Liceul Tehnologic “ Sfânta Ecaterina “ Urziceni

Tehnician operator tehnică de calcul

M II: Circuite electronice digitale

Fişă de documentare

Memorii Semiconductoare
1.Introducere, Clasificare

Memoriile sunt circuite integrate care asigură stocarea ( memorarea ) informaţiei sub
formă binară. Ele reprezintă, în prezent, cele mai răspândite şi cele mai vândute circuite integrate
din lume atât în formă distinctă cât şi în componenţa altor circuite integrate cum ar fi
microprocesoarele, microcontrolerele, FPGA, etc.
Memoriile semiconductoare se pot clasifica :
 În mod tradiţional :
 Memorii care pot fi doar citite, denumite ROM ( Read Only Memory ),
înscrierea informaţiei – numită programarea memoriei – se realizează într-o
etapă anterioară utilizării ei ;
 Memorii care pot fi scrise şi citite, RAM ( Random Access Memory ).
 După tehnologia de fabricaţie :
 Memorii cu tranzistoare bipolare;
 MOS
 CMOS
 BiCMOS
 După organizarea magistralei de date :
 Memorii paralele
 Memorii seriale,( se fabrică memorii seriale EEPROM şi SRAM ).
 După modul de utilizare :
 Memorii de program
 Memorii de date.
În general memoriile ROM sunt folosite pentru stocarea programelor, iar memoriile RAM
pentru memorarea datelor.
De asemenea există :
 Memorii volatile,care pierd informaţiile memorate la deconectarea alimentării ;
 Memorii nevolatile, care nu pierd informaţia memorată chiar dacă tensiunea de
alimentare se deconectează.
În general memoriile ROM sunt nevolatile, iar cele RAM sunt volatile.
 O memorie ideală se caracterizează prin :
 Capacitate ridicată de memorare ;
 Informaţie nevolatilă ;
 Timp de acces redus;
 Programabilitate în circuit ;
 Putere disipată scăzută ;
 Preţ mic.
Comparaţie între caracteristicile diverselor tipuri de memorii

Tipul Capacitate Volatilă Celulă Reprogramabil Programare

memoriei elementară cu ă în montaj
1 tranzistor
ROM Mare NU DA NU NU
PROM Mică NU DA NU NU
EPROM Medie NU DA DA NU
OTP Medie NU DA NU NU
EEPROM Medie NU NU DA DA
Flash Mare NU DA DA DA
NV RAM Medie NU NU - -
SRAM Mare DA NU - -
DRAM Foarte mare DA DA - -

Memoriile prezentate în tabel au două sau mai multe caracteristici din cele enunţate mai
sus – singura care le îndeplineşte pe toate este memoria Flash.

2.Parametrii unei memorii

În memorii, informaţia este organizată fizic pe 1 bit, 4 biţi, 8 biţi, 16 biţi sau 32 de biţi. O
locaţie de memorie de 8 biţi se mai numeşte octet ( byte ), se notează cu B şi are ca multiplii
kB,MB,GB, TB.
Mărimea logică ce caracterizează lăţimea unei adrese de memorie se numeşte cuvânt.
Timpul de acces – tACC – cel mai important parametru dinamic al unei memorii –
reprezintă durata dintre momentul adresării memoriei şi momentul în care la ieşirea de date
devine disponibilă informaţia. Timpul de acces este cuprins între câteva ns la cele mai rapide
memorii SRAM la câteva sute de ns la cele mai lente memorii EPROM.
Capacitatea memoriei ( exprimatăîn multipli de biţi sau de octeţi ) este C = m x k unde :
m = numărul de cuvinte distincte ce pot fi adresate ( numărul locaţiilor de memorie );
k = numărul de biţi ai fiecărui cuvânt memorat.
Capacitatea de memorare foloseşte următoarele unităţi de măsură :
  1 Kilobyte = 1024 bytes = 210 bytes
 1 Megabyte = 1024 KB = 210 kilobytes = 220 bytes
 1 Gigabyte = 1024 MB = 210 megabytes = 230 bytes
 1 Terabyte = 1024 GB = 210 gigabytes = 240 bytes
 1 Pentabyte = 1024 TB = 210 terabytes = 250bytes
 1 Exabyte = 1024 PB = 210 pentabytes = 260 bytes
 1 Zettabyte = 1024 EB = 210 exabytes = 270 bytes
 1 Yottabyte = 1024 ZB = 210 zettabytes = 280 bytes

Progresul tehnologic se reflectă permanent prin creşterea capacităţii de stocare şi reducerea

timpului de acces ( creşterea vitezei de funcţionare a memoriilor ).

3. Selecţia unui cuvânt din memorie

Selecţia unui cuvânt din memorie se poate face :
 liniar ;
 prin coincidenţă.
Selecţia liniară a unui cuvânt din memorie se face prin utilizarea unui singur
decodificator. Ieşirile acestuia reprezintă liniile de adresă ale memoriei.
Selecţia prin coincidenţă se bazează pe organizarea memoriei într-o formă pătrată şi
utilizarea a două decodificatoare : unul pentru decodificarea adresei liniei şi altul pentru
decodificarea adresei coloanei.
Selecţia prin coincidenţă este singura utilizată la memoriile de capacitate mare. De
exemplu în cazul unei memorii având o capacitate de 1M x 1 bit, sunt necesare 20 de linii de
adresă. Utilizarea selecţiei liniare ar presupune utilizarea unui singur DCD cu 1.048.576 linii de
ieşire, pe când utilizarea selecţiei prin coincidenţă se bazează pe două decodificatoare cu 10
intrări şi 1021 de ieşiri ( fiecare ). Astfel se reduce mult dimensiunea decodificatorului şi implicit
numărul componentelor necesare pentru decodificarea adresei.