Sunteți pe pagina 1din 9

Diode LED, Diode Superluminiscente(SLD), Superradiante: Functionare, Structura de dispozitiv, Materiale Folosite.

Profesor indrumator:

S.L.Dr.Ing. C F

Realizator: M S

Cap. I Diode LED

1. Principiul de functionare :
O dioda luminiscenta(LED-Light Emiting Diode) este un dispozitiv optoelectronic care genereaza lumina prin intermediul fenomenului de electroluminiscenta. Contine o jonctiune p-n care este parcursa de un curent electric. Radiatia luminoasa si jonctiunea p-n. Cind un semiconductor de tip n este pus n contact cu unul de tip p, se formeaz o jonctiune p-n. La frontiera jonciunii, electronii difuzeaz din partea n n partea p i se recombin cu golurile de aici i, n acelai timp, golurile din partea p difuzeaz n partea n i se recombin cu electronii de aici. n consecin se formeaz o regiune srcit de purttori, n care nu exist nici electroni liberi, nici goluri libere. Ionii pozitivi din partea n i cei negativi din partea p a acestei regiuni, rmin necompensai ceea ce determin apariia unui cmp electric intern numit potenial de contact i descris cantitativ prin tensiunea de srcire VD (vezi fig.1).

Lucrul cel mai important de reinut este c: recombinarea electron-gol elibereaz o cuant de energie - un foton. Prin urmare, pentru a face un semiconductor s radieze este necesar s susinem recombinarea electron-gol. Dar tensiunea de srcire mpiedic electronii i golurile sa intre n regiunea srcit. Prin urmare trebuie furnizat energie din exterior pentru a nvinge aceast barier a tensiunii de srcire. Aceast tensiune exterioar, numit tensiune direct de polarizare, V, este artat n fig.2; ea trebuie s fie mai mare dect VD. Pentru a obine o emisie permanent de lumin, trebuie s aib loc urmtorul proces dinamic: electronii mobili din partea n, atrai de terminalul pozitiv al tensiunii V, intr n regiunea sracit. Simultan, golurile mobile din regiunea p, atrase de terminalul negativ al

3 tensiunii V, intr in aceeai regiune srcit. Recombinarea electron-gol din interiorul regiunii srcite produce lumina. Sarcinile electrice se refac din sursa de alimentare. Prin urmare, putem spune ca un LED este o dioda semiconductoare care functioneaza pe principiul prezentat mai sus, al emisiei permanente de lumina. Acest principiu este demonstrat in fig.3.

Observatie:
Recombinarea electron-gol este un proces care are loc n orice diod sau tranzistor. Care este diferena dintre un LED i o diod obinuit ? Diferena este c n diodele obinuite, aceast recombinare elibereaz energie sub form de cldur - nu sub form de lumin (adic ntr-un alt domeniu al spectrului). ntr-un LED, aceste recombinri elibereaz energie sub form de lumin. Recombinarea generatoare de caldur se numete neradiativ, n timp ce recombinarea generatoare de lumina se numete radiativ. n realitate, n orice diod au loc ambele tipuri de recombinri; cnd majoritatea recombinrilor sunt radiative, avem un LED. Curentul direct injecteaza electroni n regiunea srcit de purttori, unde ei se recombin cu golurile n mod radiativ sau neradiativ. Prin urmare, recombinrile neradiative "consum" din electronii excitai necesari recombinrii radiative, ceea ce scade eficiena procesului. Acest fapt este caracterizat prin eficiena cuantic intern, int , parametru care arat ce fracie din numrut total de electroni excitai produce fotoni. Explicaiile de mai sus justific caracteristica intrare-ieire a unui LED prezentat n fig.4. Raionamentul de mai sus poate fi formalizat astfel: puterea luminoas, P, este energia per secund, adic numrul de fotoni nmulit cu energia unui foton, Ep . Numrul de fotoni este egal cu numrul de electroni injectai, N, nmulit cu eficiena cuantic intern. Astfel: P = (N*int*Ep ) t

Pe de alt parte, numrul de electroni (N) nmulit cu sarcina unui electron (e) , pe secund, este intensitatea curentului electric: I = Ne*t Deci, puterea luminoas radiat va fi: P = ((It e)*int*Ep ) t = [(int*Ep* e)]I Dac msurm Ep n electron-voli, eV, i curentul I n mA, atunci: P(mW) = (intEp (eV))I(mA)

4 2.

Homostructuri si Heterostructuri

Semiconductorii de tip n i de tip p discutai pina acum erau realizai pe acelai semiconductor intrinsec. Jonctiunile p-n realizate in acest fel se numesc homojonciuni, iar un asemenea semiconductor homostructur. Exist dou construcii de baz pentru un LED: LED cu emisie de suprafa (SLED), fig.5 LED cu emisie lateral (ELED), fig.6

Regiunea srcit de purttori i zona nvecinat, n care se recombin electronii cu golurile, este numit regiunea activ. Lumina produs prin aceast recombinare este radiat n toate direciile, dar ea reuete s ias din dispozitiv doar printr-o fereastr practicat n electrodul superior (fig.5) sau deschiztura practicata ntr-o margine(fig.6). Toate celelalte direcii posibile, n cazul SLED, sau direcia opus, n cazul ELED, sunt blocate. O homostructur are dou dezavantaje principale. Primul este acela c regiunea activ este prea difuz, ceea ce reduce eficiena dispozitivului. Recombinrile electron-gol au loc pe o arie larg, situaie care impune o densitate mare de current pentru a susine puterea radiate la nivelul dorit. Al doilea este c fascicolul de lumin radiat este prea larg, ceea ce face extrem de inefficient cuplajul luminii ntr-o fibr optic. Aceste dou motive fac ca, practic, s nu se foloseasc homostructurile n constructia LED-urilor. LED-urile comercializate sunt realizate pe heterostructuri, adic dioda este realizat pe mai muli semiconductori, fiecare avnd o banda interzis diferit. n fig.7 este prezentat o heterostructur fcuta din doi semiconductori diferii. Cu aceste heterostructuri sunt introduse dou concepte de baz: confinarea recombinrii electron-gol ntr-o regiune activa foarte redus i ghidarea luminii radiate ntr-o singur direcie. Confinarea este obinut plasnd un semiconductor cu o banda interzis mic ntre dou straturi semiconductoare cu banda interzis mai mare. n fig.7 se arat c semiconductorul GaAs, a crui

5 banda interzis este Eg = 1.42 eV, este plasat ntre dou straturi de semiconductor AlGaAs, care are Eg = 1.92 eV. Asa cum se poate vedea n fig.7, electronii injectai din semiconductorul AlGaAs de tip n se confrunta cu o barier de potenial la jonciunea dintre semiconductorul GaAs i semiconductorul AlGaAs de tip p. Aceast barier reflect electronii napoi n regiunea activ. Acelai mecanism se aplica si golurilor. Conducia luminii ntr-o singura direcie este obinut prin faptul ca semiconductorul GaAs are un indice de refracie, 3.66, mai mare dect straturile nvecitate de AlGaAs, 3.2. n acest fel, regiunea activa funcioneaz similar cu miezul unei fibre optice. Structura descrisa mai sus este numit heterostructur dubl. Cele mai multe LED-uri comercializate utilizeaz heterostructuri triple pentru a mbunti eficiena radiaiei i confinarea luminii radiate.

3.

Configuratia spatiala a radiatiei unui LED:

Cele doua tipuri de leduri au configuraii spatiale ale radiaiei diferite. SLED-ul radiaz lumina ca o sursa Lambertian, ca in fig.8. Distribuia spatial a puterii radiate este descrisa de formula: P = P0 cos unde este unghiul dintre direcia de observaie i dreapta perpendicular pe suprafaa de radiaie. Jumtate din puterea unei surse Lambertiene este concentrat ntr-un con de 120. ELED-ul radiaz ca o surs Lambertian ntr-un plan paralel cu marginea, producnd un fascicol mult mai ngust ntr-un plan perpendicular pe margine, ca n fig.9.

4.Spectrul radiatiei unui LED:


Lungimea de und radiat depinde de banda interzis a semiconductorului. Nu putem schimba banda interzis, prin urmare pentru a obine o alt lungime de und trebuie s alegem un alt semiconductor. O enrgie Eg dorit se obine utiliznd un semiconductor compus din mai multe elemente. n tabelul 1 sunt prezentate benzile interzise i lungimile de und a unora din cei mai populari semiconductori. 5

Aplicatii si avantaje ale LED-urilor:


-comunicatii prin fibra optica, pe distante mici; -iluminare-inlocuieste becurile clasice; -constructia de ecrane,avand numeroase avantaje asupra cristalelor lichide (durata de viata mai mare, consum redus,culori mai intense); -electronica medicalaoptoizolator(face legatura intre 2 circuite ca nu impartasesc aceeasi masa); -sisteme de supraveghere si securitate; -generarea umei lumini de o anumita culoare (de exemplu semafoare)se poate face direct. Aceasta metoda e mai eficienta decat folosirea unei lampi incandescente si a unui filtru de culoare care absoarbe o parte din puterea optica generata. -sursele de lumina alcatuite dintr-un ansamblu de led-uri raman functionale chiar si dupa defectarea unuia, un aspect foarte important mai ales daca vorbim despre luminile ce asigura siguranta traficului de exemplu(semafoare). -constructia led-urilor este una foarte robusta lucru ce favorizeaza durata de viata a led-ului mai ales prin o rezistenta ridicata la socurile mecanice.

Cap. II Diode Superluminiscente(SLD), Superradiante

1.Principiul de functionare:
O dioda superluminiscenta este un dispozitiv optoelectronic care emite radiatie luminoasa de banda larga, bazata pe fenomenul de superluminiscenta. Principiu de functionare este similar celui de la dioda LED, explicat mai sus. Dioda superluminiscenta(SLD) este construita pe principiul diodei LED adica dintr-o jonctiune p-n. SLD sunt surse de lumina care combina proprietatile diodelor LED cu cele ale diodelor laser LD. LED-urile functioneaza pe baza injectarii de electroni si goluri intr-o regiune activa a unei jonctiuni p-n semiconductoare. Emisia luminii este cauzata de recombinarile spontane ale golurilor cu electronii. In contrast, diodele laser au o eficienta mult mai mare datorita gastigului care poate fi atribuit urmatorului fenomen. Fotonii sunt emisi in urma unei recombinari electron-gol care stimuleaza radiativ o alta pereche electron-gol, reusind astfel sa creeze o radiatie sustinuta, care da nastere unui fascicul de lumina coerenta. Cand sunt polarizate direct, SLD devin active si genereaza emisie spontana amplificata, care acopera o gama larga de lungimi de unda. Spre deosebire de diodele laser, SLD nu au feedback suficient pentru a se produce fenomenul de laser (lasing). Acesta este de obicei 6

7 obtinut datorita actiunii comune a unui ghid de unda in care este dirijata radiatia generata si fatetele antireflexie. Acest fenomen este redat si in fig.10

Atentie!
Desenul din figura 10 nu reprezinta o schema sau o explicatie a functionarii Diodei Superluminiscente. Dimpotriva, figura 10 reprezinta pricipiul de functionare al diodei laser si a fost introdus cu scopul de a ilustra conceptul de feedback intern, concept pe care nu il regasim la Dioda Superluminiscenta. SLD se fac prin aceleasi tehnologii ca si diodele laser si pot fi fabricate sa functioneze la lungimi de unda diferite cum ar fi: 835nm, 960nm, 1300nm sau chiar 1550nm. SLD ofera o putere mai mare in comparatie cu led-urile conventionale si ofera o gama spectrala mai larga (coerenta mai mica) decat dioda laser.

2. SLD si feedback-ul optic extern:


Castigul mare al diodei superluminiscente in regiunea activa se datoreaza inaltei sensibilitati ale diodei la feedback-ul optic extern. Orice excitatie optica returnata diodei va fi amplificata de aceasta in regiunea activa. O simpla estimare arata ca in cazul unui castig de 30dB, pana si un feedback de 1% va genera de 10 ori mai multi fotoni. Daca castigul este aproape de valoarea de saturatie rezulta o putere scazuta a diodei superluminiscente. In acest caz, chiar si feedback-ul de 1% dauneaza sever performantei diodei. In figura 11 este reprezentata caracteristica lumina-curent, cu si fara feedback. 7

8 Concluzie: Sensibilitatea diodei superluminiscente la feedback-ul optic este o proprietate intrinseca care rezulta din amplificarea(castigul) foarte mare din regiunea activa si din fenomenul de saturatie al castigului. Cu cat dioda este mai puternica cu atat este mai sensibila la feedback optic extern.

3. Performanta SLD in raport cu temperatura:


Amplificarea optica in semiconductori depinde puternic de temperatura. Datorita acesteia si datorita faptului ca puterea diodelor superluminiscente e exponential dependenta de castig(amplificare), putem spune ca si puterea SLD-urilor depinde de temperatura. Acest fapt e foarte vizibil in special la benzile de 680 nm, 1300 nm, 1550 nm, unde dependenta se accentueaza. De exemplu, puterea unei diode scade de pana la 10 ori cant temperatura creste de la +25 C la +50 C (vezi fig.12). Din cauza densitatii mari a curentului, nu se poate folosi cresterea curentului pentru compensarea puterii deoarece acest lucru ar reduce semnificant durata de viata a diodei.

4.

Aplicatii ale SLD:

a. In electronica medicala intr-o variata gama de aplicatii cum ar fi: diagnosticarea problemelor de cornee si retina, imagistica cardiovasculara sau chiar cercetare in domeniul 8

9 biologiei care necesita o banda larga pentru rezolutia spatiala a imaginilor si o putere optica suficienta pentru achizitia rapida a imaginilor cu un raport satisfacator semnal-zgomot. b. Lumina de banda larga poate fi folosita pentru testarea proprietatilor altor componente optoelectronice cum ar fi transmisia, factori de amplificare, dispersie, s.a.m.d. de exemplu poate fi folosita la diagnosticarea problemelor in legaturile de fibra optica prin masurarea dispersiei cromatice. c. Unele tipuri de senzori, de exemplu pentru masurarea temperaturii, presiunii in conducte de petrol, pot fi implementate cu surse de lumina de banda larga. Puterile mari de iesire pot fi benefice deoarece acestea permit implementarea mai multor senzori in acelas timp, pe distante lungi,prin intermediul fibrei optice. d. Giroscoapele din fibra optica se folosesc pentru navigatia avioanelor mari beneficiind de o sursa de lumina de banda larga. Deplasarea de faza Sagnac, asociata unei rotatii mai poate fi masurata si cu un rezonator laser(ring-laser) . Cu toate acestea o sursa de banda larga permite sa se puna in aplicare un principiu care nu sufera de fenomenul de faza de blocare care apare la viteze mici de rotatie. Si mai mult, configurarea este destul de simpla si robusta, nefiind necesare componente scumpe. Cu toate acestea, stabilitatea lungimii de unda a sursei este o problema care trebuie studiata cu atentie.

Bibliografie
http://www.rp-photonics.com/superluminescent_diodes.html http://www.electronics-manufacturers.com/info/optoelectronics/superluminescent-diode-sld.html http://www.superlumdiodes.com/pdf/sld_overview.pdf http://www.epanorama.net/links/opto.html#led

Cursul de OPTOELECTRONICA- Prof.dr.ing. Emil Voiculescu, Catedra-Bazele Electronicii, Facultatea de Electronica, Telecomunicatii si Tehnologia Informatiei, Cluj-Napoca