RAPORT
la lucrarea de laborator nr.3
Tema: „Studierea caracteristicilor și a parametrilor
diodelor semiconductoare”
Disciplina: „Circuite și Dispozitive Electronice (CDE)”
Schema instalației:
+ PA
mA
R2 PV
R1
V VD1 VD2 VD3
VD4
3 4
2
0 1
SA
-
fig. 1 Schema electrică pentru trasarea experimentală a caracteristicii voltamperice la polarizare directă
a diodelor semiconductoare
PA R2
- mA
VD1 VD2 VD3
R1 V
PV1
V 0 1 2 3 4
+ SA
fig. 2 Schema electrică pentru trasarea experimentală a caracteristicii voltamperice la polarizare
inversă a diodelor semiconductoare
Tabelele cu datele experimentale:
Tabelul 1.1
U dir , V 0 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 0,35 0,40 0,45
I dir ,
VD1 0 0 0 0,2 1 3,2 7,1 14,3 25,4 42,2
mA
U dir , V 0 0,10 0,30 0,50 0,60 0,65 0,70 0,75 0,80 0,85
I dir , VD2 0 0 0 0 0,6 1,7 5 12 29 66
mA VD3 0 0 0 0 0 0 0,3 2,2 12,5 51
U d ir , V 0 0,5 1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 1,6 1,7 1,8 1,9 2
I dir , mA VD4 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0,7 4,5 12,7
Tabelul 1.2
I Z , mA 0 0 0 1 2 5 10 15 20 25 30 35
U Z,V 0 5 7 7,38 7,4 7,43 7,47 7,5 7,54 7,58 7,62 7,65
Parametrii diodelor
Curentul
Căderea de
Tensiunea invers
Curentul Curentul de tensiune directă
inversă pentru
Dioda mediu vârf maxim corespunzătoar
maximă, tensiunea
redresat, I d admis, I max e curentului U inv max
I d , U dir
inversă
maximă
VD1 21,1 mA 42,2 mA 0,09 V ~0 ~0
VD2 33 mA 66 mA 0,08 V ~0 ~0
VD4 (LED) 6,35 mA 12,7 mA 0,077 V ~0 ~0
Parametrii diodei Zener
Variația Variația Rezistența
Curentul Curentul Tensiunea
tensiunii curentului porțiunii
minim de maxim de de
VD3 de de de lucru
stabilizare stabilizare stabilizare ΔU Z
I zmin I U stabilizare stabilizare Rdin =
zmax Z
ΔU Z Δ IZ Δ IZ
1 mA 35 mA 7.58 V 0.27 V 34 mA 7,94 Ω
Concluzii:
1. Dioda VD1 cel mai probabil este făcută din Ge, iar VD2 – din
Si
2. Am confirmat experimental graficul caracteristicii
voltamperice pentru toate diodele.