Lucrare de laborator

Nume student: Vicol Andrei- Vlad

Grupa: Fizica medicala F22B
Titlul lucrarii: Studiul tranzistorului cu effect de camp
(TEC). Caracteristici statistice. Parametri.

Scopul lucrarii:
- Analiza pe cale experimentala a caracteristicilor tranzistorului TECJ cu canal n.
1. Rezumatul lucrarii:
Tranzistorul cu effect de camp cu poarta de jonctiune (TECJ)
TECJ reprezinta un dispozitiv electronic unipolar. Este format dintr-un cristal semiconductor în
care se realizează un canal conductor prevăzut la capete cu contacte pentru aplicarea tensiunii de
alimentare şi un electrod de comandă a curentului din canal.
Componentele TECJ sunt:
Sursă (S) - electrodul prin care purtătorii pătrund în canal,
Drenă (D)– electrodul prin care purtătorii sunt evacuaţi din canal.
Poarta (grila) (G) – electrodul cu ajutorul caruia are loc schimbarea conductantei canalului
purtatorilor de sarcina (confectionat din material semiconductor n sau p), aplicand o tensiune
acestuia.

La tranzistorul TECJ
secţiunea efectivă a
canalului este modificată
prin comanda lărgimii
regiunii de trecere a unei
joncţiuni pn.
 Caracteristici statice ale TECJ:
Caracteristica de iesire (de drena)
În cazul tensiunilor de drenă mici, între ID şi VD există o relaţie
liniară, caracteristicile ce trec prin origine sunt drepte şi au
panta dependentă de tensiunea aplicată pe poartă.
Cu creşterea tensiunii pozitive pe drenă , după atingerea unei
anumite valori VDS curentul se saturează, caracteristicile fiind
drepte, paralele cu abscisa.

Caracteristici de transfer
Cand ID este slab influentat de VD, se poate trage aceasta familie de
caracteristici pentru regimul de saturatie. In cazul tensiunilor de
grila mici, caracteristica de transfer, poate fi considerate liniara.

2. Modalitate de lucru:
1. Se realizeaza urmatorul montaj:

2. Pentru a studia caracteristica de iesire, vom mentine sursa de tensiune VGS la o valoare
constanta si vom creste tensiunea pe VDS.
3.Vom inregistra valorile VDS si ID (masurat de miliAmpermetru) intr-un table cu date
experimentale, dupa care vom crea graficul folosind un program de procesare al datelor
(OriginLab).
4. Pentru a studia caracteristica de transfer, vom mentine sursa de tensiune VDS la o valoare
constanta. Aplicand o tensiune pe VGS (aprox 3.25 V) intrerupe astfel circuitul. Micsoram
valoarea tensiunii VGS.
5 Vom inregistra valorile VGS si ID intr-un table cu date experimentale, dupa care putem crea
graficul folosind un program de procesare al datelor (OriginLab).

3. Tabel cu date experimentale:

VGS = 1.051 V VDS = 3 V

Nr. VDS ID Nr. VGS ID
Det. V(Volt) mA(miliAmper) Det. V(Volt) mA(miliAmper)
1. 0.10 0.43 1. 3.24 0.00
2. 0.19 0.80 2. 2.87 0.23
3. 0.30 1.20 3. 2.75 0.39
4. 0.41 1.60 4. 2.62 0.60
5. 0.52 2.00 5. 2.50 0.82
6. 0.65 2.40 6. 2.42 1.00
7. 0.79 2.81 7. 2.20 1.49
8. 0.95 3.20 8. 2.00 2.02
9. 1.13 3.60 9. 1.83 2.50
10. 1.36 4.00 10. 1.66 3.00
11. 1.67 4.40 11. 1.50 3.53
12. 2.18 4.80 12. 1.36 4.01
13. 3.50 5.20 13. 1.07 2.01
14. 5.92 5.39 14. 0.80 6.03
15. 0.54 7.09
VGS = 1.500 V 16. 0.31 8.04
Nr. VDS ID 17. 0.08 9.03
Det. V(Volt) mA(miliAmper) 18. 0.00 9.36
1. 0.06 0.21
2. 0.12 0.39
3. 0.18 0.61
4. 0.25 0.81
5. 0.31 1.00
6. 0.50 1.50
7. 0.72 2.00
8. 1.01 2.52
9. 1.44 2.52
10. 2.76 3.50
11. 4.00 3.64
12. 6.03 3.74
13. 8.00 3.80
 VDS = 3 V
Nr. VGS ID
Det. V(Volt) mA(miliAmper)
1. 3.26 0.00
2. 2.88 0.20
3. 2.73 0.40
4. 2.60 0.60
5. 2.49 0.81
6. 2.39 1.00
7. 2.17 1.50
8. 1.97 2.00
9. 1.77 2.52
10. 1.60 3.00
11. 1.43 3.52
12. 1.27 4.01
13. 0.95 5.01
14. 0.64 6.00
15. 0.34 7.04
16. 0.06 7.97

4. Grafice: