Lab 1.

Caracteristicile dispozitivelor
electronice
1. Obiective
Studierea dependenței current-tensiune pentru rezistori și diode. Se vor folosi diferite
tipuri de diode.

2. Noțiuni teoretice
Dependența current-tensiune pentru un dispozitiv electronic poate să fie liniară
(dispozitive liniare pentru care este valabilă legea lui Ohm) sau neliniară (dispozitive neliniare).
În cadrul acestei lucrări se studiază doar dispozitivele cu două terminale (rezistori și
diode).
Rezistorii sunt dispositive liniare, astfel că se poate scrie:

 1 (
I  U
R

unde I este curentul ce trece prin resistor, R valoarea rezistenței și U tensiunea la bornele
rezistorului.
În cazul diodei dependența current-tensiune este una neliniară fiind prezentată în Fig. 1.
Ecuația ce caracterizează diode ideală este:

  qU D  (
I D  I S  e NkT  1 
 

unde ID este curentul prin diodă, IS reprezintă curentul de saturație (~10-12A), q sarcina
electronului (1.6‧10-19C), UD tensiunea aplicată la bornele diodei, N factorul de idealitate sau
coeficientul de emisie (ideal 1, real între 1 și 2), k este constanta lui Boltzmann (1.38‧10-23) iar
T este temperatura joncțiunii exprimată în K. Raportul q/KT descrie tensiunea produsă în
joncţiunea p-n datorită acţiunii temperaturii - tensiunea termică, Vt. La temperatura camerei,
această tensiune este de aproximativ 26 mV
 Fig. 1 Caracteristica diodei

Din Fig.1 se poate observă că dacă dioda este polarizată direct (adică dacă potenţialul
electric al anodului este mai mare decât potenţialul electric al catodului), aceasta funcţionează
în conducţie directă. Dacă diferenţa de potenţial dintre anod şi catod este mai mică decât
valoarea de prag notată UD, (care pentru diodele semiconductoare din siliciu este de aproximativ
0,6÷0,7V), curentul prin diodă este foarte mic putând fi considerat zero. La apropierea tensiunii
applicate diodei de valoarea de prag UD, curentul prin aceasta începe să crească exponenţial.
Trebuie avut în vedere ca puterea disipată pe diodă, datorită creșterii exponențiale a curentului,
să nu depășească valoare specificată de producător pentru a nu o distruge termic.
La ploarizare inversă (adică dacă potenţialul electric al anodului este inferior potențialului
catodului) curentul prin diodă este foarte mic, aproximativ egal cu IS. La atingerea unei valori
de prag notată cu VBR numită tensiune de străpungere, dioda semiconductoare se străpunge, iar
curentul electric prin ea creşte brusc şi necontrolat, existând pericolul distrugerii diodei
respective.
Dioda Zener (în1934 Zener a sugerat un mecanism de strapungere electrică) este o diodă
specială având rol de stabilizator de tensiune (menținerea tensiunii cvasiconstantă la variații
relativ mari ale curentului). Aceasta funcționează în polarizare inversă. Valoarea tensiunii de
strapungere VZ fiind fixată prin procese specifice de dopare controlată.
Diodele Schottky sunt diode semiconductoare relizate prin joncțiunea unui
semiconductor cu un metal. Se caracterizează prin tensiunea de prag de deschidere UD mică și
viteze de comutare foarte mare.

3. Modul de lucru
Pentru măsurarea caracteristicilor current-tensiune ale dispozitivelor studiate se va folosi
platforma NI ELVIS.
Dispozitivele studiate se vor conecta pe placa de prototipaj la bornele DUT+ și DUT-. În
cazul diodelor se va conecta dioda astfel anodul la DUT+ iar catodul la DUT- (v. Fig.3).
Se deschide aplicația NI Elvis Instrument Launcher.
Se alege instrumentul NI ELVISmx Two-Wire Current-Voltage Analyzer. În câmpurile
Voltage Sweep se aleg valorile astfel Start = -3.6V, Stop=1V iar Incremet =0.05V.
Se alimenteaza placa de prototipaj.
Se execută aplicația și se salvează datele obținute prin apăsarea butonului Log.
Se repetă pașii de mai sus pentru fiecare dispozitiv.

Observație: La schimbarea dispozitivului studiat se opreste alimentarea placii de

prototipaj.
Datele obținute se reprezintă grafic (individual).

În cazul rezistorilor, prin fitare și pe baza relației (1) se determină valoarea rezistenței.
Se citește valoarea rezistenței de pe rezistor. Valorile obținute se trec în Tabel 1. Se
compara cele două valori.

În cazul diodelor din grafic se determină valorile pentru UD, UZ și pentru rezistența diodei
rD.
 De pe grafic se citesc valorile UD și UZ pentru diodele corespunzătoare astfel:
 UD la curenţi egali cu 0,5[mA];
 UZ la curenţi egali cu – 0,5[mA] (pentru diodele Zener).
Se determină rD prin alegerea a două puncte pe caracteristica diodei M1(U1,I1) și M2(U2,I2)
cu U1 și U2 >UD și utilizarea ecuației (3):

 U U 2  U 1 (
rD  
I I 2  I1

Tabel 1
R1 R2
[Ω] [Ω]
Citit
Calculat

Diodă semiconductoare (redresoare) Diodă Zener Diodă Schottky

Fig. 2 Simboluri utilizate pentru diode

Fig. 3 Placa de prototipare rapidă