7.

TIRISTOARE
Dispozitivul electronic semiconductor cu trei și mai multe joncțiuni p-n, la
care pe caracteristica curent-tensiune există o regiune cu rezistență diferențială
negativă și este utilizat pentru comutare se numește tiristor.
Tiristorul cu două terminale se numește tiristor diodă (dinistor). Tiristorul
care are două terminale principale și un terminal de control (comandă) se numește
tiristor triodă (trinistor). Tiristorul cu o caracteristică curent-tensiune simetrică față
de originea coordonatelor se numește tiristor simetric (triac), cel cu două terminale
dinistor simetric (diac).
În fig. 7.1 sunt prezentate construcțiile unor tiristoare de diferite puteri și
scopuri.

Figura 7.1 – Construcții ale tiristoarelor

7.1. Dinistoare
Dinistorul reprezintă un semiconductor monocristalin, de obicei siliciu, în
care sunt create patru regiuni alternative cu diferite tipul de conductivitate p-n-p-n
(fig. 7.2, a). La granițele de divizare a acestor regiuni apar joncțiuni p-n: joncțiunile
extreme (J1 și J3) se numesc joncțiuni emitor, iar regiunile adiacente lor – emitoare;
joncțiunea p-n din mijloc J2 se numește joncțiune colector. Structurile interne – n1 și
p2 – se numesc baze. Regiunea p1, în care intră curentul din rețeaua externă, se
numește anod (A), regiunea n2 – catod. (K,(C)).

Figura 7.2 – Structura dinistorului (a) și simbolul grafic al lui (b)

Considerăm procesele care au loc în tiristor când se aplică tensiunea directă,
adică „+” la anod, „-” la catod. În acest caz, joncțiunile p-n extreme J1 și J3 sunt
polarizate direct, iar joncțiunea mijlocie J2 polarizată indirect. În consecință,
„dinistorul” poate fi reprezentat sub forma unei structuri cu doi tranzistori (fig. 7.3).
Deoarece joncțiunile J1 și J3 sunt polarizate direct, purtătorii de sarcină sunt
injectați în regiunea bazelor; goluri din regiunea p1, electroni din regiunea n2. Acești
purtători de sarcină difuzează în regiunile bazelor n1 și p2, apropiindu-se de
joncțiunea colectorului, sunt aruncați de câmpul său prin joncțiunea J2. Golurile,
injectate din regiunea p1 și electronii din regiunea n2 se deplasează prin joncțiunea
J2 în direcții opuse, creând un curent comun I.

Figura 7.3 – Structura (a) și schema echivalentă a dinistorului

cu două tranzistoare (b)
La valori mici ale tensiunii externe, toată cade practic pe joncțiunea
colectorului J2. Prin urmare, la joncțiunile J1 și J3, având rezistențe mici, se aplică o
mică diferență de potențial, iar injecția purtătorilor de sarcină este mică. În acest caz,
curentul I este mic și egal cu curentul indirect prin joncțiunea J2.
Odată cu creșterea tensiunii externe, curentul din circuit se schimbă la
început nesemnificativ. La creșterea de mai departe a tensiunii, pe măsură ce lățimea
joncțiunii J2 crește, purtătorii de sarcină formați, ca urmare a ionizării prin ciocniri,
încep să joace un rol din ce în ce mai important. La o anumită valoare a tensiunii,
purtătorii de sarcină sunt accelerați atât de mult încât atunci când se ciocnesc cu
atomii joncțiunii p-n J2, îi ionizează, provocând o multiplicare prin avalanșă de
purtători de sarcină. Golurile formate în acest caz, sub influența câmpului electric,
sunt transferate în regiunea p2, iar electronii în regiunea n1. Curentul prin joncțiunea
J2 crește, iar rezistența sa și scăderea de tensiune pe ea scade. Acest lucru duce la o
creștere a tensiunii aplicate joncțiunilor J1 și J3 și creșterii injecțiilor prin ele, ceea
ce determină o creștere suplimentară a curentului colectorului, și curenților
injecțiilor. Procesul se desfășoară într-o manieră asemănătoare avalanșei și rezistența
joncțiunii J2 – devine mică. Purtătorii de sarcină, care apar în regiuni, ca urmare a
injecției și multiplicării prin avalanșă, duc la micșorarea rezistențelor tuturor
regiunilor dinistorului, iar căderea de tensiune pe el devine neglijabilă. Pe
caracteristica curent-tensiune, acestui proces îi corespunde regiunea 2 cu rezistență
diferențială negativă (fig. 7.4). După comutare, caracteristica curent-tensiune este
similară cu caracteristica diodei polarizate direct (domeniul 3). Regiunea 1
corespunde stării închise a dinistorului.

Figura 7.4 – Caracteristica curent – tensiune a dinistorului

Dinistorul este caracterizat prin valoarea maximă admisibilă a curentului
direct (fig. 7.4), la care va exista o mică tensiune pe dispozitiv Ucnd (conducție).
Dacă reducem curentul prin dispozitiv, atunci la o anumită valoare a curentului,
numită curent menținere Imnț, curentul brusc scade, iar tensiunea crește brusc, adică
dinistorul revine la starea închisă (blocată) corespunzătoare domeniului 1.
Tensiunea dintre anod și catod, la care are loc tranziția dinistorului în starea de
conducție, se numește tensiune de comutare Ucom.
Când se aplică o tensiune negativă anodului, joncțiunea colectorului J2 se va
polariza direct, iar joncțiunile emitoare se vor polariza indirect. În acest caz, nu
există condiții pentru deblocarea (deschiderea) dinistorului și prin el circulă un mic
curent indirect.

7.2. Tiristoare de tip triodă (trinistor)

Tiristorul de tip triodă (trinistor) diferă de dinistor prin prezența unei ieșiri
(unui terminal) dintr-una dintre baze. Acest terminal se numește electrod de
comandă (fig. 7.5).
Dacă se cuplează sursa externă Uex, așa cum se arată în fig. 7.5, atunci se
observă că joncțiunile J1 și J3 vor fi polarizate, de sursa externă, direct iar joncțiune
J2 indirect și prin circuitul exterior va circula numai un mic curent invers al
joncțiunii colectorului J2. Dacă se conectează și sursă externă Ucom (sursă de
comandă) între catod și electrodul de comandă (EC). Atunci curentul de control,
care circulă sub acțiunea sursei de comandă, la o anumită valoare poate duce la o
creștere asemănătoare unei avalanșe, în structura semiconductoare, până când este
limitat de rezistorul R din circuitul sursei de alimentare Uex. Se produce comutarea
tiristorului.

Figura 7.5 – Structura tiristorului (trinistorului)

Pentru a lua în considerare acest fenomen, reprezentăm un tiristor sub forma
a două tranzistoare VT1 și VT2 (fig. 7.6, a), de structuri p-n-p și n-p-n corespunzător,
combinate într-un singur circuit. Ambele tranzistoare sunt cuplate în conexiunea
emitor comun (fig. 7.6, b).
 Figura 7.6 – Structura (a) și schema echivalentă cu două
tranzistoare a tiristorului (b)
Dacă se creează o diferență de potențiale între anod (A) și catod (K) de
polarizare directă („+”) la anod, „-” la catod), ambii tranzistori vor fi închiși,
deoarece curenții bazelor vor lipsi. Când se include sursa de control Ucom în circuitul
de intrare al tranzistorului VT2, va circula curentul bazei, care va fi și curentul de
control Icom. Sub influența acestui curent în circuitul colectorului tranzistorului VT2,
va curge un curentul Ic2 = β2·Icom, unde β2 – factorul de transfer în curent al
tranzistorului VT2. Dar acest curent Ic2 circulă prin „emitor – bază” tranzistorului
VT1 și este intrarea sa adică Ib1 = Ic2. Sub acțiunea acestui curent Ib1 în circuitul
colectorului VT1 va circula curentul:
Ic1 = β1·Ib1 = β1·Ic2 = β1∙β2·Icom,
adică curentul colectorului Ic1 este amplificat de β1∙β2 ori față de Icom, și
circulă din nou prin circuitul de bazei tranzistorului VT2, pe unde circulă și curentul
Icom. Deoarece curentul Ic1 se dovedește a fi semnificativ mai mare ca curentul Icom,
procesul de amplificare reciprocă de către tranzistoare a curenților continuă până
când ambii tranzistori intră în regim de saturație, care corespunde (comutării)
includerii tiristorului. Procesul descris este un proces de reacție pozitivă internă, sub
acțiunea căruia există o creștere asemănătoare unei avalanșe a curentului din tiristor.
După ce tiristorul sa cuplat, acesta se menține deschis, deoarece la condiția Ic2
> Icom reacția internă rămâne pozitivă, și în acest caz sursa de control nu mai
influențează. În acest caz, această condiție este scrisă ca:
β1∙β2·Icom> Icom .
De unde condiția de comutare a tiristorului:
β1∙β2 >1.
Pentru a bloca tiristorul, este necesar să întrerupă curentul, care curge în
circuitul de putere pentru o perioadă scurtă de timp, suficientă pentru resorbția
purtătorilor minoritari în zonele semiconductorului și restabilirea proprietăților de
control. Pentru a reactiva tiristorul, este necesar să se aplice din nou în circuitul de
comandă curentul Icom, pentru a relua procesul de reacție pozitivă internă. Așa dar,
tiristorul reprezintă un comutator fără contacte, care poate fi doar în două stări
stabile; fie oprit (decuplat), fie pornit (cuplat).
 Caracteristica curent-tensiune a tiristorului este prezentată în fig. 7.7. Cu cât
curentul de comandă este mai mare, cu atât este mai mică tensiunea de pornire Ucom.
Curentul de control, la care tiristorul trece la secțiunea dreaptă a caracteristicii
curent-tensiune (prezentat în fig. 7.7 prin linie punctată) se numește curent de
comandă îndreptat Icom înd.
La schimbarea polarității tensiunii aplicate tiristorului, joncțiunile emitoare
J1 și J3 vor fi polarizate indirect, tiristorul va fi închis, iar caracteristica curent-
tensiune va reprezenta ramura indirectă a caracteristicii unei diode obișnuite.
Deoarece cuplarea tiristorului depinde de curentul de control, în literatura de
referință, este prezentată și caracteristicile curent-tensiune ale circuitului de
comandă:
Icom = f (Ucom).

Figura 7.7 – Caracteristica curent-tensiune a tiristorului

O familie cu astfel de caracteristici este prezentată în fig.7.8. De obicei,
cataloagele de referință se redau caracteristicile limitative (1 și 2). Curba 1
corespunde dispozitivului cu rezistența maximă a circuitului de comandă și

Figura 7.8 – Caracteristica curent-tensiune a circuitului de comandă

temperatura maximă admisibilă. Curba 2 – pentru dispozitivul cu rezistența minimă
a circuitului de comandă și temperatura minimă. Deasupra și în dreapta, diagrama
este limitată de linii drepte, corespunzătoare valorilor maximal admisibile ale
curentului și tensiunii din circuitul de control. În partea de jos a diagramei este
indicată zona, care este limitată de valorile minimale ale curentului și tensiunii,
necesare pentru deblocarea tiristorilor de acest tip. În plus, diagrama arată de obicei
curbele puterii admise pe electrodul de comandă pentru diferite valori ale duratei
impulsurilor de control (curbele 3 și 4).
În acest fel, tiristorul este o supapă parțial controlată, care poate fi transferată
într-o stare conductoare dacă sunt prezenți simultan doi factori: potențialul pozitiv la
anod față de catod; furnizarea unui semnal de control, sub forma unui curent de
control, către electrodul de comandă. Dacă cel puțin unul dintre acești factori este
absent, atunci tiristorul va rămâne închis.
Controlabilitatea parțială a tiristorului constă în aceea că după ce tiristorul
este pornit, circuitul de control devine inutil, deoarece de sinestătător se menține în
stare de conducție. Întreruperea tiristorului este imposibilă prin circuitul de
comandă. Prin urmare, se numește tiristor monooperațional sau, în terminologia
străină, SCR (Silicon Controlled Rectifier). Pentru a bloca tiristorul, este necesară
micșorarea curentului anodic la zero și menținerea la nivel zero în timpul absorbției
purtătorilor minoritari, acumulați în bazele tranzistoarelor VT1 și VT2.
În circuitele electrice tiristoarele monooperaționale se simbolizează conform
fig. 7.9.

Figura 7.9 – Simbolul tehnic al tiristoarelor monooperaționale

cu comandă pe anod (a) și cu comandă pe catod (b)

7.3. Metode de blocare a tiristoarelor

Așa cum sa rulat mai sus. după cuplarea tiristorului, acesta se menține în
stare de conducție datorită reacției pozitiv intern, iar circuitul de control devine
ineficient. Pentru a opri tiristorul, este necesar ca printr-un oarecare mod să se
reducă curentul direct până la zero, să fie menținut pentru o anumită perioadă de
timp, determinată de resorbția purtătorilor minoritari. Aceasta distinge, în principal,
un dispozitiv tiristor, cu controlabilitate parțială, incompletă de un tranzistor –
dispozitiv complet controlat care poate fi pornit și oprit prin circuitul de control
(circuit bazei).
 Oprirea (blocarea) conductivității tiristorului poate fi făcută prin diferite
moduri. Cel mai simplu mod este oprirea tiristorului, dacă funcționează în circuit de
curent alternativ. Atunci, sub influența tensiunii alternative a rețelei de alimentare,
curentul tiristorului în sine scade la zero și este oprit (comutarea). Această metodă
de comutare se numește naturală și este utilizată pe scară largă în echipamentele de
conversie de mare putere în curent alternativ. Situația este mai complicată în
circuitele de curent continuu.
Acolo, sunt necesare dispozitive speciale pentru a asigura oprirea forțată a
tiristorului la momentul necesar de timp. Astfel de dispozitive sunt numite circuite
de comutare forțată sau pur și simplu circuite de comutații. La baza construcției
circuitelor de comutare se află următoarele metode:
1. Crearea oscilațiilor artificiale de curent în circuitul tiristorului, de exemplu,
introducerea circuitelor oscilante LC (serie sau paralele)(fig. 7.10, a, b). Tiristorul se
blochează în momentul trecerii prin zero a curentului din circuitul oscilant.
2. Oprirea tiristorului prin modificarea polarității tensiunii între catod și anod.
Pentru aceasta, se folosește un condensator preîncărcat C, care la momentul potrivit
este conectat între anod și catodul tiristorului cu polaritate de blocare (fig. 7.10, c)
prin închiderea comutatorului S. Există un număr mare de circuite ale diferitelor
noduri de comutare care utilizează această metodă de blocare a tiristoarelor.

Figura 7.10 – Circuite de blocare a tiristoarelor

3. Blocarea tiristorului prin introducerea în circuitul său a unei anti TEM, sub
influența căruia curentul direct al tiristorului va scădea la zero (fig. 7.10, d). Acest
lucru se poate face folosind un generator de impulsuri GI, conectat prin
transformatorul T în circuitul de putere al tiristorului. În momentul necesar,
generatorul formează un impuls de tensiune, care induce un impuls în înfășurarea
secundară a transformatorului cu o polaritate opusă tiristorului, ceea ce va duce la o
scădere a curentului direct al tiristorului până la zero.
4. Prin conexiunea în paralel cu tiristorul a unei surse de comutare Ec
(fig.7.10, e). Oprirea tiristorului se efectuează prin închiderea comutatorului S la
momentul potrivit pentru un interval scurt de timp determinat resorbția purtătorilor
minoritari în zonele semiconductorului.
Folosind metodele descrise, este posibil să e se ofere tiristorului proprietățile
unei supape complet controlate.
7.4. Tiristoare bioperaționale (blocabile)
În prezent, au fost dezvoltate noi tipuri de tiristoare, așa-numitele tiristoare
bioperaționale sau tiristoarele cu oprire forțată. Ele reprezintă dispozitive
semiconductoare complet controlabile care pot fi pornite și oprite prin circuitul de
comandă. Un astfel de tiristor în terminologia străină a fost desemnat ca tiristor GTO
(Gate Torn - Off). Acest lucru se realizează datorită faptului că regiunile anodului și
catodului unui astfel de dispozitiv constau dintr-un număr mare de celule
tehnologice, reprezentând tiristoare individuale, care sunt conectate în paralel.
Structura unui tiristor blocabil este prezentată în fig. 7.11.

Figura 7.11 – Structura tiristorului cu blocare forțată (bioperațional) (a)

și echivalentul cu două tranzistoare (b) a unei celule a tiristorului
Procesele fizice care apar în tiristoarele bioperaționale sunt în multe privințe
similare cu cele deja luate în considerare pentru un tiristor cu o singură operație. Ca
excepție este procesul de oprire cu un curent de control negativ. În starea pornită,
toate joncțiunile tiristorului se află în stare de saturație. La o anumită valoare și o
durată suficiente a curentului de comandă, precum și uniformitatea distribuției
acestuia pe toate celulele, concentrația excesivă a purtătorilor de sarcină minoritară
scade mai întâi până la zero în apropierea joncțiunii colectorului tiristorului. În acest
caz, joncțiunea colectorului devine polarizată invers, percepând o parte din tensiunea
externă. Deci, ambii tranzistori încep să funcționeze într-un mod activ și în structură
apare reacția pozitivă la un curent negatic al bazei tranzistorului n – p – n – VT2.
Datorită scăderii prin avalanșă a sarcinilor în regiunile bazelor, curentul anodic
începe să scadă. Tranzistorul de tipul n – p – n VT2 este primul care intră în regim
de blocare (întrerupere). Acțiunea reacției pozitive se finalizează, iar scăderea
curentului anodic se determină de recombinarea din n baza tiristorului.
Caracteristica curent-tensiune a tiristorului bioperațional este similară cu cea a
tiristorului monooperațional (fig. 7.12).

Figura 7.12 – Caracteristica curent – tensiune tiristorului bioperațional

În circuitele electronice tiristoarele cu blocare forțată (bioperaționale) se
simbolizează conforn fig. 7.13.

Figura 7.13 – Simbolul grafic al tiristoarelor bioperaționale;

cu comandă pe anod (a) și cu comandă pe catod (b)

7.5. Tiristoare simetrice

Utilizarea pe scară largă în curent alternativ o au așa-numitele tiristoare
simetrice (triacuri), care se bazează pe o strictură multistrat de semiconductor (fig.
7.14, a).
 Baza triacului o constituie monocristalul semiconductor, în care sunt create
cinci regiuni cu tip alternativ de conductivitate, care formează patru joncțiuni p-n.
Contactele din regiunile extreme șuntează jumătățile primei și a patra joncțiuni p-n –
la jumătate.

Figura 7.14 – Structura triacului (a) și simbolul său grafic (b)

La polaritatea sursei externe de tensiune, indicată fără paranteze, joncțiunea
J1 este polarizată indirect și curentul prin ea va foarte mic. Întreg curentul prin
structura semiconductoare la o astfel de polaritatea va circula prin regiunea p1. A
patra joncțiune J4 va fi polarizată direct și prin ea se va produce injectarea
electronilor. Aceasta înseamnă că pentru această polaritate a sursei, structura de
lucru a triacului pare a fi o structură p1 – n2 – p2 – n3 – structură, analogă cu structura
unui tiristor obișnuit, a cărui funcționare a fost deja considerată mai sus. La
schimbarea polarității în opus (indicată în paranteză) joncțiunea J4 devine blocată
iar joncțiunea J1 deblocată. Structura triacului devine n1 – p1 – n2 – p2 – adică din
nou este similară cu structura unui tiristor obișnuit, dar îndreptată în direcție opusă.
Astfel, din cele expuse triacul poate fi reprezentat sub forma două tiristoare contrar-
parale.
Triacul are caracteristică curent-tensiune simetrică față de originea
coordonatelor (fig. 7.15), de unde și provine numele său.
Concluzii:
1. Tiristorul este un dispozitiv semiconductor care este utilizat pentru
comutare în circuite electrice. Un tiristor este caracterizat de două stări stabile:
deschis și închis.
2. La deschiderea tiristorului se produce compensarea tensiunea inverse de pe
joncțiunea medie (colector) datorită acumulării de sarcini în exces care deplasează
(polarizează) joncțiunea în sens direct.
3. În trinistor, deschiderea se produce datorită aplicării unui curent de control
mic.
4. Triacul – dispozitiv care are aceleași caracteristici curent-tensiune la pola-
rități diferite ale tensiunii aplicate.

Ic=Ic.îndr Icom2 Icom1

Icom=0

Figura 7. 15 – Caracteristica curent-tensiune a triacului

7.4. Parametrii de bază ai tiristoarelor

Tiristoarele de putere sunt caracterizate prin parametri similari cu aceia, care
au fost considerați pentru diodele de putere. Dar, în plus, condițiile tehnice oferă
parametrii circuitului de control al tiristorului, precum și parametrii suplimentari
care caracterizează circuitul putere a tiristorului:
1. Tensiunea de comutare de curent continuu – Ucom – de impuls – Ucom.i (zeci
– sute de volți).
2. Tensiunea în stare deschisă – Udes - căderea de tensiune pe tiristor în stare
deschisă (1…3 V).
3. Tensiunea indirectă Uind – tensiunea la care tiristorul poate funcționa o
lungă perioadă de timp fără a perturba performanța acestuia (unități-mii de volți).
4. Tensiunea de curent continuu la polarizarea directă în stare blocată Ublc –
tensiunea maximă care încă nu deblochează tiristorul (unități – sute volți).
5. Tensiunea de la electrodul de comandă care nu pornește tiristorul Ucom.nep
– tensiunea maximă de la electrodului de comandă la care tiristorul încă nu-i pornit
(fracțiuni de volt).
6. Tensiunea de blocare la electrodul de comandă Uec.bl – tensiunea care
furnizează valoarea necesară a curentului de blocare a electrodului de comandă
(unități – zeci de volți).
7. Curentul în stare deschisă (conducție) Icnd – valoarea maximă a curentului
tiristorului deschis (sute de miliamperi – sute de amperi).
8. Curentul indirect Iind (fracțiuni de miliamper).
9. Curent de deblocare Iec.dbl – cel mai mic curent al electrodului de comandă,
necesar pentru a porni tiristorul (zeci de miliamperi).
10. Curentul de scurgere Iscr – curentul, care curge prin tiristor, cu circuitul de
control deschis, la tensiunea directă între anod și catod.
 11. Curentul de menținere Imnț – curentul direct minimal, care trece prin
tiristor când circuitul de control întrerupt, în care tiristorul se menține încă deschis.
12. Timpul de pornire tcom – timpul din momentul în care este furnizat
semnalul de control până în momentul în care tensiunea tiristorului UAK scade până
la 10% din valoarea inițială când tiristorul lucrează la o sarcină activă (unități – zeci
de microsecunde).
13. Timpul de oprire tdcp, numit de asemenea, și timpul de restabilire a
capacității de control a tiristorului. Acesta este timpul din momentul în care curentul
direct al tiristorului devine egal cu zero, până la momentul, când dispozitivul este
din nou capabil să reziste la tensiunea directă dintre anod și catod. Acest timp este
determinat în principal de timpul de resorbție a purtătorilor minoritari în zonele
semiconductorului (zeci – sute de microsecunde).

7.5. Utilizarea tiristorilor

Tiristoarele de putere și tranzistoarele sunt utilizate pe scară largă în diverse
domenii ale electronicii de putere datorită proprietăților lor de control.
În primul rând, acest lucru se aplică dispozitivelor de conversie, precum
redresoarele comandate, reglatoare de tensiune etc.