Diodos de Potencia.

Precedentes.
Los primeros diodos o elementos rectificadores fueron los de puta metálica sobre sulfuro metálico y los de
vacio, ambos empleados inicialmente en el entorno de la detección de ondas de la primitiva radio.
Diodos de unión bipolar
Características eléctricas deseables
Capacidad de soportar gran intensidad con pequeña caída de tensión en el estado de conducción o de
polarización directa.
Capacidad para soportar elevada tención con pequeña capacidad de fuga en el estado de bloqueo o de
polarización inversa.
Recuperación rápida del estado de bloqueo, con baja intensidad inversa, tras el estado de conducción, Esta
característica es deseable en los circuitos que trabajan a altas frecuencia de conmutación, o de paso del
estado de conducción al estado de bloqueo y viceversa.
De los dos tipos de semiconductores empleados normalmente, el de germanio (Ge) y el de silicio (Si), el
primero presenta la ventaja de una caída de tensión en conducción mas baja de 0,5 V frente a 1 V en el de
silicio. Sin embargo este puede soportar una temperatura en la unión de hasta 190 ºC y elevada tensión
inversa, mientras que el diodo de germanio puede funcionar hasta unos 110 ºC como máximo y soporta menos
tensión inversa.
Moderadamente se investigan en diodos de potencia con otros materiales, como el arseniuro de galio, el nitruro
de galio, el carburo de silicio y el diamante. Buscando menor tiempo de recuperación, mayor tensión inversa y
mas alta temperatura de trabajo. Hoy se dispone comercialmente de diodos Schottky, realizado con los tres
primeros materiales.
Características del diodo de unión.
Diodos en estado de bloqueo
El fabricante suele definir en la zona próxima a la avalancha cuatro tenciones características del diodo que
orientan al usuario para emplearlo correctamente, a saber:
Tensión inversa de trabajo: Puede ser soportado a por el diodo de forma continuada sin peligro de
calentamiento pos avalancha.
Tensión inversa de pico repetitivo: Puede ser soportada en picos de 1 ms repetidos cada 10 ms por tiempo
indefinido.
Tensión inversa de pico único: Puede ser soportada pos una sola vez cada 10 minutos o más, con la duración
del pico de 10 ms.
Tensión de ruptura: Si es alcanzada, aunque sea por una vez y con una duración de 10 ms o menos, el diodo
puede destruirse o al menos degradar sus características eléctricas.
Diodo en estado de conducción.
Tensiones características:
Intensidad media nominal: Es el valor medio de la máxima intensidad de impulso senoidales de 180ºC que el
diodo puede soportar con la capsula mantenida a determinada temperatura 110ºC normalmente.
Intensidad de pico: Repetitivo: puede ser soportada cada 20 ms por tiempo indefinido. Con duración de pico de
la 1 ms a determinada temperatura de la capsula.
Intensidad de pico único: es el máximo pico de intensidad aplicable por una vez cada 10 min o mas con
duración del pico de 10 ms.
Características dinámicas del diodo de unión.
Los pasos del estado de corte al estado de de conducción y viceversa no se producen en los diodos de forma
instantánea.
Recuperación inversa y directa.
Diodos lentos y rápidos.
Sobrecargar transitorias.
Diodos de avalancha controlada.
Diodos schottky de potencia.
Así como la necesidad de señal de muy alta velocidad ha llevado al desarrollo de diodos Schottky con tiempo s
de recuperación del orden de los 0,1 ns en la electrónica de potencia las fuentes conmutadas de alta corriente y
baja tensión, principalmente ha impulsado a la busca de diodos que aúnen baja caída de tensión en conducción
y recuperación rápida habiéndose desarrollado para ello diodos Schottky que llegan a los 160 A y 100 V con
800 pF de capacidad entre terminales.
El potencial a vencer para establecer la conducción es de 0,25 V en los diodos Schottky de silicio frente a los
0,7 V en los diodos de unión de silicio.
Diodos Zener de Potencia.
Los diodos Zener tienden a emplearse poco en circuito de potencia debido a las elevadas perdidas que se
ocasionan al combinarse corrientes apreciables con tensiones zener importantes. Los Zener tradicionales no
suelen alcanzar más de 100 V, 10 A y 20 W.
Una aplicación especial característica de estos diodos, construidos normalmente con silicio, es la que combina
el efecto de rectificación ordinario (aunque con la caída de tención en el codo de conducción de 1 V frente a
0,7 V en los diodos de unión de silicio normales), con la utilización de la avalancha zener como protección
contra sobre tensiones.