Universitatea Alexandru Ioan Cuza Iași, Facultatea de Fizica,

Specializare Fizica

Disciplina

ELECTRONICA

Lucrarea nr.6

Tranzistorul bipolar

Studenta: Oajdea Anda-Maria

An II, semestru II
 Tranzistorul bipolar

 Scopul lucrării
 Analiza prin metode experimentale ale caracteristicilor statice tranzistorului bipolar (TB)
in conexiunea emitor comun (EC).

 Rezumatul lucrării

 Structura si procese fizice in TB convențional

Tranzistorul bipolar (TB) convențional reprezintă un dispozitiv semiconductor cu trei

terminale. Constructiv acest tip de tranzistor constă din două joncțiuni pn "cuplate" între ele prin
intermediul purtătorilor minoritari. După modalitatea de realizare și cuplare a joncțiunilor se
formează fie o structură npn fie una pnp.
In principal, tranzistorul bipolar se folosește pentru amplificare liniară a semnalelor electrice
TB este format din 3 segmente:
- Emitor (E) – reprezintă sursa de purtători de sarcina (electroni sau goluri)
- Baza (B)
- Colector (C) - are rolul de a “colecta” purtătorii de sarcina
Terminalul comun circuitului de intrare si celui de ieșire, permite TB sa fie conectat
intr-un circuit, in următoarele configurații:
Baza comuna (BC) Emitor comun (EC) Colector comun(CC)

Raport – Lucrarea 6 - pagina 1 din 7

 In interiorul TB, joncțiunea emitor-bază este polarizată direct și o cantitate mare de
electroni este injectată din emitor în bază. Acești electroni se deplasează spre colector prin
procese de difuzie și marea majoritate, peste 99% ajung la joncțiunea colector-bază. O mică
cantitate de electroni se recombină cu golurile existente în bază. Electronii care ajung la colector
participă la trecerea curentului invers prin joncțiunea colector-bază. Prin urmare cantitatea de
electroni ce traversează joncțiunea colector-bază este mult mai mare decât cantitatea de goluri
care trece din colector în bază.

Curentul de bază IB are mai multe componente:

- electronii care se recombină în bază
- golurile care se deplasează înspre emitor
- curentul rezidual de colector

 Caracteristici statice in conexiunea (EC)

 Caracteristici de ieșire (IC = f(VCE); parametru IB)

Se disting 3 regiuni de funcționare:

o Regiunea activa (I)

Joncțiunea bază-emitor este polarizată direct iar joncțiunea colector-bază este polarizată
invers. Baza și colectorul sunt polarizate pozitiv în raport cu emitorul (VCE > VBE). In cazul
conexiunii EC efectul Early influențează curentul IC prin intermediul factorului 0.

o Regiunea de saturație (II)

Ambele joncțiuni sunt polarizate direct.

o Regiunea de blocare (III)

Raport – Lucrarea 6 - pagina 2 din 7

 Ambele joncțiuni sunt polarizate invers.

 Caracteristici de transfer (IC = f(IB); parametru VCE)

In regiunea activa (VCE > VBE), caracteristicile reprezintă drepte descrise de relația:
(panta egală cu 0) .
Coeficientul care 0 scade rapid la zero, putând lua valori negative întrucât IC îşi poate
schimba sensul.

 Caracteristici de intrare (IB = f(VBE); parametru VCE)

Se poate observa ca numai caracteristicile corespunzătoare valorii (VCE = 0) trec prin origine.
In cazul celorlalte caracteristici avem IB (VBE = 0) = - IC0
Influența tensiunii VCE este mai puternică în domeniul de valori VCE < VBE si devine
neglijabila pentru VCE > VBE.

Raport – Lucrarea 6 - pagina 3 din 7

  Modalitate de lucru

1. Se realizează următorul montaj:

2. Pentru a studia caracteristica de ieșire, vom menține tensiunea pe joncțiunea baza – emitor
constanta si vom creste tensiunea pe joncțiunea colector -emitor.
3. Vom înregistra VCE (voltmetrele M4 si M3 este integrate in sursa de alimentare) si IC (măsurat
de miliampermetrul M2) intr-un table cu date experimentale, după care vom crea graficul
folosind un program de procesare al datelor (OriginLab)
4. Pentru a studia caracteristica de intrare, vom menține sursa de tensiunea VCE la o valoare
constanta. Crescând tensiunea pe joncțiunea baza – emitor, urmărim o creștere a intensității IB
(măsurata de microampermetrul M1) (10μA…100μA)
5. Vom înregistra valorile IB si IC intr-un table cu date experimentale, după care putem crea
graficul folosind un program de procesare al datelor (OriginLab)

Raport – Lucrarea 6 - pagina 4 din 7

  Tabele cu date experimentale

IB = 100 μA
Nr VCE (V) ICE (mA)
1. 0.002 0.01
2. 0.046 0.21
3. 0.060 0.43
4. 0.069 0.60
5. 0.078 0.80
6. 0.087 1.00
7. 0.103 1.50
8. 0.120 2 IB = 150 μA
9. 0.138 2.5
Nr VCE (mV) ICE (mA)
10. 0.163 3
1. 34 0.2
11. 0.192 3.5
2. 44 0.4
12. 0.269 4
3. 53 0.6
13. 0.555 4.5
4. 61 0.8
14. 5 4.76
5. 69 1
6. 81 1.5
7. 93 2
8. 105 2.5
9. 118 3
10. 129 3.5
11. 145 4
12. 162 4.5
13. 184 5
14. 211 5.5
15. 278 6
16. 702 7
17. 2972 7.5
18. 451 6.5
19. 5000 7.64

Raport – Lucrarea 6 - pagina 5 din 7

 VCE=6V
Nr IB (μA) IC (mA)
1. 10 0.430
2. 20 0.870
3. 30 1.380
4. 40 1.800
5. 50 2.360
6. 60 2.850
7. 70 3.420
8. 80 3.900
9. 90 4.400
10. 100 5.000
11. 110 5.550
12. 120 6.170 VCE = 10V
13. 130 6.790 Nr IC (mA) IB (μA)
14. 140 7.270 1. 0.51 11
15. 150 7.930 2. 1.00 22
16. 160 8.460 3. 1.56 33
17. 170 9.210 4. 2.00 42
18. 180 9.700 5. 2.50 51
19. 190 10.520 6. 3.00 61
20. 200 10.960 7. 3.50 69
8. 4.00 78
9. 4.5 87
10. 5 96
11. 5.5 104
12. 6 112
13. 6.5 121
14. 7 127
15. 7.5 136
16. 8 144
17. 8.5 152
18. 9 160
19. 9.5 167
20. 10 175
21. 10.5 184

Raport – Lucrarea 6 - pagina 6 din 7

 Grafice

Raport – Lucrarea 6 - pagina 7 din 7