Proyecto Final - Diseño Flyback

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Escuela de Graduados
Universidad APEC & Universidad de Puerto Rico, Mayagez
Maestra en Ingeniera Elctrica mencin Potencia

- Temas Especiales de Sistemas de Potencia (PMA-459) -
Prof. Andrs Daz, Ph.D.

Proyecto Final:

Diseo de Convertidor Flyback
Con control proporcional

Preparado por:

Rafael E. Rojas Rivas
2007-1835
Gilberto R. Ruiz-Joubert
2007-1836

Santo Domingo, R.D.
31 de agosto, 2008
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INDICE
1 Introduccin.................................................................................................................................3
2 ConvertidoresDCDC....................................................................................................................4
2.1 Teora............................................................................................................................................4
2.2 FuentesConmutablesAisladas.....................................................................................................4
2.3 ElConvertidorFlyback..................................................................................................................5
2.3.1 Modosdeoperacin.............................................................................................................7
2.3.2 MtodosdecontroldelFlyback............................................................................................9
3 DiseodelconvertirdorFlyback.................................................................................................12
3.1 Clculos.......................................................................................................................................12
3.1.1 DatosIniciales.....................................................................................................................12
3.1.2 RazndevueltasPrimario/Secundario.............................................................................13
3.1.3 MximoEstrsdeldiododesalida.....................................................................................16
3.1.4 Capacitordesalidayvoltajedelrizado..............................................................................17
3.1.5 CircuitoSnubber.................................................................................................................17
3.1.6 DisipacindelMOSFET.......................................................................................................18
3.1.7 Diseodeltransformador...................................................................................................19
4 DiagramadelcircuitoconvertidorFlyback..................................................................................24
5 Simulaciones..............................................................................................................................25
5.1 FuncionamientodelConvertidorFlybackenestadoestable......................................................25
5.2 EfectosdelaregulacinproporcionalenelcircuitodelconvertidorFlyback............................26
5.3 Efectodelcambioenlacarga.....................................................................................................28
6 Conclusin..................................................................................................................................33
7 Referencias................................................................................................................................34
8 Apndices..................................................................................................................................35
8.1 DataSheetMOSFET....................................................................................................................35
8.2 DatasheetDiodo.........................................................................................................................36
8.3 DatasheetCapacitores................................................................................................................37
8.4 Datosnucleosdeferrita..............................................................................................................38
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1 INTRODUCCIN
Aunque a veces es considerado asunto menor, el diseo de fuentes de alimentacin es un tema que
puedeafectarseriamenteelcostodecualquierequipo.
Al disear una fuente de alimentacin convencional usando transformadores operando a 60 Hz se
generasolucionesquesuelenserinconvenientes,tantoporsuelevadocosto,excesivopesoyvolumen,
ascomoporsubajorendimientodeconversin,ylaconsiguientegeneracindecalor.Laalternativaa
estetipodediseohasidodesdehacetiempoelempleodefuentesconmutables.
Hoyenda,latecnologadefabricacindecircuitosintegradospermitequemuchosfabricantesofrezcan
soluciones en un solo chip, que facilita el diseo de fuentes conmutables que operan directamente
sobre el lado de alta tensin, con elevados rendimientos, de bajo costo y volumen, y usando pocos
componentes,llevandotodoestoaqueseamsfcilelarmado.Estasituacinnoescasual,sinoqueha
sido motivada por el mayor dominio en la fabricacin de circuitos integrados, donde se ha logrado
mezclardispositivosdebajasealyvoltajedeoperacinjuntoadispositivosconmutadoresdepotencia
apacesdeoperarconaltastensionesdecolector. c

2 CONVERTIDORESDCDC
2.1 Teora
LosconvertidoresDCDCsonfuentesconmutablesdealtafrecuencia.Como sunombreloindica,ellos
conviertendeunvoltajedisponibleenDCenlaentradaV
in
aunvoltajeDCdeseableV
o
.Anteriormente,
seutilizabanfuenteslinealespararegularelvoltajedesalida.Estasoperabanreduciendounvoltajealto
en la entrada a un voltaje bajo en la salida controlando linealmente la conductividad de un dispositivo
en serie que pasaba potencia en respuesta a un cambio en la carga. Resultando un gran voltaje en el
dispositivo (p.e. resistor variable en serie) con la corriente de la carga atravesndolo. Esta prdida
causabaquelafuentelinealtuvieraunaeficienciadeun30aun50%.Loquesignificabaqueporcada
vatio entregado a la carga, al menos un vatio deba ser disipado en calor (Que desperdicio de
ENERGIA!!!).Ademsdequeelcostodeldisipadordecalorparafuenteslinealesmayoresde10vatios,
hacequedichasfuentesnoresulteneconmicas.
Sin embargo, las fuentes conmutables operan dispositivos de potencia en los estados fullon y
cutoff. De esto, resulta que en el estado encendido grandes corrientes atraviesan el dispositivo de
potenciaconbajosvoltajesobajascorrientescorrientefluyendoconaltovoltajeatravsdeldispositivo,
teniendocomoresultadoquehayamuchomenospotenciadisipadaenlafuente.
En promedio las fuentes conmutables tienen una eficiencia de un 70 a 90 % sin importar el voltaje de
entrada.EnlaTabla1ComparacindelasTopologasmscomunes,acontinuacinsepuedenverlas
topologasmscomunesdefuentesconmutables:
Tabla1ComparacindelasTopologasmscomunes
2.2 FuentesConmutablesAisladas
En la mayora de las aplicaciones es deseable incorporar un transformador en el circuito para obtener
unaaislacinentrelaentradaylasalida.Estaaislacinsepuedeobtenersimplementeconectandoun
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DiseodeunConvertidorFlyback
transformadorde60HzenlosterminalesdeACdelafuente,sinembargo,comoeltamaoyelpesodel
transformador vara enormemente con la frecuencia, la incorporacin de ste operando a frecuencias
de interrupcin en el orden de los kHz, resultara en un tamao prcticamente inmanejable para la
fuente. Sin embargo, con los transformadores modernos con ncleo de ferrita se puede minimizar su
tamaograciasalrangodefrecuenciaquepuedenmanejar,yvandesdeloskHzhastalosMHz.Cuando
se necesita una gran relacin de conversin, el transformador permite una mejor optimizacin de
conversin.Alseleccionandoelvalorcorrectoderelacindetransformacin,sepuedereducirelvoltaje
ylacorrientedeestrsgeneradosenlostransistoresydiodos,mejorandoaslaeficienciayelcostodel
convertidor.EntreestetipodefuentesconmutablesaisladastenemoselconvertidorDCDCFlyback.
Losprincipalesmotivosquellevanaqueunafuenteseaaisladasonlossiguientes:
Seguridad. Es necesario para bajos voltajes DC de salida estar aislado de los altos voltajes de
entradayasevitarelpeligrodedescargaselctricas.
Diferentereferenciasdepotencial.LafuenteDCpuedequeopereadistintospotenciales.
ConversindeVoltajes.SilaconversinDCDCesgrandeparaevitarrequerirgrandesvoltajey
corriente nominales en los semiconductores, puede resultar ms econmico y
operacionalmenteefectivousaruntransformadorparalaconversindelosnivelesdevoltaje.
2.3 ElConvertidorFlyback
Es una fuente conmutable aislada, usada generalmente en aplicaciones de baja potencia. Es el
equivalente al convertidor BuckBoost cambiando el inductor por un transformador (ver Figura 1). El
transformador almacena energa como cualquier inductor lo hara, pero tambin provee aislamiento,
comocualquiertransformadorhara.
Figura1EsquemabsicodeunFlyback
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El convertidor Flyback, de la Figura 1, consiste en dos bobinas acopladas mutuamente, donde la
orientacin de las bobinas estn de tal manera que cuando el transistor est en el estado apagado, la
corrientecambiaalabobinasecundariaparamantenerelmismoflujoenelncleo.Podemosverenla
Figura2elcomportamientodeunflybackparaelestadoencendidoyapagado.
Figura2FuncionamientodelFlyback
CuandoelinterruptorestaON,todalatensindeentradaesaplicadaalprimariodelinductor(V1=Vin).
Suponiendo que la corriente inicial I
1
en este inductor es cero, empezar a crecer con un pendiente
constantecomoseveenlaFigura2yalfinaldelcic loON valdr
I
1max
=
F|n - Tun
L

LaenergaalmacenadaenelinductorserF =
1
2
I
2
- L,sustituyendoI
1max
resulta
F = (
1
2
] )F|n
2
- Tun
2
L
DuranteelTon,latensininducidaenV2esnegativa,porloqueeldiodonoconduce,yestrelacionada
conV1=Vinporlarelacindetransformacinn.Esdecir,F2 = -F|nn
Al abrirse el interruptor la energa almacenada en el inductor no puede desaparecerse por lo que se
induceunatensindepolaridadopuestaquesereflejaenelsecundariocomounaV2positiva,haciendo
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conducir el diodo y circular corriente por I

2.
Como no puede haber cambios instantneos del campo
magntico,elvalordeI
2max
alcomienzodelcicloOFFserI
1max
= n - I
1max
.
Enestemomentolatensinenelprimariosernegativa,yelvalorn*V2yseanalizacualeslacadade
tensin en el interruptor abierto, se nota que este valor es ahora superior a Vin y es igual a
F
|n
+n - F
2
A medida que el inductor entrega energa por el secundario, y suponiendo que Vo no cambia, la
corrienteI
2
decreceenformalinealhastallegaraceroluegodeuntiempoTxenqueseagotatodala
energadelinductor.Comoapartirdealllavariacindecorrienteesnula,latensininducidaesV2y
enV1tambinsehacenula,yeldiododejadeconducirytodoquedaashastaelfindeltiempoToffdel
interruptor.
2.3.1 Modosdeoperacin
Los Flyback al igual que todos los convertidores tienen dos modos de operacin dependiendo de si la
inductanciadelprimariodeltransformadorsedesmagneticecompletamenteono:
Modo de conduccin discontinuo (DCM): la corriente del transformador aumenta linealmente
cuandoelinterruptorestcerrado,sinembargo,cuandoelinterruptorestabierto,lacorriente
en la inductancia magntica del transformador se anula antes del comienzo del siguiente ciclo
de conmutacin (Figura 3). La potencia de la salida es igual al voltaje DC multiplicado por la
corriente media de alimentacin, lo que se resume a que la potencia entregada es igual a la
potenciadeentrada.EsteeselmodomsusadoenlosFlybackdebidoasuestabilidad.Elmodo
deoperacinDCMtienelassiguientesventajas:
Buenarespuestaatransitoriosenlacarga.
Esfcildeestabilizarellazoderetroalimentacin.
No es crtico el tiempo del rectificador, ya que la corriente es cero antes de que se
apliqueelvoltajeinverso.
Susdesventajasson:
AltascorrientesRMSydepicoeneldiseo.
Altoflujodeincursinenelinductor.
Altorizadodesalida
Figura3FormadeondasdelFlybackenmodoDiscontinuo
Modo de conduccin continua (CCM): la corriente del transformador aumenta linealmente
cuandoelinterruptorestcerrado,sinembargo,cuandoelinterruptorestabierto,lacorriente
en la inductancia magntica del transformador no anula antes del comienzo del siguiente ciclo
deconmutacin(Figura4),porloquepartedelaenergaeneltransformadorpermaneceenel
transformadoreneliniciodelotrociclo.Estemodopresentalassiguientesventajas:
Lacorrientepicodelinterruptorydelrectificadoreslamitadqueenmododiscontinuo
Bajorizadodesalida
LasdesventajasdelusoCCMson:
Ellazodevoltajederetroalimentacinrequiereunmenoranchodebandadebidoala
respuestadevalorcerodelconvertidor.
Lacorrienteenellazoderetroalimentacinusadaenelmododecontrolporcorriente,
necesitaunapendientedecompensacinenlamayoradeloscasos.
Losinterruptoresdepotenciaseenciendenconflujodecorrientepositiva.
Perdidasportiempoderecuperacinderectificadores
Estas desventajas hacen que el control para un Flyback operando en modo de conduccin
continua(CCM)seacomplicado.
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Figura4FormadeondasdelFlybackenmodoContinuo
2.3.2 MtodosdecontroldelFlyback
Entodaslasfuentesconmutables,elvoltajedesalidaesfuncindelvoltajedeentrada,eldutycycleyla
corriente de la carga. En un convertidor DCDC, se desea obtener un voltaje promedio constante en la
salidasinimportarlosdisturbios.Elvoltajedeentradadeunafuenteaisladapuedecontenervariaciones
peridicasdelsegundoordendeharmnicas,producidosporelrectificador.Estevoltajetambinpuede
variar cuando la carga es conectada y desconectada. De igual forma la corriente de carga puede
contener variaciones de amplitudes significantes, y una fuente tpica dentro de de sus especificaciones
esqueelvoltajedesalidasemantengaenunrangoespecificado.
Existendosmtodosdecontroldependiendodelparmetroamedir:
2.3.2.1 Controlporcorriente
En este mtodo se mide los parmetros de voltaje y de corriente que pasan por el inductor o el
transformador. Cuando la salida demanda ms potencia, el control permite que ms corriente entre al
inductor o la bobina. Si el voltaje de entrada cambia de repente, dicha variacin es detectada por el
control y responde inmediatamente, manteniendo el voltaje de salida a un nivel deseado. El mtodo
msusadoparastetipodecontroleselllamadoturnonwithclockcurrentmode.Estoquieredecir
que la frecuencia de operacin es determinada por un oscilador que solamente inicia en cada ciclo de
encendido.
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Loscontroladoresporcorrientesepuedenidentificaryaquetienenunamplificadordeerrorquevaaun
comparador donde el nivel de corriente es medido (Figura 5). Este mtodo es rpido y provee una
buenarespuestaeneltiempo.
Figura5Controlporcorriente
2.3.2.2 Controlporvoltaje
En este mtodo, como su nombre lo indica, solamente se mide el voltaje para determinar la
compensacin necesaria para mantener el voltaje de salida en el nivel requerido. Este tipo de control
puedeconstadeunamplificadordeerrorconectadoauncomparadordeestevoltajedeerrorconuna
onda triangular o una rampa (Figura 6) fija o de referencia. Este dispositivo es llamado comparador
PWM,elcualconvierteelvoltajedeerrorenunamodulacinporanchodepulsoparapoderoperarel
MOSFET. En este tipo de control se mantiene la frecuencia fija sin importar que cambie el duty cycle.
Estetipodecontroleselqueusaremosyaquenosinteresamantenerlafrecuenciafijaen200kHz.
Figura6Controlporvoltaje

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EnlaFigura7semuestracircuitoamplificadordeerror.Elvoltajedesalidadedichoamplificadorviene
dadoporlaecuacin:
Io = Irc + (Irc -Iin)
Figura7Amplificadordeerror
Latensindereferencia(Vref)correspondealatensinnominalaplicadaalPWMquedeterminaelduty
cycle. La tensin Vin es la adaptacin de la tensin medida a la salida del convertidor a la tensin de
referencia(lazoderetroalimentacin).
Si las dos tensiones son iguales el error producido a la salida del convertidor ser cero y la tensin de
salida del amplificador de error ser la misma tensin de referencia, pero este caso nunca suceder
porquesiempreexistirunerror.Enelcasoquelatensindelconvertidorseamayorquelanominalla
elresultadodelaecuacinsernegativa,detalforma,quesereducirelvalordetensindesalidadel
amplificadordeerroryenconsecuenciaeldutycycle.
Para dimensionar la tensin Vin se ha optado por un divisor de tensin que la adapte a una tensin
equivalente a la mitad de la tensin nominal deseada a la salida (6 Vdc). En el caso de la tensin de
referencia,Vref,seadaptaaunvalorfijoigualalvaloradaptadonominaldellazoderetroalimentacin
(6Vdc).LaondatriangulardelPWMtendrunvalorde5Vyunafrecuenciade200kHz.

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3 DISEODELCONVERTIRDORFLYBACK
Disearemos un convertidor Flyback en modo de operacin discontinuo por la ventaja que vimos
anteriormentedesuestabilidad.Esteconvertidortendrlassiguientescaractersticas:
Voltajedeentrada: 120VDC
Voltajedesalida: 12VDC
Frecuenciadeconmutacin: 200kHz
Rangodepotencia: 40100W
Rizadodevoltaje: <3%
Rizadodecorriente: 4A
EsteFlybacksercapazdemantenerelvoltajedesalidaconstante,12VDC,paraoscilaciones+/10Ven
elvoltajedeentrada.
3.1 Clculos
3.1.1 DatosIniciales
Voltajedeentrada:
Vi
min
110 V :=
Voltajemnimodeentrada:
Vi
max
130 V :=
Voltajemximodeentrada:
Voltajenominal: Vi
nom
120 V :=
VoltajedeSalida:
Voltajenominaldesalida,rizadomximodevoltajedesalida,potenciamnimadesalidaypotencia
maximadesalida
Vo 12 V := Po
min
40W := Po
max
100W := Vrp Vo 3 % 0.36V = :=
I 4 A :=
Vd
fw
0.57 V :=
(cadadevoltajeendiodosegndatasheet)
Lapotenciadesalidadelconvertidorflybackconsiderandolacadaeneldiodoesiguala:

Po Vo Vd
fw
+
( )
Io
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Despejandolacorrienteparaloscasodepotenciamximaymnima,obtenemoslacorrientemnimay
mximadesalidadenuestroflyback
Io
min
Po
min
Vo Vd
fw
+
3.182A = := Io
max
Po
max
Vo Vd
fw
+
7.955A = :=
Frecuenciadeconmutacin: fs 200kHz :=

T
1
fs
5 s = :=
Eficienciadeltransformador: (Valorasumido) 0.98 :=
VoltajemximodecadadurantelaconmutacindelMOSFET duranteeltiempoencendido:
ResistenciadelMOSFET: (resistenciainternaenelMOSFETsegndatasheet) Rds
on
0.85 :=
Vds
on
Po
max
Vi
min
Rds
on
0.788V = :=
3.1.2 RazndevueltasPrimario/Secundario
RelacindevueltasPrimario/Secundariopuedeserseleccionadocomouncompromisoentreelvoltaje
mximoenelMOSFETyelrangodedutycycledeseado.
Voltajedelainductanciamutuaduranteeltiempoapagado:Vfm
(kfbesunvalorentre1a0.5)
Vfm kfb Vi
min
:= Vfm 88 V =
N
ratio
Vfm
Vo Vd
fw
+
:= N
ratio
7 =
VoltajemximoquedebersoportarelMOSFET:
Vds
max
F
spike
1 +
( )
Vi
max
Vfm +
( )
:= Vds
max
261.6 V =
Factor de Seguridad (20-30% de Vdc )
EstevoltajeestdentrodelrangodeoperacindelMOSFET propuesto(IRF840)

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Coeficientedelainductanciadefuga:
klk 0.95 :=
Estoquieredecirquelainductanciadefugaesun5%lainductanciadelprimario
Energatotalalmacenadaeneltransformador:
Wl
ptot
1
klk
1.053 = :=
W
fb
Wl
ptot
Po
max
fs
5.263 10
4
J = :=
Energaentregadaalasalidamslasperdidasdebidoalaindutanciadefuga
3.1.2.1 Dutycyclemximoymnimo
Paramantenerelflybackoperandoenmododeconduccindiscontinuoeltiempodeencendidodebesermenor
a0.5(Ton+Toff+Tdt=T).
Eligiendoeldutycycledeltiempomuertomnimo:
(tiempoderecuperacindelMOSFETsegndatasheet) T
rr
600ns :=
D
dt
T
rr
fs 0.12 = :=
Ton
max
Vfm 1 D
dt
( )
T
Vi
min
Vds
on
( )
klk Vfm +
:=

Ton
max
2.019 s =
Ton
min
Vfm 1 D
dt
( )
T
Vi
max
Vds
on
( )
klk Vfm +
:= Ton
min
1.837 s =
D
max
Ton
max
T
:=
D
max
0.404 = Mximodutycycle
D
min
Ton
min
T
:=
D
min
0.367 = Mnimodutycycle

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3.1.2.2 BobinaPrimaria
Corrientepicoenelprimario:
Ip
pk
2 W
fb
fs
Vi
min
( )
D
max
:=

Ip
pk
4.739 amp =
CorrienteRMSenelprimario:
Ip
rms
Ip
pk
3
Ton
max
T
:= Ip
rms
1.739 amp =
CorrienteDCenelprimario:
Ip
dc
Po
max
Vi
min

:= Ip
dc
0.928 amp =
CorrienteACenelprimario:
Ip
ac
Ip
rms
2
Ip
dc
2
:= Ip
ac
1.471 amp =
3.1.2.3 Inductanciadelprimario
W
fb
Lp Ip
2
2
Laenergaalmacenadaes:
Inductanciaenelprimario:
Lp 2
W
fb
Ip
pk
2
:=

Lp 46.871 H =
Edt Vi
min
Ton
max
2.221 10
4
V s = :=

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3.1.2.4 Corrientedelsecundarioyrazndevueltas(secundario/primario)
Nsp
Vo Vd
fw
+
Vfm
:=

Nsp 0.143 =
1
Nsp
7 =
Salidadelsecundario.
Corrientepicoenelsecundario:
Is
pk
Io
max
2
1 D
max
D
dt
:=

Is
pk
33.416amp =
CorrienteRMSenelsecundario:
Is
rms
Is
pk
3
1 D
max
D
dt
:= Is
rms
13.313amp =
CorrienteACenelsecundario:
Is
ac
Is
rms
2
Io
max
2
:= Is
ac
10.674amp =
Inductanciaenelsecundario:
Ls Nsp
2
Lp :=
Ls 0.956 H =
3.1.3 MximoEstrsdeldiododesalida
Elvoltajemximopresenteenelctododeldiodoes:

Vd
max
Vi
max
Nsp Vo + := Vd
max
30.569V =
Estevoltajeestdentrodelrangodeoperacindeldiodopropuesto(MBR1045)
Pd Is
rms
Vd
fw
1 D
max
D
dt
( )
:=
Pd 3.613W =
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3.1.4 Capacitordesalidayvoltajedelrizado
Paracumplirlosrequerimientodelrizadodevoltajedesalidatenemosquecumplirlossiguientescriterios:
Debecumplirconladefinicindecapaticancia:
I C
dV
dt
dV 3% :=
Elrizadomximodesalidaes:
Vrp Vo dV 0.36V = :=
C Is
pk
T Ton
max
( )
Vrp
:= C 276.678F =
DebecumplirsequeellaResistenciaenSerieEquivalente(ESR)delcapacitordebeproveermenosdel
75%delmximorizadodesalida:
ESR
Vrp 0.75
Is
pk
:= ESR 8.08 10
3
=
3.1.5 CircuitoSnubber
Notodoelflujocreadoporelprimarioatraviesalabobinadelsecundario.Existeporlotantounfugaen
elflujocausadaporlainductanciadefugaLlk.CuandoelMOSFETestenelestadoencendido,adems
de almacenar energa en el transformador, se almacena tambin en la inductancia de fuga y cuando el
MOSFET pasa al estado de apagado, la energa almacenada en Llk ha de ser disipada o recuperada de
maneraque noseaelMOSFET elquelatengade disipar,soportandotensionesexcesivasquelollevea
su destruccin. La funcin bsica del Snubber es absorber la energa de la inductancia de fuga del
circuito.Uncapacitoresconectadoenparaleloconotroselementosdelcircuitoparacontrolarelvoltaje
queatraviesaesoselementos.
Como mencionamos anteriormente asumimos que la inductancia de fuga es un 5% la inductancia del

primario:
L
lk
0.05 Lp := L
lk
2.344 H =
Laenergaalmacenadaenlainductanciadefugaes:
E
lk
L
lk
Ip
pk
2
2
2.632 10
5
J = :=
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Lapotenciaalmacenadaes:
W
lk
E
lk
fs 5.263W = :=
ExistendiferentesmtodosparadisiparestaenergayreducirlospicoseneldrainenelMOSFET.Uncircuito
tpicoesunaresistenciayuncapacitorconectadosenserieentrelaentradadevoltajeyeldraindel
MOSFET.AproximadamentelamitaddelaenergadebeserdisipadaenelcircuitoSnubber:
C
sn
E
lk
2 F
spike
Vi
max
Vfm +
( )
2
:= C
sn
1.384nF =
EltiempoRCdebesermayorqueeltiempodeencendidodelaconmutacin:
R
sn
Ton
min
4C
sn
:= R
sn
331.789 =
3.1.6 DisipacindelMOSFET
EldrainsourceBreakdowndelMOSFET (Vdss)debesermayorde: Vds
max
261.6 V =
Ip
pk
4.739 A =
LacorrientecontinuadelDraindelMOSFET (Id)debesermayorde:
MOSFET:IRF840
Rds
on
0.85 := (Resistenciatotalentreelsourceyeldrainduranteelencendido25C)
(Capacitanciadesalida) Coss 350 pF :=
Qg
tot
40 n coul := (Cargatotalenelgate)
Qgd
miller
20 n coul := (CargadedrainMiller)
Vgs
th
2 V :=
(VoltajeThreshold)
DuplicamoselvalordelaresistenciaRdsyaquestaestdadaparaunatemperaturade25C,conestologramos
llevarlaaunvalormsrealparaunatemperaturade120C
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Pcon 2Rds
on
Ip
rms
2
D
max
2.076W = :=
Mximatemperaturaenlauninyrequerimientodeldisipador:
Mximatemperaturadeseada: Tj
max
140 := Celsius
Mximatemperaturaambiente: Ta
max
50 := Celsius
Resistenciatermaldelauninatemperaturaambiente:
ja
Tj
max
Ta
max
Pcon
:= ja 43.36
1
watt
=
Celsius
Silaresistenciatermalcalculadaesmenoralaespecificadaeneldatasheetsenecesitaundisipadorounrea
mayordecobre.
ja
mosfet
62.5
1
watt
:=
Celsius
(resistenciatermalenelMOSFET segndatasheet)
3.1.7 Diseodeltransformador
Eltransformadordebeserdiseadoparadisminuirlainductanciadefuga.Enmododeconduccin
discontinuolacorrientecruzacerodescargandototalmenteelncleoteniendomsprdidasde
ncleoqueenmododeoperacincontinuo.

Acontinuacinvemoslacurvadesaturacinparauntransformadoroperandoenmododiscontinuo.

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LapotenciaquemanejaelncleodeuntransformadorpuedeserdeterminadaporsuWaAc,dondeWa
eselreadisponibledelncleo,yAceselreaefectivadellaseccindelncleo.
LarelacindepotenciadesalidadelWaAcsepuedeobtenerdelaleydeFaraday:
E=4BAcNf10^8
Donde:
E=voltajeaplicado J=densidaddecorrienteamp/cm^2
B=densidaddeflujoengauss K=windingfactor
Ac=readelncleoencm^2 I=corriente(rms)
N=nmerodevueltas Po=potenciadesalida
f=frecuencia Wa=windowareaencm^2
Seleccindelamximadensidaddecorrientedeloembobinados:(280
390amp/cm^2,400500circularmils/amp)
J 390
amp
cm
2
:=
Pgina20de38
1
J
505.74
cir_mil
amp
= cir_mil 5.07 10
6
cm
2
:=
windingfactor: K 1 :=
Seleccindelmaterialdelncleoyflujomximodedensidad:
Seasumequeparaaltafrecuencia(fs>>25KHz)elfactordelimitacinsonlasprdidasenelncleo,ylas
altastemperaturadeltransformador.
EscogimoselmaterialPyaqueeselmsusadoparastetipodeaplicacionesdeconvertidores:
Pmaterialtienelamsbajaprdidasen70C80C.
Aaltasfrecuenciasesnecesarioajustarladensidaddeflujoparalimitarlatemperaturadelncleo:limitarla
densidaddeprdidasdelncleoa100mW/cm^3vaapermitirquelatemperaturanosubaamsde40C.
Usandolasiguientefrmulaparaescogerelvalormsapropiadodelmximadensidaddeflujo:
mW/cm^3
Mximadensidaddeprdidasdelncleo: Pcored 250 :=
materialP:
a=0.158 b=1.36 c=2.86 frecuenciaf<100kHz
a=0.0434 b=1.63 c=2.62 frecuencia100kHz<f<500kHz
a=7.36*10^7 b=3.47 c=2.54 frecuenciaf>500kHz
a1 0.0434 := b1 1.63 := c1 2.62 :=
===>
B
Pcored
a1
fs
kHz
b1
1
c1
10
3
gauss :=
B 1.009 10
3
gauss =
B 1.009 10
3
gauss = B 2.017 10
3
gauss = B B 2 :=
Kt
0.00033
1.97
10
3
0.168 = := Constantedetopologa: (Flybackdeunasolasalida)
WaAc
Po
max
Kt B fs J
:= WaAc 0.379 cm
4
=
WaAc 0.379 cm
4
= Seleccionamoselncleoconunproductodereamayorde:>
NcleoSeleccionado:
Fabricante: Magnetics
Material: P
Forma: EEcore
Partnumber: 42515EC
reaNcleo: Ae
reaBobina: Wa
VolumenNcleo: Ve
Windowlength Iw
Areaproduct:Used>
Inductanciapor1000vueltas:
Longituddevueltas:
Ae 40.1mm
2
0.401 cm
2
= :=
Wa 0.716cm
2
:= (BobinaB251501)
lw 73.5mm 7.35 cm = :=
Ve 2950mm
3
2.95 cm
3
= :=
Ae Wa 0.287 cm
4
=
Al 940mH :=
Lt 45.4mm 4.54 cm = :=
InductanciaPrimaria:Nmerodevueltas
Np
c
Lp Ip
pk
B Ae
:= Np
c
27.459 =
Redondeandoalvalorprximamayortenemos: Np 28 :=
InductanciaSecundaria:Nmerodevueltas
Ns
c
Np
N
ratio
:= Ns 4 := Ns
c
4 =
DistanciadelAirgap
Ladistanciadelairgapesproporcionalalaseccinefectivadelgap(Ag).
Pgina21de38

Lg Ag
Ae
cm
2
lgap
o
cm
henry
Np
2
Ag
Lp
henry

Ag
Ae
cm
2
1
lgap
Ae
cm
2
log
2
lw
cm
lgap

i 0 4 .. for
lgap ( ) cm
:=

Lg 1.169 mm = (Airgap)
Seleccindelcableprimarioysecundario:
J 390
amp
cm
2
= Mximadensidaddecorriente:
CorrienteprimariaRMS: Ip
rms
1.739 amp =
Primario:
Wp
cu
Ip
rms
J
:=
porreadelcable:
Wp
cu
4.45810
3
cm
2
=
AWGp 4.2 ln
Wp
cu
cm
2
:= calibredelconductor: (Aproximandodelatablade
conductoresAWG,params
precisin)
AWGp 22.734 =
AWG
Lp
21 := CablePrimarioelegido: Calibre
Wa
Lp
5.00 10
3
cm
2
:= Barearea(cobremsaislamiento)
Wcu
Lp
4.11 10
3
cm
2
:= AreadelCobre:
Dimetro: Dcu
Lp
0.072 cm :=
Pgina22de38
Secundario:
Pgina23de38

porreadelcable: Ws
cu
Is
rms
J
:= Ws
cu
34.13510
3
cm
2
=
AWGs 4.2 ln
Ws
cu
cm
2
:=
AWGs 14.185 =
calibredelconductor:
AWG
Ls
12 :=
CableSecundarioelegido: Calibre
Wa
Ls
37.3 10
3
cm
2
:= Barearea(cobremsaislamiento)
Wcu
Ls
37.0510
3
cm
2
:= AreadelCobre:
Dimetro: Dcu
Ls
0.105 cm :=
Prdidasenelncleo:
Pcore Ve
B
10
3
gauss
c1
a1
fs
kHz
b1
10
3
watt
cm
3
:=
Pcore 0.737 W =
4 DIAGRAMADELCIRCUITOCONVERTIDORFLYBACK
A continuacin se muestra el diagrama del circuito convertidor flyback, con su respectivo controlador
porvoltaje.
Figura8.DiagramadelconvertidorFlyback
Enestediagramasedestacan:
ElcircuitoSnubbersombreadoenmorado,conectadoentreeldrenadordelMOSFETyentrada
devoltaje.
El circuito de control, sombreado en verde, conectado entre la compuerta del MOSFET y la
salidadelcircuitodelFlybackmedianteunlazoderetroalimentacin.
Lacargaconectadaalasalida,sombreadaenrojo.
Loscomponentesprincipalesdeestecircuitoelegidosson:
MOSFET,marcaMotorolaRF840.EsteMOSFETpuedesersustituidoporelFairchildFQP9N50C.
DiodoSchottky,marcaONSemiconductorMBR1045.
OPAMPs,Capacitoresyresistencias,marcaVishay.

Pgina24de38
5 SIMULACIONES
SerealizaronlassiguientessimulacionesdelcircuitoflybackdelaFigura8enelOrcadPSPICEv.16,para
constatarelcorrectofuncionamientodelcircuitodiseado.
5.1 FuncionamientodelConvertidorFlybackenestadoestable.
Time
1.276ms 1.278ms 1.280ms 1.282ms 1.284ms 1.286ms 1.288ms 1.275ms 1.290ms
V(ABM5:OUT) V(ABM5:IN2) V(ABM5:IN1)
0V
10V
20V
25V
C
o
n
t
r
o
l
ON OFF ON OFF ON OFF ON
I(D7) ID(M7)
10.0A
20.0A
30.0A
-2.4A
I

S
a
l
i
d
a
SEL>>
Corriente en Secundario
Corriente en Primario
V(TX7:2,0)
0V
100V
200V
300V
400V
500V
V
o
l
t
a
j
e

M
O
S
F
E
T
Figura9.FuncionamientoconvertidorFlybackenDCM
Vin=120V;Po=70W
EnlagrficasuperiordelaFigura9seobservaelvoltajedrainsourceenelMOSFET.Comoseobservael
niveldevoltajesemantienedentrodelrangoprevistoparaestedispositivo.
En la segunda grfica se muestran las corrientes de los inductores primario, en rojo, y secundario en
verde. Adems, se puede apreciar el funcionamiento en modo de conduccin discontinuo (DCM) del
circuito flyback, luego de la descarga del inductor secundario hay un intervalo de tiempo donde no se
produceconduccindecorriente,ambascorrientesprimariaysecundariapermanecenencerohastael
siguienteestadoencendidodelMOSFET.
PorltimosemuestraeltrendepulsosdecontrolalasalidadelcomparadorPWM.Lasealcolorrojo
eselvoltajeresultantedelamplificadordeerror.
Pgina25de38
5.2 Efectos de la regulacin proporcional en el circuito del convertidor
Flyback
A continuacin analizaremos los efectos que tiene la integracin del control por voltaje en el
comportamientodelconvertidorFlyback.Estecontrolesdeltipoproporcional.
Time
2.235ms 2.240ms 2.245ms 2.250ms 2.255ms 2.260ms 2.265ms 2.270ms 2.275ms 2.280ms 2.285ms
V(ABM5:OUT) V(ABM5:IN1) V(V18:+)
0V
10V
20V
25V
C
o
n
t
r
o
l
SEL>>
Voltaje Control Proporcional
V(R25:2) AVG(V(R25:2))
12.00V
12.25V
12.50V
11.80V
V

s
a
l
i
d
a
Ripple < 3 % (+/- 0.36 V)
Voltaje de Salida:
Voltaje Promedio = 12.04 V
Figura10.RegulacindeVoltaje
Vin=120V;R
L
=2.05ohm(Po=70W)
En la grfica se puede apreciar el funcionamiento del sistema de control proporcional que estamos
utilizando:
Cuandoelvoltajeenlasalidaestpordebajodelvalornominal(12V),lasealdevoltajeproporcional
subesunivelaumentandoeltiempodeencendidoyprovocandoelaumentoenelvoltajedesalida.Se
produce el proceso inverso cuando el voltaje de salida es mayor al valor nominal. El voltaje salida se
mantieneoscilandoalrededordelpuntonominal.
Enlasfigura10semuestraelvalorpromediodelvoltajeluegode2ms,Vo
AVG
=12.04V.
Enlasfiguras11,12y13,acontinuacin,semuestraunacomparacin,entreelcircuitocontroladoysin
control, del tiempo que toma al circuito alcanzar el estado estable con cargas constantes para los
distintosestadosdeoperacindevoltajedeentradaycarga.
Pgina26de38
Time
0s 0.2ms 0.4ms 0.6ms 0.8ms 1.0ms 1.2ms 1.4ms 1.6ms 1.8ms 2.0ms
V(ABM5:out) V(ABM5:IN1)
0V
10V
20V
25V
C
o
n
t
r
o
l
Nivel Proporcional de Control Duty Cycle Regulado
V(m8:g)
0V
10V
20V
25V
C
o
n
t
r
o
l
Duty Cycle Constante
V(d8:2) V(r25:2)
0V
4V
8V
12V
16V
V
o
l
t
.

S
a
l
i
d
a
SEL>>
Voltaje s/ Regulacion
Voltaje c/ Regulacion
Figura11.ComparacindeFlybackconControlvs.FlybacksinControl
Vin=120V;R
L
=2.05ohm(Po=70W)
Time
0V
10V
20V
25V
C
o
n
t
r
o
l
Duty Cycle Regulado Nivel Proporcional de Control
V(m8:g)
0V
10V
20V
25V
C
o
n
t
r
o
l
V(d8:2) V(r25:2)
0V
4V
8V
12V
16V
V
o
l
t
.

S
a
l
i
d
a
SEL>>
Vin=130V;R
L
=3.6ohm(Po=40W)
Pgina27de38
Time
0V
10V
20V
25V
C
o
n
t
r
o
l
Nivel Proporcional de Control Duty Cycle Regulado
V(m8:g)
0V
10V
20V
25V
C
o
n
t
r
o
l
V(d8:2) V(r25:2)
0V
4V
8V
12V
16V
V
o
l
t
.

S
a
l
i
d
a
SEL>>
Vin=110V;R
L
=1.4ohm(Po=100W)
Comosepuedeobservarparalostrescasoselcircuitocontroladoesmuchomsefectivoqueelcircuito
de control, ya que mantiene el voltaje de operacin alrededor del nivel nominal de operacin. El
circuitosincontrolnoescapazdemantenerunvoltajeconfiable.
5.3 Efectodelcambioenlacarga
Acontinuacinexaminaremoselefectoquetienelavariacindelacargatantoenelcircuitocontrolado
comoenelflybacksincontrol.
Seanalizarnlossiguientescasos:
1. Aumento de la carga en los estados de operacin de voltajes de entrada mnimo (110 V),
nominal(120V)ymximo(130V)
2. Disminucindelacargaenlosestadosdeoperacindevoltajesmnimo,nominalymximo.
Pgina28de38
Time
V(d8:2) V(r25:2)
6V
8V
10V
12V
14V
16V
18V
V
o
l
t
a
j
e

d
e

S
a
l
i
d
a
Cambio de carga de 70-100W
Vin=110V;Po=70W+30W@1.5ms
Time
1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms
V(r25:2) V(D8:2)
6V
8V
10V
12V
14V
16V
18V
V
o
l
t
a
j
e

S
a
l
i
d
a
Cambio de carga 70 - 100 W
Pgina29de38
Time
V(d8:2) V(r25:2)
6V
8V
10V
12V
14V
16V
18V
V
o
l
t
a
j
e

d
e

S
a
l
i
d
a
Cambio de carga de 70-100W
Como se observa de las grficas anteriores flyback con control por voltaje realiza un trabajo aceptable
en mantener el voltaje de salida alrededor del nivel nominal. No as el flyback sin control, el cual en
todos los casos examinados tiene una cada en el nivel de voltaje considerable ante un aumento
repentinodecarga.
Pgina30de38
Time
V(d8:2) V(r25:2)
6V
8V
10V
12V
14V
16V
18V
V
o
l
t
a
j
e

S
a
l
i
d
a
Cambio de carga 70 - 30 W Voltaje c/ Regulacion
Vin=110V;Po=70W+(30W)@1.5ms
Time
1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms
V(r25:2) V(D8:2)
6V
8V
10V
12V
14V
16V
18V
V
o
l
t
a
j
e

S
a
l
i
d
a
Vin=120V;Po=70W+(30W)@1.5ms
Pgina31de38
Time
V(d8:2) V(r25:2)
6V
8V
10V
12V
14V
16V
18V
V
o
l
t
a
j
e

S
a
l
i
d
a
Vin=130V;Po=70W+(30W)@1.5ms
Para los casos de disminucin de potencia, el flyback controlado es sumamente eficiente en el control
devoltaje,ylogramantenerelnivelenlasalidadentroderangosaceptables.Elflybacksincontrolfalla
nuevamenteenmantenerelniveldevoltajedesalida.
Pgina32de38
Pgina33de38
6 CONCLUSIN
Luegodiscutirlasvirtudesdelasfuentesconmutablesaisladas,enespeciallasdelconvertidorFlyback,y
analizar y simular circuitos de este tipo con control y sin este, hemos podido observar marcadas
diferenciasenelcomportamientodelconvertidorenuncasoyelotro.
Entodosloscasosdeestudio,seobtuvieronmejoresrespuestasdelconvertidorantelasvariacionesen
losvoltajesalaentradadelafuenteyantecambiosbruscosdelacargaconectadacuandoseutilizel
controlporvoltaje.
ElFlybackconcontrolporvoltajeesunaalternativaeconmicaydefcilimplementacinparautilizarse
como fuente aislada de baja potencia. Adems, por tener un transformador provee una barrera de
proteccinentrelosnivelesdevoltajedelafuenteylosdelacarga.

Pgina34de38
7 REFERENCIAS
1. M.Brown,PracticalSwitchingPowerSupplyDesign.SanDiego:AcademicPress.1990
2. K.H.Billings,SwitchmodePowerSupplyHandbook.NuevaYork:McGrawHill,1989.
3. N.Mohan,FirstCourseonPowerElectronics.Minneapolis:MNPERE,2007.
4. D.W.Hart,ElectrnicadePotencia,Vuelapluma,Trad.,Madrid:PrenticeHall,2001.
5. N. Mohan, T. Undeland y W. Robbins, Power Electronics: converters, applications and design.

2da.ed.NewYork:WileyandSons,1995.

Pgina35de38
8 APNDICES
8.1 DataSheetMOSFET

14E D I 6367254 0089709 3 I
r-- ---=7-----'j31-
1
3
IRF840 _
IRF841
IRF842
IRF843
XSTRS/R F
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR---"--1
TECHNICAL DATA
MOTOROLA SC
II
snul
PlH1.GATE
''''''N
''''''''''
."""
CASE 221A04
TO-220AB
hOTiS'
t OIME.IIS1ONl.\G Ahll TOtEiIA.'IClHG PER AHSl
Y1.t.W,.I382.
t COMTIlOUl.'tQ Dl,1,tf"-soN. LItCH.
3.
lEADlftGlx....p,mEsARE AU.OWEO
G
o
s
Pert Number
VOSS 'OS(on) 10
IRF840 500 V 0.850 8.0A
IRF841 450V 0.850 8.0 A
IRF842 500 V 1.100 7.0A
IRF843 450 IJ 1.100 7.0A
'C
'CNI
275
1.0
62.5
RBJC
RBJA
S
THERMAL CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
N-CHANNEL ENHANCEMENTMODE SILICON GATE
TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
1r
TMOS
These TMOS Power FETs are designed for high voltage. high
speed power switching applications such as switching regulators.
converters, solenoid and relay drivers.
Silicon Gate for Fast Switching Speeds
Low rOSlon) to Minimize On-Losses. Specified at Elevated
Temperature
Rugged - SOA is Power Dissipation Limited
Source-to-Orain Diode Characterized for Use With
Inductive Loads
Maximum Lead Temp. for
Soldering Purposes, 1/8"
from Case for 5 Seconds
Thermal Resistance
Junction to Case
Junction to Ambient
See the MTPSN45 Designer's Data Sheet for a complete set of design curves for the
product on this data sheet.
The Designer'S Dala Sheet permits the design of most circuits entirely from the infor-
maticn presented. Limit curves - representing boundaries on device characteristics-
are given to facilitate worst case" design.
IRF
Rating Symbol Unit
840 841 842 843
Drain-Source Voltage VOSS 500 450 500 450 Vdc
OrainGate Voltage VOGR 500 450 500 450 Vdc
IRGS = 1.0 mil)
Gate-Source Voltage VGS
20 Vdc
Orein Current Ada
Continuous 10 8.0 7.0
Pulsed 10M 32 28
Total Power Dissipation Po
@TC=25'C 125 Wetts
Derate above 25'C 1.0 wrc
Operating and Storage TJ. Tstg -55 to 150 'c
Temperature Range
MOTOROLA TMOS POWER MOSFET DATA
3-143
MOTOROLA SC
XSTRSJR F r .. ~ q - J 3 14E D I 6361254 0089110 T I
IRF840-843
ELECTRICAL CHARACTERISTICS lTC= 25C unless otherwise noted)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Symbol Min Max Unit
Drain-Source Breakdown Voltage VlBR)OSS
Vdc
(VGS = O. 10 = 0.25 mAl IRFB41. IRF843 450 -
IRF840. IRF842 500 -
Zero Gate Voltage Drain Current lOSS mAde
(VOS =Rated VOSS. VGS =0) - 0.25
(VOS = 0.8 Rated VOSS. VGS = O. TJ = 125C) - 1.00
Gate-Body Leakage Current, Forward IGSSF - 500 nAdc
(VGSF = 20 Vdc. VOS =0)
Gate-Body Leakage Current, Reverse IGSSR - 500 nAdc
IVGSR = 20 Vdc, VOS = 0)
ON CHARACTERISTICS'
Gate Threshold Voltage VGSlth)
2.0 4.0 Vdc
(VOS =VGS, 10 =0.25 mAl
Static Drain-Source On-Resistance rOSl on) Ohm
(VGS = 10 Vdc. 10 = 4.0 Adc) IRF840. IRF841 - 0.85
IRF842, IRF843 - 1.0
On-State Drain CurrentlVGS = 10 VI 1010n) Adc
(VOS ;;. 6 8 Vdc) IRF840, IRF841 8.0
-
(VOS ;;. 7.0 Vdc) IRF842, IRF843 7.0 -
Forward Transconductance
9FS
mhos
(VOS;;' 6.8 V, 10 = 4.0 A) IRF840.IRF841 4.0 -
(VOS;;' 7.0 V. 10 = 4.0 A) IRF842. IRF843 4.0 -
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance Ciss - 1600 pF
Output Capacitance
IVoS = 25 V, VGS =O.
Coss
- 350
t = 1.0 MHz)
Reverse Transfer Capacitance C
rss
- 150
SWITCHING CHARACTERISTICS'
Turn-On Delay T,me td(on) - 35 ns
Rise Time
(VOO = 200 V, 10 = 4.0 Apk. tr - 15
Turn-Olt Delay Time
R
gen
= 4.7 Ohms)
td(olt) - 90
Fall Time tt - 30
Total Gate Charge Og 40 (Typ) 60 nC
Gate-Source Charge
lVGS = 10 V. VOS = 0.8 "
Ogs
201Typ)
RatedVoss. 10 = Rated 10)
-
Gate-Drain Charge
gd
20 (Typ)
-
SOURCE DRAIN DIODE CHARACTERISTICS'
Forward On-Voltage
(Is = Rated 10,
VSD -
I
1.9 (1)
I
Vdc
Forward Turn-On Time VGS = 0) ton Limited by stray inductance
Reverse Recovery Time t
rr
600 (Typ) I
- I
ns
INTERNAL PACKAGE INDUCTANCE (TO220)
Internal Drain Inductance
l.d
nH
(Measured from the contact screw on tab to center of die) 3.6 (Typ) -
(Measured from the drain lead 0.25" from package to center of die) 4.5 (Typ) -
Internal Source Inductance L
s
7.6 (Typ) -
(Measured from the source lead 0.25" from package to source bond pad)
"Pulse Test: Pulse Width'" 300 /,5, Duty Cycle", 2.0%.
III Add 0.1 Vfor IRF840 and IRFB41.
MOTOROLA TMOS POWER MOSFET DATA
3144
Pgina36de38
8.2 DatasheetDiodo

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004
September, 2004 Rev. 4
1 Publication Order Number:
MBR1035/D
MBR1035, MBR1045
MBR1045 is a Preferred Device
SWITCHMODE
Power Rectifiers
The MBR1035/45 uses the Schottky Barrier principle with a
platinum barrier metal. These stateoftheart devices have the
following features:
Features
PbFree Packages are Available*
Guardring for Stress Protection
Low Forward Voltage
150C Operating Junction Temperature
Epoxy Meets UL 94 V0 @ 0.125 in
Mechanical Characteristics
Case: Epoxy, Molded
Weight: 1.9 grams (approximately)
Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal
Leads are Readily Solderable
Lead Temperature for Soldering Purposes:
260C Max. for 10 Seconds
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage MBR1035
MBR1045
V
RRM
V
RWM
V
R
35
45
V
Average Rectified Forward Current
(Rated V
R
, T
C
= 135C)
I
F(AV)
10 A
Peak Repetitive Forward Current,
(Rated V
R
, Square Wave,
20 kHz, T
C
= 135C)
I
FRM
20 A
NonRepetitive Peak Surge Current
(Surge Applied at Rated Load Conditions
Halfwave, Single Phase, 60 Hz)
I
FSM
150 A
Peak Repetitive Reverse Surge Current
(2.0 ms, 1.0 kHz) See Figure 11
I
RRM
1.0 A
Storage Temperature Range T
stg
65 to +175 C
Operating Junction Temperature T
J
65 to +150 C
Voltage Rate of Change
(Rated V
R
)
dv/dt
10,000
V/ms
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur
and reliability may be affected.
*For additional information on our PbFree strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Device Package Shipping
ORDERING INFORMATION
MBR1035 TO220
TO220AC
CASE 221B
PLASTIC
50 Units/Rail
3
4
1
SCHOTTKY BARRIER
RECTIFIERS
10 AMPERES
35 to 45 VOLTS
MBR1045 TO220 50 Units/Rail
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
3 1, 4
MARKING
DIAGRAM
http://onsemi.com
MBR1035G TO220
(PbFree)
50 Units/Rail
MBR1045G TO220
(PbFree)
50 Units/Rail
AY WW
B10x5
A = Assembly Location
Y = Year
WW = Work Week
B10x5 = Device Code
x = 3 or 4
MBR1035, MBR1045
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic Symbol Value Unit
Maximum Thermal Resistance, JunctiontoCase R
qJC
2.0 C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
(i
F
= 10 Amps, TC = 125C)
(i
F
= 20 Amps, T
C
= 125C)
(i
F
= 20 Amps, T
C
= 25C)
v
F
0.57
0.72
0.84
Volts
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 1)
(Rated dc Voltage, T
C
= 125C)
(Rated dc Voltage, T
C
= 25C)
i
R
15
0.1
mA
1. Pulse Test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle 2.0%.
Figure 1. Maximum Forward Voltage
1.2
v
F
, INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
100
70
5.0
10
3.0
i
F
,

I
N
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S

F
O
R
W
A
R
D

C
U
R
R
E
N
T

(
A
M
P
S
)
1.0
0.6 0.2 0.4 0.8 1.0 1.4
2.0
20
0.1
0.5
0.7
30
7.0
0.3
50
T
J
= 150C
Figure 2. Typical Forward Voltage
0.2
1.2
v
F
, INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
100
70
5.0
10
3.0
i
F
,

I
N
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S

F
O
R
W
A
R
D

C
U
R
R
E
N
T

(
A
M
P
S
)
1.0
0.6 0.2 0.4 0.8 1.0 1.4
2.0
20
0.1
0.5
0.7
30
7.0
0.3
50
T
J
= 150C
0.2
100C
25C
100C
25C
MBR1035, MBR1045
http://onsemi.com
3
5.0 15 0
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
10
1.0
0.1
0.01
0.001
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
10 1.0
200
100
50
30
20
3.0 10
,

R
E
V
E
R
S
E

C
U
R
R
E
N
T

(
m
A
)
I
R
20 30 25
100
2.0 100
70
I
F
S
M
,

P
E
A
K

H
A
L
F
W
A
V
E

C
U
R
R
E
N
T

(
A
M
P
S
)
35 40 50 45
Figure 3. Maximum Reverse Current Figure 4. Maximum Surge Capability
7.0 5.0 30 20 70 50
T
J
= 150C
125C
100C
75C
25C
(CAPACITIVELOAD)
I
PK
I
AV
+5
110
T
C
, CASE TEMPERATURE (C)
15
10
5.0
0
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (C)
80 0
16
8.0
4.0
2.0
0
40 120
,

A
V
E
R
A
G
E

F
O
R
W
A
R
D

C
U
R
R
E
N
T

(
A
M
P
S
)
I
F
(
A
V
)
130 140
20
20 160
6.0
150 160
Figure 5. Current Derating, Infinite Heatsink Figure 6. Current Derating, R
qJA
= 16C/W
60 120 100 140
2.0 0
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
8.0
5.0
4.0
2.0
0
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (C)
80 0
5.0
4.0
2.0
1.0
0
40 4.0
,

A
V
E
R
A
G
E

F
O
R
W
A
R
D

P
O
W
E
R

D
I
S
S
I
P
A
T
I
O
N

(
W
A
T
T
S
)
P
F
(
A
V
)
6.0 10 8.0
10
20 160
3.0
I
F
(
A
V
)
,

A
V
E
R
A
G
E

F
O
R
W
A
R
D

C
U
R
R
E
N
T

(
A
M
P
S
)
12 16 14
Figure 7. Forward Power Dissipation Figure 8. Current Derating, Free Air
60 120 100 140
,

A
V
E
R
A
G
E

F
O
R
W
A
R
D

C
U
R
R
E
N
T

(
A
M
P
S
)
I
F
(
A
V
)
14
10
12
3.0
1.0
9.0
7.0
6.0
dc
T
J
= 150C
SINE WAVE
RESISTIVE LOAD
SQUARE
WAVE
(CAPACITIVELOAD)
I
PK
I
AV
+5
20
10
RATED VOLTAGE APPLIED
dc
SQUARE
WAVE
20
10
I
PK
I
AV
+p(RESISTIVELOAD)
(CAPACITIVELOAD)
I
PK
I
AV
+20, 10, 5
dc
SQUARE
WAVE
I
PK
I
AV
+p(RESISTIVELOAD)
dc
SQUARE
WAVE
I
PK
I
AV
+p(RESISTIVELOAD)
(CAPACITIVELOAD)
I
PK
I
AV
+20, 10, 5
R
qJA
= 60C/W
MBR1035, MBR1045
http://onsemi.com
4
r
(
t
)
,

T
R
A
N
S
I
E
N
T

T
H
E
R
M
A
L

R
E
S
I
S
T
A
N
C
E
(
N
O
R
M
A
L
I
Z
E
D
)
0.01 0.1 1.0 10 100
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
t, TIME (ms)
0.5
0.3
0.2
1.0
P
pk
P
pk
t
p
t
1
TIME
DUTY CYCLE, D = t
p
/t
1
PEAK POWER, P
pk
, is peak of an
equivalent square power pulse.
DT
JL
= P
pk
R
qJL
[D + (1 D) r(t
1
+ t
p
) + r(t
p
) r(t
1
)] where:
DT
JL
= the increase in junction temperature above the lead temperature.
r(t) = normalized value of transient thermal resistance at time, t, i.e.:
r(t
1
+ t
p
) = normalized value of transient thermal resistance at time,
t
1
+ t
p
.
1000
Figure 9. Thermal Response
0.07
0.7
HIGH FREQUENCY OPERATION
Since current flow in a Schottky rectifier is the result of
majority carrier conduction, it is not subject to junction
diode forward and reverse recovery transients due to
minority carrier injection and stored charge. Satisfactory
circuit analysis work may be performed by using a model
consisting of an ideal diode in parallel with a variable
capacitance. (See Figure 10)
Rectification efficiency measurements show that
operation will be satisfactory up to several megahertz. For
example, relative waveform rectification efficiency is
approximately 70 percent at 2.0 MHz, e.g., the ratio of dc
power to RMS power in the load is 0.28 at this frequency,
whereas perfect rectification would yield 0.406 for sine
wave inputs. However, in contrast to ordinary junction
diodes, the loss in waveform efficiency is not indicative of
power loss; it is simply a result of reverse current flow
through the diode capacitance, which lowers the dc output
voltage.
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.5
1500
1000
500
300
150
0.1 0.05 50
700
C
,

C
A
P
A
C
I
T
A
N
C
E

(
p
F
)
Figure 10. Capacitance
0.2 2.0 1.0 5.0
200
MAXIMUM
TYPICAL
10 20
2.0 ms
1.0 kHz
12 V 100
V
CC 12 Vdc
2N2222
CURRENT
AMPLITUDE
ADJUST
010 AMPS
100
CARBON
2N6277
1.0 CARBON
1N5817
D.U.T.
2.0 kW
+150 V, 10 mAdc
4.0 mF
+
Figure 11. Test Circuit for dv/dt and Reverse Surge Current
MBR1035, MBR1045
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
TO220
PLASTIC
CASE 221B04
ISSUE D
B
R
J
D
G
L
H
Q
T
U
A
K
C
S
4
1 3
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERS INCHES
A 0.595 0.620 15.11 15.75
B 0.380 0.405 9.65 10.29
C 0.160 0.190 4.06 4.82
D 0.025 0.035 0.64 0.89
F 0.142 0.147 3.61 3.73
G 0.190 0.210 4.83 5.33
H 0.110 0.130 2.79 3.30
J 0.018 0.025 0.46 0.64
K 0.500 0.562 12.70 14.27
L 0.045 0.060 1.14 1.52
Q 0.100 0.120 2.54 3.04
R 0.080 0.110 2.04 2.79
S 0.045 0.055 1.14 1.39
T 0.235 0.255 5.97 6.48
U 0.000 0.050 0.000 1.27
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
F
MBR1035, MBR1045
http://onsemi.com
6
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice
to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability
arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.
Typical parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All
operating parameters, including Typicals must be validated for each customer application by customers technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights
nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should
Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates,
and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death
associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal
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USA/Canada
Japan: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
291 Kamimeguro, Meguroku, Tokyo, Japan 1530051
Phone: 81357733850
MBR1035/D
SWITCHMODE is a trademark of Semiconductor Components Industries, LLC.
LITERATURE FULFILLMENT:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 61312, Phoenix, Arizona 850821312 USA
Phone: 4808297710 or 8003443860 Toll Free USA/Canada
Fax: 4808297709 or 8003443867 Toll Free USA/Canada
Email: orderlit@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
Order Literature: http://www.onsemi.com/litorder
For additional information, please contact your
local Sales Representative.
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Datasheets for electronics components.
Pgina37de38
8.3 DatasheetCapacitores

www.vishay.com For technical questions contact: aluminumcaps1@vishay.com Document Number: 28322
178 Revision: 19-Dec-07
140 RTM
Vishay BCcomponents
Aluminum Capacitors
Radial, High Temperature Miniature
FEATURES
Polarized aluminum electrolytic capacitors,
non-solid electrolyte
Radial leads, cylindrical aluminum case with
pressure relief, insulated with a blue sleeve
Charge and discharge proof
Very long useful life:
2500 to 4000 h at 125 C, high stability, high reliability
Extended temperature range up to 125 C
High ripple current capability
Lead (Pb)-free versions are RoHS compliant
APPLICATIONS
EDP, telecommunication, industrial, automotive and
military
Smoothing, filtering, buffering in SMPS
High ambient temperature environments
MARKING
The capacitors are marked (where possible) with the
following information:
Rated capacitance value (in F)
Tolerance on rated capacitance, code letter in accordance
with IEC 60062 (M for 20 %)
Rated voltage (in V)
Date code, in accordance with IEC 60062
Code indicating factory of origin
Name of manufacturer
Upper category temperature (125 C)
Negative terminal identification
Series number (140)
QUICK REFERENCE DATA
DESCRIPTION VALUE
Nominal case sizes ( D L in mm) 10 12 to 18 31
Rated capacitance range, C
R
22 to 4700 F
Tolerance on C
R
20 %
Rated voltage range, U
R
6.3 to 63 V
Category temperature range - 55 to + 125 C
Endurance test at 125 C 2000 h
Useful life at 125 C 2500 to 4000 h
Useful life at 40 C, 1.6 I
R
applied 300 000 h
Shelf life at 0 V, 125 C 500 h
Based on sectional specification IEC 60384-4/EN130300
Climatic category IEC 60068 55/125/56
Fig.1 Component outline
148 RUS 150 RMI
longer life
lower Z
140 RTM
125 C
105 C
SELECTION CHART FOR C
R
, U
R
AND RELEVANT NOMINAL CASE SIZES ( D x L in mm)
C
R
(F)
U
R
(V)
6.3 10 16 25 35 50 63
22 - - - - - - 10 x 12
47 - - - - - 10 x 12 10 x 12
100 - - - - 10 x 12 10 x 16 10 x 20
220 - - 10 x 12 10 x 16 10 x 16 12.5 x 20 16 x 20
330 - 10 x 12 10 x 16 10 x 20 - 12.5 x 20 16 x 20
470
- 10 x 16 10 x 16 10 x 20 12.5 x 20 12.5 x 25 16 x 25
- - - - - 16 x 20 -
1000
- 10 x 20 12.5 x 20 12.5 x 25 16 x 25 16 x 31 18 x 31
- - - 16 x 20 - - -
1200 10 x 16 - - - - -
2200
10 x 20 12.5 x 25 16 x 25 16 x 31 18 x 31 - -
- 16 x 20 - - - - -
3300 - 16 x 25 16 x 31 18 x 31 - - -
4700 - 16 x 31 18 x 31 - - - -
RoHS
COMPLIANT

Document Number: 28322 For technical questions contact: aluminumcaps1@vishay.com www.vishay.com
Revision: 19-Dec-07 179
140 RTM
Aluminum Capacitors
Vishay BCcomponents
DIMENSIONS in millimeters, AND AVAILABLE FORMS
Table 1
Note
1. Detailed tape dimensions see section PACKAGING
L
F
O d
D
15
min
5
min
+
-
Fig. 2 Form CA: Long leads Fig. 3 Form CB: Cut leads
D
d
+ -
4
+ 1
0
F
Fig. 4 Form TFA: Taped in box (ammopack)
DIMENSIONS in millimeters, MASS AND PACKAGING QUANTITIES
NOMINAL
CASE SIZE
D x L
CASE
CODE
d D
max
L
max
F
MASS
(g)
PACKAGING QUANTITIES
FORM
CA
FORM
CB
FORM
TFA
10 x 12 14 0.6 10.5 13.5 5.0 0.5 1.6 1000 500 800
10 x 16 15 0.6 10.5 17.5 5.0 0.5 1.9 500 500 800
10 x 20 16 0.6 10.5 22.0 5.0 0.5 2.2 500 500 800
12.5 x 20 17 0.6 13.0 22.0 5.0 0.5 4.0 500 500 500
12.5 x 25 18 0.6 13.0 27.0 5.0 0.5 5.0 250 250 500
16 x 20 19a 0.8 16.5 22.0 7.5 0.5 6.0 250 250 250
16 x 25 19 0.8 16.5 27.0 7.5 0.5 8.0 250 250 250
16 x 31 20 0.8 16.5 33.5 7.5 0.5 9.0 100 100 250
18 x 31 1831 0.8 18.5 33.5 7.5 0.5 12.5 100 100 -

140 RTM
Vishay BCcomponents
Aluminum Capacitors

Note
1. Unless otherwise specified, all electrical values in Table 2 apply
at T
amb
= 20 C, P = 86 to 106 kPa, RH = 45 to 75 %
ORDERING EXAMPLE
Electrolytic capacitor 140 series
220 F/25 V; 20 %
Nominal case size: 10 16 mm; Form TFA
Ordering Code: MAL214036221E3
Former 12NC: 2222 140 36221
ELECTRICAL DATA
SYMBOL DESCRIPTION
C
R
rated capacitance at 100 Hz, tolerance 20 %
I
R
rated RMS ripple current at 100 kHz, 125 C
I
L1
max. leakage current after 1 min at U
R
Tan max. dissipation factor at 100 Hz
Z max. impedance at 100 kHz
ELECTRICAL DATA AND ORDERING INFORMATION
U
R
(V)
C
R
100 Hz
(F)
NOMINAL
CASE SIZE
D L
(mm)
I
R
100 kHz
125 C
(mA)
I
L1
1 min
(A)
Tan
100 Hz
Z
100 kHz
+ 20 C
()
Z
100 kHz
- 40 C
()
ORDERING CODE
MAL2140 .....
BULK PACKAGING TAPED
FORM CA FORM CB FORM TFA
6.3
1200 10 16 760 79 0.28 0.15 1.10 53122E3 63122E3 33122E3
2200 10 20 850 142 0.28 0.12 0.85
53222E3
63222E3 33222E3
10
330 10 12 480 36 0.20 0.200 1.40 54331E3 64331E3 34331E3
470 10 16 760 50 0.20 0.150 1.10 54471E3 64471E3 34471E3
1000 10 20 850 103 0.20 0.120 0.85 54102E3 64102E3 34102E3
2200 12.5 25 1400 223 0.24 0.050 0.40 94225E3 94226E3 94223E3
2200 16 20 1400 223 0.24 0.050 0.40 54222E3 64222E3 34222E3
3300 16 25 1900 333 0.24 0.034 0.25 54332E3 64332E3 34332E3
4700 16 31 2200 473 0.24 0.030 0.20
54472E3
64472E3 34472E3
16
220 10 12 480 38 0.16 0.200 1.40 55221E3 65221E3 35221E3
330 10 16 760 56 0.16 0.150 1.10 55331E3 65331E3 35331E3
470 10 16 760 78 0.16 0.150 1.10 55471E3 65471E3 35471E3
1000 12.5 20 1200 163 0.16 0.073 0.50 55102E3 65102E3 35102E3
2200 16 25 1900 355 0.18 0.034 0.25 55222E3 65222E3 35222E3
3300 16 31 2200 531 0.18 0.030 0.20 55332E3 65332E3 35332E3
4700 18 31 2200 755 0.18 0.030 0.20 55472E3 65472E3 -
25
220 10 16 750 58 0.14 0.150 1.10 56221E3 66221E3 36221E3
330 10 20 850 86 0.14 0.120 0.85 56331E3 66331E3 36331E3
470 10 20 850 121 0.14 0.120 0.85 56471E3 66471E3 36471E3
1000 12.5 25 1400 253 0.14 0.050 0.40 96105E3 96106E3
96103E3
1000 16 20 1400 253 0.14 0.050 0.40
56102E3
66102E3 36102E3
2200 16 31 2200 553 0.16 0.030 0.20 56222E3 66222E3 36222E3
3300 18 31 2200 828 0.16 0.030 0.20 56332E3 66332E3 -

140 RTM
Aluminum Capacitors
Vishay BCcomponents
35
100 10 12 480 38 0.12 0.200 1.40
50101E3
60101E3 30101E3
220 10 16 760 80 0.12 0.150 1.10 50221E3 60221E3 30221E3
470 12.5 20 1200 168 0.12 0.073 0.50 50471E3 60471E3 30471E3
1000 16 25 1500 353 0.12 0.034 0.25 50102E3 60102E3 30102E3
2200 18 31 2200 773 0.14 0.030 0.20 50222E3 60222E3 -
50
47 10 12 300 27 0.10 0.300 2.00 51479E3 61479E3 31479E3
100 10 16 380 53 0.10 0.200 1.40 51101E3 61101E3 31101E3
220 12.5 20 580 113 0.10 0.120 0.85 51221E3 61221E3 31221E3
330 12.5 20 870 168 0.10 0.120 0.85 51331E3 61331E3 31331E3
470 12.5 25 1100 238 0.10 0.085 0.60 91475E3 91476E3 91473E3
470 16 20 1100 238 0.10 0.085 0.60 51471E3 61471E3 31471E3
1000 16 31 1700 503 0.10 0.045 0.30 51102E3 61102E3 31102E3
63
22 10 12 380 17 0.10 0.300 2.00 58229E3 68229E3 38229E3
47 10 12 380 33 0.10 0.300 2.00 58479E3 68479E3 38479E3
100 10 20 650 66 0.10 0.160 1.10 58101E3 68101E3 38101E3
220 16 20 1100 142 0.10 0.085 0.60 58221E3 68221E3 38221E3
330 16 20 1100 211 0.10 0.085 0.60 58331E3 68331E3 38331E3
470 16 25 1500 299 0.10 0.055 0.40 58471E3 68471E3 38471E3
1000 18 31 1800 633 0.10 0.040 0.28 58102E3 68102E3 -
ELECTRICAL DATA AND ORDERING INFORMATION
U
R
(V)
C
R
100 Hz
(F)
NOMINAL
CASE SIZE
D L
(mm)
I
R
100 kHz
125 C
(mA)
I
L1
1 min
(A)
Tan
100 Hz
Z
100 kHz
+ 20 C
()
Z
100 kHz
- 40 C
()
ORDERING CODE
MAL2140 .....
BULK PACKAGING TAPED
FORM CA FORM CB FORM TFA
ADDITIONAL ELECTRICAL DATA
PARAMETER CONDITIONS VALUE
Voltage
Surge voltage
U
s
1.15 x U
R
Reverse voltage U
rev
1 V
Current
Leakage current
after 1 minute at U
R
I
L1
0.01 C
R
U
R
+ 3 A
after 5 minutes at U
R
I
L5
0.002 C
R
U
R
+ 3 A
Inductance
Equivalent series inductance (ESL)
case D = 10 mm typ. 16 nH
case D 12.5 mm typ. 18 nH
Resistance
Equivalent series resistance (ESR) calculated from tan
max
and C
R
(see Table 2) ESR = tan /2fC
R

140 RTM
Vishay BCcomponents
Aluminum Capacitors
CAPACITANCE (C)
EQUIVALENT SERIES RESISTANCE (ESR)
RIPPLE CURRENT AND USEFUL LIFE
Table 2
- 60 - 40 - 20 0 20 40 60 80 100 120 140
T
amb
(C)
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
C
C
0
C
0
= typical capacitance at 20 C, 100 Hz
Fig. 5 Typical multiplier of capacitance as a function
of ambient temperature
Curve 1: U
R
< 50 V
Curve 2: U
R
< 50 V
1
1
2
2
T
amb
(C)
C
0
Fig. 6 Typical multiplier of capacitance as a
function of frequency
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
C
C
0
10 10
2
10
3
10
4
10
5
f (Hz)
Curve 1: U
R
< 50 V
Curve 2: U
R
< 50 V
1
1
2
2
- 60 - 40 - 20 0 20 40 60 80 100 120 140
T
amb
(C)
ESR
0
Fig. 7 Typical multiplier of ESR as a function
of ambient temperature
ESR
ESR
0
10
1
Curve 1: U
R
< 50 V
Curve 2: U
R
< 50 V
2
1
1
2
T
amb
(C)
ESR
0
= typical ESR at 20 C, 100 Hz
Fig. 6 Typical multiplier of ESR as a function of frequency
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
ESR
ESR
0
10 10
2
10
3
10
4
10
5
f (Hz)
Curve 1: U
R
< 50 V
Curve 2: U
R
< 50 V
1
1
2
2
ENDURANCE AND USEFUL LIFE AS A FUNCTION OF CASE SIZE
NOMINAL CASE
SIZE D x L
(mm)
CASE CODE
ENDURANCE TEST AT 125 C
(h)
USEFUL LIFE AT 125 C
(h)
10 12 14 2000 2500
10 16 15 2000 3000
10 20 16 2000 3000
12.5 20 17 2000 3000
12.5 25 18 2000 3000
16 20 19a 2000 3000
16 25 19 2000 4000
16 31 20 2000 4000
18 31 1831 2000 4000

140 RTM
Aluminum Capacitors
Vishay BCcomponents
Table 3
Table 5
40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
T
amb
(C)
(1)
lifetime multiplier
4.3
4.2
4.1
4.0
3.9
3.8
3.7
3.6
3.5
3.4
3.3
3.2
3.1
3.0
2.8
2.6
2.4
2.0
2.2
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.5
0.0
1
.
0
1
.
5
2
.
0
4
.
0
8
.
0
1
2
2
0
3
0
6
0
4
0
0
1
0
0
2
0
0
6
.
0
3
.
0
MBC242
I
A
I
R
Fig.9 Multiplier of useful life as a function of ambient temperature
and ripple current load
I
A
= actual ripple current at 100 kHz
I
R
= rated ripple current at 100 kHz, 125 C
(1) Useful life at 125 C and I
R
applied: see Table 3
MULTILPLIER OF RIPPLE CURRENT (I
R
) AS A FUNCTION OF FREQUENCY
FREQUENCY
(Hz)
I
R
MULTIPLIER
U
R
= 6.3 to 25 V U
R
= 35 V U
R
= 50 and 63 V
50 0.60 0.50 0.35
100 0.70 0.65 0.50
300 0.85 0.80 0.65
1000 0.90 0.85 0.80
3000 0.95 0.90 0.90
10 000 1.00 0.95 0.90
100 000 1.00 1.00 1.00
TEST PROCEDURES AND REQUIREMENTS
TEST PROCEDURE
(quick reference)
REQUIREMENTS
NAME OF TEST REFERENCE
Endurance IEC 60384-4/
EN130300
subclause 4.13
T
amb
= 125 C; U
R
applied;
2000 h
C/C: 15 %
tan 1.3 x spec. limit
Z 2 spec. limit
I
L5
spec. limit
Useful life CECC 30301
subclause 1.8.1
T
amb
= 125 C; U
R
and I
R
applied;
for test duration see Table 3
C/C: 30 %
tan 3 x spec. limit
Z 3 x spec. limit
I
L5
spec. limit
no short or open circuit
total failure percentage: 1 %
Shelf life IEC 60384-4/
EN130300
subclause 4.17
T
amb
= 125 C; no voltage applied;
500 h
after test: U
R
to be applied for 30 min, 24 to 48 h
before measurement
C/C: 15 %
tan 1.3 x spec. limit
Z 2 x spec. limit
I
L5
2 x spec. limit

Document Number: 91000 www.vishay.com
Revision: 18-Jul-08 1
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8.4 Datosnucleosdeferrita
Pgina38de38
PART
11.3
ma g - i n c . c o m
E, I Core Data
(ungapped)
E
,

I

C
o
r
e
s
A
L
(mH/1000T) min
* F material nominal 25%
POWER MATERIALS MAGNETIC DATA
HIGH PERMEABILITY
MATERIALS
R P F* J W l
e
(mm) A
e
(mm
2
) Amin (mm
2
) V
e
(mm
3
)
CORE WEIGHT
(grams per set)
WaAc (cm
4
)
0_41203EC E-E 440 480 770 1,025 - 27.8 10.1 10.1 279 1.3 0.01
0_41205EC E-E 1,100 1,200 1,950 2,475 - 27.7 20.2 20 558 2.6 0.03
0_41707EC E-E 760 825 1,300 1,425 - 30.4 16.6 12.6 505 3.0 0.03
0_41808EC E-E 865 940 1,500 1,875 3,220 39.9 22.6 22.1 900 4.4 0.07
0_41810EC E-E 1,725 1,875 3,000 3,750 7,420 40.1 45.5 45.4 1,820 8.5 0.15
0_42510EC E-E 1,325 1,440 2,300 2,775 4,635 49 39.5 37 1,930 9.5 0.16
0_42513EC E-E 1,425 1,736 2,460 3,000 - 57.8 51.8 51.8 2,990 16 -
0_42515EC E-E 865 940 1,500 1,800 3,080 73.5 40.1 39.7 2,950 15 0.42
0_42515IC E-I 1,320 1,435 2,290 2,750 4,690 48.1 40.1 39.7 1,930 10 0.21
0_42520EC E-E 2,650 2,880 4,600 5,500 10,360 48 78.4 76.8 3,760 19 0.4
COMB.
S
T
A
N
D
A
R
D

B
O
B
B
I
N
S
U
R
F
A
C
E

M
O
U
N
T

B
O
B
B
I
N
P
R
I
N
T
E
D

C
I
R
C
U
I
T

B
O
B
B
I
N
AVAILABLE
HARDWARE
0_41203EC
0_41808EC
0_42510EC
0_42515EC
0_42520EC
11.12
MAGNETI CS
Bobbins
MECHANICAL DIMENSIONS (mm)
PART CORE SIZE A MAX B MAX C MAX D MAX E MIN F NOM
MATERIAL
00B180801 41808EC 1 13.84 - 11.04 6.47 4.95 9.52 0.3420 39.4 Nylon*
00B251001 42510EC 1 18.49 - 12.34 8.4 6.62 10.31 0.510 56 Nylon*
00B251501 42515EC 2 15.08 15.08 22.09 6.35 20.57 6.35 0.716 45.4 Glass filled Nylon
00B351501 43515EC 1 24.84 - 18.92 11.98 9.9 17.14 1.130 72 Nylon*
00B402001 44020EC 3 29.84 35.05 16.12 12.31 26.16 29.21 2.07 97.5 Glass filled Nylon*
00B431701 44317EC 1 28.01 - 20.47 14.6 12.82 18.94 1.260 84.4 Nylon*
00B472101 44721EC 1 31.19 - 23.57 18.41 16.12 21.38 1.410 97.5 Nylon*
00B572401 45724EC 1 37.84 - 28.57 21.59 19.12 26.54 2.14 118.2 Nylon*
00B722801 47228EC 4 51.07 51.07 19.76 19.76 34.46 30.4 4.08 149.3 Zytel 50
00B802001 48020EC 4 57.58 57.58 20.54 20.54 55.11 51.05 8.06 165 Zytel 50
E
,

I

H
a
r
d
w
a
r
e
NOMINAL WINDING
AREA PER SECTION
cm
2
* UL 94 HB rated
FIG.
AVERAGE
LENGTH OF
TURN (mm)

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