Universitatea Alexandru Ioan Cuza Iași, Facultatea de Fizica,

Specializare Fizica

Disciplina

ELECTRONICA

Lucrarea nr.7

Studiul tranzistorului cu efect de câmp.

Caracteristici statistice. Parametri.

Studenta: Oajdea Anda-Maria

An II, semestru II
 Studiul tranzistorului cu efect de câmp (TECJ)
Caracteristici statistice. Parametri.

 Scopul lucrării
 Sa se analizeze pe cale experimentala caracteristicile tranzistorului TECJ cu canal n

 Rezumatul lucrării

 Tranzistorul cu efect de câmp cu poarta de joncțiune (TECJ)

TECJ reprezintă un dispozitiv electronic unipolar. Este format dintr-un cristal semiconductor
în care se realizează un canal conductor prevăzut la capete cu contacte pentru aplicarea tensiunii
de alimentare și un electrod de comandă a curentului din canal.
Componentele TECJ sunt:
Sursă (S) - electrodul prin care purtătorii pătrund în canal,
Drenă (D)– electrodul prin care purtătorii sunt evacuați din canal.
Poarta (grila) (G) – electrodul cu ajutorul căruia are loc schimbarea conductanței canalului
purtătorilor de sarcina (confecționat din material semiconductor n sau p), aplicând o tensiune
acestuia.

La tranzistorul TECJ secțiunea

efectivă a canalului este modificată
prin comanda lărgimii regiunii de
trecere a unei joncțiuni pn.

Raport – Lucrarea 7 - pagina 1 din 5

  Caracteristici statice ale TECJ

 Caracteristica de ieșire (de drena)

În cazul tensiunilor de drenă mici, între ID și VD există o

relație liniară, caracteristicile ce trec prin origine sunt drepte și au
panta dependentă de tensiunea aplicată pe poartă.
Cu creșterea tensiunii pozitive pe drenă , după atingerea
unei anumite valori VDS curentul se saturează, caracteristicile
fiind drepte, paralele cu abscisa.

 Caracteristici de transfer

Când ID este slab influențat de VD, se poate trage aceasta familie

de caracteristici pentru regimul de saturație. In cazul tensiunilor de grila
mici, caracteristica de transfer, poate fi considerate liniara.

 Modalitate de lucru

1. Se realizează următorul montaj:

2. Pentru a studia caracteristica de ieșire, vom menține sursa de tensiune VGS la o valoare
constanta si vom creste tensiunea pe VDS.

Raport – Lucrarea 7 - pagina 2 din 5

3. Vom înregistra valorile VDS si ID (măsurat de miliampermetru) intr-un tabeL cu date
experimentale, după care vom crea graficul folosind un program de procesare al datelor
(OriginLab).
4. Pentru a studia caracteristica de transfer, vom menține sursa de tensiune VDS la o valoare
constanta. Aplicând o tensiune pe VGS (aprox 3.25 V) întrerupe astfel circuitul. Micșorăm
valoarea tensiunii VGS.
5 Vom înregistra valorile VGS si ID intr-un table cu date experimentale, după care putem crea
graficul folosind un program de procesare al datelor (OriginLab).

 Tabel cu date experimentale

VGS=0.5 V VGS=0.3 V

Nr VDS (V) ID (mA) Nr VDS (V) ID (mA)

1. 0.05 0.1 1. 0 0
2. 0.139 0.3 2. 0.1 0.26
3. 0.237 0.5 3. 0.2 0.54
4. 0.567 1 4. 0.3 0.77
5. 0.972 1.3 5. 0.4 0.95
6. 1.296 1.4 6. 0.5 1.15
7. 0.347 0.7 7. 0.6 1.31
8. 2.130 1.5 8. 0.7 1.45
9. 2.936 1.55 9. 0.8 1.56
10. 4.63 1.6 10. 0.9 1.67
11. 8.17 1.65 11. 1 1.74
12. 12.21 1.67 12. 1.5 1.96
13. 2 2.05
14. 2.5 2.09
15. 3 2.13
16. 5 2.19
17. 7 2.23

Raport – Lucrarea 7 - pagina 3 din 5

 VDS=2V VDS=1V
Nr VDS (mV) ID (mA) Nr VDS (mV) ID (mA)
1. 6 3 1. 21.6 2.36
2. 50 2.83 2. 100 2.19
3. 100 2.66 3. 200 2.01
4. 150 2.51 4. 300 1.78
5. 200 2.37 5. 400 1.55
6. 250 2.22 6. 500 1.35
7. 300 2.06 7. 600 1.13
8. 350 1.90 8. 700 0.92
9. 400 1.76 9. 800 0.72
10. 450 1.61 10. 900 0.56
11. 500 1.51 11. 1000 0.39
12. 550 1.37 12. 1100 0.25
13. 600 1.25 13. 1200 0.14
14. 650 1.12 14. 1300 0.06
15. 700 1.01 15. 1400 0
16. 750 0.90
17. 800 0.79
18. 850 0.70
19. 900 0.60
20. 950 0.51
21. 1000 0.42
22. 1050 0.34
23. 1100 0.27
24. 1150 0.21
25. 1200 0.15
26. 1250 0.10
27. 1300 0.06
28. 1350 0.03
29. 1400 0

Raport – Lucrarea 7 - pagina 4 din 5

 Grafice

Raport – Lucrarea 7 - pagina 5 din 5