Electrónica I.

Ejercicios Unión PN

y circuitos con diodos

Prof. César Martínez

1. Circuitos con diodos

1. Para el circuito mostrado en la gura, con: V1=10V, R1=R2=10Ω, Vjo=0,7V (para todos
los dispositivos), determinar:
a ) El estado cada diodo.
b ) La tensión de salida Vo.

D1

+
D3
R1 Vo

-
V1
R2
D2

2. Para el circuito mostrado en la gura, con: V1=20V, V2=10V, V3=5V, R1=5KΩ,

R2=10KΩ, Vjo=0,7V (para todos los dispositivos), determinar:
a ) El estado de cada diodo.
b ) La tensión de salida Vo.

1
 D1
R2
+

D3
D2

Vo
V1 R1
V3

V2
-

3. Para el circuito mostrado en la gura, con: V1=20V, V2=5V, V3=10V, R1=10KΩ,

R2=2KΩ, Vjo=0,7V (para todos los dispositivos), determinar:
a ) El estado de cada diodo.
b ) La tensión de salida Vo.

R1 D1
D3
+

R2
V2
V1 D4
Vo
V3
D2

4. Para el circuito mostrado en la gura, con: V1=5V, V2=2V, RL=10KΩ, Vi=12·Sen(wt),

determinar:
a ) La tensión de salida Vo.
b ) La función de transferencia Vo/Vi.

2
 D1
+

V1

D2 RL
ViAC
Vo

V2

5. Para el circuito mostrado en la gura, con: V1=5V, VZ3=3,1V, R1=2KΩ, R2=R3=5KΩ,

Vi es una señal cuadrada de ±15V, determinar:
a ) La tensión de salida Vo.
b ) La función de transferencia Vo/Vi.

R1 D1

+
R2
D2 DZ3
Vi
AC

Vo
V1
R3
-

6. Para el circuito mostrado en la gura, con: V1=2V, C1=100µF e inicialmente

descargado, RL=100Ω, Vi es una señal triangular de 12V pico y 1Khz, determinar:
a ) La tensión de salida Vo.

D1

+
V1
C1 RL Vo
Vi AC

7. Para el circuito mostrado en la gura, con: C1=100µF e inicialmente descargado,

RL=10Ω, asumir modelo ideal para todos los dispositivos, Vi=12·Sen(6283t), determinar:
a ) La tensión de salida Vo.

3
 +
D1
D3

C1 Vo

Vi AC
RL
D4 D2
-

8. El circuito de la gura corresponde a un regulador de tensión en paralelo con diodo

Zener. Los parámetros del diodo Zener son VZK = 4, 54V , IZK = 4mA y una resistencia
interna RZ = 10Ω. En un determinado momento mientras el diodo Zener regula, es decir,
opera en región zener, la corriente circulante a través del dispositivo es IZ = 20mA. La
tensión de la fuente de alimentación no regulada varía entre 18V y 28V , originando
cambios en la corriente de carga entre 5mA y 23, 8mA. Determinar:
RF

VZ RL
VF DZ

a ) El valor de la impedancia de la fuente RF de modo que el dispositivo regule contin-

uamente.
b ) Gracar el punto de operación en el que se encuentra operando el diodo Zener, indi-
cando todos los valores de interés.
c ) El porcentaje de regulación de carga del circuito regulador. NOTA: Este porcenta-
je de regulación de carga se dene como la variación del voltaje de salida cuando
existen variaciones de la corriente en la carga, se determina como: %Regulacin =
VL (mx.)−VL (mn.)
VL (mn.) · 100 %
d ) La potencia máxima disipada por el diodo Zener.

2. Unión PN

1. Una unión P-N tiene un dopado de átomos aceptantes de 1017 cm−3 en el material tipo
P y un dopado de impurezas donantes de 5 · 1015 cm−3 en el lado N. Los coecientes de
difusión de huecos y electrones son 13cm2 /s y 34cm2 /s respectivamente. Considerar que
K ·T = 0, 027153eV , Ao = 1, 74·1033 cm−6 · o K −3 para el silicio. Las longitudes de difusión
de electrones y huecos son 10·10−4 cm y 15·10−4 cm respectivamente y el área de la sección
transversal de la unión es de 10−4 cm2 . Determinar:
a ) El potencial de la unión en circuito abierto.
b ) El porcentaje de la corriente de huecos a la corriente total en la región libre de
portadores.

4
 c ) El porcentaje de la corriente de electrones a la corriente total en la región libre de
portadores.
2. Una unión P-N de germanio a 300o K tiene un dopado de átomos aceptores de 4 · 1016 cm−3
en el material tipo P y un dopado de átomos donores de 6 · 1015 cm−3 en el lado N. Los
coecientes de difusión de huecos y electrones son 13cm2 /s y 34cm2 /s respectivamente.
Considerar que Ao = 3, 53 · 1032 cm−6 · o K −3 para el germanio. Las longitudes de difusión
de electrones y huecos son 10 · 10−4 cm y 15 · 10−4 cm respectivamente, el área de la sección
transversal de la unión es de 8 · 10−4 cm2 y las movilidades de huecos y electrones son
1800cm2 /V · s y 3800cm2 /V · s respectivamente. Determinar:

a ) El potencial de la unión en circuito abierto.

b ) La corriente total circulante por la región de carga espacial.
c ) Si a esta unión se le aplica una tensión de polarización directa de 0, 4V , calcular la
densidad de corriente de difusión de portadores minoritarios en el material tipo N en
el borde de la región de agotamiento y en X = 2µm.
d ) Para el mismo nivel de polarización directa del punto (c), calcular la corriente de
portadores minoritarios en el material tipo P en el borde de la región de agotamiento
y en X = 4µm.
e ) Si debido a un agente externo la velocidad de recombinación de huecos en el ma-
terial tipo N se cuadruplicara, calcular el nuevo valor de la corriente de huecos en
el borde de la región de carga espacial. NOTA: Recuerde que si se cuadruplica la
velocidad de recombinación, signica que el tiempo de vida medio de los huecos (τp )
aproximadaente se divide por cuatro.
f ) Gráco representativo de las concentraciones de electrones y huecos en función de la
distancia, para el fenómeno que ocurre cuando se aplica la tensión de polarización
directa.
g ) La resistividad del material entre X = 4µm en la región P y X = 4µm en la región
N, medidos ambos justo desde la unión de los dos materiales.