BENEMERITA UNIVERSIDAD AUTONOMA DE PUEBLA

SISTEMAS DIGITALES

APOLONIO ATA PEREZ

TEMA: FAMILIAS TTL, MOS, CMOS

EQUIPO 4: AUGUSTO RAYMUNDO MARTINEZ PEREZ SAMUEL VAZQUEZ VALDERRAMA ISRAEL ENRIQUEZ EDUARDO SANDOVAL

PUEBLA, PUEBLA JUNIO 13 DE 2011

FAMILIA TTL
Esta familia utiliza elementos que son comparables a los transistores bipolares diodos y resistores discretos, y es probablemente la mas utilizada. A raz de las mejoras que se han realizado a los CI TTL, se han creado subfamilias las cuales podemos clasificarlas en: 1. 2. 3. 4. 5. 6. TTL estndar. TTL de baja potencia (L). TTL Schottky de baja potencia (LS). TTL Schottky (S). TTL Schottky avanzada de baja potencia (ALS). TTL Schottky avanzada (AS).

Debido a su configuracin interna, las salidas de los dispositivos TTL NO pueden conectarse entre si a menos que estas salidas sean de colector abierto o de tres estados.

FAMILIA CMOS
Complementary metal-oxide-semiconductor o CMOS es una de las familias lgicas empleadas en la fabricacin de circuitos integrados. Su principal caracterstica consiste en la utilizacin conjunta de transistores de tipo pMOS y tipo nMOS configurados de tal forma que, en estado de reposo, el consumo de energa es nicamente el debido a las corrientes parsitas. En la actualidad, la mayora de los circuitos integrados que se fabrican utilizan la tecnologa CMOS. Esto incluye microprocesadores, memorias, procesadores digitales de seales y muchos otros tipos de circuitos integrados digitales. En la familia lgica MOS Complementaria, CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor), el trmino complementario se refiere a la utilizacin de dos tipos de transistores en el circuito de salida, en una configuracin similar a la ttem-pole de la familia TTL. Se usan conjuntamente MOSFET (MOS Field-Effect transistor, transistor de efecto campo MOS) de canal n (NMOS) y de canal p (PMOS ) en el mismo circuito, para obtener varias ventajas sobre las familias P-MOS y N-MOS. La tecnologa CMOS es ahora la dominante debido a que es ms rpida y consume an menos potencia que las otras familias MOS. Estas ventajas son opacadas un poco por la elevada complejidad del proceso de fabricacin del CI y una menor densidad de integracin. De este modo, los CMOS todava no pueden competir con MOS en aplicaciones que requieren lo ltimo en LSI. CARACTERISTICAS DE LA FAMILIA CMOS

FAMILIA MOS
Los transistores de la tecnologa MOS (Metal Oxide Semiconductores) son transistores de efecto de campo a los que llamamos MOSFET, la gran mayora de los circuitos integrados digitales MOS se fabrican solamente con ese tipo de transistores. El MOSFET tiene varias ventajas: es muy simple, poco costoso, pequeo y consume muy poca energa. Los dispositivos MOS ocupan mucho menos espacio en un CI que los BJT, un MOSFET requiere de 1 milsimo cuadrado del rea del CI mientras que un BJT ocupa 50 milsimo del rea del CI. Esta ventaja provoca que los circuitos integrados MOS estn superando por mucho a los bipolares en la que respecta a la integracin a gran escala (LSI, VLSI). Todo esto significa que los CI MOS pueden tener un nmero mayor de elementos en un solo substrato que los circuitos integrados bipolares. La velocidad de este tipo de tecnologa es relativamente lenta cuando se compara con los BJT, esto se puede considerar como una de sus principales desventajas.

Existen dos tipos principales de transistores MOS: - MOS con enriquecimiento - MOS con empobrecimiento. Cada uno de ellos puede ser del tipo P o del tipo N. La figura 4 muestra el corte esquemtico del MOS con enriquecimiento tipos N y P, la curva caracterstica Id = f ( Vg ). CARACTERISTICAS Gran densidad de integracin. Elevada resistencia de entrada Pequeo consumo. Vdd del orden de 10V o ms. Frecuencia de trabajo limitada a algunos Mhz Sensibles a las descargas elctricas.

BIBLIOGRAFIA (REFERENCIAS WEB) Descripcin de familias CMOS Y MOS http://www.tamaranoia.com/cursodigital/Curso07.html http://www.hispavila.com/3ds/tutores/cmos.htm Descripcin de familias TTL http://www.unicrom.com/Dig_Familia_TTL.asp http://antiguo.itson.mx/die/eromero/biblioelec/blabsd1/p3_sd1_p02.pdf