2.

DIODA
În acest capitol va fi prezentată, pe scurt, componenta activă numită dioda. Se începe cu
prezentarea materialele semiconductoare folosite şi cu structura fundamentală care este
joncţiunea p-n.

2.1. Materialele semiconductoare şi joncţiunea p-n

2.1.1 Structura materialelor semiconductoare
Materialele semiconductoare au conductivitatea electrică intermediară între materialele
izolante si materialele bune conductoare. Sunt utilizate pentru construcţia dispozitivelor
semiconductoare, iar cel mai folosit este siliciul. Un atom de siliciu are 4 electroni pe ultimul
înveliş şi siliciul în stare pură (numit şi material intrinsec), din motive de stabilitate, este
structurat în aşa fel încât un atom este legat de încă 4 atomi vecini cu fiecare cumulând câte doi
electroni, unul propriu, altul vecin, ajungând la un total de 8 (figura 2.1., reprezentând doar
nucleul şi ultimul înveliş). Întreaga structură este neutră electric, motiv pentru care s-a figurat şi
sarcina pozitiva corespondentă din nucleu.

Fig.2.1 Structura siliciului pur. Fig. 2.2. Generarea perechilor electron liber-gol

Siliciul este stabil şi între particule sunt legături puternice. Cu toate acestea, o dată cu
creşterea temperaturii sau în urma iradierii, unii electroni se desprind din legături, devenind
electroni liberi.
Concomitent (figura 2.2.) zona părăsită rămâne încărcată pozitiv, se poate deplasa (din
aproape în aproape) şi se numeşte gol. Electronii liberi şi golurile (generate în perechi) pot da
naştere curenţilor electrici. Similar cu procesul de generare, există şi un proces invers, numit
recombinare. Numărul purtătorilor rămâne însă mic, materialul intrinsec fiind mai apropiat de
materialele izolante.

2.1.2 Materiale semiconductoare p şi n

Numărul purtătorilor liberi poate fi mărit în mod artificial printr-un proces de impurificare
realizat în două variante. În prima variantă se introduc în structura siliciului un număr de atomi ai
unui element din grupa a 5-a (arsen, stibiu), cu 5 electroni pe ultimul înveliş. Acest atom se
fixează în structura siliciului, la fel ca atomul de siliciu, cu 4 dintre electronii de pe ultimul
înveliş, cel de-al 5-lea devenind electron liber (fig. 2.3.). Zona părăsită de acesta rămâne încărcată
pozitiv dar nu mai este mobilă. Prin impurificarea de acest tip se obţine materialul semiconductor
tip n, care se poate reprezenta electric (fig. 2.4.a) printr-o structura de sarcini pozitive fixe,
dublată de un număr egal de electroni liberi. Aceştia sunt numiţi şi purtători majoritari deoarece
concomitent există şi un număr, mult mai mic, de goluri rezultate din procesul de generare
termică, numiţi purtători minoritari.

Fig. 2.3. Material semiconductor n.

Analog, prin impurificare cu atomi ai unui element din grupa a 3-a (aluminiu, indiu), se
obţine materialul semiconductor tip p, care se poate reprezenta electric (fig. 2.4.b) printr-o
structura de sarcini negative fixe, dublată de un număr egal de goluri. Materialele
semiconductoare tip n şi p se numesc şi materiale extrinseci.

a) Material tip n. b) Material tip p.

Fig. 2.4. Reprezentarea simplificată a materialelor semiconductoare.

2.1.3 Curenţi în materiale semiconductoare

Existenţa purtătorilor liberi, majoritari şi minoritari, permite, în anumite condiţii,
deplasarea acestora, adică apariţia curenţilor electrici. După mecanismul generator există curenţi
de câmp şi curenţi de difuzie.
Curentul de câmp apare când materialul este supus unui câmp electric Ē şi are densitatea
σĒ. Curentul de difuzie apare atunci când densitatea purtătorilor este neomogenă şi are loc
fenomenul de difuzie, adică deplasarea purtătorilor din zonele cu densitate mai mare spre zonele
cu densitate mai mică până când distribuţia purtătorilor devine omogenă. În figura 2.5. este
ilustrat fenomenul de difuzie prezentând o secţiune a unui material semiconductor în două
momente de timp. Iniţial există o distribuţie neomogenă a purtătorilor, apare un curent de difuzie
iar în final distribuţia este omogenă şi curentul se anulează. Dacă există un mecanism de generare
continuă a purtătorilor într-o zonă anumită, cum e de exemplu generarea prin iluminare, se poate
asigura un curent permanent aşa cum este cazul fotocelulelor.

Fig.2.5. Fenomenul de difuzie.

2.1.4 Joncţiunea p-n
Tehnologii speciale permit alăturarea intimă a celor două tipuri de materiale
semiconductoare p şi n, despărţite de o zonă îngustă de trecere şi formând o structură denumită
joncţiunea p-n (fig. 2.6.). Joncţiunea p-n are proprietăţi speciale şi stă la baza majorităţii
dispozitivelor semiconductoare şi implicit a electronicii moderne.

Fig.2.6. Joncţiunea p-n.

În momentul iniţial distribuţia de purtători liberi este accentuat neuniformă, cu multe

goluri în zona p şi mulţi electroni liberi în zona n. Tendinţa naturală a purtătorilor liberi, fie ei
electroni liberi sau goluri, corespunzătoare fenomenului de difuzie, este să se deplaseze din
zonele unde sunt în exces spre zonele sărace. Golurile se vor deplasa din zona p spre zona n iar
electronii liberi în sens contrar. De fapt începe un proces de recombinare şi perechi de purtători
dispar începând de la suprafaţa de separaţie. Se creează o zonă fără purtători liberi, marcată pe
figură şi denumită zonă de sarcină spaţială, fiind formată din două straturi încărcate cu sarcină de
semn contrar. Se creează concomitent un câmp electric intern cu sensul din figură, câmp ce se
opune difuziei şi recombinării în continuare şi se atinge o stare de echilibru.

2.1.5 Joncţiunea p-n cu tensiune exterioară (polarizată)

O tensiune continuă pate fi aplicată joncţiunii p-n prin intermediul a doi electrozi
conectaţi la capete. Acţiunea este denumită curent polarizare şi există două situaţii distincte,
polarizare inversă (fig. 2.7.) când plusul este la zona p şi polarizare directă, cu plusul la zona n.

Fig. 2.7. Joncţiunea p-n.

Când joncţiunea este polarizată invers, sursa de tensiune creează în joncţiune un câmp
electric extern care are acelaşi sens cu cel intern. Câmpul total este suma lor şi duce la lărgirea
zonei de sarcină spaţială, zonă fără purtători liberi, cu rezistivitate mare. Nu există circulaţie de
purtători majoritari şi curentul este practic zero. În realitate există o circulaţie de purtători
minoritari şi în consecinţă un curent, foarte mic, denumit şi curent invers. Atunci când este
polarizată direct, sursa de tensiune creează în joncţiune un câmp electric extern care are sens
contrar celui intern, favorizează deplasarea purtătorilor majoritari şi conduce la apariţia unui
curent direct important.
2.2. Dioda semiconductoare
2.2.1. Prezentare generală.
Dioda semiconductoare este cel mai simplu dispozitiv semiconductor. Dioda
semiconductoare este un dispozitiv cu două terminale, furnizată de către producători sub diverse
forme, una din cele mai uzuale fiind prezentată în Figura 1.
Cele două terminale ale diodei au denumiri diferite şi anume anod, respectiv catod.
Pentru a utiliza corect dioda în circuit, catodul este indicat pe capsula diodei prin intermediul
unui inel desenat, ca în Fig.2.8.
Proprietatea principala a unei diode este aceea ca permite circulaţia curentului intr-un
singur sens, fiind un dispozitiv unidirectional

Fig.2.8. Dioda semiconductoare.

În circuitele electronice, dioda semiconductoare este simbolizată ca în Fig.2.9.

Fig.2.9. Simbolul electronic al diodei semiconductoare.

La nivelul diodei apar 2 mărimi electrice: curentul prin diodă, notat i A , care prin
convenţie are sensul de la anod spre catod, respectiv tensiunea pe diodă, notată v A , care prin
convenţie are referinţa de la anod spre catod (Fig.2.10).

Fig.2.10. Mărimile electrice ale diodei semiconductoare.

2.2.2. Funcţionarea diodei

Funcţionarea diodei este descrisă prin intermediul unui grafic denumit caracteristică de
funcţionare (Fig.2.11). Aceasta furnizează informaţii despre modul în care curentul prin diodă
variază în funcţie de tensiunea care apare între terminalele acesteia.
 Fig.2.11. Caracteristica de funcţionare a diodei semiconductoare.

În cazul în care tensiunea pe diodă este pozitivă, se spune că aceasta funcţionează în

conducţie directă, iar în cazul în care tensiunea pe diodă este negativă, se spune că aceasta
funcţionează în conducţie inversă.
În conducţie directă: se observă o tensiune de prag (notată V D ); dacă valoarea tensiunii pe
diodă este sub prag, prin diodă nu trece curent electric; dacă valoarea tensiunii pe diodă atinge
pragul, atunci prin diodă trece curent electric – acesta creşte exponenţial în funcţie de tensiunea
pe diodă – se remarcă faptul că tensiunea rămâne la o valoare apropiată de valoarea V D . Valoarea
tensiunii de prag este cuprinsă între 0,5V÷0,7V. Curentul prin diodă nu trebuie să depăşească o
anumită valoare maximă, notată în cataloagele de diode I F , impusă de puterea maximă pe care o
poate disipa dioda fără a se distruge termic. Limitarea curentului prin diodă la o valoare mai mică
decât valoarea I F se realizează în circuitul în care este utilizată dioda, de obicei, prin intermediul
unui rezistor.
În conducţie inversă: se observă o tensiune specifică denumită tensiune de străpungere,
(notată V BR ) a cărui valoare este de ordinul zecilor-sutelor de volţi; dacă valoarea în modul a
tensiunii pe diodă este mai mică decât valoarea V BR , curentul electric nu trece prin diodă; dacă
valoarea tensiunii pe diodă atinge valoarea V BR , atunci prin diodă curentul electric creşte
necontrolat – acest fenomen se numeşte străpungerea diodei; în acest caz, se spune că dioda
funcţionează în regiunea de străpungere. Din acest motiv, în circuitul în care este montată, este
necesar să se limiteze tensiunea negativă pe diodă la valoare mai mică în modul decât valoare
V BR .
Din punct de vedere analitic, funcţionarea diodei semiconductoare este descrisă de
ecuaţia de funcţionare a diodei semiconductoare. Aceasta furnizează relaţia matematică dintre
curentul prin diodă şi tensiunea de la terminalele sale şi este reprezentată de relaţia:

 v  
i A = I S exp A  − 1
  VT  
unde: I S reprezintă curentul de saturaţie al diodei, care este aproximativ egal cu curentul ce trece
prin diodă în conducţie inversă (10-16÷10-14A);
V T reprezintă tensiunea termică, care este direct proporţională cu temperatura de lucru;
v A şi i A sunt tensiunea, respectiv curentul total.

Din expresia de mai sus se poate observa că funcţionarea diodei depinde de temperatura la
care lucrează. La creşterea temperaturii de lucru, curentul prin diodă creşte (în special curentul
invers prin diodă).
Tot din relaţia de mai sus se observă că dioda este un element de circuit neliniar şi prin
urmare circuitul care o conţine devine un circuit neliniar.

2.2.3 Influenţa temperaturii

Temperatura influenţează mult funcţionarea diodelor, ca de altfel a tuturor dispozitivelor
semiconductoare. Temperatura de 200°C este o valoare limită maximă pentru dispozitivele
semiconductoare pe Si.
Temperatura diodelor se modifică atât ca urmare a variaţiei temperaturii mediului cât şi ca
urmare a pierderilor prin efect Joule. Acestea din urmă cresc odată cu creşterea valorii curentului
sau a frecvenţei de funcţionare.
Când puterile de pierderi sunt mari diodele sunt menţinute sub limita temperaturii maxim
admisibile prin montarea lor pe radiatoare cu suprafaţă radiantă mare care permite disiparea în
mediul exterior a căldurii rezultate prin efect Joule. În numeroase situaţii se utilizează
suplimentar răcirea forţată a radiatoarelor, fie cu ventilatoare, fie cu circuit de răcire cu lichid.
Creşterea temperaturii are un dublu efect asupra diodelor, care este prezentat în figura
2.12. În primul rând se măreşte curentul invers. Acesta se dublează la fiecare creştere de
aproximativ 10 grade a temperaturii. Al doilea efect este micşorarea tensiunii pe dioda în
conducţie. Micşorarea este de aproximativ 0,002 V/°C şi este uneori utilizată pentru măsurarea
temperaturii, dioda fiind folosită drept senzor de temperatură.

Fig.2.12. Influenţa temperaturii asupra diodelor.

2.2.4 Modelarea diodei.

Pentru calculul circuitelor cu diode se poate utiliza relaţia analitică de mai sus sau se
poate utiliza metoda grafică, folosind caracteristica grafică curent-tensiune a diodei. Metodele de
mai sus sunt rar utilizate, fiind complicate sau chiar inoperante în cazul circuitelor cu mai multe
elemente. Din acest motiv cea mai utilizată metodă este liniarizarea diodei, adică înlocuirea
acesteia cu o schemă echivalentă formată cu elemente liniare. În funcţie de precizia dorită a
calculelor, dioda poate fi echivalată cu o schemă mai simplă sau mai complicată.
 După înlocuirea diodei cu schema echivalentă, calculul urmează cursul obişnuit pentru
circuitele liniare.
Sunt utilizate trei nivele de aproximare liniară a diodelor. În fig.2.13 sunt prezentate atât
modelele cât şi caracteristica grafică a acestora.
Cel mai simplu şi mai folosit model este un comutator, K (2.13.a). Acesta este deschis,
când se aplică o tensiune inversă şi este închis, când se aplică o tensiune directă mai mare decât
zero. Un al doilea model ţine cont de tensiunea de deschidere a diodei, U D ≈0,7V (2.13.b).
Modelul cel mai precis (2.13.c) ţine cont şi de rezistenţa diodei în zona de conducţie, R d , iar
panta caracteristicii grafice este mai mică de 90 grade.

a) b) c)
Fig.2.13. Modele liniare pentru diode.

Modelele prezentate până acum sunt utilizate atunci când diodele sunt în regim de curent
continuu sau în regim de curent alternativ de frecvenţă mică, de exemplu la 50 Hz, frecvenţa
reţelei. Când diodele sunt utilizate în regim de curent alternativ cu amplitudine mică şi frecvenţă
mai mare, se foloseşte un model al diodei, denumit model dinamic de semnal mic, care ţine cont
de capacitatea electrică a joncţiunii p-n, dioda fiind echivalată cu rezistenţa dinamică (diferită
pentru zona de conducţie sau de blocare) în paralel cu capacitatea totală a joncţiunii (Fig.2.14).

Fig. 2.14. Model de semnal mic.

2.2.5 Dioda în regim de comutaţie

Un dispozitiv electronic este în regim de comutaţie atunci când tensiunile la borne şi
implicit curenţii se modifică cu viteză foarte mare. Într-un astfel de regim au importanţă timpii de
tranziţie sau de comutaţie şi nu pot fi utilizate schemele echivalente simplificate prezentate
anterior.
Comutaţia directă este atunci când dispozitivul trece din starea de blocare în starea de
conducţie.
Comutaţia inversă este atunci când dispozitivul trece din starea de conducţie în starea
deblocare.
La comutaţia directă curentul prin diodă nu creste instantaneu (tensiunea U de comandă
fiind presupusă ideală, cu timp de comutaţie zero), ci într-un timp numit timp de comutaţie
directă, t d sau t on . Similar evoluează tensiunea la bornele diodei.
La comutaţia inversă curentul prin diodă ajunge aproape de valoarea zero după un interval
de timp numit timp de comutaţie inversă, t i sau t off . Fenomenul de comutaţie inversă cuprinde şi
un interval de timp, numit timp de revenire, în care există un curent invers prin diodă. Simultan
tensiunea inversă la bornele diodei are o supracreştere accentuată, u iM , care depinde de panta
iniţială di/dt cu care revine curentul invers la zero. Dacă panta de revenire a curentului este mare
atunci avem comutaţie hard, cu supratensiuni foarte mari, dacă panta de revenire a curentului este
mică atunci avem comutaţie soft, cu supratensiuni mai mici. Aceste supratensiuni pot distruge
dioda. Pentru limitarea acestora sunt utilizate elemente de protecţie, cel mai des un grup
rezistentă-condensator (grup RC) conectat la bornele diodei (Fig.2.15).

Fig. 2.15 Protecţia diodei la supratensiuni.

Diodele sunt diode lente dacă timpii de comutaţie sunt de ordinul microsecunde şi sunt
diode rapide dacă aceşti timpi sunt de ordinul nanosecunde.

2.2.6. Polarizarea diodelor.

Aşa cum s-a prezentat anterior, o diodă poate funcţiona în 2 regimuri diferite şi anume în
conducţie directă, respectiv inversă. Prin noţiunea de polarizare a unei diode se înţelege stabilirea
tipului de conducţie în curent continuu. Astfel, dacă dioda funcţionează în curent continuu în
conducţie directă, se spune că aceasta este polarizată direct. Analog, dacă dioda funcţionează în
curent continuu în conducţie inversă, se spune că aceasta este polarizată invers.
Funcţionarea în curent continuu a unei diode este complet caracterizată de către valoarea
curentului continuu care trece prin acesta şi de tensiunea continuă între terminalele diodei.
Perechea de mărimi electrice compusă din curentul continuu prin diodă şi de tensiunea continuă
pe diodă se numeşte Punct Static de Funcţionare, prescurtat PSF.
Punctul Static de Funcţionare furnizează întotdeauna informaţii despre regimul în care
funcţionează dioda. Această observaţie este valabilă şi pentru celelalte tipuri de dispozitive
semiconductoare.
Polarizarea diodei este realizată prin intermediul unui circuit special, numit circuit de
polarizare. Circuitul de polarizare conţine întotdeauna o sursă de alimentare (o sursă de tensiune
continuă sau o sursă de curent continuu), care se mai numeşte şi sursă de polarizare şi o rezistenţă
de polarizare care are rolul de a limita curentul prin diodă astfel încât aceasta să nu se distrugă.

2.2.7. Tipuri de diode.

Există variante diverse de diode care se deosebesc prin particularităţi funcţionale şi
destinaţie. Principalele categorii sunt prezentate în continuare.
Diode redresoare
Sunt diode destinate utilizării în circuite redresoare pentru reţeaua de c.a. Parametrii
principali sunt curentul maxim, I M şi tensiunea inversă maximă, U M . Plaja de valori ale acestor
parametrii este:
- amperi-zeci de mii de amperi, pentru I M ;
- zeci volţi - zeci de mii de volţi pentru U M .
Diodele de curenţi mari sunt construite în aşa mod încât să le poată fi ataşate radiatoare de
răcire. Diodele de curenţi mici sunt închise în capsule de plastic sau ceramică şi au catodul
marcat cu o bandă albă sau neagră.
Diode de comutaţie
Sunt diode destinate utilizării în circuite funcţionând în comutaţie sau la frecvenţe
ridicate. Parametrii principali sunt timpii de comutaţie.
Diode Schottky
Sunt diode realizate într-o tehnologie specială, de tip metal-semiconductor şi au simbolul
prezentat în Fig.2.16.a. Avantajele acestor diode sunt:
- tensiune mică în conducţie, aproximativ 0,3 V;
- timpi de comutaţie foarte mici.
Dezavantajul principal: - tensiune inversă maximă mică (zeci de volţi).
Dioda varicap
Denumirea diodei vine de la expresia capacitate variabilă. Simbolul este prezentat în
Fig.2.16.b. Dioda este utilizată în polarizare inversă şi proprietatea principală este că se comportă
în această situaţie ca un condensator cu capacitate variabilă, dependentă de tensiunea la borne.
Toate diodele au această proprietate dar diodele varicap sunt construite astfel încât dependenţa
capacitate-tensiune să aibă un profil optim. Zona de variaţie este în intervalul 1...100 picofarazi.
Domeniul principal de utilizare sunt radiocomunicaţiile, mai precis acordul circuitelor oscilante
din emiţătoare şi receptoare.

a) b)
Fig.2.16. a) Dioda Schottky. b) Dioda varicap.

Dioda Zener
Este o diodă construită pentru a fi utilizată în zona de străpungere inversă. Simbolurile
utilizate pentru dioda Zener şi caracteristica grafică sunt prezentate în Fig.2.18. În polarizare
directă este similară diodelor redresoare. În polarizare inversă dioda se străpunge la o tensiune
numită tensiune Zener, U Z , constantă pentru o anumită diodă. În zona de străpungere curentul
creşte până la o valoare maxim admisibilă, i M dar tensiunea rămâne aproape constantă. Rezistenţa
dinamică r Z în zona de străpungere este foarte mică.. Proprietatea de a menţine contantă
tensiunea pe o plajă mare de curenţi face ca dioda să fie utilizată îndeosebi în circuitele
stabilizatoare de tensiune.

Fig.2.17. Dioda Zener

LED – Diodă electroluminiscentă
La fel ca şi dioda, LED-ul permite trecerea curentului doar în conducţie directă, iar
trecerea curentului electric prin LED este semnalizată prin aprinderea acestuia.

a) b)
Fig.2.18. a) LED-ul – sau dioda electroluminiscentă; b) Simbolul electronic al LED-ului

LED-ul este furnizat de către producători sub diverse forme, prezentate în Fig.2.18. În
circuitele electronice, simbolul LED-ului este simbolizată ca în Fig.2.18.b. Spre deosebire de
dioda semiconductoare, LED-ul are o tensiune de prag V LED de aproximativ 1,6V.
3. APLICAŢII ALE DIODELOR
În acest capitol se va prezentată, câteva aplicaţii ale diodelor.

3.1. Redresoarele
Cea mai utilizată aplicaţie a diodelor este redresarea. Redresarea înseamnă conversia
curentului alternativ în curent continuu. Există mai multe tipuri de redresoare:
- redresor monofazat
Monoalternanţă;
Bialternanţă
- redresor polifazat (cel mai utilizat este cel trifazat)

3.1.1 Redresor monofazat monoalternanţă

Redresorul monofazat monoalternanţă este cel mai simplu redresor. Practic el permite
trecerea doar unei alternanţe prin consumator.
Schema de bază a redresorului este prezentată în Fig.3.1, unde D reprezintă o diodă
semiconductoare, denumită diodă redresoare, iar R este rezistenţa de sarcină a redresorului.

Fig.3.1. Schema redresorului monofazat monoalternanţă

În Fig.3.2 sunt prezentate tensiunea de intrare respectiv de ieşire a redresorul monofazat

monoalternanţă.

Fig.3.2. Variaţia tensiunilor de intrare respectiv de ieşire a redresorului monofazat

monoalternanţă.
 Funcţionarea redresorului depinde de alternanţa tensiunii sinusoidale de intrare. Astfel, în
alternanţa pozitivă, când tensiunea de intrare este pozitivă (mai mare decât 0), dioda D este
polarizată direct. Deoarece amplitudinea tensiunii de intrare este mult mai mare decât valoarea
tensiunii de prag a diodei (V D ≅0,7V), aceasta din urmă se poate considera nulă. În consecinţă,
comportamentul redresorului pentru cazul în care avem alternanţa pozitivă este aceea că
tensiunea de ieşire este egală cu tensiunea de intrare.
În alternanţa negativă, când tensiunea de intrare este negativă (mai mică decât 0), dioda D
este polarizată invers. Deoarece dioda D este alimentată invers ea este blocată şi nu permite
trecerea curentului prin ea. În acest caz tensiunea de ieşire devine la rândul său zero.
Se observă că variaţia tensiunii de ieşire s-a redus la jumătate din variaţia tensiunii de
intrare. Chiar şi cu această reducere, rezultatul nu este satisfăcător – este de dorit ca la ieşirea
redresorului să se obţină o tensiune de variaţie cât mai redusă, ideal de variaţie zero, adică o
tensiune continuă.
Pentru obţinerea unei variaţii şi mai reduse pentru tensiunea de ieşire a redresorului, la
ieşirea acestuia, în paralel cu R, se introduce un condensator de capacitate foarte mare, denumit
condensator de filtrare (Fig.3.3). Rolul condensatorului este de a limita variaţia tensiunii de ieşire.

Fig.3.3. Schema redresorului monofazat monoalternanţă cu condensator de filtrare.

În Fig.3.4 se prezintă variaţia tensiunii de ieşire pentru cazul în care redresorul dispune de
un condensator de filtrare.

Fig.3.4. Variaţia tensiunilor de intrare respectiv de ieşire a redresorului monofazat

monoalternanţă cu condensator de filtrare.

Pentru cele mai multe aplicaţii redresarea obţinută în urma redresorului monoalternanţă
nu este suficientă. Un mare defect a acestui redresor este acela că sursa de alimentare nu
furnizează putere consumatorului decât pe o singură alternanţă şi prin urmare sursa este folosită
doar la jumătate din capacitatea ei.

3.1.2 Redresor monofazat bialternaţă

Redresoarele monofazate bialternanţă sunt mai performante şi permite folosirea ambelor
alternanţe ale sursei de alimentare (cea pozitivă şi cea negativă). Există două variante de bază a
redresorului bialternanţă: cu priză mediană şi în punte.
 Redresorul cu priză mediană (Fig.3.5) foloseşte un transformator a cărui secundar are o
priză mediană, şi două diode.

Fig.3.5. Schema redresorului monofazat bialternanţă cu priză mediană.

În Fig.3.6 este prezentată modul de circulaţie a curenţilor în funcţie de alternanţa sursei de

alimentare.
Dacă se consideră că sursa este în alternanţa pozitivă (Fig.3.6.a), se observă că doar dioda
D1 este în conducţie (polarizată direct), dioda D2 fiind blocată (polarizată invers). În acest caz se
poate observa circuitul de închidere a curentului, din partea superioară a transformatorului, prin
dioda D1 ajunge la rezistenţa R şi în final la priza mediană.
Dacă se consideră că sursa este în alternanţa negativă (Fig.3.6.b), se observă că dioda D1
este blocată, dioda D2 este în conducţie. În acest caz circuitul de închidere a curentului este de la
partea inferioară a transformatorului, prin dioda D2 ajunge la rezistenţa R şi în final la priza
mediană.

a) Dioda D1 în conducţie b) Dioda D2 în conducţie

Fig.3.6. Modul de funcţionare a redresorului cu priză mediană în funcţie de alternanţa sursei.

În Fig.3.7 se prezintă variaţia tensiunilor de intrare, respectiv de ieşire pentru redresorul

monofazat bialternanţă.
În concluzie se poate spune că redresorul prezentat mai sus utilizează ambele alternanţe
ale sursei de alimentare, furnizând consumatorului aproape toată puterea sursei.
Dezavantajul principal al acestui redresor este faptul că necesită un transformator cu priză
mediană. Din acest motiv acest tip de redresor este folosit doar în aplicaţii de putere mică,
deoarece la o aplicaţie de putere mare transformatorul ar avea o dimensiunea ridicată.
Pentru înlăturarea acestui dezavantaj s-a realizat redresorul monofazat bialternanţă în
punte. Acest redresor conţine patru diode şi este prezentat în Fig.3.8.
Funcţionarea redresorului depinde de alternanţa sursei de alimentare, iar în Fig. 3.9 se
prezintă circulaţia curentului în funcţie de alternanţa sursei de alimentare.
Dacă se consideră că sursa este în alternanţa pozitivă (Fig.3.9.a) atunci circulaţia
curentului este de la partea superioară a sursei prin dioda D1 ajunge la rezistenţa R. De aici prin
dioda D2 ajunge la partea inferioară a sursei. În acest caz se poate spune că diodele D1 şi D2 sunt
în conducţie (polarizate direct), iar diodele D3 şi D4 sunt blocate (polarizate invers).

Fig.3.7. Variaţia tensiunilor de intrare respectiv de ieşire a redresorului monofazat bialternanţă.

Fig.3.8. Schema redresorului monofazat bialternanţă în punte.

Dacă considerăm că sursa de alimentare este în alternanţa negativă (Fig.3.9.b), atunci

circulaţia curentului este de la partea inferioară a sursei, prin dioda D3 ajunge la rezistenţa R. De
aici, prin dioda D4 ajunge la partea superioară a sursei. În acest caz se poate spune că diodele D1
şi D2 sunt blocate, iar diodele D3 şi D4 sunt în conducţie.

a) Dioda D1 în conducţie b) Dioda D2 în conducţie

Fig.3.9. Modul de funcţionare a redresorului în punte în funcţie de alternanţa sursei.
 Dezavantajul principal al redresorului în punte este acela că la fiecare alternanţă se
înseriază două diode, iar în cazul diodelor de Si căderea de tensiune este de 1,4V. Bineînţeles
acesta este un dezavantaj pentru consumatorii ce necesită o tensiune de alimentare foarte mică.
Pentru obţinerea unei variaţii mai reduse pentru tensiunea de ieşire a redresorului, la
ieşirea acestuia, în paralel cu R, se introduce un condensator de capacitate foarte mare, denumit
condensator de filtrare Fig.(3.10).

Fig.3.10. Schema redresorului monofazat bialternanţă în punte cu condensator de filtrare.

În Fig.3.11 se prezintă variaţia tensiunii de ieşire pentru cazul în care redresorul dispune
de un condensator de filtrare.

Fig.3.11. Variaţia tenisiunii de ieşire pentru redresorul monofazat bialternanţă cu condensator de

filtrare.

3.1.3 Redresor trifazat.

Acest redresor (Fig.3.12) transformă curentul alternativ trifazat în curent continuu. El
conţine câte o pereche de diode pentru fiecare fază. O diodă funcţionează în alternanţa pozitivă şi
cealaltă în alternanţa negativă.

Fig.3.12. Schema redresorului trifazat.

 Redresarea curentului alternativ trifazat va conduce la o formă mai dreaptă a curbei
curentului continuu, deci curba curentului continuu va conţine o componentă alternativă mai
scăzută. Acesta este şi principalul avantaj al redresării curentului trifazat alternativ.

Fig.3.12. Variaţia tensiunii de ieşire pentru redresorul trifazat.

3.2. Detector de vârf.

Un detector de vârf (Fig.3.13.a) este format din conectarea în serie a unei diode şi un
condensator, care scoate la ieşire o tensiune în curent continuu egală cu valoarea tensiunii de vârf
din curent alternativ.

a) b)
Fig.3.13. a) Schema detectorului de vârf. b) Variaţia tensiunii de alimentare (U1) şi tensiunea pe
condensator (U2)

Practic dacă se aplică o tensiune alternativă detectorului de vârf, în alternanţa pozitivă,

dioda acestuia intră în conducţie şi încarcă condensatorul cu o tensiune egală cu amplitudinea
tensiunii alternative. În momentul în care tensiunea sursei scade sub valoarea tensiunii din
condensator, dioda se blochează şi nu permite descărcarea condensatorului spre sursă. Din acest
motiv condensatorul reţine valoarea de vârf chiar şi când curba tensiunii trece prin zero
(Fig.3.13.b).
 Din punct de vedere funcţional detectorul de vârf este identic cu redresorul monofazat
monoalternanţă cu condensator de filtrare.

3.3. Limitatoare de tensiune.

Limitatoarele de tensiune sunt circuite care conţin o rezistenţă şi una sau două diode şi
care se folosesc pentru limitarea tensiunii de ieşire pe alternanţa pe care este montată dioda, la o
valoare care depinde de tipul diodei folosite. În Fig.3.13.a se prezintă un limitator de tensiune
care limitează valoarea tensiunii pe alternanţa negativă.
Circuitul funcţionează astfel: pe alternanţa pozitivă dioda este blocata (polarizată invers)
şi la ieşire avem o tensiune mai mică decât cea a sursei datorită căderii de tensiune de pe
rezistenţa R; pe alternanţa negativă dioda D intră în conducţie, iar tensiunea remanentă U2 va fi
de 0,7V în cazul în care dioda folosită este o diodă standard din Si.

a) b)
Fig.3.13. a) Schema limitatorului de tensiune pe alternanţa negativă. b) Variaţia tensiunii de
alimentare (U1) şi a tensiunii remanentă (U2)

În Fig.3.14 se prezintă un limitator de tensiune care limitează tensiunea pe ambele

alternanţe. Practic pe alternanţa pozitivă tensiunea este limitată de dioda D1 care intră în
conducţie, cealaltă fiind blocată. În alternanţa negativă tensiunea este limitată de dioda D2 care
intră în conducţie.

a) b)
Fig.3.14. a) Schema limitatorului de tensiune pe ambele alternanţe. b) Variaţia tensiunii de
alimentare (U1) şi a tensiunii remanentă (U2)
3.4. Multiplicatoare de tensiune.
Un multiplicator de tensiune este un circuit care creşte valoarea tensiunii în curent
continuu la o valoare care este de câteva ori mai mare decât amplitudinea tensiunii de alimentare.
În continuare se va prezenta în detaliu dublorul de tensiune urmat de prezentarea schematică a
altor multiplicatoare de tensiune (Fig.3.16).
Dublorul de tensiune (Fig.3.15.a) este un circuit electronic care are la ieşire o tensiune
continuă care are valoarea egală cu dublul tensiunii de alimentare (Fig.3.15.b). De exemplu dacă
tensiunea de alimentare este de 5V, în alternanţa negativă dioda D1 intră în conducţie, ceea ce
conduce la încărcarea condensatorului C1 cu 5V (4,3V dacă se ţine cont de căderea de tensiune
pe diodă). În alternanţa pozitivă, dioda D2 intră în conducţie şi se încarcă condensatorul C2,
dioda D1 fiind blocată nu permite descărcarea condensatorului C1 spre sursă. În final tensiunea în
punctul 3 este suma tensiunilor pe cele două condensatoare (Fig.3.15.b – U3(t) ) adică 10V (8,6V
dacă se ţine cont de căderea de tensiune pe diode).

a) b)
Fig.3.15. a) Schema dublorului de tensiune. b) Variaţia tensiunilor din circuit.

Fig.3.16. a) Schema tripliorului de tensiune.

Fig.3.17. Schema unui multiplicator de tensiune.

3.5. Circuite de comutare a bobinelor.
Dacă se consideră un circuit simplu în care o bobină este alimentată în curent continuu
prin intermediul unui comutator (Fig.3.18.a). La închiderea comutatorului se stabileşte
continuitatea circuitului şi astfel apare un curent care străbate bobina şi care generează un câmp
magnetic în jurul bobinei (Fig.3.19.b). La deschiderea comutatorului curentul devine nul, iar
câmpul magnetic existent se reduce rapid generând în bobină o supratensiune (Fig.3.18.c şi d).

Fig.3.18. Fenomenul de cuplare şi decuplare a unei bobine prin intermediul unui comutator.

Dacă în circuitul prezentat anterior se introduce o diodă de protecţie (Fig.3.19.a), se

observă că aceasta nu intervine în circulaţia curentului atât timp cât comutatorul este închis
(Fig.3.19.b) deoarece dioda este polarizată invers. În momentul deschiderii comutatorului,
curentul din bobină generează un o tensiune inversă care polarizează direct dioda şi aceasta intră
în conducţie (Fig.3.19.c).

Fig.3.19. Fenomenul de cuplare şi decuplare a unei bobine prin intermediul unui comutator dacă
în circuit există o diodă de protecţie.

Un dezavantaj major a acestei scheme este faptul că dispariţia câmpului magnetic din
bobină este foarte lentă, deoarece curentul care se stabileşte în circuit se disipă pe rezistenţa
diodei care are o valoare foarte mică. Din fericire există o metodă de înlăturare a acestui defect.
Dacă în serie cu dioda se conectează o rezistenţă (Fig.3.20), demagnetizarea este cu atât mai
rapidă cu cât rezistenţa are o valoare mai mare.

Fig.3.20. Fenomenul de cuplare şi decuplare a unei bobine prin intermediul unui comutator dacă
în circuit există o diodă de protecţie înseriată cu o rezistenţă.
 Dacă se analizează Fig.3.20.b se poate observa că în cazul în care circuitul este fără diodă
de protecţie (curba - c) valoarea tensiunii inverse este foarte mare putând crea pagube circuitului.
În cazul în care se montează dioda de protecţie (curba - e) se observă apariţia unei tensiuni
inverse de o valoare egală cu valoarea tensiunii sursei de alimentare şi din care se scade căderea
de tensiune pe diodă. Ultima situaţie, cea în care există şi un rezistor de descărcare (curba - d),
conduce la o tensiune inversă de o valoare scăzută care dispare foarte repede din circuit.

3.6. Circuite logice cu diode.

Un circuit logic este acel circuit în operează în matematica Booleană. Într-un circuit logic
o tensiune egală sau apropiată de tensiunea sursei de alimentare înseamnă “1” logic, iar o
tensiune nulă, negativă sau pozitivă apropiată de zero reprezintă “0” logic. Cu ajutorul diodelor
se pot obţine diferite circuite logice.
Cele mai uzuale circuite logice sunt cele care realizează funcţii logice cum ar fi funcţiile
„SI”, „SAU” etc.
În Fig.3.21 se prezintă un circuit cu trei intrări care realizează o funcţie SI. La ieşirea Y
avem tensiunea de 5V prin rezistenţa R, atât timp cât diodele D1, D2 sau D3, nu intră în
conducţie. Diodele pot intra în conducţie în momentul când tensiunea aplicată la catod este mai
mică decât diferenţa dintre tensiunea de alimentare şi căderea de tensiune pe diodă. În concluzie,
dacă în punctele A, B şi C avem tensiuni de 5V (1 logic), atunci diodele sunt blocate şi la ieşirea
Y avem tot 5V (1 logic). Dacă la oricare dintre intrări avem 0V (0 logic) atunci dioda care are
catodul la ieşirea respectivă intră în conducţie şi la ieşirea Y avem 0V (0 logic).

Fig.3.21. Circuit logic care realizează funcţia SI.

În Fig.3.22 se prezintă un circuit cu două intrări care realizează o funcţie SAU. Dacă la
intrările A şi B avem tensiuni de 0V (0 logic), diodele sunt blocate şi la ieşirea Y vom avea tot
0V (0 logic). Dacă la oricare dintre intrări se aplică o tensiune de 5V (1 logic), dioda care are
anodul conectat la acea ieşire intră în conducţie şi la ieşirea Y avem o tensiune de 5V (1 logic)

Fig.3.22. Circuit logic care realizează funcţia SAU.

3.7. Stabilizatoare de tensiune.
Un stabilizator de tensiune este un circuit electronic care păstrează constantă tensiunea de
ieşire la variaţii între anumite limite ale tensiunii de intrare. În general stabilizatoarele de tensiune
se realizează cu diode Zener.
Se consideră schema din Fig.3.23 în care există o diodă Zener (DZ) polarizată invers care
are tensiunea Zener (căderea de tensiune inversă) de 12,6V. Mai există o rezistenţă R de limitare
a curentului prin circuit şi o rezistenţă de sarcină Rs (rezistenţa consumatorului). Datorită diodei
Zener tensiunea la bornele rezistenţei de sarcină va fi constantă (12,6V). Bineînţeles acest lucru
este valabil atât timp cât valoarea rezistenţei R nu este prea mare cea ce ar produce o cădere de
tensiune mare pe ea, iar la bornele consumatorului vom avea o tensiune mai mică de 12,6V. În
această situaţie dioda Zener nu mai are nici un rol în circuit.

Fig.3.23. Stabilizator de tensiune cu diodă Zener.

Valoarea tensiunii inverse pentru cele mai utilizate diode Zener este prezentată în tabelul
de mai jos.
0.5W 1.3W
2.7V 3.0V 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 6.8V 7.5V 8.2V
4.3V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 9.1V 10V 11V 12V 13V 15V 16V
6.8V 7.5V 8.2V 9.1V 10V 18V 20V 22V 24V 27V 30V 33V
11V 12V 13V 15V 16V 36V 39V 43V 47V 51V 56V 62V
18V 20V 24V 27V 30V 68V 75V 100V 200V
Tranzistorul
Tranzistorul este un dispozitiv semiconductor activ cu trei terminale, şi care conţine două
sau mai multe joncţiuni p-n. Tranzistorul este dispozitivul esenţial al oricărui circuit electronic.
De exemplu se ştie că procesoarele de generaţie nouă de la Intel au zeci de milioane de
tranzistoare cu efect de câmp.
Clasificarea tranzistoarelor:
 tranzistor bipolar (TB): n-p-n; p-n-p;
 tranzistor cu efect de câmp (TEC):
– TECMOS:
– cu canal indus: canal n; canal p;
– cu canal iniţial: canal n; canal p;
– TEC-J: canal n; canal p;

4. TRANZISTORUL BIPOLAR
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv format din trei straturi de material semiconductor la
care se conectează trei electrozi. Cele trei straturi semiconductoare formează două joncţiuni p-n.
În funcţie de ordinea de amplasare a straturilor semiconductoare se disting două tipuri de TB:
- p-n-p care conţine două straturi semiconductoare de tip p, între care se găseşte un strat
semiconductor de tip n (Fig.4.1.a);
- n-p-n care conţine două straturi semiconductoare de tip n, între care se găseşte un strat
semiconductor de tip p (Fig.4.1.b).
JE JC JE JC
E C E C
p n p n p n

B B
E C E C

B B
a) Tranzistor p-n-p. b) Tranzistor n-p-n.
Fig.4.1. Structura şi simbolul tranzistorului.

Pentru ambele tipuri de tranzistoare, stratul din mijloc este foarte subţire, iar electrodul
corespunzător se numeşte Bază şi se notează cu B. Nici straturile exterioare nu sunt identice. Un
strat este mai subţire şi este mai puternic impurificat, iar electrodul corespunzător se numeşte
Emitor şi se notează cu E. Ultimul strat este cel mai gros, iar electrodul corespunzător se numeşte
Colector şi se notează cu C.

4.1. Clasificarea tranzistoarelor bipolare.

Un tranzistor este caracterizat printr-o multitudine de parametrii, valori limită sau valori
maxim admisibile date de fabricant ca şi date de catalog. Depăşirea valorilor maxim admisibile
provoacă distrugerea tranzistorului. Tot ca şi date de catalog se regăsesc şi caracteristicile de
intrare, de ieşire, de transfer, etc.
 Dacă se notează cu I CM valoarea maximă a curentului din colector, şi cu P DM valoarea
puterii maxime ce poate fi disipată (prin efect Joule), atunci tranzistoarele pot fi clasificate astfel:
- tranzistoare de mica putere, cu I CM 100mA…500mA şi P DM 100mW…1W;
- tranzistoare de putere medie, I CM : 500mA…5A; P DM : 1W…5W;
- tranzistoare de putere, I CM : 5A…50A; P DM : 5W…100W;
- tranzistoare de mare putere, I CM : 50A…sute A; P DM : 100W…zeci KW.
Dacă notăm cu U CE0 valoarea maxim admisibila a tensiunii între colector şi emitor,
valoare ce reprezintă valoarea maximă a tensiunii sursei de alimentare care alimentează circuitul
care utilizează tranzistorul respectiv, atunci tranzistoarele pot fi clasificate astfel:
- tranzistoare de joasă tensiune, cu U CE0 în plaja 20V…100V;
- tranzistoare de înaltă tensiune, U CE0 : 100V…mii V.
Tranzistoarele mai pot fi clasificate în funcţie de frecvenţa pentru care sunt proiectate să
funcţioneze:
- tranzistoare de joasă frecvenţă sau de audiofrecvenţă (sute KHz …MHz);
- tranzistoare de înaltă frecvenţă sau radiofrecvenţă (MHz…sute MHz);
- tranzistoare de foarte înaltă frecvenţă (MHz…GHz).

4.2. Principiu de funcţionare.

După cum s-a precizat anterior, tranzistorul are două joncţiuni p-n, una între bază şi
emitor (BE) şi una între bază şi colector (BC). Dacă s-ar considera cele două joncţiuni ca fiind
independente s-ar putea spune că „tranzistorul este o conexiune între două diode conectate una
invers faţă de cealaltă” (Fig.4.2). Dacă se ia în considerare un tranzistor n-p-n putem spune că
avem două diode care au anodul comun şi conectat la electrodul B. În această situaţie oricum am
alimenta circuitul, o diodă va fi în conducţie iar cealaltă va fi blocată, iar prin circuitul în care
sunt montate nu va circula curent.

Fig.4.2. Schemă echivalentă cu două diode.

În realitate datorită faptului că stratul semiconductor median este foarte subţire apare aşa
numitul efect de tranzistor, care permite circulaţia curentului între C şi E. Efectul de tranzistor
permite trecerea curentului printr-o joncţiune polarizată invers (BC) datorită interacţiunii ei cu o
joncţiune polarizată direct (BE) situată în imediata ei vecinătate. Circulaţia curenţilor prin
tranzistor este prezentată în Fig.4.3.
Dacă se ia în considerare tranzistorul n-p-n, la care joncţiunea BE este polarizată direct şi
joncţiunea BC este polarizată invers atunci putem spune că tensiunea dintre colector şi emitor
este pozitivă şi mai mare decât tensiunea dintre bază şi emitor care este de aproximativ 0,7V. În
această situaţie va exista o circulaţie de curent de valoare mare de la colector la emitor, curent
care depinde de valoarea curentului de comandă, adică curentul dintre bază şi emitor.

a) Tranzistor n-p-n. b) Tranzistor p-n-p.

Fig.4.3. Circulaţia curenţilor prin tranzistor.

Din cele prezentate anterior, rezultă că pentru a conecta un tranzistor într-un circuit,
trebuie să cunoaşte succesiune terminalelor sale. Acest lucru îl putem găsii în datele de catalog
ale tranzistorului respectiv. Dacă nu avem la dispoziţie aceste date sau dacă nu ştim ce tip de
tranzistor avem, acestea se pot determina printr-o metodă practică.
Se consideră tranzistorul din Fig.4.4. Pentru a determina terminalele tranzistorului şi tipul
său avem nevoie de un aparat de măsură care are funcţie de măsurat diode.

Fig.4.4. a) Tranzistor necunoscut b) după determinare.

Cu ajutorul aparatului de măsură se efectuează şase măsurători după cum urmează:

- borna „+” conectată la terminalul 1 şi borna „–” la terminalul 2: „OL”
- borna „+” conectată la terminalul 2 şi borna „–” la terminalul 1: „0,628V”
- borna „+” conectată la terminalul 2 şi borna „–” la terminalul 3: „OL”
- borna „+” conectată la terminalul 3 şi borna „–” la terminalul 2: „OL”
- borna „+” conectată la terminalul 1 şi borna „–” la terminalul 3: „OL”
- borna „+” conectată la terminalul 3 şi borna „–” la terminalul 1: „0,664V”
În urma măsurătorilor se observă că avem indicaţie de prezenţă tensiune pentru două
măsurători. Tensiunea apare la borne când este polarizată direct o joncţiune. Din prima
măsurătoare care indică tensiune rezultă o joncţiune care are anodul la terminalul 2 şi catodul la
terminalul 1. Din a doua măsurătoare care indică tensiune rezultă o joncţiune care anodul la
terminalul 3 şi catodul la terminalul 1.
Dacă se analizează construcţia tranzistorului se observă că cele două joncţiuni ale sale au
un terminal comun şi anume Baza. Din măsurătorile de mai sus putem spune că Baza este
conectată la terminalul 1. Ţinând cont că din măsurătorile care au indicat tensiune de fiecare dată
borna „–” a fost conectată la terminalul 1 rezultă că acest terminal este conectat la un stat
semiconductor de tip n, de unde rezultă ca tranzistorul este de tip p-n-p. Din măsurătoarea care
indică tensiune mai mare, rezultă joncţiunea dintre bază şi emitor şi de aici rezultă că terminalul 3
este Emitorul. În cele din urmă rezultă că terminalul 2 este Colectorul.
 Dacă după efectuarea tuturor măsurătorilor avem o singură măsurătoare care indică
tensiune sau avem măsurători care în loc de „OL” indică o valoare mică sau chiar „0”, înseamnă
că tranzistorul este defect sau este de alt tip (nu este tranzistor bipolar).

4.3. Zone de funcţionare a tranzistorului bipolar.

Funcţionarea tranzistorului este strict dependentă de modul cum este conectat în circuit,
mai precis în funcţie de modul de alimentare a celor trei electrozi. În funcţie de tensiunile aplicate
electrozilor, cele două joncţiuni ale tranzistorului pot fi polarizate direct sau invers. Rezultă că
tranzistorul poate avea patru zone de funcţionare (Fig.4.5).
UBC UBC
Regiune Regiune
activă Regiune de activă Regiune de
inversă saturaţie blocare

UBE UBE
Regiune de Regiune Regiune de Regiune
blocare activă saturaţie activă
inversă

a) Tranzistor n-p-n. b) Tranzistor p-n-p.

Fig.4.5. Zonele de funcţionare a tranzistorului ca funcţie de tensiunile de alimentare.

Regimul de blocare.
Regimul de blocare se obţine atunci când tensiune dintre Bază şi Emitor scade sub
valoarea de polarizare a joncţiunii (0,7 pentru Si), iar joncţiunea dintre Bază şi Colector rămâne
polarizată invers. În acest regim prin tranzistor nu circulă curent şi el se comportă ca şi o
rezistenţă de valoare infinită, sau un contact deschis (Fig.4.6.a).
Regimul de saturaţie.
Un tranzistor este în regim de saturaţie când valoarea curentului de comandă creşte şi
implicit creşte curentul principal până la o limita la care tensiunea între colector şi emitor scade
sub 0,7V, deci potenţialul colectorului devine mai mic decât al bazei. Din acest moment
joncţiunea dintre Bază şi Colector este polarizată direct. În practică tensiunea Colector-Emitor nu
poate fi scăzută sub o valoare de 0,2V. Din momentul intrării în saturaţie curentul principal
rămâne la valoarea de saturaţie şi nu mai este proporţional cu acela de comanda. Curentul de
comandă poate să crească în continuare dar nu mai influenţează curentul principal. Dacă se
neglijează căderile de tensiune pe joncţiunile deschise tranzistorul este echivalent cu un nod de
circuit (Fig.4.6.b).
În acest regim tranzistorul poate fi folosit ca şi element de comutaţie. Practic tranzistorul
va fi în regim blocat pentru a avea rol de contact deschis şi va fi în regim de saturaţie pentru a
avea rol de contact închis.
Regimul activ.
Regimul activ este regimul normal al tranzistorului pentru majoritatea aplicaţiilor. În acest
regim tranzistorul este străbătut de un curent de valoare mare între Colector şi Emitor, valoare
care depinde de valoarea curentului dintre Bază şi Emitor.
 În acest regim tranzistorul poate fi echivalat cu o diodă conectată între Bază şi Emitor şi o
sursă de curent conectată între Colector şi Emitor (Fig.4.6.c). Sursa de curent echivalentă
generează un curent constant iE= β ⋅ iB , care este proporţional cu valoarea curentului iB (denumit
şi curent de comandă) care parcurge dioda.
Din cele expuse mai sus rezultă că tranzistorul care funcţionează în zona activă are rol de
amplificator.

a) b) c)
Fig.4.6. Simbolizarea tranzistorului a) Regim de blocare; b) Regim de saturaţie; c) Regim activ.

4.4. Caracteristicile grafice ale tranzistorului.

Pentru a utiliza un tranzistor trebuie să se cunoască modul în care el poate fi echivalat în
schemele electrice. Din punct de vedere al calculului numeric există mai multe posibilităţi de a
considera un tranzistor. Una dintre posibilităţi ar fi considerarea ecuaţiilor matematice, dar
această metodă este foarte dificilă. Din acest motiv cele mai utilizate metode sunt: liniarizarea
circuitului şi caracteristicile grafice.
Pentru a discuta de caracteristicile grafice ale tranzistorului, trebuie să se cunoască
modurile în care el poate fi conectat într-un circuit. Pentru conectarea într-un circuit tranzistorul
se conectează cu un terminal la intrare, unul la ieşire şi cel de-al treilea va fi comun. Din acest
punct de vedere tranzistorul poate fi întâlnit în trei ipostaze: bază comună (BC), emitor comun
(EC), colector comun (CC) (Fig.4.7).
IE
BC IC EC IC CC IE
IB IB
Iieş. I ieş. Iieş.
Iintr.
IB Iintr. IE Iintr. IC

a) Bază comună b) Emitor comun c) Colector comun

Fig.4.7. Moduri de conectare a tranzistorului în circuit.

În continuare se vor prezenta caracteristicile grafice ale tranzistorului pentru varianta cu

emitor comun. Producătorii furnizează în cataloage o mulţime de caracteristici grafice. Dintre
acestea cele mai importante sunt caracteristica de intrare şi caracteristica de ieşire.
Dacă se reprezintă grafic curentul din bază ca funcţie de tensiune Bază-Emitor se obţine
caracteristica de intrare (Fig.4.8). Practic această caracteristică este asemănătoare cu
caracteristica grafică a unei diode. Ca şi în cazul diodei, joncţiunea Bază-Emitor întră în
conducţie la o tensiune de aproximativ 0,7V (în cazul tranzistorului din Si). Bineînţeles această
joncţiune are şi o tensiune inversă maximă care poate fi aplicată, dar care are valori mult mai
mici (datorită faptului că stratul semiconductor din Bază este de dimensiuni foarte reduse) decât
în cazul diodelor. În general tensiunea maximă inversă poate fi de aproximativ 5V, şi din acest
motiv tranzistorul poate fi protejat la tensiune inversă cu ajutorul unei diode conectată cu anodul
la emitor şi cu catodul la bază.

Fig.4.8. Caracteristica de intrare a tranzistorului.

Caracteristica de ieşire este o reprezentare grafică a curentului din colector ca funcţie de

tensiunea Colector-Emitor. În general această grafic se reprezintă ca şi o familie de caracteristici,
fiecare caracteristică depinzând ce curentul de comandă (curentul din bază) (Fig.4.9).

Fig.4.9. Caracteristica de ieşire a tranzistorului în conexiune Emitor comun.

Pe caracteristica de ieşire există patru zone:

– zona A este zona de blocare a tranzistorului;
– zona B este zona de saturaţie a tranzistorului;
– zona C este zona cu putere maximă de disipaţie;
– zona cuprinsă între aceste zone este zona activă a tranzistorului.
Tot din grafic se poate observa că un tranzistor la un moment dat trebuie să se într-un
anumit punct de funcţionare P(U CE , I C ). Acest punct de funcţionare depinde de mai mulţi factori
cum ar fi: valoarea curentului de comandă, valoarea factorului de amplificare în curent, valoarea
temperaturii tranzistorului, etc.
Pentru determinarea punctului static de funcţionare a unui tranzistor trebuie să
determinăm valoarea curentului din colector şi tensiunea Colector-Emitor. Pentru determinarea
lor se poate utiliza orice teoremă de calcul a circuitelor electrice. În special pentru aplicaţii simple
cel mai rapid mod de obţinere a rezultatului este aplicarea teoremei a doua a lui Kirchhoff.

4.5. Circuite de polarizare a tranzistoarelor.

Din cele prezentate anterior se ştie că tranzistorul în zona activă are rol de amplificator.
Pentru a-şi face funcţia cât mai corect acesta trebuie să respecte câteva condiţii dintre care se
menţionează:
– polarizarea corectă a joncţiunilor;
– stabilitate la variaţii ale tensiunii de alimentare;
– stabilitate la variaţii de temperatură.
Pentru înlăturarea efectelor variaţiilor de tensiune se folosesc surse de tensiune stabilizate.
Variaţiile de temperatură care apar datorită modificărilor de temperatură din mediul înconjurător
şi datorită pierderilor din tranzistor prin efect Joule, sunt mai greu de controlat. În general pentru
controlarea lor intervin costuri considerabile care în general nu sunt justificabile.
Cel mai important lucru pentru o funcţionare corectă este polarizarea tranzistorului.
Aceasta se poate face prin mai multe metode.
Cel mai simplu circuit de polarizare a tranzistorului este circuitul de polarizare în curent
(Fig.4.10.a). Dacă se aplică o teoremă de calcul a circuitului electric, se obţin valorile curentului
din colector şi a tensiunii Colector-Emitor ca fiind:
V − U BE
I=C β 0 ⋅ CC
RB
U= CE VCC − RC I C
Din relaţiile de mai sus se observă dezavantajele acestei scheme. Primul dezavantaj ar fi
sensibilitatea foarte mare la variaţiile de temperatură. Practic la o variaţie de câteva zeci de grade
tranzistorul poate ajunge din regimul activ în regimul de saturaţie. Un al doilea dezavantaj este că
pentru cunoaşterea punctului de funcţionare trebuie să se cunoască foarte exact valoarea
factorului de amplificare în curent ( β 0 ).
Dacă se ia în considerare circuitul de polarizare cu rezistenţă de compensare termică
(Fig.4.10.b) şi se aplică o teoremă de calcul al circuitului se obţin următoarele relaţii:
V − U BE
I C = CC
R
RE + B
β0
U CE = VCC − ( RC + RE ) I C

Din relaţiile de mai sus se observă că valoarea curentului din colector depinde şi de
rezistenţa din emitor care în general are o valoare mai mare. Din acest motiv această schemă este
mai puţin sensibilă la variaţia de temperatură. Deoarece valoarea rezistenţei din emitor este mai
mare înseamnă că variaţia termenului RB β 0 influenţează mai puţin valoarea curentului din
colector şi deci schema este mai puţin sensibilă şi la variaţia factorului de amplificare în curent.
 Circuitul de polarizare cu divizor rezistiv (Fig.4.10.c) are următoarele formule de calcul
ale mărimilor de ieşire:
R2
⋅ VCC − U BE
R1 + R2
IC =
R1 ⋅ R2
R + R2
RE + 1
β0
U CE = VCC − ( RC + RE ) I C
Din relaţiile de mai sus se observă că influenţa factorului de amplificare este mai redus
decât la schemele anterioare şi de aici rezultă că această circuit este cel mai bun pentru realizarea
polarizării tranzistorului.
Ultimul circuit de polarizare prezentat este circuitul cu diodă Zener (Fig.4.10.d). Acesta
are avantajul că datorită diodei Zener, potenţialul aplicat Bazei este în permanenţă constant.

a) Circuit de polarizare în curent b)Circuit de polarizare cu rezistenţă de compensare termică

c) Circuit de polarizare cu divizor rezistiv d) Circuit de polarizare cu diodă Zener

Fig.4.10. Scheme de polarizarea ale tranzistorului.
4.6. Tranzistorul bipolar în regim de comutaţie.
În regim de comutaţie rolul tranzistorului este de a permite sau nu permite stabilirea unui
curent între terminalele Colector şi Emitor. În concluzie pentru ca un tranzistor să funcţioneze în
regim de comutaţie el trebuie să funcţioneze în regimul de saturaţie (pentru închiderea circuitului)
şi în regimul de blocaj (pentru deschiderea circuitului).
Din Fig.4.11 se observă că în momentul când se aplică o tensiune mai mare de 0,7V
terminalului Bază, joncţiunea bază-emitor intră în conducţie. Timpul de intrare în conducţie a
acestei joncţiuni (t i ) este similar cu timpul de intrare în conducţie a unei diode. După ce această
joncţiune este în conducţie, intră în conducţie şi joncţiunea bază-colector care are un timp de
întârziere (t cr ) ceva mai mare. Împreună cei doi timpi formează timpul de închiderea a circuitului
denumit şi timp de comutaţie directă (t cd ).

Fig.4.11. Forma de undă a curenţilor prin tranzistor când acesta funcţionează în regim de
comutaţie.

La anularea tensiunii de comandă din Bază, joncţiunea bază-emitor se blochează, iar

curentul din bază scade până la o valoare maximă negativă (a se vedea funcţionarea diodei în
regim de comutaţie), valoare care se păstrează un anumit timp. Momentul de la dispariţia
tensiunii din bază şi până când începe creşterea curentului din bază de la valoarea maximă
negativă spre 0 poartă denumirea de timp de stocare (t s ), deoarece pe această durată joncţiunea
bază-colector rămâne în conducţie, iar curentul din colector se păstrează aproximativ la aceiaşi
valoare. Durata în care curentul din bază creştere de la valoarea maximă negativă până la 0,
poartă denumirea de timp de cădere (t c ). Împreună cei doi timpi formează timpul de comutaţie
inversă a tranzistorului (t ci ).
În concluzie, tranzistorul în regim de comutaţie funcţionează ca şi un comutator
comandat.
4.7. Fototranzistorul.
Fototranzistorul este în general un tranzistor de tip n-p-n, a cărui bază nu este conectată
într-un circuit de electric. Practic rolul curentului din bază îl preia fotonii care generează în bază
un curent care are rol de a polariza joncţiunea bază-emitor.

Fig.4.12. Simbolul şi modul de construcţie a unui fototranzistor.

Rolul curentului din bază din care rezulta caracteristica de ieşire a tranzistorului, este
preluat pentru fototranzistor de gradul de iluminare (Fig.4.13). Din această figură se poate
observa că dacă avem o lumină mai puternică pentru polarizare, valoarea curentului din colector
creşte.

Fig.4.13. Caracteristica de ieşire a fototranzistorului.

Cea mai importantă aplicaţie a fototranzistorului este optocuplorul, un circuit electronic

care face izolaţie optică între două circuite electrice diferite. Cu alte cuvinte dacă vrem să
comandăm curentul dintr-un circuit, cu ajutorul curentului din alt circuit, fără a exista nici o
legătură electrică între ele, în circuitul de comandă introducem o diodă luminiscentă care produce
o iluminare. În circuitul comandat introducem un fototranzistor care preia lumina de la dioda
luminiscentă. Bineînţeles optocuplorul conţine cele două elemente încapsulate pentru că în caz
contrar fototranzistorul ar putea intra în conducţie de la lumina exterioară.
5. APLICAŢII TRANZISTOARE
5.1. Amplificator cu TB în conexiune emitor comun (EC).
În figura 5.1 este prezentată schema cea mai frecvent întâlnită a unui etaj de amplificare
cu tranzistor bipolar, aflat în conexiunea EC.
EC

RB1 RC

C1
C2

Uo
Uin
RB2 RE CE

Fig.5.1. Schemă amplificator cu TB în conexiune EC.

Elementele din Fig.5.1 au următoarele semnificaţii:

R B1 , R B2 – divizor de tensiune pentru polarizare cu rol în crearea potenţialului necesar pentru ca
tranzistorul să funcţioneze în regiunea activă normală;
R E – rezistenţa din emitor cu rol de stabilizare termică;
C 1 ,C 2 – condensatoare de cuplaj care separă în curent continuu etajul blocând componenta
continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă;
C E – condensator de decuplare care are rol de punere a emitorului la masă în curent alternativ;
R C – rezistenţa de sarcină;
U in – amplitudinea tensiunii semnalului de intrare;
U o – amplitudinea tensiunii semnalului de ieşire.
Dacă se aplică teoremele de calcul a circuitelor electrice, se obţine pentru regimul de
curent continuu valoarea tensiunii de polarizare a joncţiunii BE:
RB 2
U= EC ⋅
RB1 + RB 2
B

Din relaţia anterioară se observă că tensiunea de intrare depinde de valorile rezistenţelor

divizorului de tensiune.
Amplificarea în tensiune a acestui amplificator se determină astfel:
AU = − g m ⋅ RC
unde g m reprezintă panta tranzistorului.
Amplificatorul din Fig.5.1 este limitat la o funcţionare într-un anumit domeniu de
frecvenţe. Partea inferioară a intervalului este limitat de condensatoarele de cuplare, iar partea
superioară este limitată de modul de comportare a tranzistorului la frecvenţe ridicate. Deci putem
spune că acest amplificator funcţionează la frecvenţe medii.
În curent alternativ, rezistenţa din emitor care are rol de stabilizare termică, are un rol
negativ, şi anume că micşorează amplificarea de tensiune a etajului. Problema este rezolvată prin
conectarea în paralel a condensatorului de decuplarea. Denumirea de condensator de decuplare
vine de la faptul că în curent alternativ condensatorul are o impedanţă mică ceea ce conduce la o
impedanţă în emitor de asemenea mică.
Amplificatorul este limitat în funcţionare şi de valorile de intrare. Dacă nu se respectă
aceste limite semnalul de ieşire poate fi trunchiat, în partea superioară de către intrarea în
saturaţie a tranzistorului iar în partea inferioară de către intrarea în zona de blocare a
tranzistorului (Fig.5.2).

a) datorită saturaţiei b) datorită blocării c) datorită saturaţiei şi blocării

Fig.5.2. Limitarea tensiunii de ieşire.

Observaţii:
- amplificarea în tensiune este mare (de ordinul zecilor sau sutelor);
- amplificarea în curent este mare (de ordinul zecilor sau sutelor);
- amplificarea în putere este foarte mare;
- defazează mărimea de intrare cu 180° deci poate fi folosit ca şi inversor de fază;
- impedanţa de intrare are valoare medie, iar amplificatorul nu poate fi utilizat ca şi
amplificator ideal;
- impedanţa de ieşire are valoare medie (aproximativ egală cu R C ).
În concluzie acest tip de amplificator se poate folosi ca şi amplificator de audiofrecvenţă
şi videofrecvenţă de puteri mici şi la aparate electrocasnice.

5.2. Amplificator cu TB în conexiune bază comună (BC).

În Fig.5.3 este prezentată schema unui etaj de amplificare cu tranzistor bipolar, aflat în
conexiunea BC.
+EC
RB2 RC
Iin

C1 C2

Uin
Uo
RE CB RB1

Fig.5.3. Schemă amplificator cu TB în conexiune BC.

Elementele din Fig.5.3 au următoarele semnificaţii:

R B1 , R B2 – divizor de tensiune pentru polarizare cu rol în crearea potenţialului necesar pentru ca
tranzistorul să funcţioneze în regiunea activă normală;
R E – rezistenţa din emitor cu rol de stabilizare termică;
C 1 ,C 2 – condensatoare de cuplaj care separă în curent continuu etajul blocând componenta
continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă;
C B – condensator de decuplare care are rol de punere a bazei la masă în curent alternativ;
R C – rezistenţa de sarcină;
U in – amplitudinea tensiunii semnalului de intrare;
U o – amplitudinea tensiunii semnalului de ieşire.
Amplificarea în tensiune a acestui amplificator se determină astfel:
A=
U g m ⋅ RC

unde g m reprezintă panta tranzistorului.

Observaţii:
- amplificarea în tensiune este mare;
- etajul nu defazează mărimea de ieşire faţă de cea de intrare;
- impedanţa de intrare are valoare mică (zeci de ohmi), iar din acest motiv poate fi utilizat
ca şi amplificator ideal de curent;
- impedanţa de ieşire are valoare medie (aproximativ egală cu R C ).
În concluzie acest tip de amplificator se poate folosi ca şi amplificator de frecvenţe
ridicate cu sarcină acordată.

5.3. Amplificator cu TB în conexiune colector comun (CC).

În Fig.5.4 este prezentată schema unui etaj de amplificare cu tranzistor bipolar, aflat în
conexiunea CC.
EC

RB1

C1
C2

Uin
RB2 RE Uo

Fig.5.4. Schemă amplificator cu TB în conexiune CC.

Elementele din Fig.5.4 au următoarele semnificaţii:

R B1 , R B2 – divizor de tensiune pentru polarizare cu rol în crearea potenţialului necesar pentru ca
tranzistorul să funcţioneze în regiunea activă normală;
R E – rezistenţa de sarcină;
C 1 ,C 2 – condensatoare de cuplaj care separă în curent continuu etajul blocând componenta
continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă;
U in – amplitudinea tensiunii semnalului de intrare;
U o – amplitudinea tensiunii semnalului de ieşire.
Amplificarea în tensiune a acestui amplificator se determină astfel:
AU ≅ 1
Observaţii:
- amplificarea în tensiune este unitară;
- amplificarea în curent este mare;
 - etajul nu defazează mărimea de ieşire faţă de cea de intrare;
- impedanţa de intrare are valoare foarte mare (R E multiplicată cu factorul de amplificare);
- impedanţa de ieşire are valoare (rezistenţa echivalentă din bază împărţită la factorul de
amplificare).
În concluzie acest tip de amplificator este folosit ca etaj tampon, adaptor de impedanţă
(repetor pe emitor).

5.4. Generator de curent cu tranzistor bipolar.

Scopul acestui circuit este să furnizeze curent constant altor etaje, fără a fi afectat de
semnalul care se propagă dinspre acele etaje. Întrucât generatorul de curent trebuie să aibă o
impedanţă internă mare, cea mai bună soluţie este să folosim colectorul pentru ieşirea în curent.
În Fig.5.5 se prezintă schema unui generator de curent cu tranzistor bipolar.

Fig.5.5. Generator de curent cu tranzistor bipolar.

Pentru etajul din Fig.5.5 să funcţiona ca şi generator de curent trebuie ca tranzistorul să

funcţioneze în regiunea activă normală şi să respecte anumite restricţii. Prima restricţie este
legată de valoarea căderii de tensiune pe rezistenţa de sarcină care trebuie să fie în intervalul
R1
(0, E ). A doua restricţie este aceea că rezistenţa de sarcină trebuie să respecte următoarea
R1 + R2
condiţie:
E − RE I C − U CEsat
RS <
IC
unde U CEsat este tensiunea colector-emitor când tranzistorul este în regim de saturaţie.

5.5. Etaje de amplificare cu două tranzistoare bipolare; tranzistoare

compuse.
Etajul CC-EC
Etajul CC-EC prezentat în Fig.5.6.a are următoarele proprietăţile:
- impedanţă mare de intrare (ca la CC);
- impedanţă de ieşire medie (ca la EC);
- amplificarea de tensiune dată de al doilea tranzistor;
- amplificarea de curent mare (amândouă tranzistoarele amplifică în curent).
Etajul CC-CC
Etajul CC-CC prezentat în Fig.5.6.b are următoarele proprietăţile:
- impedanţă de intrare foarte mare (mai mult decât la CC);
- impedanţă de ieşire mică (ca la CC);
- amplificare subunitară de tensiune;
 - amplificarea de curent mare (amândouă tranzistoarele amplifică în curent).
Etajul EC-BC (cascod)
Etajul EC-BC prezentat în Fig.5.6.c are următoarele proprietăţile:
- impedanţă de intrare medie (ca la EC);
- impedanţă de ieşire mai mare decât la BC;
- amplificare de tensiune este asemănătoare cu cea de la EC dar amplifică în tensiune
numai T2;
- amplificarea de curent ca la EC, amplifică T1.
Acest tip de foloseşte avantajos la frecvenţe mari, pentru că primul tranzistor lucrează cu
amplificare mică (impedanţa de sarcină este mică).
Etajul CC-BC (cuplaj prin emitor)
Etajul CC-BC prezentat în Fig.5.6.d are următoarele proprietăţile:
- impedanţă de ieşire mare (ca la BC);
- etajul funcţionează ca atare în amplificatoarele diferenţiale, când sunt atacate nesimetric.

a) Etaj CC-EC b) Etaj CC-CC

c) Etaj EC-BC d) Etaj CC-BC

Fig.5.6. Etaje amplificatoare cu două tranzistoare.

Tranzistoare compuse.
Tranzistorul Darlington (Fig.5.7.a) este un tranzistor compus din două tranzistoare care
are avantajul că tranzistoarele sunt montate în aceeaşi capsulă. Dezavantaje sale sunt: al doilea
tranzistor nu se saturează niciodată, ceea ce micşorează randamentul în etajele de putere; în
circuite liniare, al doilea tranzistor primeşte în bază reacţie internă, generată de primul tranzistor
(probleme de lărgime a benzii şi stabilitate).
Un alt tranzistor compus este cel din Fig.5.7.b, care este echivalent din punct de vedere
funcţional cu un tranzistor de tip n-p-n.
În ambele cazuri valoarea mai mare a curentului trece prin tranzistorul al doilea.
 a) Darlington b) Alt tip
Fig.5.7. Tranzistoare compuse din două tranzistoare.

5.6. Amplificator cu sarcină acordată (amplificator selectiv).

Acest tip de amplificator (Fig.5.8) se foloseşte în domeniul radiofrecvenţei şi frecvenţelor
intermediare.

Fig.5.8. Amplificator cu sarcină acordată.

În cazul acestui amplificator sarcina este circuitul rezonant paralel RLC. Acest circuit
1
intră în rezonanţă la frecvenţa pentru care pulsaţia ia valoarea, ω0 = , pentru care
LC
Z (ω0 ) = R . În aceste condiţii tranzistorul trebuie să funcţioneze ca şi generator de curent.
Acest circuit poate deveni instabil datorită reacţiei interne, iar acordul circuitului selectiv
de la intrare este influenţat de acordul circuitului selectiv de la ieşire şi reciproc. Problema se
rezolvă prin utilizarea unui circuit cascod cuplat prin emitor (Fig.5.9).

Fig.5.9. Amplificator selectiv de tip cascod.

Tranzistorul cu efect de câmp
Tranzistoarele cu efect de câmp (prescurtat TEC; în engleză field effect transistor, FET)
sunt cele mai importante semiconductoare active. Ele se numesc astfel pentru că modificarea
conductivităţii canalului se face cu ajutorul unui câmp electric mai intens sau mai slab în funcţie
de potenţialul electrodului de comandă, numit grilă.
Tehnologia acestor tranzistoare este simplă, dispozitivul ocupă puţin loc, au o rezistenţă
de intrare mult mai mare decât tensiunea bipolară (tipic de ordinul MΩ), un zgomot mai redus
comparativ cu tranzistoarele bipolare, iar dependenţa de temperatură a parametrilor tranzistorului
este mai slabă decât a tranzistorului bipolar.
Tranzistoarele cu efect de câmp utilizează un singur tip de purtători de sarcină, care
circulă printr-un canal semiconductor. Electrodul de comandă are rolul de a modifica
conductivitatea canalului, în acest fel modificându-se valoarea curentului comandat. Funcţionarea
lui se bazează pe modificarea conductibilităţii unui canal realizat dintr-un material semiconductor
prin aplicarea unui câmp electric. Întrucât conducţia electrică este asigurată de un singur tip de
purtători de sarcină asemenea dispozitive se numesc şi tranzistoare unipolare.
Curentul se închide printr-o zonă semiconductoare (care reprezintă însăşi canalul) între
doi electrozi unul numit sursă - pentru că furnizează purtătorii de sarcină (goluri sau electroni) şi
celălalt numit drenă - care are rolul de a colecta purtătorii. Curentul din canal este numit curentul
de drena I D . De notat că prin canal circulă purtătorii majoritari (circulă şi cei minoritari dar
contribuţia lor la curentul din canal este mică).
După cum canalul este realizat în volum sau la suprafaţa substratului semiconductor
putem deosebii doua tipuri de tranzistoare cu efect de câmp:
- TEC-J tranzistor cu efect de câmp cu grilă joncţiune;
- TEC-MOS tranzistor cu efect de câmp cu grilă izolată. Materialul folosit pentru izolaţie
este bioxidul de siliciu (metal-oxid-semiconductor).
O clasificarea a tranzistoarelor cu efect de câmp ar fi următoarea:
TECMOS:
- cu canal indus: canal n; canal p;
- cu canal iniţial: canal n; canal p;
TEC-J: canal n; canal p;

6. TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP CU JONCŢIUNE

(TEC-J)
Tranzistorul cu efect de câmp cu poartă joncţiune este un dispozitiv electronic cu patru
electrozi (D-drenă, S-sursă, G-grilă sau poartă şi B-substrat).
La tranzistoarele cu efect de câmp cu poartă joncţiune (TEC-J), între grilă şi canalul
conductor există o joncţiune invers polarizată. Tensiunea aplicată între grilă şi sursă controlează
conducţia în canalul dintre drenă si sursa. Curentul de grilă este mult mai mic decât curentul de
bază de la tranzistoarele bipolare, având valori de ordinul zecilor de nanoamperi.
După tipul de dopare, există două tipuri de tranzistoare TEC-J: cu canal de tip n şi cu
canal p (Fig.6.1).
În Fig.6.1 săgeata arată sensul curentului direct prin joncţiunile grilă-canal şi bază-canal;
în aplicaţii, joncţiunea porţii trebuie totdeauna polarizată invers.
 Fig.6.1. Structura şi simbolul tranzistorului.

Structura unui TEC-J conţine două joncţiuni PN: joncţiunea grilă-canal şi joncţiunea
bază-canal. Regulile de trecere ale acestor joncţiuni delimitează partea activă a componentei.
Curentul de drenă al tranzistorului este controlat prin câmpul electric aplicat regiunilor de trecere
ale joncţiunilor, care modifică grosimea efectivă a canalului.

6.1. Principiu de funcţionarea TEC-J.

În Fig.6.2 se prezintă un TEC-J la care canalul este de tipul N, iar grila este conectată la
canal prin intermediul unui strat semiconductor de tipul P +. Tranzistorul este TEC-J cu canal n
(sunt cele mai frecvent utilizate).
VDS

+ D G S

n+ p+ n+

n
golire

P
canal

B
Fig.6.2. TEC-J cu canal n.
 Dacă se polarizează joncţiunea invers, zona de golire se extinde mai mult în
semiconductorul mai slab dopat, se extinde deci în zona canalului, astfel tranzistorul prezintă
între grilă şi sursă o rezistenţă de intrare foarte mare. Astfel curentul de grilă este curentul invers
de saturaţie al joncţiunilor PN. Zona P se numeşte substrat. Grila este legată la electrodul
substratului B, aşa încât secţiunea canalului să se modifice şi prin intermediul acestei joncţiuni
aflată în polarizare inversă.

6.2. Caracteristicile grafice ale TEC-J.

Pentru determinarea principiului de funcţionare se porneşte de la Fig.6.3.

Fig.6.3. Schemă de alimentare TEC-J.

Deoarece joncţiunea grilă-canal este invers polarizată rezultă că acest tranzistor nu are
caracteristică de intrare. În consecinţă, se va urmări funcţionarea studiind caracteristicile de ieşire
I D = f (U DS )U GS =const şi respectiv caracteristica de transfer a dispozitivului I D = f (U GS )U DS =const .

6.2.1. Caracteristica de ieşire.

Pentru evidenţierea funcţionării TEC-J se porneşte de la trasarea caracteristicii de ieşire
din Fig.6.4.

Fig.6.4. Caracteristica de ieşire pentru TEC-J.

 În Fig.6.4. s-au făcut următoarele notaţii:
iD - curentul de drena;
u GS - tensiunea grilă-sursă;
u DS - tensiunea drenă-sursă;
( uDS )strang - tensiunea drenă-sursă de strangulare;
U p0 - tensiunea drenă-sursă de prag la care are loc strangularea canalului.
Se constată existenţa în planul caracteristicilor de ieşire a trei regiuni: regiunea triodă,
regiunea de strangulare şi regiunea pentodă.

- regiunea de triodă
uDS < U p0 + uGS
 ( )
⇒ iD = K  2 ⋅ uGS + U p0 ⋅ uDS − uDS 2 


- regiunea de ştrangulare
2 2
 uGS   u 
uDS = U p0 + uGS ⇒ iD = KU p0 2
1 +  ⇒ iD = I DSS 1 + GS 
 Up   Up 
 0   0 
unde:
I DSS - curentul de drenă între grilă şi sursă, pentru tranzistoare cu tensiune nulă.

- regiunea pentodă
2
 u 
uDS > U p0 + uGS ⇒ iD ≅ I DSS ⋅ 1 + GS 
 Up 
 0 

La valori mici ale U DS , curentul de drenă este aproximativ proporţional cu tensiunea

drenă-sursă, tranzistorul comportând-se ca un rezistor (regiunea de triodă). Valoarea rezistenţei
ohmice echivalente depinde de tensiunea aplicată pe grilă; avem o regiune de rezistenţă
controlată de tensiunea aplicată pe grilă.
U P2
RDS =
2 ⋅ I DSS ⋅ (U GS − U P )
Valoarea minimă a acestei rezistenţe este obţinută când grila este legată la sursă, U GS = 0 .
UP
RDS =
2 ⋅ I DSS
La valori mari ale U DS , curentul încetează practic să mai depindă de tensiunea drenă-
sursă, ieşirea comportându-se ca o sursă de curent controlată de tensiunea de grilă. Analiza
comportării tranzistorului în această zonă se face prin ridicarea caracteristicii de transfer.

6.2.2. Caracteristica de transfer.

Această caracteristică prezintă utilitate practică numai pentru regiunea pentodă, regiune în
care funcţionează tranzistorul atunci când este utilizat ca amplificator. Deoarece în regiunea
pentodă I D nu se modifică practic cu U DS , va exista o singură caracteristică de transfer a
tranzistorului. Această caracteristică este prezentată în Fig.6.5.
 Fig.6.5. Caracteristica de transfer pentru TEC-J.

Canalul existent iniţial poate fi închis progresiv prin aplicarea unei tensiuni grilă-sursă
negative. Pentru tensiuni U DS suficient de mari, curentul depinde parabolic de tensiunea grilă-
sursă U GS .
La variaţii mici în jurul unui punct de funcţionare, acţiunea tranzistorului poate fi descrisă
prin transconductanţă (Fig.6.6).

Fig.6.6. Dependenţa transconductanţei de tensiunea U GS pentru TEC-J.

Valoarea maximă a transconductanţei se obţine cu grila legată la sursă, când U GS = 0 .

I
g m max = 2 ⋅ DSS
UP
Comparaţia între cele două zone analizate arată un lucru extrem de interesant: alegând o
tensiune de grilă, rezistenţa din regiunea de rezistenţă controlată este inversul transconductanţei
din regiunea de saturaţie.
Este util să cunoaştem o limită aproximativă între aceste două regiuni. Astfel, pentru o
tensiune poartă-sursă fixată, frontiera între regiunea de rezistor controlat şi aceea de sursă de
curent controlată este la o valoare a tensiunii drenă-sursă egală cu comanda grilei, adică coincide
cu curba de ştrangulare.
6.3. Efectul variaţiilor de temperatură asupra TEC-J.
La fel ca în cazul oricărui dispozitiv semiconductor, caracteristicile statice ale lui TEC-J
depind şi ele de temperatură. Această dependenţă este însă mai slabă comparativ cu tranzistoarele
bipolare şi mai mult decât atât există un punct static de funcţionare pentru care influenţa
temperaturii este practic nulă (Fig.6.7).

Fig.6.7. Caracteristica de transfer pentru TEC-J ca funcţie de temperatură.

6.4. Aplicaţii ale TEC-J.

6.4.1. Sursă de curent cu TEC-J.
Cel mai simplu circuit cu TEC-J este cel din Fig.6.8.a), în care prin legarea grilei la sursă
se obţine o sursă de curent. Acest lucru este evident pe caracteristica de ieşire trasată la VGS = 0 ,
adică cu grila şi sursa în scurtcircuit. Singurul lucru de care trebuie să avem grijă este ca
tensiunea drenă-sursă, coborând, să nu se apropie de valoarea U P de unde tranzistorul începe să
semene cu o rezistenţă.

a) b) c)
Fig.6.8. Sursă de curent cu TEC-J.

Circuitul precedent este simplu, dar prezintă două dezavantaje. În primul rând, valoarea
curentului sursei nu poate fi programată de către proiectant, fiind egală cu I DSS (Fig.6.8.b). Există
însă asemenea circuite, gata selectate de producător după valorile lui I DSS şi vândute ca surse de
curent. Totuşi, în aplicaţii este nevoie uneori sa ajustăm fin valoarea sursei de curent. Un al doilea
dezavantaj al circuitului este acela că intensitatea curentului de drenă nu este perfect constantă,
crescând uşor cu tensiunea V DS : sursa de curent nu este una ideală.
 O rezolvare comună pentru aceste dezavantaje poate fi găsită dacă se ia în considerare
faptul că o problemă asemănătoare s-a întâlnit la tranzistoarele bipolare când se menţinea V BE
constant. Soluţia era să se intercaleze o rezistenţă în circuitul emitorului şi aceasta este rezolvarea
parţială şi a dezavantajelor amintite mai sus. Se ajunge, astfel, la sursa de curent perfecţionată din
Fig.6.9.a.
Determinarea punctului de funcţionare se poate face prin rezolvarea ecuaţiilor de
funcţionare care sunt ecuaţii de gradul II. Dacă s-ar rezolva sistemul de ecuaţii s-ar găsi două
soluţii; cea cu valoare mai mare pentru I D corespunde ramurii din dreapta a parabolei, care nu
face parte din caracteristică, şi trebuie ignorată.
O altă variantă de determinarea a punctului de funcţionare este utilizarea caracteristicilor
grafice (Fig.6.9.b).
Dacă modificăm valoarea rezistenţei din drenă, se modifică şi panta „dreptei de sarcină”
şi putem, astfel, ajusta valoarea sursei de curent între zero şi I DSS . Introducerea rezistentei R S
îmbunătăţeşte şi comportarea sursei de curent, aşa cum se poate constata în Fig.6.9.c). Aici am
trasat caracteristica de transfer pentru două valori diferite ale tensiunii drenă-sursă. Dacă sursa ar
fi legată direct la masă ( RS = 0 ) dreapta de sarcină ar fi verticală şi punctul de funcţionare s-ar
deplasa la modificarea lui V DS , din M în N. În cazul introducerii rezistenţei R S , modificarea
punctului de funcţionare are loc din poziţia P în poziţia Q. Este clar că variaţia curentului I D este
mai mică decât în prima situaţie şi este cu atât mai mică cu cât dreapta de sarcină se apropie de
orizontală, adică cu cât rezistenţa R S creşte. Creşterea rezistenţei din drenă apropie funcţionarea
sursei de curent de cea ideală.

a) b) c)
Fig.6.9. Sursă de curent (aproape ideală) cu TEC-J.

6.4.2. Repetor pe sursă.

În aplicaţia anterioară, introducerea rezistentei R S a permis să se aducă tranzistorul în
punctul de funcţionare dorit fără să fie nevoie de utilizarea unei surse negative pentru polarizarea
porţii. Acelaşi circuit poate fi utilizat şi pentru a îndeplini o cu totul altă funcţie (Fig.6.10.a).
Dacă se conectează drena direct la alimentarea pozitivă, se desface grila de la masă şi se leagă la
o tensiune de intrare U in variabilă, se obţine un repetor pe sursă. Ca să înţelegem funcţionarea sa,
se revine la metoda dreptei de sarcină (Fig.6.10.b). Acum însă, expresia lui U GS are forma
U=GS U in − I D Rs .
Dreapta de sarcină are în continuare panta −1 RS dar nu mai trece prin origine ci
intersectează axa orizontală la coordonata U in .
 Dacă tensiunea de intrare U in suferă variaţii în jurul valorii zero, dreapta de sarcină se
deplasează paralel cu ea însăşi, fiind translatată pe orizontală cu ΔU in . Dacă dreapta de sarcină
are panta (în modul) mult mai mică decât caracteristica de transfer variaţiile tensiunii grilă-sursă
sunt mult mai mici decât acelea ale tensiunii de intrare.
În aceste condiţii, variaţiile tensiunii de intrare se regăsesc (puţin atenuate) ca variaţii ale
potenţialului sursei, aşa cum se observă în FIG.6.10.c), unde s-a desenat evoluţiile în timp ale
celor două potenţiale; s-a obţinut un circuit repetor. Avantajul lui esenţial este că intensitatea
curentului absorbit de la sursă de semnal este extrem de mică (zeci de nA la frecvenţă nulă şi
determinată de capacitatea de intrare la frecvenţe mari).

a) b) c)
Fig.6.10. Repetor pe sursă cu TEC-J.

În concluzie putem spune că amplificarea repetorului pe sursă este în permanenţă

subunitară, iar între potenţialul ieşirii şi cel al intrării există un decalaj.

6.4.3. Atenuator controlat.

S-A folosit de multe ori un divizor rezistiv pentru a produce o tensiune continuă de
valoare convenabilă. Acelaşi dispozitiv poate fi utilizat, însă, şi ca atenuator, pentru a aplica pe o
rezistenţă de sarcină un semnal de tensiune de amplitudine mai mică decât cel produs de
generator (Fig.6.11.a). O aplicaţie standard este potenţiometrul de volum cu care se reglează
intensitatea semnalului sonor la un amplificator audio. Dezavantajul potenţiometrului este că
atenuarea sa nu poate fi controlată decât mecanic; dacă s-ar dori să se controleze electronic, ar
trebui un motoraş care să rotească axul potenţiometrului. Tranzistoarele cu efect de câmp,
datorită regiunii lor de rezistenţa controlată, permit realizarea unor atenuatoare controlate de o
tensiune electrică. Pentru obţinerea s-a se va înlocui rezistenţa R 2 a divizorului cu tranzistorul
TEC-J la care se controlează tensiunea grilă-sursă (Fig.6.11.a). La valoarea nulă a tensiunii de
control, tranzistorul prezintă o rezistenţă de valoare minimă. În aceste condiţii, între amplitudinile
semnalelor de intrare şi ieşire avem relaţia
vout RDS VP
= =
vin RDS + R1 VP + 2 ⋅ I DSS ⋅ R1
Pe de altă parte, când tensiunea de control, negativă, ajunge la -V P tranzistorul este blocat
şi pe sarcină ajunge întregul semnal de intrare. La frecvenţe mari se produce, totuşi, o atenuare
datorită capacităţii tranzistorului.
 a) b) c)
Fig.6.10. Atenuator: a) Divizor rezistiv; b) TEC-J.

Pentru a apropia şi mai mult comportarea tranzistorului de aceea a unui rezistor, se poate
utiliza schema din Fig.6.11.c). Chiar şi cu acest truc, amplitudinea semnalului nu poate fi mai
mare de câteva zecimi de volt, altfel acesta va fi distorsionat de dependenţa neliniară a
caracteristicii de ieşire.
7. TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP CU GRILĂ IZOLATĂ
(TEC-MOS)
Până în 1970, când a apărut tehnologia de realizare a tranzistoarelor MOS de mare putere,
tranzistoarele cu efect de câmp realizate abia puteau comanda curenţi de câteva zeci de mA la
tensiuni de zeci de volţi. Aceste noi tranzistoare sunt capabile să opereze la tensiuni de ordinul a
1000 V şi să vehiculeze curenţi medii de până la 70 A; pentru durate scurte, ele pot conduce
curenţi de până la 280 A (curenţi de vârf). În plus, tranzistoarele MOS de putere sunt mult mai
stabile termic decât corespondentele lor bipolare, la acelaşi tip de capsulă putând opera la puteri
disipate mai mari.
Tranzistoarele TEC-MOS sunt dispozitive electronice cu trei terminale active: poarta G
(de la Gate - în limba engleză) , Drena D şi Sursa S. În plus, ele mai au un terminal numit
substrat Ss, care este legat la stratul pe care a fost realizat tranzistorul, care trebuie menţinut la
cel mai coborât (sau ridicat, după tipul tranzistorului) potenţial din circuit.
Principala diferenţă între acest tip de tranzistor şi tranzistoarele cu grilă joncţiune o
constituie faptul că de această dată grila tranzistorului este izolată de canal printr-un strat de oxid.
Stratul de oxid izolator fiind foarte subţire există pericolul străpungerii acestuia prin
descărcare electrostatică de către sarcina electrică acumulată în mod nedorit (operator sau
echipamentul care îl manipulează). Fabricantul prevede, de regulă, circuite complexe pe fiecare
terminal care limitează valoarea maximă a tensiunii electrostatice pe terminalul respectiv. În
cazul tranzistorului MOS prezenţa circuitelor de protecţie micşorează rezistenţa de intrare. În
unele situaţii baza nu este conectată electric la sursa tranzistorului. Acest electrod trebuie astfel
polarizat încât întotdeauna joncţiunea canal-substrat să fie invers polarizată. În consecinţă, în
cazul tranzistoarelor cu canal n baza trebuie conectată la cel mai scăzut potenţial din circuit
respectiv, în cazul tranzistoarelor cu canal p, baza trebuie conectată la cel mai ridicat potenţial.
La tranzistoarele TEC-MOS (Metal Oxid Semiconductor) poarta este izolată prin
intermediul unui strat de oxid de siliciu şi curentul de poartă este de ordinul zecilor de
picoamperi.
Ţinând cont de modul de funcţionare tranzistoarele TEC-MOS sunt de 2 feluri:
• cu canal iniţial, caz în care canalul superficial este întotdeauna prezent fiind realizat prin
mijloace tehnologice;
• cu canal indus, situaţie în care canalul apare în condiţiile în care tranzistorul este polarizat
corespunzător (sunt cele mai folosite tipuri de tranzistoare).
După tipul joncţiunii pot fi:
• cu canal n (NMOS)
• cu canal p (PMOS),
Dintre acestea cea mai largă utilizare o au cele de tip n constatându-se că realizează
performanţe mult mai bune. Modul lor de comandă este asemănător cu acela al tranzistoarelor
bipolare NPN.
Simbolurile prin care se reprezintă aceste tranzistoare (cu canal iniţial şi cu canal indus)
sunt prezentate în Fig.7.1.
 Fig.7.1. Simbolurile tranzistoarelor TEC-MOS. a) cu canal iniţial; b) cu canal indus.

În figura 4.4 este prezentat simbolul tranzistorului „TEC-MOS cu canal N indus”.

Notaţiile au următoarele semnificaţiile:
- S = Sursă
- D = Drenă
- Ss = Substrat
- G = Grilă (Poartă)

Fig.7.2. Simbolurile tranzistoarelor TEC-MOS. a) cu canal iniţial; b) cu canal indus.

7.1. Principiu de funcţionarea TEC-MOS.

Funcţionarea tranzistorului se bazează pe controlul conductanţei electrice a canalului între
drenă şi sursă, control efectuat prin tensiunea poartă-sursă.
În afara terminalelor "active" (poarta, sursa şi drena), tranzistoarele TEC-MOS mai au un
al patrulea terminal, legat la substratul pe care a fost construit tranzistorul. Între canal şi substrat
există o joncţiune semiconductoare, reprezentată pe simboluri prin săgeata desenată pe terminalul
substratului. Sensul săgeţii arată sensul în care această joncţiune conduce; joncţiunea trebuie însă
menţinută întotdeauna invers polarizată, altfel ar compromite funcţionarea tranzistorului. Pentru
ca această joncţiune să fie blocată în orice moment, pentru un tranzistor cu canal n substratul
trebuie să fie legat la cel mai coborât potenţial din circuit si se precizează cea mai utilizată
conexiune ca fiind acea „cu sursa comună” asemănătoare conexiunii „emitor comun” specific
tranzistoarelor bipolare.
7.1.1. TEC-MOS cu canal iniţial
În cazul acestui tip de tranzistor canalul superficial între sursă şi drenă prin care se
realizează conducţia de curent între cei doi electrozi, este realizat tehnologic (şi nu indus).

Fig.7.3. Schemă de alimentare TEC-MOS cu canal iniţial.

Deoarece canalul este realizat din acelaşi tip se semiconductor ca şi sursa şi drena, rezultă
că pentru o tensiune u GS =0 tranzistorul este deschis. De aici apare şi simbolizarea tranzistorului
cu o linie continuă între drenă şi sursă.
Pentru u GS =0 canalul împreună cu substratul reprezintă o joncţiune p-n polarizată invers.
În consecinţă, apare o regiune de trecere care pătrunde mai adânc în semiconductorul mai puţin
dopat (p) lipsită de purtători mobili de sarcină şi care izolează astfel canalul de substrat.
Şi de această dată, tranzistorul nu prezintă caracteristica de intrare. Pe măsură ce creşte
(u DS ) se extinde regiunea de sarcină spaţială dar fără efect asupra conducţie canalului care, spre
deosebire de TEC-J este un canal superficial şi nu unul de volum. În schimb, apariţia câmpului
electric E sărăceşte canalul de purtători mobili de sarcină şi prin urmare scade conducţia în canal
până când aceasta se optimizează.
Spre deosebire de TEC-J cu canal n, u GS poate avea orice polaritatea. O tensiune de grilă
pozitivă va conduce la îmbogăţirea cu electroni a canalului şi deci la o mai bună conductibilitate,
în timp ce o tensiune negativă va sărăci canalul în purtători mobili de sarcină.

7.1.2. TEC-MOS cu canal indus.

La acest tip de tranzistor canalul este format prin apariţia stratului de inversie la suprafaţa
substratului.

Fig.7.4. Schemă de alimentare TEC-MOS cu canal indus.

 La o tensiune u GS =0 tranzistorul este blocat, ceea ce înseamnă că indiferent de valoarea
tensiunii dintre drenă şi sursă curentul prin tranzistor va fi nul. Din acest motiv la simbolizarea
tranzistorului se utilizează linia întreruptă între drenă şi sursă.
Canalul n se formează la suprafaţa substratului dacă alimentăm tranzistorul între grilă şi
sursă cu o tensiune u GS =U P , unde U P este tensiunea de prag a tranzistorului. Curentul de drenă se
modifică în funcţie de u DS similar cu situaţia de la MOS cu canal iniţial. Canalul se strangulează
pentru u GD =U P . De aici rezultă ca strangularea canalului apare pentru u DS = u GS -U P .

7.2. Caracteristicile grafice ale TEC-MOS.

7.2.1. Caracteristicile de ieşire.
Pentru evidenţierea funcţionării TEC-J se porneşte de la trasarea caracteristicii de ieşire
din Fig.6.4.

a) TEC-MOS cu canal iniţial b) TEC-MOS cu canal indus

Fig.7.5. Caracteristica de ieşire pentru TEC-MOS.
Caracteristicile de ieşire prezintă două zone de funcţionare:
- zonă liniară, în care pentru o tensiune U GS impusă, curentul de drenă I D creşte la
creşterea tensiunii aplicate canalului U DS ;
- zonă de saturaţie, în care pentru o tensiune U GS impusă, curentul de drenă I D nu se
modifică la creşterea tensiunii aplicate canalului U DS .
În zona de saturaţie curentul de drenă nu se schimbă prin modificarea U DS ci numai prin
modificarea potenţialului grilei U GS . Această dependenţă este exprimată astfel
I DSS =β (U GS − U P ) , m ∈ [1, 2]
m

Unde:
I DSS – curentul de saturaţie,
Β – coeficient specific tranzistorului cu dimensiunea Ω −1 ,
V T – tensiunea de tăiere,
m=2 coeficient teoretic are valoarea specificată.
În zona liniară a caracteristicilor statice curentul de drenă I D , pentru o tensiune aplicată
grilei constantă (U GS = constant), se modifică liniar cu tensiunea U DS , ceea ce înseamnă că
dispozitivul între drenă şi sursă se comportă ca o rezistenţă. Curentul de drenă respectă relaţia
lege lui Ohm pentru rezistenţe.
U DS
I D= = G ⋅ U DS
Rcanal
unde G este conductanţa canalului (drenei).
Valoarea rezistenţei ohmice echivalente depinde de tensiunea aplicată pe poartă; avem o
regiune de rezistenţă controlată. Un rezistor adevărat este însă un dispozitiv simetric: bornele sale
pot fi inversate şi comportarea sa rămâne aceeaşi. În consecinţă, pentru a putea înlocui un
rezistor, tranzistorul ar trebui să-şi extindă comportarea liniară a caracteristicii şi la tensiuni
negative. Pentru tensiuni drenă sursă mici în valoare absolută, aşa se şi întâmplă, după cum se
poate constata pe Fig.7.5.
În această regiune, tranzistorul este echivalent cu un rezistor de rezistenţă
1
RDS =
2 ⋅ K ⋅ (U GS − U P )
controlată de tensiunea aplicată pe poartă. Cum parametrul K nu este dat explicit în foile de
catalog, este mult mai util să scriem relaţia precedentă în funcţie de rezistenţa RDS0 obţinută la o
valoare particulară UGS0 a tensiunii poartă-sursă
U −UP
=
R RDS 0 ⋅ GS 0
U GS − U P
DS

Într-a doua regiune, tranzistorul se comportă cu totul altfel: la valori UDS mari, curentul
încetează practic să mai depindă de tensiunea drenă-sursă, ieşirea comportându-se ca o sursă de
curent controlată de tensiunea de poartă. Se observă aici saturaţia curentului de drenă în raport cu
tensiunea drenă-sursă.
În regiunea de sursă de curent controlată, se poate ridica caracteristica de transfer şi se
poate defini transconductanţa. Cu tranzistorul în acest regim de funcţionare se pot realiza
amplificatoare (pentru că ID nu este saturat în raport cu mărimea de intrare UGS ci, din contră, este
controlat practic numai de aceasta).
Este foarte important să cunoaştem limita aproximativă între cele două regiuni de
funcţionare. Astfel, pentru o tensiune poartă-sursă fixată, frontiera între regiunea de rezistor
controlat şi aceea de sursă de curent controlată este la o valoare a tensiunii drenă-sursă egală cu
comanda porţii U DSlimita
= U GS − U P .

7.2.2. Caracteristica de transfer.

Această caracteristică prezintă utilitate practică numai pentru regiunea pentodă, regiune în
care funcţionează tranzistorul atunci când este utilizat ca amplificator. Deoarece în regiunea
pentodă ID nu se modifică practic cu UDS, va exista o singură caracteristică de transfer a
tranzistorului. Această caracteristică este prezentată în Fig.6.5.

a) TEC-MOS cu canal iniţial b) TEC-MOS cu canal indus

 Fig.7.6. Caracteristica de ieşire pentru TEC-MOS.

Pentru tensiuni UDS suficient de mari, caracteristica de transfer arată ca în Fig.6. Cu

tensiune între poartă si sursă mai mică decât UP, nu există curent de drenă; la aplicarea unei
tensiuni care depăşeşte valoarea UP, apare o dependenţă între valoarea curentului şi tensiunea pe
poartă. Dacă tensiunea poartă-sursă UGS depăşeşte tensiunea de prag UP, curentul depinde
parabolic de UGS.

7.3. Efectul polarizării substratului.

Până în prezent s-a considerat că sursa şi substratul se află la acelaşi potenţial. Dacă
potenţialul substratului este diferit de 0, atunci acest potenţial trebuie să polarizeze invers
joncţiunea sursă-substrat. Rezultă că potenţialul substratului, în cazul nMOS, trebuie să fie mai
mic decât cel al sursei iar în cazul pMOS trebuie să fie mai mare decât potenţialul sursei.
Dacă sursa nMOS este conectată la masă atunci substratul trebuie să fie legat la un
potenţial negativ sau tensiunea sursă-substrat să fie totdeauna pozitivă, USB>0. La pMOS,
asemănător, trebuie USB<0.
Efectul polarizării substratului cu USB>0 în cazul tranzistorului nMOS cu canal indus
constă în creşterea valorii tensiunii de prag (creştere spre valori pozitive). Efectul polarizării
substratului cu USB<0 în cazul tranzistorului pMOS cu canal indus constă în creşterea, în modul,
a valorii tensiunii de prag (creştere spre valori negative).
8. DISPOZITIVE MULTIJONCŢIUNE
Dispozitivele multijoncţiune sunt dispozitive semiconductoare cu mai mult de două
joncţiuni.
Tehnologia actuală permite realizarea unor dispozitive compuse având mai multe
joncţiuni. În cadrul capitolului vor fi prezentate dispozitivele clasice care pot constitui structuri
de sine stătătoare şi anume:
– dioda PNPN;
– diacul;
– tiristorul;
– triacul;
– tranzistorul unijoncţiune – realizat aşa cum spune numele şi realizat cu structuri
multijoncţiune
Aceste dispozitive multijoncţiune sunt folosite în circuite de impulsuri, în circuite pentru
conversia energiei electrice, circuite de comutaţie.

8.1. Dioda PNPN.

Dioda PNPN este o structura de siliciu cu patru zone alternativ dopate cu impurităţi
acceptoare şi donoare. În Fig.8.1 este prezentat schematic modelul unidimensional al acestui
dispozitiv cu trei joncţiuni (J1,J2,J3). Zonele extreme mai puternic dopate se numesc anod ( p1+ ),
respectiv catod n4+ . Joncţiunile se află la distante mici între ele. Dioda PNPN se mai numeşte şi
dioda Shockley sau dioda cu patru straturi. Simbolul grafic al acestui dispozitiv, precum şi
sensurile pozitive pentru curent şi tensiune sunt prezentate în Fig.8.1.

Fig.8.1. Structura şi simbolul diodei PNPN.

Ca şi în cazul diodei semiconductoare, dacă tensiunea dintre anod şi catod este pozitivă
atunci dioda este polarizată direct, iar dacă este negativă dioda este polarizată invers.
La nivel mic al tensiunii la bornele diodei, oricare ar fi polaritatea acesteia, dioda are cel
puţin o joncţiune polarizată invers şi curentul este practic zero. Dioda este blocată şi este
echivalentă cu un contact deschis.
Dacă dioda este polarizată direct joncţiunea centrală este polarizată invers iar, cele două
joncţiuni laterale sunt polarizate direct. Joncţiunea centrală se străpunge dacă tensiunea depăşeşte
o valoare maximă directă şi dioda intră în conducţie. Tensiunea la bornele diodei scade la o
valoare mică, în jurul a 1,5V. Tensiunea pe dioda în conducţie este neglijabilă în majoritatea
situaţiilor şi dioda este echivalentă cu un contact închis.
Dacă dioda este polarizată invers cele două joncţiuni laterale sunt polarizate invers. Dioda
este blocată. Joncţiunile acestea se străpung dacă tensiunea atinge o valoare maximă inversă, dar
tensiunea la bornele diodei nu se micşorează şi dioda se distruge prin supraîncălzire.
Din cele prezentate mai sus se poate obţine caracteristica grafică a diodei PNPN
prezentată în Fig.8.2.

Fig.8.2. Caracteristica grafică a diodei PNPN.

Dioda are trei zone de funcţionare:

1. Polarizata direct, blocată, zona în care tensiunea de alimentare a diodei este pozitivă dar nu
depăşeşte tensiunea directă maximă sau pragul de deschidere (U DM ). În această situaţie curentul
este neglijabil.
2. Polarizată direct, în conducţie, zonă în care dioda ajunge dacă se depăşeşte tensiunea directă
maximă. Tensiunea pe diodă scade brusc la o valoare mică, neglijabilă, iar curentul este mai mare
decât un curent minim numit curent de menţinere (i H ). Dioda este echivalentă cu un contact
închis şi valoarea curentului depinde doar de circuitul în care este legată diodă.
3. Polarizată invers, blocată, zonă în care tensiunea pe diodă este negativă dar nu depăşeşte
tensiunea inversă maximă (U IM ) şi curentul este neglijabil.
Trecerea în starea de conducţie se face prin depăşirea tensiunii directe maxime. Trecerea
inversă, din starea de conducţie în starea de blocare are loc atunci când curentul prin diodă scade
sub curentul de menţinere, i H . În practică, pentru blocarea diodei se inversează tensiunea la
borne.

8.2. Diacul.
Diacul (DIode Alternating Current) este un dispozitiv multijoncţiune care are proprietăţile
diodei PNPN în ambele sensuri de conducţie. Dispozitivul are cinci straturi şi patru joncţiuni,
poate fi considerat ca fiind realizat din două structuri PNPN aşezate antiparalel în acelaşi
monocristal de siliciu. Diacul are conductibilitate bidirecţională, cei doi electrozi notându-se cu
T 1 şi T 2 . Schema şi simbolul diacului sunt prezentate în Fig.8.3.

Fig.8.3. Structura şi simbolul diacului.

 La aplicarea unei tensiuni pozitive, structura PNPN din dreapta schemei echivalente din
Fig.8.4 este polarizată direct, iar amorsarea se face la tensiune de amorsare naturală (U DM ) şi are
caracteristica din cadranul I.
Când polaritatea tensiunii se inversează, intră în conducţie structura PNPN din stânga, la
care amorsarea se face la tensiunea U IM . În general construcţia diacului se face astfel încât
tensiunile de amorsare să fie egale în modul de unde rezultă o caracteristică simetrică.

Fig.8.4. Structura echivalentă şi caracteristica grafică a diacului.

Datorită caracteristicii bidirecţionale, simetrice, diacul se foloseşte în circuitele de curent

alternativ, fiind un dispozitiv de putere mică, se utilizează în circuitele de comandă ale
tiristoarelor şi dispozitivelor triac.

8.3. Tiristorul.
Tiristorul are aceeaşi structură ca dioda PNPN, la care se conectează în plus un electrod
conectat la al doilea stat de tip p, electrod denumit grilă sau poartă. Simbolul şi structura
tiristorului sunt prezentate în Fig.8.5.

Fig.8.5. Structura şi simbolul tiristorului.

8.3.1. Funcţionarea tiristorului.

Dacă grila este nepolarizată (lăsată în gol) atunci tiristorul se comportă ca şi o simplă
diodă PNPN. Grila este un electrod de comandă iar comanda se face prin polarizarea joncţiunii J 3
dintre grilă şi catod. Grila are rol de comandă doar în situaţia în care tiristorul este polarizat direct
şi este blocat.
Dacă grila se polarizează cu o tensiune negativă, atunci joncţiunea grilă-catod va fi
polarizată invers şi nu va produce nici un efect asupra funcţionării tiristorului. Prin urmare grila
trebuie polarizată pozitiv.
 Dacă grila sa polarizează pozitiv atunci joncţiunea grilă-catod va fi polarizată direct şi
astfel se va injecta un curent numit curent de grilă. Acest curent va micşora tensiunea la care
tiristorul intră în conducţie. Acest lucru se poate observa pe graficul din Fig.8.6. După aprindere
tiristorul se comportă exact ca o diodă PNPN adică tensiunea va scădea în la o valoarea
aproximativă de 1,5V, iar în circuit se va obţine un curent în funcţie de sarcina la care este
conectat.

Fig.8.6. Caracteristicile grafice ale tiristorului.

8.3.2. Aprinderea şi stingerea tiristorului.

În funcţionare normală, tiristorul intră în conducţie (se aprinde) prin comandă pe grilă.
Pentru aceasta trebuie ca tiristorul să fie polarizat direct, şi curentul de grilă sa fie mai mare decât
o valoare minimă denumit şi curent de aprindere sigură.
După aprindere, dacă curentul din circuit va fi mai mare decât curentul de menţinere
atunci tiristorul rămâne aprins şi în lipsa curentului de comandă. Din acest motiv tensiunea de
comandă grilă-catod este, în cazul obişnuit, sub forma de impulsuri scurte, de ordinul
microsecundelor.
Pentru ca tiristorul să poată funcţiona corect trebuie evitate unele situaţii în care acesta se
poate aprinde accidental.
– Tensiunea anod-catod depăşeşte tensiunea maximă şi tiristorul se aprinde la fel ca dioda
PNPN. În general aceste situaţii se întâlnesc în medii în care apar supratensiuni.
Prevenirea se face prin utilizarea schemelor de protecţie la supratensiuni;
– Creşterea temperaturii poate duce la mărirea nivelului curenţilor reziduali şi apoi la
aprinderea accidentală a tiristorului;
– Tensiunea anod-catod la bornele tiristorului creşte cu viteză prea mare şi tiristorul se
aprinde datorită variaţiei rapide a tensiunii şi nu datorită stabilirii curentului de comandă.
Trecerea tiristorului din starea de conducţie în starea de blocare se mai numeşte şi
stingerea tiristorului. Stingerea se face ca şi la dioda PNPN în momentul în care curentul anodic
scade sub o valoare denumita curent de menţinere, i H . Cea mai folosită metodă pentru scăderea
curentului sub valoarea de curentului de menţinere este inversarea polarităţii tensiunii anod-catod
sau, cu alte cuvinte, aplicarea la bornele tiristorului a unei tensiuni de polarizare inversă.
Din cele prezentate mai sus rezultă că electrodul de comandă (grila), nu are nici un rol în
stingerea tiristorului. Întreruperea curentului de grilă nu conduce la stingerea tiristorului. Nici
inversarea tensiunii de comandă şi a sensului curentului de comanda nu provoacă stingerea
tiristorului.
 Simpla inversare a tensiunii la bornele tiristorului nu provoacă automat şi stingerea
acestuia. Pentru stingerea tiristorului tensiunea inversă trebuie menţinută cel puţin un interval de
timp care se numeşte timp de revenire.

8.3.3. Clasificare tiristoarelor.

 După valorile parametrilor principali tiristoarele se clasifică în:
– tiristoare de mică putere, cu I M în plaja 1..10A şi U M de sute de volţi;
– tiristoare de putere, cu I M în plaja zeci-sute amperi şi U M de sute - mii de volţi;
– tiristoare de mare putere, IM mii-zeci de mii amperi si UM de mii – zeci de mii de volţi.
 După valoarea timpului de revenire:
– tiristoare lente sau de reţea, cu timp de revenire mai mare de 50 microsecunde, utilizate în
aplicaţii la frecvenţa reţelei, 50 Hz sau puţin peste;
– tiristoare rapide, cu timp de revenire în plaja 5-50 microsecunde, utilizate în aplicaţii la
frecvenţe de până la 50 KHz.
Tiristorul se utilizează în circuite de redresare, circuite pentru conversia puterii,
invertoare, circuite de control a puterii transmise sarcinii, circuite pentru comanda acţionărilor
electrice, circuite pentru îmbunătăţirea factorului de putere.

8.3.4. Scheme simple cu tiristoare.

Cu ajutorul tiristorului se poate realiza un circuit de pornire şi oprire a unui motor de
curent continuu (Fig.8.7).

Fig.8.7. Circuit pornire motor de curent continuu.

În starea implicită a schemei prin circuitul motorului nu se stabileşte curent deoarece

tiristorul este blocat. În momentul apăsării butonului „on” care este în stare normal deschis,
acesta închide circuitul grilei tiristorului care ajunge la potenţialul sursei de alimentare ceea ce
conduce la aprinderea tiristorului. La eliberarea butonului „on” circuitul continuă să funcţioneze
deoarece tiristorul rămâne în conducţie (curentul la care se stabilizează funcţionarea tiristorului
este egal cu curentul motorului care este mai mare decât curentul I H de menţinere a tiristorului).
Când se doreşte oprirea motorului se apasă butonul „off” care este în stare normal închis,
operaţie care conduce la deschiderea circuitului motorului şi automat anulării curentului anod-
catod al tiristorului. După trecerea timpului de revenire, tiristorul ajunge în stare blocat, iar prin
eliberarea butonul „off” circuitul este pregătit pentru o nouă pornire.

O altă aplicaţie este aceea de control al puterii aplicate unui circuit. Se consideră circuitul
din Fig.8.8 pentru care în circuitul consumatorului s-a înseriat un tiristor.
 Fig.8.8. Circuit de control al puterii furnizate consumatorului.

Tiristorului este comandat din acelaşi circuit prin înserierea pe circuitul grilei a unui
rezistor variabil şi a unei diode. Dioda are rol de protecţie la tensiuni inverse.
Pe alternanţa negativă a sursei de alimentare prin consumator nu circulă curent deoarece
tiristorul este polarizat invers. În plus grila este protejată de diodă care este de asemenea
polarizată invers.
În alternanţa pozitivă tiristorul este polarizat direct şi el poate intra în conducţie comandat
pe grilă de curentul ce se stabileşte prin rezistorul variabil şi diodă. Prin urmare rezistorul variabil
are rol de a modifica curentul pe grilă şi implicit valoarea tensiunii la care tiristorul aprinde.
Astfel prin modificarea valorii rezistenţei variabile se modifică valoarea puterii transmise
consumatorului.

8.4. Triacul.
Triacul este un dispozitiv cu cinci straturi, echivalent cu două tiristoare aşezate
antiparalel, având un singur electrod de comandă (TRIode Alternating Current).
Structura şi simbolul triacului sunt prezentate în Fig.8.9.

Fig.8.9. Structura şi simbolul triacului.

Datorită conductibilităţii bidirecţionale, cei doi electrozi între care circulă curentul
principal se notează T 1 şi T 2 . Comanda pe grilă se poate face cu semnale de ambele polarităţi faţă
de terminalul T 1 pentru fiecare dintre cele două sensuri ale curentului principal. În concluzie este
foarte important de reţinut că într-un circuit dacă grila triacului este polarizată de la terminalul
vecin acesta nu va aprinde niciodată. Prin urmarea triacul va fi polarizat tot timpul de la
terminalul opus grilei (în cazul reprezentării din Fig.8.9 de la terminalul T1).
 Fig.8.10. Caracteristicile grafice ale triacului.
Funcţionarea triacului este următoarea: dacă potenţialul terminalului T 1 este pozitiv în
raport cu T 2 şi se aplică pe poartă un impuls pozitiv în raport cu T 2 , intră în conducţie tiristorul
din stânga simbolului din Fig.8.9. Dacă potenţialul terminalului T 2 este pozitiv în raport cu T 1 şi
se aplică pe poartă un impuls negativ în raport cu T 2 , intră în conducţie tiristorul din dreapta
simbolului.
Raportul între puterea din circuitul principal şi puterea de comandă este în favoarea
utilizării tiristorilor, cu toate că circuitele de comandă sunt mai complicate. Din acest motiv
triacul este utilizat în circuite pentru comanda maşinilor electrice, invertoare, circuite de control a
puterii transmise sarcinii, circuite pentru comanda iluminatului, toate de puteri mici sau medii.
9. AMPLIFICATOARE
Amplificatorul este un circuit (bloc funcţional) care realizează creşterea puterii
semnalului, păstrând informaţia din semnalul original. Creşterea puterii semnalului se face pe
seama energiei absorbite de la sursa de alimentare. În general, la amplificarea unui semnal se
doreşte ca acesta să nu se modifice ca şi formă, de unde rezultă că amplificatorul trebuie să
lucreze liniar. Există totuşi situaţii în care amplificatorul lucrează liniar, dar forma semnalului
este afectată de distorsiunile de amplitudine sau de fază. Un caz de acest gen se întâlneşte în
domeniul circuitelor de impulsuri, unde forma semnalului poate fi uşor afectată, fără a se pierde
informaţia.
Cea mai simplă relaţie care poate caracteriza un amplificator este următoarea:
x ( t )= A ⋅ y ( t )
unde:
x(t) este vectorul mărimilor de intrare;
y(t) – vectorul mărimilor de ieşire;
A – amplificarea.
Amplificatorul este prezent în majoritatea circuitelor care realizează alte funcţii de
prelucrare a semnalului (oscilatoare, stabilizatoare, modulatoare, demodulatoare, convertoare).
Clasificări ale amplificatoarelor:
– după transmiterea componentei continue:
– amplificatoare de c.c.
– amplificatoare de c.a.
– după gama de frecvenţe:
– amplificatoare de audiofrecvenţă – 20Hz-20kHz
– amplificatoare de videofrecvenţă – 100kHz
– amplificatoare de radiofrecvenţă – 700MHz
– amplificatoare de microunde – 70GHz
– amplificatoare selective (amplifică semnalele dintr-o bandă îngustă);
– după puterea transmisă sarcinii:
– amplificatoare de mică putere
– amplificatoare de putere mare

9.1. Parametrii amplificatoarelor.

9.1.1. Factori de amplificare.
Pentru că un amplificator poate creşte amplitudinea tensiunii sau curentului de la ieşire
faţă de intrare se definesc diferiţi factori de amplificare, şi anume:
V
AV = 0 factorul de amplificare în tensiune;
Vi
I
Ai = 0 factorul de amplificare în curent;
Ii
P
AP = 0 factorul de amplificare în putere;
Pi
 V
AZ = 0 factorul de transfer, numit transimpedanţă, cu dimensiunea Ω;
Ii
I
AY = 0 factorul de transfer numit transadmitanţă, cu dimensiunea Ω-1.
Vi
Factorii de amplificare adimensionali se pot exprima şi în decibeli (dB):
P  V 
AP = 10 lg 0 [dB ] AV = 20 lg 0 [dB ]
 Pi   Vi 
Spre exemplu o amplificare în tensiune de 60dB înseamnă că raportul dintre tensiunea de
ieşire şi tensiunea de la intrare este de 103.
Amplificatoarele mai pot fi clasificate în funcţie de sarcină astfel:
amplificatoare de tensiune, când sarcina are impedanţă mare şi amplificatorul are Ai ≤ 1 ;
amplificatoare de curent, când sarcina are impedanţă mică şi amplificatorul are Av ≤ 1 ;
amplificatoare în putere, când sarcina primeşte putere de la amplificator şi amplificatorul are
Av ≥ 1 , Ai ≥ 1 .

9.1.2. Impedanţele de intrare şi ieşire

În general, amplificatorul este conectat între un generator de semnal şi o sarcină.
Transferul semnalului între generator şi amplificator, ca şi cel între amplificator şi sarcină, se face
cu un anumit consum de energie. Acest fenomen este modelat prin impedanţele generatorului,
amplificatorului şi sarcinii.
Un model din care să reiasă comportarea reală a amplificatorului este cel prezentat în
Fig.9.1.

a) Amplificator de tensiune b) Amplificator de curent

c) Amplificator transimpedanţă d) Amplificator transadmitanţă

Fig.9.1. Variante de amplificatoare funcţie de mărimea amplificată.

În funcţie de natura mărimilor considerate ca intrare şi ieşire, există patru variante de

reprezentare. Ele corespund unui amplificator de tensiune, amplificator de curent, amplificator
transimpedanţă şi amplificator transadmitanţă.
Dacă se ia in considerare amplificatorul de tensiune putem determina relaţia dintre
tensiunile de intrare şi ieşire astfel:
 RS Zi RS
U S = au ⋅ U i ⋅ = au ⋅ Eg ⋅ ⋅
Z 0 + RS Z i + Rg Z 0 + RS
De menţionat că, în model, valoarea amplificării este calculată considerând amplificatorul
fără sarcină. Aceasta înseamnă:
– pentru semnal de ieşire în tensiune, se consideră rezistenţa de sarcină foarte mare;
– pentru semnal de ieşire în curent, se consideră rezistenţa de sarcină foarte mică.

9.2. Amplificatorul ideal.

Dacă se analizează modul de realizare a unor circuite realizate cu amplificatoare, folosite
pentru măsurare sau pentru reglare automată se constată că cel mai important lucru este ca
valoarea cu care se amplifică semnalul trebuie să fie fixă şi foarte bine cunoscută. În astfel de
cazuri, o valoare incertă a amplificării nu este acceptabilă. Pe de altă parte, se ştie că este foarte
dificil să se determine valoarea impedanţelor sursei de semnal şi a sarcinii. Din acest motiv
trebuie folosit un amplificator care să nu îşi modifice parametrii în urma variaţiilor apărute la
impedanţa sursei de semnal şi la impedanţa sarcinii.
Din cele precizate mai sus putem spune că un amplificator ideal este un amplificator al
cărui amplificare nu depinde de impedanţa sursei de semnal şi nici de impedanţa sarcinii
conectate la ieşire.
În urma analizei Fig.9.1.a) şi a relaţiei intrare-ieşire determinate ulterior putem observa că
acel amplificator devine ideal dacă se respectă următoarele inegalităţi:
Z i >> Rg şi Z 0 << RS
Dacă în relaţia dintre intrare şi ieşire se consideră neglijabile valorile lui R g şi Z 0 rezultă
următoarea relaţie:
RS Z
U S = au ⋅ U i ⋅ = au ⋅ U i = au ⋅ Eg ⋅ i = au ⋅ Eg
0 + RS Zi + 0
Se poate spune că dacă Z i >> Rg intrarea este ideală în tensiune şi dacă Z 0 << RS ieşirea
este ideală în tensiune.
Dacă se consideră Fig.9.1.b) se poate observa că amplificatorul devine ideal dacă se
respectă următoarele inegalităţi:
Z i << Rg şi Z 0 >> RS
Se poate spune că dacă Z i << Rg intrarea este ideală în curent şi dacă Z 0 >> RS ieşirea
este ideală în curent.
Pornind de la acest exemplu şi luând în considerare Fig.9.1 se poate spune că există patru
tipuri de amplificatoare ideale:
- amplificatoare ideale de tensiune: Z i >> Rg şi Z 0 << RS
- amplificatoare ideale de curent: Z i << Rg şi Z 0 >> RS
- amplificatoare transadmitanţă: Z i >> Rg şi Z 0 >> RS
- amplificatoare transimpedanţă: Z i << Rg şi Z 0 << RS

9.3. Puterea maximă a amplificatorului.

Limitarea în putere a amplificatorului apare datorită limitării în tensiune şi în curent.
Limitarea tensiunii este în general dată de limitarea tensiunii furnizate de sursa de alimentare.
Limitarea curentului apare în general datorită modului de polarizare a circuitelor din amplificator.
O limitare a tensiunii şi a curentului pot apărea şi datorită dispozitivelor electronice utilizate în
realizarea amplificatorului.
Spre exemplu dacă considerăm un tranzistor bipolar limitele în tensiune sunt date la un
capăt intrarea în zona de blocare şi la celălalt capăt intrarea în zona de saturaţie.
În cele din urmă limitarea puterii este dată de tipul sarcinii pe care o alimentează. În
general producătorul indică valoarea maximă a rezistenţei de sarcină şi a puterii maxime pe
sarcina respectivă.

9.4. Distorsiunile şi zgomotul amplificatorului.

Mai sus s-a precizat că principala caracteristică a unui amplificator este liniaritatea. În
realitate liniaritatea unui amplificator depinde şi de sursa de alimentare şi de tipul sarcinii
alimentate.
Cel mai des neliniaritatea amplificatorului apare datorită mărimii semnalului de intrare.
Astfel dacă semnalul are o valoarea prea mare poate duce la limitarea în funcţionare a unor
dispozitive electronice.
O altă situaţie de neliniaritate se obţine dacă puterea cerută de sarcină este prea mare, ceea
ce poate conduce la modificarea proprietăţilor dispozitivelor electronice care formează
amplificatorul.
Tot o neliniaritate a circuitului se obţine dacă amplificatorul funcţionează la o frecvenţă
neadecvată pentru dispozitivele electronice pe care le are în componenţă.
Pentru exemplificare se observă semnalul de ieşire pentru un amplificator cu tranzistor
bipolar în conexiune emitor comun, la care semnalul de intrare nu respectă valorile proiectate
(Fig.9.2). Din Fig.9.2 se poate observa că dacă semnalul este prea mare tranzistorul intră în zona
de saturaţie, iar semnalul este trunchiat superior (a); dacă semnalul este prea mic, tranzistorul
intră în zona de blocare şi semnalul este trunchiat inferior. Pentru toate cazurile din Fig.9.2
semnalul de intrare se consideră sinusoidal.

a) datorită saturaţiei b) datorită blocării c) datorită saturaţiei şi blocării

Fig.9.2. Limitarea tensiunii de ieşire.

Toate analizele făcute până acum au pornit de la premiza că sistemul este cunoscut, din
punct de vedere al semnalului de intrare dar şi din punct de vedere a componenţei
amplificatorului. Prin urmare se putea calcula cu exactitate semnalul de ieşire. În realitate atât
semnalul de intrare cât şi comportarea amplificatorului pot fi influenţaţi de diferiţi factori interni
sau externi.
Factorii principali care pot influenţa semnalul de ieşire sunt: calitatea semnalului de
intrare, modificarea temperaturii (a se vedea influenţa temperaturii asupra tranzistoarelor), surse
de câmp electromagnetic apropiate etc. Toate acestea introduc anumite perturbaţii care în
continuare le vom numii zgomote, şi care influenţează valoarea şi forma semnalului de ieşire.
9.5. Răspunsul în frecvenţă.
Una dintre caracteristicile sursei de semnal aplicate la intrarea unui amplificator este
frecvenţa. Pentru a cunoaşte funcţionarea amplificatorului este necesar şi cunoaşterea efectului pe
care îl are frecvenţa asupra amplificatorului. Acest efect se poate observa cel mai bine din
caracteristica de frecvenţă a amplificatorului Fig.9.3.

Fig.9.3. Caracteristica de frecvenţă a amplificatorului.

Dacă frecvenţa semnalului aplicat la intrarea amplificatorului este în mică, cuprinsă în

intervalul (0,f a ) factorul de amplificare în tensiune este zero. Dacă frecvenţa semnalului respectiv
este mai mare decât f a , atunci valoarea amplificării înceapă să crească dependent de frecvenţă.
Această creştere a factorului de amplificare are loc atât timp cât frecvenţa semnalului aplicat la
intrarea amplificatorului este în intervalul mai mică decât frecvenţa f b . Se spune că amplificatorul
funcţionează la frecvenţă joasă.
Dacă frecvenţa semnalului aplicat la intrarea amplificatorului este mai mare de f b se
constată că factorul de amplificare în tensiune rămâne la o valoare constantă. Factorul de
amplificare în tensiune rămâne la această valoarea atâta timp cât frecvenţa este cuprinsă în
intervalul (f c -f b ). Această valoarea a amplificării se numeşte Amplificare în bandă şi se notează
cu A 0 . În aceste condiţii se spune că amplificatorul funcţionează la frecvenţe medii sau
funcţionează în bandă.
Dacă frecvenţa semnalului aplicat la intrarea amplificatorului este mai mare de f c se
constată că factorul de amplificare în tensiune scade La frecvenţa fd factorul de amplificarea
ajunge la valoarea 0. Se spune că amplificatorul funcţionează la frecvenţă înaltă.
Valoarea frecvenţei în punct f b se mai numeşte şi frecvenţă inferioară şi se notează f J , iar
valoarea frecvenţei în punctul fc se mai numeşte şi frecvenţă superioară şi se notează f S .
Diferenţa dintre cele două frecvenţe se numeşte Bandă de frecvenţă şi se notează B.

9.5. Reacţia negativă.

Reacţia este o tehnică aplicată în electronică, prin care se poate exercita un control al
intrării funcţie de cerinţa ieşirii. Reacţia poate fi negativă sau pozitivă, ele având efecte contrare
şi din acest motiv sunt folosite în categorii diferite de aplicaţii.
În Fig.9.4. se prezintă un circuit cu reacţie. Mărimile care intervin în această figură sunt:
x 1 – mărimea sursei de intrare;
x 2 – mărimea de intrare în amplificator;
x 3 – mărimea de ieşire a amplificatorului;
x 4 – mărimea reacţiei negative;
a – amplificarea de bază a amplificatorului;
f – factorul de reacţie.
 Fig.9.4. Circuit cu reacţie negativă.

Din Fig.9.4 se pot deduce următoarele relaţii:

x x
a= 3 f = 4 x 2 = x1 − x 4
x2 x3
De unde rezultă că:
x a
x3 = a ( x1 − fx3 ) A= 3 =
x1 1 + af
Unde:
A – este amplificarea reală a sistemului.
Prin definiţie:
- dacă af > 0 , atunci reacţia este negativă
- dacă af < 0 , atunci reacţie este pozitivă
Din relaţia de mai sus se observă pentru reacţie negativă că amplificarea reală a
amplificatorului scade faţă de cea de bază în funcţie de factorul de reacţie. În cazul extrem când
af >> 1 factorul de amplificare devine A = 1 f .

Topologia circuitelor cu reacţie

Pentru a determina ce topologii de reacţii se pot folosi trebuie analizat cum se conectează
reacţia la intrarea amplificatorului, respectiv la ieşirea acestuia.
Efectul reacţiei la intrare este de comparare a semnalului de intrare cu semnalul de reacţie
după cum urmează:
- compararea curenţilor – conectare în paralel (Fig.9.5.a)
- compararea tensiunilor – conectare în serie (Fig.9.5.b)

a) conectare paralel la intrare b) conectare serie la intrare

c) conectare serie la ieşire d) conectare paralel la ieşire

Fig.9.5. Conectarea reacţiei negative la amplificator.
 La ieşire circuitul de reacţie face o eşantionare a semnalului de ieşire după cum urmează:
- eşantionarea curenţilor – conectare în serie (Fig.9.5.c)
- eşantionarea tensiunilor – conectare în paralel (Fig.9.5.d)
Rezultă patru topologii posibile:
- reacţie de curent cu eşantionare paralel
- reacţie de curent cu eşantionare serie
- reacţie de tensiune cu eşantionare paralel
- reacţie de tensiune cu eşantionare serie
10. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE (AO)
10.1. Generalităţi.
Amplificatoarele operaţionale reprezintă familia cea mai cunoscută dintre circuitele
integrate analogice. Ele sunt amplificatoare electronice integrate, care au câteva caracteristici
importante cum ar fi:
- se comportă ca amplificatoare ideale de tensiune având amplificarea în tensiune foarte mare;
- impedanţă de intrare foarte mare şi impedanţă de ieşire foarte mică;
- amplificare diferenţială foarte mare.
Simbolul AO este prezentat în Fig.10.1.
+EC
v+ + v+ +
vO vO
v- - v- -

-EE
Fig.10.1. Simboluri amplificator operaţional.

V + – semnal de intrare neinversoare; semnalul de ieşire este în fază cu semnalul aplicat pe

această intrare;
V - – semnal de intrare inversoare; semnalul de ieşire este defazat cu 1800 faţă de semnalul aplicat
pe această intrare;
V 0 – semnal de ieşire;
E C – sursă pozitivă de alimentare;
E E – sursa negativă de alimentare.

10.2. Caracteristicile grafice ale AO.

Ca la orice circuit sau dispozitiv electronic analizat până în acest moment, şi pentru AO
trebuie cunoscute caracteristicile grafice care îi caracterizează funcţionare. Astfel:
- caracteristica de intrare care reprezintă dependenţa curentului de intrare ca funcţie de
tensiunea de intrare; această caracteristică nu prezintă importanţă deoarece curenţii de intrare
sunt aproape zero (datorită impedanţei mari de intrare).
- caracteristica de ieşire care reprezintă dependenţa curentului de ieşire ca şi funcţie de
tensiunea de ieşire în condiţiile date de semnalul de intrare; nici această caracteristică nu
prezintă importanţă deoarece impedanţa de ieşire are valoare foarte mică, iar caracteristica
depinde exclusiv de sarcină.
- caracteristica de transfer care reprezintă caracteristica grafică între mărimile de intrare şi cele
de ieşire. În general mărimea de intrare este tensiunea diferenţiala de intrare V= d V+ − V− , iar
mărimea de ieşire este tensiunea de ieşire care în cazul unui AO ideal este V0= A ⋅ Vd , unde A
este amplificarea AO.
În Fig.10.2 se prezintă caracteristica de transfer a AO. Pe această caracteristică se poate
observa că există trei zone de funcţionare a amplificatorului
Regiunea de saturaţie negativă reprezintă zona pentru care AO are la ieşire tensiunea
V 0min adică tensiunea maximă de valoarea negativă pe care o poate avea la ieşire indiferent de
valoarea tensiunii de intrare. Această zonă poate fi caracterizată de relaţia de mai jos.
 V0 min
Vd ≤
A
unde A este amplificarea AO
În această zona tensiunea de ieşire nu depinde de tensiunea de intrare, iar tensiunea de
ieşire este aproximativ egală cu tensiunea negativă de alimentare E E .
Regiunea liniară reprezintă zona în care AO funcţionează ca amplificator după relaţia:
V0 = A ⋅ Vd
Amplificarea poate fi de finită ca fiind egală cu: A = tg (α ) . Doar în această regiune AO
funcţionează ca şi amplificator.
Regiunea de saturaţie pozitivă reprezintă zona pentru care AO are la ieşire tensiunea
V 0max adică tensiunea maximă de valoarea pozitivă. Această zonă poate fi caracterizată de relaţia:
V
Vd ≥ 0 max
A
Pentru această regiune tensiunea de ieşire nu depinde de tensiunea de intrare, iar tensiunea
de ieşire este aproximativ egală cu tensiunea pozitivă de alimentare E C .

Fig.10.2. Caracteristica de transfer a AO.

10.3. Conexiunile principale ale AO.

10.3.1. Conexiunea inversoare.
Pentru a obţine o conexiune inversoare, se conectează borna de intrare neinversoare la
masă, iar borna de intrare inversoare la o sursă de tensiune. Schema trebuie să dispună şi de
reacţie negativă. Schema este prezentată în Fig.10.3.

Fig.10.3. Conexiunea inversoare a AO.

 În această schemă apar rezistenţele R 1 care are rol de limitare a semnalului de intrare şi
R 2 care are rol de reacţie negativă.
Dacă se aplică teoremele de calcul electric pe acest circuit va rezulta relaţia:
R
VO = − 2 ⋅ U in
R1
de unde se constată că:
V R
A= 0 =− 2
U in R1
Semnul minus din relaţia amplificării indică că tensiunea de ieşire este defazată cu 180°
faţă de tensiunea de intrare ceea ce justifică denumirea de amplificare inversoare.

10.3.2. Conexiunea neinversoare.

Pentru a obţine o conexiune neinversoare, se conectează borna de intrare neinversoare la
sursa de tensiune, iar borna de intrare inversoare la masă printr-o rezistenţă. Schema trebuie să
dispună şi de reacţie negativă. Schema este prezentată în Fig.10.4.

Fig.10.4. Conexiunea neinversoare a AO.

În această schemă atât rezistenţa R 1 cât şi rezistenţa R 2 au rol de reacţie.
Dacă se aplică teoremele de calcul electric pe acest circuit va rezulta relaţia:
 R 
VO = 1 + 2  ⋅ U in
 R1 
de unde se constată că:
V R
A = 0 = 1+ 2
U in R1
Se poate observa că de această dată semnalul de ieşire este în fază cu semnalul de intrare,
de unde rezultă că amplificarea este neinversoare.

10.3.3. Conexiunea diferenţială.

Pentru a obţine o conexiune diferenţială avem nevoie de două surse de semnal, una care
se conectează la borna de intrare neinversoare, iar cealaltă care se conectează la borna de intrare
inversoare. Schema este prezentată în Fig.10.5.
În această schemă atât rezistenţa R 1 cât şi rezistenţa R 2 au rol de reacţie, iar R 3 şi R 4 , au
rol de divizor pentru intrarea neinversoare cu rol de polarizare.
 Fig.10.5. Conexiunea diferenţială a AO.

Dacă se aplică teoremele de calcul electric pe acest circuit va rezulta relaţia:

 R  R4 R
VO =1 + 2  ⋅ ⋅ U 2 − 2 ⋅ U1
 R1  R3 + R4 R1
Dacă realizarea circuitului se face astfel încât:
R2 R4
=
R1 R3
Rezultă:
R
VO = 2 ⋅ (U 2 − U1 )
R1
R3 R4
Din relaţia de mai sus se poate observa că amplificatorul amplifică tensiunea obţinută ca
şi diferenţă dintre tensiunile de intrare de unde vine şi denumirea de AO diferenţial.

10.3.4. Circuit sumator.

Circuitul sumator este un circuit care are la ieşire suma semnalelor de intrare. Pentru
aceasta se porneşte de la o conexiune inversoare, doar că la borna inversoare se conectează toate
sursele de semnal (Fig.10.5).

Fig.10.5. Conexiunea sumatoare a AO.

 În această schemă rezistenţele R 11 … R 1n au rol de limitare a curenţilor furnizaţi de
sursele de semnal, iar rezistenţa R 2 are rol de reacţie.
Dacă se aplică teoremele de calcul electric pe acest circuit va rezulta relaţia:
n
U
VO = − R2 ⋅ ∑ i
i =1 R1i

Dacă realizarea circuitului se face astfel încât toate rezistenţele de limitare a semnalului să
fie egale:
R=
11 R=12 ...R=
1n R1
Rezultă:
R n
VO = − 2 ⋅ ∑U i
R1 i =1
Din relaţia de mai sus se poate observa că amplificatorul amplifică suma tensiunilor de
intrare. Semnul minus semnifică faptul că tensiunea de ieşire este defazată cu 180° faţă de
tensiunea rezultată ca sumă a tensiunilor de intrare.

10.3.5. Circuit de integrare.

Circuitul de integrare este un circuit care are la ieşire valoarea integrată a semnalului de
intrare. Pentru aceasta se porneşte de la o conexiune inversoare, doar că rezistenţa de reacţie va fi
înlocuită cu un condensator (Fig.10.6).

Fig.10.6. Circuit de integrare cu AO.

În această schemă rezistenţa R are rol de limitare a curentului de la sursa de semnal, iar
condensatorul C are rol de reacţie.
Dacă se aplică teoremele de calcul electric pe acest circuit va rezulta relaţia:
t
1
VO = − ⋅ ∫ U in ( t ) dt
RC 0
În relaţia de mai sus, se poate face notaţia τ = RC , termenul astfel obţinut se numeşte
constantă de timp.

10.3.6. Circuit de derivare.

Circuitul de derivare este un circuit care are la ieşire valoarea derivată a semnalului de
intrare. Pentru aceasta se porneşte de la o conexiune inversoare, doar că rezistenţa de limitare va
fi înlocuită cu un condensator (Fig.10.7).
 Fig.10.7. Circuit de derivare cu AO.

În această schemă rezistenţa R şi condensatorul C au rol de reacţie. Ca şi la circuitul

integrator ele formează constanta de timp a circuitului.
Dacă se aplică teoremele de calcul electric pe acest circuit va rezulta relaţia:
dU ( t )
VO = − RC ⋅ in
dt

10.3.7. Circuit de logaritmare.

Circuitul de logaritmare este un circuit care are la ieşire valoarea logaritmică a semnalului
de intrare. Pentru aceasta se porneşte de la o conexiune inversoare, doar că rezistenţa de reacţie
va fi înlocuită cu o diodă (Fig.10.8).

Fig.10.8. Circuit de logaritmare cu AO.

În această schemă rezistenţa R are rol de limitare a curentului de intrare şi dioda D are rol
de reacţie. Circuitul se numeşte circuit de logaritmare deoarece caracteristica diodei este definită
de o funcţie logaritmică.
Dacă se aplică teoremele de calcul electric pe acest circuit va rezulta relaţia:
kT  U 
VO = − ⋅ ln  in 
e  R ⋅ Is 
Unde:
k – constanta lui Boltzman
T – temperatura absolută
e – sarcina electronului
I s – curentul rezidual al diodei.
 Deoarece s-a utilizat în schemă o diodă, circuitul rezultat va fi unul neliniar.
Termenul kT e se mai numeşte şi tensiune termică.
Din relaţia de mai sus se poate observa că în logaritm apare şi curentul rezidual care
introduce o tensiune de decalaj. În montaje practice aceasta se compensează.

10.3.8. Circuit de antilogaritmare.

Circuitul de antilogaritmare este un circuit care are la ieşire valoarea exponenţială a
semnalului de intrare. Pentru aceasta se porneşte de la o conexiune inversoare, doar că rezistenţa
de limitare va fi înlocuită cu o diodă (Fig.10.9).

Fig.10.9. Circuit de antilogaritmare cu AO.

În această schemă rezistenţa R şi dioda D are rol de reacţie.

Dacă se aplică teoremele de calcul electric pe acest circuit va rezulta relaţia:
e
U in ⋅
VO =− R ⋅ I s ⋅ e kT