Sunteți pe pagina 1din 4

MINISTERUL EDUCAŢIEI, CULTURII ȘI CERCETĂRII AL REPUBLICII

MOLDOVA

UNIVERSITATEA TEHNICĂ A MOLDOVEI

Facultatea Calculatoare, Informatică şi Microelectronică


Departamentul

Microelectronică și Inginerie Biomedicală

RAPORT
la lucrarea de laborator nr.5
Tema: „Studierea tranzistoarelor bipolare”

Disciplina: „Circuite și dispozitive electronice”

A elaborat st. gr.IBM-181, Țurcan Ilie


A verificat lect. univ., Ababii Nicolai

Chișinău 2019
Scopul lucrării: Determinarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar in
conexiunea cu baza comuna si cu emitorul comun si calcularea parametrilor “h”
pentru semnale mici.

Descrierea machetei de laborator

Schema pentru ridicarea experimentala a caracteristicilor statice a tranzistorului


bipolar in conexiunea BC.

Schema pentru ridicarea experimentala a caracteristicilor statice ale tranzistorului


bipolar in conexiunea EC.
UEB, mV 20 40 60 80 100 120 140 160 200 240 280

IE, mA
UCB=0 0 0 0 0.1 0.1 0.4 0.5 1.1 4 9 19
UCB= -5V 0 0 0 0 0.1 0.3 0.7 2.1 7 16 24
Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de intrare ale tranzistorului
bipolar in conexiune BC.

Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de iesire ale tranzistorului


bipolar in conexiune BC.

UCB, V 0 2 4 6 8 10 12 14
IC, mA

IE=5 mA 4.8 4.9 5 5 5.1 5.1 5.3 5.3


IE=10 mA 9.6 9.8 9.8 9.8 9.9 10 10 10.1

Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de intrare ale tranzistorului


bipolar in conexiune EC.

UBE, mV 20 40 60 80 100 120 140 160 200 240 280


IB, mA

UCE=0 0 0 0 0 0 0.1 0.1 0.3 0.7 1.3 2.15


UCE= -5V 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0.1 0.3

UCE, mV 0 0.5 1 1.5 2 3 4 6 8 10 12


IB, mA

IB=200 µA 0.1 0.6 0.7 0.7 0.7 0.7 0.7 0.7 0.8 0.8 0.8
IB=300 µA 0.2 1.5 1.5 1.5 1.5 1.6 1.6 1.7 1.8 1.9 2
Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de iesire ale tranzistorului
bipolar in conexiune EC.
Concluzie:In urma efectuarii lucrarii de laborator am determinat caracteristicile
statice a tranzistoarelor bipolare in conexiunea BC si EC si am reprezentat grafic
caracteristicile de intrare si iesire a tranzistoarelor studiate.