SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Es uno de los semiconductores más antiguos

1957 General Electric Research Laboratories

Tiene una enorme capacidad de manejar potencia

Son muy robustos
Seguirá teniendo aplicaciones debido a que es de los
semiconductores con mayor capacidad de manejar potencia

Estructura de 4 capas
SCR IA Ánodo
A
Característica V-I
Puerta VAK

Cátodo K
IA Polarización directa: una vez
disparado, conduce como un diodo

Polarización directa: si no se
ha disparado, no conduce

VAK
Zona de transición

Con polarización inversa se comporta como un diodo: no conduce

El SCR se apaga de forma natural cuando la corriente pasa por cero

Encapsulados de SCR

ADD A PACK MAGN A PACK

PACE PACK

TO-200
Parámetros fundamentales para seleccionar un SCR
• Tensión de ruptura
• Corriente máxima
• Velocidad de conmutación

Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales

400 V
Alta tensión Soportan tensión directa (VDRM)
800 V
e inversa (VRRM)
1000 V
1200 V
Características de disparo

Para disparar el SCR hay que introducir corriente por la puerta

Para que el disparo sea efectivo, se deben de cumplir dos condiciones:

1. La corriente de puerta debe ser superior a un cierto valor

IG Zona de disparo seguro

Ningún SCR se dispara

VGK

No se garantiza el disparo
Características de disparo
El circuito de disparo debe tener una recta de carga tal que el
punto de corte esté en la zona de disparo seguro

Z1

V1

IG
V1 / Z1

Zona de disparo seguro

VGK
V1
Características de disparo

2. Hay que mantener el disparo hasta que la corriente ánodo-cátodo

sobrepase un cierto valor que se llama Corriente de Enclavamiento
(Latching Current)

IA Sigue conduciendo

ILATCHING

Se apaga

IG

Una vez disparado, el SCR sigue conduciendo

aunque no tenga corriente en puerta
Características de disparo
Podríamos disparar el SCR con un pulso de corriente
Esto funciona con carga resistiva ya que la corriente crece
rápidamente y se alcanza fácilmente la corriente de enclavamiento

IA
Z1 = R

IA
V1 Z1
Z1 = Ls
IG Se apaga

IG

Para evitar esto, se suele disparar los SCR con trenes de pulsos

IG
Características de disparo

El SCR se puede llegar a disparar por derivada de tensión

Si la tensión ánodo-cátodo cambia muy bruscamente, puede
inducirse corriente en la puerta y entrar en conducción

i
VAK dVAK
grande
dt
Apagado del SCR

Idealmente, cuando la corriente que circula entre ánodo y cátodo

llega a cero, el SCR se apaga de forma natural

En realidad, se apaga cuando la corriente baja hasta un cierto valor

llamado Corriente de mantenimiento (holding current)

IA

Corriente de Corriente de
enclavamiento mantenimiento
(p.ej 1 A)
(p.ej 600mA)
Apagado del SCR

Hay dos tipos de apagado:

• Apagado estático
IA
• Apagado dinámico

IMANTENIMIENTO
El apagado estático se utiliza en
aplicaciones de red (50 Hz) VAK
El tiristor se apaga de forma natural

El apagado dinámico se utiliza en

aplicaciones de frecuencia más elevada IA
µs
(1 - 20 kHz)
Se requiere un circuito externo para
apagar el SCR de forma forzada VAK
Ejemplo de funcionamiento
V1

Disparo

R1 VR

V1
VR
VT

VT
CARACTERÍSTICAS GENERALES.

• Interruptor casi ideal.

• Soporta tensiones altas.
• Amplificador eficaz.
• Es capaz de controlar grandes potencias.
• Fácil controlabilidad.
• Relativa rapidez.
• Características en función de situaciones pasadas
(memoria).
 Ejemplo de funcionamiento

CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS.

Las características estáticas corresponden a la región ánodo -

cátodo y son los valores máximos que colocan al elemento en límite
de sus posibilidades:
- Tensión inversa de pico de trabajo .............................................: VRWM
- Tensión directa de pico repetitiva ...............................................: VDRM
- Tensión directa ...........................................................................: VT
- Corriente directa media ...............................................................: ITAV
- Corriente directa eficaz ................................................................: ITRMS
- Corriente directa de fugas ............................................................: IDRM
- Corriente inversa de fugas ............................................................: IRRM
- Corriente de mantenimiento ..........................................................: IH
 Ejemplo de funcionamiento

Las características térmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores son:

- Temperatura de la unión ........................................: Tj

- Temperatura de almacenamiento .........................: Tstg
- Resistencia térmica contenedor-disipador .........: Rc-d
- Resistencia térmica unión-contenedor ................: Rj-c
- Resistencia térmica unión-ambiente.....................: Rj-a
- Impedancia térmica unión-contenedor…………...: Zj-c
 Ejemplo de funcionamiento
CARACTERÍSTICAS DE CONTROL.

Corresponden a la región puerta-cátodo y determinan las propiedades del

circuito de mando que responde mejor a las condiciones de disparo. Los fabricantes
definen las siguientes características:

-Tensión directa máx. ....................................................................: VGFM

- Tensión inversa máx. ...................................................................: VGRM
- Corriente máxima..........................................................................: IGM
- Potencia máxima ..........................................................................: PGM
- Potencia media .............................................................................: PGAV
- Tensión puerta-cátodo para el encendido.....................................: VGT
- Tensión residual máxima que no enciende ningún elemento........: VGNT
- Corriente de puerta para el encendido ..........................................: IGT
-Corriente residual máxima que no enciende ningún elemento.......: IGNT

Entre los anteriores destacan:

- VGT e IGT , que determinan las condiciones de encendido del dispositivo
semiconductor.
- VGNT e IGNT, que dan los valores máximos de corriente y de tensión, para los
cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de
dispararse de modo indeseado.
Disparo con elementos semiconductores(
disparo por red RC)

Datos: Ve = 220V/50Hz; R1 = 200KΩΩ;

R2 = 500Ω
Ω; C = 0.1µ
µF

1 1
XC = = −6
= 31830.9Ω
wC 2 ⋅ π ⋅ 50 ⋅ 0.1⋅10

R = R 1 + R 2 = 200.5K Ω

XC
θ = arctg = 9º
R