CD Caleanu DCE Experimente Si Simulare

Cătălin-Daniel Căleanu
DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE ELECTRONICE

- Experimente şi Simulare -
5V VA+ Ag
Ar
V+
Al V+
V- 4 V-
V- Q1
-5V VA-
2 1 BD135/PLP
-
R2
v3
C1 LM741 6
OUT
Rg v2
v1 V+ RL
3 5 470Ω
+ 7 BD136/PLP 100Ω
600Ω
U2 Q2
Vg 10µF R1
V+
VOFF = 0 2KΩ
VAMPL = 1V
FREQ = 1KHz V-
EDITURA POLITEHNICA
Colecţia "ELECTRONICĂ"

Referent ştiinţific: Prof.dr.ing. Mircea Ciugudean
Descrierea CIP a Bibliotecii Naţionale

CĂLEANU, CĂTĂLIN-DANIEL
Dispozitive şi Circuite Electronice, Experimente şi Simulare / Şef
lucr.dr.ing. Cătălin-Daniel Căleanu - Timişoara : Editura Politehnica, 2003
200 p. : 24 cm - (Electronică aplicată)
Bibliogr.
ISBN xxx
Şef lucrări dr.ing. Cătălin-Daniel Căleanu

Colecţia "ELECTRONICĂ"
EDITURA POLITEHNICA
TIMIŞOARA - 2003
Copyright © Editura Politehnica, 2003
Consilier editorial: Prof.dr.ing. Sabin IONEL

Tehnoredactare computerizată: Cătălin-Daniel CĂLEANU
Prefaţă
Cartea îşi propune să ofere în primul rând studenţilor Facultăţii de Electronică

şi Telecomunicaţii din cadrul Universităţii POLITEHNICA din Timişoara un ghid
practic în aprofundarea noţiunilor legate de studiul Dispozitivelor şi Circuitelor
Electronice. Ea este utilă însă şi studenţilor celorlalte facultăţi cu profil electric
(Automatizări şi Calculatoare, Electrotehnică etc.) ce studiază această disciplină, prin
conţinutul detaliat şi bogat în informaţii. În sfârşit, ea se adresează tuturor celor
preocupaţi de aplicarea principiilor teoretice ale circuitelor electronice în practică.
Fiecare experiment conţine:
- un breviar teoretic necesar unei bune înţelegeri ale fenomenelor abordate;
- descrierea părţii practice (scheme electronice folosite, modalităţi de măsurare
a mărimilor electrice, completare a tabelelor etc.);
- parte de simulare PSPICE a circuitelor electronice.
Cele trei mijloace (teoretic, experimental, simulare) sunt folosite într-o manieră
complementară, fiecare evidenţiind mai bine anumite aspecte ale temei considerate.
Uneori însă ele sunt folosite simultan, pentru a verifica validitatea rezultatelor şi
pentru a explica motivele unor eventuale diferenţe.
Anexele cuprind programe MATLAB pentru calculul unor circuitelor prezentate
în lucrare şi alte informaţii utile, spre exemplu codul culorilor sau valorile standard
pentru rezistori.
Lucrarea este elaborată pe baza experienţei îndelungate proprii colectivului
disciplinei Dispozitive şi Circuite Electronice. În acest sens autorul mulţumeşte
colegilor Sorin Popescu, Ştefan Gal, Titu Botoş, Cristian Gurka şi Valentin Maranescu
pentru contribuţiile avute în dezvoltarea aplicaţiilor conţinute în această lucrare,
Prof.dr.ing. Virgil Tiponuţ, Şef lucr.ing. Aurel Filip, consilierului editorial Prof.dr.ing.
Sabin Ionel pentru îndrumarea şi observaţiile deosebit de utile în conceperea structurii
şi conţinutului materialului, referentului ştiinţific - Prof.dr.ing. Mircea Ciugudean -
pentru sfaturile, sugestiile şi criticismul constructiv care au însoţit elaborarea versiunii
finale a lucrării.
Autorul
Cuprins
1. Aplicaţie introductivă…………………………………………………………..pag. 7
2. Caracteristicile statice şi parametri diodelor semiconductoare……………….pag. 15
3. Circuite cu diode şi modelarea lor…………………………………………….pag. 21
4. Mediul de simulare SPICE……………………………………………………pag. 27
5. Circuite de redresare…………………………………………………………..pag. 35
6. Experimente cu alte tipuri de diode (de comutaţie, electroluminiscente,
fotodiode, varicap)…...….................................................................................pag. 43
7. Tranzistorul bipolar – caracteristici statice…………………………………...pag. 49
8. Tranzistorul bipolar – circuite de polarizare………………………………….pag. 57
9. Tranzistorul cu efect de câmp – caracteristici statice…………………………pag. 65
10. Tranzistorul cu efect de câmp – circuite de polarizare………………………pag. 71
11. Studiul modelului natural (Giacoletto) pentru tranzistoare bipolare………...pag. 79
12. Amplificator de semnal mic cu tranzistor bipolar…………………………...pag. 85
13. Efectul capacităţilor de cuplaj şi de decuplare asupra caracteristicii de
frecvenţă a unui amplificator………………………………………………...pag. 93
14. Analiza de sensibilitate/caz cel mai nefavorabil şi analiza Monte-Carlo…..pag. 101
15. Amplificatoare de putere în contratimp cu tranzistoare complementare…..pag. 113
16. Studiul efectului reacţiei negative asupra semnalelor parazite
şi distorsiunilor……………………………………………………………..pag. 123
17. Studiul efectului reacţiei negative asupra caracteristicii de frecvenţă
a amplificatorului………………………………………………………......pag. 131
18. Analiza şi experimentarea unui amplificator de semnal mic cu reacţie
negativă paralel-serie………………………………………………….........pag. 141
19. Compensarea unui amplificator cu reacţie negativă……………………….pag. 149
20. Studiul şi experimentarea unui oscilator RC cu reţea Wien. ………………pag. 161
Anexa 1. Codul culorilor……………………………………………………….pag. 169
Anexa 2. Valori normalizate…………………………………………………...pag. 170
Bibliografie……………………………………………………………………..pag. 171
Aplicaţia nr. 1
APLICAŢIE INTRODUCTIVĂ
1. SCOPUL APLICAŢIEI
Scopul aplicaţiei îl constituie studiul funcţionării şi utilizării principalelor

aparate folosite pe parcursul desfăşurării experimentelor practice descrise în cadrul
prezentului material. Se detaliază aspecte legate de multimetrul digital, generatorul de
semnal, sursa de tensiune continuă şi osciloscop.
2. MULTIMETRUL DIGITAL
Este un aparat destinat măsurării mai multor mărimi electrice, în principal

tensiune şi curent (CA sau CC), rezistenţă. Prin urmare acest aparat poate fi folosit, în
principal, ca voltmetru, ampermetru respectiv ohmmetru. Unele multimetre dispun şi
de posibilitatea măsurării capacităţii (capacimetru), inductivităţii (L-metru) frecvenţei
(frecvenţmetru), factorului β (β-metru) pentru tranzistoare sau se pot folosi la testarea
continuităţii unui circuit.
În fig. 1 este prezentat un multimetru digital al firmei Hameg, HM 8011-3.
Pentru efectuarea unei măsurători se vor selecta corespunzător:
- mărimea electrică (tensiune, curent, rezistenţă etc.) din butoanele (2), (4) sau (6) şi
tipul acesteia (curent continuu sau alternativ) din butonul (8);
- domeniul de măsură - comutatorul (10) - indică valoarea maximă care poate fi citită
în cadrul acelei game.
- bornele între care se conectează cablurile de măsură
Fig.1. Multimetru digital HM 8011-3.

8 Aplicaţia nr. 1
Observaţii:
• Asiguraţi-vă că domeniul selectat şi bornele aparatului la care sunt legate

cablurile de măsură sunt corespunzătoare tipului de măsurătoare ce se doreşte
a fi efectuată.
• Nu folosiţi multimetrul dacă el sau cablurile de măsură prezintă fisuri.
• Nu măsuraţi rezistenţa într-un circuit sub tensiune.
• Nu atingeţi terminalele metalice ale cablurilor de măsură în momentul
efectuării măsurătorii.
• Se vor manipula cu atenţie sporită circuitele în care tensiunea depăşeşte 60V
(CC) sau 30V (CA) deoarece există pericol de electrocutare
3. GENERATORUL DE SEMNAL
Este un aparat destinat generării unui semnal periodic, de amplitudine, offset,

frecventă şi formă modificabile.
În fig. 2 este prezentat generatorul de semnal HM-8030-5, produs al firmei
Hameg. Este capabil să genereze semnale de formă sinusoidală, dreptunghiulară şi
triunghiulară cu frecvenţa cuprinsă între 0,05Hz şi 50MHz şi amplitudine 10Vvv pe o
sarcină de 50Ω sau 20Vvv în gol. Reglajul frecvenţei se face brut, în decade, sau fin.
Are şi posibilitatea de vobulare internă sau externă, adică este capabil să genereze un
semnal de frecvenţă variabilă, peste maxim două decade, într-un interval de timp
cuprins între 20ms şi 15s. Semnalul de la ieşire poate fi atenuat prin două atenuatoare
separate de 20dB fiecare.
În fig. 3 sunt prezentate tipurile de semnale ce pot fi generate cu un astfel de
aparat.
Fig. 2. Generatorul de semnal HM 8030-5.

Aplicaţie introductivă 9
Fig. 3. Exemple de semnale periodice care pot fi generate cu un generator de semnal.
4. SURSA DE TENSIUNE CONTINUĂ
Este destinată alimentării cu tensiune continuă, stabilizată, a montajelor

electronice. Referirile se vor face vizavi de modelul HM8040-2 produs de firma
Hameg (fig. 4). În principal acesta prezintă două surse independente, cu tensiunea
reglabilă în mod continuu între 0 şi 20V şi o a treia sursă de 5V, ajustabilă cu ±0,5V,
folositoare în lucrul cu circuite TTL. De menţionat şi posibilitatea ajustării curentului
surselor, în gama 10mA-500mA.
Aparatul poate fi utilizată ca o sursă de tensiune reglabilă între 0 şi 40V dacă
se leagă borna „+” a canalului A cu borna „-” a canalului B.
10 Aplicaţia nr. 1
Poate fi utilizată ca sursă de tensiune diferenţială ±20V dacă se leagă dacă se

leagă borna „+” a canalului A cu borna „-” a canalului B şi împreună la potenţialul de
referinţă (masa).
Prin legarea în paralel a celor două canale se poate dubla curentul furnizat.
Fig. 4. Sursa de tensiune continuă HM-8040-2.
5. OSCILOSCOPUL
Osciloscopul este un aparat destinat vizualizării şi aprecierii calitative şi

cantitative a fenomenelor cu o variaţie periodică în timp sau staţionare. Funcţionarea
sa este bazată pe utilizarea tubului catodic. Se foloseşte deflexia electrostatică pentru
deplasarea pe verticală şi orizontală a fascicolului de electroni generat de un tun
electronic. Impactul fascicolului de electroni cu luminoforul (substanţa fotoemisivă)
determină efectul vizual.
Vizualizarea formei de variaţie în timp a unor tensiuni cu osciloscopul
presupune aplicarea plăcilor X (de deflexie orizontală) a unei tensiuni liniar variabile
având panta controlată prin coeficientul kt[sec/div] iar plăcilor Y semnalul de
vizualizat uy(t). Imaginea pe ecran va fi stabilă dacă frecvenţa de repetiţie a „dinţilor
de fierăstrău” este multiplu/submultiplu întreg faţă de frecvenţa semnalului uy(t).
Sincronizarea poate fi realizată şi în regim declanşat când baza de timp generează
„dinţi de fierăstrău” numai corelat cu un semnal de sincronizare.
Se va considera în continuare cazul osciloscopului analogic HM303-6 (fig. 5)
produs de către firma Hameg.
Acesta prezintă două canale identice, ce permit vizualizarea tensiunilor de până la
35MHz aplicate la intrare, separat sau împreună (alternat sau chopat), a sumei sau
diferenţei acestor semnale.
a) Punerea în funcţiune a osciloscopului.
Înainte de alimentarea osciloscopului cu tensiune, se efectuează astfel:
- toate butoanele se comută pe poziţia în afară („out”);

- se rotesc butoanele de calibrare de la baza de timp (TIME/DIV) şi atenuatoarele
(VOLTS/DIV) canalelor (CHI şi CH2) astfel încât săgeata să indice poziţia calibrat,
adică se rotesc în sensul acelor de ceasornic până la limita din dreapta;
- toţi ceilalţi marcheri se setează pe poziţia mediană, la mijloc;
- selectorul TRIG. MODE se setează pe poziţia AC;
- butoanele GD („ground”, potenţial de referinţă, masă) de la CHI şi CHII se apasă pe
poziţia GD;
- prin operaţiunea de mai sus intrările vor fi scurtcircuitate şi după pornirea
osciloscopului (butonul POWER) se va putea ajusta corespunzător poziţia trasei
(butoanele Y-POS, X-POS), de asemenea intensitatea (INTENS) şi focalizarea
(FOCUS) spotului, după care osciloscopul este pregătit pentru funcţionare.
b) Măsurarea tensiunilor.
Amplitudinea tensiunii (valoare vârf la vârf) se obţine înmulţind numărul de
diviziuni pe axa Y (Ny) cu coeficientul de deflexie (D) al atenuatorului (VOLTS/DIV)
canalului la care s-a aplicat tensiunea:
U[Vvv] = Ny [div] x D [volt/div] (1)
Dacă atenuatorul x10 al sondei este folosit rezultatul obţinut cu rel. (1) trebuie înmulţit
cu 10.
Exemplu: Se vizualizează pe ecranul osciloscopului semnalul dreptunghiular
din fig. 6. Atenuatorul canalului este pe poziţia .2 volt/div. Amplitudinea semnalului
va fi: U = 5 div x 0.2 volt/div = 1V.
c) Măsurarea timpului/frecvenţei.
În mod analog cu măsurarea tensiunii, timpul/perioada/frecvenţă unui semnal
se determină înmulţind numărul de diviziuni de pe axa X, Nx , cu coeficientul bazei de
timp Tc:
T [s] = 1/F = Nx [div] x Tc [s/div] (2)
în care T reprezintă timpul/perioada semnalului iar F [Hz] frecvenţă sa.
Exemplu: Presupunem coeficientul bazei de timp pe poziţia 1ms. Rezultă
pentru semnalul din fig. 6 o perioadă T = 5 div x 1 ms/div =5ms, adică o frecvenţă F =
0.2 KHz.
12 Aplicaţia nr. 1
Fig. 5. Osciloscop HM 303-6.
Fig. 6. Semnal dreptunghiular vizualizat pe ecranul osciloscopului.
d) Măsurarea defazajului şi a raportului de frecvenţe dintre două semnale.

Se reglează osciloscopul să lucreze în sistem XY. Semnalul X este adus la
canalul I, Y la canalul II. Pe ecran se vor obţine diferite figuri (denumite figuri
Lissajous) corespunzătoare celor două frecvenţe şi a defazajului dintre ele (fig. 7).
Diferenţa de fază 0 45 90 135 180
1:1
Raport de frecvenţă
1:2
1:3
Fig. 7. Figuri Lissajous pentru diverse rapoarte de frecvenţă şi defazaje.
e) Testarea componentelor.
HM 306 are inclus intern un tester electronic (butonul COMP. TESTER pe
poziţia „on”) cu ajutorul căruia se pot obţine informaţii asupra bunei funcţionări a
diverselor componente şi dispozitive electronice: rezistor, condensator, bobină, diodă
şi tranzistor.
Principiul de test este foarte simplu: osciloscopul generează intern un semnal
sinusoidal (50Hz, 7Vef) ce este aplicat printr-un rezistor componentei de testat.
Semnalul sinusoidal este folosită pentru deflexia orizontală iar curentul prin
componentă (şi rezistor) pentru deflexia verticală. Pe ecranul osciloscopului vor
apărea deci caracteristicile curent-tensiune ale componentelor testate.
6. PARTEA EXPERIMENTALĂ
6.1 Se vor identifica elementele de reglaj şi de comandă ale sursei de tensiune

continuă şi ale multimetrului.
6.2 Se conectează un canal al sursei de tensiune continuă stabilizată la un
rezistor decadic (poziţia 1KΩ) - valoarea sa fiind confirmată şi prin măsurătoare cu
multimetrul (funcţie ohmmetru).
14 Aplicaţia nr. 1
6.3 Se urmăreşte prescrierea unei tensiuni de 1V la bornele rezistorului -

valoarea sa fiind confirmată şi prin măsurătoare cu multimetrul (funcţie voltmetru).
Pentru măsurarea unei tensiuni, voltmetrul se va conecta în paralel cu consumatorul a
cărei tensiune la borne se vrea determinată.
6.4 Se determină pentru cazul anterior, valoarea curentului ce trece prin
consumator prin intercalarea în serie cu acesta a multimetrului (funcţie ampermetru).
6.5 Se vor experimenta modurile de conexiune ale celor două canale ale sursei
de tensiune continuă descrise în §4.
6.6 Se vor identifica elementele de reglaj şi de comandă ale generatorului de
semnal şi osciloscopului.
6.7 Se vor efectua măsurători de amplitudine şi frecvenţă pentru diverse
semnale de amplitudine, offset, frecvenţă şi formă diferite, generate cu ajutorul
generatorului de semnal.
Aplicaţia nr. 2
CARACTERISTICILE STATICE ŞI PARAMETRI

DIODELOR SEMICONDUCTOARE
Se va ridica caracteristica statică curent-tensiune pentru diverse tipuri de diode

(redresoare, de comutaţie rapidă, Zener). Se măsoară rezistenţa diferenţială şi
tensiunea Zener, comparându-se rezultatele obţinute cu datele de catalog. Se urmăresc
aceleaşi probleme şi prin simularea PSpice a circuitelor.
2. CONSIDERAŢII TEORETICE
2.1 ECUAŢIA DIODEI
În fig. 1 se prezintă caracteristica statică curent-tensiune pentru o joncţiune pn

în care se disting următoarele trei zone:
ID [mA]
5 0,2 0,4 0,8 UD [V]
Fig. 1. Caracteristica statică pentru o joncţiune pn.
a) Zona de conducţie directă, corespunzătoare polarizării directe a joncţiunii,

este zona cuprinsă în cadranul întâi. Pentru această regiune ecuaţia ce caracterizează
comportarea dispozitivului este:
 Uu Dη 
i D = I S  e T − 1 (1)
 
 
unde:
16 Aplicaţia nr. 2
kT
UT = - tensiunea termică, care la temperatura camerei are o valoare de
e
25mV.
IS - curentul de saturaţie (rezidual) al joncţiunii. Pentru dispozitivele
semiconductoare moderne cu SI IS are valori foarte mici, de ordinul 10-9A.
η - parametru tehnologic, η ≅ 2 pentru curenţi nominali şi η ≅ 1 la curenţi
mari.
Rel. (1) se simplifică în cazul polarizării joncţiunii cu tensiuni de câteva ori
mai mari decât UT, devenind:
uD
U Tη
iD = I S e (2)
b) Zona de blocare, corespunde polarizării inverse a joncţiunii, fiind situată
în cadranul III. Uzual, u D >> U T astfel încât curentul prin diodă devine:
iD ≅ -I S (3)
fiind practic independent de tensiunea la borne. Curentul de saturaţie IS este dictat de
concentraţia purtătorilor minoritari la echilibru, fiind dependent deci de materialul
folosit şi de tehnologia de realizare.
c) Zona de străpungere, este situată tot în cadranul III, în continuarea zonei
de blocare. Caracteristic pentru această zonă este fenomenul de multiplicare în
avalanşă a purtătorilor minoritari, fenomen ce conduce la căderea rapidă a
caracteristicii. Curentul prin joncţiune creşte foarte mult, pe când tensiunea la borne
rămâne practic constantă.
Rel. (1) rămâne valabilă cu o bună aproximare şi în cazul diodelor reale, la
care se mai adaugă totuşi căderea de tensiune pe rezistenţa regiunilor neutre şi pe
rezistenţa firelor de contact.
2.2 REZISTENŢA DIFERENŢIALĂ
Derivând în raport cu uD rel. (1) se obţine:

uD
∂iD 1 i
= I S e UTη ≅ D (4)
∂u D U Tη U T η
Rezistenţa diferenţială este definită de relaţia:
∂u D ηU T
rD = ≅ (5)
∂iD PSF
ID
unde iD reprezintă curentul prin diodă în punctul static de funcţionare (PSF)
considerat. Rezistenţa diferenţială evaluată în zona de străpungere reprezintă un
parametru important al diodelor Zener, fiind dată în catalog (rdz are valori cuprinse
între câţiva ohmi şi sute de ohmi).
Caracteristicile statice şi parametri diodelor semiconductoare 17
3.1 MĂSURAREA CARACTERISTICII STATICE
În fig. 2 se prezintă circuitul utilizat la ridicarea caracteristicii statice. Dioda

studiată poate fi una redresoare (de exemplu 1N4001), de comutaţie rapidă (1N4148)
sau Zener (DZ4V7). Rezistorul RP va fi unul variabil, în decade.
R1
1kΩ
R2
V1 i iV
mA
1KΩ
V
RP D
iD
Fig. 2. Circuit pentru ridicarea caracteristicii statice curent-tensiune pentru o diodă.
Curentul prin diodă (iD) se calculează cu relaţia:

iD = i − iV (6)
unde i este curentul indicat de miliampermetru, iar iV, curentul prin voltmetru. Acesta
din urmă se calculează în funcţie de tensiunea la bornele voltmetrului şi rezistenţa
internă a acestuia. În cazul particular al măsurării tensiunii cu un voltmetru electronic,
iV poate fi aproximat cu zero, datorită impedanţei de intrare mari a acestui tip de
aparat de măsură.
Pentru ridicarea caracteristicii diodei, în polarizare directă, se va completa
tabelul următor:
UD [V] 0 0,2 0,4 0,5 0,60 0,62 0,64 0,66 0,68 0,7 0.72 0,74
ID [mA] măsurat
ID [mA] calculat
cf. rel (1)
Tab. 1. Se completează cu valorile măsurate respectiv calculate pentru curentul direct prin diodă.
Observaţie: a) Obţinerea valorilor impuse pentru UD este posibilă prin reglarea

tensiunii de alimentare şi a rezistorului decadic.
b) Pentru calculul iD se vor folosi următoarele constante: η = 1, UT =
25mV, IS = 2·10-15A.
Pentru ridicarea caracteristicii diodei, în polarizare inversă, se va completa
tab. 2.
18 Aplicaţia nr. 2
UD [V] -1 -2 -3 -4 -4,1 -4.2 -4,3 -4,4 -4,5 -4,6 -4,7

ID [mA] măsurat
Tab. 2. Se completează cu valorile măsurate respectiv calculate pentru curentul invers prin diodă.
După completarea celor două tabele se vor trasa pe hârtie milimetrică cele
două grafice corespunzătoare polarizării directe (măsurat şi calculat) precum şi
graficul aferent polarizării inverse.
3.2 MĂSURAREA REZISTENŢEI DIFERENŢIALE
Schema circuitului utilizat pentru măsurarea rezistenţei diferenţiale este

ilustrată de către fig. 3. Se distinge în această schemă circuitul de polarizare a diodei
(utilizat la stabilirea punctului static de funcţionare) format din sursa de tensiune V1 şi
rezistorul R1 şi partea răspunzătoare de regimul dinamic alcătuită din rezistorul
decadic RP, condensatorul de cuplare C1 şi generatorul de tensiune sinusoidală vg.
Miliampermetrul inserat în circuitul de polarizare serveşte la fixarea valorii curentului
aferent punctului static.
R1 C1
mA
V1 1KΩ 220µF vg
RP
D uD
Fig. 3. Circuit pentru determinarea practică a rezistenţei dinamice a unei diode.
Măsurătorile încep prin stabilirea unui punct static de funcţionare pentru

dispozitivul electronic prin modificarea tensiunii continue V1 urmărind indicaţiile
miliampermetrului (iD între 0,1mA şi 5mA). Reglând apoi nivelul tensiunii sinusoidale
vg şi valoarea rezistenţei decadice RP se urmăreşte obţinerea unei componente
alternative la bornele diodei ud de aproximativ 20mV (pentru orice punct static de
funcţionare).
Din punct de vedere dinamic, circuitul din fig. 3 poate fi echivalat prin schema
din fig. 4.
Caracteristicile statice şi parametri diodelor semiconductoare 19
RP
R1 rd uD vg
Fig. 4. Circuitul echivalent din punct de vedere dinamic al schemei din fig. 3.
În aceste condiţii, pe baza formulei divizorului de tensiune, se poate scrie

relaţia:
R1 || rd
ud = v g (7)
R1 || rd + RP
Din (7) rezultă că rezistenţa diferenţială se calculează pe baza următoarelor
formule:
ud
rd′ = RP (8)
v g − ud
rd′ R1
rd = (9)
R1 − rd′
Tensiunile alternative ud şi vg se vor măsura cu osciloscopul, frecvenţa
tensiunii sinusoidale fiind de 1KHz. Se vor face trei măsurători, în trei puncte statice
diferite.
3.3 SIMULAREA PSPICE A CIRCUITELOR
Se urmăreşte ridicarea caracteristicilor statice pentru diodele redresoare, de

comutaţie rapidă şi Zener, prin descrierea SPICE a circuitului din fig. 2. În plus, se va
determina influenţa temperaturii asupra curentului din joncţiune.
* caracteristica statica a diodei semiconductoare
V1 1 0 DC 0.6V
R1 1 2 1K
RP 2 0 100K
R2 2 3 1K
D1 3 0 DZ4V7
*D1 3 0 D1N4148
*D1 3 0 D1N4001
.OP
.DC LIN V1 -20 10 0.01
*.TEMP 0 20 40
.PROBE
.model D1N4148 D(Is=0.1pA Rs=0.5)
.lib dce.lib
.END
20 Aplicaţia nr. 2
Fig. 5. Caracteristica statică a diodei Zener DZ4V7 obţinută prin simulare PSpice.
Fig. 6. Influenţa temperaturii asupra curentului prin joncţiune, pentru o diodă de comutaţie rapidă tip
1N4148 în polarizare directă, aşa cum reiese din simularea PSpice.
Se va determina prin simulare rezistenţa dinamică a unei diode.
*rezistenta dinamica pentru o dioda semiconductoare
V1 1 0 DC 10V
R1 1 2 3K
D1 2 0 D1N4148
RP 2 3 1K
C1 3 4 470uF
vg 4 0 ac 0.1V
.AC LIN 100 900 1100
.PROBE
.LIB DCE.LIB
.END
Fig. 7. Rezistenţa dinamică a diodei determinată prin simulare PSpice.

Aplicaţia nr. 3
CIRCUITE CU DIODE ŞI MODELAREA LOR
Se urmăreşte familiarizarea cu rezolvarea unor probleme de circuite cu diode.

Se proiectează şi se realizează circuite simple cu diode, a căror performanţe se verifică
experimental şi prin simulare PSPICE.
Caracteristica curent-tensiune a unei diode, dată de relaţia (1) din lucrarea

precedentă, este neliniară şi ca urmare greu de utilizat în aplicaţii concrete. De aceea,
în majoritatea situaţiilor, se lucrează cu modele pentru diode liniarizate pe porţiuni. În
fig. 1 a) şi b) se dau schemele echivalente, de semnal mare, pentru dioda în conducţie
directă şi inversă, iar în fig. 1 c) schema echivalentă pentru conducţia în zona de
străpungere a unei diode Zener.
VCC VCC VCC
VCC VCC VCC

VCC VCC VCC
VCC VCC VCC

rd Rdz
Vd Vz0
Fig. 1 a) Diodă în conducţie b) Diodă blocată c) Diodă Zener
Folosind aceste scheme, circuitele cu diode se analizează sau proiectează cu

relaţiile din electrotehnica liniară.
2.1 LIMITATOR ASIMETRIC CU DIODĂ
Schema circuitului se prezintă în fig. 2. În funcţie de valoarea tensiunii de

polarizare a diodei, Vp, se modifică partea din semnalului sinusoidal aplicat la intrare,
Vg, care nu se mai transmite la ieşire. Pentru analiza circuitului, se consideră două
situaţii distincte în care dioda este blocată respectiv se găseşte în conducţie directă.
În ipoteza că rd << R L şi folosind modelele echivalente din fig.1, tensiunea
de ieşire u0 se poate calcula cu relaţiile:
RL
u0 = Vg (1)
R + RL
22 Aplicaţia nr. 3
pentru dioda blocată şi

rd || R L RL || R
u0 = V g + (VP − U D 0 ) (2)
R + rd || RL RL || R + rd
rd RL || R
u0 ≅ V g + (VP − U D 0 ) (3)
R + rd RL || R + rd
pentru dioda în conducţie.
iD
D
RL uo
Vg
VP
Fig. 2. Limitator asimetric cu diodă.
În cazul unui circuit pasiv funcţia u0 = f(Vg) este continuă. Valoarea VgP a
tensiunii de intrare pentru care dioda trece dintr-o stare în alta se deduce din condiţia
de continuitate a funcţiei dată de relaţiile (1) şi (2).
În reprezentare grafică, dependenţa u0 = f(Vg) se prezintă ca în fig.3. În stare
de blocare, curentul prin diodă este nul. În conducţie, se poate calcula cu relaţia:
u0 + U D − EP
iD = − (4)
rd
Pentru rd se pot lua în considerare valorile măsurate în cazul diodei redresoare,
la lucrarea nr.2 (ohmi ÷ zeci de ohmi).
u0
rd
Panta
rd + R RL
Panta
R + RL
0 VgP Vg
Fig. 3. Dependenţa tensiunii de ieşire a limitatorului de tensiunea aplicată la intrarea circuitului.

Circuite cu diode şi modelarea lor 23
2.2 STABILIZATOR DE TENSIUNE CONTINUĂ CU DIODĂ ZENER
În fig. 4 este prezentat un circuit în care dioda Zener DZ este folosită pentru
stabilizarea tensiunii pe rezistenţa de sarcină RL. Funcţionarea este simplă şi se
bazează pe variaţia neglijabilă a tensiunii pe dioda Zener în conducţie inversă, la
variaţii importante ale curentului prin diodă. De exemplu, dacă rezistenţa de sarcină RL
scade, curentul iz scade, dar tensiunea la bornele diodei rămâne practic constantă, deci
şi tensiunea de ieşire U0 (atâta timp cât iz nu scade sub valoarea minimă Iz min dată în
catalog).
R iL
i
UO
V DZ
RL
iZ
Fig. 4. Stabilizator cu diodă Zener.
În scopul dimensionării stabilizatorului, dioda este echivalată cu modelul

liniarizat pe porţiuni prezentat în fig.1 c). Ca date iniţiale se cunosc: tensiunea de
ieşire U0, rezistenţa de sarcină R L ∈ [R L min , R L max ] şi tensiunea de alimentare
V ∈ [Vmin ,Vmax ].
Dioda Zener se alege, ca tip, astfel ca relaţiile de mai jos să fie îndeplinite:
UZ = U0 (5)
V −UZ
I Z max ≥ max (6)
R
Valoarea rezistenţei R se determină din relaţiile:
Vmax − U Z 0 − rdz ⋅ I Z max
Rmin = (7)
 r  UZ
I Z max 1 + dz  +
 RL max  RL max
Vmin − U Z 0 − rdz ⋅ I Z min
Rmax = (8)
 r  U
I Z min 1 + dz  + Z
 RL min  RL min
unde IZmin şi IZmax şi rdz sunt caracteristice diodei Zener utilizate şi se extrag din catalog.
În relaţiile (7) şi (8) tensiunea de străpungere a diodei Zener, UZ0, poate fi
înlocuită, într-o bună aproximaţie, cu valoarea nominală a tensiunii diodei Zener, UZ.
Pentru rezistenţa R se alege o valoare standardizată astfel ca R ∈ [Rmin , Rmax ] .
24 Aplicaţia nr. 3
Totodată R trebuie să disipe o putere cel puţin egală cu:

PR = R ⋅ imax
2
(9)
unde:
Vmax − U Z
imax = (10)
R
2.3 PARAMETRII STABILIZATORULUI CU DIODĂ ZENER
Pentru a caracteriza funcţionarea stabilizatorului se definesc doi parametri

importanţi:
- rezistenţa de ieşire (internă) a stabilizatorului:
∂ u0 R ⋅ rdz
R0 = = ≅ rdz (11)
∂ iL V = const . R + rdz
- coeficientul de stabilizare:
∂V rdz + R
S0 = = (12)
∂ u0 iL = const . rdz
3.1 Pentru circuitul din fig.2, în care RL = 2,2KΩ, R = 2,2KΩ, VP = 1V şi

dioda este de tipul 1N4148, se ridică caracteristica de transfer U0 = f(Vg), punct cu
punct. Se consideră Vg ∈ [− 15V , + 15V ] . Pe aceeaşi hârtie milimetrică se trec şi
valorile găsite teoretic cu relaţiile (1) şi (3), aşa cum se arată în Tab. 1.
Vg [V]
-15 -13 -11 -9 -7 -5 … 5 7 9 11 13 15
UO [V] măsurat
UO [V] calc. cf.

rel (1), (3)
Tab. 1. Se completează cu valorile măsurate respectiv calculate pentru tensiunea de la ieşirea

limitatorului.
În regim de semnal sinusoidal se urmăreşte, pe osciloscop, tensiunea u0. Se

justifică, pe baza formei de undă a u0, denumirea circuitului de limitator asimetric.
3.2 Ştiind că RL ∈ [1KΩ, 3KΩ] , V ∈ [15V , 20V ] şi U0 = 4,7V, se va proiecta
stabilizatorul din fig. 4. Cu valoarea găsită pentru R se realizează circuitul şi se ridică
caracteristica U0 = f(V) pentru V ∈ [15V ,20V ] .
Circuite cu diode şi modelarea lor 25
V [V] 15 16 17 18 19 20
UO [V] măsurat
Tab. 2. Se completează cu valorile măsurate pentru tensiunea de la ieşirea stabilizatorului.
Din grafic se determină factorul de stabilizare S0 şi se compară cu valoarea

găsită teoretic cu relaţia (12).
3.3 Utilizând circuitul realizat mai sus se ridică caracteristica U0 = f(RL)
pentru R L ∈ [1KΩ, 3KΩ] şi V = 18V, cf. Tab. 3. Din caracteristică se determină R0 şi
se compară cu valoarea găsită cu relaţia (11).
Valorile rdz şi UZ vor fi extrase din catalog pentru tipul de diodă Zener utilizat.
RL [KΩ] 1 1,5 2 2,5 3

UO [V] măsurat
Tab. 3. Se completează cu valorile măsurate pentru tensiunea de la ieşirea stabilizatorului.
3.4 Se va realiza descrierea şi simularea PSPICE a circuitelor de la punctele

anterioare.
* limitator asimetric cu dioda
Vg 1 0 DC 0V SIN(0V 2V 1KHz)
R1 1 2 2.2K
Vp 3 0 DC 1V
D1 3 2 D1N4148
R2 2 0 2.2K
.DC LIN Vg -15 15 0.1
.TRAN 300n 3m
.PROBE
.MODEL D1N4148 D(Is=0.1pA Rs=0.5)
.END
a) b)
Fig. 5. Rezolvarea prin simulare a punctului 3.1. Se poate observa forma uO în curent continuu şi
alternativ.
26 Aplicaţia nr. 3
* stabilizator cu dioda Zener, U0=f(V)

V1 1 0 DC 10
R1 1 2 1K
D1 0 2 DZ4V7
R2 2 0 2K
.OP
.DC LIN VD 15 20 0.1
.PROBE
.LIB DCE.LIB
.END
Fig. 6. Caracteristica U0 = f(V) cerută la pct. 3.2 aşa cum reiese din simularea PSPICE
a circuitului stabilizator cu diodă Zener.
*stabilizator cu dioda Zener, U0=f(RL)

VD 1 0 DC 18
R1 1 2 1K
D1 0 2 DZ4V7
R2 2 0 {Rel}
.PARAM Rel=1k
.OP
.DC LIN PARAM Rel 1K 3K 1
.PROBE
.LIB DCE.LIB
.END
Fig. 7. Caracteristica U0 = f(RL) la pct. 3.3 aşa cum reiese din simularea PSPICE
a circuitului stabilizator cu diodă Zener.
Aplicaţia nr. 4
MEDIUL DE SIMULARE SPICE
Se urmăreşte prezentarea unor noţiuni elementare de sintaxă, modelare,

analiză şi simulare pentru circuite analogice, oferite de programele din familia SPICE.
2. INTRODUCERE
Conceput încă din anii ’70 la University of California, Berkeley, SPICE

(Simulation Program with Integrated Circuit Emphazis) este un program de simulare
de uz general pentru circuitelor electronice, analogice şi digitale. În scurt tip el a
devenit un standard industrial, datorită utilităţii, funcţionalităţii sale dar şi datorită
distribuţiei libere a programelor sursă (SPICE2G6, SPICE3f4). Versiunile comerciale
existente sub diferite denumiri (ex.: MicroSim Pspice v.8, OrCAD v.9.2) au ajuns să
ofere soluţii EDA (Electronic Design Automation) complete; mediul integrat permite
parcurgerea tuturor etapelor (proiectare, desenare, simulare, optimizare, proiectare
cablaj imprimat) aferente realizării unui produs electronic în mod automat.
Avantajele pe care le oferă acest mediu sunt:
- reducerea cheltuielilor de proiectare; simularea unui circuit este mult mai ieftină
decât experimentarea aceluiaşi circuit în laborator;
- dezvoltarea rapidă a prototipurilor;
- analize multiple; SPICE poate să efectueze toate analizele care se fac în mod
tradiţional într-un laborator dar şi cele inaccesibile în mod normal (simulări ale
variaţiei temperaturii, verificarea funcţionării unei arii dintr-un circuit integrat
fizic inaccesibil proiectantului etc.).
Pentru a descrie topologia unui circuit într-un mod acceptat de simulatorul
SPICE, este nevoie de un fişier tip listă de legături (netlist). Acesta poate fi generat
automat, pe baza schemei desenate într-un editor specializat, sau poate fi creat manual
cu ajutorul oricărui editor de text.
În cele ce urmează vor fi detaliate aspecte legate de definirea circuitelor,
discuţia orientându-se doar asupra componentelor cel mai des folosite în circuitele
analogice.
Elementele de sintaxă au fost preluate după specificaţiile produselor PSpice
v5…v8 al firmei MicroSim Corporation.
Observaţie: În cele ce urmează notaţia “<.>” va desemna un câmp obligatoriu
iar “[.]” un câmp opţional. Notaţia “<.>*” specifică posibilitatea existenţei
subsecvente a mai multor câmpuri de acelaşi tip.
28 Aplicaţia nr. 4
3. COMPONENTE ŞI DECLARAŢII
3.1 COMPONENTE PASIVE
Dintre componentele pasive disponibile în SPICE se pot enumera: rezistor,

condensator, bobină, transformator, linie de transmisie. Acestea încep respectiv cu
literele R, C, L, K şi T. Rezistoarele pot avea şi coeficienţi de temperatură. Declaraţiile
prin care aceste componente se specifică în circuit sunt următoarele:
• R<nume> <nod+> <nod-> [<model>] <valoare>
Exemplu: R1 15 0 2K;
• C<nume> <nod+> <nod-> [<model>] <valoare> [IC=<valoare iniţială>]
Exemplu: CCUPLAJ 15 0 10uF; C1 3 33 CMODEL 10pF IC=1.5v;
• L<nume> <nod+> <nod-> [model] <valoare> [IC=<iniţial>]
Exemplu: LSARCINA 15 0 20mH; L2 5 12 2uH IC=2mA;
• K<nume> L<nume inductanţă> <L< nume inductanţă>> + <coeficient de cuplaj>
Exemplu: KXFR1 LPRIM LSEC .99;
• T<nume> <A+> <A-> <B+> <B-> Z0=<valoare>
+ [TD=<valoare> | F=<valoare>[NL=<valoare>]]
Exemplu: T1 1 2 3 4 Z0=220 TD=115ns.
3.2 DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE
Dintre dispozitivele semiconductoare disponibile în SPICE se pot enumera:

diode, tranzistoare bipolare, tranzistoare cu efect de câmp: cu joncţiune, MOS, cu
GaAs. Acestea încep respectiv cu literele D, Q, J, M, B. Toate aceste componente
necesită modele specificate de utilizator sau existente biblioteci. Declaraţiile prin care
aceste componente se specifică în circuit sunt următoarele:
• D<nume> <nod+> <nod-> <model>
Exemplu: D1 2 3 D1N4148
• Q<nume> < c > < b > < e > + [<nod substrat>] <model>
Exemplu: Q1 14 2 13 BC107
• J<nume> < d > < g > < s > <model>
Exemplu: J1 20 1 0 J2N3819
• M<nume> < d > < g > < s > +<substrat> <model>
Exemplu: M1 1 2 0 0 IRF150
• B<nume> < d > < g > < s > <model>
Exemplu: BIN 100 1 0 GFAST.
3.3 SURSE DE CURENT ŞI TENSIUNE
Acestea sunt singurele componente generatoare de putere. Sursele de curent

pot fi comandate sau independente.
Mediul de simulare SPICE 29
a) Surse comandate. În SPICE sunt disponibile patru tipuri de surse

comandate: surse de tensiune comandate prin tensiune, surse de curent comandate prin
curent, surse de curent comandate prin tensiune, surse de tensiune comandate prin
curent.
Acestea încep respectiv cu literele E, F, G, H implementând funcţiile:
va = E(vb) ia = F(ib) I a= G(vb) va = H(ib)
Sursele pot fi comandate prin funcţii liniare sau polinomiale de tipul:
2 3 4
f ( x1 ) = p0 + p1 x1 + p2 x1 + p3 x1 + p4 x1 + ... .
O funcţie polinomială bidimensională este exprimată astfel:
2 2
f ( x1 , x2 ) = p0 + p1 x1 + p2 x1 + p3 x1 + p4 x1 x 2 + p5 x 2
3 2 2 3
+ p6 x1 + p7 x1 x 2 + p8 x1 x 2 + p9 x2
Declaraţiile corespunzătoare au următoarea formă generală:
• E<nume> <nod(+)> <nod(-)> <nod_comandă(+)> <nod_comandă(-)>
<amplificare>
• E<nume> <nod(+)> <nod(-)> POLY(<valoare>) <nod_comandă(+)>
<nod_comandă(-)> <<valoare (coeficient polinomial)>>*
Exemple:
E1 1 2 10 11 48.21 – specifică o sursă de tensiune comandată prin tensiune între
nodurile 1 şi 2, liniară, comandată de tensiunea dintre nodurile 10 şi 11: VE1_1-2 =
48,21*V10-11
ENELIN 1 2 POLY(2) 3 4 5 6 0.1 13.6 0.2 0.005 – specifică o sursă de tensiune
comandată prin tensiune între nodurile 1 şi 2, neliniară, comandată de tensiunile
dintre nodurile 3 şi 4 respectiv 5 şi 6: VNELIN1-2 = 0,1 + 13,6*V3-4 + 0.2*V5-6 +
0.005*V23-4
• F<nume> <nod(+)> <nod(-)> <nume (dispozitiv comandă tensiune)
<amplificare>
• F<nume> <nod(+)> <nod(-)> POLY(<valoare>) <nume (dispozitiv comandă
tensiune) <<valoare (coeficient polinomial)>>*
Exemple:
FSENS 1 2 VSENS 10.0 – specifică o sursă de curent liniară, între nodurile 1 şi 2,
comandată de curentul ce circulă prin sursa de tensiune VSENS: IFSENS =
10,0*I(VSENS).
FNELIN 101 102 POLY(2) V1 V2 0.0 0.9 0.2 0 1 – specifică o sursă de curent
neliniară, între nodurile 101 şi 102, comandată de curentul ce circulă prin sursele de
tensiune V1 şi V2: IFNELIN = 0,9*I(V1) + 0,2*I(V2) +1* I(V1)* I(V2)
• G<nume> <nod(+)> <nod(-)> <<nod_comandă(+)> <nod_comandă(-)>>
<transconductanţă>
• G<nume> <nod(+)> <nod(-)> POLY(<valoare>) <<nod_comandă(+)>
<nod_comandă(-)>> <<valoare (coeficient polinomial)>>*
• H<nume> <nod(+)> <nod(-)> <nume (dispozitiv comandă tensiune)
<transrezistenţă>
30 Aplicaţia nr. 4
• H<nume> <nod(+)> <nod(-)> POLY(<valoare>) <nume (dispozitiv comandă

tensiune) <<valoare (coeficient polinomial)>>*
b) Surse independente. Fiecare sursă poate fi specificată separat pentru
analizele în curent continuu, în curent alternativ sau analiza în domeniul timp. Sursele
independente de tensiune şi semnal încep cu litera V:
• V<nume> <nod+> <nod-> + [[DC] <valoare>] + [AC <amplitudine> [<faza>]] +
[ <specificaţii de regim tranzitoriu> ].
Specificaţiile de regim tranzitoriu: EXP(iv vpk rdelay rtc fdelay ftc), PULSE(v1 v2 td
trise tfall pw per), PWL(t1 v1 t2 v2 ... tn vn), SFFM(voff vampl fc mod fm), SIN(voff
vampl freq td df phase).
Exemplu: V1 13 0 2.3mV; VAC 2 3 AC .001;
V3 26 77 DC .002 AC 1 SIN(.002 .002 1.5MEG).
iar sursele independente de curent şi semnal cu I:
• I<nume> <nod+> <nod-> + [[DC] <valoare>] + [AC <amplitudine> [<faza>]] +
[ <specificaţii de regim tranzitoriu> ].
Specificaţiile de regim tranzitoriu: EXP(i1 ipk rdelay rtc fdelay ftc), PULSE(i1 i2 td
trise tfall pw per), PWL(t1 i1 t2 i2 ... tn fn), SFFM(ioff iampl fc mod fm), SIN(ioff
iampl freq td df phase).
Exemplu: IBIAS 13 0 2.3mA; I2 2 3 AC .001;
I3 26 77 DC .002 AC 1 SIN(.002 .002 1.5K).
3.4 COMUTATOARE
Acestea sunt implementate pentru a permite schimbarea conexiunilor

circuitelor în timpul simulării. Comutatoarele pot fi comandate prin curent sau
tensiune; pentru a crea un comutator comandat în timp se conectează nodurile de
control al comutatorului la o sursă de tensiune cu valori de tensiune egale cu cele de
timp.
Comutatorul nu este ideal pentru că rezistenţele de deschidere, respectiv de
închidere sunt finite şi se modifică brusc între cele două valori.
În practică, rezistenţa de deschidere poate fi foarte mică în comparaţie cu
impedanţele altor circuite, iar rezistenţa de închidere poate fi foarte mare în
comparaţie cu impedanţa altor circuite.
Un comutator comandat prin tensiune se apelează cu declaraţia .MODEL de
tipul VSWITCH, iar un comutator comandat prin curent cu declaraţia .MODEL de
tipul ISWITCH. Forma generală a comutatorului comandat prin tensiune este
precedată de litera S iar a comutatorului comandat prin curent W:
• S<nume> <nod+> <nod-> + <nod comandă+> <nod comandă-> <model>
Exemplu: S12 13 17 2 0 SMOD; SRESET 5 0 15 3 RELAY.
• W<nume> <nod+> <nod-> + <nume dispozitiv comandă tensiune> <model>
Exemplu: W12 13 17 VC WMOD ; WRESET 5 0 VRESET RELAY.
3.5 ALTE DECLARAŢII
a) Declaraţia .MODEL. Este utilizată pentru a defini un set de parametri ce

descriu un dispozitiv şi are următoarea formă:
• .MODEL <nume model> <nume tip> + [<nume parametru>=<valoare> [<tol>]]
Exemplu: .MODEL Q1 NPN (IS=1e-7 BF=30).
b) Declaraţia .LIB. Bibliotecile sunt fişiere de text ASCII conţinând
declaraţii .MODEL care definesc fiecare dispozitiv acceptat de SPICE. Toate fişierele
bibliotecă SPICE au extensia .LIB.
Formatul comenzii .LIB este:
• .LIB [nume fişier]
Exemplu: .LIB F:\ELECTRO\DCE.LIB; SPICE va căuta în calea specificată fişierul
DCE.LIB.
c) Declaraţia .PARAM. Cu ajutorul acestei declaraţii se pot defini parametrii
globali ai circuitului:
• .PARAM < <nume>=<valoare> >*
• .PARAM < <nume>={<expresie>}>*
Exemplu: .PARAM pi=3.14159265
d) Declaraţia .IC. Semnifică specificaţia condiţiilor iniţiale pentru punctul de
polarizare:
• .IC < V(<nod>) = <valoare> >*
Exemplu: .IC V(2)=3.4 V(102)=0
e) Declaraţia .END. Ea marchează sfârşitul fişierului. Forma generală este:
• .END
4. ANALIZE
Aceste comenzi se plasează în fişierul circuitului împreună cu definiţia

circuitului care se doreşte a fi simulat. Toate comenzile sunt conţinute în declaraţii
care încep cu “.”
4.1 ANALIZA ÎN CURENT CONTINUU
Se presupune că se baleiază o sursă de tensiune sau de curent, un parametru al

modelului sau temperatura într-un anumit domeniu. Calculul punctului de polarizare
se face pentru fiecare valoare baleiată. Analiza se specifică prin comanda .DC:
• .DC [LIN] <nume variabilă> + <start> <sfârşit> <increment>
• .DC [OCT][DEC] <nume variabilă> + <start> <sfârşit> <număr de puncte>
• .DC <nume variabilă> LIST + <valoare>*
Exemplu:
.DC VIN -7.25 7 .25 .05; .DC LIN I2 5mA -2mA 0.1mA
.DC TEMP LIST 0 20 27 50 80; .DC PARAM RS -1 1 0.1
32 Aplicaţia nr. 4
4.2 ANALIZA ÎN CURENT ALTERNATIV (ÎN DOMENIUL

FRECVENŢĂ)
Analiza în curent alternativ calculează răspunsul circuitului în complex, la

semnale mici, acestea fiind calculate prin liniarizarea circuitului în jurul punctului de
funcţionare. Analiza se specifică prin comanda .AC:
• .AC [LIN][OCT][DEC] <nr. de puncte> <start> <sfârşit>
Exemplu: .AC LIN 101 10Hz 200Hz; .AC OCT 10 1KHz 16KHz;
.AC DEC 20 1MEG 100MEG
4.3 ANALIZA ÎN DOMENIUL TIMP
Declaraţia .TRAN determină calculul răspunsului în regim tranzitoriu pornind

de la TIME = 0 până la o valoare specificată. În timpul analizei, SPICE fixează un pas
de timp intern care este tot timpul ajustat pentru a se menţine acurateţea calculului. În
domenii cu variaţii nesemnificative, pasul intern este incrementat iar în timpul
domeniilor cu variaţii semnificative este decrementat. Dacă se doresc parametrii de
semnal mic ai punctului de polarizare trebuie utilizate declaraţiile .TRAN/.OP:
• .TRAN[/OP] <pas tipărire> <valoare timp final>
+ [<pas netipărite> [<limită>]] [UIC]
Exemplu: .TRAN 1nS 100nS; .TRAN/OP 1nS 100nS 20nS UIC
.TRAN 1nS 100nS 0nS .1nS
4.4 ANALIZA STATISTICĂ MONTE CARLO
În acest regim este necesar să se specifice toleranţele valorilor parametrilor

modelului. Această analiză permite rularea multiplă a celorlalte analize, cu valori luate
aleator în domeniul lor de toleranţe. Există două tipuri de toleranţe: DEV şi LOT.
Toleranţele DEV sunt independente, în timp ce toleranţele LOT sunt dependente.
Odată stabilite toleranţele, analiza Monte Carlo se lansează cu .MC:
• .MC <#rulări> [DC][AC][TRAN] + <var.de ieşire> <funcţie> [opţiune]*
Exemplu: .MC 10 TRAN V(5) YMAX; .MC 50 DC IC(Q7) MIN LIST
4.5 ANALIZA COMPORTĂRII CIRCUITELOR CU TEMPERATURA
SPICE permite să se analizeze un circuit la orice temperatură. Valoarea

arbitrară a temperaturii la care se face analiza este 27°C. Această valoare poate fi
modificată prin directiva .TEMP:
• .TEMP <valoare>*
Exemplu: .TEMP 125; .TEMP 0 27 100.
4.6 ANALIZA PARAMETRICĂ
SPICE poate să realizeze rulări multiple, variind temperatura sau diferiţi

parametrii ai modelului. Se utilizează comanda .STEP:
• .STEP [LIN] <nume variabilă> + <start> <sfârşit> <increment>
• .STEP [OCT][DEC] <nume variabilă> + <start> <sfârşit> <număr de puncte>
• .STEP <nume variabilă> LIST + <valoare>*
Exemplu: .STEP VIN -.25 .25 .05 ; .STEP LIN I2 5mA -2mA 0.1mA;
.STEP TEMP LIST 0 20 27 50 80 ; .STEP PARAM Cel LIST 0 200u
5. PARTEA EXPERMIMENTALĂ
Se vor descrie şi simula PSPICE circuitele discutate în cadrul lucrărilor nr.2 şi

3. În acest sens este necesară parcurgerea următoarelor etape:
a) Se numerotează nodurile schemei electronice. Este de preferat ca potenţialului
de referinţă (masa) să i se atribuie valoarea 0, în acest fel toate tensiunile
nodurilor vor fi exprimate faţă de masă.
b) Se descrie circuitul prin specificarea tipurilor şi valorilor componentelor şi a
legăturilor dintre acestea.
c) Se specifică tipul analizei (c.c., c.a., timp etc.). Este permisă rularea unei
singure analize la un moment dat.
d) Alte declaraţii – de exemplu cele referitoare la biblioteci de componente sau
modelele acestora.
Observaţie: 1. Este recomandat ca un program SPICE să înceapă cu un scurt
comentariu (introdus prin caracterul “ * ”) prin care să se descrie conţinutul simulării,
numele circuitului sau alte informaţii utile.
2. Un program SPICE se încheie prin directiva .END.
Exemplu. Considerând circuitul din fig.1 să se scrie un program PSPICE destinat

studiului timpilor de comutaţie al diodelor.
R2
100
X1
R1
X2 X3
100
V1 = -5V V1
V2 = 5V
TD = 1ns D1 D2
TR = 1ns
TF = 1ns D1N4148 D1N4001
PW = 50ns X X
X
PER = 100ns 0 0
0
Fig. 1. Circuit pentru studiul comparativ al timpilor de comutaţie al diodelor.

34 Aplicaţia nr. 4
* Studiul comutatiei diodei
*descrierea propriu-zisa a circuitului

Vg 1 0 PULSE(-5V 5V 1n 1n 1n 50n 100n)
R1 1 2 100
R2 1 3 100
D1 2 0 D1N4148
D2 3 0 D1N4001
*specificarea tipului analizei

.TRAN 10n 100n 0 0.1n
*alte declaratii
.LIB DCE.LIB
.PROBE
.END
Fig. 2. Rezultatele simulării PSPICE pentru circuitul din fig. 1.

Aplicaţia nr. 5
CIRCUITE DE REDRESARE
Se studiază funcţionarea circuitelor de redresare monofazate monoalternanţă

şi bialternanţă şi a circuitelor de filtrare.
2. PRELIMINARII
Redresarea reprezintă un procedeu de transformare a tensiunii alternative în

tensiune continuă. În funcţie de numărul de faze ale transformatorului, redresoarele se
pot clasifica în: redresoare monofazate (folosite la puteri mai mici, de până la 1KW) şi
redresoare polifazate (folosite la puteri mari, de peste 1KW). În funcţie de numărul de
alternanţe redresate se deosebesc cele de tip monoalternanţă, când se redresează o
singură alternanţă, respectiv cele bialternanţă, când sunt redresate ambele alternanţe.
Un redresor monofazat are schema bloc din fig. 1. Transformatorul modifică
mărimea tensiunii alternative şi izolează circuitul de reţea, blocul redresor conţine
elemente de circuit care realizează redresarea propriu-zisă prin aceea că permit
conducţia curentului numai într-un sens iar filtrul reduce pulsaţiile („netezeşte”)
formei de undă.
iS
~ ~ + +
u1 Transformator u2 Redresorul Filtru uS Rs

propriu-zis
~ ~ - -
Redresorul Sarcină
Fig. 1. Redresor monofazat - schema bloc.
Privit de la bornele de ieşire, redresorul poate fi modelat în curent continuu ca

în fig. 2 a). Dependenţa tensiunii continue redresate Vo de curentul de sarcină Io este
reprezentată în fig. 2 b) sub forma caracteristicii externe.
36 Aplicaţia nr. 5
R0 uS
Panta Rir
Rs
V0
V0, gol
V’0
US0
Redresorul ca sursa
de tensiune continua
IS0 iS
a) b)
Fig. 2. a) Schema echivalentă a unui redresor. b) Caracteristica internă.
3. REDRESORUL MONOFAZAT MONOALTERNAŢĂ
Redresoarele monofazate monoalternanţă se conectează la reţeaua de

220V/50Hz prin intermediul unui transformator monofazat şi prezintă schema din fig.
3. Formele de undă aferente funcţionării pot fi urmărite în fig.4.
D iS
Tr
r1 r2
u1 u2 uS
Rs
N1 N2
Fig. 3. Redresor monoalternanţă.
Fig. 4. Formele de undă pentru tensiunea din secundarul transformatorului, u2, şi pentru tensiunea pe
rezistenţa de sarcină, uS.
Tensiunea din secundarul transformatorului este sinusoidală:

u2(t) = U 2m sinωt = 2 U 2ef sinωt (1)
Valoarea medie a tensiunii pe sarcină se determină cu relaţia de definiţie
Circuite de redresare 37
pentru valoarea medie:
1 T 1 π U 2m 2 U 2ef
Uo = ∫
T 0
u s (ωt )d (ωt ) =
2π ∫0
U 2msin(ω t )d (ωt ) =
π
=
π
(2)
iar pentru valoarea medie a curentului prin sarcină se poate scrie relaţia:
U 2m 2 U 2ef
Io = = (3)
πR S πR S
Puterea utilă reprezintă puterea de curent continuu absorbită de sarcină:
2 U 2 2 ef
Pu = Po = U o I o = (4)
π 2 RS
Puterea consumată se absoarbe de la reţeaua de curent alternativ numai pe
durata unei semiperioade, deci puterea de curent alternativ absorbită de la reţea va fi:
1 U 2 2 ef
Pa = (5)
2 RS
În consecinţă, randamentul redresorului monoalternanţă este:
Pu 4
η= = 2 = 40,5% (6)
Pa π
În cazul redresorului monofazat real, trebuie să se ia în consideraţie şi
elementele interne ale transformatorului şi diodei redresoare.
În alternanţa negativă a tensiunii alternative din secundar, la bornele diodei
blocate se aplică tensiunea inversă având valoarea maximă:
U D inv max = U 2 max (7)
4. REDRESORUL MONOFAZAT BIALTERNAŢĂ
Redresoarele monofazate dublă alternanţă se utilizează sub forma a două

montaje fundamentale: montajul cu transformator cu priză mediană în secundar (fig.5
a) şi montajul în punte (fig.5 b). Formele de undă prezente în funcţionarea circuitelor
sunt înfăţişate în fig. 6 şi 7.
D1
Tr Tr
D4 D1
u21 r1 r2
Rs iS u2 iS
u1 u1 - +
uS
u22 uS
N1 N2 D3 D2
Rs
D2
Fig.5. Redresoare bialternanţă

a) cu priză mediană b) în punte
38 Aplicaţia nr. 5
Fig. 6. Forme de undă aferente redresorului bialternanţă cu priză mediană.
Fig. 7. Forme de undă aferente redresorului bialternanţă în punte.
În primul caz, priza mediană din secundar asigură obţinerea a două tensiuni de
amplitudini egale şi defazate cu 180°. Prin rezistenţa de sarcină se aplică diodelor o
tensiune de polarizare directă sau inversă, în alternanţa pozitivă conducând D1 iar D2
fiind blocată, respectiv invers, în alternanţa negativă. În ambele alternanţe prin
rezistenţa de sarcină curentul circulă în acelaşi sens, deci polaritatea căderii de
tensiune la bornele sarcinii nu se schimbă.
Într-o perioadă T apar două pulsuri ale tensiunii redresate astfel că valoarea
medie a tensiunii pe sarcină este:
U 2m
Uo = 2 (8)
π
iar valoarea curentului mediu redresat este:
U 2m
Io = 2 (9)
πR S
Puterea utilă, respectiv cea consumată, au următoarele expresii:
8 U 2 2 ef
Pu = Po = U o I o = (10)
π 2 RS
U 2 2 ef
Pa = (11)
RS
În aceste condiţii, randamentul redresorului dublă alternanţă este:
Pu 8
η= = 2 = 81% (12)
Pa π
Pentru determinarea tensiunii inverse maxime pe diodă, dacă conduce dioda
D1 spre exemplu, rezultă că dioda D2 este polarizată invers cu o tensiune egală cu
us+u21, deci:
U D inv max ≅ 2U 2 max (13)
Pentru cazul redresorului dublă alternanţă în punte, relaţiile (8)-(12) rămân
valabile. Diferă doar valoarea tensiunii inverse maxime pe o diodă a punţii:
U D inv max = U 2 max (14)
Observaţii:
1. În calculele de mai sus s-a neglijat rezistenţa internă a redresorului Rir = rt + rD, cu rt
= r2 + r1(N2/N1)2 şi rD = nrd, în care:
- rt reprezintă rezistenţa echivalentă a secundarului transformatorului;
- rD rezistenţa grupului de n diode în conducţie simultană din redresor;
- r1, r2 rezistenţa înfăşurărilor primare, respectiv secundare;
- N1, N2 numărul de spire din primarul, respectiv secundarul transformatorului;
Faptul că redresorul prezintă rezistenţă internă va determina micşorarea
tensiunii la bornele rezistenţei de sarcină Rs, cu coeficientul Rs/(Rir+Rs), fapt care va
reduce randamentul redresorului.
2. În prezentarea de până acum s-a presupus că trecerea diodei din blocare în
conducţie şi invers se face instantaneu. În realitate, pentru fiecare din cele două
procese tranzitorii, este necesar un timp determinat de fenomenele fizice ce stau la
baza funcţionării unei joncţiuni p-n.
Pot fi definiţi, astfel, doi timpi de comutare, un timp de comutare directă (din
starea blocată în starea de conducţie) şi un timp de comutare inversă (din starea de
conducţie în starea blocată). Ambii parametrii menţionaţi sunt indicaţi în datele de
catalog. Timpul de comutare directă este, în general, mult mai mic decât cel de
comutare inversă.
În funcţionarea redresorului, timpii de comutare au efect important dacă sunt
compatibili cu durata unei alternanţe a semnalului redresat. Întârzierea în comutarea
inversă determină, spre exemplu, micşorarea componentei continue Uo şi creşterea
puterii disipate pe diodă.
5. FILTRE DE NETEZIRE
Tensiunile şi curenţii rezultaţi prin redresare monofazată sunt funcţii periodice

(nesinusoidale). Ele se pot descompune în serie Fourier:
- pentru cazul monoalternanţă:
40 Aplicaţia nr. 5
U sm  π ∞
cos(2kωt ) 
u s (t ) = 1 + sin(ωt ) − 2∑  (15)
π  2 k =1 ( 2k + 1)( 2k − 1) 
- pentru cazul bialternanţă:
2U sm  ∞
cos(2kωt ) 
u s (t ) = 1 − 2∑  (16)
π  k =1 ( 2k + 1)( 2k − 1) 
În acest context poate fi definit factorul de ondulaţie:
amplitudinea componentei alternative de frecventă minimă

γ = (17)
componenta continuă
În cazurile în care se doreşte o formă a tensiunii redresate cât mai stabilă, între
redresor şi sarcină se introduc filtre care să reducă pulsaţiile sau ondulaţiile
tensiunii/curentului redresate. Filtrele de netezire se clasifică în funcţie de elementul
cu care începe filtrul, în: filtre cu intrare pe capacitate şi filtre cu intrare pe inductanţă.
Schemele unor circuite simple de filtrare sunt prezentate în fig. 8.
L L
Rs C Rs
a) Filtru L c) Filtru LC
R
C Rs C Rs
b) Filtru C d) Filtru RC
R
C C
e) Filtru RC în π.
Fig. 8. Scheme pentru circuitele de filtrare.
Un filtru este cu atât mai bun cu cât are o eficacitate mai mare (raportul dintre
amplitudinea vârf la vârf a pulsaţiilor la ieşirea filtrului şi amplitudinea vârf la vârf a
pulsaţiilor la intrare, să fie cât mai mic) şi cădere de tensiune continuă pe el cât mai
mică. Pentru redresoarele de mică putere se utilizează de obicei filtre C sau RC fiind
mai simple, cu gabarit redus şi mai ieftine, cu toate că au o eficacitate mai mică şi
căderi de tensiune mai mari decât filtrele LC. Mărirea eficacităţii unui filtru se poate
realiza prin folosirea în cascadă a mai multor filtre RC sau LC.
6.1 Se consideră redresorul monoalternanţă cu filtru capacitiv din fig. 9.

D iS
Tr
r1 r2
u1 u2 uS
Cf Rs
N1 N2
Fig. 9. Redresor monoalternanţă cu filtru capacitiv.
a) Oscilografiaţi pentru cazurile Cf = 0, Cf = C, Cf = 2C tensiunea de pe rezistenţă de

sarcină, uS, şi comparaţi în aceste cazuri calitatea tensiunii redresate.
b) Completaţi cu rezultatele măsurătorilor tabelul următor:
RS 2KΩ 1,5KΩ 1KΩ 800Ω 600Ω 400Ω 200Ω Filtraj

US [V] Cf = 0
IS [mA]
US [V] Cf = C
IS [mA]
US [V] Cf = 2C
IS [mA]
Tab. 1. Se completează conform măsurătorilor.
Pentru cazul Cf = 2C se va ridica caracteristica externă a redresorului, US =

f(IS), precum şi dependenţa US = f(RS). Se va determina din grafic rezistenţa internă a
redresorului.
6.2 Reluaţi etapele punctului anterior pentru cazul redresorului bialternanţă, în
punte, cu filtru capacitiv (fig.10).
Tr
D4 D1
r1 r2
iS
u1 u2 - +
N1 N2 D3 D2
Cf uS Rs
Fig. 10. Redresor bialternanţă, în punte, cu filtru capacitiv.

42 Aplicaţia nr. 5
6.3 Calculaţi valoarea factorului de ondulaţie pentru cazurile redresorului

monoalternanţă, respectiv bialternanţă şi apreciaţi pe baza acestui criteriu calitatea
redresării.
6.4 Studiaţi prin simulare PSPICE efectul capacităţii de filtraj asupra tensiunii
redresate şi a curentului tranzitoriu prin dioda unui redresor monoalternanţă.
* Redresor monofazat monoalternanta
* Studiul influentei capacitatii de filtraj
* asupra tensiunii pe sarcina si curentului prin dioda
Vg 1 0 SIN(0 7V 50HZ)
Ri 1 2 5
D1 2 3 D1N4001
Cf 3 0 {Cel}
Rs 3 0 1k
.LIB DCE.LIB
.PARAM Cel=200u
.STEP PARAM Cel LIST 200u 470u 1000u
.TRAN 0m 80m 0m 0.1m
.PROBE
.END
Fig. 11. Rezultatele simulării PSPICE pentru circuitul din fig. 9.

Aplicaţia nr. 6
EXPERIMENTE CU ALTE TIPURI DE DIODE

(DE COMUTAŢIE, ELECTROLUMINISCENTE,
FOTODIODE, VARICAP)
Se experimentează circuite cu alte tipuri de diode decât cele întâlnite pe

parcursul lucrărilor efectuate până în prezent: diode de comutaţie (de impulsuri), diode
electroluminiscente (LED, Light Emitting Diode), fotodiode şi diode varicap
(parametrice).
2. DIODE DE COMUTAŢIE (DE IMPULSURI)
Sunt diode special construite pentru a lucra în regim de comutaţie. Capacitatea

lor electrică este, prin construcţie, foarte mică.
Caracteristica statică a unei astfel de diode nu se deosebeşte cu nimic de
caracteristica generală a unei diode. Diferenţele apar însă la parametrii proceselor
tranzitorii de comutaţie şi anume timpul de comutare directă td (de la starea de blocare
la starea de conducţie) şi timpul de comutare inversă tinv (de la starea de conducţie la
starea de blocare). Definiţia acestor timpi este ilustrată grafic prin fig. 1.
Fig. 1. Răspunsul la impuls al diodei. Curentul şi tensiunea prin diodă.

44 Aplicaţia nr. 6
Viteza de lucru a schemelor de comutaţie cu diode este limitată de timpul de

comutare invers, compus din timpul de revenire, trev, în care are loc eliminarea
sarcinilor acumulate în joncţiune şi timpul de cădere, tc, comparabil cu timpul de
comutare directă td şi deci mult mai mic decât trev.
2. DIODE ELECTROLUMINISCENTE
Simbolul diodei electroluminiscente (LED, Light Emitting Diode) este

prezentat în fig. 2. Această diodă are proprietatea de a emite lumină atunci când este
polarizată direct. Joncţiunile realizate cu GaAs emit radiaţii electromagnetice în
domeniul infraroşu (IR), iar introducerea atomilor de fosfor deplasează maximul de
emisie spre regiunea vizibilă a spectrului. Se realizează astfel LED-uri emiţând lumină
de culoare roşie, galbenă sau verde, în funcţie de dopant.
Fig. 2. Simbolul diodei electroluminiscente.
Parametrii electrici ai diodelor electroluminiscente sunt apropiaţi ca valoare de

cei ai diodelor obişnuite:
- curentul direct maxim are valori de ordinul zecilor de miliamperi;
- tensiunea de deschidere a joncţiunii variază de la 1,2V pentru un LED ce
emite în IR şi poate ajunge la 3V pentru cele ce emit lumină verde.
- tensiunea inversă poate avea valoarea maximă de câţiva volţi.
Printr-o tehnologie specială se pot realiza diode electroluminiscente a căror
lumină emisă are caracteristicile luminii laser – monocromaticitate pronunţată,
directivitate, coerenţă. Acest dispozitiv poartă numele de diodă laser.
LED-urile se utilizează individual la anumite semnalizări, indicaţii optice sau
la realizarea elementelor de afişare.
3. FOTODIODE
Fotodiodele au simbolul prezentat în fig.3 şi reprezintă diode semiconductoare

polarizate invers, bazate pe efectul fotoelectric intern (eliberarea electronilor sub
acţiunea luminii în interiorul unui semiconductor, rezultând astfel o mărire a
conductivităţii). Sunt astfel construite încât joncţiunea pn să poată fi iluminată şi
curentul invers prin joncţiune depinde, între anumite limite, de intensitatea fluxului
luminos incident. Ele sunt deci dispozitive optoelectronice care transformă radiaţia
electromagnetică în energie electrică sau invers.
Fig. 3. Simbolul fotodiodei.

Experimente cu alte tipuri de diode 45
Prin fotodiodă, în lipsa iluminării trece un curent foarte mic – curentul de

saturaţie al unei joncţiuni – numit curent de întuneric. Când joncţiunea este iluminată,
cuantele de energie absorbite de semiconductor din fluxul luminos incident sparg un
număr de legături covalente, producând perechi electroni-goluri, şi deci curentul prin
joncţiune va creşte cu atât mai mult cu cât iluminarea este mai puternică.
Dintre aplicaţiile acestui tip de diode se pot enumera utilizarea lor în
realizarea tuburilor videocaptoare (transformă informaţia purtată de lumină în
informaţie electrică) sau în realizarea optocuploarelor. Aceste din urmă dispozitive,
denumite şi cuploare optice, sunt formate dintr-un emiţător şi un receptor de lumină,
aşezaţi faţă în faţă la distanţă mică, în aceeaşi capsulă. Există o diversitate foarte mare
de cuploare optice (fig. 4) şi ele servesc la izolarea galvanică a etajelor unui circuit
electronic, de exemplu separarea părţii de comandă a unui circuit de cea de forţă.
a) LED - fotodiodă b) LED - fototranzistor c) LED – fototiristor

Fig. 4. Diverse tipuri de optocuploare.
4. DIODE VARICAP
Simbolul lor este prezentat în fig. 5. În polarizare inversă aceste diode prezintă
o capacitate a joncţiunii pn variabilă, ce depinde de valoarea tensiunii inverse UR pe
diodă:
1 kT
C~ , unde U T = (1)
n U −U e
R T
Fig. 5. Simbolul diodei varicap.
Schema echivalentă a diodei varicap (parametrice) este prezentată în fig. 6, în

care:
- Rs - rezistenţa serie echivalentă;
- Cc - capacitatea intrinsecă a diodei;
- Ls - inductanţă serie echivalentă;
- C - capacitatea variabilă a joncţiunii.
46 Aplicaţia nr. 6
Rs Ls
VCC
Cc C
VCC
Fig. 6. Schema echivalentă a diodei varicap (parametrice).
Diodele cu capacitate variabilă se folosesc drept condensatoare cu capacitate

variabilă pe cale electrică, în construcţia circuitelor oscilante (acordate), filtrelor etc.
Diodele varicap cu joncţiuni hiperabrupte, numite diode de acord, sunt folosite pentru
acordul fără comutare a întregii game de frecvenţe în circuitele radio sau TV.
5.1 Măsurarea timpilor de comutaţie la diode. Se măsoară timpul de

comutare directă (timpul de tranziţie) şi timpul de revenire (timpul de stocare) pentru
o diodă redresoare tip 1N4001 respectiv pentru o diodă de comutaţie, tip 1N4148.
Folosind montajul din fig. 7 se oscilografiază variaţia în raport cu timpul a tensiunii pe
diode respectiv a curentului prin diode dacă tensiunea de la generator, vg, este
dreptunghiulară şi respectiv armonică.
R2
1KΩ
R1
1KΩ
V1
D1 D2
D1N4148 D1N4001
Fig. 7. Circuit pentru măsurarea timpilor de comutaţie ai diodelor.
Observaţii:
- oscilogramele se trasează pentru două frecvenţe ale tensiunii vg: 10kHz şi
100kHz.
- modificând amplitudinea tensiunii vg se urmăreşte efectul acesteia asupra
timpului de stocare respectiv de tranziţie.
5.2 Ridicarea caracteristicii statice pentru diode electroluminiscente. Se

urmăreşte trasarea caracteristicii iD = f(uD) la trei LED-uri diferite (roşu, galben, verde)
şi determinarea valorii minime a curentului iD la care LED-ul produce un efect
Experimente cu alte tipuri de diode 47
luminos vizibil. Montajul utilizat este cel din fig. 8. Curentul iD se măsoară indirect,
prin tensiunea la bornele rezistorului, cf. tab. 1. În final caracteristicile se reprezintă pe
acelaşi grafic.
R1
2KΩ
D1 D2 D3
V1
Fig. 8. Circuit pentru ridicarea caracteristicilor statice ale unor diode electroluminiscente.
V1[V] 1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29
UR1 [V]
ID[mA] = UR1/R1
ULED 1 [V]
ULED 2 [V]
ULED 3 [V]
Tab. 1. Se va completa cf. măsurătorilor specificate la pct.5.2.
5.3 Ridicarea caracteristici de transfer pentru un optocuplor. Se

urmăreşte trasarea caracteristicii Io = f(Ii) pentru optocuplorul din fig.9, prin
completarea tab.2 cu valorile găsite experimental pentru tensiunile de pe R1 şi R2.
Curenţii de intrare/ieşire vor fi determinaţi prin calcul.
R1 Ii Io R2
8,2KΩ 22KΩ V2
V1
20V
Fig. 9. Circuit pentru ridicarea caracteristicii de transfer a optocuplorului.
V1 [V] 1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29
UR1 [V]
Ii [mA]
UR2 [V]
Io [mA]
Tab. 2. Se va completa cf. măsurătorilor specificate la pct.5.3.
5.4 Ridicarea caracteristicii capacitate-tensiune la o diodă varicap.

Capacitatea diodei varicap se va măsura indirect, determinând frecvenţa de oscilaţie a
unui oscilator LC de tip Colpitts. Frecvenţa se măsoară cu un frecvenţmetru numeric.
48 Aplicaţia nr. 6
Schema circuitului este prezentată în fig. 10 iar circuitul oscilant echivalent este cel
din fig. 11, în care C0 reprezintă capacitatea diodei varicap iar Cp reprezintă
capacitatea parazită a montajului. Deoarece frecvenţa oscilaţiilor este:
1 1
f0 = = (2)
2π LC 2π L(C0 + C p )
rezultă capacitatea diodei varicap de forma:
1
C0 = − Cp (3)
4π f 2 L
2
R5
C2 1,8KΩ V2 = -12V
VCC
R1 R3 3,3nF
15KΩ 1,8KΩ
C1 Q1 C3 C4
3,9nF 22pF
BC171A
680pF
D1 D3
R2 R4 L1 R6
150KΩ 82KΩ R7
56KΩ 8,2µH
75KΩ
V1
D2 D4
VCC
La frecvenţmetru
Fig. 10. Oscilatorul Colpitts folosit la determinarea dependenţei capacităţii diodei varicap faţă de
tensiunea la borne.
V1 [V] 1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25
f [MHz]
C0 [pF]
Tab. 3. Se va completa cf. măsurătorilor specificate la pct. 5.4.
C0 C0
L1 Cp
C0 C0
Fig. 11. Circuitul oscilant echivalent.
Se va ridica, în final, dependenţa capacităţii diodei varicap faţă de tensiunea la

borne, C0 = f(V1) considerând Cp = 17pF.
Aplicaţia nr. 7
TRANZISTORUL BIPOLAR – CARACTERISTICI

STATICE
Se ridică experimental caracteristicele statice ale tranzistorului bipolar în

conexiune emitor comun (EC). Se studiază dependenţa factorului de amplificare în
curent de valoarea curentului de colector, βF = f(IC).
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electronic cu trei borne (emitor,

colector şi bază) conectate la trei regiuni semiconductoare, dintre care cea din mijloc
este dopată cu impurităţi de tip opus regiunilor alăturate. Se numeşte bipolar deoarece
conducţia de curent electric se realizează prin aportul a două tipuri de purtători de
sarcină (electroni şi goluri).
Există două tipuri de tranzistoare bipolare, în funcţie de modul în care sunt
aranjate cele trei regiuni semiconductoare: PNP şi NPN (fig. 1). De asemenea, în
funcţie de tipul semiconductorul folosit, există în principal, tranzistoare cu Ge şi cu Si.
Sensul săgeţii din reprezentarea tranzistorului indică sensul real de circulaţie a
curentului prin tranzistor atunci când joncţiunea emitoare este direct polarizată. Cele
trei regiuni semiconductoare formează două joncţiuni: joncţiunea emitoare şi
joncţiunea colectoare.
a) PNP b) NPN
Fig. 1. Tipuri de tranzistoare bipolare. Simboluri folosite la reprezentarea tranzistoarelor.

50 Aplicaţia nr. 7
Se folosesc următoarele notaţii (fig. 2) pentru reprezentarea simbolică a

tranzistoarelor şi a mărimilor aferente funcţionării acestora în polarizare directă.
iC iE
uBE < 0
iB uCE > 0 uCE < 0
iB
uBE > 0 iE iC
Fig. 2. Notaţii pentru reprezentarea simbolică a tranzistoarelor şi a mărimilor aferente

funcţionării acestora în polarizare directă.
Structura unui tranzistor PNP polarizat normal precum şi fluxurile purtătorilor

de sarcină pot fi observate în fig. 3.
Emitor Bază Colector

p n p
iE αiE
(1-α)iE ICB0
iE
iC
iB
VE VC
Fig. 3. Structura unui tranzistor PNP.
Se pot scrie următoarele relaţii între curenţi:

iC = α ⋅ iE + I CB 0 (1)
iE = iB + iC (2)
în care ICB0 reprezintă curentul rezidual colector-bază iar α exprimă fracţiunea
din curentul de emitor care constituie curentul de colector. În general α este o
constantă subunitară, apropiată de unitate (α ≅ 1) deci iC ≅ iE. Înlocuind în rel. (1)
expresia curentului din emitor din rel. (2) se obţine:
α 1
iC = iB + I CB 0 = β ⋅ iB + I CE 0 (3)
1−α 1−α
în care ICE0 reprezintă curentul rezidual colector-emitor iar β este denumit
factor de amplificare în curent – în conexiune EC, ca ordin de mărime cuprins între 10
Tranzistorul bipolar – caracteristici statice 51
şi 103.
Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar reprezintă relaţii de
interdependenţă între mărimile electrice (un curent în funcţie de o tensiune) ce
caracterizează funcţionarea acestuia.
În funcţie de dependenţele exprimate, se definesc următoarele caracteristici:
- caracteristica de intrare: I B = f (U BE ) |U CE = ct .
Denumirea este justificată prin faptul că exprimă o dependenţă între două
mărimi de intrare ale tranzistorului. Schema de principiu pentru ridicarea acestei
caracteristici este prezentată în fig. 4.
RC
RB
VC
VB
Fig. 4. Schema de principiu pentru ridicarea caracteristicii de intrare.
- caracteristica de transfer: I C = f (U BE ) |U CE = ct .
Exprimă dependenţa dintre o mărime de la ieşirea tranzistorului în funcţie de o
mărime de la intrare. Schema de principiu pentru ridicarea acestei caracteristici este
prezentată în fig. 5.
RC
RB
VC
VB
Fig. 5. Schema de principiu pentru ridicarea caracteristicii de transfer.
- caracteristica de ieşire: I C = f (U CE ) | I B = ct .
Denumirea este justificată prin faptul că ea exprimă dependenţa dintre două
mărimi de la ieşirea tranzistorului. Schema de principiu pentru ridicarea acestei
caracteristici este prezentată în fig. 6.
52 Aplicaţia nr. 7
RC
RB
VC
VB
Fig. 6. Schema de principiu pentru ridicarea caracteristicii de ieşire.
Presupunem, în continuare, cazul unui tranzistor NPN de mică putere şi medie

frecvenţă. Ecuaţiile Ebers-Moll corespunzătoare modelului tranzistorului cu
generatoare de curent comandate de curenţii prin diode sunt:
q ⋅ u BE q ⋅ u BC
i E = I ES [exp − 1] − α R I CS [exp − 1] (4)
k ⋅T k ⋅T
q ⋅ u BE q ⋅ u BC
iC = α F I ES [exp − 1] − I CS [exp − 1] (5)
k ⋅T k ⋅T
în care:
- IES şi ICS sunt curenţi reziduali ai joncţiunii emitoare respectiv colectoare, cu
colectorul respectiv emitorul în scurtcircuit;
- αF şi αR reprezintă factori de amplificare în curent în sens direct respectiv invers.
Caracteristicile de transfer se pot deduce teoretic, pe baza ecuaţiilor (4) şi (5),
ţinând seama şi de relaţia care se stabileşte între curenţii tranzistorului sau
experimental, conform § 3.
3.1 Utilizând schema din fig. 7 sau cea din fig. 8 se ridică experimental (punct
cu punct) caracteristica de intrare I B = f (U BE ) |U CE = ct . şi caracteristica de transfer
I C = f (U BE ) |U CE = ct . Schema din fig. 8 se va folosi dacă VB este o sursă tip
MULTISTAB la care tensiunea furnizată este dificil de reglat în trepte fine (zecimi de
volt). Rolul ajustării în trepte fine a tensiunii aplicate în baza tranzistorului va reveni
rezistenţei decadice RD. Se va stabili VB = 2V şi RD se va regla în gama 500Ω…1KΩ
cu un pas de 250Ω şi între 1KΩ…10KΩ, cu un pas de 1KΩ.
Dacă există posibilitatea reglajului tensiunii aplicate la intrare în trepte fine, se
va putea renunţa la divizorul rezistiv R1, RD şi se va folosi schema din fig. 9. În acest
caz VB se va modifica în intervalul 0…2V, cu un pas de 0,2V.
RC
1KΩ
R1
2,2KΩ
RB
VC C Q1 VB
1nF BC107 100KΩ
RD
Fig. 7. Schemă pentru trasarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar. VB nu permite reglaj în
trepte fine.
RC
1KΩ
RB
VC C Q1 VB
1nF BC107 100KΩ
Fig. 8. Schemă pentru trasarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar. VB permite
reglaj în trepte fine.
Se va întocmi una tabel în care vor fi notate următoarele mărimi:
UBE URB [mV] IB [µA] URC [mV] IC [mA] UCE [V] const. – se impune
[mV] IB = URB /RB IC = URC /RC prin modificarea VC
5
Tab. 1. Se va completa conform măsurătorilor efectuate.
Observaţie: Măsurătorile tensiunilor se vor efectua cu ajutorul unui voltmetru

numeric. Curenţii de bază şi colector vor fi determinaţi indirect prin măsurarea
tensiunilor URB şi URC.
3.2 Folosind schemele din fig. 7 sau fig. 8, se va ridica experimental
caracteristica de ieşire I C = f (U CE ) | I B = ct . . Modificând VC în domeniul 0…15V, cu
un pas de 1V, pentru un anumit IB (sau echivalent, URB) constant se va completa
următorul tabel:
54 Aplicaţia nr. 7
UCE [V] URC [V] IC [mA] URB [V] = const. – se impune

IC = URC /RC din VB şi/sau RD
1
Tab. 2. Se va completa conform măsurătorilor efectuate.
3.3 Se va ridica curba de variaţie βF = f(IC), cu βF = IC /IB. Se vor lua pentru IC

10 valori în domeniul 1…20mA, prin reglarea atât a tensiunii VB cât şi a rezistenţei RD.
Se va trasa pe hârtie milimetrică curba de variaţie βF = f(IC) la UCE = 5V. Se vor trage
concluzii asupra valorii optime a lui IC pentru care β este maxim.
3.4 Scrieţi un program PSPICE pentru studiul caracteristicilor statice ale

tranzistorului bipolar.
* circuit de studiu a caracteristicii statice de intrare si transfer a

tranzistorului bipolar
VB 1 0 1V
Q1 2 1 0 BC107
VC 2 0 5V
.LIB DCE.LIB
.DC LIN VB 0 0.7 10mV VC LIST 0.3V 5V 20V
.PROBE
.END
Fig. 10. Caracteristica de intrare şi cea de transfer pentru un tranzistor bipolar.
* circuit de studiu a caracteristicii statice de iesire a

tranzistorului bipolar
IB 0 1 1uA
Q1 2 1 0 BC107
VC 2 0 1V
.LIB DCE.LIB
.DC LIN VC 0 5V 10mV IB LIST 5u 10u 20u
.PROBE
.END
56 Aplicaţia nr. 7
Fig. 11. Caracteristica de ieşire (la IB = ct.= 5µA, 10µA, 20µA) pentru un tranzistor bipolar.
Fig. 12. Variaţia βF = f(IC) obţinută cu OrCAD Model Editor.

Aplicaţia nr. 8
TRANZISTORUL BIPOLAR – CIRCUITE DE

POLARIZARE
Aplicaţia constă în proiectarea şi experimentarea a trei tipuri de circuite de

polarizare folosite în mod curent în practica circuitelor cu tranzistoare bipolare.
2.1 CONDIŢIILE IMPUSE CIRCUITULUI DE POLARIZARE
O problemă specifică în proiectarea circuitelor cu tranzistoare o constituie

alegerea punctului static de funcţionare (PSF), specificat în mod uzual printr-un
curent continuu de colector şi o tensiune continuă colector-emitor, perechea de
valori IC0, UCE0 ce se stabilesc în circuit în regim static. Obţinerea PSF-ului implică
conectarea tranzistorului într-o schemă de polarizare, căreia i se impun o serie de
condiţii legate de constanţa valorii acestuia în raport cu modificarea parametrilor
tranzistorului.
Valoarea PSF-ului, respectiv valoarea concretă a IC0 şi UC0 este impusă, în
general, de funcţionarea în regim dinamic a tranzistorului şi constituie date iniţiale la
proiectarea circuitului de polarizare.
Circuitului de polarizare trebuie să îndeplinească următoarele condiţii:
a) asigurarea punctului static de funcţionare (IC0 , UC0 ) dorit;
b) asigurarea stabilităţii PSF-ului prin:
- reducerea efectelor parametrilor sensibili la temperatură ai tranzistorului (ICB0, UBE ,
β) asupra PSF-ului. La tranzistorul cu siliciu se va neglija efectul lui ICB0.
- reducerea la maxim a efectele toleranţelor componentelor şi a parametrilor
tranzistoarelor asupra PSF-ului, în scopul reproductibilităţii circuitului.
2.2 CIRCUITUL DE POLARIZARE CU DIVIZOR ÎN BAZĂ ŞI

REZISTENŢĂ ÎN EMITOR
Schema circuitului este dată în fig. 1. La proiectarea acestuia se cunosc:

- tipul tranzistorul (β, UCEmax , UBE), PSF (IC0, UCE0),;
- tensiunea de alimentare VC < U CE max .
Se cere determinarea: RE, RB1, RB2, RC.
58 Aplicaţia nr. 8
Divizorul RB1, RB2 se alege în aşa fel încât curentul prin divizor să fie:
ID >> IB (1)
În practică se admite relaţia:

ID > 10 IB (2)
+ VC
RC IC0
RB1
Q
VB UCE0
UBE
RB2 RE
Fig. 1. Circuit de polarizare cu divizor în bază şi rezistenţă în emitor.
Legea lui Kirchhoff pentru circuitul de intrare şi cel de ieşire se scrie astfel:
VC = I C 0 (RC + RE ) + U CE 0

VB = RB 2 ⋅ I D = U BE + I C 0 RE (3)
V = I ( R + R )
 C D B1 B2
Tensiunea de pe rezistenţa din emitor reprezintă o fracţiune (10...20%) din
tensiunea de alimentare:
VE = IC0RE ≤ 0,15 VC (4)
Rezultă următoarele valori pentru cele patru rezistenţe:
0,15VC
RE ≤
IC0
VC − U CE 0 − I C 0 RE
RC =
IC0
(5)
U + I C 0 RE
RB 2 = BE
ID
VC − I D RB 2
R B1 =
ID
Un calcul simplu conduce la următoarea relaţie pentru IC0:
Tranzistorul bipolar – circuite de polarizare 59
VB − U BE
IC0 = β (6)
RB + (1 + β ) ⋅ RE
în care RB şi VB sunt date de relaţiile:
R B1 ⋅ R B 2
RB = (7)
RB1 + RB 2
V ⋅R
VB = C B 2 (8)
R B1 + R B 2
Ca elemente variabile se presupun UBE şi β. Considerând IC0 ca funcţie de
două variabile, se obţine pentru abaterea absolută:
∆ IC0 = SV⋅∆ UBE + Sβ∆β (9)
unde:
β
SV = - (10)
RB + (1 + β ) ⋅ RE
este coeficientul de sensibilitate al PSF-ului în raport cu UBE şi:
(VB − U BE ) ⋅ ( RB + RE )
Sβ = (11)
[ RB + (1 + β ) ⋅ RE ]2
este coeficientul de sensibilitate al PSF-ului în raport cu β.
În unele aplicaţii, ca date iniţiale, pot apare valorile RC şi RB= RB1||RB2 impuse
din condiţii de semnal variabil, ele contribuind la valoarea rezistenţelor echivalente de
intrare/ieşire ale etajului. Tensiunea de alimentare VC este impusă, în general, de
ansamblul circuitului din care face parte tranzistorul bipolar Q.
2.3 CIRCUITUL DE POLARIZARE CU REZISTENŢĂ SERIE ÎN

BAZĂ ŞI REACŢIE NEGATIVĂ
Schema circuitului este cea din fig. 2.
+ VC
RC
RB
Q
UCE0
IB0
UBE
Fig. 2. Circuit de polarizare cu rezistenţă serie în bază şi reacţie negativă.

60 Aplicaţia nr. 8
În proiectare se presupun cunoscute IC0, UCE0 , VC, şi tipul tranzistorului (deci

UBE, β). RB se calculează scriind teorema lui Kirchhoff pentru intrarea circuitului:
U CE 0 − U BE U CE 0 − U BE
U CE 0 = I B 0 RB + U BE ⇒ RB = = β (12)
I B0 IC0
iar RC cu relaţia scrisă pentru ieşirea circuitului:
VC − U CE 0
VC = ( I B 0 + I C 0 ) RC + U CE 0 ⇒ RC = β (13)
(1 + β ) ⋅ I C 0
Curentul de colector în PSF, IC0 poate fi scris astfel:
EC − UBE
IC0 = β (14)
RB + (1 + β ) ⋅ RC
Se observă o similitudine perfectă cu relaţia (6) dacă considerăm VC = VB şi
RE = RC, relaţiile de la punctul 2.2 fiind direct aplicabile în aceste condiţii circuitului
de polarizare din fig. 2.
Observaţie: Rezistenţa RB intervine ca mărime necunoscută atât la polarizare cât şi în

regimul de semnal variabil. Când cele două condiţii nu pot fi îndeplinite simultan de
aceiaşi valoare numerică a lui RB, se impune separarea părţii de circuit ce determină
polarizarea de cea care impune condiţiile de semnal. O modalitate de realizare a
acestui deziderat este cea dată în fig. 3.
+ VC
RC
RB1 A RB2
Fig. 3. Circuit de polarizare cu rezistenţă serie în bază şi reacţie negativă, cu separare.
În acest caz RB1 + RB2 = RB şi RB2 >> RC. În regim de semnal, punctul A este
pus la masă de rezistenţa mică a condensatorului C.
2.4 CIRCUIT DE POLARIZARE CU GENERATOR DE CURENT

CONSTANT
Din relaţiile (9) - (11) se observă că pentru o valoare mare a lui RE , de ordinul
MΩ, curentul IC0 practic nu depinde de UBE şi β.
O rezistenţă fizică atât de mare pentru RE nu se poate lua în considerare
deoarece se obţine pentru VC o valoare inacceptabil de mare. Soluţia este dată de
realizarea lui RE sub formă de generator de curent. Schema utilizată este prezentată în
fig.4, în care:
β
ICo = ⋅ IG (15)
1+ β
SV = 0 (16)
1
Sβ = ⋅ IG (17)
(1 + β ) 2
I R
UGC = VB - G B - UBE (18)
1+ β
UCE0 = VC - IC0⋅RC - UG (19)
+ VC
R B1 RC
R B2
IG U GC
Fig. 4. Circuit de polarizare cu generator de curent
+ VC
IG
ID
RC
Q2
Q1 U GC
RE
RB
Fig. 5. Schemă pentru generatorul de curent.

62 Aplicaţia nr. 8
Din relaţiile (18) şi (19) rezultă rolul rezistenţelor RB1 şi RB2: fixarea tensiunii
pe generatorul de curent şi implicit a tensiunii UCE0. Generatorul de curent se poate
realiza după configuraţia din fig. 5.
Tranzistorul Q1, identic cu Q2, conectat ca diodă, compensează parţial efectul
variaţiei UBE2 şi β2 cu temperatura asupra lui IG.
R2
VB − ⋅ U BE 2
R1 + R2
IG ≅ (20)
RE
R2
VB = VC (21)
R1 + R2
Generatorul realizat după configuraţia dată nu este ideal, având o rezistenţă
internă Rgc dată de relaţia:
rce ⋅ RE
Rgc ≅ rce 2 + β (22)
R + h11e 2 + RE
1
unde rce2 ≅ şi h11e sunt parametrii de semnal pentru tranzistorul Q2 şi R = R1 || R2.
h 22e
Din relaţiile (20) şi (21) rezultă două observaţii importante pentru proiectare:
R1 >> R2 şi RE cât mai mare posibil, pentru a avea o bună insensibilizare a lui IG cu
temperatura şi o rezistenţă Rgc mare.
În proiectare se cunosc IC0, UCE0, RC, RB, VC, tipul tranzistorului. Din relaţiile
(15), (18), (19) se calculează IG, UG, RB1, RB2. În mod curent pentru tranzistoarele cu
siliciu uzuale, cu RE ∈ [1KΩ, 2 KΩ] , se obţine pentru generatorul de curent o
rezistenţă Rgc > 1MΩ. Din relaţia:
UGC ≅ UCE2 + IG⋅RE (23)
printr-un calcul iterativ se determină RE astfel ca UCE2 ≥ 2V.
Curentul ID şi IG se aleg egali pentru o bună similitudine între caracteristicile
B-E ale tranzistoarelor Q1 şi Q2.
VC − U BE1
ID = (24)
R1 + R2
Din relaţiile (20), (21), (24) se determină R1 şi R2.
3.1 Folosind indicaţiile de proiectare date mai sus se vor proiecta cele trei
variante de polarizare discutate anterior. Ca date iniţiale se impun : IC0 = 2mA, UCE0 =
5V, VC = 12V, tranzistoare de tipul BC107 (β = 300, UBE = 0,6V).
3.2 Realizaţi o descriere PSPICE a celor trei circuite calculate la punctul
anterior într-un singur fişier *.cir în scopul studierii comparative a performanţelor
celor trei scheme de polarizare. Se va studia comportarea circuitelor (PSF) la variaţii
în limite largi a temperaturii (-20…40˚C) şi a factorului de amplificare în curent β

(100…500).
*circuit de polarizare cu divizor in baza
rb11 100 1 143k

rb12 1 0 38k
rc1 2 100 2.6k
re1 3 0 0.9k
vc 100 0 12v
q1 2 1 3 bc107
*circuit de polarizare cu rezistenta serie in baza

rb2 4 5 660k
rc2 100 4 3.5k
q2 4 5 0 bc107
*circuit de polarizare cu sursa de curent in emitor

rb31 6 100 143k
rb32 6 0 38k
rc3 100 7 2.6k
I1 8 0 DC 2mA
q3 7 6 8 bc107
.lib dce.lib
.dc temp -20 40 1
*.dc npn bc107(BF) 180 460 10
.options reltol=1.0u
.probe
.end
Fig. 6. Variaţia curenţilor de colector cu temperatura, pentru cele trei scheme de polarizare.
64 Aplicaţia nr. 8
Fig. 7. Variaţia tensiunilor colector-emitor cu temperatura, pentru cele trei scheme de polarizare.
Fig. 8. Variaţia curenţilor de colector cu factorul de amplificare în curent, pentru cele trei scheme de
polarizare.
Fig. 9. Variaţia tensiunilor colector-emitor cu factorul de amplificare în curent, pentru cele trei scheme de
polarizare.
Aplicaţia nr. 9
TRANZISTORUL CU EFECT DE
CÂMP – CARACTERISTICI STATICE
Se ridică experimental caracteristicele statice de ieşire iD = f(uDS)|UGS = ct. şi

de transfer iD = f(uGS)|UDS = ct. ale tranzistorului cu efect de câmp cu joncţiune (TEC-
J) şi ale tranzistorului cu efect de câmp cu structură metal-oxid-semiconductor (TEC-
MOS).
Tranzistoarele cu efect de câmp (TEC) sunt dispozitive unipolare,

funcţionarea lor implicând un singur tip de purtători de sarcină. Prezintă următoarele
avantaje faţă de tranzistoarele bipolare: funcţionează cu un singur tip de purtători - cei
majoritari - şi de aceea sunt mult mai stabile cu temperatura; asigură un nivel redus de
zgomot şi de distorsiuni până la frecvenţe foarte înalte; prezintă o impedanţă de intrare
foarte mare; sunt imune la radiaţii; au amplificare de curent şi de putere foarte mare.
TEC pot fi de două feluri: cu canal n şi cu canal p. Tranzistoarele TEC-MOS
pot fi clasificate, în continuare, în tranzistoare cu canal iniţial şi tranzistoare cu canal
indus. Simbolurile pentru cele două tipuri de tranzistoare sunt prezentate în fig. 1,
terminalele purtând denumirea de: drenă (D), grilă (G) şi sursă (S). Uneori mai poate
apărea şi al patrulea terminal, substratul.
CANAL N CANAL P
D
G
TEC-J
JFET N JFET P
CANAL S
INITIAL
MOSFET N MOSFET P
TEC-MOS
CANAL
INDUS MOSFETind N MOSFETind P
Fig. 1. Simboluri pentru reprezentarea tranzistoarelor TEC.

66 Aplicaţia nr. 9
Condiţia | u DS | ≥ u DSsat = | uGS − U P | defineşte regiunea de saturaţie (regiune

de tip pentodă), în care ID este practic independent de UDS, fiind dependent doar de
UGS. Caracteristica de transfer iD = f(uGS)|UDS = ct. în regiunea saturată poate fi
descrisă prin formula:
a) pentru TEC-J şi TEC-MOS cu canal iniţial:
2
 u 
iD = I DSS 1 − GS  (1)
 UP 
în care IDSS este curentul de drenă maxim, la saturaţie iar UP reprezintă tensiunea de
prag.
b) pentru TEC-MOS cu canal indus:
iD = K (uGS − U P )
2
(2)
unde K este un parametru ce depinde de tehnologie şi ia valori uzuale în intervalul
(1…10) mA/V2.
Valorile concrete pentru curentul de saturaţie IDSS şi tensiunea de prag UP
depind de tipul tranzistorului şi de tehnologia de realizare. În general aceste valori nu
sunt riguros controlate tehnologic, în cataloage fiind date plaje de valori între care se
pot situa aceşti doi parametrii. Valorile date în cataloage pentru IDSS şi UP sunt
considerate la temperatura de 300°K (aproximativ 25°C).
În regiunea liniară (regiunea de tip triodă) definită de condiţia UDS < UDSsat
curentul de drenă creşte rapid cu tensiunea UDS. Pentru tensiuni UDS mici, dispozitivul
se comportă ca o rezistenţă comandată în tensiune.
Pentru caracterizarea TEC la variaţii se defineşte transconductanţa sau panta
gm:
d iD 2 I DSS  uGS 
gm = U DS = const . =− 1 −  (3)
d uGS Up  UP 
Schema echivalentă a tranzistorului TEC pentru variaţii (semnal mic) este
prezentată în fig. 2.
G D
uds
ugs gmugs rds
S S
Fig. 2. Schema echivalentă a tranzistorului TEC pentru variaţii (semnal mic).
Pentru ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistoarelor TEC se va folosi

circuitul prezentat în fig. 3.
3.1 Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului TEC-J.
a) Ridicarea caracteristicii de transfer iD = f(uGS)|UDS = ct.; determinarea IDSS şi UP.
Tranzistorul cu efect de câmp – caracteristici statice 67
Se va alimenta circuitul având în vedere asigurarea unei tensiuni pozitive în

drena tranzistorului TEC-J (J1 în schema din fig. 3, de tip BF245C) şi a unei tensiuni
negative în grilă. Iniţial se va asigura VG = 0V şi UDS = 5V; în acest caz curentul de
drenă va reprezenta valoarea IDSS. Apoi VG va fi scăzută conform tab. 1, verificând ca
UDS = 5V = ct. Valoarea UGS pentru care curentul de drenă se anulează reprezintă UP.
UGS [V] URD1 [V] ID [mA] UDS [V]

ID1= URD1 /RD1 const.
0 IDSS 5
-0,5 5
-1 5
… … … …
-UP 0 5
Tab. 1. Se va completa conform măsurătorilor efectuate în scopul ridicării caracteristicii de transfer a unui
TEC-J cu canal n: iD = f(uGS)|UDS = ct.
Observaţie: Măsurarea tensiunii se va efectua cu ajutorul unui voltmetru numeric.

Curentul de drenă va fi determinat indirect prin măsurarea tensiunii URD1.
±VG
RD1
+VD1
R1
1K
1,5K D1 J1
R4
BF245C
R2 1N4151 10K
R3
1,5K DZ
1,5K
BZX79C RD2
+VD2
M1 100Ω
IRFD110
Fig. 3. Montaj experimental pentru ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistoarelor TEC.
b) Ridicarea caracteristicii statice de ieşire iD = f(uDS)|UGS = ct.

Considerând UDS = 5V se determină UGS pentru care ID = 10mA. Se va modifica în
continuare UDS în conformitate cu tab. 2 şi se va determina ID.
3.2 Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului TEC-MOS.
a) Ridicarea caracteristicii de transfer iD = f(uGS)|UDS = ct.
68 Aplicaţia nr. 9
Se va alimenta circuitul având în vedere asigurarea unei tensiuni pozitive în

drena şi în grila tranzistorului TEC-MOS. Iniţial se va asigura VG = 0V şi UDS = 6V; se
va urmării creşterea VG până când curentul de drenă va fi diferit de 0 (practic 10µA).
Se va nota valoarea obţinută pentru UGS, aceasta reprezentând practic UP. Apoi VG va
fi modificat conform tab. 3, verificând ca UDS = 6V = ct.
UDS [V] URD1 [V] ID [mA], ID = URD1 /RD1 UGS [V] const.
5 10
4
3
2
1,5
1
0,5
0,1
0,05
0 0
Tab. 2. Se va completa conform măsurătorilor efectuate în scopul ridicării caracteristicii statice de ieşire
pentru un TEC-J cu canal n: iD = f(uDS)|UGS = ct.
UGS [V] URD2 [V] ID [mA], ID= URD2 /RD2 UDS [V], const.
UP 0 (10 µA) 6
UP + 0,25 6
UP+0,5 6
… … … …
20 6
Tab. 3. Se va completa conform măsurătorilor efectuate în scopul ridicării caracteristicii de transfer

pentru un TEC-MOS cu canal n: iD = f(uGS)|UDS = ct.
b) Ridicarea caracteristicii statice de ieşire iD = f(uDS)|UGS = ct.

Considerând UDS = 6V se determină UGS pentru care ID = 5mA. Se va modifica în
continuare UDS în conformitate cu tab. 4 şi se va determina ID.
UDS [V] URD2 [V] ID [mA], ID= URD2 /RD2 UGS [V], const.
6 5
5
4
3
1,5
1
0,5
0,1
0,05
0
Tab. 4. Se va completa conform măsurătorilor efectuate, în scopul ridicării caracteristicii statice de ieşire
pentru un TEC-MOS cu canal n: iD = f(uDS)|UGS = ct.
Tranzistorul cu efect de câmp – caracteristici statice 69
3.3 Să se scrie un program PSPICE pentru ridicarea caracteristicilor statice ale

tranzistorului TEC-J.
*circuit pentru simularea caracteristicilor statice ale tranzistorului
TEC-J.
VG 1 0 -1V
VD 2 0 10V
J1 2 1 0 J2N3819
.LIB DCE.LIB
.DC VD 0V 10V 5mV VG LIST -1.8 -2 -2.2
*.DC VG 0V -6V 0.1V VD LIST 5V 10V
.PROBE
.END
Fig. 4. Caracteristica de transfer a unui TEC-J cu canal n, iD = f(uGS)|UDS = ct., ridicată prin simulare
PSPICE.
UGS = - 1,8V
UGS = - 2V
UGS = - 2,2V
Fig. 5. Caracteristica statică de ieşire pentru un TEC-J cu canal n, iD = f(uDS)|UGS = ct., ridicată prin
simulare PSPICE.
70 Aplicaţia nr. 9
3.4. Să se scrie un program PSPICE pentru ridicarea caracteristicilor statice

ale tranzistorului TEC-MOS. Verificaţi validitatea ec. (1).
*circuit de simulare a caracteristicilor statice ale tranzistorului

MOS.
VG 1 0 1V
VD 2 0 1V
M1 2 1 0 0 IRF150
.LIB DCE.LIB
*DC VD 0V 1V 5mV VG LIST 2.88 2.9 2.92
.DC VG 0V 4V 0.1V VD LIST 1V 5V
.PROBE
.END
Fig. 6. Caracteristica de transfer a unui TEC-MOS cu canal n, iD = f(uGS)|UDS = ct., ridicată prin simulare
PSPICE.
UGS = 2,92V
UGS = 2,9V
UGS = 2,88V
Fig. 7. Caracteristica statică de ieşire pentru un TEC-MOS cu canal n, iD = f(uDS)|UGS = ct., ridicată prin
simulare PSPICE.
Aplicaţia nr. 10
TRANZISTORUL CU EFECT DE
CÂMP – CIRCUITE DE POLARIZARE
Aplicaţia constă în proiectarea şi experimentarea a trei tipuri de circuite de

polarizare folosite în mod curent în practica circuitelor cu tranzistoare TEC.
2.1 GENERALITAŢI
Circuitele de polarizare trebuie să asigure polarizarea terminalelor unui TEC,

corespunzătoare unui anumit punct de funcţionare în regim static şi menţinerea acestui
punct în condiţiile unei temperaturi variabile şi a unei dispersii de fabricaţie a
parametrilor tranzistoarelor.
2.2 CIRCUITUL DE POLARIZARE CU DIVIZOR ÎN GRILĂ ŞI

REZISTENŢĂ ÎN SURSĂ
Configuraţia circuitului este dată în fig. 1. Se pot scrie următoarele ecuaţii:

uGS 2
iD = I DSS (1 − ) (1)
UP
U G = u GS + i D RS (2)
RG 2
U G = VD (3)
RG1 + RG 2
72 Aplicaţia nr. 10
+ VD
RG1 RD
UD0
UGS
UG
RG2 RS
Fig. 1. Circuit de polarizare cu divizor în grilă şi rezistenţă în sursă.
În fig. 2 este ilustrată o metodă grafică de rezolvare a sistemului de ecuaţii

(1) - (2).
Au fost trasate graficele determinate de relaţiile (1) şi (2) pentru perechile de
valori extreme (iD, uGS).
iD
IDSSmax
ID0M
IDSSmin
ID0m Panta 1/RS
0
UPm UPM UGSm UGSM UGS uGS
Fig. 2. Interpretarea grafică a ecuaţiilor (1) şi (2).
Din grafic se observă că diferenţa între curentul minim de drenă ID0m şi

curentul maxim de drenă ID0M (corespunzătoare celor două perechi de valori extreme
pentru IDSS şi UP) este cu atât mai mică cu cât RS este mai mare.
Temperatura influenţează parametrii IDSS şi UP. Există un punct (de derivă
nulă) în planul (iD, uGS) prin care trec toate curbele date de relaţia (1) indiferent de
temperatură. Dacă dreapta din relaţiile (2) trece prin acest punct, curentul de drenă nu
depinde de temperatură. Pentru TEC-J coordonatele punctului cu derivă nulă sunt date
de relaţiile:
Tranzistorul cu efect de câmp – circuite de polarizare 73
| uGS | ≅ | UP | - 0,63V (4 )
2
 0,63 
iD ≅ IDSS⋅   (5)
 UP 
Depinzând de IDSS şi UP, punctul nu este reproductibil, pentru o bună
stabilitate cu temperatura preferându-se soluţia alegerii unei rezistenţe RS cât mai
mare.
În proiectare, de regulă, se cunosc: VD, RD, RG1||RG2, ID0, UDS0 şi tipul
tranzistorului. Valoarea rezistenţei RS se calculează cu relaţia:
VD − U DS 0 − I D 0 ⋅ RD
RS = (6)
I D0
Cu valorile nominale pentru IDSS şi UP (de obicei medie între extreme) se
calculează UG din relaţia (2) şi apoi RG1 şi RG2 din relaţia (3).
Dacă se doreşte calculul celor patru rezistenţe de polarizare, plecând de la
valorile limită acceptate pentru curentul de drenă (IDm, IDM) şi un anumit UDS0 se va
proceda după cum urmează: din catalog se extrag valorile parametrilor IDSSM şi IDSSm,
respectiv UPM şi UPm. Particularizând ecuaţia (1) pentru aceste valori extreme, vom
găsi coordonatele punctelor de funcţionare în planul caracteristicilor prin care trebuie
să treacă dreapta de sarcină a circuitului de grilă, numită uneori şi dreaptă de
negativare:
 I Dm 
U GSM = U PM 1 − 
 (7)
 I DSSm 
 I DM 
U GSm = U Pm 1 − 
 (8)
 I DSSM 
Folosind ecuaţia (2) se determină RS:
U GSM − U GSm
VG = U GSM + I Dm RS = U GSm + I DM RS ⇒ RS = (9)
I DM − I Dm
Valorile RG1 şi RG2 vor fi date de soluţiile ecuaţiei (3) şi valoarea RG1||RG2 care
se presupune a fi cunoscută, ea reprezentând chiar rezistenţa de intrare a etajului.
Rezistenţa RD se calculează cu valoarea medie a lui ID:
I DM + I Dm
I D0 = (10)
2
folosind ecuaţia circuitului de alimentare a tranzistorului:
VD = U DS 0 + I D 0(RD + RS ) (11)
din care rezultă:
VD − U DS 0
RD = − RS (12)
I D0
2.3 CIRCUITUL DE POLARIZARE AUTOMATĂ A GRILEI
O reţea de polarizare mai simplă, denumită şi reţea de polarizare automată a

grilei, este dată în fig. 3. În acest caz, pentru polarizarea grilei este utilizată numai
căderea de tensiune de pe rezistorul RS. Tensiunea de polarizare se aplică pe grilă prin
RG, de valoare mare şi impusă de rezistenţa de intrare în circuit (1 – 2 MΩ). Curentul
de grilă IG foarte mic (10-9A pentru TEC-J sau 10-14A la TEC-MOS) determină o
cădere de tensiune neglijabilă pe RG, valoarea ei neinfluenţând tensiunea de polarizare.
+ VD
RD
RG RS
Fig. 3. Circuit de polarizare automată a grilei.
Cunoscând coordonatele punctului de funcţionare în regim static ID0, UD0 şi

parametrii tranzistorului UP şi IDSS, se determină tensiunea necesară de polarizare şi
apoi rezistenţele circuitului de polarizare a grilei prin relaţiile:
 I D0 
U GS 0 = U P 1 − 
 (13)
 I DSS 
U
RS = − GS 0 (14)
I D0
V − U DS 0
RD = D − RS (15)
I D0
2.4 CIRCUITUL DE POLARIZARE CU DIVIZOR ÎN GRILĂ ŞI

GENERATOR DE CURENT ÎN SURSĂ
Configuraţia circuitului, dată în fig. 4, are la bază ideea desprinsă din fig. 2,
unde se observă că pentru RS = ∞ curentul ID0 nu depinde de UP şi IDSS. Stabilitatea cu
temperatura a curentului de drenă va depinde acum numai de stabilitatea cu
temperatura a generatorului de curent.
+ VD
RG1 RD
IG
RG2
UGC
Fig. 4. Circuit de polarizare cu divizor în grilă şi generator de curent în sursă.
Pentru o bună reproductibilitate şi independenţă de temperatură, generatorul

de curent se realizează, în mod frecvent, cu tranzistoare bipolare.
În proiectare se cunosc VD, RD, RG1||RG2, ID0, UDS0 şi tipul tranzistorului. Se
determină tensiunea UGC în situaţia cea mai defavorabilă, conform relaţiei:
UGC = UG - UGSm (16)
în care UGSm este dat de relaţia (8).
Se calculează în continuare tensiunea UG :
UG = VD - UDS0 - ID0⋅RD + UGSM (17)
UGSM fiind determinat cu relaţia (7).
Din relaţia (3) rezultă apoi RG1 şi RG2. Dimensionarea generatorului de curent
se va realiza conform indicaţiilor oferite în aplicaţia nr. 8.
3.1 Pentru circuitul din fig. 1 se consideră: VD = 15V, RG1||RG2 =100KΩ, IDSSM
= 7mA, IDSSm = 3mA, IDM = 2,2mA, IDm = 1,8mA, UPm = -2,2V, UPM = -0,5V, UDS0 =
5V, J1 = BF245A. Dimensionaţi circuitul de polarizare în conformitate cu relaţiile de
la §2.2.
3.2 Pentru circuitul din fig. 3 se impun: VD = 15V, RG =1MΩ, ID0 = 2mA, UDS0
= 5V, UP = - 1,4V, IDSS = 4mA, J2 = BF245A. Dimensionaţi circuitul de polarizare în
conformitate cu relaţiile de la §2.3.
3.3 Pentru circuitul din fig. 4 se impun: VD = 15V, RG1||RG2 =100KΩ, RD =
2,85KΩ, ID0 = 2mA, UDS0 = 5V, J3 = BF245A. Dimensionaţi circuitul de polarizare în
conformitate cu relaţiile de la §2.4.
3.4 Scrieţi un program PSPICE care să simuleze comportarea cele trei circuite
de polarizare. Se va realiza şi un studiu comparativ al stabilităţii celor trei circuite la
variaţii în limite largi (-20°C…40°C) ale temperaturii şi la variaţii datorită toleranţelor
componentelor.
*Circuite de polarizare pentru tranzistorul TEC-J.
V1 1 0 DC 15
Rg11 1 2 400K
Rg21 2 0 133k
Rs1 0 4 2.15K
Rd1 3 1 2.85k
J1 3 2 4 BF245A
Rg2 5 0 1Meg
Rd2 1 6 4.8K
Rs2 7 0 205
J2 6 5 7 BF245A
Rg31 1 8 358k
Rg32 8 0 139k
I1 10 0 DC 2mA
Rd3 9 1 2.85k
J3 9 8 10 BF245A
.OPTIONS reltol=1.0U
.LIB dce.lib
.DC TEMP -20 40 1
.PROBE
.END
Fig. 5. Variaţia curentului de drenă şi a tensiunii drenă – sursă, în funcţie de temperatură, pentru circuitul
de polarizare din fig.1.
de polarizare din fig. 3.
de polarizare din fig. 4..
Fig. 8. Variaţia comparativă a curentului de drenă, în funcţie de temperatură, pentru circuitele de

polarizare discutate.
Fig. 9. Variaţia comparativă a tensiunii drenă – sursă, în funcţie de temperatură, pentru circuitele de
polarizare discutate.
Aplicaţia nr. 11
STUDIUL MODELULUI NATURAL (GIACOLETTO)

PENTRU TRANZISTOARE BIPOLARE
Se introduc modelele echivalente ale tranzistorului bipolar pentru regimul

dinamic şi se urmăreşte determinarea experimentală şi prin simulare a valorilor
parametrilor modelului natural.
Circuitul echivalent al unui tranzistor bipolar pentru regimul dinamic se referă

la tranzistoarele care lucrează la mici variaţii ale curenţilor şi tensiunilor, în jurul
punctului static de funcţionare. Această condiţie, denumită de semnal mic, se exprimă,
echivalent, prin:
kT
| u BE | << U T = ≅ 25mV la 25˚ C (1)
q
Există mai multe modele ce aproximează comportarea unui tranzistor bipolar
în regim dinamic, de exemplu modelul natural (fig. 1) sau modelul cu parametrii
hibrizi (fig. 2).
Parametrii circuitului echivalent natural (Giacoletto) sunt calculaţi în legătură
cu fenomenele electronice din tranzistor şi depind de parametrii constructivi ai
acestuia. Modelul cu parametrii hibrizi (“h”) poate fi determinat complet
experimental.
Cb'c
rbb' rb'c
B’
B C
ub'e rce
gmub'e
rb'e Cb'e
E E
Fig. 1. Modelul echivalent natural (Giacoletto) al tranzistorului bipolar pentru regimul de semnal mic.
C
B ic
ib
h11e h21eib 1
h22e
uce
ube
h12euce
E E
Fig. 2. Modelul cu parametrii hibrizi (“h”) al tranzistorului bipolar pentru regimul de semnal mic.
Având în vedere similitudinile existente între modelele de semnal mic, se vor

prezenta în cele ce urmează doar consideraţii legate de modelul natural.
În continuare se va explica, pe scurt, semnificaţia şi relaţiile de calcul pentru
cei 7 parametrii care intervin în acest model şi care sunt definiţi în punctul static de
funcţionare (PSF):
diC IC
• Transconductanţa (panta): g m = = ≅ 40 I C T = 25o C
[mA/V]
du BE PSF
UT
• Rezistenţa distribuită a bazei: rbb ′
du BE 1 diC β
• Rezistenţă de intrare: rb′e = = =
diB PSF
g m diB g m
duCE
• Rezistenţa de ieşire: rce =
diC PSF
duCE duCE diC

• Rezistenţa colector-bază: rb ′c = = = rce β
diB PSF
diC diB
• Capacitatea de intrare: Cb ′e
• Capacitatea colector-bază: Cb ′c
Având în vedere valorile tipice ale acestor parametrii: rbb’ ≅ 100Ω, rb’c ≅ 2MΩ,
rce ≅ 200KΩ, Cb’e ≅ 200pF, Cb’c ≅ 5pF, se poate neglija efectul acestora. Se obţine
astfel modelul natural simplificat (fig. 3), ce constă din rezistenţa de intrare rb’e (în
mod tipic rb’e ≅ n x 1KΩ) şi o sursă de curent controlată, de valoare gmub’e (de regulă
gm ≅ n x 10 mA/V, şi evident dependentă de valoarea curentului de colector). După un
raţionament absolut analog se obţine şi modelul de semnal mic, cu parametrii hibrizi,
simplificat (fig. 4).
Aceste două modele sunt folosite în calculul „manual” al circuitelor în regim
Studiul modelului natural (Giacoletto) pentru tranzistoare bipolare 81
dinamic, specific frecvenţelor medii, unde este posibilă neglijarea efectului

capacităţilor, pe când modelele complete sunt folosite de către programele de simulare
a circuitelor electronice.
ib ic
B C
rb'e gmube
ube
E E
Fig. 3. Modelul echivalent natural simplificat al tranzistorului bipolar pentru regimul de semnal mic.
ib ic
B C
h11e h21ib
E E
Fig. 4. Modelul cu parametrii hibrizi (“h”) simplificat al tranzistorului bipolar pentru regimul de semnal
mic.
3.1 Analiza în curent continuu (regim static).

a) Deduceţi teoretic valoarea PSF şi panta tranzistorului gm.
b) Alimentaţi circuitul din fig. 5 în curent continuu şi determinaţi experimental PSF-ul
tranzistorului.
c) Deduceţi valoarea PSF-ului prin simularea PSPICE a circuitului. Pentru tipărirea,
în fişierul rezultat în urma simulării (*.out), a rezultatelor detaliate legate de PSF
folosiţi directiva .OP.
Comparaţi rezultatele de la punctele 3.1 a), b) şi c) şi explicaţi eventualele
diferenţe apărute.
3.2 Analiza în curent alternativ (regim dinamic).
a) Desenaţi schema echivalentă pentru regimul dinamic (semnal mic şi frecvenţe
medii) a circuitului din fig. 5 şi propuneţi o modalitate de determinare experimentală a
parametrilor modelului natural simplificat.
b) Se aplică, la intrarea circuitului, un semnal variabil, sinusoidal, prin intermediul
generatorului de joasă frecvenţă (ui = 50mV, f = 1KHz). Se vor măsura tensiunile, cu

voltmetrul în curent alternativ, în punctele 1, 2 şi 3 şi pe baza acestora se vor calcula:
u o u3
• Amplificarea de tensiune a circuitului, AU = ≅
ui u1
u3 1
• Transconductanţa, g m ≅
u 2 RC
u u2
• Rezistenţa de intrare, rb′e ≅ 2 =
ib u1 − u2
RB
VC
VB 10V
20V
RC
1kΩ
RB1 4,7KΩ u3
CC2
u1 u2 10µF
Q1
CC1 RB
BC107
100µF 100kΩ CB
0,1µF
VAMPL = 50mV Vg
FREQ = 1KHz CE
RB2 1,5KΩ RB3 RE RS
220µF 120KΩ
1MΩ 2,2KΩ
Fig. 5. Circuit pentru determinarea experimentală a parametrilor naturali ai modelului simplificat pentru
tranzistorul bipolar.
c) Vizualizaţi forma iC şi uCE în timp, determinaţi amplificarea circuitului AU, şi

parametrii de semnal mic ai modelului natural gm şi rb’e prin simularea PSPICE a
circuitului. Se vor efectua analizele în timp şi în frecvenţă.
*L11 - Studiul modelului natural pentru tranzistoare bipolare
*Descrierea circuitului
Vg 1 0 ac 50mV sin(0V 50mV 1KHz)
Rg 1 2 10
C1 2 3 100u
Rb1 3 4 4.7K
Rb2 3 0 1.5K
Vb 4 0 20V
Rb11 3 5 100K
Rb12 6 0 1Meg
Cb 5 6 0.1u
Studiul modelului natural (Giacoletto) pentru tranzistoare bipolare 83
Q1 7 5 8 BC107
Re 8 0 2.2K
Ce 8 0 220u
Rc 7 9 1K
C2 7 10 10u
Rl 10 0 100K
Vc 9 0 10V
*Specificarea tipului de analize
.OP
.TRAN 0.1m 10m
.AC lin 100 1K 10K
*Alte declaratii
.lib dce.lib
.probe
.end
**** SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG C

******************************************************************************
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 0.0000 ( 2) 0.0000 ( 3) 4.8323 ( 4) 20.0000
( 5) 4.2724 ( 6) 0.0000 ( 7) 8.3342 ( 8) 3.6770
( 9) 10.0000 ( 10) 0.0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
Vg 0.000E+00
Vb -3.227E-03
Vc -1.666E-03
TOTAL POWER DISSIPATION 8.12E-02 WATTS
**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
NAME Q1
MODEL BC107
IB 5.60E-06
IC 1.67E-03
VBE 5.95E-01
VBC -4.06E+00
VCE 4.66E+00
BETADC 2.97E+02
GM 6.40E-02
RPI 4.75E+03
RX 1.00E+01
RO 4.69E+04
CBE 6.12E-11
CBC 3.87E-12
CJS 0.00E+00
BETAAC 3.04E+02
CBX/CBX2 0.00E+00
FT/FT2 1.57E+08
Tab. 1. Prin vizualizarea fişierului *.out obţinut în urma simulării se poate deduce valoarea PSF-ului:
IC = 1,67mA, UCE = V(7) - V(8) = 4,65V.
Fig. 6. Variaţia în timp a iC şi uCE în jurul PSF-ului, obţinută prin simulare PSPICE – analiză în domeniul
timp.
Fig. 7. Determinarea prin simulare PSPICE - analiză AC - a pantei gm şi a rezistenţei rb’e pentru
tranzistorul bipolar.
Fig. 8. Determinarea prin simulare PSPICE - analiză AC - a amplificării de tensiune, AU, a tranzistorului
bipolar.
Aplicaţia nr. 12
AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC

CU TRANZISTOR BIPOLAR
1. SCOPUL LUCRĂRII
Se experimentează un amplificator de semnal mic cu un tranzistor bipolar în

conexiune emitor comun (EC). Se verifică aplicabilitatea modelului natural simplificat
la analiza circuitelor de semnal mic cu tranzistoare bipolare. Vor fi determinaţi
parametrii amplificatorului, teoretic, practic (experimental) şi prin simulare.
În fig. 1 este prezentată schema amplificatorului de semnal mic, cu un

tranzistor bipolar, ce urmează fi experimentat.
VA = +12V
RB1 RC
33KΩ 4.7KΩ
CC2
Generator
de semnal
Rg CC1 Q1 RL
10µF
220KΩ Uo
600Ω 4.7µF BC107A
1KΩ RE1
Ui RB2
Vg
10KΩ
CE
RE2
470µF
1KΩ
Fig. 1. Amplificator de semnal mic cu un tranzistor.
În componenţa acestuia intră:

- Generatorul de semnal variabil, sinusoidal, reprezentat echivalent prin sursa ideală de
tensiune Vg şi rezistenţa internă a generatorului Rg.
- Condensatoarele de cuplaj CC1, CC2 şi de decuplare CE. Rolul condensatoarelor de
cuplaj este de a izola din punct de vedere galvanic amplificatorul faţă de etajele
anterioare sau care sunt conectate la ieşirea amplificatorului. În acest caz, posibilele
componente de curent continuu de la intrarea sau ieşirea amplificatorului vor fi blocate
şi deci funcţionarea amplificatorului (PSF-ul tranzistorului) nu va mai fi influenţată de
către acestea. Condensatorul CE scurtcircuitează RE2 în regim dinamic, contribuind la
creşterea amplificării etajului.
- Divizorul de tensiune rezistiv format din RB1 şi RB2 asigură polarizarea
corespunzătoare a tranzistorului, împreună cu RC şi RE = RE1 +RE2.
- Tranzistorul Q1, în conexiune EC, asigură amplificarea semnalului aplicat rezistenţei
de sarcină RL.
Pentru obţinerea schemei echivalente de regim dinamic, semnal mic şi
frecvenţe medii, a amplificatorului este necesar ca tranzistorul să fie înlocuit cu unul
dintre modelele sale pentru regim dinamic, de exemplu modelul natural simplificat, şi
să se scurtcircuiteze sursele de tensiune independente şi condensatoarele circuitului,
1 1
acestea din urmă prezentând la frecvenţa de lucru o reactanţă X C = =
ωC 2πfC
neglijabilă. Parametrii modelului natural se pot calcula, ţinând cont de valoarea
aproximativă a tensiunii termice, calculată la 25°C (UT = 25mV), prin următoarele
relaţii :
IC 0
gm = ≅ 40 ⋅ I C 0 [mA/V] (1)
UT
U β
rb 'e = T ⋅ β = [Ω] (2)
IC0 gm
Având în vedere aceste consideraţii se obţine următoarea schemă (fig. 2)
echivalentă de semnal mic:
Ri R'i Ro
Rg ii io
vg gmub'e
Ui rb'e RC RL uo
ub'e
RB1 RB2
RB RE
Fig. 2. Schema echivalentă pentru variaţii a amplificatorului din fig. 1.
Parametrii ce interesează din punct de vedere al regimului de semnal sunt:

ui
rezistenţa de intrare a etajului Ri = , rezistenţa de ieşire a amplificatorului Ro =
ii
Amplificator de semnal mic cu tranzistor bipolar 87
uo
− , amplificarea de tensiune Au = uo/ui şi amplificarea de tensiune raportată la
io ui = 0
generatorul de semnal Aug = uo/vg. Aşa după cum au fost notate în fig. 2, rezistenţele
de intrare respectiv cea de ieşire se pot calcula cu relaţiile:
Ri = RB || Ri′ = RB1 || RB 2 || Ri′ (3)
ub′e
ub′e + ( + g m ub′e ) RE1
ui ub′e + (ib + g m ub′e ) RE1 rb′e
Ri′ = = = =
ib ib ub′e
rb′e
= rb′e + (1 + g m rb′e ) RE1 (4)
În cazul în care CE este conectată între emitorul Q1 şi masă, ambele rezistenţe
RE1, RE2 vor fi şuntate în regim dinamic iar Ri se va obţine cf. rel. (3) şi (4) în care se
va considera RE1 = 0.
Din punct de vedere al rezistenţei de ieşire, RC apare în paralel cu rezistenţa,
considerată infinită, a unui generator de curent ideal. De aceea:
Ro = RC (5)
Amplificarea de tensiune este dată de relaţia:
uo − ic RC || RL g u R || RL g r R || RL
Au = = = − m b 'e C = − m b 'e C (6)
ui ib Ri′ ub 'e Ri′
Ri′
rb 'e
Pentru cazul în care CE este conectată între emitorul Q1 şi masă R’i = rb’e ≅
β/gm şi deci:
Au = − g m RC || RL (7)
Amplificarea în tensiune raportată la generator este:
uo uo RB
Aug = = = Au (8)
vg R g + RB R g + RB
ui
RB
3.1 Se alimentează circuitul (VA = +12V) în curent continuu, conform schemei

electrice (fig. 1). În aceste condiţii, fără aplicarea la intrarea amplificatorului a
semnalului variabil în timp, se determină punctul static de funcţionare al tranzistorului
(PSF = IC, UCE). Se compară cu valorile obţinute prin calcul.
Observaţie: Tensiunea colector-emitor se va măsura direct, cu ajutorul unui voltmetru

pe domeniul CC iar curentul de colector se va determina indirect, prin măsurarea
U RC
tensiunii pe rezistenţa RC: IC = .
RC
3.2 Se vor determina parametrii de semnal mic ai modelului natural pentru tranzistorul
Q1 conform relaţiilor (1) şi (2). Se consideră β = 200.
3.3 Se vor calcula numeric mărimile Ri, Ro, Au, Aug, pe baza relaţiilor (3) - (8).
3.4 Se scurtcircuitează bornele 2-3 ale jumperului JP1 astfel încât schema rezultată să
fie identică cu cea din fig. 1. Pentru determinarea experimentală a parametrilor
amplificatorului calculaţi la punctul anterior se va alege o frecvenţă de lucru de 1KHz
pentru semnalului sinusoidal de intrare. De asemenea amplitudinea semnalului de
intrare va fi astfel aleasă încât amplificatorul să rămână în regimul liniar de
funcţionare (semnalul de la ieşirea amplificatorului să rămână de formă sinusoidală).
De exemplu ui = 10mV. Se trece la oscilografierea tensiunilor de intrare şi ieşire,
determinându-se astfel amplificarea de tensiune. Se va explica valoarea defazajului
dintre ui şi uo. Pentru un plus de acurateţe ui şi uo pot fi măsurate cu un voltmetru
numeric de precizie, poziţionat pe domeniul CA.
Pentru determinarea pe cale experimentală a rezistenţei de intrare a
amplificatorului se trece la modificarea montajului: se înseriază pe calea semnalului,
între generator şi condensatorul de cuplare CC1, rezistorul decadic RD. Schema din fig.
4 prezintă această modificare.
Q1
BC107A
1
2 JP1
RE1 3
1KΩ
RE2 CE
1KΩ 470µF
Fig. 3. Jumperul JP1 permite scurtcircuitarea în regim dinamic a lui RE2 (JP1 pe poziţia 2-3)
sau RE1 şi RE2 (JP1 pe poziţia 1-2).
RD
ii
Generator
ui uo
de Amplificator
semnal
Fig. 4. Modificări aduse schemei iniţiale pentru determinarea rezistenţei de intrare.

În plus, pentru a evita inducţiile parazite, se mai leagă la masa

amplificatorului cutia rezistorului decadic prin borna de pământare. Se aduce
rezistorul decadic RD la valoarea zero şi se notează valoarea tensiunii pe sarcină, la
ieşirea amplificatorului. În continuare, se va creşte gradat rezistorul decadic până când
valoarea tensiunii de la ieşire ajunge jumătate din cea iniţial notată. În acest moment
se citeşte valoarea rezistorului decadic de pe vernierele acestuia şi se calculează
rezistenţa de intrare cu relaţia:
Ri = RD − Rg (9)
Măsurarea rezistenţei de ieşire se efectuează ca şi în cazul rezistenţei de
intrare: se va înlocui de această dată rezistorul de sarcină RL cu rezistorul decadic RD.
Schema din fig. 5 prezintă această modificare.
Generator
de RD uo
Amplificator
semnal
Fig. 5. Modificări aduse schemei iniţiale pentru determinarea rezistenţei de ieşire.
Algoritmul de determinare a rezistenţei de ieşire este asemănător cu cel aplicat

în cazul rezistenţei de intrare. Se pleacă de această dată cu rezistorul decadic adus la
valoarea sa maximă şi se notează valoarea tensiunii de la ieşire. Se scade apoi
progresiv valoarea rezistorului decadic până când tensiunea de la ieşire ajunge la
jumătatea celei iniţiale. Se citeşte valoarea indicată de rezistorul decadic care este şi
valoarea rezistenţei de ieşire a amplificatorului.
3.5 Se va descrie în PSPICE amplificatorul din fig. 1 şi se vor determina prin
simulare: PSF, forma în timp a tensiunilor de intrare şi ieşire, mărimile Ri, Ro, Au, Aug..
Pentru aceasta este necesară efectuarea analizelor în timp (.TRAN) şi în frecvenţă
(.AC).
*L12 Amplificator cu un tranzistor
Vg 1 0 Ac 10mv sin(0 10mv 1khz)

Rg 1 2 600
Vc 4 0 DC 12V
RB1 4 3 33K
RB2 3 0 10k
Q1 5 3 6 BC107
RC 5 4 4.7k
RE1 6 7 1K
RE2 7 0 1k
RS 8 0 220K
CE 7 0 470uF
*CE 6 0 470uF
C1 2 3 4.7uF
C2 5 8 10uF
*Specificarea analizelor
.TRAN 0.1m 10m 0m 0.01ms

.AC DEC 20 5Hz 10MEGHz
*Alte declaratii
.LIB DCE.LIB
.PROBE
.END
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 0.0000 ( 2) 0.0000 ( 3) 2.7624 ( 4) 12.0000
( 5) 6.8984 ( 6) 2.1783 ( 7) 1.0891 ( 8) 0.0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS

NAME CURRENT
Vg 0.000E+00
Vc -1.365E-03
TOTAL POWER DISSIPATION 1.64E-02 WATTS
Fig. 6. Potenţialele nodurilor circuitului, aşa cum rezultă din simularea PSPICE. Pe baza acestora se poate
determina PSF-ul tranzistorului:V(5)-V(6) = UCE = 4,72V, IC = 1,36mA.
Fig. 7. Tensiunile de la intrarea respectiv ieşirea amplificatorului pentru cazul în care CE şuntează în
regim dinamic doar RE2.
Fig. 8. Tensiunile de la intrarea respectiv ieşirea amplificatorului pentru cazul în care

CE şuntează în regim dinamic RE1 şi RE2.
Fig. 9. Valoarea rezistenţei de intrare Ri a amplificatorului determinată prin simulare.

Fig. 10. Valoarea rezistenţei de ieşire Ro a amplificatorului determinată prin simulare.
3.6. Se vor relua punctele 3.3 - 3.5 pentru cazul în care CE este conectat din emitorul
tranzistorului Q1 şi până la masă (JP1 pe poziţia 1-2).
Aplicaţia nr. 13
EFECTUL CAPACITĂŢILOR DE CUPLAJ ŞI DE

DECUPLARE ASUPRA CARCATERISTICII DE
FRECVENŢĂ A UNUI AMPLIFICATOR
Se urmăreşte influenţa mărimii capacităţilor de cuplaj şi de decuplare din

structura unui amplificator cu tranzistor bipolar în conexiune emitor comun, asupra
frecvenţei limită inferioară a benzii de trecere. Concluziile stabilite în lucrare se pot
extinde uşor la amplificatoarele cu mai multe tranzistoare bipolare sau TEC.
2. PARTEA TEORETICĂ
Schema electrică a circuitului propus pentru analiză şi experimentare este

prezentată în fig. 1. Schema echivalentă pentru regimul dinamic, folosind modelul
natural simplificat, rezultă conform fig. 2.
VA = +12V
RB1 RC
33KΩ 4.7KΩ
CC2
Generator
de semnal
Rg CC1 Q1 RL
220KΩ Uo
600Ω BC107A
1KΩ RE1
Ui RB2
Vg
10KΩ
CE
RE2
1KΩ
Fig. 1. Amplificator de semnal mic cu un tranzistor.
Se presupun următoarele notaţii:

R B = RB1 R B 2 (1)
1
Z C1 = (2)
jω C1
1
ZC 2 = (3)
jω C2
1 RE
Z E = RE || = (4)
jω C E 1 + jω RE C E
Zi Z'i C2
Rg C1 ub' gmub'e
e
rb'e
RB RC uo
ui u'i u'o RL
vg ZE
Fig. 2. Schema echivalentă pentru regim dinamic.
Pentru determinarea amplificării se ţine cont de relaţiile:

uo
Au = (5)
ui
RL Z ' i || RB
uo = u ' o , u ' i = ui (6)
RL + Z C 2 Z ' i || RB + Z C1
în care cu Z’i s-a notat impedanţă de intrare echivalentă văzută de după RB:
u' i ib rb 'e + (ib + g m ub 'e ) Z E
Z 'i = = = rb 'e + (1 + g m rb 'e ) Z E (7)
ib ib
Rezultă deci:
RL Z ' i || RB u'o
Au = (8)
RL + Z C 2 Z 'i || RB + Z C1 u' i
dar u’o şi u’i pot fi exprimate astfel:
u ' o = − g m ub 'e RC || ( Z C 2 + RL ) (9)
u 
u ' i = ub 'e + (ib + g m ub 'e ) Z E = ub 'e +  b 'e + g m ub 'e  Z E (10)
 rb 'e 
Din relaţiile (8)-(10) se obţine expresia amplificării pentru cazul în care
reactanţele celor trei condensatoare nu sunt neglijate:
RL Z ' i || RB g m rb 'e RC || ( Z C 2 + RL )
Au = − (11)
RL + Z C 2 Z ' i || RB + Z C1 rb 'e + (1 + g m rb 'e )Z E
Efectula cap. de cuplaj şi de decuplare asupra caract. de fr. a unui amplificator 95
2.1 EFECTUL CAPACITĂŢII DE CUPLAJ C1
În această situaţie se presupun C2 şi CE de valori foarte mari (ZC2, ZE→ 0),

astfel că relaţia (11) devine:
RB rb 'e jωC1 RB rb 'e
Au = − g m RC RL = − g m RC RL (12)
RB rb 'e + Z C1 1 + jωC1 RB rb 'e
Notând cu:
Au 0 = − g m RC RL (13)
amplificarea la frecvenţe medii (domeniu în care se neglijează efectele capacitive), şi
cu:
1
f j1 = (14)
2πC1 ( RB || rb 'e )
frecvenţa limită inferioară a benzii de trecere a amplificatorului, determinată de
capacitatea C1, atunci amplificarea Au se poate scrie:
f
j
f j1
Au = Au 0 (15)
f
1+ j
f j1
2.2 EFECTUL CAPACITĂŢII DE CUPLAJ C2
Vor fi considerate de această dată C1 şi CE de valori mari, adică cu efect

neglijabil. În aceste condiţii amplificarea de tensiune va deveni:
f
j
RL f j2
Au = − g m RC || ( Z C 2 + RL ) = Au 0 (16)
RL + Z C 2 f
1+ j
f j2
în care:
1
f j2 = (17)
2πC2 (RC + RL )
exprimă frecvenţa limită inferioară a benzii de trecere datorată capacităţii C2.
2.3 EFECTUL CAPACITĂŢII DE DECUPLARE CE
Se vor presupune de această dată C1 şi C2 de valori mari, adică cu efecte

neglijabile. Astfel amplificarea de tensiune
g m rb 'e RC || RL g m rb 'e RC || RL 1 + jω RE C E
Au = − =− (18)
rb 'e + (1 + g m rb 'e )Z E  1  1 + jω RE C E
1 + RE  + g m 
 rb 'e   1 
1 + RE  + g m 
 rb 'e 
În acest caz forma generală pentru amplificare va fi:
f
1+ j
f ZE
Au = AuCC ⋅ (19)
f
1+ j
f PE
unde:
g m rb 'e RC || RL
AuCC = − (20)
 1 
1 + RE  + g m 
 rb 'e 
este amplificarea în curent continuu (la frecvenţa f = 0) iar:
1
f ZE = (21)
2πC E RE
1
f PE = (22)
RE C E
2π
 1 
1 + RE  + g m 
 rb 'e 
reprezintă frecvenţele zeroului respectiv polului introdus de CE.
Deoarece fPE este întotdeauna mai mare decât fZE, frecvenţa limită inferioară a
benzii de trecere datorate capacităţii CE, fjE, este practic egală cu fPE.
2.4 EFECTUL SIMULTAN AL CAPACITĂŢILOR DE CUPLAJ

C1 ŞI C2
Se consideră CE de valoare foarte mare şi deci cu efect neglijabil. Influenţele

celor două capacităţi fiind independente, rezultă că:
f f
j j
f j1 f j2
Au = Au 0 (23)
f f
1+ j 1+ j
f j1 f j2
iar frecvenţa limită inferioară a benzii de trecere fj se determină din condiţia:
1
| Au | f = f = Au 0 ≅ 0,707 Au 0 (24)
j
2
2.5 EFECTUL SIMULTAN AL CAPACITĂŢILOR C1, C2 ŞI CE
Influenţele capacităţilor C1 şi CE nu sunt independente, astfel că funcţia Au(jω)

nu poate fi, în general, descompusă în factori elementari, ca la pct.2.4.
Frecvenţa limită inferioară a benzii de trecere, fj, se poate determina cu relaţia
(24), în care Au este dat de relaţia (11).
Observaţie: În practică, se calculează fiecare condensator astfel încât să impună singur
fj apoi, n-1 condensatoare de valoare mai mică se măresc de 20…50 de ori. În acest
fel, un singur condensator (de valoarea cea mai mare) dictează fj.
Se determină experimental PSF-ul tranzistorului Q1 şi pe baza valorii IC se

deduce panta tranzistorului gm şi rb’e.
3.1 Determinarea experimentală a efectului capacităţii C1.
Circuitul din fig. 1 se realizează practic adoptând pentru condensatoare
valorile C1 = 15nF, C2 = CE = 470µF. Frecvenţa limită inferioară fj1 se determină
astfel: se pleacă de la o frecvenţă a generatorului care să fie cuprinsă în plaja
frecvenţelor medii a amplificatorului, de exemplu se alege frecvenţa vg de aproximativ
10KHz. Se reglează valoarea tensiune aplicate la intrare astfel încât la ieşirea
amplificatorului să se obţină un sinus nedistorsionat (regim liniar de lucru al
amplificatorului). Valoarea astfel obţinută la ieşire va fi notată Uo; se scade frecvenţa
semnalului dat de către generator până când tensiunea de la ieşire ajunge la valoarea
Uo
≅ 0.707Uo. Se citeşte acum valoare frecvenţei indicate de către generator, care
2
este chiar frecvenţa fj1.
Se compară valoarea fj1 obţinută experimental cu cea calculată pe baza
formulei (14).
3.2 Determinarea experimentală a efectului capacităţii C2.
Se procedează la fel ca la punctul 3.1, dar de această dată condensatoarele vor
fi: C2 = 15nF, C1 = CE = 470µF.
3.3 Determinarea experimentală a efectului capacităţii CE.
În acest caz valorile capacităţilor vor fi: CE = 3,3µF, C1 = C2 = 470µF.
Pentru a determina valoare polului introdus de CE se procedează în acelaşi
mod ca la punctele anterioare.
În plus, se mai poate determina experimental şi frecvenţa zeroului introdus de
CE. Algoritmul este asemănător cu cel anterior, doar că acum se pleacă de la frecvenţe
mici (20Hz) şi se creşte frecvenţa până când amplitudinea ajunge la 2 ≅ 1.41 din cea
iniţială.
3.4 Determinarea experimentală a efectului simultan al capacităţilor C1 şi C2.
Se prescriu următoarele valori: C1 = C2 = 15nF şi CE = 470µF. Se va
determina experimental şi prin calcul frecvenţa limită inferioară, în conformitate cu
metodologia prezentată anterior.

3.5 Determinarea experimentală a efectului capacităţilor C1, C2 şi CE.
Cu C1 = C2 = 15nF şi CE = 3,3µF se repetă algoritmul de măsurare a
frecvenţei de trecere la joase, obţinând de această dată limita inferioară a benzii de
trecere ca urmare a efectului cumulat al celor trei capacităţi.
3.6 Evaluarea prin simulare a efectului capacităţilor C1, C2 şi CE asupra benzii de
trecere.
Se va scrie un fişier PSPICE care să descrie circuitul din fig. 1 şi se va
efectua o analiză AC pe decade (10 puncte de calcul pe decadă) de la 1Hz la 1MHz.
Se vor reface prin simulare punctele 3.1 - 3.5, notând frecvenţele la joase obţinute.
Se vor compara rezultatele modelării teoretice, cu cele obţinute experimental
şi cu cele obţinute prin simulare.
* L13 Efectul capacitatilor de cuplaj si de decuplare asupra
* caracteristicii de frecventa a unui amplificator
Vg 1 0 Ac 10mv sin(0 10mv 1khz)

Rg 1 2 600
C1 2 3 {CC1}
VA 4 0 DC 12V
RB1 4 3 33K
RB2 3 0 10k
Q1 5 3 6 BC107
RC 5 4 4.7k
RE1 6 7 1K
CE 7 0 {CCE}
RE2 7 0 1k
C2 5 8 {CC2}
RS 8 0 220K
*specificarea analizelor
.OP
.PARAM CC1 = 15nF
.PARAM CC2 = 15nF
.PARAM CCE = 3.3uF
.STEP PARAM CC1 LIST 15nF 150nF 1.5uF
*.STEP PARAM CC2 LIST 15nF 150nF 1.5uF
*.STEP PARAM CCE LIST 1.5uF 15uF 150uF
.AC DEC 20 0.1Hz 100MEGHz
.LIB DCE.LIB
.PROBE
.END
Fig. 3. Efectul C1 asupra benzii de trecere a amplificatorului.
Fig. 4. Efectul C2 asupra benzii de trecere a amplificatorului.
Fig. 5. Efectul CE asupra benzii de trecere a amplificatorului.

Fig. 6. Efectul cumulat al C1 şi C2 asupra benzii de trecere a amplificatorului.
Fig. 7. Efectul cumulat al C1, C2 şi CE asupra benzii de trecere a amplificatorului.

Aplicaţia nr. 14
ANALIZA DE SENSIBILITATE/CAZ CEL MAI

NEFAVORABIL ŞI ANALIZA MONTE-CARLO
Se introduc analizele statistice de sensibilitate/caz cel mai nefavorabil

(.WCASE) şi Monte-Carlo (.MC).
Acestea variază toleranţele componentelor electronice în cadrul unor rulări
multiple ale uneia dintre analizele .DC, .AC sau .TRAN. Înainte de rularea .WCASE
sau .MC trebuie definite toleranţele modelelor utilizate. De menţionat că doar una
dintre aceste analize statistice poate fi efectuată la un moment dat pentru un circuit.
Un exemplu al utilizării acestor analize l-ar putea constitui realizarea unui
produs de serie. Se poate estima astfel câte dintre acestea se încadrează în anumite
cerinţe, de exemplu limite pentru tensiuni, curenţi, bandă de frecvenţă etc., folosind
anumite clase de precizie pentru componente. Totodată se poate observa contribuţia
fiecărui parametru al modelelor componentelor în stabilirea cu exactitate a mărimilor
electrice de interes ale unui circuit.
Aspectele sus menţionate vor fi aplicate pentru cazul unui amplificator de
semnal mic cu două tranzistoare bipolare.
2. ANALIZA DE SENSIBILITATE/CAZ CEL MAI NEFAVORABIL
Analiza de sensibilitate/caz cel mai nefavorabil (.WCASE, Worst-Case

Analysis) este folosită pentru găsirea valorii probabile cea mai nefavorabilă a unui
circuit sau sistem, fiind dată varianţa limitată a parametrilor. De exemplu, dacă
valorile R1, R2 şi R3 variază cu 10%, analiza de sensibilitate/caz cel mai nefavorabil va
încerca să găsească combinaţia valorilor rezistenţelor care generează ieşirea cea mai
nefavorabilă. WCASE variază doar un singur parametru la o rulare şi astfel este
posibil să se calculeze sensibilitatea formei de undă de la ieşire pentru fiecare
parametru. Odată ce toate sensibilităţile sunt cunoscute, se va realiza o ultimă rulare în
care toţi parametrii sunt variaţi în aşa fel încât să se obţină cazul cel mai defavorabil.
Înafara descrierii circuitului, sunt necesare următoarele informaţii: a)
toleranţele parametrilor şi b) definirea cazului cel mai nefavorabil.
Sintaxa analizei este:
.WCASE <(analiză)> <(variabilă de ieşire)> <(funcţie)> [opţiune]*
în care:
<(analiză)> poate fi .DC, .AC, sau .TRAN
<(variabilă de ieşire)> ca si la .PROBE
<(funcţie)> specifică operaţia prin care valorile variabilelor de ieşire sunt reduse la o
singură valoare:
YMAX Găseşte cea mai mare diferenţă în fiecare formă de undă faţă de
valoarea nominală.
MAX Găseşte valoarea maximă a fiecărei forme de undă.
MIN Găseşte valoarea minimă a fiecărei forme de undă.
RISE_EDGE(<valoare>) Găseşte prima apariţie a formei de undă care
depăşeşte pragul (<valoare>).
FALL_EDGE(<valoare>) Găseşte prima apariţie a formei de undă care se află
sub pragul (<valoare>).
[opţiune]* poate să lipsească sau să fie una sau mai multe din următoarele:
OUTPUT ALL Cere scrierea tuturor ieşirilor rulărilor după rularea (primă) cu
valorile nominale. Dacă este omisă, numai rularea cu valorile nominale şi cea
corespunzătoare cazului cel mai nefavorabil vor produce ieşiri.
RANGE*(<low value>,<high value>) Restrânge gama în care <(funcţie)> va
fi evaluată.
HI sau LOW Specifică direcţia în care <(funcţie)> este modificată.
VARY DEV| LOT| BOTH Implicit, orice componentă care are un parametru
al modelului specificate prin toleranţă de tip DEV sau LOT este inclusă în
analiză. Analiza poate fi însă limitată la componentele cu toleranţă de tip DEV
sau LOT.
DEVICES (listă cu tipurile de componente) Implicit, toate componentele sunt
incluse în analiză. Se poate însă limita analiza doar la anumite tipuri de
componente. De exemplu dacă se doreşte efectuarea analizei de
sensibilitate/caz cel mai nefavorabil doar pentru rezistori şi tranzistori
MOSFET se va utiliza: DEVICES RM
Exemplu: .WCASE AC V(6) YMAX
3. ANALIZA MONTE-CARLO
Această analiză permite rularea multiplă, de un număr de ori specificat apriori,

a celorlalte analize (în curent continuu .DC, în frecvenţă .AC, în timp .TRAN) în care
se iau valori aleatoare în domeniul de toleranţă specificat pentru dispozitivele unde
această toleranţă a fost definită. Prima rulare se efectuează cu valorile nominale ale
tuturor componentelor iar celelalte se efectuează variind parametrii modelelor conform
datelor specificate pentru toleranţă.
Forma generală pentru analiza Monte-Carlo este:
.MC <(#rulări)> <(analiză)> <(variabilă de ieşire)> <(funcţie)> [(opţiune)]*[SEED
= (valoare)]
în care:
<(#rulări)> reprezintă numărul total de rulări ce vor fi efectuate.
<(analiză)> poate fi .DC, .AC, sau .TRAN.
<(funcţie)> specifică tipul operaţiei efectuate asupra valorilor <(variabilă de ieşire)>
Analiza de sensibilitate/caz cel mai nefavorabil şi analiza Monte-Carlo 103
pentru a le reduce la o singură variabilă. Această valoare va fi baza de

comparaţie între rezultatul primei rulări şi rulările ulterioare. Expresiile valide
pentru <(funcţie)> sunt identice cu cele prezentate la analiza .WCASE.
[opţiune]* poate să lipsească sau să fie una sau mai multe din expresiile prezentate la
câmpul omolog de la analiza .WCASE
[SEED = (valoare)] Permite definirea unei valori întregi impare în intervalul
1…32767 care să iniţializeze generatorul de numere aleatoare. Implicit, are
valoarea 17533.
Exemplu: .MC 10 AC V(6) MAX OUTPUT(ALL)
4. DEFINIREA TOLERANŢEI
Toleranţele sunt specificate prin intermediul declaraţiei .MODEL cu

următoarea formă generală (pentru detalii vezi Aplicaţia nr. 4 - “Mediul de simulare
SPICE”):
.MODEL <nume model> <nume tip> [<nume parametru>=<valoare>
[<toleranţă>]]
Pentru definirea toleranţei pot fi folosiţi specificatorii DEV (variaţie
independentă a toleranţei) şi LOT (variaţie dependentă a toleranţei) împreună cu tipul
distribuţiei de probabilitate (fig. 1).
Probabilitate Probabilitate
Valoare Valoare Valoare Valoare

nominală Valoare nominală nominală Valoare nominală
- x% nominală + x% - x% nominală + x%
a) UNIFORM b) GAUSS
Fig. 1. Distribuţii de probabilitate uzuale.

Exemple:
.MODEL R_Real RES(R=1 DEV/UNIFORM 10%)
.MODEL C_Real CAP(C=1 DEV/UNIFORM 20%)
.MODEL BC107_Real NPN(Is=160.35f DEV/GAUSS 15%
+ Vaf=74.03 Ne=1.307 Ise=14.34f
+ Bf=320 DEV/UNIFORM 45%
+ Ikf=0.1 Xtb=1.5 Br=6.092 Ikr=0 Rc=1
+ Cjc=7.3p DEV/GAUSS 10%
+ Mjc=0.3416 Mje=0.377
+ Cje=22.10p DEV/GAUSS 10%)
5.1 Se urmăreşte proiectarea unui amplificator pentru următoarele date:

• rezistenţa de intrare Ri = 50KΩ;
• rezistenţa de ieşire Ro = 2.2KΩ;
• excursia de tensiune la ieşirea amplificatorului ∆uo = ±1V pe o rezistenţă
de sarcină RL = 10KΩ;
• frecvenţa limită inferioară fj = 110Hz.
Se presupune că:
- tensiunea de alimentare a circuitului este VA = 12V;
- rezistenţa internă a generatorului este Rg = 600Ω;
- tranzistoarele sunt identice, de tip BC107A şi au gm1 = gm2 = 40mA/V, rb’e1 =
rb’e2 = 5KΩ, UBE1 = UBE2 = 0,6V.
Cerinţele impuse în proiectare pot fi îndeplinite de circuitul din fig. 2.
VA=+12V
RC2
RC1 C3
RL
Q2
Rg C1 Q1
RB
Vg
RE1 RE2 CE
Fig. 2. Amplificator de semnal mic cu două tranzistoare bipolare.
Schema conţine două etaje de amplificare cu tranzistoare în conexiune EC,

cuplate direct. Rezistenţa de intrare impusă fiind mare, rezistenţa echivalentă a
circuitului de polarizare a tranzistorului Q1 trebuie să fie de cel puţin 50KΩ. S-a optat
pentru varianta de polarizare cu rezistenţă serie în bază, modificată faţă de configuraţia
clasică prin conectarea rezistenţei RB la emitorul tranzistorului Q2. Se asigură astfel o
insensibilizare a valorilor curenţilor IC01 şi IC02 (prin reacţie negativă de curent) faţă de
parametrii tranzistoarelor şi temperatură.
Proiectarea circuitului implică desenarea schemei echivalente pentru regimul
dinamic, prezentată în fig. 3.

Ri Ro
ib1 ib2
Rg gm1ub'e1 uo
rb'e1 rb'e2
ub’e1 gm2ub'e2
vg RB
ui RC1 RC2 RL
ub’e2
RE1
Fig. 3. Schema echivalentă în regim de semnal mic şi frecvenţe medii a circuitului din fig. 2, folosind
modelul natural simplificat (Giacoletto) pentru tranzistoare.
Pe baza acestei scheme se pot scrie următoarele relaţii:

R i = R B || [ rb 'e 1 + (1 + g m 1 rb 'e 1 ) R E 1 ] (1)
Ro = RC 2 (2)
u g m1rb 'e1 RC1 g r ( R || RL )
AU 0 = o = ⋅ m 2 b 'e 2 C 2 (3)
ui rb 'e1 + (1 + g m1rb 'e1 ) RE1 RC1 + rb 'e 2
În curent continuu, neglijând curentul de bază faţă de cel de colector şi considerând
IC ≅ IE, rezultă:
RB I C 01
U CE 01 = + U BE1 + U BE 2 (4)
β1
I C 02 RE 2 − U BE1
I C 01 = (5)
RB
+ RE 1
β1
U CE 02 + I C 02 ( RC 2 + RE 2 ) = V A (6)
Dimensionarea amplificatorului implică în primul rând alegerea unui PSF
pentru Q2, ţinând cont de excursia de tensiune maximă ∆uo impusă. Această valoare
maximă este practic minimul dintre uCE2M (valoarea maximă negativă) şi iCEmRC2||RL
(valoarea maximă pozitivă). Condiţia de minim între aceste două valori extreme este
impusă de simetria celor două alternanţe. În consecinţă PSF va fi determinat astfel:
U CE 02 = uCE 2 m + ∆uo (7)
unde uCE2m este tensiunea minimă colector-emitor pentru care tranzistorul mai poate fi
considerat ca un dispozitiv liniar (în general 1 – 2 V).
∆u0
I C 02 = + iC 2 m (8)
RC 2 || RL
unde iC2m reprezintă valoarea minimă a curentului de colector al tranzistorului Q2
pentru care se mai poate admite funcţionarea în regim liniar a tranzistorului (la
tranzistoarele de mică putere, cu Si, de uz general, iC2m = 50 – 100 µA ).
În continuare se calculează RC2 şi RE2 din relaţiile (2) respectiv (6). Pentru
tranzistorul Q1 alegerea PSF-ului nu este aşa de riguroasă ca pentru Q2. De exemplu,
se poate alege UCE01 = 5V.
În principiu, relaţiile (1), (4) şi (5) formează un sistem de trei ecuaţii cu trei
necunoscute: RB, RE1 şi IC01. Rezolvarea sistemului este însă complicată, rezultând mai
multe soluţii. În plus, nu pentru orice date de proiectare impuse vor rezulta soluţii cu
sens fizic. Programul MATLAB prezentat în ANEXĂ permite determinarea exactă a
celor trei necunoscute.
Deoarece RB rezultă de valoare suficient de mare s-ar putea deduce RE1 din ec.
(1). Acum se pot determina RB şi IC01 din rel. (4) şi (5).
RC1 se exprimă astfel:
V A − U BE 2 − I C 02 RE 2
RC1 = (9)
I C 01
Pentru determinarea capacităţilor circuitului de poate aplica metoda
constantelor de scurtcircuit:
1
C1 = (10)
2πRi f1
1
C2 = (11)
R +r
2πRE1 || C1 b 'e 2 f 2
g m 2 rb 'e 2
1
C3 = (12)
2π ( RC 2 + RL ) f 3
Se pot alege frecvenţele limită determinate de fiecare capacitate suficient de
distanţate între ele, astfel că se pot considera independente (practic dacă distanţa între
frecvenţe este o decadă). De exemplu: f1=1Hz, f2=10Hz, f3=100Hz. Rezultă astfel fj =
f1 + f2 + f3.
5.2 Pentru amplificatorul proiectat realizaţi o descriere PSPICE folosind
valorile nenormalizate (adică exact cele rezultate prin calcul) ale componentelor.
Verificaţi dacă rezultatele simulării coincid cu cerinţele din datele de proiectare.
*L14_1 Analiza de sensibilitate/caz cel mai nefavorabil si

* analiza Monte-Carlo
vg 1 0 AC 1mV SIN(0 1mV 1KHz)
Rg 2 1 600
C1 3 2 3.18uF
Q1 4 3 5 BC107A
RE1 5 0 291
RC1 6 4 1.88K
RB 3 7 235K
Q2 8 4 7 BC107A
RE2 7 0 4.42K
C2 7 0 47uF
RC2 8 6 2.2K
C3 8 9 1.3uF
RL 9 0 10K
VA 6 0 12V
.TRAN 0.1m 10m
*Alte declaratii
.LIB d:\pseval50\library\DCE.LIB
.PROBE
.END
Fig. 4. Se constată în urma analizei în frecvenţă a circuitului o amplificare la frecvenţe medii, AU0 = 361
şi o frecvenţă limită inferioară fj = 110Hz.
Fig. 5. Rezistenţa de intrare se situează foarte aproape (48.8KΩ) de valoarea impusă (50KΩ).
5.3 Folosind acum valori normalizate şi presupunând că toate rezistenţele

circuitului au toleranţă ±10% iar capacităţile ±20% studiaţi prin metodele cazului cel
mai nefavorabil şi Monte-Carlo efectul toleranţelor componentelor asupra parametrilor
amplificatorului. Pentru cazul concret al amplificatorului discutat se presupune că
mărimea de interes este reprezentată de valorile extreme ale amplificării acestuia (sau,
echivalent valorile extreme ale tensiunii de ieşire).
Observaţii:
a) Valorile nominale normalizate reprezintă multipli sau submultipli ale următoarelor
şiruri:
• Toleranţă 10% : 1,0 1,2 1,5 1,8 2,2 2,7 3,3 3
4,7 5,6 6,8 8,2
• Toleranţă 20% : 1,0 1,5 2,2 3,3 4,7 6,8
b) Componenta PSPICE ce se ocupă de reprezentarea grafică a rezultatelor simulării
(de regulă “Probe”) dispune de aşa-numita analiză de performanţă. În fapt “Probe” are
dispune de un meta-limbaj, bazat pe funcţii obiectiv (“goal functions”) pentru
identificarea diverselor puncte de interes dintr-o formă de undă. Ele concentrează
informaţia de regulă într-o singură valoare numerică. În cazul analizei Monte-Carlo
analiza de performanţă este prezentată sub formă de histogramă. Pentru crearea unei
histograme trebuie să fie extrasă o singură valoare de interes din fiecare rulare (fig. 9).
*L14_2 Analiza de sensibilitate/caz cel mai nefavorabil si

* analiza Monte-Carlo
vg 1 0 AC 1mV SIN(0 1mV 1KHz)
Rg 2 1 600
C1 3 2 C_Real 3.3uF
Q1 4 3 5 BC107A
RE1 5 0 R_Real 330
RC1 6 4 R_Real 1.8K
RB 3 7 R_Real 220K
Q2 8 4 7 BC107A
RE2 7 0 R_Real 4.7K
C2 7 0 C_Real 47uF
RC2 8 6 R_Real 2.2K
C3 8 9 C_Real 1uF
RL 9 0 R_Real 10K
VA 6 0 12V
*Specificarea modelelor
.MODEL R_Real RES(R=1 DEV/UNIFORM 10%)
.MODEL C_Real CAP(C=1 DEV/GAUSS 20%)
.WCASE AC V(9) MIN
*.MC 10 AC V(9) MIN OUTPUT(ALL)
*Alte declaratii
.LIB d:\pseval50\library\DCE.LIB
.PROBE
.END
Fig. 6. Rezultatul rulării analizei cazului cel mai nefavorabil MIN.
Fig. 7. Rezultatul rulării analizei cazului cel mai nefavorabil MAX.
Fig. 8. Rezultatul rulării analizei Monte-Carlo.

Fig. 9. Afişarea rezultatelor rulării Monte-Carlo sub formă de histogramă. S-au apelat câteva
funcţii obiectiv predefinite: Max (.) – ia valoarea maximă a formelor de undă din rulări, Bandwith(.,db)
calculează banda de trecere la un număr de decibeli specificat.
Prin inspectarea fişierului *.out rezultat în urma simulărilor evidenţiaţi

sensibilitatea amplificării/tensiunii de ieşire la variaţia diverşilor parametrii.
Recomandaţi metode pentru diminuarea efectului toleranţei şi dispersiei asupra
mărimilor electrice de interes.
RUN MAXIMUM VALUE

RC2 R_Real R .2963 at F = 6.3096E+03
( .7992% change per 1% change in Model Parameter)
RC1 R_Real R .2961 at F = 6.3096E+03
RB R_Real R .2961 at F = 6.3096E+03
RL R_Real R .2961 at F = 6.3096E+03
NOMINAL .296 at F = 6.3096E+03
C1 C_Real C .296 at F = 6.3096E+03
( 0 % change per 1% change in Model Parameter)
C2 C_Real C .296 at F = 6.3096E+03
C3 C_Real C .296 at F = 6.3096E+03
RE2 R_Real R .2958 at F = 6.3096E+03
( -.6959% change per 1% change in Model Parameter)
RE1 R_Real R .2958 at F = 6.3096E+03
( -.8938% change per 1% change in Model Parameter)
Fig. 10. Sensibilitatea tensiunii de ieşire la parametrii amplificatorului aşa cum rezultă din
analiza .WCASE. O soluţie pentru diminuarea dispersiei amplificării ar fi folosirea unor rezistenţe mai
precise pentru RC2 (influenţează cel mai mult V(9), direct proporţional) şi RE1 (influenţează cel mai mult
V(9), invers proporţional).
RUN MAXIMUM VALUE

Pass 2 .3552 at F = 6.3096E+03
( 119.98% of Nominal)
Pass 3 .3266 at F = 6.3096E+03
Pass 10 .3233 at F = 6.3096E+03
Pass 4 .3223 at F = 6.3096E+03
Pass 6 .2974 at F = 7.9433E+03
Pass 9 .2967 at F = 6.3096E+03
NOMINAL .296 at F = 6.3096E+03
Pass 8 .2949 at F = 6.3096E+03
Pass 7 .2719 at F = 7.9433E+03
Pass 5 .2649 at F = 7.9433E+03
Fig. 11. Rezultatele rulării analizei .MC pun în evidenţă o abatere de aproximativ +20% şi -10%
faţă de valoarea nominală a amplificării, ca urmare a efectului toleranţelor parametrilor componentelor.
5.4 Comparând rezultatele simulărilor evidenţiaţi avantajele şi dezavantajele

fiecărei analize.
ANEXA la Aplicaţia nr. 14
Program MATLAB pentru calculul amplificatorului

prezentat în Aplicaţia nr. 14
clear all
clc
%datele de proiectare
VA = 12
RL = 10e3
Ri = 50e3
Ro = 2.2e3
duo = 2
UCE2m = 2
ic2m = 0.1e-3
UBE1 = 0.6
UBE2 = 0.6
beta1=200
beta2=200
rbe1=5e3
rbe2=5e3
UCE01 = 5
fj1 = 1
fj2 = 100
fj3 = 10
%calculul amplificatorului
RC2 = Ro
RC2pRL = RC2*RL/(RC2+RL);
IC02 = (duo/RC2pRL) + ic2m
UCE02 = UCE2m + duo
RE2 = ((VA-UCE02)/IC02) - RC2
[x y z]=solve('Ri - (x*(rbe1+(1+beta1)*y)/(x + rbe1 +

(1+beta1)*y )) = 0', ...
'UCE01 - ((x*z/beta1) + UBE1 + UBE2) = 0', ...
'z - ((IC02*RE2-UBE1)/((x/beta1)+y))= 0');
RB=eval(x)
RE1=eval(y)
IC01=eval(z)
RC1 = (VA - UBE2 - IC02*RE2)/IC01(1,1)
AU=beta1*RC1*beta2*RC2pRL/((rbe1+(1+beta1)*RE1(1,1))*(RC1+rbe2))
C1= 1/(2*pi*Ri*fj1)
Rech1 = (RC1+rbe2)/beta2;
Rech2 = Rech1*RE2/(Rech1+RE2);
C2= 1/(2*pi*Rech2*fj2)
C3= 1/(2*pi*(RC2+RL)*fj3)
Aplicaţia nr. 15
AMPLIFICATOARE DE PUTERE ÎN CONTRATIMP

CU TRANZISTOARE COMPLEMENTARE
În cadrul aplicaţiei se studiază funcţionarea amplificatorului de putere (final)

în contratimp şi clasă AB, cu tranzistoare complementare.
2. PARTEA TEORETICĂ
Un amplificator de putere este destinat furnizării unui semnal de putere relativ

ridicată unei sarcini de rezistenţă redusă. În mod tipic, un amplificator de putere
furnizează la ieşire o putere de peste 1W pe o sarcină mai mică de 300Ω.
Etajele de ieşire clasă A, examinate în lucrările precedente, prezintă două
dezavantaje majore: pe de o parte randamentul lor este mic (maxim 25%) şi pe de altă
parte puterea disipată în repaus, adică în lipsa semnalului, este mare.
Ambele dezavantaje pot fi eliminate prin utilizarea etajelor de ieşire în contratimp
(„push-pull”) clasă B (fig. 1) pentru care tranzistorul conduce doar pe o semiperioadă
a unui semnal sinusoidal aplicat la intrare. Evident că pentru refacerea corectă a
sinusoidei la ieşire, în cealaltă alternată a semnalului de la intrare va conduce celălalt
tranzistor al etajului. Rezultă astfel un unghi de conducţie pentru tranzistor θ = π. PSF-
ul tipic este IC0 = 0A, UCE0 = VA pentru alimentare diferenţială simetrică sau UCE0 =
VA/2 pentru alimentarea cu o singură sursă de tensiune continuă, ceea ce conduce la un
consum de curent şi putere disipată, în repaus, practic nule. Randamentul maxim
teoretic este 78.5%.
VCC+
Q1
Vg
RL Vo
Q2
VCC-
Fig. 1. Etaj tipic de ieşire în contratimp, clasă B, cu tranzistoare complementare.

La un anumit moment în alternanţă pozitivă, când Vg ≥ UBEon, Q1 se deschide şi

începe să lucreze ca repetor pe emitor (conexiune CC). De observat că Q2 este blocat
cu o tensiune inversă pe joncţiunea bază-emitor egală cu UBEon. Este asigurată astfel
amplificarea de curent, cea de tensiune fiind uşor subunitară (fig. 2a)). În mod analog
se întâmplă lucrurile în alternanţa negativă.
Caracteristica de transfer (fig. 2b)) pune în evidenţă o zonă moartă de mărime
2UBEon , în jurul originii, situaţie caracteristică pentru etajele în clasă B. Această zonă
moartă determină apariţia distorsiunilor de racordare („crossover distortion”), fapt
sesizabil şi din forma de undă a tensiunii de la ieşire. În acest caz tensiunea aplicată în
bazele tranzistoarelor nu este suficient de mare/mică pentru ca să se deschidă Q1 / Q2 şi
deci curentul prin sarcină este nul.
Pe măsură ce amplitudinea semnalului de la intrare devine mai mare, această
sursă de distorsiuni este din ce în ce mai puţin semnificativă (fig. 3).
a) b)
Fig. 2. a) Semnalul de la intrarea (Vg) şi ieşirea (Vo) etajului în clasă B. b) Caracteristica de transfer a
etajului în clasă B.
Fig. 3. Dacă amplitudinea semnalului de intrare devine mare, zona moartă reprezintă o fracţiune mai mică
din semnal.
Amplificatoare de putere în contratimp cu tranzistoare complementare 115
Distorsiunile de racordare pot fi reduse prin utilizarea clasei de funcţionare

AB. În această clasă de funcţionare dispozitivele active se polarizează astfel încât
pentru Vg = 0V să treacă prin fiecare un curent static mic. Pentru clasa AB unghiul de
conducţie este: π < θ < 2π.
O modalitate de prepolarizare a joncţiunilor bază-emitor ale tranzistoarelor
finale este prezentată în fig. 4.
VCC+
RC
Q1
D1
D2
RL Vo
Q2
Vg
VCC-
Fig. 4. Polarizarea bazelor tranzistoarelor finale folosind diode.
Diodele D1 şi D2 sunt în conducţie şi asigură o tensiune de deschidere pentru

Q1 şi Q2, astfel încât acestea intră mai rapid în conducţie decât cele ce funcţionează în
clasă B, eliminând aproape total distorsiunile de racordare din forma tensiunii de la
ieşire, respectiv zona moartă din forma caracteristicii de transfer (fig. 5).
a) b)
Fig. 5. a) Formele de undă ale tensiunilor de intrare şi ieşire pentru un etaj de ieşire în clasă AB. b)
Caracteristica de transfer pentru un etaj de ieşire în clasă AB. Se constată dispariţia distorsiunilor de
racordare şi a zonei moarte.
3. REALIZAREA PRACTICĂ A UNUI AMPLIFICATOR DE PUTERE

ÎN CLASĂ AB
Se propune schema practică prezentată în fig. 6 pentru un amplificator de

putere în clasă AB. Semnalul ce urmează a fi amplificat este aplicat prin intermediul
sursei de tensiune alternativă, sinusoidală, Vg. Condensatorul de cuplaj C1 realizează
izolarea galvanică a amplificatorului, împiedicând influenţarea PSF-ului tranzistorului
Q3 de către eventuala componentă de curent continuu a Vg. I se permite însă
componentei alternative a Vg să ajungă în baza lui Q3 (tranzistor pilot) care asigură
amplificarea de tensiune a schemei. Din cauza conexiunii EC apare şi o defazare cu
180° a semnalului. Pe de o parte RB1 dar şi RB2 şi Rr asigură polarizarea
corespunzătoare a bazei tranzistorului Q3. Rr mai realizează şi:
- ajustarea unui tensiuni statice, la ieşirea etajului final, egală cu VCC/2, în scopul unei
funcţionări simetrice a tranzistoarelor finale.
- aducerea unei eşantion din tensiunea de la ieşire la intrarea amplificatorului; se
creează astfel o reacţie negativă (tip paralel-paralel) care, în regim dinamic, fixează
valoarea amplificării.
+VCC=20V
RL
75Ω CB BD135
16W Q1
470µF
RC
3KΩ RE1
0.56Ω
3W
Vcc/2
D1N4148 D1
(Si)
RE2
MA113 D2 0.56Ω
(Ge) 3W
Q2
BD136
C1 R1 Q3
1.8KΩ BC107
22µF
Rg C2 RB1 RB2 RE3
11Ω
600Ω 330pF 620Ω 3.9KΩ Rr
Vg DC = 1V
AC = 1V 5KΩ
TRAN = sin(0V 1V 1KHZ )
Fig. 6. Amplificator de putere cu tranzistoare complementare în clasă AB.

În continuare, semnalul se aplică celor două baza ale tranzistoarelor finale,

complementare (unul NPN şi altul PNP), prepolarizate prin intermediul diodelor D1 şi
D2. Cele două tranzistoare sunt conectate ca repetoare pe emitor (conexiune CC),
specific pentru această conexiune fiind:
- amplificarea mare de curent;
- amplificarea mică ( < 1) de tensiune;
- impedanţa de intrare relativ mare;
- impedanţa de ieşire relativ mică.
În alternanţă pozitivă a semnalului de la intrare, prin defazarea de 180° dată de
Q3, ajunge să conducă Q2. În alternanţă negativă va conduce Q1, de unde şi denumirea
etajului de ieşire: în contratimp.
Rezistenţele din emitoarele tranzistoarelor finale au rol în prevenirea
procesului de ambalare termică: căderea de tensiune pe aceste rezistoare reduce
tensiunea bază-emitor a tranzistoarelor şi tinde astfel să stabilizeze curenţii de
polarizare printr-un mecanism de reacţie negativă locală. Valoarea acestor rezistoare
reprezintă un compromis între creşterea stabilităţii PSF-ului (RE mari) şi a unui
randament ridicat (RE mici).
Un amplificator cu o schemă de principiu ca cea din fig. 4 are dezavantajul că
introduce o limitare suplimentară în amplitudinea tensiunii de comandă a
tranzistoarelor finale (fig. 7a)). În plus, etajul prefinal, lucrând la semnal mare,
introduce distorsiuni mari datorită caracteristicilor sale de transfer exponenţiale, deci
puternic neliniare. Soluţionarea problemelor sus-amintite se bazează pe bootstrap-area
rezistenţei de colector a tranzistorului prefinal. Ea se realizează prin conectarea unui
condensator de bootstrap, CB, între punctul comun al RS şi RC şi punctul comun al RE1
şi RE2. Condensatorul trebuie să prezinte la frecvenţa de lucru a amplificatorului o
reactanţă foarte mică, deci să fie practic un scurtcircuit. Conectarea sa conduce la
modificarea rezistenţei echivalente de ieşire văzută de Q3 şi deci la mărirea excursiei
de tensiune de la ieşirea acestuia (fig. 7b)). Prin satisfacerea condiţiei de funcţionare la
semnal mic se rezolvă astfel şi problema distorsionării semnalului de către etajul
prefinal.
iC3 iC3
Dreaptă de sarcină dinamică Dreaptă de sarcină dinamică
PSF PSF
IC3 IC3
Dreaptă de sarcină statică
Dreaptă de sarcină statică
VCC/2 U VCC uCE3 VCC/2 VCC

O3max uCE3
a) b)
Fig. 7. a) Limitarea excursiei tensiunii de ieşire a etajului pilot. b) Prin folosirea conexiunii bootstrap se
ajunge la modificarea rezistenţei de intrare a etajului final şi deci la mărirea excursiei tensiunii de atac a
tranzistoarelor complementare.
Schema din fig. 6 ar putea fi îmbunătăţită prin:

- montarea între bazele tranzistoarelor finale a unui circuit tip superdiodă (diodă
multiplicată) care să permită ajustarea tensiunii de prepolarizare a bazelor
tranzistoarelor;
- folosirea unor tranzistoare finale compuse (Darlington) în scopul creşterii
puterii amplificatorului;
- introducerea unui circuit de protecţie la scurtcircuit a tranzistoarelor etajului
de ieşire.
La amplificatoarele de putere se poate pune problema folosirii unor soluţii de
răcire pasivă, prin intermediul unui radiator metalic, plasat pe componentele ce disipă
o cantitate mai mare de căldură (tranzistoarele finale). Se măreşte astfel suprafaţa
radiantă a componentei şi rezultă o disipare mai rapidă a căldurii şi implicit o
temperatură mai scăzută de funcţionare pentru componenta prevăzută cu radiator.
4.1 Cu generatorul de tensiune sinusoidală oprit, alimentând doar în curent

continuu amplificatorul cu schema din fig. 6, se determină PSF-urile celor trei
tranzistoare. Din rezistenţa semireglabilă Rr se urmăreşte ajustarea tensiunii statice
marcate pe schemă la VCC/2 (într-un caz mai general - semisuma tensiunilor de
alimentare).
4.2 Se pune în funcţiune generatorul, la f = 1KHz, şi se stabileşte amplitudinea
maximă a tensiunii de ieşire nedeformată sensibil, prin vizualizarea cu osciloscopul a
tensiunii de pe sarcină şi reglajul amplitudinii tensiunii generate la intrarea
amplificatorului. Pentru acest caz se oscilografiază tensiunile de intrare, de ieşire după
tranzistorul pilot şi pe sarcină, determinându-se valoarea amplificării de tensiune.
4.3 Se scurtcircuitează cele două diode de prepolarizare şi se oscilografiază în
acest caz tensiunea de la ieşirea amplificatorului urmărindu-se evidenţierea apariţiei
distorsiunilor de racordare.
4.4 Se măsoară curentul consumat de la sursa de alimentare. Pe baza acestuia
se calculează puterea consumată, PCC. Puterea utilă medie se determină din relaţia
2
u
Po = om iar randamentul amplificatorului se va calcula cu formula
2 RL
P
η = o ⋅ 100 [%] .
PCC
4.5 Se vor determina prin simularea PSPICE a circuitului din fig. 6:
a) PSF-urile tranzistoarelor (cf. 4.1);
b) forma tensiunilor de intrare, de ieşire după tranzistorul pilot şi pe sarcină,
determinându-se valoarea amplificării de tensiune şi dependenţa acesteia de frecvenţă
(cf. 4.2);
c) componentele spectrale ale semnalului de ieşire, prin analiza Fourier.
* L15 - Amplificator de putere in contratimp

* cu tranzistoare complementare
Vg 1 0 AC 1V SIN(0, 1V, 1KHz)
Rg 1 2 600
C1 3 2 22uF
R1 3 4 1.8K
RB1 4 0 620
C2 4 0 330pF
Q3 6 4 5 BC107
RE3 5 0 11
D1 8 7 D1N4148
D2 7 6 MA113
RC 8 9 3K
RL 9 10 75
VCC 10 0 20V
RB2 4 11 3.9K
Rr 11 12 {5K*0.5+.001}
Q1 10 8 14 BD135
RE1 14 12 0.56
Q2 0 6 13 BD136
RE2 12 13 0.56
CB 9 12 470uF
.LIB DCE.LIB
.LIB JDIODE.LIB
.OP
.AC DEC 10 1 10MEG
.TRAN 0.1m 2m 0 0.5u
.FOUR 1KHz V(9, 10)
.PROBE
.END
20.00V
VCC
3.589mA
966.3uW RL
75 CB BD135 15.12mA
16W Q1
187.1uA175.7mW
3.589mA
470uF -15.30mA
8.382V
RC 38.65mW 15.30mA
19.73V 3K RE1
131.2uW
0.56
3W
8.963V
VCC
3.402mA Vcc/2
D1N4148 D1
(Si) 2.319mW
14.11mA
8.281V VCC
3.402mA RE2
MA113 D2 0.56
111.5uW 20Vdc -374.1mW
(Ge)
7.685V 2.027mW 3W
14.11mA 20.00V
18.71mA
-148.3uA
Q2
3.551mA BD136 116.9mW
C1 R1 Q3
-13.96mA
1.000V 0W 27.16mW
1.000V 0A 733.3mV 733.3mV 11.05uA 8.373V
1.8K BC107
22uF 1.183mA -3.562mA
3.562mA
0W Rg C2 RB1 RB2 RE3
139.5uW
0V
0A 867.2uW 5.558mW
600 330pF 620 3.9K 11 Rr
0V
0A 1.194mA 3.563mW
0W Vg DC = 1V 5.389V 1.194mA
AC = 1V 0V 5K
0V
TRAN = sin(0V 1V 1KHZ ) 0V
Fig. 6. Tensiunile, curenţii şi puterile din circuit, în regim static.

25V
20V
10V
0V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms

V(2) V(6) V(9)
Time
Fig. 7. Forma tensiunilor de intrare, de ieşire după tranzistorul pilot şi pe sarcină pentru
circuitul din fig. 5.
Fig. 8. Dependenţa amplificare-frecvenţă.

FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V(9,10)
DC COMPONENT = -2.703846E-01
HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED

NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)
1 1.000E+03 2.559E+00 1.000E+00 -1.796E+02 0.000E+00

2 2.000E+03 4.389E-04 1.715E-04 -8.059E+01 2.786E+02
3 3.000E+03 2.746E-05 1.073E-05 1.563E+02 6.951E+02
4 4.000E+03 5.592E-05 2.185E-05 2.225E+01 7.406E+02
5 5.000E+03 4.832E-05 1.888E-05 1.649E+00 8.996E+02
6 6.000E+03 2.835E-05 1.108E-05 1.878E+01 1.096E+03
7 7.000E+03 2.796E-05 1.092E-05 -1.177E+01 1.245E+03
8 8.000E+03 1.984E-05 7.752E-06 1.185E+01 1.449E+03
9 9.000E+03 2.375E-05 9.281E-06 -4.639E+00 1.612E+03
TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.753442E-02 PERCENT
Fig. 9. Spectrului semnalului de la ieşirea amplificatorului pentru tensiune mare de intrare. Rezultă că
semnalul pe sarcină nu suferă distorsiuni însemnate.
FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V(9,10)

1 1.000E+03 2.523E-03 1.000E+00 1.787E+02 0.000E+00

2 2.000E+03 1.773E-05 7.030E-03 -8.754E+01 -4.450E+02
3 3.000E+03 2.533E-05 1.004E-02 1.785E+02 -3.577E+02
4 4.000E+03 8.181E-06 3.243E-03 4.233E+01 -6.727E+02
5 5.000E+03 1.216E-05 4.820E-03 -3.442E+01 -9.282E+02
6 6.000E+03 5.954E-06 2.360E-03 2.461E+01 -1.048E+03
7 7.000E+03 9.067E-06 3.594E-03 -1.780E+02 -1.429E+03
8 8.000E+03 6.593E-06 2.614E-03 1.115E+02 -1.318E+03
9 9.000E+03 3.705E-06 1.469E-03 -1.791E+02 -1.788E+03
TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.454383E+00 PERCENT
Fig. 10. Spectrului semnalului de la ieşirea amplificatorului pentru tensiune mică de intrare. Rezultă că
semnalul pe sarcină suferă distorsiuni.
Aplicaţia nr. 16
STUDIUL EFECTULUI REACŢIEI NEGATIVE

ASUPRA SEMNALELOR PARAZITE ŞI
DISTORSIUNILOR
Se urmăreşte studiul experimental al efectului reacţiei negative asupra

semnalelor parazite şi distorsiunilor neliniare introduse de un amplificator de joasă
frecvenţă. Consideraţiile teoretice anticipează din punct de vedere matematic
concluziile ce vor fi desprinse în mod practic şi prin simulare. Totodată se realizează o
succintă introducere referitoare la noţiunea de reacţie negativă şi amplificator
operaţional.
2.1 EFECTUL REACŢIEI NEGATIVE ASUPRA SEMNALELOR

PARAZITE
Prin reacţie se înţelege procesul prin care o fracţiune din semnalul de la

ieşirea amplificatorului este adus la intrarea acestuia, cu ajutorul unor circuite
introduse în acest scop sau prin cuplaje parazite. Dacă semnalul din circuitul de reacţie
este în fază cu semnalul de la intrare se spune că există o reacţie pozitivă iar dacă este
în antifază rezultă o reacţie negativă. În fig. 1 este prezentată schema bloc a unui
amplificator cu reacţie.
Xi Xo
- A
Xr
β
Fig. 1. Schema bloc pentru un amplificator cu reacţie.
Se poate arăta simplu că valoarea amplificării cu reacţie Ar este:

A
Ar = (1)
1+ β A
în care A reprezintă amplificarea în buclă deschisă (fără reacţie) iar β factorul

de transfer al cuadripolului de reacţie.
Performanţele unui amplificator sunt limitate de suprapunerea peste semnalul
util a unor semnale parazite cum sunt zgomotele sau tensiunile perturbatoare induse
din mediul exterior. Exemple de surse perturbatoare sunt staţiile de emisie (radio, TV,
telefonie), motoare în funcţiune, tensiuni ale reţelei de alimentare etc. În anumite
condiţii, efectul acestor semnale poate fi considerabil diminuat utilizând reacţia
negativă.
Pentru a justifica afirmaţia de mai sus se consideră cazul unui amplificator cu
două etaje în care acţionează o tensiunile perturbatoare up1, up2 şi up3 aşa cum este
arătat în fig. 2.
up1 up2 up3
ui uo
- Σ A1 Σ A2 Σ
Fig. 2. Amplificator cu reacţie cu două etaje asupra căruia acţionează tensiuni perturbatoare
înspre intrare, la mijloc şi înspre ieşire.
Se poate echivala schema de mai sus cu un amplificator cu reacţie ce are

A = A1A2 iar la intrare are aplicate tensiunile ui, up1, up2/A1, up3/ A1A2. În aceste
condiţii se poate scrie valoarea tensiunii de la ieşire:
A A A u p2 A u p3
uo = ⋅ ui + ⋅ u p1 + ⋅ + ⋅ (2)
1+ β A 1+ β A 1+ β A A1 1 + β A A1 A2
Se observă că cu cât tensiunea perturbatoare este aplicată mai înspre ieşirea
amplificatorului cu atât este mai puţin resimţită în tensiunea de la ieşirea
amplificatorului. Tensiunea perturbatoare nu va fi însă eliminată de către mecanismul
reacţiei negative dacă este suprapusă peste semnalul util aplicat la intrare. Este
evidentă importanţa unei amplificări mari de tensiune în primul etaj, lucru îndeplinit
deobicei în practică prin aceea că primul etaj este realizat, de exemplu, cu un
amplificator operaţional (ce are în mod tipic amplificarea în buclă deschisă foarte
mare). Al doilea etaj va fi cel de putere, el nefiind obligat să mai aibă o amplificare
mare în tensiune; poate fi realizat, de exemplu, cu tranzistoare în conexiune colector
comun.
Studiul efectului reacţiei negative asupra semnalelor parazite şi distorsiunilor 125
2.2 EFECTUL REACŢIEI NEGATIVE ASUPRA DISTORSIUNILOR

NELINIARE
Efectul distorsiunilor neliniare poate fi echivalat printr-o tensiune

perturbatoare care determină o aceeaşi modificare a formei semnalului de ieşire. Spre
exemplu, considerând în cazul schemei din fig. 2 că numai cel de al doilea etaj
introduce distorsiuni neliniare, efectul acestora poate fi echivalat prin tensiunea up2.
Pe baza precizărilor de mai sus rezultă că observaţiile şi precizările stabilite la
punctul 2.1. îşi păstrează şi în acest caz valabilitatea. Se subliniază, totuşi, că această
valabilitate este condiţionată de evitarea intrării în limitare a etajelor de amplificare,
situaţie în care procesul de reacţie negativă ar fi întrerupt. Mai mult decât atât, pentru
ca semnalul de ieşire să prezinte distorsiuni neglijabile este necesar ca amplificarea
primului etaj să fie suficient de mare corespunzător tuturor valorilor momentane ale
semnalului de intrare.
Cerinţele enumerate sunt, de regulă, satisfăcute în practică. Dacă circuitul din
fig. 2 este un amplificator de joasă frecvenţă, spre exemplu, atunci:
- Primul etaj, reprezentând preamplificatorul, funcţionează la semnal mic (deci nu
intră în limitare) şi are o amplificare mare (prin urmare va reduce prin procesul de
reacţie negativă distorsiunile neliniare);
- Cel de al doilea etaj (etajul final) al amplificatorului, introduce distorsiuni
neliniare (echivalate prin tensiunea up2 ) fără a intra însă în limitare.
2.3 GENERALITĂŢI DESPRE AMPLIFICATORUL OPERAŢIONAL
Amplificatoarele operaţionale (AO) sunt circuite integrate care conţin în

interior mai multe etaje, în mod tipic, la intrare, un amplificator diferenţial urmat de un
preamplificator şi un etaj de ieşire, de exemplu în contratimp cu tranzistoare
complementare. Ele pot fi aproximate prin următoarea schemă echivalentă (fig. 3) în
care Ri reprezintă rezistenţa echivalentă de intrare, AU0 amplificarea de tensiune şi Ro
rezistenţă echivalentă de ieşire. Intrarea “+” se numeşte neinversoare iar cea “-“
inversoare datorită nedefazării respectiv defazării semnalului aplicat la aceste borne.
+
Ro Uo
Ui Ri
AU0Ui
Fig. 3. Schema echivalentă a unui AO.

AO ideal este caracterizat prin rezistenţă diferenţială de intrare infinită, curent

de polarizare (intrare) nul, diferenţa de potenţial dintre intrări nulă, rezistenţă de ieşire
nulă şi amplificare de tensiune infinită. AO real se apropie de modelul ideal (a se
consulta foaia de catalog pentru AO LM741 prezentată în anexe pentru valorile
parametrilor electrici).
În continuare se vor prezenta trei circuite elementare cu AO, acestea fiind
folosite şi în cadrul schemei aferente lucrării practice.
• Repetorul cu AO
Este caracterizat de amplificarea în tensiune strict unitară (spre deosebire de
repetorul pe emitor la care este uşor subunitară). Modul de conectare este prezentat în
fig. 4. Se utilizează datorită rezistenţei de intrare foarte mare.
-
+ Uo
Ui
Fig. 4. AO repetor.
• Amplificatorul inversor
Valoarea amplificării cu reacţie (fig. 5a)) este:
Rr
Aur = − (3)
R1
şi se deduce simplu deoarece potenţialele intrărilor “+” şi “-‘ sunt egale cu 0V.
Rezistenţa de intrare văzută de sursa Ui este aproximativ R1 (n x 10KΩ).
Rr Rr
R1 R1
0V - Uo
- Uo
Ui 0V + +
Ui R2 = R1 || Rr
RL
R2 = Rr || R1 RL
Fig. 5
a) AO inversor b) AO neinversor
• Amplificatorul neinversor
Valoarea amplificării cu reacţie (fig. 5b)) este:
Rr
Aur = 1 + (4)
R1
Rezistenţa de intrare văzută de sursa Ui este foarte mare (n x 10MΩ) datorită reacţiei
negative de tip paralel-serie.
3.1 Analizaţi rolul componentelor din schema propusă (fig. 6) pentru experimentarea
efectului reacţiei negative asupra perturbaţiilor. Cum sunt introduse acestea în circuit ?
Dred
TR
Bp Bcc
5V VA+
D1N4001
VAMPL = 220Vac
FREQ = 50Hz RS V+
Cf 2K2
22µF
V-
-5V
VA-
Bo V+
Bi
R5
R2 3K16
6K2
V+
Q1
BD135/PLP
U1 7
Rg
v1 V+ R4 D1
3 5
+
D1N4148
600Ω v2 v3
6
OUT
Vg R1
649Ω RL
2 1
- V- 115Ω
VAMPL = 100mV 649Ω D2
FREQ = 1KHz D1N4148
4
R3 LM741
3KΩ BD136/PLP
Q2
V-
Al R6
Rr
3K16
Ar
3KΩ
Ag
V-
Fig. 6. Schema pentru studiul efectului reacţiei negative asupra perturbaţiilor.

3.2 Se realizează legătura Ar-Al, adică se foloseşte o reacţie negativă locală. Se

oscilografiază v1, v2 şi v3 şi se explică forma acestor tensiuni pentru cazurile:
a) Bp-Bi (semnalul perturbator aplicat la intrare), Bcc-Bo (ieşire alimentată la +5V);
b) Bp-Bo (semnalul perturbator aplicat înspre ieşire), Bcc-Bi. Desprindeţi din analiza
semnalului de pe sarcină efectul reacţiei negative locale asupra perturbaţiilor.
3.3 Se realizează legătura Ar-Ag, adică se foloseşte o reacţie negativă globală. Se
oscilografiază v1, v2 şi v3 şi se explică forma acestor tensiuni pentru cazurile:
a) Bp-Bi (semnalul perturbator aplicat la intrare), Bo-Bcc (ieşire alimentată la +5V);
b) Bp-Bo (semnalul perturbator aplicat înspre ieşire), Bcc-Bi. Desprindeţi din analiza
semnalului de pe sarcină efectul reacţiei negative globale asupra perturbaţiilor.
Fig. 7. Formele de undă la ieşirea amplificatorului corespunzătoare cazurilor 3.2 a) şi b). Se constată că
indiferent unde este aplicat semnalul perturbator, aceste perturbaţii vor fi regăsite pe sarcina
amplificatorului.
Fig. 8 a) Formele de undă pentru cazul 3.3 a). Fig. 8 b) Formele de undă pentru cazul 3.3 b).
Se constată în primul caz că deşi e folosită reacţia negativă globală. deoarece perturbaţia e suprapusă
peste tensiunea de la intrare, tensiunea de pe sarcină e perturbată. În cazul în care semnalul perturbator
este aplicat înspre ieşirea amplificatorului, mecanismul reacţiei negative anulează efectul acestuia şi deci
tensiunea la ieşire va fi neperturbată.
3.4 Pentru studiul efectului reacţiei negative asupra distorsiunilor neliniare se

consideră schema din fig. 9. Explicaţi din ce este compusă schema şi cum sunt
introduse distorsiunile neliniare.
5V VA+ Ag
Ar
V+
Al V+
V- 4 V-
V- Q1
-5V VA-
2 1 BD135/PLP
-
R2
v3
C1 LM741 6
OUT
Rg v2
v1 V+ RL
3 5 470Ω
+ 7 BD136/PLP 100Ω
600Ω
U2 Q2
Vg 10µF R1
V+
VOFF = 0 2KΩ
VAMPL = 1V
FREQ = 1KHz V-
Fig. 9. Schema pentru studiul efectului reacţiei negative asupra distorsiunilor neliniare.
3.5 Se vor oscilografia tensiunile de la intrare (v1), de la ieşirea primului etaj (v2) şi de
la ieşirea amplificatorului (v3) în cazurile:
a) Ar-Al (reacţie negativă locală);
b) Ar-Ag (reacţie negativă globală).
Se vor explica formele de undă ale acestor tensiuni.
3.6 Evaluaţi pentru schema din fig. 9 - ambele cazuri, prin simulare SPICE,
distorsiunile semnalului de la ieşirea amplificatorului.
Fig. 10
a) Formele de undă pentru cazul 3.5 a). b) Formele de undă pentru cazul 3.5 b).
Se constată în primul caz existenţa unor distorsiuni neliniare în semnalul de la ieşirea
amplificatorului cauzate de lipsa diodelor de prepolarizare şi neeliminate de către reacţia negativă locală.
În al doilea caz, reacţia negativă globală reuşeşte să elimine distorsiunile neliniare prin generarea unui
semnal la intrarea etajului final ce compensează lipsa diodelor de prepolarizare.
a) b)
Fig. 11. a) Distorsiuni evidente ale semnalului pentru RN locală. b) O singură componentă
spectrală pentru cazul RN globală.
Aplicaţia nr. 17
STUDIUL EFECTULUI REACŢIEI NEGATIVE

ASUPRA CARACTERISTICII DE FRECVENŢĂ A
AMPLIFICATORULUI
Se urmăreşte studiul experimental al efectului reacţiei negative asupra

frecvenţelor limită inferioară şi limită superioară ale benzii de trecere a unui
amplificator. Se studiază apoi modificările survenite în caracteristica de frecvenţă a
amplificatorului, în situaţia în care funcţia de transfer a cuadripolului de reacţie
depinde de frecvenţă.
Pentru început se va lua în discuţie efectul reacţiei negative asupra comportării

amplificatorului la frecvenţe înalte. Se consideră, pentru a simplifica prezentarea, un
amplificator a cărui funcţie răspuns la frecvenţă are un singur pol:
A
A( jω ) = (1)
1 + jω Tî
Frecvenţa polului presupus este fî = 1/2πTî unde A reprezintă amplificarea în
buclă deschisă, la frecvenţe medii, pentru amplificatorul fără reacţie.
Dacă se va aplica o reacţie printr-un cuadripol a cărui funcţie de transfer β(jω)
să fie reală, funcţia răspuns în frecvenţă a amplificatorului cu reacţie va fi:
A( jω )
Ar ( jω ) = (2)
1 + β ⋅ A( jω )
Dacă în relaţia (2) se va introduce expresia comportării la frecvenţe înalte a
amplificatorului dată de rel. (1), se va obţine pentru Ar(jω):
A 1
Ar ( jω ) = ⋅ (3)
1 + βA 1 + jω Tî
1 + βA
Se constată că datorită aplicării reacţiei negative apare o micşorare a
amplificării la frecvenţe medii de 1+βA ori şi în acelaşi timp o creştere a frecvenţei
limită superioară a benzii de trecere de acelaşi 1+βA număr de ori, polul la înalte
considerat având acum frecvenţa corespunzătoare lui Tî/(1+βA) din rel. (3). Aceste
concluzii pot fi uşor evidenţiate şi pe baza diagramelor Bode aferente caracteristicilor
A(jω) şi Ar(jω) înfăţişate în fig. 1.
|A(jω)|
[dB]
|Ar(jω)|
|A(jω)|
A
-20 dB/dec
A |Ar(jω)|
1 + βA
log(ω/2π)
1 1
( 1+ β A )
2πTî 2πTî
Fig. 1. Efectul reacţiei negative asupra frecvenţei limită superioară.
Un efect asemănător cu cel prezentat anterior îl are reacţia negativă asupra

comportării amplificatorului la joasă frecvenţă. Pentru a demonstra acest efect, se
consideră funcţia răspuns în frecvenţă a amplificatorului, fără reacţie, la frecvenţe
joase:
jωT j
A( jω ) = A ⋅ (4)
1 + jωT j
Această formă a funcţiei răspuns în frecvenţă se datorează cuplajului capacitiv
al sursei de semnal la intrarea amplificatorului, aşa cum se prezintă în fig. 2.
Rg C A
Ri
vg Tj=(Rg+Ri)C
Fig. 2. Condensatorul de cuplaj generează o funcţie de transfer de genul celei prezentate în rel. (4).
Aplicarea reacţiei negative va transforma ec. (4) în:

A jωT j (1 + βA)
Ar ( jω ) = ⋅ (5)
1 + βA 1 + jωT j (1 + βA)
expresie ce relevă comportarea la joasă frecvenţă a amplificatorului cu reacţie. Şi de
Studiul efectului reacţiei negative asupra caract. de frecvenţă a amplificatorului 133
această dată, ca şi la frecvenţe înalte, se constată o scădere a amplificării la frecvenţe

medii de 1+βA ori, în timp ce frecvenţa limită inferioară de trecere este scăzută de
1+βA ori.
Pe lângă mecanismul de modificare a frecvenţelor limită prezentat anterior, în
cazul cuplării capacitive a sursei de semnal şi a sarcinii, apare, în plus, efectul
modificării, datorită reacţiei negative, rezistenţelor de intrare (Ri devine Rir) respectiv
de ieşire (Ro devine Ror), asupra frecvenţelor limită. Aceasta conduce, spre exemplu, la
o frecvenţă limită inferioară modificată, corespunzătoare constantei de timp
( )
T j = Rg + Rir ⋅ C . Asemănător se petrec lucrurile şi în cazul efectului reacţiei
negative asupra rezistenţei de ieşire.
Dacă factorul de reacţie β depinde de frecvenţă, concluziile stabilite mai sus
nu sunt în general valabile. Studiul comportării cu frecvenţa a amplificatorului cu
reacţie se face pe baza expresiei Ar(jω), determinată pentru cazul concret considerat.
Unele simplificări sunt totuşi posibile, neglijând unii termeni din expresia lui Ar(jω),
dependent de intervalul de frecvenţe avut în vedere la un moment dat.
Schema amplificatorului folosit pentru studiul efectul reacţiei negative asupra

caracteristicii de frecvenţă este prezentată în fig. 3.
VA=+25V
RB2 RC1 RE22

22KΩ 18KΩ 100Ω
B
RE21 A
8.2KΩ C2
A
1µF
C1 Q1
Rg
Q2
600Ω BC177
22µF BC107A
vg VOFF = 0V RB3
VAMPL = 10mV 110KΩ Ar A’r Rr Cr C3
FREQ = 10KHz
20KΩ
470µF 22µF
RB1 RE1 RC2 RL

3KΩ 2KΩ 2KΩ 5KΩ
Fig. 3. Circuit pentru studiul efectului reacţiei negative asupra caracteristicii de frecvenţă.
3.1 Comentaţi structura şi rolul componentelor schemei din fig. 3.

3.2 Se determină teoretic parametrii amplificatorului din fig. 3 pentru cazurile fără/cu
reacţie.
a) Analiza în curent continuu.
Schema echivalentă pentru regimul CC este prezentată în fig. 4.
Relaţiile ce permit calculul PSF-ului primului tranzistor sunt:
 R B1
 VA − U BE1
R B1 + R B 2
 I C1 = , U BE1 = 0,6V
 RB 2 (6)
RE1 +
 β

U CE1 = V A − I C1 ( RC1 + RE1 )
iar pentru Q2:
 I C1 RC1 + U BE 2
IC2 = , U BE 2 = −0,6V
 RE 21 + RE 22 (7)
U
 CE 2 = I C 2 ( RC 2 + RE 21 + RE 22 ) − V A
VA
RB2 RC1 RE22

22KΩ 18KΩ 100Ω
RE21
8.2KΩ
Q1
Q2
BC107A BC177
RB3
110KΩ
RB1 RE1 RC2

3KΩ 2KΩ 2KΩ
Fig. 4. Schema echivalentă pentru regimul CC.
b) Analiza în curent alternativ, cazul fără reacţie.

Pentru determinarea amplificării de tensiune se pleacă de la exprimarea
succesivă a tensiunii de ieşire în funcţie de tensiuni intermediare ale schemei, sfârşind
prin exprimarea uo în funcţie de ui:


uo = − g m 2 ub 'e 2 RC 2 || RL
  ub 'e 2  u 
− RC 2  g m1ub 'e1 +  = ub 'e 2 + RE 2  b 'e 2 + g m 2 ub 'e 2  (8)
  rb 'e 2   rb 'e 2 
  
ui = ub 'e1 +  ub 'e1 + g m1ub 'e1  RE1
  
 rb 'e1 
cu RE2 = 0 (C2 conectat în pct. A) sau RE2 = RE22 (C2 conectat în pct. B).
Ri Ro
ub'e1 ub'e2
Rg C1 C3
vg rb'e1 rb'e2 gm2ub'e2

gm1ub'e1 22u
ui RC1
RC2 RL uo
RB=RB1||RB2+RB3 RE1||Rr C2 RE2
Fig. 5. Schema echivalentă la semnal mic, cazul fără reacţie.
Din sistemul de ecuaţii (8) rezultă:

g m1rb 'e1 RC1 g m 2 rb 'e 2 RC 2 || RL
AU = ⋅ (9)
rb 'e1 + (1 + g m1rb 'e1 ) RE1 rb 'e 2 + (1 + g m 2 rb 'e 2 ) RE 2 + RC1
u 
ub 'e1 +  b 'e1 + g m1ub 'e1  RE1
Ri = RB ||  rb 'e1  = RB || (rb 'e1 + (1 + g m1ub 'e1 )RE1 ) (10)
ub 'e1
rb 'e1
Ro = RC 2 (11)
Prezenţa condensatoarelor C1, C2 şi C3 limitează banda de trecere a
amplificatorului la frecvenţe joase, după cum urmează:
1
f j 1= (12)
2πC1 ( Rg + Ri )
1
f j2= (13)
2πC 2 [( RE 21 + RE 22 ) || Rech ]
1
f j 3= (14)
2πC3 ( Ro + RL )
în care:
ub 'e 2
ub 'e 2 + RC1
rb 'e 2 rb 'e 2 + RC1
Rech U =0 = − = (15)
i ub 'e 2 1 + g m 2 rb 'e 2
+ g m 2ub 'e 2
rb 'e 2
Frecvenţa limită inferioară va fi suma acestor frecvenţe parţiale.
c) Analiza în curent alternativ, cazul cu reacţie.
În cazul existenţei scurtcircuitului între punctele Ar-A’r se porneşte de la
schema echivalentă a amplificatorului fără reacţie cu influenţa pasivă a circuitului de
reacţie inclusă. Se observă că tipul reacţiei este paralel-serie, deci schema echivalentă
se va obţine prin întreruperea buclei de la intrarea cuadripolului de reacţie respectiv
scurtcircuitarea bornelor la ieşirea acestuia (fig. 6).
Corespunzător frecvenţelor medii se obţin:
g m1rb 'e1 RC1 g r [ R || RL || ( RE1 + Rr )]

A'U = ⋅ m 2 b 'e 2 C 2 (16)
rb 'e1 + (1 + g m1rb 'e1 )( RE1 || Rr ) rb 'e 2 + (1 + g m 2 rb 'e 2 ) RE 2 + RC1
R' i = rb 'e1 + (1 + g m1ub 'e1 )( RE1 || Rr ) (17)
R' o = RC 2 || ( RE1 + Rr ) (18)
R’i
ub'e1 ub'e2 R’o
Rg C1 C3
vg rb'e1 rb'e2 gm2ub'e2

gm1ub'e1
u’i RC1
RE1+Rr RC2 RL u’o
RB=RB1||RB2+RB3 RE1||Rr C2 RE2
Fig. 6. Schema echivalentă la semnal mic, cazul cu reacţie.
Totodată, expresiile (12) - (14) devin acum:

1
f ' j 1= (19)
2πC1 [ Rg + ( R ' i || RB )]
1
f ' j 2 = f j2 = (20)
2πC 2 [( RE 21 + RE 22 ) || Rech ]
1
f ' j 3= (21)
2πC3 ( R 'o + RL )
Parametrii amplificatorului cu reacţie se determină conform teoriei reacţiei,
din parametrii aferenţi cazului fără reacţie, pe baza unor relaţii specifice fiecărui tip de
reacţie în parte:
U or A'U
AUr = = (22)
U ir 1 + β A'U
R *ir = R' i (1 + βA'U ) , Rir = RB || R *ir (23)
R'o
Ror = (24)
1 + βA'U
Deoarece condensatorii C1 şi C3 nu sunt incluşi în bucla de reacţie, frecvenţele
limită inferioară introduse de aceştia pentru cazul amplificatorului cu reacţie nu se
modifică faţă de cele menţionate în rel. (19) şi (21). Cr, datorită valorii mari, are un
efect neglijabil în comportamentul în frecvenţă al amplificatorului. Reacţia
influenţează însă polul introdus de C2, conţinut în bucla de reacţie, astfel:
f 'j2
f j2r = (24)
1 + βA'U
în care:
RE 1
β= (25)
R E 1 + Rr
reprezintă funcţia de transfer a cuadripolului de reacţie, neglijând efectul lui C4.
Frecvenţa limită inferioară pentru cazul amplificatorului cu reacţie va fi suma
frecvenţelor parţiale f’j1, f’jr2, f’j3.
3.3 Se determină experimental mărimile calculate anterior. Pentru una din modalităţile
de conectare a lui C2 (în pct. A sau B) se efectuează următoarele:
3.3.1 Se măsoară PSF-urile tranzistoarelor Q1 şi Q2. Curenţii de colector se determină
indirect, prin măsurarea căderilor de tensiune pe rezistenţe.
3.3.2 Pentru cazul fără reacţie (legătura Ar-A’r întreruptă):
Uo
a) Se determină, la frecvenţa de 10KHz, amplificarea de tensiune AU = .
Ui
Amplitudinea tensiunilor de intrare respectiv ieşire se măsoară cu osciloscopul (pentru
diminuarea erorilor se iau valorile vârf la vârf). Se va avea în vedere ca amplificatorul
să funcţioneze în regim liniar, adică amplitudinea tensiunii furnizate de generator să
fie reglată la o asemenea valoare încât tensiunea de la ieşirea amplificatorului să fie
sinusoidală, nedistorsionată.
b) Modificând frecvenţa generatorului se urmăreşte determinarea frecvenţelor limită
inferioară şi superioară. Se vor citi indicaţiile frecvenţei generatorului în momentele
când amplificarea scade, în domeniul frecvenţelor joase şi înalte, cu 3dB (echivalent,
de 2 ori) faţă de valoarea avută în domeniul frecvenţelor medii (10KHz). Pentru o
mai bună citire a valorii amplitudinii tensiunii de ieşire se recomandă suprimarea
baleiajului orizontal al osciloscopului.
c) Se determină banda amplificatorului, B = fî - fj şi se estimează valoarea produsului
amplificare-bandă, A·B.
3.3.3 Se reiau etapele punctului anterior pentru cazul amplificatorului cu reacţie.
3.4 Se evidenţiază prin simulare PSPICE mărimile determinate anterior prin calcul şi
experimental. Cu valorile obţinute la punctele 3.2 -3.4 se va completa tab.1.
IC1 IC2 UCE1 UCE2 AU fj fî AU·B AUr fjr fîr AUr·Br

Măsurat
Calculat
Simulat
Tab.1. Valori comparative obţinute prin calcul, experimental (prin măsurare directă) şi prin simulare
PSPICE, pentru circuitul din fig. 3.
25.00V
VA
1.001mA 856.9uA 1.789mA

RB2 RC1 24.82V RE22
22K 18K 100 25.00V
10.15V
2.986V
10.15V 1.789mA
B
9.576V RE21 A VA
8.2K C3
0V
A
1u
C1 Q1 869.8uA V2
Rg Q2 1.789mA 25Vdc
0V in 5.246uA 3.552V
0A BC107A BC177
0A
600
22u 1.750V -12.91uA 0V
VOFF = 0V -875.1uA 3.646mA
Vg
VAMPL = 10mV RB3 -1.776mA
FREQ = 1KHz 2.409V 110K Ar Ar Rr Cr C2
0V 0V
5.246uA 0A
20K out
470u 22u 0V
0.995mA 875.1uA 1.750V 1.776mA 0A

RB1 RE1 RC2 RL
3K 2K 2K 5K
1.750V
0V 0V
0V
Fig. 7. Analiza de curent continuu obţinută prin simulare PSPICE.
Fig. 8. Caracteristica amplificare-frecvenţă obţinută prin simulare PSPICE.

Caz fără reacţie, C2 conectat în pct. A.
Fig. 9. Caracteristica amplificare-frecvenţă obţinută prin simulare PSPICE.

Caz cu reacţie, C2 conectat în pct. A.
ANEXĂ
Program MATLAB pentru calculul amplificatorului
prezentat în Aplicaţia nr. 17
%@Catalin-Daniel Caleanu 2003
%L17
%============
clear all
clc
close all
%============
Rg=600;
C1=22e-6;
RB1=3e3;
RB2=22e3;
RB3=110e3;
RC1=18e3;
RE1=2e3;
Rr=22e3;
C4=470e-6;
RC2=2e3;
RE21=8.2e3;
RE22=100;
C2=1e-6;
C3=22e-6;
RL=5e3;
VA=25;
%============
fprintf('Regim CC:\n\n')
UBE1=0.65;
UBE2=-0.65;
IC1=(((VA*RB1)/(RB1+RB2))-UBE1)/(RE1+(RB3/175)); fprintf('IC1=%4.2fmA\n',IC1*1e3)
IC2=(IC1*RC1+UBE2)/(RE21+RE22); fprintf('IC2=%4.2fmA\n',IC2*1e3)
UCE1=VA-IC1*(RC1+RE1); fprintf('UCE1=%4.2fV\n',UCE1)
UCE2=IC2*(RE21+RE22+RC2)-VA; fprintf('UCE2=%4.2fV\n',UCE2)
%============
caz = 'A';
switch caz
case('A')
RE2=0;
fprintf('\nC2 conectat in pct A\n')
case('B')
RE2=RE22;
fprintf('\nC2 conectat in pct B\n')
end
%============
fprintf('\nRegim CA, fara reactie:\n\n')
rbe1=4e3;
rbe2=2e3;
gm1=40*IC1;
gm2=40*IC2;
AU1=(gm1*RC1*rbe1)/(rbe1+(1+gm1*rbe1)*RE1);
AU2=(gm2*rbe2*paralel(RC2,RL))/(rbe2+RE2*(1+gm2*rbe2)+RC1);
AU=AU1*AU2; fprintf('AU=%4.2f \n',AU)
RB=paralel(RB1, RB2)+RB3;
Ri=paralel(RB,rbe1+(1+gm1*rbe1)*RE1); fprintf('Ri=%4.2fK \n',Ri/1e3)
Ro=RC2; fprintf('Ro=%4.2fK \n',Ro/1e3)
fj1=1/(2*pi*C1*(Rg+Ri)); fprintf('fj1=%4.2fHz \n',fj1)
Rech2=(RC1+rbe2)/(1+rbe2*gm2);
fj2=1/(2*pi*C2*paralel(Rech2,RE22+RE21)); fprintf('fj2=%4.2fHz \n',fj2)
fj3=1/(2*pi*C3*(Ro+RL)); fprintf('fj3=%4.2fHz \n',fj3)
fj=fj1+fj2+fj3; fprintf('fj=%4.2fHz \n',fj)
%============
fprintf('\nRegim CA, cu reactie:\n\n')
Beta_reactie = RE1/(RE1+Rr); fprintf('Beta_reactie=%4.2f \n',Beta_reactie)
AU1prim=(gm1*RC1*rbe1)/(rbe1+(1+gm1*rbe1)*paralel(RE1,Rr));
AU2prim=(gm2*rbe2*paralel(paralel(RC2,RE1+Rr),RL))/(rbe2+RE2*(1+gm2*rbe2)+RC1);
AUprim=AU1prim*AU2prim; fprintf('AUprim=%4.2f \n',AUprim)
AUr=AUprim/(1+Beta_reactie*AUprim); fprintf('AUr=%4.2f \n',AUr)
Riprim=paralel(RB,rbe1+(1+gm1*rbe1)*paralel(RE1, Rr)); fprintf('Riprim=%4.2fK
\n',Riprim/1e3)
Roprim=paralel(RC2,RE1+Rr); fprintf('Roprim=%4.2fK \n',Roprim/1e3)
Rirstea=Riprim*(1+Beta_reactie*AUprim);
Rir=paralel(RB,Rirstea); fprintf('Rir=%4.2fK \n',Rir/1e3)
Ror=Roprim/(1+Beta_reactie*AUprim); fprintf('Ror=%4.2fK \n',Ror/1e3)
AUr=AUprim/(1+Beta_reactie*AUprim);
fjr1=1/(2*pi*C1*(Rg+paralel(Riprim,RB))); fprintf('fjr1=%4.2fHz \n',fjr1)
fjr2prim=1/(2*pi*C2*paralel(Rech2,RE22+RE21)); fprintf('fjr2prim=%4.2fHz \n',fjr2prim)
fjr2=fjr2prim/(1+Beta_reactie*AUprim); fprintf('fjr2=%4.2fHz \n',fjr2)
fjr3=1/(2*pi*C3*(Roprim+RL)); fprintf('fjr3=%4.2fHz \n',fjr3)
fjr=fjr1+fjr2+fjr3; fprintf('fjr=%4.2fHz \n',fjr)
Rezultatele rulării programului:
Regim CC:
IC1=0.89mA
IC2=1.86mA
UCE1=7.12V Regim CA, cu reactie:
UCE2=-5.84V
Beta_reactie=0.08
C2 conectat in pct A AUprim=96.37
AUr=10.67
Regim CA, fara reactie: Riprim=79.31K
AU=93.72 Roprim=1.85K
Ri=81.29K Rir=97.33K
Ro=2.00K Ror=0.20K
fj1=0.09Hz fjr1=0.15Hz
fj2=1211.58Hz fjr2prim=1211.58Hz
fj3=1.03Hz fjr2=134.15Hz
fj=1212.70Hz fjr3=1.06Hz
fjr=135.36Hz
Aplicaţia nr. 18
ANALIZA ŞI EXPERIMENTAREA UNUI

AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC CU REACŢIE
NEGATIVĂ PARALEL-SERIE
Se urmăreşte punerea în evidenţă, pe cale experimentală, a influenţei reacţiei

negative asupra principalilor parametrii ai unui amplificator: amplificare, rezistenţă de
intrare şi de ieşire, banda de trecere. Rezultatele experimentale vor fi comparate cu
mărimile corespunzătoare stabilite prin calcul sau obţinute prin simulare, urmând a se
trage concluzii privind erorile pe care le comportă metoda topologică de rezolvare a
amplificatoarelor cu reacţie negativă.
2. CONSIDERAŢII TEORETICE. CALCULUL PARAMETRILOR

AMPLIFICATORULUI CU REACŢIE
Amplificatorul utilizat pentru experimentări are schema electronică

reprezentată în fig. 1. Aceasta constă din două etaje de amplificare:
- unul este de tip diferenţial simetric, alcătuit din Q1, RC1 şi RE1 pe de-o parte şi
Q2, RC2 şi RE2 pe de altă parte, la care se mai adaugă RE.
- urmează un al doilea etaj de amplificare realizat cu un amplificator operaţional
(AO) de uz general de tip 741.
Semnalul de reacţie este prelevat de pe rezistenţa de sarcină prin intermediul

cuadripolului de reacţie format din Rr1 şi Rr2 şi C2. Întru-cât atât intrarea cuadripolul de
reacţie cât şi sarcina amplificatorului şi ieşirea amplificatorului de bază au borne
comune ieşirea AO şi masa, înseamnă că între ele există o conexiune de tip paralel.
Deoarece Rr2 este înseriată, prin Q2, cu intrarea „+” a AO, rezultă la intrarea
amplificatorului de bază o conexiune de tip serie, deci reacţia negativă pentru
amplificator este de tip paralel-serie (de tensiune-curent sau cu eşantionare în nod şi
comparare în buclă). C2 are valoare suficient de mare astfel încât influenţa sa, în
limitele benzii de trecere a amplificatorului, să fie neglijată.
VA+
15
V VA
+ RC1 RC2
VA+
9.1KΩ 9.1KΩ VA-
4
VA - Ror
15 VA 2
- - V C3
V
LM74 6 ou
OU t
1
3 T 22µF RL
R*ir + V
R’ir + 3KΩ
Q1 Q2 U1
C1 VA+
Rg 7
i
600Ω
n
BC107 BC107 10KΩ Rr1
Vg 22µF R1 B B Rr2
RE1 RE2
VOFF = 180KΩ 100Ω
VAMPL =
0 150Ω 150Ω
FREQ =
10mV
10KHz C2
220µF
RE
15KΩ
VA-
Fig. 1. Amplificator cu reacţie negativă paralel-serie.
a) Studiul circuitului în curent continuu.

În curent continuu, PSF-urile celor două tranzistoare sunt identice:
 −
− V A − U BE
I
 C R=
 1
+ R E 1 + 2 RE
 β
(1)

U CE = V A + − V A − − I C ( RC1 + RE1 + 2 RE )
b) Studiul circuitului în curent alternativ.
b1) Determinarea parametrilor de regim dinamic pentru amplificatorului cu
influenţa pasivă a cuadripolului de reacţie inclusă (fig. 2).
RoA
Ii Ro
Ri uo
Ui
Ri
R'g A0Ui
Rr1+Rr2
ub'e1 Rr1||Rr2
gm1ub'e1 gm2ub'e2 RL
ub'e2 RC2
v'g rb'e2
rb'e1 RC1
RE1 RE2
Fig. 2. Schema echivalentă a amplificatorului cu reacţie, cu influenţa pasivă a cuadripolului de reacţie

inclusă.
Analiza şi experim. unui amplif. de semnal mic cu reacţie negativă paralel-serie 143
S-au făcut următoarele notaţii:

R1
v ' g = vg , R ' g = Rg || R1 (2)
R1 + Rg
Pentru determinarea amplificării sunt necesare următoarele relaţii:
 R L || ( R r1 + R r 2 )
u o = AU 0 u i R || ( R + R ) + R
 L r1 r2 o
 Ui
u i = u RC 2 − u RC 1 = ( g m1u b 'e1 − I i ) RC 1 − ( g m 2 u b 'e 2 + I i ) RC 2 , I i = (3)
 Ri
 u b ' e1 ' u
 v ' g = ib1 ( R g + rb 'e1 ) + ie1 R E 1 = ( R g + rb 'e1 ) + ( b 'e1 + g m1u b 'e1 ) R E 1
'
 rb 'e1 rb 'e1
Deoarece etajul diferenţial este simetric, iE1 = | iE2 | şi deci ub’e1 = - ub’e2 şi deci
a doua relaţie a sistemului se poate rescrie astfel, ţinând cont şi de faptul că rezistenţa
de intrare a unui AO este foarte mare (sute de KΩ):
2 g m1ub 'e1 RC1
ui = ≅ 2 g m1ub 'e1 RC1 (4)
RC1 + RC 2
1+
Ri
Rezistenţele de intrare şi cea de ieşire pentru amplificatorul cu influenţa
pasivă a cuadripolului de reacţie inclusă sunt date de relaţiile:
RiA = R ' g + rb 'e1 + (1 + g m1rb 'e1 ) RE1 (5)
RoA = ( Rr1 + Rr 2 ) || Ro (6)
Cu notaţiile de mai sus, expresia finală a amplificării va fi:
RL || ( Rr1 + Rr 2 ) 2 g m1 RC1 r
AU = AU 0 ⋅ ⋅ b 'e1 (7)
RL || ( Rr1 + Rr 2 ) + Ro R + RC 2 RiA
1 + C1
Ri
Funcţia de transfer a cuadripolului de reacţie este:
Ur Rr 2
β= = (8)
Uo I r =0
Rr 1 + Rr 2
b2) Determinarea parametrilor amplificatorului cu iniţial, cu reacţie, pa baza
mărimilor omoloage obţinute la punctul anterior.
R1 AU
AU gr = ⋅ (9)
R1 + Rg 1 + βAU
Rir = RiA (1 + βAU ) , Rir = R ' g + R ' ir ⇒ Rir = R1 Rir
* '
(10)
RoA
Ror = , Au = AU (11)
1 + βAu RL →∞
În privinţa benzii de trecere a amplificatorului, aceasta este limitată inferior la:

1 1
f jr = +
(
2πC1 Rg + Rir
*
)
2πC3 (Ror + RL )
(12)
şi superior:
f îr = f î (1 + βAU ) (13)
cu fî reprezentând frecvenţa polului introdus de AO.
Observaţie: De subliniat importanţa toleranţelor reduse (de exemplu 1%) pentru Rr1,
Rr2. Este necesară folosirea unor rezistenţe precise în circuitul de reacţie negativă
deoarece de aceasta depinde valoarea exactă pentru amplificare. Se arată că eroarea
relativă în prescrierea amplificării este dată de formula:
1
εr = ⋅ 100 [%] (14)
βAU
3.1 Comentaţi structura şi rolul componentelor schemei din fig. 1.

3.2 Analizaţi teoretic (prin calcul), practic (experimental) şi prin simulare PSPICE:
- Comportarea circuitului în curent continuu. Se vor determina PSF-urile celor două
tranzistoare.
- Comportarea în regim dinamic. Se vor determina AUgr, R*ir, Ror, fjr, fîr.
3.3 Cu valorile astfel obţinute se va completa tab.1 şi se vor explica eventualele
diferenţe.
Regim C.C.
Teoretic Experimental Simulare
IC01
IC02
UCE01
UCE02
Regim C.A.
Teoretic Experimental Simulare
R*ir
Ror
AUgr
fjr
fîr
Tab. 1. Se va completa conform pct. 3.2.
Observaţii:
1. Pentru modelul AO se vor considera AU0 = 100·103, Ri = 100KΩ, Ro = 1KΩ,
fî = 10Hz şi pentru ambele tranzistoare acelaşi factor de amplificare în curent, de
valoare 200.
2. Pentru determinarea experimentală a rezistenţelor de intrare şi de ieşire pentru
amplificatorul cu reacţie se vor folosi schemele din fig. 3 respectiv fig. 4. Procedura de
determinarea este descrisă în cele ce urmează.
Considerând rezistenţa R scurtcircuitată (comutatorul în poziţia 1), poate fi
scrisă relaţia:
U o1 = AU U i1 = AU U g (14)
Pentru poziţia 2 a comutatorului K se obţine:
Rir
U o 2 = AU U i 2 = AU U g (15)
Rir + R
Din relaţiile (14) şi (15) rezultă:
uo1m R
= 1+ (16)
uo 2 m Rir
relaţie cu ajutorul căreia se calculează rezistenţa Rir, măsurându-se cu osciloscopul
amplitudinile uo1m şi uo2m. Se va avea, de asemenea, în vedere asigurarea regimului
liniar de funcţionare al amplificatorului.
2
1
Rg R
vg Ror
Rir uo
ug ui RL
AU0ui
Generator
de semnal Amplificator
Fig. 3. Schemă pentru determinarea experimentală a rezistenţei de intrare a amplificatorului cu reacţie.
Pentru determinarea rezistenţei de ieşire, cu un nivel constant al tensiunii

furnizate de generator, se măsoară cu osciloscopul amplitudinea uom a tensiunii de
ieşire, corespunzătoare celor două poziţii ale comutatorului. Astfel, se poate scrie:
uo 2 m R
= 1 + or (17)
uo1m RL
egalitate din care se poate calcula Ror, RL fiind cunoscută.
2
Rg VCC VCC
1
vg Ror
Rir RL
ui AU0ui uo
Generator
de semnal Amplificator
Fig. 4. Schemă pentru determinarea experimentală a rezistenţei de ieşire a amplificatorului cu reacţie.
15.00V
V+
15V
VA+
V+ RC1 RC2
2.597mA 464.5uA 464.4uA
0V V-
9.1K 9.1K U2
V-
4
2.599mA -1.667mA
15V VA- 83.74nA 2
V-
10.77V - C3
0V LM741 6 out
-15.00V OUT -1.711uA 0V
464.4uA 10.77V 3 22u
V+
84.38nA +
-308.0mV Q1 Q2 1.668mA -290.9mV RL
Rg C1 V+ 0A3K
0V 464.3uA
7
in 1.711uA
0A 600 1.711uA
-308.0mV
0V -308.0mV BC107B BC107B 10K Rr1 0V
0AVg 0V 22u R1 -947.9mV 466.1uA 1.711uA
-947.9mV Rr2
VOFF = 0 180K RE1 RE2 100
VAMPL = 10mV 150 150
FREQ = 10KHz 1.711uA 0A
C2
-1.018V 22u
0V
0V RE
15K
932.1uA
V-
Fig. 5. Analiza în C.C. rezultată din simularea PSPICE a circuitului din fig. 1.
Fig. 6. Determinarea amplificării şi a frecvenţelor limită prin simularea PSPICE a circuitului din fig. 1.
Fig. 7. Determinarea rezistenţei de intrare prin simularea PSPICE a circuitului din fig. 1.
Fig. 8. Determinarea rezistenţei de ieşire prin simularea PSPICE a circuitului din fig. 1.
ANEXĂ
Program MATLAB pentru calculul

amplificatorului prezentat în Aplicaţia nr. 18
%Catalin-Daniel Caleanu 2003
%L18
%============
clear all
clc
close all
%============
Rg=600;
C1=22e-6;
R1=180e3;
RC1=9.1e3;
RE1=150;
RC2=9.1e3;
RE2=150;
RE=15e3;
Rr1=10e3;
Rr2=100;
C2=220e-6;
C3=22e-6;
RL=3e3;
VAplus=15;
VAminus=-15;
hFE=200;
A0=100e3;
Ri=100e3;
Ro=1e3;
fi=10;
%============
fprintf('Regim CC:\n\n')
UBE=0.6;
IC1=(-VAminus-UBE)/((R1/hFE)+RE1+2*RE); IC2=IC1; fprintf('IC1=IC2=%4.2fmA\n',IC1*1e3)
UCE1=2*VAplus-IC1*(RC1+RE1+2*RE); fprintf('UCE1=UCE2=%4.2fV\n',UCE1)
%============
fprintf('\nRegim CA:\n')
gm1=40*IC1;
gm2=40*IC2;
rbe1=hFE/gm1;
rbe2=hFE/gm2;
Rprimg=paralel(Rg,R1);
%============
fprintf('\nParametrii fara reactie:\n\n')
RiA=Rprimg+rbe1+(1+gm1*rbe1)*RE1;fprintf('RiA=%4.2fK \n',RiA/1e3);
RoA=paralel(Ro,Rr1+Rr2);fprintf('RoA=%4.2fK \n',RoA/1e3);
t1=A0*(paralel(RL,Rr1+Rr2))/(Ro+paralel(RL,Rr1+Rr2));
t2=(2*gm1*RC1)/(1+(RC1+RC2)/Ri);
t3=rbe1/RiA;
AU=t1*t2*t3;fprintf('AU=%4.2e \n',AU)
Beta=Rr2/(Rr1+Rr2);fprintf('Beta=%4.2e \n',Beta)fprintf('\nParametrii cu reactie:\n\n')
Rir=RiA*(1+Beta*AU);
Rprimir=Rir-Rprimg;
Rsteair=paralel(R1,Rprimir);fprintf('R_stea_ir=%4.2fK \n',Rsteair/1e3);
Aumic=(A0*(Rr1+Rr2)/(Ro+Rr1+Rr2))*t2*t3;
Ror=RoA/(1+Beta*Aumic);fprintf('Ror=%4.2fohm \n',Ror);
Ar=(R1/(R1+Rg))*AU/(1+Beta*AU);fprintf('Ar=%4.2f \n',Ar)
fj1=1/(2*pi*C1*(Rg+Rsteair));
fj2=1/(2*pi*C3*(Ror+RL));
fjr=fj1+fj2;fprintf('fjr=%4.2fHz \n',fjr)
fir=fi*(1+Beta*AU);fprintf('fir=%4.2fKHz \n',fir/1e3)
În urma rulării programului MATLAB rezultă:
Regim CC: Parametrii fara reactie: Parametrii cu reactie:

IC1=IC2=0.46mA RiA=41.53K R_stea_ir=179.98K
UCE1=UCE2=11.80V RoA=0.91K Ror=0.01ohm
Regim CA: AU=5.18e+006 Ar=100.66
Beta=9.90e-003 fjr=2.45Hz
fir=512.59KHz
Aplicaţia nr. 19
COMPENSAREA UNUI AMPLIFICATOR CU

REACŢIE NEGATIVĂ
Vor fi studiate trei metode uzuale de compensare (corecţie) a

amplificatoarelor cu reacţie negativă:
- Compensarea cu pol dominant (cu întârziere de fază, „lag compensation”);
- Compensarea cu pol şi zero (cu avans - întârziere de fază, „lead-lag compensation”);
- Compensarea prin modificarea cuadripolului de reacţie (cu avans de fază, „lead
compensation”).
2.1 CRITERII DE STABILITATE
Funcţia de transfer a unui amplificator cu reacţie negativă exprimată în

complex este:
A( jω )
Ar ( jω ) = (1)
1 + β ( jω ) A( jω )
Dacă rădăcinile numitorului au partea reală negativă (polii Ar(jω) în
semiplanul stâng) sistemul este stabil. O altă modalitate ce permite evaluarea
stabilităţii este criteriul lui Nyquist: amplificatorul cu reacţie este stabil dacă
hodograful (graficul reprezentat în planul complex) lui W(jω) = A(jω)β(jω) NU
înconjoară punctul critic de coordonate (-1, 0) pentru ω∈( -∞, ∞).
Fie ω* frecvenţa pentru care arg(W(jω)) = π şi ωc frecvenţa pentru care
|W(jω)| = 1. O reformulare echivalentă a criteriului Nyquist este următoarea: dacă fc <
f* amplificatorul este stabil. Se definesc noţiunile:
- Rezerva de amplitudine (marginea de câştig): Ra = −20 lg(W ( jω * )) ;
- Rezerva (marginea) de fază Rϕ = π + arg(W ( jωc )) .
Pentru ca un sistem să fie stabil este necesar ca Ra > 0 şi Rφ > 0.
Ilustrarea grafică pentru cele de mai sus se observă în fig. 1.
Im(W(jω))
Ra
Rφ
Re(W(jω))
(-1, j0) ω*
sistem stabil
ωc
sistem instabil
Fig. 1. Ilustrarea criteriului lui Nyquist.
Stabilitatea unui sistem poate fi judecată şi pe baza reprezentării W(jω) cu

ajutorul diagramelor Bode (coordonate logaritmice). Spre exemplu, în fig. 2, sunt
reprezentate modulul (în decibeli) şi faza (în grade) numărului complex:
10 3
W ( jω ) = (2)
f f f
(1 + j 2 )(1 + j 5 )(1 + j 6 )
10 10 10
Diagramele Bode pot fi trasate „manual” cu uşurinţă, spre deosebire de
diagrama Nyquist. Trebuie ţinut cont de faptul că un pol introduce o cădere de
20db/dec în caracteristica modul-frecvenţă şi un defazaj de -90° (-π/2) pe parcursul a
două decade centrate în jurul polului, în caracteristica fază-frecvenţă.
Compensarea unui amplificator cu reacţie negativă 151
Ra
Rφ
Fig. 2. Reprezentarea cu ajutorul diagramelor Bode a modulului şi fazei W(jω) în funcţie de frecvenţă.
Se observă definirea fc pentru |W(jω)| = 1 sau, echivalent, în decibeli: 20lg(|W(jω)|) = 0. În acel
punct se calculează rezerva de fază, Rφ. Pentru acest caz concret ea este: -132° - (-180°) = 48°.
Se observă definirea f* pentru arg(W(jω)) = -180°. În acel punct se calculează rezerva de amplitudine, Rφ.
Pentru acest caz concret ea este 0 - (-21) = 21 dB.Se constată deci că sistemul descris de rel. (1) este
stabil.
2.2 COMPENSAREA AMPLIFICATORULUI CU REACŢIE

NEGATIVĂ
Compensarea constă în acele măsuri ce pot fi luate pentru ca un amplificator

cu reacţie negativă instabil să poată fi adus într-un regim de funcţionare stabil. Soluţia
constă în modificarea potrivită a caracteristicilor de frecvenţă ale amplificatorului fără
reacţie sau a cuadripolului de reacţie.
Se urmăreşte întârzierea variaţiei fazei faţă de căderea caracteristicii
amplitudine-frecvenţă astfel încât pentru un defazaj de 180o caracteristica
amplitudine-frecvenţă să fie negativă.
Există mai multe metode de compensare a unui amplificator cu reacţie. De
exemplu:
a) Compensare cu pol dominant (cu întârziere de fază):
1
AC ( jω ) = A( jω ) (3)
f
1+ j
fd
f d << min( f pk ) unde fpk sunt frecvenţele de pol pentru A(jω).
Se constată, aşa după cum arată denumirea metodei, introducerea unui pol în
funcţia răspuns la frecvenţă A(jω) a amplificatorului fără reacţie. Se obţine o cădere
suficient de rapidă a caracteristicii amplitudine-frecvenţă | Ac(jω)| pentru o variaţie
relativ mică a caracteristicii fază-frecvenţă arg(Ac(jω)), fapt ce conduce la o
comportare stabilă a amplificatorului cu reacţie (în buclă închisă).
Se poate arăta că între frecvenţă polului dominant şi frecvenţa critică există
relaţia:
Ar
fd = fc (4)
A0
în care Ar şi A0 reprezintă valoarea amplificării cu reacţie respectiv valoarea
amplificării în buclă deschisă, la frecvenţe medii.
În fig. 3 sunt prezentate două metode uzuale de realizare a compensării cu pol
dominant, ce constau în conectarea unei reţele RC de întârziere a fazei.
AO
AO
+
+ Rx
Ro
VCC
VCC
V1
-
Cc -
Cc
a) b)
Fig. 3. Circuite pentru compensarea cu pol dominant.
a) Compensarea cu condensator conectat la ieşire. b) Compensare internă.
Ca şi avantaj al soluţiei poate fi menţionat cel legat de simplitatea realizării ei

practice; dezavantajul major este legat de limitarea drastică a benzii amplificatorului.
b) Cu pol şi zero (cu avans - întârziere modificată de fază):
f
1+ j
fz
AC ( jω ) = A( jω ) (5)
f
1+ j
fp
f z = ( f pk ) min , f p << f pk - rămaşi după eliminarea lui (fpk)min

Diferă de metoda precedentă de corecţie prin aceea că presupune, pe lângă
introducerea unui pol dominant şi a unui zero.
În fig. 4 sunt prezentate două modalităţi de realizare practică a compensării cu
pol şi zero.
R3
AO
AO
+
Rx R2
VCC +
Rc
- Rc Cc
-
Cc
R2||R3
a) b)
Fig. 4. Circuite pentru compensarea cu pol şi zero.
a) Compensarea cu condensator şi rezistenţă conectate extern şi rezistenţă internă.
b) Compensare cu reţea conectată în circuitul de intrare.
Frecvenţele introduse de reţelele de compensare sunt, pentru schema din fig.

4a):
1 1
fz = , fp = (6)
2πRc C c 2π ( Rc + R x )C c
şi pentru fig.4b):
1 R2 + R3
fz = , fp = (7)
2πRc C c 2π ( R2 R3 + R2 Rc + R2 R p + R3 Rc + R3 R p )Cc
cu R p = R2 || R3 .
Comparativ cu metoda de compensare cu întârziere de fază, această metodă
permite obţinerea în aceleaşi condiţii a unei benzi de trecere mai largi, fd rezultând de
această dată de valoare mai ridicată.
c) Compensare cu ajutorul circuitului de reacţie (cu avans de fază). De exemplu,
forma funcţiei de transfer corectate pentru cuadripolul de reacţie poate fi:
 f 
β C ( jω ) = β 0 1 + j  (8)
 f z 
Se schimbă configuraţia cuadripolului de reacţie, dependent şi de tipul
acesteia. Avantajul este obţinerea unei frecvenţe limită superioară mult mai mare ca la
metodele prezentate anterior. Modalităţi de implementare interne şi externe al acestui
tip de corecţie sunt prezentate în fig. 4. Dezavantajul metodei constă în aceea că la

stabilirea rezervelor de fază şi amplitudine apar dificultăţi din cauza faptului că
frecvenţele fz şi fp nu sunt independente:
1 1 f R + Rr
fz = , fp = ⇒ p = ≅ Ar (9)
2πRr Cc 2π ( Rr || R )C c fz R
Cc
AO
Rr
+
R
Rx
-
VCC
-
+ AO
Cc
Fig. 5. Circuite pentru compensarea cu avans de fază.
3.1 Se consideră circuitul din fig. 6 pentru care se cunosc următorii parametrii:
2 ⋅ 10 3
A1: AU 1 = , Ri1 = 10 MΩ, Ro1 = 10Ω , A2: AU 2 = 1, Ri 2 = 10 MΩ,
f 2
(1 + j 5 )
10
Ro 2 = 10Ω .
Vg + R1 A2
+
- A1
1KΩ
C1
-
R2
50KΩ Uor
R3
1KΩ
Fig. 6. Circuit cu compensare cu pol dominant, buclă închisă.

Pentru cazurile C1 = 160nF şi 16nF să se efectueze analiza SPICE în timp şi în

frecvenţă.
Se vor vizualiza tensiunea de la ieşirea circuitului, pentru analiza în timp, respectiv
modulul (exprimat în decibeli) şi faza (exprimată în grade) amplificării circuitului cu
reacţie.
Observaţii:
1. La declararea amplificatoarelor A1 şi A2 se va folosi declaraţia .SUBCKT
necesară definirii unui subcircuit:
.SUBCKT <nume> [nod]* - Reprezintă începutul unei definiţii de subcircuit. Această

definiţie se încheie cu declaraţia .ENDS.
<nume> este numele subcircuitului. Acesta trebuie să înceapă cu o literă.
[nod] reprezintă o listă opţională de noduri (pini). Numărul de noduri din
cadrul unui apel de subcircuit trebuie să coincidă cu numărul nodurilor din definiţia
subcircuitului.
Exemplu: Definim modelul unui amplificator, constituit dintr-o rezistenţă de intrare

conectată între pinii 1 şi 2, şi la ieşire, o sursă de tensiune controlată de tensiunea
dintre intrări plus rezistenţa de ieşire:
.SUBCKT Amplif_operational 1 2 3
* Terminale IN+ IN- OUT
Rintrare 1 2 10Meg
E 4 0 1 2 1e5
Riesire 4 3 10
ENDS.
Care este dezavantajul unui astfel de model pentru un amplificator? Găsiţi o

modalitate de limitare a tensiunii de ieşirea amplificatorului la valoarea aproximativ
egală cu ±VA.
2. Pentru Vg definită în domeniul timp se va alege forma unui impus

dreptunghiular, cu următorii parametrii: valoare iniţială a tensiunii 0V, valoare finală
1mV, întârziere 0s, timp de ridicare = timp de coborâre = 10ns, durata impulsului
100µs, perioada 200µs.
Ce fel de sisteme generează cele două valori ale condensatorului C1 ?
Să se compare valoarea amplificării cu reacţie calculată cu cea obţinută
experimental.
a) b)
Fig. 7. Analiza în domeniul timp pentru amplificatorul din fig. 6.
a) Pentru C1=160nF, tensiunea de ieşire a circuitului arată un sistem stabil.
b) Pentru C1=16nF, tensiunea de ieşire a circuitului arată un sistem instabil.
Fig. 8. Analiza în domeniul frecvenţă pentru amplificatorul din fig. 6. Se desprind aceleaşi concluzii ca şi
cele ce rezultă pe baza figurii anterioare.
3.2 Pentru cazul amplificatorului cu bucla deschisă (fig. 9) să se efectueze analiza în

frecvenţă. Pentru cazurile C1 =160nF şi 16nF să se reprezinte în diagrame Nyquist
funcţia W(jω) = A(jω)β(jω), analizându-se stabilitatea celor două sisteme. Pentru
cazurile precizate mai sus să se determine rezervele de amplitudine şi fază prin
prezentarea în coordonate logaritmice a funcţiei complexe W(jω).
3.3 Calculaţi frecvenţa polului introdus de reţeaua de corecţie şi comparaţi-o cu
valoarea obţinută din simulare.
A1
+ R1 A2
Vg
+
- C1
- R2
Uo R3
R3 R2
Fig. 8. Circuit cu compensare cu pol dominant, buclă deschisă.

a) b)
Fig. 9. Amplificarea (câştigul) pe buclă reprezentată în diagrame Nyquist.
a) Pentru C1=160nF, se observă un sistem stabil.
b) Pentru C1=16nF, se observă un sistem instabil.
a) b)
Fig. 9. Amplificarea (câştigul) pe buclă reprezentată în diagrame Bode.
a) Pentru C1=160nF, se observă un sistem stabil deoarece există Ra > 0 şi Rφ > 0.
b) Pentru C1=16nF, se observă un sistem instabil deoarece există Ra < 0 şi Rφ < 0.
*L19
*Compensare cu pol dominant, bucla inchisa
Vg 1 0 AC 1mV PULSE(0, 1mV, 0, 10n, 10n, 100u, 200u)
X1 1 2 3 10 20 opamp1
Rl 3 4 1K
C1 4 0 {valoare}
X2 4 0 5 10 20 opamp2
VA+ 10 0 15V
VA- 20 0 -15V
*bucla inchisa
R2 2 5 50K
R3 2 0 1K
* pentru bucla deschisa se comenteaza cele doua linii de mai sus

* si se sterge comentariul urmatoarelor patru linii
*R2o 2 0 50K
*R3o 2 0 1K
*R2i 5 6 50K
*R3i 6 0 1K
.SUBCKT opamp1 1 2 3 4 5
*Terminale in+ in- out VA+ VA-
Ri 1 2 10MEG
Ro 10 3 10
*forma eleganta de scriere poate fi folosita

*doar pt. Pspice >=6.0.
*.func numitor(s) {1+(1/(2*3.14*1e5))*s}
*E1 10 0 LAPLACE {V(1)-V(2)} = {2e3/(PWR(numitor(s),2))}
*pt Pspice 5
E1 10 0 LAPLACE {V(1)-V(2)} =
{2e3/((1+(1/(2*3.14*1e5))*s)*(1+(1/(2*3.14*1e5))*s))}
D1 6 4 DMOD
D2 5 7 DMOD
VC 6 3 0.7
VE 3 7 0.7
.MODEL DMOD D RS=1
.ENDS
.SUBCKT opamp2 1 2 3 4 5
*Terminale in+ in- out
Ri 1 2 10MEG
Ro 10 3 10
E1 10 0 1 2 1
D1 6 4 DMOD
D2 5 7 DMOD
VC 6 3 0.7
VE 3 7 0.7
.MODEL DMOD D RS=1
.ENDS
.PARAM valoare=160nf
.STEP PARAM valoare LIST 16nF 160nf
.ac dec 100 1 10MEG
.TRAN 0.1m 0.4m 0 1u
.probe
.end
Aplicaţia nr. 20
STUDIUL ŞI EXPERIMENTAREA UNUI

OSCILATOR RC CU REŢEA WIEN
Se urmăreşte evidenţierea particularităţilor privind funcţionarea unui oscilator

armonic cu o buclă de reacţie pozitivă realizată cu o reţea Wien şi reglare automată a
amplificării dependent de amplitudinea oscilaţiilor.
Schema bloc a oscilatorului (fig. 1) include un amplificator cu reacţie negativă

(A, R1, R2), reţeaua Wien (R3, R’3, C1, C’1) şi un circuit de reglare automată a
amplificării dependent de amplitudinea oscilaţiilor (RAA). Se va analiza, pentru
început, funcţionarea oscilatorului neglijând prezenţa circuitului RAA.
Fig. 1. Schema bloc a unui oscilator Wien cu reglaj automat al amplificării.
Funcţia răspuns la frecvenţă a reţelei Wien este de forma:

Ur 1
β= = '
(1)
Uo R C 1
1 + 3' + + j (ωR3C1' −
1
)
R3 C1 ωR3' C1
astfel că pentru frecvenţa:
ω0 1
f0 = = (2)
2π 2π R3 R3' C1C1'
defazajul ϕβ introdus de reţea este nul iar valoarea corespunzătoare a transferului în

tensiune este dată de expresia:
1
β ω =ω = (3)
o R C'
1 + 3' + 1
R3 C1
Deoarece reţeaua este conectată între ieşirea şi borna de intrare „+” a
amplificatorului, puncte între care defazajul ϕA introdus de amplificator este nul şi prin
urmare este îndeplinită condiţia de fază:
ϕA + ϕB = 0 (4)
rezultă că pot apărea oscilaţii cu frecvenţa f0 dacă este satisfăcută şi condiţia de
amplitudine:
Aur β =1 (5)
ω =ω0
Pentru determinarea amplificării cu reacţie Aur se va avea în vedere că
influenţa pasivă a cuadripolului de reacţie (rezistenţele R1 şi R2 introduc o reacţie
paralel-serie) poate fi neglijată atât la intrarea cuadripolului (datorită conectării la o
intrare diferită de intrarea de semnal), cât şi la ieşire (ca urmare a rezistenţei de ieşire
reduse a amplificatorului utilizat). În aceste condiţii:
Au 1
Aur = ≅ (6)
1 + β ' Au β '
În egalităţile de mai sus, Au reprezintă amplificarea de tensiune a
amplificatorului A, presupusă de valoare mare (ca ordin de mărime, de exemplu,
103…106) iar β’ semnifică factorul de reacţie al circuitului de reacţie negativă.
Determinându-se β’ conform regulii cunoscute, se obţine:
R1
β'= (7)
R1 + R2
şi prin urmare:
R2
Aur ≅ 1 + (8)
R1
Fig. 2. Schema cuadripolului de reacţie negativă.

Studiul şi experimentarea unui oscilator RC cu reţea Wien 163
Se subliniază că în relaţiile de mai sus, Au şi β’ sunt mărimi reale.

Pentru a stabili expresia finală a condiţiei de amplitudine se va ţine seama de
faptul că în general dar şi în cazul de faţă, elementele reţelei Wien se aleg de valori
egale: R3 = R’3 = R şi C1 = C’1 = C. Cu această precizare:
1
β ω =ω = (9)
0 3
iar condiţia de amplitudine devine:
R2 R
1+ = 3⇒ 2 = 2 (10)
R1 R1
Totodată, în cazul particular considerat, frecvenţa de oscilaţie se determină conform
expresiei:
ω0 1
f0 = = (11)
2π 2πRC
Este important de observat că în cazul oscilatorului cu reţea Wien, spre
deosebire de oscilatoarele RC cu reţea de defazare, frecvenţa de oscilaţie este
determinată atât de condiţia de fază, cât şi de condiţia de amplitudine. Pentru
justificare se are în vedere reprezentarea caracteristicilor de frecvenţă ale reţelei Wien,
dată în figură:
Fig. 3. La oscilatorul Wien, f0 este determinată simultan de condiţiile de amplitudine şi fază.
Se constată uşor că pentru frecvenţa de oscilaţie f0, atenuarea reţelei este

minimă, putând fi astfel compensată de amplificator; dimpotrivă, pentru orice
frecvenţă diferită de f0, atenuarea reţelei este mai mare decât amplificarea, neputând
apărea, deci, oscilaţii cu frecvenţele respective.
În cele prezentate până aici s-a considerat că reţeaua Wien are funcţia răspuns
la frecvenţă dată de rel. (1), stabilită în situaţia că rezistenţa de ieşire a amplificatorului
R0, respectiv rezistenţa lui de intrare Ri, satisfac condiţiile: Ro << R3 şi Ri >> R’3.
Pentru un calcul exact, se vor înlocui în expresiile stabilite rezistenţele R3, R’3 cu Ro +
R3, respectiv R’3 || Ri. Frecvenţa de oscilaţie f0 se obţine, în aceste condiţii, sub forma:
ω0 1
f0 = = (12)
2π 2πC ( R3 + Ro )( R3' || Ri )
Se va observa, în fine, că dacă defazajul introdus de amplificator este diferit
de zero, frecvenţa de oscilaţie suferă o deviaţie faţă de valoarea dată de rel. (12).
Oscilaţiile vor apărea pe o frecvenţă f*0, pentru care defazajul ϕ*β, introdus de reţeaua
Wien, satisface condiţia:
ϕ A + ϕ *β = 0 (13)
3. CIRCUITUL DE REGLARE A AMPLIFICĂRII DEPENDENT DE

AMPLITUDINEA OSCILAŢIILOR
Satisfacerea riguroasă a condiţiei de amplitudine (5) este practic imposibilă, ca

urmare a modificării amplificării respectiv atenuării introduse de circuitul de reacţie,
determinată de factorii de influenţă externă. Pentru o amorsare sigură a oscilaţiilor, se
asigură prin proiectare ca |Aur||β|ω=ωo > 1. În această situaţie, pe durata regimului
tranzitoriu de la conectare, amplitudinea oscilaţiilor tinde să crească, până când
amplificatorul intră în limitare. Apariţia stării de limitare echivalentă cu scăderea
amplificării, până la o valoare pentru care este satisfăcută egalitatea (5). Funcţionarea
oscilatorului în aceste condiţii este stabilită, dar prezintă dezavantajul unor distorsiuni
neliniare mari ale tensiunii generate.
Dezavantajul evidenţiat mai sus poate fi evitat modificând amplificarea
dependent de amplitudinea oscilaţiilor. Dacă această dependenţă este potrivit aleasă,
satisfacerea egalităţii (5) are loc prin scăderea amplificării ca urmare a circuitului de
reglare automată şi nu prin intrarea în limitare, astfel că distorsiunile vor fi neglijabile.
VCC
D1
J1
U'r VCC
C2 Rd
Uo
Fig. 4. Circuit pentru reglarea automată a amplificării (RAA).
Schema unui circuit de reglare automată a amplificării funcţie de amplitudinea

oscilaţiilor este reprezentată în fig. 4, cu rezistenţa drenă-sursă a unui tranzistor TEC-J
comandat pe grilă cu o tensiune continuă de valoare aproximativ egală cu
amplitudinea oscilaţiilor.
Dacă tensiunea drenă-sursă satisface condiţia uds ≤ uG - UP, UP reprezentând
tensiunea de prag a tranzistorului, rezistenţa drenă-sursă variază cu tensiunea de grilă
uG conform relaţiei:
ro UP
rds = , rds = , uG < U P (14)
uG 2 I DSS
1−
UP
Se observă uşor că la creşterea amplitudinii oscilaţiilor rds se măreşte, fapt ce
determină – aşa cum este necesar – micşorarea amplificării.
Pentru obţinerea tensiunii de grilă uG se utilizează un detector de vârf ( Rd, Cd
şi dioda D) comandat cu tensiunea de la ieşirea oscilatorului. Dacă este satisfăcută
condiţia RdCd >> To, To fiind perioada oscilaţiilor, tensiunea poate fi aproximată cu
relaţia:
uG = uom - 0,6 [V] (15)
4.1 Se va studia funcţionarea oscilatorului pe baza schemei electronice din fig. 5, prin
analogie cu schema bloc prezentată la începutul lucrării (fig. 1).
4.2 Considerând hFE de valoare foarte mare şi UBE = 0,6V pentru tranzistoarele din
schemă, vor fi calculate PSF ale acestora şi potenţialul bornei de ieşire. Se
deconectează bucla de reacţie pozitivă (K3 deschis) şi se verifică experimental
mărimile calculate.
4.3 Cu K2 închis - K1 deschis, se conectează bucla de reacţie pozitivă (K3 închis) şi
prin modificarea amplificării, cu ajutorul potenţiometrului RP, se urmăreşte obţinerea
oscilaţiilor la ieşire. Se va observa dependenţa formei tensiunii generate de valoarea
reglată a amplificării.
RP
2.2KΩ VA+=15V
RC1
D2 Q4
14KΩ BSX45-10
R2
115Ω
BZ-071
K3
BC107A BC107A R3 C1
Q1 Q2
R'3 6.8KΩ 10nF

Uo
B C 6.8KΩ
K1 K2
C'3
RE11 RE21 10nF RE2
115Ω 115Ω 820Ω
J1 R1
B' C'
1KΩ
RE12 RE22
115Ω 115Ω
BFW10/PLP
RE
14KΩ
D1
VA-=-15V
C2 Rd D1N4148
0,63µF 100KΩ
Fig. 5. Schema electronică de detaliu pentru un oscilator Wien cu RAA.
4.4 În condiţiile specificate la punctul precedent, se va urmări influenţa scurtcircuitării

rezistenţelor RE11, RE21 asupra funcţionării oscilatorului. Se vor explica rezultatele
obţinute.
4.5 Cu valorile date în catalog pentru parametrii IDSS, UP să se determine valoarea
necesară a rezistenţei introduse de potenţiometrul RP, astfel încât amplitudinea
oscilaţiei la ieşire să fie de 1V. Se verifică experimental mărimea calculată,
oscilografiind tensiunea la ieşirea oscilatorului în situaţia în care în locul rezistenţei R1
este conectat circuitul de reglare automată a amplificării. Rezistenţele RE11, RE21 vor fi
scurtcircuitate.
4.6 Se va modifica defazajul ϕA introdus de amplificator, prin conectarea între
colectorul tranzistorului Q1 şi masă a unei capacităţi C = 1,1nF. Se va măsura noua
valoare f*0 a frecvenţei de oscilaţie.
4.7 Estimaţi distorsiunile oscilaţiilor.
4.8 Se vor relua punctele anterioare prin simulare PSPICE a circuitului.
**** OPERATING POINT INFORMATION TEMPERATURE = 27.000 DEG C
**** DIODES
NAME D_D2
MODEL BZ-071
ID -1.34E-04
VD -6.96E+00
REQ 2.14E+02
CAP 6.76E-10
**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
NAME Q_Q1 Q_Q2 Q_Q4
MODEL BC107A BC107A BSX45-10
IB 2.74E-06 3.58E-06 1.34E-04
IC 4.12E-04 5.95E-04 1.77E-02
VBE 6.40E-01 6.48E-01 6.80E-01
VBC -7.43E+00 -1.50E+01 -1.46E+01
VCE 8.07E+00 1.57E+01 1.53E+01
Tab. 1. Analiza de curent continuu a circuitului (pct. 4.2).
Fig. 6. Deoarece prin proiectarea circuitului se asigură iniţial |Aur||β|ω=ωo > 1, oscilaţiile tind să crească în
amplitudine.
Fig. 7. Scăderea amplificării se face, dacă nu există circuitul RAA, pe seama tăierii semnalului de ieşire.
2.0V
0V
-2.0V
18.0ms 18.4ms 18.8ms 19.2ms 19.6ms 20.0ms
V(RP:1) V(C2:2)
Time
Fig. 8. Forma tensiunii la ieşirea oscilatorului este foarte apropiată de cea sinusoidală, în cazul în care
RAA este folosită, deoarece scăderea amplificării se face automat, dependent de amplitudinea oscilaţiilor.
Se observă şi forma tensiunii de grilă, dacă detectorul de vârf este corect dimensionat.
Fig. 9. Analiza Fourier a oscilaţiei sinusoidale, cu bucla RAA conectată.
FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V(N02189)

1 2.000E+03 1.376E+00 1.000E+00 5.709E+01 0.000E+00

2 4.000E+03 4.261E-01 3.096E-01 -1.471E+02 -2.613E+02
3 6.000E+03 6.865E-02 4.989E-02 -1.397E+02 -3.109E+02
4 8.000E+03 9.838E-02 7.149E-02 -1.332E+02 -3.616E+02
5 1.000E+04 4.590E-02 3.336E-02 -1.678E+02 -4.533E+02
6 1.200E+04 5.760E-02 4.186E-02 -1.422E+02 -4.847E+02
7 1.400E+04 3.600E-02 2.616E-02 -1.622E+02 -5.619E+02
8 1.600E+04 3.877E-02 2.817E-02 -1.456E+02 -6.023E+02
9 1.800E+04 2.945E-02 2.140E-02 -1.590E+02 -6.728E+02
TOTAL HARMONIC DISTORTION = 3.290569E+01 PERCENT
Tab. 2. Valoarea componentelor spectrale ale tensiunii de ieşire, cu RAA conectată.

Anexa 1
CODUL CULORILOR PENTRU REZISTENŢE
cod cu 4 bare
CULOARE BANDA 1 BANDA 2 BANDA 3 MULTIPLICATOR TOLERANŢĂ
Negru
Maro
Roşu
Portocaliu
Galben
Verde
Albastru
Violet
Gri
Alb
Auriu
Argintiu
cod cu 5 bare
Anexa 2
VALORI STANDARD
Valori standard 1%
Multiplii decadici disponibili de la 10.0 Ω până la 1.00 MΩ
(de asemenea 1.10 MΩ, 1.20 MΩ, 1.30 MΩ, 1.50 MΩ, 1.60 MΩ, 1.80 MΩ, 2.00 MΩ şi 2.20 MΩ)
10.0 10.2 10.5 10.7 11.0 11.3 11.5 11.8 12.1 12.4 12.7 13.0
13.3 13.7 14.0 14.3 14.7 15.0 15.4 15.8 16.2 16.5 16.9 17.4
17.8 18.2 18.7 19.1 19.6 20.0 20.5 21.0 21.5 22.1 22.6 23.2
23.7 24.3 24.9 25.5 26.1 26.7 27.4 28.0 28.7 29.4 30.1 30.9
31.6 32.4 33.2 34.0 34.8 35.7 36.5 37.4 38.3 39.2 40.2 41.2
42.2 43.2 44.2 45.3 46.4 47.5 48.7 49.9 51.1 52.3 53.6 54.9
56.2 57.6 59.0 60.4 61.9 63.4 64.9 66.5 68.1 69.8 71.5 73.2
75.0 76.8 78.7 80.6 82.5 84.5 86.6 88.7 90.9 93.1 95.3 97.6
Valori standard 5%
Multiplii decadici disponibili de la 10 Ω până la 22 MΩ
10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30
33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 82 91
Valori standard 10%

Multiplii decadici disponibili de la 10 Ω până la 1 MΩ
10 12 15 18 22 27 33 39 47 56 68 82
Bibliografie
[1] Robert T. Paynter, Introductory Electronic Devices and Circuits, Fifth Edition,
Prentice Hall, 2001.
[2] M. H. Miller, Introductory Electronics Course Notes, The University of Michigan-
Dearborn, 2000.
[3] Paul R. Gray, Robert G. Meyer, Circuite integrate analogice. Analiză şi
proiectare, Ed. Tehnică, Buc., 1999.
[4] Iosif Hoffman, Dispozitive şi Circuite Electronice, IPTVT, 1984.
[5] T.L. Floyd, Electronic Devices, 5th Ed., Prentice Hall, 1996.
[6] Andrei Vladimirescu, SPICE, Ed. Tehnică, Buc., 1999.
[7] Virgil Tiponuţ, Mircea Ciugudean, Aurel Filip, Dispozitive şi Circuite Electronice.
Îndrumător de lucrări de laborator, IPTVT, 1989.
[8] Mircea Ciugudean, Circuite Integrate Analogice, UPT, 1995.
[9] R.C. Dorf, J.A. Svoboda, Introduction to Electric Circuits, 5th Ed., Wiley, 2000.
[10] Anca Manolescu şi colectiv, Circuite integrate liniare, Ed. Didactică şi
pedagogică, Buc., 1983.
[11] Th. Dănilă, N. Reus, V. Boiciu, Dispozitive şi Circuite Electronice, Ed. Didactică
şi pedagogică, Buc., 1982.
[12] J.W. Nilsson and S.A. Riedel, Using Computer Tools for Electric Circuits, 5th
Ed., Addison Wesley, 1996.
[13] Voloşencu Constantin, Analiza circuitelor cu programul SPICE, Ed.
Electronistul, Timişoara, 1994.
[14] Paul W. Tuinenga, SPICE: A Guide to Circuit Simulation and Analysis Using
PSPICE, Prentice Hall International, Inc., 3rd Edition, 1995.
[15] Matthew R. James, Electronic Circuits & Devices. Lecture Notes, Department of
Engineering, Australian National University, 2002.
[16] S.G. Burns and P.R. Bond, Principles of Electronic Circuits, 2nd Ed., PWS
Publishing, 1996.
[17] Cadence Design System, OrCAD 9.2 Online Manuals and Quick Reference
Cards, www.orcad.com.

CD Caleanu DCE Experimente Si Simulare

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

CD Caleanu DCE Experimente Si Simulare

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Cătălin-Daniel Căleanu

DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE ELECTRONICE

DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE ELECTRONICE

Descrierea CIP a Bibliotecii Naţionale

DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE ELECTRONICE

Consilier editorial: Prof.dr.ing. Sabin IONEL

Cartea îşi propune să ofere în primul rând studenţilor Facultăţii de Electronică

Scopul aplicaţiei îl constituie studiul funcţionării şi utilizării principalelor

Este un aparat destinat măsurării mai multor mărimi electrice, în principal

Fig.1. Multimetru digital HM 8011-3.

• Asiguraţi-vă că domeniul selectat şi bornele aparatului la care sunt legate

Este un aparat destinat generării unui semnal periodic, de amplitudine, offset,

Fig. 2. Generatorul de semnal HM 8030-5.

Fig. 3. Exemple de semnale periodice care pot fi generate cu un generator de semnal.

4. SURSA DE TENSIUNE CONTINUĂ

Este destinată alimentării cu tensiune continuă, stabilizată, a montajelor

Poate fi utilizată ca sursă de tensiune diferenţială ±20V dacă se leagă dacă se

Fig. 4. Sursa de tensiune continuă HM-8040-2.

Osciloscopul este un aparat destinat vizualizării şi aprecierii calitative şi

- toate butoanele se comută pe poziţia în afară („out”);

Fig. 5. Osciloscop HM 303-6.

Fig. 6. Semnal dreptunghiular vizualizat pe ecranul osciloscopului.

d) Măsurarea defazajului şi a raportului de frecvenţe dintre două semnale.

Diferenţa de fază 0 45 90 135 180

Fig. 7. Figuri Lissajous pentru diverse rapoarte de frecvenţă şi defazaje.

6.1 Se vor identifica elementele de reglaj şi de comandă ale sursei de tensiune

6.3 Se urmăreşte prescrierea unei tensiuni de 1V la bornele rezistorului -

CARACTERISTICILE STATICE ŞI PARAMETRI

Se va ridica caracteristica statică curent-tensiune pentru diverse tipuri de diode

2.1 ECUAŢIA DIODEI

În fig. 1 se prezintă caracteristica statică curent-tensiune pentru o joncţiune pn

5 0,2 0,4 0,8 UD [V]

Fig. 1. Caracteristica statică pentru o joncţiune pn.

a) Zona de conducţie directă, corespunzătoare polarizării directe a joncţiunii,

2.2 REZISTENŢA DIFERENŢIALĂ

Derivând în raport cu uD rel. (1) se obţine:

3.1 MĂSURAREA CARACTERISTICII STATICE

În fig. 2 se prezintă circuitul utilizat la ridicarea caracteristicii statice. Dioda

Fig. 2. Circuit pentru ridicarea caracteristicii statice curent-tensiune pentru o diodă.

Curentul prin diodă (iD) se calculează cu relaţia:

Observaţie: a) Obţinerea valorilor impuse pentru UD este posibilă prin reglarea

UD [V] -1 -2 -3 -4 -4,1 -4.2 -4,3 -4,4 -4,5 -4,6 -4,7

3.2 MĂSURAREA REZISTENŢEI DIFERENŢIALE

Schema circuitului utilizat pentru măsurarea rezistenţei diferenţiale este

Fig. 3. Circuit pentru determinarea practică a rezistenţei dinamice a unei diode.

Măsurătorile încep prin stabilirea unui punct static de funcţionare pentru

În aceste condiţii, pe baza formulei divizorului de tensiune, se poate scrie

3.3 SIMULAREA PSPICE A CIRCUITELOR

Se urmăreşte ridicarea caracteristicilor statice pentru diodele redresoare, de

* caracteristica statica a diodei semiconductoare

Se va determina prin simulare rezistenţa dinamică a unei diode.

*rezistenta dinamica pentru o dioda semiconductoare

Fig. 7. Rezistenţa dinamică a diodei determinată prin simulare PSpice.

CIRCUITE CU DIODE ŞI MODELAREA LOR

Se urmăreşte familiarizarea cu rezolvarea unor probleme de circuite cu diode.

Caracteristica curent-tensiune a unei diode, dată de relaţia (1) din lucrarea

VCC VCC VCC

VCC VCC VCC

Fig. 1 a) Diodă în conducţie b) Diodă blocată c) Diodă Zener

Folosind aceste scheme, circuitele cu diode se analizează sau proiectează cu

2.1 LIMITATOR ASIMETRIC CU DIODĂ

Schema circuitului se prezintă în fig. 2. În funcţie de valoarea tensiunii de

pentru dioda blocată şi

Fig. 2. Limitator asimetric cu diodă.