Ampli Practicas

Electrónica de Potencia
(Especialidad de Electrónica)
PRÁCTICAS DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA
1. Introducción
La etapa de salida de los amplificadores es la encargada de suministrar a la carga
señales poco distorsionadas y con una determinada cantidad de potencia.
Hasta ahora se han considerado los elementos activos (transistores) como dispositivos
lineales, debido a que en pequeña señal se producen pocas variaciones alrededor del punto
de trabajo. Esta situación no se produce en los amplificadores de potencia ya que éstos
deben proporcionar una señal de salida grande, por lo que debe tenerse en cuenta toda la
característica de transferencia. Por eso, este tipo de amplificadores se llaman también
amplificadores de gran señal. Estos niveles, provocan distorsión de las señales de salida
debido a la no linealidad de la relación entre la intensidad de colector ic y la intensidad de
base ib: para niveles grandes de señal ic ≠ k ib. Este tipo de distorsión se denomina
distorsión armónica, y como veremos más adelante, no es la única que existe en este tipo
de amplificadores.
2. Clasificación de los amplificadores de potencia

Dependiendo de la situación del punto de trabajo en la recta de carga dinámica, los
amplificadores de gran señal se clasifican en:
Clase A
El elemento activo se polariza en el centro de la recta de carga dinámica, para obtener una
excursión simétrica de la señal de salida. Esto provoca que el amplificador y, por tanto, el
elemento activo disipe potencia aún en ausencia de señal de entrada, y que el rendimiento
sea muy pobre.
Clase B
El elemento activo se polariza justo en el corte, por lo que su consumo de potencia en
reposo es nulo y su rendimiento alto. Requieren un montaje en contrafase que les
proporcione capacidad de amplificación de los dos semiciclos de la señal de entrada y,
además, al estar polarizados en el corte introducen un tipo de distorsión asociada con el
circuito de entrada llamada distorsión de cruce.
Clase AB
Este tipo de amplificadores trata de corregir la distorsión de cruce recurriendo al montaje
en contrafase mediante diodos, situando el punto de de polarización en el umbral de
conducción, y produciéndose por tanto, un empeoramiento del rendimiento respecto a la
clase B, ya que se consume la potencia necesaria para dicha polarización en reposo. En
1
Prácticas de Electrónica de Potencia
este caso, si se aplica a la entrada una señal senoidal, la señal de salida será cero en un
intervalo de tiempo inferior a medio periodo.
Clase C
Se polarizan por debajo del corte y la carga se acopla mediante un circuito LC paralelo,
sintonizado a la frecuencia de la señal de entrada, de forma que se encuentra en estado de
corte la mayor parte del periodo de dicha señal y amplifica sólo durante cortos intervalos.
En la siguiente gráfica se puede ver la situación del punto de trabajo sobre la recta de
carga dinámica para cada tipo de amplificador de potencia:
Fig. 1 Situación del punto de trabajo
3. Rendimiento
En el diseño de este tipo de amplificadores se debe tener en cuenta tanto la limitación
de la fuente suministradora de potencia como la máxima disipación permitida, por lo que
un parámetro importante es el rendimiento de la conversión de potencia.
El rendimiento η se define como la relación entre la potencia promedio entregada a la
carga y la potencia consumida de la alimentación:
potencia entregada a la c arg a P

η= = L x 100%
Potencia (en cc) entregada por la alimentación Palim
4. Ventajas e inconvenientes de los diferentes tipos de amplificadores

• Funcionamiento en clase B respecto al de clase A
Ventajas:
- Mayor potencia de salida, debido a que la amplitud de las señales de salida que se
puede obtener sin recorte es casi el doble.
2
- Pérdida de potencia en reposo despreciable, ya que el punto de trabajo está situado

justo en la zona de corte.
- Rendimiento mayor como consecuencia de los puntos anteriores: un 78.5% teórico

de la clase B frente al 25% de la clase A.
Inconvenientes:
- En la configuración en contrafase es necesario emplear dos transistores idénticos
para no introducir deformación entre los semiciclos de la señal de salida.
- Distorsión de cruce, producida porque los transistores no empiezan a conducir hasta

que la VBE no alcanza unos 0.7V.
• Funcionamiento en clase AB respecto al de clase B

Ventaja:
- Elimina la distorsión de cruce
Inconvenientes:
- Mayor consumo de potencia debido a que circula corriente en reposo.
- Menor rendimiento.
3
PRÁCTICA 2
AMPLIFICADOR CLASE A
5. Procedimiento práctico
En esta práctica se va estudiar el funcionamiento de un amplificador básico en emisor
común en clase A.
MONTAJE EN EL LABORATORIO
El esquema del amplificador se puede observar en la siguiente figura:
β = 50
Fig 1 Amplificador clase A
Objetivos:
Se deben medir los siguientes parámetros:
• Ganancia de tensión Vo/Vi
• Impedancia de entrada
• Distorsión de 2º armónico
Los cálculos teóricos que se deben realizar son:

• Punto de polarización (VCEQ, ICQ)
• Rectas de carga: estática y dinámica
• Ganancia de tensión e impedancia de entrada
Nota: En todos los casos se deben comparar los resultados teóricos con los experimentales.
4
PRÁCTICA 3
AMPLIFICADOR CLASE AB
6. Procedimiento práctico
En esta práctica se va estudiar el funcionamiento del amplificador clase AB polarizado
con diodos.
MONTAJES EN EL LABORATORIO
Se van a realizar dos montajes con objeto de determinar el comportamiento del
amplificador clase AB cuando está excitado mediante una fuente de tensión (1er montaje) y
cuando lo está mediante una fuente de corriente (2º montaje).
1er montaje
El esquema es el siguiente:
Fig. 1 Circuito 1
2º montaje
5
El esquema se puede ver en la figura siguiente:
Fig. 2 Circuito 2
Objetivos:
• Determinar la resistencia de polarización R para proporcionar una tensión de 5 voltios
de pico en la carga sin recorte.
• Medir el punto de polarización.
• Medir la ganancia de tensión.
• Verificar la existencia de la distorsión de cruce al eliminar uno de los diodos de
polarización.
Nota: montar los transistores de potencia TIP31C/32C con disipadores.
6
TIP31 Series(TIP31/31A/31B/31C)
Medium Power Linear Switching Applications
• Complementary to TIP32/32A/32B/32C
1 TO-220
1.Base 2.Collector 3.Emitter

NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage : TIP31 40 V
: TIP31A 60 V
: TIP31B 80 V
: TIP31C 100 V
VCEO Collector-Emitter Voltage : TIP31 40 V
: TIP31A 60 V
: TIP31B 80 V
: TIP31C 100 V
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collector Current (DC) 3 A
ICP Collector Current (Pulse) 5 A
IB Base Current 1 A
PC Collector Dissipation (TC=25°C) 40 W
PC Collector Dissipation (Ta=25°C) 2 W
TJ Junction Temperature 150 °C
TSTG Storage Temperature - 65 ~ 150 °C
Electrical Characteristics TC=25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter Test Condition Min. Max. Units
VCEO(sus) * Collector-Emitter Sustaining Voltage
: TIP31 IC = 30mA, IB = 0 40 V
: TIP31A 60 V
: TIP31B 80 V
: TIP31C 100 V
ICEO Collector Cut-off Current
: TIP31/31A VCE = 30V, IB = 0 0.3 mA
: TIP31B/31C VCE = 60V, IB = 0 0.3 mA
ICES Collector Cut-off Current
: TIP31 VCE = 40V, VEB = 0 200 µA
: TIP31A VCE = 60V, VEB = 0 200 µA
: TIP31B VCE = 80V, VEB = 0 200 µA
: TIP31C VCE = 100V, VEB = 0 200 µA
IEBO Emitter Cut-off Current VEB = 5V, IC = 0 1 mA
hFE * DC Current Gain VCE = 4V, IC = 1A 25
VCE = 4V, IC = 3A 10 50
VCE(sat) * Collector-Emitter Saturation Voltage IC = 3A, IB = 375mA 1.2 V
VBE(sat) * Base-Emitter Saturation Voltage VCE = 4V, IC = 3A 1.8 V
fT Current Gain Bandwidth Product VCE = 10V, IC = 500mA 3.0 MHz
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%
©2000 Fairchild Semiconductor International Rev. A, February 2000

Typical Characteristics
VBE(sat), VCE(sat)[mV], SATURATION VOLTAGE

1000 10000
VCE = 4V IC /IB = 10
hFE, DC CURRENT GAIN
100 1000 V BE(sat)
10 100
V CE(sat)
1 10
1 10 100 1000 10000 1 10 100 1000 10000
IC[mA], COLLECTOR CURRENT IC[mA], COLLECTOR CURRENT
Figure 1. DC current Gain Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage
10 50
IC(MAX) (PULSE) 45
100µ s 40
IC[A], COLLECTOR CURRENT
PC[W], POWER DISSIPATION
IC(MAX) (DC)
5m
35
1m
s
30
1 25
20
15
TIP31 VCEO MAX. 10

TIP31A V CEO MAX.
TIP31B VCEO MAX. 5
TIP31C V CEO MAX.
0.1 0
10 100 0 25 50 75 100 125 150 175 200
o
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE TC[ C], CASE TEMPERATURE
Figure 3. Safe Operating Area Figure 4. Power Derating

Package Demensions
TO-220
1.30 ±0.10 9.90 ±0.20 4.50 ±0.20
(8.70)
2.80 ±0.10
(1.70)
+0.10
ø3.60 ±0.10 1.30 –0.05
18.95MAX.
(3.70)
15.90 ±0.20
9.20 ±0.20
(1.46)
(3.00)
(45°
)
(1.00)
13.08 ±0.20
10.08 ±0.30
1.27 ±0.10 1.52 ±0.10
0.80 ±0.10 +0.10

0.50 –0.05 2.40 ±0.20
2.54TYP 2.54TYP
[2.54 ±0.20] [2.54 ±0.20]
10.00 ±0.20
Dimensions in Millimeters

TRADEMARKS
The following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is
not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.
ACEx™ HiSeC™ SuperSOT™-8

Bottomless™ ISOPLANAR™ SyncFET™
CoolFET™ MICROWIRE™ TinyLogic™
CROSSVOLT™ POP™ UHC™
E2CMOS™ PowerTrench® VCX™
FACT™ QFET™
FACT Quiet Series™ QS™
FAST® Quiet Series™
FASTr™ SuperSOT™-3
GTO™ SuperSOT™-6
DISCLAIMER
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY
PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY
LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN;
NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.
LIFE SUPPORT POLICY
FAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT
DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
INTERNATIONAL.
As used herein:
1. Life support devices or systems are devices or systems 2. A critical component is any component of a life support
which, (a) are intended for surgical implant into the body, device or system whose failure to perform can be
or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform reasonably expected to cause the failure of the life support
when properly used in accordance with instructions for use device or system, or to affect its safety or effectiveness.
provided in the labeling, can be reasonably expected to
result in significant injury to the user.
PRODUCT STATUS DEFINITIONS

Definition of Terms
Datasheet Identification Product Status Definition
Advance Information Formative or In This datasheet contains the design specifications for
Design product development. Specifications may change in
any manner without notice.
Preliminary First Production This datasheet contains preliminary data, and

supplementary data will be published at a later date.
Fairchild Semiconductor reserves the right to make
changes at any time without notice in order to improve
design.
No Identification Needed Full Production This datasheet contains final specifications. Fairchild
Semiconductor reserves the right to make changes at
any time without notice in order to improve design.
Obsolete Not In Production This datasheet contains specifications on a product

that has been discontinued by Fairchild semiconductor.
The datasheet is printed for reference information only.
©2000 Fairchild Semiconductor International Rev. E

Medium Power Linear Switching Applications
• Complement to TIP31/31A/31B/31C
1 TO-220
1.Base 2.Collector 3.Emitter
PNP Epitaxial Silicon Transistor

VCBO Collector-Base Voltage : TIP32 - 40 V
: TIP32A - 60 V
: TIP32B - 80 V
: TIP32C - 100 V
VCEO Collector-Emitter Voltage : TIP32 - 40 V
: TIP32A - 60 V
: TIP32B - 80 V
: TIP32C -100 V
VEBO Emitter-Base Voltage -5 V
IC Collector Current (DC) -3 A
ICP Collector Current (Pulse) -5 A
IB Base Current -3 A
PC Collector Dissipation (TC=25°C) 40 W
PC Collector Dissipation (Ta=25°C) 2 W

Symbol Parameter Test Condition Min. Max. Units
VCEO(sus) * Collector-Emitter Sustaining Voltage
: TIP32 IC = - 30mA, IB = 0 -40 V
: TIP32A -60 V
: TIP32B -80 V
: TIP32C -100 V
ICEO Collector Cut-off Current
: TIP32/32A VCE = - 30V, IB = 0 - 0.3 mA
: TIP32B/32C VCE = - 60V, IB = 0 - 0.3 mA
ICES Collector Cut-off Current
: TIP32 VCE = - 40V, VEB = 0 - 200 µA
: TIP32A VCE = - 60V, VEB = 0 - 200 µA
: TIP32B VCE = - 80V, VEB = 0 - 200 µA
: TIP32C VCE = - 100V, VCE = 0 - 200 µA
IEBO Emitter Cut-off Current VEB = - 5V, IC = 0 -1 mA
hFE * DC Current Gain VCE = - 4V, IC = - 1A 25
VCE = - 4V, IC = - 3A 10 50
VCE(sat) * Collector-Emitter Saturation Voltage IC = - 3A, IB = - 375mA - 1.2 V
VBE(sat) * Base-Emitter Saturation Voltage VCE = - 4V, IC = - 3A - 1.8 V
fT Current Gain Bandwidth Product VCE = - 10V, IC = - 500mA 3.0 MHz
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%

VBE(sat), VCE(sat)[mV], SATURATION VOLTAGE

1000 -10000
VCE = -4V IC /IB = 10
100 -1000 V BE(sat)
10 -100
V CE(sat)
1 -10
-1 -10 -100 -1000 -10000 -1 -10 -100 -1000 -10000
IC[mA], COLLECTOR CURRENT IC[mA], COLLECTOR CURRENT
Figure 1. DC current Gain Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage
-10 50
IC(MAX) (PULSE) 45
100µ s 40
IC(MAX) (DC)
5m
35
1m
s
30
-1 25
20
15
TIP32 V CEO MAX. 10

TIP32A V CEO MAX.
TIP32B V CEO MAX. 5
TIP32C V CEO MAX.
-0.1 0
-10 -100 0 25 50 75 100 125 150 175 200
o
VCE [V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE TC[ C], CASE TEMPERATURE
Figure 3. Safe Operating Area Figure 4. Power Derating

Package Demensions
TO-220
1.30 ±0.10 9.90 ±0.20 4.50 ±0.20
(8.70)
2.80 ±0.10
(1.70)
+0.10
ø3.60 ±0.10 1.30 –0.05
18.95MAX.
(3.70)
15.90 ±0.20
9.20 ±0.20
(1.46)
(3.00)
(45°
)
(1.00)
13.08 ±0.20
10.08 ±0.30
1.27 ±0.10 1.52 ±0.10
0.80 ±0.10 +0.10

0.50 –0.05 2.40 ±0.20
2.54TYP 2.54TYP
[2.54 ±0.20] [2.54 ±0.20]
10.00 ±0.20

TRADEMARKS

FACT™ QFET™
DISCLAIMER
LIFE SUPPORT POLICY
INTERNATIONAL.
As used herein:

Definition of Terms

design.


BD135/137/139
BD135/137/139
Medium Power Linear and Switching

Applications
• Complement to BD136, BD138 and BD140 respectively
1 TO-126
1. Emitter 2.Collector 3.Base
NPN Epitaxial Silicon Transistor

VCBO Collector-Base Voltage : BD135 45 V
: BD137 60 V
: BD139 80 V
VCEO Collector-Emitter Voltage : BD135 45 V
: BD137 60 V
: BD139 80 V
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collector Current (DC) 1.5 A
ICP Collector Current (Pulse) 3.0 A
IB Base Current 0.5 A
PC Collector Dissipation (TC=25°C) 12.5 W
PC Collector Dissipation (Ta=25°C) 1.25 W

Symbol Parameter Test Condition Min. Typ. Max. Units
VCEO(sus) Collector-Emitter Sustaining Voltage
: BD135 IC = 30mA, IB = 0 45 V
: BD137 60 V
: BD139 80 V
ICBO Collector Cut-off Current VCB = 30V, IE = 0 0.1 µA
IEBO Emitter Cut-off Current VEB = 5V, IC = 0 10 µA
hFE1 DC Current Gain : ALL DEVICE VCE = 2V, IC = 5mA 25
hFE2 : ALL DEVICE VCE = 2V, IC = 0.5A 25
hFE3 : BD135 VCE = 2V, IC = 150mA 40 250
: BD137, BD139 40 160
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC = 500mA, IB = 50mA 0.5 V
VBE(on) Base-Emitter ON Voltage VCE = 2V, IC = 0.5A 1 V
hFE Classification
Classification 6 10 16
hFE3 40 ~ 100 63 ~ 160 100 ~ 250

BD135/137/139
100 500
VCE = 2V
VCE(sat)[mV], SATURATION VOLTAGE

90 450
IC = 20 IB
80 400
70 350
IB
60
IC = 10
300
50 250
40 200
30 150
20 100
10 50
0 0
10 100 1000 1E-3 0.01 0.1 1 10
IC[mA], COLLECTOR CURRENT IC[A], COLLECTOR CURRENT
Figure 1. DC current Gain Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage
1.1 10
1.0
VBE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
IC MAX. (Pulsed) 10us

t)
(sa
0.9 V BE 0 I B
1 IC MAX. (Continuous)
IC =
1m
0.8 100us
s
) 1
(on
V BE V
=5
DC
0.7
V CE
0.6
0.5
0.1
0.4
0.3
BD135
BD139
BD137
0.2
0.1 0.01
1E-3 0.01 0.1 1 10 1 10 100
IC[A], COLLECTOR CURRENT VCE [V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
Figure 3. Base-Emitter Voltage Figure 4. Safe Operating Area
20.0
17.5
15.0
12.5
10.0
7.5
5.0
2.5
0.0
0 25 50 75 100 125 150 175
o
TC[ C], CASE TEMPERATURE
Figure 5. Power Derating

BD135/137/139
Package Demensions
TO-126
±0.10
8.00 ±0.30 3.25 ±0.20

3.90
±0.20
14.20MAX
11.00
ø3.20 ±0.10
(1.00) (0.50)
0.75 ±0.10
1.75 ±0.20
1.60 ±0.10
±0.20
±0.30
0.75 ±0.10
16.10
13.06
#1 +0.10
2.28TYP 2.28TYP 0.50 –0.05
[2.28±0.20] [2.28±0.20]

TRADEMARKS

FACT™ QFET™
DISCLAIMER
LIFE SUPPORT POLICY
INTERNATIONAL.
As used herein:

Definition of Terms

design.


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Datasheets for electronics components.

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Electrónica de Potencia

PRÁCTICAS DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA

2. Clasificación de los amplificadores de potencia

Fig. 1 Situación del punto de trabajo

potencia entregada a la c arg a P

4. Ventajas e inconvenientes de los diferentes tipos de amplificadores

- Pérdida de potencia en reposo despreciable, ya que el punto de trabajo está situado

- Rendimiento mayor como consecuencia de los puntos anteriores: un 78.5% teórico

- Distorsión de cruce, producida porque los transistores no empiezan a conducir hasta

• Funcionamiento en clase AB respecto al de clase B

Fig 1 Amplificador clase A

Los cálculos teóricos que se deben realizar son:

El esquema se puede ver en la figura siguiente:

Nota: montar los transistores de potencia TIP31C/32C con disipadores.

1.Base 2.Collector 3.Emitter

Electrical Characteristics TC=25°C unless otherwise noted

©2000 Fairchild Semiconductor International Rev. A, February 2000

VBE(sat), VCE(sat)[mV], SATURATION VOLTAGE

100 1000 V BE(sat)

IC[mA], COLLECTOR CURRENT IC[mA], COLLECTOR CURRENT

Figure 1. DC current Gain Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage

PC[W], POWER DISSIPATION

TIP31 VCEO MAX. 10

Figure 3. Safe Operating Area Figure 4. Power Derating

©2000 Fairchild Semiconductor International Rev. A, February 2000

1.30 ±0.10 9.90 ±0.20 4.50 ±0.20

1.27 ±0.10 1.52 ±0.10

0.80 ±0.10 +0.10

©2000 Fairchild Semiconductor International Rev. A, February 2000

ACEx™ HiSeC™ SuperSOT™-8

LIFE SUPPORT POLICY

PRODUCT STATUS DEFINITIONS

Datasheet Identification Product Status Definition

Preliminary First Production This datasheet contains preliminary data, and

Obsolete Not In Production This datasheet contains specifications on a product

©2000 Fairchild Semiconductor International Rev. E

1.Base 2.Collector 3.Emitter

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Electrical Characteristics TC=25°C unless otherwise noted

©2000 Fairchild Semiconductor International Rev. A, February 2000

VBE(sat), VCE(sat)[mV], SATURATION VOLTAGE

100 -1000 V BE(sat)

IC[mA], COLLECTOR CURRENT IC[mA], COLLECTOR CURRENT

Figure 1. DC current Gain Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage

PC[W], POWER DISSIPATION

TIP32 V CEO MAX. 10

Figure 3. Safe Operating Area Figure 4. Power Derating

©2000 Fairchild Semiconductor International Rev. A, February 2000

1.30 ±0.10 9.90 ±0.20 4.50 ±0.20

1.27 ±0.10 1.52 ±0.10

0.80 ±0.10 +0.10

©2000 Fairchild Semiconductor International Rev. A, February 2000

ACEx™ HiSeC™ SuperSOT™-8

LIFE SUPPORT POLICY

PRODUCT STATUS DEFINITIONS

Datasheet Identification Product Status Definition

Preliminary First Production This datasheet contains preliminary data, and

Obsolete Not In Production This datasheet contains specifications on a product

©2000 Fairchild Semiconductor International Rev. E

Medium Power Linear and Switching

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Electrical Characteristics TC=25°C unless otherwise noted

©2000 Fairchild Semiconductor International Rev. A, February 2000