Legea lui Kirckoof , Ohm , Legea lui Ebers-MOLL , caract volt-amperica adiodei redresoare, puntea de diode

q ud
Legea lui Ebers-MOLL i =I ( e
d S
kT )
−1 , I S - curent invers de saturație

Dioda Zener

Multiplicarea in avalansa duce la distrugerea jonctiunii , metoda Zener – NU . Efectul Zener este reversibil , ce are o
anumita limita de aceea caracteristica volt-amperica a diodei Zener si a diodei semiconductoare este aceeași in
polarizarea directa.Insa in polarizarea inversa diefra. Astfel dioda Zener are proprietatea de a stabiliza tensiunea U Z.
Ea functioneaza in baza efectului Zener. Se utilizeaza ca stabilizator de tensiune sau referinta de tensiune. Tensiunea
de stabilizare este comandata constructive si este data de gradul de dopare a jonctiunilor semiconductorului. Dioda
Zener – menține la ieșire tensiunea constantă în limitele variației curentului. Curentul maximal care dioda il
stabilizeaza este notat IZ. Aplicarea unui curent mai mare duce la distrugerea diodei. Rezistența internă determina
puterea diodei. La elaborarea schemei in care se utilizeaza dioada Zener se ține cont de 3 parametri tensiunea
nominală de stabilizare(UZ), curentul de stabilizarea maximal(Iz) și impedanța ( rezistenta generală a diodei Zener).

Dioda Schottky

Jonctiune metal ( aur ) – semiconductor ( n, n+ ). Dioda Shottky constructiv nu utilizează golurile ca purtători de
sarcina ( doar electroni ca purtatori de sarcina). Viteza de comutatie este foarte mare se utilizeaza la scheme de
frecventa inalta. Are caderea de tensiune comparativ joasa ( 0,2 – 0,5 V). Timpul de modificare a direcției curentului
este practic zero. Dioda S = dioda ideala + condensator. I S = 0 . Poate fi numita unipolar cu un singur tip purtator de
sarcina. Capacitatea formata de joncțiune este minimală , nu are timp de retinere la schimbarea directiei curentului ,
nu formeaza zgomot ( lucrează la frecvențe mari ). Dezavantaj – construcția complicata si costisitoare a acestei diode.

Dioda varicap

Ea reprezinta utilizarea capacității de barieră in calitate de condensator cu valoarea comandata in tensiune se

utilizeaza la ajustarea automata a circuitelor de oscilație. Pot avea valori de la pico pana la pico-farazi in domeniul 10-
100 V.

Polarizare directa – capacitate de difuzie

Polarizarea inversa – capacitate de bariera

Dioda Tunel

Dioda Tunel functionaeza in baza efectului tunel ( apare la corespunderea a 3 conditii – bariera de potential inalta ,
ingusta si tensiune joasa) in zona curentului tunel dioda poate lucra la frecvente destul de mari. Neajunsul este
degradarea rapida la suprasarcina sau la temperatura ca reducerea jonctiunii .

Fotodioda

Fotodioda isi schimba caracteristica la luminare ( efectul fotovoltaic ).

LED

Emite lumină la polarizarea directă. Acest proces se numește electroluminiscență, care constă în eliberarea energiei
sub formă de fotoni de lumină la recombinarea purtătorilor de sarcină. Culoarea dispozitivului este determinată de
materialele care intră în acest dispozitiv. Se utilizează diodele LED în calitate de indicatoare și componente a
ecranelor.
 Dependența de temperatură

Efectul termoconductibilității determină creșterea numărului de generare a purtătorilor de sarcină electron-gol

corespunzător joncțiunea p-n capătă o cantitate mai mare de purtători și corespunzător scade rezistența. La
polarizarea inversă aceasta duce la creșterea curentului invers de saturație ( crește nr. de purtători minoritari). La
polarizarea directă crește valoarea curentului pe diodă ( crește nr. de purtători majoritari sau de sarcină).

3 modele de reprezentare a diodei în scheme care nu necesită exactitate , ele sunt utilizate pentru aproximației a
lucrului diodei.

Tema 3 - Surse de alimentare de curent continuu. Redresoare. Filtre. Stabilizatoare.

Redresor este dispozitivul electronic care transformă tensiunea alternativă în tensiune pulsatorie de o singură
direcție și permite curentului să curgă într-o singură direcție ( sau pe scurt redresează tensiunea). Sursa de
alimentare are funcția de a transforma curentul și tensiunea alternativă în curent și tensiune continuă.

Transformarea dată are loc în câteva etape și este realizată de câteva dispozitive ( minimum 4 etape ) .

1. Transformatorul schimbă amplitudinea tensiunii alternative ( alternativ 220V – alternativ 25V ).

2. Redresorul = tensiunea de la transformator o modifică în tensiune pulsatorie de o singură direcție.

3. Pentru denivelarea pulsațiilor tensiunii de la redresor până la o valoare care poate fi considerată aproape continuă.

4. Stabilizatorul menține tensiunea stabilă continuă indiferent de nivelul de consum a curentului la sarcină și de
fructuațiile tensiunii de la filtru.

Rezistența Bleeder permite descărcarea condensatoarelor sursei la lucrul în gol. Rezistența sarcinii sau sarcina
reprezintă rezistența totală a schemei în continuare ( simbol care reprezintă schema în continuare).

Transformatorul are ca funcție modificarea amplitudinii tensiunii este formată de bobina primară pe care .
Amplitudinea tensiunii la bobina secundară este direct dependentă de diferența nr. de spire între bobina primară și
secundară și diferența între aria secțiunii transversale a spirelor.

Cel mai des utilizate în dispozitive sunt redresoarele monofazate cu redresarea de alternanță și necomandate.

Redresor de monoalternanță reprezintă o diodă redresoare conectată în serie. La polarizarea directă a diodei
curentul și tensiunea sunt limitați de căderea de tensiune pe diodă ( 0,7V - siliciu). La polarizarea inversă dioda
permite trecerea doar a curentului invers de saturație ceia ce se poate de neglijat corespunzător redresorul
monoalternanță o jumătate de perioadă permite trecerea curentului o altă jumătate nu permite trecerea curentului.

Se reprezintă parametrii redresorului prin valoarea medie a tensiunii de ieșire și valoarea efectivă a tensiunii de ieșire.

Raportul dintre valoarea efectivă și valoarea medie este factorul de undă care ne arată eficiența transformării( ne
arată cât de apropiată tensiunea de ieșire de tensiunea continuă).

Raportul dintre tensiunea de ieșire și tensiunea de intrare se numește eficiența redresării.

Funcționarea a redresorului cu punct median se bazează pe transformator cu priză mediană , acesta reprezintă
dezvoltarea ideii de redresor monoalternanță și este construit din 2 diode amplasate în contra sens cu conectarea
punctului median la rezistența sarcinei. La alternanța pozitivă D1 este deschisă D2 închisă pe rezistența sarcinii se
aplică alternanța pozitivă.La alternanța negativă D1 inchis, D2- deschis la rezistența sarcinii pe același electrod se
aplică alternanța negativă.
La alternanța pozitivă D1 se deschide și conduce curentul o jumătate de perioadă. La alternanța negativă D2 se
deschide și conduce curentul acealaltă jumătate de perioadă. La ieșire obținem tensiune pulsatorie pe ambele
perioade. Parametrii care descrie funcționarea redresorului de bialternanță sunt aceeași ca și la redresorul
monoalternanță – valoarea medie a tensiunii , care după formulă este de 2 ori mai mare ca la redresorul
monoalternanță . Valoarea efectivă care este aproximativ de aceeași valoare ca a tensiunii de intrare. Factorul de
undă este mai apropiat de valoarea unitară corespunzător este mai apropiat de tensiunea continuă. Eficiența
redresării este dublă față de redresorul monoalternanță. Neajunsul de bază este necesitatea transformatorului cu
priză mediană, care este de 2 ori mai costisitor decât transformatorul simplu.

Puntea de diode reprezintă un redresor dublă-alternanță ( monofazat, necomandabil) care se utilizează 99,9% cazuri.
Avantajele – este comparativ puțin costisitor și are toate avantajele unui redresor bialternanță. Dezavantajul este
căderea de tensiune pe diode dublă față de redresorul cu priză mediană.

La alternanța pozitivă se deschid diodele D2 și D3, corespunzător curentul curge de la A1 prin D2 pe B se aplică pe
sarcină și se întoarce spre A2 prin D3. Se formează primul puls.

La alternanța negativă se deschid diodele D1 și D4, curentul curge de la A2 prin D4 se aplică pe B pe sarcină și se
întoarce la transformator prin D1 la A1. Se formează al doilea puls sau a doua alternanță.

Parametrii sunt aproximativi ca la redresorul dublu-alternanță cu priză mediană. Diferența este că nu necesită
transformator special și cădere dublă pe diode. Se produc puntele de diode atât din diode redresoare cât și din diode
integrate.

Redresorul trifazat are ca funcție transformarea a 3 faze de curent într-un singur curent pulsator cu o singură
direcție.

Filtru cu condensator ( C ) Ca exemplu se ia redresorul monoalternanță cu filtrul C , în timpul alternanței pozitive

capacitatea se încarcă în momentul când tensiunea la secundarul transformatorului devine mai mică ca cea generată
de condensator dioda se închide și sarcina primește curent de la condensator în momentul în care tensiunea pe
secundarul transformatorului devine mai mare ca tensiunea generată de condensator dioda se deschide i
condensatorul se încarcă. Majoritatea timpului sarcina primește curent de la capacitatea de filtrare.

Calculul riplului ( calitatea filtrării filtrului C )

Factorul de undă arată calitatea filtrării curentului pentru a calcula acesta se ia raportul dintre tensiunea la
ieșire( delita V0) și tensiunea la intrare V0 se poate de observat forma de undă . Dacă redresorul este constant atunci
perioada rămâine constantă , daca stabilizatorul este calitativ rezistența sarcinii se menține constantă atunci factorul
de undă se modifică prin valoarea capacității.

Pentru redresorul dublu-alternanță sunt corecte aceleași afirmații doar că perioada este de 2 ori mai mică.

Filtru P ( CRC ) Avantajul este în calitatea mai mare a filtrării ( factorul de undă mai aproape de unitate) . Dezavantajul
este pierderile mari de energie pe rezistență.

Filtrul CLC nu prezintă pierderi mari de energie dar nici avantaje evidente față de filtrul CRC.

Circuitul de limitare se bazează pe dioda Zener și are funcția de a limita tensiunea la o anumită valoare. Se utilizează
la circuitele de protecție. Dioda Zener cu parametrii de baza ( tensiunea Zener ce reprezintă tensiunea de stabilizare
sau tensiunea pe care dioda o menține constantă într-un domeniu larg de curent , curentul invers maximal – curentul
ce dioda îl poate trece fără ca să se distrugă , impedanța sau rezistența internă ).
Circuitul de reglare reprezintă aceeași schemă amplasată după filtru de tensiune și permite să mențină tensiunea
constantă cu o valoare mai mică decât riplul de la filtru. Riplu fiind unda de ieșire a tensiunii din filtru.

Stabilizatorul se numește liniar deoarece elementul lui activ își schimbă rezistența internă liniar față de modificările
consumului de curent la sarcină sau de salturile de tensiune la intrare. Elementul activ al stabilizatorului liniar este
permanent parcurs de curent. Acesta stabilizează tensiunea la ieșire prin modificarea rezistenței interne a
elementului.

Stabilizator de tensiune paralel elementul activ este paralele la ieșirea stabilizatorului. Funcționează astfel 1.dacă
tensiunea este mai mică ca tensiunea de deschidere a diodei Zener, aceasta nu influențează tensiunea de ieșire
( Uintr = U ies ) 2.dacă tensiunea crește pană la deschiderea diodei Zener, aceasta schimbă rezistența internă a diodei
ce menține căderea de tensiune pe diodă în domeniul tensiunii Zener. Neajunsul schemei date este rezistența
amplasată în serie cu mișcarea curentului, astfel are loc pierdere de energie ( cu cât mai mare curentul cu atât cresc și
pierderile ). La micșorarea rezistenței apare probabilitatea de distrugere.

Curentul de ieșire a stabilizatorului este limitat de parametrul diodei. Dioda Zener în mediu are curentul invers
maximal de 10mA. Pentru a ridica curentul maximal la catodul diodei Zener adăugăm un tranzistor în calitate de
amplificator de curent. Curentul care îl trece tranzistorul este dependent de parametrul delta a tranzistorului care
reprezintă coeficientul de amplificare în curent cu o valoare medie de 100. În așa caz curentul la ieșire este limitat de
parametrul tranzistorului și poate fi comparativ mare.

Dacă tranzistorul se deschide prea tare o mai mare cantitate de curent va curge prin emitor colector curentul pe
diodă va scădea ce va duce la scăderea

Dacă tranzistorul se închide prea tare curentul mai puțin va curge prin emitor colector mai mult prin dioda Zener ce
va deschide tranzistorul pentru curgerea curentului pe emitor colector.

Avantajele - nu necesită ca apărare asupra sarcinii , o schemă simplă. Dezavantajele – randamentul mic , consumul de
curent constant indiferent de faptul apariției sarcinii sau lucrului în gol.

Stabilizator de tensiune serie

Elementul activ este conectat în serie cu stabilizatorul. Rezistența R este conectată paralel ceea ce reduce pierderea
de energie. Funcția ei fiind limitarea curentului pe dioda Zener. Tranzistorul este conectat ca repetor pe emitor și la
ieșire asigură o tensiune egală ca tensiunea între colectorul tranzistorului și anodul diodei.

Avantajul – consumul de energie proporțional cu consumul de curent la sarcină.

Dazavantajul – distrugerea tranzistorului la supra sarcină.

Protecția de suprasarcină este formată prin schema R2-D2. Dacă curentul este mic căderea de tensiune pe R2 este
mai mică de 0,65 V D2 nu influențează tensiunea la ieșire. Dacă are loc supracurent căderea de tensiune pe R2 este
mai mare decât 0,65V și D2 se circuitează în baza T1 apărând-ul de suprasarcină.

Stabilizatoare de tensiune liniare integrate

- au pierderi mari de energie

În practică se utilizează scheme de stabilizatoare realizate prin metoda integrării pe un singur cristal. Se notează prin
4 cifre din care primele 2 arata tipul tensiunii stabilizate ( 78 pozitiva și 79 negativa) altele 2 cifre arata valoarea
tensiunii stabilizata ( 5, 12, ... ). Stabilizatoarele date se folosesc la puteri joase.

Scheme surselor de alimentare conțin dispozitivele de baza – transformator, redresor, filtru, stabilizator.
 Tema 4 – Tranzistoare bipolare. Tipuri. Caracteristici. Conexiuni. Utilizare.
PNP = emitor + colector -

NPN = emitor - colector +

Cuvântul tranzistor este format din 2 cuvinte engleze transfer si rezistor în combinare ce înseamnă rezistență
variabilă. Tranzistorul bipolar este comandat în curent pe baza înseamnă că modificând curentul pe bază se modifică
rezistența între colector și emitor. Cel unipolar este comandat în tensiune. Tranzistorul a înlocuit așa pe scheme
electronice ca releul demagotic. Tranzistorul se obține pe un cristal prin metode tehnologice se realizează structura
din 2 joncțiuni NPN sau PNP. Tranzistorul PNP se poate de simulat prin 2 diode catodul conectat în contrasens. Așa
simulări se consideră simplificate și se utilizează unde exactitatea tranzistorului nu influențează valoarea finală.
Direcția mișcării curenților aplicării tensiunilor pe tranzistorul NPN și PNP sunt inverse și vom cerceta ca un singur tip
de tranzistor menționând complementarul. Clasificarea se face în tranzistoare bipolare și unipolare. Cele bipolare se
împart în NPN și PNP. Se clasifică după putere și frecvență. După metoda de elaborare avem discrete sau integrate.
Când se fac calculele după modelul teoretic în electronică se neglijează ca influența capsulei și nu se ia în considerație
tipul de construcție.

Mărimile electrice

Mărimile electronice a tranzistorului pot fi divizate în mărimi independente (4 ) și dependente (2 ). Deoarece

tranzistorul poate fi conectat în scheme doar în calitate de codă-pol putem lua 4 mărimi independente. Dacă
presupunem tranzistorul în calitate de coadă-pol ( diport ) și îl privim ca o cutie neagră putem presupune 3 familii de
caracteristici, dacă luăm funcțiile cu una din variabilele constantă. I1 = i1 ( v1,v2) și presupunem una din variabile
constante astfel primim 3 familii de caracteristici de intrare, ieșire și transfer. Este dat exemplu de amplificator în
conexiune cu emitor comun care este cel mai des utilizata schema de conectare a tranzistorului. Și sunt date schemle
echivalente a tranzistorului în diferite tipuri de conexiuni.

Sunt reprezentate familiile de caracteristici de intrare, ieșire și transfer pentru tipurile de conectare a tranzistorului
coadă-pol. Pentru conectarea bază comună avem 3 familii de caracteristici, pentru conectarea colector comun alte 3
familii și cel mai des utilizate cu emitor comun familiile de caracteristici.

Tranzistorul lucrează în 2 regimuri de funcționare ( static când este aplicat curent și tensiune continuă și dinamic
curent și tensiune variabilă în caz particular alternativă ). Curenții emitorului și colectorului sunt aproximativi egali
curentul bazei având o valoare minimală. Parametrul beta este coeficientul de amplificare în curent pentru regimul
static pentru semnal mare. Echivalent la parametrul beta este parametrul h21 coeficientul de amplificare în curent în
regim dinamic pentru semnal mic.

La funcționarea normală a tranzistorului joncțiunea emitor-bază este polarizată direct în joncțiunea colector-bază –
invers. Condițiile constructive = 1.emitorul este puternic dopat față de colector și bază. 2.colectorul este mai slab
dopat față de emitor și mai puternic față de bază. 3.baza este cea mai slab dopată zonă și lățimea bazei nu trebuie să
fie mai mare ca lungimea de difuzie a purtătorilor majoritari din emitor ( este necesar ca să nu se recombine
purtătorii în baza ca majoritatea purtătorilor să treacă de emitor în colector ).

Funcționarea tranzistorului PNP , ce are 4 regimuri de funcționare ( activ normal RAN, activ invers RAI, de saturație
RS, de blocare RB)

Regimul activ normal este regimul de funcționare de bază a tranzistorului, joncțiunea emitor-bază este polarizată
direct joncțiunea colector-bază – invers. Datorită particularităților constructive a bazei ( puritate înaltă, lățime mică,
joncțiunile se suprapun formând un câmp electric care preia purtătorii majoritari din emitor și îi transmite în colector
cu pierderi minimale de energie ). Se mai numește efectul de tranzistor.
Efectul de poartă sau cheie când funcționează din regimul de blocare în cel de saturație. La regimul activ direct
curentul colectorului trebuie să fie aproximativ egal cu curentul emitorului. Nu este corectă compararea joncțiunilor
tranzistorului cu diodele și se admite doar la modele simplificate. Că joncțiunea polarizată invers nu poate fi
comparată cu o diodă închisă dar nici joncțiunea polarizată direct nu poate fi comparată cu o diodă deschisă , căderea
de tensiune pe joncțiunile tranzistorului este mai mică decât căderea de tensiune pe o singură joncțiune a diodei.
Două joncțiuni a tranzistorului căderea este de 0,4 V pe o joncțiune a diodei căderea este de 0,6 - 0,7 V. Se explică
prin formarea timpului electric comun la polarizarea joncțiunilor.

Reprezentarea grafică a familiei de caracteristici a tranzistorului conectat în emitor comun. Afirmăm că curentul bazei
determină căderea de tensiune colector-emitor. Modificarea curentului bazei duce la modificarea căderii de tensiunii
bază-emitor care duce la modificarea căderii de tensiunii colector-emitor. Corespunzător la modificarea curentului
colectorului.

Regimul activ inversat presupune polarizarea joncțiunii emitor-bază invers și colector-bază direct. Din punct de
vedere constructiv tranzistorul nu este presupus pentru așa funcționare de aceea așa regim de lucru în aplicații
practice nu se utilizează. Regimul dat se cercetează pur teoretic.

Regimul de saturație se formează când ambele joncțiuni se polarizează direct, în cazul dat difuzia purtătorilor de
sarcină din emitor în colector este mai ușoară se sumează câmpurile electrice a joncțiunilor. Tranzistorul se consideră
complet deschis și rezistența în calea emitor-colector este minimală, căderea de tensiune 0,4 V. Apare problema
sarcinii stocate în bază dar problema se rezolvă prin polarizarea cu tensiunea în 0 sau puțin pozitivă pe joncțiunea
bază-colector. Problema sarcinii stocate – când în bază se acumulează purtători minoritari care la ieșirea din regimul
de saturație nu se extrag și în continuare mențin tranzistorul în regim de blocare în timp mai îndelungat.

Regimul de blocare sau tăiat când ambele joncțiuni sunt polarizate invers, curentul neglijabil de mic determinat de
purtătorii minoritari. Tranzistorul se consideră închis.

Reprezentarea grafică a caracteristicilor și regimurilor de funcționare a tranzistorului.

Tabelul de regimuri de funcționare a tranzistorului (cum se polarizarea joncțiunile pentru funcționarea tranzistorului
bipolar într-un anumit regim concret )

Pentru funcționarea tranzistorului în regim activ direct este necesar de polarizat joncțiunea emitorului direct iar
joncțiunea colectorului – invers. Pentru aceasta se utilizează schema cu divizor de tensiune în bază care simulează 2
surse de alimentare (schema cu o singură sursă a 2 se simulează cu divizorul).

Problema se pune în a stabili funcționarea tranzistorului pe un punct static de funcționare.

Parametrii Alpha este porțiunea de curent a emitorului care ajunge în colector, este subunitar ( mai mic ca 1).
Parametrul Beta este factorul de amplificare în curent , este determinat de construcția tranzistorului ce are valori de
sute de unități convenționale.

Formulăm formulele de interacțiune a curenților în tranzistor

IE = IC + IB de aici introducând parametrul alpha putem nota că IC = alpha * IE + ICB0 . Astfel cunoaștem relația între
alpha și beta putem nota ca IC = beta * IB + ( 1 + beta ) * ICB0 neglijăm ICB0 ce având valori minimale  IC = beta *
IB

Putem scrie 3 ecuații. Pe schema polarizării tranzistorului cu divizor de tensiune în bază aplicăm legile 1 și 2 a lui
Kirchhoff putem scrie o serie din 4 ecuații. Obținem 7 ecuații cu mai mult de 7 necunoscute ce nu se rezolvă. Putem
să simplificăm rezolvarea ecuațiilor dacă valorile rezistențelor le alegem pentru aceasta trebuie să înțelegem funcția
rezistențelor

R1 poate fi în domeniul de la zeci până la sute de Kohm

R2 este in domeniul de la Kohm până la zeci de Kohm

RC cât mai mare posibil dar mai mic ca 10 Kohm

RE trebuie să fie de o valoare minimală 1/10 * EC/IC , domeniul de sute de ohm până la Kohm.

R1 și R2 formează divizorul de tensiune , ele se aleg astfel ca consumul de curent pe divizorul dat să fie cât mai mic și
în același timp să formeze o tensiune concretă de 0,65 V pe baza emitor a tranzistorului.

RE – se utilizează pentru stabilizarea termică a punctului static de funcționare ( de a limita ICB0 – curentul format de
purtătorii minoritari de sarcină

RC - reprezintă rezistența de sarcină a tranzistorului, cu cât acesta este mai mare cu atât tensiunea tranzistorului
poate fi luată mai mare, în același timp dacă luăm rezistența prea mare închidem scurgerea curentului pe colectorul
tranzistorului.

Pentru a putea rezolva cele 7 ecuații cu mai mult de 7 necunoscute cel mai simplu este de ales valoare unei rezistențe
cunoscând domeniul de valori a rezistențelor.

Problema se formulează în felul următor – se dă parametru tranzistorului beta pentru ca tranzistorul să lucreze în
regimul activ – normal ( direct ) este necesar ca IC = 2mA , UCE=5V, UEB = 0,65V de asemenea se dă valoarea tensiunii
sursei de alimentare 10V.

1. Calculăm curentul bazei din formula IC = beta*IB. Înlocuim valorile în formula dată și determinăm valoarea
aproximativă a curentului bazei 20 micro-Amperi.
2. Cunoscând curentul bazei determinăm curentul emitorului IC + IB ce va fi 2,02mA.
3. Calculăm rezistența emitorului RE = 1/10 * EC/IC după cerința de valori a rezistenței emitorului ( o zecime din
curentul emitorului )
4. Rezistența colectorului se determină aplicând a 2-a lege a lui Kirghhoff pe schema de polarizare. Astfel
obținem valoarea de 2Kohm
5. Calculăm potențialul bazei față de împămânatre, obținem tensiunea necesar să o formeze divizorul de
tensiune d 1,65V
6. Alegem rezistența R2 în domeniul de valori posibile ca 10Kohm
7. Calculăm curentul I2 = VB / R2 , astfel am obținut 0,165mA
8. Determinăm rezistența R1

Ținând cont de valorile standartizate a rezistențelor aproximăm valorile calculate RC = 2Kohm , RE = 500ohm , R1 =
47ohm, R2 = 10ohm.

Aplicând ecuația obținută după a 2-a lege a lui Kirghhoff pe tranzistor putem determina curentul al un moment de
timp dat prin colectorul tranzistorului și cunoscând tensiunea aplicată pe colector - emitorul (ochiul) tranzistorului
putem desena dreapta de sarcină pe caracteristica de ieșire. Dacă pe dreapta de sarcină reprezentăm curentul bazei
putem determina punctul static de funcționare a tranzistorului. Care ne arată unde la moment de timp dat se găsesc
toți parametrii tranzistorului.
Conductibilitatea materialelor semiconductoare este puternic influențată de temperatura mediului sau a
dispozitivului ( din cauza efectului termoconductibilității - mărirea cantitativă a purtătorilor de sarcină în materialele
semiconductoare la creșterea temperaturii )

În tranzistor la creșterea temperaturii crește valoare curentului rezidual care este determinat de purtătorii minoritari
de sarcină în bază. Ceea ce duce la creșterea curentului colectorului care la rândul său duce la creșterea temperaturii
tranzistorului ce duce la creșterea curentului rezidual și așa mai departe până la distrugerea termică a tranzistorului.

Pentru diminuarea efectului dat se utilizează rezistența RE în pereche cu R2. RE are funcția de diminuare a curentului
rezidual, valoare RE este minimală deoarece ICB0 este comparativ mic.

Dacă reprezentăm tranzistorul ca un cuadropol ( diport ) pe baza a aplicării cutii negre putem construi modelul
simplificat a tranzistorului în schemă.

Modelul simplificat se poate construi în 4 moduri. Cel mai des se utilizează parametrii hibrizi notat prin H ( h )
corespunzător pentru regimul static sau dinamic.

Parametrii hibrizi permit de a reprezenta modelul a tranzistorului și a simula comportamentul în regim static ( de
curent alternativ ) sau regim dinamic ( de curent variabil, caz particular curent alternativ ). Simularea
comportamentului tranzistorului în schemă are loc prin înlocuirea tranzistorului cu careva componente simple de
tipul rezistență, sursă de curent... Reprezentarea prin modelul hibrid simplifică explicarea și calculul tranzistorului în
regim static și dinamic de semnal mic.

Dacă privim tranzistorul ca un cuadropol ( diport ) și reprezentăm în regim de semnal variabil ( semnal sinusoidal ca
caz particular a semnalului variabil).

Presupunem că tranzistorul este polarizat în curent continuu într-un anumit punct static de funcționare, la bornele de
intrare aplicăm semnalul sinusoidal. În așa caz peste potențiale și curenții statici se suprapun potențialele și curenții
dinamici.

Pentru a putea cerceta regimul dinamic facem câteva presupuneri

- Punctul static rămâne în regimul activ direct

- Caracteristica este liniară

Dacă peste valorile statice aplicăm semnalul dinamic de tensiune la baza emitor obținem o variație a curentului bazei,
care la rândul ei duce la variația curentului colectorului, care va duce la variația tensiunii colector emitor.

Prin analogie cu regimul static considerăm ca variabile independente - curentul bazei și tensiunea colector emitor,
aceasta ne permite să formulăm 2 funcții

1. Aplicăm diferențierea asupra acestor funcții

2. În baza funcțiilor diferențiate formulăm parametrii hibrizi în regimul dinamic

Astfel notăm ecuațiile cu ajutorul parametrilor hibrizi și obținem ecuațiile. Care reprezintă aplicarea legilor lui
Kirghhoff pe tranzistor în calitate de cuadropol. Pornind de la aceste ecuații construim schema echivalentă a
tranzistorului în regim dinamic.Schema echivalentă – schema simplificată care ne permite mai ușor să realizăm
calculele asupra parametrilor tranzistorului în regim dinamic.

Parametrii hibrizi - reprezintă parametrii tranzistorului după cum urmează

h11 – impedanța de intrare( ieșirea în scurt-circuit ) – rezistența totală de intrare a tranzistorului

h12 – factorul de transfer invers în tensiune ( intrarea în gol ) – cu cât se modifică tensiunea de ieșire la modificarea
curentului de ieșire dacă intrarea este în gol

h21 – factorul de amplificare dinamic în curent ( cu ieșirea în scurt circuit )

h22 – admitanța de ieșire ( cu intrare în gol )

Parametrii h sunt prezentați de producător în datasheet și cu ajutorul lor se modelează funcționarea tranzistorului în
schemă.

Tipuri de tranzistori bipolari

Tiristorul ( SCR ) – un dispozitiv cu 3 joncțiuni și cu 3 terminale anod , catod și poartă ( G – grilă ). Se evidențiază prin
caracteristica . Dacă anodul este polarizat pozitiv catodul negativ , poarta – nepolarizată atunci joncțiunile emitoare
sunt deschise , joncțiunile colectoare – închise. Curent prin tiristor curge minimal până la un moment când tensiunea
anod catod nu ajunge la un prag. În așa caz are loc multiplicarea în avalanșă și corespunzător scăderea rezistenței
creșterea curentului după tensiunea de prag este asemănătoare cu caracteristica unei rezistențe. Tiristorul este un
dispozitiv comandat în curent.

Se utilizează uzual la comandarea dispozitivelor de putere mare ( sobele industriale ).

Triacul este format ca 2 tiristoare conectate în contrasens. Dacă la triac nu se utilizează grila atunci acesta se numește
diac.

Tranzistorul Schottky

Acest tranzistor reprezintă un tranzistor bipolar cu o conexiune adăugătoare de diodă Schottky între bază și colector ,
aceasta permite scăderea tensiunii de polarizare a jocțiunii bază colector până la valoarea de 0,35V ceea ce în
continuare permite comutarea mai rapidă a joncțiunii bază colector. Se utilizează acolo unde este necesar tranzistor
bipolar cu o viteză de comutare mare.

Fototranzisorul

Un tranzistor bipolar cu comandarea în flux de lumină nu în curent. Baza este deschisă și poate fi supusă iluminării. Se
bazează pe efectul fotoconductibilității. Baza poate fi conectată la curent aceasta permite modificarea fluxului de
lumină care închide sau deschide tranzistorul.

Tema 4 – Tranzistoare cu efect de câmp(unipolari). Clasificare. Caracteristici.

Clasificarea tranzistorilor unipolari se face după construcție. Permite divizarea în TEC (tranzistor cu efect de câmp)
cu joncțiune și TEC – MOS (Metal Oxid Semiconductor). La rândul lor TECJ se împarte în canal p și canal n. TEC-MOS în
canal inițial și indus care se împart în canal p și canal n. Se numește tranzistorul unipolar deoarece la conducția
curentului participă un singur tip de purtători de sarcină corespunzător canalului.(canal n electronii și canal p
golurile). Se numește tranzistor cu efect de câmp deoarece comandarea închiderii sau deschiderii tranzistorului are
loc prin tensiune și corespunzător formarea unui câmp electric.

Tranzistorul TEC are 3 (4) terminale care se numesc

1. Drenă – terminal spre care curentul curge

2. Sursă – terminal de unde curentul curge
3. Grila sau poarta – terminalul pe care se comandă curgerea curentului prin tranzistor (terminal de comandă)
 4. Substratul – apare uneori în tranzistoarele discrete – nu influențează funcționarea, asigură timpul de viață și
corectitudinea funcționării. Se conectează la cel mai mic potențial aplicat pe tranzistor uzual se conectează cu
grila

Dacă pe TECJ cu canal n și anume pe Grilă-Sursă nu aplicăm tensiune, canalul este complet deschis. Curentul
Drenă-Sursă este maximal admisibil pe tranzistor. La polarizarea inversă a joncțiunii p-n adică la aplicarea pe
Grilă-Sursă a tensiunii negative are loc creșterea suprafeței regiunii sărăcite de purtători de sarcină care duce la
îngustarea canalului de trecere a curentului și corespunzător la scăderea curentului Drenă-Sursă. (Tranzistorul la
polarizarea directă a joncțiunii p-n nu funcționează). Tranzistorul funcționează doar la închidere.

Deoarece joncțiunea Grilă-Sursă este polarizată invers tranzistorul nu are curent de intrare. Caracteristica de
intrare a tranzistorului nu este. Se reprezintă doar familia de caracteristici de ieșire și de transfer. Familiile de
caracteristici pentru tranzistorul BC 264 și curentul de drenă maximal admisibil 12 mA. La aplicarea tensiunii
inverse pe Grilă-Sursă curentul Drenă-Sursă scade. Tensiunea de lucru nominală Grilă-Sursă este de 5 – 15 V, în
care caracteristica este în regiunea de curent continuu.

Parametrii de bază a tranzistorului BC 264 ne arată curentul maximal prin tranzistor IDSS. Tensiunea
maximală Drenă-Sursă 15 V, la o tensiune mai mare intrăm în regiune de străpungere. Tensiunea de blocare
(Tensiunea de prag) când aplicată pe Grilă-Sursă reduce curentul Drenă-Sursă până la aproximarea cu zero.

TEC-MOS cu canal inițial reprezintă o structură în care canalul este format tehnologic. Iar cel canal indus
presupune formarea canalului electronic prin polarizarea corespunzătoare a Grilei. Se deosebesc după
construcție, simbol.

TEC-MOS cu canal inițial poate lucra în 2 regimuri

1. Regimul de sărăcire a canalului (regimul în care canalul se închide). Dacă canalul este de tip n purtătorii
de sarcină electronii, la Grilă aplicăm tensiune negativă față de substrat atunci canalul se îngustează până
la închidere. Tensiunea la care canalul se închide se numește tensiunea de prag.
2. Dacă aplicăm pe Grilă tensiune pozitivă canalul acumulează purtători de sarcină liberi din substrat și se
lărgește permițând trecerea unei cantități mai mare de curent.

La tranzistorul canal-indus tehnologic canalul nu este realizat el se formează electronic. Dacă avem substratul
de tip p iar zona Drenă-Sursă de tip n atunci aplicarea pe Grilă a unei tensiuni pozitive va duce la acumularea
electronilor liberi din substrat și formare canalului între Sursă-Drenă. Tranzistorul dat lucrează numai la deschidere.
Tensiunea de prag este tensiunea la care se formează canalul și poate fi măsurat curentul drenei.

Diferențele de bază între tranzistorul unipolar și bipolar sunt determinate de construcție și de utilizarea lor.
Astfel tranzistorul bipolar(BJT) reprezintă joncțiune p-n în calea curentului corespunzător capacitate parazitară și nu
poate funcționa la frecvențe mari. Cel unipolar(FET) nu prezintă joncțiune dar coeficientul de amplificare a lui este
unitar (1 sau nu amplifică). Astfel ca element activ în amplificatoare este mai convenabil de utilizat tranzistorul bipolar
iar ca poartă în schemele digitale tranzistorul unipolar.

Celula de memorie flash

 Tema 5 – Amplificatoare
Dacă luăm amplificatorul și îl privim ca o cutie neagră putem formula următoarele momente de reprezentare

1. Cercetăm amplificatorul de semnal mic ( până la 12,5 mV ) teoretic semnalul mic se reprezintă ca raportul
dintre tensiunea continuă de polarizare pe tensiunea variabilă aplicată la intrarea amplificatorului.
2. Amplificatorul de semnal mic reprezintă semnal la care se cercetează așa parametri ca Amplitudinea,
perioada și frecvența.

Clasificare după

1. Parametri
a. Banda de frecvență
b. Tipul semnalului de amplificat
c. Lățimea benzei ...

2. Particularitățile constructive
a. Element activ
b. Tipul de cuplaj folosit
c. Amplasarea elementului activ...

Componentele de bază a unui etaj de amplificare

1. Element activ uzual tranzistorul

2. Rețeaua de rezistențe ( asigură polarizarea tranzistorului într-un punct static de funcționare cerut )
3. Elementele de cuplaj ( condensatorii )
4. Sursa de energie ( sursa de tensiune continuă )

Parametrii amplificatorilor ( 3 de bază )

1. Coeficientul de amplificare ( raportul dintre semnalul de ieșire și cel de intrare ) arată cu cât amplificatorul
amplifică semnalul
2. Banda de frecvență ( domeniul de frecvență în care coeficientul de amplificare este aproape de maximal sau
având o valoare efectivă )

Frecvențele minimale sunt limitate de elementele de cuplare dar cele maximale sunt limitate de capacitățile
interne a elementului activ și de capacitățile parazitare a circuitului.

3. Gama dinamică domeniul de tensiuni de intrare la care tensiunea de ieșire este proporțională și semnalul de
ieșire nu este deformat.

Alți parametri a amplificatorului așa ca Distorsiunile, Raportul semnal /zgomot, Sensibilitatea mai puțin se reprezintă
în cercetările teoretice pentru a nu complica modelul.

Orice tranzistor se poate de utilizat ca amplificator de curent continuu. Parametrul beta reprezintă coeficientul de
amplificare în curent continuu pentru tranzistor și are valoare uzuală în jur de 100 de unități convenționale. Dar
pentru amplificarea în curent continuu este mai optimal de utilizat combinații de tranzistori în cuplaj direct ( etaje de
amplificare în curent continuu fără elemente de cuplare )

Tranzistori compuși
 1. Darlington reprezintă 2 tranzistori de tip n-p-n conectați cu colectoarele comune și emitorul primului
tranzistor conectat la baza celui de-al doi-lea. Din schema de conexiune se deduce coeficientul de amplificare
de curent continuu echivalent ( beta echivalent ) care este cu 2 ordine mai mare ca coeficientul de amplificare
a oricărui tranzistor din schema dată.
2. Combinația Super Gim este formată dintr-un tranzistor n-p-n și unul p-n-p conectate cu colectorul primului
tranzistor la baza celui de-al doi-lea și emitorul primului la colectorului celui de-al doi-lea. În scheme
combinația se comportă ca tranzistor de tip n-p-n. Din schema conexiune se determină beta echivalent care
la fel este cu 2 ordine mai mare decât beta fiecărui tranzistor din schemă, dar mai mic ca la tranzistorul
Darlington.

Amplificatoare de semnal variabil

Cazul particular a semnalelor variabile sunt semnalele sinusoidale sau alternative care se utilizează pentru
simplificarea modelelor teoretice. Clasa de funcționare a amplificatorului este determinată de forma semnalului de
ieșire care la rândul ei este determinată de poziția punctului static de funcționare și de perioada semnalului de intrare
în care punctul static se găsește în regimul activ a tranzistorului. Poziția punctului static se stabilește prin calculul
rețelei de rezistențe.

Clasa de funcționare A – când semnalul de ieșire este nedeformat și tranzistorul lucrează toată perioada semnalului
în zona activ directă.

Clasa B – când punctul static este calculat la granița între zona activ directă și zona de blocare ( de saturație ).
Semnalul de ieșire se amplifică doar o jumătate de perioadă. Tranzistorul se află în stare de conducție ( în regim activ
direct) o jumătate de perioadă a semnalului de intrare.

Clasa AB – când punctul static este deplasat de la mijlocul dreptei de sarcină dar se află în zona activ directă. La ieșire
semnalul este deformat pe mai puțin de o jumătate de perioadă. Adică tranzistorul mai puțin de o jumătate de
perioadă este în stare de blocare sau de saturație.

Clasa C – când punctul static se găsește înafara zonei activ directe. Se amplifică o porțiune mai mică decât jumătate
de perioadă din semnal. Tranzistorul se află în zona activ directă mai puțin decât o jumătate de perioadă din semnalul
de intrare.

Reprezentarea claselor după perioada semnalului amplificat la ieșire și elementului activ în zona de conducție.

La formare clasei de amplificare influențează și așa parametrii ca gama dinamică a amplificatorului.

Exemplu - Semnalul de intrare care este mai mare ca gama dinamică la ieșire dă un semnal de format ceea ce nu
permite să amplasăm amplificatorul în clasa A.

Amplificatorul în conexiune emitor comun ( amplifică în tensiune )

Schema Amplificatorul în conexiune emitor comun reprezintă schema de polarizare a tranzistorului la care se adaugă
3 capacități.

Capacitățile adăugate la schema de polarizare au funcții de a delimita componenta statică de componenta dinamică
de tensiune în cadrul amplificatorului. Astfel capacitățile CB și CC au funcția de delimitare a curentului static se
numesc capacități de cuplare delimitează etajele de amplificare trebuie să fie alese ca să nu prezinte inductanță în
calea semnalului variabil ( să permită semnalului variabil să treacă fără pierderi de energie și în același timp să nu
permită semnalului static să treacă).
Capacitatea CE are funcția de scurtcircuitare a emitorului a tranzistorului la masă pentru semnalul variabil și în același
timp nu permite scurtcircuitarea semnalului static pentru a asigura stabilitatea termică a punctului de funcționare.

Dacă reprezentăm amplificatorul doar din punct de vedere a tensiunii statice reducem schema și observăm că schema
dată reprezintă schema de polarizare a tranzistorului în regim de curent continuu.

Dacă reprezentăm schema amplificatorului în regim dinamic capacitățile dle înlocuim cu scurtcircuitări ( considerăm
frecvența optimală) sursa de tensiune statică o înlocuim cu scurtcircuitare și pentru simplitate considerăm rezistența
de sarcină nu mai mare ca RC și luăm ca sarcină de tensiune rezistența RC.

Variația curentului de colector IC duce la variația tensiunii de colector emitor și aicea se poate de scris ecuația.
Această ecuație reprezentată ca o dreaptă ne dă dreapta de sarcină în regim dinamic. Punctul de funcționare se va
deplasa pe această dreaptă în jurul punctului static definit de regimul static.

Presupunem că punctul static de funcționare a fost stabilit în M pe baza tranzistorului ( se aplică semnalul de intrare )
aplicăm un semnal sinusoidal mic care îl notăm delita U BE care va determina variația delita I B. De unde putem scrie
relația în care vedem apariția parametrilor hibrizi a tranzistorului. Această relație poate fi aproximată ( dacă
presupunem că admitanța de ieșire este mică ) și adusă la o altă relație ce ne arată deplasarea punctului static pe
caracteristica de transfer a tranzistorului î n cadrul dreptei de sarcină cu o frecvență egală cu frecvența semnalului de
intrare.

Tensiunea de ieșire ( colector emitor ) este în antifază cu semnalul de intrare, astfel variația tensiunii de ieșire se
descrie cu o relație. Dacă înlocuim această relație în formula coeficientului de amplificare obținem o altă relație care
ne arată coeficientul de amplificare. Pentru a construi schema echivalentă a amplificatorului facem câteva
presupuneri și anume tranzistorul se înlocuiește în schema echivalentă cu parametrii hibrizi. Sursa de tensiune
continuu se reduce și se consideră scurtcircuitare și se consideră domeniul de frecvențe optimal capacitățile se
scurtcircuitează. Este necesară pentru găsirea relației factorului de amplificare. Precizarea valorilor rezistențelor ne
scrie o relație. Dacă atragem atenția la circuitul de ieșire putem să scrie o altă relație. Din aceste relații se poate
determina formula coeficientului de amplificare. Presupunem că rezistența sursei de semnal este mică și rezistența
sarcinii și impedanța de ieșire a tranzistorului sunt mult mai maci decât RC atunci se aproximează coeficientul de
amplificare. Din care se poate de extras 2 concluzii

1. Factorul de amplificare este determinat de parametrii tranzistorului și de rezistența RC.

2. Semnalul de ieșire este în antifază cu semnalul de intrare. Ceea ce înseamnă că este defazat cu 180 de grade.

Reacția în amplificatoare – atunci când o parte a semnalului de la ieșire se întoarce înapoi la intrare. Dacă semnalul
de la intrare este în aceeași faza cu semnalul de ieșire – fazele se suprapun și este o reacție pozitivă (regenerativă) , în
caz contrar este o reacție negativă (degenerativă). Uzual se folosește cea negativă , deoarece are factor de amplificare
mai mic. Avantajul este că se mărește banda de frecvență și are loc o stabilitate a semnalului de ieșire.

Efectul reacției negative asupra distorsiunilor

Avantaje =

Dezavantaje = reduce amplificarea globală

Amplificator cu TB în conexiune emitor comun – coeficient de amplificare mare , limitat de tensiunea de intrare...

Amplificator cu TB în conexiune bază comună – nu are loc defazarea semnalului , impedanța de intrare mică ,
coeficient mult mai mic ca la emitor comun...

Amplificator cu TB în conexiune colector comun – formează ieșirea cu o anumită frecvență , nu amplifică

 Tema 6 – Scheme digitale
Actual porțile logice ( NU, SAU-NU, ȘI-NU ) se realizează pe baza tranzistoarelor de tipul TECMOS cu canal indus cu
canal n și cu canal p.

Avantajele tranzistorului unipolar față de bipolar în schemele digitale constă în

1. Frecvența de lucru mult mai mare (unipolar nu are joncțiuni corespunzător capacități interne)
2. Consumul de curent mult mai mic la dispozitive pe baza de tranzistori unipolari (rezultă că nu se încălzește)

Poarta logică NU este formată din 2 tranzistori unul canal n altul tip p, la aplicare la intrare a tensiunii 0
diferența de potențial pe grila primului tranzistor ( canal p ) este de -5V corespunzător tranzistorul se deschide.
Diferența de potențial pe grila tranzistorului 2 este 0 astfel tranzistorul este închis. Tensiunea de la alimentare va
curge la ieșire și corespunzător la ieșire obținem tensiunea de +5V sau valoarea logică 1. Dacă la intrare aplicăm
valoarea logică 1 sau tensiunea +5V tranzistorul T1 este închis diferența de potențial între grilă și sursă este 0 T2 este
deschis diferența de potențial fiind de +5V corespunzător tensiunea de la intrare va curge la împământare și la ieșire
obținem potențialul 0.

Tranzistorul cu canal de tip p se deschide la diferența de potențial de -5V.

Poarta logică SAU-NU

V1 V2 SAU SAU-NU
0 0 0 1
0 1 1 0
1 0 1 0
1 1 1 0

Prezintă la ieșire valoarea logică 1 doar când la ambele intrări avem valoarea logică 0.

Dacă aplicăm la ambele intrări valoarea 0 tranzistorii cu canal de tip p vor fi deschiși cei cu canal n vor fi închiși și
corespunzător tensiunea de la VCC va curge la ieșire V aut astfel obținem +5V la ieșire. În caz contrar când cel puțin o
intrare este +5V sau simbol logic 1 cel puțin unul din tranzistorii cu canal de tip p este închis corespunzător tensiunea
+5V nu curge la ieșire și obținem 0V sau valoarea logică 0.

Poarta logică ȘI-NU

V1 V2 ȘI SI-NU
0 0 0 1
0 1 0 1
1 0 0 1
1 1 1 0

Când ambele intrări sunt unitare sau +5V ambii tranzistori canal de tip n sunt deschiși în timp ce ambii tranzistori p
sunt închiși corespunzător la ieșire obținem valoarea logică 0. În alte cazuri cel puțin unul din tranzistorii n-MOS este
închis și cel puțin unul din tranzistorii p-MOS este deschis corespunzător la ieșire obținem valoarea logică 1.