AMPLIFICATION DE SIGNAUX

Bibliographie :
Quaranta : tome 3
Duffait : Expriences dlectronique lagrgation ; ch VI
Malvino : Principe d'lectronique et Cahier de laboratoire
Niard : Electronique (Terminales F
2
)
Auvray : Circuits et composants lectroniques
Le jury souhaite (cf. rapport 1999) que ce montage soit trait sur un cas concret. On propose
donc damplifier le signal issu dun Walkman ou dun microphone de type professionnel.
I NECESSITE DE LAMPLIFICATION
1.1 Amplitude du signal
Ralisez le montage suivant :
Source : Walkman Sony
Microphone COLT 70
Microphone ME 107 B
Observez le signal et notamment son amplitude. Pourrait-on faire dbiter la source une
puissance de quelques watts (amusez-vous calculer le courant quelle devrait dbiter) ?
1.2 Raccordement un haut-parleur
Toujours avec le mme montage,
raccordez brivement la source un haut-parleur. Que devient le signal ? Expliquez.
1.3 Conclusion
Avant denvoyer le signal aux bornes dun haut-parleur, il faut
lamplifier en tension et en puissance.
II PREAMPLICATION DU SIGNAL
On prsente ici le montage classique utilisant un
transistor NPN en mode metteur commun fonctionnant en classe A. Se reporter au Duffait p.
119 pour plus de prcision sur ces notions.
Montage de base :
OSCILLOSCOPE
source
U = 15 V
R
E
200
R
C
= 1 k
R
1
1000
R
2
= 10 k
2.1 Choix des composants
Il se fait en fonction des caractristiques du
transistor choisi et de la tension dalimentation. Le schma ci-dessous correspond au rseau
de caractristiques du transistor NPN 2N 1711 (cf. doc RTC) :
Explication :
Cf. Quaranta III p.162 ou Duffait p. 121.
On souhaite transmettre un signal alternatif par un systme aliment entre 0 et
une tension continue +U. Dans le fonctionnement en classe A, on choisi comme point de
repos pour le transistor une tension de repos V
CE
= U/2. On a ainsi une excursion en
amplitude la plus grande possible.
Dautre part, on peut voir sur le schma du montage que lon a en statique la
relation U = (R
C
+ R
E
)I
C
+ V
CE
. Elle est donc reprsente par une droite sur la caractristique
I
C
= f(V
CE
) du transistor. Cette droite est appele droite de charge et son intersection avec la
caractristique I
C
= f(V
CE
) dtermine le point de fonctionnement du montage. Cest autour de
ce point appel aussi point de repos que le signal alternatif se superposera (thorme de
supperposition cf. Fouchet Prez Mas p. 84). Dans tout ce qui suit, on raisonnera sur des
grandeurs continues.
Le point de repos tant sur la droite de charge, le choix de la rsistance du collecteur fixe la
valeur du courant de repos I
C
. Celui-ci doit tre choisi dans une gamme que le transistor peut
supporter :
R
1
C
1
+
B
C
E
R
E
C
2
+
R
2
R
C
+ U
V
s
2N 1711
source
Pour le 2N 1711, P
MAX
= 0,8 W
V
CE
= U/2
Avec R
C
= 1000 , on aura un courant ( )
C C E
I U/ 2 R R 6,25 mA = + =

donc sans risque
pour le transistor et la rsistance.
I
B
valant I
C
/ et valant approximativement 150 (cf. doc RTC), l'ordre de grandeur pour I
B
sera denviron 40 uA. Le potentiel de la base B, qui vaut ici V
BE
+ R
E
I
E
V
BE
+ R
E
I
C
, devra
tre fix environ 0,65 + 2006.25 10
-3
= 1,9 V (cf. graphique ci-dessus). C'est le rle du
pont diviseur constitu par lassociation R
1
R
2
.
Le pont diviseur R
1
R
2
fixe d'autant mieux le potentiel de la base que le courant qui passe
dedans est grand devant I
B
. En prenant un courant passant dans R
1
R
2
20 fois plus fort que
celui passant dans la base, on en dduit une estimation de la somme R
1
+ R
2
puisqu'on a dans
ces conditions :
1 2 B
R R U/ 20I 19000 + = . Comme on a aussi V
B
= 1,9 V = R
1
I
1
=
R
1
20I
B
, on en dduit R
1
2300 d'o R
2
17 k.
Il faut bien remarquer que ces valeurs ne sont pas critiques car on ne connat pas exactement
le du transistor que lon utilise (le dpend de I
C
et il y a de la dispersion dans une mme
famille de composants) ; on peut donc prendre pour R
2
la valeur entire la plus proche ou la
plus simple raliser avec le matriel dont on dispose. Par contre, il faut noter que le choix
d'une autre valeur du courant de repos I
C
oblige refaire tous les calculs ! Vous pouvez
vous amuser les refaire pour un courant I
C
de 1 mA.
2.2 Rglage du point de polarisation
Ralisez le montage propos sur une
plaque type P 60 avec les valeurs suivantes :
R
E
: potentiomtre 200
R
C
= 1 k
R
1
1000 boite dcades
R
2
= 10 k
C
1
C
2
= capacits lectrochimiques
de 100 uF ou plus.
RESPECTEZ LES
POLARITES INDIQUEES !
U = 15 V continu
Prendre pour la suite une alim de
puissance.
A quoi sert la capacit lectrochimique C
1
votre avis (cf. Duffait p. 120) ? Justifier le sens
du branchement. Le fait de lui envoyer un signal alternatif pose-t-il un problme ?
Mesurez la tension V
CE
laide dun voltmtre continu. Ajustez alors la valeur de la
rsistance R
1
pour avoir V
CE
= U/2. On aura ainsi une excursion maximale en tension pour la
transmission du signal alternatif.
I
C MAX
= 100 mA environ.
R
1
C
1
+
B
C
E
R
E
C
2
+
R
2
R
C
+ U
2N 1711 V
CE
2.3 Branchement de la source ; observations
Branchez le Walkman (ou le
micro) lentre du montage (cf. premier schma) et visualisez simultanment sur oscillo en
DC son signal ainsi que la tension de sortie V
s
(entre collecteur et masse). Vous devez
remarquer que V
s
comporte une composante continue. Do vient-elle ? Eliminez de
lobservation cette composante continue en passant en mode AC sur loscilloscope. Comparez
alors les deux signaux (remarquez la diffrence damplitude). Jouez alors sur le condensateur
C
2
. Quelle consquence a-t-il sur lamplitude de la composante alternative de V
s
?
2.4 Montage rsistance dmetteur non coupl
Cette situation sobtient en
enlevant la capacit C
2
.
2.4.1 Etude du gain en tension
Enlevez la capacit C
2
et remplacez la
source par un GBF afin de faire du quantitatif.
GBF : signal sinusodal 1 kHz.
amplitude max 1 V !
Visualisez V
e
et V
s
loscilloscope
(prendre un oscillo curseurs de
prfrence).
Observez V
s
en DC (notez lvolution
autour du point de fonctionnement) ;
passez ensuite en AC.
Mesures :
Notez le dphasage entre V
e
et V
s
(faire une observation en Lissajous).
Mesurez laide dun multimtre le gain
V s e
A V / V = de lamplificateur
(vrifiez que lappareil suit cette frquence).
Calcul du gain :
Le calcul du gain dun tel montage (cf. annexe) montre quil
vaut
C
V
E
R
A
R
= . Calculez le gain et comparer la valeur mesure.
Le signe justifie la valeur du dphasage trouv. Si le dphasage observ nest pas
exactement de , cest que les condensateurs C
1
et C
2
sont trop faibles (les changer ou
augmenter la frquence).
2.4.2 Distorsion
Lallure du signal de sortie doit ressembler une
sinusode. Pour sen convaincre, on peut effecteur la FFT du signal en mode AC (utilisez
R
1
C
1
+
B
C
E
R
E
R
2
R
C
+ U
V
s
2N 1711
GBF
V
e
loscillo HP 54603B ou Synchronie dfaut). Une solution plus simple consiste passer en
mode XY (Lissajous) avec par exemple V
e
en X et V
s
en Y. Les deux signaux tant dphass
de , on doit avoir une droite si V
s
est sinusodal. Cette observation est rapprocher avec
celle qui sera faite dans le 2.5.
2.4.3 Saturation
Le montage est aliment entre 0 et + U et le point de
fonctionnement que lon a choisi est U/2. Cest autour de ce point que le signal alternatif se
superpose son amplitude ne pourra donc voluer dans le meilleur des cas quentre 0 et + U.
Manipulation :
Augmentez progressivement lamplitude du GBF. A partir dun certain
niveau, les amplitudes V
MAX
du signal de sortie commencent saturer. Revisualisez alors le
signal V
s
en mode DC. Mesurez loscilloscope les tensions correspondant la saturation
basse et haute.
Cas de la saturation haute :
La mesure montre que la tension partir de laquelle on atteint
cette saturation correspond U. Lorsque V
S
= V
C
atteint cette valeur, le transistor se bloque
car alors ( ) ( )
C C C C
I U V / R U U / R 0 = = = ; le montage ne fonctionne plus de faon
linaire et la relation donnant le gain nest plus valable.
Cas de la saturation basse :
La saturation basse nest pas obtenue lorsque V
s
= V
C
= 0. Pour
le comprendre, il faut se rappeler que lon a polaris le montage en continu : on a fix V
CE

U/2. Le courant I
C
vaut alors
( )
C E
U
2 R R +
. Or le courant continu I
C
est gal I
E
( I
B
prs).
Ce courant circulant dans R
E
fait que le potentiel continu de
lmetteur nest pas nul mais vaut
( )
E
E E E
C E
R U
V = R I
2 R R

+
. Il en est de mme pour le
potentiel de la base qui vaut V
E
+ V
BE
avec V
BE
0,6 V (tension de seuil de la jonction base-
metteur polarise en direct). Le schma suivant permet alors de comprendre ce qui se
passe (lchelle des tensions nest pas respecte entre V
E
et U/2 + V
E
) :
0
B
C
E
R
E
R
C
U
V
E
U/2 +V
E
V
B
V
E
+ V
BE
V
e
V
e
V
s
R
1
C
1
+
B
C
E
R
E
R
2
R
C
+ U
V
s
2N 1711
GBF
V
e
C
2
+
Manipulation :
Placez-vous en dbut de saturation basse. Visualisez successivement
loscilloscope ( curseurs de prfrence) les signaux aux bornes du GBF (V
e
), sur la base et
sur lmetteur. Vous pouvez mesurez la valeur moyenne des potentiels V
B
et V
E
; la diffrence
doit valoir V
BE
0,6 V environ. Visualisez le signal V
s
en mode DC. Vrifiez que la
saturation basse intervient lorsque V
s
atteint la valeur V
E
+ V
e
. On a alors V
CE
= 0 V ; le
transistor est en rgime de saturation. Si on continue augmenter le signal V
e
, la partie basse
du signal V
s
suit lvolution de V
e
puisque V
CE
= 0 V.
Conclusion globale :
Le montage rsistance dmetteur non coupl permet une
amplification sans distorsion tant quon ne sature pas le montage. En revanche,
lamplification est faible.
2.5 Montage rsistance dmetteur coupl
Remettre la capacit C
2
sur le
point milieu du potentiomtre R
E
. Visualisez V
e
et V
s
en mode AC et diminuez lamplitude V
e
du GBF.
2.5.1 Gain en tension
Modifiez le rglage du potentiomtre et observez
linfluence sur le gain du montage. Diminuez lamplitude du GBF si le signal sature. Si
loscillo a du mal synchroniser sur les signaux, dclenchez le en mode externe avec la sortie
TTL du GBF.
Le rle de la capacit de couplage C
2
est de constituer un
court-circuit pour le signal alternatif (vrifiez qu' la
frquence de travail, on a bien
E
R 1/ C ). Comme elle
est relie au point variable du potentiomtre R
E
, elle la court-
circuite en partie.
Dans lexpression du gain en signaux
variables
C
V
E BE
R
A
R r
=
+
, il nintervient plus quune partie
de R
E
; on comprend donc que le gain va varier suivant que
lon shunte plus ou moins R
E
.
B
C
E
R
E
C
2
+
2.5.2 Distorsion
Lorsque lamplification est grande, vous devez
constatez une distorsion du signal V
s
. Cette distorsion peut se mettre en vidence en faisant
une analyse spectrale du signal. Une solution plus simple consiste faire une observation en
Lissajous (cf. 2.4.2). La courbe, qui doit tre une droite si il ny a pas de distorsion, doit
commencer sincurver lorsquelle apparat. Cette distorsion doit tre dautant plus grande
que le gain est important.
Il faut remarquer cet gard que rien ne limite la valeur du gain lorsque lon shunte
compltement R
E
. Il devrait donc tendre vers linfini ce qui nest videmment pas le cas. En
fait, on a nglig dans lexpression du gain le comportement ohmique de la jonction base-
metteur polarise en direct ; le gain vaut en ralit :
BE E
C
V
r R
R
A
+
=
On rappelle ici quil ne faut prendre dans lexpression de R
E
que la partie non shunte.
La rsistance dynamique de la jonction est faible (diode polarise en direct) mais non nulle
son effet se fait dautant plus sentir que lon shunte la rsistance R
E
. Le gain la limite tend
vers R
C
/r
BE
. Or la valeur de cette rsistance r
BE
dpend de lendroit ou lon se trouve sur la
caractristique du transistor (cf. schma du 2.1). Cest la raison pour laquelle on observe de
la distorsion lorsque lon augmente le gain en tension.
Mesure :
Facultatif.
On peut exemple mesurer le gain A
V
lorsque la rsistance R
E
est compltement shunte en
alternatif et comparer cette mesure la valeur calcule avec lexpression ci-dessus en prenant
pour r
BE
lexpression suivante (cf. annexe) :
) A ( I
mV 3 , 25
r
C
BE
=
Il y a en gnral un cart assez important entre cette formule et l'exprience (cest pourquoi la
manip est facultative !) ; seul les ordres de grandeurs comptent.
2.6 Limites en frquence du montage
On ne fera pas ici une tude complte du
comportement en frquence du montage. On sintressera seulement sa capacit
transmettre les signaux contenus dans la gamme de frquence de la source (20 kHz max).
Manipulation :
Rglez la frquence du GBF environ 5 kHz ; ajustez le gain une valeur
moyenne (20-40) en jouant sur le rglage du potentiomtre (visualisez V
e
et V
s
l'oscillo avec
les sensibilits des deux voies dans le rapport voulu). Faire varier la frquence du GBF
(vrifiez que son amplitude reste constante).
Vous devez constater que le montage peut transmettre sans perte de gain et sans modification
de phase des signaux au-del de laudible pas de problme en hautes frquences par
rapport la source que lon utilise. En revanche, vous devez constater que le gain du montage
diminue lorsque la frquence devient trop basse ( < 100 Hz). Cette diminution du gain
saccompagne dune modification de la phase entre V
e
et V
s
.
Explication de la frquence de coupure basse :
Cf. Malvino ch. 14 (trs bien)
Elle provient ici des condensateurs C
1
et C
2
associes leur rsistance d'attaque qui
constituent des rseaux d'avance (autrement dit des filtres passe-bas cf. Malvino). On peut
le justifier simplement par les raisonnements suivants :
- en basses frquences, la capacit C
1
voit son impdance augmenter ; le signal amplifier est donc attnu d'o une valeur plus
faible du signal de sortie.
- la capacit C
2
voit-elle aussi son
impdance augmenter ; elle ne court-circuite donc plus de faon aussi efficace la partie de R
E
avec laquelle elle est en parallle ce qui provoque une diminution du gain puisque R
E
"augmente".
Chaque systme donne donc une frquence de coupure basse ; on peut mme en avoir une
troisime si on met un condensateur de couplage en sortie. Suivant les valeurs des diffrentes
impdances mises en jeu dans le montage, ce sera l'un des condensateurs qui limitera en
premier dans les basses frquences. On peut trouver par le calcul le condensateur limitant
dans le montage qu'on tudie (Malvino p. 434-439-440) mais il est aussi possible de le
dterminer par l'exprience : remplacez C
1
puis C
2
par une capacit de 1000 uF et regardez
dans chaque cas l'influence sur la frquence de coupure en BF. Quelle est ici le condensateur
limitant ?
Conclusion :
Vous pouvez estimer la frquence de coupure - 3 dB du montage avec des
capacits de 100 uF soit l'oscillo, soit avec un voltmtre mesurant en dB ( Rennes, prendre
le Keithley 199 ou un Mtrix MX 54 ou 56) et en dduire la bande passante du montage.
2.7 Raccordement du montage un haut-parleur
Se placer une frquence
ou le montage fonctionne correctement ; visualisez V
s
. Branchez un haut-parleur via une
capacit C
3
de 100 uF en respectant la polarit indique sur le schma ci-dessous ( quoi
sert-elle ?). Que se passe-t-il ?
R
1
C
1
+
B
C
E
R
E
R
2
R
C
+ U
GBF
C
2
+
C
3
+
Explication :
Limpdance de sortie du montage est trop leve pour pouvoir alimenter le
haut-parleur. Le calcul (cf. annexe) montre quelle vaut simplement R
C
soit ici 1000 .
Ds quon branche le haut-parleur, le changement dimpdance est tel que le
signal seffondre. Pour le comprendre, il suffit de modliser la sortie du montage par un
gnrateur de Thvenin quivalent :
s
s C
C
C
V
R R
R
V
+
=
Ce signal est pratiquement nul tant donn les
valeurs respectives des impdances (8 pour le
HP comparer 1000 ).
Conclusion :
Le montage ralis permet damplifier le signal mais ne permet pas dalimenter
une charge de faible impdance et donc dbiter de la puissance. Il faut le faire suivre dun
tage de puissance.
Remarque :
On pourrait aussi montrer que son impdance d'entre n'est pas trs grande. Cela
peut poser des problmes si la source une impdance relativement forte. Ce nest pas le cas
ici (vrifiez que le raccordement de la source sur lentre du montage ne modifie pas
lamplitude de la source) le sujet ne sera pas abord ici.
Re-remarque :
Lenvie peut vous prendre (sait-on jamais ?) de vrifier que Z
s
= R
C
; si tel
est le cas, ne pas utiliser dohmmtre. En effet, le montage tudi tant un systme actif, on
ne peut utiliser cet appareil en raison de son principe de fonctionnement.
On a alors recours une mthode base directement sur le thorme de
Thvenin (cette mthode sapplique tous les systmes actifs).
Mesure :
Remplacez dans le dernier montage le haut-parleur une rsistance variable (boite
dcades). Commencez par mesurez la tension V
S0
sans la rsistance de charge. Placez ensuite
la rsistance de charge et ajuster sa valeur pour avoir V
S
= V
S0
/ 2 ; on a alors (cf. Duffait p.
118) :

C S VAR
R Z R =
II ETAGE DE PUISSANCE
Biblio : Malvino ; ch. 10 et 11
Son rle n'est pas d'accrotre la tension mais de permettre un dbit sur une charge de faible
impdance. De nombreux montages sont possibles suivant la classe damplification choisie,
les types de transistors utiliss et le degr de raffinement voulu. On nen prsente quun assez
classique, le montage Darlington.
V
s
R
s
R
C
V
C
gnrateur quivalent
2.1 Principe du montage
Quaranta III p. 96 et Malvino p. 235
C'est une configuration deux transistors o le courant d'metteur du premier transistor
(faible puissance) constitue le courant de base du second transistor (forte puissance).
L'ensemble est quivalent un transistor unique de gain en courant
2 1
. Cette
configuration est trs utilise car les transistors de forte puissance ont, pour des raisons
technologiques de fabrication, un gnralement faible. A linverse, on trouve facilement
dans le commerce des transistors faible puissance ayant un important en associant les
deux familles de transistors, on peut raliser des montages ayant un gain en courant important
et qui peuvent dbiter de fortes puissances.
Les montages classiques des transistors (metteur commun, collecteur commun) sont
applicables cette structure. Comme on veut maintenant dbiter de la puissance, on ralise ici
un montage en collecteur commun. Le gain en tension est alors de l'ordre de l'unit mais le
rsultat principal est une augmentation de l'impdance d'entre et une trs grande diminution
de l'impdance de sortie. Cela permet de ne pas perturber l'tage pr-amplificateur (cf. Z
S
EC)
et d'alimenter une charge de faible impdance. En ce sens, on ralise une adaptation
d'impdance (attention, a ne correspond pas une adaptation dimpdance au sens classique
du terme).
3.2 Choix des composants
3.2.1 Rsistance dmetteur R
E
Cf. Quaranta III p. 378
Le critre qui conditionne son choix est d'avoir un rendement maximum du systme
amplificateur. On procde en deux tapes en tudiant dans un premier temps le montage en
rgime continu puis en rgime alternatif.
En continu :
Le condensateur C
2
est alors quivalent un circuit ouvert le courant ne passe
que dans R
E
V
E
= R
E
I
E
. Comme I
E
I
C
et V
CE
= U - V
E
, on a donc ( )
C CE E
I U V / R =
d'o la caractristique courant tension, valable en continu, du transistor n2 :
I
B 1
C
1
+
B
C
E
R
E
R
B
T
2
+ U
B
C
E
C
2
+
T
1
charge R
C

1

2
La pente de la droite de charge statique vaut
- 1/R
E
De mme que pour le montage pramplificateur, on place le point de repos Q U/2 pour avoir
une excursion maximale en alternatif (le positionnement de Q se fera en ajustant la valeur de
R
B
).
On a alors :
E
0 C
R 2
U
I =
En alternatif :
Le condensateur de sortie est alors quivalent un circuit ferm le courant
passe cette fois-ci dans R
E
et R
C
.Le raisonnement prcdent est encore valable mais en
considrant maintenant la rsistance quivalente R
E
// R
C
.

eq
CE
C
R
V U
I

= avec
C E eq
R
1
R
1
R
1
+ = d'o la
caractristique courant tension du transistor n2,
valable en alternatif :
Le point de repos est forcment le mme, mais la pente de la droite de charge dynamique
tant cette fois-ci gale
|
|
.
|

\
|
+
C E
R
1
R
1
, on note une diminution de la tension maximum aux
bornes de la charge.
Calcul de V :
V = I
C0
pente de V = f(I) = I
C0
/ pente de I = f(V) =
CO eq
eq
0 C
I R
R
1
I
=
Avec l'expression de I
C0
, on trouve finalement
E
eq
R 2
U
R V = pour l'excursion maximum.
Puissance reue par la charge :
dt
R
U
T
1
dt I U
T
1
P
T
0 C
2
C
C
T
0
C C

= =
t sin V
2
U
U
C
+ = mais la composante continue est coupe par le condensateur de sortie
- 1/R
E
V
CE
U
U/2
I
C0
I
C
V
CE
U
U/2
I
C0
I
C
V

=
T
0
2
C
2
C
dt . t sin
T
1
R
V
P
C
2
C
R 2
V
P

= pour l'excursion maximum
Puissance fournie par l'alimentation :
En l'absence de signal, la puissance dissipe dans T
2
et
R
E
vaut
0 C 0 C 0
UI I
2
U
2
U
P =
|
.
|

\
|
+ =
En rgime sinusodal linaire, la puissance dissipe en moyenne est encore P
0
.
Rendement maximum :
Il faut trouver la valeur de R
E
pour avoir le rapport
0
C
P
P
maximum.
C E
2
eq
0 C C
2
0
C
R R
R
4
1
UI R 2
V
P
P
=

= avec les expressions de V et I

0

( )
2
C E
C E
R R
R R
4
1
+
=
Pour trouver le maximum de cette fonction on dfinit la variable
C
E
R
R
x = .
Le rapport devient
( )
2
0
C
x 1
x
4
1
P
P
+
=
L'tude de cette fonction montre qu'elle passe par un maximum valant 1/4 pour x = 1 donc
pour
C E
R R =
La rsistance d'metteur doit tre gale la rsistance de charge ; le
rendement vaut alors 1/16 pour l'excursion maximum.
Remarque importante :
L'impdance de sortie du montage est R
E
en parallle avec r
'
E
ou r
'
E
= h
11
/ < 1 La relation R
E
= R
C
n'est donc pas une condition d'adaptation d'impdance !
Elle rsulte d'un calcul effectu dans un cas particulier o on considre une excursion
maximale du signal de sortie. Si tel n'est pas le cas, cette relation n'est plus valable.
3.2.2 Rsistance de base R
B
Son rle est de fixer le point de
fonctionnement U/2. On peut estimer sa valeur mais le calcul prsente peu dintrt car il
faut connatre la valeur exacte des gains en courant des deux transistors dans les conditions de
fonctionnement. Il vaut donc mieux ajuster exprimentalement sa valeur pour obtenir la
condition dsire. On prsente cependant le calcul titre indicatif :
daprs le schma, on a
V
B1
= V
E2
+ 2V
BE
avec V
BE
0,65 V. Or V
E
doit tre pris U/2 pour avoir une excursion
maximale. On connat donc le potentiel imposer la base du premier transistor (V
B1
8,8 V
avec U = 15 V).
Supposons ensuite que
lon veuille alimenter un haut-parleur ayant une impdance de 8 . On prendra alors une
rsistance R
E
de mme valeur pour avoir un rendement maximum. Comme V
E2
= R
E
I
E2
=
U/2, on peut en dduire la valeur de I
E2
I
C2
( 0,9 A avec U = 15 V). Comme
1 B 2 1 2 C
I I = ,
on peut calculer la valeur de I
B1
avec les valeurs des gains en courant. Le transistor faible
puissance que lon va utiliser ayant typiquement un de 150 et celui de forte puissance ayant
typiquement un de 70, lordre de grandeur de I
B1
sera de 100 nA. R
B
imposera cette valeur
puisquon a U V
B1
= R
B
I
B1
daprs le schma. On trouve alors R
B
70000 .
3.3 Ralisation pratique du montage
Le montage propos fonctionne en classe
A et devra fournir des courants importants Il devra donc dissiper une forte puissance ( 20
W).
Le transistor T
2
doit tre mont sur un support thermiquement dissipatif !
Prendre une rsistance de puissance pour R
E2
(surtout pas des boites AOIP !).
Demandez imprativement au professeur de contrler votre montage avant de
lalimenter !
Remarque :
Il est normal que le transistor T
2
soit trs chaud. Ceux Rennes sont prvus pour
supporter les conditions du montage Ne pas sinquiter (sauf si a commence sentir le
brl ! coupez immdiatement lalimentation dans ce cas).
Il est prfrable de prendre des rsistances de puissance non inductive (le
montage oscille facilement lorsque lon dbite de la puissance) on dconseille les
rhostats.
Montage :
C
1
: 100 uF ou plus
R
B
= boite dcades
T
1
: 2N 1711
T
2
: MJ 15024
C
s
: 1000 uF
R
E
: rsistances de puissance 10
En mettre plus ou moins en parallle suivant la
valeur du HP utilis.
U = alim de puissance + 15 V
Prendre celle utilise pour le premier montage.
Respectez la polarit des capacits lectrochimiques !
3.4 Manipulation qualitative
On reprend le montage pramplificateur aliment
par le Walkman ou par un micro et on le relie au nouveau montage.
C
1
+
B
C
E
R
E
R
B
T
2
+ U
B
C
E
C
2
+
T
1
Ne garder quune capacit de dcouplage entre les deux tages sinon elles se divisent !
Justifiez le sens du branchement de cette capacit. Pour vous aider, comparez le potentiel V
C
du transistor de l tage pramplificateur (cf. 2.2) au potentiel V
B1
du premier transistor de
ltage de puissance (cf. 3.2.2).
Rglage du point de fonctionnement :
Mesurez V
E
laide dun voltmtre continu (cf.
schma). Ajustez la valeur de R
B
pour avoir V
E
U/2 (attendre que le montage atteigne un
rgime dquilibre thermique car le dun transistor est fonction de sa temprature).
Mise en route du montage :
Allumez le Walkman et visualisez en DC le signal de sortie
fourni par ltage amplificateur (X). Vrifiez que le signal est correct (pas de distorsion) et
jouez sur le potentiomtre de faon avoir un signal minimum. Visualisez alors en DC le
signal de sortie fourni par ltage de puissance (Y). Son amplitude doit tre sensiblement la
mme quen X.
Branchez le haut-parleur (attention aux oreilles !). Jouez sur le
rglage du potentiomtre le niveau sonore doit augmenter (attention la saturation).
Conclusion :
Le montage global permet damplifier le signal de la source en tension (tage
pramplificateur) et en puissance.
3.5 Mesures
On sintressera ici uniquement ltage damplification en
puissance.
Remplacez le haut-parleur par une rsistance de charge de mme valeur (dans la pratique,
cest R
E
quon ajuste la valeur de R
C
) et alimentez le montage global par un GBF (f
1kHz). Rglez le gain de ltage pramplificateur au minimum.
C
+
R
E
C
+
R
2
R
C
+ U
X
R
1 source
C
+
R
E
R
B
+ U
C
+
Y
V
Les caractristiques de la rsistance de charge ntant pas exactement celle du haut-parleur,
rajustez le point de fonctionnement de ltage de puissance U/2 en jouant sur R
B
.
3.5.1 Gain en tension
Mesurez les tensions X et Y ; en dduire le gain en
tension A
V
du montage. Ce gain doit tre lgrement infrieur 1 ( = 0). Ltage de pr
amplification est donc bien ncessaire.
Excursion maximum :
Visualisez les tensions loscilloscope en position DC. Augmentez
lamplitude du GBF. A partir dun certain niveau, le signal de sortie Y commence se
distordre par le bas (vrifiez que ltage pramplificateur fonctionne encore
correctement !).Mesurez la valeur partir de laquelle la distorsion apparat.
Cette valeur peut se retrouver par le calcul ; en effet, il suffit de remarquer que lon a en sortie
la relation suivante :
U = V
CE
+ V
E
= V
CE
+ Y Y
min
= U - V
CE max
Or (cf. 3.2.1), on a V
CE max
= V
2
U
+
et
4
U
R 2
U
R V
E
eq
= = si R
E
= R
C
On doit donc avoir
4
U
Y
min
= le vrifier
Remarque :
Cette formule ne marche que si R
E
= R
C
exactement. Il faut aussi que le point de
fonctionnement soit exactement U/2.
3.5.2 Gain en courant - gain en puissance
Toujours dans les conditions
dexcursion maximum, mesurez en alternatif le courant entrant dans le montage de
R
C
= R
E
C
+
R
E
C
+
R
2
R
C
+ U
X
R
1 GBF
C
+
R
E
R
B
+ U
C
+
Y
V
V
CE max
= U
4
3
puissance et celui circulant dans la rsistance de charge. En dduire le gain en courant A
I
.
Attention, pour mesurer I
C
, utilisez un calibre pouvant supporter plus de 2 A ! Sassurez
aussi que les multimtres suivent en frquence.
En dduire le gain en puissance du montage
I V P
A A A = . Conclusion.
Remarque :
Ne pas comparer la valeur du gain en courant au produit
1
.
2
car le produit des
donne le rapport I
E
/ I
B
alors que le gain mesur correspond au rapport I
Rc
/ I
B
.
On pourrait mesurer I
E
pour vrifier la relation mais on ne connat pas la valeur
exacte des gains en courant des deux transistors dans les conditions de fonctionnement.
3.5.3 Rendement de ltage de puissance
Il vaut thoriquement 1/16
lorsque lon est lexcursion maximum (cf. 3.2.1).
Mesures :
Toujours dans les conditions dexcursion maximum, mesurez U
alim
et I
C0
du
transistor de puissance. En dduire la puissance P
alim
= U. I
C0
fournie par lalimentation
ltage de puissance. Mesurez la tension efficace aux bornes de la rsistance de charge. En
dduire la puissance quelle reoit
2
eff Rc
C
C
V
P
R
| |
=
|
|
\ .
. Calculez le rendement
lim a
C
P
P
= et
comparez la valeur thorique.
IV MONTAGE GLOBAL
Les mesures qui viennent dtre proposes (gain en tension, en
courant, en puissance, rendement, limites en frquence) peuvent aussi sappliquer au montage
global. On peut ainsi donner les caractristiques du systme complet plutt que par morceaux
(cest dailleurs ce qui intresse plus lacheteur dun amplificateur !). Linconvnient dans le
cadre dune prsentation en montage est quil est plus difficile de comparer les rsultats des
formules thoriques.
Parmi toutes les mesures possibles, la mesure de la puissance du signal obtenu est importante
(cest souvent ce que lon regarde en premier lorsquon achte un ampli). La mesure du
rendement du systme global est aussi intressant. Le gain en puissance nest pas mal non
plus.
Conclusion :
Il faut bien montrer que l'amplification en classe A nest pas la meilleure
concernant le rendement. Les amplificateurs en classe B les supplantent largement dans ce
domaine. Pourtant, certains amplificateurs de qualit utilisent des montages en classe A (ils ne
se privent pas de lindiquer sur les faades de leur ampli !). Pourquoi votre avis ?
Dans quel domaine de lamplification audio est il indispensable dutiliser des
structures damplification en classe B (pensez aux voitures) ? Pourquoi ?
Enfin, rappelez les performances de votre systme. A ce propos, quel est ltage
qui provoquera en premier la distorsion du signal (cf. 2.4.2 ; 2.5.2 et 3.5.1 si la
pramplication est minimum, la rponse est sans ambigut ; si ce nest pas le cas, la rponse
est plus dlicate) ?
ANNEXE : INFORMATIONS COMPLEMENTAIRES
SUR LES TRANSISTORS
Cette partie na pas pour but de dvelopper une thorie complte sur ce type de composant et
les montages dans lesquels ils interviennent (il faudrait un bouquin entier pour le faire et il en
existe dj). On en prsente juste une approche avec des manipulations simples pouvant tre
effectues en TP pour ceux qui ont de grosses lacunes dans le sujet. Dautres informations
peuvent tre glanes dans le duffait p. 133 et suivantes.
I CARACTERISTIQUE DUN TRANSISTOR BIPOLAIRE - MODELISATION
Biblio: NIARD lectronique p. 19
On tudie seulement la caractristique I
C
fonction de V
CE
I
B
constant avec un oscilloscope
mmoire. Pour cela, ralisez le montage suivant avec un transistor NPN.
Montage :
E = 10 V R
E
= 100 R
B
200 k (boite dcades)
Utilisez une sonde diffrentielle pour mesurer la tension X (V
CE
). Pourquoi votre avis ?
Visualisez X et Y avec l'oscillo HP 54603 B.
Le dcalage continu du GBF doit tre ajust de faon que la tension V
CE
soit toujours
positive ou nulle.
Choix des composants :
La puissance maximum que peut supporter le transistor est 0,5 W
(transistor basse puissance) mais on limitera en pratique celle ci 0,05 W pour viter un
chauffement indsirable du composant.
La tension V
CE
usuelle est de l'ordre de 10 V donc le courant
collecteur I
C
ne devra pas dpasser environ 0,05W/10V = 5 mA. Le gain en courant tant
de l'ordre de 100, le courant de base devra tre de l'ordre de 50 uA.
La tension V
BE
reste peu prs constante gale 0,6 V, d'o le
choix de R
B
et de R
E
.
Calculs :
B
C
E
R
E
R
B
+ OFFSET
E
X
2N 1711
Y
GBF
V
CE
I
C
La rsistance R
E
sert mesurer le courant. Il faut que R
E
I
C
soit au maximum
infrieur 0.5V pour que le courant I
B
reste constant (cf. ci-aprs) et pour qu'on puisse
toujours mesurer V
CE
en C mme si l'oscillo n'est pas diffrentiel. Avec I
Cmax
= 5 mA, on
trouve R
E
= 100 .
A l'entre, l'ensemble E + R
B
constitue un gnrateur de courant. En effet

B B
B
B
R
E
R
V E
I

= car V
B
= V
BE
+ R
E
I
C
est alors de l'ordre du volt.
Pour avoir un courant d'environ 50 uA avec une tension E de 10 V, on devra avoir R
B
200
k.
Exprience :
Visualisez la caractristique I
C
= f(V
CE
) pour diffrentes valeurs de I
B
. On peut
enregistrer plusieurs traces en mmoire sur le HP. Les courbes que l'on obtient ont l'allure
gnrale suivante :
Intrt des transistors :
Il dcoule de l'observation de la caractristique. On s'aperoit en effet
que le transistor peut dlivrer un courant peu prs indpendant de la tension ses bornes
(c'est d'autant plus vrai que I
C
est faible) et que la valeur de ce courant dpend de celui qu'on
impose la base.
Le transistor bipolaire est une source de courant command par un
courant. C'est cet aspect qui est mis profit dans les montages amplificateurs.
Modle utilis pour les transistors basse puissance :
Il dcoule en partie de la remarque
prcdente. Pour plus de prcision, on peut par exemple se reporter aux livres suivants :
Auvray : Circuits et composants lectroniques p. 151 et Malvino : Ch. 6 et 8
La caractristique du transistor se rapprochant de celle dune source de courant, on modlise
la jonction base-collecteur par un gnrateur de courant I
C
= I
B
, o est le gain en courant
du transistor. La jonction metteur-base quant elle peut tre modlise par une diode
polarise en direct. On obtient donc le schma suivant :
B
C
E
I
E

I
C
= I
B
I
B
B
C
E
I
E

I
C
= I
B
I
B
schma
quivalent
tant en gnral assez grand (cest surtout vrai pour les transistors faible puissance), on
nglige en gnral la contribution de I
B
.
En se plaant au voisinage du point de fonctionnement, on peut remplacer la diode par sa
rsistance dynamique locale. On peut la calculer en prenant pour la diode le modle de
SHOCKLEY :
) 1 e ( I I
T BE
V / V
0
=

avec : I courant qui traverse la diode I
C
V
T
= kT/e = 25,3 mV 20 C
= 1 (jonction abrupte)
Il suffit alors de driver cette expression par rapport V
BE
pour avoir linverse de cette
rsistance. Pour ce faire, on nglige le terme 1 (cela revient supposer la diode
suffisamment conductrice).
On obtient alors r
BE
= 25,3 mV/ I
C
o I
C
est le courant collecteur continu du transistor.
On en dduit le schma quivalent suivant, valable en petits signaux et frquence pas trop
leve :
On peut alors dterminer en alternatif les caractristiques des montages metteur commun
ou collecteur commun laide de ce schma. Il suffit de rarranger le schma du montage en
ne faisant apparatre que les grandeurs variables le + de lalimentation tant un potentiel
constant, il est considr comme une masse en alternatif car il napporte aucun courant en
alternatif.
II MONTAGE A EMETTEUR COMMUN
Le montage peut alors se mettre sous la
forme suivante (on suppose quil ny a aucune capacit en parallle sur R
E
).
B
C
E
I
E
I
C
I
C
= I
B
I
B
v
S
i
B
R
1
i
B
r
BE
R
2
R
E
R
C
i
B
i
E
i
S
v
E
2.1 Gain en tension
E
S
V
v
v
A =
En alternatif , on a v
S
= R
C
.i
S
= - R
C
..i
B
De plus, v
E
= (R
E
+ r
BE
)..i
B
2.2 Impdance dentre
On la calcule par la mthode de Thvenin (gnrateurs
de tension zro ; gnrateurs de courant quivalents des circuits ouverts). Lentre peut se
modliser par le schma suivant :
Limpdance du montage correspond la mise en parallle des rsistances R
1
, R
2
et .(R
E
+
r
BE
). Cest une impdance moyenne.
2.3 Impdance de sortie
On voit tout de suite sur le schma quelle vaut R
C
.
III MONTAGE A COLLECTEUR COMMUN
Les calculs qui suivent peuvent
sappliquer au montage Darlington en supposant un seul transistor de gain
1

2
. On suppose
que la charge nest pas branche.
3.1 Gain en tension
v
S
= R
E
..i
B
v
E
= (R
E
+ r
BE
)..i
B

BE E
C
V
r R
R
A
+
=
(R
E
+ r
BE
)
R
1 R
2
i
E
v
E
v
S
i
B
R
1
i
B
r
BE
R
E
i
B
i
E
v
E
1
r R
R
A
BE E
E
V

+
=
3.2 Impdance dentre
Il suffit de remplacer le gnrateur de courant par un
circuit ouvert ; on voit alors immdiatement que limpdance dentre est constitue par la
mise en parallle de R
B
et .(R
E
+ r
BE
). Cest une impdance plus forte que pour le montage
metteur commun.
3.3 Impdance de sortie
Il faut en plus considrer que lon met lentre la
masse la rsistance r
BE
se retrouve en parallle avec R
E
. Cette association correspond
limpdance de sortie. Elle est trs faible.
III RETOUR SUR LE MONTAGE EMETTEUR COMMUN
On a vu que la rsistance
R
E
associe la capacit en parallle permettait de faire varier le gain du montage. Il faut
savoir que cette rsistance a aussi un autre rle dans le montage (question type du jury).
Elle permet de stabiliser le montage en temprature. De plus, lorsque la capacit ne joue
aucun rle, elle rend le gain du montage indpendant du transistor (au prix dune baisse de
lamplification.
Pour comprendre le rle de stabilisation en temprature, il suffit dimaginer le montage sans
cette rsistance R
E
.
Considrons que, pour une raison ou une autre, la temprature augmente la consquence
principale va tre la cration de paires lectron - trou dans la zone de dpltion de la jonction
base-metteur qui va diminuer le potentiel de cette jonction. Pour vous en convaincre, vous
pouvez mesurer le potentiel de jonction dune diode au silicium et la tenir dans vos doigts.
Vous devez constater une diminution de la tension V
BE
. On se sert dailleurs de cet effet pour
raliser des capteurs de temprature.
Cette diminution de V
BE
va provoquer une augmentation du courant dans la base
puisque la barrire de potentiel franchir est plus faible.
Comme I
C
= .I
B
, le courant I
C
va augmenter lui aussi. Cette augmentation de I
C
va provoquer son tour une augmentation de la temprature par effet Joule.
On comprend alors que leffet va tre cumulatif (I
B
augmente I
C
augmente
T augmente , etc. , etc. ) et peut provoquer la destruction du transistor d'ou la ncessit de
stabiliser ce montage en temprature .
Intrt de R
E
:
Elle stabilise le point de repos du montage en temprature en effectuant une
contre-raction sur la base. En effet, si on applique la loi des nuds entre les rsistances R
1
et
R
2
, on a :

B
1
B
2
B
I
R
V
R
V U
+ =

|
|
.
|

\
|
+ =
2 1
B
2
B
R
1
R
1
V
R
U
I
Cette fois-ci, lorsque I
C
augmente, la tension aux bornes de l'metteur augmente puisque V
E
=
R
E
I
E
. Comme V
B
vaut V
E
V
BE
prs, la tension aux bornes de la base augmente aussi. V
B
augmentant, I
B
diminue d'aprs la formule prcdente.
I
C
= I
B
diminue par contre raction
de type courant-tension.