Dispozitive Si Circuite Electrice

Capitolul 1 Noţiuni de electronica corpului solid notiţe
1. Purtători de sarcină în semiconductoare

- după conductibilitatea electrică corpurile solide sunt:
• conductoare - σ > 103/Ωcm la tamb

22 3
` - ne~ 10 /cm (electroni liberi)
- neutre electric local şi general
- conductibilitatea scade cu temperatura
1
( j = qnv = qnµ n E = σE = E)
ρ
(în jurul ionilor pozitivi care nu participă la conducţie se mişcă electroni
mobili)
• semiconductoare - σ ~ 10-10÷103 / Ωcm (la temperatura ambiantă)

- pentru T<1000K rezultă σ < 10-10 / Ωcm
- σ depinde pronunţat de temperatură
• izolante - nici la temperaturi foarte mari nu prezintă o

conductibilitate electrică importantă
Această comportare este determinată de natura legăturilor dintre atomi:
• la metale (conductoare) există legătura metalică, foarte slabă în care

electronii formează un nor electronic şi pot participa uşor la conducţie;
• la izolatoare (materiale izolante) este specifică legătura ionică, foarte
stabilă până la temperaturi foarte mari; poate să apară, eventual, o
conducţie ionică;
• semiconductoarele pot fi constituite:
- dintr-un singur tip de atomi din grupa a patra (Ge sau Si)
- din tipuri de atomi din grupe apropiate (de exemplu, din grupele
III, V, exemplul tipic fiind semiconductorul GaAs);
Între aceste tipuri de atomi se pot stabili legături covalente care
constau din punerea în comun a unuia dintre electronii de valenţă.
Pentru a se elibera un electron din legătura covalentă este necesar
un surplus de energie.
La temperaturi mai mari de 1000K, datorită agitaţiei termice,
electronii din stratul de valenţă devin electroni liberi şi formează o sarcină
electronică reală mobilă.
În aceste condiţii, la aplicarea unui câmp electric, electronii liberi
se deplasează ordonat şi formează un curent electric de natură electronică ;
1
Capitolul 1 Noţiuni de electronica corpului solid notiţe 2004
Dar, un electron de valenţă vecin, de pe altă legătură covalentă,

poate efectua o tranziţie (tot datorită agitaţiei termice) şi ocupă locul rămas
liber; sub influenţa câmpului electric, se constată că are loc o deplasare de
sarcină pozitivă în sensul câmpului electric, adică un electron devenit liber
determină efectuarea mai multor tranziţii ca şi când locurile libere s-ar
deplasa. Se asociază acestei deplasări a unei sarcini pozitive noţiunea de gol,
adică un purtător de sarcină pozitivă care determina o componentă a
curentului electric. De remarcat că golul nu este o particulă elementară ci este
un concept care simulează deplasarea locurilor goale din structura
semiconductorului prin ocuparea lor de către electroni care se află deja pe
alte nivele energetice.
O altă explicaţie a celor două componente ale curentului electric dintr-un

semiconductor se poate da folosind teoria benzilor energetice dintr-un corp
solid.
metale izolatoare-semiconductoare
2
* conductoare: la temperatura absolută 00 Kelvin toate nivelele din BV

sunt ocupate şi cele din BC sunt libere; nivelul Fermi separă cele două benzi;
dacă T creşte, apar electroni de conducţie care pot participa la conducţie.
* semiconductoare (izolatoare): la temperatura absolută 00 Kelvin toate

nivelele din BV sunt ocupate şi cele din BC sunt libere; poziţia nivelului
Fermi nu este precizată; electronii nu pot ocupa nivele din BI; la energie
termică suficient de mare (foarte mare) este posibil ca unii electroni să treacă
din BV în BC.
Numărul acestora depinde de ∆W:
- la germaniu: ∆W = 0,67 eV
- la siliciu: ∆W = 1,1 eV
- diamant: ∆W = 6-7 eV
Prin impurificare (procedee tehnologice), proprietăţile electrice ale

semiconductoarelor se modifică foarte mult fiind două posibilităţi:
* În cazul în care se introduc impurităţi ale căror nivele energetice

permise în BV sunt foarte aproape de BC (elemente pentavalente, Bi, Sb, As,
P) în care al cincilea electron trece uşor în banda de conducţie, se obţin
electroni de conducţie chiar la temperaturi scăzute deşi nu au apărut goluri în
banda de valenţă adică procesul de generare de perechi de purtători nu este
semnificativ. Se spune că impurităţile sunt de tip donor şi că, la temperatura
camerei, sunt ionizate complet. Rezultă că, în semiconductor, numărul de
purtători mobili electroni este mai mare decât cel de goluri.
a) impurificare cu substanţe pentavalente (Bi, Sb, As, P) - donoare

- al 5-lea electron trece uşor în BC – apar electroni de conducţie
- la temp. camerei – toate impurităţile sunt ionizate
- procesul de generare de perechi nesemnificativ (încă)
semiconductor extrinsec
- purtătorii majoritari – electronii – semic de tip N
- purtătorii minoritari – golurile n >> p
donoare acceptoare
b) impurificare cu substanţe trivalente (B, Al, In, Ga) - acceptoare

- apare uşor un gol în BV – pot participa la conducţie
- la temp. camerei – toate impurităţile sunt ionizate
- procesul de generare de perechi nesemnificativ (încă)
3
semiconductor extrinsec
- purtătorii majoritari –– golurile - semic de tip P
- purtătorii minoritari – electronii n << p
c) fără impurificare – semiconductor intrinsec

- numărul golurilor egal cu al electronilor n = p = ni
În fizica corpului solid se calculează concentraţiile de electroni şi de goluri în

funcţie de poziţia nivelului Fermi:
Wc −WF WF −Wv
− −
n0 = ν n e kT
p0 = ν p e kT
3 3
⎛ 2π mn kT ⎞ 2 ⎛ 2π m p kT ⎞ 2
ν n = 2⎜ 2 ⎟ ν p = 2⎜⎜ 2
⎟⎟
⎝ h ⎠ ⎝ h ⎠
2
cu n0 p0 = ni (independent de WF)
Semiconductor intrinsec
Wc −WF WF −Wv
− −
n0 = p0 → νn e kT
=ν p e kT
→
Wc + Wv 3 kT m p
WF = + ln
2 2 q mn
o W + Wv
la 0 K → WF = c ;
2
T creşte → WF scade (m p < mn )

concentraţia intrinsecă de purtători ni :
Wc −WF ∆W
− −
ni2 = n0 p0 = ν nν p e kT
= ν nν p e kT
∆W 3 ∆W
− −
n 2 = const. T 3 e kT → n = const. T 2 e 2kT
i i
4
ni ( Si ) ≅ 1.5 ⋅ 1010 / cm 3 ni (Ge) ≅ 2.5 ⋅ 1013 / cm 3

* ni ( Si ) << ni (Ge)
* dependenţa de temperatură
Se mai pot scrie şi sub forma:
µ ∆W − µ
− −
n0 = ν n e kT p0 = ν p e kT
Semiconductor extrinsec
* de tip N : n0 = p0 + N d+
- proveniţi prin generare de perechi
- proveniţi prin ionizarea impurităţilor donoare
* la temperatură ambiantă n0 ≅ N d+
* la temperatură mare n0 ≅ p 0
Analog pentru semiconductor extrinsec de tip P
Observaţie: poziţia nivelului Fermi depinde de concentraţiile de impurităţi.

Dacă semiconductorul este dotat neuniform cu impurităţi, la echilibru termic
poziţia nivelului Fermi rămâne fixă şi se modifică fundul BC şi vârful BV.
µ = µ (x )
5
2. Conductibilitatea electrică a semiconductoarelor
• T mic – număr mic de purtători – nu este curent electric

• T ambiantă – numărul de purtători mobili de sarcină creşte prin
ionizarea impurităţilor obţinuţi datorită agitaţiei termice
Se aplică şi câmp electric → peste mişcarea de agitaţie termică dezordonată
se suprapune o mişcare dirijată a purtătorilor mobili de sarcină căreia îi
corespunde o viteză medie de deplasare. Se constată proporţionalitatea cu
câmpul electric:
v=µ E v viteza medie E câmp electric aplicat
⎡ m2 ⎤
µ mobilitate ⎢V s ⎥ – mărime de material:
⎣ ⎦
1 1
µ ≅ µ (Ge ); µ < µ (Si )
p 2 n p 2 n
depinde de: - temperatură (scade)
- defectele structurii cristaline (scade)
- concentraţia purtătorilor liberi
Din vitezele medii → curentul de câmp:

j n camp = qnµ n E ; j p camp = qpµ p E
j = qnµ n E + qpµ p E = q (nµ n + pµ p )E = σ E
σ = qnµ n + qpµ p
- semiconductor intrinsec: σ i = qni (µ n + µ p )
- semiconductor de tip N: σ ≅ qnµ n ≅ qN d µ n
- semiconductor de tip P: σ ≅ qpµ p ≅ qN a µ p
- impurităţi de ambele tipuri – se compensează
Variaţia cu temperatura a conductibilităţii electrice:
6
a1-a2 temp. joasă – ionizare imp.

a2-a3 temp. ambiantă – toate imp. rezistivitatea scade la temp.
sunt ionizate ambiantă deoarece mobilitatea
a3-c temp. mare – creşte conc. de scade cu temperatura
purtători intrinseci
b conc. imp. mai mare
3. Difuzia purtătorilor de sarcină
- semic. dopat neuniform cu impurităţi, fără câmp electric din exterior

a) tendinţa de uniformizare (ca la gaze) prin proces de difuzie → curent
de difuzie;
b) apare câmp electric sarcini electrice pozitive fixe (stânga) şi sarcini
electrice negative mobile (dreapta) care are tendinţa de a aduce înapoi electronii
spre stânga → curent de câmp.
c) rezultă proces de uniformizare dinamică
d) regim staţionar (de echilibru) când transportul de purtători prin difuzie
= transportul de purtători prin câmp.
Curentul de difuzie este proporţional cu gradientul concentraţiei de
purtători:
j n dif = qDn ∇n; j p dif = −qD p ∇p
⎡ cm 2 ⎤
Dn , D p → constante de difuzie, ⎢ ⎥ (depind de material)
⎣ s ⎦
Ecuaţiile de transport
j n = j n camp + j n dif = qnµ n E + qDn ∇n

j p = j p camp + j p dif = qpµ p E − qD p ∇p
j = jn + j p
La echilibru termic: j n = j p = 0
Legătura dintre constanta de difuzie şi mobilitate
Ambele sunt mărimi care caracterizează acelaşi proces fizic cu caracter statistic
al mişcării dezordonate a purtătorilor de sarcină.
7
- energia potenţială: W p = ct. + µ ( x ) Dar: W p = − qU

Wp µ (x )
- potenţialul intern: U =− deci: U ( x ) = ct. −
q q
µ ' (x )
- câmpul intern: E = − grad U =
q
- curentul de electroni la echilibru termic:
dn
jn = qDn ∇n + qnµ n E = qDn + qnµ n E = 0
dx
µ (x)
− µ ( x)
- din: n = ν n e kT se deduce: ln n = lnν n − şi apoi:
kT
dn µ ' (x ) dn n
=− dx sau: =− µ ' (x )
n kT dx kT
- curentul de electroni devine:
n µ ' (x )
− qDn µ ' ( x ) + qnµ n = 0,
kT q
de unde, pentru: µ ' ( x ) ≠ 0, rezultă:
D
µ n = n ; la fel: µ = p
D (relaţii Einstein)
kT p
kT
Ecuaţiile de transport:
⎛ q ⎞
jn = qDn ⎜ ∇n + E n⎟
⎝ kT ⎠
⎛ q ⎞
j p = qD p ⎜ − ∇p + E p⎟
⎝ kT ⎠
- echilibrul termic nu depinde de mobilitate sau de constanta de difuzie
4. Ecuaţiile de continuitate
- variaţia în timp a concentraţiei de purtători:

- generare de purtători (termic, iradiere, etc.) – Gn, Gp
- recombinare de purtători (gol + electron → dispar + foton) – Rp, Rn
- deplasare de purtători (div j ≠ 0)
8
∂p div j p div j p
= Gp − Rp − = Sp −
∂t q q
∂n div j n div j n
= Gn − Rn − = Sn −
∂t −q −q
S p = G p − R p viteza efectivă de creştere
Recombinare: - directă
- indirectă: - centri de recombinare
- capcane
- centri de alipire
Fie o generare de purtători care, la un moment dat, se opreşte. Există p1 > p0

(concentraţia la echilibru)
Sp va fi proporţională cu concentraţia de purtători în exces, p − p0 , de forma:
p − p0
Sp = −
τp
τ p este durata efectivă de viaţă a purtătorilor în exces
dp p − p0
Dacă: div j p = 0 , se obţine ec. dif.: =− cu condiţia iniţială:
dt τp
p(0 ) = p1
t
−
τp
Soluţia: p (t ) = p0 + ( p1 − p0 )e
- semnificaţia lui τ p
Recombinarea depinde de concentraţiile de purtători:
R p = γ pn, γ este coef. de proporţionalitate
Generarea se face pe cale termică şi viteza de generare depinde doar de temp.:
G p = γ p0 n0
Rezultă: S p = G p − R p = −γ ( pn − p0 n0 )
Fie: ∆p = p − p0 , ∆n = n − n0
S p = −γ (n0 ∆p + p0 ∆n + ∆n∆p ) ≅
− γ (n0 ∆p + p0 ∆n )
Semic. de tip N:
n0 >> p0 → S p ≅ −γ n0 ∆p = −γ n0 ( p − p0 )
9
p − p0 1 1
Dar: S p = − → τp = ≅ (concluzie)
τp γ n0 γ N d
Forma generală a ecuaţiilor de continuitate:
∂p p − p0 div j p
=− −
∂t τp q
∂n n − n0 div j n
=− +
∂t τn q
Aplicaţie:
- regim staţionar
- semic. de tip N
- model unidimensional
- câmp electric slab
dpn dp
j p = qpn µ p E − qD p ≅ −qD p n
dx dx
pn − pn 0 1 dj p
0=− −
τp q dx
p −p
n0 + 1 d ⎛⎜ − qD
dp ⎞
n n⎟=0
τ ⎜
q dx ⎝ p dx ⎟⎠
p
d2p p −p
n − n n0 = 0
dx 2 D τ
p p
Se notează: L p = D pτ p lungimea de difuzie a golurilor
x
−
pn ( x) = pno + [ pn (0) − pn 0 ]e
Lp
-x-
10
Noţiuni de electronica corpului solid
1. Purtători de sarcină în semiconductoare

2. Conductibilitatea electrică a semiconductoarelor
3. Difuzia purtătorilor de sarcină
4. Ecuaţiile de continuitate
11
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe
Capitolul 2 Dioda semiconductoare

• procese fizice
• joncţiunea PN la echilibru termic
• joncţiunea PN cu tensiune aplicată
• caracteristica diodei reale
• regimul dinamic al joncţiunii PN
• variante ale diodelor semiconductoare
1. Procese fizice
- cele mai multe dispozitive conţin joncţiuni pn

- joncţiunea pn este un semiconductor eterogen format din două regiuni distincte
dintre care una este dopată cu impurităţi acceptoare iar cealaltă cu impurităţi
donoare; cele două regiuni formează o singură reţea cristalină – doparea diferită
se realizează prin procedee tehnologice adecvate.
a) faptul că cele două regiuni de tip diferit sunt una lângă alta face ca în
dreptul joncţiunii golurile din zona P să difuzeze în zona N; golurile pătrunse în
zona N se recombină rapid cu electronii care sunt majoritari; acelaşi lucru se
întâmplă cu electronii din zona N care difuzează în zona P; rezultă că apare un
curent de difuzie;
b) prin plecarea golurilor din zona P în zona N, în imediata vecinătate a
joncţiunii apare o zonă cu sarcină negativă care este sarcina ionilor acceptori
pentru neutralizarea cărora nu mai sunt suficiente goluri; la fel, în zona N;
această sarcină spaţială fixă creează un câmp electric care duce la apariţia unui
curent de câmp ce se opune curentului de difuzie. Deci, in dreptul joncţiunii
apare o barieră de potenţial care duce, prin curentul de câmp, la starea de
echilibru; deci, prin joncţiune, la echilibru termodinamic, nu există un transport
net de purtători;
c) în regiunile neutre există purtători mobili de sarcină în număr mare, iar
conductibilităţile electrice vor fi:
- în regiunea p: σ p ≅ qµ p p p
- în regiunea n: σ ≅ qµ n
n n n
valori suficient de mari pentru a considera conducţia curentului foarte bună. În
primă aproximaţie, se presupune că rezistenţa electrică a acestor zone este
suficient de mică astfel încât pot fi neglijate căderile de tensiune
corespunzătoare. În aceste condiţii, limitarea curentului prin joncţiune va fi
determinată de regiunea de trecere în care numărul de purtători mobili de sarcină
este mai mic.
1
(Na) (Nd)
P N
impuritati
Na -
Nd + x
p(x)
Pp Pn pp ≅ N a
n(x)
np nn nn ≅ N d
ρ(x)
+
- x
u(x)
U0
2
Capitolul 2 Dioda semiconductoare notiţe 2003
2. Joncţiunea pn la echilibru termic
Se determină:
- lungimea regiunii de trecere, l = l p + ln
- înălţimea barierei de potenţial, U 0
Aproximaţii:
ni2
p p >> n p p pnp = n 2
i p p ≅ Na np ≅
Na
ni2
nn >> pn nn pn = ni2 nn ≅ N d pn ≅
Nd
model unidimensional
Densitatea de sarcină electrică din regiunea de trecere:

− l p < x < 0 ρ = q[− N a + p( x) − n( x)] ≅ −qN a
0 < x < ln ρ = q[N d + p ( x) − n( x)] ≅ qN d
(în zona de trecere p(x) si n(x) sunt neglijabile, regiune golită de purtători
mobili de sarcină)
Deci:
- pentru semiconductorul P: ρ 2 ≅ −qN a ≅ −qp p
- pentru semiconductorul N: ρ1 ≅ qN d ≅ qnn
Se determină variaţia lui u (x) în regiunea de trecere: u 2 ( x ) şi u1 ( x )
ρ
Se rezolvă ecuaţia lui Poisson ∆u = − (unde ε = ε r ε 0 este permitivitatea
ε
electrică a materialului semiconductor) în cele două regiuni şi se pun condiţiile
de continuitate în origine.
Zona 2
d 2u 2 ( x) qp p
= cu condiţiile la limită:
dx 2 ε
3
du 2 ( x)
u 2 ( x) x = −l = 0 =0
p dx x = −l p
Se integrează:
du 2 ( x) qp p qp p l p
= x + C1 rezultă: C1 = adică:
dx ε ε
du2 ( x) qp p
= (x + l p )
dx ε
Se integrează:
u 2 ( x) =
1 qp p
2 ε
(x + l p ) + C2
2
rezultă: C2 = 0 şi:
u1 ( x) =
1 qp p
(x + l p )2
2 ε
Zona 1
d 2u1 ( x) qnn
= − cu condiţiile la limită:
dx 2 ε
du1 ( x)
u1 ( x) x =l = U 0 =0
n dx x =ln
Se integrează:
du1 ( x) qn qnn ln
= − n x + C3 rezultă: C3 = adică:
dx ε ε
du1 ( x) qn
= − n ( x − ln )
dx ε
Se integrează:
1 qnn
u1 ( x) = − ( x − ln )2 + C4 rezultă: C4 = U 0 şi:
2 ε
1 qnn
u2 ( x) = U 0 − ( x − ln )2
2 ε
Racordarea soluţiilor:
1) pentru: x = 0 → u1 (0) = u 2 (0) rezultă:
U0 =
1 qp p 2 1 qnn 2 1 q
2 ε
lp +
2 ε
ln =
2ε
(
nn ln2 + p p l p2 )
du1 ( x) du ( x)
2) pentru: x = 0 → = 2 rezultă:
dx x =0 dx x =0
4
qp p qnn lp nn
lp = ln de unde: nn ln = p p l p sau: =
ε ε ln pp
Deoarece: l = ln + l p , rezultă imediat:
pp nn
ln = l şi: lp = l Se înlocuiesc:
p p + nn p p + nn
1q⎡ l 2 p 2p l 2 nn2 ⎤
U0 = ⎢nn + pp
2 ε ⎢⎣ (nn + p p )2 (nn + p p )2 ⎥⎥⎦
De aici se deduce lungimea zonei de trecere:
2εU 0 p p + nn
l=
q p p nn
Observaţii:
- lungimea de trecere este mică dacă zonele sunt dopate puternic;
- regiunea de trecere se extinde mai mult în zona mai puţin dopată cu
impurităţi.
Deducerea înălţimii barierei de potenţial
varianta 1:
La echilibru termic:
dp
j p = qpµ p E − qD p =0
dx
Se deduc:
dn
jn = qnµ n E + qDn =0
dx
D p 1 dp kT 1 dp kT 1 dn
E= = E=− Dar:
µ p p dx q p dx q n dx
du
E=− şi, prin artificiu elementar:
dx
kT dp kT dn
du = − = Se integrează:
q p q n
kT p ( x) kT n( x)
u ( x) = − ln = ln
q pc q nc
pc , nc constante de integrare
Se explicitează concentraţiile de purtători:
5
qu ( x ) qu ( x )
−
p ( x ) = pc e kT
n( x) = nc e kT
Condiţii la limită:
x → −∞ u = 0 ⇒ p = pp ; n = np ⇒ pc = p p ; nc = n p
x → ∞ u = U0 ⇒ p = pn ; n = nn ⇒
qU 0 qU 0
−
pn = p p e kT nn = n p e kT
Din ambele relaţii rezultă:
kT nn kT p p kT p p nn kT N a N d
U0 = ln = ln = ln 2 = ln
q np q pn q ni q ni2
Pentru valori tipice ale concentraţiilor de impurităţi, rezultă valori de ordinul
zecimi de V:
N a = 1015 / cm3 ; N d = 1018 / cm3 ; ni2 = 1020 / cm6 ⇒ U 0 = 0,777 V
varianta 2:
Se foloseşte structura de benzi energetice ale semiconductorului:
µ 2 − µ1
Se constată: µ 2 = µ1 + qU 0 ; U 0 = Dar:
q
∆W − µ1 ∆W − µ 2
− −
p (ln ) = pn = ν p e kT ; p(−l p ) = p p = ν p e kT
∆W − µ1 ∆W − µ 2 + µ 2 − µ1 µ 2 − µ1 qU 0
− − − −
pn = ν p e kT
= ν pe kT
= p pe kT
= p pe kT
µ2 µ1 + µ 2 − µ1 µ1 µ 2 − µ1 µ 2 − µ1
− − − − −
n(−l p ) = n p = ν n e kT = ν ne kT = ν ne kT e kT = nn e kT
Se obţin imediat relaţii identice cu acelea obţinute prin metoda

anterioară.
6
3. Joncţiunea pn cu tensiune aplicată
a) regim de echilibru termodinamic:

d ifuzie g o luri
difuzie elec troni
c a m p go luri
c a m p ele c troni
dn
dw
µ q v0
µ
∆W
qv w
- 4 componente ale curentului
- numărul de purtători care difuzează (purtători care înving bariera de
potenţial) depinde de U 0 ;
iD = i pM − i pm + inM − inm = 0
b) se aplică tensiune inversă:

d ifuzie go luri
difuzie elec troni
c a m p go luri
c a m p ele c troni
dn
dw
∆W µ
q(v0-u D )
µ
∆W
q v 0 q(v0-u D) w
-
Fizic: la polarizare inversă, nu există difuzie de purtători, dar în imediata
vecinătate a regiunii de trecere apare o generare termică de perechi de
purtători care sunt antrenaţi de câmpul electric; astfel, curentul invers este
un curent de generare.
iD = i pM − i pm + inM − inm < 0
7
c) se aplica tensiune directă:

d ifuzie g o luri
difuzie elec troni
c a m p goluri
c a m p ele c troni
dn
dw
q(v0-u D )
∆W µ µ
∆W
-
q(v0-u D) q v 0 w
Fizic: la polarizare directă, în imediata vecinătate a regiunii de trecere, în
zona N, va fi un exces de goluri, dar care nu trăiesc mai mult de τ p şi nu
pătrund mai mult de Lp . La fel pentru electronii din zona P. Apare o
recombinare puternică în ambele zone şi se obţine curentul direct care este
un curent de recombinare.
iD = i pM − i pm + inM − inm > 0

desene
Concluzie: curentul prin joncţiune depinde de tensiunea de la bornele

joncţiunii. Interesează o expresie de forma:
⎛ i pM ⎞
i pM − i pm = i pm ⎜⎜ − 1⎟⎟ = i pm [ f (u D ) − 1]
⎝ i pm ⎠
cu condiţia: f (0) = 1
La fel şi pentru electroni.
Rezultă curentul prin joncţiune de forma:
iD = i pm [ f (u D ) − 1] + inm [ f (u D ) − 1] = I 0 [ f (u D ) − 1]
I =i +i
0 pm nm
I0 curent de saturaţie
8
Deducerea caracteristicii curent-tensiune
aproximaţii pentru calcul:

- joncţiunea este dintr-un semiconductor monocristalin cu ni ;
- fluxuri unidimensionale de purtători;
- regiunea de trecere complet golită de purtători;
- în regiunea de trecere nu au loc fenomene de generare-recombinare;
- lungimile de difuzie sunt mai mici decât lungimile zonelor neutre
(diodă groasă);
- joncţiune abruptă;
- se neglijează rezistenţele zonelor neutre;
- se neglijează efectele de suprafaţă;
- se consideră temperaturi ambiante; impurităţile sunt ionizate
complet.
Densitatea curentului electric este aceeaşi în orice secţiune:

curent de electroni
curent de goluri
* pentru L p + ln < x < ∞ - purtătorii de sarcină sunt numai

electroni; există curent de câmp;
* pentru l n < x < L p + l n - componenta de difuzie a golurilor
- componenta de câmp a electronilor
* pentru − l p < x < +l n - se neglijează generarea-
recombinarea de purtători; densităţile de curent rămân constante;
* similar în zona P
Condiţii la limită:
9
Lungimea regiunii de trecere se obţine dacă: U 0 ⇒ U 0 − u D , adică:

2εU 0' p p + nn u
l= = l0 1 − D
q p p nn U0
- polarizare directă: l < l0 ;
- polarizare inversă; l > l0 .
La limitele zonei de trecere concentraţiile de purtători vor fi:
qU 0' qU 0 qu
D
qu
D
− −
p(l n ) = p p e kT
= ppe kT
e kT
= pn e kT
qU 0' qU 0 qu D qu D
− −
n(−l p ) = nn e kT
= nn e kT
e kT
= npe kT
- condiţii la limită de tip Shockley

- injecţie de purtători
Densitatea de curent va fi:

j D = jn + j p
j n = j n camp + j n dif j p = j p camp + j p dif
În semiconductorul P, p >> n :
dn dn
j D = qpµ p E p + qDn + qnµ n E p ≅ qpµ p E p + qDn
dx dx
(curent de câmp de goluri + curent de difuzie de electroni + curent de
câmp de goluri – neglijabil);
La fel, în semiconductorul N, n >> p :
dp
jD ≅ qn µ n En − qD p
dx
Continuitate în regiunea de trecere:
dn
j D = qDn + qpµ p E p x =−l p
dx x = − l p
10
dp
j D = − qD p + qnµ n E n x =ln
dx x = l n
dp
Dar: qpµ p E p = − qD p Rezultă:
x = −l p dx x = ln
dp dn
j D = − qD p + qDn
dx x = l n dx x = − l p
Ecuaţia de continuitate, în regim staţionar şi pentru flux unidimensional
de purtători:
∂p p − p0 1 dj p dp
=− − =0 cu j p ( x) = − qD p
∂t τp q dx dx
Rezultă:
p − p0 1 d ⎛ dp ⎞
− − ⎜ − qD p ⎟ = 0 cu p = p (x) si:
τp q dx ⎝ dx ⎠
d 2 p( x) p( x) − pn
2
− 2
=0
dx Lp
x x
−
p ( x) = p n + Ae + Be
Lp Lp
Soluţia: cu condiţia la limită:
x → ∞ p( x) → pn ⇒ B = 0 Deci:
x
−
p( x) = pn + Ae
Lp
qu D
Condiţia la limită Shockley: x = ln p (l n ) = p n e kT

;
qu D ln
A = p n (e − 1)e
kT Lp
Rezultă: ;
x −ln
qu D −
p ( x ) = p n + p n (e − 1)e
kT Lp
Deci: .
11
Pentru: uD = 0 ⇒ p( x) = pn (echilibru termodinamic)
Pentru: u D > 0 apare concentraţia în exces care dispare după x > L p .

Se calculează curentul de goluri:
dp
j p (l n ) = −qD p =
dx x = l n
x −ln
qu D
1 − Lp qD p pn qu D
= − qD p pn (e kT
− 1)(− )e = (e kT
− 1)
Lp x =ln
Lp
qDn n p qu D
Analog: jn (−l p ) = (e kT
− 1)
Ln
qD p p n qu D
qDn n p qu D
Rezultă: jD = (e kT
− 1) + (e kT
− 1)
Lp Ln
AD fiind aria transversală a joncţiunii: i D = Aj D
⎛ qD p pn qDn n p ⎞ qukTD
iD = A⎜⎜ + ⎟(e − 1)
⎝ Lp Ln ⎠⎟
qu D
⎛ qD p qD n ⎞
i D = I 0 (e kT
− 1) cu : I 0 = A⎜⎜ p n + n p ⎟⎟
⎝ Lp Ln ⎠
(curentul de saturaţie)
Reprezentarea grafică:
12
kT kT
- pentru u D > 0 u D >> ( = 26mV ) la temperatura
q q
qu D
ambiantă, rezultă: iD = I 0 e ; kT
kT
- pentru u D < 0 u D >> , rezultă: iD = − I 0
q
Semnificaţia curentului de saturaţie: I 0
⎛ qD p p n qDn n p ⎞ ⎛ qD p ni2 qDn ni2 ⎞

I 0 = A⎜⎜ + ⎟ = A⎜
⎟ ⎜ + ⎟=
⎟
⎝ L p L n ⎠ ⎝ L p N d Ln N a ⎠
⎛ qD p 1 qDn 1 ⎞ 2
= A⎜⎜ + ⎟ ni
⎝ Lp N d Ln N a ⎟⎠
∆W ∆W
− −
Deoarece: n = ct.T e
i
2 3 kT
, rezultă: I 0 = ct.T e
3 kT
Concluzii:
- I 0 se dublează la fiecare 10 0 C pentru Ge şi la 6 0 C pentru Si.
- I 0 este mult mai mic la Si decât la Ge (circa 3 ordine de mărime).
13
4. Abateri de la caracteristica ideală
⎛ qu D ⎞
- caracteristica ideală: iD = I 0 ⎜ e kT − 1⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
- caracteristica unei diode reale:
* zona I – zona caracteristicii ideale

* zona II – zona curenţilor mari - contează rezistenţele zonelor neutre –
apare o tendinţă de liniarizare a caracteristicii
* zona III – zona curenţilor direcţi de valoare mică – nu se mai pot neglija
fenomenele de generare-recombinare din regiunea de trecere (care creşte); se
qu D qu D
ηkT
obţine o caracteristică de tipul e 2 kT
; mai corect, e cu valori pentru η
de circa 1,2 (pentru Ge) şi, respectiv de 1 - 1.5 (pentru Si)
* zona IV – zona tensiunilor inverse mici (normale); curentul invers are mai
multe componente:
- curentul de saturaţie al joncţiunii (constant);
- curentul de generare din regiunea de trecere (creşte odată cu
creşterea valorii inverse a tensiunii aplicate);
- curentul de pierderi la suprafaţă (dependent de tensiunea aplicată)
Ponderile acestor componente sunt diferite în funcţie de material.
* zona V – zona tensiunilor inverse mari, în care curentul invers creşte
nelimitat (poate fi limitat numai de circuitul exterior). Sunt 2 fenomene:
- fenomen Zener – smulgerea de purtători din reţea prin câmp electric;
- fenomen de multiplicare în avalanşă – producere de purtători prin
generare sau prin câmp electric, accelerarea acestora, ciocnirea cu reţeaua şi
smulgerea altor purtători.
15
iinvers = MI 0 coeficient de multiplicare în avalanşă:

1
M= m
⎛ uD ⎞
1 − ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ str ⎠
U
U str tensiune de străpungere – dependentă de concentraţiile de impurităţi;
m exponent dependent de material: 3 pentru Ge tip P+N, 4-7 pentru Ge
tip PN+, Si.
Aproximarea caracteristicilor:
- dioda ideala
- dioda idealizată, cu tensiune de prag, U D cu valori de 0,2-0,3V

pentru Ge şi 0,6V pentru Si (la curenţi relativ mici)
- dioda idealizată cu tensiune de prag şi cu rezistenţă serie
- curentul invers se neglijează, practic, întotdeauna; eventual se ţine

seama de rezistenţa de pierderi, de valoare foarte mare.
16
4. Regimul dinamic al joncţiunii pn
Circuit de polarizare:
Determinarea PSF: (U D , I D )
Ecuaţii: E = RiD + uD dreapta de funcţionare statică → PSF
iD = iD (u D ) M ( I D ,U D )
Regimul dinamic se aplică peste regimul de curent continuu. Punctul
de funcţionare se deplasează în jurul PSF iar pentru semnale variabile
suficient de mici, comportarea diodei poate fi considerată liniară.
Este necesar un model (o schema echivalentă) valabil pentru regimul

dinamic şi anume pentru determinarea curentului prin circuit şi a tensiunii la
bornele diodei.
a) la frecvenţe joase – se pot neglija fenomenele reactive şi modelul
va fi caracterizat printr-o rezistenţă dinamică.
⎧u D = U D + ud
Fie: ⎨ componente PSF şi componente variabile;
⎩iD = I D + id
17
⎛ qu D ⎞ ⎛ q (U D + u d ) ⎞ ⎛ qU D qu d ⎞
iD = I 0 ⎜ e kT − 1⎟ = I 0 ⎜ e kT − 1⎟ = I 0 ⎜ e kT e kT − 1⎟ =
⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
⎛ qU D ⎛ qud ⎞ ⎞ ⎛ qU D ⎞ qu
qU D
= I 0 ⎜ e kT ⎜1 + ⎟ − 1⎟ = I 0 ⎜ e kT − 1⎟ + I 0 d e kT
⎜ ⎝ kT ⎠ ⎟⎠ ⎜ ⎟ kT
⎝ ⎝ ⎠
qU
qud kTD
Rezultă: id = I 0 e
kT
u kT 1 kT
rezistenţa dinamică: rd = d = =
id q qU D
q( I D + I 0 )
I 0e kT
kT
La polarizare directă: U D > 0, U D >> = 0,026 V
q
kT kT vT
rd = ≅ =
q( I D + I 0 ) qI D I D
rd =
vT 26
= ; [Ω] = [mV ]
ID ID [mA]
kT
La polarizare inversă: U D < 0, U D >>
q
kT
rd = foarte mare
qI 0
b) la frecvenţe înalte apar elemente capacitive:
- datorită sarcinilor fixe din regiunea de trecere
- datorită sarcinilor mobile din zonele în care are loc difuzia de
purtători de sarcină
b1) capacitatea de barieră
18
- sarcina acumulată în regiunea de trecere (sarcină electron X concentraţie X

volum):
nn
Qb = − qN a Al p = − qN a A l
nn + p p
nn u
Qb = −qN a A l0 1 − D
nn + p p U0
∆uD ⇒ ∆Qb ⇒ Cb
dQb nn ⎛ 1 1 ⎞ 1
Cb = = −qN a A l0 ⎜⎜ − ⎟
duD nn + p p ⎝ 2 U 0 ⎟⎠ U
M 1− D
U0
nn
qN a A l0
Cb 0 nn + p p
Cb = ; Cb 0 =
UD 2U 0
1−
U0
- Cb 0 este proporţional cu aria joncţiunii;
- În funcţie de profilul de impurităţi se obţin relaţii de forma:
Cb 0
Cb = m
cu m având valori cuprinse între 0,3 si 0,5.
⎛ uD ⎞
⎜⎜1 − ⎟⎟
⎝ U0 ⎠
De regulă, are efect negativ (întârzie răspunsul la frecvenţe înalte)
Se foloseşte sub forma de diodă Varicap.
19
b2) capacitatea de difuzie

Este determinată de surplusul de sarcină obţinut prin difuzie:
x −ln
⎛ qu D ⎞ −
∞ ∞
⎜
Qd = qA∫l pexces dx = qA∫l pn e
p kT
− 1⎟e
Lp
dx =
⎜ ⎟
⎝ ⎠
n n
x −ln ∞
⎛ qu D ⎞ − ⎛ qu D ⎞
= qApn ⎜ e kT − 1⎟(− L p )e = qApn L p ⎜ e kT − 1⎟
Lp
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ ⎠ ln
⎝ ⎠
∆uD ⇒ ∆Q dp ⇒ Cd
qU D
dQdp q
Cd =
p
= qApn L p e kT componenta determinată
du D M
kT
de goluri; la fel pentru electroni.
Capacitatea totală de difuzie:
Aq 2 ( pn L p + n p Ln ) qU D
Cd = e kT = ct.I D (din PSF).
kT
⎧ N a >> N d ; p p 2 >> nn ;
⎪
Pentru o joncţiune P+N: ⎨ ni2 ni2
⎪n p = p << n = pn
⎩ p n
Aq 2 pn L p qUkTD 2
q qApn D p L p kTD
qU
Cd ≅ Cd =p
e = e ;
kT kT L p D p
q
Cd = τ pID
kT
Capacitatea de difuzie este proporţională cu curentul direct prin diodă.
Capacitatea de difuzie este mai importantă decât capacitatea de barieră în
conducţie directă şi este neglijabilă la polarizarea inversă a diodei.
Circuitul echivalent la semnale mici al diodei va fi:
20
Modele simplificate:
- la frecvenţă joasă:
- la blocare:
- la conducţie cu tensiuni directe mici
21
6. Variante constructive de diode semiconductoare
Se pot realiza şi diode Schottky, cu funcţii asemănătoare diodelor realizate

cu joncţiuni pn.
Diodele Schottky se realizează prin contact metal-semiconductor de
17 3
tip redresor, de obicei Al cu SiN slab dopat cu impurităţi (<10 / cm )
- la contact se formează o barieră de potenţial şi o regiune de sarcină

spaţială extinsă numai în semiconductor. Rezultă că dioda Schottky
funcţionează numai cu purtători majoritari.
- la echilibru termodinamic curentul prin diodă este nul prin
compensarea celor două componente de electroni ce depăşesc cele două
bariere de potenţial, Φ B si U 0 .
- la polarizare directă ( u D > 0 ) bariera semiconductor-metal se
micşorează şi creşte numărul de electroni ce trec din semiconductor în metal;
apare curent direct care ascultă de relaţia:
⎛ qu D ⎞
⎜
iD = I 0 e ηkT
− 1⎟, cu η ≅ 1
⎜ ⎟
⎝ ⎠
- la polarizare inversă ( u D < 0 ), bariera de potenţial creşte şi fluxul
de electroni de la semiconductor spre metal scade foarte mult.
Proprietăţi:
- căderea de tensiune directă este mai mică (circa la jumătate) decât la
o diodă bazată pe joncţiune pn (regiunea de trecere se extinde numai în
semiconductor);
- în regim dinamic contează numai rezistenţa dinamică şi capacitatea
de barieră (capacitatea de difuzie nu există deoarece nu sunt purtători
minoritari de sarcină) →funcţionare foarte bună la frecvenţe mari şi în
comutaţie (timpi de comutaţie mai mici de 100 ps).
22
1. Diode de semnal mic – diverse utilizări

parametri: - curentul maxim direct admisibil – 50 - 100 mA
- tensiunea invers maxim admisibilă – 20 – 100 V
- putere disipată maxim admisibilă – 150 mW
2. Diode redresoare – utilizare în conversia ca→cc pentru frecvenţe de
până la 400 Hz
- curentul maxim direct admisibil - 10 mA – 100 A
- tensiunea invers maxim admisibilă – 10 – 1000 V
- putere disipată maxim admisibilă – 0,1 – 100 W
(se pot utiliza şi sub forma de punţi redresoare)
3. Diode de detecţie – demodularea semnalelor, funcţionează la
frecvenţe mari şi foarte mari, dar la puteri mici. Pot fi diode cu joncţiuni
sau diode Schottky.
4. Diode varicap – cu utilizare în circuite acordate, oscilatoare, filtre, la
care se foloseşte dependenţa capacităţii de barieră a diodei de tensiunea
inversă aplicată; capacitatea de barieră este proporţională cu aria
Cb 0
joncţiunii: Cb = m
⎛ UD ⎞
⎜⎜1 − ⎟⎟
⎝ U 0 ⎠
5. Diode de comutaţie utilizate în circuite de comutaţie; parametrii
principali îi reprezintă timpii de comutaţie directă şi inversă; de obicei,
parametrii referitori la mărimile maxim admisibile nu sunt limitativi.
6. Diode Zener se bazează pe fenomenul de multiplicare în avalanşă.
tensiunea stabilizată este cuprinsă între 3V şi 100V iar curentul prin
diodă este de ordinul a 10 - 100 mA, în funcţie de puterea diodei.
7. Diode Tunel (Esaki) sunt de tipul P+N+ la care surplusul de purtători

trece peste bariera de purtători prin efect tunel; are caracteristica cu
rezistenţă negativă şi se foloseşte în circuite care funcţionează la
frecvenţe mari sau în circuite de comutaţie.
23
iD
uD
8. Fotodiode (fotoelemente) sunt diode cu joncţiuni sau de tip Schottky

la care radiaţiile luminoase pot pătrunde prin capsulă şi sunt absorbite de
materialul semiconductor – ca urmare se intensifică procesul de generare
de perechi electron-gol şi se modifică curentul de saturaţie al diodei. Se
foloseşte numai cu polarizare inversă.
9. Diode electroluminiscente (LED) sunt realizate din joncţiuni de tipul

GaAs, semiconductor cu banda interzisă de circa 1,6 -1,7 eV. În urma
recombinărilor directe, se emit cuante de lumină în spectrul vizibil, cu
diferite culori. Funcţionează numai la polarizare directă.
10. Diode generatoare şi amplificatoare de microunde (IMPATT,
TRAPATT, BARIT) – funcţionează după alte principii fizice.
24
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notiţe
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar
1. Introducere
2. Procese fizice
3. Ecuaţii de funcţionare
4. Caracteristicile statice ale TBIP
5. Modelul Early
6. Circuitul echivalent Giacoletto
7. Parametrii de cuadripol ai TBIP
1. Introducere
Semiconductor eterogen dotat cu impurităţi astfel încât se formează

două joncţiuni pn:
p n p n p n
- regiunea din mijloc – foarte îngustă → d << L p , ordin de mărime: 0,1µ .
- regiuni laterale – emitor, colector
- mult mai dotate
- de acelaşi tip
- au proprietăţi electrice şi fizice diferite (prin dotări
diferite şi prin dimensiuni diferite).
Procedee de fabricare: - aliere

- difuzie – profilul şi adâncimea zonei difuzate pot
fi controlate prin concentraţia de impurităţi, prin temperatura de difuzie şi
prin durata procesului de difuzie.
Regimurile de lucru se stabilesc după modul de polarizare a celor 2

joncţiuni:
joncţiunea EB joncţiunea CB
- regiunea activă normală (RAN) direct invers
- regiunea de saturaţie (SAT) direct direct
- regiunea de blocare (BL) invers invers
- regiunea activă inversă (RAI) invers direct
1
2
2. Procese fizice
Tranzistorul este de tip P+NP+, funcţionând în RAN.

Fenomene fizice:
a) joncţiunea EB este polarizată direct: golurile din emitor trec în
bază, dar d << L p , puţine goluri se recombină, cele mai multe ajung la
colector; acesta este polarizat invers, este un câmp electric puternic care
favorizează trecerea golurilor în colector.
- goluri injectate de emitor → colectate de colector
iP ( w) + ir = iP (0)
- w este grosimea efectivă a bazei, w < d
Se defineşte: factorul de transport în bază:
iP ( w) i
βt = = 1− r →1
iP (0) iP (0)
b) joncţiunea EB este polarizată direct: circulă un curent de electroni
local datorat difuziei electronilor din bază în emitor. Deoarece baza este
mult mai puţin dopată cu impurităţi decât emitorul, curentul de electroni va
fi mult mai mic decât curentul de goluri:
i E = i P ( 0) + in
Se defineşte: eficienţa emitorului:
iP (0) i
γ= = 1− n →1
iE iE
c) joncţiunea CB este polarizată invers: există un curent local al
joncţiunii (ca la dioda polarizată invers), iinv .
2 3
Concluzii: tensiunea mică de pe joncţiunea EB impune curenţi de

colector a căror valoare nu depinde, practic, de tensiunea de pe joncţiunea
CB; dispozitivul se comportă la ieşire ca o sursă de curent – mărime de
ieşire (curent) comandată de o mărime de intrare (tensiune) – tranfer
resistor → transistor.
2 4
3. Ecuaţii de funcţionare
Ipoteze simplificatoare
- model unidimensional;
- concentraţii constante de impurităţi;
- grosimile zonelor neutre ale E şi C >> lungimile de difuzie;
- nivele mici de injecţie (conc. purtători injectaţi << conc. maj.);
- se neglijează fenomenele de generare-recombinare în regiunile de
trecere;
- se presupune absenţa altor agenţi externi;
- tranzistor PNP în RAN;
- d << L p , p p , p p >> nn → se neglijează regiunea de trecere EB.
'
Condiţii la limită (de tip Shokley):

qu E qu E
n(−l1 ) = n p e kT
; p(l2 ) = pn e kT
≅ p(0)
qu C qu C
n(l4 ) = '
n p e kT ; p(l3 ) = pn e kT
≅ p( w)
Etapa I:
Se neglijează curentul de recombinare din bază → curentul de goluri
din bază este constant →
dp dp j p ( 0)
j p ( x) = − qD p = j p (0) = ct. sau: =−
dx dx qD p
Se integrează:
j p (0) x = 0 → p( x) = p(0) = C
p ( x) = C − x cu condiţiile:
qD p x = w → p( x) = p( w)
5
j p (0)
p( x) = p (0) − x (variaţie liniară);
qD p
j p (0)
Se calculează: p ( w) = p (0) − w şi rezultă:
qD p
qD p qD p pn ⎛ qukTE qu C
⎞
j p (0) = [ p(0) − p( w)] sau: j p (0) = ⎜e − e kT ⎟
w w ⎜⎝ ⎟
⎠
kT qD p pn qukTE
Pentru RAN: uC < 0, uC >> → j p ( 0) = e
q w
Semnificaţia lui w :
w ≅ d −l = d −
(
2ε U 0' −u C nn + p p
'
)
q nn p 'p
Se observă că dacă uC ↓ ⇒ w ↓ ⇒ efect de modulaţie a grosimii bazei
(ceea ce duce la ideea de reacţie internă în tranzistor).
Etapa II:
Se calculează curentul de recombinare pornind de la ecuaţia de
continuitate, în regim staţionar:
∂p p − pn 1 dj p ( x)
=− − = 0 sau:
∂t τp q dx
dj ( x)
q
[ p( x) − pn ] + p = 0 Se integrează pe toată lungimea bazei:
τp dx
w w
∫ [ p( x) − pn ]dx + ∫ dj p ( x) = 0
q
Dar:
τp 0 0
6
w
∫ dj p ( x) = j p ( w) − j p (0) = − jr Rezultă:
0
w
q w⎡ j p ( 0) ⎤
jr =
q
∫ [ p ( x ) − p ]dx = ∫⎢ p ( 0 ) − p − x ⎥dx =
τp 0 n
τ p 0 ⎢⎣ n
qD p ⎥⎦
1 q j p ( 0) 2
= [ p(0) − pn ]w −
q
w =
τp 2 τ p qD p
qw ⎡ 1 w qD p pn ⎤⎛⎜ kTE ⎞
qu E qu qu C
⎢p e kT
− pn − ⎥⎜ e − e kT ⎟=
τ p ⎢⎣ n 2 qD p w ⎥⎦⎝ ⎟
⎠
qwpn ⎛⎜ kTE ⎞
qu qu qu
1 kTE 1 kTC ⎟ Rezultă:
= e −1− e + e
τ p ⎜⎝ 2 2 ⎟
⎠
qpn w ⎡ kTE ⎤
qu qu C
jr = ⎢e +e kT
− 2⎥
2τ p ⎢⎣ ⎥⎦
qu
qpn w kTE
Pentru RAN: jr ≅ e .
2Dp
Etapa III:
- curentul local de electroni la joncţiunea emitor-bază:
qDn n p ⎛ qukTE ⎞
jn (0) = ⎜e − 1⎟
Ln ⎜⎝ ⎟
⎠
Etapa IV:
- curentul propriu la joncţiunea colector-bază (ca la o joncţiune PN
polarizată invers, dar cu zona P “subţire”→w):
⎛ qD p pn qDn' n 'p ⎞⎛ qu C ⎞
− jco = ⎜ + ⎟⎜ e kT
− 1⎟ (colectorul este dopat
⎜ w '
Ln ⎠⎝ ⎟⎜ ⎟
⎝ ⎠
diferit cu impurităţi în comparaţie cu emitorul);
⎛ qD p pn qDn' n 'p ⎞
jco = ⎜ + ⎟ pentru RAN
⎜ w L ' ⎟
⎝ n ⎠
(pentru jco s-a luat semnul corelat cu semnul curentului de colector).
7
Dacă A este aria secţiunilor transversale ale joncţiunilor, curenţii vor

fi:
iE = A ⎡⎣ j p (0) + jn (0) ⎤⎦
iC = A ⎡⎣ j p ( w) + jco ⎤⎦ = A ⎡⎣ j p (0) − jr + jco ⎤⎦
iB = A [ jn (0) + jr − jco ] = iE − iC
Determinarea parametrilor tranzistorului:
a) factorul de injecţie al emitorului (eficienţa emitorului):
i p (0) j p (0) 1
γ= = = =
iE j p (0) + jn (0) 1+
jn (0)
j p ( 0)
1 1
= ≅
qDn n p ⎛ qukTE ⎞
1+
w Dn n p
⎜e − 1⎟
Ln ⎜⎝ ⎟
⎠
Ln D p pn
1+
qD p pn ⎛ kTqu E qu C
⎞
⎜e − e kT ⎟
w ⎜⎝ ⎟
⎠
ni2 q
σ n = qnn µ n = q Dn
pn kT Dn n p σn
Dar: → =
ni2 q D p pn σp
σ p = qp p µ p = q Dp
n p kT
Rezultă:
1
γ= →1
w σn
1+
Ln σ p
- baza mai slab dopată decât emitorul, σ n << σ p
- baza cât mai îngustă, w << Ln
b) factorul de transport:
8
i p ( w) j p ( w) j p (0) − jr jr
βt = = = =1− =
i p ( 0) j p ( 0) j p ( 0) j p ( 0)
qpn w ⎛⎜ kTE ⎞
qu qu C
e + e kT − 2 ⎟ qu E qu C
2τ p ⎝⎜ ⎟ 2
1 ⎛⎜ w ⎞⎟ e kT + e kT − 2
= 1− ⎠ =1−
qD p pn ⎛ qukTE qu C
⎞ 2 ⎜⎝ L p ⎟⎠ qu E qu C
⎜e − e kT ⎟ e kT − e kT
w ⎜⎝ ⎟
⎠
2
1 ⎛⎜ w ⎞⎟
Rezultă, pentru RAN: βt ≅ 1 − ⎜ ⎟ → 1 w << L p
2 ⎝ Lp ⎠
Se observă:
iC = i p ( w) + ico = β t i p (0) + ico = γβ t iE + ico = α oiE + ico
- relaţia fundamentală a tranzistorului.
1 ⎡ 1 ⎛ w ⎞2 ⎤ w σ 1 ⎛ w ⎞
2
α0 ≅ ⎢1 − ⎜ ⎟ ⎥ ≅ 1 − n
− ⎜ ⎟
w σn ⎜ ⎟
⎢ 2 ⎝ Lp ⎠ ⎥ Ln σ p 2 ⎜⎝ L p ⎟⎠
1+ ⎣ ⎦
Ln σ p
α 0 este factorul de curent al tranzistorului în conexiunea BC. Valorile tipice
sunt apropiate de 1 dar mai mici decât 1.
9
4. Caracteristicile statice ale TBIP
a) caracteristicile statice (în general)
* caracteristica de transfer – o mărime de ieşire în funcţie de o

mărime de intrare: - v0 (vi ) sau io (vi ) cu parametru ii sau
- v0 (ii ) sau io (ii ) cu parametru vi ;
* caracteristica de ieşire – o mărime de ieşire în funcţie de cealaltă
mărime de ieşire cu parametru o mărime de intrare:
- io (vo ) cu parametru ii sau vi sau
- vo (io ) cu parametru vo sau ii ;
* caracteristica de intrare – o mărime de intrare în funcţie de cealaltă
mărime de intrare cu parametru o mărime de ieşire:
- ii (vi ) cu parametru vo sau io ;
- vi (ii ) cu parametru vo sau io .
b) caracteristicile statice ale TBIP în conexiunea BC
b1) caracteristica de ieşire iC = iC (uC ) i = ct .

E
Relaţii: iC = α oiE + ico
10
⎛ qD p pn qDn' n 'p ⎞⎛ qu C ⎞
ico = − A⎜ + ⎟⎜ e kT − 1⎟
⎜ w L'n ⎟⎠⎜⎝ ⎟
⎝ ⎠
1 ⎡ 1 ⎛ w ⎞2 ⎤
α0 ≅ ⎢1 − ⎜ ⎟ ⎥
w σ n ⎢ 2 ⎜ Lp ⎟ ⎥
1+ ⎣ ⎝ ⎠ ⎦
Ln σ p
⎛ qu C ⎞
- pentru iE = 0 , ⎜
iC = −ico e kT
− 1⎟ :
⎜ ⎟
⎝ ⎠
- pentru uC = 0 , iC = 0
- pentru uC < 0 iC = ic 0 = ct.
⎛ qu C ⎞
- pentru iE = 1 mA , iC = α 0 ⋅ 1 − ico ⎜ e kT − 1⎟ :
⎜ ⎟
⎝ ⎠
- pentru uC < 0 iC = α 0 ⋅ 1 + ico
- anularea lui iC se face pentru uC > 0
⎛ qu C ⎞
- pentru iE = 2 mA , iC = α 0 ⋅ 2 − ico ⎜ e kT − 1⎟ (în mA):
⎜ ⎟
⎝ ⎠
- anularea lui iC se face pentru uC > 0 , dar la o valoare
cu puţin mai mare decât în cazul precedent;
⎛ qu C ⎞
- pentru iE = 3 mA , ⎜
iC = α 0 ⋅ 3 − ico e kT
− 1⎟ (în mA):
⎜ ⎟
⎝ ⎠
- anularea lui iC se face pentru uC > 0 , dar la o valoare
cu puţin mai mare decât în cazul precedent;
11
Observaţii:
- caracteristici aproape orizontale, abaterea provenind de la variaţia lui
ico şi a lui α 0 cu tensiunea uC prin intermediul lui w ;
- caracteristici aproape echidistante la creşteri egale ale curentului de
emitor provenind de la variaţia lui α 0 cu curentul de emitor (colector);
- anularea curentului de colector se face pentru tensiuni de colector
pozitive, mici şi foarte apropiate ca valoare pentru diferite valori ale
curentului de emitor.
Regimuri de funcţionare:
- regiunea de blocare (tăiere), pentru iE ≤ 0 ;
- regiunea activă normală;
- regiunea de saturaţie.
b2) caracteristica de ieşire iC = iC (uC ) u = ct .
E
Relaţii:
α0
qu E qu E
qD p pn
iC = α oiE + ico = α 0 A e kT + ico = ct. e kT + ico
w w
Observaţii:
- caracteristicile nu sunt echidistante;
- panta caracteristicilor este mai mare (w apare şi explicit la numitor şi
el scade când tensiunea de colector creşte în modul);
- anularea curentului se face tot pentru valori pozitive ale lui uC .
b3) caracteristica de intrare iE = iE (u E ) u = ct .
C
Relaţii:
qD p pn ⎛ qukTE qu C
⎞ qD p pn qukTE
iE = A ⎜e − e kT ⎟≅ A e (pentru RAN)
w ⎝ ⎜ ⎟ w
⎠
12
Observaţii:
- caracteristica exponenţială;
- pentru uC = 0 , caracteristica trece prin origine;
- influenţa lui uC este mică, prin intermediul lui w;
b4) caracteristica de transfer iC = iC (iE ) sau iC = iC (u E )
Relaţii:
iC = α oiE + ico
Observaţii:
- practic, paralelă cu prima bisectoare;
- la curenţi mari, α 0 scade.
b5) influenţa temperaturii asupra caracteristicilor statice:
13
Observaţii:
- caracteristicile se deplasează către stânga sus, PSF se apropie de
zona de saturaţie.
b6) aproximarea caracteristicilor (model în curent continuu)
Desen - vezi verso două desene

Observaţii:
- la intrare, tranzistorul poate fi modelat în cea mai simplă formă cu o
tensiune de prag, VD , cu valori tipice de 0,2 V pentru Ge şi 0,6 V pentru Si;
curentul de emitor este stabilit de circuitul exterior;
- în colector, tranzistorul este modelat printr-un generator de curent
comandat de curentul din emitor; de cele mai multe ori se foloseşte
egalitatea iC ≅ iE , care presupune că pentru factorul de curent α 0 se ia
valoarea 1.
c) caracteristicile statice ale TBIP în conexiunea EC
c1) caracteristica de ieşire iC = iC (u 'C ) i = ct .

B
Relaţii:
iC = α oiE + ico
iE = iC + iB
Se elimină iE şi rezultă:
14
15
α0
iC = β 0iB + iceo cu β0 = (factorul de curent al
1 − α0
ico
tranzistorului în conexiune EC) şi iceo = .
1 − α0
Observaţii:
- caracteristicile au panta mai mare deoarece β 0 depinde mai puternic
de uc = uC − u E prin intermediul lui w :
'
2
1⎛ w ⎞ w σn
1− ⎜ ⎟ −
α0 2 ⎜⎝ L p ⎟⎠ Ln σ p 1
β0 = ≅ ≅
1 − α0 ⎡ 1 ⎛ w ⎞2 w σ ⎤ 1 ⎛⎜ w ⎞⎟
2
w σn
1 − ⎢1 − ⎜ ⎟ − n⎥
+
⎢ 2 ⎜⎝ L p ⎟⎠ Ln σ p ⎥ 2 ⎜⎝ L p ⎟⎠ Ln σ p
⎣ ⎦
- caracteristicile trec printr-un punct foarte apropiat de origine;
- caracteristicile nu sunt echidistante deoarece dependenţa de curentul
de colector a factorului de curent în conexiune EC este mai mare decât în
cazul conexiunii BC.
c2) caracteristica de ieşire iC = iC (u 'C ) u ' = ct .

B
Relaţii:
qu E qu ' B
qD p pn qD p pn −
iC = α 0iE + ico = α 0 A e kT + ico = α 0 A e kT + ico
w w
uc = uC − u E = uC + u' B
'
16
c3) caracteristica de intrare iB = i ' B (u ' B ) u ' = ct .

C
Relaţii:
iB = iE − iC = iE − α 0iE − ico = (1 − α 0 )iE − ico
2
1⎛ w ⎞ w σn
1 − α0 = ⎜ ⎟ + (puternic influenţat de u'C )
2 ⎜⎝ L p ⎟⎠ Ln σ p
Observaţii:
- carateristicile nu trec prin origine;
- tensiunea u'C are o influenţă mică.
c4) caracteristica de transfer iC = iC (iB ) , parametru u'C ;
Relaţii:
iC = β 0iB + ico
17
Observaţii:
- influenţă mai mare a tensiunii de colector prin intermediul lui w
care determină o variaţie mai puternică a lui β 0 .
c5) Dependenţa de temperatură a caracteristicilor statice
c6) Valori uzuale pentru α 0 (0.95 - 0.995) şi β o (20 -300);
c7) Aproximarea caracteristicilor statice:
- la intrare, tranzistorul poate fi modelat în cea mai simplă formă cu o

tensiune de prag, VBE , cu valori tipice de 0,2 V pentru Ge şi 0,6 V pentru
Si; curentul de bază este stabilit de circuitul exterior;
- în colector, tranzistorul este modelat printr-un generator de curent
comandat de curentul din bază; de cele mai multe ori se foloseşte egalitatea
iC ≅ iE , care presupune că relaţia pentru curentul de colector devine:
iC = β 0iB prin neglijarea curentului rezidual, ico .
18
5. Modelul Early
Tranzistorul este utilizat pentru prelucrarea semnalelor variabile.

Semnalele variabile se aplică în serie cu tensiunile de polarizare - ca
urmare, se vor modifica curenţii, deci şi tensiunile pe rezistenţa de sarcină.
În cazul general, semnalul variabil se suprapune peste regimul de
curent continuu.
Tranzistorul – element neliniar – adică relaţiile dintre tensiuni şi
curenţi sunt neliniare. Liniarizarea se poate face în condiţii de semnal mic.
∆i2
Definiţie: factor de amplificare în curent:
∆i1 ∆u 2 = 0
∆iC
- pentru conexiunea BC: α=
∆iE u C = ct .
∆iC
- pentru conexiunea EC: α ' =
∆iB u ' C = ct .
∆i E
- pentru conexiunea CC: α ' ' =
∆i B u ' ' C = ct .
Conexiunea BC:
18
Relaţii:
iC = α 0iE + ico rezultă, prin derivare:
⎛ dα 0 ⎞ ⎛ dα ⎞
diC
= α 0 + ⎜⎜ iE ⎟⎟ ⎜
= α 0 + iE 0 du E ⎟
diE ⎝ di E ⎠u
⎜ du E u = ct . diE u = ct . ⎟
C = ct . ⎝ C C ⎠
qD p pn qukTE ⎛ diE ⎞ q
Deoarece: iE = A e , ⎜⎜ ⎟⎟ = I E deci:
w ⎝ E ⎠ PSF
du kT
dα 0 kT 1 kT dα 0
α = α0 + IE = α0 +
du E uC = ct .
q IE q du E u C = ct .
Deoarece în RAN α 0 depinde puţin de u E (prin W), rezultă: α ≅ α 0 .

Dependenţa α 0 de PSF:
variaţia lui α 0 cu curentul de colector (emitor) determinată de:

- generarea de purtători electroni-goluri din zona de trecere ( γ );
- efecte la nivel mare de injecţie ( β t ).
Conexiunea EC:
∆iC
Relaţii: α'= =β
∆iB u ' C = ct .
19
α
iE = iC + iB → ∆iE = ∆iC + ∆iB ∆iC = α∆iE ⇒β =
1−α
Factor de amplificare în regim variabil în conexiunea EC: β = h21e .
Variaţia lui β cu curentul de emitor (colector) este mult mai puternică
decât în cazul conexiunii BC.
Conexiunea CC: nu prezintă elemente importante din punct de vedere al

regimului static de funcţionare; referirile se fac la conexiunea EC.
Modelul Early:
Condiţii: semnale variabile mici;

regim staţionar.
a) circuitul de intrare
i E = i E (u E , u C )
Se diferenţiază în jurul unui PSF, M (U E , U C , I E , I C )
∂iE ∂i
∆iE = ∆u E + E ∆uC
∂u E M ∂uC M
1 1 ∆u
∆u E = ∆i E + ∆uC = ren ∆iE + C
∂iE ∂iE K
∂u E m ∂u
− EM
∂iE
∂uC M
Se desenează sub forma unui circuit electric:
20
Observaţii:
- ren : rezistenţa naturală a emitorului:
qu E
qD p pn kT
iE = A e kT (pentru RAN: uC < 0, uC >> )
w q
qu
∂iE qD p pn q kTE q
=A e = IE Rezultă:
∂u E w kT kT
M
1 kT 1 0,026
ren = = = (valoare mică)
⎛ ∂iE ⎞ q IE IE
⎜⎜ ⎟⎟
∂
⎝ E ⎠M
u
- K : coeficientul de modulaţie a grosimii bazei:
qu E
∂iE ⎛ 1 ⎞ ∂w ⎛ 1 ⎞ ∂w
= AqD p pn e kT ⎜ − 2 ⎟ = IE ⎜− ⎟
∂uC M ⎝ w ⎠ ∂uC M ⎝ w ⎠ ∂uC M
∂iE qI E
∂u E kT 1
K =− M
=− =
∂iE 1 ∂w kT 1 ∂w
− IE
∂uC M
w ∂uC M
q w ∂uC M
(reprezintă influenţa ieşirii asupra intrării prin intermediul grosimii efective
a bazei – reacţia internă în tranzistor).
w≅d −
(
2ε U 0' − uC nn + p p
'
) u
= d − l0' 1 − C'
'
q nn p p U0
∂w l0' 1
=
∂uC 2U 0' U
M 1 − C'
U0
Valori tipice pentru K: 103 ÷ 105 .
b) circuitul de ieşire
Relaţia:
iC = α 0iE + ic 0 = α 0 (iE , uC )iE + ic 0 (uC )
21
Se diferenţiază:
⎛ ∂α 0 ⎞ ⎛ ∂α 0 ⎞ ∂i
∆iC = α 0 ∆i E + ⎜⎜ i E ⎟⎟ ∆i E + ⎜⎜ i E ⎟ ∆u C + c 0 ∆u C
⎟
⎝ ∂i E ⎠ M ⎝ ∂u C ⎠ M ∂u C M
⎡ ⎛ ∂α 0 ⎞ ⎤ ⎡⎛ ∂α 0 ⎞ ∂i ⎤
∆iC = ⎢α 0 + ⎜⎜ iE ⎟⎟ ⎥ ∆iE + ⎢⎜⎜ iE ⎟⎟ + c 0 ⎥ ∆uC
⎣ ⎝ ∂iE ⎠ M ⎦ ⎣⎝ ∂uC ⎠ M ∂uC M ⎦
Se poate scrie sub forma:
∆iC = α∆iE − g cn ∆uC
Se desenează sub forma unui circuit electric:
Observaţii:
- α factor de amplificare în curent în conexiunea BC
- g cn conductanţa naturală a emitorului – dependenţa de PSF:
2 2
1⎛ w ⎞ w σn 1⎛ w ⎞
α 0 = 1 − ⎜⎜ ⎟⎟ − ≅ 1− ⎜ ⎟
2 ⎝ L p ⎠ Ln σ p 2 ⎜⎝ L p ⎟⎠
∂α 0 1 1 w ∂w ⎛ 1 ⎜ w ⎟ ⎞⎟ 1 ∂w
⎛ ⎞
2
1 ∂w
=− 2 =2 −⎜ = −2(1 − α 0 )
∂uC 2 L p L p ∂uC ⎜ 2 ⎜ L ⎟ ⎟ w ∂u w ∂uC
⎝ ⎝ p⎠ ⎠ C
⎡ ∂ic 0 ⎛ ∂α 0 ⎞ ⎤ 1 ∂w
g cn = − ⎢ + ⎜⎜ iE ⎟⎟ ⎥ = g c 0 + 2 I E (1 − α 0 )
⎣ ∂uC M ⎝ ∂uC ⎠ M ⎦ w ∂uC M
22
1 ∂w kT q 2(1 − α 0 )
g cn = g c 0 + 2 I E (1 − α 0 ) = gc0 +
w ∂uC M
q kT Kren
Se obţin valori mici pentru conductanţa naturală a emitorului -
10−6 − 10−7 S - ceea ce conferă TBIP caracterul de generator de curent şi în
regim dinamic.
Pentru semnale rapid variabile, intervin elementele capacitive:
Se adaugă şi rezistenţa distribuită a bazei, rx = rbb ' :
Pentru circuitul Early elementele de circuit depind şi de frecvenţă, ceea face

dificilă utilizarea lui.
Capacităţile tranzistorului
La joncţiunea emitor-bază – polarizată direct – capacitatea de difuzie

este mai importantă decât capacitatea de barieră; la joncţiunea colector bază
– polarizată direct – contează ambele componente, mai importantă fiind,
totuşi, capacitatea de barieră.
Ce = Cde + Cbe Cc = Cdc + Cbc
Capacităţile de barieră – ca la joncţiunea PN:
23
Cbe 0 Cbc 0
Cbe = Cbc =
U U
1− E 1 − C'
U0 U0
Capacitatea de difuzie este determinată de variaţia sarcinii purtătorilor
mobili de sarcină din bază la variaţii ale tensiunii emitor bază respectiv
colector-bază.
- condiţii la limită de tip Shockley:

qu E qu C
p ( 0) = p n e kT ; p ( w) = pn e kT
Cantitatea totală de sarcină:

w w
p (0) + p ( w)
Qd = ∫ dQd = ∫ qAp ( x)dx = qAw =
0 0 2
1 ⎛ qu E qu C
⎞ 1 qu E
= qAwpn ⎜ e kT + e kT ⎟ ≅ qAwpn e kT
2 ⎜ ⎟ 2
⎝ ⎠
Capacitatea de difuzie la joncţiunea emitor-bază:
qU E
dQ 1 q w2 q
Cde = d = qAwpn e kT = IE
du E M
2 kT 2 D p kT
Capacitatea de difuzie la joncţiunea colector-bază:
qU E
dQ 1 ∂w
Cdc = d = qApn e kT
=
duC M
2 ∂uC M
qU E
1 qD p pn kT 1 ∂w q w2 w2 qI E 1 Cde
= A e kT
= =
2 w q w ∂uC M
kT D p 2 D p K kT K K
24
6. Circuit echivalent Giacoletto
Este un model pentru care parametrii nu depind de frecvenţă până la o

valoare foarte mare a acesteia ( < 0,5 fα ).
Se deduce din modelul Early:
∆uC
∆u E = ren ∆iE +
K
∆I E = α∆iE − g cn ∆uC
Prima relaţie se scrie:
∆uE ∆uC
∆iE = − sau:
ren Kren
1
1−α
α−
∆iE = ∆u E + K ∆u + ∆u E − ∆uC care se scrie sub
E
ren ren Kren
forma:
∆uE ∆u − ∆uC
∆iE = + S∆uE + E
ren ro
Analog, relaţia a doua se scrie:
⎛ ∆u ∆u ⎞
∆iC = α ∆iC − g cn ∆uC = α ⎜⎜ E − C ⎟⎟ − g cn ∆uC =
⎝ ren Kren ⎠
1 sau:
α−
= K + ∆u E − ∆uC − ⎛⎜ g − 1 − α ⎞⎟∆u
⎜ cn Kr ⎟ C
ren Kren ⎝ en ⎠
∆u − ∆uC ∆uC
∆iC = S∆u E + E −
ro rµ
Se desenează, sub forma unui circuit electronic, cele două relaţii:
25
Interpretarea parametrilor (în ordinea importanţei):

1
α−
* S= K ≅ α ≅ α o = α q I ≅ 40 I
o C C
ren ren ren kT
mA mA
S este panta tranzistorului, în , pentru I C în mA ); S = 40
V V
pentru I C = 1mA .
r α 1 β
* rπ = en ≅ =
1−α 1−α S S
(reprezintă curentul local al joncţiunii EB, valori tipice de kΩ pentru I C de
ordinul mA)
- se pune în evidenţă relaţia: Srπ = β ≅ β o
α kT
* ro = Kren ≅ K ≅K
S qI C
(reprezintă reacţia internă a tranzistorului, valori tipice de 10 "10 Ω ) –
4 5
dependentă de PSF şi de frecvenţă;

1 1−α 1−α 1 1−α
* = g cn − = g cn − S = g co +
rµ Kren α K Kren
(dependent de PSF şi de frecvenţă, valori tipice pentru rµ de 10 "10 Ω )
6
* rx rezistenţa distribuită a bazei, valori tipice zeci – sute Ω .

Schema se poate desena şi pentru conexiunea EC.
Schema simplificată pentru frecvenţe joase
26
Schema simplificată pentru amplificare mică
Schema simplificată pentru frecvenţe înalte
27
7. Parametrii de cuadripol
Din punct de vedere dinamic, tranzistorul poate fi caracterizat printr-

un model matematic prin care se iau în considerare relaţiile dintre mărimile
de intrare (curent, tensiune) şi mărimile de ieşire (curent, tensiune) ale
acestuia considerat ca un cuadripol.
- mărimi de intrare: - curentul de intrare, I i

- tensiunea de intrare, U i
- mărimi de ieşire: - curentul de ieşire, I 0
- tensiunea de ieşire, U 0
Relaţiile dintre cele patru mărimi – determină seturi de parametri –
- mai importanţi –
- parametrii y (pentru analiza circuitelor funcţionând la frecvenţe
mari)
- parametrii h (pentru analiza circuitelor funcţionând la frecvenţe
mici).
Parametrii h se pot măsura în cele mai bune condiţii: scurt circuit la
ieşire (sarcina formată dintr-o capacitate mare) şi întrerupere la intrare
(comandă prin generator de curent).
Deducerea parametrilor h din parametrii circuitului echivalent
Giacoletto pentru conexiunea EC:
28
Parametrii h se deduc pornind de la definiţie:

Ui
h11 = hi = == rx + Z µ Zπ =rx + rπ rµ ≅ r x + rπ
Ii
- valori tipice: kΩ (pentru curenţi de ordinul mA );
kT
- dependent de PSF (prin rπ = β 0 );
qI C
- rx are importanţă la curenţi mari;
- la frecvenţe mari intervine şi o dependenţă de frecvenţă;
ub 'e 1
Sub 'e − S−
I2 Zµ rµ
h21 = h f = = = ≅ Srπ = β
I1 U ub 'e ub 'e 1 1
2 =0 + +
Zπ Z µ rπ rµ
- principalul parametru dinamic al tranzistorului;
- numeric, practic egal cu parametrul static β 0 ;
- valori tipice: 50 " 300 ;
- relaţia Srπ = β permite determinarea parametrului hi dacă se
cunoaşte curentul din PSF;
- se poate pune în evidenţa panta tranzistorului:
β hf hf hf 1
S= = = =
rπ rπ hi − rx hi 1 − rx
hi
Ui Zπ Z r
h12 = hi = = ≅ π = π
Uo Ii
Zπ + Z µ Z µ rµ
−4 −5
- valori tipice; 10 "10
- dependent de PSF;
- dependent de frecvenţă.
29
⎛1 1 Zπ ⎞⎟
U o ⎜⎜ + +S
Io ⎝ ro Zπ + Z µ Zπ + Zµ ⎟⎠
h22 = ho = = =
Uo Ii =0
Uo
1 1 + Srπ 1 1 + β
= + = +
ro rµ ro rµ
−4 −5
- valori tipice: 10 "10 S ;
- dependent de PSF şi de frecvenţă.
Schema cu parametrii h simplificaţi (prin neglijarea lui h12 şi h22)
30
Cap.4. Amplificatoare elementare
1. Parametrii amplificatoarelor
2. Scheme de principiu, scheme electrice, scheme echivalente
3. Amplificator caracterizat prin parametrii de cuadripol
4. Structuri fundamentale cu TBIP
5. Influenţa circuitelor de polarizare asupra performanţelor amplificatoarelor
fundamentale cu TBIP
6. Tranzistoare echivalente. Tranzistoare compuse
7. Circuite cu impedanţă de intrare mărită
8. Circuite cu impedanţă de ieşire micşorată
9. Amplificatoare cu sarcină dinamică
10. Amplificatoare diferenţiale
DCE I Amplificatoare elementare N.Cupcea 1 notiţe
Cap. 3. Amplificatoare elementare cu tranzistoare
1. Parametrii amplificatoarelor
- mărimi ce caracterizează un amplificator
Obs. toate mărimile sunt complexe în cazul general.
U2
- amplificarea de tensiune: Au = A = (depinde de Zs )
U1
I2
- amplificarea de curent: Ai = (depinde de Zs )
I1
U
- impedanţa de intrare: Z int = 1 (depinde de Zs )
I1
U
- impedanţa de ieşire: Z ies = 2
I2 E g = 0; Z g ≠ 0; Z s → ∞
(se anulează sursa de semnal dar impedanţa sa internă, Z g , rămâne în circuit)
U2
- amplificarea globală de tensiune: Aug =
Eg
(pentru excitaţie cu generator de tensiune)
I2
- amplificarea globală de curent: Aig =
Ig
(pentru excitaţie cu generator de curent)
- amplificarea de putere: Ap = Au Ai
(pentru sarcină rezistivă)

- amplificare globală de putere – în cele două situaţii.
- alţi parametri
- banda de frecvenţe
- tensiunea echivalentă de zgomot
- puterea debitată în sarcină
- puterea absorbită de la sursele de alimentare
- valori limită absolute pentru tensiuni, curenţi, puteri
- etc.
Circuitul de ieşire al unui amplificator:
Zs
U2 = U0
Z s + Z ies
Z s → ∞ (în gol) → U 2∞ = U 0
Deci:
Zs
U 2 = U 2∞
Z s + Z ies
U2 U
Dar: = A şi 2∞ = A∞
U1 U1
U2 U Zs Zs
= 2∞ sau A = A∞
U1 U1 Z s + Z ies Z s + Z ies
Rezultă:
⎛A ⎞
Z ies = Z s ⎜ ∞ − 1⎟ comentariu
⎝ A ⎠
DCE 1 Amplificatoare elementare N. Cupcea 81 notiţe
Cap.4 Amplificatoare elementare cu tranzistoare
10. Amplificatorul diferenţial

* caracteristica importantă: are două intrări:
- amplifică semnalele în antifază (de mod diferenţial);
- rejectează semnalele în fază (de mod comun).
* schema de principiu:
- semnalele de la intrare se pot aplica separat pe cele două intrări (bazele

tranzistoarelor) sau între intrări;
- semnalele de la ieşire se pot culege de pe cele două colectoare (semnale
nesimetrice) sau între cele două colectoare (semnal simetric).
- rezultă că, în principiu, se pot defini 9 (nouă) amplificări diferite; se
preferă deducerea tensiunilor de ieşire în funcţie de tensiunile de intrare şi apoi
se particularizează în funcţie de circuitul real analizat: U1 (e1 , e2 ); U 2 (e1 , e2 ) .
a) calculul tensiunilor de ieşire:
( ''
)
* se echivalează T " , Z s cu un tranzistor echivalent în conexiunea CM;
dinspre emitor se vede schema echivalentă Thevenin cu:
81
A∞ = 1, Z ies = zib" .
* se introduce şi R0 şi se echivalează din nou cu Thevenin cu notaţiile:
R0 zib" R0
Z1 = R0 z = "
ib k1 =
R0 + zib" R0 + zib"
unde k1 este un coeficient de cuplaj în tensiune de la T " la T ' ;

' "
( k1 poate fi privit şi ca un coeficient de cuplaj în curent de la T la T ).
'
* circuitul echivalent pentru tranzistorul T :
* se echivalează grupul: (T ' , Z1 ) ≡ T

*
cu parametrii:
' '
* h '
+ N '
Z ' ' *
h − h Z
o 1 '
hi = i
*
1
≅ hi + N Z 1 ; h = f
*
≅ h ;
1 + ho Z1 f
1 + ho Z1 f
hr' + ho* Z1 ho'

hr*
= *
≅ hr
'
+ ho
'
Z 1 ; ho
*
= *
≅ h '
o ;
1 + ho Z1 1 + ho Z1
( ) ( )
∆h* = hi*ho* − h*f hr* ≅ hi' + N ' Z1 ho' − h 'f hr' + ho' Z1 ≅ ∆h '
unde:
82
ho' hi''
ho' Z1 = ho' k1 zib'' ≅ k1 " → 0
hf
'
* tensiunea de la ieşirea lui T se scrie prin superpoziţie:
U1 = Au*e1 + Aub
* *
k1e2 = − Aub (e1 − k1e2 ) deoarece:
Au* =−
h*f Z s'
; *
Aub =
(h
*
f )
− ∆h* Z s'
⇒ Au* = − Aub
*
hi* + Z s' ∆h *
hi* + Z s' ∆h*
*
* calculul lui Aub :
* vo vo vi' zib' ' ' zib'

Aub = = ' = ' Aub = − Au '
vi vi vi zib + Z1 zib + Z1
zib' h 'f Z s'
- rezultă:
'
U1 = Au ' (e1 − k1e2 ) cu: Au' = −
zib + Z1 hi' + Z s' ∆h '
(adică amplificarea de tensiune a tranzistorului T ' , în conexiune EM, având ca
sarcină pe Z s ' ).
(se putea calcula şi altfel).
* se definesc:
- tensiunea diferenţială de la intrare: vid = e1 − e2 ;
e +e
- tensiunea de mod comun de la intrare: vic = 1 2 .
2
v v
- se deduc tensiunile de intrare: e1 = vic + id ; e2 = vic − id .
2 2
- din expresiile factorilor de cuplaj se calculează:
1 − k1 1 − k2
zib'' = R0 ; zib' = R0 .
k1 k2
- se calculează tensiunea de ieşire:
83
zib'
U1 = Au' '
(e1 − k1e2 ) =
zib + Z1
1 − k2
R0 sau:
k2 ⎛ v ⎛ v ⎞⎞
= Au' ⎜ vic + id − k1 ⎜ vic − id ⎟ ⎟
1 − k2 1 − k1 ⎝ 2 ⎝ 2 ⎠⎠
R0 + R0
k2 k1
U1 = Au'
(1 − k2 )(1 + k1 ) ⎛⎜ v + 2(1 − k1 ) v ⎞⎟
2(1 − k1k 2 ) ⎜⎝
id ic ⎟
1 + k1 ⎠
1 + k1 1 + k2
- se notează: r1 = ; r2 = . (coeficienţi de rejecţie, de
2(1 − k1 ) 2(1 − k 2 )
valoare mare)
- se calculează:
2r1 − 1 2r − 1
k1 = ; k2 = 2 şi se obţine:
2r1 + 1 2r2 + 1
r1 ⎛ v ⎞
U1 = Au' ⎜⎜ vid + ic ⎟⎟ ; la fel:
r1 + r2 ⎝ r1 ⎠
r2 ⎛ v ⎞
U 2 = Au'' ⎜⎜ − vid + ic ⎟⎟
r1 + r2 ⎝ r2 ⎠
Au' r1 + Au' ' r2 Au' − Au' '

şi U 1− 2 = vid + vic .
+
r1 r2 +
r1 r2
- de precizat semnificaţiile amplificărilor de tensiune;
b) cazuri particulare pentru amplificarea de tensiune:
• cazul AD simetric:
84
T ' ≡ T " ⇒ h 'f = h 'f' = h f hf Zs

Au' = Au'' = Au = −
I C' = I C'' ⇒ hi' = hi'' = hi ⇒ hi + Z s ∆h
Z s' = Z s'' = Z s r1 = r2 = r
Rezultă:
1 ⎛ v ⎞ 1 ⎛ v ⎞
U1 = Au ⎜ vid + ic ⎟; U 2 = Au ⎜ − vid + ic ⎟; U1− 2 = Au vid .
2 ⎝ r ⎠ 2 ⎝ r ⎠
(influenţă mică a tensiunii de mod comun ⇒ r → ∞ ).
• excitaţie diferenţială simetrică:
e1 − e2 = vid ; e1 + e2 = 0 ⇒ vic = 0
Rezultă:
r1 r2 Au' r1 + Au'' r2
U1 = Au' ''
vid ; U 2 = − Au vid ; U1− 2 = vid
r1 + r2 r1 + r2 r1 + r2
Se notează:
r1 r2
Ad' = Au' '' ''
; Ad = Au (amplificare diferenţială)
r1 + r2 r1 + r2
Rezultă:
U1 = Ad' vid ; U 2 = − Ad'' vid ;
1
Ad' = Ad' ' = Ad = Au (pentru un circuit simetric).
2
• excitaţie pe modul comun:
e1 − e2 = 0; e1 = e2 = vic ; vid = 0.
Se notează:
' Au' '' Au''
AMC = ; AMC = şi rezultă:
r1 + r2 r1 + r2
'
U1 = AMC ''
vic ; U 2 = AMC '
vic ; U1− 2 = AMC ''
− AMC vic ( )
85
Observaţie:
- pentru un AD simetric, se poate scrie că:
Au A
AMC = = u.
r1 + r2 2r
* din cele două moduri de excitaţie se poate scrie, pentru un circuit simetric:
U1 (vid ) = Ad vid
U1 (vic ) = AMC vic
- rezultă că, pentru a produce acelaşi efect la ieşire, este necesar ca:
r vid = vic ceea ce înseamnă că, aceeaşi tensiune la ieşire este realizată de o
tensiune de mod comun la intrare de r ori mai mare decât tensiunea de mod
diferenţial de la intrare. Raportul dintre tensiunea de mod comun şi tensiunea de
mod diferenţial de la intrare care provoacă acelaşi efect la ieşire se numeşte
factor de rejecţie a modului comun, CMR.
- rezultă: (CMR' ) = r1; (CMR" ) = r2 .
- pentru circuitul simetric: (CMR) = r .
- valori tipice: (− 100 ÷ −140 )dB .
* tensiunile de ieşire se mai pot scrie şi sub forma:
⎛ vic ⎞
U1 = Ad' vid + AMC
'
vic = Ad' ⎜⎜ vid + ⎟
'⎟
⎝ (CMR) ⎠
⎛ vic ⎞
U 2 = − Ad'' vid + AMC
''
vic = Ad'' ⎜⎜ − vid + ⎟
'' ⎟
⎝ (CMR) ⎠
• excitaţie diferenţială nesimetrică

vid
e1 = vid ; e2 = 0 ⇒ vic =
2
⎛ 1 vid ⎞ 2r + 1
U1 = Ad' ⎜⎜ vid + ⎟⎟ = Ad' 1 vid ≅ Ad' vid comentarii
⎝ r1 2 ⎠ 2r1
Au
- se mai observă că, în cazul unui circuit simetric, Ad = ceea ce
2
înseamnă că, pentru ieşire nesimetrică, se pierde 0,5 din amplificarea pe care
este capabil să o asigure tranzistorul T ' .
86
c) comportarea AD la intrare:
* se deduce circuitul echivalent la intrare sub forma:
*
- din amplificarea de curent a tranzistorului T :
h*f
I c' = I b' Ai' = I b' ≅ Ai' I b'
1 + ho* Z s'
- se calculează curentul de intrare:
/
I c' U1 1 1 r ⎛ v ⎞
I b' '
= ' = − ' ' = − ' ' Au 1 ⎜⎜ vid + ic ⎟⎟
Ai Z s Ai Ai Z s r1 + r2 ⎝ r1 ⎠
- se foloseşte relaţia generală:
Z s'
Au' = − Ai'
Z i'
şi rezultă:
1 r1 ⎛ vic ⎞ 1 r2 ⎛ vic ⎞
I b' = ⎜ v + ⎟ şi I b'' = ⎜ − v + ⎟
Z i' r1 + r2 ⎜⎝ r1 ⎟⎠ Z i'' r1 + r2 ⎜⎝ r1 ⎟⎠
id id
în care:
hi' + Z s' ∆h' hi'' + Z s''∆h''
Z i' = ≅ hi
'
; Z i
''
= ≅ hi
''
1 + ho' Z s' 1 + ho'' Z s''
(ca pentru un tranzistor în conexiune EM).
Cazuri particulare:
• excitaţie nesimetrică (impedanţa de intrarea diferenţială):
87
vid
a) e1 = vid ; e2 = 0 ⇒ vic = ;
2
* impedanţa de intrare diferenţială va fi:
e1 vid ' r1 + r2 2r1 r1 + r2 '

Z id' = = = Z i ≅ Zi
I b' 1 r1 ⎛ vid ⎞ r1 2r1 + 1 r1
⎜⎜ vid + ⎟⎟
Z i r1 + r2 ⎝
'
2r1 ⎠
vid
b) e1 = 0; e2 = vid ⇒ vic = şi rezultă, la fel:
2
e r +r
Z id'' = 2" = 1 2 Z i''
Ib r2
* pentru un circuit simetric: Z id' = Z id'' = 2 Z i
• excitaţie pe modul comun: (impedanţa de intrare pe modul comun)
- se calculează curenţii de intrare:
1 r1 vic vic vic

I b' = = ; la fel: I b'' = .
Z i r1 + r2 r1 Z i (r1 + r2 )
' '
Z i (r1 + r2 )
''
88
- rezultă impedanţele de intrare pe cele două intrări:

e1 vic
Z ic' = = = Z i' (r1 + r2 ); Z ic'' = Z i'' (r1 + r2 )
'
Ib vic
Z i' (r1 + r2 )
- impedanţa de intrare pe modul comun va fi:
Z ic = Z ic' Z ic'' = (r1 + r2 )Z i' Z i''
Zi hi + Z s ∆h
- pentru AD simetric: Z ic = 2r = rZ i cu: Zi =
2 1 + ho ∆h
* calculul coeficientului de rejecţie:

Ro
1+
1 + k1 Ro + zib''
2 Ro + zib'' Ro 1
r1 = = = = '' +
2(1 − k1 ) ⎛ Ro ⎞
''
2 zib zib 2
2⎜⎜1 − ⎟
'' ⎟
⎝ Ro + zib ⎠
'' hi''
- dar: zib = '' şi rezultă:
hf
Ro h 'f' Ro h 'f
r1 ≅ şi r2 ≅ .
hi'' hi'
* se recalculează impedanţele de intrare diferenţiale:
Ro h 'f' Ro h 'f
+ ' ''
hi'' hi= ' h
'' f h
' f
Z id' = Z i' = hi' + hi şi: Z id'' = hi'' + hi .
Ro h 'f' h 'f' h 'f
hi''
'
- dacă tranzistoarele sunt identice ( h f = h 'f' ), atunci: Z id' = Z id'' = hi' + hi'' .
- rezultă că AD se comportă simetric la intrare (din punct de vedere al
impedanţei de intrare) indiferent de PSF.
* se recalculează impedanţele de intrare de mod comun:
⎛ Ro h 'f Ro h 'f' ⎞ h '
Z = Z (r1 + r2 ) ≅ h ⎜ ' + ' '
' ' ' ⎟ = h f Ro + Ro h f
' ' ' i
şi:
ic i ⎜ i ⎟ ''
⎝ hi hi ⎠ hi
89
hi''
Z ic'' = h 'f' Ro + Ro h 'f şi: Z ic = Zic' Z ic''
hi'
- pentru un circuit simetric:
Z ic' = Z ic'' = 2h f Ro
Comparaţie: Z id = 2hi cu Z ic = h f Ro
d) factorul de merit al AD
Ro h f
* prin definiţie, este produsul: M = Z id r = 2hi = 2h f Ro .
hi
- cu cât M este mai mare, cu atât performanţele AD (r şi Z id ) sunt mai bune.
- pentru a avea M cât mai mare: hf ↑ şi/sau Ro ↑ .
* metode de creştere a factorului de merit:

1. mărirea rezistenţei de cuplaj, Ro - limitată de căderea de tensiune în
curent continuu, la rândul ei fiind limitată de tensiunea de alimentare şi de
excursia maximă de tensiune necesară pe sarcină;
2. înlocuirea rezistenţei de cuplaj cu o sarcină dinamică ce prezintă o

rezistenţă mică în curent continuu (o cădere de tensiune mică la bornele
ei) şi o impedanţă în regim variabil dinamică mare. Nu se poate folosi o
bobină pentru că aceasta are o reactanţă dependentă de frecvenţă ( ωL ).
Se foloseşte circuitul elementar cu BM în circuitul de ieşire care are cea
mai mare impedanţă de ieşire dintre cele trei circuite elementare:
90
- pentru circuite integrate liniare, grupul format din rezistenţele de polarizare

şi capacitatea de decuplare se poate înlocui cu o rezistenţă şi o diodă, fiind
posibile mai multe variante, specifice circuitelor integrate; oglindă de curent.
3. mărirea (electronică) a lui hf prin tranzistoare compuse:

a) tranzistor compus Darlington:
H i ≅ hi' + hh' hi'' ≅ 2hi' şi H f ≅ h 'f h 'f' , rezultând:
Z id = 2 H i ≅ 4hi şi M ≅ 4h 2f Ro
(dacă h 'f = h 'f' = h f şi hi
'
= hi'' = hi ).
- concluzie: s-a mărit şi impedanţa de intrare (nu numai factorul de rejecţie);

- este o soluţie aplicată la µA 702 şi la µA 709.
b) tranzistor compus SuperG:
H i ≅ hi' şi H f ≅ h 'f h 'f' ,

Z id = 2 H i ≅ 2hi şi M ≅ 2h 2f Ro
(dacă h 'f = h 'f' = h f şi hi
'
= hi'' = hi ).
4. utilizarea reacţiei negative de tip serie:
91
- se poate face echivalarea: (T , Re ) ≡ T a cu parametrii:

h af ≅ h f şi hia ≅ hi + (h f + 1)Re ;
- se calculează:
M = 2h f Ro şi Z id ≅ 2hi + 2h f Re (creşte).
- pentru PSF, se poate realiza schema:
- impedanţa de intrare va fi: (

Z id ≅ 2hi + (h f + 1) Re' + Re'' ).
- prin utilizarea potenţiometrului, se pot regla curenţii de colector (din PSF)
pentru a se realiza un circuit simetric.
e) influenţa nesimetriilor asupra performanţelor AD
* tranzistoarele sunt identice, funcţionează în PSF identice dar rezistenţele

(
de sarcină sunt diferite, Z s = Z s 1 + δ şi Z s
'
) ''
= Z s (1 − δ ).
Tensiunile de la cele două ieşiri ale AD sunt:
r1 ⎛ v ⎞
U1 = Au' ⎜⎜ vid + ic ⎟⎟
r1 + r2 ⎝ r1 ⎠
92
r2 ⎛ v ⎞
U 2 = Au'' ⎜⎜ − vid + ic ⎟⎟
r1 + r2 ⎝ r2 ⎠
- dar: r1 = r2 = r şi:
'
h Z hf
= − Z s (1 + δ ) = Au (1 + δ )
' f s
Au ≅ −
hi hi
''
h Z hf
= − Z s (1 − δ ) = Au (1 − δ )
f s
Au'' ≅ −
hi hi
- rezultă:
1 ⎛ v ⎞
U1 = Au (1 + δ )⎜ vid + ic ⎟
2 ⎝ r ⎠
1 ⎛ v ⎞
U 2 = Au (1 − δ )⎜ − vid + ic ⎟
2 ⎝ r ⎠
- se deduc tensiunile diferenţiale şi de mod comun de la ieşire:
Auδ
U od = U1 − U 2 = Au vid + vic = Add vid + Acd vic
2
U + U 2 Auδ A
U oc = 1 = vid + u vic = Adc vid + Acc vic
2 2 r
* s-au folosit notaţiile:
Add = Au (amplificarea cu care tensiunea diferenţială de la intrare
pătrunde în tensiunea diferenţială de la ieşire);
Auδ
Acd = (amplificarea cu care tensiunea de mod comun de la intrare
2
pătrunde în tensiunea diferenţială de la ieşire);
Auδ
Adc = (amplificarea cu care tensiunea diferenţială de la intrare
2
pătrunde în tensiunea de mod comun de la ieşire) şi
Au
Acc = (amplificarea cu care tensiunea de mod comun de la intrare
2r
pătrunde în tensiunea de mod comun de la ieşire).
- se vede influenţa factorului de rejecţie a modului comun şi influenţa
nesimetriilor circuitului.
* exemplu numeric:
93
Au = 50; δ = 0,1 (10% ); r = 20 (relativ mic).

- rezultă:
U od = 50vid + 0,25vic
U oc = 2vid + 1,25vic
- interpretare: o tensiune de mod comun de 200 mV (neutilă) are aceeaşi
influenţă asupra tensiunii de ieşire diferenţiale ca şi o tensiune de mod
diferenţial de intrare de 1 mV (tensiune utilă).
f) scheme electrice
* schema nr.1 – polarizare separată a bazelor celor două tranzistoare
- abateri mici ale rezistenţelor pot duce la blocarea unuia dintre tranzistoare.
* schema nr.2: polarizare comună a tranzistoarelor:
94
* schema nr.3: se foloseşte reacţia negativă serie de curent:
* schema nr.4: utilizarea unor tranzistoare complementare:
(factorul de rejecţie este infint, dar sursele de semnal trebuie să conţină şi

circuitele de polarizare).
* schema nr.5: circuit de intrare diferenţial pentru amplificatoare

operaţionale:
****
95
DCE 1Amplificatoare elementare N. Cupcea 96 notiţe
Cap.4 Amplificatoare elementare
11. Alte amplificatoare elementare
11.1 amplificatorul “cascodă”
- utilizare: în circuite de intrare şi în circuite de ieşire

- două moduri de analiză:
a) etaj EM în cascadă cu un etaj BM:
* amplificarea de tensiune:
U 2 U 2 U1'
Au = = ' = AuBM (T " ) AuEM (T ' )
U 1 U1 U1
(h 'f' − ∆h" ) Z s − h 'f Z 's
Au = cu:
hi" + Z s ∆h" hi'
+ Z s' ∆h'
hi'' hi'' hi''
Z s' = Z int BM (T " ) ≅ ≅ '' ≅ ''
N" hf + 1 hf
- rezultă: Z s' ∆h' <<< hi' ; dar: Z s ∆h" << hi" şi h 'f' >>> ∆h"
h'f' Z s − h'f hi'' h 'f

- deci: Au ≅ '' ' ''
= − ' Zs
hi hi h f hi
(amplificarea de tensiune este dată de primul tranzistor în conexiune EM cu
impedanţa de sarcină Z s , ca şi cum al doilea tranzistor nu ar conta);
* impedanţa de intrare:
hi' + Z s' ∆h' '
Z int = ≅ h
1 + ho' Z s'
i
(impedanţa de intrarea este medie şi este dată numai de primul tranzistor);
* impedanţa de ieşire:
hi'' + N " Z g'' N '' 1

Z ies = Z iesBM (T " ) = ≅ = ''
∆h"+ Z g'' ho'' ''
ho hob
hi' + Z g
Z g'' = Z iesEM (T ' ) = (mare)
∆h'+ Z g ho'
(impedanţa de ieşire este foarte mare şi este dată n umai de al doilea tranzistor în
conexiune BM);
b) se foloseşte tranzistorul compus cascod, cu parametrii echivalenţi:
H i ≅ hi' ; H f ≅ h 'f ; H r ≅ 0; H o ≅ hob

''
; S ≅ S'
- se pot calcula performanţele pentru circuitul de amplificare cu EM cu
parametrii echivalenţi ai tranzistorului compus.
c) prin ce se remarcă amplificatorul “cascodă”:

* amplificare mare de tensiune (negativă) dată de primul tranzistor;
* impedanţă de intrare medie dată de primul tranzistor;
* impedanţă foarte mare de ieşire dată de al doilea tranzistor, ceea ce

permite utilizarea ca sarcină a unor circuite acordate derivaţie fără ca
impedanţa de ieşire a circuitului să afecteze factorul de calitate;
* reacţie internă nulă ( H r = 0 ) ceea ce permite utilizarea schemei în
circuite de intrare de înaltă frecvenţă fără să mai fie nevoie de circuite de
compensare;
* comportare foarte bună în frecvenţă (primul etaj este EM dar lucrează
pe o impedanţă de sarcină foarte mică iar al doilea etaj este în BM cu
comportare foarte bună în frecvenţă); este mai bun în circuite de intrare decât
BM din acest punct de vedere pentru că are şi impedanţă de intrare medie;
* al doilea etaj fiind în conexiune BC are o tensiune de străpungere mare
şi schema poate fi folosită cu tensiuni de alimentare mari în circuite de ieşire;
* exemplu de schemă electrică:

11.2. Amplificatoare cu amplificare de tensiune reglabilă:
* reglarea amplificării de tensiune se poate face cu un potenţiometru conectat pe

ieşirea amplificatorului:
* dezavantaje:
- zgomote induse/captate în/din circuit;
- bandă de trecere variabilă.
* soluţie: reglaj prin tensiune continuă:
- se modifică curentul prin tranzistor, se modifică panta tranzistorului, se

modifică amplificarea de tensiune;
* amplificatorul cu câştig reglabil:
- T1 şi T2 formează un AD;
- cu ∆E se modifică curenţii prin tranzistoare şi, ca urmare şi amplificarea de
tensiune:
- (T3 , R ) formează un repetor (impedanţa din colector este foarte mică):

U U1
U ≅ U1 şi ie3 = ≅ iar: ic 3 ≅ ie3
R R
- curentul ic 3 se divide între tranzistoarele T1,T2 în funcţie de
impedanţele văzute dinspre emitoare:
1
Z ib1 S1 S2
ie 2 = ic 3 ≅ ic 3 = ic 3 =
Z ib 2 + Z ib1 1 1 S + S
+ 2 1
S 2 S1
40 I C 2 I
= ic 3 ≅ C 2 ic 3
40 I C 2 + 40 I C1 IC 3
- tensiunea de ieşire:
I C 2 U1
U 2 = − Rc 2ic 2 ≅ − Rc 2ie 2 ≅ − Rc 2 ;
IC 3 R
- amplificarea de tensiune:
U2 R I
Au = = − c C 2 = ct.I C 2
U1 R IC 3
- la variaţiile lui ∆E în jurul valorii fixe E curentul continuu al tranzistorului
T2 se modifică între valorile: 0 , pentru T2 blocat şi I C 3 pentru T1 blocat;
⎡ R ⎤
deci amplificarea de tensiune se va modifica întra limitele: 0,− c .
⎣⎢ R ⎥⎦
* avantaje:
- reglajul se fac e cu o tensiune continuă;
- tensiunea de reglaj se poate obţine în cadrul unei scheme de reglaj
automat al amplificării;
- în colectorul tranzistorului T1 se obţine simultan o tensiune în antifază
cu aceea de la ieşire;
- comanda se poate face şi pe baza unuia dintre tranzistoare;
- tranzistoarele T1 şi T2 formează o structură diferenţială cu toate
avantajele (rejecţia semnalelor de mod comun determinate de variaţiile
tensiunilor de alimentare sau a temperaturii);
- tranzistoarele T2 şi T3 formează o structură cascodă cu avantajele
respective.
2. Scheme de principiu, scheme electrice, scheme echivalente
Performanţele unui amplificator elementar cu tranzistoare BIP sunt

determinate de modul de conectare a acestora.
- terminal de referinţă
- terminal de intrare (de comandă)
- terminal de ieşire (de execuţie)
În schemele reale de amplificatoare se pot întâlni oricare dintre

structurile fundamentale.
Circuitele de polarizare în c.c. care au rolul de a asigura

funcţionarea tranzistoarelor într-un punct static de funcţionare (PSF) în
jurul căruia sunt aplicate semnalele variabile.
TBIP sunt caracterizate prin parametrii de cuadripol hibrizi în

conexiunea EM (dar se vor face referiri şi la parametrii circuitului
echivalent Giacoletto).
* schema de principiu prin care se realizează funcţia dorită (de

exemplu amplificare de tensiune, producere de oscilaţii, modulare,
demodulare, etc.)
* schema electrică completă conţine toate elementele fizice
necesare realizării funcţiei dorite: elemente necesare pentru polarizarea
corectă a tranzistoarelor, pentru corecţii statice sau dinamice, pentru
reglaje, etc.
* schemele echivalente pun în evidenţă anumite performanţe ale
circuitului cum ar fi comportarea în c.c., comportarea în regim dinamic,
caracteristica de frecvenţă, de zgomot, etc.
Exemplu: schemă elementară de amplificare cu un tranzistor,

conectat cu emitorul comun, comandat cu un generator de semnal cu o
anumită rezistenţă de generator Rg şi care lucrează pe o sarcină dată Rs.
Se pune în evidenţă modul de realizare a schemelor echivalente
pentru c.c. şi pentru regim dinamic.
Fiecare mărime electrică are o componentă continuă peste care se
suprapune o componentă variabilă a cărei valoare maximă este astfel
încât să nu modifice comportarea în c.c. a circuitului (condiţie de semnal
minim necesară pentru o comportare liniară a dispozitivelor active).
Capacităţile Cb şi Cc realizează cuplarea la amplificator a

generatorului de semnal respectiv a rezistenţei de sarcină.
- împiedică trecerea curentului continuu spre generatorul de semnal
sau spre sarcină în aşa fel încât acestea să nu influenţeze PSF-ul
tranzistorului;
- asigură trecerea semnalelor variabile; se va considera că
reactanţele acestor capacităţi la frecvenţele de lucru ale semnalelor sunt
foarte mici (nule) în comparaţie cu rezistenţele care apar în serie cu
bornele lor; pe aceste capacităţi se va stabili o tensiune continuă, dar prin
ele nu va circula decât curentul variabil.
* legile lui Kirchhoff pe ochiuri şi în noduri şi legăturile dintre
curenţii şi tensiunile tranzistorului):
⎧iB = I B + ib ⎧uCE = U CE + uce
⎨ ⎨
⎩iC = I C + ic ⎩u BE = U BE + ube
⎧⎪iRb = I Rb + iRb (v)

⎨
⎪⎩iRc = I Rc + iRc (v)
⎧ EC = RbiRb + u BE ⎧u g = Rg ig + U Cb + u BE
⎨E = R i + u ⎨u = U + u
⎩ C c Rc CE ⎩ CE Cc s
⎧ig + iRb = iB
⎨i + i = i us = − Rsis
⎩ Rc s C
⎧iB = iB (uCE , u BE )
⎨
⎩iC = iC (uCE , u BE )
Se prelucrează relaţiile:
( )
⎧⎪ EC = Rb I Rb + iRb (v) + U BE + ube
⎨
( )
⎪⎩ EC = Rc I Rc + iRc (v) + U CE + uce
⎧u g = Rg ig + U Cb + U BE + ube
⎨U + u = U + u
⎩ CE ce Cc s
⎧⎪ I B + ib = ig + I Rb + iRb (v)
⎨
⎪⎩ I Rc + iRc (v) = is + I C + ic
În absenţa semnalului variabil (ug=0), în circuit se stabileşte
numai un regim de curent continuu:
⎧⎪ EC = Rb I Rb + U BE ⎧0 = U Cb + U BE ⎧ I B = I Rb
⎨ ⎨U = U ⎨I = I
⎪⎩ EC = Rc I Rc + U CE ⎩ CE Cc ⎩ C Rc
care caracterizează comportarea circuitului în curent continuu şi permit
determinarea PSF. Se observă că aceste relaţii corespund unui circuit
echivalent în c.c.
Regulă: acest circuit echivalent de curent continuu poate fi

construit direct din schema electrică prin considerarea capacităţilor ca o
întrerupere de circuit (prin ele nu circulă curent continuu).
* determinarea PSF:
⎧ EC = Rb I B + U BE ⎧ I B = I B (U BE ,U CE )
⎨ ⎨
⎩ EC = Rc I C + U CE ⎩ I C = I C (U BE ,U CE )
* metoda analitică - caracter profund neliniar al celor două
caracteristici statice ale tranzistorului;
* metoda grafo-analitică:
** pentru circuitul de intrare:
- caracteristica statică de intrare a tranzistorului în conexiunea EC
(UCE are o influenţă mică).
- ecuaţia corespunzătoare dreaptei de funcţionare statică (în planul
iB, uBE).
- la intersecţia celor două curbe se obţine punctul static de
funcţionare (în planul iB, uBE), M’, de coordonate (IB,UBE).
** pentru circuitul de ieşire:

- caracteristicile statice ale tranzistorului în conexiunea EC având
ca parametru curentul de bază.
- dreapta de funcţionare statică (în planul iC, uCE) a tranzistorului.
- la intersecţia dintre această dreaptă şi caracteristica
corespunzătoare curentului de bază IB (dacă nu este trasată ea poate fi
dedusă prin interpolare) se obţine punctul static de funcţionare M” în

planul (iC, uCE) de coordonate (IC, UCE).
În acest fel, coordonatele complete ale PSF vor fi:
M (IB, IC, UCE, UBE).
Observaţie: se poate folosi şi o metodă iterativă pentru

determinarea coordonatelor PSF (de obicei, este satisfăcătoare o primă
iteraţie având în vedere dispersia parametrilor tranzistorului şi toleranţele
componentelor pasive de circuit şi a surselor de alimentare).
a) se presupune UBE=0,6V (pentru tranzistoarele din siliciu, sau
0,3V pentru tranzistoarele din germaniu); rezultă curentul de bază:
EC − U BE
IB =
Rb
b) caracteristicile de ieşire ale tranzistorului se apreciază prin
relaţia iC = β0iB şi se determină curentul de colector al tranzistorului:
IC = β0IB
(β0 este un parametru de catalog al tranzistorului şi dispersia acestuia are

influenţă foarte mare asupra coordonatelor PSF, pentru acest circuit de
polarizare foarte simplu).
c) tensiunea UCE rezultă:
UCE = EC - RcIC.
Observaţie: indiferent de metoda folosită (determinată de modelul

tranzistorului pentru curent continuu), se cunosc coordonatele PSF (în
special curentul de colector) şi, ca urmare, se pot determina parametrii de
regim variabil ai tranzistorului (pentru oricare dintre modelele de c.a. ale
TBIP).
c) se determină tensiunile continue cu care se încarcă capacităţile
de cuplare Cb şi Cc:
U Cb = −U BE = −0,6V
U Cc = −U CE
În regim dinamic (la semnale mici şi de joasă frecvenţă), se scad

relaţiile corespunzătoare regimului de c.c. din ecuaţiile respective
generale:
⎧0 = Rb iRb (v) + ube ⎧u g = R g i g + ube

⎨ 0 = R i (v ) + u ⎨
⎩ c Rc ce ⎩u ce = u s
⎧ib = i g + i Rb (v)
⎨ i (v ) + i = i
⎩ Rc s c
- se explicitează curenţii iRb(v) respectiv iRc(v) din primele două
relaţii şi se înlocuiesc în ultimele relaţii;
⎧
⎪ u = R i +u
⎪ g g g be
⎪ ube ⎧ib = ib (ube , uce )
⎨ ib = ig − ⎨
⎪ Rb ⎩ic = ic (ube , uce )
⎪i = − us − us
⎪⎩ c Rs Rc
- se introduc relaţiile dintre curenţii şi tensiunile tranzistorului care

definesc comportarea în regim dinamic a circuitului.
Aceste ecuaţii pot fi desenate şi sub forma unui circuit echivalent

pentru regim dinamic al circuitului:
Acest circuit echivalent pentru regim dinamic poate fi construit

direct din schema electrică folosind următoarele reguli:
- sursele de curent continuu sunt considerate scurtcircuit în regim
dinamic;
- capacităţile de cuplare şi de decuplare sunt considerate scurtcircuit la
frecvenţele de lucru ale semnalului.
Performanţele de regim dinamic ale circuitului analizat pot fi

deduse pe baza circuitului echivalent obţinut în care TBIP poate fi
caracterizat prin orice model de regim dinamic (modelul Early,
Giacoletto, cu parametri hibrizi, sau alte modele).
Pentru determinarea performanţelor în regim dinamic se folosesc
fie relaţiile generale de rezolvare a unui circuit electronic, disponibile
prin metodele electrotehnice, fie soluţii de tip “electronic” prezentate în
paragrafele următoare.
Ultima relaţie se poate scrie şi sub forma:
us uce
iC = =
Rs || Rc Rs || Rc
şi ea reprezintă ecuaţia unei drepte în planul ( iC , uCE ) denumită dreapta
de funcţionare dinamică, şi care este reprezentată prin segmentul de
dreaptă AB care are o pantă diferită de cea a dreptei de funcţionare
statice. Se observă că dreapta de funcţionare dinamică este, de fapt, un
segment de dreaptă, care trece (simetric) prin PSF şi are o lungime finită,
determinată de amplitudinea semnalului (presupus sinusoidal).
Dreapta de funcţionare dinamică poate să aibă o pantă mai mică

decât a celei statice, egală cu aceasta dacă rezistenţa de sarcină este chiar
Rc, respectiv mai mare în cazul în care colectorul tranzistorului
amplificator este cuplat prin transformator la sursa de tensiune de
alimentare.
- static, dreapta de funcţionare este determinată de rezistenţa serie a
primarului (foarte mică) fiind aproape verticală;
- dreapta de funcţionare dinamică este determinată de rezistenţa
reflectată de secundar în primar, de valoare mai mare.
Dreapta de funcţionare dinamică permite determinarea amplitudinii
maxime a semnalului variabil ce poate fi obţinut la ieşirea
amplificatorului astfel încât elementele active să nu intre în zonele de
funcţionare profund neliniare.
DCE I Amplificatoare elementare N. Cupcea 11 notite
3. Amplificator caracterizat prin parametrii de cuadripol
Obs. orice amplificator, independent de structura sa, de numărul de

elemente active sau pasive şi de tipul acestora poate fi caracterizat global prin
parametrii săi de cuadripol cu care se pot determina performanţelor sale globale
atunci când este comandat la intrare cu un generator de tensiune (sau de curent)
şi când lucrează pe o sarcină precizată, Zs.
* amplificatorul este caracterizat prin parametrii hibrizi de cuadripol, H.

* relaţiile de calcul sunt:
⎧
⎪
⎪U 2 = − Z s I 2
⎧U1 = H i I1 + H r U 2 ⎪
⎨ ⎨U g = U1 + Z g I1
⎩ I 2 = H f I1 + H o U 2 ⎪
⎪ I = U1 + I
⎪ g Zg 1
⎩
Obs. pentru circuitul de intrare relaţiile vor fi diferite – în funcţie de
modul de comandă a amplificatorului.
* se calculează amplificarea de curent sub forma:

I2 Hf
Ai = =
I1 1 + HoZs
* prima relaţie devine:
U1 = H i I1 − H r Z s I 2 = H i I1 − H r Z s Ai I1 ,
de unde se calculează impedanţa de intrare:
U1
Z int = = H i − H r Ai Z s sau:
I1
Hr H f Zs H i + Z s ∆H
Z int = H i − =
1 + HoZs 1 + HoZs
Deoarece U1 = Z int I1 şi U 2 = −Z s I2 , prin raportarea celei de a

doua relaţii la prima, rezultă:
Zs
Au = − Ai
Z int
o relaţie foarte importantă care leagă trei dintre mărimile ce caracterizează
amplificatorul.
* mai rezultă:
H f Zs
Au = −
H i + Z s ∆H
ceea ce reprezintă expresia generală a amplificării de tensiune a amplificatorului
caracterizat prin parametrii de cuadripol.
* prin raportarea relaţiilor:
U g = Z int I1 + Z g I1
U 2 = −Z s I2
se va obţine: amplificarea globală de tensiune:

U2 Zs
Aug = =− Ai
Ug Z s + Z int
Înlocuind pe Zint şi pe Ai, se obţine:
H f Zs
Aug = −
H i + Z s ∆H + Z g (1 + H o Z s )
Aceeaşi expresie se obţine şi dacă se observă că:
U 2 U 2 U1 Z int
Aug = = = Au .
U g U1 U g Z int + Z g
(s-a pus în evidenţă divizorul de tensiune între impedanţa Zg şi impedanţa de

intrare a amplificatorului).
* pentru amplificarea globală de curent
I 2 I 2 I1 Zg
Aig = = = Ai
I g I1 I g Z g + Z int
(s-a pus în evidenţă divizorul de curent între impedanţa Zg şi impedanţa de

intrare a amplificatorului); se obţine:
H f Zg
Aig =
Z g (1 + H o Z s ) + H i + Z s ∆H
* pentru impedanţa de ieşire, în ambele cazuri se anulează generatorul de

tensiune (sau de curent), dar impedanţa sa internă rămâne în circuit; rezultă:
U1=-ZgI1.
H f U2
- curentul de intrare va fi: I1 = −
Z g + Hi
Hr H fU2
- rezultă: I2 = − + H oU 2 , adică,
Z g + Hi
U2 Hi + Z g
Z ies = =
I 2 U g , I g = 0 ∆H + Z g H o
Z g ≠0
Se pot distinge două cazuri particulare:

a) comanda cu generator ideal de tensiune (Zg=0)

Hi
Z ies ( Z g = 0) =
∆H
b) comanda cu generator ideal de curent (Zg→∞)
1
Z ies ( Z g → ∞) = (1.12)
Ho
* amplificarea de putere se calculează conform relaţiilor generale deduse
numai pentru sarcini rezistive:
Ap = Au Ai
Relaţiile pot fi folosite pentru orice amplificator caracterizat prin
parametrii H, indiferent de structura sa.
Aşadar, pentru circuitele elementare (emitor la masă, bază la masă,
respectiv colector la masă) amplificările de tensiune şi de curent şi impedanţele
de intrare şi de ieşire vor fi determinate cu relaţiile deduse în care, în locul
parametrilor H, vor fi introduşi parametrii hibrizi corespunzători.
În funcţie de circuitele concrete de polarizare vor putea fi determinate
amplificările globale de tensiune Aug sau de curent Aig şi apoi amplificările de
putere AP numai pentru sarcini rezistive.
Având în vedere faptul că impedanţele de intrare şi de ieşire sunt afectate,
uneori în mod esenţial, de rezistenţele din circuitele de polarizare în c.c.,
impedanţa de intrare a schemei de principiu va fi notată cu Zi (pentru schema cu
emitor la masă), respectiv Zib (pentru schema cu bază la masă) şi Zic (pentru
schema cu colector la masă) şi va fi calculată cu relaţia dedusă aici, iar
impedanţa de intrare în amplificator, inclusiv cu circuitul de polarizare se va
nota cu Zint.
Similar, impedanţa de ieşire a schemei de principiu va fi notată cu Zo
(pentru schema cu EM) respectiv Zob (pentru schema cu BM) şi Zoc (pentru
schema cu CM) şi va fi calculată cu relaţia dedusă în cazul general, iar
impedanţa de ieşire din amplificator, inclusiv cu elementele circuitului de
polarizare se va nota cu Zieş.
Influenţa elementelor circuitului de polarizare, mai mare sau mai mică,
depinde de schema concretă de polarizare în c.c. şi de valorile elementelor de
circuit în comparaţie cu parametrii elementelor active.
Cap.4. Amplificatoare elementare cu tranzistoare
Structuri fundamentale cu TBIP
1. Amplificator cu TBIP cu emitorul la masă
Schema de principiu:
* TBIP - caracterizat prin parametrii hibrizi hi, hf, hr, ho.
* Amplificarea de tensiune, Au:
hf Zs
Au = −
hi + Z s ∆h
- în majoritatea situaţiilor practice (există şi excepţii) este
îndeplinită condiţia |Zs∆h| << hi :
hf Zs
Au ≅ − = − SZ s
hi
- se constată că, pentru o sarcină rezistivă:
- amplificarea este negativă (adică circuitul schimbă faza semnalului de
la ieşire cu 180º faţă de faza semnalului de la intrare);
- valoarea modulului amplificării este proporţională cu impedanţa de
sarcină şi, pentru valori rezonabile ale acesteia poate fi de ordinul
zeci-sute;
- modulul amplificării depinde esenţial de PSF prin intermediul pantei S
( S ≅ 40 I C ).
* Amplificarea de curent, Ai
hf
Ai =
1 + ho Z s
- pentru sarcini rezonabile: |hoZs| << 1 şi amplificarea de curent
se poate calcula cu relaţia aproximativă:
Ai ≅ h f
(amplificare de curent mare).
* Impedanţa de intrare Zi :
hi + Z s ∆h hh Z kT
Zi = = hi − r f s ; Z i ≅ hi ≅ h f
1 + ho Z s 1 + ho Z s qI C
(amplificatorul cu EM are o impedanţă de intrare de valoare medie (sute
de Ω sau kΩ) invers proporţională cu curentul de colector din PSF).
* Impedanţa de ieşire, Zo:
hi + Z g
Zo =
∆h + Z g ho
Întrucât raportul dintre hi şi Zg nu poate fi precizat, rezultă că nu
poate fi luată în consideraţie o relaţie aproximativă;
Se pot pune în evidenţă cele două situaţii limită:

- pentru Zg = 0, adică pentru comanda cu generator de tensiune ideal, se
obţine:
hi hi 1 1
Z o ( Z g = 0) = = = ⋅
∆h hi ho − hr h f ho hr h f
1−
hi ho
- pentru Zg → ∞, adică pentru comanda cu generator de curent ideal
(mai greu de realizat din cauza circuitelor de polarizare în c.c. a bazei) se
obţine:
1
Z o ( Z g → ∞) = < Z o ( Z g = 0)
ho
* Amplificarea globală de tensiune:
U2 Zi − hf Zs
Aug = = Au ; Aug ≅
U g Zi + Z g hi + Z g
În mod similar se poate determina şi o amplificare globală de

curent dacă excitarea schemei se face cu generator de curent.
* Amplificarea de putere (în impedanţă de sarcină rezistivă,

Zs=Rs):
h f Rs hf h 2f Rs
AP = Au ⋅ Ai = ⋅ AP ≅
hi + Rs ∆h 1 + ho Rs hi
- amplificarea de putere realizată de schema cu emitor la masă este
foarte mare (Rs şi hi pot avea valori de acelaşi ordin de mărime) întrucât,
în această conexiune, tranzistorul amplifică şi în tensiune şi în curent;
- dependenţă mai complicată de rezistenţa de sarcină, în sensul că
amplificarea de putere devine nulă atât pentru Rs → 0, cât şi pentru Rs
→ ∞, ceea ce înseamnă că există o valoare optimă a rezistenţei de
sarcină pentru care se obţine o amplificare de putere maximă;
hi
- Rsopt =
ho ∆h
- cu valorile normale pentru hi şi ho, valoarea rezistenţei de sarcină
optimă este de ordinul zecilor de kΩ, ceea ce este foarte greu de realizat
în practică.
2. Amplificator cu TBIP cu baza la masă
Schema de principiu a unui amplificator cu BM:

Observaţie: este incomod să se folosească parametrii hibrizi în

conexiunea bază comun deoarece hrb , hib si hob sunt foarte mici, iar
hfb este foarte apropiat de unu (-1) şi, pentru toţi aceşti parametri,
măsurătoarea lor directă este mai dificilă şi mai puţin precisă decât în
cazul parametrilor corespunzători pentru conexiunea emitor comun, cu
valori numerice mai rezonabile.
- se folosesc relaţiile generale în care parametrii H se înlocuiesc cu
parametrii hibrizi în conexiunea BC:
hi h f + ∆h hr − ∆h ho ∆h
hib = ; h fb = − ; hrb = − ; hob = ; ∆hb =
N N N N N
cu: N = hf + 1 + ∆h – hr.
* Amplificarea de tensiune:
Aub = −
h fb Z s
=
(h f + ∆h )Z s
hib + Z s ∆hb hi + Z s ∆h
hf Zs
Aub ≅ = SZ s
hi
- expresie asemănătoare cu aceea pentru schema cu emitor la masă;
- amplificarea de tensiune este pozitivă;
- egală cu aceea a schemei cu emitorul comun (ca modul)
- depinde de curentul de colector din PSF (prin S).
* Amplificarea de curent:
h fb h f + ∆h h f + ∆h
Aib = =− =−
1 + hob Z s N + hob Z s h f + 1 + ∆h − hr + hob Z s
hf
- aproximativ: Aib ≅ − = −α ≅ −1
hf + 1
- amplificarea de curent este, practic, egală cu –1;
- semnul (–) nu are semnificaţie, el depinde numai de convenţia de
semne pentru curenţii de intrare şi de ieşire.
* Impedanţa de intrare:
hib + Z s ∆hb hi + Z s ∆h
Z ib = =
1 + ho Z s N + ho Z s
- expresie aproximativă:
hi 1
Z ib ≅ ≅
hf + 1 S
- este foarte mică, de ordinul zecilor de ohmi;
- se recomandă ca, în cazul amplificatoarelor cu mai multe etaje,
să nu se conecteze un amplificator cu BM după un amplificator cu EM
pentru că amplificarea de tensiune a acestuia va fi mult micşorată.
* Impedanţa de ieşire:
hib + Z g hi + Z g N
Z ob = =
∆hb + Z g hob ∆h + Z g ho
- impedanţa de ieşire are o valoare mare (la numărătorul expresiei
apare termenul NZg);
- tranzistorul se comportă, la ieşire, ca un generator de curent şi în
regim dinamic; (scheme cu BM pot fi folosite ca sarcini dinamice sau ca
generatoare de curent constant, exemple de astfel de scheme fiind
întâlnite în toate circuitele integrate liniare).
- nu se poate da o formă aproximativă atâta timp cât nu este
precizată impedanţa de generator, Zg, decât, cel mult, înlocuind pe N cu
hf+1;
- pentru cele două situaţii limită în care se poate afla Zg, se obţin
rezultatele:
- când tranzistorul este comandat cu generator ideal de tensiune,
impedanţa de ieşire este aceeaşi pentru cele două conexiuni:
hi
Z ob ( Z g = 0) = = Z o ( Z g = 0)
∆h
- dacă este comandat cu generator de curent:

N hf + 1 1
Z ob ( Z g → ∞) = ≅ ≅
ho ho hob
- valoare foarte mare pentru impedanţa de ieşire, dată de impedanţa
joncţiunii colector-bază cu emitorul în gol;
- o valoare foarte mare a impedanţei de ieşire se obţine chiar pentru
valori relativ mici ale impedanţei de generator, fiind suficient ca
Zg>>Zib.
- se mai poate scrie:
hi + Z g (h f + 1) hi + Z g hf Zg hf Zg
Z ob ≅ = + = Zo +
∆h + Z g ho ∆h + Z g ho ∆h + Z g ho ∆h + Z g ho
din care se observă că, pentru Zg≠0, rezultă Zob>Zo.
* Amplificarea globală de tensiune:

Z ib
Aug = Aub
Z ib + Z g
- este foarte mult afectată de valoarea mică a impedanţei de intrare,
chiar pentru valori mici ale impedanţei generatorului de tensiune de
comandă.
- în cazul unei comenzi cu generator de curent, amplificarea
globală de curent este puţin afectată de rezistenţa generatorului de curent
de comandă dacă Zg>>Zib, condiţie uşor de îndeplinit.
* Amplificarea de putere (pentru schema de bază şi pentru o

impedanţă de sarcină rezistivă):
hf h f Rs
AP = Au ⋅ Ai = Rs ⋅ (1) = = SRs
hi hi
- valoare mare a amplificării de putere (numai pe seama
amplificării de tensiune a schemei).
- în cazul excitării schemei cu generator de tensiune cu Rg≠0 şi
amplificarea totală de putere va fi afectată dacă Rg nu este neglijabil în
comparaţie cu Zib, condiţie, în general, greu de îndeplinit.
3. Amplificator cu TBIP cu colectorul la masă
Observaţie: se folosesc relaţiile generale în care parametrii H se

înlocuiesc cu parametrii hibrizi în conexiunea CC, hc , deduşi în funcţie
de parametrii h în conexiunea emitor comun:
hic = hi ; hoc = ho ; hfc = −(hf +1) ; hrc = 1 − hr ; ∆hc = N
cu: N = hf + 1 + ∆h – hr ≈ hf + 1.
* Amplificarea de tensiune:
− h fc Z s (h f + 1) Z s (h f + 1) Z s
Auc = = ≅
hic + Z s ∆hc hi + Z s N hi + (h f + 1) Z s
- amplificarea de tensiune este pozitivă şi subunitară.
- dacă este îndeplinită condiţia |(hf+1)Zs|>>hi, amplificarea de
tensiune devine aproape egală cu unitatea, adică circuitul repetă la ieşire
tensiunea aplicată la intrare, şi de aici şi denumirea de repetor pe emitor
pentru această conexiune a tranzistorului BIP.
- condiţia impusă se poate scrie şi sub forma:
hi 1
Zs > ≅ hib ≅ sau S Z s >> 1
hf + 1 S
şi se îndeplineşte în cea mai mare parte a cazurilor practice.
- formula aproximativă pentru amplificarea de tensiune a
repetorului pe emitor se scrie:
SZ s
Auc ≅ ≅1
1 + SZ s
* Amplificarea de curent:
h fc − ( h f + 1)
Aic = =
1 + hoc Z s 1 + ho Z s
- relaţia aproximativă pentru cazul în care |hoZs|<<1, condiţie

îndeplinită aproape întotdeauna în schemele concrete.:
Aic ≅ −(h f + 1)
- amplificarea de curent are valoare mare, iar faptul că este
negativă nu are semnificaţie întrucât acest semn depinde de semnele
acceptate pentru cei doi curenţi.
* Impedanţa de intrare:
hic + Z s ∆hc hi + Z s N
Z ic = =
1 + hoc Z s 1 + ho Z s
- dacă se înlocuieşte N cu expresia aproximativă şi se ţine seama de
faptul că, de obicei, |hoZs|<<1, rezultă o expresie aproximativă pentru
Zic sub forma:
Z ic ≅ hi + ( h f + 1) Z s
care arată că impedanţa de intrare în repetorul pe emitor este foarte mare,
de ordinul a zeci de kΩ.
- altă formă:
⎛ hf + 1 ⎞
Z ic ≅ hi ⎜⎜1 + Z s ⎟⎟ ≅ hi (1 + SZ s ) ≅ Z i (1 + SZ s )
⎝ hi ⎠
din care se vede că este mult mai mare decât impedanţa de intrare a
amplificatorului cu emitorul la masă deoarece |SZs|>>1 (în mod
obişnuit).
- Impedanţa de intrare mare arată că, în cazul unui amplificator
realizat din mai multe etaje în cascadă, cuplarea unui repetor pe emitor ca
sarcină nu încarcă prea mult etajul amplificator anterior şi, deci, nu-i
micşorează amplificarea de tensiune;
- această impedanţă de intrare mare va fi afectată mai mult decât în
celelalte cazuri de elementele circuitului de polarizare în c.c. a bazei
tranzistorului.
* Impedanţa de ieşire:
hic + Z g hi + Z g
Z oc = =
∆hc + Z g hoc N + Z g ho
sau, dacă se înlocuieşte N cu relaţia aproximativă şi se neglijează Zgho:
hi + Z g hi Zg 1 Zg
Z oc ≅ = + ≅ +
hf + 1 hf + 1 hf + 1 S hf + 1
- impedanţa de ieşire a repetorului pe emitor este foarte mică în

comparaţie cu impedanţele de ieşire ale celorlalte două amplificatoare
elementare. Dacă se compară impedanţele de ieşire ale repetorului pe
emitor şi amplificatorului cu emitorul la masă pentru Zg = 0 se obţine:
hi h ∆h ∆h
Zoc ( Zg = 0) = = i ⋅ = Zo
h f + 1 ∆h h f + 1 hf +1
4
şi, cum raportul hf / ∆h este de circa 10 , rezultă acelaşi raport între cele
două impedanţe de ieşire.
- impedanţa de ieşire de valoare mică arată că repetorul pe emitor
este capabil să comande rezistenţe de sarcină de valoare mică.
Concluzii privind repetorul pe emitor:
- impedanţa de intrare este mare (deci circuitul nu încarcă esenţial etajul

anterior);
- impedanţa de ieşire este mică (deci circuitul poate comanda orice
sarcină);
- amplificarea de tensiune este practic unitară.
rezultă: repetorul pe emitor este un foarte bun etaj de adaptare între alte
etaje de amplificare ale unui amplificator de tensiune cu mai multe etaje
(ulterior se va arăta că şi răspunsul în frecvenţă al repetorului pe emitor
este foarte bun).
* Amplificarea globală de tensiune este afectată mai puţin de
prezenţa impedanţei generatorului de semnal de valoare nu prea mare,
deoarece impedanţa de intrare în repetor este mare:
Z ic
Aug = Au
Z ic + Z g
* Amplificarea de putere (pentru amplificatorul elementar încărcat
cu sarcină rezistivă):
(h f + 1)(h f + 1) Rs
AP = Au ⋅ Ai = ≅ hf + 1
hi + (h f + 1) Rs
- repetorul pe emitor are amplificare de putere mare realizată pe
seama amplificării de curent.
DCE I Amplificatoare elementare N. Cupcea 24 notiţe
5. Influenţa circuitelor de polarizare asupra performanţelor

amplificatoarelor elementare cu TBIP
Comparaţie între cele trei amplificatoare fundamentale:
- negativă şi mare în valoare absolută pentru EM;
- pozitivă şi mare pentru BM;
- unitară(foarte aproape de 1, <1) pentru CM;
- amplificarea de curent:
- mare pentru EM;
- practic egală cu -1 pentru BM;
- mare pentru CM;
- impedanţa de intrare:
- medie pentru EM;
- foarte mică pentru BM;
- foarte mare pentru CM;
- impedanţa de ieşire:
- mare pentru EM;
- foarte mare pentru BM;
- foarte mică pentru CM;
- amplificarea de putere (sarcină rezistivă);

- foarte mare pentru EM;
- mare pentru BM;
- mare pentru CM;
Observaţie: tranzistorul este capabil de amplificare de putere în oricare
dintre cele trei conexiuni fundamentale
Conexiune EM BM CM
amplificare de mare mare 1
tensiune negativă pozitivă
amplificare de curent mare -1 mare
impedanţă de intrare medie foarte mică foarte mare
impedanţă de ieşire mare foarte mare foarte mică
amplificare de putere foarte mare mare mare
* performanţele calitative şi cantitative ale celor trei amplificatoare

fundamentale permit aprecierea rapidă a performanţele unei scheme mai
complicate şi pot fi alese cele mai potrivite scheme pentru realizarea unei funcţii
de prelucrare analogică date.
* toate aceste performanţe sunt afectate, mai mult sau mai puţin, de
circuitele de polarizare ale tranzistorului. Aceste circuite, mai simple sau mai
complicate, sunt necesare pentru precizarea PSF în jurul căruia variază
semnalele variabile. Mai mult, coordonatele PSF influenţează parametrii de
regim dinamic ai tranzistorului şi, deci, performanţele dinamice ale
amplificatorului. Din acest motiv, întotdeauna trebuie alese acele circuite de
polarizare care să asigure o stabilitate cât mai bună a PSF în condiţiile reale de
funcţionare (dispersii ale parametrilor, variaţia temperaturii, variaţia tensiunilor
de alimentare, îmbătrânirea componentelor, variaţia sarcinii).
* PSF trebuie astfel alese încât să asigure evoluţia semnalului variabil în
limitele necesare fără ca elementele active să intre în regiunile profund neliniare
(saturaţie sau blocare).
* în general, condiţiile de proiectare a cicuitelor de polarizare vin în
contradicţie cu condiţiile de obţinere a unor performanţe maxime ale
amplificatorului.
* pentru a pune în evidenţă şi sub formă numerică deosebirile dintre cele
trei amplificatoare elementare şi pentru a vedea influenţa circuitelor de
polarizare, se va considera o schemă de polarizare clasică (cu patru rezistenţe) a
unui tranzistor pentru precizarea PSF şi apoi schema respectivă va fi conectată
pe rând în fiecare din cele trei conexiuni fundamentale, în regim dinamic.
* se vor calcula parametrii circuitului atât pentru schema de principiu cât
şi pentru amplificatorul complet, cu circuitele de polarizare.
* tranzistorul va fi caracterizat prin următorii parametri:

- pentru regimul static: β 0 → ∞ (aceasta permite neglijarea curentului de

bază în raport cu alţi curenţi), VBE = 0,6 V (considerat constant), ceilalţi
parametri fiind neglijaţi;
- pentru regimul dinamic: h f = 100, S = 40I C (relaţie care permite
determinarea parametrului h i cu relaţia hi = h f /S ), hr = 0 şi h0 = 0 (se
neglijează aceşti parametri pentru a putea folosi relaţiile simplificate, suficient
pentru evidenţierea aspectelor urmărite). Generatorul de semnal, de rezistenţă
internă Rg = 1kΩ , se cuplează capacitiv pentru a nu influenţa PSF iar sarcina
Rs = 3kΩ , de asemenea cuplată capacitiv.
este constituită dintr-o rezistenţă
- elementele de circuit au valorile: Rb1 = 30kΩ , Rb2 = 10kΩ ,
Re = 1,2kΩ , Rc = 3kΩ iar Ec = 12V .
- determinarea coordonatelor PSF se face calculând, mai întâi, tensiunea
bazei faţă de masă, prin neglijarea curentului de bază:
R b2
VB = E c = 3V
R b1 + R b 2
Tensiunea emitorului faţă de masă va fi:
VE = VB - VBE = 2,4 V
iar curentul de emitor (practic egal cu curentul de colector):
I C ≅ I E = 2mA .
Tensiunea colector – emitor este:
VCE = EC - RC I C - RE I E = 3,6V . (tranzistorul este în RAN)
Se calculează parametrul h i al tranzistorului:
hf hf 100
hi = = = =1,25 kΩ
S 40 I C 40 ⋅ 2
a) Amplificator cu emitorul la masă
- se scurtcircuitează emitorul la masă în regim dinamic printr-o capacitate

de decuplare Ce ;
- sursa de semnal se cuplează prin capacitatea de cuplare Cb ;
- sarcina se cuplează printr-o capacitate de cuplare, Cc ;
- toate capacităţile au reactanţa foarte mică în comparaţie cu rezistenţele
echivalente la borne.
- se obţine schema electrică a unui amplificator cu emitorul la masă.
* schema echivalentă pentru regim dinamic (reguli):
- Z i şi Z 0 sunt impedanţele de intrare, respectiv de ieşire din schema de

principiu;
- Z int este impedanţa de intrare în amplificator (adică ceea ce vede sursa
de semnal spre amplificator);
- Z ies este impedanţa pe care o oferă amplificatorul sarcinii (adică ceea
ce vede sarcina spre amplificator).
- aceste două impedanţe sunt afectate de elementele circuitelor de
polarizare.
Se calculează următoarele mărimi:

- amplificarea de tensiune Au :
h f h f
Au = − Z s = − R s || R c = − 120
hi hi
- Z s este impedanţa totală văzută în colectorul tranzistorului;
- amplificarea obţinută este negativă şi de valoare mare;
- rezistenţa Rc necesară numai pentru polarizarea corectă a colectorului
reduce amplificarea de tensiune la jumătate în comparaţie cu valoarea pe care ar
fi avut-o dacă amplificatorul ar fi lucrat numai pe sarcina explicită, Rs .
- amplificarea de curent, Ai :
Ai = h f = 100 .
- impedanţa de intrare, Z i :
Z i = hi = 1,25kΩ .
- impedanţa de ieşire, Z 0 → ∞.
- impedanţa de intrare în amplificator, Z int :
Z int = Rb1 || Rb2 || Z i = 1,07kΩ .
(efectul rezistenţelor de polarizare nu este prea important).
- amplificarea globală de curent:
I s I s I 2 I1 Rc Rb1 R b 2
Aig = = = Ai = 42 ,8.
I g I 2 I1 I g Rc + Rs Rb1 R b 2 + Z i
- efectul rezistenţei de colector
- amplificarea globală de tensiune:
U2 U U Z int
Aug = = 2 1 = Au = 62 .
Ug U1 U g Z int + Z g
(amplificarea de tensiune realizată de circuit este circa 25% din ceea ce poate
realiza tranzistorul pe sarcina de 3kΩ).
- impedanţa de ieşire a amplificatorului:
Z ies = Ζ 0 || Rc = Rc = 2kΩ .
- efectul rezistenţei de colector
- amplificarea de putere, Ap , pentru: Rs → Rs || Rc :
Ap =| Au | × | Ai |= 120 × 100 = 12000 .
- în absenţa rezistenţei de polarizare, Rc, amplificarea de putere maximă
ce ar fi putut fi realizată cu acest montaj este de 24000;
- amplificarea totală de putere - definită ca raportul dintre puterea dată în
sarcina Rs şi puterea cedată de sursa de semnal va fi:
Rs I s2 U2 I s
Apt = = = Aug × Aig = 62× 42,8 = 2654
Ug I g Ug I g
(din cauza circuitelor de polarizare şi a valorii finite a impedanţei de intrare
medie, se obţine o amplificare de putere de numai circa 20% din amplificarea
de putere maximă posibilă cu acest circuit, dar, totuşi, de valoare mare).
* se pot folosi şi alte circuite de polarizare în curent continuu
b) Amplificator cu baza la masă
* schema electrică:
- se decuplează baza la masă prin capacitatea de decuplare Cb ;

- generatorul se cuplează prin Ce la emitor;
- sarcina este cuplată capacitiv în colectorul tranzistorului, prin Cc ;
- toate capacităţile sunt de valori mari.
* schema echivalentă pentru regim dinamic:
Se calculează următoarele mărimi:

hf Zs hf
Aub = = Rc Rs =120.
hi hi
- amplificarea este pozitivă, mare şi are aceeaşi valoare ca şi modulul
amplificării de tensiune pentru amplificatorul cu EM;
- amplificarea de curent, Aib , este –1;
- impedanţa de intrare, Zib :
hi
Z ib ≅ ≅ 12,4 Ω . (de valoare foarte mică).
h f +1
- impedanţa de ieşire, Z ob → ∞;
- impedanţa de intrare în amplificator, Z int :
Z int = Z ib || Re ≅ 12,3Ω
- practic neschimbată, pentru că Zib este foarte mică.
- impedanţa de ieşire din amplificator, Z ies :
Z ies = Ζ ob || Rc = Rc = 3kΩ .
- influenţă foarte puternică a circuitului de polarizare care adaugă unui
generator de curent aproape ideal o impedanţă în paralel de numai 3kΩ;
U 2 U 2 U1 Z int
Aug = = = Au ≅ 1,46.
U g U1 U g Z int + Z g
- o reducere foarte puternică a amplificării de tensiune deoarece un
amplificator cu BM nu se comandă cu un generator de tensiune cu o impedanţă
internă aşa de mare; este necesar ca Z g << Z ib !)
Is I I I Rc Re
A ig = = s 2 1 = Ai ≅ − 0 ,5 .
Ig I 2 I1 I g Rc + Rs R e + Z ib
- rămâne numai influenţa rezistenţei de polarizare din colectorul
tranzistorului;
- amplificarea de putere, Apb :
Apb =| Aub | × | Aib |= 120 × 1 = 120
- amplificarea de putere este mare datorită amplificării de tensiune;
* concluzie:
- amplificatorul cu BM trebuie comandat cu un generator de tensiune cât

mai apropiat de cel ideal din cauza impedanţei de intrare de valoare foarte mică;
- în circuitul de ieşire, amplificatorul cu BM se comportă ca un generator
de curent, dar caracterul său este puternic modificat de rezistenţa de polarizare
din colector.
c) Amplificator cu colector comun (repetor pe emitor)
* schema electrică:
* schema echivalentă în regim dinamic
* se calculează următoarele mărimi:
- amplificarea de tensiune este Auc = 1;

-se verifică mai întâi faptul că:
hf
S ⋅ Z S = S ⋅ Re || Rs = Re||Rs ≅ 69 >> 1.
hi
- valoarea exactă a amplificării este 0,986;
- amplificarea de curent este Aic = -101 ;

- impedanţa de intrare, Zic :
Z ic = hi + (h f + 1) Re || Rs = 87,8kΩ
- se constată contribuţia esenţială a celui de al doilea termen;
- impedanţa de ieşire, Zoc:
hi + Z g hi + Rg || Rb1 || Rb 2
Z oc = = = 21,1 Ω
h f +1 hf +1
- impedanţa de ieşire este foarte mică;
- efectul rezistenţei generatorului de semnal este diminuat;
- impedanţa de intrare în amplificator este:
Z int = Rb1 || Rb2 || Z ic = 6,91kΩ
- este puternic influenţată de circuitul de polarizare;
- impedanţa de ieşire din amplificator este:
Z ies = Z oc || Re = 19,3 Ω
- este de valoare mică;
- conferă caracterul unui generator de tensiune pentru repetorul pe emitor;
- nu este afectată substanţial de rezistenţa de polarizare, Re ;
U 2 U 2 U1 Z int 6,91
Aug = = = Aic = 1× = 0,873
U g U1 U g Z int + Z g 7,91
- reducerea amplificării de tensiune este dată de valoarea nu foarte mare a
impedanţei de intrare;
Is Re Rb1 || Rb 2
Aig = = × Ai × = −2,27
I g Re + Rs Rb1 || Rb 2 + Z ic
- reducerea substanţială a amplificării de curent este determinată de
valoarea mică a rezistenţelor din divizorul de polarizare a bazei în comparaţie cu
impedanţa de intrare;
- amplificarea de putere este:
APC =| Auc | × | Aic |= 1 × 101 = 101
- valoare mare a amplificării de putere datorită amplificării de curent.
- amplificarea globală de putere va fi mult micşorată datorită micşorării
amplificării globale de curent.
* concluzie:
- eficienţa repetorului pe emitor este cu atât mai bună cu cât circuitul de
polarizare a bazei are o influenţă mai mică asupra impedanţei de intrare a
circuitului.
6. Tranzistoare echivalente. Tranzistoare compuse
* permit simplificarea schemelor echivalente în regim dinamic ale

circuitelor cu tranzistoare pentru a se identifica mai repede structurile
fundamentale utilizate şi, în consecinţă se pot anticipa principalele performanţe
ale circuitului în cauză;
Tranzistoare echivalente
* impedanţe (rezistenţe) în serie cu unul dintre terminalele TBIP sau între

două terminale ale acestuia;
* întâmplătoare (element secundar) sau intenţionate → nu schimbă
caracterul fundamental al dispozitivului respectiv dar modifică, mai mult sau
mai puţin, parametrii dinamici echivalenţi în funcţie de valorile numerice ale
elementelor;
* “tranzistor echivalent” cu parametrii dinamici în funcţie de parametrii
tranzistorului iniţial şi de valorile numerice ale impedanţelor adăugate;
* tranzistor caracterizat prin parametrii de cuadripol hibrizi → permit o
interpretare fizică directă şi simplă;
* impedanţa în serie cu un terminal al tranzistorului sau între două
terminale ale acestuia, nu modifică tipul tranzistorului;
* din punct de vedere dinamic, tipul tranzistorului (pnp sau npn) nu are
importanţă, acest aspect contând numai în ceea ce priveşte polarizarea sa în
curent continuu, pentru precizarea PSF în jurul căruia se manifestă semnalul
variabil şi care determină parametrii de regim dinamic ai tranzistorului.
* pentru deducerea parametrilor hibrizi ai tranzistorului echivalent se pot
folosi în principiu două metode:
- tranzistorul iniţial este caracterizat prin mărimile U1, I1, U2, I2,
între care există relaţiile:
⎧U1 = hi I1 + hrU 2
⎨
⎩ I 2 = h f I1 + hoU 2
- tranzistorul T împreună cu impedanţa Z conectată fie în serie cu

unul dintre terminale, fie între două terminale este caracterizat prin mărimile
U1' , I1' , U 2' , I 2' între care există relaţiile:
⎧U1' = h ' I ' + h' U '
⎪ i 1 r 2
⎨ '
⎪⎩ I 2 = h f I 1 + ho U 2
' ' ' '
* între mărimile ce caracterizează tranzistorul (U1, I1, U2, I2) şi mărimile

' ' ' '
ce caracterizează tranzistorul echivalent (U1 , I1 , U 2 , I 2 ) există relaţii ce pot fi
puse în evidenţă prin teoremele lui Kirchhoff scrise pentru nodurile sau ochiurile
care se formează;
* prima metodă constă în eliminarea mărimilor U1, I1, U2 şi I2 dintre
aceste relaţii şi aranjarea relaţiilorobţinute sub forma anterioară de unde, prin
identificare, se găsesc parametrii hibrizi corespunzători tranzistorului echivalent.
* a doua metodă constă în determinarea parametrilor hibrizi ai
tranzistorului echivalent pornind de la definiţii.
a) Tranzistor bipolar cu impedanţă în serie cu baza
⎧U1 = hi I1 + hrU 2 ⎧⎪ I1' = I1 ⎧⎪U 2' = U 2

⎨ ⎨ ' ⎨ '
⎩ I 2 = h f I1 + hoU 2 ⎪⎩U1 = ZI1' + U 1 ⎪⎩ I 2 = I 2
* rezultă:
⎧ U1' = ( hi + Z ) I1' + hr U 2'

⎨
⎩ I 2 = h f I1' + hoU 2'
* se deduc parametrii tranzistorului echivalent sub forma :
⎧⎪h 'f = h f ⎧⎪hi' = hi + Z
⎨ ' ⎨ '
⎪⎩ho = ho ⎪⎩hr = hr
Aceleaşi relaţii se pot obţine şi dacă se observă că impedanţa Z apare, pur şi
simplu, în serie cu hi . Rezultă că parametrii h f , hr , h0 nu sunt afectaţi şi h'i
devine suma hi +Z.
- odată cu modificarea parametrului h'i se modifică şi panta tranzistorului
echivalent care se micşorează:
h 'f hf hi
S'= = =S
hi' hi + Z hi + Z
- amplificarea de tensiune a etajului de amplificare cu EM se va reduce;

'
(fizic, o parte din semnalul aplicat la intrare, U 1 , se pierde pe impedanţa Z şi nu
ajunge efectiv la intrarea tranzistorului, U1 (între bază şi emitor) semnal care
este amplificat de tranzistor);
- dacă tranzistorul iniţial este caracterizat prin hr = 0 şi h0 = 0 , atunci

aceiaşi parametri ai tranzistorului echivalent rămân tot nuli ceea ce permite
folosirea relaţiilor aproximative pentru calculul performanţelor amplificatorului;
- impedanţa Z în serie cu baza poate să apară ca o rezistenţă antioscilantă

introdusă în acest scop în circuit; de asemenea, se poate considera că şi efectul
rezistenţei distribuite a bazei, rx , se manifestă în acelaşi mod, dar el este
important numai la curenţi mai mari unde rx poate lua valori semnificative în
comparaţie cu hi .
b) Tranzistorul bipolar cu impedanţă în serie cu emitorul
* este una dintre situaţiile întâlnite des în practică.

* se procedează ca în cazul precedent; se obţin relaţiile:
⎧ hi' = hi + ZN ; h + Zh0
hr' = r
⎪ 1+ Zh0 1+ Zh0
⎨ ' h f − Zh0 h
⎪⎩ h f = 1+ Zh0 ; h0' = 0
1+ Zh0
unde N = h f + 1 + ∆h − hr .
* trebuie remarcat faptul că rezistenţa Z nu poate avea în cazurile practice
valori prea mari, astfel că aproape întotdeauna se poate face neglijarea
| Zh0 |<< 1 ; se obţin relaţii aproximative:
hi' ≅ hi + h f Z; hr' ≅ hr + Zh0 ; h'f ≅ h f ; h0' ≅ h0
∆h' ≅ hi h0 + h f Zh0 − f r h f − Zh0 h f ≅ ∆h
* panta tranzistorului devine:
h'f hf hi 1
S'= = =S =S
hi' hi + h f Z hi + h f Z 1 + SZ
- micşorarea pantei echivalente este importantă chiar pentru valori
nu prea mari ale impedanţei Z şi duce la micşorarea modulului amplificării de
tensiune a tranzistorului cu EM.
- se mai poate interpreta rezultatul şi în sensul că, fiind mărit

substanţial parametrul hi, înseamnă că va fi necesară o tensiune de comandă mai
mare pentru a excita tranzistorul cu acelaşi curent de intrare în vederea
amplificării, ceea ce se va traduce în final, printr-o amplificare de tensiune de
valoarea mai mică;
- dacă hr = 0 si h0 = 0 rezultă hr = 0 şi h0 = 0 , ceea ce
' '
înseamnă că se pot folosi în continuare relaţiile aproximative pentru calculul

performanţelor amplificatoarelor elementare cu tranzistoare.
* impedanţa Z poate fi o rezistenţă introdusă în circuit, în serie cu

emitorul, pentru stabilizarea PSF, dar poate fi introdusă şi în mod special pentru
a stabiliza amplificarea de tensiune a amplificatorului cu EM;
* amplificarea de tensiune aproximativă a unui etaj cu sarcină şi în emitor

şi în colector:
devine:
h'f h f Zs SZs
Au = − Zs = − =−
hi' hi + h f Z 1 + SZ
şi în condiţiile în care | SZ |>> 1 , se deduce expresia:
Z
Au ≅ − S -
Z
- această relaţie arată că amplificarea de tensiune nu mai depinde (în mod
esenţial) de parametrii tranzistorului, ci numai de raportul a două impedanţe;
- efectul impedanţei Z se poate considera şi ca o reacţie negativă serie de
curent.
c) Tranzistor bipolar cu impedanţă în serie cu colectorul
* se obţin relatiile:
⎧ U1' = hi + Z∆h I1' + hr U 2'

⎪ 1+ h0 Z 1+ h0 Z
⎨ ' h f ' h0 '
⎪⎩ I 2 =1+ h0 Z I1 +1+ h0 Z U 2
* rezultă parametrii tranzistorului echivalent prin identificare:
⎧ hi' = hi + Z∆h ; hr' = r

h
⎪ 1+ h0 Z 1+ h0 Z
⎨ ' hf h
⎪⎩ h f =1+ h0 Z ; h0' = 0
1+ h0 Z
- pentru valori nu prea mari ale impedanţei Z, ceea ce se întâmplă în mod
obişnuit în circuitele reale, se îndeplinesc următoarele condiţii:
Z∆h << hi , Zh0 << 1 şi relaţiile obţinute se pot simplifica sub forma:
hi' ≅ hi , hr' ≅ hr , h 'f ≅ h f , h0' ≅ h0
ceea ce înseamnă că o impedanţă (rezistenţă) conectată în serie cu colectorul
tranzistorului nu schimbă substanţial parametrii dinamici ai acestuia şi deci, nici
performanţele sale ca amplificator de tensiune.
- trebuie observat faptul că acest aspect era normal întrucât s-a accentuat
de mai multe ori că tranzistorul bipolar se comportă la ieşire, în colector, ca un
generator de curent aproape ideal, iar o impedanţă în serie cu un generator de
curent nu contează;
- în general, în astfel de situaţii se permite neglijarea impedanţei care
apare în serie cu colectorul unui tranzistor.
d) TBIP cu impedanţă între bază şi emitor
* este una dintre situaţiile des întâlnite în practică.

'=
'
'= '=
' '
*se obţin relaţiile:
⎧ U1' = hi Z I1' + hr Z U 2'

⎪ hi + Z hi + Z
⎨ ' h f Z ' ∆h + Zh0 '
⎪⎩ I 2 = hi + Z I1 + hi + Z U 2
* prin identificare rezultă parametrii tranzistorului echivalent:
⎧ ' hi Z
hi = '
= hi ||Z ; h f =
hf Z
=h f
hi'
⎪ hi + Z hi + Z hi
⎨ hZ h Z + ∆h
hr' = r ; h0' = 0
⎪⎩ hi + Z hi + Z
* se constată că panta tranzistorului echivalent este identică cu aceea a
tranzistorului iniţial, S' = S . De multe ori, în cazurile practice, impedanţa Z, o
rezistenţă, are o valoare mult mai mare decât hi, astfel încât, din punct de vedere
numeric, parametrii tranzistorului echivalent sunt practic identici cu cei ai
tranzistorului iniţial.
* dacă tranzistorul inţial este caracterizat de parametrii
hr = 0 si h0 = 0 , atunci parametrii circuitului echivalent vor fi:
Z
hi' = hi || Z ; h 'f = h f ; hr = 0 si h0 = 0 ,
Z + hi
ceea ce permite utilizarea relaţiilor aproximative pentru calculul performanţelor
amplificatoarelor;
* din punct de vedere fizic, se observă că prezenţa impedanţei Z duce la
micşorarea curentului care intră efectiv în baza tranzistorului pentru a fi
amplificat, o parte din el mergând prin Z spre borna comună. Cu cât impedanţa
Z este mai mare, cu atât această pierdere de curent este mai mică;
* cel mai adesea, rezistenţa dintre bază şi emitor apare fie din necesităţile
de polarizare corectă a tranzstorului, fie din circuitele de bootstrapare utilizate
pentru micşorarea influenţei curentului de polarizare din bază asupra impedanţei
de intrare, aşa cum se va vedea în paragrafele următoare.
e) TBIP cu rezistenţă între bază şi colector
* schema de principiu: este
* ecuaţiile suplimentare necesare pentru determinarea parametrilor

tranzistorului echivalent sunt :
⎧ U1' −U 2'
⎪
' '
U1 =U1 ; I1 = I1 +
⎨ ' Z
U 2' −U1'
⎪⎩ U 2 =U 2 ; I 2 = I 2 + Z
'
* se obţin relaţiile următoarele echivalări:
⎧ hi' = hi ||Z ; '

hf =
2h f
−
hi
≅
hf Z
⎪ hi + Z hi + Z hi + Z
⎨ ' hi + hr Z h Z + ∆h
h0' = 0
⎪⎩ hr = hi + Z ; hi + Z
Z
* întotdeauna se poate face aproximarea h 'f ≅ h f deoarece, în
Z + hi
cazurile practice, este îndeplinită condiţia | h f Z |>> hi ;
* se poate folosi metoda de calcul pprnind de la definiţia parametrilor:
* conform definiţiei:
U 1' U1 U1
hi' = ' = = = hi Z
I1 U ' =0 I1 + I z U 2 =0
U 1 U
+ 1
2
hi Z
U1' | 1 ⎡ Z hi ⎤ Zhr + hi
hr' = ' = + =
U 2 ⎢⎣ Z + hi Z + hi ⎥⎦ Z + hi
h U
r 2
U 2 |I1' = 0
I 2' 1 − hr h f (1 − hr ) Zh0 + ∆h
h0' = ' = h0 + + =
U2 I1' = 0
Z + hi Z + hi Z + hi
I 2' h f I1 − I Z Zh f hi Z
h 'f = ' = = − ≅ hf
I1 U 2 =0
I1' Z + hi Z + hi Z + hi
* se constată că sunt afectaţi în mod substanţiali trei dintre parametrii
tranzistorului echivalent; astfel, chiar dacă tranzistorul iniţial este caracterizat
prin hr = 0 si h0 = 0 rezultă:
hi
hr' = ≠0
hi + Z
ceea ce înseamnă că în calculul performanţelor amplificatoarelor cu astfel de
tranzistoare echivalente trebuie să fie luate în considerare relaţiile exacte deduse.
* se recomandă ca în analiza circuitelor cu tranzistoare astfel de echivalări
să fie evitate.
* prezenţa unei rezistenţe între baza şi colectorul unui tranzistor poate să
apară frecvent datorită faptului că acest mod de polarizare a tranzistorului
asigură o bună stabilizare termică a PSF. În plus, la polarizarea tranzistorului cu
o rezistenţă între bază şi emitor se elimină posibilitatea saturării tranzistorului,
indiferent de condiţiile de lucru.
* din punct de vedere dinamic se poate considera că impedanţa dintre

bază şi colector determină o reacţie negativă paralel de tensiune care duce la
modificarea importantă a parametrilor tranzistorului.
* panta tranzistorului echivalent va fi:
Z
hf
h 'f Z + hi h f
S'= ≅ = =S
hi' Z || hi hi
ceea ce înseamnă că rămâne practic nemodificată.
f) Tranzistor bipolar cu rezistenţă între colector şi emitor
* pentru determinarea parametrilor tranzistorului echivalent se observă

1
faptul că Z apare strict în paralel pe impedanţa . Rezulă că parametrii hi, hf
ho
şi hr nu sunt modificaţi iar parametrul h0 se înlocuieşte prin combinaţie în
paralel a celor două impedanţe. Deci:
⎧ '
⎪⎪ hhi' ==hhi ;;
⎨ r' r 1 1
h0' = h0 +
⎪ hf =hf ; =
Z Z || 1
.
⎪⎩ h0
* având în vedere că impedanţa Z are în mod obişnuit valori sensibil mai
1 '
mici decât , parametrul ho capătă importanţă.
ho
* o altă posibilitate, utilizată în practică, este ca impedanţa Z să fie

considerată în paralel cu impedanţa de sarcină (dacă montajul este cu emitorul
sau cu colectorul la masă).
* situaţiile practice în care apare o astfel de impedanţă între emitor şi
colector sunt mai puţin întâlnite.
Tranzistoare compuse
* sunt mai multe posibilităţi de interconectare a două tranzistoare care să

se comporte global ca un tranzistor echivalent; este necesar ca dispozitivul
rezultat să aibă tot trei terminale.
* din cele 4 posibilităţi practice utilizate, două permit şi o polarizare
directă în curent continuu fără elemente ajutătoare, ceea ce reprezintă un avantaj
în utilizarea lor în special în circuite integrate liniare.
g) Tranzistor compus de tip Darlington
* schema de principiu (tranzistoare de tipul npn):
* prin conectarea celor două tranzistoare se obţine un dispozitiv cu trei

terminale cu semnificaţiile E,B,C:
* pentru tranzistorul T’’ se obţine un curent de bază egal cu curentul de
emitor al tranzistorului T’, iar tensiunile dintre colectoarele şi emitoarele celor
două tranzistoare pot fi simultan pozitive ceea ce asigură o funcţionare în RAN.
* la un curent de colector al tranzistorului compus prestabilit, se obţine un
curent de bază la intrare de valoare mică, ceea ce sugerează posibilitatea
utilizării acestei structuri în etajele de intrare ale amplificatoarelor.
* tranzistoarele sunt caracterizate în curent continuu prin factorii de curent
β 'o şi β o"
şi se poate deduce că, dacă se notează cu I C , curentul de colector al
tranzistorului compus, atunci curentul de bază de la intrare va fi:
IC
IB =
β 0' + ( β 0' + 1) β 0''
* deci tranzistorul compus Darlington are un factor de curent echivalent

pentru conexiunea EC de valoare:
β o = β o' β o" + β o' + β o" ≅ β o' β o"
aproximarea fiind justificată de neglijarea lui 1 în raport cu fiecare dintre factorii
de curent ai tranzistoarelor componente.
* la o polarizare în curent continuu simplă, în care curentul de emitor al
tranzistorului T’ este curent de bază pentru tranzistorul T’’ se constată că, prin
cele două tranzistoare, circulă curent de colector, în PSF, de valori mult diferite;
din acest motiv, performanţele de ansamblu ale structurii sunt inferioare celor ce
rezultă din analiza simplistă a schemei.
* factorul de curent al tranzistorului în conexiune EC depinde puternic de
curentul de colector din PSF când acesta se modifică în limite largi;
* tranzistoarele utilizate în tranzistorul compus Darlington, fiind de

acelaşi tip, este dificil să se aleagă curenţii de colector din PSF pentru ambele
tranzistoare T ' şi T" în zona în care factorul de curent β 0 să fie maxim şi puţin
dependent de variaţiile curentului de colector din PSF; unul dintre tranzistoare
va avea o valoare redusă a factorului de curent.
* deoarece tranzistorul compus Darlington se foloseşte în etaje de intrare,
este important şi zgomotul propriu produs de tranzistor. Tensiunea echivalentă
de zgomot depinde şi ea de curentul de colector din PSF:
* această curbă este tipică fiecărui tranzistor şi nu se pot alege curenţii de

colector din PSF astfel încât ambele tranzistoare să se situeze în zona de zgomot
minim.
* pentru evitarea acestor inconveniente, este necesar să se mărească
curentul de emitor al tranzistorului T ' aşa cum se sugerează în figură în care
generatorul de curent I se poate realiza în mai multe variante concrete.
* din punct de vedere dinamic parametrii tranzistorului compus

Darlington se pot deduce din în funcţie de parametri de cuadripol hibrizi [ h ' ],
respectiv [ h" ].
* la relaţiile care descriu cele două tranzistoare de forma :
⎧ U1' = hi' I1' + hr' U 2'

⎨ I ' =h' I ' + h' U '
⎩ 2 f 1 0 2
⎧ U1'' = hi'' I1'' + hr''U 2''

⎨ I '' = h '' I '' + h ''U ''
⎩ 2 f 1 0 2
se adaugă relaţiile rezultate din scrierea ecuaţiilor Kirchhoff în nodurile şi
ochiurile formate.
⎧ U1 = U1' + U1'' ; I1 = I1' ;
⎪
⎨ U 2 = U 2'' = U 2' + U1'' ; I 2 = I 2' + I 2'' ;
⎪ I1' + I 2' = I1''
⎩
* din aceste 10 ecuaţii, se elimină mărimile ce caracterizează cele două
tranzistoare componente şi cele două relaţii rămase se aranjează sub forma:
⎧ U1 = hie I1 + hreU 2
⎨ I = h e I + h eU
⎩ 2 f 1 0 2
de unde, prin identificare se determină parametrii hibrizi ai tranzistorului
compus .
Calculele sunt laborioase şi se rocomandă deducerea acestor parametri pornind
de la definiţie. Astfel, condiţia U 2 = 0 duce la următorul circ. echiv:
Pentru hie se aplică relaţia pentru un tranzistor T' cu o impedanţă în

emitor:
hi' + hi'' N '

hie=
1 + h0' hi''
unde N' = h f + 1 + ∆h'− hr .
' '
- în condiţiile unor aproximări acceptabile:

( h0 hi
' "
<< 1 si N' ≅ h"f + 1 ) rezultă:
hie ≅ hi' + (hi' + 1)hi"
* pentru schema de polarizare standard: (adică I "B = I 'E ), se poate face

următoarea observaţie:
kT ' kT ' kT
deoarece: hi' ≅ rΠ' = β ≅ β = h f
qI C' qI E' qI E'
kT " kT " kT kT hi'
şi: hi" =β =β "
=β = ' = '
"
qI C qβ I B
" "
qβ I E qI E h f
" '
hi'
- rezultă: hie ≅ hi' + (h 'f + 1) ≅ 2hi'
h' f
e
* Deci mărirea parametrului hi nu este foarte mare aşa cum apare în
relaţia iniiala, ci se constată doar o dublare a parametrului respectiv al primului
tranzistor.
* din punct de vedere practic, acest lucru înseamnă că tensiunea variabilă
care se aplică la intrarea tranzistorului compus Darlington se repartizează în
mod egal pe intrările celor două tranzistoare.
* pentru determinarea factorului de amplificare în curent al tranzistorului
echivalent, h ef , trebuie determinat curentul I 2 sub forma:
I 2 = I 2' + h"f I i"

'
Curentul I 2 este curentul de colector în scurtcircuit al unui tranzistor ( T' )
"
care are o impedanţă în emitor ( hi ):
h 'f − hi"h0'
I 2' = I1
1+ hi"h0'
”
Pe de altă parte, curentul I2 este dat de relaţia:
I 2" = h"f I1"

"
unde I i este curentul de ieşire al repetorului pe emitor format de tranzistorul T '
"
care lucrează pe impedanţa hi .
Rezultă, conform relaţiei amplificării în curent a repetorului pe emitor:
(h 'f + 1)
I1" = ' " 1
I
1+ h0 hi
Prin înlocuire, se obţine:
h 'f − hi"h0' h 'f + 1
I2 = I1 + h"f I1
1 + hi h0
" '
1 + hi"h0'
h 'f − hi"h0' + h"f (h 'f + 1)
h ef =
1 + hi"h0'
- în cazurile de aproximare unanim acceptate (h0' hi" << 1) se obţine
relaţia aproximativă:
h ef = h 'f h"f + h 'f + h"f ≅ h 'f h"f
- se constată că, din punct de vedere dinamic, tranzistorul compus
Darlington are factorul de amplificare în curent de valoare foarte mare. Este
adevărat că factorii de amplificare în curent ai celor două tranzistoare sunt
afectaţi de valorile foarte diferite pe care le au curenţii de colector din punctele
statice de funcţionare ale celor două tranzistoare.
Panta tranzistorului echivalent:
h ef h 'f h"f + h 'f + h"f − hi"h0'
S = e
=
hie hi' + hi" N '
- cu aproximările acceptate:
h 'f h"f h 'f h"f
Se ≅ ≅ sau:
hi' + hi" (h 'f + 1) hi' + hi"h'f
h 'f h"f S" h 'f h"f
S = e
'
= '
=
h 2hi 2
hi' + h 'f 'i
hf
adică panta tranzistorului echivalent este numai jumătate din panta celui de al
doilea tranzistor, ceea ce înseamnă că impedanţa de ieşire oferită de tranzistorul
compus Darlington este de circa 2 ori mai mare decât cea oferită de tranzistorul
T′ luat separat ca repetor pe emitor (fără a lua în considerare rezistenţa
generatorului de semnal al cărei efect este mult micşorat datorită faptului că
factorul de amplificare în curent al tranzistorului echivalent este mult mărit;
* fizic, deoarece tensiunea de intrare U i' se repartizează în părţi aproape
egale pe intrările celor două tranzistoare, adică U1 ≅ U1 şi, deoarece curentul
' "
în scurtcircuit este dat, în principal, de curentul celui de-al doilea tranzistor,

rezultă reducerea pantei echivalente la jumătate din panta celui de-al doilea
tranzistor, T " .
* dezavantaj al tranzistorului compus Darlington, dar mai puţin important
decât avantajele pe care le prezintă din alte puncte de vedere.
Pentru calculul celorlalţi doi parametri, se pune condiţia I 1 = 0 şi se
obţine o schemă echivalentă:
* deoarece I 2
'
= I 1" , rezultă:
I 2 = I 2' + I 2" = I 2' + h"f I1' + h0"U 2 = ( h"f + 1) I 2' + h0"U 2
U 2 − h2"U 2
Dar: I 2'=
1
hi" + '
h0
U 2 (1 − h2" )
Deci: I 2 = (h f + 1)
"
+ h0"U 2
1
hi" + '
h0
h0"
N + ' "
( h "
+ 1)(1 − h "
) h0 h0" + h0' N "
h0 = + h0 = =
e f r "
adică:
hi + '
" 1 1
hi + '
" 1 + h0
' "
hi
h0 h0
În condiţiile obişnuite de aproximare, rezultă:
h0e = h0" + h0' ( h"f + 1)
adică de valoare foarte mare, mai mare decât la fiecare dintre cele două
tranzistoare luate separat.
Observând că:
U − h2"U 2
U1 = −hr' U 2' + h2 "U 2 + hi" 2
1
hi" + '
ho
1 U 2 (1 − hr" )
şi că: U 2' = ' ,
h0 h +" 1
i
h0'
după calcule elementare, rezultă că:
hr' hr" + hr" − hr' + hi"h0'
hre =
1 + h0' hi"
Această relaţie se poate reduce la forma aproximativă:
hre ≅ hr" − hr' + hi"h0'
o expresie care nu se mai poate simplifica avînd în vedere faptul că cei trei
termeni pot avea valori apropiate.
* parametrii dinamici aproximativi ai tranzistorului compus Darlington
vor fi:
⎧
⎪hie = 2hi' ; h ef = h 'f h"f ;
⎪⎪ e
⎨hr = hr − hr + hi h0 ; ho = h0 + h0 (h f + 1)
" ' " ' e " ' "
⎪ "
⎪S e = S
⎪⎩ 2
* deci, din punct de vedere dinamic, tranzistorul compus Darlington
prezintă un factor de amplificare în curent mărit, dar panta echivalentă redusă
este la jumătate. Reacţia internă este comparabilă cu aceea a unuia dintre

tranzistoarele componente, iar la ieşire el se comportă ca un tranzistor cu
impedanţă de ieşire mai mică decît cea a tranzistoarelor componente.
* rămân însă importante proprietăţile tranzistorului compus Darlington în
curent continuu prin care se asigură un curent continuu de bază de valoare foarte
mică. De asemenea, prin artificii de circuit, în special în circuitele integrate
lineare, se pot îmbunătăţii şi performanţele dinamice.
h) Tranzistor compus super-G
* în ambele cazuri, tranzistorul echivalent este de tipul primului tranzistor

din combinaţie şi va avea E şi B comune cu acesta.
* se poate realiza o polarizare a tranzistoarelor în RAN.
* în ambele cazuri se constată că, în curent continuu, curentul de colector
al primului tranzistor, T' , este curent de bază pentru cel de-al doilea tranzistor,
T" . Deci, într-o astfel de structură, se asigură curent de intrare continuu de
valoare mică iar curentul prin sarcină este asigurat, practic, de cel de-al doilea
tranzistor.
* se poate deduce foarte simplu factorul de curent al tranzistorului
compus:
β 0e = β 0' ( β 0" + 1) = β 0' β 0" + β 0' ≅ β 0 β 0"
* curenţii continui prin cele două tranzistoare fiind foarte mult diferiţi (în
raportul β 0 ), rezultă că se vor păstra dezavantaje relevate la tranzistoare
"
compuse Darlington cu privire la dependenţa de curentul de colector a factorului

de zgomot propriu al tranzistoarelor şi a factorului de curent al tranzistoarelor.
În mod normal se pot folosi aceleaşi metode pentru reducerea efectului acestora.
* din punct de vedere dinamic, parametrii tranzistorului echivalent, se
determină din circuitul echivalent:
Se pot scrie relaţiile de legătură:

⎧⎪ I 2" = I 2 ; I1 = I1' ; I 2' = − I1' ;
⎨
⎪⎩U 2 = U 2' − U1" ; U 2' = U 2 ; U1 = U1'
Dacă se adaugă relaţiile dintre curenţii si tensiunile corespunzătoare
' ' ' ' " '' "
fiecărui tranzistor, se pot elimina mărimile: U1 , U 2 , I1 , I 2 , U1 , U 2 , I1 si I 2"
şi rezultă două relaţii de forma:
⎧⎪U1 = hie I1 + hreU 2
⎨
⎪⎩ I 2 = h f I1 + h0U 2
e e
Prin identificare, se pot deduce parametrii hibrizi ai tranzistorului compus.

Pornind de la definiţie, se pot deduce mai direct aceeaşi parametri.
e
* parametrul hi :
hi' + hi"∆h '
hie =
1 + h0' hi"
În mod obişnuit, hi h0
" '
≤ 1 şi hi' ≥ hi"∆h ' , astfel încât: hie ≅ hi'
e
adică parametrul hi al tranzistorului compus super-G este determinat de acelaşi
parametru al primului tranzistor.
* parametrul h ef :
h 'f
h ef = (h"f + 1) ≅ h 'f (h"f + 1) ≅ h 'f h f"
1+ h0' hi"
Factorul de amplificare în curent al acestui tranzistor compus va avea
valoarea foarte mare.
* panta tranzistorului compus echivalent.
h ef h 'f h"f
Se = ≅ = S ' h"f
hie hi'
- foarte mare în comparaţie cu panta primului tranzistor (şi, de aici,
denumirea sa, deoarece panta tranzistorului se mai notează şi cu g m ) .
- se observă că:
hi"
S =e
S ' h"f = S " h 'f
hi'
- deoarece, pentru o schemă elementară de polarizare curenţii continui
prin cele două tranzistoare sunt în raportul factorilor de curenţi ai celor două
tranzistoare, se poate scrie:
kT
h"f
qI C" " " IC
'
" " IC
'
I C'
S = S hf
e " '
= S hf " ≅ S hf " ≅ S hf " ' " "
h"f '
kT IC IC β0 IC
qI C
- în această ultimă relaţie, dacă se apreciază că, numeric, h f = β 0 ,
" "
rezultă:
S e = S"
- acest lucru se poate interpreta în felul următor: tranzistorul compus
super-G asigură o pantă echivalentă mare (panta tranzistorului T " prin care
e
circulă curent continuu de valoare mare), în condiţiile în care parametrul hi are
şi el valoare mare fiind asigurat de primul tranzistor T ' , prin care circulă curent
continuu de valoare mică.
- comparând rezultatele obţinute cu cele ale tranzistorului compus
Darlington, se constată că diferenţele nu sunt esenţiale:
- pentru tranzistorul compus Darlington:
⎧ e S"
⎨hi = 2hi ; S ≅
' e
⎩ 2
- pentru tranzistorului compus super-G:

{h i
e
= hi' ; S e ≅ S "
- - aceste rezultate nu trebuie să surprindă prea mult, deoarece
în ambele cazuri, produsul S e hie este h ef , adică aproximativ h 'f h"f .
- diferenţele pe care le impun aproximările făcute pe parcurs nu sunt
esenţiale, efectul lor rămânând în zona în care se poate considera că factorul de
curent al unui tranzistor este mult mai mare decît 1 (de cel puţin 20-50 ori).
e
* parametrul hr :
1
hre = hr' ⋅ + hr
' "
hr ≅ hr
'
1 + hi"h0'
- că reacţia internă în tranzistorul compus super-G este dată, practic, de
primul tranzistor.
e
* parametrul h0 :
h0e = h0" + h0' ∆h" ≅ h0"
- acest parametru este dictat de cel de-al doilea tranzistor.
* valorile aproximative ale parametrilor sunt de forma:
⎧hie = hi' ; hef = h'f h"f ;
⎪⎪
⎨hr = hr ; h0 = h0;
e ' e "
⎪
⎪⎩ e
S = S"
* prin comparaţie cu parametrii tranzistorului compus Darlington) se observă că,

e e e
în afara celor spuse despre hi , h f şi ho , se poate adăuga faptul că tranzistorul
super-G se comportă mai bine ca generator de curent decât tranzistorul compus
Darlington.
* tranzistorul compus super-G se foloseşte ori de cîte ori este necesară obţinerea
unei impedanţe de ieşire de valoare cât mai mică, chiar şi în circuitele
funcţionînd la semnale lent variabile sau continue cum ar fi sursele de
alimentare.
* în locul tranzistorului T”, se poate utiliza un alt tranzistor compus (de tip
Darlington sau de tip super-G) care să asigure un factor de amplificare în curent
de valoare cît mai mare.
* exerciţiu: să se determine pantele echivalente ale trazistoarelor compuse
tripleţi în funcţie de panta ultimului tranzistor, considerînd că în schema de
polarizare în curent continuu nu intervin alte elemente şi că factorii de
amplificare în curent şi factorii de curent ai celor 3 tranzistoare sunt toţi egali cu
hf .
Observaţie:
- în toate cazurile, mărirea pantei echivalente a tranzistorului compus
provine în principal din fructificarea pantei mari a ultimului tranzistor (prin care
circulă cel mai mare curent).
- structurile de tranzistor de tip super-G sau Darlington, se pot obţine şi în
cazul unor polarizări de alt tip ale tranzitoarelor pentru a obţine alte valori ale
parametrilor individuali ai tranzistoarelor prin care să se îmbunătăţească
parametri globali, în particular, panta echivalentă:
i) Tranzistor compus superD
* schema cu TBIP NPN;

- sunt posibile variante şi cu tranzistoare complementare. În toate cazurile,
nu este posibilă polarizarea în curent continuu fără elemente ajutătoare ceea ce
reprezintă un dezavantaj al acestui tranzistor compus în comparaţie cu celelalte.
* din punct de vedere dinamic, comportarea lui este asemănătoare cu a

tranzistorului compus Darlington. Se remarcă şi aici faptul că, prin tranzistorul
T ' circulă curentul de bază al tranzistorului T " , ceea ce permite obţinerea unei
pante echivalente mari cu impedanţa de intrare de asemenea mare.
* parametrii echivalenţi sunt:
e
* parametrul hi :
hi' + hi" N '
hie =
1 + h0' hi"
cu: N ' = h 'f + 1 + ∆h ' − hr'
- în condiţiile unor aproximări acceptabile ( h0 hi
' "
≤ 1 şi N ' = h 'f + 1),
rezultă:
hie ≅ hi' + (h 'f + 1)hi'
* parametrul h ef :
h 'f − hi"h0' h"f (1 + h 'f )

h ef = h"f + h"f =
1 + hi"h0' 1 + hi"h0'
cu relaţia aproximativă:
h ef ≅ h"f (h 'f + 1) ≅ h 'f h"f

adică nu mult diferit de parametrul corespunzător al tranzistorului compus
Darlington.
e
* parametrul hr :
hr" (1 − hr' )
hre =
1 + ho' hi"
- aproximativ: hre ≅ hr"
e
* parametrul h0 :
ho" + ho' ∆h"
hoe =
1 + hi"ho'
- cu aproximarea: ho ≅ ho
e "
* proprietăţile la ieşire ale tranzistorului compus super-D sunt determinate

numai de tranzistorul T " , aşa cum este evident şi din modul de conectare.
* panta echivalentă se calculează cu formulele aproximative, sub forma:
h 'f h"f
Se =
hi' + (h 'f + 1)hi"
- în funcţie de modul de polarizare, panta echivalentă poate lua valori
diferite; astfel, dacă, prin polarizarea în curent continuu, se realizează curenţi de
colector egali prin cele două tranzistoare (sau aproximativ egali) atunci
hi' ≤ (h 'f + 1)hi" şi S e ≅ S " , iar dacă, prin polarizarea în curent continuu, se
realizează un curent de bază pentru T" identic cu curentul de emitor al
tranzistorului T' , atunci, în condiţiile egalităţii numerice a factorilor de curent
S"
ai acestora, se obţine S ≅ .
e
2
- rezultă că, în funcţie de polarizare, panta echivalentă este cuprinsă între
S"
S ≅
e
şi S ", situaţie mai bună decît la tranzistorul compus Darlington
2
S"
clasic unde panta echivalentă este .
2
Observaţie:
Pentru toate aceste trei tipuri de tranzistoare compuse se constată că se
măreşte substanţial factorul de amplificare în curent echivalent, ceea ce
reprezintă un câştig pentru îmbunătăţirea unor perfomanţe de regim dinamic ale
circuitelor în care sunt folosite.
i) Tranzistor compus cascod
* structura de tranzistor compus cascod prezintă o serie de proprietăţi

remarcabile şi constă din conectarea în cascadă a două tranzistoare în conexiune
EM respectiv BM:
- din punct de vedere dinamic tipurile tranzistoarelor T ' şi T " nu

contează, dar condiţiile de funcţionare în RAN ale celor 2 tranzistoare depind de
tipurile lor şi de circuitele de polarizare; nu este posibilă o polarizare în curent
continuu fără elemente ajutătoare;
- parametrii dinamici ai tranzistorului echivalent arată că acest tranzistor
compus poate fi utilizat ca un circuit de intrare performant în special la frecvenţe
înalte;
* deducerea parametrilor hibrizi echivalenţi se face după schema echivalentă în
care, pentru al doilea tranzistor a fost utilizată schema echivalentă în parametrii
hb în conexiunea bază comună.
* parametrii hibrizi se pot determina pornind de la definiţie;

* în condiţiile de scurtcircuit la ieşire, dispare generatorul de tensiune
"
hrb U 2 şi parametrul hie rezultă ca fiind impedanţa de intrare în tranzistorul T '
"
având ca sarcină pe hib .
hi' + hib"
Deci: hi
e
=
1 + hib" h0'
hi"
Dar: hib ≅ "
"
; hib" ∆h ' ≤ hi ; hib2 h0' ≤ 1, rezultă: hie ≅ hi'
hf +1
I 2'
"
- observînd că I1 = − I 2' şi că raportul reprezintă amplificarea de
I1'
curent a primului tranzistor, rezultă:
I I "fb I1" − I1"

hef = 2 = = h"fb =
I1 I1 I1'
U2 = 0 U2 = 0 U2 = 0
h'f
= −h"fb ⋅ Ai' = −h"fb ⋅
1 + ho' hib"
h"f
"
deoarece: h fb ≅− ≅ −1
h"f +1
Rezultă: h ef ≅ h 'f
- parametrii circuitului echivalent de intrare sunt determinaţi de parametrii
primului tranzistor.
* pentru parametrii circuitului de ieşire, deoarece, I1 = 0 , generatorul de
curent h 'f ⋅ I1' nu mai contează.
1
U U1 U 2' h0'
hre = 1 = ' ⋅ = hr' ⋅ "
hrb sau:
U2 U2 U2 1
I1 = 0 I1 = 0 + h "
ib
h0'
hr' hrs"
hre =
1 + ho' hib"
- produsul de la numărător este foarte mic (ordinul de mărime este
−9
10 ÷ 10−10 ) astfel încât se poate considera: hre ≅ 0
ceea ce arată că în acest tranzistor compus nu există reacţie de la ieşire la intrare.

e
Pentru calcularea lui h0 se observă că:
⎛ ⎞
⎜ " ⎟
h0"bU2 + h"fb ⎜ ib 2 ⎟
h U
⎜ 2 1⎟
⎜ hib + ' ⎟
I h0"bU2 + h"fb I1" ⎝ h0 ⎠
h0e = 1 = = =
U1 U2 U2
I1 = 0 I1 = 0
h"fbhrb
" '
h0
= h0"b +
1+ h0' hib"
dar: h"fb ⋅ hrs" h0' ≤ h0"b ,

h0"
e
astfel: h0 ≅ h0"b ≅ "
hf +1
- impedanţa de ieşire echivalentă pentru tranzistorul compus cascod este
foarte mare, corespunzătoare unui tranzistor cu bază la masă. Deci el se
comportă ca un foarte bun generator de curent la ieşire, ceea ce permite
conectarea ca sarcină a unui circuit oscilant paralel, fără ca acesta să fie
amortizat sensibil prin impedanţa de ieşire a amplificatorului.
* panta echivalentă a tranzistorului compus cascod este:
h ef
Se = ≅ S'
hie
Aşadar, la intrare (hie ) , tranzistorul compus este caracterizat de primul
tranzistor, transferul ( h f sau
e
S e ) este determinat tot de acesta, iar la ieşire este
determinantă impedanţa tranzistorului al doilea cu bază la masa neexistînd
reacţii interne.
Utilizarea sa în circuite de intrare mai este facilitată şi de alţi parametri
aşa cum se va vedea şi în paragrafele următoare.
7. Circuite cu impedanţă de intrare mărită
* structura unui amplificator:
- etaj de intrare, EI;

- etaj intermediar, EI;
- etaj de ieşire, EI.
* circuit echivalent la intrare:
Z int
U1 = E g U1 → E g ⇒ Zint → ∞
Z int + Z g
* alegere între structurile elementare: BC, EC, CC → CC
Z ic = hi + (h f + 1) Z s (dacă hr şi ho sunt egali cu 0).

* trebuie folosită relaţia exactă pentru că, pentru valori mari ale impedanţei de
intare, nu mai pot fi neglijaţi cei doi parametri:
hi + NZ s
Z int =
1 + ho Z s
- dificil de interpretat.
* schema Giacoletto:
- se neglijează rx şi se redesenează:
- se defineşte un “tranzistor ideal” caracterizat prin:

hid
i
= rπ = hi ; h id
r
= 0; h id
f
= β = h f ; ho
id
=0
id hiid + Z 's N id
* Zi = = hiid + (hid + ( h id
f + 1) Z ' s = hi + ( h f + 1) Z '
1 + hoid Z 's i s
(relaţie corectă, Z s' = Z s ro )

* se pun în evidenţă: Z i' şi Z i'' = Z µ :
* rezultă:
⎧⎪Z i' = hi + (h f + 1) Z '
Z ic = Z i' Z i" cu: ⎨ s
''
⎪⎩Z i = Z µ
* schemă simplă de polarizare şi schema echivalentă în regim dinamic:
Z int = Z ic Rb1 Rb 2
* expresia completă:
[
Z int = Rb1 Rb 2 Z µ hi + (h f + 1) Z s ro ]
- efectele circuitelor de polarizare în c.c. (din bază şi din colector);
- se obţin impedanţe de intrare de ordinul zecilor de kΩ .
* pentru a obţine impedanţă de intrare mai mare se va acţiona asupra tuturor

componentelor.
* tehnica bootstrapării:
V1
Z AB =
I1
Z AB ↑ ⇒ I1 ↓
V1 V1 Z
Z AB = = =
I1 V1 − kV1 1 − k
Z
k < 1; k → 1 ⇒ Z AB ↑
exemplu: impedanţa de intrare a unui repetor pe emitor:
hi hi hi
Z ic = = = = hi + ( h f + 1) Z s
1 − k 1 − Auc
1−
(h f + 1)Z s
hi + (h f + 1)Z s
* regulă: încălzirea “punctului rece” (borna rece a impedanţei se “încălzeşte”
prin introducerea unei surse de tensiune comandate în tensiune).
I. aplicaţii pentru reducerea efectului circuitului de polarizare în bază:
a) schemă electrică cu divizor fără boostrapare:

- se obţine o impedanţă de intrare ceva mai mare, dar Rb nu poate fi prea mare
(stabilitatea termică a circuitului, zgomote proprii)
* aplicarea “bootstrapării”:
a1) - schema electrică: schema echivalentă:
- echivalare (T+Rb)≡T’ cu parametrii:

Rb Rb
hi' ≅ hi ≅ hi ; h'f ≅ h f ;
Rb + hi Rb + hi
- dar: Rb >> hi ; Rb1 , Rb 2 >> Re :
- deci: Z int ≅ Z µ [hi + ( h f + 1) ro Re ]
b) - schema electrică fără bootstrapare cu o singură rezistenţă de
polarizare:
- impedanţa de intrare este mai mare decât pentru o polarizare cu divizor

de tensiune în bază;
b1) schema electrică cu bootstrapare: schema echivalentă:
- se echivalează (T+Rb) cu T” ca în cazul anterior;

- se obţine o expresie identică cu precedenta, dar cu alte valori exacte ale
echivalărilor; comentarii.
- în continuare se va considera că se realizează bootstraparea circuitului de
polarizare din bază.
- se obţin valori ale impedanţei de intrare de zeci-sute de kΩ ;
II. micşorarea efectului rezistenţei de polarizare din emitor:
- rezistenţaRe nu poate fi mărită din considerente statice:

Ec = U CE + Re I E ( Re I E cel mult jumătate din EC )
- se înlocuieşte rezistenţa de polarizare cu un circuit (dispozitiv) care să
prezinte rezistenţă mică în cc şi impedanţă mare în regim dinamic:
- nu se poate folosi inductanţă (valoarea impedanţei depinde de frecvenţă)
- TBIP în conexiune BC are aceste proprietăţi:
- schema electrică - schema echivalentă
- T’ este în conexiune BM prin capacitatea de decuplare;

'
- static: Ec ≅ U CE + U CE + Re' I E
(prin tranzistoare circulă, practic, acelaşi curent);
- dinamic:
- rezistenţa Re din expresia impedanţei de intrare va fi înlocuită de
impedanţa de ieşire a tranzistorului T’ în conexiune BC:
[
Z int = Rb1 Rb 2 hi + (h f + 1)ro Z iesT ' BM ]
hi' + Re' N '

Z iesT ' BM = ' comparabilă sau mai mare decât ro chiar
∆h + Re' ho'
pentru valori nu prea mari ale rezistenţei de emitor (valori uzuale – sute de Ω);
- se obţin (împreună cu circuitele de polarizare de la intrare bootstrapate) valori
de sute – mii de kΩ ).
III. utilizarea tranzistorului compus Darlington:
* schema de bază
- schema electrică: - schema echivalentă:
- se pot folosi relaţiile pentru tranzistorul compus şi apoi relaţiile

generale; mai convenabil este să se folosească schema Giacoletto:
Z int = Rb Z µ [hi + (h f + 1)ro Z int T ' ]

[
Z int T ' = Z µ' hi' + ( h 'f + 1) ro' R e
'
] foarte mare în comparaţie cu ro ;
- se obţin impedanţe de intrare de ordinul sutelor de kΩ (dacă se bootstrapează

circuitul de polarizare de la intrare);
- dezavantajele utilizării schemei de bază:

- dependenţa factorului de amplificare în curent de curentul de colector din PSF;
- dependenţa tensiunii echivalente de zgomot de curentul de colector din PSF;
- tranzistoarele nu pot fi alese astfel încât să fie în PSF optime pentru

ambele tranzistoare:
* introducerea unei rezistenţe în emitorul primului tranzistor:

- schema electrică - schema echivalentă
U BE + R 'e I E'
- în c.c.: I E = I B' + (se apropie cei doi curenţi din
Re
PSF);
- în c.a.:
[
Z int = Rb hi + (h f + 1)ro Re Z ic' ] cu:
Z ic' = Z µ' [h + (h
i
' '
f ]
+ 1)ro' Re' >> Re
şi rămâne, practic, numai influenţa lui Re .
* diminuarea influenţei rezistenţei Re prin boostrapare:

- schema electrică - schema echivalentă:
- static, se păstrează situaţia din cazul precedent dacă: Re = Re1 + Re 2 ;

- dinamic, se echivalează (T’+Re1) cu T” cu principalii parametrii
echivalenţi (aproximativi):
Re1 Re1
hi" = hi' ; h"f = h 'f ;
hi' + Re1 hi' + Re1
[
Z int = Rb hi + (h f + 1)ro Z ic'' ]
Z ic'' = Z µ'' [h + (h
i
'' ''
f + 1)ro' Re 2 Re' ]
2
- rezultă o impedanţă de intrare foarte mare: 10 ÷ 103 kΩ .
* creşterea curentului continuu prin T’ se poate face şi cu generator de curent:
- schema electrică:
- generatorul de curent se poate realiza cu TBIP în conexiune BC sau în alte

variante specifice CIL.
IV micşorarea efectului impedanţei Zµ (din schema Giacoletto):
- prin bootstraparea impedanţei;

- polarizarea tranzistorului T’ se poate face cu o rezistenţă între bază şi
colector (T’ nu se poate satura niciodată);
- prin bootstraparea lui Z µ se realizează şi bootstraparea rezistenţei de
polarizare;
- în schemele echivalente apar tranzistoare compuse de tipul superD;
- TBIP pot fi de acelaşi tip sau complementare;
- polarizarea în cc se poate face fie serie fie paralel şi se pot asigura
curenţi de colector prin tranzistoare cât mai apropiaţi sau chiar egali;
* schema cu polarizare paralel a TBIP:
- schema echivalentă:
Z int =
Rb Z µ
1− k
[h + (h
i f + 1) Z ic'' ] (ambele componente sunt de
ordinul zecilor sau sutelor de MΩ ) deoarece:

Z ic'' = Z µ' [
hi'' + ( h 'f' + 1)ro' Re 2 Re' Rc ] (foarte mare);
''
(h f + 1)Z '' (h ''
f + 1)ro
'
R e 2 Re
'
Rc
k = Ac A ≅ ic
hi + (h f + 1)Z '' hi'' + (h 'f' + 1)ro' Re 2 Re' Rc

(foarte
c
ic
aproape de 1);
''
- parametrii hi şi h 'f' rezultă din echivalarea: (T’+Re1)≡T”;
- prin echivalări succesive se poate ajunge la schema de principiu a

circuitului cu repetor pe emitor în care tranzistorul este un tranzistor compus de
tipul superD (după echivalări de tranzistoare cu diferite rezistenţe);
- se pot folosi formulele de bază cu parametrii echivalenţi.
* schemă cu polarizare serie a TBIP:

- schema electrică - schema echivalentă (cu superD)
* schemă cu tranzistoare complementare:

- schema electrică - schema echivalentă (cu superD)
8. Circuite cu impedanţă de ieşire micşorată
* circuitul echivalent la ieşirea unui amplificator
Zs
U2 = U0 ; U 2 → U 0 ⇒ Z ies → 0 ;
Z s + Z ies
- alegere între schemele fundamentale, EC, BC, CC ⇒ CC;
* repetorul pe emitor:
hi + Z g 1 Zg
Z ies ≅ ≅ +
hf + 1 S hf + 1
- efectul TBIP; efectul lui Zg ;
* repetorul pe emitor compus:

- schema de principiu:
- fizic: Z s ↓ U 2 ↓ (U1 − U 2 ) ↑ U1 ( EC ) ↓ U 2 EC ↑ ( )
- schema echivalentă a circuitului folosind modelul Giacoletto:
- se neglijează rµ şi ro iar efectul rezistenţei distribuite a bazei se ia în

consideraţie prin parametrii echivalenţi:
rπ
S' = S ; rπ' = rπ + rx ;
rπ + rx
- se calculează panta echivalentă a circuitului:

- se notează: Z = Z c ( rx 2 + rπ 2 )
- se neglijează curenţii de bază ai tranzistoarelor:
( )
I 2 ≅ I c1 − I c 2 = S1'U1' − S 2' U 2' = S1'U1' − S 2' − ZS1'U1' =
( )
= S1' 1 + S 2' Z U1' = SU1'
'
- dar: U1 = U1 − U 2
U
- deci: I 2 = 2 = S (U1 − U 2 ) ⇒ U 2 = SZ s (U1 − U 2 )
Zs
U SZ s Zs
- rezultă: Au = 2 = = ;
U1 1 + SZ s Z + 1
s
S
1
Z ies =
S
- panta echivalentă este foarte mare;
- se mai observă că: I 2 ≅ I c 2 >> I c1
* schemă electrică:
- curenţii continui sunt egali;

- efectele capacităţii de cuplare cu sarcina;
* structura de tip superG:
- comentarii privind panta echivalentă a TBIP compus;

* exemplu de scheme:
- sursă de stabilizare:
- generator de baleiaj:
9. Amplificatoare cu sarcină dinamică
* scopul: amplificare de tensiune cât mai mare;
* alegere între structurile fundamentale: EC, BC, CC ⇒ EC:

- amplificare de tensiune mare (în modul);
- impedanţă de intrare medie;
* schema de principiu: * schema electrică elementară:
- dacă: Rs = Rc ;
- amplificarea de tensiune: Au ≅ − SRs = − SRc = −40 I C Rc ;
(cu dimensiuni corespunzătoare);
în c.c.: Ec = Rc I C + U CE
- dar Rc I C poate fi cel mult 0,5EC (pentru a se asigura excursie maximă de
tensiune la ieşire);
EC
- deci: Au max ≅ −40 × = −20 EC ;
2
(mărirea amplificării se poate face prin mărirea tensiunii de amplificării de
alimentare);
- expresia completă:
hf Zs
Au = − ;
hi + Z s ∆h
(la amplificări mari – expresia exactă);
- rezistenţa de colector poate fi înlocuită cu un dispozitiv (circuit) cu

următoarele proprietăţi:
- static – o valoare cât mai mică;
- dinamic – o valoare cât mai mare;
- nu se poate inductanţă (impedanţă dependentă de frecvenţă);
* soluţii:
- TBIP în conexiune BM în circuitul de colector;
- TBIP în conexiune CM în circuitul de intrare.
a) amplificator cu sarcină TBIP în conexiune BM:

- schema electrică: - schema echivalentă:
hf Zs
Au = − ; cu:
hi + Z s ∆h
hi + NRg
Z s = R1 Z iesT2 BM ; Z iesT2 BM = .
∆h + Re h0
- deoarece: Z iesT2 BM >> R1 (uşor de realizat chiar cu valori mici ale lui Re ),
rezultă:
hf 4
Au ≅ − (valoarea maximă posibilă – ordin de mărime: 10 )
∆h
- comentarii privind raportul dintre rezistenţa R1 din acest circuit şi rezistenţa
Rc din circuitul precedent;
b) amplificator cu sarcină bootstrapată cu polarizare serie a tranzistoarelor:

* schema electrică * schema echivalentă
- echivalare: T 2' ≡ (T2 , Rc ) cu parametrii (aproximativi):

Rc Rc
hi' 2 ≅ hi 2 ; h 'f 2 ≅ h f 2 ;
Rc + hi 2 Rc + hi 2
h f 1Z s
Au = − cu:
hi1 + Z s ∆h1
[ (
Z s = Rb Z int T ' ; Z int T ' = Z µT2 hi'2 + h'f 2 + 1 roT2
2 2
) ]
(pentru sarcină infintă);
hf 1
- este uşor de realizat: Z int T ' >> Rb şi atunci: Au → Au max = − .
2 ∆h1
- de observat că, în principiu, rezistenţa Rb poate fi mai mare decât R1;
- altfel, prin echivalări:
- se obţine o structură de tip superG cu emitorul la masă, cu panta echivalentă

foarte mare şi, ca urmare, cu amplificare de tensiune foarte mare;
c) amplificator cu sarcină bootstrapată cu polarizare paralel a tranzistoarelor:
* schema electrică * schema echivalentă
- echivalare: T2
'
≡ (T2 , Rc1 ) cu parametrii aproximativi:
Rc1 Rc1
hi' 2 ≅ hi 2 ; h'f 2 ≅ h f 2 ;
Rc1 + hi 2 Rc1 + hi 2
- impedanţa de sarcină va fi:

[ ( )
Z s = Z int T ' = Z µT2 hi'2 + h 'f 2 + 1 Rc 2 Re 2 roT2
2
] f. mare;
hf 1
- amplificarea de tensiune: Au → Au max = − ;
∆h1
(teoretic, se obţine cea mai mare valoarea a amplificării de tensiune dintre toate
cele trei scheme);
- prin echivalări, se obţine tot o structură de tip superG cu emitorul la

masă, ca şi în circuitul precedent, cu sarcina formată din cele două rezistenţe;
d) amplificator cu sarcină dinamică pentru CIL:

* schema electrică de principiu * exemplu µA741
- comentarii.
DCEI Reacţia negativă N.Cupcea 1 notiţe
Cap. 5. Reacţia negativă în amplificatoare
1. Generalităţi
* reacţia = procedeu folosit în circuitele electronice pentru a controla

performanţele (şi funcţiile) acestora; (amplificatoare, oscilatoare, etc.)
* reacţia: aplicarea la intrarea amplificatorului a unei tensiuni sau curent
proporţional cu unul dintre parametrii semnalului de la ieşire, tensiune sau
curent; semnalul de reacţie se aplică peste semnalul se amplificat;
* cum apare:
- reacţie neintenţionată:
- introdusă de elemente parazite (ex. C µ );
- c a efect secundar (ex. Re pentru polarizarea TBIP în conexiune
EC);
- reacţia intenţionată – cănd este introdusă prin circuite adecvate în
scopul modificării performanţelor amplificatorului.
* după modul cum se combină semnalul de reacţie cu semnalul de amplificat:

- reacţie pozitivă – când cele două semnale sunt în fază (modulul
amplificării de tensiune creşte);
- reacţie negativă – când cele două semnale sunt în antifază (modulul
amplificării de tensiune scade);
- ambele tipuri de reacţie au aplicaţii.
- presupuneri (aproximaţii):
- transferul direct se face numai prin amplificatorul de bază;
- transferul invers (reacţia) se face numai prin circuitul de reacţie.
* relaţii:
- amplificatorul de bază ( A ): vo = Avia ;
- circuitul de reacţie ( β r ): vr = β r vo ;
- circuitul de comparare (sau de diferenţă) ( C ): via = vi − vr ;
- rezultă: vo = A(vi − β r vo ) , de unde:

A
vo = vi
1 + βr A
- amplificarea cu reacţie:
A
A' = (diferenţa de întoarcere F = 1 + βr A)
1 + βr A
1 + βr A > 1 reacţie negativă;
1 + βr A < 1 reacţie pozitivă;
1 + βr A = 1 oscilator ( vo ≠ 0 chiar dacă vi = 0 ).
- toate cele trei cazuri au aplicaţii în circuitele electronice
* cei doi cuadripoli - A şi β r pot fi cuplaţi în mai multe moduri şi rezultă

patru tipuri fundamentale de reacţie:
- la intrare se compară tensiunile (reacţie serie sau de tensiune) sau

curenţii (reacţie paralel sau de curent);
- la ieşire se eşantionează tensiunea (reacţie paralel sau de tensiune) sau

curentul de ieşire (reacţie serie sau de curent);
- modul de realizare a comparării este independent de modul de realizare a

eşantionării:
- reacţie serie de curent (reacţie serie-serie);
- reacţie serie de tensiune (reacţie serie-paralel);
- reacţie paralel de curent (reacţie paralel-serie);
- reacţie paralel de tensiune (reacţie paralel-paralel);
- toate sunt utilizate.
* analiza circuitelor cu reacţie:

a) prin cuadripoli: se determină parametrii de cuadripol ai circuitului cu
reacţie în funcţie de parametrii de cuadripol adecvaţi ai amplificatorului de bază
şi ai circuitului de reacţie şi apoi se determină performanţele amplificatorului cu
reacţie ca un circuit caracterizat prin parametrii de cuadripol;
- ex. amplificator cu reacţie serie de curent:
⎡via ⎤ ⎡iia ⎤ ⎡vir ⎤ ⎡iia ⎤

⎢v ⎥ = [Z ]
a ⎢ ⎥ ⎢v ⎥ = [Z ]
r ⎢ ⎥
⎣ oa ⎦ ⎣ioa ⎦ ⎣ or ⎦ ⎣iir ⎦
vi = via + vir ii = iia = iir
vo = voa + vor io = ioa = ior
⎡vi ⎤ ⎡ii ⎤
⎢v ⎥ = [Z ]⎢i ⎥ [Z ] = [Z a ] + [Z r ]
⎣ o⎦ ⎣ o⎦
- se calculează apoi mărimile caracteristice: Au , Ai , Z int , Z ies ;
- dezavantaje: nu se pot pune în evidenţă explicit cei doi cuadripoli (cu excepţia
configuraţiei paralel de tensiune); pentru fiecare mărime este necesar un calcul
separat; nu se poate pune în evidenţă efectul global al reacţiei;
b) prin triporţi:
- avantaj: se poate justifica foarte uşor desfacerea buclei de reacţie pentru

calculul performanţelor amplificatoarelor;
c) prin analiza simplificată a celor patru tipuri de reacţie.
2. Influenţa reacţiei negative serie de tensiune asupra performanţelor unui

amplificator
- amplificatorul de bază caracterizat prin: A∞ , Z ia , Z oa (se neglijează

transferul invers prin amplificator);
- circuitul de reacţie caracterizat prin: β r , Z ir , Z or (se neglijează
transferul direct prin circuitul de reacţie);
- în mod obişnuit: Z ia >> Z ir ; Z oa << Z or (circuitul de reacţie
trebuie să influenţeze cât mai puţin amplificatorul de bază).
a) amplificarea cu reacţie:
vo
A' =
vi
Dar:
Z s Z or
vo = A∞ via = A(Z s , Z or )via
Z oa + Z s Z or
A(Z s , Z or ) - amplificarea amplificatorului de bază ţinând seama de impedanţa
de sarcină şi de încărcarea pe care o produce circuitul de reacţie;
La intrare:
Z ia
via = (vi − β r vo ) (prin divizor);
Z ia + Z ir
Deci:
Z ia
vo = A(Z s , Z or ) (vi − β r vo );
Z ia + Z ir
Se notează:
Z ia
A(Z s , Z or , Z ir ) = A(Z s , Z or )
Z ia + Z ir
(amplificarea amplificatorului de bază cu încărcările pe care le produce circuitul
de reacţie şi sarcina);
Rezultă:
A' =
vo
=
(
A Z s , Z or , Z ir )
(
vi 1 + β r A Z s , Z or , Z ir )
Dacă:
Z oa << Z or
Z ia >> Z ir A(Z s , Z or , Z ir ) → A(Z s ) → A∞
Z oa << Z s
Observaţii:
1. pentru ca reacţia să fie negativă este necesar ca:
1 + β r A(Z s , Z or , Z ir ) > 1
dacă βr > 0 (factorul de reacţie se obţine, de obicei, prin rapoarte de

rezistenţe), este necesar ca A > 0 , deci amplificator neinversor;
2. modulul amplificării de tensiune scade;
3. stabilitatea amplificatorului cu reacţie este mai bună decât cea a

amplificatorului fără reacţie (dependentă de condiţiile reale de
funcţionare – parametrii tranzistoarelor, PSF, componente pasive,
sarcină, temperatură);
dA' dA β r dA dA 1
= − =
A' A 1 + βr A A 1 + βr A
- dacă reacţia este puternică, adică dacă: β r A >> 1 rezultă:
1
A'≅
βr
b) impedanţa de intrare:
- curentul de intrare este acelaşi prin Z ia şi Z ir (greu de realizat în

practică);
via vo 1
ii = =
Z ia A(Z s , Z or ) Z ia
v v
Z int = i = i A(Z s , Z or )Z ia =
ii vo
A(Z s , Z or )
= [1 + β r A(Z s , Z or , Zia )]Zia =
A(Z s , Z or , Z ir )
Z + Z ir
= ia [1 + β r A(Z s , Z or , Zia )]Zia =
Z ia
= Zia + Z ir + β r A(Z s , Z or , Z ia )(Z ia + Zir ) =
= Zia + Z ir + β r A(Z s , Z or )Z ia =
⎡ Z ⎤
= Z ia ⎢1 + β r A(Z s , Z or ) + ir ⎥ interpretare
⎣ Z ia ⎦
Dacă: Z ia >> Z ir → Z int ≅ Z ia (1 + β r A) .
Concluzie: impedanţa de intrare este mărită substanţial.
c) impedanţa de ieşire
Se pasivizează tensiunea de intrare iar impedanţa generatorului de semnal

rămâne în serie cu impedanţa de intrare a amplificatorului de bază.
vo − A∞ via vo
io = +
Z oa Z or
Dar, din circuit, pentru vi = 0 :
Z ia
via = − β r vo (divizor de tensiune);
Z ia + Z ir
Deci:
Z ia
vo − A∞ (− β r vo )
Z ia + Z ir vo
io = +
Z oa Z or
Rezultă:
Z oa Z oa
Z ies = Z or = Z or
1 + β r A∞
Z ia 1 + β r A(Z ir , Z g )
Z ia + Z ir
Z oa
Dacă: Z ir << Z ia → Z ies ≅ Z or .
1 + β r A∞
- impedanţă de ieşire foarte mică, amplificatorul se comportă ca un generator de

tensiune la ieşire.
Altfel:
Z oa
Z or
Z oa 1 + β r A∞ ( Z ir )
Z ies = Z or = =
1 + β r A∞ ( Z ir ) Z + Z oa
1 + β r A∞ ( Z ir )
or
Z or Z oa
Z or Z oa Z or + Z oa
= =
Z or + Z oa + β r A∞ ( Z ir ) Z or 1 + β A ( Z ) Z or
r ∞
Z or + Z oa
ir
Z or Z oa
Z ies =
1 + β r A∞ ( Z or , Z ir )
(impedanţa de ieşire fără reacţie, cu influenţa circuitului de reacţie micşorată cu

diferenţa de întoarcere).
3. Influenţa reacţiei negative paralel de tensiune asupra performanţelor

unui amplificator
- reacţia paralel presupune o impedanţă a generatorului de semnal diferită de

zero, altfel reacţia dispare.
* cazul cel mai des întâlnit, reacţia printr-o impedanţă cuplată între intrare şi
ieşire:
Se echivalează circuitul de ieşire pentru a lua în considerare efectul impedanţei

de sarcină:
a) impedanţa de intrare:
via − vo
iia +
1 i +i Z2 i 1 via − vo
= ia ir = = ia + =
Z int via via via Z 2 via
1 1 ⎛ v ⎞
= + ⎜⎜1 − o ⎟⎟
Z ia Z 2 ⎝ via ⎠
Dar:
Z 2 + Z1 Z ia
vo = A(Z s )via +
Z 2 + Z1 Z ia + Z oa Z s
Z ia Z oa Z s
+ vi ≅
Z ia + Z1 Z 2 + Z1 Z ia + Z oa Z s
Z or
≅ A(Z s )via = A(Z s , Z or )via
Z or + Z oa Z s
(al doilea termen este neglijabil, el reprezintă transferul direct prin circuitul
de reacţie care se neglijează);
Z or
A(Z s , Z or ) = A(Z s ) =
Z or + Z oa Z s
Zs Z or Z s Z or
= A∞ = A∞
Z s + Z oa Z or + Z oa Z s Z or + Z s Z or
- influenţa sarcinii;
- influenţa încărcării circuitului de reacţie.
Rezultă:
Z2
Z int = Z ia
1 − A(Z s , Z or )
- amplificarea de tensiune este negativă;
- importanţa esenţială a celui de al doilea termen;
- impedanţă de intrare foarte mică.
b) amplificarea de tensiune
- echivalare:
- tensiunea de le intrarea amplificatorului:
Z ia Z1 Z ia
vi ' = vi ; βr =
Z1 + Z ia Z 2 + Z1 Z ia
vo v'
+ i
Z Z1 Z ia
via = 2 = β r vo + (1 − β r )vi '
1 1
+
Z 2 Z1 Z ia
Z or Z oa Z s
vo = A(Z s )via + vi '
Z or + Z oa Z s Z or + Z oa Z s
Z or
≅ A(Z s )via = A(Z s , Z or )via
Z or + Z oa Z s
(al doilea termen se neglijează fiind transferul direct prin circuitul de reacţie)
vo = A(Z s , Z or )[β r vo + (1 − β r )vi ']

Rezultă:
A(Z s , Z or )
vo = (1 − β r )vi ' =
1 − β r A(Z s , Z or )
A(Z s , Z or ) Z2 Z ia Z1
= vi =
1 − β r A(Z s , Z or ) Z 2 + Z oa Z s Z ia + Z1 Z1
A(Z s , Z or ) Z 2
= vi
1 − β r A(Z s , Z or ) Z1
Deci:
Z 2 β r A ( Z s , Z or )
A' =
Z1 1 − β r A ( Z s , Z or )
Z
- dacă: β r A( Z s , Z or ) >> 1, A' ≅ − 2
Z1
- amplificator inversor; pentru ca reacţia să fie negativă este necesar ca A < 0 ;
- stabilitatea amplificării cu reacţie;
c) impedanţa de ieşire:
- circuitul echivalent:
v
Z ies =
i
v v − A∞ β r v
+
1 i Z + Z1 Z ia Z oa
= = 2
Z ies v v
1 1 1 − β r A∞ Z oa
= + ; Z ies = Z or
Z ies Z or Z oa 1 − β r A∞
- impedanţa de ieşire este foarte mică;
1 Z + Z or − β r A∞ Z or Z oa + Z or ⎛ Z or ⎞
= oa = ⎜⎜1 − β r A∞ ⎟⎟
Z ies Z or Z oa Z or Z oa ⎝ Z or + Z oa ⎠
1
=
1
[1 − β r A( Z or )] sau:
Z ies Z oa Z or
Z oa Z or
Z ies = ( Z oa Z or este impedanţa de ieşire fără reacţie)
(
1 − β r A Z or )
comentariu.
4. Influenţa reacţiei negative asupra tensiunilor perturbatoare
* surse:
- zgomote proprii ale componentelor electrice şi electronice;
- modificări ale PSF;
- variaţia tensiunilor de alimentare, inclusiv zgomote suprapuse peste
acestea;
- neliniarităţi ale circuitelor.
* schema echivalentă la ieşire fără tensiuni perturbatoare şi fără reacţie:
Zs
vo = A∞ via = v semnal (tensiune utilă)
Z s + Z oa o
* schema echivalentă la ieşire cu tensiuni perturbatoare şi fără reacţie:
Zs Zs
vo = A∞ via + ep = vosemnal + vopert
Z s + Z oa Z s + Z oa
vosemnal
- se defineşte raportul semnal/perturbaţie: Rsp = pert .
vo
Observaţie: raportul semnal/perturbaţie se defineşte pentru valoare nominală a
semnalului.
* schema echivalentă la ieşire cu tensiuni perturbatoare, fără semnal util la
intrare şi cu reacţie :
via = −vir = − β r vopert

reactie
reactie = ep − Z A∞ β r vopert
reactie = vo − Aβ r vopert
Zs Zs
vopert Z s + Z oa
pert
s + Z oa
reactie
vopert
vopert =
1 + βr A
reactie
Se determină raportul semnal/perturbaţie pentru circuitul cu reacţie:
vosemnal vosemnal vosemnal

= = = = Rsp (1 + β r A)
reactie reactie
R sp
vopert
reactie vopert
reactie vopert
1 + βr A
- raportul semnal/perturbaţie se măreşte;
- semnalul util este acelaşi la ieşire; la circuitul cu reacţie se va aplica la intrare
un semnal util mult mai mare.
5. Influenţa reacţiei negative asupra benzii de trecere
* elemente care afectează caracteristica de frecvenţă a unui amplificator:
- la frecvenţe mari: capacităţile TBIP, capacităţile parazite, capacitatea de

intrare a sarcinii, dependenţa factorului de amplificare în curent de frecvenţă,
capacităţi de compensare;
- la frecvenţe joase: capacităţile de cuplare şi de decuplare, capacităţi de
compensare.
* dependenţa A( f ) (numai pentru frecvenţe înalte):

- se presupune o dependenţă cu un singur pol:

Ao
A( f ) =
f
1+ j
fs
- Ao - amplificarea de tensiune la frecvenţe joase fără reacţie;
- f s - frecvenţa de tăiere la frecvenţe înalte fără reacţie;
- amplificarea cu reacţie:
Ao
f
1+ j
A( f ) fs Ao
Ar ( f ) = = =
1 + β r A( f ) 1 + β Ao f
1 + j + β r Ao
r
f fs
1+ j
fs
Ao
1 + β r Ao Aor
Ar ( f ) = =
f f
1+ j 1+ j r
f s (1 + β r Ao ) fs
unde:
Ao
Aor = ; f sr = f s (1 + β r Ao )
1 + β r Ao
Concluzie: banda de trecere a amplificatorului se măreşte.
Observaţie: produsul amplificare-bandă este constant indiferent de gradul de
reacţie:
Aor f sr = Ao f s = ct. comentariu
Concluzii la utilizarea reacţiei negative în amplificatoare:
- modulul amplificării de tensiune scade;

- stabilitatea amplificării de tensiune la diferite variaţii creşte;
- se pot controla impedanţele de intrare şi de ieşire;
- se reduc tensiunile perturbatoare inclusiv cele introduse de neliniarităţile
circuitului;
- se măreşte banda de trecere a amplificatorului;
- există posibilitatea apariţiei unei instabilităţi dinamice (producere de oscilaţii).
Cap. 5. Reacţia negativă în amplificatoare
6. Dubletul serie
** schema de principiu
- reacţie
- negativă
- serie
- de tensiune
- se calculează amplificarea de tensiune, impedanţa de intrare, impedanţa de
ieşire;
- parametrii TBIP – se neglijează hr şi ho pentru ambele tranzistoare;
a) soluţia 1:
** se determină parametrii hibrizi echivalenţi ai circuitului:
- cu ieşirea în scurt circuit:

H i = hi '+ (h f '+1)Z1 Z 2
H f = −(h f '+1)
Z1 Z c1
− hf ''hf ' ≅
Z1 + Z 2 Z c1 + hi ' '
Z c1
≅ −h f ' ' h f ' = − h f ' h*f
Z c1 + hi ' '
(se neglijează transferul direct prin circuitul de reacţie)
- cu intrarea în gol:
Z1
Hr =
Z1 + Z 2
1
Ho =
Z1 + Z 2
∆H =
1
Z1 + Z 2
[
hi' + (h 'f + 1) Z1 Z 2 + h 'f h*f Z1 = ]
=
1
Z1 + Z 2
[
H i + h 'f h*f Z1 ]
** amplificarea de tensiune:
H f Zs − h f ' h*f Z c 2
Au ' = − =− =
H i + Z s ∆H Hi +
Z c2
Z1 + Z 2
H i + h f ' h*f Z1 ( )
h f ' h*f Z c 2
Hi
= =
Zc2 h f ' h*f Z c 2 Z1
1+ +
Z1 + Z 2 Hi Z1 + Z 2
h f ' h*f Zc2

Zc2 h f ' h*f
Hi 1+ Z c 2 (Z1 + Z 2 )
Z1 + Z 2 Hi
= =
h f ' h*f Zc2 Z1
*
Z1 h f ' h f
1+ 1+ Z c 2 (Z1 + Z 2 )
Hi Z c 2 Z1 + Z 2 Z1 + Z 2 H i
1+
Z1 + Z 2
Ultima relaţie se poate scrie şi sub forma:
Au
Au' = unde:
1 + β r Au
h f ' h*f Z1
Au = Z c 2 (Z1 + Z 2 ) şi βr =
Hi Z1 + Z 2
Relaţia finală se poate scrie direct dacă se construiesc cei doi cuadripoli,
amplificatorul de bază încărcat cu circuitul de reacţie şi circuitul de reacţie:
(fiind reacţie serie, încărcarea la ieşire se obţine lăsând intrarea în gol; fiind
reacţie de tensiune, încărcarea la intrare se obţine punând ieşirea în scurt
circuit);
* pentru amplificatorul de bază se determină amplificarea de tensiune:
Au = Au (T ' ) Au (T " ) =
⎛ h 'f ⎞⎛ h ''
⎞
⎜
= − ' Z h − Z (Z + Z 2 ) ⎟ =
'' ⎟⎜ f
⎜ h + (h' + 1) Z Z c1 i ⎟⎜ h'' c 2 1 ⎟
⎝ i f 1 2 ⎠⎝ i ⎠
h 'f h*f
= Z c 2 (Z1 + Z 2 )
Hi
Z1
iar pentru circuitul de reacţie se determină factorul de reacţie, βr =
Z1 + Z 2
* dacă amplificarea pe buclă ( β r Au ) este suficient de mare, amplificarea
de tensiune cu reacţie devine:
1 Z1 + Z 2 Z
Au ≅ = =1+ 2
βr Z1 Z1
** impedanţa de intrare:
Hr H f Zs Z1 h'f h*f
Z' = H −
i 1+ H Z = H +
i Z +Z Z =
int Zc 2 c 2
o s 1 2 1+
Z1 + Z2
⎛ ⎞
⎜ h' h* Z ⎛ Z + Z ⎞ ⎟
Z1 ⎜ ⎟
⎜ f f c2 ⎝ 1 2⎠⎟
= Hi ⎜1+ ⎟=
⎜ Z1 + Z2 Hi ⎟
⎜⎜ ⎟⎟
⎝ ⎠
⎡ ⎛ ' ⎞ ⎤
= hi + ⎜ h f +1⎟ Z1 Z2 ⎥ ⎛⎜1+ βr Au ⎞⎟ = Zint ⎛⎜1+ βr Au ⎞⎟
⎢ '
⎢ ⎝ ⎠ ⎥⎝ ⎠ ⎝ ⎠
⎣ ⎦
- observaţii:
- impedanţa de intrare fără reacţie se poate scrie direct din schema

amplificatorului de bază încărcat cu circuitul de reacţie,
Z int = hi' + (h 'f + 1) Z1 Z 2 şi apoi se aplică factorul (1 + β r Au ) deja
determinat;
- impedanţa de intrare este mărită datorită reacţiei serie.
** impedanţa de ieşire:
(fără impedanţaZ c 2 care poate fi adăugată în paralel şi fără a lua în considerare

'
impedanţa generatorului de semnal, Z g care poate fi inclusă în hi ):
Hi + Z g H Hi
'
Z ies = = i = =
∆H + H o Z g ∆H 1
Z1 + Z 2
[
H i + h 'f h*f Z1]
Z1 + Z 2 Z1 + Z 2 Z1 + Z 2
= = =
h 'f h*f h'f h*f Z1 + Z 2 1 + β r Au∞
1+ Z1 1 + Z1
Hi Hi Z1 + Z 2
unde:
h 'f h*f
Au∞ = Au ( Z c 2 → ∞) = ( Z1 + Z 2 )
Hi
Z ies = Z1 + Z 2
Z1
βr =
Z1 + Z 2
- observaţii:
- aceste mărimi se deduc direct din schema amplificatorului de bază
încărcat cu circuitul de reacţie şi din circuitul de reacţie;
- impedanţa de ieşire cu reacţie este micşorată mult în comparaţie cu
impedanţa de ieşire fără reacţie (este reacţie de tensiune);
- impedanţa de ieşire este afectată de Z c 2 dacă aceasta face parte din
amplificator (mai este şi rezistenţa de sarcină propriu-zisă care apare în paralel
cu Z c 2 :
Z1 + Z 2
Zc2
Z1 + Z 2 1 + β r Au∞
"
Z ies = Zc2 = =
1 + β r Au∞ Z1 + Z 2
Zc2 +
1 + β r Au∞
Z c 2 (Z1 + Z 2 )
Z c 2 (Z1 + Z 2 ) Z c 2 + Z1 + Z 2
= = =
Z c 2 + Z1 + Z 2 + β r Au∞ Z c 2 β r Au∞ Z c 2
1+
Z c 2 + Z1 + Z 2
Z c 2 (Z1 + Z 2 ) Z c 2 (Z1 + Z 2 )
= =
h'f h*f (Z1 + Z 2 ) Zc2 1 + β r Au
1 + βr
Hi Z c 2 + Z1 + Z 2
- interpretare;
b) cu echivalări (pentru a pune rapid în evidenţă comportarea circuitului)

T" Ta Tb Tc T
Hi hi" hia = hi" Z c1 hib = hia hic = hia hi'
Hr 0 0 0 0 0
b
Zc1 h
H f h"f haf =h"f = h*
f h =h =h
b a * h c
= f
h'f hcf
Zc1 +hi"
f
Z
f f f 1+ 2
Z
Ho 1 1 hoc
0 0 hob = hoc =
Zc2 Z 2 + Zc 2
- la superG panta este foarte mare şi: U1 = U1 ;

'
- curentul din sarcină se închide, practic, prin al doilea tranzistor:

U1' U1 U
I= = ⇒ Ic2 = 1
Z1 Z1 Z1
- tensiunea de ieşire se scrie:
Z 2 + Z1
U 2 = ( Z 2 + Z1 ) I c 2 = U1
Z1
Z 2 + Z1
- rezultă amplificarea de tensiune: Au aprox ≅
Z1
- se poate calcula eroarea:
1
hcf +
Au' aprox
Au' = Au' aprox - concluzii;
hcf +1
- se pot calcula impedanţele de intrare şi de ieşire.
** exemple:
7. Dubletul paralel
** schema de principiu
- reacţie negativă paralel de tensiune (curent);

'
- ieşiri: U 2 ,U 2 ;
- se aplică direct relaţiile de la reacţia paralel de tensiune, considerând ieşirea la
emitorul celui de al doilea tranzistor;
* amplificarea de tensiune (la ieşirea din emitor):

Z 2 β r Au
Aur (U 2' ) =
Z1 1 − β r Au
Z1 Z ia 1
cu: βr = ; Z ia = hi ' ; β r =
Z 2 + Z1 Z ia ⎛ 1 1⎞
1 + Z 2 ⎜⎜ + ' ⎟⎟
⎝ Z1 hi ⎠
h 'f Z s (T ' ) h 'f Z c1 Z int (T " ) h 'f Z c1
Au = Au' Au'' ≅− ⋅1 = − ≅−
hi' hi' hi'
Z2
- dacă: β r Au >> 1 , amplificarea devine: Aur (U 2' ) = − ;
Z1
- amplificarea raportată la ieşirea din colector:
Z c 2 I c 2 U 2' Z c 2 Z 2
Aur (U 2 ) ≅− ≅ (dacă Z 2 >> Z e 2 )
Z e 2 I e 2 U1 Z e 2 Z1
(dependentă numai de rapoarte de rezistenţe)
* impedanţa de intrare:
Z2
'
Z int = hi' foarte mică;
1 − Au
* impedanţa de ieşire la colector:
'
Z ies (U 2 ) = Z c 2
- dacă Z c 2 este chiar sarcina, impedanţa de ieşire deja mare (ieşire din
colector este mărită datorită reacţiei de curent; circuitul se comportă la această
ieşire ca un generator de curent);
* impedanţa de ieşire la emitor ( Z e 2 este chiar sarcina):
hi'' + Z c 2
'
Z ies (
(U 2' ) = Z 2 + Z1 hi' )1− β A
h 'f' + 1
r u
- foarte mică; circuitul se comportă la această ieşire ca un generator de tensiune;
** deducerea amplificării de tensiune folosind efectul Miller:
(circuitul cu o impedanţă între două puncte se poate echivala cu un circuit cu

impedanţe între cele două puncte şi punctul comun de masă);
- amplificarea – raportul dintre tensiunile în cele două puncte – va fi:

h 'f Z c1
A = A' A' ' ≅ −
hi'
- tensiunea la ieşirea din emitorul tranzistorului:
Z2 '
hi
vo = 1 − A Avi
Z2 '
hi + Z1
1− A
Z2 '
hi
vo
A = =
r 1 − A A=
vi Z2 ' ⎛ ' Z2 ⎞
hi + Z1 ⎜ hi + ⎟
1− A ⎝ 1 − A ⎠
Z 2 hi' A
= =
Z 2 hi + Z1Z 2 + Z1hi (1 − A)
' '
Z 2 hi' Z1 A
= ' =
hi + Z1 Z1 Z1hi' Z1hi'
Z2 + − A '
hi' + Z1 hi + Z1
Z1 hi'
A
Z Z1 hi' A Z2 Z2 + Z1 hi'
= 2 =
Z1 Z 2 + Z1 hi' − AZ1 hi' Z1 Z1 hi'
1− A
Z2 + Z1 hi'
Z βr A Z1 hi'
Aur = 2 cu βr = comentarii
Z1 1 − β r A Z 2 + Z1 hi'
** scheme tipice:
8. Circuite de intrare în amplificatoarele elementare
a) circuitul de intrare al amplificatorului EM
- la frecvenţe înalte apar capacităţi parazite care afectează funcţionarea amplif.;

- frecvenţe medii: domeniul de frecvenţe în care amplificarea de tensiune nu
depinde de frecvenţa semnalului (amplificator aperiodic);
- se foloseşte schema echivalentă Giacoletto:
- se pune în evidenţă un amplificator cu reacţie paralel de tensiune (prin Z µ );

- amplificatorul este caracterizat la intrare prin Z ia = Zπ iar circuitul de reacţie
prin Z2 = Zµ .
- impedanţa de intrare:
1 1 1− A
= +
Z int Z ia Z2
- amplificarea de tensiune: A = − SZ s şi rezultă:
1 1 1 + SZ s
= +
Z int Zπ Zµ
** cazul Z s = Rs (sarcină pur rezistivă):
1 1 + SRs 1 1 + SRs
+ jω [Cπ + (1 + SRs )Cµ ]
1
= + = +
Z int Zπ Zµ rπ rµ
1 1
= + jωCint
Z int Rint
rµ
Rint = rπ ; Cint = Cπ + (1 + SRs )Cµ
1 + SRs
- schema echivalentă:
- exemplu numeric:
S = 100 mA / V ; Rs = 1kΩ; Cπ = 10 pF ; Cµ = 1 pF ; Cint = 112 pF

* observaţii:
- la frecvenţe mari, capacitatea de intrare şuntează rezistenţa de intrare a
etajului EM;
- nu se poate conecta etaj EM după circuit cu sarcină dinamică;
- soluţie: se foloseşte schemă BM sau cascodă pentru etaj de intrare;
- se foloseşte repetor pe emitor ca etaj intermediar.
** cazul unei amplificări complexe:
A = − A0e jω = − A0 (cosθ + j sin θ )
⎛ ⎞
1 1
( jθ ⎜ 1
= + jωCπ + 1 + A0e ⎜ + jωCµ ⎟⎟
Z int rπ
)
⎝ rµ ⎠
1 1 1 + A0 cosθ
= + jωCπ + − A0ωCµ sin θ +
Z int rπ rµ
jA0 sin θ
+ jωCµ (1 + A0 cosθ ) +
rµ
1 1 1 1
= + − + jω (...........)
Z int rπ rµ 1
1 + A0 cosθ A0ωCµ sin θ
1 1
= + jωCint
Z int Rint
Rint = Rint ( + ) Rint ( −)

1
Rint (−) = −
A0ωCµ sin θ
- observaţie: pe intrare apare o componentă de rezistenţă negativă în paralel cu
componenta pozitivă; la o anumită frecvenţă, rezistenţa de intrare poate deveni
negativă ceea ce presupune o instabilitate a circuitului; această comportare poate
să apară numai dacă θ > 0 , deci pentru sarcină inductivă:
ωLs
Z s = Rs + jωLs ; θ = arctg > 0;
Rs
- cazuri reale: - circuite cu relee;
- circuite cu transformatoare;
- remediu:
- neutrodinarea (pentru circuite de înaltă frecvenţă);
- rezistenţă antioscilantă:
- alte variante.
b) circuitul de intrare al amplificatorului cu CM
- schema amplificatorului CM:
1 1 1− A 1 1− A 1 ⎛1 ⎞
= + = + = + jωCµ + (1 − A)⎜⎜ + jωCπ ⎟⎟
Zint Zia Z2 Zµ Zπ rµ ⎝ rπ ⎠
SZ s 1
A= ; 1− A =
1 + SZ s 1 + SZ s
1 1 1
= +
Z int Z µ Zπ (1 + SZ s )
** cazul unei sarcini rezistive, Z s = Rs :

1 1 1 ⎛ Cπ ⎞
= + + jω ⎜⎜ Cµ + ⎟⎟
Z int rµ (1 + SRs )rπ ⎝ 1 + SRs ⎠
Rint = rµ (1 + SRs )rπ = rµ (rπ + h f Rs )
Cπ
Cint = Cµ +
1 + SRs
- capacitatea de intrare este redusă foarte mult iar rezistenţa de intrare creşte
10
(deci nu şuntează etajul anterior): Cint = 1 + ≅ 1,1 pF ...
101
1 1
** cazul unei sarcini capacitive: = + jωCs
Z s Rs
- se presupune că: SZ s >> 1;
1 1 1⎛ 1 ⎞⎛ 1 ⎞
= + jωCµ + ⎜⎜ + jωCs ⎟⎟⎜⎜ + jωCπ ⎟⎟
Z int rµ S ⎝ Rs ⎠⎝ rπ ⎠
1 1 1 ω 2Cπ Cs ⎛ C C ⎞
= + − + jω ⎜⎜ Cµ + π + s ⎟⎟
Z int rµ Srπ Rs S ⎝ SRs Srπ ⎠
Cπ C
Cint = Cµ + + s
SRs Srπ
- capacitatea de intrare este mică (etaj de cuplare); şi capacitatea de
sarcină se reflectă micşorată la intrare;
S
Rint = rµ Srπ Rs −
ω 2CsCπ
- rezistenţă de intrare mare;
- componentă negativă dependentă de pătratul frecvenţei semnalului
devine importantă la frecvenţe relativ mici);
- compensarea se poate face cu rezistenţă antioscilantă în serie cu baza:
c) circuitul de intrare la amplificatorul cu reacţie serie de curent (amplificator cu

sarcină distribuită:
Uc h f Zc SZ c
Ac = =− ≅−
Ui hi + (h f + 1)Z e 1 + SZ e
Ae =
Ue
=
(h f + 1)Z e
≅
SZ e
U i hi + (h f + 1)Z e 1 + SZ e
- cazul obişnuit:
SRc SRe
Z c = Rc ; Z e = Re → Ac = − ; Ae =
1 + SRe 1 + SRe
1 1 − Ae 1 − Ac 1 1 + S (Re + Rc )
= + = +
Z int Zπ Zπ (
1 + SRe Zπ ) (
1 + SRe Z µ )
1 + SRe
Rint = [(1 + SRe )rπ ] rµ
1 + S ( Rs + Re )
1 1 + S (Re + Rc )
Cint = Cπ + Cµ
1 + SRe 1 + SRe
- reacţia serie:
- măreşte rezistenţa de intrare;
- micşorează efectul capacităţilor parazite;
d) circuitul de intrare la amplificatorul cu reacţie combinată (serie şi paralel)

de tensiune şi de curent:
( R2 rµ )(1 + SRe )
Rint = Rb [rπ (1 + SRe )]
1 + S ( Rc + Re )
- rezistenţa R2 se reflectă la intrare micşorată iar rezistenţa Re se reflectă
mărită (rezistenţa Rb nu este afectată de reacţie);
- caz particular: Re = 0 , numai reacţie paralel; exemplu numeric:
R2 = 200 kΩ (este folosită pentru polarizare în c.c.); SRc = 200 (la
un curent de colector de 1mA şi pentru o rezistenţă de colector de 5kΩ )
R2
- rezultă: ≅ 1kΩ (foarte mică şi încarcă puternic etajul
1 + SRc
anterior);
- capacitatea de intrare se determină ca în cazul anterior.
9. Impedanţe simulate
* se simulează electronic impedanţe controlabile (efecte capacitive sau

inductive);
* amplificatorul cu reacţie paralel de tensiune fără tensiune aplicată la intrare:
- impedanţa de ieşire (la bornele AB):

Z oa
Z AB = Z ies
'
≅ (se neglijează efectul circuitului de reacţie)
1 − β r A∞
- se transformă la ieşire în schemă echivalentă Norton:
- dacă: β r A∞ >> 1:
Z oa Z 1 1 1
Z AB ≅ = − oa =
− β r A∞ A∞ β r S A β r
A
- S A = − ∞ , panta echivalentă a amplificatorului;
Z oa
- dacă: Z ia >> Z1 :
Z1 1 Z1 + Z 2 1 Z
βr = şi Z AB = = + 2
Z1 + Z 2 S A Z1 S A S A Z1
* exemple:
a) circuitul cu amplificator cu tranzistoare:
- T1 este repetor pe emitor (pentru impedanţă de intrare mare);

- T2 amplificator cu EM pentru amplificare mare (şi negativă), cu panta
echivalentă S 2 ;
- între punctele M, N şi P se aplică circuitul de reacţie.
b) Z 2 = R2 ; Z1 = jωL1 (convertor inductanţă – capacitate):
1 1 R2 1 1 1
Z AB = + = + = RAB +
S 2 S 2 jωL1 S 2 jω S 2 L1 jωC AB
R2
1 S L
cu: RAB = şi C AB = 2 1 (reglabilă prin S 2 );
S2 R2
1
c) Z 2 = R2 ; Z1 = (convertor capacitate – inductanţă):
jωC1
1 CR
Z AB = + jω 1 2 = RAB + jωLAB
S2 S2
1 C1R2
cu: RAB = şi LAB = (reglabilă prin S 2 );
S2 S2
- pentru factor de calitate bun ( RAB << ωLAB ):
1 1 Z2 Z2 Z1
<< → >> 1 → β r = << 1
S2 S 2 Z1 Z1 Z1 + Z 2
- pentru a realiza condiţia iniţială β r A∞ >> 1, este necesar un amplificator cu
mai multe etaje.
d)Z 2 = jωL2 ; Z1 = R1 (multiplicator de inductanţă):

1 1 jωL2
Z AB = + = RAB + jωLAB
S 2 S 2 R1
1 L2
cu: RAB = şi LAB = (greu de realizat S 2 R1 < 1).
S2 S 2 R1
1
e) Z2 = ; Z1 = R1 (multiplicator de capacitate)
j ωC 2
1 1 1
Z AB = + = RAB +
S 2 S 2 jωC2 R1 jωC AB
1
cu: RAB = şi C AB = C2 S 2 R1 (uşor de realizat S 2 R1 > 1)
S2
- exemplu: C2 capacitatea de barieră a unei diode (varicap) iar R1 rezistenţa de
polarizare în c.c. – multiplicare de capacitate variabilă prin tensiunea continuă
de polarizare.
DCE I Completare TBIP N. Cupcea 1 notiţe
Cap.6. Completare TBIP
1. Ecuaţiile şi modelul Ebers-Moll
* set de ecuaţii şi un model valabile pentru orice regim de funcţionare;

- se determină legătura dintre curenţi şi tensiunile aplicate la borne;
* ipoteze simplificatoare:
- tranzistor cu joncţiuni plane, flux unidimensional;
- baza mai slab dopată cu impurităţi p p , p 'p >> nn ;
- lungimile zonelor neutre ale emitorului şi colectorului mult mai mari
decât lungimile de difuzie ale electronilor LE >> Ln ; LC >> Ln ;
'
- lungimea bazei mult mai mică decât lungimea de difuzie a golurilor

d , w << L p , w ≅ d ;
- nivele mici de injecţie;
- efecte de suprafată neglijabile;
- rezistenţa distribuită a bazei se neglijează;
* se determină p ( x, t ); n( x, t )
* ecuaţiile de transport:
∂
j p ( x, t ) = −qD p p ( x, t ) 0 ≤ x ≤ w, în bază;
∂x
∂
jn ( x, t ) = qDn n ( x, t ) x≤0 (în emitor) şi x≥d (în colector)
∂x
(s-a neglijat curentul de câmp faţă de cel de difuzie, tranzistor fără câmp intern)
* ecuaţiile de continuitate (valabile pentru orice x şi t ):
∂p ( x, t ) p ( x, t ) − pn 1 ∂
=− − j p ( x, t )
∂t τp q ∂x
∂n( x, t ) n ( x, t ) − n p 1 ∂
=− + jn ( x, t )
∂t τn q ∂x
* densităţile de curent:
jE (0, t ) = j p (0, t ) + jn (0, t ) iE = AjE (0, t )
curenţii:
jC ( w, t ) = j p ( w, t ) + jn ( w, t ) iC = AjC ( w, t )
* se presupune regim sinusoidal de semnal mic:
p ( x, t ) = p0 ( x) + p1 ( x)e jωt p1 ( x) << p0 ( x)
cu:
n( x, t ) = n0 ( x) + n1 ( x)e jωt n1 ( x) << n0 ( x)
*din ecuaţia de continuitate:
∂p ( x, t ) p ( x, t ) − pn 1 ∂ ⎡ ∂p ( x, t ) ⎤
=− − − qD
∂t τp q ∂x ⎢⎣ dx ⎥⎦
p
jωt p0 ( x) + p1 ( x)e jωt − pn

jωp1 ( x)e =− +
τp
cu: D pτ p = L2p
⎡ ∂ 2 p0 ( x) jωt ∂ p1 ( x ) ⎤
2
+ Dp ⎢ +e ⎥
⎣ ∂ x 2
∂x 2
⎦
* ecuaţia de regim staţionar:
d 2 p0 ( x) p0 ( x) − pn
2
− 2
=0
dx Lp
* ecuaţia de regim variabil:
d 2 p1 ( x ) 1 + jωτ p
2
− 2
p1 ( x) = 0
dx Lp
* condiţii la limită Shockley:
qu E
x=0 ⇒ p0 (0) = pn e kT
(pentru orice tensiuni aplicate)
quC
x=w ⇒ p0 ( w) = pn e kT
* soluţia pentru ecuaţia de regim staţionar:

x x
−
Lp Lp
p0 ( x ) = pn + Ae + Be
* condiţiile la limită:
qu E
x=0 ⇒ p0 (0) = A + B + pn = pn e kT
w w
− qu C
Lp Lp
x = w ⇒ p0 ( w) = Ae + Be + pn = pn e kT
* se determină A şi B :
⎛ qu E ⎞
A + B = pn e ⎜ kT − 1⎟ = pn BE
⎜ ⎟
⎝ ⎠
−
w w
⎛ qu ⎞
+ Be = pn e kT − 1⎟ = pn BC
⎜
Lp Lp
Ae
⎜ ⎟
⎝ ⎠
1 1 w
−
w
L L w
∆= −w w = e p − e p = 2 sh
L L Lp
e p e p
w w
−
Lp Lp
BE e − BC BC − BE e
A= pn ; B= pn
w w
2 sh 2sh
Lp Lp
* soluţia pentru regim staţionar:
w w
x − x
Lp − Lp
BE e − BC Lp BC − BE e Lp
p0 ( x) = pn e + pn e + pn
w w
2sh 2 sh
Lp Lp
⎛ w− x x ⎞
⎜ BE sh + BC sh ⎟
L Lp
p0 ( x) = pn ⎜1 + ⎟
p
⎜ w ⎟
⎜ sh
Lp ⎟
⎝ ⎠
kT
* verificare pentru RAN ( u E > 0; uC < 0; uC >> ):
q
qu E quC
BE = − 1; BC =
e kT e kT − 1 ≅ −1;
w << L p ; x << L p ;
⎡ ⎛ qu E ⎞w− x x ⎤
⎢ ⎜ e kT −1 ⎟ + (−1) ⎥
⎢ ⎝ ⎜ ⎟ L L ⎥ −
qu E
p0 ( x) = pn ⎢1 + ⎠ p p
≅ pn
w x
e kT
w ⎥ Lp
⎢ ⎥
⎢ Lp ⎥
⎣ ⎦
(distribuţia liniară din teoria elementară a TBIP);
* curenul de goluri:
w− x x
− BE ch + BC ch
dp0 ( x) Lp Lp
j p 0 ( x) = − qD p = − qD p pn
dx w
L p sh
Lp
* curentul de goluri la joncţiunea emitor-bază:
qD p pn ⎛ ⎞
j p 0 ( 0) = ⎜ BE ch w − BC ⎟
w ⎜ Lp ⎟
L p sh ⎝ ⎠
Lp
kT
- verificare pentru RAN ( u E > 0; uC < 0; uC >> ; w << L p ):
q
qD p pn ⎡⎛⎜ kTE ⎞⎛ 1 w2 ⎞ quC ⎤
qu
j p 0 ( 0) ≅ ⎢ e ⎟⎜
−1 1+ ⎟
+ ... − e kT + 1⎥ ≅
w ⎢⎜ ⎟⎜ 2 L2p ⎟ ⎥⎦
Lp ⎣⎝ ⎠⎝ ⎠
Lp
qD p pn
qu E
⎛ 1 w2 ⎞
≅ e kT ⎜1 + ⎟
w ⎜ 2L ⎟
2
⎝ p ⎠
(la fel ca în teoria elementară a TBIP);
* curentul de goluri la joncţiunea colector-bază:

qD p pn ⎛ ⎞
j p 0 ( w) = ⎜ BE − BC ch w ⎟
w ⎜ L p ⎟⎠
L p sh ⎝
Lp
- verificare pentru curentul de recombinare:
qDp pn ⎛ ⎞
jr 0 = j p0 (0) − j p0 (w) = ⎜ Bech w − BC − BE + BC ch w ⎟ =
w⎜ Lp Lp ⎟⎠
Lp sh ⎝
Lp
qDp pn ⎛ w ⎞
= ⎜ ch −1⎟(BE + BC )
w ⎜ Lp ⎟
Lp sh ⎝ ⎠
Lp
qD p pn ⎛ 1 w2 ⎞⎛⎜ kTE ⎞
qu quC
jr 0 ≅ ⎜1 + − 1⎟ e −1+ e kT − 1⎟ =
w ⎜ 2 Lp 2 ⎟⎜ ⎟
Lp ⎝ ⎠⎝ ⎠
Lp
1 qD p pn w ⎛⎜ kTE ⎞ 1 qp w ⎛ qu E ⎞
qu quC quC
= e +e kT ⎟
−2 = n ⎜ kT
e +e kT − 2⎟
2 L p ⎝⎜
2 ⎟ 2 τp ⎜
⎠ ⎝
⎟
⎠
(ca în teoria elementră).
* curenţii de electroni de la cele două joncţiuni se scriu ca pentru diode:
qDn n p ⎛⎜ kTE ⎞ qDn n p
qu
jn 0 (0) = e − 1⎟ = BE
Ln ⎝ ⎜ ⎟ Ln
⎠
qDn' n' p ⎛⎜ kTC ⎞ qD 'n n' p
qu
jn 0 ( w) = e −1 =⎟ BC
L'n ⎝⎜ ⎟
⎠ L n
* densităţile de curent continuu la cele două joncţiuni:
jE 0 = j p 0 (0) + jn 0 (0)
jC 0 = j p 0 ( w) + jn 0 ( w)
= jA ):
* curenţii de emitor şi de colector ( i
qD p pn ⎛ w ⎞ qDn n p
iE = A ⎜ B ch ⎟
− BC + A BE = a11BE − a12 BC
w ⎜ E Lp ⎟ L
L p sh ⎝ ⎠ n
Lp
qD p pn ⎛ w ⎞ qDn' n 'p
iC = A ⎜ BE − BC ch ⎟ − A BE = a21BE − a22 BC
w ⎜ ⎟
Lp ⎠ Ln '
L p sh ⎝
Lp
în care:
qD p pn w qD n
a11 = A ch +A n p
w Lp Ln
L p sh
Lp
qD p pn
a12 = a21 = A
w
L p sh
Lp
qD p pn w qDn' n 'p
a22 = A ch +A
w L Ln '
L p sh p
Lp
* ecuaţiile Shockley-Sparks-Teal
iE = a11BE − a12 BC
iC = a21BE − a22 BC
- cele mai generale ecuaţii pentru funcţionarea TBIP;
- parametrii aij depind de parametrii fizici, geometrici şi tehnologici ai TBIP şi
sunt greu de măsurat.
* se pun în evidenţă parametri măsurabili:
kT
a) RAN ( u E > 0; uC < 0; uC >> ):
q
BC = −1
i E a12
iE = a11BE + a12 de unde: BE = −
a11 a11
⎛i a ⎞ a ∆a
iC = a21BE + a22 = a21⎜⎜ E − 12 ⎟⎟ + a22 = 21 iE +
⎝ a11 a11 ⎠ a11 a11
- dar:
iC = α 0iE + I c 0
(α 0 şi I c 0 sunt parametri de c.c. în RAN, măsurabili direct);
- rezultă:
a21 ∆a
α0 = ; Ic0 =
a11 a11
kT
b) RAI ( uC > 0; u E < 0; u E >> ; BE = −1):
q
- similar, rezultă:
a12 ∆a
αi = ; I e0 =
a22 a22
(α i şi I e 0 sunt parametri de c.c. în RAI, măsurabili direct);
- semnificaţiile celor 4 parametri;
- din egalitatea: a21 = a12 rezultă: α 0 I e 0 = α1I c 0 ;
- deoarece: α 0 >> α i I e 0 << I c 0
(TBIP este nesimetric), rezultă:
** se presupune că sunt cunoscuţi parametrii măsurabili α 0 , α i , I c 0 , I e 0 :
∆a a11a22 − a12 a21 a11a22 − a11a22α 0α i
Ic0 = = = =
a11 a11 a11
= a22 (1 − α 0α i )
- rezultă:
Ic0 α 0 I e0
a22 = ⇒ a21 =
1 − α 0α i 1 − α 0α i
- similar:
I e0 αi Ic0
a11 = ⇒ a12 =
1 − α 0α i 1 − α 0α i
- se înlocuiesc în ecuaţiile Sparks-Teal:
- rezultă ecuaţiile Ebers-Moll:

I e0 αI
iE = BE − i c 0 BC
1 − α 0α i 1 − α 0α i
α 0 I e0 Ic0
iC = BE − BC
1 − α 0α i 1 − α 0α i
- ec0uaţiile Ebers-Moll – cele mai generale relaţii ale TBIP – indiferent de
tensiunile de polarizare a joncţiunilor TBIP.
** modelul Ebers-Moll:
- relaţiile anterioare se pot scrie sub forma:
BC I c 0 = α 0 I e 0 BE − (1 − α 0α i )iC
BE I e 0 = α i I c 0 BC + (1 − α 0α i )iE
Deci:
αi
iE =
I e 0 BE
− [α 0 I e0 BE − (1 − α 0α i )iC ] sau:
1 − α 0α i 1 − α 0α i
iE = I e 0 BE + α iiC
- similar:
α0
iC = [α i I c 0 BC + (1 − α 0α i )iE ] − I c 0 BC sau:
1 − α 0α i 1 − α 0α i
iC = α 0iE − I c 0 BC
- rezultă:
iE = I e 0 BE + α iiC
iC = α 0iE − I c 0 BC
- ecuaţiile pentru cei doi curenţi se pot desena sub forma unui circuit electric;
modelul Ebers-Moll:
- se poate calcula curentul de bază;

- se adaugă capacităţile de barieră ale joncţiunilor şi rezistenţa distribuită a
bazei;
- se pot defini şi curenţii de saturaţie ai joncţiunilor (cu cealaltă jonţiune în scurt
circuit): I es , I cs ;
- rezultă:
I e0 Ic0
I es = ; I cs = (măsurabili);
1 − α 0α i 1 − α 0α i
- prin înlocuire:
iE = I es BE − α i I cs BC
iC = α 0 I es BE − I cs BC
- rezultă un alt model cu aceşti parametri:
iE = I es (1 − α 0α i )BE + α iiC
iC = α 0iE − I cs (1 − α 0α i )BC
- se poate desena un circuit echivalent;
** aplicaţie:
- TBIP utilizat ca un comutator analogic:
* conexiune normală:
BE = −1; BC = −1:
- comutator blocat,
α I Ic0 I (1 − α i )
iC = − 0 e 0 + = c0
1 − α 0α i 1 − α 0α i 1 − α 0α i
- comutator deschis:
kT 1
VCEsat direct ≈ ln .........
q βi
* conexiune inversă:
- comutator blocat, BE = −1; BC = −1:

I e0 αI − I (1 − α 0 )
iE = − + i c 0 = e0
1 − α 0α i 1 − α 0α i 1 − α 0α i
- comutator deschis:
kT 1
VCEsat invers ≈ ln ....
q β0
Concluzii:
iE << iC
VCEsatinvers < VCEsatdirect
Cap.6. Completare TBIP
2. Funcţionarea TBIP la frecvenţe înalte
- efecte la frecvenţe înalte:

- capacităţi parazite, Cπ , Cµ ;
- dependenţa de frecvenţă a factorului de amplificare în curent;
- mai multe variante de analiză:

- rezolvarea celei de a doua relaţii (pentru regimul dinamic) din ecuaţiile
generale de funcţionare a TBIP;
- definirea unor frecvenţe limită de funcţionare ale TBIP şi determinarea
legăturilor cu ceilalţi parametri ai TBIP.
a) frecvenţa limită fα (frecvenţa la care modulul factorului de amplificare

în curent în conexiunea BC scade cu 3 dB faţă de valoarea la frecvenţe
joase);
- se foloseşte modelul Giacoletto:
∆iC
- conform definiţiei: α in =
∆iE ∆u C = 0
- se neglijează rx iar rµ se neglijează în paralel cu rπ :
Sub 'e S
α in = = =
ub 'e Srπ + 1
Sub 'e + jωCπ ub 'e + + jωCπ
rπ rπ
Srπ 1 α0
= ≅
Srπ + 1 1 + jω Cπ rπ 1 + jω π
C
Srπ + 1 S
S α0
- se notează: ωα = şi rezultă: α in = ;
Cπ ω
1+ j
ωα
α0
- modulul factorului de curent: α in = ;
2
⎛ω ⎞
1 + ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ ω0 ⎠
α0 α0
- conform definiţiei: α in ω =ω3 dB
= = ;
2 2
⎛ω ⎞
1 + ⎜⎜ 3dB ⎟⎟
⎝ ωα ⎠
- rezultă:
q
IC 2Dp
S
ω3dB = ωα = = kT 2 = 2 ;
Cπ q w w
IC
kT 2 D p
2,43D p
(dacă se rezolvă ecuaţia pt. regim dinamic, se obţine ω3dB = 2
);
w
b) frecvenţa limită fβ (frecvenţa la care modulul factorului de amplificare

în curent în conexiunea EC scade cu 3 dB faţă de valoarea la frecvenţe
joase);
α
- relaţii de calcul: β= ;
1−α
- pentru factorul α in se foloseşte o expresie de forma:

ω
− jν
α0 ωα
α in = e
f
1+ j
fα
( se pune în evidenţă un excedent de fază, dedus din ecuaţia de conrinuitate;
ωα
relaţia este valabilă pentru ω< ); ν, parametrul care măsoară acest
2
exces de fază are valori de 0,1-0,2 pentru bază uniformă, respectiv 0,2-0,4
ω
pentru tranzistor cu bază graduală; produsul ν nu depăşeşte valoarea de
ωα
0,2<1);
- rezultă:
ω
− jν
α0 ωα
e
ω ω
1+ j − jν
ωα
ωα α 0e
β= ω
= ω
− jν − jν
α0 ωα ω
1− e 1+ j − α 0e ωα
ω ωα
1+ j
ωα
- se dezvoltă exponenţiala de la numitor în serie de puteri şi se reţin numai
termenii semnificativi:
ω ω
− jν − jν
ωα ωα
α 0e α 0e
β0 = = =
ω ⎛ ω ⎞ 1 − α + j ω (1 + α ν )
1+ j − α 0 ⎜⎜1 − jν ⎟⎟
ωα ⎝ ωα ⎠
0
ω α
0
ω
α 0 − jν ωα − jν
ω
− jν
ω
e
1 − α0 β 0e ωα β 0e ωα
= = =
ω 1 + α 0ν α 0 ω β0 ω
1+ j 1+ j 1+ j β
ωα α 0 1 − α 0 ωα α 0 ωT 0
1 + α 0ν
α 0ωα ωα
- se notează: ωT = ≅ ;
1 + α 0ν 1 + α 0ν
β0 β0
- pentru ν = 0 : ωT = ωα ; β= =
ω ω
1+ j β0 1 + j
ωα ωβ
ωα
- rezultă: ωβ = ;
β0
ω
− jν
ωα
β 0e
- pentru ν ≠ 0: ; β= ;
ω
1+ j β
ωT 0
ω ω 1
- rezultă: ωβ = T ≅ α
β0 β0 1 + ν
- cu cât excesul de fază creşte se reduce frecvenţa limită în coneziunea EC.
c) pulsaţia ω1 la care modulul factorului de curent în conexiunea EC devine

egal cu 1:
ω
− jν
ωα
β 0e β0
β ( jω ) = ⇒ β ( jω1 ) =
ω 2
1+ j β ⎛ω β ⎞
ωT 0 1 + ⎜⎜ 1 0 ⎟⎟
⎝ ωT ⎠
1
- rezultă: ω1 = ωT 1 − ≅ ωT ;
β 02
d) frecvenţa (pulsaţia) de tranziţie, ωT :
ω
- pentru: β >> 1:
ωT 0
β0 ω
- β ( jω ) ≅ = T ⇒ ω β ( jω ) = ωT = ct.
ω
β0 ω
ωT
- deci, pentru ω > ωβ , produsul dintre pulsaţie şi modulul factorului de

amplificare în curent în conexiunea EC devine constant şi egal cu pulsaţia de
tăiere;
- se măsoară foarte uşor: se fixează frecvenţa semnalului aplicat şi se măsoară
modului factorului de curent în EC; produsul lor este frecvenţa de tranziţie după
care se pot determina şi celelalte frecvenţe caracteristice;
e) frecvenţa de oscilaţie maximă, f osc este frecvenţa maximă la care TBIP

mai poate fi folosi într-un circuit de oscilator (semiempirică):
fT
f osc = .
8πrxCµ
3. Banda de trecere a unui amplificator cu TBIP cu cuplaj RC:
- la frecvenţe înalte:
- capacităţi parazite;
- capacitatea de intrare a circuitului de sarcină;
- comportarea TBIP
- la frecvenţe joase:
- capacităţile de cuplaj;
- capacităţile de decuplare.
- banda de trecere:
- frecvenţa limită de sus, f s (la scăderea cu 3 dB a modulului amplificării
de tensiune în comparaţie cu valoarea din banda de trecere);
- frecvenţa limită de jos, f β (la scăderea cu 3 dB a modulului amplificării
de tensiune în comparaţie cu valoarea din banda de trecere);
* exemplu: amplificator EM cu cuplaj capacitiv:
* elemente reactive:
- capacitatea de cuplaj C" ( C ' are acelaşi rol);
- capacitatea de decuplare a emitorului, Ce ;
- capacitatea de intrare a circuitului de sarcină, Ci ;
- dependenţa de frecvenţă a factorului de amplificare în curent în

β0
conexiune EC, β= .
f
1+ j
fβ
** schema echivalentă generală:
** schema echivalentă în banda de trecere:

- capacităţile C ' , C " se comportă ca un scurt circuit, capacitatea C' are
o reactanţă suficient de mare pentru a putea fi neglijată în paralel cu Ri iar
dependenţa lui β de frecvenţă nu este semnificativă;
- tranzistorul este caracterizat prin rπ şi β:
- amplificarea de tensiune va fi:

vo − β 0 Z s Rc Ri
Au 0 = = = − β0
vi rπ rπ
** la frecvenţa mari: (se neglijează capacităţile de cuplare şi de decuplare, dar se
iau în considerare celelalte două elemente):
β0
β = β( f ) = ;
f
1+ j
fβ
1
Z s = Rc Ri ;
jωCi
(Rc Ri )
1
β0 1 jωCi Au 0
Au = − = cu:
1+ j
f rπ
Rc Ri +
1 ⎛ ⎞⎛ ⎞
⎜1 + j f ⎟⎜1 + j f ⎟
fβ jωCi ⎜
⎝ f β ⎟⎠⎜⎝ f1 ⎟⎠
1
f1 = (rezistenTa la borne);
2πCi Rc Ri
* determinarea frecvenţei limită de sus, f s :
Au 0
Au =
⎡ ⎛ f ⎞2 ⎤ ⎡ ⎛ f ⎞2 ⎤
⎢1 + ⎜ ⎟ ⎥ ⎢1 + ⎜⎜ ⎟⎟ ⎥
⎢ ⎜⎝ f β ⎟⎠ ⎥ ⎢⎣ ⎝ f1 ⎠ ⎥⎦
⎣ ⎦
Au ( f s ) 1 1
= = ⇒ fs :
Au 0 2 ⎡ ⎛ f ⎞ ⎤⎡ ⎛ f ⎞ ⎤
2 2
⎢1 + ⎜ s ⎟ ⎥ ⎢1 + ⎜⎜ s ⎟⎟ ⎥
⎢ ⎜⎝ f β ⎟⎠ ⎥ ⎢⎣ ⎝ f1 ⎠ ⎥⎦
⎣ ⎦
- dacă: f β >> f1 , rezultă: f s ≅ f1 (contează circuitul exterior);

- dacă: f β << f1 , rezultă: fs = fβ (contează tranzistorul);
- dacă cele două frecvenţe sunt comparabile, contează ambele elemente şi fs se
determină prin rezolvarea ecuaţiei bipătrate rezultate;
** la frecvenţe joase:
- se neglijează dependenţa factorului de curent de frecvenţa;
- se neglijează reactanţa capacităţii de intrare a circuitului următor;
* se rezolvă în două etape:

a) se presupune că reactanţa capacităţii de decuplare din emitor este foarte
mică ( Ce → ∞ ); comportarea circuitului la frecvenţe joase va fi dată de
capacitatea de cuplare C" , pe schema echivalentă:
⎛ 1 ⎞
Rc ⎜ Ri + ⎟
Ri β0 β0 Ri ⎝ j ω C " ⎠=
Au = (− ) Z s = −
1 rπ rπ R + 1 R + R + 1
Ri +
jωC" j ωC " j ωC "
i c i
1 1
= Au 0 = Au 0
1 f
1+ 1− j 2
jωC" (Rc + Ri ) f
1
cu: f 2 = (rezistenţa la borne)
2πC" ( Rc + Ri )
b) se consideră efectul capacităţii de decuplare din emitor:
β 0 Rc Ri β 0 Rc Ri
Au = − =− =
rπ + ( β 0 + 1) Z e rπ + ( β 0 + 1)
RE
1 + jωReCe
β R R 1 + jωCe Re
=− 0 c i
rπ 1 + (β 0 + 1)Re + jωC R
e e
rπ
f
1+ j
f3 1
Au = Au 0
f ( β + 1) Re
1+ j 1+ 0
f4 rπ
1 1
cu: f3 = şi f 4 = (rezistenţa echivalentă la
2πCe Re r
2πCe Re π
β0 + 1
borne);
* determinarea frecvenţei limită de jos:

- deoarece: f 3 << f 4 (evident), f j ≅ f4
- acţiunea simultană a celor două capacităţi: C" şi Ce :
f2 < f4 f2 > f4
* condiţii de proiectare (se precizează f j );
- deoarece:
1 r
Rech (C" ) = << Rech (Ce ) = Re π
2πC" ( Rc + Ri ) β0 + 1
rezultă că este recomandată varianta:
fj 10 f j
Ce = şi C" >
⎛ r ⎞ 2π (Rc + Ri )
2π ⎜⎜ Re π ⎟⎟
⎝ β0 + 1 ⎠
(invers, s-ar obţine valori prea mari pentru Ce ).
4. Amplificatoare de bandă largă
- banda de tecere: Hz ÷ MHz ;

- domenii de utilizare: TV, radiolocaţie, osciloscopie, aparatură de măsură, etc.;
- circuite cu cuplaj RC cu corecţii la frecvenţe înalte şi/sau la frecvenţe joase (în
funcţie de aplicaţie);
* corecţie la frecvenţe înalte:

- compensare serie în colector:
- compensare paralel în bază:
- compensare în serie în bază:
- compensare cu reacţie negativă:

paralel (colector-bază) serie (în emitor)
* corecţie la frecvenţe joase:

- eliminarea capacităţilor de cuplare şi de decuplare;
- compensare serie în colector:
- compensare paralel în colector:

5. Multiplicarea în avalanşă la joncţiunea colectorului
- diodă polarizată invers – regiunea de trecere creşte – dacă tensiunea inversă

creşte, creşte şi curentul invers - generarea de purtători în regiunea de trecere –
proces de multiplicare în avalanşă;
- tensiunea de străpungere: U str = c1ρ 2
c
- la un TBIP apar fenomene similare la joncţiunea CB polarizată invers;

tensiunea de străpungere a acestei joncţiuni este: U Cstr = c1ρbc2 (rezistivitatea
bazei);
- ecuaţiile pentru curenţii de emitor şi de colector:
I e0 αI
iE = Be − i c 0 Bc iE = iB + iC
1 − α 0α i 1 − α 0α i
α I Ic0
iC = 0 e 0 Be − Bc α 0 I e0 = αi I c 0
1 − α 0α i 1 − α 0α i
α 0 I e0 Ic0
* în RAN: iC = α 0iE + I co şi: iC = Be +
1 − α 0α i 1 − α 0α i
* în prezenţa multiplicării în avalanşă:
( )
iC = M α 0iE + I c 0 (noul iC ) - (vechiul iC = α 0iE + I c 0 ) şi:
Mα 0 I e 0 MI c 0
iC = Be + cu:
1 − α 0α i 1 − α 0α i
1
M = n
⎛ uC ⎞
1 − ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ U Cstr ⎠
n
3 P+N Ge
4÷7 PN+ Ge
4÷7 Si
- se constată că dacă: uC → U Cstr ⇒ M → ∞ ⇒ iC → ∞ ;

a) conexiunea BC:
- pentru: uC < U cstr , TBIP este în RAN: iC = α 0iE + I c 0 ;

- pentru: uC > U Cstr , TBIP este în regim de avalanşă:
iC = M (α 0iE + I c 0 )
adică dacă: uC → U Cstr = U Cstr , iC → ∞ ;
BC
- deoarece: iE = iC + iB rezultă:
- pentru RAN: iB = (1 − α 0 )iE − I c 0
- pentru regim de avalanşă: iB = iE − iC = iE (1 − α 0 M ) − MI c 0
- concluzii:
- în absenţa multiplicării în avalanşă, curentul de bază are un anumit sens
( iB > 0 ) şi o valoare mică;
- în prezenţa multiplicării în avalanşă, curentul de bază îşi schimbă sensul
( iB < 0 ) şi are o valoare mare ( M → ∞ );
- rezultă:
- curentul de emitor este constant;
- curentul de colector creşte datorită curentului de bază;
- tensiunea de străpungere a TBIP este tensiunea de străpungere a
joncţiunii colector-bază: U Cstr
BC
= U Cstr ;
b) conexiunea EC:
- relaţii:
iC = M (α 0iE + I c 0 )
iE = iC + iB
- rezultă:
iC = Mα 0 (iC + iB ) + MI c 0 de unde:
α0M M
iC = iB + Ic0 ;
1 − α0M 1 − α0M
1
- rezultă: iC →∞ dacă: α 0 M → 1 adică dacă: M → ;
α0
- se deduce:
1 1
= ; de unde:
EC
U Cstr = U Cstr n 1 − α 0
⎛ U Cstr
EC
⎞
n
α0
⎜
1− ⎜ ⎟
⎟
⎝ U Cstr ⎠
- concluzii:
- U Cstr depinde de α 0 < U Cstr

EC EC BC
şi: U Cstr ;
Mα i I c 0 MI c 0
- iC = Be + (creşterea este datorită lui iE ).
1 − α 0α i 1 − α 0α i
( Rb ≠ 0) :
c) influenţa rezistenţei de bază
- Rb → ∞ ⇒ iB = ct. conexiune EC;
- Rb ≠ 0 :
- relaţii simple: E = RbiB + u E ⇒ u E = E − RbiB ;

- trebuie determinată tensiunea pentru care: iC → ∞ ceea ce este echivalent
diC
cu: → ∞;
duCE
- dar:
diC di dM duC
= C
duCE dM duC duCE
duC
- nu poate tinde la ∞ decât numai după apariţia
duCE
multiplicării în avalanşă;
dM
- nu poate tinde la ∞ decât numai dacă uC → uCstr ;
duC
diC
- rezultă: → ∞.
dM
- dar:
qu E
α MI M
iC = i c 0 BE + Ic0 cu BE ≅ e kT şi uE = uE (M ) .
1 − α 0α i 1 − α 0α i
- se derivează:
qu
diC ⎛ α i I c 0 BE Ic0 ⎞ α i I c 0 kTE q du E diC
=⎜ + ⎟+M e
dM ⎜⎝ 1 − α 0α i 1 − α 0α i ⎠⎟ 1 − α 0α i kT diC dM
diC
- se calculează factorul: din relaţiile:
duE
α0M M
iC = iB + Ic0
1 − α0M 1 − α0M
1 − α0M M
iB = iC − I
α0M α 0M c0
- se deduce:
⎛1 − α0M M ⎞
u E = E − Rb ⎜⎜ iC − I c 0 ⎟⎟ şi rezultă:
⎝ α0M α0M ⎠
du E R (1 − α 0 M
=− b
diC α0M
- rezultă:
diC ct
= qu E
→∞
dM Mα i 1 − α0M
1+ I c 0 Rb e kT
1 − α 0α i α0M
- deci:
qu
α i 1 − α 0 M q kTE
1+ e Rb I c 0 = 0 de unde:
α 0 1 − α 0α i kT
1 1
1 − α0M = − qu
−
α i Rb I c 0 q kTE a
e
α 0 1 − α 0α i kT
1 1 ⎛ 1⎞ 1
α0M = 1 + ⇒ M = ⎜1 + ⎟ =
a α0 ⎝ a ⎠ ⎛ uC ⎞
n
1 − ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ U Cstr ⎠
n
⎛ u ⎞ α
1 − ⎜⎜ CE ⎟⎟ = 0 rezultă tensiunea de străpungere cu Rb ≠ 0 :
⎝ U Cstr ⎠ 1 + 1
a
α0
CE
U str ( Rb ) = U Cstr 1 − α kT 1−α 0α i
n 1+ 0
αi q qu E
Rb I c 0 e kT
- concluzii:
- Rb → ∞ , conexiune EC: U str
CE
= U Cstr n 1 − α 0 ;
- Rb → 0 , conexiune BC: U str
CB
= U Cstr
- concluzii:
- la creşterea curentului de saturaţie, I C 0 , tensiunea de străpungere scade;
- la creşterea temperaturii ambiante, tensiunea de străpungere scade;
- la creşterea tensiunii de polarizare directă, tensiunea de străpungere
scade;
- la creşterea rezistenţei de bază tensiunea de străpungere scade.

Dispozitive Si Circuite Electrice

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Dispozitive Si Circuite Electrice

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Capitolul 1 Noţiuni de electronica corpului solid notiţe

1. Purtători de sarcină în semiconductoare

• conductoare - σ > 103/Ωcm la tamb

• semiconductoare - σ ~ 10-10÷103 / Ωcm (la temperatura ambiantă)

• izolante - nici la temperaturi foarte mari nu prezintă o

Această comportare este determinată de natura legăturilor dintre atomi:

• la metale (conductoare) există legătura metalică, foarte slabă în care

Dar, un electron de valenţă vecin, de pe altă legătură covalentă,

O altă explicaţie a celor două componente ale curentului electric dintr-un

* conductoare: la temperatura absolută 00 Kelvin toate nivelele din BV

* semiconductoare (izolatoare): la temperatura absolută 00 Kelvin toate

Prin impurificare (procedee tehnologice), proprietăţile electrice ale

* În cazul în care se introduc impurităţi ale căror nivele energetice

a) impurificare cu substanţe pentavalente (Bi, Sb, As, P) - donoare

b) impurificare cu substanţe trivalente (B, Al, In, Ga) - acceptoare

c) fără impurificare – semiconductor intrinsec

În fizica corpului solid se calculează concentraţiile de electroni şi de goluri în

T creşte → WF scade (m p < mn )

ni ( Si ) ≅ 1.5 ⋅ 1010 / cm 3 ni (Ge) ≅ 2.5 ⋅ 1013 / cm 3

Analog pentru semiconductor extrinsec de tip P

Observaţie: poziţia nivelului Fermi depinde de concentraţiile de impurităţi.

2. Conductibilitatea electrică a semiconductoarelor

• T mic – număr mic de purtători – nu este curent electric

Din vitezele medii → curentul de câmp:

Variaţia cu temperatura a conductibilităţii electrice:

a1-a2 temp. joasă – ionizare imp.

3. Difuzia purtătorilor de sarcină

- semic. dopat neuniform cu impurităţi, fără câmp electric din exterior

j n = j n camp + j n dif = qnµ n E + qDn ∇n

Legătura dintre constanta de difuzie şi mobilitate

- energia potenţială: W p = ct. + µ ( x ) Dar: W p = − qU

- variaţia în timp a concentraţiei de purtători:

Fie o generare de purtători care, la un moment dat, se opreşte. Există p1 > p0

Noţiuni de electronica corpului solid

1. Purtători de sarcină în semiconductoare

Capitolul 2 Dioda semiconductoare

- cele mai multe dispozitive conţin joncţiuni pn

Densitatea de sarcină electrică din regiunea de trecere:

Deducerea înălţimii barierei de potenţial

Se foloseşte structura de benzi energetice ale semiconductorului:

Se obţin imediat relaţii identice cu acelea obţinute prin metoda

3. Joncţiunea pn cu tensiune aplicată

a) regim de echilibru termodinamic:

b) se aplică tensiune inversă:

iD = i pM − i pm + inM − inm < 0

c) se aplica tensiune directă:

iD = i pM − i pm + inM − inm > 0

Concluzie: curentul prin joncţiune depinde de tensiunea de la bornele

Deducerea caracteristicii curent-tensiune

aproximaţii pentru calcul:

Densitatea curentului electric este aceeaşi în orice secţiune:

* pentru L p + ln < x < ∞ - purtătorii de sarcină sunt numai

Lungimea regiunii de trecere se obţine dacă: U 0 ⇒ U 0 − u D , adică:

- condiţii la limită de tip Shockley

Densitatea de curent va fi:

Condiţia la limită Shockley: x = ln p (l n ) = p n e kT

Pentru: uD = 0 ⇒ p( x) = pn (echilibru termodinamic)

Pentru: u D > 0 apare concentraţia în exces care dispare după x > L p .

⎛ qD p p n qDn n p ⎞ ⎛ qD p ni2 qDn ni2 ⎞

4. Abateri de la caracteristica ideală

* zona I – zona caracteristicii ideale

iinvers = MI 0 coeficient de multiplicare în avalanşă:

- dioda idealizată, cu tensiune de prag, U D cu valori de 0,2-0,3V

- dioda idealizată cu tensiune de prag şi cu rezistenţă serie