Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Tranzistorul bipolar
1 Scopul lucrării
Se studiază modul static de funct, ionare al tranzistorului bipolar prin ridicarea carac-
teristicilor specifice acesui dispozitiv.
2 Considerat, ii teoretice
Un tranzistor bipolar constă din două regiuni semiconductoare cu acelas, i tip de con-
ductivitate numite emitor s, i colector separate de o zonă subt, ire de conductivitate de tip
opus numită bază. Criteriile fundamentale pe care le îndeplines, te un tranzistor sunt:
a) emitorul este mult mai puternic dopat decât baza (curentul prin jonct, iunea emi-
torului trebuie să fie determinat de purtătorii majoritari ai emitorului injectat, i în
bază, inject, ia de purtători majoritari ai bazei în emitor trebuie sa fie neglijabilă)
b) regiunea bazei este fizic subt, ire, mai mică decât lungimea de difuzie (purtătorii
injectat, i în bază o traversează fără a suferi procese de recombinare majore)
c) zona colectorului este fizic mai largă decât cea a emitorului (ajută la colectarea
curentului injectat de emitor)
Relat, iile care guvernează funct, ionarea unui tranzistor bipolar sunt prezentate în conti-
nuare.
Curentul de emitor este cel corespunzător unei jonct, iuni pn polarizate direct:
µ U ¶
BE
IE = I0 · e UT
−1 (1)
I B = (1 − α) · I E (2)
IC = α · I E (3)
1
a b
Figura 1: (a) Structura s, i (b) simbolul din schemă pentru un tranzistor bipolar de tip
npn.
I E = I B + IC (4)
respectiv,
α
IC = · I B = βI B (5)
1−α
unde β este factorul de amplificare în curent al tranzistorului cu valori cuprinse între
valori unitare s, i valori de ordinul sutelor.
Structura s, i simbolul unui tranzistor de tipul npn sunt date în figura 1 a s, i b. În funct, ie
de modul în care sunt polarizate cele două jonct, iuni, un tranzistor bipolar se poate afla
în următoarele regimuri de funct, ionare:
a) regimul normal, pentru care jonct, iunea emitor-bază este polarizată direct, jonct, iunea
colector-bază este polarizată invers (Figura 1 a). În acest regim se obt, ine cea mai
mare amplificare. Sensurile de circulat, ie ale curent, ilor sunt indicate în figura 1.
b) regimul invers în care jonct, iunile sunt polarizate invers fat, ă de cazul anterior
c) regimul de blocare în care ambele jonct, iuni sunt polarizate invers. În acest caz
tranzistorul este blocat (prin el nu circulă curent).
d) regimul de saturat, ie în care cele două jonct, iuni sunt polarizate direct. Cea mai
mare parte a aplicat, ilor folosesc tranzistorul bipolar în regimul normal de funct, ionare.
2
a b
Figura 2: (a) Caracteristica de intrare s, i (b) caracteristica de ies, ire pentru un tranzistor
bipolar de tip npn.
3
a b
Figura 3: (a) Caracteristica de intrare s, i (b) caracteristica de ies, ire pentru un tranzistor
bipolar de tip npn.
• regiunea activă normală de lucru care se află între cele două regiuni de blocare s, i
saturat, ie
3 Modul de lucru
3.1 Caracteristica de intrare
Se realizează montajul din figura 5 pentru determinarea caracteristicilor de intrare ale
tranzistorului în conexiunea EC. Pentru caracteristica de intrare se modifică valoarea
4
a b
Figura 4: (a) Caracteristica de intrare s, i (b) caracteristica de ies, ire pentru un tranzistor
bipolar de tip npn.
5
sursei E B , pentru a ajusta curentul prin bază. Valoarea tensiunii colector-emitor este
fixată la o valoare dată. Se cites, te tensiunea UB E . Datele se trec într-un tabel (1). Se
repetă experimentul pentru diferite valori ale teniunii UC E . Pentru fiecare experiment
se vor construi tabele separate. Se vor efectua cel put, in 10 măsurători. Se trasează grafic
Nr. EB IB UBE
1
2
3
... ... ... ...
Tabela 2: Date experimentale pentru ridicarea caracteristicii de ies, ire pentru tranzisto-
rul npn în conexiune emitor comun.
Nr. EC IC UCE
1
2
3
... ... ... ...
6
10 măsurători. Se trasează grafic dependent, a curent-tensiune (IC în funct, ie de UC E )
pentru diferite valori ale tensiunii UC E .
Tabela 3: Date experimentale pentru ridicarea caracteristicii de ies, ire pentru tranzisto-
rul npn în conexiune emitor comun.
Nr. IB IC
1
2
3
... ... ...
fic dependent, a curent-tensiune (IC în funct, ie de I B ) pentru diferite valori ale tensiunii
UC E .
4 Modelare s, i simulare
Vom construi un model pentru simulatorul QUCS, pentru a ridica caracteristicile de
intrare, respectiv de ies, ire ale unui tranzistor npn, în montaj emitor comun.
7
Figura 6: Ridicarea caracteristicilor de intrare pentru tranzistor bipolar de tip npn
(BC547) în conexiune emitor comun.
valorilor de tip liniar), respectiv SW2 pentru a modifica teniunea colector emitor (va-
lori de tip listă). În figura 6 este prezentat acest montaj s, i rezultatul obt, inut în urma
simulării.
8
Figura 7: Ridicarea caracteristicilor de ies, ire pentru tranzistor bipolar de tip npn
(BC547) în conexiune emitor comun.
9
5 Concluzii
Referatul lucrării de laborator va cont, ine schemele montajelor utilizate, tabelele cu va-
lorile determinate experimental, graficele caracteristicilor ridicate: intrare, ies, ire s, i trans-
fer, pentru conexiunea emitor comun a unui tranzistor bipolar npn. În final se trag
concluzii legate de comportamentul dispozitivului în cele trei situat, ii, legând evolut, ia
datelor experimentale de teorie.
10