Sunteți pe pagina 1din 6

Universitatea Lucian Blaga din Sibiu Facultatea de Inginerie Hermann Oberth

Specializarea - Mecatronic i Roboi

Disciplina ELECTRONIC DE PUTERE

Programa analitic a cursului Programa analitic a laboratorului 3. Bibliografie 4. Modaliti de evaluare a cunotinelor 5. Subiecte de examen 6. Referat
1. 2.

Responsabil disciplin : Francisc Szombatfalvi Torok

Student: Cepoiu Constantin-Mihail An II, gr. 125

Anul universitar 2010-2011 Semestrul II


TRANZISTORUL METAL-OXID-SILICIU (MOS)

Tranzistorul MOS reprezint una din ramurile evolutive ale tranzistorului clasic i
este alctuit din: dou zone numite surs i dren (zone conductoare de acelai tip de dopaj) legate la electrodul lor i un electrod de comand numit gril care este plasat deasupra zonei de canal. Curentul din tranzistorul MOS este un curent unipolar de purttori majoritari, electrozi n cazul tranzistorului NMOS (sursa i dren sunt de tip N) i goluri n cazul tranzistorului PMOS (sursa i dren sunt de tip P). Grila (G) permite controlul curentului ntre cei doi electrozi (S) sursa i (D) dren.

controlul se face prin potenialul aplicat ntre gril i surs pot fi folosii n aplicaile numerice cu folosire n comutare (tranzistorul este un ntreruptor de comand n tensiune ) pot fi folosii n aplicaiile analogice, rezistena drenului poate lua valori maxime ntre Ron i Roff (valoare minim respectiv valoare maxim)

TRANZISTORUL MOSFET
Tranzistorul MOSFET de putere este un dipozitiv electronic foarte rspndit n electronica de putere datorit performanelor pe care le dezvolt. Ele pot fi rezumate astfel: - viteza de comutaie mare, este capabil sa comute la frecvene mari deoarece el este un dispozitiv electronic la care conducia se face prin purttori majoritari de sarcin. Comanda sa se face n tensiune, iar viteza de comutaie depinde de ritmul n care se introduce sau se elimin sarcina din circuitul de poarta. - impedana de intrare are valori foarte mari, ntruct poarta tranzistorului MOSFET este izolata electric de surs printr-un strat de oxid de siliciu. La aplicarea unei tensiuni ntre poarta i surs, un curent foarte mic, practic neglijabil, se stabilete ntre surs i poart. - impedana de intrare fiind constituit dintr-o rezisten untat de capacitate, la frecvene nalte capacitatea este elementul dominant. - majoritatea tranzistoarelor MOSFET au incorporate ntre dren i surs o diod. Timpul de polarizare invers al diodei depinde de tensiunea dren-surs. Pentru tensiuni joase (100 V), timpul de revenire este de circa 200 ns, n timp ce la tranzistoarele cu tensiuni
dren-surs de 400 - 500 V, timpul de revenire este de 600 - 700 ns. Dac nu exist pretenii ca aceast diod s fie foarte rapid, ea poate fi folosit ca diod de protecie pentru tranzistorul aferent. n caracteristic ID = f ( UDS) din figura 1 se disting dou zone cunoscute sub numele de "rezisten constant " i de "curent constant ".

- pn n punctul A al caracteristicii, curentul ID crete proporional cu tensiunea UDS. Dup acest moment, la orice cretere a tensiunii, prin tranzistor curentul rmne constant. Cnd tranzistorul MOSFET este folosit ca i element de comutaie, cderea de tensiune ntre dren i surs este proporional cu curentul de dren, adic tranzistorul lucreaz n domeniul de rezisten constant. Din acest motiv, rezistena dren-surs a tranzistorului n starea de conducie, RDS, este un element foarte important n determinarea pierderilor de putere.

- rezistena RDS depinde relativ puin de temperatur. Se apreciaz c aceasta se dubleaza la o gam de variaie a temperaturii de 110 C. n cazul tranzistoarelor MOSFET, pierderile de putere la comutaie se dubleaz doar la o variaie a temperaturii de circa 100 C. Din acest punct de vedere tranzistorul de putere MOSFET este mai stabil decat tranzistorul bipolar. - pentru a folosi cele mai adecvate procedee de comand a tranzistorului MOSFET de putere, trebuie cunoscute limitele de variaie a capacitilor parazite n funcie de tensiunile aplicate tranzistorului. n figura 2 este prezentat o seciune transversal printr-un tranzistor DMOS (double - difused MOS ) cu canal N. - Schema electric a structurii tranzistorului este redat n figura 3. Grosimea i suprafaa stratului de material dielectric de SIO2 dintre poart i surs, determin valoarea capacit-i de poart. n starea de blocare capacitatea total dintre poarta i surs este format din:
a) capacitatea C3 corespunztoare spaiului dintre poart i stratul de tip N+ puternic dotat din surs b) capacitatea C2 dintre poart i stratul P dotat moderat c) capacitatea C1 dintte sursa i stratul metalizat depus pe surs deasupra porii.

Bibliografie
1. Electronica de Putere - Viorel Popescu , Editura de Vest 1998 2. Wikipedia patrimonial enciclopedi online 3. Approfondissement physique Eurinsa note curs