Ministerul Educaţiei, Culturii și Cercetării al Republicii

Moldova
Universitatea Tehnica a Moldovei

RAPORT
Lucrarea de laborator nr. 5
la disciplina Circuite si Dispozitive Electronice

A efectuat: Ghirea Gabriel, RM-201

A verificat: Nicolai Ababii

Chisinau 2021
Tema: Studierea tranzistoarelor bipolare
Scopul lucrării:
De a ridica caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar în conexiune
bază comună (BC) și cu emitorul comun (EC) și determinarea
parametrilor semnalelor mici “h”.

Schemele circuitelor electrice studiate:

Schemele circuitului realizată în PROTEUS

Figura 5.4. Schema electrică pentru trasarea experimentală a caracteristicilor
statice ale tranzistoruluibipolar în conexiunea BC.

Figura 5.6. Schema de trasare experimentală a caracteristicilor statice ale

tranzistorului bipolar în conexiunea EC.
Luăm cunoștință cu machetele lucrării și cu dispozitivile de măsurat.

Realizăm montajul schemei BC cu ajutorul conductoarelor de legătură în

conformitate cu schema de pe machete. Setăm manetele de reglaj ale
potențiometrelor R1 și R2 în poziția extremă din stânga.

Măsurăm curentul de intrare al tranzistorului în dependență de tensiunea respectivă

IE = f(UEB)
a) Cazul UCB = 0. În circuitul de intrare conectăm miliampermetrul din partea
stângă a tranzistorului “A” cu limita de măsurare 200 mA și voltmetrul din
partea stângă a tranzistorului “V” cu limita de măsurare de 2 V și sursa de al
imetare electrică E1. La fel conectăm în partea dreaptă a tranzistorului “A” m
iliampermetru cu limita de măsurare de 200 mA. Tot în partea dreaptă conec
tăm voltmetrul “V” cu limita de măsurare de 20 V și sursa de alimentare elec
trică E2. Regulăm tensiunea UEB de la 100 până la 950 mV și măsurăm intens
 itatea curentului IE. Datele experimentale obținute le introducem în tabelul 5.
1.
b) Cazul UCB = -5 V de la sursa stabilizată la bornele de ieșire E2 aplicăm tensiu
nea -5 V. Măsurăm dependența curentului IE de tensiune UEB după indicațiile
din punctul a). Datele obținute la fel le introducem în tabelul 5.1.
UEB, mV 100 200 300 400 500 605 700 805 846 911 950

UCB = 0V 0 0 0 0 0 0.02 0.81 29 70.7 153 201

IE, mA
UCB = -5 V 0 0 0 0 0 0.02 1.05 37.2 102 202 251

Tabelul 5.1

Măsurăm curentul în circuitul de ieșire al tranzistorului în dependență de tensiunea

IC = f(UCB) pentru 2 valori ale curentului emitorului: 5 și 10 mA. Această valoare o
stabilim cu ajutorul potențiometrului IE = 5 mA și o menținem constantă. Variem te
nsiunea de ieșire de la 0 la 14 V și măsurăm intensitatea curentului IC. Datele obțin
ute le introducem în tabelul 5.2. Același set de măsurări îl efectuăm pentru IE = 10
mA și datele obținute la fel le introducem în tabelul 5.2.
UCB, V 0 2 4 6 8 10 12 14

IE = 5 mA 4.94 5 5.05 5.1 5.14 5.17 5.21 5.24

IC, mA
IE = 10 mA 9.85 9.92 9.98 10 10.1 10.1 10.2 10.2

Tabelul 5.2.

La schema cu emitorul – comun măsurăm curenții IB = f(UBE) și IC = f(UCE) după ce

rințele din tabele. Pentru determinarea acestora efectuăm aceleași măsurări care au
fost efectuate pentru schema cu BC. Datele obținute le introducem în tabelele 5.3 ș
i 5.4.
UBE, mV 100 200 300 400 500 600 696 801 850 901 941

UCE = 0V 0 0 0 0 0 0 0.1 2.44 5.35 8.97 12.2

IB, mA
UCE = -5 V 0 0 0 0 0 0 0 0.39 1.56 4.1 7.65

Tabelul 5.3.
 UCE, V 0 0.5 1 1.5 2 3 4 6 8 10 12

IB = 100 µA -0.09 2.28 2.34 2.41 2.47 2.59 2.71 2.96 3.21 3.45 3.7
IC, mA
IB = 200 µA -0.17 8.96 9.21 9.45 9.69 10.2 10.7 11.6 12.6 13.6 14.5

Tabelul 5.4.
Construim carateristicile statice de intrare și de ieșire ale tranzistorului folosind dat
ele din tabelele 5.1, 5.2, 5.3, 5.4.
Caracteristicile statice de intrare și de ieșire se află la finele raportului în comparti
mentul “CARACTERISTICILE DE INTRARE ȘI DE IEȘIRE ALE TRANZISTO
RULUI BIPOLAR”.
Determinăm parametrii h11, h12, h21 și h22 pentru ambele scheme din caracteristicile
statice.
∆ U EB ( 911 −879 ) mV
ℎ11 B= = =0.8 Ω
∆ IE (153 − 113 ) mA
∆ U EB ( 911 − 879 ) mV
ℎ12 B = = =6.4 ∗ 10−3
∆ U CB 0− ( −5 ) V
∆ I C ( 10 −5.07 ) mA
ℎ21 B = = =0.986
∆ IE ( 10 −5 ) mA

∆ I 'C ( 10.18 −10 ) mA

ℎ22 B = = =0.026 ∗ 10−3 Ω−1
∆ U CB (12 −5.14)V

∆ U BE ( 941− 882.4 ) mV
ℎ11 E = = =13.08 Ω
∆ IB ( 7.65∗ 3.17 ) mA
∆ U BE ( 941 − 882.4 ) mV −3
ℎ12 E = = =11.72 ∗ 10
∆ U CE 0− −5 V
( )
∆ I C ( 11.16 − 2.83 ) mA
ℎ21 E= = =83.3
∆ IB (200 −100) µA

∆ I ' C ( 13.6 −11.16 ) mA − 3 −1

ℎ22 E= = =0.489 ∗10 Ω
∆ U CE (10 −5.01)V

Considerând parametrii hB de bază calculăm parametrii hE și îi comparăm cu cei ob

ținuți din experiment și cu cei din catalog.
ℎ11 B ℎ ∗ℎ ℎ ℎ
ℎ11 E = , ℎ12 E = 11 B 22 B − ℎ12 B , ℎ21 E=− 21 B , ℎ22 E= 22B
1+ℎ 21 B 1+ ℎ21 B 1+ℎ21 B 1+ ℎ21 B
 ℎ11 B 0.8 Ω
ℎ11 E = = =0.402 Ω
1+ℎ 21 B 1+0.986

ℎ11 B ∗ ℎ22 B 0.8 Ω ∗0.026 ∗ 10−3 Ω −1 −3 −3 −3 −3

ℎ12 E = − ℎ12 B= − 6.4 ∗10 =0.01∗10 −6.4 ∗ 10 =− 6.39 ∗10
1+ ℎ21 B 1+0.986

ℎ21 B 0.986
ℎ21 E=− =− =−0.496
1+ℎ21 B 1+0.986

ℎ 22B 0.026 ∗10− 3 Ω− 1 −3

ℎ22 E= = =0.013∗ 10
1+ ℎ21 B 1+ 0.986

Sau
ℎ11 B 0.8 Ω
ℎ11 E = = =57.14 Ω
1+ℎ 21 B 1 −0.986
ℎ11 B ∗ ℎ22 B 0.8 Ω ∗0.026 ∗ 10−3 Ω−1
ℎ12 E = − ℎ12 B= − 6.4 ∗10 −3=1.48 ∗ 10−3 −6.4 ∗ 10−3=− 4.92 ∗10− 3
1+ ℎ21 B 1 − 0.986
ℎ21 B − 0.986
ℎ21 E=− =− =70.42
1+ℎ21 B 1 −0.986
ℎ 22B 0.026 ∗10− 3 Ω− 1 −3 − 1
ℎ22 E= = =1.857∗ 10 Ω
1+ ℎ21 B 1− 0.986

CARACTERISTICILE DE INTRARE ȘI DE IEȘIRE ALE TRANZ

ISTORULUI BIPOLAR
1. Ale tranzistorului bipolar în conexiune BC

Caracteristica de intrare
300

250

200
IE, mA

150

100

50

0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000

UEB, mV

UCB = 0V UCB = -5 V

Caracteristica de ieșire
12

10

8
IC, mA

0
-2 0 2 4 6 8 10 12 14 16

UCB, V

IE = 5 mA IE = 10 mA

2. Ale tranzistorului bipolar cu conexiunea EC

 Caracteristica de intrare
14

12

10
IB, mA

0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000

UBE, mV

UCE = 0V UCE = -5 V

Caracteristica de ieșire
16

14

12

10
IC, mA

0
0 2 4 6 8 10 12 14
-2

UCE, V

IB = 100 µA IB = 200 µA

Concluzii:
Analizând caracteristicile de intrare și de ieșire ale tranzistorului bipolar
în conexiune BC și EC, putem afirma că acest circuit este funcționabil d
atorită faptului că acestea se aseamănă graficelor pentru tranzistoarele id
eale. Aceste mici diferențe care pot fi observate în graficele obținute dup
ă datele experimentale și graficele teoretice pot fi datorate mai multor nu
anțe. Una din acestea poate fi influența valorilor componentelor circuitul
ui, care în schema din indicațiile metodice este o valoarea, iar la circuitul
montat și simulat în Proteus este alta (mai mare sau mai mică), din cauza
necesității de a seta valoarea intensității cât mai aproape de cea din tabel.