0
eliminată ca dioda să revină la capacitatea de blocare.
Dacă aproximăm curba curentului invers de la t3 la t4 cu un
triunghi, scriem:
I t
Qs = RRM s , (2.1)
2
diF
iar I RRM  t s  − , (2.2)
dt
prin urmare, obținem:
1
 2
 
ts =  2Qs 
. (2.3)
 diF 
 − 
 dt 
Valoarea maximală a supratensiunii inverse URM poate fi
calculată din bilanțul energetic al procesului de transfer al energiei
din inductanța de comutație spre capacitatea globală de la bornele
diodei (proces oscilatoriu):
C (U RM − U R ) = Wcom + CU R2 − W pierderi ,
1 2 1
(2.4)
2 2
unde: Wcom – energia de comutație;
Wpierderi – amorsarea rezistivă a oscilațiilor.
1
Wcom = 2
Lc I RRM , (2.5)
2
unde: Lc este inductanța de comutație.
14
Pentru prima oscilație, când curentul scade de la IRRM la IR,

pierderile pot fi neglijate, și, prin urmare:
1
 2Wcom 2 (2.6)
U RM = UR +  + U R2  .
 C 
Când Wcom0, supratensiunea tranzitorie este URM=2 UR.
În funcție de valoarea trr diodele se clasifică astfel:
 normale – cu trr>10 s;
 rapide – cu trr<10 s.
În final: pentru obținerea unei diode cu trr mic este necesar:
 durata medie de viață a purtătorilor minoritari
să fie mică (prin dopare specială);
 capacitatea de barieră Cb să fie redusă
(suprafața joncțiunii – mică);
 să se reducă sarcina stocată Qs prin realizarea
unor joncțiuni subțiri.
iF
2.2.3. Puterea disipată în diodă 2
Puterea activă P disipată de diodă în convertor,
care succesiv este în conducție și blocată, este [6]:
P=PF+PR+Pc, (2.7)
unde: PF – puterea disipată în conducție directă; 0 1 uF
PR – puterea disipată în stare blocată; UTO
T Fig.2.5.
1
PF =  uF i F dt = PFAV , (2.8) Aproximarea
T0 C I-V a diodei
Pc – puterea disipată în comutație.
Deoarece iF vs uF este caracteristica statică la polarizare directă,
care poate fi aproximată prin două segmente (vezi fig.2.5) [6, 7]:
T T T
0 (uTO + rT iF )iF dt = uTO  T 0 iF dt + rT  T 0 iF dt , (2.9)

1 1 1 2
PF =
T
unde:
T
1 – valoarea medie a curentului direct;
T i
0
F dt = I FAV
T
1 2
T 0
i F dt = I FRMS
2
– valoarea efectivă a curentului direct.
15
Deci: PF=UTOIFAV+rTI2FRMS=IFAV(UTO+rTk2fIFAV), (2.10)

unde kf este factorul de formă a curentului.
Deci, PF depinde de caracteristica diodei (UTO și rT) și de
forma de undă a curentului direct al diodei.
PRM=URRMIRM, (2.11)
unde IRM este curentul invers maximal (din catalog). UR=URRM.
Deoarece dioda funcționează în convertor la tensiuni inverse
mai mici ca URRM, puterea disipată în stare blocată:
T
1
PRAV = PR = U RAV I RM = I RM   uR ( t )dt este neglijabilă față de PF.
T0
Curentul invers depinde de temperatură.
Deci, puterea disipată în dioda în stare blocată este:
PRT 2 = PRT 1  e  (T2 −T1 ) ,
(2.12)
unde: PRT1 și PRT2 sunt puterile disipate în invers la
temperaturile joncțiunii T1 și T2 (T1 < T2),
iar  este coeficient ((0,030,07) K-1).
Puterea în comutație: Pc=Wcomf,
unde Wcom este energia de comutație într-o comutare,
iar f este frecvența de comutație.
Într-un circuit inductiv:
1 1 di di I t di
Wcom = 2
Lc I RRM = Lc I RRM  t s − F = Lc − F  RRM s = Lc − F  Qs . (2.13)
2 2 dt dt 2 dt
diF U R di
Panta de scădere a curentului − = , prin urmare: Lc  − F = U R .
dt Lc dt
Deci, Wcom=URQs, adică Wcom este proporțională cu Qs.
Pentru diodele de putere din convertoarele statice, care
funcționează la frecvențe de comutație relativ mici, puterea disipată
în comutație este mult mai mică decât PF, prin urmare: PF PF.
16
2.2.4. Dioda Schottky

În diodele Schottky, contactul metal-semiconductor (vezi
figura 2.6) (contact Schottky) îndeplinește rolul joncțiunii p-n. Cea
mai mare diferență dintre diodele p-n și diodele Schottky constă în
faptul că în diodele p-n atât electronii, cât și golurile participă la
formarea curentului (dioda p-n este un element bipolar), iar în
diodele Schottky un singur tip de purtători de sarcină este
responsabil pentru formarea curentului (element unipolar). Acest
fapt are un impact deosebit de puternic asupra comportamentului
dinamic. M − +
− + n-Si
Electronii trec din domeniul A − +
− +
K
semiconductorului (n-Si) în metal, iar − +
− +
a
în semiconductor la suprafața de
separație rămân ioni pozitivi. Prin q
urmare, în condiție de echilibru termic b
la suprafața de separație apare un strat
x
electric dublu, care creează o barieră
de potențial φc, ce poate fi modificat
prin aplicarea tensiunii de polarizare.

Deci, comportarea structurii M-S x
poate fi analizată prin analogie cu
c c
joncțiunea p-n.
La polarizare directă crește
componenta de electroni, care trec din Fig.2.6. Structura M-S:
semiconductor în metal. Prin urmare,
a − structura;
curentul este format numai din
b − profilul sarcinii electrice;
purtători majoritari – electroni, și nu
există sarcini formate de purtătorii c − profilul potenţialului.
minoritari.
La polarizare inversă curentul prin structura M-S este format de
fluxul de electroni din metal spre semiconductor, care este foarte mic.
Deoarece nu exzistă fenomenele de injecție și de stocare
(acumulare) a purtătorilor minoritari, care limitează viteza de
funcționare (răspuns) în cazul structurii p-n; structura M-S poate fi
folosită la înalte frecvențe.
17
Performanțele diodelor Schottky

A (DS) sunt limitate de comportarea la
SiO2 M SiO2 polarizare inversă: tensiunea de
n - strat epitaxial străpungere este mică, deoarece
+
n - substrat intensitatea câmpului electric intern la
suprafața de separație este înaltă.
K Pentru a mări tensiunea de străpungere
structura diodei Schottky (vezi figura
Fig.2.7. Structura DS 2.7) poate fi îmbunătățită prin câteva
soluții [6, 7]:
1. Prin înconjurarea pe toată circumferința structurii M-
S cu un inel de gardă realizat prin difuzie cu dopant de
tip p (vezi figura 2.8).
2. Stratul de metal este depus parțial și peste stratul de
SiO2 (vezi figura 2.9). În acest caz, DSS se extinde și
intensitatea câmpului electric intern scade, deci, crește
tensiunea de străpungere.
A A
SiO2 M SiO2 SiO2 M SiO2
p p DSS
n - strat epitaxial n - strat epitaxial
n+ - substrat n+ - substrat
K K
Fig.2.8. Structura DS cu Fig.2.9. Structura DS cu
inel de gardă DSS extins
18
În DS joncțiunea M-S servește ca joncțiune de blocare. În

stare de conducție trebuie depășită doar o barieră de potențial mică
dintre metal și semiconductor (circa de 0,3_V pentru siliciu). În DS
nu există tensiune de difuzie ca în joncțiunea p-n, așa cum se
întâmplă în diodele p-s-n (aproximativ 0,7_V pentru Si). Acest fapt
asigură o tensiune de conducție mai mică decât la orice diodă p-s-n,
cu condiția ca domeniul n să fie subțire. Când diodele Schottky sunt
blocate aproape de tensiunea de blocare, curentul invers (off-state)
va crește considerabil. Acest lucru trebuie luat în considerare la
calculul pierderilor astfel, încât să se poată asigura stabilitatea
regimului termic.
Când este realizată comutarea în invers, în caz ideal, numai
DSS conține sarcină stocată. Din acest motiv, sarcina stocată este de
circa zece ori mai mică decât în dioda p-s-n, provocând astfel
pierderi de comutare foarte mici. Prin urmare, dioda Schottky este
foarte aproape de a fi o diodă ideală. DS este deosebit de potrivită
pentru utilizarea la frecvențe foarte înalte și ca diodă snubber cu o
tensiune în conducție extrem de scăzută.
Pentru siliciu, aceste avantaje sunt limitate la tensiuni <100_V.
Pentru aplicații cu tensiuni de blocare mai mari, domeniul n trebuie
extins și, ca urmare, tensiunea în conducție va crește considerabil.
Pentru aplicații în această gamă de tensiuni sunt folosite materiale
semiconductoare cu o intensitate admisibilă mai mare a câmpului
electric, cum ar fi GaAs (_600_V) sau SiC (_1700_V) [6, 7].
Diodele Schottky pe aceste materiale au caracteristici similare în
stare de conducție ca diode p-s-n, dar păstrează avantajele DS în
comutație. Costul materialelor menționate și fabricarea diodelor pe
baza acestora sunt totuși atât de mari, că are sens să fie folosite în
aplicații care necesită o eficiență foarte înaltă, sau pentru frecvențe
de comutare sau temperaturi foarte înalte.
19
2.3. Regimul termic al diodei

Încălzirea diodei este cauzată de următoarele:
 pierderi în structură;
 posibilitatea de evacuare de căldură.
Calculul regimului termic îl vom face folosind analogia cu
calculul circuitelor electrice în modul următor:
Tabelul 2.1
Corespundere analogică Mărimi electrice–Mărimi termice
Electrice Termice
Mărime Simbol Unitate Mărime Simbol Unitate
de de
măsură măsură
Tensiune U V Încălzire Δ K
Curent electric I A Putere disipată P W
Rezistență electrică R  Rezistență termică Rth K/W
Capacitate electrică C F Capacitate termică Cth J/K
Conductivitate  S/m Conductivitate  W
electrică termică mK
2.3.1. Încălzire în regim permanent

Schema termică este analogică cu schema circuitului electric
de curent continuu (permanent) (vezi figura 2.10) [6, 7]. Prin
urmare, încălzirea este:
Δ=RthP (2.14)
U R Δ
I P Rth
U=RI masă Δ =RthP masă

a electrică b termică
Fig.2.10. Scheme analogice:
a – electrică; b – termică.
În diodă sursa termică este joncțiunea (chip-ul), iar mediul
ambiant este masa termică. Atunci:
ΔjA=Tj - TA=RthjA P, (2.15)
20
unde: ΔjA este încălzirea joncțiunii în raport cu mediul ambiant;

Tj – temperatura joncțiunii;
TA – temperatura mediului ambiant;
RthjA – rezistența termică joncțiune-mediu ambiant;
P – puterea disipată în diodă.
Pentru evitarea distrugerii diodei, Tj trebuie să fie mai mică ca
TVSM – temperatura virtuală maxim admisibilă (din catalog).
Tj =TA+RthjAP<TVSM. (2.16)
Pentru cazul când dioda este montată pe un singur radiator
(răcire unilaterală) schema termică este prezentată în figura 2.11.
RthjC RthCK RthKA
TA
Tj TC TK
Fig.2.11. Schema termică pentru regimul permanent al diodei
cu răcire unilaterală
RthjA este calculată, reieșind din schema termică echivalentă
pentru regimul permanent și modul de răcire a diodei:
RthjA = RthjC ()+RthCK+RthKA. (2.17)
unde: RthjC () este rezistența termică joncțiune-capsulă;
RthCK – rezistența termică capsulă-radiator;
RthKA – rezistența termică radiator-mediu ambiant.
Pentru răcire bilaterală, când dioda este montată între două
radiatoare, schema termică este reprezentată în figura 2.12.
RthKA RthCK RthjC() R1thjC() R1thCK R1thKA

TA TA
TK TC Tj Tj TC TK
catod anod
Fig.2.12. Schema termică pentru regimul permanent al diodei
cu răcire bilaterală
Această schemă poate fi simplificată până la un caz analogic

cu cel unilateral în modul reprezentat în figura 2.13, iar rezistențele
termice rezultante pot fi calculate:
RthjA = RthjCb ()+RthCKb+RthKAb, (2.18)
21
RthjC() RthCK RthKA
TA
Tj TC TK
R1thjC() R1thCK R1thKA

Fig.2.13. Schema termică modificată pentru regimul permanent
al diodei cu răcire bilaterală
RthjC  RthjC
1
RthjCb = ,
unde : RthjC + RthjC
1
RthKC  RthCK
1
(2.19)
RthCKb = ,
RthCK + RthCK
1
RthKA  RthKA
1
RthKAb = .
RthKA + RthKA
1
T j − TC
RthjC ( ) = ,
P
TC − TK
RthCK = , (2.20)
P
TK − TA
RthKA = .
P
Din schemele termice putem determina rezistențele termice:
RthjCb () depinde de forma de undă a curentului și unghiul de
conducție : RthjC() = RthjC DC +Δr, (2.21)
unde: RthjC este rezistența termică joncțiune-capsulă pentru
DC
regimul de curent continuu (din catalog);
Δr – rezistența termică adițională care depinde de  (din catalog).
Dacă luăm ca referință temperatura capsulei TC, atunci putem
defini temperatura joncțiunii în modul următor:
Tj =TC+RthjC()P. (2.22)
22
2.3.2. Evitarea ambalării termice

Puterea generată în dioda în funcționare [6]:
 (T −T )
P = PF + PR + PC = PF + PR0  e j A + uR  f  Qs , (2.23)
unde: PR0 este puterea în invers la temperatura TA.
Temperatura joncțiunii este:
(
 T j −TA )
T j = TA + RthjA  P = TA + RthjA  PF + RthjA  PR0  e + RthjA  uR  f  Qs , (2.24)
Expresia (2.24) demonstrează posibilitatea apariției efectului
de ambalare termică în urma căruia Tj poate depăși TVJM. Dacă
crește TA, crește și valoarea Tj și, de asemenea, crește PR și PC. De
aici rezultă din nou o creștere suplimentară a Tj.
Ambalarea termică poate fi provocată și de variația PF.
Pentru evitarea acestui fenomen, puterea generată în
funcționare din expresia (2.23) trebuie să fie mai mică sau egală cu
puterea maximă, care poate fi disipată de sistemul de răcire:
T j − TA
Pdis = ; (2.25)
RthjA
dP
și viteza de variație a puterii generate trebuie să fie mai mică
dT j
dPdis
ca viteza de variație a puterii disipate :
dT j
dP dPdis
 . (2.26)
dT j dT j
Reieșind din ipoteza că pierderile PF nu depind de
temperatură, obținem din expresiile (2.23) și (2.26):
(
 T j −TA ) dQs 1
  PR0  e + uR  f   , (2.27)
dT j RthjA
23
1
sau RthjA  . (2.28)
dQs
  PR + uR  f 
dT j
Deci, expresia (2.15) este condiția pentru RthjA ca să nu aibă
loc ambalarea termică:
(
P = PF = PFAV = I FAV  uTO + rT  k 2f  I FAV , ) (2.29)
unde: f=50 Hz,
IFAV este curentul mediu-limită,
T j − TA TVjM − TA TVjM − TA
Pdis = = = . (2.30)
RthjA RthjC ( ) + RthCK + RthKA RthjCDC + r + RthCA
Deoarece PFAV= Pdis, obținem:
TVjM − TA
RthCA + r = − RthjCDC . (2.31)
PFAV
La frecvențe mici, la care putem neglija pierderile de
comutație, obținem:
1
RthjA  . (2.32)
  PR
2.3.3. Încălzire în regim tranzitoriu
Pentru regimul tranzitoriu de funcționare a diodei schema
termică echivalentă include și capacitate termică, deoarece trebuie
să ținem cont de acumularea unei cantități de căldură din cea
dezvoltată în joncțiune, iar rezistențele termice sunt rezistențe
dinamice.
P(t) T (t) rSi rMo rC rfr rK
j TC(t) TK(t)
Fig.2.14. Schema termică pentru regimul tranzitoriu al diodei
24
Schema termică echivalentă pentru regimul tranzitoriu (vezi

figura 2.14) [6, 7] include următoarele elemente:
 placheta de siliciu (chip-ul);
 suportul (piedestal) din molibden;
 capsula;
 trecerea capsulă-radiator;
 radiatorul.
Elementele schemei termice pot fi calculate din gabaritele
construcției și caracteristicile materialelor.
Pentru realizarea calculului termic în regim tranzitoriu
introducem noțiunea de constantă de timp prin analogie cu calculul
electric =rC. Valorile reale ale constantelor de timp pentru
elementele reprezentate în figura 2.14 sunt date în tabelul 2.2. Din
tabel se poate observa că valorile acestor constante sunt foarte
diferite. Tabelul 2.2
În procesul de încălzire fiecare Constantele de timp ale
capacitate termică intervine doar elementelor schemei termice
după ce este încărcată cea Constanta Ordinul
precedentă. Căldura degajată prin de timp valorii
trecerea unor impulsuri de curent cu Si milisecunde
durata până la 10 ms trebuie preluată Mo sute de
exclusiv de placheta de siliciu milisecunde
C secunde
(Si<10 ms). Radiatorul se încălzește K minute
după timpi de ordinul minutelor.
La încălzirea periodică de
scurtă durată, radiatorul determină curentul ΔjC
diodei. Dacă i1_s, capacitatea termică a
radiatorului integrează impulsurile de căldură P
la o temperatură medie, valoarea căreia
depinde de căderea de căldură în interior. t
Schema termică reprezentată în figura Fig.2.15. Evoluția în
2.14 nu poate fi aplicată în practică pentru timp a regimului termic
calcule, deoarece nu se pot calcula exact pentru semnal treaptă
rezistențele termice, iar erorile sunt mari.
Impedanța termică (tranzitorie) pentru curent continuu, când se
25
aplică semnalul treaptă, este definită în mod experimental (vezi

figura 2.15):
 jC (t )
Z thjC DC (t ) = , (2.33)
P
unde ΔjC(t) este diferența de temperatură joncțiune-capsulă la
momentul t cu P=const.
În cadrul proceselor de încălzire sau răcire în regim constant
a unui corp omogen temperatura variază exponențial și, prin urmare,
pentru Zth scriem:
k  −
t

Z thjC DC (t ) =  ri 1 − e
 ti , (2.34)

i =1 


iar schema echivalentă termică pentru regimul tranzitoriu al diodei
poate fi reprezentată ca în figura 2.16.
r1 r2 r3 rk
P(t)
...
Tj(t) TC(t)
C1 C2 C3 Ck
ΔjC(t)
Fig.2.16. Schema termică echivalentă
pentru regimul tranzitoriu al diodei
În această schemă sunt suficiente patru celule (k=4).
Impedanța termică tranzitorie ZthjC depinde de forma curentului
direct care parcurge dioda:
Z thjC DC  (t ) = Z thjC DC (t ) + r ( ), (2.35)
unde:
ZthjC DC este impedanța termică joncțiune-capsulă tranzitorie pentru
regimul de curent continuu;
Δr – rezistența termică adițională.
La aplicarea unui impuls de putere dreptunghiular, acesta
poate fi considerat ca suma efectelor aplicării unui impuls-treaptă
pozitiv în momentul t0 și a unui impuls-treaptă negativ în momentul
t1 (vezi figura 2.17).
26
Pp t0 t1 t
t0 t
Pn t1
t
ΔjC
t0 t1 t
Fig.2.17. Evoluția în timp a regimului termic

pentru semnal impuls dreptunghiular
Prin urmare, la aplicarea unei serii de impulsuri de putere vom
obține regimul reprezentat în figura 2.18.
t
ΔjC
t
Fig.2.18. Evoluția în timp a regimului termic pentru semnal
serie de impulsuri
27
2.4. Tiristoare
2.4.1. Noţiuni generale
Tiristorul este un dispozitiv semiconductor cu două stări stabile:
în conducţie (amorsat) şi blocat şi cu o structură formată din patru
straturi cu tip de conductibilitate diferită situate consecutiv în ordinea
p-n-p-n. Comanda tiristorului (comutarea dintr-o stare în alta) este
realizată printr-un semnal de comandă (în curent, tensiune sau flux
luminos) aplicat din exterior. Tiristoarele pot fi fără terminal de
comandă – diodice sau cu terminal de comandă – triodice.
Simbolurile grafice ale tiristoarelor sunt reprezentate în fig. 2.19.
În tiristorul diodic – diodă Schokley – amorsarea are loc în momentul
în care tensiunea pe anod atinge o anumită valoare. În tiristorul triodic
amorsarea are loc prin circuitul terminalului de comandă – grilă
(poartă). Tiristoarele sunt ventile comandate. Ele pot fi
semicomandate, dacă amorsarea are loc sub acţiunea semnalului de
comandă pe grilă, iar blocarea poate fi realizată numai prin circuitul
anodic. În tiristoarele complet comandate – tiristoare cu stingere pe
poartă (TSP sau GTO − Gate-Turn-Off) atât comutarea directă
(amorsarea, comutarea din blocat în conducţie), cât şi comutarea
inversă (din amorsat în blocat) poate fi realizată prin circuitul grilei. În
fototiristoare amorsarea are loc sub acţiunea unui flux luminos.
A K A K A K A K
a d
G (P) b G (P) c
A K A K
g h
G (P) e G (P) f
Fig. 2.19. Simbolurile grafice ale tiristoarelor:
а − diodă Schokley; b − tiristor convenţional cu comandă de la catod;
c − tiristor convenţional cu comandă de la anod; d − fototiristor;
e − GTO cu comandă faţă de catod; f − GTO cu comandă faţă de anod;
g − diac; h − triac.
28
Atât ventilele semicomandate, cât şi cele complet comandate, pot

fi comandate faţă de catod, dacă semnalul de comandă se aplică între
grilă şi catod (catodul este comun pentru circuitul de forţă şi circuitul de
comandă); sau comandate faţă de anod, dacă semnalul de comandă se
aplică între grilă şi anod. Toate dispozitivele menţionate realizează
funcţia de ventil – poartă electronică cu conductibilitate unilaterală.
Dispozitivele capabile să comande curentul în ambele sensuri sunt: diac
(diode alternating current switch – întreruptor diodic de curent
alternativ) sau triac (triode alternating current switch – întreruptor triodic
de curent alternativ). În conformitate cu funcţiile pe care le realizează,
aceste dispozitive înlocuiesc un montaj antiparalel a două tiristoare.
2.4.2. Principiul de funcţionare şi caracteristicile tiristorului
La început vom analiza structura celui mai simplu tiristor –
dioda Schokley. Structura este formată din patru domenii cu
conductivitate diferită de tip p-n-p-n: p1, n1, p2 şi n2; cu trei joncţiuni
p-n: J1, J2 şi J3 (vezi fig.2.20) [5-10]. Vom analiza funcţionarea
tiristorului, trasând simultan caracteristica statică (vezi fig.2.21)
pentru polarizare directă şi inversă.
I 3
J1 J2 J3
A p1 n1 p2 n К 2
2
1
R 0
+U − U
Fig. 2.20. Structura Fig.2.21. Caracteristica
diodei Schokley statică a diodei Schokley
Polarizarea inversă. În acest caz, joncţiunea J2 este polarizată
direct, iar joncţiunile J1 şi J3 – invers. Deoarece J2 este polarizată
direct, căderea de tensiune pe J2 este foarte mică. Prin urmare,
tensiunea externă este distribuită preponderent şi uniform pe
joncţiunile J1 şi J3. Astfel, se explică faptul că caracteristica
tiristorului la polarizare inversă este analogică cu caracteristica
respectivă a joncţiunii p-n.
29
Polarizarea directă. În acest caz, joncţiunile J1 şi J3 sunt

polarizate direct, iar joncţiunea J2 − invers. Deci, practic, toată
tensiunea externă (anodică) cade pe J2, iar căderea de tensiune pe J1
şi J3 este foarte mică. Prin urmare, caracteristica tiristorului este
determinată de joncţiunea J2 polarizată invers – tiristorul este blocat
şi curentul prin structura semiconductoare este foarte mic. Acest
regim este reprezentat pe caracteristică de porţiunea 0-1.
La creşterea tensiunii, curentul prin tiristor creşte slab datorită
creşterii polarizării directe a joncţiunilor J1 şi J3. Reducerea barierei de
potenţial în joncţiunile J1 şi J3 provoacă intensificarea injecţiei
golurilor din domeniul p1 în n1 şi intensificarea injecţiei electronilor din
domeniul n2 în p2. O parte din aceşti purtători de sarcină, evitând
recombinarea, ajung în joncţiunea J2 şi sunt transferaţi de câmpul
acestei joncţiuni: golurile din domeniul n1 în p2, iar electronii din
domeniul p2 în n1. În acest mod, în domeniul p2 se acumulează o sarcină
electrică pozitivă, iar în domeniul n1 – negativă. În aceste condiţii scad
brusc barierele de potenţial în joncţiunile J1 şi J3, şi este declanşat un
proces de creştere în avalanşă a curentului prin structură.
La o anumită valoare a tensiunii externe se intensifică în
avalanşă procesul de injecţie a purtătorilor majoritari: a golurilor din
domeniul n1 în p2 şi a electronilor din domeniul p2 în n1. Are loc o
creştere bruscă a concentraţiei electronilor în domeniul n1 şi a
golurilor în domeniul p2, care provoacă o scădere bruscă a tensiunii
pe joncţiunea J2 polarizată (până când) invers. Aceste sarcini
electrice compensează tensiunea externă pe joncţiunea J2 şi duce la
polarizarea directă a acestei joncţiuni. Prin urmare, scade brusc
căderea de tensiune pe toată structura tiristorului, deoarece:
U=U1+U2+ U3, (2.36)
Astfel se explică prezenţa unui domeniu cu rezistenţă dinamică
negativă (vezi domeniul 1-2 pe caracteristica din fig.2.21) pe
caracteristica statică a tiristorului, unde creşterea curentului este însoţită
de o scădere a tensiunii. În continuare, procesul evoluează cu o creştere
bruscă a curentului în circuitul dotat cu tiristor. Valoarea acestui curent
şi panta caracteristicii în acest caz (domeniul 2-3) sunt determinate
preponderent de tensiunea sursei de alimentare şi rezistenţa sarcinii.
30
Domeniul 2-3 corespunde stării de conducţie (amorsat) a tiristorului.

Pentru blocarea tiristorului este necesară micşorarea curentului anodic
până la zero sau polarizarea inversă a tiristorului.
A I
p1 I
а J IG3> IG2> IG1=0
n1 1
G R
p2 J2
+ IG n2 J3 0 U
UG U U BO2 UBO1
− К U BO3
b
− +
Fig.2.22. Structura (a) şi familia caracteristicilor statice (b)
ale tiristorului convenţional
Vom analiza particularităţile funcţionării tiristorului
convenţional (triodic). Structura şi familia caracteristicilor statice
sunt reprezentate în fig.2.22 [5-10]. Tensiunea de amorsare a
tiristorului (valoarea tensiunii anodice în punctul 1 din fig.2.21)
poate fi redusă, dacă pe domeniul p2 sau n1 este format un terminal
de comandă (grilă) şi pe el se aplică tensiunea de comandă UG.
Sursa de tensiune montată în circuitul grilei furnizează în
domeniul respectiv p2 (n1) o cantitate suplimentară de purtători de
sarcină – goluri (electroni) datorită circulaţiei curentului grilei IG.
În acest caz, pentru declanşarea procesului de amorsare
(multiplicare în avalanşă a curentului anodic) este destulă o
tensiune anodică mult mai mică, deoarece o parte din sarcina
necesară este formată de curentul grilei.
În aşa mod, tensiunea de amorsare a U
BO
tiristorului poate fi micşorată prin majorarea
curentului IG sau tensiunii pe grilă UG (vezi
fig.2.22.b). Dependenţa tensiunii de
amorsare UBO (Uam.) de curentul IG este
prezentată de caracteristica de amorsare
(vezi fig.2.23). Comanda tiristorului poate fi I
realizată în curent continuu, în curent Fig.2.23. Caracteristica de
alternativ sau, mai frecvent, prin impulsuri. amorsare a tiristorului
Deoarece după amorsare starea de conducţie
31
a tiristorului este menţinută de sarcinile electrice (purtătorii de

sarcină) acumulate în domeniile n1 şi p2 şi în continuare dispare
necesitatea tensiunii pe grilă, de regulă, comanda tiristoarelor se
face cu impulsuri de scurtă durată.
Valoarea curentului (tensiunii, puterii) de comandă (pe grilă)
este cu câteva ordine (~105) mai mică decât valoarea curentului
(tensiunii, puterii) în circuitul anodic. Acest fapt cauzează folosirea
tiristoarelor pentru manipularea (dirijarea) unor fluxuri mari de
energie electrică prin semnale foarte slabe de comandă.
2.4.3. Modelul tiristorului “cu două tranzistoare”
Analiza funcţionării tiristorului este simplificată prin aplicarea
modelului „cu două tranzistoare”. La polarizare directă structura
tiristorului poate fi prezentată prin două tranzistoare bipolare de tip
p-n-p şi n-p-n: tranzistorul Т1 de tip p1-n1-p2 şi tranzistorul Т2 de tip
n2-p2-n1 (vezi fig.2.24) [5, 6, 8, 10]. Rolul joncţiunii emitorului în
primul tranzistor este realizat de joncţiunea J1, iar în tranzistorul
secund − de joncţiunea J3. Joncţiunea J2 realizează funcţia joncţiunii
colectorului pentru ambele tranzistoare. În acest caz, polaritatea
tensiunilor pe toate joncţiunile corespunde regimului activ direct
pentru ambele tranzistoare.
E1 p1 n1 p2 C
1
E1 C1 IC1 IB2
Т1 I IE1 b
B1 B 2 B 2
a B1
E2 C2 E2
Т2 C2 n1 p2 n2 IE2 I
IB1 IC2
Fig. 2.24. Modelul tiristorului “cu două tranzistoare”:
structura (a) şi schema (b).
Tiristorul, fiind prezentat prin combinaţia a două tranzistoare:
Т1 cu factorul de transfer al curentului 1 şi curentul emitorului IE1;
şi Т2 cu factorul de transfer al curentului 2 şi curentul emitorului
IE2, putem prezenta şi componentele curentului prin structura
tiristorului (vezi fig.2.24.b). În tranzistorul Т1 curenţii sunt formaţi
preponderent de deplasarea golurilor prin baza a n1:
curentul bazei Т1: IB1=(1−1) IE1, (2.37)
32
curentul colectorului Т1: IС1=1IE1. (2.38)

În tranzistorul Т2 curenţii sunt formaţi preponderent de
deplasarea electronilor prin baza p2:
curentul bazei Т2: IB2=(1−2) IE2, (2.39)
curentul colectorului Т2: IС2=2IE2. (2.40)
Deoarece joncţiunea colectorului este polarizată invers, prin J2
circulă şi curentul său invers format de purtătorii minoritari: golurile
din domeniul n1 trec în p2 şi formează curentul I01, iar electronii din
domeniul p2 trec în n1 şi formează curentul I02. Curenţii I01 şi I02
formează curentul:
I0= I01+ I02. (2.41)
Curentul global prin joncţiunea J2 determină valoarea
curentului prin structură în ansamblu şi este format din curenţii de
colector ale ambelor tranzistoare şi curentul sumar al purtătorilor
minoritari:
I=IС1+IС2+I0. (2.42)
Dacă se vor folosi expresiile (2.38) şi (2.40), atunci expresia (2.41)
se va scrie astfel:
I=1IE1+2 IE2+I0. (2.43)
Deoarece în joncţiunea J2 sunt posibile tensiuni (câmpuri
electrice) înalte, este necesar să ţinem cont de posibilitatea procesului
de multiplicare prin avalanşă a purtătorilor în joncţiunea J2. Prin
urmare, expresia (2.43) se va scrie:
I=М(1IE1+2IE2+I0), (2.44)
unde М este factorul de multiplicare a purtătorilor de sarcină.
Pentru simplificare vom presupune că 1,2
factorii de multiplicare pentru ambele 1,0
tipuri de purtători de sarcină au aceleaşi 0,8
valori. La tensiuni mici procesul de 0,6
multiplicare practic lipseşte. Prin urmare, 0,4
М=1. La valori semnificative ale tensiunii 0,2
inverse în joncţiunea J2 se manifestă 0 -5 -3 -1
considerabil procesul de ionizare în 10 10 10 1 I, А
avalanşă şi М capătă valori mult mai mari Fig.2.25.Dependenţa
de unitate. 1 şi 2 de curent
33
Alt moment important este dependenţa factorilor 1 şi 2 de

valoarea curentului. Forma aproximativă a acestei dependenţe este
reprezentată în fig.2.25. Factorul 2 are o valoare mai mare ca 1,
deoarece grosimea bazei p2 este mai mică ca a bazei n1. Din aceste
considerente, baza n1 este numită “groasă”, iar p2 − “subţire”.
Deoarece structura tiristorului este în serie, prin urmare, şi
curenţii prin toate joncţiunile vor avea aceeaşi valoare, care va
coincide cu curentul prin circuitul extern:
I=IЕ1=IЕ2. (2.45)
În acest caz, expresia (2.31) poate fi scrisă în modul următor:
I=М(1I+2I+I0). (2.46)
Din (2.33) pentru curentul în circuitul extern rezultă:
M  I0
I= . (2.47)
1 − M  ( 1 +  2 )
Expresia (2.47) este ecuaţia de bază a structurii de tip tiristor şi
reprezintă caracteristica statică a tiristorului în formă analitică.
Dependenţa curentului anodic de tensiunea pe anod este prezentată
în (2.47) în formă implicită prin dependenţa factorului de
multiplicare de intensitatea câmpului electric în joncţiunea J2.
La valori mici ale tensiunii anodice intensitatea câmpului
electric în J2 nu este suficientă pentru procesul de multiplicare, iar
factorii 1 şi 2 au valori foarte mici.
Deci: М=1, iar М(1+2)→0 şi, prin urmare: I=I0. (2.48)
La valori înalte ale tensiunii, aplicate pe anodul tiristorului, în
joncţiunea J2 este declanşat procesul de multiplicare în avalanşă a
purtătorilor de sarcină. Prin urmare, cresc brusc valorile factorului
de multiplicare M şi ale factorilor de transfer în curent 1 şi 2.
În consecinţă:
М→, iar М(1+2)→1 şi, prin urmare: I→, (2.49)
deci, se observă o creştere bruscă a curentului prin structura
tiristorului − proces, care are loc la amorsarea tiristorului.
34
2.4.4. Parametrii tiristorului

Sensul parametrilor uzuali ai tiristorului se explică prin
construcţiile efectuate pe caracteristica statică a tiristorului
reprezentate în fig.2.26 [5-8].
I
IH
IBO
UBR IRM U
UTO IDRM UBO
Fig.2.26. Parametrii tiristorului
❖ Tensiunea de amorsare UBO − tensiunea anodică necesară
pentru comutarea tiristorului din stare de blocare în stare de
conducţie (aprinderea tiristorului), deci, tensiunea în punctul
caracteristicii statice în care curentul începe să crească brusc.
❖ Curentul de amorsare IBO − curentul anodic în momentul iniţial
al amorsării tiristorului.
❖ Curentul de menţinere IH − valoarea minimă a curentului
anodic la care tiristorul rămâne în stare de conducţie.
❖ Tensiunea pe tiristorul în conducţie UТO − căderea de tensiune
pe tiristorul în stare de condiţie.
❖ Curentul direct al tiristorului în stare de blocare IDRM − valoarea
curentului care circulă prin tiristorul polarizat direct, dar blocat.
❖ Curentul maxim admisibil în stare de conducţie IFAVM −
valoarea maxim admisibilă a curentului mediu direct prin
tiristorul în conducţie.
❖ Tensiunea inversă repetitivă maxim admisibilă URRM −
valoarea maxim admisibilă a tensiunii repetitivă de polarizare
inversă pe anodul tiristorului şi constituie circa 60−80% din
valoarea tensiunii de străpungere a tiristorului UBR.
❖ Curentul invers în stare blocată maxim admisibil IRM −
valoarea maxim admisibilă a curentului care circulă prin
tiristorul blocat şi polarizat invers de tensiunea URRM.
35
❖ Puterea maxim admisibilă PFAVM − valoarea maxim admisibilă

a puterii disipate pe tiristorul în stare de conducţie.
❖ Timpul de revenire (timp de dezamorsare) trr − intervalul de timp
pe parcursul căruia la polarizare inversă are loc disiparea completă
a purtătorilor de sarcină din bazele tiristorului, care menţin starea
de conducţie. După acest interval de timp tiristorul poate fi
polarizat direct fără pericolul amorsării necondiţionate.
❖ Curentul de grilă continuu de amorsare IGT − valoarea minimă a
curentului continuu de grilă, care asigură amorsarea sigură a tiristorului.
❖ Curentul pulsant de grilă IGSM − amplitudinea minimală a
impulsului de grilă, care asigură amorsarea sigură a tiristorului.
2.4.5. Modificările principale ale tiristoarelor
2.4.5.1. Fototiristorul
Fototiristorul este un fotoreceptor cu
A K caracteristică de poartă capabil să comande
a tensiuni şi curenţi mari [5, 6, 7]. Principiul de
A funcţionare şi caracteristica curent–tensiune sunt
p1 I analogice cu ale tiristorului convenţional.
J1 Deosebirea constă în faptul că acumularea
n1 purtătorilor de sarcină, care formează condiţiile
J 2 R
p2 necesare pentru amorsarea fototiristorului este
n2 J3 stimulată de fluxul luminos incident pe structura
b dispozitivului (pe bazele n1 şi/sau p2). Lumina
К U provoacă generarea purtătorilor de sarcină, care,
− + fiind separaţi de joncţiunea J2, stimulează
Fig.2.27.Fototiristor: amorsarea fototiristorului. Prin urmare,
a – simbol; b - structura tensiunea de grilă este substituită prin fluxul
luminos. Structura fototiristorului (vezi fig.2.27)
este analogică cu cea a tiristorului convenţional.
În capsula dispozitivului este formată o fereastră
Fig.2.28. Simbolul în care este montată o lentilă pentru focalizarea
optocuplului luminii pe cristal.
Fototiristoarele sunt aplicate pe larg în
electronica de putere datorită separării galvanice între circuitul de
forţă şi circuitul de comandă care este realizată de fototiristor.
36
2.4.5.2. Tiristoare GTO

Tiristoarele cu stingere pe poartă sunt cunoscute şi sub numele
de tiristoare GTO. Deşi au fost realizate încă în anul 1960, după
patru ani de la elaborarea primului tiristor convenţional, datorită
progresului tehnologic abia după anul 1980 au putut fi livrate
utilizatorilor exemplare economice în calitate de dispozitive
semiconductoare comandabile pentru curenţi şi tensiuni de valori
ridicate [5, 6, 7]. Tiristorul GTO este comandat în ambele sensuri
de comutare. La aplicarea tensiunii pozitive pe grilă tiristorul este
amorsat, iar prin aplicarea tensiunii negative pe grilă are loc
comutarea inversă – dezamorsarea. În aceste dispozitive este
valorificată proprietatea de reacţie pozitivă: curentul invers prin
grilă reduce curentul bazei p2, fapt care duce la scăderea tuturor
componentelor de curent prin tiristor, şi, prin urmare, la micşorarea
curentului anodic şi blocarea tiristorului.
2.4.5.3. Diacul şi triacul
Denumirea diac provine de la diode alternating current switch
(întrerupător diodic de curent alternativ), iar triac – triode
alternating current switch (întrerupător triodic de curent alternativ)
[5, 6, 7]. Prin combinaţii ale domeniilor de tip p şi n sunt formate
structuri semiconductoare în care pentru ambele polarităţi ale
tensiunii anodice sunt realizate condiţii analogice polarizării directe
a tiristorului convenţional. Caracteristica diacului este simetrică
G A I
IG3> IG2> IG1=0

n1 n4
J1 p1 J5
J2 n2
J3 U
p2 J4
n3
а 0=IG1< IG2< IG3 b
B
Fig.2.29. Structura (a) şi familia caracteristicilor statice (b) ale triacului
37
pentru ambele polarităţi ale tensiunii. Diacul poate fi conceput ca două

Schokley, iar triacul ca două tiristoare convenţionale conectate
antiparalel. Triacul este utilizat în variatoarele de curent alternativ.
Structura şi familia caracteristicilor statice sunt reprezentate în fig.2.29.
Partea superioară este formată din domeniile n1, p1 şi n4.
Peliculele metalice extreme sunt conectate la terminalul A. În partea
inferioară pelicula metalică conectată la terminalul B
interconectează domeniile p2 şi n3. La domeniul p1 este formată
grila. Structura este formată din cinci joncţiuni p-n. Dacă se aplică
tensiunea externă cu polaritatea: pe terminalul A – plus şi pe
terminalul B – minus, joncţiunile J2 şi J4 sunt polarizate direct, iar
J3 – invers. Prin urmare, va funcţiona structura de tiristor p1-n2-p2-
n3. La polaritate inversă a tensiunii externe funcţionarea
dispozitivului este determinată de structura n1-p1-n2-p2.
La moment există tiristoare convenționale cu curent anodic de
ordin 4000 A și tensiune anodică de ordinul 6000 V cu viteze de
comutație de circa 1000 V/µs în tensiune și circa 1500 A/µs în
curent [4, 7, 9].
Tiristoarele ca și diodele redresoare sunt aduse la un nivel
foarte înalt tehnologic și continuă să fie perfecționate prin aplicarea
unor tehnologii noi. De exemplu, pentru conexiunile interne se
aplică [4, 7, 9]:
• metoda de lipire la temperaturi joase;
• pasivare electroacustică analogică cu DLC (Dimond Like

Carbon).
Acestea vor permite să crească temperatura de funcționare și
stabilitatea la cicluri termice.
Ponderea tiristoarelor convenționale în convertoarele statice de
putere se reduce treptat. Menționăm și așa variante cum ar fi LTT (Light
Triggering Thyristors) – optotiristorul, GTO – tiristoare cu stingere pe
poartă care își găsesc aplicarea în domeniul puterilor de MW. La
moment, pentru LTT sunt atinse performanțele: tensiunea anodică de 8
kV și curentul anodic de până la 4 kA [4, 7, 9]. Pe viitor se așteaptă
înlocuirea definitivă a clasei tiristoarelor cu IGBT de înaltă tensiune.
38
2.4.6. Regimul dinamic de comutație al tiristorului

2.4.6.1. Comutație în direct
– –
IG
n n
J3 J3
p p
J2 J2
n n
J1 J1
p p
a + b I +
Fig. 2.30. Distribuirea curenților în tiristor prin grilă la amorsare (a)
și prin anod imediat după amorsare (b)
Tiristorul este comutat din u,i
starea fără polarizare spre starea de UA i
conducție cu un curent anodic mare. IF
Trecerea are loc prin activarea
suprafeței de conducție care se a
răspândește relativ lent (în funcție de
u
condiții, la o viteză cuprinsă între
30_μm/μs până la 100_μm/μs), ceea UF
ce înseamnă că într-un tiristor cu t
p
diametrul de 100 mm va fi nevoie de
aproximativ 1_ms pentru ca întreaga
suprafață a tiristorului să devină
b
conductoare (vezi fig.2.30) [6, 7].
După comutarea în direct a
PF
tiristorului, tensiunea directă scade t
foarte lent până la valoarea statică Fig. 2.31. Evoluția curentului,
UF. Acest proces provoacă un vârf de tensiunii (a) și pierderilor (b) la
pierderi care crește proporțional cu comutarea tiristorului în direct
panta de creștere a curentului (vezi
fig. 2.31).
39
+ – R + –
R
a Rs b
Rs
Fig. 2.32. Amplificarea tiristorului de poartă cu tiristor auxiliar
hibrid (a) sau cu tiristor auxiliar integrat (b)
Întrucât suprafața activă inițial este foarte mică, pierderile
cauzate de scăderea în treaptă a tensiunii de la UA la valoarea sa
statică UF sunt concentrate pe o suprafață mică. Acest fapt provoacă
o încălzire locală a cristalului de siliciu. Pentru a evita deteriorarea
tiristorului, viteza de creștere a curentului trebuie limitată la viteza
maximă admisă de creștere curentă (di/dt)cr.
Pentru tiristoarele cu o suprafață mai mare, viteza critică de
creștere a curentului (di/dt)cr este mărită prin integrarea unui tiristor
auxiliar (tiristorul pilot). În calitate de tiristor auxiliar este format un
tiristor mai mic al cărui catod este conectat la poarta tiristorului
principal și contribuie la amplificarea curentului de amorsare a
tiristorului principal (vezi figura 2.32). Energia pentru amorsarea
tiristorului principal este preluată din circuitul principal. Acest efect
se numește amplificare internă activă sau amplificarea tiristorului
de poartă (amplifying gate-thyristor) [7].
tiristor tiristor Viteza (di/dt)cr este și mai mult
auxiliar principal mărită datorită formei ramificate a porții
de amplificare care extinde suprafața
poarta limitrofă între tiristorul auxiliar și cel
principal (vezi fig. 2.33). Un dezavantaj
al acestei variante constructive constă în
faptul că aria activă a emitorului este
Fig. 2.33. Amplificarea pe poartă redusă ca și posibilitatea (capacitatea) de
cu tiristor auxiliar „ramificat” circulație a curentului.
40
2.4.6.2. Comutație în invers

Ca și în cazul diodelor redresoare, volumul structurii
tiristorului este de asemenea inundat de purtători de sarcină când
circulă curentul direct. Majoritatea acestor purtători de sarcină
trebuie să fie disipați când este aplicată tensiunea inversă, pentru ca
tiristorul să fie blocat. Prin urmare, purtătorii de sarcină care
formează sarcina stocată în structura tiristorului vor fi în continuare
prezenți în volumul semiconductor și aceștia pot provoca conducția
tiristorului dacă momentan este aplicată tensiunea directă.
Timpul de comutație tq este determinat (vezi figura 2.34) [6,
7] ca intervalul de timp din momentul de anulare a curentului până
la momentul în care tensiunea directă poate fi aplicată din nou pe
anod fără ca tiristorul să conducă (să fie amorsat). Valorile tipice ale
timpului de comutație tq pentru tiristoare sunt circa (100500)_μs.
Tiristoarele rapide sunt tiristoarele în care timpul de comutație a
circuitului tq a fost redus până la (10100)_μs prin reducerea
timpului de viață a purtătorilor de sarcină.
u,i
UT
IT tq
Fig. 2.34. Evoluția curentului și tensiunii

la comutarea tiristorului în invers
41
2.5. Tranzistoare bipolare de putere

Tranzistoarele bipolare (BT) fac parte din clasa de dispozitive
semiconductoare complet comandate. Simbolul și structura BT sunt
reprezentate în fig. 2.35 [8].
C C iC
C C conducție
B B B B (on)
c
E bE blocat (off)u
CE
E E
Fig. 2.35. Structura, simbolul și caracteristica statică a BT:
a – tranzistor p-n-p; b – tranzistor n-p-n; c – caracteristica ideală.
Dacă pe bază (B) este aplicat un impuls de curent suficient de
mare, are loc amorsarea completă a tranzistorului. În acest mod (regim
de conducție saturată), tranzistorul sa află atât timp cât circulă curentul
prin bază. Tranzistorul este blocat dacă impulsul curentului de comandă
este anulat. În convertoarele de putere (circuitele electronicii de putere)
BT este folosit ca poartă electronică (întreruptor electronic, cheie
electronică) în regim de comutație. În conducție (on) UCE constituie circa
(0,12,0)_V. În regim blocat (off) cu curentul de bază IB = 0, curenții de
scurgere sunt foarte mici, și, prin urmare, pentru analiza proceselor
electromagnetice în circuitele electronice de putere, de regulă, sunt
folosite caracteristicile statice idealizate (vezi fig. 2.35.c).
E B
E
n+ n+ n+ p n+ n+
n- J2
J1
substrat n+
C a B b
Fig. 2.36. Structura verticală a chip-ului (a) și a electrozilor (b)
în tranzistorul bipolar de putere
42
2.5.2. Structura tranzistorului bipolar de putere

Tranzistoarele bipolare au o structură în trei straturi constituită
din domenii de conductivitate de tip p și conductivitate de tip n.
Tranzistorul are trei terminale: colector (C), bază (B), emitor (E).
De regulă, în circuitele electronicii de putere baza este terminal de
intrare (comandă), iar emitorul este comun pentru semnalul de
intrare și ieșire (montajul emitor comun EC).Tranzistorul bipolar de
putere derivă din tranzistorul obişnuit de semnal mic prin mărirea
capacităţii în curent şi tensiune. El este abreviat prin iniţialele BJT,
provenind de la denumirea anglo-saxonă „bipolar jonction
transistor“. Se realizează tranzistoare de tipul n-p-n şi tranzistoare
p-n-p. Cel mai mult utilizat în circuitele electronicii de putere este
BT de tip n-p-n datorită posibilității de a obține tensiuni de blocare
mai mari și o viteză mai mare în comparație cu tranzistoarele p-n-p.
Structura verticală a unui tranzistor bipolar de putere n-p-n
este reprezentată în fig.2.36 [8, 11]. Un tranzistor bipolar de putere
cu structură verticală de tip n-p-n este format din următoarele:
• n1 + – stratul colectorului, cu dopare la nivelul 1019 cm-3;
• n- – stratul sărac, cu dopare la nivelul 1014 cm-3;
• p – stratul bazei, cu dopare de 1016 cm-3;
• n2+ – stratul emitorului, dopat la nivelul 1019 cm-3.
Tranzistorul de tip p-n-p are aceleaşi patru straturi, tipurile de
semiconductoare fiind inversate. La fel, ca și în cazul celorlalte
tranzistoare polarizarea se analizează în cazul bazei izolate. În cazul
polarizării directe, plus pe colector și minus pe emitor, este
polarizată invers joncţiunea J1, care, fiind structură de tipul n-p,
va determina o barieră de potenţial proporţională cu grosimea
stratului n-. Astfel, tensiunea directă suportată de un tranzistor poate
atinge valori de până la 2500_V, care, practic, toată cade pe
joncțiunea colector-bază. În cazul polarizării inverse, joncţiunea J2
preia întreaga tensiune şi, ca urmare a structurii n+-p, tensiunea
maximă inversă este redusă, nivelurile tipice fiind (520)_V.
Aşadar, tranzistorul bipolar poate suporta numai tensiuni directe,
putând fi utilizat numai cu alimentare în c.c.
43
La fabricarea BT sunt utilizate diferite metode de formare a

structurilor tranzistorului, care au avantajele și dezavantajele lor. Cel
mai mult utilizate tipuri de structuri de tranzistor sunt următoarele [8]:
1) structuri de difuzie cu o bază aliată uniform cu rezistență
înaltă (metodă de difuzie unică);
2) structuri epitaxial-difuzie cu o bază epitaxială dopată
omogen de înaltă rezistență;
3) structuri de difuzie cu un colector cu înaltă rezistență
(tripla metodă de difuzie);
4) structuri epitaxial-difuzie cu un colector de înaltă
rezistență (metodă de difuzie dublă);
5) structuri epitaxial-difuzie cu colector epitaxial cu înaltă
rezistență din câteva straturi (metoda epitaxiei colector
multistrat);
6) structuri epitaxial-difuzie cu colector și bază epitaxiale
(metoda epitaxiei multistrat).
Convențional, toate aceste structuri pot fi împărțite în două grupe:
 structuri cu o bază cu rezistență înaltă;
 structuri cu un colector cu înaltă rezistență.
Tehnologia de fabricație a structurilor tranzistorului cu o bază
cu rezistență înaltă este destul de simplă și permite crearea
tranzistoarelor atât de tip p-n-p, cât și de tip n-p-n. Domeniile
emitorului și colectorului tranzistoarelor de difuzie sunt create prin
difuzie bilaterală a unui dopant de un singur tip de conductivitate în
plachete subțiri (150250)_μm de siliciu de tip opus de
conductivitate sau baza cu înaltă rezistență este formată prin
epitaxie.
Structurile tranzistor de tip epitaxial-difuzie sunt create prin
creșterea unui strat epitaxial de înaltă rezistență pe un substrat
puternic dopat, urmată de difuzia dopantului pentru a forma
straturile dorite.
Fiecare dintre metodele de formare are propriile sale avantaje
și dezavantaje atât în proiectarea tehnologică, cât și în sistemul de
parametri electrici.
44
2.5.3. Tranzistorul Darlington

Tranzistoarele de putere de înaltă tensiune datorită
particularităților de structură și tehnologice la curenți de valori înalte,
de regulă, au o valoare scăzută a coeficientului de transfer (h21EC10).
Acest dezavantaj poate fi exclus prin conectarea secvențială a două
tranzistoare (așa-numitul circuit Darlington sau tranzistor compozit).
De regulă, ambele tranzistoare (de intrare și de ieșire) incluse în
montaj, cât și rezistențele care șunteză joncțiunile emitorului, precum
și dioda care șunteză joncțiunea colectorului sunt formate într-un
singur ciclu tehnologic pe un chip (vezi fig. 2.37.a) [8].
aFig. 2.37. Circuit tranzistorb compozit:

a – pe două tranzistoare; b – pe trei tranzistoare.
Acest montaj al tranzistoarelor permite creșterea
considerabilă a coeficientului de amplificare:
h21E h21E1+ h21E2+ h21E1 h21E2, (2.50)
unde: h21E – coeficientul de amplificare static al tranzistorului
Darlington;
h21E1 – coeficientul de amplificare al tranzistorului de intrare VT1;
h21E2 – coeficientul de amplificare al tranzistorului de ieșire VT2.
Cu toate acestea, o astfel de soluție eficientă a problemei de
creștere a coeficientului de amplificare este însoțită de dezavantajele
caracteristice conexiunii în serie a tranzistoarelor. Principalele
dezavantaje includ o tensiune colector-emitor de saturație mai mare,
precum și o comutare mai lentă a curenților în sarcină în comparație
cu BT în realizare discretă.
45
Pentru tranzistorul Darlington:

UCEsat.= UCB2+ UEB2= UCBsat.1+ UEB2, (2.51)
unde: UCEsat – tensiunea colector-emitor de saturație în tranzistorul
Darlington;
UCEsat1 – tensiunea colector-emitor de saturație în tranzistorul VT1,
UCEsat2 – tensiunea colector-emitor de saturație în tranzistorul VT2.
Astfel, valoarea tensiunii de saturație UCEsat a tranzistorului
Darlington este cu cel puțin 0,5_V mai mare decât cea a unui singur
BT. Viteza de comutație mai mică a tranzistoarelor compuse se
explică prin faptul că atunci când tranzistorul de intrare este blocat
(comutare în invers), trebuie să fie blocat mai întâi tranzistorul de
intrare, apoi tranzistorul de ieșire. Din acest fapt rezultă:
tdis.  tdis.1+ tdis.2, (2.52)
unde: tdis. – timpul de disipare în tranzistorul Darlington;
tdis.1 – timpul de disipare în tranzistorul VT1;
tdis.2 – timpul de disipare în tranzistorul VT2.
Problema vitezei de comutare a tranzistoarelor compuse poate
fi rezolvată prin includerea în circuit a unei diode de accelerare, care
șuntează joncțiunea emitorului tranzistorului de intrare VT1. În acest
caz, impulsul de blocare al curentului de intrare este aplicat pe
bazele ambelor tranzistoare componente, fapt care asigură o
reducere a timpului de blocare.
În montajul Darlington pot fi conectate și mai mult de două
dispozitive (fig. 2.35.b), însă în acest caz efectul negativ de creștere
a valorii tensiunii de saturație și a caracteristicilor dinamice poate
deveni critic. Soluția acestor probleme va necesita includerea în
circuit a unor elemente suplimentare sau complicarea realizării
structurale și tehnologice.
46
2.5.4. Caracteristicile statice ale BT

Caracteristicile de ieșire tipice (IC–UCE) ale BT n-p-n sunt
reprezentate în fig. 2.38 [8]. Familia caracteristicilor IC=f(UCE) este
determinată de valorile curentului bazei. Tranzistoarele de putere
Darlington au caracteristici de ieșire similare cu cele ale
dispozitivelor discrete.
Regim de Regim de Străpungere
saturație cvazisaturație secundară
IC
IB4
Străpungere
Regim în avalanșă
activ
IB3
IB2
IB1
IB=0
Regim de UCE 0 M UCE m.g. M UCE m.g. str. UCE

UCE R M U CE R U CE str.
tăiere
IB1< IB2< IB3< IB4 str.
Fig. 2.38. Caracteristicile statice de ieșire ale n-p-n BT
Din analiza cracteristicilor BT reprezentate în fig. 2.38 rezultă
că acestea au unele particularități spre deosebire de tranzistoarele de
mică putere. În primul rând, pentru BT o importanță decisivă are
tensiunea-limită, adică tensiunea la care tranzistorul poate funcționa
fără străpungere la un curent al colectorului suficient de înalt. În
funcție de regimul de polarizare a bazei (baza în gol IB=0, joncțiunea
emitorului este șuntată de rezistența RBE, joncțiunea emitorului este
polarizată invers), valoarea tensiunii-limită se deosebește
substanțial (UCE 0 M«UCE R M<UCE m.g. M<UCE str.).
47
Este necesar să menționăm că domeniile caracterizate de UCE str.

și UCEM sunt separate printr-un domeniu cu rezistență diferențială
negativă rCE.
Nivelurile de tensiune UCE 0 str., UCE R str., UCE m.g. str., UCB str.
caracterizează străpungerea primară în circuitul colector-emitor
corespunzătoare regimurilor bazei: (IB=0), rezistența în circuitul de
bază-emitor, polarizare inversă a joncțiunii emitorului și, de
asemenea, străpungerea joncțiunii colector-bază.
În stare blocată a tranzistorului, pe colector este aplicată o
tensiune inversă, fapt care provoacă extinderea domeniului de sarcină
spațială (DSS). Cu cât tensiunea este mai mare, cu atât DSS se extinde
mai mult în domeniul bazei. În cazul unei proiectări corecte a BT
efectul „strangulare” a bazei (contopirea joncțiunii colectorului cu
joncțiunea emitorului) este exclus. Datorită concentrației suficient de
înalte de impurități acceptoare în bază, joncțiunea colectorului se
extinde preponderent spre colector, iar tensiunea de străpungere a
acestuia, de regulă, este determinată de mecanismul de străpungere în
avalanșă la nivelul UCB str. În montajul EC străpungerea BT are loc la
tensiuni mai mici decât tensiunea de formare a avalanșei în DSS al
joncțiunii colectorului. Acest fapt se explică prin faptul că golurile
din domeniul colectorului și cele formate în cadrul procesului de
ionizare de șoc a atomilor din DSS a joncțiunii colectorului sunt atrase
în domeniul bazei. Pentru a menține neutralitatea bazei emitorul
injectează electroni.
În joncțiunea colectorului DSS provoacă un flux suplimentar
de goluri. Deoarece electronii injectați sunt de h21EC ori mai mulți
ca golurile, curentul începe să crească rapid. Astfel, datorită
efectului de amplificare a curentului la comutare în direct, în montaj
EC în tranzistor apare un fenomen care este asemănător cu
străpungerea, adică UCE0str.<UCBstr.. Cu cât este mai mare h21EC, cu
atât UCE0str. este mai mică. Dacă este micșorată injecția emitorului
prin șuntarea joncțiunii emitorului cu un rezistor, tensiunea de
străpungere primară poate fi semnificativ crescută. Acest fapt
explică relația dintre valorile tensiunilor
UCE 0 str.<UCE R str.<UCE m.g. str.<UCB str. (2.53)
și, ca urmare, UCE 0 M<UCE R M<UCE m.g. M. (2.54)
48
După cum se observă în fig. 2.38 [8], caracteristicile statice ale

BT sunt limitate de domeniile străpungerii în avalanșă și de
străpungere secundară. La proiectarea circuitelor de putere cu BT,
este necesar să se calculeze traiectoria punctului de funcționare,
astfel încât să nu fie situată în domeniile de străpungere în avalanșă
și străpungere secundară, deoarece acest lucru poate duce la
străpungerea ireversibilă a tranzistorului sau la degradarea
caracteristicilor sale electrice.
Caracteristicile statice de ieșire ale PBT (BT de putere) se
deosebesc de caracteristicile statice de ieșire ale BT de semnal mic,
în special, prin prezența în primele a unui domeniu numit domeniu de
cvasisaturație. Prezența acestui domeniu se datorează unui colector
extins și slab aliat. Efectul acestui domeniu n- slab dopat asupra
caracteristicilor și funcționării BT va fi analizată mai jos.
2.5.5. Funcționarea tranzistorului bipolar de putere
Funcționarea tranzistorului în regim activ direct.
Vom analiza mecanismul de funcționare a BT în regim activ direct
bazat pe o prezentare simplificată monodimensională a structurii
tranzistorului (vezi fig.2.41.a) [8], excluzând domeniul de derivă a
colectorului ușor dopat. La funcționarea în regim activ direct,
prezența domeniului n- nu joacă un rol important în descrierea
proceselor care au loc în structura tranzistorului. Efectul domeniului
slab dopat trebuie luat în considerare când se analizează
funcționarea tranzistorului în regim de saturație, în regim de poartă
electronică (comutare) etc.
În regim activ direct, joncțiunea emitorului este polarizată
direct, iar joncțiunea colectorului – invers. În acest caz, electronii
sunt injectați din emitor în bază și golurile – din bază în emitor, fapt
care duce la o distribuție a concentrației purtătorilor minoritari (vezi
figura 2.41.b). Din figura 2.41.b se observă că în domeniul bazei
există un gradient semnificativ al concentrației purtătorilor, care
provoacă apariția curenților de difuzie. Într-adevăr, curentul global
care circulă prin joncțiunea emitorului este aproape complet
determinat de componenta de difuzie.
49
Majoritatea electronilor injectați din emitor în bază ajung în

colector fără a nimeri în terminalul bazei din următoarele motive:
1) lățimea bazei în tranzistoare este mult mai mică decât
lungimea de difuzie a electronilor:
LnB = DnB   nB , (2.55)
unde DnB este coeficientul de difuzie al electronilor în bază;
nB este durata de viață a electronilor în bază,
deci, nu există condiții pentru recombinarea lor;
2) aria colectorului este mai mare decât aria domeniilor bazei și
emitorului, prin urmare, probabilitatea de a ajunge în colector
a electronilor injectați din emitor este foarte mare;
3) densitatea electronilor în joncțiunea colectorului tinde la
zero, după cum se poate observa din fig. 2.39.b [8], deoarece câmpul
electric puternic al joncțiunii colectorului transferă toți electronii în
domeniul colectorului.
Fig. 2.39. BT în regim activ direct:

a – structură monodimensională;
b – distribuția concentrației purtătorilor majoritari
și minoritari în domeniile structurii.
50
Concentrația înaltă a electronilor injectați în bază la suprafața

de separație a joncțiunii emitorului și concentrația foarte mică lângă
colector formează în domeniul bazei un gradient înalt al
concentrației purtătorilor de sarcină minoritari, iar pierderile
electronilor în bază sunt minime.
Astfel, curentul bazei este mult mai mic decât curentul
emitorului, iar curentul colectorului este aproape ca valoare de
curentul emitorului. În așa mod, curentul bazei IB relativ mic
comandă valoarea curentului mult mai mare care circulă între
colector și emitor. Factorul de transfer direct al curentului (h21EC)
este determinat ca raportul curentului de ieșire al colectorului IC la
curentul de intrare al bazei IB (h21EC= IC/IB).
Vom analiza efectul curenților interni în structura tranzistorului
asupra factorului de transfer direct al curentului h21EC.
Cele patru componente principale ale acestor curenți sunt
reprezentate în figura 2.37.a [8]. Curentul IpE este curentul de difuzie
al golurilor injectate din bază în emitor, care menține distribuția
stabilă a golurilor în domeniul emitorului. În mod similar, InE este
curentul de difuzie al electronilor injectați din emitor în bază. Cum a
fost menționat anterior, electronii difuză prin bază (recombinarea lor
este minimă), ajung la DSS al joncțiunii colectorului, unde sunt atrași
de câmpul electric puternic al joncțiunii colectorului polarizat invers,
și sunt transferați în colector.
Acest flux de electroni reprezintă curentul InC. Curentul IpC
este cauzat de golurile care sunt generate de DSS joncțiunii
colectorului și ulterior sunt transferate în domeniul bazei de același
câmp electric al joncțiunii colectorului. Curentul IpC este destul de
mic în comparație cu celelalte componente și, prin urmare, pentru
analiza ulterioară poate fi neglijat.
Prin urmare:
IC InC; (2.56)
IB= IE–IC= InE+IpE–InC; (2.57)
IB 1 I − I nC I pE
  nE + . (2.58)
I C h21 EC I nC I nC
51
Așadar, ca h21EC să fie mare, numărătoarele ambilor termeni din

expresia (2.58) ar trebui să fie minime în comparație cu valoarea
curentului InC. Valoarea curentului IpE poate fi minimizată printr-o
dopare puternică a domeniului emitorului și, astfel, difuzia golurilor
din bază va fi redusă. Valoarea InE–InC este diferența dintre numărul de
electroni injectați în bază din joncțiunea emitorului și numărul de
electroni care ajung la colector. Această diferență se datorează
recombinării unui anumit număr de electroni în domeniul bazei și poate
fi minimizată prin asigurarea unei durate de viață mari a electronilor în
domeniul bazei și prin formarea unei baze suficient de subțiri în
comparație cu lungimea de difuzie a electronilor.
Trebuie menționate trei condiții de bază pentru a obține valori
înalte ale h21EC [8]:
1. Doparea puternică a domeniului emitorului;
2. Durată mare de viață a purtătorilor minoritari în domeniul bazei;
3. Grosime mică a domeniului bazei.
Satisfacerea acestor condiții intră în contradicție cu asigurarea
altor parametri și caracteristici electrice importante ale
tranzistorului ca un comutator de în circuit de putere. Prin urmare,
proiectarea BT se reduce întotdeauna la un compromis (optimizare)
între caracteristicile statice, dinamice și energetice.
Dependența factorului h21EC de curentul colectorului
h21EC=f(IC) este neliniară și prezintă o scădere pronunțată a h21EC la
valori înalte ale IC, fapt specific pentru dispozitivele de înaltă
tensiune. Acest lucru se datorează diverselor mecanisme care apar
în BT la densități mari de curent. Cele mai semnificative din aceste
mecanisme sunt efectul de modulare a conductivității bazei și
efectul de deplasare a curentului emitorului.
Efectul de modulare a conductivității bazei este observat când
densitatea purtătorilor minoritari în bază devine comparabilă sau
depășește concentrația purtătorilor majoritari, determinată de nivelul
de dopaj. Dacă presupunem că concentrația impurităților acceptorilor
din domeniul bazei la nivelul de 1016 cm-3 este tipică, atunci un nivel
înalt de injecție în bază apare când densitatea electronilor injectați
depășește această valoare.
52
B E B B B
C C
Fig. 2.40. Efectul de deplasare a curentului emitorului:
a – cu polarizare directă a joncțiunii emitorului;
b – cu polarizare inversă a joncțiunii emitorului.
Structura verticală a BT (fig. 2.40.a) [8] este realizată astfel
încât în domeniul bazei căderea de tensiune apare datorită circulației
curentului IB pe rezistența longitudinală a domeniului bazei rB.
Această cădere de tensiune longitudinală conduce la faptul că partea
centrală interioară a emitorului este polarizată direct mai puțin decât
partea periferică adiacentă contactului de bază. Prin urmare, un
curent cu densitate mai mare circulă prin partea periferică a
emitorului în comparație cel prin partea centrală. Efectul de
deplasare a curentului emitorului înseamnă că un nivel înalt de
injecție și, în consecință, modularea conductivității bazei începe în
primul rând pe periferia emitorului (vezi figura 2.38.a). Astfel,
scăderea factorului de amplificare are loc la curenți mai mici IC
decât în cazul unei distribuții uniforme a curentului pe secțiunea
emitorului. Pentru a reduce efectul de deplasare a curentului
emitorului este recomandată creșterea raportului dintre perimetru și
suprafața secțiunii transversale a emitorului, reducerea rezistenței
domeniului bazei și creșterea lățimii bazei.
În mod similar, analizând regimul de polarizare inversă (vezi
figura 2.40.b), putem trage concluzia că la blocarea BT un curent de
densitate înaltă va circula prin centrul dinților de emitor.
53
Funcționarea tranzistorului în regimul de cvasisaturație.

Fenomenul de cvasisaturație poate fi analizat într-un model
monodimensional, care include domeniul de derivă a colectorului
(vezi figura 2.41.a) [8]. După cum s-a menționat, curentul bazei, care
este format din goluri, în regim activ direct parțial compensează
pierderile de recombinare din bază și parțial compensează scurgerile
de goluri în emitor. Prin urmare, factorul de transfer în curent este
determinat de parametrii domeniilor bazei și emitorului și nu depinde
de parametrii colectorului slab dopat. Odată cu creșterea curentului
bazei, crește corespunzător și curentul colectorului, a cărui valoare
este limitată de circuitul extern.
UC
La curentul IC = , (2.59)
Rs + RC
unde: UC este tensiunea sursei externe;
Rs – rezistența sarcinii;
RC – rezistența colectorului în regim activ – rezistența
colectorului nemodulat; atunci tensiunea pe joncțiunea colectorului
devine egală cu zero. Acesta este regimul limită.
O creștere suplimentară a curentului bazei duce la polarizarea
joncțiunii colectorului în direct, deci, la o comutare a tranzistorului
în regimul de cvasisaturație.
Din punct de vedere fizic, acest efect se datorează faptului că numărul
de goluri furnizate de curentul bazei depășește valoarea necesară pentru
acoperirea pierderilor de recombinare din bază și pentru compensarea
scurgerilor de goluri în emitor. Un exces de goluri încalcă cvasineutralitatea
bazei și pentru păstrarea acestei cvasineutralității o parte de goluri este
nevoită să treacă în colector. Acest efect provoacă inversarea polarizării
joncțiunii colectorului. Golurile trecute din bază în colector, fiind purtători
de sarcină minoritari, recombină cu electronii și creează o regiune
cvasiliniară la joncțiunea colectorului. Astfel, are loc modularea
conductivității colectorului care duce la o scădere a căderii de tensiune în
domeniul colectorului. Odată cu creșterea curentului bazei marginea
deomeniului cvasineutru (regiunea modulată) se deplasează spre joncțiunea
n–-n+. La o anumită valoare a curentului bazei marginea regiunii modulate
ajunge la joncțiunea n–-n și tot colectorul devine cvasineutru.
54
Fig. 2.41. Tranzistorul în regim de cvasisaturație:

a – modelul monodimensional al tranzistorului
n-p-n cu domeniu n–;
b – diagrama acumulării sarcinii în domeniul bazei
p și a colectorului n– în regim activ, în regim de
cvasisaturație și în regim de saturație.
55
Acest regim se numește regim de modulare a colectorului.

Căderea de tensiune pe grosimea colectorului în regim de modulare
completă este de (0,20,3)_V. La o creștere suplimentară a
curentului bazei tranzistorul trece în regim de saturație. Deoarece
joncțiunea n–-n+ este o barieră pentru goluri, indiferent de creșterea
curentului bazei, marginea regiunii modulate nu poate ieși din
limitele domeniului n– a colectorului. Acest fapt conduce la
acumularea sarcinii de exces a golurilor în colector, inclusiv în
regiunea direct adiacentă joncțiunii n–-n+. Acumularea suplimentară
a sarcinii în regim de saturație nu duce la o scădere vizibilă a
tensiunii colector-emitor. Cu toate acestea, după cum va fi descris
mai jos, acesta este motivul întârzierii procesului de disipare și a
deteriorării caracteristicilor dinamice ale BT.
Astfel, în regimurile de cvasisaturare și de saturație curentul
bazei are două componente principale: una acoperă pierderile de
recombinare din bază și completarea scurgerii golurilor în emitor,
cealaltă pentru modularea conductivitatea colectorului. Pentru BT
de înaltă tensiune, a doua componentă poate avea o valoare
predominantă. În acest caz, factorul de transfer direct al curentului
este determinat în mare măsură de parametrii domeniului
colectorului slab dopat.
Procesul de acumulare a sarcinii în domeniile bazei și
colectorului BT în regim activ direct, regim de cvasisaturație și în
regim de saturație este reprezentat în figura 2.41.b.
2.5.6. Procese tranzitorii în TB
Caracteristicile dinamice (on-off) se referă la procesele de
intrare în conducţie (on) şi ieşire din conducţie (off). Intrarea în
conducţie este cauzată de formarea unui curent prin bază iB>0, care
se aplică cu o anumită viteză datorită configuraţiei circuitelor de
comandă.
Tensiunea bază-emitor porneşte de la valoarea UBEOFF<0,
caracteristică barierei de potenţial din joncţiunea bază-emitor.
Această tensiune se modifică treptat spre valoarea UBEON>0 într-un
timp finit, necesar pentru anihilarea sarcinilor difuzate în bariera de
potenţial, timp notat prin td şi numit timp de întârziere.
56
Când este aplicat un impuls de comutare directă a curentului

bazei IB1, se declanșează încărcarea capacității joncțiunii emitorului.
Timpul de încărcare și timpul în care purtătorii ajung la colector
constituie timpul de întârziere tî, care este definit în practică ca
intervalul de timp de la momentul aplicării impulsului curentului
bazei IB1 până la momentul de timp în care curentul colectorului
atinge 10 % din valoarea sa maximă. Timpul în care curentul IC
atinge 90_% din valoarea sa maximă se numește timp de creștere tc,
(vezi fig. 2.42) [8]. Când curentul bazei își schimbă semnul (IB2 în
figura 2.42), curentul colectorului continuă să circule un timp de
disipare (tdis) datorită sarcinii acumulate în structura dispozitivului.
La disiparea acestei sarcini curentul colectorului scade. Timpul în
care curentul scade până la o valoare de 10_% din curentul maximal
este timpul de descreștere (td).
Fig. 2.42. Diagramele temporale la comutarea BT

cu sarcină rezistivă
57
Fig. 2.43. Procesul de comutare în direct BT:

a – diagrama acumulării de sarcină;
b – mișcarea punctului de funcționare.
Procesele care au loc în structura tranzistorului de putere la
comutare în direct și în invers se deosebesc semnificativ de
comportamentul tranzistoarelor de mică putere din cauza prezenței
unui domeniu ușor dopat de derivare a colectorului. Ca și în
secțiunea anterioară, pentru a analiza comportamentul sarcinii
acumulate în regimul dinamic vom flosi un model simplificat
monodimensional al unui tranzistor de putere.
58
Procesul de comutare în direct

În fig.2.43.a [8] este reprezentat modelul simplificat de
variație a sarcinii acumulate când tranzistorul de înaltă tensiune
este comutat în direct. Linia 1-1, corespunzătoare momentului de
timp t1, reprezintă o stare cu un nivelul de injecție relativ scăzut,
corespunzător regimului activ, adică la limita regiunii de
cvasisaturație când pe tranzistor cade tensiunea reziduală UCE1
(fig.2.43.b).
Linia 2-2, corespunzătoare concentrației reflectă un nivel mai
înalt de injecție și începutul modulării domeniului de înaltă
rezistență n- a colectorului. În acest caz, căderea de tensiune UCE2
pe structură (vezi fig.2.43.b) este mai mică decât în momentul t1.
În mod similar, liniile 3–3, 4–4, 5–5, corespunzătoare
momentelor de timp t3, t4 și t5, reflectă efectul creșterii nivelului
de injecție a purtătorilor, fapt care provoacă extinderea efectului
de modulare a colectorului în domeniul n-. Căderea de tensiune
UCE în aceste momente continuă să scadă: UCE5<UCE4<UCE3.
Linia 6-6, corespunzătoare momentului de timp t6, reprezintă
starea structurii tranzistorului cu colectorul n- complet modulat. În
aceste condiții, UCE6=UCEsat putem considera că tranzistorul se află
în stare de saturație și se caracterizează prin circulația unui curent
de bază suficient de mare.
Prin urmare, cu cât mai rapid este atins nivelul de injecție
corespunzător punctului 6 (vezi fig.2.43.b), cu atât este mai mic
timpul de pornire a tranzistorului. Viteza cu care crește nivelul de
injecție depinde, la rândul său, de viteza de creștere în frontul
impulsului de comutare a curentului bazei. Prin urmare, un impuls
de comutare cu front scurt conduce la un timp de comutare mic, în
condiția ca amplitudinea sa finită să fie suficientă pentru a obține
curentul IC necesar.
Procesul de comutare în invers

Concentrația purtătorilor în structura tranzistorului, înainte de
începerea procesului de comutare în invers, adică aplicarea
curentului bazei de blocare, este reprezentată de linia 0-0 din figura
59
2.44.a [8]. Această distribuție este similară cu cea indicată de linia

6-6 din figura 2.43.a. Începând cu momentul de timp t=0
(fig.2.44.b), curentul bazei scade treptat. În circuitele practice ale
convertoarelor datorită caracterului sarcinii curentul colectorului se
modifică slab în faza inițială a procesului de comutare în invers, iar
curentul emitorului urmează variația curentului IB.
Profilul concentrației purtătorilor de sarcină minoritari
corespunde liniilor 1–1 și 2–2 la micșorarea curenților emitorului și
bazei și corespunde ulterior stării 3–3, când curentul emitorului
devine nul. În acest caz, gradientul concentrației purtătorilor de
sarcină minoritari lângă joncțiunea emitorului este egal cu zero.
Când curentul emitorului capătă valori negative (stările 4–4 și
5–5), gradientul concentrației purtătorilor minoritari în domeniul
bazei capătă valori negative. Și, în final, într-un un moment
considerat de timp înainte de momentul de timp t6, curentul
colectorului scade la zero. Din descrierea ilustrată în fig.2.44.a,
rezultă că sarcina excesivă din domeniul „modulat” n- al
colectorului este disipată intens, fapt care este însoțit de o creștere a
lățimii efective a domeniului cu o rezistivitate ridicată n-.
Fig. 2.44. Procesul de blocare a BT:

b – evoluția în timp a curenților IE, IC și IB.
60
Procesul de blocare și diagramele corespunzătoare ale

curenților reprezentate în fig.2.44.b poate fi considerat ca tipice
pentru blocarea corectă a unui tranzistor de înaltă tensiune cu un
regim de blocare prin bază corect selectat. Ca urmare, acest regim
asigură pierderi de putere dinamice relativ mici în timpul blocării.
Procesul de blocare incorectă prin bază duce la extinderea
frontului de blocare IC(t) și, prin urmare, la o creștere a pierderilor
dinamice (vezi figura 2.45) [8]. Profilul concentrației purtătorilor de
sarcină, adică linia 0-0 din figura 2.45, este analogică liniei 0-0 din
figura 2.44 și reprezintă profilul simplificat al sarcinii acumulate în
stare de conducție, care precede procesul de blocare. O schimbare
rapidă și forțată a curentului bazei duce la o scădere a curentului
emitorului până la zero în momentul t1 (fig.2.45.b) [8].
Începând din momentul de timp t1 și în continuare, emitorul nu
afectează procesul de blocare a tranzistorului și procesul de restabilire a
stării de blocare devine similar cu procesele care apar în diodă când se
restabilește rezistența inversă. Schimbarea profilului concentrației a
sarcinii acumulate în timpul restaurării capacității de blocare a joncțiunii
colector-bază este reprezentată în fig.2.45, a prin liniile întrerupte 2-2, 3-
3, 4-4, 5-5. Acest proces de restabilire inversă este destul de lent datorită
rezistivității ridicate a domeniului n- a colectorului. Deoarece emitorul nu
este implicat practic în procesul de blocare, curentul bazei și curentul
colectorului pot fi considerate aproximativ egale.
Cu cât procesul de blocare este mai lent, cu atât mai mari sunt
pierderile dinamice în tranzistor. Din cauza posibilelor pierderi mari
este probabilă creșterea temperaturii joncțiunii, fapt care la rândul
său întârzie procesul de blocare a dispozitivului.
Într-un caz nefast, mecanismul descris poate căpăta un
caracter cumulativ, care va duce la o reacție (feedback) termică
pozitivă cu distrugerea ulterioară a BT.
Evident, că în procesul de blocare trebuie să fie menținut un regim
normal și corect de blocare prin bază, astfel încât emitorul la blocare să
contribuie la eliminarea sarcinii acumulate în domeniul bazei.
61
2.4.7. Regimul termic

Regimul termic al tranzistorului se calculează, în cazurile
staţionar şi dinamic, după aceeaşi metodologie de la diode sau
tiristoare. Singurele diferenţe constau în aprecierea pierderilor în
joncţiuni, în funcţie de tipul de regim de funcţionare şi prezenţa sau
absenţa circuitelor de protecţie la intrarea sau ieşirea din conducţie.
Finalizarea calculului se face fie prin determinarea temperaturii
joncţiunii Tj şi încadrarea ei în condiția:
Tj≤TjM, (2.60)
fie prin calculul radiatorului, care să conducă la îndeplinirea
condiţiei (2.60).
Fig. 2.45. Procesul de blocare incorectă a BT:

b – evoluția în timp a curenților IE, IC și IB.
62
2.6. Tranzistoare cu efect de câmp

Tranzistoarele unipolare au funcţionarea bazată pe un singur
tip de purtători de sarcină (electroni sau goluri). Aceste tranzistoare
mai sunt numite tranzistoare cu efect de câmp (TEC), deoarece
curentul de ieşire este comandat prin efectul de câmp (spre
deosebire de comanda în curent realizată în tranzistoarele bipolare).
În literatura engleză aceste tranzistoare sunt numite FET (Field
Effect Transistors).
FET este un dispozitiv semiconductor care are trei terminale:
sursă, drenă şi grilă. Sursa şi drena sunt domenii de conductivitate
înaltă în cristalul semiconductor. Între ele este format canalul, prin
care la aplicarea tensiunii apare mişcarea purtătorilor majoritari de
sarcină de la sursă spre drenă (vezi fig.2.46) [5]. Acest curent electric
depinde de conductivitatea canalului şi secţiunea lui transversală.
Conductivitatea canalului (sau secţiunea transversală) este
comandată de tensiunea aplicată pe grilă.
G D D
G G
izolator A S B S
Fig. 2.47. Simbolurile
S D
canal grafice ale FET-J:
а − cu canal de tip n;
Fig. 2.46. Structura TEC b − cu canal de tip p.
În funcţie de metoda de formare a canalului se deosebesc:

❑ FET grilă–joncţiune;
❑ FET grilă–izolată.
FET grilă–joncţiune au fost propuse în 1952 şi
funcţionează folosind efectul de câmp în joncţiunea p-n (vezi
fig.2.47 și 2.48) [5]. FET grilă–izolată au fost propuse în 1963 şi
funcţionează folosind efectul de câmp în stratul izolator format
între placheta de semiconductor (în care este format sau indus
63
canalul) şi pelicula de metal, care formează grila. Aceste

tranzistoare cu structura metal-izolator-semiconductor sunt
numite MIS FET sau MOS FET (deoarece ca izolator este folosit
oxidul de siliciu). MOS FET pot fi [5]:
 cu canal iniţial (vezi fig.2.49 și 2.51, a și 2.51.b);
 cu canal indus (vezi fig.2.50 și 2.51, c și 2.51.d).
G
+ UG −
Uint.
D
S p
n
p RS
− UDS +
Fig. 2.48. Structura FET-J cu canal de tip n
S G D S G D
n canal de tip n n n n
substrat p
substrat p
Fig. 2.49. Structura planară Fig. 2.50. Structura planară

MOS FET MOS FET
cu canal iniţial de tip n cu canal indus de tip n
D D D D
G G G G
S S S S
A B C D
Fig. 2.51. Simbolurile grafice ale MOS FET:
а − cu canal iniţial de tip n; b − cu canal iniţial de tip p;
c − cu canal indus de tip n; d − cu canal indus de tip p.
64
În fig.2.52 și 2.53 sunt reprezentate caracteristicile statice ale

MOS FET cu canal iniţial de tip n (fig.2.52) și cu canal indus
(fig.2.53) [5].
ID ID
UG1>0
UG2=0
UG3<0
a UDS UP b UG
Fig. 2.52.Caracteristicile de drenă (а) şi de grilă (b)
ale MOS FET cu canal iniţial de tip n
Domeniul
ohmic
ID UG3 ID
UG2
Domeniul activ UG1
a
Domeniul de tăiere b
0<UG1<UG2<UG3 UDSstr UDS UGp UG

Fig. 2.53. Caracteristicile de drenă (а) şi de grilă (b)
ale MOS FET cu canal indus de tip n
Pentru MOS FET este necesar ca tensiunea pe grilă să fie
suficientă pentru a-l menține în conducție. În același timp, curentul
prin grilă practic nu circulă, cu excepția proceselor comutare, când
capacitatea porții este încărcată și descărcată. Timpul de comutare
este foarte scurt și variază de la câteva zeci de nanosecunde la câteva
sute de nanosecunde, în funcție de dispozitiv. Rezistența între drenă
și sursă în stare de conducție RDSon crește brusc odată cu creșterea
tensiunii de blocare pe grilă până la valoarea maximală [8].
65
2.6.2. Parametrii de bază ai MOS FET

C11 – capacitatea de intrare;
C22 – capacitatea de ieșire;
C12 – capacitatea de transfer;
S – panta caracteristicii de transfer;
RDS – rezistența dintre drenă și sursă;
TjM – temperatura joncțiunii maximală;
Tc – temperatura capsulei;
PDM – puterea disipată pe drenă maximală;
Rhj-c – rezistența termică joncțiune-capsulă;
IDM – curentul continuu al drenei maximal;
UG – tensiunea grilei;
UGp – tensiunea grilei de prag;
UDSstr – tensiunea drenă-sursă de străpungere.
2.6.3. Structuri MOSFET de putere
Cele mai mult utilizate structuri MOSFET în circuitele
electronice de putere sunt reprezentate în fig.2.54 și 2.55. Figura
2.54 reprezintă structura unui MOSFET fabricat prin metoda dublă
difuzie, în care drena este orientată pe direcția verticală, iar
electrozii sursei și grilei sunt situați într-un plan pe partea din față a
cristalului [8]. Structura activă a MOSFET este formată într-un strat
epitaxial p crescut pe substratul p+ puternic dopat.
Fig. 2.54. Celula verticală MOS FET
66
Fig. 2.55. Structura verticală MOS FET

Deși în fig. 2.54 este reprezentată o singură celulă simplificată,
de fapt, un MOSFET este o conexiune paralelă a mai multor astfel de
celule (250 000 cells per mm2) (vezi fig.2.55) [8].
Pe structurile (n+)-(p)-(n-)-(n+) se formează MOSFET cu canal n,
iar pe structurile (p+)-(n)-(p-)-(p+) – MOSFET cu canal p, ale căror
simboluri sunt reprezentate în fig.2.51.c și fig.2.51.d. Domeniul sursei
n+ are o concentrație a impurității donor de ordinul 1019 cm-3, domeniul
p este dopat aproximativ până la nivelul de 1016_cm-3. Nivelul de dopaj
cu impuritate de tip p este foarte important, deoarece determină
tensiunea de prag a MOSFET. Parametrii electrofizici ai domeniului
sursei n- sunt aleși în funcție de valoarea necesară a tensiunii de
străpungere, în limitele concentrației de (10141015)_cm-3. Electrodul
grilei este situat pe un dielectric de grilă, care este de obicei dioxid de
siliciu (SiО2) cu o grosime de aproximativ 1000 Å. Materialul de grilă
poate fi un metal refractar, dar mai des se folosește siliciu policristalin,
care este dopat cu fosfor pentru a i se reduce rezistența. Grila din
polisiliciu este acoperită cu un strat gros de dioxid siliciu, care servește
ca izolație intermediară (interstrat) între grilă și metalizarea continuă a
sursei. Porțile din siliciu policristalin sunt preferabile celor metalice din
punct de vedere tehnologic, însă, dacă dispozitivul funcționează la înalte
frecvențe (în întrerupătoare de mare viteză sau în condiții speciale),
crește semnificativ rezistența grilei, fapt care afectează caracteristicile
MOSFET [8].
67
Avantajul structurii verticale MOSFET în comparație cu cea

planară orizontală, în care drena este într-un plan cu sursa și grila,
constă în dimensiunile mult mai mici ale cristalului.
Un tip de MOSFET
vertical cu un canal scurt este
tranzistorul MOS în formă de
Ѵ. Structura unui MOSFET
cu o canelură în formă de Ѵ
(în secțiune transversală) este
prezentată schematic în
figura 2.56 [8]. Aici,
electrodul drenei este situat în
Fig. 2.56. Structura celulei V-MOS FET
partea de jos, iar sursa și grila
sunt situate deasupra. Pentru decaparea canelurii în formă Ѵ este
utilizată proprietatea de anisotropie a siliciului în timpul gravării în
diferite direcții cristalografice. Când cristalul (placa) este orientat în
planul cristalografic ((100)) (care asigură o mobilitate optimă a
purtătorilor de sarcină și, prin urmare, pantă maximă și rezistență
minimă), anisotropia de gravură asigură formarea unei caneluri în
formă V cu un unghi strict și repetabil al pereților laterali față de
suprafața orizontală. Densitatea de ambalare a dispozitivelor de tip
Ѵ cu topologie multicanal sau multicelule este destul de mare,
deoarece doar doi electrozi sunt localizați pe suprafața superioară.
Locația verticală a domeniului n- asigură o valoare necesară a
tensiunii de străpungere și valoare mică a capacității drenă-grilă.
Valoarea scăzută a rezistenței în conducție se datorează
conductivității ambelor părți ale canelurii. Există o serie de versiuni
structurale și tehnologice ale dispozitivelor cu canelură în formă de
Ѵ, destinate îmbunătățirii parametrilor și caracteristicilor electrice
ale acestora.
În dispozitivele cu canelură în formă de Ѵ, gravura anisotropică
se realizează până când cei doi pereți înclinați ai canelurii se contopesc
pe aceeași linie. Dacă procesul de gravare este oprit mai înainte de
acest moment, canelura va fi trunchiată, deci, va avea forma U. Un
dispozitiv cu o canelură de acest tip este prezentat în fig.2.57 [8]. Ca
68
și în dispozitivul cu canelură în Ѵ, în
structura cu canelură în U, lungimea
canalului este determinată prin
difuzie dublă prin aceleași ferestre în
dioxidul de siliciu. Avantajul
principal al acestei structuri este
faptul că are o rezistență mai mică în
conducție datorită unei distribuții Fig. 2.57. Structura celulei
mai bune a curentului în domeniul n - U-MOS FET
. Dezavantajul acestei structuri
constă în faptul că gravura canelurii în formă de U nu este
autolimitată, ca în cazul gravării canelurii în Ѵ. Forma topologică a
celulelor elementare conectate în paralel poate fi pătrată, hexagonală etc.
Din analiza structurii MOSFET rezultă câteva momente
importante.
Topologia MOSFET din multe celule elementare
(tranzistoare MOS) conectate în paralel este constituită în special,
deoarece astfel crește raportul dintre lățimea totală a canalului, ce
corespunde aproximativ perimetrului global al celulelor, la
lungimea canalului (vezi fig.2.54) [8]. Valoarea înaltă a raportului
dintre lățimea canalului și lungimea acestuia determină în mare
măsură valoarea foarte mare a factorului de amplificare a MOSFET.
Structura oricărui MOSFET cu un canal scurt conține un BT
parazit conectat în paralel cu tranzistorul cu efect de câmp (vezi
fig.2.54) [8]. Pentru a păstra caracteristicile dinamice avantajoase
ale MOSFET este necesară suprimarea efectului acestui BT parazit.
În cazul nostru, acest BT parazit are o structură n-p-n.
Pentru a suprima efectul dăunător al structurii BT parazit asupra
caracteristicilor MOSFET, metalizarea sursei din fiecare celulă
șuntează sursa n+ cu domeniul p. Însă acest jumper scurtcircuitor este
situat la o anumită distanță de la locul unde are loc inversarea și
formarea canalului, fapt care se manifestă sub formă de rezistență
longitudinală în domeniul bazei. Datorită efectului du/dt poate avea loc
amorsarea BT parazitl și deci trecerea în regim activ în condițiile unei
schimbări accentuate a tensiunii, fapt care poate duce la străpungerea
tranzistorului sau degradarea caracteristicilor sale [8].
69
Din analiza fig.2.54 rezultă că metalizarea grilei (polysiliciu)

este situată deasupra domeniului n-. Acest amplasament al grilei
rezolvă două probleme. În primul rând, la polarizarea directă a grilei
în stratul domeniului n- limitrof suprafeței între celule se formează un
strat acumulator, constituit din purtători de sarcină (electroni), fapt
care contribuie la reducerea rezistenței MOSFET în conducție. În al
doilea rând, acest amplasament al grilei joacă rolul unei armături de
condensator în cazul polarizării ei inverse. În acest caz, DSS capătă o
configurație în care nu există curbuiri cu rază mică și, prin urmare, nu
există o intensitate înaltă a câmpului electric, fapt care facilitează
soluționarea problemei de tensiune de străpungere.
Nu toate elementele parazitare obținute la formarea structurii
MOSFET sunt nedorite. În MOSFET cu un canal scurt, în mod
implicit se formează dioda integrată de sursă-drenă. În procesul de
fabricare a MOSFET, timpul de recuperare a rezistenței inverse a
acestei diode poate fi redus suficient de mult pentru ca această diodă
să realizeze funcția utilă de protecție a dispozitivului la comutarea
curenților într-un circuit cu sarcină inductivă. La fabricarea
MOSFET, una dintre sarcinile principalele este reducerea
rezistenței RDSon, moment deosebit de important în cazul
dispozitivelor de înaltă tensiune [8].
În fig.2.58 este reprezentat un fragment din secțiunea
transversală a MOSFET de putere clasic cu o imagine simplificată
a rezistențelor componente care determină rezistența globală drenă-
sursă în conducție [8]. În acest mod:
RDSon= RC+RG+RS+RD, (2.61)
unde: RC este rezistența domeniului canalului;
RG – rezistența domeniului sub poartă (grilă);
RS – rezistența determinată de tensiunea sursei;
RD – rezistența stratului epitaxial al domeniului n- al drenei.
În tranzistoarele de înaltă tensiune RDSon este determinată
preponderent de stratul n epitaxial, al cărui parametri sunt corelați
cu valoarea tensiunii inverse. În tranzistoarele de joasă tensiune,
RDSon depinde preponderent de alte componente din structura
acestei rezistențe.
70
Fig. 2.58. Componentele rezistenței Fig. 2.59. Trench-gate

drenă-sursă a MOS FET în conducție MOSFET Structure
Formarea structurilor MOSFET cu porți în caneluri (Trench-
Gate Structure) permite reducerea semnificativă a componentelor RG
și RS, fapt care contribuie la o scădere pronunțată a RDSon (vezi
fig.2.59) [7]. Trench-MOSFET Structure a fost propusă (introdusă)
în jurul anului 1997. În această structură plăcile izolate ale porții, ca
și domeniul canalului, sunt aranjate vertical și, prin urmare, distanța
care trebuie parcursă de electroni în domeniul n este astfel mai scurtă.
Aceasta permite o reducere semnificativă a RDSon în special la joase
tensiuni în comparație cu structurile convenționale.
Imaginea 3D (tridimensională) a celulei elementare hexagonale
este prezentată în fig.2.60 [8]. De fapt, formarea structurilor MOSFET
cu porți polisiliciu este o
simbioză a tehnologiilor inerente
fabricării dispozitivelor de putere
și a operațiilor tehnologice
împrumutate din tehnologia
circuitelor integrate.
Spre sfârșitul anilor ’80,
dezvoltarea MOSFET de înaltă
tensiune (cu o tensiune de Fig. 2.60. Imaginea 3D a celulei
elementare hexagonale Trench-gate
400_V1000_V) cu structură
MOSFET Structure
71
MOS tradițională a atins plafonul (limita), deoarece exista o singură

modalitate de reducere a RDSon, și anume – creșterea suprafeței
active a cristalului. În anul 1999, companiile Infineon Technologies
AG, Toshiba ș.a. au lansat o nouă generație de MOSFET de înaltă
tensiune, numite Cool MOS – “Super-junction” power MOSFET
[8]. Tranzistoarele acestei serii au RDSon de (510) ori mai mică
decât dispozitivele tradiționale de înaltă tensiune cu aceeași
suprafață activă a cristalului.
G În fig.2.61 este reprezentată structura Cool
S
MOS FET [7]. Deoarece în MOSFET de înaltă
tensiune rezistența RDSon este determinată
preponderent de gradul de dopare și de grosimea
stratului epitaxial, reducerea acestei rezistențe
poate fi obținută prin creșterea suprafeței sau
majorarea conductivității. Prima modalitate este
D inacceptabilă, deoarece duce la o creștere
Fig. 2.61.
Cool MOS FET considerabilă a prețului de cost al dispozitivelor.
Ca urmare, eforturile proiectanților sunt
concentrate la implementarea celui de-al doilea mod, adică
reducerea rezistenței domeniului de derivă.
Diferența fundamentală în tehnologia Cool MOS de cea
tradițională (vezi fig.2.62) [8] constă în formarea în „stratul
epitaxial n- a unor domenii p verticale suficient de adânci, care
formează joncțiuni p-n pe ambele părți ale domeniului canalului.
În acest caz, câmpul electric creat de tensiunea drenă-sursă nu
are doar o componentă verticală de-a lungul grosimii cristalului (ca
în tranzistoarele MOS obișnuite), dar și una transversală. Acest fapt
permite creșterea semnificativă a densității purtătorilor și, prin
urmare, reducerea rezistenței globale RDSon.
a b
Fig. 2.62. Secvențe MOS FET: a – tradițional; b – Cool MOS.
72
2.6.4. Caracteristicile statice ale MOS FET de putere

În circuitele electronice de putere, de regulă, sursa este
comună pentru circuitele de intrare și ieșire. Caracteristicile de ieșire
ale MOS FET reprezintă familia dependențelor ID=f(UDS), în care
tensiunea UG joacă rolul de parametru (vezi fig.2.53) [5].
În electronica de putere MOS FET este folosit în calitate de
poartă (întreruptor) electronică, care comandă fluxul de energie spre
sarcină. În acest caz, traiectoria punctului de funcționare în timpul
procesului de comutare intersectează caracteristicile ID vs UDS din
domeniul de tăiere (blocat), trecând prin domeniul regimului activ,
spre domeniul în care MOS FET este caracterizat prin rezistență
ohmică (conducție).
MOS FET este blocat când tensiunea grilă-sursă UG este mai
mică decât valoarea tensiuni de prag UGp (vezi fig.2.53), care pentru
majoritatea dispozitivelor constituie, de regulă, unități de Volt. Pentru
evitarea străpungerii tensiunea UDS în toate regimurile de funcționare
ar trebui să fie mai mică decât UDSstr. În domeniul activ curentul de
drenă, practic, nu depinde de tensiunea UDS și este determinat doar
de valoarea tensiunii UG. Dependența ID vs UG în domeniul regimului
activ poate fi aproximată prin expresia [8]:
ID  k(UG– UGp)2, (2.62)
unde k este un coeficient dependent de structura și tehnologia MOS FET.
La limita domeniilor ohmic și activ, unde:
UG– UGpUDS, (2.63)
obținem: ID  kU2DS, (2.64)
fapt care explică nelinearitatea liniei de separare dintre aceste

domenii.
73
2.6.5. Funcționarea MOS FET de putere

În fig.2.63 [8] este reprezentată într-o manieră simplificată
secvența structurii unui tranzistor MOS cu canal n pentru diferite
valori ale tensiunii pe grilă UG. Sub acțiunea unei valori mici
pozitive a tensiunii pe grilă UG1 (fig.2.63.a) sub stratul de SiO2 se
formează un domeniu de sarcină spațială (DSS). Sarcina pozitivă
indusă pe grilă determină o sarcină negativă egală ca valoare (cu cea
de pe grilă) pe cealaltă placă a condensatorului MOS, a cărei rol este
realizat de domeniul p în cristalul de siliciu. Câmpul electric cu o
sarcină pozitivă pe grilă respinge purtătorii de sarcină majoritari din
domeniul p (golurile), din domeniul limitrof suprafeței cristalului de
siliciu, astfel formând DSS.
Fig. 2.63. Formarea stratului invers în MOS FET:

a – formarea DSS; b – extinderea DSS;
c – formarea stratului invers.
74
Creșterea tensiunii UG până la UG=UG2 (vezi fig.2.63.b) duce

la extinderea DSS, care este însoțită de respingerea și mai puternică
a golurilor și de atragerea electronilor liberi spre suprafața de
separație SiO2-siliciu. Acești electroni liberi apar, în special, ca
urmare a procesului de generare a cuplurilor electron-gol datorită
fenomenului de ionizare termică. Excesul de goluri este neutralizat
(compensat) de electronii extrași din domeniul n+ al sursei de către
sarcina pozitivă a acestor goluri. La o valoare semnificativă a
tensiunii UG, care depășește UGp UG=UG3>UGp, stratul de electroni
liberi numit strat invers este format în cadrul procesului de inversie
a conductivității siliciului și realizează rolul canalului de conducție
între sursa n+ și drenă (vezi fig.2.63.c).
Valoarea tensiunii UG, la care se formează stratul invers și un
canal conductor, la care sunt asigurate condițiile de circulație a
curentului, se numește tensiune de prag UGp (valoarea UGp, de regulă,
este definită la valoarea curentului ID de circa câțiva miliamperi).
Pentru UG>UGp stratul invers devine mai larg, și, ce este deosebit de
important, are o conductivitate mai mare datorită densității mai mari a
electronilor liberi. Tensiunea de prag depinde de mai mulți factori.
Unul dintre ei este capacitatea stratului de oxid de grilă SiO2, care este
determinată de permitivitatea dielectrică a SiO2 și de grosimea
acestuia. Tensiunea de prag este invers proporțională cu această
capacitate. Alți factori care determină valoarea UGp, sunt gradul de
dopare a suprafeței siliciului în domeniul p, unde se formează regiunea
canalului, valoarea sarcinii electrice din stratul de oxid de grilă,
materialul grilei, densitatea stărilor de suprafață etc.
Vom analiza cazul când pe structura MOS se aplică o tensiune
UG>UGp, și o tensiune UDS. Punctul de funcționare a tranzistorului
MOS se află în zona ohmică și în circuitul drenă-sursă circulă un curent
mic ID. Dacă tensiunea UDS crește și depășește valoarea UG, curentul
de drenă crește inițial proporțional cu UDS, deoarece stratul invers se
comportă ca o rezistență ohmică între drenă și sursă. Curentul care
circulă prin canal formează o cădere de tensiune UD(x) de-a lungul
canalului (fig.2.64.a) [8]. Dacă lângă domeniul n+ al sursei tensiunea
este aproape de UG, atunci la sfârșitul canalului această tensiune va fi
UG-UD(x). Odată cu creșterea curentului ID crește și tensiunea UD(x) și,
75
respectiv, scade tensiunea grilă-canal în partea finală a canalului. Prin

urmare, scade grosimea canalului indus în direcția de la sursă spre
drenă (fig.2.64.b). Deoarece grosimea stratului invers scade spre
capătul canalului, rezistența crește, iar dependența ID=f(UDS) la o
tensiune UG constantă este practic o dreaptă cu valoarea constantă a
curentului.
Astfel, doarece grosimea canalului scade, densitatea curentului
în canal crește la sfârșitul canalului. Deoarece curentul care circulă prin
canal este numai de derivă (nu există injecția de purtători minoritari),
este evident că intensitatea câmpului electric de-a lungul canalului în
sensul circulației curentului este, de asemenea, mai mare în partea
finală a canalului.
Pentru ca MOSFET să aibă o amplificare înaltă, este important
ca lățimea regiunii canalului să fie mult mai mare decât lungimea sa.
În MOSFET moderne acest raport este asigurat la nivelul de 105 sau
mai mare, fapt care se obține prin conectarea în paralel a mii de celule
elementare.
Fig.2.64. Circulația curentului ID prin canalul invers:

a – UDS=UDS1; b – UDS=UDS2>UDS1.
76
2.6.6. Caracteristicile dinamice ale MOS FET de putere

După cum a fost demonstrat mai sus [5, 7, 8, 11], procesele
care au loc în MOS FET sunt determinate de purtătorii de sarcină
majoritari. În MOS FET nu au loc acumulări de sarcină în domeniile
structurii tranzistorului, ca în BT, deși există o acumulare de sarcină
în capacitățile din structura MOS FET. Însă valoarea acestei sarcini
este determinată de caracteristicile structurii și de procesele de
fabricare ale MOS FET, dar este mult mai mică decât sarcina
acumulată în BT. Prin urmare, prin definiție MOSFETsunt mult mai
rapide decât BT. Timpul de comutare al MOS FET este mai mic de
100_ns și foarte slab depinde de temperatură, pe când timpul de
comutare în BT depinde puternic de timpul de viața al purtătorilor
minoritari și de temperatură. Toate acestea permit MOS FET să
funcționeze la frecvențe de comutare mai mari de sute de kilohertz.
În structura MOS se disting următoarele capacități inter-
electrozi [8, 11]:
C11S – capacitatea de intrare între grilă și drena și sursa
scurtcircuitate pentru curentul alternativ;
C22S – capacitatea de ieșire între grilă și drena și sursa
C12S – capacitatea de transfer între grilă și drena și sursa
Fiecare dintre aceste capacități este formată din câteva
componente determinate de structura dispozitivului, care la rândul
lor depind de tensiune și scad odată cu creșterea acesteia.
În fig.2.65 [8] este
reprezentată o secvență
simplificată a structurii MOS
FET cu capacități parazitare
care limitează viteza de
comutare a MOS FET.
Capacitatea de intrare
C11S include capacitatea grilă-
sursă CGS și capacitatea de
câmp CGStr, adică capacitatea Fig.2.65. Capacitățile în structura MOS
77
dintre traseele metalizate spre sursă și spre grilă. Pentru a obține

MOS FET cu parametri de performanță este necesar să se reducă
capacitatea de intrare.
Reducerea capacități de intrare poate fi obținută inclusiv
printr-o scădere a capacității de reacție (feedback) CGD printr-o
alegere minuțioasă a concentrației dopantului și a grosimii stratului
epitaxial n. De asemenea, trebuie să menționăm că capacitatea CGD
se modifică substanțial la creșterea tensiunii grilă-drenă, în timp ce
CGD poate scădea de zeci de ori. Capacitatea CGD este constituită din
capacitatea între grilă și stratul epitaxial și capacitatea DSS din acest
strat conectate în serie.
Capacitatea de ieșire C22S, de asemenea, este constituită
preponderent din capacitățile domeniilor de sarcină spațială, iar
valoarea acesteia depinde de tensiunea drenă-sursă. În MOS FET,
capacitatea C22S include capacitatea CGS.
Comportamentul la comutare (viteza de comutare, pierderile) a
modulelor de putere MOSFET este determinat de capacitățile lor
structurale, interne și de rezistențele interne și terminale. Spre deosebire
de lipsa de pierderi pe poarta MOSFET, pierderile depind de frecvența
de comutare. Acest fapt se datorează curenților de reîncărcare a
capacităților interne. Mai mult ca atât, procesele de comutare sunt
afectate de inductanțele parazite prezente în componente și conexiuni și
generate prin conectarea chip-urilor de tranzistor în module de putere.
Acestea induc supratensiuni tranzitorii și pot provoca oscilații datorită
capacităților circuitului și ale tranzistorului.
Comportamentul de comutare al MOS FET de putere poate fi
descris reieșind din capacitățile și rezistențele interne ale tranzistorului:
Când MOSFET este blocat, CGD este mică și aproximativ
egală cu CDS. În stare de conducție CGD va crește rapid îndată ce
tensiunea grilă-sursă a depășit valoarea tensiunii drenă-sursă. Acest
fapt se datorează inversării în stratul îmbogățit de sub grilă.
Pierderile de comutare și formele de undă depind (sunt
afectate) nu numai de proprietățile non-ideale ale structurii
tranzistorului, dar și de componentele pasive ale circuitului.
78
2.6.6.1. Comutare în direct (turn-on)

După cum este reprezentat în figura 2.66 [7], tensiunea drenă-
sursă a MOS FET de putere scade la valoarea tensiunii în conducție:
UDS(on)=IDRDS(on) (2.65)
în timp de aproximativ 10 ns.
Comutare în direct (turn-on): intervalul de timp 0t1
(tranzistorul este blocat).
Curentul de grilă iG începe să circule când este aplicată tensiunea
de comandă. Inițial iG încarcă doar capacitatea CGS a grilei până când se
atinge sarcina QG1; tensiunea grilă-sursă UGS crește liniar cu constanta
de timp determinată de capacitatea de intrare a MOS FET și de rezistența
grilei (porții). Atât timp cât UGS este mai mică decât valoarea tensiunii
de prag UGS(th) (UGSp) curentul drenei nu circulă.
Fig. 2.66. Formele de undă ale curentului și tensiunilor

la comutarea MOS FET de putere în circuit cu sarcină
rezistiv-inductivă și diodă de curent invers
79
Comutare în direct (turn-on): intervalul de timp t1t2 (curentul

de drenă crește).
După ce este atinsă valoarea tensiunii de prag UGS(th) (în
momentul de timp t1) curentul de drenă începe să crească. În mod
similar, tensiunea UGS crește împreună cu curentul drenei în zona de
pornire a MOSFET cu rata de creștere gfs: ID=gfs·UGS, va crește până
la valoarea UGS1=ID/gfs (momentul de timp t2). Deoarece dioda de
curent invers poate bloca curentul doar la momentul de timp t2,
tensiunea UDS nu va scădea semnificativ până la momentul de timp t2.
La momentul de timp t = t2 sarcina QG2 se scurge spre grilă.
Cele mai mari pierderi ale procesului de comutare în direct au
loc în MOSFET în acest interval de timp. Atât timp cât valoarea iD
este mai mică decât IL și o parte din IL este nevoită să circule prin
dioda de curent invers, tensiunea drenă-sursă uDS în acest interval
de timp nu poate să scadă cu mult sub valoarea tensiunii de
funcționare UDD. Diferența dintre UDD și UDS reprezentată în figura
2.66 este cauzată preponderent de căderile de tensiune tranzitorii pe
inductanțele parazite ale circuitului de comutare.
Comutare în direct (turn-on): intervalul de timp t2t3
(tranzistorul este complet comutat în direct in the pinch-off area)
Când dioda de curent invers este blocată, UDS scade până la
valoarea de conducție până la momentul de timp t3 când se atinge
valoarea UDS(on)=IDRDS(on). Între momentele de timp t2 și t3, curentul de
drenă și tensiunea grilă-sursă sunt încă legate prin conductanță de
transfer: tensiunea UGS rămâne aproximativ constantă. Atât timp cât uDS
scade, curentul grilei iG reîncărcă capacitatea Miller CDG cu sarcina
(QG3-QG2) [7]. La momentul de timp t=t3 o sarcină egală cu QG3 se va
scurge spre grilă. După ce tot curentul sarcinii a fost comutat la MOS
FET, dioda de curent invers va începe să se blocheze. Datorită timpului
de recuperare inversă a diodei de curent invers curentul de drenă al
MOSFET iD continuă să crească mai sus ca IL în timpul blocării diodei
de curent invers (trr) cu valoarea IRRM a curentului invers al diodei și
disipează sarcina de recuperare inversă Qrr a diodei de curent invers.
Efect Miller - efect care constă în faptul că o capacitate conectată între
intrarea și ieșirea unui amplificator inversor cu factor de amplificare în tensiune
ku este văzută dinspre intrarea multiplicată cu 1+ku.
80
Comutare în direct (turn-on): intervalul de timp t3t4

(ohmic operating area)
La momentul de timp t=t3 MOS FET este comutat în conducție
(în direct) și punctul său de funcționare a trecut prin zona pinch-off și
a ajuns la limita zonei de funcționare ohmică. Tensiunea UGS și
curentul drenei ID nu mai sunt cuplate prin gfs. Sarcina (QGtot-QG3)
scursă acum spre grilă determină creșterea suplimentară a UGS până
la valoarea tensiunii de comandă pe grilă UGG.
2.6.6.2. Comutare în invers (turn-off)
În timpul comutării în invers a MOSFET, procesele descrise
mai sus derulează în sens invers. Sarcina QGtot trebuie descărcată din
grilă de curentul grilei. Spre deosebire de IGBT, pe grila MOSFET
de putere în cadrul acestui proces nu este aplicată tensiune negativă.
Pentru blocarea MOSFET UGS=0.
În timpul comutării în invers, doar capacitățile interne ale
MOSFET de putere trebuie să fie reîncărcate într-o asemenea măsură,
încât în domeniul canalului să nu rămână purtători de sarcină. Începând
din acest moment, interferența de neutralitate în această zonă va fi
rapid redusă, iar curentul de drenă scade rapid. Depășirea tensiunii uDS
peste valoarea UDD indicată în figura 2.66 [7] rezultă, în special, din
inductanțele parazite ale circuitului de comutație și crește proporțional
cu viteza de blocare -diD/dt a MOSFET de putere.
2.6.7. Comparația MOSFET vs PBT
• MOSFET sunt mai rapide, timpii de comutații sunt mult mai mici;
• Acești timpi de comutație variază puțin cu temperatura spre
deosebire de PBT;
• Datorită vitezei înalte de comutație sunt reduse considerabil
pierderile de comutație;
• MOSFET este comandat în tensiune și, prin urmare, are
impedanța de intrare foarte mare, pe când PBT au nevoie de
curenți de valori mai mari,
Însă: rezistența canalului în MOSFET în conducție este mai
mare decât rezistența PBT în conducție, deci, căderea de
tensiune este mai mare.
81
2.7. Tranzistoare bipolare cu grilă izolată

2.7.1. Noțiuni generale
Tranzistoarele bipolare cu grilă izolată Insulated gate bipolar
transistor (IGBT) fac parte din clasa dispozitivelor
semiconductoare de putere (ventile) complet comandate. IGBT
reprezintă o combinație a unui tranzistor bipolar de putere (PBT) al
cărui curent este format de purtătorii de sarcină
majoritari și minoritari (goluri și electroni) și a unui C
MOSFET a cărui funcționare este realizată de un G
singur tip de purtători de sarcină. Amorsarea IGBT
este declanșată prin aplicarea unui impuls de E
tensiune pe grilă, care este izolată de semiconductor
Fig. 2.67.
de un strat de oxid. Simbolul IGBT este reprezentat
Simbolul IGBT
în fig. 2.67.
Prima mostră produsă industrial a IGBT a fost brevetată de
către International Rectifier în 1983. Mai târziu, în anul 1985, a fost
elaborată structura IGBT complet planară (fără canal V) cu tensiuni
de funcționare mai mari. Acest lucru a avut loc aproape simultan în
laboratoarele General Electric (Schenectady, NY) și RCA
(Princeton, New Jersey). Dispozitivul a fost denumit inițial
COMFET, GEMFET sau IGFET. În anii ’90 a fost adoptată
denumirea IGBT. Primele IGBT nu au găsit aplicare datorită
dezavantajelor: comutare lentă și fiabilitate scăzută. Generațiile a
doua (anii ’90) și a treia (modernă) ale IGBT nu au aceste
neajunsuri.
Ca și în cazul MOSFET, structurile IGBT, sunt caracterizate
de o rezistență înaltă în circuitul grilei și, prin urmare, putere,
solicitată în circuitul de comandă, mică, cădere de tensiune în
conducție mică (chiar și în cazul dispozitivelor de înaltă tensiune),
timp de comutare în direct și în invers de ordinul nanosecundelor,
fapt care contribuie la folosirea lor la înalte frecvențe. La moment
sunt obținute performanțe pentru IGBT de circa 8 kV în tensiune și
circa 3 kA în curent [4].
82
2.7.2. Parametrii de bază ai IGBT

UCEstr – tensiunea colector-emitor de străpungere;
ICM – curentul colectorului de DC maxim admisibil;
ICiM – curentul colectorului în impuls maxim admisibil;
UGE – tensiunea grilă-emitor;
PCM – puterea disipată pe colector maximală;
TjM – temperatura joncțiunii maximală;
Rhj-c – rezistența termică joncțiune-capsulă;
UCEsat – tensiunea colector-emitor de saturație;
UGEp – tensiunea grilă-emitor de prag;
S – panta caracteristicii de transfer;
IC0 – curentul colectorului inițial la tensiunea de UGE=0;
ton – timpul de comutare în direct;
toff – timpul de comutare în invers;
C11E – capacitatea de intrare;
C22E – capacitatea de ieșire;
C12E – capacitatea de transfer.
2.7.3. Structura IGBT
Structura IGBT este reprezentată în figura 2.68 [7, 8], de unde
se poate observa că structura IGBT în multe privințe este
asemănătoare cu structura MOSFET de putere verticală. Deosebirea
constă în prezența stratului p+ sub stratul n+, care formează cu
domeniul n+ o joncțiune p+-n+ J1, prin care are loc injecția purtătorilor
minoritari în domeniul n- al drenei tranzistorului MOSFET vertical.
Ca și în structura MOSFET verticală, domeniile grilei și emitorului
sunt plasate în același plan.
După cum se observă în fig. 2.68, b [8], structura IGBT are un
tiristor parazit. Implicarea acestui tiristor în procesul de funcționare
este extrem de nedorită, iar influența lui poate fi suprimată prin
alegerea soluțiilor topologice ale structurii IGBT, prin formarea
domeniului p lângă joncțiunile J2-J3, prin alegerea parametrilor
electrofizici ai stratului tampon n+ etc. Pentru reducerea la minimum
a probabilității conectării (amorsării) tiristorului parazit, domeniile
n+ ale sursei structurii IGBT sunt scurt-circuitate de domeniul p ca
în MOSFET.
83
G
E E
SiO2
n+ n+
p n+ p
p+
C a
c
b
Fig. 2.68. Structura IGBT
Efectul stratului buffer n+ în caracteristicile IGBT nu este esențial
pentru înțelegerea principiilor fizice generale de funcționare a IGBT.
Mai mult ca atât, trebuie de menționat că în ultimul timp multe firme
produc IGBT fără acest strat. Structura IGBT epitaxială, așa-numită PT,
(Punch-Through) se realizează prin creșterea epitaxială secvențială a
stratului tampon n+ pe un substrat p+ puternic dopat, după care pe acest
strat n+ este crescut un alt strat epitaxial n- [8]. În continuare, pe placa
cu structura p+-n+-n sunt formate structuri similare cu MOSFET.
Structura IGBT omogenă NPT (Not Punch-Through) este
fabricată prin altă rută tehnologică. Ca bază pentru formarea acestei
structuri este folosit siliciul monocristalin de înaltă rezistență de tip n, în
care se creează un domeniu p+ prin doparea ionică sau prin difuzie din
partea colectorului. În continuare, pe placa cu structura obținută p+-n-
sunt formate structuri de câmp ca în PT.
Datorită acumulării sarcini spațiale în domeniul n-, blocarea IGBT
are loc mai lent decât în MOSFET. Ca urmare, în aproape toate rutele
tehnologice moderne, pentru fabricarea unui IGBT cu structură PT, sunt
utilizate metode pentru reducerea duratei de viață a purtătorilor de
84
sarcină (prin tratament cu radiație cu particule cu energie mare – protoni,

electroni sau difuzia tradițională a aurului sau platinei). Evident, această
complicare a rutei de fabricație duce la o creștere a costului
dispozitivului. Suplimentar, schema de fabricare a IGBT cu structură PT
limitează domeniul realizabil de valori al UCEstr la nivelul 1000_V.
Structurile IGBT cu structură PT sunt caracterizate de o dependență
puternică de temperatură a parametrilor de bază, care afectează negativ
stabilitatea IGBT la efectul declanșator (trigger) (amorsarea tiristorului
parazitar) și, de asemenea, au un coeficient de temperatură negativ
pronunțat al tensiunii UCEsat, fapt care face dificilă (complică)
conexiunea în paralel a astfel de celule IGBT [8].
Dezvoltarea tehnologiei de fabricație a structurilor IGBT NPT a
asigurat îmbunătățirea caracteristicilor dinamice, precum și o schimbare
a dependențelor de temperatură, care facilitează conectarea în paralel a
tranzistoarelor. La fabricarea IGBT cu structură NPT sunt utilizate
metode speciale pentru reducerea duratei de viață a purtătorilor de
sarcină minoritari [8]. Creșterea vitezei de comutare a unui astfel de
IGBT se obține datorită faptului că pentru formarea domeniului n- este
folosit siliciu cu o durată de viață mare a purtătorilor de sarcină, iar o
alegere minuțioasă a parametrilor electrofizici ai domeniului p+ al
colectorului stabilește în mod optimal eficiența de injecție. Datorită
eficienței controlate a joncțiunii p+-n-, distribuția sarcinii golurilor în
domeniul n- are loc astfel, încât în IGBT cu structura NPT are loc
reducerea tensiunii UCEsat în combinație cu reducerea parametrilor
dinamici.
În final, în cadrul analizei structurilor verticale IGBT
trebuie să menționăm și varianta IGBT cu structura FS (Field-
Stop), în care între emitorul p+ și domeniul n- este format un strat
intermediar ușor dopat n-, destinat doar să limiteze propagarea
câmpului electric spre colector. Comparația calitativă a
diferitelor structuri IGBT este dată în tabelul 2.3 [8].
85
Tabelul 2.3. Structuri IGBT

Element Structuri și particularități ale IGBT
PT-IGBT NPT-IGBT FS-IGBT
Emitor p Eficiență înaltă Eficiență Eficiență joasă
joasă
Strat n- Subțire Mediu Subțire
Strat Este strat buffer Nu Este
suplimentar Puternic dopat - Slab dopat
n+ Pentru reducerea - Numai pentru
eficienței înalte a limitarea
emitorului, propagării
limitarea câmpului electric
propagării
câmpului electric
Introducerea în structura IGBT a grilelor (porților) în canelurile
gravate (Trench-Gate Technology), în același mod ca și în MOSFET, a
făcut posibilă creșterea bruscă a densității curentului IC și, de asemenea,
reducerea tensiunii pe poarta electronică în conducție (fig.2.69) [8]. În
structura IGBT cu grilă în caneluri lipsesc rezistențele între bazele p, fapt
care duce la reducerea dimensiunilor celulei elementare de 5–20 de ori.
Optimizarea suplimentară a structurii IGBT permite îmbunătățirea
semnificativă a parametrilor electrici.
Fig. 2.69. Structuri IGBT:

a – cu grilă planară; b – cu grilă Trench-Gate.
86
2.7.4. Caracteristicile statice ale IGBT

Caracteristicile de ieșire ale IGBT cu canal n sunt reprezentate în
figura 2.70.a [7]. Familia caracteristicilor IC=f(UCE) la UGE=const sunt
similare cu caracteristicile de ieșire ale BT, dacă în calitate de semnal de
comandă este considerată tensiunea UGE. În IGBT semnal de comandă
este tensiunea grilă-emitor UGE. Caracteristicile tranzistorului IGBT cu
canal p sunt similare caracteristicilor IGBT cu canal n, cu excepția
polarității tensiunilor și a direcțiilor de circulație a curenților. O creștere
vizibilă a curentului IC începe de la o anumită valoare a tensiunii UCE.
a b
Fig. 2.70. Caracteristicile statice ale IGBT cu canal n:

a – caracteristicile de ieșire; b – caracteristica de transfer.
Când IGBT este blocat și este aplicată tensiunea de blocare directă,
joncțiunea p-n J2 este polarizată invers și aproape toată tensiunea de
blocare UCE cade pe J2. La o tensiune inversă de blocare -UCEbl
reprezentată în fig.2.70, a, joncțiunea J1 este polarizată invers. Dacă
structura IGBT nu conține stratul buffer n+, tensiunea inversă -UCEbl
poate fi comparabilă ca valoare cu tensiunea -UCEstr.
Caracteristicile de transfer ale IGBT IC vs UGE (vezi fig.2.70, b)
[7] sunt similare caracteristicilor de transfer ale MOSFET. Dependența
IC=f(UGE) este liniară la curenți mari IC și are o porțiune nonliniară
pronunțată la valori mici de IC, unde tensiunea UGE este sub nivelul de
prag UGEp. Analogic tranzistorului MOSFET, IGBT în condițiile lui
UGE<UGEp de asemenea este blocat.
87
2.7.5. Funcționarea IGBT

Vom analiza funcționarea IGBT în stare blocat. Când
tensiunea UGE<UGEp, nu există condiții pentru formarea stratului
invers, care ar putea conecta sursa și drena tranzistorului IGBT și,
prin urmare, IGBT este blocat. Tensiunea UCE este aplicată practic
complet pe joncțiunea J2 (vezi fig.2.71) [8], care este polarizată
invers și prin structură circulă un curent de scurgere nesemnificativ
(curent invers). Astfel, regimul blocat al IGBT este analogic
regimului blocat al MOSFET. DSS al joncțiunii J2 se extinde
preponderent în domeniul de drift n-, deoarece domeniul p este
puternic dopat. Domeniul de drift n- trebuie să fie suficient de extins
pentru ca DSS la tensiunea UCE maximă admisă UCEM să ajungă la
stratul de injecție p+.
Fig. 2.71. Structura IGBT și fluxul purtătorilor de sarcină
În cazul în care tensiunea UGE depășește pragul UGEp, se

formează stratul invers care formează canalul între sursa n+ și
domeniul de drift n-, în mod similar cu MOSFET. Curentul de
electroni care curge prin acest strat invers, după cum se poate
observa în fig.2.71, provoacă injecția de goluri din domeniul p+ în
domeniul de drift n-. Golurile injectate se deplasează prin domeniul
de drift n- datorită fenomenelor (mecanismelor) de derivă și de
difuzie, ajungând în cele din urmă în domeniul p care înconjoară
88
domeniul n+ al sursei. Îndată ce golurile ajung în acest domeniu p,

electronii sunt extrași din metalizarea emitorului, limitrof cu acest
domeniu, sub influența sarcini spațiale a acestor goluri, ca urmare,
excesul de goluri recombină rapid.
Joncțiunea J2, formată de domeniul p și domeniul de drift n-,
colectează golurile difuze și realizează funcția de colector al
tranzistorului p-n---p+ cu baza n---n+. Astfel, în acest tranzistor
p-n---p+, stratul p+ realizează funcția de emitor, bază este domeniul
de drift n-- sau combinația domeniului n-- și domeniul buffer tampon
n+, iar colectorul este format de domeniul p (fig.2.72) [8].
Fig. 2.72. Structura IGBT. Model vertical

Procesele de stocare și disipare a sarcinilor determină
pierderile de comutare. Caracteristicile și parametrii dispozitivelor
IGBT reale sunt puternic influențate de elementele parazite din
structura IGBT reală. Pentru a înțelege aceste caracteristici reale și
mecanismele posibile este important să analizăm circuitul
echivalent (schema echivalentă) a IGBT (vezi figura 2.73) [7].
Descrierea capacităților și rezistențelor parazitare din fig.2.73
este dată în tabelul 2.4 [7].
89
Fig.2.73. Celula IGBT cu elementele parazitare principale:

a – elemente parazitare în structura celulară;
b – schema echivalentă cu elemente parazitare.
90
Tabelul 2.4
Descrierea elementelor parazite IGBT
Simbol Denumire Descriere
CGE Capacitatea Capacitatea formată de suprapunerea
grilă-emitor metalizării grilei și a emitorului
dependentă de tensiunea grilă-emitor și
independentă de tensiunea colector-
emitor.
CCE Capacitatea Capacitatea de joncțiune între
colector- domeniul de drift n- și domeniul p
emitor (well); dependentă de suprafața
celulei, tensiunea drenă-sursă de
străpungere.
CGC Capacitatea Capacitatea Miller generată de
grilă-colector suprapunerea grilei și a domeniului de
drift n-.
RG Rezistența Rezistența grilei din polisiliciu. Deseori,
internă a grilei pentru a minimiza oscilațiile dintre
cipuri în module cu mai multe cipuri de
tranzistor, sunt necesare rezistențe serie
suplimentare.
RD Rezistența de Rezistența domeniului de drift n-
derivă (drift) (rezistența bazei tranzistorului p-n-p)
RW Rezistența Rezistența bază-emitor a tranzistorului
longitudională bipolar n-p-n parazitar
În afară de capacitățile și rezistențele interne, schema
echivalentă a IGBT include, de asemenea:
 un „MOSFET ideal”;
 un tranzistor bipolar n-p-n parazitar în partea grilei
format de:
 emitor – domeniul n+ al emitorului;
 bază – p+ sondă (well);
 colector – domeniul de drift n- cu rezistența
longitudională a domeniului p+ sub emitoare ca
rezistență bază-emitor RW;
91
 un tranzistor p-n-p format de:

 emitor – secvența p+ a domeniului de colector;
 bază – domeniul de drift n-;
 colector – p+ sondă (well).
Aceste două tranzistoare bipolare n-p-n și p-n-p formează un
tiristor [7, 8]. Acest tiristor parazit se va amorsa imediat ce este
îndeplinită următoarea condiție de amorsare necontrolată (latch-up):
M(npn+pnp)=1. (2.66)
unde: npn,pnp=TγE,
M – factor de multiplicare;
npn,pnp – amplificarea curentului în tranzistoarele
individuale din circuitul de bază;
T – factorul de transport de bază;
γE – eficiența emitorului.
Acest fapt ar duce la pierderea controlului funcționării
dispozitivului IGBT și, prin urmare, la distrugerea acestuia. În
principiu, acest lucru se poate întâmpla în timpul funcționării
staționare (când este depășită valoarea critică a densității curentului,
care scade odată cu creșterea temperaturii cipului) sau chiar în timpul
blocării (turn-off). Măsurile adecvate de proiectare vor împiedica în
mod fiabil blocarea în toate tipurile moderne de IGBT în orice
condiții admise de funcționare statice și dinamice. Procesul latch-up
nu s-ar întâmpla decât în timpul blocării (turn-off) dacă densitatea
nominală a curentului a fost multiplicată ca valoare.
Măsuri de proiectare adecvate sunt, de exemplu, reducerea
rezistenței bază-emitor RW a tranzistorului n-p-n printr-o dopare
puternică a domeniului p+ (well) până sub n emitoarele și scurtarea
lungimii emitorului n într-atât de mult, încât tensiunea de prag a
diodei bază-emitor din tranzistorul n-p-n nu poate fi atinsă în nici o
condiție admisă de funcționare. Mai mult ca atât, curentul de goluri
(curentul de bază al tranzistorului n-p-n) este menținut la minimum
prin setarea unei amplificări cu curent redus în tranzistorul p-n-p. Este
însă necesar a găsi un compromis între comportamentul la comutare
și robustețe, pe de o parte, și caracteristicile în conducție, pe de altă
parte.
92
2.7.6. Caracteristicile dinamice ale IGBT

Comportamentul la comutare a modulelor de putere IGBT este
determinat de capacitățile din structura internă și de rezistențele interne
și externe. Spre deosebire de MOSFET de semnal mic comandate în
tensiune și, prin urmare, consum de putere pe poartă (grilă), în cazul
modulelor de putere IGBT este solicitată o putere pentru comandă
dependentă de frecvență, datorită curenților de reîncărcare a capacităților
interne, fenomene necesare pentru comutare.
Mai mult ca atât, procesele de comutare sunt influențate și de
inductanțele parazite ale conexiunilor din circuit cele generate prin
conectarea cipurilor de tranzistor în module de putere. Aceste
inductanțe induc supratensiuni tranzitorii și pot provoca oscilații
datorită capacităților din structura IGBT și din circuit.
Comportamentul de comutare a IGBT poate fi descris, reieșind
din capacitățile și rezistențele interne ale tranzistorului: când IGBT este
blocat, CGC este mică și aproximativ egală cu CCE. În timpul conducției
CGC crește rapid pe măsură ce tensiunea grilă-emitor depășește
tensiunea colector-emitor. Această creștere rapidă se datorează
inversării stratului de îmbogățit de sub domeniile grilei. Capacitățile de
intrare și de ieșire Cies, Cres și Coes (capacitățile cu semnal mic) ale
tranzistorului în stare blocată (off) sunt definite în tabelul 2.5 [7].
Tabelul 2.5
Definiția capacităților de semnal mic ale IGBT
Capacitatea de intrare Cies = CGE + CGC
Capacitatea de transfer invers Cres = CGC
(capacitatea Miller)
Capacitatea de ieșire Coes = CGC + CCE
Pentru calculul comportamentului de comutare, aceste date
pot fi utilizate doar într-o măsură foarte limitată, deoarece, de
exemplu, capacitatea de intrare și capacitatea transfer invers (pentru
UCE<UGE) cresc enorm de mult în tranzistorul saturat. Pentru o
determinare aproximativă a timpilor de comutare și a sarcinii pe
grilă se folosește diagrama de încărcare a grilei reprezentată în
figura 2.76.
93
În continuare, vom analiza calitativ comportamentul de

comutare al IGBT, când sarcina de forță este rezistiv-inductivă și
are curentul continuu, deci, constanta de timp a sarcinii L/R este
mult mai mare decât ciclul frecvenței de comutare 1/f.
În figura 2.74 [8] sunt reprezentate diagramele temporale
tipice ale curentului colectorului și ale tensiunii de colecor-emitor
ca funcție a tensiunii de comandă pe grilă UGE. În figura 2.75 [7]
este reprezentată evoluția tipică a punctului de funcționare pentru
pornirea și oprirea „dură” a IGBT ca un grafic iC=f(uCE).
UGE
UGG
UGE(pl)
UGEp
t1 t2 t3 t4 t
iC
Is
MOSFET IGBT
t
UCE
Ucc
UDS(on) MOSFET
UCE(sat)
IGBT t
Fig. 2.74. Diagramele temporale ale curentului și tensiunilor

la comutarea IGBT în circuit cu sarcină rezistiv-inductivă
și diodă de curent invers
94
iC on Ucc
Is Is
Rs VD
Ls
off
iC
UGG
UCE VT
b
a Ucc
Fig. 2.75. Comutarea IGBT în circuit cu sarcină rezistiv-inductivă
și diodă de curent invers:
a – evoluția punctului de funcționare;
b – schema circuitului de comutare.
Caracteristic pentru „comutarea dură” este faptul că în timpul
comutării în direct (turn-on) și în timpul comutării în invers (turn-
off), atât curentul tranzistorului, cât și tensiunea tranzistorului sunt
mari pentru un interval scurt de timp. Acest lucru se datorează
faptului că dioda de curent invers din circuitul de sarcină împiedică
întreruperea curentului datorită inductanței de încărcare:
❖ Când tranzistorul este comutat în direct, dioda de curent invers
poate ridica tensiunea de recuperare inversă (blocată) doar
după ce curentul sarcinii a fost complet comutat la tranzistor.
Prin urmare, curentul colectorului trebuie să atingă nivelul
curentului de sarcină înainte ca tensiunea colector-emitor să
scadă la valoarea de conducție.
❖ Când tranzistorul este blocat, dioda de curent invers poate
prelua curentul sarcinii numai după ce este atinsă polaritatea
tensiune de conducție. În acest scop, tensiunea colector-emitor
trebuie să depășească nivelul tensiunii de comutare înainte ca
curentul colectorului să poată scădea la valoarea curentului de
regim blocat.
Spre deosebire de tiristoarele de orice tip, tranzistoarele pot
gestiona astfel de moduri de funcționare fără circuite pasive de
95
snubber, datorită joncțiunii „dinamice”, care este generată în

domeniul de drift în timpul proceselor de comutare.
Cu toate acestea, în tranzistor este disipată o cantitate
considerabilă de energie de comutare:
Eon , Eoff =  u  i  dt .
t on , t off
(2.67)
Cu ajutorul unui circuit pasiv de snubber (care la momentul

actual este rar folosit), curba punctului de funcționare poate fi
apropiată de axe. Pierderile de comutare sunt „transferate” din
tranzistor la snubber, determinând o totală scădere a eficienței în
majoritatea cazurilor.
Deoarece evoluția punctului de funcționare într-o
eventualitate mai largă depinde de mai multe efecte non-ideale din
tranzistor și nu doar de curbele curentului și tensiunii și timpul de
comutare, SOA (Safe Operatting Area – aria de operare sigură) este
dată în cataloage pentru diferite condiții de funcționare.
Pierderile de comutare și evoluția punctului de funcționare
depind într-o măsură foarte mare nu numai de caracteristicile non-
ideale ale tranzistoarelor și diodelor, dar și de componentele
circuitului pasiv.
După cum este reprezentat în figura 2.75, tensiunea colector-
emitor scade în aproximativ 10_ns la o valoare care este echivalentă
cu căderea de tensiune pe domeniul de drift n- atunci când IGBT
este în conducție. Apoi domeniul n- este inundat de purtători de
sarcină pozitivi din domeniul colectorului p. După un interval de
timp cuprins între câteva sute de ns și câteva μs, tensiunea de
saturație dinamică UCE(sat)dyn scade la valoarea tensiunii pentru
regimul de conducție saturată UCE (sat).
96
UCE2>UCE1
UGE
t3(UCE2) UCE1 UCE2
Ucc
t4(UCE2)
t1 t2 t3(UCE1)
t4(UCE1)
UGEp
QG 0 QG
QG1 QG2 QG3 QGtot
UGG
Fig. 2.76. Diagrama de încărcare a grilei IGBT
2.7.6.1. Comutație în direct (turn-on)

Intervalul de timp 0t1 (tranzistorul este blocat)
Curentul grilei iG începe să circule la aplicarea tensiunii de
comandă. Inițial curentul iG încarcă doar capacitatea de poartă CGE
până când ajunge la sarcina QG1. Tensiunea grilă-emitor crește liniar
cu constanta de timp determinată de capacitatea de intrare a IGBT
și de rezistența grilei. Întrucât UGE este încă sub pragul de UGep,
curentul colectorului în acest interval de timp nu va circula.
Intervalul de timp t1t2 (curentul colectorului crește)
După ce este atinsă tensiunea de prag UGEp (t1), curentul
colectorului începe să crească. Analogic cu MOSFET, tensiunea
UGE crește împreună cu curentul colectorului în zona de regim activ
al IGBT cu panta gfs: IC=gfs·UGE până la valoarea UGE1=IC/gfs
(momentul de timp t2). Deoarece dioda de curent invers poate bloca
curentul doar la momentul de timp t2, tensiunea UCE nu va scădea
semnificativ până la momentul de timp t2. La momentul de timp t =
t2 sarcina QG2 se scurge spre grilă.
97
Cele mai mari pierderi ale procesului de comutare în direct în

acest interval de timp au loc în IGBT. Atât timp cât valoarea iC este
mai mică ca Is și o parte din Is este nevoită să circule prin dioda de
curent invers, tensiunea colector-emitor uCE nu poate să scadă cu
mult sub valoarea tensiunii de funcționare UCC în aceast interval de
timp. Diferența dintre UCC și UCE evidențiată în fig. 2.72 este
cauzată preponderent de căderile de tensiune tranzitorii pe
inductanțele parazite ale circuitului de comutare.
Intervalul de timp t2t3 (tranzistorul este complet în conducție
în zona regimului activ, fază plană)
Când dioda de curent invers este blocată, UCE scade până la
valoarea UCE(sat) până la momentul de timp t3. Între momentele de
timp t2 și t3, curentul colectorului și tensiunea grilă-emitor sunt încă
legate prin conductanță de transfer (transconductanță): tensiunea
uGE rămâne aproximativ constantă. Atât timp cât uCE scade,
curentul grilei iG reîncărcă capacitatea Miller CCG cu sarcina (QG3-
QG2). La momentul de timp t=t3 o sarcină egală cu QG3 se va scurge
spre grilă. După ce tot curentul sarcinii a fost comutat la IGBT,
dioda de curent invers va începe să se blocheze. Datorită timpului
de recuperare inversă a diodei de curent invers curentul colectorului
al IGBT iC continuă să crească peste valoarea Is în timpul blocării
diodei de curent invers (trr) cu valoarea IRRM a curentului invers al
diodei și disipează sarcina de recuperare inversă Qrr a diodei de
curent invers.
Intervalul de timp t3t4 (zona de saturație)
La momentul de timp t=t3 IGBT este comutat în conducție (în
direct) și punctul său de funcționare a trecut prin zona regim activ
și a ajuns la limita zonei de saturație. Tensiunea UGE și curentul
drenei IC nu mai sunt cuplate prin gfs. Sarcina (QGtot-QG3) scursă
acum spre grilă determină creșterea suplimentară a UGE până la
valoarea tensiunii de comandă pe grilă UGG.
Imediat după scăderea sa rapidă, tensiunea colector-emitor
uCE nu atinge încă valoarea statică de conducție saturată UCEsat. În
funcție de UGG și IC, această valoare va fi atinsă imediat ce domeniul
de drift începe să fie inundat după câteva sute de nanosecunde sau
98
câteva microsecunde. Această "fază de saturație dinamică

UCE(sat)dyn=f(t)" este timpul necesar pentru inundarea domeniului
larg n- al IGBT cu purtători de sarcină minoritari (modularea
conductivității).
2.7.6.2. Comutație în invers (turn-off)
În timpul comutării în invers a IGBT procesele descrise mai
sus derulează în sens invers. Sarcina QGtot trebuie disipată din grilă
de curentul grilei.
În timpul comutării în invers, capacitățile interne trebuie să fie
reîncărcate într-o asemenea măsură, încât în domeniul canalului să
nu rămână purtători de sarcină. Începând din acest moment,
interferența de neutralitate în această zonă va fi rapid redusă, iar
curentul colectorului scade rapid. Totuși, după anularea curentului
emitorului, în domeniul de drift n- mai sunt prezente multe goluri
injectate din domeniul colectorului IGBT. Aceste goluri acum
trebuie să recombine sau să fie redusă concentrația lor la zero printr-
o injecție inversă. Acest fapt provoacă apariția în forma diagramei
temporale a curentului colectorului o coadă. Deoarece această coadă
a curentului scăde doar în câteva μs după ce tensiunea colector-
emitor începe să crească, forma și lungimea acesteia determină în
mod semnificativ pierderile de comutare ale IGBT la blocare în
timpul comutării rapide.
Depășirea tensiunii uCE peste valoarea Ucc indicată în fig. 2.74
rezultă în special din inductanțele parazite ale circuitului de comutație
și crește proporțional cu viteza de blocare –diC/dt a IGBT.
Avantajele IGBT:
• semnalul de comandă este de mică putere;
• tensiuni inverse maxime admisibile înalte;
• caracteristici termice performante;
• căderi de tensiune în conducție (rezistența canalului) mică, însă
viteza de comutație este mai mică în comparație cu MOSFET.
99
2.8. Căile de dezvoltare a dispozitivelor semiconductoare de

putere
Perfecționarea dispozitivelor semiconductoare de putere (în
special IGBT și MOSFET) se așteaptă prin aplicarea unor tehnologii
noi cum ar fi [4]:
a. Tehnologia plăcilor mai subțiri (Thin wafer technology)
La moment, pentru fabricarea dispozitivelor semiconductoare de
putere sunt folosite plăci de siliciu cu diametrul de 150_mm,
inclusiv cu straturi epitaxiale, cu grosimea de 100_m. În anii
următori este preconizată trecerea la folosirea plăcilor de siliciu
cu diametrul de 200 mm și grosimea de 60_m.
b. Tehnologia super joncțiunilor
La moment, pentru formarea joncțiunilor perfecte sunt folosite
pe larg tehnologile:
i. de implantare a ionilor;
ii. metoda trench – gate etc.
În anii următori, aceste tehnologii vor fi perfecționate în scopul
reducerii prețului de cost al dispozitivelor semiconductoare.
c. Tehnologia siliciului pe izolator (SOI – silicon on insulator) este
destinată în special pentru aplicații de mică puere, circuite
integrate de putere, inclusiv cele inteligente și cele de înaltă
tensiune.
d. Aplicarea unor materiale semiconductoare noi (altele decât
siliciul), care ar putea fi SiC, GaN, pelicule de diamant.
În ultimii ani, rezistența în conducție a structurilor MOSFET
de putere a fost redusă mai bine de zece ori prin optimizarea
structurii geometrice a celulei MOSFET și prin aplicarea
tehnologiei trench-gate technology [4].
La moment, s-a atins gradul de integrare a celulelor MOSFET
de joasă tensiune de circa 108 celule per inch. Pentru structurile
MOSFET de înaltă tensiune un salt revoluționar a fost obținut prin
aplicarea tehnologiilor de creare a superjoncțiunilor (realizate de
Infineon Technology) [4].
100
În anii următori este preconizată apariția unor tranzistoare

unipolare cu joncțiune (VJFET) pe SiC. Este posibilă, de asemenea,
folosirea în calitate de porți rapide și stabile a unor cascade formate
din celule MOSFET pe SiC și structuri MOSFET de joasă tensiune
pe Si.
În perspectiva următorilor 10 ani IGBT vor rămâne cele mai
populare dispozitive semiconductoare de putere. Tehnologia trench
– gate aplicată la fabricarea IGBT a cauzat fabricarea unor IGBT
pentru tensiune de circa 8 kV [4].
Pentru aplicații de putere este elaborată varianta
tranzistorului bipolar grilă izolată cu injecție avansată IEGT
(Injection Enhanced Gate Tranzistor) care reunește avantajele
IGBT:
 putere mică de comandă;
 pierderi de comutație mici;
cu avantajele GTO:
 cădere mică de tensiune în conducție directă.
Firma Toshiba Semiconductor produce module IEGT în
capsule de masă plastică cu substrat de AlSiC (1200_A și 3300_V)
și în capsule ermetice din ceramică cu contacte arcuite (2100_A și
4500_V) [4].
IEGT cu contacte arcuite sunt destinate pentru aplicații în
energetică, și anume:
❖ linii de înaltă tensiune de curent continuu
(HVDC High Voltage Direct Current);
❖ compensatoare statice de putere reactivă;
❖ acționări electrice de foarte mare putere;
❖ transport electric de înaltă viteză.
IEGT cu contacte lipite sunt recomandate pentru aplicații în
acționări electrice industriale.
Ideea principală în procesul de dezvoltare în continuare a
dispozitivelor semiconductoare de putere constă în trecerea de la
dispozitive discrete la circuite integrate de putere și sisteme
inteligente de putere.
101
O soluție importantă în dezvoltarea dispozitivelor

semiconductoare de putere este integrarea de sistem, adică reunirea
într-un sistem constructiv unic:
• circuitul de forță;
• sistemul de comandă;
• senzori și traductoare;
• tehnică digitală;
• aparate electrice etc.
Integrarea de sistem se dezvoltă pe două căi:
 monolitică – în chip semiconductor și
 peliculară – hibridă.
Celulele elementare de comutare reprezintă un montaj al
elementelor în module, formând circuite tipice de forță:
 punte monofazată;
 semipunte monofazată;
 punte trifazată etc.
Exemple de integrare în sistem de gradul I (standard modules)
pot servi modulele cu câteva porți cum ar fi modulele cu 6 porți IGBT
în capsulă de ceramică Econopak (300_A și 1700_V) [4].
Exemple de integrare de gradul II pot servi IPM (Inteligent
Power Module) produse de firmele Mitsubishi, Fuji, Hitachi, în care
împreună cu un invertor trifazat putem găsi și diode de fugă, circuite
de comandă și circuite de protecție.
Exemplu de integrare de gradul III (sub-modules) poate servi
seria de circuite integrate inteligente de putere SKiiP produse de
firma Semikron pentru tensiuni până la 1700_V și curenți până la
2400_A pe poartă. Seria include circuite de forță cu 2, 4 sau 6 porți,
plus chopper și conține, de asemenea, driver-e, traductoare de
tensiune și circuite de protecție de supratensiuni, montate pe
radiator cu răcire forțată sau cu lichid și cu separare galvanică prin
fibra optică [4].
102
2.9. Module IGBT de putere inteligente

Cel mai vast domeniu de aplicare a circuitelor electronicii de
putere îl constituie acționările electrice. În figura 2.77 este
reprezentată schema funcțională a convertorului de frecvență cu
circuit intermediar de curent continuu [4].
Fig. 2.77. Schema funcţională a convertorului de frecvenţă pentru

acţionare electrică:
1 − punte redresoare de 8 − circuit de protecţie de
diode; supratensiuni;
2 − traductor de curent; 9 − filtru capacitiv;
3 − traductor de temperatură; 10 − circuit de comandă a IAT;
4 − IAT în punte pe IGBT; 11 − sursă internă de alimentare;
5 − circuit de frânare; 12 − driver-e pentru comanda IAT
şi a circuitului de frânare;
6 − sarcină; 13 − driver-e pentru comanda IAT
şi a circuitului de frânare;
7 − sistem de comandă; 14 − controller de comandă.
103
Tensiunea de intrare se aplică pe puntea redresoare de diode

(1), intrarea căreia este protejată de limitatoare de supratensiuni (8).
La ieşirea redresorului se aplică filtrul capacitiv (9) şi invertorul
autonom de tensiune (IAT) în punte pe IGBT (4). La ieșirea IAT
este conectată sarcina (6) – un motor de curent alternativ (de regulă,
asincron). În acţionările de mică şi medie putere pe bara de curent
continuu este montat circuitul de frânare (5) şi IAT. Circuitul de
forță mai include traductoarele de curent (2) și temperatură (3).
Circuitul de comandă include driver-ele (12) pentru comanda
tranzistoarelor invertorului şi circuitului de frânare cu circuitele de
protecţie (10,13), controlerul de comandă (14) şi sursa de
alimentare pentru necesităţi interne (11), deoarece circuitul de forţă
şi o parte a sistemului de comandă (driver-e, traductoare, circuite
de diagnostică şi protecţie) sunt comune pentru majoritatea
aplicaţiilor. Prin urmare, este normal să fie reunite într-o unitate
constructivă – modul inteligent de forţă.
Apariţia MOSFET comandate cu puteri mici şi stabilitatea
înaltă la supratensiuni a IGBT în regimuri extreme a permis
reunirea într-o capsulă comună a circuitului de forţă 4+1 și driver-
ele plus diagnostica şi protecţia. Partea inteligentă este amplasată la
nivelul doi deasupra cablului de forţă (vezi fig. 2.78) [4]. În figură
este notat: DCB ceramică – Direct Copper Bonding – ceramică din
Al2O3 sau AlN. Contactele arcuite din metal elastic (Pres Pack
Teehnology) permit excluderea contactelor lipite și, prin urmare,
creşte fiabilitatea şi stabilitatea la termocicluri.
Fig. 2.78. Montajul în capsulă a modulului inteligent de putere
104
3. REDRESOARE CU FACTOR DE PUTERE AVANSAT

3.1. Redresoare cu ventile complet comandate
După cum am demonstrat în cadrul analizei funcționării
redresoarelor clasice comandate (cu tiristoare) [10, 12], curentul
consumat din rețeaua de alimentare, care este curentul prin
înfășurarea primară a transformatorului, are forma unor impulsuri
dreptunghiulare alternative și are armonica fundamentală întârziată
față de tensiunea din rețea cu un unghi de defazaj φ=α.
Prin urmare, aplicarea în practică a redresoarelor comandate
clasice este complicată prin două momente dezavantajoase:
1. Forma dreptunghiulară de variație în timp a curentului consumat
provoacă introducerea (poluarea) unor armonici superioare în
circuitul sursei de alimentare reprezentată de factorul de
armonici (factorul distorsiunilor neliniare).
2. Procesele electromagnetice în circuitul redresorului, adică
particularitățile funcționării redresoarelor comandate clasice duc
la un consum de energie reactivă inductivă, care este reprezentat
de un factor de putere subunitar cosφ<1 (reducerea factorului de
putere).
În redresoarele clasice comutarea ventilelor este naturală,
fiind aplicată metoda de comandă impuls-fază cu întârziere.
Datorită întârzierii amorsării ventilelor cu unghiul de comandă α
atestăm un consum de putere reactivă din rețea și, prin urmare, este
redus factorul de putere cosφ. Mai mult ca atât, unghiul φ crește ca
și unghiul de comandă α.
În convertoarele cu ventile complet comandate putem atât
amorsa, cât și bloca ventilele în orice moment de timp, indiferent de
faza și polaritatea tensiunii din rețea.
Comutarea forțată a ventilelor semicomandate sau aplicarea
ventilelor complet comandate permite să utilizăm și alte metode de
comandă impuls-fază, după cum urmează [10, 13]:
• cu anticipare;
• cu modulare PWM a tensiunii redresate;
• formarea forțată a curentului primar.
105
REDRESOARE CU FACTOR DE PUTERE AVANSAT
3.2. Redresor cu comandă impuls-fază anticipată

În cazul redresorului cu comandă impuls-fază anticipată
puntea (circuitul de bază) redresorului clasic este completată cu un
circuit de descărcare a energiei din inductanțele de dispersie ale
transformatorului (vezi figura 3.1) [13]. Acest circuit este format
dintr-un bloc cu trei condensatoare CF conectate în stea (Υ) sau în
triunghi (Δ) la intrarea punții.
A B C Funcționarea redresorului la
comandă impuls-fază anticipată poate
i1A i1B i1C fi descris în modul următor: la
comutarea curentului id al sarcinii RL
u1A u1B u1C de la un ventil din grup (ventilului
precedent) la altul (ventilul următor)
T amorsarea ventilului următor este
declanșată cu un unghi de anticipare αant
u2A u2B u2C față de momentul de comutare natural
CF (vezi figura 3.2) [12].
CF u1A i1A
CF
0  2 t
VS1 VS4
αant
Fig. 3.2. Diagramele temporale ale
VS3 VS6 tensiunii și curentului de fază la
comanda anticipată
VS5 VS2 Simultan este aplicat un impuls
de blocare a ventilului precedent. În
consecință, în cadrul procesului de
RL
id comutare curentul ventilului precedent
scade la zero, iar în ventilul următor
ud curentul crește de la zero până la
Fig. 3.1.Schema valoarea curentului redresat prin
redresorului cu ventile 
complet comandate sarcina Id într-un interval de timp ,

106
unde  este unghiul de comutare și

depinde de valoarea globală a Ud
inductanței de dispersie din circuitul de
comutație. Ud0
Astfel, caracteristica de reglare a
redresorului pentru cazul cu
inductanță Ld foarte mare în circuitul
sarcinii (Ld→) va fi identică cu
caracteristica de reglare a redresorului
clasic (cu comandă întârziată), dacă
unghiul α va fi înlocuit cu αant (vezi
figura 3.3 [12]).
Deoarece caracteristicile
convertorului sunt dependente de α
puterea reactivă consumată din rețea,
0 30° 60° 90°
iar armonica fundamentală a
curentului consumat din rețea la Fig. 3.3.
intrarea redresorului cu comandă Caracteristica de
anticipată este în avans de fază față de reglare a redresorului
tensiunea din rețea cu αant; redresorul pentru Ld →∞
s-a transformat din consumator de
putere reactivă în generator.
Acest fapt permite să elaborăm un redresor format din
două punți conectate în paralel la intrare și în paralel sau în serie
la ieșire în partea de curent continuu. O punte va fi comandată
cu întârziere cu unghiul de comandă α, iar alta va fi comandată
cu anticipare cu unghiul de comandă αant =α. Ca urmare, curentul
consumat din rețea va fi sinfazic cu tensiunea, iar forma
tensiunii redresate va fi analogică cu tensiunea redresată de
redresorul cu comandă PWM [13].
107
3.3. Redresor cu comandă PWM a tensiunii redresate

Circuitul de forță al redresorului cu comandă PWM a tensiunii
redresate are aceeași schemă care este reprezentată în figura 3.1.
Procesele electromagnetice, care au loc în circuitul acestui redresor,
se deosebesc cardinal de cele descrise mai sus, deoarece comanda
ventilelor este realizată în alt mod.
În figura 3.4 [13] sunt reprezentate diagramele temporale, atât
la intrarea punții: ale tensiunilor de fază (u1) și curentului de fază
(i1A), cât și la ieșire – ale tensiunii redresate (ud).
U1
u1A u1B u1C
t
i1A
t
ud ti
T
t1 t3 t5 t
t2 t4
Fig. 3.4. Diagramele temporale în redresorul cu comandă PWM
108
Formarea impulsurilor de tensiune la ieșirea redresorului are

loc prin amorsarea unui ventil dintr-o grupă (de exemplu, catodică) și
al unui ventil din altă grupă (de exemplu, anodică). De exemplu, în
intervalul de timp t2–t3, impulsul este format prin amorsarea
ventilelor VS1 și VS6. Tensiunea nulă la ieșirea redresorului în
intervalul de timp t3–t5 este obținută prin blocarea ventilului VS1 sau
VS6 și, în același timp, amorsarea altui ventil din același grup VS3 sau
VS4. În acest timp, curentul sarcinii Id, care este menținut de energia
înmagazinată în reactorul de netezire Ld, va circula prin două ventile
de aceeași fază: prin VS1 și VS4 sau VS3 și VS6, iar energia
înmagazinată în inductanțele de dispersie ale înfășurării
transformatorului care participă la comutare (de exemplu, A și B) este
consumată la încărcarea condensatorului CF din fazele respective.
Ulterior, această energie este parțial recuperată în rețea, iar parțial este
consumată pe sarcina redresorului.
Prin urmare, în intervalele de timp în care curentul sarcinii
este închis prin ventilele unei faze, redresorul este deconectat de la
transformator și prin înfășurări nu va circula curent, dacă neglijăm
curenții de magnetizare a transformatorului și curenții
condensatoarelor filtrului. Deci, în acest caz și curenții
transformatorului sunt reglați prin metoda PWM ca și tensiunea
redresată.
Formele de undă reprezentate în figura 3.4 denotă cazul în
care frecvența impulsurilor tensiunii de ieșire este de 6 ori mai mare
decât frecvența din rețea. Pentru creșterea vitezei de funcționare a
convertorului, frecvența poate fi majorată de 2, 3, 4 etc. ori și, prin
urmare, în intervalul de timp t1–t4 forma curentului consumat din
rețea va conține, respectiv 2, 3, 4 etc. pulsuri. Deci, în loc de
comanda PWM cu m=6, vom avea comanda PWM cu m=12, m=18,
m=24, etc. Coeficientul m este:
f
m= p , (3.1)
fr
unde: f p este frecvența pulsațiilor;
f r – frecvența din rețea.
109
Factorul de putere la intrarea convertorului este [13]:

P1 Pd U d PWM  I d  U d 0  I d 3
= = = =   , (3.2)
S1 S1 3  U1  I 1 I 6T 
3  k t  E2  d 
kt 4  t1
ti U d PWM
unde  este factorul de umplere a pulsurilor:  = = ,
T Ud 0
iar kt – factorul de transformare a transformatorului de rețea T.
În metoda de comandă clasică (impuls-fază cu întârziere)
factorul de putere este redus datorită întârzierii curentului consumat din
rețea față de tensiunea din rețea. Prin urmare, în convertoarele cu
comandă clasică crește puterea reactivă inductivă consumată din rețea.
În redresoarele cu comandă a tensiunii redresate prin metoda PWM
curentul i1 consumat din rețea este permanent în fază cu tensiunea. În
același timp, menționăm că odată cu creșterea frecvenței de comutare
crește și componența de armonici.
3.4. Redresor cu formare forțată a formei curentului primar
În redresoarele clasice cu comandă impuls-fază cu întârziere
ambele comutări sunt efectuate simultan. În circuitul redresoarelor
cu ventile complet comandate (analizate mai sus în acest capitol)
comutarea curenților prin ventile este însoțită de comutarea
curenților în fazele rețelei de alimentare. În aceste redresoare (cu
comutare forțată) este realizată inițial comutarea curenților prin
ventile și ulterior are loc comutarea curenților în faze.
În toate aceste cazuri, curentul consumat din rețea are caracter
pulsant și, prin urmare, este redusă calitatea curentului din rețea.
Caracterul pulsant al curentului din rețea provoacă poluarea rețelei
cu armonici. Pentru a combate acest efect trebuie comandată forma
curentului de intrare. Probabil, în vederea realizării acestui scop ar
fi necesar:
• circuitul redresor (circuitul de forță) să fie dotat cu ventile
complet comandate;
• după blocarea ventilului, curentul de fază trebuie să circule
printr-un ventil suplimentar.
110
În figura 3.5.a [13] este reprezentată schema unui redresor

monofazat cu ventile suplimentare. Funcțiile ventilelor
suplimentare sunt realizate de diodele VD1 și VD2. Alte brațe ale
punții sunt formate de condensatoarele C1 și C2 care formează filtrul
de netezire. Reactorul LF realizează funcția filtrului de intrare pentru
netezirea ondulațiilor curentului de intrare i1 cauzate de comutarea
ventilelor. Această funcție poate fi realizată de inductanța de
dispersie a transformatorului.
VS1 VD1
C1
LF ŮLF
i1
u ud
u1 Ů1
φ
VS2 VD2 Ů
C2 Ī1
a
b
Fig. 3.5. Schema redresorului monofazat cu ventile suplimentare (a)

și diagrama fazorială a tensiunilor și curenților în circuit (b)
Prin metoda PWM este modulată durata de conducție a
ventilelor, care sunt comutate cu o frecvență înaltă astfel, încât să
obținem pentru curentul i1 o formă sinusoidală cu frecvența din
rețea. Impulsul pozitiv al tensiunii u este format prin amorsarea VS1
sau VD1 (în funcție de sensul curentului), iar pulsul negativ prin
amorsarea VS2 sau VD2.
Sub acțiunea diferenței dintre tensiunile u1 și u va circula
curentul i1 al pulsațiilor care sunt limitate de LF. Pentru anumite
relații dintre aceste tensiuni putem obține curentul i1 în fază cu
tensiunea din rețea u1 (vezi figura 3.5.b).
Când frecvența comutațiilor este de 10 ori mai mare decât
frecvența din rețea, pulsațiile curenților pot fi reduse considerabil.
Schema unui astfel de redresor trifazat este reprezentată în figura
111
3.6. În acest caz, spre deosebire de cazul monofazat, dispare

necesitatea divizorului capacitativ.
A B C
i1A i1B i1C
u1A u1B u1C
LF LF LF
VS1 VS4
VS3 VS6
VS5 VS2
CF
ud
Fig. 3.6. Schema redresorului trifazat
cu ventile suplimentare
112
4. CHOPPERE
4. 1. Noțiuni generale
Chopperele sunt convertoare care transformă tensiunea de
curent continuu în impulsuri cu valoare reglabilă a tensiunii medii
de ieșire. Tensiunea de ieșire a chopperilor (până la filtrul de ieșire)
poate avea forma unor impulsuri unipolare (vezi figura 4.1.a) sau
bipolare (vezi figura 4.1.b) [1, 10, 12, 14].
Uout
Ud a
t
TT
c Tp
+Ud Uout
t b
-Ud
Tc Tp
T
Fig. 4.1. Pulsurile tensiunii de ieșire a chopperului:
unipolare (a) şi bipolare (b).
Circuitele de forță ale chopperelor sunt constituite pe contactoare
electronice realizate cu ventile complet comandate, care pot fi:
tranzistoare bipolare de putere (PBT), MOSFET, IGBT etc. Cu acestea
se poate obține reglarea componenței medii a tensiunii de ieșire
(Uout) și, respectiv, a puterii furnizate spre sarcină prin variația
raportului de conducție:
T
kc = c , (4.1)
T
unde: Tc este durata de conducție;
Tp – durata de pauză;
T – perioada;
1
iar f = este frecvența de comutare (eșantionare).
T
113
CHOPPERE
Variația raportului de conducție se poate realizat în 4 moduri:

1. Tc_=_var. și T_=_const.;
2. Tc_= const. și T_= var.;
3. Tc_=_var., T_= var. și Tp_= const.;
4. Tc_=_var., T_=_var. și Tp_= var.
Duratele Tc și Tp (care nu pot fi reduse mult din cauza
proceselor tranzitorii de comutare) trebuie să fie impuse prin
circuitele de comandă. Frecvența de comutare depinde de
caracteristicile dinamice ale ventilelor. Această frecvență determină
viteza de reglare la ieșire și, prin urmare, caracteristicile dinamice
ale convertorului.
Caracteristica de reglare a chopperului reprezintă dependența
valorii medii a tensiunii de ieșire Uout de valoarea raportului de
conducție kc. Pentru modulația unipolară avem:
T T
=  uout (t )  dt =  U d  dt = U d  c = U d  kc .
1 1 c T
U out (4.2)
T0 T 0 T
Pentru modulația bipolară avem:
1c 
T T T
=  uout (t )  dt =   U d  dt +  (− U d )  dt  = U d  (2 kc − 1). (4.3)

1
U out
T0 T 0 
 Tc
Chopperele (convertoarele DC-DC) sunt folosite pe larg în

acționări electrice cu mașini de curent continuu alimentate de la
surse de curent continuu, dar și în surse de alimentare a circuitelor
electronice. Sarcina-consumator poate să necesite mai multe
tensiuni reunite la o bară de masă comună sau separate galvanic.
Tensiunile de ieșire pot avea punct comun cu sursa de alimentare
sau pot fi separate galvanic de sursa de alimentare.
114
Putem menționa următoarele avantaje ale chopperelor:

• circuitul de bază de forță nu conține elemente reactive, fapt
care permite fabricarea circuitului de forță în modul într-un
proces tehnologic unic;
• parametrul variat este timpul;
• funcționarea este slab afectată de variația temperaturii și/sau
de perturbații.
Dezavantaje:
• cerințe înalte față de caracteristicile dinamice ale ventilelor;
• foarte mult contează pierderile de comutare la înalte
frecvențe;
• sunt generate perturbații electromagnetice de nivel înalt la
înalte frecvențe de comutare;
• tensiunea și curentul de ieșire are un spectru foarte bogat de
armonici.
Deoarece impedanța internă a sursei de alimentare nu este
nulă, pe bornele de intrare ale chopperului apar ondulații ale
tensiunii, care afectează funcționarea altor consumatori conectați la
aceeași sursă. Pentru reducerea acestor ondulații, la bornele de
intrare este conectat un filtru de netezire (vezi figura 4.2).
iin iout
Zin
DC
Ud Fin Fout uout ZL
Eg DC
Fig. 4.2. Chopper cu filtre de intrare și ieșire
Filtrul de intrare este realizat astfel, încât pulsațiile
curentului de intrare sunt preponderent șuntate prin capacitatea
acestui filtru, iar în serie cu sursa de alimentare este montat un
reactor al filtrului de intrare, reactanța căruia crește împreună cu
ordinul armonicilor ondulațiilor. Astfel, este realizată
compatibilitatea electromagnetică cu alți consumatori. Filtrul de
intrare poate fi format din câteva etaje.
115
CHOPPERE
Dacă vom analiza bilanțul puterilor intrare–ieșire: UdIin=ULIL,

acest echilibru este posibil dacă în chopper nu sunt pierderi, iar
ondulațiile tensiunii de ieșire sunt neglijabile. Deci, dacă puterea de
ieșire este constantă Pout=const., la creșterea tensiunii Ud curentul Iin
scade și, ca urmare, rezultă că impedanța de intrare Zin și rezistența de
intrare Rin capătă valori Zin negative. În cazul în care nu a fost
efectuată corect dimensionarea filtrului de intrare, din cauza că Zin
este negativă, circuitul poate intra în regim de autooscilații care nu
este admisibil.
Deosebim 4 tipuri de scheme de principiu de bază ale
circuitelor de forță ale convertoarelor DC–DC:
1. Cu modulația duratei în timp;
2. Cu schimb comandat de energie în elemente reactive;
3. Cu circuite oscilante;
4. Cu transmitere porționată a energiei spre sarcină.
4. 2. Chopper step down
Chopperul step down (coborâtor) este cel mai simplu convertor
DC-DC. În figura 4.3 [1, 7, 10, 12, 14] sunt reprezentate schema
circuitului de forță (a) și diagramele temporale ale tensiunilor și
curenților (b) pentru chopperul step down (buck), care funcționează
într-un cadran. Pulsurile tensiunii de ieșire sunt unipolare, iar
amplitudinea lor nu poate depăși valoarea tensiunii de intrare Ud.
uG
t
VS a
+ uab Tc T 2T
Ud
Ud CF VD ZL t
iL
IL max
− IL min t b
a b
Fig. 4.3. Schema circuitului de forţă (a) şi diagramele temporale ale
tensiunilor şi curenţilor (b) din circuitul chopperului step down
116
Ventilele VS și VD conduc în contra-timp:

în timpul de conducție (0 Tc): VS – on și VD – off;
în pauză (Tc T): VS – off și VD – on.
În figura 4.4 [1, 7, 10, 12, 14] sunt reprezentate schema
circuitului de forță (a) și diagramele temporale ale tensiunilor și
curenților (b) pentru chopperul step down, care funcționează în
două cadrane. În acest chopper este posibil sensul invers al fluxului
de energie (de la consumatorul ZL spre sursa de alimentare Ud) când
energia din circuitul sarcinii (load) este recuperată sursei. Acest
regim de funcționare a acestui chopper este posibil datorită
prezenței în circuitul de forță a unui tranzistor (VS2) și a unei diode
de curent invers (VD1), suplimentar la circuitul precedent (din
fig.4.3). Prin urmare, în sistemele electromecanice cu choppere de
acest tip (din fig.4.4) este posibil regimul de frânare recuperativă.
uG1
VD1 t
a
+ uG2 Tc T 2T
VS1 t
Ed uab
Ud CF
VS2 Ud
VD2 ZL t
− iL
a b iL max
IL min 1
t
Fig. 4.4. Schema circuitului
iL
de forţă (a) şi diagramele IL max 2
temporale ale tensiunilor şi
IL min t
curenţilor (b) din circuitul t1 t2
chopperului step down iL t
IL max
în două cadrane
IL min 3
117
CHOPPERE
Tranzistoarele VS1 și VS2 sunt comandate în contra-timp, după cum

este reprezentat în figura 4.4.b.
În funcţie de raportul dintre valoarea tensiunii electromotoare
din circuitul sarcinii Ed şi tensiunea medie impusă de sursă la
bornele sarcinii (a şi b), kcUd, unde kc este raportul de conducție,
sunt posibile trei regimuri de funcţionare:
1. TEM mică
Ed  kcUd (4.4)
Când sarcina mecanică este mare şi, prin urmare, TEM Ed
este mică, fluxul de energie este orientat de la sursă spre sarcină
(MCC). Curentul sarcinii are un singur sens şi este neîntrerupt. Prin
urmare, are loc funcţionarea în primul cadran (tensiunea şi curentul
cu sens pozitiv). Diagrama temporală a curentului iL din circuitul
sarcinii pentru acest regim este curba  din fig.4.4.b. În intervalul
de timp de la 0 la Tc curentul circulă prin VS1 şi sarcină, iar în
intervalul de timp de la Tc la T curentul se închide prin dioda de
curent invers VD2.
2. Regimul de curent alternativ
Ed  kcUd (4.5)
Când sarcina mecanică și valoarea medie a curentului sarcinii
scade, turaţiile maşinii cresc, crescând și TEM Ed. Valoarea TEM este
aproape de tensiunea medie impusă de sursă la bornele sarcinii kcUd:
Fluxul de energie, ca şi curentul sarcinii va fi alternativ, adică, în
diferite momente de timp va avea sensuri diferite şi, prin urmare, va
funcţiona în ambele cadrane (I şi II). Diagrama temporală a curentului din
circuitul sarcinii pentru acest regim este curba  din fig.4.4.b.
În intervalul de timp de la 0 la Tc VS1 este în conducţie. De la 0
la t1 energia înmagazinată în perioada precedentă în sarcină este
recuperată sursei şi curentul, care are sens negativ, se închide prin
dioda de curent invers VD1. În momentul t1 curentul îşi schimbă
sensul şi curge în continuare prin dispozitivul VS1 până la momentul
Tc, când VS1 va fi blocat. De la t1 la Tc valoarea curentului iL creşte
exponenţial. În intervalul de timp de la t1 la Tc sensul fluxului de
energie este orientat de la sursă spre sarcină.
118
Din momentul blocării dispozitivului VS1−Tc curentul sarcinii

se închide prin dioda de curent invers VD2 şi scade exponenţial până
în momentul t2, când atinge valoarea zero şi îşi schimbă sensul. În
intervalul de timp de la Tc la t2 energia înmagazinată în sarcină se
consumă pe rezistenţa sarcinii şi pe rezistenţa diodei de curent
invers VD2. După schimbarea sensului său, curentul va circula prin
dispozitivul VS2. În acest interval de timp (de la t2 la T), energia
înmagazinată în sarcină se consumă pe rezistenţa sarcinii şi pe
rezistenţa dispozitivului VS2.
3. TEM mare
Ed > kcUd (4.6)
Dacă sarcina mecanică pe MCC scade, turaţiile cresc şi TEM Ed
creşte. Sensul curentului sarcinii şi fluxului de energie se schimbă.
Fluxul de energie este orientat de la sarcină (MCC) spre sursă.
Curentul sarcinii iL are un singur sens (negativ) şi este neîntrerupt.
Prin urmare, are loc funcţionarea în cadranul doi (tensiunea şi
curentul cu sensuri diferite). Diagrama temporală a curentului din
circuit pentru acest regim este curba  din fig.4.4.b.
În intervalul de timp de la 0 la Tc curentul circulă prin VD1
şi energia de la MCC este orientată spre sursă, iar în intervalul de
timp de la Tc la T curentul se închide prin dispozitivul VS2 şi energia
înmagazinată în sarcină se consumă pe rezistenţa sarcinii şi pe
rezistenţa dispozitivului VS2.
4. 3. Choppere step down cu modulare bipolară
În figura 4.5.a [1, 14] este reprezentată schema unui chopper step down
(coborâtor) cu modulare bipolară cu formare pasivă a pulsului negativ
pe sarcină. Într-adevăr, când VS este blocat, curentul sarcinii cu caracter
inductiv circulă prin VD și este menținut de TEM de autoinducție până
în momentul de trecere în conducție a VS.
În figura 4.5.b este reprezentată schema unui chopper
reversibil în semipunte. În această variantă, circuitul chopperului
este obținut prin conexiunea antiparalel a două celule de chopper
din figura 4.5.a. În acest chopper, pulsul negativ al tensiunii pe
sarcină este format activ, deoarece în pauza conducției VS1, când
119
CHOPPERE
curentul sarcinii scade la zero, potențialul negativ pe sarcină va fi

menținut în continuare de VS2. Acest chopper permite atât
schimbarea polarității tensiunii, cât și a sensului curentului sarcinii.
Prin urmare, funcționarea poate fi realizată în patru cadrane, motiv
din care se numește reversibil.
+
Ld
CF VS
Ud ZL
CF VD
a
−
+ VD1
Ld
CF
VS1
Ud Ed
CF b
VS2
− VD2
Fig. 4.5. Choppere step down cu modulare bipolară
+ VD1
Ld
CF VS 3
VS1
Ud Ed
CF VS4
VS2 a
− VD2
+
VD1 VD3
VS1 VS3
Ud CF
Ld
Ed
VS4 VD4 VD2 b
− VS2
Fig. 4.6. Choppere step down în patru cadrane
120
4. 4. Choppere step down în 4 cadrane

În figura 4.6.a [1, 10, 12, 14] este reprezentată schema unui
chopper step down reversibil în semipunte cu ventile comandate de
curent invers. În acest chopper modulația unipolară este obținută
prin amorsarea din pauză a unuia din ventilele VS3 sau VS4, care
realizează funcția diodei de fugă pentru orice sens al curentului de
sarcinii.
Ambele polarități ale tensiunii de ieșire sunt obținute în
chopperul step down reversibil în punte (vezi figura 4.6.b) prin
amorsarea diagonalei respective de ventile din puntea chopperului:
VS1 și VS2 sau VS3 și VS4; iar pauza este formată prin amorsarea
unui grup de ventile VS1 și VS3 sau VS2 și VS4.
4. 5. Caracteristicile chopperelor reale
În circuitele reale ale chopperelor trebuie să ținem cont că [1, 14]:
• inductanța din circuitul de ieșire Ld are valori finite;
• timpul de comutare a ventilelor este finit, fapt care se
manifestă important la înalte frecvențe de comutație;
• sursa de alimentare are impedanță internă de valoare finită.
În cazul când valoarea medie a curentului sarcinii este mică sau
în circuitul sarcinii există TEM, putem avea regim de curent întrerupt.
1 kc=1
1 kc=1 kc=0,8
kc=0,8
curent kc=0,6 curent kc=0,6
întrerupt kc=0,4
kc=0,2 întrerupt
kc=0,4
b
kc=0,2
a
-1 kc=0
Fig. 4.7. Caracteristicile externe ale chopperelor step down:
a – cu modulare unipolară;
b – cu modulare bipolară.
121
CHOPPERE
Regimul de curent întrerupt modifică forma caracteristicilor externe.

Limitele regimului de curent întrerupt pe caracteristicile externe ale
chopperului pot fi determinate, dacă vom găsi valoarea medie a
curentului sarcinii la limita “neîntrerupt”.
Când în circuitul sarcinii există TEM, toate ondulațiile
tensiunii de ieșire a chopperului cad pe inductanța filtrului de ieșire
Ld, formând un curent variabil, valoarea medie a căruia este ½ din
amplitudinea sa.
Regimul de curent neîntrerupt apare imediat după ce
Ed__kcUd în cazul modulației unipolare sau
Ed__Ud(2kc-1) în cazul modulației bipolare.
Astfel, caracteristicile externe ale chopperului vor avea forma
reprezentată în figura 4.7.a (pentru modulația unipolară) și forma
reprezentată în figura 4.7.b (pentru modulația bipolară).
Impedanța finită a sursei de alimentare conduce la distorsiuni în
forma tensiunii de ieșire uout. Pentru a reduce aceste distorsiuni, la intrarea
chopperului este conectat un filtru LC (vezi figura 4.2), care șuntează
componenta alternativă a curentului de intrare prin condensator, iar
componenta de curent continuu este transmisă prin inductanță.
Pentru reducerea pierderilor de comutație, care cresc cu
frecvența de comutație a ventilului, sunt aplicate diverse metode de
separare în timp a tensiunilor înalte pe ventil și a curenților mari prin
ventil (snabbere, circuite oscilante).
4. 6. Choppere step up
Circuitele de forță ale acestor convertoare se deosebesc prin
posibilitatea formării la ieșire a unei tensiuni cu valoare medie mai
mare decât tensiunea sursei de alimentare. Acest efect poate fi
obținut, dacă vor fi separate în timp procesele de înmagazinare a
energiei în elementul reactiv al circuitului de intrare (de exemplu, în
bobină) și procesul de transmitere a energiei în elementul reactiv din
circuitul de ieșire (de exemplu, condensator). Comanda se face prin
variația raportului dintre duratele acestor două procese, iar frecvența
de repetare a lor va determina (invers proporțional) parametrii
acestor elemente.
122
i i
+ t
L
VD iVS
iVS
VS + uVS uVS t
Ud CF ZL uout
C − iVD Iout
− uout t
a t
uL
Fig. 4.8. Chopper step up: + Ud t
_
a – schema;
b – diagramele temporale. iC
t
b Iout
În figura 4.8.a [14] este reprezentată schema chopperului step
up (boost), iar în figura 4.8.b – diagramele temporale ale tensiunilor
și curenților, care explică funcționarea circuitului. La conducția
ventilului VS în intervalul de timp Tc, în inductanța L crește curentul
i și are loc înmagazinarea energiei de la sursa de alimentare Ud.
Sarcina ZL în acest timp consumă energia din condensatorul C
(tensiunea uout scade). Când VS este blocat (în pauză), curentul i al
reactorului L circulă prin dioda VD spre ieșire și, simultan, încarcă
condensatorul C.
kc=0,95
kc=0,6 kc=0,8
kc=0,4
kc=0,2
kc
a b
Fig. 4.9. Caracteristicile chopperului step up
123
CHOPPERE
În figura 4.9 sunt reprezentate caracteristicile acestui chopper:

în figura 4.9.a – caracteristicile de reglare, iar în figura 4.9.b –
caracteristicile externe.
În figură sunt notate:
U
*
U out = out – tensiunea de ieșire în unități relative;
Ud
I out  RL
*
I out = – curentul de ieșire în unități relative;
U out
unde RL este rezistența de pierderi a reactorului L.
4. 7. Chopper buck-boost
În figura 4.10.a este reprezentată schema, iar în figura 4.10.b
sunt reprezentate diagramele temporale ale chopperului buck-boost
(inversor de polaritate) [14].
Când tranzistorul VS este în conducție, adică în timpul de
conducție Tc, curentul i circulă prin tranzistorul VS și inductanța
L și în inductanță are loc înmagazinarea energiei de la sursa Ud.
La limită, variația curentului i tinde către zero (Δi→0), adică, dacă
durata de conducție Tc va fi mai mare, curentul i va intra în saturație.
În acest timp (Tc), condensatorul C este deconectat de la intrarea
chopperului și cedează energia sa sarcinii.
VS i
+ t
i VD
iVS
− uVS iVS uVS iVS uVS t
Ud CF L ZL uout
C + iVD
uVD uVD i uVD iVD t
VD
− uout
a t
Fig. 4.10. Chopper buck-boost: uL
+ t
a – schema; b _
b – diagramele temporale.
124
În pauză (Tp) tranzistorul VS este blocat și curentul

reactorului se închide prin dioda VD, furnizând energie sarcinii și,
simultan, încarcă condensatorul C cu polaritatea indicată pe schemă,
și anume, inversă celei de la intrarea Ud.
Factorul de transfer în curent este invers factorului de transfer
în tensiune. Acest fapt permite să numim atare convertor
„transformator electronic de tensiune continuă”.
VD1 VD2
+
VS1 i VS2
− −
Ud CF L C Ed uout
+ +
i
−
Fig. 4.11. Chopper cu ridicare-coborâre
Pentru recuperarea energiei din circuitul de ieșire spre sursă
circuitul chopperului trebuie completat cu ventile conectate
antiparalel celor existente deja: tranzistorul VS (aici – VS1) este
șuntat cu dioda VD1 iar dioda VD (aici – VD2) cu tranzistorul VS2.
Astfel, obținem un chopper reversibil în curent, recuperativ cu
ridicare-coborâre schema căruia este reprezentată în figura 4.11 [14].
În circuitul de forță al acestui chopper în timpul pauzei (Tp),
când VS2 este în conducție, sub acțiunea TEM Ed prin inductanța L
crește curentul de sens invers. La blocarea ventilului VS2 (Tc) deja
această cale este blocată și curentul găsește o altă cale cu o rezistență
mai mică, și anume, prin VD1, care este în conducție datorită TEM
de autoinducție din reactorul L spre sursa de alimentare Ud,
recuperând energia din circuitul de ieșire Ed spre sursa de alimentare
Ud. În acest mod, chopperul funcționează în două cadrane.
125
CHOPPERE
4. 8. Chopper Čuk
Chopperul Čuk este un convertor neizolat constituit din două
reactoare (inductanțe) L1 și L2, două condensatoare C1 și C2, un
comutator (de obicei un tranzistor) VS și o diodă VD. Chopperul
Čuk este încă o variantă de chopper cu ridicare-coborâre. Schema și
caracteristicile de reglare ale chopperului Čuk sunt reprezentate în
figura 4.12.a și 4.12.b [14], respectiv. Chopperul Čuk este un
convertor inversor, astfel încât tensiunea de ieșire este negativă în
raport cu tensiunea de intrare.
L1 C1 L2
+
−
Ud ZL uout
VD C2 +
VS a
−
kc
Fig. 4.12. Chopper Čuk:
a – schema; b – caracteristicile de reglare.
Slobodan Ćuk - inventator american de origine sârbă, proprietar de

afaceri, inginer electric și profesor de inginerie electrică (Power Engineering) la
Institutul de Tehnologie din California (California Institute of Technology).
126
Funcționarea. Când tranzistorul VS este în conducție, în

reactorul L1 crește curentul și energia de la sursa de alimentare Ud
este înmagazinată în reactor. În acest timp, condensatorul C1 prin
inductanța L2 transmite energia spre condensatorul C2, de la care este
alimentată sarcina ZL. În pauză, când tranzistorul VS este blocat,
curentul reactorului L1 se închide prin dioda VD și încarcă
condensatorul C1.
Condensatorul C1 servește pentru transferul de energie și este
conectat alternativ la intrarea și la ieșirea convertorului prin
comutarea tranzistorului VS și a diodei VD. Cele două inductanțe L1
și L2 sunt folosite pentru a converti, respectiv, sursa de tensiune de
intrare Ud și sursa de tensiune de ieșire C2 în surse de curent. La o
scară scurtă de timp, o inductanță poate fi considerată sursă de curent,
deoarece menține un curent constant. Această conversie este
necesară, deoarece, dacă condensatorul C1 ar fi conectat direct la
sursa de tensiune, curentul ar fi limitat numai de rezistența parazită,
ceea ce duce la pierderi mari de energie. Încărcarea unui condensator
cu o sursă de curent (prin inductanță) previne limitarea curentului
rezistiv și pierderea de energie asociată.
La fel, ca și în cazul altor convertoare (convertor buck,
convertor boost, convertor buck-boost), convertorul Čuk poate
funcționa atât în regim de curent continuu, cât și în regim de curent
variabil (discontinu). Cu toate acestea, spre deosebire de aceste
convertoare, convertorul Čuk poate funcționa și în regim de tensiune
discontinuă (tensiunea din condensator scade la zero în timpul
ciclului de comutare).
Avantajele chopperelor Čuk:
• curentul de intrare este continuu nu este pulsant și, prin
urmare, nu este necesar filtrul de intrare;
• există posibilitatea obținerii unui regim fără pulsații a
curentului de ieșire, dacă este format cuplajul mutual dintre
bobinele L1 și L2;
• chopperul Čuk poate fi realizat cu separare galvanică între
intrare și ieșire, astfel existând posibilitatea de a obține
câteva tensiuni de ieșire de la aceeași sursă de alimentare.
127
CHOPPERE
4. 9. Chopper cu separare galvanică

Prin înlocuirea elementului inductiv de înmagazinare a
energiei, din circuitele analizate anterior, cu un transformator,
obținem posibilitatea soluționării unor probleme după cum
urmează:
• acordarea nivelurilor tensiunilor de intrare și ieșire în caz de
mare decalaj;
• posibilitatea realizării unor convertoare cu câteva tensiuni de
ieșire separate galvanic.
În chopperul step up transformatorul înlocuiește reactorul, iar
în chopperul step down transformatorul este inclus suplimentar.
În figura 4.13.a [14] este reprezentată schema unui chopper
cu separare galvanică cu sens invers. În chopperele de mică putere
circuitul este dotat cu MOSFET (ca tranzistor).
+
VD2 T VD1
Ud ZL uout
C
CF VD3
− a
VS
+ T L
VD1
CF
Ud VS ZL uout
VD2 C
b
−
Fig. 4.13. Choppere cu separare galvanică:
a – cu sens invers; b – cu sens direct.
128
Funcționarea. Când ventilul VS este în conducție, în

inductanța de dispersie a înfășurării primare a transformatorului T
este înmagazinată energia, care la blocarea ventilului VS este
transmisă în secundar și prin dioda VD1 mai departe în
condensatorul C, de la care este alimentată sarcina. Pentru
extragerea energiei din inductanța de dispersie a înfășurării primare,
ea (înfășurarea primară) este șuntată prin dioda Zenner VD2, care
limitează nivelul de supratensiune pe înfășurarea primară în pauză.
Dioda VD3 conectată în serie relaxează VD2 în timpul conducției
tranzistorului VS.
În figura 4.13.b este reprezentată schema unui chopper cu
separare galvanică cu sens direct.
Funcționarea. Când ventilul VS este în conducție, tensiunea
sursei de alimentare Ud prin transformatorul T și dioda VD1 se aplică
la intrarea circuitului format din inductanța L și condensatorul C. În
acest timp, energia preluată de la sursă este înmagazinată în circuitul
LC. Astfel, crește curentul prin inductanța L și tensiunea pe
condensatorul C. Când ventilul VS este blocat, curentul în
transformator este nul, iar curentul reactorului L se închide prin
dioda VD2. Pentru disiparea energiei din inductanța de dispersie a
transformatorului se poate folosi un circuit cu diode analogic cu cel
inclus în circuitul reprezentat în figura 4.14, a (VD2 și VD3).
129
INVERTOARE AUTONOME
5. INVERTOARE AUTONOME
Invertoarele sunt convertoare care transformă curentul
continuu în curent alternativ, adică convertoare c.c.-c.a. (DC-AC).
Spre deosebire de invertoarele conduse de reţea (grid-tie inverters),
care servesc pentru orientarea fluxului de energie spre reţeaua
existentă de c.a., invertoarele autonome funcţionează pentru un
consumator (sarcină, receptor, solicitant) autonom de reţeaua de
alimentare şi are ca sursă, de regulă, o baterie acumulatoare, o
baterie solară, o maşină de curent continuu. De asemenea, spre
deosebire de invertoarele conduse de reţea, care formează c.a. cu
frecvenţa determinată de reţea, invertoarele autonome formează la
ieşire c.a. cu o frecvenţă constantă sau reglabilă determinată în
circuitul invertorului [1, 10, 12, 14, 15].
În ceea ce privește invertoarele autonome, pot fi enumerate
următoarele domenii de utilizare:
 alimentarea echipamentului de c.a. în cazurile când unica sursă de
energie electrică este o baterie acumulatoare, o baterie solară etc.
(de exemplu, în condiţii de câmp);
 alimentarea echipamentului de c.a. în caz de avarie (întreruperi) în
reţeaua de alimentare de c.a.;
 alimentarea echipamentului tehnologic de frecvenţă diferită de
frecvenţa standard (încălzire cu inducţie, frecvenţă înaltă etc.);
 acţionări electrice sau tracţiune electrică cu maşini de c.a.
(asincrone sau sincrone) comandate prin frecvenţă.
În general, faţă de invertoarele autonome pot fi înaintate
următoarele cerinţe:
❖ randament maximal;
❖ posibilitatea reglării frecvenţei de ieşire în limite largi;
❖ posibilitatea reglării tensiunii de ieşire;
❖ stabilitatea tensiunii de ieşire la variaţiile regimului de lucru al sarcinii;
❖ formele de undă ale curentului şi tensiunii la ieşire cât mai
aproape de sinusoidă;
❖ consum propriu de energie minimal;
❖ posibilitatea funcţionării în regim de mers în gol.
130
Invertoarele autonome se pot clasifica astfel:

 după numărul de faze:
➢ monofazate;
➢ polifazate (2 faze, 3 faze etc.);
 după tipul ventilelor:
➢ cu dispozitive complet comandate;
➢ cu tiristoare convenţionale.
Invertoarele autonome care funcționează în comutație forțată pot fi:
 invertoare cu undă plină;
 invertoare PWM;
 după conexiunea ventilelor:

➢ semipunte;
➢ în punte;
 în funcţie de procesele electromagnetice, care au loc în
circuitul invertorului autonom se deosebesc:
➢ invertoare de curent;
➢ invertoare de tensiune;
➢ invertoare de rezonanţă.
În invertoarele autonome de curent (IAC) (în engleză – Current
Source Inverter sau Current’s Inverter) la intrare în serie cu sursa
este conectat un filtru inductiv cu o inductanţă foarte mare (Ld→),
încât curentul sursei se va menţine constant. Adică, sursa
funcţionează în regim de generator de curent.
În invertoarele autonome de tensiune (IAT) (în engleză –
Voltage Source Inverter sau Voltage’s Inverter) la intrare în paralel
cu sursa este conectat un filtru capacitativ cu o capacitate foarte
mare, încât tensiunea sursei se va menţine constantă. Adică, sursa
funcţionează în regim de generator de tensiune.
Invertoarele de rezonanţă (IR) au schema de forţă ca şi
invertoarele de curent, însă inductanţa de intrare nu este foarte mare,
ci este aleasă astfel, încât împreună cu condensatorul de comutare şi
ţinând cont şi de caracterul reactiv al sarcinii să se formeze un circuit
oscilant cu frecvenţa de rezonanţă puţin mai mare decât frecvenţa
de ieşire.
131
INVERTOARE AUTONOME
5.2. Invertoare de curent

La baza structurii invertorului de curent sunt puse două criterii:
 la intrare sursa este generator de curent;
 sarcina să aibă caracteristici ca sursa de tensiune, adică Zin→0.
Reieșind din aceste considerente, la ieșire este conectat un
condensator după care se poate conecta sarcina cu caracter inductiv.
În ceea ce privește IAC, putem menționa:
 nu se admite regimul de mers în gol (m.g.) și este limitată
valoarea curentului de ieșire;
 caracteristicile externe prezintă o cădere bruscă a tensiunii;
 forma tensiunii de ieșire depinde de sarcină;
 IAC are inerție în funcționare, deoarece viteza cu care se poate
schimba regimul depinde de viteza de variație a curentului în
inductanța filtrului de intrare;
 IAC nu sunt eficiente pentru joase frecvențe, deoarece cresc
enorm gabaritele elementelor reactive ale filtrelor.
Reieșind din aceste concluzii, se pot întreprinde următoarele
modificări în circuitele de forță ale IAC:
• introducem condensatoare suplimentare la ieșire;
• introducem ventile separate;
• introducem ventile de curent invers;
• introducem un regulator (variator) inductiv pe tiristoare;
• aplicăm metoda PWM de formare a tensiunii de ieșire;
• aplicăm metoda vectorială de reglare.
5.2.1. IAC monofazat în punte cu condensator paralel
În figura 5.1.a [10, 12, 14, 15] este reprezentată schema
invertorului monofazat de curent în punte cu tiristoare
convenţionale cu condensator de comutare paralel, iar în figura 5.1.b
− diagramele temporale ale tensiunilor şi curenţilor în circuit.
Tiristoarele sunt comandate în perechi (VS1 cu VS2 şi VS3 cu VS4)
în contra-timp. În circuitul de intrare este conectat droselul Ld cu o
inductanţă foarte mare (Ld→), încât curentul de intrare nu are
pulsaţii, având o valoare constantă Id, iar curenţii prin ventile au
forma unor pulsuri dreptunghiulare.
132
Funcționarea. În prima semiperioadă sunt puse în conducţie

ventilele VS1 şi VS2, iar VS3 şi VS4 rămân blocate. În acest interval
de timp, prin VS1 şi VS2 circulă curentul Id şi tot această valoare cu
sens pozitiv o are curentul de ieşire iout.. Curentul de ieşire se
ramifică în curentul iC, care încarcă condensatorul de comutare C cu
polaritatea + −, descrescând exponenţial, şi curentul sarcini iL, care
creşte cu acelaşi ritm, deoarece: iL + iC = iout= Id.
În semiperioada secundă sunt puse în conducţie ventilele VS3
şi VS4 şi condensatorul de comutare devine scurtcircuitat de toate
ventilele. Curentul de descărcare a condensatorului circulă în sens
opus curentului tiristoarelor VS1 şi VS2, îl reduce foarte repede la
ia1, ia2
+
Ld ia3, ia4 T/2 T t
T/
VS1 VS3
iL ZL iout t
Ud
iout + − Id
iC (−) (+) t
VS4 C VS2 Id
− iC
a
t
Fig. 5.1. IAC monofazat în
punte cu condensator de iL
comutare paralel: t
a − schema;
uL,uC
b − diagramele temporale ale
tensiunilor şi curenţilor.
t
ua1,ua2
b t
133
INVERTOARE AUTONOME
zero şi conduce la blocarea acestor tiristoare. După această blocare,

condensatorul de comutare C se reîncarcă de la sursă prin VS3 şi VS4
cu polaritatea (−) (+). Menționăm că descărcarea condensatorului va
avea loc şi prin sarcină. Curentul sarcinii îşi schimbă sensul în
fiecare semiperioadă.
Pentru a limita creşterea bruscă a curentului prin anozii
tiristoarelor, în serie cu tiristoarele sunt montate reactoare de
limitare a vitezei de creştere a curentului.
5.2.2. IAC monofazat semipunte cu condensator paralel
În figura 5.2.a [10, 12, 14] este reprezentată schema
invertorului monofazat de curent semipunte cu tiristoare
convenţionale cu condensator de comutare paralel, iar în fig.5.2.b −
diagramele temporale ale tensiunilor şi curenţilor în circuit. Sarcina
este cuplată prin transformatorul T cu priză mediană. Tiristoarele
VS1 şi VS2 sunt comandate în contra-timp.
Funcționarea. În timpul primei semiperioade a oscilaţiilor de
ieşire este în conducţie VS1, iar VS2 este blocat şi condensatorul C
este încărcat prin tiristorul VS1, dioda VD2 şi semiînfăşurarea w1-2
primară a transformatorului T cu polaritatea + −. Curentul prin w1-2
induce în w2 tensiunea sarcinii.
ZL
i1
w2 iL
T T/2 T t
i2
i2 w1-1 w1-2 i1
+
Ld t
iL
VD1 VD2 t
Ud + − uC b
(−) (+)
a C t
VS1 VS2
−
Fig. 5.2. IAC monofazat semipunte:
a − schema; b − diagramele temporale ale tensiunilor şi curenţilor.
134
În semiperioada secundă este amorsat tiristorul VS2, iar

tensiunea de pe armăturile condensatorului C contribuie la blocarea
tiristorului VS1. În continuare, condensatorul de comutare C se
încarcă prin VS2, dioda VD1 şi semiînfăşurarea w1-1 cu polaritate
inversă celei precedente (−) (+). Curentul prin w1-1 induce în w2
tensiunea sarcinii, care va avea acum sens invers. Diodele VD1 cu
VD2 servesc pentru separarea condensatorului C de comutare de
sarcină, pentru a evita descărcarea condensatorului prin sarcină.
5.2.3. IAC monofazat în punte paralel-serie
În cazurile când curenții sarcinii depășește valorile admisibile,
se poate crea situația în care ventilul nu va reuși să se blocheze, și, ca
urmare (fig. 5.1), se formează scurtcircuit prin ventilul precedent și
cel următor. Pentru a evita aceste situații se poate modifica circuitul
IAC astfel, încât să limităm valoarea curentului de ieșire a
invertorului prin montajul capacității de comutare parțial în serie și
parțial în paralel cu sarcina după cum este reprezentat în figura 5.3
[14]. În acest caz, condensatorul C1 limitează curentul de ieșire când
rezistența sarcinii scade. În cazul limită la scurtcircuit invertorul
autonom de curent va trece în regim de mers în gol cu capacitatea
C1 la ieșire, deoarece capacitatea C2 este scurtcircuitată de sarcină.
În acest caz, poate să crească nelimitat tensiunea pe C1 și, prin
urmare, vor fi necesare măsuri suplimentare pentru limitarea
supratensiunilor.
+
Ld
VS1 VS3
C1 ZL
Ud
iC1
VS4 VS2
C2
−
Fig. 5.3. IAC monofazat în punte paralel-serie
135
INVERTOARE AUTONOME
5.2.4. IAC monofazat cu redresor de curent invers

Pentru a evita creșterea supralimită a tensiunii la ieșirea
invertorului autonom de curent la sarcini mici, la ieșirea invertorului
autonom de curent este conectat un redresor de curent invers, care
are ca sarcină o TEM UR (vezi figura 5.4.a) [14].
Reactorul LR în circuitul de curent continuu al redresorului de
curent invers (format de diodele VD1VD4) asigură un regim de
curent neîntrerupt. Astfrl, caracteristica externă a invertorului
autonom de curent la sarcini mici (curentul de ieșire este mic) va
avea în tensiune un domeniu limitat de valoarea tensiunii UR (vezi
figura_5.4.a).
De fapt, nu este practic să mai folosim încă o sursă de
alimentare, însă să folosim aceeași sursă Ud nu este posibil, deoarece
tensiunea redresată va fi mai mare decât tensiunea Ud.
+
+ LR
Ld
VD1 VS1 VS3 VD3
ZL UR
Ud
VD4 VS4 VS2 VD2 a

C
−
−
Uout
UR
b
Ud
Iout
Fig. 5.4. IAC monofazat în punte
cu redresor de curent invers:
a − schema; b − caracteristica externă.
136
Deoarece UR=kUout și Ud=k Uoutcos; rezultă că la intrarea

redresorului trebuie să aplicăm numai partea cos a tensiunii de
ieșire, deci, acest fapt impune folosirea unui transformator.
Situația este comodă în cazul invertorului autonom de curent
semipunte (vezi figura_5.2), care deja conține la ieșire un
transformator. Schema unui astfel de invertor de curent este
reprezentată în figura 5.5 [14].
ZL
+
Ld C
Ud VS1 VD1 VD2 VS2
LR
−
Fig. 5.5. Schema IAC monofazat semipunte
cu redresor de curent invers
În cazul în care redresorul de curent invers este comandat se
poate regla tensiunea de ieșire a invertorului autonom de curent și,
suplimentar, se poate reduce factorul de putere în sarcina IAC. Prin
urmare, crește valoarea necesară a capacității condensatorului de
comutare.
Concluzii:
1. Invertorul autonom de curent cu redresor de curent invers
necesită transformator.
2. Dacă redresorul de curent invers este comandat, obținem
posibilitatea reglării tensiunii de ieșire a invertorului, însă
vom avea nevoie de un condensator cu o capacitate mare
și, prin urmare, aplicarea este limitată.
137
INVERTOARE AUTONOME
5.2.5. IAC monofazat cu variator reactiv

Reglarea puterii reactive cu invertorul autonom de curent este
posibilă prin conectarea în paralel cu sarcina unui consumator
reactiv reglabil. Un consumator de acest tip poate fi un reactor
înseriat cu un variator de curent alternativ format în baza unui cuplu
de tiristoare conectate antiparalel. Schema unui IAC monofazat în
punte cu variator reactiv este reprezentată în figura 5.6.
În fig. 5.6 [14] IAC este format din puntea de tiristoare VS1 -
VS4, iar variatorul reactiv este constituit din reactorul L și cuplul de
tiristoare VS5 și VS6.
Din analiza acestui circuit se pot trage următoarele concluzii:
• variatorul de curent alternativ extinde domeniul de
funcționare a invertorului autonom de curent pe
caracteristicile externe;
• variatorul de curent alternativ permite modificarea formei
curentului de ieșire;
• apare un canal suplimentar de comandă.
+
Ld VS5
VS1 VS3
Ud VS6 L
ZL
VS4 VS2
C
−
Fig. 5.6. IAC monofazat cu variator reactiv
138
5.2.6. IAC trifazat cu condensatoare de comutare în paralel

În figura 5.7.a [1, 10, 12, 14, 15] este reprezentată schema IAC
trifazat cu condensatoare de comutare în paralel. Principiul de
funcţionare a invertorului trifazat este analogic cu principiul de
funcţionare a invertoarelor monofazate şi este ilustrat prin formele
de undă ale tensiunilor şi curenţilor din circuitul invertorului (fig.
5.7.b). Ordinea funcţionării tiristoarelor este ca şi în redresorul
trifazat în punte: VS1_cu_VS6, _VS1_cu_VS2, _VS3_cu_VS2,
_VS3_cu_VS4, VS5_cu_VS4, _VS5_cu_VS6, _VS1_cu_VS6, _etc.
ia1 Id
+ T/6 T/2 5T/6
Ld ia2 t
VS1 VS3 VS5
A ia3 t
+ − B
Ud ia4 t
C1 C2 C
C3 ia5 t
VS4 VS6 VS2 ia6 t
− a iA Id t
iB t
t
iC
Fig. 5.7. IAC trifazat paralel:
a − schema; t
b − diagramele temporale ale uAB
tensiunilor şi curenţilor.
t
uBC
t
uCA
b t
139
INVERTOARE AUTONOME
Deoarece fiecare tiristor conduce în pereche cu un tiristor din

alt grup timp de 1/6 de perioadă a oscilaţiilor de ieşire, după care
mai conduce 1/6 de perioadă în pereche cu următorul tiristor din
celălalt grup, comanda tiristorului se face sau cu două impulsuri
scurte cu un interval de 1/6 de perioadă între ele, sau cu un impuls
durata căruia este mai mare de 1/6 de perioadă.
Comutarea tiristoarelor are loc datorită condensatoarelor de
comutare C1, C2 și C3, care pot fi conectate în “stea” sau în
“triunghi” în circuitul invertorului (vezi fig. 5.7.a). În circuitul de
forță al acestui IAC are loc comutarea între ventile: blocarea unui
tiristor are loc după amorsarea tiristorului următor din același grup
de ventile. De exemplu, blocarea tiristorului VS1 va avea loc după
amorsarea tiristorului VS3 datorită tensiunii acumulate pe armăturile
condensatorului C1.
Forma tensiunii de ieșire este cu mult mai aproape de forma
sinusoidală în comparație cu IAC monofazat. Curenții de fază au
caracter alternativ și sunt din pulsuri dreptunghiulare cu
amplitudinea Id, iar tensiunile de linie au formele constituite din
porțiuni de exponente, care reprezintă procesele de încărcare,
descărcare și reîncărcare a condensatoarelor de comutație
(diagramele temporale respective sunt reprezentate în fig. 5.7.b).
Din analiza funcționării IAC trifazat paralel se poate observa
că curentul de ieșire trebuie să fie în avans de fază de tensiunea de
ieșire cu un unghi β. Acest defazaj este asigurat de condensatorul C,
care consumă putere reactivă capacitivă QC și formează un defazaj φ
al curentului față de tensiune. Suplimentar la puterea
Ů reactivă inductivă consumată de sarcină QL și puterea
reactivă QC se mai consumă și puterea reactivă QV la
Īout ĪL comutația ventilelor, care este proporțională cu
  valoarea β și este necesară pentru blocarea ventilelor.
Prin urmare, ecuația puterilor reactive la ieșirea IAC
ĪC va fi în corespundere cu diagrama fazorială
reprezentată în figura 5.8, și anume:
Fig. 5.8. Diagrama
fazorială în   C U 2
QC = = QL + QV = PL  tg + PL  tg . (5.1)
IAC trifazat 2
140
PL  tg + PL  tg
Rezultă: C = 2 . (5.2)
 U 2
Din această expresie observăm că pentru valorile date ale
puterii active în sarcină PL, factorului de putere al ei cos și al
unghiului β necesar pentru revenirea tiristoarelor, valoarea capacității
necesare este invers proporțională frecvenței de ieșire .
Din acest fapt rezultă două concluzii:
• Este dificil să folosim IAC pentru obținerea curentului alternativ
de joase frecvențe, deoarece vor fi necesare capacități foarte mari
ale condensatoarelor de comutație și valori mari ale inductanței
reactorului-filtru de intrare în circuitul de c.c., destinat să
suprime armonicile cu frecvențe multiple dublei frecvențe de
ieșire;
• IAC nu este comod pentru obținerea tensiunii de ieșire cu
frecvență reglabilă, de exemplu, în acționări electrice de curent
alternativ, deoarece surplusul de putere reactivă capacitativă va
provoca o creștere bruscă a tensiunii de ieșire.
Pentru aceste scopuri sunt folosite diodele de separare, după cum
este reprezentat în fig. 5.9 [10, 12, 14, 15]. Aceste diode de separare
împiedică descărcarea condensatoarelor de comutație prin fazele sarcinii.
+
Ld
VS1 VS3 VS5
C1 C3
C5
VD1 VD3 VD5

A
Ud B
C
VD4 VD6 VD2
C4 C6
C2
VS4 VS6 VS2
−
Fig. 5.9. IAC trifazat paralel cu diode de separare
141
INVERTOARE AUTONOME
5.2.7. IAC trifazat serie

În figura 5.10.a [15] este reprezentată schema IAC trifazat
serie. Elementele de comutație forțată a ventilelor în circuitul de
forță a acestui IAC sunt condensatoarele C1–C3 și reactoarele L1–L3
montate în serie cu sarcina.
+
Ld
VS1 VS3 VS5
L11 L21 L31

Ud
L12 L22 L32
VS4 VS6 VS2

−
C1 C2 C3
ZA ZB ZC
a
Id
iA
Id 2 b
Fig. 5.10. IAC trifazat serie:

a – schema;
b – diagrama temporală a curentului de ieșire (de fază).
142
Funcționarea. Este realizată în 6 tacte. Într-un moment

considerat de timp sunt în conducție două ventile dintr-un grup și un
ventil din celălalt grup așa încât curentul circulă prin toate fazele de
ieșire. Ordinea conducției ventilelor în timpul celor șase tacte din
care este constituită o perioadă de funcționare a circuitului este
următoarea:
T1 VS1 − VS6 − VS5
T2 VS1 − VS6 − VS2
T3 VS1 − VS3 − VS2
T4 VS4 − VS3 − VS2
T5 VS4 − VS3 − VS5
T6 VS4 − VS6 − VS5
Din cele expuse referitor la ordinea funcționării ventilelor rezultă
forma curentului de fază de ieșire reprezentată în figura 5.10.b.
Atât timp cât VS1 este în conducție, curentul circulă prin L11
și C1, încărcând condensatorul C1 cu polaritatea indicată pe schemă.
În tactul patru este amorsat VS4 și condensatorul C1 începe să se
descarce prin L12. Bobinele L11 și L12 sunt cuplate mutual astfel,
încât în acest caz în bobina L11 va fi indusă o TEM cu polaritatea
necesară pentru blocarea ventilului VS1.
5.2.8. IAC trifazat cu PWM
În figura 5.11 [14] este reprezentată schema IAC trifazat cu
ventile complet comandate.
+
Ld
C1 C2 C3
VS1 VS3 VS5 ZA
Ud ZB
VS4 VS6 VS2
ZC
−
Fig. 5.11. Schema IAC trifazat cu PWM
143
INVERTOARE AUTONOME
Forma curentului de ieșire a invertorului este formată din

impulsuri dreptunghiulare. La joase frecvențe ale curentului de
ieșire, când timpii de reîncărcare a condensatoarelor de comutare
sunt mult mai mici decât semiperioada curentului de ieșire, și
tensiunea de ieșire va avea formă dreptunghiulară.
Pentru a îmbunătăți forma tensiunii de ieșire a invertorului
autonom de curent poate fi aplicată metoda PWM. În fiecare
alternanță a curentului sarcinii se fac câteva comutații ale ventilelor
și este variată durata impulsurilor (durata de conducție) pe o lege
trapezoidală sau sinusoidală (vezi figura 5.12). Deoarece în timpul
unei alternanțe a curentului de ieșire ventilele VS1–VS6 sunt comutate
(on-off) de câteva ori, circuitul de forță al invertorului este constituit
din ventile complet comandate. Condensatoarele în acest circuit
îndeplinesc funcția de buffer energetic în pauzele dintre pulsurile
curentului de comutare și sarcină.
Uout
Ud
a
t
Uout
Ud
b
t
Ud
Fig. 5.12. Principiul de comandă PWM:

a – modulație unipolară; b – modulație bipolară.
144
5.3. Invertoare de tensiune

Invertoarele autonome de tensiune (IAT) au cele mai largi posibilități
și domeniu de aplicare. IAT este considerat cel mai universal modul de
conversie a energiei electrice. Suplimentar la funcția principală de conversie
a curentului continuu în curent alternativ, acesta poate realiza și conversia
inversă, adică conversia tensiunii alternative în curent continuu. La
frecvența zero a tensiunii de ieșire IAT se transformă într-un convertor DC-
DC reversibil. Pe baza acestuia pot fi realizate filtre active de tensiune și
curent, compensatoare de putere reactivă, variatoare de tensiune alternativă,
convertoare directe de frecvență etc.
O caracteristică specifică a invertoarelor autonome de
tensiune constă în faptul că sursa de alimentare este generator de
tensiune și în acest scop la intrarea invertorului autonom de tensiune
este montat un filtru capacitativ.
A doua caracteristică a IAT constă în faptul că curentul de
intrare poate lua valori negative. Deoarece curentul de intrare al IAT
poate avea ambele sensuri, circuitul de forță trebuie să fie constituit
din ventilele complet comandate cu ventile de curent invers
conectate antiparalel.
În versiunea clasică a IAT, care mai sunt numite invertoare cu
undă plină, fiecare perioadă a tensiunii de ieșire este formată din
două pulsuri dreptunghiulare egale (cu amplitudinile +Ud și –Ud,
respectiv) cu polarități opuse.
5.3.1. IAT monofazat semipunte
În figura 5.13 [1, 7, 16] este reprezentată schema circuitului de forță
a unui IAT monofazat în semipunte, în care sunt montate două
condensatoare cu capacități mari CF ce formează un divizor de tensiune
capacitiv ideal și fără pierderi pentru a oferi un punct neutru_0, astfel încât
pe fiecare condensator este formată o tensiune constantă Ud/2. Capacitățile
CF trebuie să fie de valori mari, deoarece armonicile curentului produse la
funcționarea invertorului sunt de ordin redus. Schema acestui invertor este
constituită dintr-un singur braț cu două întrerupătoare de putere – ventilele
(IGBT) VS1 și VS2. Diodele de curent invers (de fugă, feedback)
VD1 și VD2 sunt cuplate (montate) antiparalel cu ventilele VS1 și
VS2 pentru asigurarea circulației bidirecționale a curentului.
145
INVERTOARE AUTONOME
+
Ud VS1 VD1 uout
2 CF
Ud 0 ZL
Ud CF
2 VS2 VD2
−
Fig. 5.13. Schema IAT monofazat semipunte
Conform figurii 5.13, este clar că ambele tranzistoare nu pot
fi în conducție simultan, deoarece ambele sunt conectate în serie cu
sursa de c.c. Ud. Dacă ambele tranzistoare conduc în același timp, ar
putea fi format un scurtcircuit pentru sursa de c.c. Ud. În
funcționarea IAT monofazat semipunte cu undă plină există două
stări definite de comutare (starea 1 și starea 2), după cum este dat în
tabelul 5.1. Tabelul 5.1
Pentru a evita regimul de Stările de comutare în circuitul
scurtcircuit în circuitul de c.c. și IAT monofazat semipunte
starea nedefinită a tensiunii de
ieșire de c.a., tehnica de Stările Tensiunea
Stare
comutare trebuie să se asigure ca VS1 VS2 de ieșire
în orice moment de timp să fie în 1 on off
conducție un singur comutator
(tranzistor) din semipuntea
invertorului (sau VS1, sau VS2). 2 off on
Funcționarea IAT
monofazat semipunte cu undă plină este organizată (după cum este
dat în tabelul 5.1) în două stări ale circuitului de forță pe parcursul
unei perioade de comutație. În prima stare (intervalul de timp de la
0 până la T/2) este în conducție VS1, iar celelalte ventile sunt blocate
și tensiunea +Ud/2 este aplicată pe sarcină, formând tensiunea de
ieșire (uout). În starea 2 (intervalul de timp de la T/2 până la T) este
în conducție VS2, iar celelalte ventile sunt blocate și tensiunea -Ud/2
este aplicată pe sarcină, formând tensiunea de ieșire. Datorită
polarității inverse, tensiunea de ieșire este negativă.
146
Figura 5.14 reprezintă

uout
forma de undă tipică a tensiunii de
ieșire pe sarcină a invertorului
semipunte. În intervalul de timp T t
de la 0 până la T/2 tensiunea uout
are o amplitudine de +Ud/2 când
VS1 este în conducție și o Fig. 5.14. Tensiunea de ieșire
amplitudine de -Ud/2, când VS2 a IAT monofazat semipunte cu
este în conducție pentru intervalul undă plină
de timp de la T/2 la T.
În funcționarea circuitelor reale ale invertoarele autonome de
tensiune o problemă este necesitatea unei pauze de circa o
microsecundă la comutarea de la un ventil la altul. Pentru a reduce
pierderile de comutație, comutarea se poate realiza în momentul
trecerii prin zero a tensiunii. De exemplu, această soluție este
aplicată în IAT monofazat semipunte, schema căruia este
reprezentată în figura 5.15 [14].
Capacitățile CF formează punctul neutru pentru asigurarea
funcționării circuitului oscilant Lk−Ck, care este format pentru fiecare
ventil (tranzistor) în mod analogic invertorului de rezonanță. Rolul
inductanței Lk îl poate realiza inductanța sarcinii în cazul în care
sarcina și regimul ei de funcționare sunt definite rigid.
+
VS1 VD1
CF Lk Ck
0 uout ZL
Ud
CF Ck
VS2 VD2
−
Fig. 5.15. Schema IAT monofazat semipunte
cu circuit oscilant
147
INVERTOARE AUTONOME
5.3.2. IAT monofazat în punte

Invertoarele autonome de tensiune, de regulă, au circuitul de
forță format în baza schemei în punte, după cum este reprezentat în
figura 5.16 [1, 5, 10, 11, 15, 16, 17]. La intrarea IAT monofazat este
montat un filtru capacitativ (un condensator de capacitate mare),
care menține tensiunea de intrare (sursei) Ud constantă. Sarcina ZL
(de regulă, rezistiv-inductivă) este montată în diagonala punții
formată de ventilele complet comandate VS1−VS4 (pot fi PBT, MOS
FET sau, mai des, IGBT) și diodele de curent invers VD1−VD4
conectate antiparalel tranzistoarelor.
+
VS1 VD1 VS3 VD3
Z
iL + L –
Ud CF (–) (+)
VS4 VD4 VS2 VD2
−
Fig. 5.16. Schema IAT monofazat în punte
Vom analiza funcționarea IAT monofazat cu undă plină în
punte [1, 5, 10, 11, 15, 16, 17]. Pentru a obține forma simetrică și
alternativă a undei de tensiune, la ieșire ventilele VS1−VS4 sunt
comutate în perechi pe diagonale (VS1 cu VS2 și VS3 cu VS4) în
contra-timp, astfel încât durata de conducție a unui ventil este o
semiperioadă a tensiunii de ieșire ( =180°). În regim staționar,
forma curentului sarcinii rezistiv-inductive iL este simetrică,
alternativă și este formată din porțiuni exponențiale (vezi figura
L
5.17) cu constanta de timp  = L .
RL
În prima semiperioadă (de la t=0 la t=T/2) sunt în conducție
ventilele VS1 și VS2. Pe sarcină se aplică tensiunea Ud cu polaritatea
+_- (vezi figura 5.16), considerată pozitivă. Curentul sarcinii iL
circulă prin VS1 și VS2 (sens pozitiv) și crește exponențial.
În semiperioada secundă (de la t=T/2 la t=T) sunt puse în
conducție VS3 și VS4, iar VS1 și VS2 sunt blocate. Pe sarcină se
148
aplică tensiunea Ud cu polaritatea (-)_(+) (vezi figura 5.16),

considerată negativă. Datorită caracterului inductiv al sarcinii
(și/sau filtrului) curentul iL va continua să circule în același sens prin
sarcină și se va închide prin diodele de curent invers VD1 și VD2
până în momentul de timp t2, în care curentul sarcinii iL atinge
valoarea zero. În acest interval de timp (de la t=T/2 la t=t2) energia
înmagazinată în inductanța sarcinii este recuperată sursei de
alimentare. Prin urmare, rolul diodelor în circuitul invertorului este
să conducă curentul reactiv al sarcinii. După momentul t2 (de la t=t2
la t=T) curentul sarcinii își schimbă sensul, crește exponențial și se
închide prin ventilele VS3 și VS4.
uG1,uG2
T/2 T t
uG3, uG4
 t
uout
Ud
t
Ud
iL t1
t2 t3 t4
t
iVS1, iVS2
iVS3, iVS4 t
iVD1, iVD2 t
iVD3, iVD4 t
t
Fig. 5.17. Diagramele temporale ale tensiunilor și curenților în
circuitul IAT monofazat în punte cu undă plină
149
INVERTOARE AUTONOME
În funcționarea invertorului în punte sunt posibile patru stări definite

de comutare (stările 1, 2, 3 și 4), după cum este dat în tabelul 5.2. Trebuie
evitată starea nedefinită, deoarece tensiunea de ieșire de c.a. întotdeauna
trebuie să fie definită univoc. Se poate observa că tensiunea de ieșire de
c.a. uout definită ca tensiunea care se aplică pe sarcină (Load) ZL poate
căpăta valori până la valoarea tensiunii sursei de c.c. Ud, care este de două
ori mai mare decât cea obținută în invertoarele semipunte.
În figura 5.18 [10, 11, 16, Tabelul 5.2
17] sunt reprezentate formele de Stările de comutare în circuitul
undă ale tensiunilor de IAT monofazat în punte
comandă pe porțile ventilelor Stare Stările Tensiunea
(tranzistoarelor) și a tensiunii VS1 VS2 VS3 VS4 de ieșire
pe sarcină a unui invertor 1 on on off off Ud
monofazat în punte pentru o 2 off off on on Ud
funcționare în care sunt toate
3 on off on off 0
cele patru stări.
4 off on off on 0
În starea 1 (în fig.5.18 – )
ventilele VS1 și VS2 sunt în conducție (on), iar celelalte două ventile
VS3 și VS4 sunt în stare off. Prin urmare, tensiunea de ieșire este
uG1 uout= +Ud. Calea de circulație a
T/2 T t curentului în această stare este:
uG2 Ud(+)–VS1–ZL–VS2–Ud(–).
t t În starea 2 (în fig.5.18 – )
uG3 ventilele VS3 și VS4 sunt în conducție
t (on), iar celelalte două ventile VS1 și VS2
uG4
t sunt în stare off. Prin urmare, tensiunea de
  ieșire este uout= –Ud. Calea de circulație a
uout
curentului în această stare este: Ud(+)–
Ud VS3–ZL–VS4–Ud(–).
t În starea 3 (în fig.5.18 – )
    Ud ventilele VS1 și VS3 sunt în conducție
Fig. 5.18. Diagramele temporale (on), iar celelalte două ventile VS2 și
ale tensiunilor în circuitul IAT VS4 sunt în stare off. Prin urmare,
monofazat în punte pentru mf=2 tensiunea de ieșire este uout= 0.
150
Calea de circulație a curentului în această stare este: ZL–VD1–VS3–ZL.

În starea 4 (în fig.5.18 – ) ventilele VS2 și VS4 sunt în
conducție (on), iar celelalte două ventile VS1 și VS3 sunt în stare off.
Prin urmare, tensiunea de ieșire este uout= 0. Calea de circulație a
curentului în această stare este: ZL–VS2–VD4–ZL.
5.3.3. Metoda de comandă PWM în IAT
În IAT cu undă plină tensiunea de ieșire conține o armonică
fundamentală, dar și armonici superioare care pot afecta negativ
funcționarea sarcinii de curent alternativ (consumatorului),
provocând un regim deformant. În cazul când sarcina este un motor
de curent alternativ, armonicile superioare vor determina pierderi în
el și, respectiv, supraîncălzirea motorului.
Vom analiza componența spectrală a curbei tensiunii de ieșire
prin descompunerea în seria Fourier, care ne dă [1, 10, 11, 14, 15, 16, 17]:
4U d  
uout (t ) =
1 1 1
 sin t + sin 3t + sin 5t + ... + sin nt  . (5.3)
  3 5 n 
Prin urmare, armonica fundamentală uout

1
(t ) = 4U d
sin t

4U d
m = = 1 ,27 U d și valoarea eficace
1
are amplitudinea uout

4U d
1
U out = = 0 ,9U d . Rezultă că armonica de ordinul trei constituie
 2
33,3% din armonica fundamentală, armonica 5_–_20%, iar armonica
7_–_14,3%. Pentru suprimarea armonicilor superioare tensiunea de ieșire a
IAT este supusă filtrării înainte de a fi aplicată pe sarcină.
Pentru îmbunătățirea spectrului la tensiunea de ieșire a IAT
este realizată modulația PWM la o frecvență a impulsurilor (de
comutație) mult mai mare decât frecvența tensiunii de ieșire. În așa
mod, armonicile apărute în spectrul tensiunii de ieșire datorită
reglării sunt deplasate spre frecvențe mult mai înalte și, prin urmare,
filtrarea lor este mult mai simplă.
O calitate mai bună a spectrului tensiunii de ieșire a IAT este
obținută prin modulația PWM. Invertoarele PWM sunt convertoare
moderne a căror tensiune de ieșire are forma unui tren de impulsuri
151
INVERTOARE AUTONOME
modulate în lățime (durată), având factorul de umplere ca parametru

modificat continuu în timp astfel, încât valoarea medie a tensiunii în
fiecare puls să corespundă unei valori instantanee sinusoidale. În
figura 5.12 [1, 10, 11, 14, 16] este exemplificată metoda de comandă
PWM cu modulație monopolară (a) și bipolară (b).
Raportul frecvenței de comutare fc la frecvența tensiunii de
ieșire f≡fout reprezintă câte comutări sau pulsuri sunt realizate pe
parcursul unei perioade a curentului alternativ la ieșire și este numit
factor de modulație în frecvență
fc
mf = . (5.4)
f out
Toate tipurile de modulație PWM se clasifică după câteva criterii:
❖ În funcție de parametrul modulat, deosebim modulațiile:
 unisens (este modulată poziția numai a unui front);
 dublu sens (sunt modulate pozițiile ambelor fronturi).
❖ În funcție de valoarea factorului de modulație în frecvență:
 raport întreg;
 raport rațional;
 raport irațional.
❖ În funcție de forma semnalului modulator și, prin urmare, și
a tensiunii de ieșire:
 sinus;
 trapez;
 triunghi;
 dreptunghi.
❖ În funcție de polaritatea impulsurilor:
 modulație monopolară;
 modulație bipolară.
❖ În funcție de modul de determinare a duratei pulsului în faza
semnalului modulator:
 momentul este fixat la începutul pulsului;
 momentul este fixat la sfârșitul pulsului;
 momentul este fixat într-un moment intermediar.
❖ În funcție de numărul de niveluri în algoritmul de comandă:
 mononivel;
 polinivel.
152
Comanda PWM se realizează prin modificarea duratei de conducție

a ventilului  în intervalul de valori (0180)_°.
O caracteristică a acestui mod de funcționare în comparație cu regimul de
mai sus (undă plină) constă în prezența unor intervale de timp  = T − 
2
(vezi fig. 5.19) în care sunt blocate toate tranzistoarele invertorului.
Independența de sarcină a formei curbei tensiunii de ieșire și
menținerea pauzei β necesare în timpul reglării se reușește dacă este
asigurată conductivitatea simultană pe parcursul intervalului β a două
ventile (tranzistoare) din același grup (catodic sau anod) al punții
invertorului: grup anodic VS1 și VS3 sau grup catodic VS2 și VS4 (vezi
fig.5.16). Prin urmare, în aceste intervale de timp circuitul de forță al
invertorului (puntea) funcționează în una din stările  sau  (vezi
tabelul 5.2 și figura 5.18) și tensiunea de ieșire este nulă.
În figura 5.18 sunt reprezentate diagramele temporale ce
caracterizează metoda PWM de comandă a tensiunii de ieșire a
invertorului pentru mf=2. Acestui mod de comandă (fig. 5.18) îi
corespunde durata intervalului de conducție a fiecărui ventil de
 =180⁰. Diferența dintre procesele de funcționare ale circuitelor de
forță ale IAT cu PWM și undă plină constă în crearea unui defazaj cu
un unghi  în secvența de comutare a ventilelor ambelor semipunți,
astfel realizând în intervalele β=ψ–α conducția simultană, sau a
ventilelor VS1, VS3 (starea  din tabelul 5.2 și figura 5.18), sau a
ventilelor VS2, VS4 (starea ). Intervalul β definește o pauză pe curba
tensiunii de ieșire uout= 0. Intervalul α este caracterizat prin starea on a
uneia din perechile de tranzistoare pe diagonale și determină durata
pulsului în curba tensiunii de ieșire uout= –Ud.
Natura proceselor care au loc în invertor diferă de modurile
considerate doar pe intervalele unghilui β. Aici procesele sunt cauzate
de închiderea curentului sarcinii activ-inductive prin tranzistor și
dioda rămasă în stare on, conectate la bara comună a sursei de
alimentare și care formează un scurtcircuit pentru sarcină.
Metoda PWM pentru forma analizată a curbei uout permite
comanda (reglarea) valorii efective a tensiunii de ieșire în domeniul
de la zero la valoarea maximă prin variația unghiului  în limitele
153
INVERTOARE AUTONOME
(0180)0. Valorii maximale a tensiunii de ieșire îi corespunde curba

uout(t) din fig. 5.17. În figura 5.19 [10, 14, 15, 16, 17] sunt reprezentate
curbele care denotă componența relativă de armonici a tensiunii de
ieșire a invertorului la reglare. Modificarea amplitudinilor
armonicilor corespunde dependenței:
4U d   
U m = sin , (5.5)
  2 
unde v este numărul de ordine al armonicilor, v = 1, 3, 5, 7, 9,...;
iar U m*  = U m .
4U d

U*m =1 U*m
=1
=3 =3
=5
=5
_  _
Fig. 5.19. Spectrul tensiunii Fig. 5.20. Spectrul tensiunii de
de ieșire a IAT cu PWM ieșire IAT cu PWM pentru mf=8
După cum se observă din fig. 5.19, spectrul tensiunii de ieșire

IAT cu PWM conține o pondere destul de semnificativă a armonicii
inferioare – de ordinul 3 care este cea mai dificilă pentru filtrare. Pentru
a îmbunătăți componența de armonici este recomandabilă comanda
PWM cu un număr de impulsuri într-o perioadă mf>2 (de exemplu,
mf=8, după cum este reprezentat în figura 5.20). Pentru a obține forma
curbei pentru mf_>2, intervalul ψ=180⁰ este împărțit în mf/2 intervale
și în cadrul fiecăruia din ele este realizată comutarea ventilelor
(tranzistoare). În acest caz, unghiul α (durata impulsurilor de ieșire)
variază în intervalul (0360)/mf. În fig. 5.20 [10, 14, 16, 17] este
reprezentată componența spectrală relativă a tensiunii de ieșire IAT cu
PWM pentru mf=8.
154
Conținutul de armonici superioare poate fi redus semnificativ

prin utilizarea modulației PWM, în care curba tensiunii de ieșire a
invertorului este dată sub formă de impulsuri modulate conform unei
legi sinusoidale (fig.5.12.a). Aplicarea metodei PWM asigură un
conținut predominant al armonicii fundamentale în spectrul tensiunii
de ieșire și un conținut minim al armonicilor cu frecvențe apropiate
de armonica fundamentală (în special, de ordinul v=1, 3, 5, 7), deși
amplitudinile armonicilor mult mai superioare pot fi semnificative.
Dar aceste armonici (mult mai superioare) pot fi ușor suprimate
(filtrate), folosind filtre simple montate în fața sarcinii. Tensiunea de
ieșire (valoarea efectivă a armonicii fundamentale) este reglată prin
modificarea lățimii impulsurilor de ieșire (raportului de conducție,
factorului de umplere). O descriere detaliată a principiului PWM este
reprezentată în fig. 5.21 [16].
În figura 5.12.a este reprezentată diagrama temporală a
tensiunii de ieșire pentru comanda PWM unipolară, deoarece
pulsurile tensiunii de ieșire în timpul unei alternanțe au o singură
polaritate, iar în figura 5.12.b este reprezentată diagrama temporală
a tensiunii de ieșire pentru comanda PWM bipolară, în care curba
tensiunii de ieșire conține pulsuri de polaritate opusă.
Curba tensiunii de ieșire cu PWM bipolară (vezi fig. 5.12.b)
este obținută prin una dintre metodele de îmbunătățire a compoziției
armonice a tensiunii de ieșire. Întrucât această metodă asigură
eliminarea unor armonici și, în special, a celor mai nedorite
armonici – inferioare (a 3-a și a 5-a sau a 5-a și a 7-a), metoda se
numește metoda eliminării selective a armonicilor.
Metoda se bazează pe setarea unor unghiuri fixe γ1 și γ2 pentru
comutarea ventilelor în invertor. Pentru γ1=23,62⁰ și γ1=33,3⁰ sunt
suprimate armonicile de ordinul 3 și 5, iar pentru γ1=16,25⁰ și
γ1=22,07⁰ sunt suprimate armonicile de ordinul 5 și 7 [16].
155
INVERTOARE AUTONOME
uout
Tc Tp
Ud
iL
a
t
uout
+Ud tensiunea medie
pe tact
timp de conducție
ventil grup anodic
timp de conducție
ventil grup catodic
t
b
–Ud
Fig. 5.21. Diagrame temporale PWM
Comanda tensiunii de ieșire poate fi realizată fie prin circuitul

de alimentare, fie în circuitul invertorului, prin variația defazajului
între semnalele de comandă ale ventilelor din o semipunte și altă
semipunte pentru valorile indicate ale unghiurilor γ.
Principiul formării unei serii de impulsuri de comandă PWM
bipolară este reprezentat în figura 5.22 [16] pentru un circuit
invertor monofazat semipunte (fig. 5.13). Impulsurile de comandă
aplicate pe bazele tranzistoarelor IGBT de putere sunt formate în
rezultatul comparării tensiunii de modulare um de joasă frecvență cu
tensiunea de referință uref. „dinte de ferestrău” cu frecvență
purtătoare. Dacă valoarea instantanee a tensiunii de referință este
156
mai mare decât valoarea tensiunii de modulare, tranzistorul VT1 este

comutat on și pe sarcină este format un impuls de polaritate pozitivă
(vezi fig.5.22), iar dacă tensiunea de referință devine mai mică decât
tensiunea de modulare, atunci tranzistorul VT1 este comutat off și
comutat on tranzistorul VT2 – fapt care duce la schimbarea
polarității tensiunii pe sarcină. În cazul unei sarcini cu caracter
activ-inductiv, modificarea polarității tensiunii de ieșire are loc
datorită conducției diodei inverse VD2, prin care se închide curentul
de sarcină.
uref um
t
uout
Ud
t
u1out
Fig. 5.22. Principiul de formare a impulsurilor

de comandă PWM bipolară
Principiul formării unei serii de impulsuri de comandă PWM
monopolară este reprezentat în figura 5.23 [16]. Implementarea
metodei de comandă PWM monopolară este posibilă în circuitul în
punte al invertorului monofazat (fig. 5.16). În acest caz, o pereche
de tranzistoare de putere, de exemplu VT1 și VT4, sunt comutate cu
frecvența semnalului de modulare la limitele alternanțelor tensiunii
de ieșire, iar a doua pereche de tranzistoare sunt comutate cu
frecvența purtătoare. Durata impulsurilor de comandă este formată
în același mod ca și în cazul precedent: prin compararea tensiunii de
referință și a semnalului de modulare.
157
INVERTOARE AUTONOME
uref um
t
uout
Ud
u1out
t
Fig. 5.23. Principiul de formare a impulsurilor

de comandă PWM monopolară
Formarea unui impuls la ieșirea invertorului, de exemplu, de
polaritate pozitivă, este realizată prin conducția simultană a
tranzistoarelor VT1 și VT2. Deoarece tranzistorul VT2 este comutat
cu o frecvență înaltă, atunci când este VT2 blocat, tranzistorul VT1
rămâne în conducție. Acest fapt duce la închiderea curentului de
sarcină prin tranzistorul VT1 și dioda VD3. În acest caz, tensiunea la
ieșirea invertorului este egală cu suma căderilor de tensiune pe
tranzistor și diodă, adică aproape de zero. În mod similar este creat
nivelul nul de tensiune și pe parcursul alternanței negative a
armonicii fundamentale a tensiunii de ieșire: când tranzistorul VT3
este blocat curentul sarcinii se închide prin tranzistorul VT4 și prin
dioda VD2.
5.3.4. IAT monofazat cu priză mediană
Pentru acordarea nivelurilor tensiunilor de ieșire și intrare
poate fi folosită varianta circuitului IAT monofazat cu priză
mediană a cărui schemă este reprezentată în figura 5.24 [14].
În acest circuit, pe parcursul unui interval finit de timp, la
blocarea tranzistorului, are loc scurtcircuitarea sursei de alimentare
prin cele două tranzistoare, din care unul trece în conducție
(off→on), iar altul se blochează (on→off).
Deoarece în serie cu fiecare tranzistor este conectată inductanța
de dispersie a înfășurării primare a transformatorului, pulsațiile
curentului de scurtcircuit al sursei de alimentare sunt limitate.
158
ZL
uout
VD4
VS4
VS3
ZL
uout VD3
T T
+ +
VS1 VS2 VS1 VS2
Ud Ud
CF VD1 VD2 CF VD1 VD2
− −
Fig. 5.24. Schema IAT Fig. 5.25. Schema IAT
monofazat cu priză mediană monofazat cu o poartă de c.a.
Pentru a realiza comanda PWM monopolară în circuitul IAT
monofazat cu priză mediană în scopul îmbunătățiri calității, circuitul
invertorului este completat cu o poartă de curent alternativ, formată
din două ventile complet comandate conectate antiparalel, care
șuntează înfășurările primară și secundară ale transformatorului,
după cum este reprezentat în figura 5.25 [14].
Altă metodă de îmbunătățire a calității tensiunii de ieșire
constă într-o modulație AM suplimentară a pulsațiilor tensiunii de
ieșire. În IAT monofazat cu priză mediană în acest scop înfășurarea
primară a transformatorului este secționată și sunt montate porți
electronice suplimentare. Schema unui astfel de IAT monofazat este
reprezentată în figura_5.26 [14].
Prin conectarea pe rând a ventilelor VS3 (poarta K3), VS5
(poarta K5) și VS1 este formată alternanța pozitivă a tensiunii de
ieșire prin variația factorului de transformare. Analogic, prin
conectarea pe rând a ventilelor VS4 (poarta K4), VS6 (poarta K5) și
VS2 este formată alternanța negativă a tensiunii de ieșire.
159
INVERTOARE AUTONOME
ZL
uout
T
+
VS3 VS5 VS1 VS2 VS6 VS4
CF
Ud
K3 VD3 K5 VD5 VD1 VD2 VD6 K6 VD4 K4
−
Fig. 5.26. Schema IAT monofazat cu AM
5.3.5. IAT trifazate

Deoarece IAT monofazate pot fi folosite numai în aplicații de
mică putere, pentru aplicații de mare putere sunt preferate IAT
trifazate care suplimentar la valorile mai mare ale tensiuni,
curentului și puterii au avantajul de a furniza tensiune trifazată.
Cel mai simplu și cel mai răspândit circuit de forță al IAT
trifazat se poate obține prin reunirea a trei invertoare autonome de
tensiune monofazate semipunte în paralel la sursa de alimentare și
în triunghi sau stea la ieșire cum este reprezentat în figura 5.27
(prizele medii ale semipunților invertorului sunt conectate la fazele
sarcinii RL trifazate) [1, 11, 14, 16, 17].
uA
+
A ZA
CF
VS1 VS3 VS5 uAB
0 ZB
Ud B
N
CF VS4 VS6 VS2 uBC
ZC
C
− uC
uo
Fig. 5.27. Schema IAT trifazat în punte
160
uG1
T/6 T/3 T/2 2T/3 5T/6 T t
uG2
uG3 t
uG4 t
uG5 t
uG6 t
t
uA 2
Ud
3
t
uB 1
Ud
3 t
uC
t
uAB
Ud
t
uBC
t
uCA
     
Fig. 5.28. Diagrame temporale în IAT trifazat în punte
161
INVERTOARE AUTONOME
Circuitul de putere al invertorului poate funcționa în opt stări: în

șase stări active posibile și două pasive (zero). Sinteza algoritmului de
comandă a invertorului se reduce la stabilirea ordinii de comutare a
acestor stări (consecutivitatea comutării ventilelor) și a duratelor de
timp de funcționare a circuitului în fiecare din aceste stări.
Cele opt stări de comutare posibile în acest circuit sunt date în
tabelul 5.3. Ventilele oricărei semipunți (VS1 și VS4, VS3 și VS6 sau
VS5 și VS2) nu pot fi puse în conducție simultan, deoarece ar rezulta
un scurtcircuit pentru sursa de c.c. În mod similar, ventilele oricărei
semipunți nu pot fi blocate simultan pentru a evita stările nedefinite
în IAT și astfel, tensiunile de linie de ieșire ca nedefinite.
Două din cele opt stări posibile (7 și 8) sunt numite stări de
Tabelul 5.3
Stările de comutare în circuitul IAT trifazat în punte
Stările de comutare Tensiunile de linie
Stare
VS1 VS2 VS3 VS4 VS5 VS6 uAB uBC uCA
1 on off off off on on +Ud –Ud 0
2 on on off off off on +Ud 0 –Ud
3 on on on off off off 0 +Ud –Ud
4 off on on on off off –Ud +Ud 0
5 off off on on on off –Ud 0 +Ud
6 off off off on on on 0 –Ud +Ud
7 on off on off on off 0 0 0
8 off on off on off on 0 0 0
comutare zero pentru a produce tensiuni de linie de curent alternativ
nule. În acest caz, curentul alternativ circulă prin ventilele superioare
sau inferioare. Stările de la 1 la 6 (din tabelul 5.3) sunt numite stări
de comutare non-nule pentru a produce tensiuni de ieșire de curent
alternativ non-nule. Tensiunile de ieșire de linie de c.a., care pot
căpăta una dintre valorile +Ud, –Ud, 0, sunt reprezentate în
figura_5.28 [10, 11, 14, 15, 17].
În regim de comandă cu undă plină (=180°) ventilele dintr-o
fază (semipunte) sunt comandate în contra-timp a câte ½ perioadă a
tensiunii de ieșire. Diagramele temporale pentru funcționarea în 6 tacte
162
sunt reprezentate în fig. 5.28. Primele șase diagrame reprezintă

tensiunile de comandă (uG1 - uG6) pe porțile ventilelor VS1-VS6.
Următoarele trei diagrame reprezintă curbele tensiunilor de
fază (uA, uB, uC) pe sarcina trifazată, iar ultimele trei diagrame –
curbele tensiunilor de linie (uAB, uBC, uCA).
Șase scheme echivalente ale sarcinii trifazate a invertorului, ce
corespund celor șase stări active (-), sunt reprezentate în figura
5.29 [14, 17]. De exemplu, în starea , fiind în conducție ventilele
VS1, VS5 și VS6, fazele A și C ale sarcinii sunt conectate la bara
pozitivă +Ud a sursei de c.c, iar faza B a sarcinii este conectată la
bara negativă –Ud a sursei. În cazul unei sarcini trifazate simetrice
două faze A și C sunt conectate în paralel și pe ambele se aplică o
treime din tensiunea sursei cu polaritate pozitivă, iar pe faza B
conectată cu ele (A și C) în serie tensiunea reprezintă două treimi
din tensiunea sursei de c.c. cu polaritate negativă. Valorile
tensiunilor de fază ale invertorului pentru toate celelalte stări sunt
determinate în mod similar din schemele echivalente respective.
+ + +
ZA ZC ZA ZA ZB
Ud Ud Ud
ZB ZB ZC ZC
− − −
  
+ + +
ZB ZB ZC ZC
Ud Ud Ud
ZA ZC ZA ZA ZB
− − −
  
Fig. 5.29. Schemele echivalente ale sarcinii
IAT trifazat în punte
163
INVERTOARE AUTONOME
5.3.6. IAT trifazat format în baza IAT monofazate în punte

Pentru un astfel de invertor sunt posibile două variante ale
circuitului de forță:
1. Dacă sunt accesibile ambele borne ale sarcinii pe fiecare
fază, atunci pe fiecare fază a sarcinii este conectată ieșirea
unei punți monofazate în mod independent. O astfel de
situație este posibilă când tensiunea este furnizată unui
motor de curent alternativ trifazat (asincron sau sincron),
fiind accesibile toate bornele înfășurărilor. Însă pentru
comanda PWM unipolară în fiecare punte monofazată
sistemul trifazic rezultat va fi dezechilibrat, deoarece
uA+uB+uC≠0. Ca urmare, în spectrul curenților de fază apar
armonici de fază zero, încărcând suplimentar invertorul și
mașina electrică. Pentru a le exclude, este necesară
coordonarea (sincronizarea) funcționării fazelor, asigurând
echilibrul sistemului de tensiune trifazat.
2. În cazul sarcinii trifazate cu trei borne accesibile vor fi necesare
trei transformatoare de ieșire cu înfășurările secundare montate
în stea (vezi figura 5.30) [14]. În acest caz, este exclusă
posibilitatea circulației curenților de nul prin sarcină.
Comparând cele două tipuri de IAT trifazate analizate mai sus,
putem menționa caracteristicile lor distinctive. IAT trifazate pe
punți monofazate pot fi denumite cu PWM mononivel, deoarece
tensiunea lor de ieșire în fiecare alternanță are un singur nivel diferit
de zero al tensiunii, și anume, Ud. Atunci, IAT în punte trifazată pot
fi numite cu PWM în două niveluri, deoarece tensiunea lor de fază
de ieșire capătă două niveluri posibile de tensiune Ud/3 și 2Ud/3.
Urmând această logică, pot fi construite circuite de IAT
trifazate cu un număr mai mare de niveluri în tensiunea de ieșire,
care a priori va îmbunătăți forma tensiunii de ieșire a invertorului.
Luând în considerație acest criteriu, se disting IAT cu multe niveluri
(trei niveluri, cinci niveluri, șapte niveluri). Tehnic, acest lucru se
realizează prin utilizarea împreună cu metoda de comandă PWM a
164
metodei de modulare în amplitudine. Aceasta ar fi posibil dacă

există mai multe niveluri de tensiune în circuitul sursei de
alimentare. Aceste circuite invertoare complicate sunt justificate la
puteri avansate (mai mult de o mie de kiloWați), când o îmbunătățire
a calității tensiunii de ieșire datorită adăugării modulării în
amplitudine compensează deteriorarea cauzată de o scădere a valorii
admisibile factorului de modulație în frecvență (frecvența de
comutare) la înalte frecvențe ale tensiunii de ieșire.
+
VS1 VD1 VS3 VD3
CF TA
Ud
VS4 VS2 VD2

−
VD4
VD3
VS1 VD1 VS3
UA
TB ZA
A
UAB
VS4 VS2 ZB
VD2 B
VD4
VD3 UBC
VS1 VD1 VS3 ZC
TC C
UC
VS4 VS2 VD2

VD4
Fig. 5.30. Schema IAT trei-mono-fazat în punte
165
INVERTOARE AUTONOME
5.3.7. IAT trifazat cu 3 niveluri

Schema unui IAT trifazat cu trei niveluri este reprezentată în
figura 5.31 [1, 14,]. În acest circuit, fiecare braț al punții trifazate
clasic este format din două ventile complet comandate montate în
serie, fiecare având conectată antiparalel o diodă de curent invers
(de fugă). Aceste diode conectează priza mediană a fiecărui braț al
punții cu priza mediană a sursei de alimentare.
CF
uA
A ZA
0 uAB
Ud ZB
B
uBC
ZC
CF
C
uC
−
Fig. 5.31. Schema IAT trifazat în punte
cu PWM în trei niveluri
+ + +
Ud
ZA ZA ZA
2 ZC
Ud Ud
0 2
Ud
ZB ZC 2 ZB ZB ZC
− − −
a b c
Fig. 5.32. Schemele echivalente ale sarcinii
IAT trifazat în punte cu PWM în trei niveluri
166
Pentru primul (cel mai înalt) nivel al tensiunii schema

echivalentă (vezi fig. 5.32.a) este identică cu cazul invertorului cu
un singur nivel, cu singura diferență că fiecare fază a sarcinii este
conectată prin două ventile în conducție conectate în serie la bara
pozitivă sau negativă a sursei. Nivelurile de tensiune la fazele
sarcinii în această stare pot fi egale cu Ud/3 și 2Ud/3.
Pentru nivelul doi (intermediar) al tensiunii schema echivalentă a
invertorului este reprezentată în figura 5.32.b. Aici, două faze ale sarcinii
sunt conectate la două bare de polaritate diferită ale sursei de alimentare,
iar a treia fază prin unul din ventilele interne, este conectată la priza
mediană a sursei. Nivelurile de tensiune în două faze ale sarcinii sunt
egale cu +Ud sau –Ud, iar în a treia fază tensiunea este nulă.
Pentru nivelul trei (cel mai mic) al tensiunii, schema
echivalentă a invertorului este reprezentată în figura 5.32.c. În acest
caz, două faze ale sarcinii sunt conectate la o bară a sursei de intrare,
iar a treia fază, prin unul dintre ventilele interne, este conectată la
priza mediană a sursei. Starea este echivalentă cu alimentarea
sarcinii de la o jumătate din sursa de intrare (Ud/2). Nivelurile de
tensiune pe fazele sarcinii sunt egale cu Ud/3 și Ud/6.
Prin urmare, un invertor cu trei niveluri are de trei ori mai multe
(optsprezece) stări decât un invertor mononivel, deci va permite
formarea curbei tensiunii de ieșire ucA1
mult mai precis și, prin urmare, se uref.
poate obține o calitate mult mai umA − ucA4
înaltă. + ucA
ucB3
5.3.8. IAT trifazat cu PWM
În cazul aplicării metodei de umB − ucB6
comandă PWM în IAT în punte + u cB
trifazată, sistemul de comandă este ucC5
constituit (fig.5.33) din trei 8
comparatoare analogice și șase umC − ucC2
formatoare de impulsuri ale pulsurilor + u cС
de comandă pentru cele șase ventile Fig. 5.33. Schema funcțională

VS1VS6 ale punții trifazate. a sistemului de comandă PWM
a IAT trifazat în punte
167
INVERTOARE AUTONOME
Pe intrările neinvertoare ale comparatoarelor analogice sunt

aplicate semnalele modulatoare sinusoidale umA, umB, umC, defazate
reciproc cu 120⁰, iar pe intrările invertoare este aplicată tensiunea de
referință uref. „dinte de ferestrău” cu frecvență purtătoare (vezi
fig.5.34) [17]. În mod analogic cu cazul IAT monofazat bascularea
comparatorului are loc în momentele de egalare a celor două tensiuni
(um= uref.). În consecință, atât timp cât um<uref. la ieșirea
comparatorului sunt formate pulsuri pozitive, iar când um>uref. – nule.
În formatoare din aceste pulsuri sunt formate semnale de comandă
pentru ventilele VS1VS6. Pentru excluderea curenților de circulație
comutarea în on a ventilului următor are loc numai după blocarea (off)
a ventilului precedent.
umA umB umC uref.
ucA
t
ucB
t
ucC
t
Fig. 5.34. Formarea semnalelor de comandă PWM
în puntea trifazată
168
5.4. Invertoare de rezonanță

Invertoarele de rezonanță sunt convertoare d.c.-a.c.
(invertoare autonome) în care procesele electromagnetice în sarcină
sunt determinate de caracterul oscilant RLC al circuitului sarcinii.
Procesele oscilatorii în circuit evoluează cu o frecvență multiplă sau
aproape egală cu frecvența de comutare a ventilelor comandate
(semicomandate), iar curentul și tensiunea sarcinii au formă aproape
sinusoidală.
Invertoarele de rezonanță (IR) sunt destinate conversiei energiei
de c.c. în curent alternativ cu frecvență avansată: pornind de la valori
de (5001000) Hz până la (510) kHz și mai mare. Una dintre
aplicațiile principale ale acestor convertoare este electroterma (topirea
prin inducție a metalului, încălzirea prin inducție și călirea pieselor).
De regulă, IR sunt realizate în variantă monofazată,
preponderent cu circuitul în punte. Sunt posibile trei variante de
montaj al circuitului LC cu sarcina:
• conexiunea serie a sarcinii cu circuitul LC serie;
• conexiunea derivație a sarcinii cu circuitul LC – în paralel cu L
sau în paralel cu C;
• conexiunea derivație a sarcinii cu circuitul LC – în paralel cu o parte a C.
Aceste trei tipuri de conexiuni ale sarcinii determină trei tipuri
de invertoare de rezonanță:
• serie;
• paralel;
• paralel-serie.
De asemenea, se deosebesc invertoare de rezonanță cu intrare
închisă, în care inductanța suplimentară a circuitului rezonant se află
în circuitul de c.c. (la intrare) și cu intrare deschisă, în care această
inductanță se află în circuitul de c.a. (în circuitul de ieșire).
IR în conformitate cu principiul schimbului de energie cu o
sursă de alimentare se clasifică asrfel:
• IR cu transfer direct de energie de la sursă la sarcină sau invertoare
disipative de rezonanță (IDR) – IR ireversibile;
• IR cu schimb de energie dublu sens, în care, împreună cu transferul
direct de energie, energia este recuperată sursei de alimentare, care este
acumulată în elementele reactive ale circuitului (IRR – invertoare
recuperative de rezonanță) – IR reversibile.
169
INVERTOARE AUTONOME
5.4.1. IR cu intrare închisă

Circuitul invertorului paralel cu rezonanță este similar cu
circuitul IAC paralel din fig. 5.1 și diferă numai în parametrii
inductanței reactorului în circuitul de c.c. Circuitele acestor IR, de
asemenea, pot fi: în punte, semipunte, cu priză mediană, asimetrice,
cu un singur ventil. În funcție de realizarea circuitului de c.a.:
paralel, serie, serie-paralel și paralel-serie.
Uzuale sunt conexiunile serie și serie-paralel ale condensatorului în
IR. Modul rezonant de funcționare a invertorului asigură condiții benefice
pentru comutarea ventilelor cu un curent sinusoidal cu viteze mici de
creștere și anulare a curentului, precum și un timp de recuperare crescut.
IR paralele sunt realizate conform schemei în care inductanța
și condensatorul sunt dimensionate astfel, încât la amorsarea unei
perechi de tiristoare pe diagonală procesul de reîncărcare a
condensatorului să fie oscilant și să finiseze pe parcursul unei
alternanțe. Ca urmare, curentul invertorului iout are forma alternativă
constituită din alternanțe sinusoidale, iar curentul de intrare id este
intermitent. Dacă pauzele dintre momentul anulării curentului
printr-o pereche de tiristoare și momentul în care sunt amorsate
tiristoarele din perechea următoare sunt mici sau nule, tensiunea pe
sarcină este aproape de forma sinusoidală.
Inductanța Ld și capacitatea C din circuitul de ieșire a
invertorului formează un circuit oscilant LC ale cărui elemente sunt
separate printr-un set de ventile. Parametrii circuitului oscilant și
frecvența pulsurilor de comandă ale ventilelor punții sunt
dimensionate astfel, încât curentul din reactorul de intrare să fie
intermitent. Acest fapt asigură o blocare
id t1 t naturală a tiristoarelor când curentul prin
3 t ele scade la zero. Într-adevăr, atunci când
tt00 t1 t2t2 în momentul t0 tiristoarle VS1 și VS2 sunt
u
C amorsate, condensatorul tinde să se
t încarce prin inductanța reactorului până
la o tensiune care depășește tensiunea
Fig. 5.35. Diagrame sursei de alimentare (vezi fig. 5.35) [12].
temporale în IR paralel
170
În momentul t1, când alternanța oscilatorie a curentului

reactorului (de intrare) id scade la zero, pe tiristoarele VS1 și VS2 se va
aplica o tensiune inversă egală cu diferența dintre tensiunea pe
condensator minus tensiunea sursei de alimentare uC-Ud. Până la
momentul t2, condensatorul este descărcat doar de curentul sarcinii. În
momentul t2 tiristoarele VS3 și VS4 din a doua diagonală a punții sunt
amorsate. Dacă la acest moment condensatorul nu a avut suficient timp
să se descarce la nivelul tensiunii sursei de alimentare Ud, atunci
tiristoarele VS1 și VS2 vor rămâne sub tensiune inversă până când în
momentul t3 tensiunea pe condensator uC își schimbă polaritatea.
Un avantaj evident al modului rezonant de funcționare a
invertorului constă în faptul că curenții tiristoarelor în momentele de
comutare (on↔off) sunt nule și, prin urmare, sunt reduse semnificativ
pierderile de comutație în ventile. Ca urmare, IR paralel poate funcționa
la frecvențe mai mari ale tensiunii de ieșire decât IAC paralel, în care
curenții tiristoarelor în momentele de comutare își schimbă valoarea brusc
(regim de șoc). Natura intermitentă a curentului în circuitul de c.c. al
invertorului asigură, de asemenea, posibilitatea unei viteze înalte de
reglare a amplitudinii tensiunii de ieșire atât prin modificarea valorii
tensiunii sursei de alimentare, cât și prin reglarea duratei pauzei.
Menționăm că cea din urmă metodă la o reglare profundă duce la
deteriorarea formei tensiunii de ieșire a invertorului.
În mod analogic, după cum are loc îmbunătățirea caracteristicilor
unui IAC prin trecerea de la circuitul paralel la unul paralel-serie, tot așa
are loc și în cazul trecerii de la IR paralel la unul paralel-serie (vezi
secțiunea 5.2.3). Schema circuitului IR paralel-serie este identică cu
schema circuitului IAC paralel-serie reprezentat în fig. 5.3 [1, 14, 16].
+ +
VS1 VS1 VS3

0 L C ZL L C ZL
Ud Ud
a VS2 VS4 b VS2

− −
Fig. 5.36. Schemele clasice ale IR serie cu intrare deschisă:
a − semipunte; b − punte.
171
INVERTOARE AUTONOME
5.4.2. IR cu intrare deschisă

În fig. 5.36 sunt reprezentate schemele circuitelor clasice ale
IR serie cu intrare deschisă. În aceste IR, spre deosebire de cazul IR
paralel, tensiunea pe condensatorul circuitului oscilant nu scade în
timpul pauzei, însă curentul sarcinii este intermitent. Toate aceste
circuite funcționează, ca și IR paralele cu intrare închisă, în modul
cu curent de intrare intermitent.
Vom analiza în detalii funcționarea IR serie cu intrare deschisă
în punte (vezi fig. 5.36.b). Circuitul este format din puntea VS1-VS4
cu condensatorul C, reactorul L și sarcina ZL în diagonală.
Curba curentului în circuitul de ieșire a invertorului iout(t) (curentul
sarcinii iL) este formată prin amorsarea consecutivă alternativă a
perechilor de tiristoare pe
uG1, T diagonalele punții invertorului
a t
UG3,4 (fig. 5.37) [14, 16]. Caracterul
uout t dependenței iout(t) este
b Ud determinat de procesul
oscilator de reîncărcare a
Ud t condensatorului C cu
iout tp frecvența de rezonanță
c t2 t3 t6 1 1 (5.5)
f0 =
t0 t1 t4 t5 t 2 ( L + LL )C
id T0/2 a circuitului oscilant serie

d format din elementele
reactive ale circuitului de
t
uC ieșire, când este conectat de
UCm
tiristoarele în conducție la
e
t sursa de alimentare Ud.
În circuitul analizat,
frecvența oscilațiilor proprii
uVS1 UCm–Ud UCm+U (de rezonanță) ale circuitului
a2 Ud f0 este corelată cu frecvența
f d2 de repetare a impulsurilor de
t amorsare a tiristoarelor
Fig. 5.37. Diagrame temporale punții invertorului (adică, cu
în IR cu intrare deschisă frecvența f de ieșire a
172
invertorului) prin relația f0>f. Astfel, procesele oscilatorii de

reîncărcare a condensatorului (cu un curent cu legea de variație în
timp apropiată de sinusoidală iL=iout) se termină înainte de amorsarea
următoarei perechi de tiristoare (fig. 5.37.a, c, d) și pe curbele de
variație în timp a curentului sarcinii iL și a sursei de alimentare id sunt
create pauze. Pauza în curent este necesară pentru blocarea perechii
precedente de tiristoare înainte de amorsarea perechii următoare. La
sfârșitul procesului de reîncărcare (de exemplu, în momentul t1 din
fig. 5.37), tensiunea pe condensator este UCm>Ud și, prin urmare, pe
tiristoarele în conducție (în acest caz, tiristoarele VS1, VS2) se aplică
o tensiune inversă de blocare (UCm-Ud)/2 (fig. 5.37.f). Durata
proceselor de reîncărcare a condensatorului, care este egală cu
semiperioada oscilațiilor proprii ale circuitului T0/2=1/(2f0),
determină durata de conducție a tiristoarelor și pulsurilor bipolare pe
curba tensiunii de ieșire a invertorului uout (fig. 5.37.b). Prezența
pauzei pe curba curentului de sarcină iL caracterizează funcționarea
IR cu modul de comutare naturală a tiristoarelor. Diferența necesară
dintre frecvențele f0 și f corespunde condiției de menținere a duratei
necesare de aplicare a tensiunii inverse pentru blocarea tiristoarelor
[16]:
1 1
tr . = −  kr .t r .r . , (5.6)
2 f 2 f0
unde: tr. este timpul acordat tiristorului pentru restabilirea
proprietăților de blocare;
kr. – factor de siguranță, kr. = 1,2 ... 1,5;
tr.r. – timpul de revenire a tiristorului.
Caracteristicile externe ale IAR
La o tensiune constantă a sursei
de alimentare Ud, tensiunea de ieșire a uL
cosL1
IR depinde doar de cosL. Scăderea
cosL provoacă o creștere a tensiunii cosL2
de ieșire a invertorului (vezi fig. 5.38) cosL3
[10, 16]. Caracterul descrescător al id
caracteristicilor reale de ieșire pentru
Fig. 5.38.Caracteristicile externe
valori fixe ale cosL este explicat de
ale IAR: cosL1<cosL2<cosL3
dependența Ud=f(Id) a sursei de
173
INVERTOARE AUTONOME
alimentare (caracteristica externă), precum și de căderile de tensiune

pe ventile și de rezistența reactorului.
O caracteristică importantă a IR (în comparație cu IAC și IAT)
este capacitatea sa de funcționare în regim de scurtcircuit al sarcinii.
Ío− Diagrama vectorială a IR în regim de scurtcircuit
este reprezentată în fig. 5.39, unde
ŮL UL=UC=IoutL=Iout(1/C). Curentul invertorului
ŮC
Iout=Uout/RL este limitat de rezistența globală
Fig.5.39. Diagrama (totală) a înfășurării L a reactorului, a
vectorială IR în conductoarelor, a căderii de tensiune pe ventile și
regim de s.-c. poate fi excesiv de mare.
Când sarcina este debranșată (regim de
mers în gol), invertorul nu poate funcționa, deoarece în acest caz
formarea curbei tensiunii (curentului) de ieșire este întreruptă. Pentru
a asigura funcționarea invertorului în cazul în care sarcina este
debranșată, uneori, la ieșire este conectată o rezistență de balast cu un
consum redus de energie.
Compensarea puterii reactive a sarcinii
În unele aplicații ale IAR, sarcina are o inductanță mare LL (de
exemplu, inductorul unei instalații electrotermice). Datorită
valorilor mici ale cosL apar dificultăți în utilizarea optimă a
tiristoarelor inverorului în curent și tensiune pentru a obține pe
sarcină tensiunea și puterea necesară. Soluția este găsită prin
conectarea unui condensator C2 în paralel sarcinii (vezi fig. 5.40) [10,
14, 16] acordat la rezonanță cu inductanța sarcinii LL.
IR paralel poate funcționa la sarcina minimă (m.g.) însă are
funcționarea dificilă pentru sarcina maximă (s.-c.). IR serie poate
funcționa la sarcina maximă, dar funcționează dificil la sarcina
+ +
U
VS VS1 VS3
2 C1 C2 L 1 C2 L
0 Ud
a U C1 b
2 Z L VS 2 VS4 Z L VS2
− −
Fig. 5.40. Schemele IR paralel-serie: a − semipunte; b − punte.
174
minimă. Prin urmare, caracteristici mai bune în limitele admisibile de

variație a sarcinii ar trebui să aibă un IR paralel-serie. În plus, la cele
relatate mai sus, un condensator conectat paralel face ca curba de
tensiune uout(t) să se apropie de unda sinusoidală.
Astfel, circuitul de ieșire al invertorului este Ůout(1) Íout
constituit din două circuite oscilante acordate la
Íout a= ÍL a
aceeași frecvență (=0). Un circuit oscilant este L
serial (L-C1), iar celălalt (LL-RL-C2) este derivație
(paralel). Pentru circuitul oscilant derivație
ÍC2 ÍL r
diagrama vectorială este reprezentată în fig. 5.41.
În circuitul oscilant serie la rezonanță Fig. 5.41
tensiunile uC=uL sunt egale, fiind în antifază. Prin urmare, tensiunea
uout(1) se aplică pe circuitul oscilant derivație și pe sarcină. În
circuitul oscilant derivație la rezonanță are loc egalitatea
componentelor reactive ale curenților IC2=ILr. Deci, curentul
invertorului va fi determinat de componenta activă a curentului de
sarcină Iout=ILacosL, iar curentul de sarcina este:
U out (1 )
IL = . (5.7)
(LL )2 + RL2
Introducerea compensării face posibilă reducerea curentului
de invertor Iout și, respectiv, curenților tiristoarelor, iar alimentarea
circuitului este realizată cu o tensiune mai mare, fapt care afectează
favorabil eficiența convertorului.
În circuitele IR analizate mai devreme (serie și paralel),
condițiile pentru blocarea tiristoarelor sunt create în pauzele de curent
(tp). Odată cu creșterea frecvenței, durata relativă a pauzelor de curent
crește, ele ocupând o parte semnificativă a perioadei pe curba
curentului. Odată cu creșterea frecvenței, puterea cedată sarcinii
scade, iar forma curbei curentului diferă semnificativ de forma
sinusoidală. Spre deosebire de IR, în IR paralel-serie, circuitul
oscilant LCC, suplimentar la posibilitatea de asigurare a valorilor
necesare ale frecvenței de rezonanță și impedanței caracteristice,
oferă un grad suplimentar de libertate pentru formarea
caracteristicilor invertorului. În același timp, rămâne generică
problema asigurării timpului oferit pentru revenirea tiristoarelor.
175
INVERTOARE AUTONOME
5.4.3. IR cu diode de curent invers

IR analizate mai sus își pierd actualitatea în crearea
convertoarelor de înaltă frecvență, deoarece este dificilă realizarea
regimului de mers în gol în circuitul sarcinii, iar funcționarea este
semnificativ dependentă de caracteristicile sarcinii. Ele sunt înlocuite
de IR pe tiristoare sau cu tranzistoare dotate cu diode de curent invers,
funcționarea cărora nu este limitată de durata timpului de revenire.
Circuitele IRR (recuperative) sunt construite, folosind elemente
suplimentare (diode, tiristoare, condensatoare, reactoare) care
formează circuite de recuperare. După cum s-a menționat mai sus,
recuperarea energiei stocate fie în condensatoare, fie în reactoare se
realizează prin două tipuri de circuite.
Primul tip de recuperare a energiei stocate în condensatoare se
realizează prin diode de curent invers (de fugă), care sunt conectate
antiparalel cu ventilele principale (tiristoarele) invertorului și intră
în acțiune la anularea curentului prin ventilele directe, când toată
energia este înmagazinată în condensatoare.
Cel de-al doilea tip de recuperare a energiei înmagazinate în
reactoare este realizat prin diodele de izolare, care se implică în
funcționare la valoarea diferită de zero a curentului invertorului, când
energia este înmagazinată în inductanțe, iar curentul ventilelor directe
este comutat spre circuitul diodelor de izolare, în timpul conducției al
căror curentul circulă în sens invers prin sursa de alimentare până la
recuperarea completă a energiei stocate în reactoare.
Al treilea tip de recuperare este asociat cu limitarea nivelului
de tensiune pe sarcină, care se realizează prin diode de curent invers,
ce formează circuitele de recuperare a energiei stocate în elementele
reactive ale circuitului de sarcină și conduc atunci când nivelul
tensiunii pe sarcină depășește valoarea tensiunii sursei de alimentare
sau o parte a acesteia.
Pentru a îmbunătăți caracteristicile invertorului, în banda
frecvențelor avansate (de la (2-3)_kHz la (5-10)_kHz), circuitul de
bază al invertorului este completat cu diode fugă. În figura 5.42 sunt
reprezentate schemele IR serie cu tiristoare ca ventile principale și cu
diode de curent invers în semipunte (fig. 5.42.a,b) și în punte (fig.
176
5.42.c). Reactorul L este introdus la valoare mică a inductanței

sarcinii LL (când condensatorul C2 poate lipsi) sau la o valoare mare
a LL, când este folosit condensatorul de compensare C2.
Circuitele reprezentate în fig.5.42 [14, 16] funcționează în mod
similar. Vom analiza funcționarea invertoarelor de rezonanță cu diode
de curent invers în exemplul circuitului în punte. Particularitatea
proceselor care au loc în circuit constă în faptul că în fiecare ciclu de
amorsare a tiristoarelor pe diagonale rezultă formarea a două alternanțe
ale curbei curentului sarcinii. Prima alternanță este determinată de
caracterul oscilatoriu al procesului de reîncărcare a condensatorului de
la sursa de alimentare prin tiristoarele amorsate, iar a doua de procesul
de reîncărcare a condensatorului prin diodele de curent invers. În
timpul formării celei de-a doua alternanțe a curentului sarcinii se
creează condiții pentru revenirea tiristoarelor din conducție: pe
tiristoare se aplică o tensiune inversă, egală cu căderea de tensiune pe
diodele de curent invers la circulația prin ele a curentului de reîncărcare
a condensatorului (curentul sarcinii).
Invertorul poate funcționa în trei moduri: regimul de curent
intermitent (RCI), regimul de curent limită (RCL) și regimul de
curent neîntrerupt (RCNÎ).
+ +
Ud VD1 Ud VD1
CF
2 VS 2 VS1
L C ZL 1 L C ZL
Ud 0
Ud
Ud VD2 Ud VD2
2 C F
a VS2 2 VS2
− − b
+
VD1 C2 VD3
VS1 VS3
+ −
Ud
(−) (+) ZL L VD2 c
C
VD4 VS4 VS2
−
Fig. 5.42. Schemele IR cu diode de curent invers:
a − semipunte cu sursa cu priză mediană;
b − semipunte cu sursa fără priză mediană; c − punte.
177
INVERTOARE AUTONOME
5.4.3.1. Regimul de curent intermitent

Regimul de curent intermitent corespunde relației frecvențelor
0>2, unde 0 este frecvența de rezonanță proprie a circuitului de
ieșire, 0= 2/T0, iar  este frecvența de ieșire = 2/T. Diagramele
temporale ce caracterizează procesele în invertor în regimul de curent
intermitent al sarcinii sunt reprezentate în fig. 5.43. Odată cu amorsarea
tiristoarelor VS1, VS2 în momentul t0 (fig. 5.43.a) [16], în circuitul
sursei de alimentare, sarcinii ZL și reactorului L este format un circuit
oscilant de reîncărcare a condensatorului C. În acest circuit, în
intervalul t0-t1 este formată alternanța pozitivă de curent iL=iout (fig.
5.43.b). În momentul t1 curentul iout și curenții tiristoarelor VS1, VS2
(fig. 5.43.d) sunt anulate.
Datorită prezenței sursei de alimentare în circuitul de
reîncărcare, tensiunea pe condensator în momentul t1 (fig.5.43.c)
T depășește valoarea tensiunii Ud
uG1,
t (polaritatea tensiunii pe
a condensator este reprezentată în
uG3,
fig. 5.42 fără paranteze). Ca
iout T0 t urmare, din momentul de timp t
1
b începe a doua alternanță
t2 t3 t8
t0 t1 t 4 t5 t6 t7 t (inversă) de reîncărcare
uC oscilatorie a condensatorului
prin diodele VD1, VD2. Procesul
c Ud continuă în intervalul de timp t1
Ud t - t2 (fig. 5.43.b) în care energia
stocată în condensator este
iVS1, transmisă sursei de alimentare și
d2 t sarcinii. Pe tiristoarele VS1, VS2
t este aplicată o tensiune inversă
iVD1,
e2
Ud–UC (fig. 5.43.f), egală cu căderea de
uVS1 t r. tensiune pe diodele VD1, VD2
2
Ud (0,8–1,2)_V datorită circulației
f
t prin ele a curentului sarcinii
Fig. 5.43. Diagrame temporale în IR (fig. 5.43.e). În momentul t2,
cu diode de curent invers în RCI curentul iout scade la zero și
178
diodele VD1, VD2 sunt blocate. Tensiunea pe condensator scade

până la nivelul uC<Ud (fig. 5.43.c) și rămâne invariabilă până la
amorsarea următoarei perechi de tiristoare. În intervalul t2 - t3,
curentul iout=0 (fig. 5.43.b) și pe tiristoarele VS1, VS2 este aplicată
U − UC
o tensiune de polarizare directă egală cu (fig. 5.43.f) d .
2
În momentul t3 sunt amorsate tiristoarele VS3, VS4 și au loc
procese similare de reîncărcare a condensatorului: în intervalul t3 -
t4 prin tiristoarele VS3, VS4 în conducție, în intervalul t4 - t5, prin
diodele VD3, VD4 în conducție. În același timp, tensiunea Ud este
aplicată în sens de polarizare directă pe tiristoarele VS1, VS2.
Ulterior, procesele din circuit sunt repetate.
5.4.3.2. Regimul de curent limită
Regimul de curent limită (RCL) corespunde relației
frecvențelor 0=2. Acest regim se caracterizează prin faptul că
modificarea (comutarea) traseului de circulație a curentului sarcinii
între diode și tiristoare are loc când curentul scade la zero, dar acest
interval de timp de curent nul este infinit de mic.
În teorie, regimul de curent limită se realizează prin ajustarea
fină a circuitului oscilant al sarcinii, care nu poate fi implementat în
practică din două motive. În primul rând: pentru parametrii dați ai
reactorului L, este practic imposibil de ales capacitatea bateriei de
condensatoare C, deoarece condensatoarele disponibile comercial au
o serie standard de valori ale capacității. Este posibilă corecția
frecvenței de comandă a tiristoarelor, însă în acest caz frecvența de
ieșire a invertorului va fi modificată. Al doilea motiv: chiar dacă se
reușește setarea regimului aproape de RCL, în timpul funcționării
unui reactor real, parametrii săi nu vor rămâne constanți, iar regimul
ajustat la RCL se va deplasa ușor spre RCI sau RCNÎ.
Astfel, în practică, circuitul IR în RCL poate funcționa doar
pentru o perioadă scurtă de timp, iar stabilizarea RCL prin ajustarea
frecvenței de comandă nu este relevantă datorită performanței
scăzute de energie a acestui mod.
179
INVERTOARE AUTONOME
5.4.3.3. Regimul de curent neîntrerupt

Diagramele temporale ce caracterizează procesele în circuitul
invertorului în regim de curent neîntrerupt al sarcinii sunt
reprezentate în fig. 5.44 [14, 16]. Regimul de curent neîntrerupt
corespunde relației frecvențelor 0<2. În acest caz, următoarea
amorsare a tiristoarelor se face înainte de a fi reîncărcat
condensatorul C prin diodele de curent invers și, prin urmare,
curbele curentului sarcinii și ale tensiunii pe condensator se apropie
de forma sinusoidală (fig. 5.44.a-c). Condițiile necesare pentru
blocarea tiristoarelor la sfârșitul intervalului de conducție sunt
T create în procesul de
uG1, formare a curbei
t
a curentului sarcinii, când
uG3,
t curentul iout circulă prin
T0
diodele de curent invers
iout (fig.5.44.b, e, f).
b
t2 t4 t6 t Regimul de curent
t 0 t1 t3 t 5 neîntrerupt și-a găsit
uC aplicare largă datorită
formei apropiate de
c Ud sinusoidă a curbei
t curentului, precum și a
Ud
utilizării mai bune a
iVS1, tiristoarelor în curent.
În figura 5.45 [16]
d2 t este prezentată diagrama
iVD1, temporală a curentului în
e 2 circuitul sarcinii unui IR
t serie ajustat în regimul de
tr. funcționare optim pe
uVS1 criteriul de minimizare a
f Ud t conținutului de armonici
superioare. Ajustarea
Fig. 5.44. Diagrame temporale în IR optimă corespunde unei
cu diode de curent invers în RCNÎ creșteri a perioadei
180
iout
tr.r.
t
0 Tout
2
T0
Fig. 5.45. Diagrama curentului sarcinii IR ajustat
oscilațiilor de rezonanță, în timp ce intervalul de timp de conducție
a diodelor de curent invers scade. Limita reducerii intervalului de
conductivitate a diodelor corespunde timpului de revenire a
tiristoarelor.
Evoluția în timp a curentului pe parcursul unei perioade a
oscilațiilor rezonante este descrisă de expresia:
i=I0e-tsin(0t+0), (5.8)
unde I0 este valoarea de amplitudine inițială a curentului.
Comutarea dintre perechile tiristor-diodă ale diferitelor brațe
ale punți în RCNÎ se realizează la o valoare a curentului diferită de
zero, adică la limitele în timp ale alternanțelor curentului de ieșire
valorile curentului sunt egale și au sens opus - semne diferite,
i s t = 0 = − i Tout , (5.9)
s t=
2
sau luând în considerare expresiile (5.1) și (5.2):

 
Tout
− T
sin  0 = − e 2
sin  0 out +  0  . (5.10)
 2 
Cu toate acestea, durata unei alternanțe a curentului de ieșire,
ținând cont de intervalele sale componente, poate fi descris prin
expresia:
T0  0Tout T
− + t r .r . = out , (5.11)
2 360 2
al doilea termen din partea stângă ia în considerare conversia din
grade în secunde (ținând cont de valoarea perioadei curentului de
ieșire) a unghiului inițial scăzut 0, care nu este inclus în
semiperioada analizată a curentului de ieșire.
181
INVERTOARE AUTONOME
Astfel, intervalul indicat al semiperioadei curentului de ieșire

este descris de sistemul de ecuații:
 
Tout
− T
sin  0 = − e sin  0 out +  0  ,
2
 2 
T0  0Tout Tout
− + t r .r . = , (5.12)
2 360 2
2
0 = .
T0
Pentru acordarea circuitului IR la regimul de curent
neîntrerupt este necesară rezolvarea sistemului de ecuații (5.3)
pentru a găsi (determina) perioada oscilațiilor de rezonanță T0.
Soluția sistemului de ecuații poate fi găsită prin metoda grafică
sau iterativă, ținând în același timp cont că valoarea perioadei
oscilațiilor de rezonanță în RCNÎ va satisface condiția:
Tout T0
  Tout . (5.13)
2 2
În circuitele uzuale ale acestor invertoare, sarcina (poate fi un
redresor pentru a obține o tensiune de c.c. cu o valoare diferită de Ud)
este conectată printr-un transformator de ieșire T după cum este
reprezentat în fig. 5.46 [14, 16]. În primul caz (fig. 5.46.a), rolul
inductanței circuitului oscilant va fi practic realizat de inductanța
globală de dispersie a înfășurărilor transformatorului T, dacă
neglijăm influența inductanței de magnetizare a transformatorului în
comparație cu sarcina. În cel de-al doilea caz (fig. 5.46.b), sarcina este
conectată în paralel cu condensatorul C din circuitul oscilant.
+ +
VD1 VD1
Ud VS1 Ud VS1
2 C 2 C
0 L
T
0
VD2 T VD2
Ud Ud
2 VS 2 2 VS 2
Z Z
− L
− L
a b
Fig. 5.46. Schemele IR semipunte cu diode de curent invers
cu transformator de ieșire
182
5.4.4. IR cu diode de curent invers cu dublarea frecvenței

Aplicarea invertoarelor de rezonanță este limitată în frecvență,
deoarece creșterea frecvenței c.a. de ieșire a invertoarelor este însoțită
de creșterea pierderilor de comutare a tiristoarelor și, ca urmare, se
impune o scădere a solicitării tiristorului în curent. În aplicații acest
fapt provoacă o scădere a puterii de ieșire a invertorului aproape
invers proporțională pătratului frecvenței.
Prin urmare, pentru obținerea unor frecvențe înalte a c.a. de ieșire a
IR trebuie evitată limita în frecvență a tiristoarelor, folosind în circuitele IR
soluții schemotehnice speciale. În astfel de circuite frecvența de comutare a
tiristoarelor este de un număr întreg de ori mai mică decât frecvența c.a.
obținut la ieșirea invertorului, adică multiplicarea frecvenței.
Una dintre modalitățile eficiente de creștere a frecvenței de
ieșire este funcționarea invertorului într-un regim în care frecvenței
de comutare a tiristoarelor f1 îi corespunde frecvența curentului
sarcinii f=2f1. Acest mod de funcționare este tipic pentru IR cu
dublarea frecvenței (vezi figura 5.47) [16].
Acest circuit include o punte inversoare formată de tiristoarele
VS1–VS4 și diodele VD1–VD4 cu condensatorul C și reactorul L
conectate într-o diagonală a punții. Sarcina rezistiv-inductivă ZL este
conectată în paralel în altă diagonală a punții invertorului printr-un
condensator de cuplaj (separare) Cc. Capacitățile condensatoarelor C
și Cc sunt egale (deși uneori se aleg C>Cc). În circuitul de c.c. al
invertorului este montat un reactor de netezire Ld a cărui inductanță
id=Id iL=iout
+
Ld VD3
VD1 VS1 VS3 +
Cc
ic C L −
+ −
Ud (−) (+)
VD2 ZL
VD4 ic
VS4 VS2
−
Fig. 5.47. Schema IR cu dublarea frecvenței
183
INVERTOARE AUTONOME
depășește inductanțele L și LL. Procesele din circuit sunt explicate

prin diagramele de timp reprezentate în fig. 5.48.a-d.
Funcționarea circuitului este realizată prin amorsarea
alternativă a tiristoarelor pe diagonale VS1, VS2 și VS3, VS4 (fig.
5.48.a) și conectarea prin ele a condensatorului C și reactorului L în
paralel cu circuitul de ieșire al invertorului. Curentul sarcinii iL=iout
(fig. 5.48.d) este format ca diferența dintre curentul sursei de
alimentare (id=Id) și curentul ic de reîncărcare a condensatoarelor C
și Cc din circuit cu tiristoarele invertorului în conducție. Deci, din
momentul de timp t0 formarea unei alternanțe a curentului iout are
loc în cadrul procesului oscilant de reîncărcare a condensatoarelor
Cc și C în circuitul cu reactorul L, sarcina ZL prin tiristoarele în
conducție VS1, VS2 (circuitul de reîncărcare este reprezentat în fig.
5.47 prin linie punctată). Polaritatea tensiunii pe condensatorul C
înainte de reîncărcare este
uG1, 2T indicată în schemă fără
t paranteze. Procesul de
a
uG3, reîncărcare are loc în două
iVS1, T0 t etape. În prima etapă
(intervalul t0–t1), acesta
E
este însoțit de circulația
b t0 t1 t6 t7 t curentului ic a circuitului
iVD1, a
t oscilant prin tiristoarele
2
iVS3, t 1 t 2 t 7 t 8 VS1, VS2 (fig. 5.48.b), în a
tr.
4 b doua etapă, după
c iVD3, t t 4 t schimbarea sensului
tp 3
4
t4 t5 curentului i c , prin diodele
iout t de fugă VD1, VD2. Datorită
d Id transferului de energie de la
t condensatoare în circuitul
iout sarcini, procesul de
e reîncărcare are caracter
tp=0 Id amortizat. Aceasta explică
t scăderea amplitudinii
Fig. 5.48. Diagrame temporale în IR curentului ic în etapa
cu dublarea frecvenței circulației lui prin diodele
184
de curent invers. În intervalul de timp t1–t2, sunt create condițiile

necesare pentru blocarea tiristoarelor care au fost până acum în
conducție VS1, VS2. Pe ele se aplică o tensiune inversă, egală cu
căderea de tensiune pe diodele VD1, VD2. În intervalul de timp t2–t3
(fig. 5.48.b), tiristoarele invertorului sunt blocate. Curentul sarcinii în
acest interval este determinat de curentul id=Id care încarcă condensatorul
Cc (fig. 5.48.d).
Din momentul de timp t3 formarea următoarei alternanțe a
curentului iout se datorează amorsării tiristoarelor VS3, VS4 și este asociată
cu un proces similar de reîncărcare a condensatoarelor C și Cc. Polaritatea
tensiunii pe condensatorul C înainte de reîncărcare este reprezentată în fig.
5.48 în paranteze. Ulterior, procesele din circuit sunt repetate. Regimul
analizat de funcționare a invertorului este caracterizat prin prezența unor
intervale de pauză tp în curentul ic al circuitului L–С.
Pentru a apropia forma curbei curentului iout de sinusoidă,
elementele circuitului sunt alese astfel, încât tp=0 (fig. 5.48.e) [16].
Acestei condiții îi corespunde relația frecvențelor f=2f0,
2
unde: f0 = . (5.14)
( LL + L) CC c
C + Cc
Un avantaj important al circuitului analizat constă în posibilitatea
funcționării în regimul de scurtcircuit în circuitul de ieșire și în prezența
unui rezistor suplimentar de balast – în regim de mers în gol.
+ uB1
Ud VS1 VD1 t
uB2
2 C t
L uout
0
Ud t
2 ZL iC
VS2 VD2
− t2 t3
a t1 t4 t
Fig. 5.49. IR cu tranzistoare
uC
t
b
185
INVERTOARE AUTONOME
5.4.5. IR cu tranzistoare
Din analiza funcționării invertoarelor de rezonanță (formele
de undă ale tensiunilor și curenților în IR) expusă mai sus este clar
că funcționarea IR cu frecvența de ieșire (de comandă) mai mare
decât frecvența de rezonanță a circuitului oscilant LC (f0) este
posibilă numai dacă ventilele principale în circuitul de forță sunt
complet comandate și nu vom avea probleme cu blocarea ventilelor
semicomandate.
În figura 5.49.a este reprezentată schema, iar în figura 5.49.b
– diagramele temporare ale unui IR paralel-serie cu tranzistoare
bipolare de putere (BPT) [16].
Funcționarea: tranzistoarele VS1 și VS2 sunt comandate în
contra-timp. În momentul de timp t1 VS1 este blocat și curentul este
comutat la dioda de curent invers VD2, care va conduce până la
momentul de timp t2. Condensatorul C, care se încărcă în mod
oscilant, din acest moment de timp (t2) începe să se descarce și
curentul va circula prin VS2 până la momentul de timp t3. În
intervalul de timp t2–t3 condensatorul se reîncarcă cu polaritate
inversă. În momentul de timp t3 VS2 este blocat și curentul își
continuă circulația prin dioda de curent invers VD1, care conduce
curentul scădent spre zero până la momentul de timp t4. În
continuare toate procesele din circuit se repetă periodic.
Caracteristicile invertorului de rezonanță pot fi îmbunătățite
dacă se va trece la IR paralel-serie (vezi figura 5.40.a), dacă
tiristoarele vor fi înlocuite cu perechi antiparalel tranzistor-diodă de
curent invers.
L1 C2 L2 uB
+ t0 t1 t2 t
id + id
iout uout
VS t
iout
Ud C1 ZL
VD t
A iVS
− −
Fig. 5.50. IR clasa E: uVS b t
t
a – schema; b – diagrame temporale.
186
5.4.6. IR clasa E
Deoarece la fiecare comutare a dispozitivelor
semiconductoare de putere au loc pierderi, pierderile de comutare
sunt direct dependente de frecvența de comutare. IR clasa E este un
invertor al cărui principiu de funcționare satisface condiția de
comutare la tensiune nulă și comutarea la derivata tensiunii nulă.
Prin urmare, deoarece în IR clasa E pierderile de comutare sunt
neglijabile, convertorul de clasă E poate funcționa la frecvențe
avansate de comutare (zeci de MHz). Există un domeniu vast de
aplicații a convertoarelor statice de putere cum ar fi convertoarele
industriale (încălzire cu inducție, sisteme de transfer de energie
wireless, sisteme de iluminat cu lămpi fluorescente, aparate de
sudat), tehnica medicală etc., care necesită surse de alimentare de
c.a. de înaltă frecvență, cu funcționare stabilă, robuste și cost redus.
Datorită posibilităților performante menționate, IR clasa E satisfac
aceste cerințe și sunt pe larg aplicate în domeniile menționate.
Cel mai simplu tip de invertor de rezonanță este IR clasa E (cu
un singur tranzistor) a cărui schemă este reprezentată în figura
5.50.a, iar în fig. 5.50.b sunt reprezentate diagramele temporale,
care ilustrează funcționarea circuitului.
Funcționarea. Perioada tensiunii de ieșire sinusoidală creată de
circulația curentului circuitului oscilant serie L2-С2 prin sarcina ZL
este formată din două constante (intervale de timp) ale structurii
circuitului de forță al IR clasa E. În primul interval de timp t0-t1
tranzistorul VS este în conducție și energia de la sursa de intrare Ud
este preluată și cu curentul de intrare id este stocată în inductanța
reactorului de intrare L1. În acest timp, are loc reîncărcarea în regim
oscilant a condensatorului C2 din circuitul oscilant serie L2-С2 și în
circuitul de ieșire circulă un curent sinusoidal (vezi fig. 5.50.b).
În al doilea interval de timp t1-t2 tranzistorul VS este blocat, iar
curentul id al reactorului de intrare circulă printr-un circuit format prin
conexiunea în paralel a condensatorului C1 cu circuitul format din
circuitul oscilant serie L2-С2 și sarcina ZL. Acest fapt asigură
compensarea consumului de energie care are loc în circuitul oscilant
serie L2-С2 în primul interval de timp. Pentru a preveni o schimbare
187
INVERTOARE AUTONOME
a tensiunii pe tranzistorul VS, aceasta este șuntat de dioda VD

reprezentată pe schemă printr-o linie punctată în figură 5.50.b.
De regulă, acest circuit este folosit la puteri mici (mai mici de
100_W) în cazul unei tensiuni de ieșire fixe. În caz de necesitate,
tensiunea de ieșire poate fi comandată prin schimbarea frecvenței
pulsurilor de comandă ale tranzistorului VS. Deoarece comutarea
tranzistorului are loc la tensiune nulă, pierderile de comutare sunt
mici, fapt care permite creșterea frecvenței de comutare și, astfel,
poate fi redusă masa și gabaritele invertorului.
5.4.7. Note finale
În ultimii ani, invertoarele de rezonanță sunt aplicate pe larg
datorită unor avantaje cum ar fi: pierderi reduse prin tehnici de
comutare soft și, prin urmare, funcționare la înaltă frecvență,
eficiență ridicată, masă și gabarite mici.
Clasa invertoarelor de rezonanță se caracterizează printr-o
mare varietate de soluții schemotehnice (structură de circuit).
Aceasta se explică prin faptul că, deși circuitele de bază de
conexiune a ventilelor rămân aceleași (priză mediană, semipunte și
punte), sunt cunoscute și aplicate încă multe alte variante ale
circuitelor oscilante de ordinul doi, trei, patru și multe opțiuni pentru
conectarea lor la grupul de ventile.
Cel mai simplu tip de invertor de rezonanță este un invertor de
clasa E, care conține un singur ventil comandat (tranzistor). Aceste
IR (clasa E) produc o formă de undă aproximativ sinusoidală la
frecvențe înalte (cuprinse între 20 kHz și 100 MHz) și sunt aplicate,
de regulă, pentru sarcini relativ fixe, de exemplu, încălzire prin
inducție, emițătoare sonare, iluminare fluorescentă sau generatoare
de ultrasunet. Dar eficiența scăzută a conversiei energiei limitează
domeniul de aplicare la o putere de până la 100 de Wați (surse de
alimentare).
Invertoarele de rezonanță cu tiristoare fără diode de curent
invers prestează o conversie eficientă DC-AC și pot fi aplicate
pentru alimentarea unor sarcini constante sau puțin variabile cu
puteri de unități sau zeci de kilowati. IR cu tiristoare cu diode de
curent invers sunt mai complicate decât circuitele fără diode de
188
fugă, dar pot alimenta sarcini care variază într-un domeniu vast
pornind m.g. Frecvența limită a tensiunii de ieșire în astfel de
invertoare nu depășește, de regulă, ordinul de zeci de kilohertz, fiind
dotate cu tiristoare moderne de înaltă frecvență.
Pentru obținerea unor frecvențe mai înalte și puteri de zeci și
sute de kiloWati sunt folosite IR cu dublarea (multiplicarea)
frecvenței.
Posibilități și mai largi oferă aplicarea IR cu ventile complet
comandate de putere (tranzistoare) și diode de curent invers.
Aplicarea în astfel de convertoare a metodelor de comandă în
frecvență și PWM permite formarea caracteristicilor externe
necesare și asigurarea protecției electronice, însă costul acestor
invertoare este cel mai ridicat dintre toate tipurile de IR.
189
COMPENSAREA PUTERII REACTIVE
6. COMPENSAREA PUTERII REACTIVE

Puterea (energia) reactivă reprezintă partea de energie care
oscilează între sarcină și sursă (generator), care nu reprezintă un lucru
util, dar este consumată pentru crearea câmpurilor electromagnetice
și creează o sarcină suplimentară pe liniile de alimentare. Puterea
reactivă se caracterizează printr-un defazaj () între tensiune și
curent. Caracteristica uzuală, care reprezintă ponderea de consum de
putere reactivă, este factorul de putere numeric egal cu cos, adică
este definit ca raportul dintre puterea activă consumată și puterea
aparentă cos=P/S. Cu cât valoarea cos este mai aproape de unitate,
cu atât este mai mică ponderea puterii reactive.
Exemplul 1: când cos=1, pentru a transmite o putere activă de 500_kW într-
o rețea de c.a. de 400_V, este necesar un curent de 722_A, iar când cos=0.6, pentru
a transmite aceeași putere activă, valoarea intensității curentului crește la 1203_A.
Exemplul 2: dacă cos al motoarelor de c.a. la sarcină nominală este de
0,75-0,80, atunci la sarcină redusă acesta scade până la circa 0,20-0,40.
Puterea reactivă reduce performanțele sistemului electric, adică
[1, 18]:
❖ încarcă generatoarele cu curenți reactivi;
❖ ca urmare, crește consumul de combustibil;
❖ pierderile în rețelele de alimentare și receptoare cresc;
❖ scade tensiunea în rețele.
Curentul reactiv încarcă suplimentar liniile electrice, ceea ce
duce la o creștere a secțiunii transversale a conductoarelor și
cablurilor și, în consecință, la o creștere a costurilor capitale ale
rețelelor. Toate echipamentele de alimentare, transmisie și
distribuție a energiei electrice trebuie să fie proiectate pentru sarcini
mari. În plus, ca urmare a sarcinilor mari, durata de exploatare a
acestui echipament se va reduce corespunzător.
Un alt factor în creșterea costurilor este disiparea căldurii care
rezultă din curentul mare prin cabluri și alte echipamente de
distribuție, în transformatoare și generatoare.
În exemplul 1: pentru cos=1, puterea de pierderi este egală cu 10_kW, iar
pentru cos=0.6, crește cu 180% și este deja de 28_kW.
190
Consumatorii principali și consumul lor de energie reactivă sunt:

 motoarele electrice asincrone – 40_%;
 transformatoarele – 35_%;
 convertoarele statice – 10_%;
 cuptoarele electrice – 8_%;
 liniile electrice – 7_%.
Astfel, prezența puterii reactive este un factor parazitar
nefavorabil pentru rețea în ansamblu. Ca urmare [1, 18]:
• apar pierderi suplimentare în conductoare din cauza creșterii
curentului;
• capacitatea de transport a rețelei de distribuție scade;
• tensiunea de rețea deviază de la valoarea nominală (cădere de tensiune
din cauza creșterii componentei reactive a curentului de rețea).
Cele menționate mai sus reprezintă principalul motiv pentru care
furnizorii de energie electrică solicită consumatorilor să reducă ponderea
energiei reactive în rețea. Soluția acestei probleme constă în
compensarea puterii reactive – o condiție importantă și necesară pentru
funcționarea eficientă și fiabilă a sistemului de alimentare cu energie
electrică. Această funcție este realizată de echipamentele de
compensare a puterii reactive.
Compensarea corectă a puterii reactive permite:
 reducerea costurilor totale a energiei;
 reducerea sarcinii pe elementele rețelei de distribuție, prelungind
astfel termenul lor de exploatare;
 reducerea pierderilor termice și a costurilor de energie electrică;
 reducerea efectului armonicilor superioare;
 suprimarea zgomotul din rețea, reducerea asimetriei;
 creșterea fiabilității și eficienței rețelelor de distribuție;
și suplimentar:
 exclude generarea de energie reactivă în rețea în orele de
sarcină minimă;
 reducerea costurilor de reparație și reînnoire a echipamentelor
electrice;
 creșterea capacității de transport a rețelei de alimentare cu
energie electrică a consumatorului fără creșterea costului;
191
 permite obținerea informației despre parametrii și starea rețelei;

 la proiectarea rețelelor noi permite reducerea puterii instalate a
stațiilor și secțiunii transversale a conductoarelor – fapt, care
reduce costurile;
 în prezent, compensarea puterii reactive este un factor
important, care contribuie la soluționarea problemei
conservării energiei.
În rețelele de distribuție a energiei electrice, pentru a reduce
fluctuațiile de putere reactivă solicitată sau cedată, precum și
generarea de armonici superioare, sunt posibile următoarele soluții:
• alegerea unui sistem de alimentare care prin configurația sa
reduce nivelul perturbațiilor mari;
• creșterea puterilor de scurtcircuit în punctele de racordare în
care se manifestă astfel de perturbații;
• compensarea statică a fluctuațiilor de putere reactivă și
prevederea unor instalații de filtrare pentru armonici.
Distribuitorii de energie electrică trebuie să se preocupe de
menținerea flickerului (pâlpâirea) sau licărirea iluminatului în
limitele admisibile. Flickerul reprezintă fluctuații rapide ale
tensiunii efective în banda de frecvențe (0,5÷25)_Hz și care
provoacă pâlpâirea jenantă a lămpilor electrice și deranjament în
funcționarea unor aparate electronice.
O importanță deosebită are defazajul existent la bornele
generatorului de alimentare. Uneori este necesară conectarea unei
sarcini inductive suplimentare care ajută la creșterea stabilității.
În cazul unor schimbări rapide de sarcină, tensiunea poate
căpăta valori nepermis de mari, dacă sistemul de reglare a tensiunii
generatorului nu este capabil să urmărească variațiile de sarcină
extrem de rapide. În această situație, poate fi util un compensator
static de putere reactivă, care, datorită capacității sale de reglare
rapidă, poate menține tensiunea în limitele admisibile.
Sarcinile simetrice din care mai numeroase sunt cele monofazice pot fi:
• cuptoarele electrice;
• liniile monofazate pentru tracțiune;
• consumatorii casnici.
192
De asemenea, trebuie asigurată o asimetrie cât mai redusă a

sistemului trifazat de tensiuni. O posibilitate de a distribui și a
compensa dezechilibrul sarcinilor asimetrice constă în conectarea
corespunzătoare a consumatorilor pe faze diferite. Desigur, la
sarcini individuale mari această echilibrare nu este posibilă.
Saricinile trifazate asimetrice produc un sistem de tensiuni inverse
în rețea și în acest mod apar pierderi suplimentare în rețea și în
mașinile electric reacordate cu această rețea.
Echipamentele electrice industriale cer o atenție deosebită atât
datorită perturbațiilor generate de concentrarea mare de astfel de
echipamente, cât și diversității tipurilor de echipamente utilizate cu
efecte diferite asupra sistemului de alimentare.
Pentru reducerea perturbațiilor pot fi adoptate următoarele măsuri:
❖ modificarea configurației circuitelor electrice de putere ale
consumatorilor;
❖ compensarea reacțiilor nedorite introduse de consumatori
prin prevederea unor compensatoare.
Schimbarea configurației circuitelor nu este întotdeauna
realizabilă și necesită, în general, costuri mari de investiție. În
majoritatea cazurilor, soluția optimă (mai ieftină) este utilizarea
echipamentelor de compensare (condensatoare pentru creșterea
factorului de putere, circuite de filtrare, compensatoare statice de
putere reactivă, mașini rotative sincrone etc.).
Deci, principalele efecte negative ale consumatorilor asupra
sistemului de alimentare sunt:
• modificarea tensiunii în regim staționar de către consumatorii cu
consum practic constant și preponderent de putere reactivă;
• apariția fluctuaților de tensiune în regim dinamic cauzate de
consumatorii cu sarcină variabilă în timp;
• desimetrizarea sarcinii în sisteme cu mai multe faze datorită unor
consumuri diferite pe fază;
• distorsionarea formei sinusoidale de undă ale tensiunii de către
convertoarele statice de putere.
Aceste efecte mai frecvent sunt combătute prin conectări în
paralel. Acest procedeu constă în funcționarea în paralel a
consumatorilor și compensatoarelor pe aceeași rețea și ca urmare
componentele în antifază se scad.
193
În funcție de diferite efecte asupra rețelei de alimentare produse

de consumatori pot fi adoptate următoarele măsuri:
• compensarea cu o putere reactivă fixă, adică aplicarea unui
condensator sau filtru cât mai aproape de consumator;
• compensarea cu o putere reactivă dinamică simetrică –
variațiile de tensiune sunt obținute prin aplicarea unui
compensator cu caracter inductiv sau capacitativ, care
îmbunătățesc factorul de putere;
• compensarea cu o putere reactivă asimetrică;
• compensarea pentru câteva armonici ale curentului
asinusoidal se realizează de obicei cu ajutorul filtrelor
multiple cu rezonanță la armonicile mai importante;
• schimbarea configurației rețelei, utilizându-se uneori și filtre
de armonici.
6.2. Compensarea necontrolată a puterii reactive
Îmbunătățirea factorului de putere se poate face pe doua cai:
 măsuri organizatorice – factorul de putere este marit fără investiții;
 producerea în rețea a puterii reactive de compensare prin
utilizarea unor surse specializate.
Uzual, măsurile organizatorice sunt numite metode naturale
de reducere a consumului de putere reactivă:
 funcţionarea transformatoarelor după un grafic de pierderi
minime;
 folosirea motoarelor sincrone în locul celor asincrone;
 înlocuirea motoarelor asincrone supradimensionate;
 montarea de comutatoare stea-triunghi;
 înlocuirea transformatoarelor slab încărcate;
 montarea limitatoarelor de m.g. la motoarele asincrone,
transformatoarele de sudură etc.
Pentru producerea puterii reactive de compensare în rețea sunt
folosite mijloace speciale (artificiale) [1, 14, 19]:
▪ echiparea motoarelor asincrone cu compensatoare de fază;
▪ montarea unor compensatoare sincrone;
▪ montarea unor baterii de condensatoare statice.
194
Mijloacele speciale sunt folosite pentru reducerea puterii

reactive care nu a putut fi compensată prin mijloace naturale. Aici
puterea reactivă solicitată de consumator este echilibrată cu cea a
compensatorului.
Compensatoarele sincrone folosite sunt motoare sincrone
sau generatoare sincrone special destinate pentru producerea puterii
reactive. În funcție de modul de funcționare (supra- sau
subexcitație) a mașinii sincrone are loc producerea sau solicitarea
puterii reactive. Aplicarea compensatoarelor sincrone este însoțită
de dezavantajele:
• este necesar timp pentru pornire;
• sunt necesare investiții și pierderile sunt mari;
• întreținerea este costisitoare;
• au posibilități reduse pentru manevrări dinamice.
Condensatoarele statice absorb din rețea o putere reactivă
capacitivă, care compensează puterea reactivă inductivă. Se utilizează când
puterea reactivă de compensat este sub 30_MVAR. Conectarea în paralel
cu sarcina a unor baterii de condensatoare permite anticiparea necesară a
curentului pe fază și, ca urmare, are loc recuperarea în rețea a puterii reactive
consumate de sarcina cu caracter inductiv.
În paralel cu receptorul inductiv este montată o baterie de
condensatoare cu capacitatea totală C. În figura 6.1 este reprezentată
schema montajului (fig.6.1.a) și diagrama fazorială (fig.6.1.b).
Curentul ĪL absorbit de receptorul inductiv (RL+LL) este întârziat de
tensiunea Ů cu unghiul . Curentul prin condensator ĪC (în avans de
fază față de tensiunea Ů cu 90⁰) va contribui la micșorarea unghiului
 până la  I. Prin urmare, factorul de putere a fost majorat cos  I,
fiind mai mare decât cos și, în concluzie, condensatorul C
permite îmbunătățirea factorului de putere.
i iL RL LL ĪC
Ů
I
iC C
 Ī
u b
a ĪL
Fig. 6.1. Compensarea puterii reactive cu condensator
195
Aplicarea bateriilor de condensatoare are următoarele avantaje:

 pierderi specifice mici şi constante;
 posibilitatea montării descentralizate;
 posibilitatea reglării în trepte a puterii prin conectarea-
deconectarea condensatoarelor;
și dezavantaje:
• reglarea puterii nu se poate face fin – doar treptat;
• reglarea puterii este un proces complicat.
Compensarea puterii reactive se poate face astfel:
 în mod individual – instalând condensatoare (baterii) lângă
fiecare receptor în parte;
 în mod pe grupe – instalând bateria de condensatoare lângă un
grup de consumatori inductivi care funcționează simultan;
 în mod centralizat – în care un anumit număr de condensatoare
sunt conectate în stația principală de distribuție.
6.3. Compensatoare statice de putere reactivă
Toate circuitele clasice de conversie a c.a., cum ar fi
redresoarele, variatoarele de c.a., convertoarele directe de frecvență
consumă un curent asinusoidal cu armonica fundamentală întârziată
în fază de tensiunea în rețea. Prin urmare, aceste convertoare statice,
consumând puterea activă necesară pentru sarcină, încarcă
(poluează) rețeaua de alimentare atât cu putere reactivă, cât și
distorsiuni neliniare (putere deformantă), care sunt parazite pentru
rețea.
Fluctuațiile puterii reactive provoacă fluctuații ale nivelului
de tensiune în rețea, iar distorsiunile curentului provoacă distorsiuni
în formă de undă a tensiunii în rețea.
Există două modalități de atenuare a efectului negativ de
feedback al convertoarelor statice în rețeaua de alimentare:
1. Adoptarea și exploatarea unor convertoare cu circuite moderne,
modernizarea convertizoarelor clasice în scopul îmbunătățirii
formei curentului consumat de convertoare din rețea.
2. Elaborarea unor convertoare speciale destinate pentru
compensarea puterii reactive și a distorsiunilor. Astfel de
convertoare sunt numite compensatoare statice (STATCOM) ale
componentelor inactive ale puterii aparente.
196
În continuare vom analiza:

 compensatoarele de putere reactivă;
 compensatoarele de distorsiuni;
 compensatoarele tuturor componentelor inactive.
6.3.1. Condensatoare comutate prin tiristoare
În cazul în care compensatorul trebuie să furnizeze în rețeaua de
alimentare doar curent reactiv capacitativ, sunt folosite grupuri de
condensatoare comutate de perechi de tiristoare conectate antiparalel,
după cum este reprezentat în figura 6.2.a [1, 14, 18, 19, 20, 21]. În regim
staționar, curentul condensatorului este în avans de fază față de
tensiune cu un sfert de perioadă. Prin urmare, dacă tiristoarele sunt
amorsate în momentele trecerii prin zero a curentului condensatorului,
adică în momentele de maximum ale alternanțelor pozitive și negative
ale tensiunii, atunci forma curentului condensatorului nu va fi
distorsionată după cum se observă în figura 6.2.b.
Pentru excluderea salturilor curentului prin condensator în primul
moment de maximum al tensiunii sunt necesare măsuri preventive. De
exemplu, este posibil ca în condensatoarele deconectate să fie menținute
la sarcina maximă până la momentele de maximum ale tensiunii
secundare a transformatorului T – fapt care este ușor realizabil cu un
redresor de mică putere (nu este prezentat pe schemă).
u1
rețea
T u2
u2
ic
C C C t
90_
b
a
Fig. 6.2. Grupe de condensatoare comutate prin tiristoare:
a − schema; b − diagramele temporale ale tensiunii şi curentului
197
Pentru astfel de compensatoare este specific avantajul:

 simplu de realizat;
și dezavantajele:
 reglarea puterii reactive cedate în rețea nu se poate face fin;
 există o întârziere a conectării următoarei capacități până la
următorul maximum al tensiunii din rețea;
 dacă vom monta în serie cu condensatoarele reactoare de
limitare a curentului de încărcare la momentul conectării
condensatorului întârzierea dinamică poate fi exclusă.
6.3.2. Reactoare comandate prin tiristoare
În cazurile în care în rețele este necesară compensarea
curenților capacitativi, sunt folosite compensatoare de putere
reactivă inductivă realizate ca reactoare comandate prin perechi de
tiristoare cuplate antiparalel [1, 14, 19, 20, 21]. Schema unui astfel
de compensator este reprezentată în figura 6.3.a, iar în fig.6.3.b –
diagrama curenților pentru două valori ale unghiului de comandă α
(1=90 0 și 2>90 0).
Împreună cu valoarea unghiului α variază monoton, dar
neliniar și valoarea armonicii fundamentale a curentului și apar
armonici superioare de ordin impar 3, 5, 7, 9, 11, 13... Pentru
suprimarea armonicilor curentului multiple cu trei în rețelele
trifazate, aceste compensatoare sunt conectate în stea fără nul. În
acest caz, forma curentului compensatorului conține câte două
rețea u1
u2
T i2(1)
u2
L
t
a 1=90 0 i2(2)
2>90 0 b
Fig. 6.3. Reactoare comandate prin tiristoare:
a − schema; b − diagramele temporale ale tensiunii şi curentului.
198
pulsuri în fiecare alternanță (vezi fig. 6.4) [14]. În același timp,

dispare posibilitatea reglării puterilor reactive separat pe fiecare
fază, adică compensatorul își pierde capacitatea de a compensa
puterea reactivă de asimetrie faze (pentru armonicile fundamentale).
u2
i2
t
Fig. 6.4. Compensator conexiune stea fără nul –

diagramele temporale ale tensiunii şi curentului
O altă modalitate de comandă a tensiunii pe reactor și, prin
urmare, a curentului prin reactor, este posibilă prin includerea
reactorului în circuitul de c.c. la ieșirea unui redresor, după cum este
reprezentat în figura 6.5 [1, 14] pentru cazul unui compensator
trifazat. Un reactor pentru circuitul de c.c. este mai ieftin decât trei
reactoare de c.a., însă în acest caz,
iarăși nu este posibilă reglarea rețea u1
puterilor reactive pe fiecare fază în T
rețelele trifazate. Curentul de intrare
al unui astfel de compensator este
analogic curentului de intrare al unui
redresor trifazat în punte cu sarcină
inductivă. Lipsa rezistenței active în
sarcina redresorului, cu excepția unei
rezistențe mici a înfășurării reactorului
și rezistenței interne a redresorului, în
cazul regimului de curent redresat
neîntrerupt necesită valori aproape de
900 ale unghiului de comandă α pentru Ld
care tensiunea redresată capătă valori
mici suficiente pentru a acoperi Fig. 6.5. Reactor în
pierderile din rezistențele indicate. În circuit de c.c.
acest caz, faza curentului de intrare al
199
redresorului, determinată de valoarea unghiului α, este, de asemenea,

practic egală cu 90⁰. Redresorul aici consumă energie reactivă,
valoarea căreia este reglată printr-o modificare mică a unghiului α
aproape de 90⁰ datorită modificării curentului redresat (fig. 6.6). Dacă
constanta de timp a circuitului reactorului este mult mai mare decât
perioada ondulațiilor tensiunii redresate, atunci curentul de intrare al
redresorului (și armonica sa fundamentală) poate fi comandată,
practic, fără distorsiuni, adică, fără o generare suplimentară de
armonici superioare cu raportul 5, 7, 9, 11 etc. față de armonicile
superioare ale curentului de intrare al unui redresor trifazat în punte.
6.3.3. Compensatoare capacitativ-inductive

u2
t
i2
t
ud
Ud
t
id
Id
t
Fig. 6.6. Reactor în circuit de c.c. –
diagramele temporale ale tensiunilor şi curenților
200
Condensatoarele comutate prin tiristoare compensează

curentul reactiv inductiv, iar reactoarele comandate prin tiristoare
– curentul reactiv capacitativ al rețelei. Pentru compensarea cu
același echipament atât a curentului reactiv inductiv, cât și a
curentului reactiv capacitativ sunt folosite compensatoarele
capacitativ-inductive [1, 14, 19, 20, 21]. În aceste compensatoare,
constituite din partea inductivă și partea capacitativă, caracterul și
valoarea puterii reactive de intrare compensate este asigurată prin
comanda și implicarea celor două părți (inductivă sau capacitativă)
ale compensatorului conform principiilor discutate mai sus. De
exemplu, un compensator format dintr-un condensator C (partea
capacitativă) și un reactor comandat prin tiristoare (partea inductivă)
conectate în paralel este reprezentat în figura 6.7.a, iar diagrama
fazorială pentru armonicile fundamentale ale tensiunii și curenților
compensatorului este reprezentată în fig. 6.7.b. Faza curentului
reactiv Ī2 la intrarea compensatorului + 90⁰ sau –90⁰ este determinată
de raportul dintre valorile curentului invariabil ĪC al condensatorului
și curentul comandat ĪL al reactorului.
Toate compensatoarele de putere reactivă analizate reglează
puterea reactivă compensată, modificând sau parametrul
elementului reactiv (capacitatea condensatorului sau inductanța
reactorului neliniar), sau tensiunea pe elementele reactive cu un
variator de c.a. pe tiristoare cuplate antiparalel. Însă variatorul de
c.a. introduce întotdeauna distorsiuni în curent.
6.3.4. Compensatoare cu sursă statică de tensiune reactivă
rețea T
u1 Ů2
i2 u2
iL iC
L C
ĪC Ī2 ĪL=var
a b
Fig. 6.7. Reactoare comandate prin tiristoare:
a − schema; b − diagrama fazorială.
201
Este cunoscută aplicarea compensatorului sincron pentru a

genera putere reactivă capacitivă sau inductivă. În acest caz,
compensatorul sincron are un circuit echivalent sub forma unei
surse de TEM conectate în serie cu reactanța corespunzătoare a
mașinii sincrone (fig. 6.8.a). În funcție de valoarea TEM a
compensatorului sincron în comparație cu tensiunea din rețea,
curentul compensatorului poate fi întârziat (fig. 6.8.b) sau în avans
(fig. 6.8.c) în fază față de tensiunea de rețea [1, 14, 20, 21].
rețea u Ů
ŮL ŮL
i L
b c Ė
a  e Ė ŮL ŮL Ů
Ī= Ī=
L L
Fig. 6.8. Compensator sincron:
a − schema; b, c − diagrame fazoriale.
rețea
Ld
id
Fig. 6.9. Compensator trifazat – IAC

Electronica de putere oferă posibilitatea înlocuirii mașinii
electrice sincrone cu un IAC sau IAT după cum este reprezentat în
fig.6.9 și 6.10, respectiv. IAC trifazat paralel poate fi format pe
tiristoare GTO, iar IAT trifazat – pe tranzistoare IGBT. Deoarece
ambele invertoare funcționează în regim cu curentul de ieșire
202
defazat cu 900 față de tensiune, adică ca surse de tensiune reactivă,

în circuitul de c.c. sursă de tensiune (curent) nu este necesară.
Pierderile active din circuitele invertoarelor pot fi acoperite prin
consumul unei mici puteri active din rețea datorită unei defazării
ușoare a curentului față de tensiunea invertorului cu un unghi puțin
mai mic de 900. În acest mod, sunt stabilite valorile necesare ale
curentului continuu prin reactorul de netezire Ld al IAC și tensiunii
pe condensatorul-filtru Cd al IAT, care determină puterea reactivă a
compensatoarelor.
Reactoarele Ld determină nu numai valoarea armonicii
rețea
Cd +
ud
−
Fig. 6.10. Compensator trifazat – IAT

fundamentale a curentului compensator în conformitate cu diagrama
vectorială din fig. 6.8, dar, de asemenea, netezesc armonicile
superioare cauzate de caracterul asinusoidal al tensiunilor de ieșire
ale IAC și IAT ale compensatorului. Valoarea eficace a armonicilor
superioare ale curentului compensatorului:
k a U L( 1 )
I as = , (6.1)
L
iar factorul de armonici al curentului:
I k a U L ( 1 ) L
kac = as =  = ka . (6.2)
I (1 ) L U L ( 1 )
203
Prin urmare, calitatea curentului unui astfel de compensator

static este identică calității tensiunii compensatorului, care este
determinată de factorul integral de armonici de ordinul întâi.
Este posibilă folosirea cicloconvertorului în calitate de sursă
de tensiune reactivă în compensator de putere reactivă. În acest caz,
elementul de filtru reactiv din circuitul de c.c. a invertorului
autonom (reactorul de c.c. masiv și greu din IAC și condensatorul
electrolitic scump de o tensiune continuă din IAT) poate fi înlocuit
cu un simplu reactor de curent alternativ.
În cazul realizării în variantă monofazată cu comandă
individuală a circuitelor de compensatoare de putere reactivă în
rețele trifazate, acestea pot fi, de asemenea, utilizate pentru a
compensa puterea reactivă de dezechilibru.
u(1)
u uL
u
 uk t
b
a uk=-(u-u(1))
t
Fig. 6.10. Filtru activ de tensiune:

a − schema; b − diagrame temporale.
i iL(1)
u iL
ik iL ZNL
t
b
ik=-(iL-iL(1))
a
t
Fig. 6.11. Filtru activ de curent:
a − schema; b − diagrame temporale.
204
6.4. Compensatoare de distorsiuni – filtre active

Ideea compensării distorsiunilor în tensiunile și în curenții din
rețea, adică filtrarea activă, se bazează pe introducerea în rețea în serie
a unei surse de tensiune cu distorsiune controlată sau în paralel a unei
surse de curent cu distorsiune controlată, iar distorsiunile introduse sunt
în antifază cu distorsiunile existente și le compensează în curba rezultată
a tensiunii sau curentului [1, 2, 14, 19, 20, 21]. Această idee este ilustrată
în fig. 6.10 pentru un filtru activ de tensiune și în fig. 6.11 – pentru un
filtru activ de curent. Sursa distorsiunii compensatoare a tensiunii din
rețea (sau a sarcinii) este introdusă, de regulă, în serie printr-un
transformator T. Dacă tensiunea în rețea este asinusoidală (de exemplu,
în figură are formă de trapez), iar tensiunea în sarcină trebuie să fie
sinusoidală, atunci sursa tensiunii de compensare uk trebuie să repete în
antifază diferența dintre curba tensiunii instantanee din rețea u și
armonica ei fundamentală u(1) (fig. 6.9.b).
Filtrul activ de curent funcționează în mod similar. Dacă
sarcina neliniară consumă un curent asinusoidal (în fig.6.11.b,
curentul de intrare al unui redresor trifazat), atunci compensatorul
generează un curent ik egal și în antifază cu diferența dintre curba
curentului instantaneu al sarcinii neliniare iL și armonica lui
fundamentală iL(1).
Circuitele filtrelor active de tensiune și de curent, de regulă, sunt
realizate în baza unor IAT cu comandă PWM. Considerând IAT cu
PWM ca un chopper reversibil care funcționează în mod de revers
periodic și ținând cont de liniaritatea caracteristicii de reglare (de
transfer) a chopperului, este posibilă reproducerea la ieșirea
invertorului a tensiunii uk sau curentului ik cu curba de orice formă de
variație în timp (vezi uk sau ik în fig. 6.10 și fig. 6.11). Precizia
reproducerii la ieșirea invertorului tensiunii uk sau curentului ik depinde
de precizia (exactitatea) reproducerii spectrului acestor curbe până la
frecvența armonicii superioare necesară a acestora, determinată în
conformitate cu teorema de eșantionare Claude Shannon, care
determină frecvența de eșantionare – comutare PWM:
1
t  sau f c  2  Fmax . (6.3)
2  Fmax
205
rețea consumator
CF
CF
LF CF
LF
LF
Cd +
−
Fig. 6.12. Fitru activ paralel-serie
Deci, pentru a suprima în curentul din rețea la intrarea unui

redresor trifazat în punte toate armonicile până la, de exemplu,
ordinul 23, a cărui valoare relativă în spectru este 1/23, adică mai
puțin de 5_%, este necesară frecvența de comutare în intervalul nu
mai mic de 22350=2300_Hz, care este acceptabilă pentru
tranzistoarele de putere. Implementarea tehnică a unei astfel de
reproduceri a formei tensiunii la ieșirea invertorului se realizează
prin comanda convertorului cu PWM cu urmărire.
Un mod mai radical de îmbunătățire a calității alimentării cu
energie electrică și de excludere a impactului consumatorului
neliniar asupra rețelei este utilizarea comună a filtrului activ de
tensiune și a filtrului activ de curent. Există două opțiuni pentru
combinarea lor: conexiuniea paralel-serie (vezi fig. 6.12) și
conexiuniea serie-paralel (vezi fig. 6.13). Astfel, a devenit posibilă
reunirea circuitelor de c.c. printr-un condensator comun Cd, datorită
206
utilizării transformatoarelor de ieșire în filtrele active. Dacă o astfel

de structură realizează și funcția de reglare a valorii puterii reactive
și a caracterului acesteia, devine posibilă menținerea tensiuni
sinusoidale cu o valoare stabilă la fluctuațiile tensiunii în rețea,
cauzate în special de fluctuațiile sarcinii. În acest caz, filtrul serie de
tensiune realizează, de asemenea, și funcția de variator suplimentar
de tensiune de c.a. Astfel de sisteme, destinate pentru sisteme
energetice, sunt denumite sisteme flexibile de transport al curentului
alternativ (FACTS – Flexible Alternating Current Transmission
Systems).
consumator
rețea
CF
CF
LF CF
LF
LF
Cd +
−
Fig. 6.13. Fitru activ serie-paralel
207
Obiectivele FACTS. Utilizând resursele oferite de electronica

de putere (fiabilitate și viteză mare de răspuns), echipamentele
FACTS oferă următoarele posibilități [1, 14, 20]:
❖ un control sporit al fluxurilor de putere activă și reactivă
simultan cu direcționarea lor pe anumite coridoare prescrise;
❖ mărirea capacității de transport a liniilor existente până în
apropierea limitei termice simultan cu extinderea marjei de
stabilitate a sistemului;
❖ atenuarea până la eliminare a oscilațiilor de putere (care pot
antrena avarii sau reducerea capacității de transport a liniei) prin
variația rapidă a impedanței aparente a liniei ca răspuns la
variațiile transferului de putere din sistem;
❖ evitarea avariilor în cascadă prin izolarea rapidă a sectoarelor cu
defect (scurtcircuite etc.);
❖ pe termen lung, filtrarea armonicilor sau „decuplarea” armonică
a diferitelor tronsoane de linie.
208
BIBLIOGRAFIE
1. Fl. Ionescu, D. Floricău, S. Nițu, J.P. Six, Ph. Delarue, C. Boguș.
Electronica de putere. Convertoare statice. Bucureşti: Editura
Tehnica, 1998.
2. Bitoleanu A., Ivanov S., Popescu M. Convertoare statice.
Craiova, 1997.
3. Diaconescu M., Graur Iu. Convertoare statice. Baze teoretice,
elemente de proiectare, aplicaţii. Iaşi, 1996.
4. С.Н. Флоренцев. Состояние и перспективы развития
приборов силовой электроники на рубеже столетий. Анализ
рынка//Электротехника. 1999, No 4, c. 210.
5. Blajă V. Electronica. Dispozitive şi circuite electronice. Ciclu de
prelegeri. Chişinău: UTM, 2005. - 200 p.
6. Ionescu F. Diode semiconductoare şi redresoare de putere.
Bucureşti, 1995.
7. SEMIKRON. Application Manual. Power Semiconductors.
English, EN-2015.
8. Основы силовой электроники. Силовые
полупроводниковые приборы: учеб. Пособие/[А.А.
Богомяков и др.]; под ред. Ф. И. Ковалёва, В. А. Усачёва.
М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2012. -247с.
9. А.Бормотов, А.Гришанин, В.Мартыненко В.Мускатиньев,
В.Чибиркин. Современные силовые полупроводниковые
приборы для энергоэффективных технологий.
Электроника: Наука, Технология, Бизнес 4/2010.
10. Забродин Ю.С. Промышленная электроника. Москва, 1982.
11. В.И. Мелешин. Транзисторная преобразовательная техника.
Москва: Техносфера, 2005. -632 с.
12. Blajă V., Gherţescu C. Electronica de putere. Îndrumar de
laborator. Chişinău: UTM, 2000. - 88 p.
13. Зиновьев Г.С. Основы силовой электроники. Ч.1.
Новосибирск: Изд-во НГТУ, 1999.
14. Зиновьев Г.С. Основы силовой электроники: Учебник.
Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000, ч.2. -197 с.
209
BIBLIOGRAFIE
15. Руденко В.С., Сенько В.И., Чиженко И.

Преобразовательная техника. Москва, 1974.
16. Томашевский Д.Н. Автономные инверторы: учебное
пособие/Д.Н. Томашевский. Екатеринбург: Изд-во Урал.
ун-та, 2019. -120 с.
17. Кулик В.Д. Силовая электроника. Автономные инверторы,
активные преобразователи: учебное пособие/ГОУВПО
СПбГТУРП. -СПб., 2010. -90 с.
18. Геворкян М.В. Современные компоненты компенсации
реактивной мощности (для низковольтных сетей). Москва:
Издательский дом «Додэка-XXI», 2003. - 64 с.
19. Силовая электроника. Розанов Ю.К., Рябчицкий М.В.,
Кваснюк А.А. М.: Издательский дом МЭИ, 2007.
20. Cziker A.,Chindris M. Compensarea regimului permanent
dezechilibrat la consumator. Teorie. Aplicaţii. Cluj-Napoca:
Editura Mediamira, 2003.
21. Mohan N., Undeland T., Robbins W., Power Electronics:
Converters, Applications and Design, Third Edition, Published
by John Willey & Sons Inc., USA, 2003.
22. Albu M. Electronica de putere. Vol 1: Noțiuni introductive,
dispozitive, conversia statică alternativ-continuu a energiei
electrice. Iași: Casa de Editură „Venus”, 2007.
23. Kelemen A., Imecs M. Electronica industrială. Mutatoare.
Îndrumar de laborator. Bucureşti, 1982.
24. Erickson R., Maksimovic D. Fundamentals of Power
Electronics. University of Colorado, Boulder, Colorado,
Published by Kluwer Academic Publishers, USA, 2001.
25. Alexander B. Lostetter. Miniaturization, Packaging, and
Thermal Analysis of Power Electronics Modules. Blacksburg,
Virginia, 1998.
26. Unified constant-frequency integration control of active power
filters / Luowei Zhou and Keyue M. Smedley. University of
California, 2002.
27. Open loop and closed loop spectral frequency active filtering /
Sebactien Mariethoz and Alfred C. Rufer // IEEE transactions
on Power Electronics, vol. 17, no. 4, July 2002.
210
28. Active filters. ABB - 2002.

29. Carmen Golovanov, Mihaela Albu. Probleme moderne de
măsurare în electroenergetică. Bucureşti: Editura Tehnică, 2001.
30. Gh. Georgescu, M. Gavrilaş, D. Rădăşanu. Calculul şi reducerea
pierderilor de putere şi energie în reţelele electrice. Iaşi: Editura
„Spectrum”, 1997.
31. Aдаптивная система автоматического управления
гибридного компенсатора реактивной мощности
электровоза с плавным регулированием напряжения / Ю.М.
Кулинич. Хабаровск, 2001.
32. Jamal A. Baroudi, Venkata Dinavahi, Andrew M. Knight, „A
review of power converter topologies for wind generators”,
Edmonton, AB., decembrie 2006.
33. Marcel Adam, Adrian Baraboi, Cătălin Pancu: Statcom,
dispozitiv al reţelelor electrice inteligente.
34. Arthit Sode-Yome and N. Mithulananthan: Comparison of shunt
capacitor, SVC and STATCOM in static voltage stability margin
enhancement.
35. Raimonds Cimbals, Oskars Krievs, Leonids Ribickis: A Static
Synchronous Compensator for Reactive Power Compensation
under Distorted Mains Voltage Conditions.
36. Juan M.Ramírez and J.L. Murillo Pérez: Application of the
Three-Phase STATCOM in Voltage Stability.
37. European Journal of Scientific Research: Construction of a
Prototype D-Statcom for Voltage Sag Mitigation.
38. Arrillaga J. High voltage direct current transmission. The
Institution of Engineering and Technology, 1998.
39. Carlos A.C. Cavaliere, Edson H. Watanabe, Maurício Aredes:
Analysis and Operation of STATCOM in Unbalanced Systems.
40. Bică D. Sisteme informatice moderne în electroenergetică.
Tg.Mureş: Ed. UPM, 2005.
41. Diaconescu M., Graur Iu. Convertoare statice. Baze teoretice,
elemente de proiectare, aplicaţii, Iaşi, 1996.
211
ABREVIERI
ABREVIERI
B Bază
BJT Bipolar Jonction Transistor
BT Bipolar Transistor (Tranzistor Bipolar)
C Colector
CA (c.a.) Curent Alternativ
CC (c.c.) Curent Continuu
CSP Convertor static de putere
DCB Direct Copper Bonding
diac diode alternating current switch
DLC Dimond Like Carbon
DS Diodă Schottky
DSP Dispozitive Semiconductoare de Putere
DSS Domeniu de Sarcină Spațială
E Emitor
EC Emitor Comun
FACTS Flexible Alternating Current Transmission Systems
FET Field Effect Transistors
FS Field-Stop
GTO Gate Turn Off
HVDC High Voltage Direct Current
IAC Invertoare Autonome de Curent
IAT Invertoare Autonome de Tensiune
IDR Invertoare Disipative de Rezonanță
IEGT Injection Enhanced Gate Tranzistor
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
IPM Inteligent Power Module
IR Invertoare de Rezonanţă
IRR Invertoare Recuperative de Rezonanță
L Consumator (Load)
LTT Light Triggering Thyristors
m.g. mers în gol
MCC Mașină de Curent Continuu
MIS Metal-Izolator-Semiconductor
MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor
212
NPT Not Punch-Through

PBT Power Bipolar Transistor
PWM Pulse Width Modulation
RCI Regim de Curent Intermitent
RCL Regim de Curent Limită
RCNÎ Regim de Curent Neîntrerupt
S Sursă de Energie Electrică
s.-c. scurtcircuit
SOA Safe Operatting Area (Aria de Operare Sigură)
SOI Silicon on Insulator
TEC Tranzistor cu Efect de Câmp
TEM Tensiune Electromotoare
triac triode alternating current switch
TSP Tiristoare cu Stingere pe Poartă
213
CUPRINS
CUPRINS
1. CONVERTOARE STATICE DE PUTERE 3

1.1. Noțiuni generale 3
1.2. Convertoare statice în electroenergetică 6
2. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 8
2.1. Nivelul actual și perspectivele dezvoltării DSP 8
2.2. Diode semiconductoare de putere 10
2.2.1. Joncțiunea p-s-n 11
2.2.2. Regimul dinamic 12
2.2.2.1. Comutație directă 12
2.2.2.2. Comutație în invers 12
2.2.3. Puterea disipată în diodă 15
2.2.4. Dioda Schottky 17
2.3. Regimul termic al diodei 20
2.3.1. Încălzire în regim permanent 20
2.3.2. Evitarea ambalării termice 23
2.3.3. Încălzire în regim tranzitoriu 24
2.4. Tiristoare 28
2.4.1. Noţiuni generale 28
2.4.2. Principiul de funcţionare şi caracteristicile tiristorului 29
2.4.3. Modelul tiristorului “cu două tranzistoare” 32
2.4.4. Parametrii tiristorului 35
2.4.5. Modificările principale ale tiristoarelor 36
2.4.5.1. Fototiristor 36
2.4.5.2. Tiristoare GTO 37
2.4.5.3. Diacul şi triacul 37
2.4.6. Regimul dinamic de comutație al tiristorului 39
2.4.6.1. Comutație în direct 39
2.4.6.2. Comutație în invers 41
2.5. Tranzistoare bipolare de putere 42
2.5.2. Structura tranzistorului bipolar de putere 43
2.5.3. Tranzistorul Darlington 45
2.5.4. Caracteristicile statice ale BT 47
2.5.5. Funcționarea tranzistorului bipolar de putere 49
2.5.6. Procese tranzitorii în BT 56
2.5.7. Regimul termic 61
214
2.6. Tranzistoare cu efect de câmp 63

2.6.2. Parametrii de bază ai MOS FET 66
2.6.3. Structuri MOS FET de putere 66
2.6.4. Caracteristicile statice ale MOS FET de putere 73
2.6.5. Funcționarea MOS FET de putere 74
2.6.6. Caracteristicile dinamice ale MOS FET de putere 77
2.4.6.1. Comutare în direct (turn-on) 79
2.4.6.2. Comutare în invers (turn-off) 81
2.6.7. Comparația MOS FET vs PBT 81
2.7. Transistoare bipolare cu grilă izolată 82
2.7.1. Noțiuni generale 82
2.7.2. Parametrii de bază ai IGBT 83
2.7.3. Structura IGBT 83
2.7.4. Caracteristicile statice ale IGBT 87
2.7.5. Funcționarea IGBT 88
2.7.6. Caracteristicile dinamice ale IGBT 92
2.7.6.1. Comutație în direct (turn-on) 97
2.7.6.2. Comutație în invers (turn-off) 99
2.8. Căile de dezvoltare a DSP 100
2.9. Module IGBT de putere inteligente 103
3. REDRESOARE CU FACTOR DE PUTERE AVANSAT 105
3.1. Redresoare cu ventile complet comandate 105
3.2. Redresor cu comandă impuls-fază anticipată 106
3.3. Redresor cu comandă PWM a tensiunii redresate 108
3.4. Redresor cu formare forțată a formei curentului primar 110
4. CHOPPERE 113
4.2. Chopper step down 116
4.3. Choppere step down cu modulare bipolară 119
4.4. Choppere step down în 4 cadrane 121
4.5. Caracteristicile chopperelor reale 121
4.6. Choppere step up 122
4.7. Chopper buck-boost 124
4.8. Chopper Čuk 126
4.9. Chopper cu separare galvanică 128
5. INVERTOARE AUTONOME 130
5.2. Invertoare de curent 132
5.2.1. IAC monofazat în punte cu condensator paralel 132
5.2.2. IAC monofazat semipunte cu condensator paralel 134
5.2.3. IAC monofazat în punte paralel-serie 135
5.2.4. IAC monofazat cu redresor de curent invers 136
215
CUPRINS
5.2.5. IAC monofazat cu variator reactiv 138

5.2.6. IAC trifazat cu condensatoare de comutare în 139
paralel
5.2.7. IAC trifazat serie 142
5.2.8. IAC trifazat cu PWM 143
5.3. Invertoare de tensiune 145
5.3.1. IAT monofazat semipunte 145
5.3.2. IAT monofazat în punte 148
5.3.3. Metoda de comandă PWM în IAT 151
5.3.4. IAT monofazat cu priză mediană 158
5.3.5. IAT trifazate 160
5.3.6. IAT trifazat format în baza IAT monofazate în punte 164
5.3.7. IAT trifazat cu 3 niveluri 166
5.3.8. IAT trifazat cu PWM 167
5.4. Invertoare de rezonanță 169
5.4.1. IR cu intrare închisă 170
5.4.2. IR cu intrare deschisă 172
5.4.3. IR cu diode de curent invers 176
5.4.3.1. Regimul de curent intermitent 178
5.4.3.2. Regimul de curent limită 179
5.4.3.3. Regimul de curent neîntrerupt 180
5.4.4. IR cu diode de curent invers cu dublarea frecvenței 183
5.4.5. IR cu tranzistoare 186
5.4.6. IR clasa E 187
5.4.7. Note finale 188
6. COMPENSAREA PUTERII REACTIVE 190
6.2. Compensarea necontrolată a puterii reactive 194
6.3. Compensatoare statice de putere reactivă 196
6.3.1. Condensatoare comutate prin tiristoare 197
6.3.2. Reactoare comandate prin tiristoare 198
6.3.3. Compensatoare capacitativ-inductive 201
6.3.4. Compensatoare cu sursă statică de tensiune reactivă 202
6.4. Compensatoare de distorsiuni – filtre active 205
BIBLIOGRAFIE 209
ABREVIERI 212
216

ConvertoareEchipamenteElectroniceAvansate NoteCurs DS

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

ConvertoareEchipamenteElectroniceAvansate NoteCurs DS

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Digitally signed by

Facultatea Energetică și Inginerie Electrică

Departamentul Inginerie Electrică

DESCRIEREA CIP A CAMEREI NAŢIONALE A CĂRŢII DIN RM

Bun de tipar 25.05.21 Coli de tipar 13,5 Comanda nr. 38

1. CONVERTOARE STATICE DE PUTERE

CSP de CA CSP de CC CSP mixte

În ultimul timp, termenul “convertoare statice” este înlocuit cu

Fig.1.3. Domeniile de aplicare a CSP cu dispozitive

1.2. Convertoare statice în electroenergetică

și, în același timp, liniile de joasă tensiune nu sunt încărcate.

2. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

În ultimele decenii s-a manifestat o creștere permanentă a

2.2. Diode semiconductoare de putere

2.2.1. Joncțiunea p-s-n

2.2.2. Regimul dinamic

În continuare vom defini mărimile caracteristice procesului de

Qs =  i R dt este sarcina stocată în joncțiune care trebuie

Pentru prima oscilație, când curentul scade de la IRRM la IR,

0 (uTO + rT iF )iF dt = uTO  T 0 iF dt + rT  T 0 iF dt , (2.9)

Deci: PF=UTOIFAV+rTI2FRMS=IFAV(UTO+rTk2fIFAV), (2.10)

2.2.4. Dioda Schottky

Performanțele diodelor Schottky

În DS joncțiunea M-S servește ca joncțiune de blocare. În

2.3. Regimul termic al diodei

2.3.1. Încălzire în regim permanent

U=RI masă Δ =RthP masă

unde: ΔjA este încălzirea joncțiunii în raport cu mediul ambiant;

RthKA RthCK RthjC() R1thjC() R1thCK R1thKA

Această schemă poate fi simplificată până la un caz analogic

RthjC() RthCK RthKA

R1thjC() R1thCK R1thKA

2.3.2. Evitarea ambalării termice

Fig.2.14. Schema termică pentru regimul tranzitoriu al diodei

Schema termică echivalentă pentru regimul tranzitoriu (vezi

aplică semnalul treaptă, este definită în mod experimental (vezi

Fig.2.17. Evoluția în timp a regimului termic

Atât ventilele semicomandate, cât şi cele complet comandate, pot

Polarizarea directă. În acest caz, joncţiunile J1 şi J3 sunt

Domeniul 2-3 corespunde stării de conducţie (amorsat) a tiristorului.

a tiristorului este menţinută de sarcinile electrice (purtătorii de

curentul colectorului Т1: IС1=1IE1. (2.38)

Alt moment important este dependenţa factorilor 1 şi 2 de

2.4.4. Parametrii tiristorului

❖ Puterea maxim admisibilă PFAVM − valoarea maxim admisibilă

2.4.5.2. Tiristoare GTO

IG3> IG2> IG1=0

Fig.2.29. Structura (a) şi familia caracteristicilor statice (b) ale triacului

pentru ambele polarităţi ale tensiunii. Diacul poate fi conceput ca două

• pasivare electroacustică analogică cu DLC (Dimond Like

2.4.6. Regimul dinamic de comutație al tiristorului

2.4.6.2. Comutație în invers

Fig. 2.34. Evoluția curentului și tensiunii

2.5. Tranzistoare bipolare de putere

2.5.2. Structura tranzistorului bipolar de putere

La fabricarea BT sunt utilizate diferite metode de formare a

2.5.3. Tranzistorul Darlington

aFig. 2.37. Circuit tranzistorb compozit:

Pentru tranzistorul Darlington:

2.5.4. Caracteristicile statice ale BT

Regim de UCE 0 M UCE m.g. M UCE m.g. str. UCE

Este necesar să menționăm că domeniile caracterizate de UCE str.

După cum se observă în fig. 2.38 [8], caracteristicile statice ale