Sunteți pe pagina 1din 10

Lucrarea 2

Tranzistorul bipolar

1 Scopul lucrării
Se studiază modul static de funct, ionare al tranzistorului bipolar prin ridicarea carac-
teristicilor specifice acesui dispozitiv.

2 Considerat, ii teoretice
Un tranzistor bipolar constă din două regiuni semiconductoare cu acelas, i tip de con-
ductivitate numite emitor s, i colector separate de o zonă subt, ire de conductivitate de tip
opus numită bază. Criteriile fundamentale pe care le îndeplines, te un tranzistor sunt:

a) emitorul este mult mai puternic dopat decât baza (curentul prin jonct, iunea emi-
torului trebuie să fie determinat de purtătorii majoritari ai emitorului injectat, i în
bază, inject, ia de purtători majoritari ai bazei în emitor trebuie sa fie neglijabilă)

b) regiunea bazei este fizic subt, ire, mai mică decât lungimea de difuzie (purtătorii
injectat, i în bază o traversează fără a suferi procese de recombinare majore)

c) zona colectorului este fizic mai largă decât cea a emitorului (ajută la colectarea
curentului injectat de emitor)

d) colectorul este slab dopat fat, ă de bază

Relat, iile care guvernează funct, ionarea unui tranzistor bipolar sunt prezentate în conti-
nuare.
Curentul de emitor este cel corespunzător unei jonct, iuni pn polarizate direct:
µ U ¶
BE
IE = I0 · e UT
−1 (1)

Curentul bazei este o mică fract, ie din curentul de emitor:

I B = (1 − α) · I E (2)

Curentul de colector este proport, ional cu curentul de emitor:

IC = α · I E (3)

1
a b

Figura 1: (a) Structura s, i (b) simbolul din schemă pentru un tranzistor bipolar de tip
npn.

Mărimea adimensională α, denumită coeficient de transfer de curent între emitor s, i co-


lector, are valori tipice mai mari ca 0,9 uzual peste 0,99. Cele 3 relat, ii anterioare pentru
curent, i verifică conservarea curentului în nodul de ret, ea reprezentat de tranzistor.

I E = I B + IC (4)

respectiv,
α
IC = · I B = βI B (5)
1−α
unde β este factorul de amplificare în curent al tranzistorului cu valori cuprinse între
valori unitare s, i valori de ordinul sutelor.
Structura s, i simbolul unui tranzistor de tipul npn sunt date în figura 1 a s, i b. În funct, ie
de modul în care sunt polarizate cele două jonct, iuni, un tranzistor bipolar se poate afla
în următoarele regimuri de funct, ionare:

a) regimul normal, pentru care jonct, iunea emitor-bază este polarizată direct, jonct, iunea
colector-bază este polarizată invers (Figura 1 a). În acest regim se obt, ine cea mai
mare amplificare. Sensurile de circulat, ie ale curent, ilor sunt indicate în figura 1.

b) regimul invers în care jonct, iunile sunt polarizate invers fat, ă de cazul anterior

c) regimul de blocare în care ambele jonct, iuni sunt polarizate invers. În acest caz
tranzistorul este blocat (prin el nu circulă curent).

d) regimul de saturat, ie în care cele două jonct, iuni sunt polarizate direct. Cea mai
mare parte a aplicat, ilor folosesc tranzistorul bipolar în regimul normal de funct, ionare.

2
a b

Figura 2: (a) Caracteristica de intrare s, i (b) caracteristica de ies, ire pentru un tranzistor
bipolar de tip npn.

De asemenea în funct, ie de terminalul comun intrării s, i ies, irii, un tranzistor se


poate afla în următoarele tipuri de conexiune: emitor comun, colector comun
sau bază comună.

2.1 Conexiunea emitor comun


În cazul conexiunii emitor comun, alegând ca mărimi de intrare I B s, i UB E , iar ca mărimi
de ies, ire IC s, i UC E se definesc următoarele familii de caracteristici:
1. Caracteristica de intrare I B = f (UB E ) pentru UC E constant

2. Caracteristica de ies, ire IC = f (UC E ) la I B constant

3. Caracteristica de transfer IC = f (I B ) la UC E constant


Pentru un tranzistor npn aceste caracteristici sunt date în figura 2

2.2 Conexiunea bază comună


În cazul conexiunii bază comună, alegând ca mărimi de intrare IC s, i UC B , iar ca mărimi
de ies, ire I E s, i UE B se definesc următoarele familii de caracteristici:
1. Caracteristica de intrare IC = f (UC B ) pentru UE B constant

2. Caracteristica de ies, ire I E = f (UE B ) la IC constant

3. Caracteristica de transfer I E = f (IC ) la UC B constant


Pentru un tranzistor npn aceste caracteristici sunt date în figura 3

3
a b

Figura 3: (a) Caracteristica de intrare s, i (b) caracteristica de ies, ire pentru un tranzistor
bipolar de tip npn.

2.3 Conexiunea colector comun


În cazul conexiunii bază comună, alegând ca mărimi de intrare I B s, i UBC , iar ca mărimi
de ies, ire I E s, i UC E se definesc următoarele familii de caracteristici:
1. Caracteristica de intrare I B = f (UBC ) pentru UC E constant

2. Caracteristica de ies, ire I E = f (UC E ) la I B constant

3. Caracteristica de transfer I E = f (I B ) la UC E constant


Pentru un tranzistor npn aceste caracteristici sunt date în figura 4 Indiferent de tipul
tranzistorului, în planul caracteristicilor de ies, ire se disting trei regiuni de lucru:

• regiunea de saturat, ie care se află în extremitatea stângă a caracteristicilor de ies, ire

• regiunea de blocare care se află sub caracteristica I B = 0

• regiunea activă normală de lucru care se află între cele două regiuni de blocare s, i
saturat, ie

3 Modul de lucru
3.1 Caracteristica de intrare
Se realizează montajul din figura 5 pentru determinarea caracteristicilor de intrare ale
tranzistorului în conexiunea EC. Pentru caracteristica de intrare se modifică valoarea

4
a b

Figura 4: (a) Caracteristica de intrare s, i (b) caracteristica de ies, ire pentru un tranzistor
bipolar de tip npn.

Figura 5: Montaj experimental pentru ridicarea caracteristicilor unui tranzistor bipolar


de tip npn în conexiune emitor comun.

5
sursei E B , pentru a ajusta curentul prin bază. Valoarea tensiunii colector-emitor este
fixată la o valoare dată. Se cites, te tensiunea UB E . Datele se trec într-un tabel (1). Se
repetă experimentul pentru diferite valori ale teniunii UC E . Pentru fiecare experiment
se vor construi tabele separate. Se vor efectua cel put, in 10 măsurători. Se trasează grafic

Tabela 1: Date experimentale pentru ridicarea caracteristicii de intrare pentru tranzis-


torul npn în conexiune emitor comun.

Nr. EB IB UBE
1
2
3
... ... ... ...

dependent, a curent-tensiune (I B în funct, ie de UB E ) pentru diferite valori ale tensiunii


UC E .

3.2 Caracteristica de ies, ire


Se realizează montajul din figura 5 pentru determinarea caracteristicilor de ies, ire ale
tranzistorului în conexiunea EC. Pentru caracteristica de ies, ire se modifică valoarea sur-
sei EC , pentru a ajusta căderea de teniune între colector s, i emitor, curentul prin bază
fiind stabilit cu ajutorul sursei E B . Se cites, te tensiunea UC E s, i curent, ii IC , respectiv I B .
Datele se trec într-un tabel (2). Se repetă experimentul pentru diferite valori ale teniunii
UC E . Pentru fiecare experiment se vor construi tabele separate. Se vor efectua cel put, in

Tabela 2: Date experimentale pentru ridicarea caracteristicii de ies, ire pentru tranzisto-
rul npn în conexiune emitor comun.

Nr. EC IC UCE
1
2
3
... ... ... ...

6
10 măsurători. Se trasează grafic dependent, a curent-tensiune (IC în funct, ie de UC E )
pentru diferite valori ale tensiunii UC E .

3.3 Caracteristica de transfer


Se poate ridica folosind datele din măsurătorilor anterioare. În acest scop, se va con-
strui un tabel ce va cont, ine valorile curent, ilor IC , respectiv I B , măsurate la diferite va-
lori ale tensiunii UC E (3) repetând de fapt experimentul pentru ridicarea caracteristicii
de intrare, dar măsurând pe lângă curentul prin bază s, i curentul prin colector. Se re-
petă experimentul pentru diferite valori ale teniunii UC E . Pentru fiecare experiment se
vor construi tabele separate. Se vor efectua cel put, in 10 măsurători. Se trasează gra-

Tabela 3: Date experimentale pentru ridicarea caracteristicii de ies, ire pentru tranzisto-
rul npn în conexiune emitor comun.

Nr. IB IC
1
2
3
... ... ...

fic dependent, a curent-tensiune (IC în funct, ie de I B ) pentru diferite valori ale tensiunii
UC E .

4 Modelare s, i simulare
Vom construi un model pentru simulatorul QUCS, pentru a ridica caracteristicile de
intrare, respectiv de ies, ire ale unui tranzistor npn, în montaj emitor comun.

4.1 Caracteristica de intrare


Pentru a ridica caracteristica de intrare vom construi în simulatorul QUCS, un montaj
ce cont, ine o sursă de curent în baza tranzistorului, o sursă de tensiune în colector, res-
pectiv o rezistent, ă în bază. Caracteristica de intrare necesită construct, ia dependent, ei
I B = f (UB E ) pentru UC E constant. Pentru a realiza acest experiment vom adăuga o si-
mulare de tip Sweep Parameter pentru a modifica curentul în bază (SW1, cu evolut, ia

7
Figura 6: Ridicarea caracteristicilor de intrare pentru tranzistor bipolar de tip npn
(BC547) în conexiune emitor comun.

valorilor de tip liniar), respectiv SW2 pentru a modifica teniunea colector emitor (va-
lori de tip listă). În figura 6 este prezentat acest montaj s, i rezultatul obt, inut în urma
simulării.

4.2 Caracteristica de ies, ire


Pentru a ridica caracteristica de ies, ire vom construi în simulatorul QUCS, un montaj ce
cont, ine o sursă de curent în baza tranzistorului, o sursă de tensiune în colector, res-
pectiv o rezistent, ă în bază. Caracteristica de ies, ire necesită construct, ia dependent, ei
IC = f (UC E ) la I B constant. Pentru a realiza acest experiment vom modifica simulările
SW astfel, SW2 cu evolut, ia valorilor de tip liniar pentru UC E , respectiv SW1 cu valori
de tip listă pentru curentul în bază. În figura 7 este prezentat acest montaj s, i rezultatul
obt, inut în urma simulării.

4.3 Caracteristica de transfer


Pentru a ridica caracteristica de transfer vom construi în simulatorul QUCS, un montaj
ce cont, ine o sursă de curent în baza tranzistorului, o sursă de tensiune în colector, res-
pectiv o rezistent, ă în bază. Caracteristica de transfer necesită construct, ia dependent, ei
IC = f (I B ) la UC E constant. Pentru a realiza acest experiment vom reveni la simularea
din cazul caracteristicii de intrare, pentru a avea o simulare în funct, ie de curentul în
bază (SW1 - liniar), pentru diferite valori ale tensiunii în colector (SW2). În figura 8 este
prezentat acest montaj s, i rezultatul obt, inut în urma simulării.

8
Figura 7: Ridicarea caracteristicilor de ies, ire pentru tranzistor bipolar de tip npn
(BC547) în conexiune emitor comun.

Figura 8: Ridicarea caracteristicilor de transfer pentru tranzistor bipolar de tip npn


(BC547) în conexiune emitor comun.

9
5 Concluzii
Referatul lucrării de laborator va cont, ine schemele montajelor utilizate, tabelele cu va-
lorile determinate experimental, graficele caracteristicilor ridicate: intrare, ies, ire s, i trans-
fer, pentru conexiunea emitor comun a unui tranzistor bipolar npn. În final se trag
concluzii legate de comportamentul dispozitivului în cele trei situat, ii, legând evolut, ia
datelor experimentale de teorie.

10

S-ar putea să vă placă și