REFERAT

la disciplina

Materiale Electrotehnice

Coordonator Student
Conferenţiar dr.
 REZISTOARE DEPENDENTE DE INTENSITATEA LUMINOASĂ

FOTOREZISTOARE
INTRODUCERE

DEFINIREA FENOMENULUI DE FOTOCONDUCŢIE

Interacţiunea cu materialul semiconductor a radiaţiei electro-magnetice absorbite

poate determina ionizarea atomilor reţelei şi crearea de purtători de sarcină liberi,
fenomen ce poartă denumirea de efect fotoelectric [1]. În cazul în care energia furnizată
de fotoni electronilor de valenţă este mai mare decât energia de legătură în materialul
semiconductor, electronii de valenţă sunt extraşi din material şi emişi în mediul exterior
(efect fotoelectric extern)[2].
Dacă energia captată de electroni de la fotoni este mai mică decât lucrul mecanic
de extracţie, dar suficientă pentru a crea purtători liberi în materialul semiconductor prin
ruperea unor legături din reţeaua cristalină, fenomenul se numeşte efect fotoelectric
intern [3], iar conductivitatea suplimentară a semiconductorilor iradiat de lumină este
numită fotoconductivitate [4]. În acest caz, rezistenţa electrică scade odată cu fluxul
luminos incident, astfel încât un fotoconductor [5] este un solid bun izolator la întuneric,
dar care este capabil să conducă curentul electric când este expus la lumină.
Efectul fotoelectric intern se poate produce prin mai multe mecanisme:
a) Absorbţia proprie (mecanismul intrinsec) [6] reprezintă interacţiunea
elastică dintre un foton şi un electron de valenţă, în urma căreia electronul trece în banda
de conducţie prin mecanismul intrinsec; se creează astfel perechi de goluri şi electroni de
conducţie [7] Absorbţia proprie poate avea loc numai dacă energia fotonilor Ei
depăşeşte energia benzii interzise a semiconductorului E g
Ei = hv ≥ E g (1)
unde v este frecvenţa radiaţiei optice, iar h este constanta lui Planck.
Condiţia (1) conduce la o lungime de undă limită:
h ×c
λi = (2)
Eg

2
Unde λi - reprezintă lungimea de undă limită în cazul unui mecanism intrinsec, iar c –
este viteza luminii în vid.
Pentru energii ale radiaţiei mai mici decât acest prag energetic inferior E g
(respectiv lungimi de undă ale radiaţiei mai mari decât λi ), absorbţia directă [8] nu mai
poate avea loc, semiconductorul fiind practic transparent pentru această radiaţie.
b) Absorbţia datorită impurităţilor (mecanismul extrinsec) reprezintă
interacţiunea elastică a fotonilor cu atomii de impuritate din semiconductor, prin care este
posibilă ionizarea acestora pe baza energiei primite de la fotoni; în acest mod iau naştere
purtătorii mobili de sarcină de un singur tip (goluri în banda de valenţă sau electroni în
banda de conducţie), după cum sunt ionizaţi atomii acceptori sau donori [9]. Şi în acest
caz se defineşte un prag inferior de declanşare a absorbţiei, definit de energia de activare
a impurităţilor E e ( E D sau E A , în funcţie de tipul mecanismului extrinsec – donor sau
acceptor – de generare a purtătorilor), respectiv o lungime de undă limită λe .
h ×c
λe = (3)
Ee

Deoarece în mod uzual, impurităţile introduc nivele energetice locale în banda

interzisă ( Ee ≤ E g ), rezultă un prag inferior mai coborât decât în cazul absorbţiei proprii,
λe ≥ λi .

CAPITOLUL 1

3
 CARACTERISTICILE ŞI PROPRIETĂŢILE FOTOREZISTOARELOR

Rezistoarele dependente de fluxul luminos (fotorezistoarele) [10] sunt

componente a căror funcţionare se bazează pe efectul fotoelectric intern din
semiconductoare. Simplificat, se poate arăta dependenţa rezistivităţii de intensitatea
luminoasă, considerând structura din fig.1.
U

l 2

1
d
Fig. 1
Numărul de electroni eliberaţi pe secundă în semiconductor este:
N =ηLld (4)
unde ld - este suprafaţa de incidenţă a fluxului luminos, L - este intensitatea luminoasă,
iar η - reprezintă o constantă ce depinde de lungimea de undă λ a radiaţiei.
La aplicarea unei diferenţe de potenţial U celor doi electrozi, electronii vor avea
viteza:
U
v =µ (5)
d
unde µ - este mobilitatea electronilor. La electrodul pozitiv vor ajunge numai electronii
eliberaţi la distanţavτ de acest electrod, τ fiind durata medie de viaţă a electronilor
liberi. Deci din totalul electronilor, doar fracţiunea vτ / d va contribui la formarea
fotocurentului, a cărui expresie este:
vτ ηeµ τlLU
I = Ne = , (6)
d d
iar rezistenţa materialului va fi:
U d
R= = L−β (7)
I ηeµτl
unde e – este sarcina electronului.

4
 Durata medie de viaţă τ depinde de lungimea de undă şi de intensitatea
luminoasă:
τ = τ 0 ( λ) L−β , (8)
unde βeste o constantă [11]. Prin urmare se poate scrie cu o bună aproximare relaţia
dintre rezistenţă şi iluminare:
R = AL−α (9)
După cum se poate observa pentru a avea o variaţie mare a rezistenţei
(senzitivitate) trebuie ca A să aibă valoare cât mai mică, fapt ce se poate realiza prin:
• alegerea de materiale cu η, µ,τ0 cât mai mari;
• realizarea constructivă a unui raport d / l cât mai mic prin folosirea electrozilor
interdigitali sau a unui electrod transparent [12].
Principalele caracteristici ale fotorezistoarelor sunt
• rezistenţa la întuneric ( Rd ), care reprezintă valoarea rezistenţei la iluminare
nulă;
• sensibilitatea la fluxul luminos, care poate fi:
1. sensibilitatea integrală, definită ca raportul dintre fotocurent şi fluxul
luminos incident [13]
2. sensibilitatea spectrală, reprezentând raportul dintre fotocurent şi fluxul
luminos incident la iluminarea monocromatică [14]
3. sensibilitatea specifică, definită ca raport dintre sensibilitatea integrală şi
tensiunea aplicată [15]
4. sensibilitatea fotorezistorului reprezentând raportul dintre rezistenţa
fotorezistorului supus radiaţiei şi rezistenţa de întuneric [16]
• constanta de timp τ , care reprezintă timpul după care curentul scade de
e ori faţă de valoarea maximă (timpul de creştere este mult mai mic);
• caracteristica spectrală a sensibilităţii, care reprezintă variaţia
sensibilităţii spectrale S λ în funcţie de lungimea de undă λ

5
 • caracteristica voltamperică I = f (U ) , care la cele mai multe
fotorezistoare este liniară, dar la tensiuni mai mari prezintă o pantă de creştere
scăzătoare;
• caracteristica de lumină (lux-amperică)
∆I = f ( L ) (10)
unde L este intensitatea luminoasă.

CAPITOLUL 2

TEHNOLOGIA DE FABRICAŢIE

Iniţial, fotorezistoarele au fost realizate pe bază de seleniu cristalin. Caracteristica

lor spectrală cuprinde lungimi de undă din domeniul vizibil – IR. Deplasarea
caracteristicii către undele lungi se realizează prin impurificare cu Te, dar sensibilitatea
fotorezistoarelor pe bază de Se este mică comparativ cu a altor fotorezistoare.
O largă răspândire o au fotorezistoarele realizate din PbS, deoarece acestea
prezintă o inerţie mică şi un domeniu larg de valori ale rezistenţei de întuneric

(R d = 10 4 − 10 7 Ω ) . Aceste fotorezistoare reprezintă sensibilitate maximă în domeniul

IR, deplasându-se către unde lungi la scăderea temperaturii [17].
Cea mai mare parte a fotorezistoarelor din domeniul vizibil sunt realizate din CdS
monocristalin (sensibil şi la radiaţia X ) sau policristalin. Sulfura de cadmiu policristalină
are caracteristica spectrală mai largă şi aceasta poate fi modificată prin reglarea
concentraţiei de impurităţi ( Cu , Fe) , permiţând totodată puteri de disipaţie mai mari.
O sensibilitate de câteva ori mai mare faţă de fotorezistoarele din CdS, şi o inerţie
mică o reprezintă dispozitivele fabricate din CdSe. Prin folosirea unor amestecuri cu
proporţii variabile de CdS şi CdSe se pot obţine proprietăţi intermediare şi cu
sensibilitate spectrală maximă.

6
 CAPITOLUL 3

APLICAŢII

A. Celulele solare
Materialele sensibile la radiaţii sunt utilizate pentru fabricarea celulelor
fotoconductive, a căror principiu de funcţionare se bazează pe efectul fotoelectric intern.
Toate celulele solare au acelaşi principiu de funcţionare [18]. Pe un electrod metalic se
depune un strat semiconductor de tip p iar pe suprafaţa sa , sub electrodul transparent, se
depune un strat semiconductor de tip n . În joncţiunea pn (strat de blocare), ia naştere un
câmp electric de difuzie, de intensitate E. La iluminarea fotoelementului în stratul
semiconductor de tip n apar perechi de purtători de sarcină, electron –gol. Sub acţiunea
câmpului electric E , golurile se deplasează spre electrodul metalic, iar electronii spre
electrodul transparent, apărând astfel o diferenţă de potenţial U .
Celulele solare se realizează de obicei din sulfură de cadniu [19] şi prezintă
avantajul unui cost mic, dat fiind faptul că atât procesul tehnologic cât şi materialul în
sine sunt ieftine. Principalele dezavantaje sunt:
• eficienţă redusă;
• necesită multe operaţii pentru asigurarea stabilităţii lor.
Dintre celulele solare cu CdS [20] cele mai studiate sunt celulele care prezintă
heterojoncţiune de tipul CdS − Cu 2 S .
Pe un substrat din plastic sau sticlă, se depune un strat de contact electric din Zn,
In 2 O3 sau Cd 2 SnO 4 . Apoi, se depune prin evaporare în vid, un strat de CdS cu o

grosime de aproximativ 25 µm şi structura astfel obţinută se introduce într-o soluţie de

CuCl, la temperatura de 80 – 100 grade Celsius. Acest proces se menţine timp de câteva
zeci de secunde până la câteva minute, pentru a se forma un strat de sulfură de cupru cu
grosimea de 0,2 -0,3 µm , la suprafaţa stratului de sulfură de cadmiu. Sistemul rezultat
este supus unui tratament termic la temperaturi de 200-250 grade Celsius, timp de câteva

7
minute până la câteva ore. Astfel, fotosensibilitatea celulei creşte şi de asemenea se
îmbunătăţesc caracteristicile ei electrice . Pentru asigurarea stabilităţii, pe suprafaţa de
Cu 2 S se depune un strat de cupru cu grosimea de 100 -150 A. După realizarea acestei

depuneri se efectuează un nou tratament termic, în aer (180 grade Celsius timp de 10- 20
minute), în urma căruia suprafaţa stratului de cupru se oxidează, formându-se un film de
Cu 2 O . Acest film are rolul de a reduce semnificativ viteza de recombinare de suprafaţă.

[21]
O atenţie deosebită trebuie acordată faptului că apa şi oxigenul atacă stratul de
Cu 2 S , modificându-i structura [22]. Pentru prevenirea acestui fenomen, celulele se

încapsulează între plăcile de sticlă sau se menţin tot timpul într-o atmosferă de N 2 .
Principalii factori care determină limitarea de eficienţă sunt:
• viteza de recombinare de suprafaţă
• lungimea de difuzie mică a fotopurtătorilor în Cu 2 S
• recombinarea pe stări de interferenţă
După cum am menţionat mai sus, recombinarea de suprafaţă poate fi redusă prin
formarea stratului de oxid cupros pe suprafaţa celulei. În cazul unor lungimi mici de
difuzie se pot produce recombinări de volum [23]. Aceste recombinări pot fi reduse prin
menţinerea stratului de Cu 2 S la o grosime mai mică decât lungimea de difuzie [24].
Recombinarea pe stările de suprafaţă este mai mică atunci când densitatea
acestora este mai scăzută. Această densitate este puternic dependentă de gradul de
compatibilitate a reţelelor de CdS şi Cu 2 S . O compatibilitate mai bună ( densitate mai
mică de stări de interfaţă) se obţine prin înlocuirea CdS cu un aliaj de tip Cd 1−x Zn x S .
Un efect asemănător îl are înlocuirea stratului de Cu 2 S cu InP .

B. Luminoforii şi fosforii

Aceste elemente se utilizează pentru fabricarea dispozitivelor de

fluorescenţă sau fosforescenţă, a ecranelor tuburilor catodice, a lămpilor fluorescente şi a
panourilor luminoase [25]. Toate aceste produse conţin unu sau doi luminofori de bază
(activaţi prin introducerea unor impurităţi adecvate) şi substanţe auxiliare. Luminoforii

8
utilizaţi în tehnică se obţin din sulfuri, seleniuri, silicaţi, wolframaţi, boraţi, etc, activaţi
cu impurităţi precum Cu , Bi, Mn. Ca materiale auxiliare se utilizează de obicei, NaCl ,
CaF 2 , Na 2 B4 O7 etc [26].

O descriere succintă a caracteristicilor şi utilizărilor luminoforilor este prezentată

în tabelul de mai jos:
Materialul Culoarea Caracteristici Utilizări
luminii emise
Silicaţii de zinc Verde Persistenţă mare; Ecrane cu strălucire
randament redus redusă; tuburi catodice
ptr. TV; lămpi
fluorescente
Sulfura de zinc sau cadmiu Albastră- verde; Persistenţă redusă Tehnica fotografică
violet -roşie randament mare
Seleniura de zinc Albastră azurie Randament foarte Tehnică fotografică
mare
Silicaţii de zinc şi de beriliu Galbenă Tuburi catodice ptr. TV,
lămpi fluorescente
Wolframaţii de cadmiu şi de Albastră Tehnică fotografică, lămpi
magneziu fluorescente
Boratul de cadmiu Roz Lămpi fluorescente

C. Electrografia (xerografia)

Fotoefectul intern din semiconductori este utilizat pe larg în aşa numita

electrofotografie sau xerografie. În procesul xerografierii sunt implicate patru etape.
Formarea imaginii electrostatice are loc pe o peliculă subţire a unui material
fotoconductor (de obicei un semiconductor cu rezistibilitate înaltă, cum este ZnO) depusă
pe un strat metalic reflector. La întuneric, se introduce o sarcină electrostatică uniformă
pe suprafaţa fotoconductorului. Această fază de încărcare este realizată cu ajutorul unei
descărcări pozitive prin efect corona, fenomen ce determină difuzia de ioni pozitivi pe
suprafaţa fotoconductorului [27]. La interfaţa substrat metalic - fotoconductor se dezvoltă
o sarcină indusă egală şi de sens opus. În întuneric fotoconductorul nu conţine nici o
sarcină mobilă.
Placa fotoconductoare este expusă apoi la lumină în forma unei imagini reflectate
de materialul (text, figură, etc) ce trebuie copiat. În punctele în care lumina cade pe

9
fotoconductor, fotonii sunt absorbiţi, formându-se astfel perechi mobile de tip electron-
gol. Sub influenţa câmpului electric intens, electronii se deplasează la suprafaţă şi
neutralizează sarcinile pozitive, în timp ce golurile migrează la interfaţa fotoconductor -
substrat, neutralizând sarcinile negative. În locurile unde lumina intensă izbeşte
fotoconductorul, sarcina este total anulată. Dacă lumina este mai slabă, sarcina este
parţial redusă, iar în cazul în care lumina nu atinge suprafaţa fotoconductorului, sarcina
electrostatică iniţială, rămâne localizată în această regiune. În acest mod, s-a produs
convertirea unei imagini optice într-o imagine electrostatică. La developarea imaginii
electrostatice, particulele fine de pigment încărcate negativ sunt aduse în contact cu placa.
Aceste particule sunt atrase de zonele suprafeţei încărcate pozitiv formându-se o imagine
vizibilă. Pigmentul este transferat apoi unei foi de hârtie care a fost încărcată pozitiv în
scopul atragerii pigmentului. Încălzirea de scurtă durată a hârtiei determină topirea
pigmentului, realizându-se astfel o copie permanentă [28].

D. Fotoelectroliza

În 1972, Fujishima şi Honda au arătat că apa poate fi fotolizată electrochimic cu

lumina solară prin folosirea electrozilor din semiconductori imersaţi într-un electrolit
[29]. Fotoelectroliza a fost pusă în evidenţă prin utilizarea unei celule analoage barierei
Schottky, care conţine ca anod un semiconductor pe bază de dioxid de titan, sub formă de
rutil. Încovoierea benzii care apare la interfaţa semiconductorului electrolit se produce
datorită diferenţei în lucru mecanic de extracţie a semiconductorului, raportat la cel al
electrolitului. Prin urmare, în scopul echilibrării nivelelor Fermi, o parte din electroni vor
fi transferaţi de la semiconductorul de tip n la electrolit, electrolitul devenind uşor
negativ în raport cu semiconductorul. Totodată plecarea electronilor de la suprafaţa
semiconductorului, va crea un strat de epuizare în electroni urmat de încovoierea benzii.
Un raţionament analog, dar în sens invers, se poate face referitor la golurile din
semiconductorului de tip p. Prin urmare celula de fotoelectroliză prezentată poate fi
considerată o joncţiune p-n cu electrolit intercalat la joncţiune [30].
BIBLIOGRAFIE

10
 [1] - Gh. Zet , D. Ursu, p.244 -245 în „ Fizica stării solide”, Editura Tehnică
Bucureşti 1989
[2] -V.M. Cătuneanu, p. 173- 175, 209-210 în „Materiale pentru electronică” ,
Editura Didactică şi Pedagogică, Bucureşti, 1982
[3] - A. Amin, J. Am.Ceram., 72, 369, (1989)
[4] - A. Ifrim, P. Notingher, p. 229 în „Materiale electrotehnice”, Editura
Didactică şi Pedagogică, Bucureşti , 1992
[5] - http://router.obs.utcluj.ro/~baruch/book_siel/SIEL-Cap06.pdf
[6] – http://ep.etc.tuiasi.ro/site/Introducere%20Electronica/SCA2.pdf
[7] - K. Okazaki, Advanced Ceramics, 1, 23, (1979)
[8] – I.G. Epifanov, „Solid State Physics” , Mir Publishers, Moscow, 1979
[9] - H. Noboru, N. Ichinose, Am.Ceram. Soc, Bulletin, 64, 1581 (1985)
[10] - http://facultate.regielive.ro
[11] - A.P. Tipler, „Physics”, Worth Publishers Inc. 1976
[12] – M. Nilo, S. Valverde, J.Am.Ceram. Soc. , 68, 657 (1985)
[13] - M. Drofenik, J. Am.Ceram.Soc. , 70, 311, (1987)
[14] – G. G. Libowitz, M.S. Whittingham, „Materials Science in Energy
Technology”, Academic Press, New York, San Francisco, London , 1979
[15] – http://www.webex.ro
[16] – http://www.upg-ploiesti.ro
[17] - W. Heywang, J. Mater, Science, 6, 1214, (1971)
[18] - G. H. Jaker, E.E. Havinya, Mater. Res. Bull. , 17, 345 (1982)
[19] - G. E. Pike, p.731 în „Materalsc Science and Technology” , vol. 11,
Editura M.V.Swain, V.C.H. Weinheim, Germany 1994
[20] – www.facultate.regielive.ro/.../
studiul_caracteristicii_curent_tensiune_a_unei_celule_solare-5009.html
[21] – T.K. Gupta, W.G. Carlson , J.Mat. Sci. , 20, 3487 (1985)
[22] - www.onlinestudent.ro/
[23] – www.studentie.ro/
[24] – G.W. Lewis, C.R.A. Catlow, Rad.Effects, 73, 307 (1983)

11
 [25] - I.Teoreanu, N.Ciocea, L.Nicolescu, V.Moldovan, „Introducere în
ştiinţa şi ingineria materialelor anorganice” , vol.2, Editura Tehnică, Bucureşti,
1987
[26] - www.mct.ro
[27] - D.Becherescu, V.Cristea, F.Marx, I.Menessy, F.Winter, „Cimia stării
solide”, Editura Ştiinţifică şi Enciclopedică, Bucureşti , 1983
[28] – http://www.physics.udel.edu/~watson/scen103/less-copier.html
[29] – I. Teoreanu, N.Ciocea, „Tehnologia produselor ceramice şi refractare”
, vol.2, Editura Tehnică, Bucureşti, 1985
[30] – G.J. Russel, J.Woods, J.Appl.Phys. , 64, 6477, (1988)

12