Lucrare de laborator

Nume student: Vicol Andrei- Vlad

Grupa: Fizica medicala F22B
Titlul lucrarii: Tranzistorul bipolar (TB)

Scopul lucrarii:
Analiza prin metode experimentale ale caracteristicilor statice tranzistorului bipolar (TB) in
conexiunea emitor comun (EC).

1. Rezumatul lucrarii:
1. Structura si procese fizice in TB conventional
Tranzistorul bipolar (TB) convenţional reprezintă un dispozitiv semiconductor cu trei terminale.
Constructiv acest tip de tranzistor constă din două joncţiuni pn "cuplate" între ele prin
intermediul purtătorilor minoritari. După modalitatea de realizare şi cuplare a joncţiunilor se
formează fie o structură npn fie una pnp.
In principal, tranzistorul bipolar se foloseste pentru amplificare liniară a semnalelor electrice
TB este format din 3 segmente:
-Emutor (E) – reprezinta sursa de purtatori de sarcina (electroni sau goluri)
-Baza (B)
-Colector (C) - are rolul de a “colecta” purtatorii de sarcina
Terminalul comun circuitului de intrare si celui de iesire, permite TB sa fie conectat intr-un
circuit, in urmatoarele configuratii:
Baza comuna (BC) Emitor comun (EC) Colector comun(CC)
In interiorul TB, joncţiunea emitor-bază este polarizată direct şi o cantitate mare de electroni este
injectată din emitor în bază. Aceşti electroni se deplasează spre colector prin procese de difuzie
şi marea majoritate, peste 99% ajung la joncţiunea colector-bază. O mică cantitate de electroni se
recombină cu golurile existente în bază. Electronii care ajung la colector participă la trecerea
curentului invers prin joncţiunea colector-bază. Prin urmare cantitatea de electroni ce traversează
joncţiunea colector-bază este mult mai mare decât cantitatea de goluri care trece din colector în
bază.

Curentul de bază IB are mai multe componente:

-electronii care se recombină în bază
-golurile care se deplasează înspre emitor
-curentul rezidual de colector

2. Caracteristici statice in conexiunea (EC)

2.1. Caracteristici de iesire (IC = f(VCE); parametru IB)
Se disting 3 regiuni de functionare:
2.1.1. Regiunea activa (I)
Joncţiunea bază-emitor este polarizată direct iar joncţiunea colector-bază este polarizată invers.
Si baza şi colectorul sunt polarizate pozitiv în raport cu emitorul (VCE > VBE). In cazul conexiunii
EC efectul Early influenţează curentul IC prin intermediul
factorului 0.
2.1.2. Regiunea de saturatie (II)
Ambele jonctiuni sunt polarizate direct.
2.1.3. Regiunea de blocare (III)
Ambele jonctiuni sunt polarizate invers.
 2.2. Caracteristici de transfer (IC = f(IB); parametru VCE)

In regiunea active (VCE > VBE) caracteristicile reprezintă

drepte descrise de relaţia: (panta egală cu
0) .
Coeficientul care 0 scade rapid la zero, putând lua valori
negative întrucât IC îşi poate schimba sensul.

2.3. Caracteristici de intrare (IB = f(VBE); parametru VCE)

Se poate observa ca numai caracteristicile corespunzătoare
valorii (VCE = 0) trec prin origine. pentru r
In cazul celorlalte caracteristici avem IB (VBE = 0) = - IC0
Influenţa tensiunii VCE este mai puternică în domeniul de
valori VCE < VBE si devine neglijabila pentru VCE > VBE.

2. Modalitate de lucru:
1. Se realizeaza urmatorul montaj:
2. Pentru a studia caracteristica de iesire, vom mentine tensiunea pe jonctiunea baza – emitor
constanta si vom creste tensiunea pe jonctiunea collector -emitor.
3. Vom inregistra VCE (volmetrele M4 si M3 este integrate in sursa de alimentare) si IC (masurat
de miliAmpermetrul M2) intr-un table cu date experimentale, dupa care vom crea graficul
folosind un program de procesare al datelor (OriginLab)
4. Pentru a studia caracteristica de intrare, vom mentine sursa de tensiunea VCE la o valoare
constanta. Crescand tensiunea pe jonctiunea baza – emitor, urmarim o crestere a intensitatii IB
(masurata de microAmpermetrul M1) (10μA…100μA)
5. Vom inregistra valorile IB si IC intr-un table cu date experimentale, dupa care putem crea
graficul folosind un program de procesare al datelor (OriginLab)

3. Tabel cu date experimentale

IB = 50 μA; VBE = 5.3 V IB = 110 μA; VBE = 11.4 V

Nr. IC VCE Nr. IC VCE
Det. mA(miliAmperi) V(Volt) Det. mA(miliAmperi) V(Volt)
1. 0.21 0.071 1. 0.24 0.047
2. 0.40 0.080 2. 0.44 0.059
3. 0.58 0.100 3. 0.60 0.066
4. 0.78 0.112 4. 0.80 0.074
5. 1.05 0.128 5. 1.00 0.083
6. 1.50 0.257 6. 1.54 0.099
7. 2.00 0.211 7. 2.06 0.114
8. 2.40 0.555 8. 2.47 0.126
9. 2.40 1.037 9. 3.05 0.145
10. 2.41 3.000 10. 3.50 0.162
11. 2.43 5.000 11. 4.00 0.189
12. 2.48 8.000 12. 5.00 0.411
13. 5.43 1.028
14. 5.48 3.000
15. 5.52 5.000
16. 5.52 8.000
 VCE = 3 V VCE = 6 V
Nr. IC IB Nr. IC IB
Det. mA(miliAmperi) μA (microAmperi) Det. mA(miliAmperi) μA (microAmperi)
1. 0.50 11.9 1. 0.50 12.3
2. 1.00 22.9 2. 1.00 23.3
3. 1.50 33.4 3. 1.50 34.1
4. 2.01 44.0 4. 2.00 44.6
5. 2.50 54.0 5. 2.50 55.0
6. 3.00 64.3 6. 3.00 65.3
7. 3.50 74.4 7. 3.50 75.4
8. 4.01 84.7 8. 4.00 85.5
9. 4.50 94.6 9. 4.50 95.5
10. 5.00 104.5 10. 5.00 105.3
11. 5.50 114.4 11. 5.50 115.0
12. 6.00 124.4 12. 6.00 124.8
13. 6.50 134.4
14. 7.00 144.0
15. 7.50 152.9
16. 8.00 162.1
17. 8.50 171.5
18. 9.00 180.8
19. 9.50 189.9
20. 10.0 199.0

4. Grafice: