Capitulo 1

Introduccin
1.1 Denicin general

La denicin del trmino microondas se puede enfocar bsicamente desde dos perspectivas. La primera, mas exacta, que esta relacionada con el espectro de frecuencias que abarca, en este caso entre 300 MHz y 300 GHz (en la actualidad esta denicin se ha extendido hasta los 1 THz). Tambin es habitual encontrar esta denicin en trminos de longitudes de onda. Teniendo en cuenta que la velocidad de propagacin de un medio homogneo caracterizado por sus constantes y vale: 1 vp = y que para el caso concreto del vaci dicha velocidad vale: 1 =3.108 m/s vpo = c = o o la longitud de onda asociada a una seal de frecuencia f en este medio valdr: c f

o =

de forma que la banda de longitudes de onda de microondas ser desde 1 metro hasta 1 milmetro (1 THz = = 0, 3 mm). A las seales con longitudes de onda del orden de milmetros se les conocen como ondas milimtricas. La otra denicin, tal vez menos precisa, es aquella porcin del espectro electromagntico en el que las dimensiones de los circuitos son comparables a las longitudes de onda que manejan. En este sentido lo que entendemos por teora de circuitos es un caso especial de la teora electromagntica descrita mediante las ecuaciones de Maxwell. En microondas no es valida la aproximacin de elementos discretos o puntuales (concentrados), como en teoras de circuitos. Las componentes de microondas normalmente son elementos distribuidos donde la fase de una tensin o una corriente cambia apreciablemente a lo largo del dispositivo, debido a que sus dimensiones son comparables con la longitud de onda. Esta denicin tiene en cuenta que el

cambio de fase de las componentes de una seal es inversamente proporcional a la longitud de la onda, 2 z v(t) = a(t) cos t por lo que, a frecuencias bajas (longitudes de onda grandes), si el tamao del circuito es pequeo zmax / 1, el cambio de fase es entonces irrelevante. Sin embargo a frecuencias de microondas es un factor fundamental. En el otro extremo del espectro nos encontraramos con la ingeniera ptica, donde la longitud de la onda es mucho mas pequea que las dimensiones de los componentes. En este caso las ecuaciones de Maxwell se pueden simplicar mediante la geometra ptica. Estas tcnicas se utilizan algunas veces con ondas milimtricas y se las conoce como quasi-pticas. En microondas, por tanto, se deber trabajar con las ecuaciones de Maxwell y con sus soluciones. Esto signica que existir en muchos casos la complejidad matemtica importante, apareciendo derivadas sobre funciones vectoriales y operaciones con integrales de campos vectoriales, donde estos a su vez dependen de las coordenadas espaciales. Una de las nalidades en microondas ser reducir esta complejidad matemtica y encontrar soluciones expresadas en trminos de teora de circuitos. Generalmente la solucin de teora de campos presenta una descripcin completa del campo electromagntico en cada punto del espacio, resultando mas informacin de la que realmente necesitamos. Ser preferible poder expresar las soluciones en terminos de teoria de circuitos como potencia, impedancia, tensin, corriente, etc.

Figura 1.1 Los ltros desempean papeles importantes en muchas aplicaciones de RF/microondas. Se utilizan para separar o para combinar diversas frecuencias. El espectro electromagntico es limitado y tiene que ser compartido, por lo que los ltros se utilizan para seleccionar o para connar las seales de RF/microondas dentro de los lmites espectrales asignados. Aplicaciones emergentes tales como comunicaciones inalmbricas continan desaando a los ltros de RF/microondas con requisitos de funcionamiento cada vez ms rigurosos, un tamao ms pequeo, un peso ligero, y adems ms barato. Dependiendo de los requisitos y de las especicaciones, los ltros de RF/microondas se pueden disear con elementos concentrados o elementos de circuitos distribuidos.

1.2

Aplicaciones de microondas

Las altas frecuencias y las longitudes de onda corta de las seales en ingeniera de microondas hacen de las dicultades en el anlisis y diseo de componentes y sistemas en este campo. Luego, son estos mismos factores los que proporcionan oportunidades nicas para la aplicacin de sistemas de microondas. Esto se debe bsicamente a las siguientes consideraciones: La ganancia de la antena es proporcional al tamao elctrico de la antena. A mayores frecuencias ms ganancia de antena, por lo tanto, es posible para un determinado tamao fsico de antena, que tiene importantes consecuencias para implementar sistemas de microondas en miniatura. 3

 Ms anchura de banda (capacidad informacin llevada) se puede realizar en frecuencias ms altas. Un ancho de banda del 1% en 600MHZ es 6MHz (el ancho de banda de un solo canal de televisin), y en 60GHz un ancho de banda del 1% es 600MHz (100 canales de televisin). El ancho de banda es crticamente importante porque las bandas de frecuencia disponibles en el espectro electromagntico se estn agotando rpido. Las seales de microondas viajan por la lnea de visin y no son dobladas por la ionosfera como las seales de menor frecuencia. Por lo tanto, -los enlaces de comunicaciones por satlite y terrestres con capacidades muy altas son as posibles, con la reutilizacin de la frecuencia en las localizaciones como mnimo distantes-. El rea ecaz de la reexin (seccin representativa de radar - seccin transversal radar) de una blanco de radar es generalmente proporcional al tamao elctrico de los blancos. Este hecho, junto con las caractersticas de frecuencia del aumento de ganancia de la antena, por lo general hace preferidas a las frecuencias de microondas para los sistemas del radar. Las varias resonancias moleculares, atmicas, y nucleares ocurren en las frecuencias microondas, creando una variedad de usos nicos en las reas de la ciencias bsicas, teledeteccin, diagnsticos y tratamiento mdico, y as como tambin mtodos de calefaccin y hornos microondas (calentamiento). Hoy la mayora de los sistemas de comunicaciones operan en la banda de microondas: GPS, GSM, DECT, DBS (Direct Broadcast Satellite), PCS (Personal Communication Systems), WLAN (Wireless Local Area Networks), LMDS (Local Multipoint Distribution System). Las comunicaciones de RF/microondas son omnipresentes, sobre todo hoy en da cuando la conectividad inalmbrica se compromete a proporcionar los datos de voz y acceso a toda persona y en cualquier lugar, y en cualquier momento.

1.3

Breve historia de componentes pasivos de microondas

La teora y prctica de ltros de microondas comenzaron en los aos precedentes a la segunda guerra mundial por pioneros como Mason, Sykes, Darlington, Fano, Lawson, y Richards. El metodo de parmetros imagen para el diseo de ltros fue desarrollado en los ltimos aos de 1930, y era til para ltros de especicaciones poco rigurosas. Hoy en da todava, la mayora del diseo de ltros se hace segn el mtodo de prdidas de insercin, que se basa en tcnicas de la 4

sntesis de redes. Debido al continuo adelanto de tales tcnicas, particularmente en lo referente a sntesis con elementos distribuidos, el diseo de ltros sigue siendo un rea de investigacin activa. En 1948 P.I. Richards contribuy un concepto importante al diseo de ltros de microonda, con el objetivo de reemplazar los elementos concentrados reactivos por tramos de lneas de transmisin. Richards desarrollo la transformacin que lleva su nombre y en conjunto con las cuatro identidades de K.Kuroda han permitido que prototipos de ltros con elementos concentrados puedan ser implementados fsicamente mediante stubs en cortocircuito o circuito abierto. A principios de la dcada de 1950, R. Levy y S. Cohn desarrollaron frmulas para el diseo de ltros con respuestas mximamente plana. Alrededor de ese tiempo el grupo de investigacin del Stanford Research Institute formado por jvenes como G. Matthaei, L. Young, E. Jones, S. Cohn y otros lleg a ser un trabajo muy activo en materia de ltros y acopladores. Un manual voluminoso de ltros y acopladores result de aquel trabajo y sigue siendo una referencia valiosa. Este grupo desarroll una variedad de dispositivos usando lneas acopladas y lneas interdigitales. Los acopladores direccionales son otra clase de dispositivos pasivos, similares en cuanto desarrollo, a los ltros de microonda y muchos de los primeros investigadores de la teora de ltros tambin contribuyeron al trabajo de acopladores. El laboratorio Radiation Laboratory Series contiene numerosas descripciones de acopladores de gua de onda, incluyendo el acoplador del Bethe-hole, el acoplador de Schwinger, los acopladores del multihole, y acopladores de prueba. Los dispositivos de ferrita constituyen otra clase de dispositivos pasivos de microondas, y aunque el primer dispositivo de ferrita de microondas no fuera demostrado hasta 1949, pronto llegaron a ser imprescindibles en etapas de aislamiento y aplicaciones de cambios de fase. La ferrita tambin se utiliza en otros dispositivos no recprocos tales como en circuladores, en cavidades magnticamente sintonizables y en ltros.

Capitulo 2
2 Teora de lneas de transmisin

La teora de lneas de transmisin llena en gran medida el vaco entre la teora de ondas electromagnticas y la teora de circuitos bsica, siendo de importancia signicativa en el anlisis de redes de microondas. En primer lugar este capitulo hace una breve descripcin de la lnea de transmisin ideal, para luego hacer nfasis en el estudio de la transmisin de potencia por la lnea de transmisin ideal en rgimen permanente sinusoidal, lo cual conlleva a profundizar sobre algunos conceptos fundamentales y en particular a un anlisis de las condiciones de contorno de la lnea a n de comprobar algunas expresiones particulares de relaciones de potencia. Por otra parte, se sealan los parmetros a tener en cuenta para una lnea de transmisin con prdidas, es decir el principio de lneas reales, dejando claro que para analizar las relaciones de los parmetros en las lneas con prdidas se puede proceder de forma anloga al anlisis de lneas ideales descrito en secciones precedentes .

Por ultimo, el capitulo describe las lneas microstrip y sus principales caractersticas al objeto de servir como punto de partida en el diseo de ltros a frecuencias de microondas.

2.1
2.1.1

Introduccin y parmetros de la lnea de transmisin ideal

Denicin general

Las lneas de transmisin son estructuras fsicas conductoras con una determinada conguracin geomtrica que permiten llevar la energa elctrica desde un generador a una carga situada a una cierta distancia de aquel. No obstante, adems de su funcin principal como medio de propagacin de seales elctricas entre dos puntos, tambin pueden puede tener aplicaciones tales como circuitos resonantes para frecuencias muy altas, como dispositivo de medida para altas frecuencias, como auxiliares para la adaptacin de impedancias, etc. Acontinuacin se muestran algunos ejemplos de tipos de lneas:

- Bilar:

- Coaxial:

- Microstrip:

Consideraremos en principio la lnea bilar por ser la estructura ms simple ya que adems los conceptos a estudiar para este tipo de lnea son tambin validos para lneas de estructuras ms complejas. En teora de circuitos de baja frecuencia se asume implcitamente que las dimensiones de los circuitos son muy pequeas en comparacin con la longitud de onda. Gracias a ello, se puede suponer que cuando una seal alterna circula por un cable, por ejemplo, en un instante dado tanto la amplitud como la fase de esta seal es la misma en todos los puntos del cable. Pero en las lneas que se utilizan para transmitir seales de alta frecuencia generalmente no es posible hacer este tipo de aproximaciones. A pesar de ello y tal como se vera en este capitulo, la teora de la lneas de transmisin nos permite aprovechar muchas de las leyes y propiedades que se estudian en anlisis de circuitos de baja frecuencia. 2.1.2 Ecuaciones de onda en la lnea de transmisin ideal

Comenzremos describiendo las ecuaciones bsicas que deben satisfacer los voltajes y corrientes en una lnea de transmisin. Estas ecuaciones asumen implcitamente que por la lnea se propaga un modo TEM, es decir, que las componentes longitudinales de los campos elctrico y magntico son siempre nulas. Esta hiptesis es necesaria para garantizar la unicidad en las deniciones de V e I. Para poder aplicar las leyes de Kircho dividiremos la lnea a estudiar en secciones de una longitud innitesimal z, que consideraremos muy inferior a la longitud de la onda. Un posible modelo equivalente (existen muchos otros igualmente vlidos) podra ser un red cuadripolar LC como muestra la siguiente gura:

Figura 2.1 L y C son los parmetros primarios de la lnea de transmisin, que denen las caractersticas de la lnea. L esta asociada al efecto del ujo magntico generado por las corrientes presentes en el sistema, mientras que C modeliza el efecto de la capacidad entre los conductores as como de otras capacidades parasitas. Ambos son parmetros distribuidos a lo largo de la lnea con unidades de H/m y F/m respectivamente y dependen de los materiales dielctricos y los conductores con constituyen la lnea de transmisin as como de su geometra fsica. Aplicando las leyes de Kircho al circuito equivalente de la Figura 2.1, e ignorando el trmino ( V dz ) de segundo orden z : t I V dz = Ldz z t V I dz = Cdz z t conocidas como las ecuaciones del telegrasta, que denen la relacin entre la tensin y la corriente en una seccin innitesimal de la lnea de transmisin. Luego, operando adecuadamente con ellas se tiene: 2V 2V = LC 2 (Ecuacin de onda de voltaje) z 2 t 2I 2I = LC 2 (Ecuacin de onda de corriente) z 2 t (2.1a) (2.1b)

La solucin de estas ecuaciones nos muestra que una perturbacin de tensin-corriente se propagara a velocidad constante por la lnea de transmisin. Solucin de DAlembert: z z 1 V (z, t) = F1 t + F2 t + + K1 ; con vp = vp vp LC z z z z 1 p F1 t + G2 t + + K2 = + F2 t + + K2 I(z, t) = G1 t vp vp vp vp L/C

En una lnea de transmisin la amplitud y forma de estas funciones asi como el valor de K1, depender del tipo de excitacin, las condiciones iniciales y las condiciones de carga del sistema. 9

 z - F1 t : funcin arbitraria que es propaga en el sentido creciente de z a una velocidad vp constante igual a vp :

z - F2 t + : funcin arbitraria que es propaga en el sentido decreciente de z a una velocidad vp constante igual a vp :

Esta solucin nos muestra que en una lnea de transmisin las seales variantes en el tiempo solo pueden existir propagndose. Considerando F1 como onda incidente y F2 como onda reejada, con Zo = p L/C y prescindi-

endo de los trminos constantes, que no constituyen ondas, podemos escribir: V (z, t) = v + (z, t) + v (z, t) I(z, t) = i+ (z, t) + i (z, t) = 2.1.3 1 + [v (z, t) v (z, t)] Zo

Parametros secundarios de la lnea de transmisin ideal

El funcionamiento de la lnea de transmisin ideal viende denido por dos parametros: -Velocidad de propagacin: velocidad a la que se propagan las perturbaciones de tensin y corriente a lo largo de la lnea: 10

1 vp = LC -Impedancia caracterstica: se dene como la relacin entre los valores de tensin y corriente asociados a una onda progresiva que se propaga por una lnea de transmisin. No esta dems aclarar que no se trata de la relacin entre tensin y corriente totales en la lnea: v+ v Zo = + = = i i r L C

2.2

Lnea de transmisin ideal en rgimen permanente sinusoidal (r.p.s)

En el contexto del estudio de lneas de transmisin en r.p.s, el rgimen permanente hace referencia a una lnea estable, una vez ha superado el rgimen transitorio que el sistema atraviesa cuando algn cambio es aplicado al mismo. Los conceptos ms importantes que este modelo simplicado permite estudiar son, el de impedancia y el de potencia transmitida en una lnea, respectivamente. Ambos conceptos estn ntimamente relacionados en una lnea, puesto que una desadaptacin de impedancias supone la aparicin de ondas reejadas, las cuales producen prdidas agregadas al sistema. Entonces, para el estudio de la transmisin de potencia por la lnea en r.p.s, primero ser necesario describir brevemente algunos conceptos bsicos. 2.2.1 Propagacin de una onda. Constante de fase y longitud de onda

La tensin en una lnea de transmisin ideal que forma parte de un sistema excitado en rgimen permanente sinusoidal es la superposicin de dos ondas sinusoidales, propagndose por la lnea en sentidos opuestos. z z V (z, t) = V (z, t) + V (z, t) = F1 t + F2 t + vp vp
+

Donde |V + | , |V |, + y dependern de las condiciones de contorno del sistema (excitacin y discontinuidades). Luego, podemos observar que en cada punto de la lnea (para cada valor de z), tenemos la suma de dos seales sinusoidales de la misma frecuencia y con una fase que depende del punto donde las midamos. 11

+ V cos t z + + + V cos t + z + V (z, t) = vp vp

Entonces, ahora consideraremos una onda sinusoidal propagndose en el sentido creciente de z (onda progresiva). La tensin correspondiente a esta onda en el punto z = 0 de la lnea vendr dada por la expresin general de una seal sinusoidal: V + (0, t) = V + cos(t + + )

(2.2)

En cualquier otro punto de la lnea se puede medir la misma seal sinusoidal con un retardo que depende de la distancia recorrida y de la velocidad de propagacin de la onda: + V cos t z + + V (z, t) = vp
+

(2.3)

Este retardo se puede expresar como un desfase angular de la seal sinusoidal observado en el punto z de la lnea: + z + V (z, t) = V cos t + vp
+

(2.4)

Se dene constante de fase como el desfase por unidad de longitud de la tensin asociada a una onda sinusoidal propagndose por la lnea: z/vp = [rad/m] z vp

(2.5)

Con lo cual se puede reescribir la ecuacin (2.5) y obtener la expresin fasorial correspondiente, + + V + (z, t) = V + cos t z + + = V + ej (tz+ ) = V + ej( z) ejt

(2.6)

de donde prescindiendo de la variacin temporal, que en cualquier caso ser de la forma ejt , llegamos a la expresin fasorial: + V + (z) = V + ej ( z ) = V + (0)ejz

(2.7)

z = 0, y el termino exponencial ejz describe la variacin respecto de este valor en cada punto de la lnea (solo habr un desfase de la tensin medida). En general, en la lnea de transmisin habr superposicin de ondas progresivas y regresivas, como muestra la Figura 2.1. Si se aplica la misma notacin a la onda regresiva, se puede escribir las expresiones generales de tensin total en una lnea de transmisin en r.p.s. 12

Donde V + (0) = |V + | ej es el fasor correspondiente a la onda progresiva en un punto arbitrario,

V (z) = V + (z) + V (z) = V + (0)ejz + V (0)ejz

(2.8)

Es importante observar que estas expresiones no dan valores concretos de tensin y corriente (habra que conocer las condiciones de contorno del sistema)1 . Estas expresiones ponen de maniesto como se propagan las ondas sinusoidales en la lnea, es decir, nos dan valores de tensin y corriente de cada onda en cada punto de la lnea en funcin del valor que tienen en un punto concreto (z = 0). Por ultimo, denimos la longitud de onda como el desplazamiento mnimo en el medio de propagacin para medir la misma fase de una onda sinusoidal: vp 2 = = = vp f

= 2 = =

(2.9)

2.2.2

Longitud elctrica de una lnea de transmisin

La longitud elctrica de una lnea de transmisin a una frecuencia determinada se dene como la relacin entre su longitud fsica y la longitud de onda de las seales que se propagan. l

le =

(2.10)

Este parmetro indica si el retardo que sufren las seales propagndose por la lnea implica desfases importantes y por tanto, si este retardo se tiene que tener en cuenta en el anlisis de circuitos. Si le 1 l las seales no cambian cuando se propagan por la lnea lo que implica que se pueda considerar como una conexin puntual. Si le 1 l el desfase de las seales es importante, lo que implica que se tiene que tener en cuenta el retardo. 2.2.3 Coeciente de reexin e impedancia en la entrada de una lnea cargada

El coeciente de reexin se dene como la relacin entre la tensin asociada a la onda regresiva y a la onda asociada progresiva en cada punto de la lnea de transmisin. Si de forma arbitraria se sita la carga en el punto z = 0 de la lnea, se puede escribir:
Las condiciones de contorno que se aplican dan a conocer las expresiones de V + (0) y V (0), las cuales se demuestran en la seccin 2.2.5.
1

13

 (z) =

V (0)ejz ZL Zo V (z) V (0) = + = = L e2jz ; L = + = |L | ejL + (z) jz V V (0)e V (0) ZL + Zo L = ZL Zo V (0) = = |L | ejL + (0) V ZL + Zo (2.11)

Donde L es la relacin, tanto en modulo como en fase, de las tensiones asociadas a las dos ondas en el punto z = 0, donde situaremos arbitrariamente la carga. Entonces el coeciente de reexin es por lo tanto, un nmero complejo, de modulo constante a lo largo de la lnea y con una fase que varia de forma lineal con el desplazamiento. El coeciente de reexin a la entrada de la lnea tiene por tanto el mismo modulo que en la carga y su fase va disminuyendo de forma proporcional a la longitud elctrica de la lnea.

Figura 2.2 (z = l) = V (0)ej(l) V (l) = + = L e2jl V (l) V (0)ej(l) (2.12)

Con respecto a la impedancia de entrada, se puede calcular como el cociente entre tensin y corriente totales: V + (0)ejl + V (0)ejl 1 + (0)ejl V (0)ejl ] zo [V ejl + L ejl V (0) = Zo jl = L = + V (0) [e L ejl ] (2.13)

ZIN

V (l) = = V (l)

z=l

Se puede observar que el valor de la impedancia de entrada de la lnea depende de producto l. Esto depende tanto de la longitud fsica de la lnea como de la longitud de onda de las seales que se propagan.

ejl = cos l jsenl ZL cos l + jZo senl ZL Zo ZIN = Zo L = Zo cos l + jZL senl ZL + Zo

14

l =

l 2 l = 2 = 2le

(2.14)

Se puede decir entonces que la impedancia de entrada depende de la carga y de la longitud elctrica de la lnea. Por ultimo encontramos la relacin entre el coeciente de reexin e impedancia de entrada de una lnea de transmisin cargada: 1 + (z) V + (z) + V (z) = ZIN (z) = Zo 1 + (z) V (z)] 1 (z) Zo [V (z) = ZIN (z) Zo ZIN (z) + Zo

ZIN (z) =

(2.15)

(2.16)

2.2.4

Condiciones de contorno en la lnea de transmisin

Las siguientes expresiones tienen toda la informacin de modulo y fase de las ondas sinusoidales que se propagan en la lnea, en concreto dan valores de tensin y corriente de cada onda en cada punto de la lnea de transmisin en funcin del valor que tienen en un punto concreto z = 0. V (z) = V + (z) + V (z) = V + (0)ejz + V (0)ejz i 1 h + 1 + V (z) V (z) V (0)ejz V (0)ejz Zo Zo

(2.17a)

I (z) =

(2.17b)

Figura 2.3 El calculo de V + (0) y V (0), (en particular nos interesa el mdulo) se realiza aplicando las condiciones de contorno a la lnea. As, si determinamos la tensin y la corriente en el extremo origen de la lnea (z = 0), e igualamos los valores obtenidos a los indicados en las ecuaciones (2.17), obtenemos: 15

 V (z = 0) = VL = V + (0) + V (0) 1 I(z = 0) = IL = [V + (0) V (0)] Zo Operando con las ecuaciones (2.18) se obtiene: V + (0) = VL + Zo IL 2 (2.18)

(2.19)

VL Zo IL V (0) = 2 Tambin pueden aplicarse las condiciones de contorno en el extremo nal de la lnea (z = l). As tenemos: V (z = l) = VD = V + (0)ejl + V (0)ejl I(z = l) = ID = 1 + V (0)ejl V (0)ejl Zo (2.20)

Operando con las ecuaciones (2.20) se obtiene: V + (0) = V

(0)

VD + Zo ID jl e 2

(2.21)

VD Zo ID jl e = 2

La fuente E, la impedancia caracterstica Zo y las impedancias terminales ZL y Zg , son cantidades conocidas. Luego, interesa conocer el mdulo de las ondas de voltaje incidente y reejadas en funcin de estos parmetros, en tanto que de la Figura 2.3 se sabe que, VD = E ZG ID VL = ZL IL Por lo tanto a continuacin se analizaran los casos ms habituales en la prctica, es decir cuando ZG = Zo = ZL y cuando ZG = Zo 6= ZL . |V + (0)| = |V + | = VL + ZL IL = V L 2

(2.22)

1. (a) Si ZL = Zo =

(b) Si ZG = Zo =

|V (0)| = |V | = VL ZL IL = 0 2 |V + (0)| = |V + | = VD + ZG ID = E ZG ID + ZG ID = E 2 2 2 |V (0)| = |V | = E 2ZG ID 2 16

Con lo que se puede armar que bajo estas condiciones el mdulo de la onda de voltaje es |V (z)| = |V + | = E/2 en todos los puntos de la lnea de transmisin, ya que no habra ondas voltaje y corriente. De este modo se tiene que VD = VL = E/2. VL + Zo IL 2 2. (a) Si ZL 6= Zo = |V (0)| = |V | = VL Zo IL 2 |V + (0)| = |V + | =

reejadas2 , considerandola como una conexin puntual en cuanto al mdulo de las ondas de

Para conocer el mdulo de la onda de voltaje reejada, primero igualamos las expresiones de |V + |, + VL + Zo IL E V = = = VL = E Zo IL 2 2 (2.23)

|V + (0)| = |V + | = VD + ZG ID = E 2 2 (b) Si ZG = Zo = |V (0)| = |V | = VD 2ZG ID 2

luego hacemos lo mismo con las expresiones de VL ,

E Zo IL = ZL IL = IL =

E ZL + Zo

(2.24)

y nalmente sustituyendo la ecuaciones (2.23) y (2.24) en la expresin de |V | (del caso 2.a), se comprueba que el mdulo de la onda reejada es funcin de la incidente |V + | . VL Zo IL E 2Zo IL E V = = = 2 2 2 ZL Zo ZL + Zo

Entonces, en este caso bajo estas condiciones el mdulo de la onda de voltaje incidente es |V + | = E/2 en todos los puntos de la lnea de transmisin, y por otra parte el mdulo de la onda de voltaje reejada es una proporcin de la incidente. 2.2.5 Potencia en la lnea de transmisin

= V = L V +

(2.25)

La ecuacin bsica para los clculos sobre potencia en rgimen permanente sinusoidal de circuitos lineales, en trminos de valores de pico, es la mitad del producto del fasor de voltaje y el conjugado del fasor de corriente, dando lugar a conocer la potencia compleja en el circuito,
E 2ZG ID = 0, de donde se Para que la onda de voltaje reejada sea cero se tiene que cumplir que, V = 2 E obtiene que ID = . De este modo se comprueba de la ecuacin (2.22) que VD = E/2. 2ZG
2

17

siendo que su parte real representa la potencia real y su parte imaginaria representa un ujo oscilatorio de energa almacenada. As, la potencia media que pasa por cualquier punto z, sobre una lnea de transmisin sin prdidas, puede obtenerse a partir de las ecuaciones generales de la lnea. Con lo cual para la lnea de la siguiente gura tenemos:

Figura 2.4 h i 1 h i 1 1 + jz jz + jz jz V (0)e + V (0)e V (0)e P (z) = Re {V (z) I (z)} = Re V (0)e 2 2 Zo Si llamamos V + (0)ejz = a + jb V (0)ejz = c + jd tenemos que el producto escalar que se tiene que realizar es: [(a + c) + j(c + d)] [(a c) j(b d)] = a2 + b2 c2 + d2 j2 (ad + cb) | {z } {z } |
Re Im 2 2 2

= |V + (0)| |V (0)| = |V + | |V |
2 1 + 2 2 |V + | V V = P = 2Zo 2Zo

|V | 1 |V + |2

2 |V + | 2 = 1 |L | 2Zo

(2.26)

Si en la expresin anterior hacemos que el mdulo del coeciente de reexin sea cero (lnea adaptada), la potencia trasmitida por la lnea en cualquiera de sus puntos es: |V + | = PINC 2Zo
2

P =

(2.27)

18

que corresponde a la potencia incidente trasmitida por la onda incidente que es la nica existente en este caso. En general la ecuacin (2.26) indica que la potencia en cualquier punto de la lnea sin prdidas es la misma, siendo la diferencia entre las potencias trasmitidas por la onda incidente y reejada, pudindose expresarse como: P = PINC PRF L = PIN C 1 |L |2 siendo la potencia de la onda reejada: |V | = = |L |2 PINC 2Zo
2

(2.28)

PRF L

(2.29)

Entonces se puede decir que en una la lnea de transmisin ideal, si la carga esta adaptada ZL = Zo , la potencia entregada a la carga es la potencia asociada (PINC ) a la onda incidente de tensin que se propaga por la lnea V + (z), en donde su mdulo se mantiene constante a lo largo de la lnea ideal, siendo en este caso |V + (z)| = |V + | = VL . Relacin entre PINC y Pav La ecuacin (2.26) indica la potencia media transmitida por la lnea sin perdidas, y existente en cualquier punto de la misma, expresada en trminos de la amplitud del voltaje incidente en la lnea. Sin embargo puede ser ms prctico expresarla en funcin del voltaje suministrado por el generador, VD , que alimenta la lnea. Entonces, considerando la Figura 2.4 se tiene que el voltaje total en el punto de conexin del generador con la lnea ser: VD = V + (0) ejl + L ejl jl jl Zo ejl +L ejl Zo ejl + L ejl ZIN [e L e ] VD = = E E= jl jl ZIN + ZG ZG (ejl L ejl ) + Zo (ejl + L ejl ) ZG + Zo ejl +L ejl [e L e ]

Por lo tanto igualando las expresiones de VD se tiene que la amplitud del voltaje incidente en la lnea es: Zo ejl + L ejl 1 V + (0) = E jl ejl ) + Z (ejl + ejl ) (ejl + ejl ) ZG (e o L L L V + (0) = E Zo ZG (ejl L ejl ) + Zo (ejl + L ejl ) (2.30)

y la potencia correspondiente a esta onda incidente de tensin vale: 19

PINC

1 = 2Zo

Por otra parte la potencia que el generador entrega a la entrada de la lnea, y considerando que en numerosas ocasiones la impedancia del generador viene impuesta, es necesario estudiar como modicar la impedancia ZIN que presenta la lnea al generador para conseguir la mxima transferencia de potencia del generador a la lnea. Para ello calculamos la potencia suministrada a la lnea PD , esta potencia se puede obtener a partir de ZIN y viene dada por, 2 VD 1 1 1 1 |VD |2 1 E ZIN Re PD = Re {VD ID } = Re VD Re = = 2 2 ZIN 2 ZIN 2 ZIN + ZG ZIN

2 Zo E ZG (ejl ejl ) + Zo (ejl + ejl ) L L

(2.31)

Para obtener bajo que circunstancias se maximza esta potencia basta con igualar a cero las derivadas parciales con respecto a las partes real e imaginaria de la impedancia de entrada, lo que da lugar a conocer la expresin de la mxima transferencia de potencia3 , que se produce cuando la impedancia vista por el generador es igual al complejo conjugado de la impedancia del mismo. A la potencia que suministra el generador a una impedancia igual al complejo conjugado de su impedancia interna se le llama mxima potencia disponible, y viene dada por, |E|2 = 2 ZG 2 |ZG |2 ZG |E|2 1 Re 1 = Re Z + ZG ZG 2 2 Re Z 2 ZG ZG G
G ZG |ZG |2

Pav = PD |ZIN =Z

Pav

|E|2 |ZG |2 = Re 2 |2RG |2

1 |E|2 1 |E|2 |E|2 |ZG |2 Re {ZG } = RG = 2 2 8 RG 8 RG 8RG |ZG |2

(2.32)

No obstante, en cuanto a la relacin entre la potencia incidente y la mxima potencia disponible del generador, lo que resulta ms conveniente, a efectos de calculo y de hecho es lo que normalmente nos podemos encontrar en la practica, es hacer el anlisis cuando hay adaptacin de impedancias entre el generador y la lnea, siendo real y de 50 ohms. Con lo cual primero escribiremos la ecuacin (2.31) de la siguiente manera: |E|2 = 2Zo 2 Zo ZG ejl (1 e2jl ) + Zo ejl (1 + e2jl ) L L 2 Zo jl ZG (1 e2jl ) + Zo (1 + e2jl ) e L L 20

PINC

PINC
3

|E|2 = 2Zo

(2.33)

El teorema de la maxima transferencia de potencia se demuestra por teoria de circuitos en el Apendice A.

Ahora bien, con ZL arbitraria pero con ZG = Zo , como habamos dicho es el caso ms habitual en la prctica, se tiene: |E|2 = 2ZG 2 ZG 1 |E|2 jl e = ZG [(1 e2jl ) + ZG (1 + e2jl )] 8 RG L L PINC |ZG =Zo = Pav (2.34)

PINC |ZG =Zo

El resultado obtenido no depende de ZL , ni de la constante de fase, ni de la longitud de la lnea. Tambin se puede decir que bajo estas condiciones el voltaje V + (z) tendra un mdulo E/2 en cualquier punto de la lnea. Otras relaciones de potencia en la lnea La fraccin de potencia incidente sobre una carga que esta nalmente consumir, depende nicamente del mdulo del coeciente de reexin. Algunas relaciones de potencia que permiten cuanticar el grado de desadaptacin de una lnea a la carga, pueden ser las prdidas de reexin y las prdidas de retorno. El concepto de prdida de reexin involucra la proposicin de que la potencia reejada por una impedancia de carga terminal ZL , que no es igual a Zo es potencia perdida, con relacin a la potencia que podra ser entregada a una carga terminal no reexiva. La prdida por reexin se dene a partir de la razn de la potencia incidente a la potencia entregada a la carga, y se expresa invariablemente en decibeles. PINC PL PINC PINC + PRF L P INC PINC 1 |L |2

L [dB] = 10 log10

= 10 log10

L [dB] = 10 log

1 1 |L |2

1 = 10 log10 1 |L |2

= 10 log10

L [dB] = 10 log10 1 |L |2

(2.35)

El concepto de prdida de retorno es simple y sin complicaciones. En cualquier punto especco sobre una lnea de transmisin uniforme, la potencia transportada por la onda reejada ser menor que la potencia transportada por la onda incidente, cuando la magnitud del coeciente de reexin en la carga terminal de la lnea es menor que la unidad. La prdida de retorno en decibeles en un punto sobre un circuito de transmisin se dene como la prdida total o

21

atenuacin en decibeles que la potencia de la onda incidente en el punto tendra que experimentar para ser reducida a la potencia de la onda reejada en ese punto. A partir de esta denicin se tiene, PINC PRF L PINC |L |2 PINC 1 = 10 log10 |L |2 (2.36)

Lret [dB] = 10 log10

= 10 log10

Lret [dB] = 20 log10 |L |

El valor de la prdida por retorno en un punto sobre un sistema, es til como una indicacin de la cantidad de onda reejada que puede degradar la operacin la operacin del sistema all. Tal degradacin puede resultar, por ejemplo, de ondas reejadas que son ecos disturbantes, o del efecto que producen en la frecuencia o potencia de salida de una fuente de seal causando que la impedancia de entrada del circuito de la lnea de transmisin conectado sea diferente de la impedancia caracterstica de la lnea. Las especicaciones del diseo para algunas conguraciones de circuitos de comunicacin con lneas de transmisin pueden establecer un valor mnimo de prdidas por retorno que se debe mantener sobre alguna porcin del sistema.

2.3
2.3.1

Lneas de transmisin reales

Lneas de transmisin con prdidas

Si los conductores de la lnea de transmisin no son perfectos (tienen conductividad nita) y/o el dielctrico no es perfecto (no tiene conductividad no nula) y/o la estructura de la lnea de transmisin provoca que a las frecuencias de trabajo, una parte de la energa que transporta se radie al espacio, entonces se dice que la lnea de transmisin tiene perdidas. Una lnea de transmisin con prdidas: - Produce atenuacin. La amplitud de la seal que se propaga por ella decrece en la medida en la que avanza. - Produce dispersin. Seales a frecuencias diferentes se propagan a velocidades diferentes. Desde un punto de vista de sistema de telecomunicacin esto produce distorsin de fase. Puesto que la atenuacin produce una distorsin de amplitud y la dispersin una distorsin de fase, el estudio de las lneas de transmisin con prdidas se realiza en el dominio frecuencial (considerando la lnea en r.p.s). 22

Las expresiones de la tensin y corriente en la lnea de transmisin con prdidas son: V (z, t) = V + ez + V ez ejt I(z, t) = 1 + z + V ez ejt V e Zo

(2.37a)

(2.37b)

Donde se denomina constante de propagacin. Es un nmero complejo del tipo: p (R + jL)(G + jC) = + j

(2.38)

La parte real de la constante de propagacin, , se denomina constante de atenuacin. Sus unidades son Np/m (nepers por metro). La parte imaginaria de la constante de propagacin, , se denomina constante de fase, como ya antes se habia denido, y se da en rad/m. En cuando a la impedancia caracterstica de una lnea con prdidas. Es un nmero complejo: s R + jL = Ro + jXo G + jC

Zo =

(2.39)

R es la resistencia (de los conductores) por unidad de longitud (/m). Incluye una posible resistencia de radiacin. G es la conductancia (de los conductores) por unidad de longitud (S/m). L es la inductancia (de los conductores) por unidad de longitud (H/m). C es la capacidad (de los conductores) por unidad de longitud (F/m). R, L, G y C se denominan los parametros primarios de una lnea de transmisin. Dependen de la naturaleza de los materiales con que ha sido construida y de la forma de la lnea. Zo y son los parametros secundarios de una lnea de transmisin. Ahora bien. considerando una onda progresiva, + + V + (z, t) = V + ez ejt = V + ej(z+z) ej ejt = V + ez ej(tz+ ) V + (z, t) = V + ez cos(t z + + ) 23

(2.40)

Tomando la parte real de la ecuacin (2.43) se obtiene lo siguiente,

(2.41)

de donde se aprecia claramente que la amplitud de la onda progresiva va decreciendo exponencialmente a medida que sta avanza por la lnea de transmisin.

2.4

Lneas microstrip

En esta subseccin se describen de forma sucientemente comprensiva, algunos conceptos bsicos, ecuaciones y tambin algunas discontinuidades tpicas, de las lneas microstrip que sern tiles para el diseo de ltros. Con respecto a las discontinuidades, en particular nos centraremos en la descripcin de la discontinuidad a gaps, que es la que nalmente se utilizara para implementar el ltro deseado. 2.4.1 Caractersticas de la lnea microstrip

Una lnea de transmisin microstrip consiste en una pista conductora colocada en un lado de un substrato dielctrico, que tiene un plano de tierra slido en el otro lado, como muestra la Figura 2.5, donde W es el ancho y t el espesor de la pista conductora respectivamente, y h es el grueso del substrato dielctrico el cual tiene una constante dielctrica relativa r . Una ventaja importante de utilizar esta lnea es que las longitudes se reducen considerablemente comparadas con sus valores en el espacio libre debido al connamiento de campos en el substrato.

Figura 2.5 Toda lnea de transmisin uniformemente llena con un dielctrico soporta un modo bien denido (TEM para una lnea coaxial, TE o TM para una gua de ondas, etc). Sin embargo, las lneas de transmisin parcialmente llenas no soportan un nico modo de propagacin. Como se puede observar en la Figura 2.6, en la lnea microstrip existe un cambio abrupto aire-dielectrico, lo que impide que existan modos TEM, TE o TM puros. La aplicacin de tcnicas numricas de clculo permite determinar la distribucin de campos en la lnea, observndose que la mayor parte de la energa se propaga a lo largo de la lnea y que la distribucin de campos es muy 24

similar a la del modo TEM. Por este motivo se dice que en las lneas microstrip se propagan modos cuasi-TEM.

Figura 2.6 La eleccin del substrato dielctrico de la lnea mictrostrip no es una tarea sencilla por la gran variedad que existe, cada uno con sus ventajas e inconvenientes los cuales analizaremos con detalle en el ltimo capitulo. 2.4.2 Impedancia caracterstica y constante dielctrica efectiva

Estos parmetros de lneas microstrip pueden ser obtenidos considerando en el anlisis, el modo cuasi-TEM, luego se determinar a partir de los valores de dos capacidades de la siguiente manera: re = Cd Ca 1 ; Zo = c Ca Cd

Donde Cd es la capacidad por unidad de longitud con el actual sustrato dielctrico, Ca es la capacidad por unidad de longitud con el sustrato dielctrico sustituido por el aire, y c es la velocidad de las ondas electromagnticas en el espacio libre (c 3.108 m/s). Para los conductores muy nos (t 0), las siguientes expresiones proporcionan una precisin del orden del uno por ciento, Para W/h 1 : re r + 1 r 1 + = 2 2

" # h 0.5 W 2 1 + 12 + 0.04 1 W h W 8h + 0.25 W h

(2.42)

ln Zo = 2 re

(2.43)

donde = 120 ohms, es la impedancia instrinseca del aire. Para W/h 1 : 25

re

r + 1 r 1 + = 2 2

h 0.5 1 + 12 W

(2.44)

1 W W Zo = + 1.393 + 0.677 ln + 1.444 re h h 2.4.3 Longitud de onda. Velocidad de fase y Longitud elctrica

(2.45)

Una vez que la constante dielctrica efectiva est determinada la longitud de onda, en modo cuasi-TEM, de la lnea microstrip est dada por: 0 g = re

(2.46)

donde 0 es la longitud de onda en el espacio libre en funcionamiento a una frecuencia f. Es ms convenientemente, cuando la frecuencia se da en gigahertz (GHz), que la longitud de onda pueda ser evaluada directamente en milmetros de la siguiente manera: 300 [mm] f (GHz) re

g =

(2.47)

La velocidad de propagacin en la lnea microstrip es dada por: c vp = re

(2.48)

Luego la longitud elctrica 4 ,de una lnea microstrip, para una determinada longitud fsica l, es:

= l 2.4.4 Sntesis de W/h

(2.49)

Las ecuaciones de sntesis de Wheeler y Hammerstad para W/H en trminos de Zo y r son: Para W/h 2 : 8eA W = 2A h e 2 con
4

(2.50)

Tal expresin tambin se puede deducir a partir de la ecuacin 2.14.

26

Zo A= 60 y para W/h 2 W 2 = h con

r + 1 2

0.5

r 1 + r + 1

0.11 0.23 + r

r 1 0.61 (B 1) ln(2B 1) + ln(B 1) + 0.39 2r r

(2.51)

B=

60 2 Zo r

Estas expresiones proporcionan una exactitud menor que el uno porciento. Entonces, queda claro que estas expresiones son de mayor utilidad cuando el anlisis requiere de resultados exactos. 2.4.5 Inuencia del espesor de la pista conductora

Hasta ahora se ha considerando el efecto del espesor t (en el sentido de referirse a la Figura 2.5). El espesor t es generalmente muy pequea cuando la lnea de microstrip se realiza mediante la realizacin de pelculas delgadas, por lo que su efecto a menudo puede descuidado. Sin embargo, su efecto sobre la impedancia caracterstica y constante dielctrica efectiva puede ser considerable. Para W/h 1 : Zo (t) = ln 2 re Para W/h 1 : 1 We (t) We (t) + 1.393 + 0.677 ln + 1.444 Zo (t) = re h h donde, 1.25 t 4W W W/h 0.5 h + h 1 + ln t 1.25 t W + h h 2h 1 + ln t (2.52b) 8h We (t) + 0.25 We (t) h (2.52a)

We (t) = h

(2.53a)

W/h 0.5 (2.53b)

re (t) = re

27

r 1 t/h p 4.6 W/h

En las expresiones antedichas, re es la constante dielctrica efectiva para t = 0. Luego, puede observarse que el efecto del espesor t en la impedancia caracterstica y la constante dielctrica efectiva es insignicante para valores pequeos de t/h. Sin embargo, el efecto del espesor t es signicativo en cuanto a las prdidas del conductor de la lnea microstrip. 2.4.6 Dispersin

Hablando en trminos generales, hay dispersin en las lneas microstrip, su velocidad de fase no es un constante sino depende de frecuencia. Su constante dielctrica efectiva re es funcin de la frecuencia y se puede en general denir como la constante dielctrica efectiva dependiente de la frecuencia re (f ). Las expresiones anteriores para re se obtuvieron en base a la aproximacin cuasi-TEM, por lo tanto a bajas frecuencias de microondas proporcionan una buena aproximacin. Para considerar el efecto de dispersin se pueden considerar las siguientes expresiones: r re 1 + (f /f50 )m

re (f ) = r donde

(2.54)

f50 =

fT M0

r re 1 c 1 r = tan r re 2h r re m = m0 mc 2.32

fT M0 0.75 + 0.75 0.321.73 (W/h) r

(2.55a)

(2.55b)

(2.56a) !3

mc =

1 p m0 = 1 + + 0.32 1 + W/h 1+
1.4 1+(W/h)

0.15 0.235e 1

1 p 1 + W/h

(2.56b)

0.45f f50

W/h 0.7 W/h 0.7

(2.56c)

El modelo de dispersin demuestra que re (f ) aumenta con frecuencia, y r re cuando f . La exactitud se estima para estar dentro de 0.6% para 0.1 W/h 10, 1 r 128 y para cualquier valor de h/0 . El efecto de dispersin en la impedancia caracterstica puede ser estimado de la siguiente manara:

28

re (f ) 1 Zo (f ) = Zo re 1 2.4.7 Prdidas en la lnea microstrip

re re (f )

(2.57)

Los componentes de prdida, de una sola lnea de la microstrip, incluyen prdidas del conductor, prdidas dielctricas y prdidas de radiacin, mientras que la prdida magntica desempea un papel solamente de substratos magnticos tales como ferritas. El constante de propagacin en una lnea de transmisin con prdidas es complejo, se sabe que = +j, donde es atenuacin en nepers [np] por unidad de longitud, que en este caso sera la suma de las constantes de atenuacin que se presentan de cada efecto. En la prctica, uno puede preferir expresar en los decibelios [dB] por la longitud de unidad, que se puede relacionar de la siguiente manera:

[dB/m] = (20 log10 e)[np/m] 8.686[np/m] Una simple expresin para la estimacin de la atenuacin producida por el conductor de la prdida viene dada por: 8.686Rs [dB/m] Zo W

c =

(2.58)

en qu Zo es la impedancia caracterstica de la lnea microstrip con anchura W , y Rs representa la resistencia del conductor en ohmios por unidad de supercie, para la lnea y el plano de tierra. Para un conductor r 0 2

Rs =

donde est la conductividad, 0 es la permeabilidad del espacio libre, y es la frecuencia angular. La resistencia supercial de conductores, que expresa la ecuacin (4.18) es solamente vlida para anchuras grandes de la lnea porque asume que la distribucin de corriente tanto en la lnea como en el plano de tierra es uniforme, y por lo tanto se sobrestimara la prdida del conductor para lneas ms estrechas. Sin embargo, puede ser encontrado para ser bastante exacto en muchas situaciones prcticas, debido a las fuentes extraas de prdida, tales como aspereza supercial del conductor. La atenuacin debido a las prdidas dielctricas en la lnea microstrip es:

29

d = 8.68

re 1 r 1

r tan [dB/m] re g

(2.59)

donde el tan denota la tangente de las prdidas del substrato dielctrico. Puesto que la lnea microstrip es una estructura semiabierta puede perder potencia por cualquier radiacin en cualquier discontinuidad que tenga y esta demostrado que la discontinuidad que causa mayor radiacin es un circuito abierto. Luego, generalmente los circuitos con lneas microstrip son blindados con cajas metlicas para evitar la radiacin.

2.4.8

Discontinuidades en lneas microstrip

En los circuitos de microondas con lneas microstrip aparecen discontinuidades, las cuales ocurren en las conexiones entre componentes (pasivos o activos) y lneas de transmisin, como tambin en las propias interconexiones de las lneas de transmisin que se comportan como componentes pasivos en un rango de frecuencias determinado. Algunas de las discontinuidades de lneas microstrip encontradas comnmente en la disposicin de ltros prcticos suelen ser, steps, open-ends, bends y gaps. La siguientes guras ilustran estas estructuras tpicas y sus circuitos equivalentes.

- Steps

- Open-ends

- Gaps

30

- Bends

Las ecuaciones semi-empricas expresadas en la Seccin 2.4 son tiles, para los modelos de circuito equivalente de estas discontinuidades, siempre que sean apropiadas. Estas ecuaciones se utilizan en muchos programas simuladores de microondas. Gaps Un gap en una lnea microstrip es una discontinuidad que puede ser representado con un circuito equivalente como muestra la Figura 2.14. La discontinuidad se modela con un capacitor en serie Cg entre las secciones lneas microstrip y la desviacin con un capacitor Cp entre la lnea microstrip y el plano de tierra. Estas capacidades se pueden determinar segn las siguientes expresiones: Cp = 0.5Ce (2.60) Cg = 0.5Co 0.25Ce donde 0.8 s mo Co r [pF/m] = eko W 9.6 W 0.9 s me Ce r [pF/m] = 12 eke W 9.6 W con mo = W [0.619 log10 (W/h) 0.3853] h si 0.1 s/W 1 ko = 4.26 1.453 log10 (W/h) me = 0.8675 ke = 2.043 W h 0.12

(2.61)

si0.1 s/W 0.3

31

me =

1.565 1 (W/h)0.16

1.565 1 me = 0.16 (W/h)

si0.1 s/W 1

La exactitud de estas expresiones esta dentro del 7%, para 0.5 W/h 2 y 2.5 r 15. Por otra parte, se sabe que se han hecho varias aproximaciones para el clculo de la capacidad del gap y los resultados dieren signicativamente.

32

Capitulo 3
3 Anlisis de redes cuadripolares

Las redes de ltros son elementos esenciales en el desarrollo de cualquier rea de la ingeniera de microondas. Tales redes se clasican principalmente en funcin de sus caractersticas de transmisin, y aunque la realizacin fsica de ltros en las frecuencias de microondas puede variar, la topologa de red del circuito es comn a todos. A frecuencias de microondas, los voltmetros y los ampermetros para la medida directa de tensiones y de corrientes no existen. Por esta razn, la tensin y la corriente como medida del nivel de excitacin elctrica de una red, no desempea un papel primario a frecuencias de microondas. Entonces una vez vistos los medios de transmisin ms comunes a frecuencias de microondas, en este captulo se estudiaran las expresiones algebraicas ms utilizadas para la caracterizacin de redes cuadripolares (y se puede generalizar para describir una red de N puertos). Concretamente, en base a conceptos generales de redes lineales encontraremos las ecuaciones que sern tiles para el diseo del ltro deseado. Para ello en primer lugar se denirn bsicamente las redes de dos puertos o cuadripolos, haciendo nfasis en las relaciones de transferencia de potencia, y posteriormente se har un anlisis de la denicin de los parmetros de "scattering". Finalmente el captulo seala algunas propiedades y relaciones tiles de los parmetros de "scattering" al objeto de caracterizar los cuadripolos.

3.1

Redes cuadripolares

La teora de cuadripolos, como tipo ms sencillo de redes multipolares, es de importancia capital en la tcnica de sistemas de comunicaciones. Aunque nace de una extensin natural de los mtodos generales de anlisis, establece formulas y conceptos fundamentales en la sntesis. En ingeniera de telecomunicaciones se utilizan muchas veces redes que consisten en diferentes asociaciones de cuadripolos de caractersticas conocidas, y generalmente son un cierto nmero de etapas pasivas idnticas, conectadas en cascada entre un generador y una carga.

33

3.1.1

Descripcin general

Una de las categoras bsicas de las redes estudiadas en teora de redes, es la de redes de dos puertos que tambin se conocen como redes de dos pares de terminales, redes de cuatro terminales, cuatro polos y cuadripolos. Un puerto de una red se dene como cualquier par de terminales en los cuales la corriente instantnea que penetra en uno de los terminales es igual a la corriente instantnea que sale del otro terminal. Es claro, que cualquier seccin de lnea de transmisin uniforme es una red cuadripolar y ms especcamente que todas las secciones de lneas de transmisin uniforme son redes cuadripolares simtricas y recprocas. A no ser que se empleen materiales ferromagnticos o ferro elctricos estas redes son tambin lineales. Las variables en el estudio de redes cuadripolares recprocas pasivas lineales son los voltajes y corrientes que dependen del tiempo y que intervienen en la red cuadripolar, lo cual constituye cuatro cantidades en total. El objetivo de la teora de redes cuadripolares es desarrollar formulas que presenten relaciones tiles entre varios pares de estas cuatro cantidades en trminos de la naturaleza de la red. La naturaleza de la red se dene por los resultados de medidas especcas hechas en los terminales de la red. Si se conoce una estructura detallada de la red, los resultados de estas medidas se pueden calcular a partir de la teora elemental de circuitos. Para lneas de transmisin en forma cuadripolar los resultados se calculan a partir de la teora sobre la lnea de transmisin. Entre las cuatro cantidades, que comprenden los voltajes y corrientes de entrada y de salida de una red cuadripolar, es posible escoger dos pares de seis maneras diferentes. Para cada conjunto de pares se puede escribir dos ecuaciones simultneas que expresan cada una de las cantidades de un par como funciones de las dos cantidades en el otro par. De los seis conjuntos posibles de ecuaciones, hay cuatro a las cuales se les asignan nombres especcos. Las otras dos implican solamente una inversin de la red o un intercambio de variables.

Figura 3.1 A estos tipos de redes se los puede caracterizar completamente mediante parmetros medidos en sus terminales, y a partir de estos se puede predecir el comportamiento del circuito.

34

A bajas frecuencias se utilizan parmetros que se denen a partir de relaciones entre tensiones y corrientes en los terminales. As por ejemplo, circuitos pasivos de un solo puerto quedan caracterizados completamente por su impedancia o admitancia, mientras que para caracterizar circuitos multipuerto se denen los parmetro [Z], [Y], hbridos, etc. A altas frecuencias estos parmetros presentan problemas prcticos y se utilizan los denominados parmetros de Scattering o parmetros [S]. Por tanto el anlisis de redes cuadripolares se llevara a cabo en el dominio de la frecuencia en radianes o frecuencia con las corrientes y voltajes expresados en forma de fasores. Por ultimo es importante destacar de los cuadripolos, el hecho de que todas las familias de estos parmetros, [Z], [Y], [H], S, etc, pueden deducirse de las propiedades en los terminales de los cuadripolos y unas de otras a travs de relaciones estipuladas que se pueden encontrar de forma tabulada. 3.1.2 Balance de potencia

La gura 3.2, que representa un cuadripolo con las tpicas condiciones de un ltro, donde R1 y R2 son resistencias puras. En el caso ideal tendramos la red compuesta por elementos reactivos puros y adaptacin de impedancias en ambos puertos. Por lo tanto la potencia P2 entregada a la resistencia R2 seria mxima, es decir, que se le entregara la mxima potencia disponible Pav del generador. No obstante en la prctica los componentes reactivos, condensadores y bobinas, no son totalmente puros y sus impedancias son funcin de la frecuencia, presentando degradaciones importantes a frecuencias muy altas.

Figura 3.2 Por lo tanto, consideraremos los siguientes componentes de potencia:

35

1. Potencia P2 disipada en la carga R2 . 2. Potencia Pr reejada hacia el generador debido a desadaptacin. 3. Potencia P disipada en la red, debido a las perdidas inevitable de los componentes. La suma de estos tres componentes tiene que ser igual a la mxima potencia disponible del generador Pav = P2 +Pr +P . De donde cabe sealar que todos estos componentes son dependientes de la frecuencia. La ecuacin del balance de potencia puede ser modicada y expresada de otra manera para sealar que bsicamente las prdidas se concentran en la potencia disipada en la red. Pav 1= Pav + P P2 Pr + Pav Pav

(3.1)

Ahora bien, se ha visto que la insercin de una red entre un generador y una carga origina una variacin de la potencia absorbida por esta. Por lo tanto es importante denir lo que se entiende por funcin de transferencia de potencia. Comnmente se utiliza la funcin de perdidas de insercin que por denicin es: P20 = P2 R2 R1 + R2 2 2 E E2

(3.2)

donde P2 es la potencia absorbida por la carga cuando la red esta en su lugar, y P20 es la potencia en la carga en el caso de que no hubiese red de por medio. Pero la funcin perdidas de insercin tiene algunas desventajas, y es que la transferencia completa de potencia puede corresponder a casi cualquier valor del cociente P20 /P2 dependiendo de los tamaos relativos de R1 y R2 . Por esta razn suele utilizarse la funcin que se conoce como relacin de perdidas del transductor : Pav 1 = P2 4 R2 R1 2 E E2

(3.3)

de esta manera para una completa transferencia de potencia Pav /P2 = 1 a pesar de los tamaos relativos de R1 y R2 , (la denicin de mxima potencia disponible del generador Pav se puede ver en apndice A). Por otra parte la relacin Pav /P2 tambin hace referencia a atenuacin ya que se trata de una relacin entrada/salida. En aplicaciones prcticas interesa ms expresar estas relaciones en decibelios [dB], Pav P2

LA = 10 log

[dB]

(3.4)

36

Li = 10 log

P20 P2

[dB]

(3.5)

Finalmente podemos apreciar que si R1 = R2 las relaciones de perdidas del transductor y prdidas de insercin son las mismas.

3.2
3.2.1

Parmetros de Scattering
Denicin general

Los parmetros scattering generalizados han sido denidos por K.Kurokawa [Apndice C] y bsicamente dice que, el concepto de ondas que viajan en una lnea de transmisin no es el ms apropiado para determinar la potencia en la lnea en estado estacionario, ms an si no hay adaptacin de impedancias ya que implicara ondas reejadas y esto hace dos veces ms complicado el clculo de potencia. Principalmente por esta razn se ha introducido un nuevo concepto de onda. Por lo tanto los parmetros de scattering describen las interrelaciones de unas nuevas ondas complejas normalizadas ai y bi . El cuadrado del mdulo de estas ondas, es decir la magnitud, esta directamente relacionado con el intercambio de potencia de la fuente y la potencia reejada, por esta razn se las han llamado ondas de potencia5 . Vief + Zi Iief ai = p 2 |Re {Zi }| Vief + Zi Iief bi = p 2 |Re {Zi }|

(3.6a)

(3.6b)

Estas nuevas ondas complejas normalizadas se denominan ondas de potencia incidentes o reejadas en cualquier puerto ith de una red. Ellas son denidas en trminos complejos de voltaje ecaz Vief y corriente ecaz Iief , en los terminales de los puertos, y una impedancia arbitraria de referencia Zi que seria la impedancia hacia fuera que ve el puerto ith. Para la mayora de las aplicaciones que vamos utilizar y con el n de facilitar los clculos, ser ms conveniente asumir que la impedancia de referencia Zi es real y positiva. De ahora en adelante todas las variables y parmetros sern referidas a una nica impedancia real Zo .
Segn la denicin de K.Kurokawa la magnitud de las ondas de potencia estan representada en valores ecaces, y todo el estudio que se viene haciendo siempre hace referencia a que la magnitud del mdulo de los fasores son por defecto valores de pico. Por lo tanto para llevar a cabo el anlisis de la denicin de estas nuevas ondas, desde el punto de vista de teora de circuitos, va ser necesario arrastrar una constante (1/2) que multiplica a las ondas de potencia y que nalmente no habr alterado las expresiones generales conocidas que ms interesan.
5

37

3.2.2

Clculo y anlisis de las ondas de potencia

En la gura 3.3 tenemos V1 , V2 y I1 , I2 son los fasores de los voltajes y corrientes variables en los puertos uno y dos respectivamente, ZG y ZL son las impedancias terminales, Zoi la impedancia caracterstica de las lneas conectadas a los puertos ith, y E es el fasor de voltaje de la fuente de seal sinusoidal.

Figura 3.3 Si considerramos lneas de transmisin de impedancia caracterstica Zi conectados a los puertos, segn la denicin de K.Kurokawa en realidad estas lneas pueden tener una longitud tan pequea como se quiera pudiendo ser tanto real como compleja (en nuestro caso ya hemos denido de antemano que ser real y positiva), lo que supone que solo son una forma de denir las ondas de potencia y su impedancia caracterstica es una impedancia de referencia utilizada en la denicin. Por lo tanto, de la teora de lneas de transmisin tenemos que: Vi (z) = Vi+ (z) + Vi (z) Ii (z) =

1 + Vi (z) Vi (z) Zoi

Las variables independientes a1 y a2 son ondas de potencia complejas incidentes normalizadas: + V1 (z) + V1 (z) + V1+ (z) V1 (z) V1 + Zo1 I1 V + (0)ejz = = 1 a1 = 2 Zo1 2 Zo1 Zo1 + V2 (z) + V2 (z) + V2+ (z) V2 (z) V2 + Zo2 I2 V + (0)ejz = = 2 a2 = 2 Zo2 2 Zo2 Zo2 (3.7a)

(3.7b)

Las variables dependientes b1 y b2 son ondas de potencia complejas reejadas normalizadas: + V1 (z) + V1 (z) V1+ (z) V1 (z) V1 Zo1 I1 V (0)ejz = = 1 b1 = 2 Zo1 2 Zo1 Zo1 38 (3.7c)

 + V2 (z) + V2 (z) + V2+ (z) V2 (z) V2 Zo2 I2 V (0)ejz b2 = = = 2 2 Zo2 2 Zo2 Zo2

(3.7d)

Observamos que ambos parmetros tienen unidades de raz cuadrada de potencia. Con lo cual elevando al cuadrado la magnitud, es decir el mdulo, nos queda los siguiente:
2

|ai | =

Zoi 2 + 2 V (0) V |bi |2 = i = i Zoi Zoi

+ 2 V (0)
i

Zoi

+ 2 V
i

As |ai |2 es el mdulo de la onda de potencia incidente, y |bi |2 es el mdulo de la onda de potencia reejada. Entonces, vamos a analizar el caso que tendremos en la prctica y es cuando las lneas de transmisin en ambos puertos tienen la misma impedancia caracterstica y estn adaptadas al generador, al cuadripolo y a la carga. Siendo en nuestro caso el cuadripolo un ltro paso banda pasivo e ideal, al cual disearemos para que tenga una impedancia de 50 ohms en ambos puertos. Se conoce que bajo estas condiciones se puede considerar a la lnea de transmisin como una conexin puntual en cuanto al mdulo de las ondas, esto quiere decir que en el puerto uno tendremos que VD = V1 ; ID = I1 y en el puerto dos VL = V2 ; IL = I2 . Entonces, de la gura 3.3 se sabe que VD = E ID ZG = V1 , y se puede calcular la onda de potencia incidente de la siguiente manera: V1 + Zo I1 2 |(E ZG ID ) + Zo I1 | 2 |E|2 |E|2 2 = = = |a1 | = |a1 | = 4Zo 4Zo 2 4Zo 2 Zo
2

1 1 |E|2 |a1 |2 = 2 8 Zo

Por lo tanto en esta situacin |a1 |2 es la potencia disponible del generador (dicha expresin esta comprobado por teora de circuitos en el apndice A). Por otra parte tambin podemos ver la potencia que absorbe la carga, y sabiendo que VL = ZL IL = V2 , tenemos que, V2 Zo I2 2 |(ZL IL ) Zo I2 |2 2 2 2 Zo |IL |2 = Zo |IL | = |b2 | = |b2 | = 2 Z = 4Zo 2 o
2

1 1 |b2 |2 = Zo |IL |2 2 2

39

En cuanto a |a2 |2 y |b1 |2 se tiene que son cero debido a las condiciones de impedancia antes impuestas, de modo que se puede comprobar de la siguiente manera: V2 + Zo I2 2 |(ZL IL ) + Zo I2 |2 =0 |a2 | = 2 Z = 4Zo o
2

Por ultimo, para el clculo de |b1 |2 es necesario conocer la impedancia de entrada al puerto uno, que en esta seccin ya la hemos impuesto y la podemos relacionar como Zin1 = V1 /I1 = Zo , lo cual conlleva a tener, V1 Zo I1 2 |(Zin1 I1 ) Zo I1 |2 |b1 | = =0 2 Z = 4Zo o
2

Tambin se puede comprobar por medio de estas nuevas ondas, que la potencia que se entrega a la red es la diferencia entre la potencia incidente y la potencia reejada en el puerto correspondiente. Por ejemplo, en el caso que venimos estudiando la potencia en el puerto uno es: 1 1 1 |E|2 P1 = P1 = |a1 |2 |b1 |2 = 2 2 8 Zo 2 2 2Eef 1 Eef = 8Zo 4 Zo

(3.8)

Por ultimo, en un contexto ms general las deniciones antedichas garantizan que la potencia media en cualquier puerto independientemente del valor de las impedancias de entrada de los puertos, es: 1 (V + Z I ) (V + Z I ) (V Z I ) (V Z I ) 1 2 i i i i i i 2 i i i i i i |ai | |bi | = Pi = 2 2 4 |Re {Zi }| 1 2Ri (2 Re {Vi Ii }) 1 (Zi + Zi ) (Vi Ii + Vi Ii ) = Pi = 2 4 |Ri | 2 4 |Ri | Pi = 1 1 2 |ai | |bi |2 = Re {Vi Ii } 2 2

(3.9)

De no haber arrastrado la constante (1/2) nos estaramos reriendo a potencia media como el producto del fasor de voltaje ecaz y el fasor conjugado de corriente ecaz. Pi = |ai |2 |bi |2 = Re Vief Iief

(3.10)

40

3.2.3

Clculo y mdida de los parmetros [S]

Una vez establecidas las ondas de potencia y si el cuadripolo posee una respuesta lineal, se pueden denir los parmetros de scattering [S] como relacin entre las ondas de salida y las de entrada.

Donde los coecientes Sij son valores adimensionales que representan la fraccin de la amplitud de onda transmitida desde el puerto j al puerto i, con la impedancia del generador adaptada al puerto de entrada y el puerto de salida adaptado a la impedancia de carga. Estos parmetros pueden medirse de forma directa a frecuencia de microondas. De esta forma se puede escribir el sistema de ecuaciones que describen a la red de dos puertos, que son: b1 = S11 a1 + S12 a2 b2 = S21 a1 + S22 a2

[b] = [S][a]

(3.11)

No obstante los cuatro parmetros [S] son propios del cuadripolo y de la frecuencia de trabajo, y son independientes de la potencia o la impedancia del generador y de las condiciones de carga del cuadripolo. De la simple observacin del sistema de ecuaciones que denen los parmetros [S] se deduce que para el clculo o la medida de estos parmetros se tiene que cumplir:

Figura 3.4 41

S11 se calcula o se mide como el coeciente de reexin a la entrada del puerto uno cuando el puerto dos esta adaptado. S11 b1 = = IN 1 a1 a2 =0 (3.12)

S21 se calcula o se mide como el coeciente de transmisin de las ondas de potencia del puerto uno al puerto dos cuando el puerto dos esta adaptado. S21 b2 = = 21 a1 a2 =0 (3.13)

Figura 3.5 S22 se calcula o se mide como el coeciente de reexin en el puerto dos cuando el puerto uno esta adaptado. S22 b2 = = IN 2 a2 a1 =0 (3.14)

S12 se calcula o se mide como el coeciente de transmisin de las ondas de potencia del puerto dos al puerto uno cuando el puerto uno esta adaptado. S12 b1 = = 12 a2 a1 =0 (3.15)

Entonces para poder evaluar los parmetros [S] es importante anular una de las dos ondas de potencia incidente, para lo que es necesario cargar al puerto correspondiente con una carga adaptada a la impedancia de referencia. En el otro puerto debe situarse el generador que tendr tambin una impedancia equivalente igual a la de referencia, si se desea que la potencia de la onda incidente sea independiente del circuito a medir. En general ai siempre va ser cero en el puerto donde no haya conectado un generador y adems el puerto este terminado con una impedancia igual a la de referencia.

42

De todos modos bsicamente nos va a interesar el balance de potencia del cuadripolo con lo cual las cantidades que a efectos prcticos tienen ms inters son los siguientes: 2 b1 |S11 |2 = a1 potencia reejada en el puerto 1 potencia incidente en el puerto 1 potencia transmitida al puerto 2 potencia incidente en el puerto 1 potencia reejada en el puerto 2 potencia incidente en el puerto 2 potencia transmitida al puerto 1 potencia incidente en el puerto 2

a2 =0

2 b2 |S21 |2 = a1 2 b2 |S22 |2 = a2 2 b1 |S21 |2 = a2

a2 =0

a1 =0

a1 =0

3.3

Propiedades y relaciones de los parmetros [S]

Una vez denidos los parmetros de scattering, es apropiado sealar sus propiedades a n de remarcar su utilidad en la caracterizacin de redes cuadripolares, pudindose generalizar para redes de N puertos. 3.3.1 Propiedades de los parmetros [S]

En general, las propiedades de una red vienen especicadas por las funciones de inmitancia o transferencia, las primeras se reeren al comportamiento de entrada o de salida de un puerto excitado en corriente o en tensin, mientras que las segundas, se reeren al comportamiento de un puerto respecto de otro. Siendo estas ultimas las relaciones que proporcionan los parmetros [S]. Pasiva |Sij | 1 Recproca Sij = Sji Sin prdidas (propiedad de unitariedad) [S] [S] = [I]

43

k=1

N P

Ski Skj = ij

ij = 1 i = j caso 1 ij = 0 i 6= j caso 2

Es importante sealar que los circuitos simetricos son aquellos que presenta una simetra en sus parmetros caractersticos de reexin y transmisin. Esta propiedad no tiene por qu vericarse en los circuitos recprocos. De hecho pueden existir circuitos recprocos que no sean simtricos (una red pasiva en L, por ejemplo). Pero si las impedancias caractersticas de las lneas a las que se conectan todos los puertos son iguales, y con Sjj = Sii entonces se puede armar que una red simtrica es tambin recproca. 3.3.2 Relaciones tiles de los parmetros [S] para la caracterizacin de cuadripolos

Los parmetros [S] tienen varias caractersticas tiles para el anlisis y caracterizacin de redes, siendo adems directamente medibles a frecuencias de microondas. Estos parmetros en general son complejos, y seria mas apropiado expresarlos en funcin de amplitudes y fases, Sij = |Sij | eij para i, j = 1, 2. A menudo dichas amplitudes se acostumbran a dar en decibeles denidas de la siguiente forma: 10 log |Sij |2 [dB] 10 log |Sii |2 [dB] En la caracterizacin de ltros se denen estos parmetros como, prdidas de insercin entre el puerto j y el puerto i, y prdidas de retorno en el puerto j, respectivamente

LA = 20 log |Sij | [dB] i, j = 1, 2 (i 6= j) Lret = 20 log |Sjj | [dB] i, j = 1, 2

(3.16)

(3.17)

Es importante sealar que el signo menos de LA se debe a que las perdidas de insercin hacen referencia a una relacin entrada/salida, siempre y cuando haya adaptacin de impedancias (como se visto la seccin 3.1.1), y en cambio el parmetro Sij es una relacin salida/entrada. Por otra parte, en lugar de usar las prdidas de retorno, tambin se puede utilizar la relacin de onda estacionaria VSWR, 1 + |Sjj | 1 |Sjj |

V SW R =

(3.18)

44

Siempre que una seal se transmita a travs de una red frecuencia-selectiva tal como un ltro, un cierto retardo se introduce en la seal de salida en lo referente a la seal de entrada. Hay otros dos parmetros que desempean papel en caracterizar el ltro relacionado con el funcionamiento a este retardo. El primero es el retardo de la fase, denido por, 21 [segundos]

p =

(3.19)

donde 21 esta dada en radianes y esta dada en radianes/segundo. Siendo en este caso el puerto uno el de entrada y el puerto dos el de salida. El retardo de la fase es realmente el retraso de tiempo para una seal sinusoidal constante, normalmente es una seal portadora (modulada), y no es necesario conocer el retardo verdadero de esta seal porque una seal portadora no lleva la informacin. El parmetro ms importante es el retardo de grupo, denido por, d21 [segundos] d

d =

(3.20)

esto representa el retardo verdadero de la seal (seal en banda base), y es una medida de la respuesta temporal de ltros y cuanto ms grande ms tiempo tardan en reaccionar, aunque no es un problema de tiempo si no de uniformidad. En anlisis de redes sntesis, puede ser ms apropiado expresar el coeciente de reexin S11 en trminos de la impedancia Zin1 , que como ya se ha deducido en la seccin 3.2.1, es Zin1 = V1 /I1 . Tal expresin se puede deducir de la ecuacin (3.12), b1 V1 Zo I1 Zin1 I1 Zo I1 I1 Zin1 Zo = = = = a1 a2 =0 V1 + Zo I1 Zin1 I1 + Zo I1 I1 Zin1 + Zo S11 = Zin1 Zo Zin1 + Zo

S11

(3.21)

De forma anloga se puede encontrar S22 a partir de la ecuacin (3.15), S22 = Zin2 Zo Zin2 + Zo (3.22)

45

46

Capitulo 4
4 Teoria de ltros con lneas de transmisin

Este capitulo se centra en el diseo de ltros pasivos orientados a satisfacer especicaciones de magnitud, esto se consigue utilizando cuadripolos LC con estructura en escalera, en cuanto a la realizacin con elementos concentrados. No obstante, la teora de ltros utilizada en otros mbitos es totalmente vlida tambin en la banda de microondas y tan solo habr que matizarla con realizaciones propias de esta banda. Aunque, con una introduccin adecuada, la atencin se centrar en los ltros paso-banda con resonadores de media longitud de onda con gaps capacitivos basados en inversores de admitancia, ya que es el modelo elegido para el ltro que nalmente se implementara.

4.1

Diseo general de ltros

Esta seccin pretende tratar aquellos puntos ms generales en referencia al diseo de ltros pasivos mediante la teora de la aproximacin, y la de transformacin de frecuencia, para la construccin de estructuras genricas a partir de los prototipos paso-bajo. 4.1.1 Caracterizacin

Antes de entrar en materia es importante aclarar el concepto de ltro, y posiblemente el ms general sera aquel que lo dene como una estructura cuadripolo que selecciona o discrimina la seal a la salida respecto a la entrada, dejando pasar un determinado margen frecuencial y rechazando a su salida el resto. Como se desprende de esta denicin, ya se han dejado de lado otros tipos de estructuras que en sentido amplio se los debe conocer como ltros, pero que no se adaptan a ella, como son los ecualizadores, las lneas de retardo, o estructuras de tres o mas accesos, los diplexores y multiplexores, los cuales por una cuestin de volumen de informacin no sern tratados en este capitulo. El bloque de ltros que caen dentro de la denicin dada previamente, se los puede englobar dentro de cuatro categoras, determinadas por el comportamiento en funcin de la frecuencia, estos son: paso-bajo, paso-alto, paso-banda y banda eliminada. Para denir o especicar cuantitativamente un ltro existen multitud de mtodos, pero posible-

47

mente la ms sencilla sea a travs de la atenuacin que se aplica en funcin de la frecuencia, ello supone determinar, entre otros, los siguientes valores: - Frecuencia/s de corte de la banda de paso o eliminada. - Mxima atenuacin permitida en la banda de paso. - Minima atenuacin para una/s frecuencia/s dentro de la banda eliminada. Dado que se trata, en principio, de estructuras de dos accesos y como ya se ha visto en el Capitulo 3, todos ellos se pueden representar mediante el comportamiento del parmetro S21 , a travs de la atenuacin L, o tambin conocida como prdidas de insercin.

LA = 20 log10 |S21 | y llevar implcito un comportamiento en reexin, por la caracterstica de red pasiva sin perdidas, denida por las Perdidas de Retorno:

Lret = 20 log10 |S11 | Con ella se puede representar el comportamiento de los cuatro modelos generales de ltro, mostrados en la Figura 4.1. 4.1.2 Teora de la aproximacin

Cuando se desea descomponer una determinada seal en diversos componentes, diferenciados por su contenido frecuencial, interesa disponer de un ltro que, rechazando los componentes de seal no deseados, permita el paso sin distorsin de la seal deseada. Por ello el ltro ideal seria aquel que presentase un comportamiento de atenuacin cero (perdidas de insercin cero) y lineal en fase (para evitar distorsin de la seal) en la banda de paso, mientras que fuese innito en todo el resto de la banda espectral (perdidas de insercin innito). Pero este ltro ideal denitivamente no se aviene con un sistema causal, por tanto y para alcanzar el objetivo propuesto se recurre a la teora de la aproximacin, que permite realizar fsicamente una estructura que, aunque no responde al modelo ideal, se aproxime a la caracterstica deseada. Entre las aproximaciones al ltro ideal paso bajo, cabe destacar las siguientes, para la frecuencia de corte normalizada a 1, Butterworth: 48

|S21 |2 = Chebyschev: |S21 |2 = |S21 |2 = 1 1+

1 1 + 2n

cos2 (n cos1 )

1 m1

1 1 + cos2 (n cos1 )

Ambas se caracterizan por especicar el comportamiento en la banda de paso (frecuencia inferior al corte) ms que a la banda atenuada, a travs del orden n del ltro, y el rizado , y sin considerar el efecto que sufre la seal desde el punto de vista de la relacin de fase a la entrada y la salida. Existen aproximaciones que determinan especcamente la banda atenuada, como los ltros elpticos, mientras que otros trabajan ms el comportamiento en fase de la seal, como los denominados ltros lineales en fase. Centrando la atencin en los dos primeros modelos, ambos son sintetizables con estructuras en escalera bobina-condensador alternados doblemente enlazada como indica la siguiente gura. El parmetro n coincide con el nmero de elementos reactivos del ltro, mientras que el valor de los elementos depende tanto del orden y frecuencia de corte, como tambin el tipo del ltro escogido.

Los valores de las inmitancias gk (k = {i, j} 1) estn tabulados para diferentes tipos de respuesta. Estos elementos se disponen alternando entre conexiones en serie y en paralelo, teniendo los siguientes signicados: resistencia interna del generador, si g1 - paralelo conductancia interna del generador, si g1 - serie gi inductancia para los elementos L - serie 49

g0 =

gk |k=1,..,n =

gj capacidad para los elementos C - paralelo

gn+1 =

resistencia de carga, si gn es un elemento C - paralelo resistencia de carga, si gn es un elemento L - serie

Por lo tanto, se pueden obtener para cada plantilla paso-bajo Figura 4.2a, y a partir de ellas las tablas de valores de los componentes de las redes, normalizadas en frecuencia de corte, y en impedancia, ambas son generalmente de valor 1 (Figura 4.2b).

50

Figura 4.2b 4.1.3 Aproximacin de ltros paso bajo

Cuando se pretende realizar el ltro paso-bajo con una frecuencia de corte especicada c , y para una determinada impedancia RN , se debe proceder al escalado del comportamiento. Esto se lleva a cabo modicando los componentes especicados por las plantillas normalizadas, de la siguiente manera: gi RN c gj c RN

Li =

; Cj =

(4.1)

donde gi se corresponde a una bobina y gj a un condensador. El procedimiento para obtener el ltro ideal, a partir de unas especicaciones determinadas es el siguiente: 1. Delimitar el comportamiento real del modelo paso-bajo, a frecuencias de corte, rizado de la banda de paso, comportamiento en la banda atenuada etc. 2. Normalizar el comportamiento frecuencial, a n de que la pulsacin de corte se corresponda a 1. 3. Determinar el prototipo que cumple con los requisitos tanto de la banda de paso como de la banda atenuada. 51

4. Calcular los valores reales para las L y las C, a partir de las expreiones anteriores. Para visualizar todo esto la Figura 4.3, muestra las plantillas correspondientes, en donde el ltro deseado debe presentar una atenuacin inferior a Lp (atenuacin mxima en la banda de paso) para pulsaciones inferiores a p (pulsacin limite de la banda de paso), igualmente debe presentar una atenuacin superior al valor Ls (atenuacin mnima en banda de atenuada) para pulsaciones superiores a s (pulsacin limite de la banda atenuada).

Figura 4.3 Lp y Ls se miden en dB y, en principio pueden tomar cualquier valor. Sin embargo, en los sucesivo, consideraremos siempre que Lp = 3dB, por lo que p coincide con la pulsacin de corte c del circuito. Luego, el calculo del orden del ltro es en funcin de valor requerido de Ls , que se puede deducir directamente de las plantillas paso-bajo para ltros Chebyschev o Butterworth, en el caso de escoger las de Chebyschev como la Figura 4.2a tenemos que, s / c = 1 1 = p / c 1

(4.2)

asi, segn el valor de la ecuacin (4.2) se busca la interseccin con la curva (que lleva asociada el orden n) y con un valor mayor o igual al requerido como minimo Ls . 4.1.4 Aproximaciones de ltros paso alto, paso banda y banda eliminada

Si el ltro que se desea aplicar no presenta comportamiento paso bajo, y est cae dentro del grupo sealado, con el n de no desaprovechar la teora de la aproximacin descrita, se recurre a la teora de transformacin de frecuencias. Con ella se pretende obtener una respuesta frecuencial paso alto, paso banda o banda eliminada, a partir de una respuesta frecuencial paso bajo, 52

denominada como antes prototipo. Las relaciones de transformacin son las siguientes, basadas en los parmetros especicados en la Figura 4.4. Paso bajo: c

Paso bajo a paso banda: 1 , Paso bajo a banda eliminada: 0 0 0 0

(4.3)

= p2 p1 = 0
0 p2 p1

(4.4)

donde

representa la pulsacin en el prototipo paso bajo, mientras que es la pulsacin del

= p2 p1 = 0
0 p2 p1

(4.5)

modelo real, con p2 y p1 los extremos de la banda de paso. es el ancho de banda relativo del ltro y 0 es la pulsacin central. Para alcanzar el comportamiento deseado a partir del prototipo paso bajo, se debe reemplazar los componentes reactivos por otros que correspondan a la transformacin en frecuencia, estos se encuentran el la Figura 4.5, donde ya se ha aplicado el escalado en impedancia.

Figura 4.4 53

La Figura 4.5 muestra el resultado de la normalizacin de frecuencias para implementar un ltro paso-banda a partir del prototipo paso-bajo.

Figura 4.5 En este caso, para el calculo de orden del ltro en funcin de Ls se tiene que identicar las pulsaciones como muestra la siguiente expresin: = 1 1 = 1
si pi

i = 1, 2

(4.6)

4.2

Filtros paso-banda a frecuencias de microondas

Se realizan acudiendo a una amplia variedad de estructuras de microondas (tambin validas para ltros de banda eliminada), la mayora de las cuales estn basadas en lneas de transmisin resonantes intercaladas entre inversores de inmitancia (impedancia o admitancia). 4.2.1 Introduccin

Los modelos de ltros indicados previamente, construidos a partir de estructuras en escalera mediante elementos concentrados (bobinas y condensadores), funcionan correctamente a frecuencias bajas, pero presentan grandes complicaciones a medida que se sube la frecuencia, por tres motivos fundamentales: 1. El limitado margen de valores que se puede encontrar de los elementos a utilizar. 2. Ambos elementos (inductivo y capacitivo) concentrados estn limitados por el hecho de que sus parsitos llegan a degradar totalmente el comportamiento. 3. La distancia entre componentes no puede ser considerada despreciable, pudiendo llegar a afectar de sobremanera el diseo. 54

En la prctica se debe recurrir a aproximar los elementos reactivos a partir de elementos distribuidos, construidos mediante lneas de transmisin. El diseo de ltros con comportamiento paso-banda, y tambin los de banda eliminada, presentan una dicultad superior a los modelos paso-bajo o paso-alto. Estos ltimos pueden ser de implementacin relativamente sencilla a partir del prototipo paso-bajo y de las transformaciones de Richard que permiten la sustitucin de elementos concentrados por secciones de lneas de transmisin. Luego, estas secciones lneas pueden ser de difcil implementacin prctica, de modo que para que sea ms cmoda la implementacin del ltro se utilizan las denominadas equivalencias de Kuroda, que mediante lneas de transmisin redundantes llamados elementos unitarios E.U (miden /8 a = c ) se consigue eliminar las secciones de lneas antes mencionadas. Por lo tanto, para realizar modelos paso-banda (o banda eliminada) posiblemente sea ms sencillo partir de otro tipo de sntesis de ltros, utilizando los denominados inversores de inmitancia (impedancias o admitancias). Este mtodo presenta la gran ventaja de reemplazar alguno de los comportamientos, inductivo o capacitivo, mediante un inversor de inmitancias. Una vez se ha establecido el prototipo paso-bajo de partida, este se construye mediante inversores de inmitancia, para luego modicarlo y que se comporte como paso-banda o banda eliminada, para ello bastar con reemplazar el elemento reactivo por el equivalente de transformacin, indicado en la Figura 4.4, manteniendo el conjunto de inversores. Para llegar a la realizacin fsica del ltro paso-banda o banda eliminada convendr, como se ha mencionado previamente, reemplazar todos los elementos concentrados por lneas de transmisin. Luego, surge un problema agregado en este punto, y es por el hecho de que el comportamiento a reemplazar es resonante (serie o paralelo). Esto se puede solucionar mediante la simple introduccin de un tramo de lnea /2 entre dos inversores consecutivos. Asi, mediante unas series de aproximaciones adecuadas se consigue eliminar los elementos capacitivos e inductivos concentrados en el ltro, necesario para construir los resonadores. 4.2.2 Inversores de inmitancia

Como hemos visto, para la implementacin de ltros paso-banda y banda eliminada con lneas de transmisin, es conveniente utilizar inversores de impedancia (K) o inversores de admitancia (J). Tales inversores son especialmente tiles para teles ltros con anchos de banda menores al 10% (estrechos). La operacin conceptual de impedancia y admitancia se ilustra en Figura 4.6, estos inversores 55

esencialmente permiten convertir una impedancia en una admitancia cambiando su disposicin de elemento en serie a elemento en paralelo, o viceversa.

Figura 4.6 El inversor ms sencillo es evidentemente el tramo de lnea /4 (Figura 4.6b), cuyo control de inversin ser K = Zo , pero presenta una fuerte dependencia con la frecuencia, lo que lo hace desaconsejable como parte de un circuito, siempre que acte como inversor. Se deben buscar otras estructuras que sean menos sensibles a la frecuencia, entre las que podemos las estructuras que muestra la Figura 4.6c. Como ya hemos mencionado, la mayora de las aplicaciones de los inversores se encuentran en la constitucin de ltros, y dado que el comportamiento depende fuertemente del inversor es lgico pensar que estos deben actuar como tal en todo el margen de trabajo, y en el caso que esto no sea posible, como mnimo lo sea dentro del margen ms amplio. Luego, con relacin a las

56

estructuras de la Figura 4.6c, en la prctica esta demostrado que el inversor es ms insensible a la frecuencia cuanto ms reducida sea su reactancia. 4.2.3 Filtros basados en inversores de inmitancia

Se puede realizar un ltro de orden N disponiendo N+1 inversores de inmitancia entre N lneas de transmisin de longitud /2 a la frecuencia central. Si bien el siguiente desarrollo se puede hacer en un caso completamente general, se discutir el caso en que N = 3, basado en transformadores de admitancia (el modelo que nalmente se implementara). La Figura 4.7a muestra a continuacin una estructura con cuatro inversores de admitancia de relacin Jk conectados en cascada por medio de lneas de transmisin de longitud elctrica = a 0 e impedancia caracterstica Z0 . Ms abajo se han reemplazado las lneas por sus resonadores equivalentes. Finalmente, en la Figura 4.7b los inversores de los extremos, terminados en Z0 , se han sustituido por su circuito equivalente.

Figura 4.7a

Figura 4.7b Con relacin a la notacin de la gura, se puede expresar la impedancia de entrada Zin a partir 57

de las admitancias Y4 , Y3 , Y2 , como:

Zin = j (J

2 01 Zo )

q
C L

1 +
1 (J01 Zo )2 j 2 J12 C 0 L 0 +
2 J12 j 2 J23 (J01 Zo )2

1 J 2 (J34 Zo )2 C 0 + 12 Yo 2 L 0 J23 (J01 Zo )2

Luego podemos identicar la expresin de Zin , en el prototipo de ltro paso-banda de orden 3 mostrado en la siguiente gura. La impedancia de entrada Z de este ltro viene dada por: in

Figura 4.8 Z = q in 1 j C1 0 L 1 +
j 1 C2 0 L2 0 + 1 C3 0 L3 0 +YL

Comparando las ecuaciones de Zin y Z se puede establecer una relacin entre las constantes in J01 , Jj,j+1 , Jn,n+1 y los elementos del ltro prototipo. Si adems se introduce la dependencia de Ck y Lk con las inmitancias gk ( k = {i, j}) del prototipo paso de bajo (ver seccin 4.1.2), entonces se pueden determinar las relaciones de transformacin a partir de las tablas que muestra la Figura 4.2b y del ancho de banda fraccional . Estas relaciones se pueden sistematizar a partir de las siguientes ecuaciones6 : J01 = Yo s 2g0 g1

(4.7a)

Jj,j+1 = Yo 2 gj gj+1

j = {1, .., n 1}

(4.7b)

Jn,n+1 = Zo Jn,n+1 =
6

2gn gn+1

(4.7c)

La ecuacin 4.7b es un caso el cual requiere de una condicin particular que impone j 6= 0.

58

4.2.4

Filtros con resonadores de media longitud de onda acoplados capacitivamente

Otros tipos de ltros pasivos, paso-banda, muy utilizados, son los que se construyen colocando N secciones de lnea de transmisin separadas por N+1 discontinuidades (gaps) capacitivas, como muestra la Figura 4.9.

Figura 4.9 En este tipo de ltros, la frecuencia central 0 de la banda de paso esta determinada por la longitud entre gaps (aproximadamente una semilongitud de onda), igual en todas las lneas. La anchura de las lneas y los gaps determina las perdidas, rizado y ancho de banda, y contribuyen en menor medida a la frecuencia central de la banda de paso. Por otro lado, la separacin entre las lneas tiende a ser igual y muy pequea para no provocar unas excesivas prdidas. Ancho de banda pequeo del orden < 10%, y presenta un inconveniente no menor y se trata de las altas prdidas de los gaps capacitivos. Entonces, cada lnea de transmisin equivale a un resonador LC, y tiene una longitud fsica prxima a 0 /2, estando 0 asociada a la frecuencia 0 . Luego, para el anlisis del ltro, consideraremos el circuito equivalente de la Figura 4.10a, en la que 01 , 12 , .., n1,n y n+1,n son longitudes elctricas negativas.

Figura 4.10a 59

De esta manera el ltro admite la siguiente representacin:

Figura 4.10b De forma an ms general tenemos que la longitud de cada lnea es7 : 1 1 x |p=q1 = + p1,q + p,q+1 2 2 p1,q , p,q+1 < 0 |=0 =

(4.8)

Por otra parte, para la implementacin fsica del ltro, si se asume que las separaciones capacitivas (gaps) actuan de modo perfecto, las discontinuidades de la serie-capacitancia que tiene una susceptancia Bx,x+1 , se puede identicar con la expresin B/Yo de la Figura 4.6c, quedando de la siguiente manera: Bx,x+1 = Yo
Jx,x+1 Yo Jx,x+1 Yo

(4.9)

donde Jx,x+1 es una forma ms general de expresar las ecuaciones (4.7), por lo tanto identicando los trminos de la derecha de la ecuacin 4.8 con la expresin de de la Figura 4.7c, se tiene que, Bx,x+1 Bx,x+1 1 1 1 tan 2 + tan 2 [rad] x = 2 Yo Yo

(4.10)

donde Bx,x+1 y x son evaluados en fo . Tambin cabe destacar que el segundo trmino de la derecha de la ecuacin (4.10) indica claramente la absorcin de las longitudes elctricas negativas de los inversores de admitancia J asociados a los resonadores de media longitud de onda. En referencia al circuito equivalente de gap descrito en la seccin 2.4.8, las separaciones Sx,x+1 entre los resonadores, pueden ser determinados a partir de las capacidades equivalentes.
x,x+1 = Cg

Bx,x+1 0

(4.11)

7 El subndice x es utilizado para generalizar an ms las expresiones que lo requieren, siendo x 0, ya que se ha denido previamente i, j, k, p, q = {1, .., n}.

60

En cuanto a la longitud fsica de los resonadores, se tiene la siguiente expresin: g0 e1 e2 x lx lx 2

lx =

(4.12)

e1,e2 son las longitudes efectivas que se tienen que considerar por las desviaciones donde lx

causadas por las capacidades Cp en ambos extremos del resonador x. Estas longitudes se pueden encontrar a partir de:
e1 lx = x1,x g0 0 Cp Yo 2

(4.13)
e2 lx = x,x+1 0 Cp

Yo

g0 2

61

62

Capitulo 5
5 Diseo del ltro. Implementaciones y simulaciones

En este capitulo se procedera, en base a la teora descrita en los capitulos precedentes, al diseo y simulacin del ltro paso-banda con elementos concentrados y posteriormente con elementos distribuidos, concretamente utilizando las discontinuidades tipo gaps, en lneas microstrip.

5.1

Especicaciones de diseo

La teora de lneas de transmisin llena en gran medida el vaco entre la teora de ondas electromagnticas y la teora de circuitos bsica, siendo de importancia signicativa en el anlisis de redes de microondas. - Frecuencia central f0 = 5GHz - Ancho de banda BW = 125M Hz Frecuencia de corte inferior de fp1 = 4.9375GHz

Frecuencia de corte superior de fp2 = 5.0625GHz Margen inferior a fs1 = 4.8GHz - Atenuacin minima superior a Ls 20dB Frecuencia de corte superior de fs2 = 5.2GHz - Rizado en la banda de paso de Lr = 0.5dB - Impedancia de normalizacin RN = 50

5.2

Diseo y simulacin del ltro mediante elemento concentrados

El primer paso es identicar el prototipo paso-bajo mediante la normalizacin en frecuencia, lo que exige determinar la pulsacin central y el ancho de banda relativo . p f1 f2 = 31.4134 109 rad/s s2 s1 = 0.025 0

0 = 2

(5.1)

(5.2)

Aplicando la relacin de transformacin (ecuacin 4.4), obtenemos las frecuencias equivalentes del prototipo paso-bajo, 63

p1

1 ,

p1 0 0 p1

p2

1 ,

s1

1 ,

= 1.0063 = 0.9938 (5.3)

p2 0 0 p2

s1 0 0 s1

s2

1 ,

= 3.2667 = 3.1384

s2 0 0 s2

Figura 5.2 Con estos valores nos vamos a la plantilla que nos determinara el orden del ltro de Chebyschev de rizado 0.5dB (Figura 4.2a). Dado que las frecuencias
s1

s2 ,

asociadas a los extremos

de la banda atenuada, son distintas en mdulo, se escoge la ms restrictiva en mdulo para determinar el prototipo paso-bajo, en este caso ser
s2 .

De la observacin de la plantilla y

aplicando adecuadamente la ecuacin 4.6, se establece un prototipo de orden 3. s2 p2 1 = 2.157 = n = 3 Ls 30dB

Luego, de la tabla que muestra la Figura 4.2b, obtenemos los valores de los componentes de las redes, normalizadas en frecuencia de corte y en impedancia, de valor 1.

g1 = 1.5963

g2 = 1.0967

g3 = 1.5963

g4 = 1

El siguiente paso es la determinacin de los elementos nales a partir del escalado y transformacin en frecuencia, partiendo de un prototipo paso-bajo (C-L-C) de orden 3,

64

Figura 5.3 y precisamente de la tabla de la Figura 4.5 se obtienen los valores que tomarn las bobinas y condensadores, L1 = L3 = RN g1 = 24.9256pH ; C1 = C3 = = 40.6494pF g1 0 0 RN (5.4) g2 RN L2 = = 69.818nH 0 ; C2 = = 0.0145pF g2 0 RN

5.3

Diseo y simulacin del ltro mediante elementos distribuidos

Una vez comprobado que el ltro ideal mediante elementos concentrados cumple con las especicaciones, vamos a implementarlo con lneas de transmisin e inversores de admitancia, tal como se describio en la seccin 4.2.4 y particularizado para orden n=3.

Figura 5.3 Calculamos primero las constantes de inversin a partir de las ecuaciones 4.7, y conociendo de las especicaciones que = 0.025, tenemos que: J01 J34 = = Yo Yo r = 0.1568 2g1 (5.5)

J12 J23 = = = 0.0296 Yo Yo 2 g1 g2 A partir de las constantes de inversin, la ecuacin 4.9 se obtienen los valores de las susceptancias de los condensadores , 65

B01 B34 (J01 /Yo ) = = = 0.1607 Yo Yo 1 (J01 /Yo )2 B12 B23 (J12 /Yo ) = = = 0.0296 Yo Yo 1 (J12 /Yo )2

(5.6)

despus a partir de las susceptancias, con la ecuacin 4.10, se obtienen las longitudes elctricas, h i 1 2 B01 + tan1 2 B12 = 2.9565rad 1 = 3 = tan Yo Yo
1 2

h i 2 = tan1 2 B12 + tan1 2 B23 = 3.0824rad Yo Yo

1 2

(5.7)

y nalmente con la ecuacin 4.11, los valores de los condensadores,

01 34 Cg = Cg =

B01 = 0.1023pF Zo 0

(5.8)

12 23 Cg = Cg

B12 = = 0.0188pF Zo 0

Para el diseo y simulacin con lneas microstrip, los parmetros del substrato que utilizaremos sern:

r = 4.5

h = 1.5mm

t = 0.07mm

Con estas condiciones, imponiendo que Zo = 50 y a partir de las ecuaciones 2.44 y 2.45 (seccin 2.4.2), calculamos el coeciente de permitividad efectivo re , y el ancho de la lnea microstrip W , respectivamente. 1 W 120 W Zo = + 1.393 + 0.677 ln + 1.444 re h h re h 0.5 r + 1 r 1 + 1 + 12 = 2 2 W W = 2.8275mm re = 3.3948

(5.9)

x,x+1 Luego para el clculo de las separaciones s, asociados a las capacidades Cg , utilizaremos

las expresiones que describen el circuito equivalente, de discontinuidad a gaps, presentado en la seccin 2.4.8. En concreto para encontrar una expresin de la separacin s, utilizaremos las ecuaciones 2.60, Cp = 0.5Ce

Cg = 0.5Co 0.25Ce

= Ce = 4 (0.5Co Cg )

(5.10)

66

La ecuacin 5.10 es la que nos permitir conocer el valor de s correspondiente, pero antes sera necesario encontrar las expresiones de Co y Ce , que de las ecuaciones 2.61, s m0 k s m Co = 2.8275 4.5 0.8 e 0 = Co = 1.542 103 2.8275 0 ek0 1000 9.6 2.8275 C = 12 2.8275 4.5 0.9 s me eke = C = 0.0171 s me eke e e 1000 9.6 2.8275 2.8275

(5.11)

ahora bien, en cuanto al calculo de m0 , k0 , me y ke lo particularizaremos para el caso 0.1 s/W 1 y 0.3 s/W 1, respectivamente. Con lo cual, nos quedaria lo siguiente: mo = 2.8275 0.619 log10 2.8275 0.3853 = 0.405 05 1.5 1.5 2.8275 ko = 4.26 1.453 log10 1.5 = 3.86
1.565 me = 2.8275 0.16 1 = 0.414 05 ( 1.5 ) k = 1.97 0.03 = 1.9541 e ( 2.8275 ) 1.5

por lo tanto ahora se puede pasar al calculo de las expresiones de las separaciones s con la ecuacin (5.10), h i s 0.40505 s 0.41405 01 0.1210 = 4 0.0365 2.8275 Cg = s01 = s34 = 0.1778mm 2.8275 h i s 0.40505 s 0.41405 12 0.1210 = 4 0.0365 2.8275 Cg = s12 = s23 = 1.7959mm 2.8275

(5.12)

tambin es necesario encontrarn las capacidades Cp , para el calculo de las longitudes efectivas
e1,e2 que se tienen que considerar por las desviaciones causadas por las dichas capacidades, lx

en ambos extremos del resonador x :

01 34 Cp = Cp = 1 0.1210 2 12 Cp

23 Cp

Antes de pasar a calcular las longitudes fsicas de los resonadores, es necesario denir las longitud de onda g0 , que en este caso, dado que la frecuencia centra f0 = 5GHz, el efecto de prdidas por dispersin no puede ser considerado despreciable, y luego de previas comprobaciones consideramos ms apropiado utilizar re (f ) para el calculo g0 . Entonces directamente de la ecuacin (2.54), tenemos: r re = 3.5225 1 + (f/f50 )m 67

s12 0.41405 1 2 0.1210 2.8275

0.41405 s01 2.8275

= 0.0192pF (5.13) = 0.0501pF

re (f ) = r

(5.14)

g0 =

e1,e2 Entonces, ahora podemos proceder con el calculo de lx y lx respectivamente, 01 0 Cp g0 = 0.1582mm Yo 2 12 0 Cp g0 = 0.4mm Yo 2

300 p = 31.968mm f (GHz) re (f )

(5.15)

e1 e2 l1 = l3 =

e2 e1 l1 = l3 =

(5.16)

e1 e2 e2 l2 = l2 = l1

Por ultimo, podemos encontrar las longitudes fsicas de los resonadores, de la siguiente manera: l1 = l3 = g0 e1 e2 1 l1 l1 = 14.484mm 2

(5.17)

g0 e2 e1 2 l1 l3 = 14.882mm l2 = 2 Finalemente pasamos a simular el ltro, en donde se pueden apreciar

68

Por ultimo podemos ver la periodicidad del ltro paso-banda implementado con elementos distribuidos. Como tambin se puede comprobar, como afecta el efecto de prdidas por a medida que aumenta la frecuencia.

69

70

APENDICE A
Teorema de la mxima potencia transmitida
En la siguiente gura se representa un caso general, tenemos un circuito fuente jo constituido por elementos lineales y un circuito de carga ajustable que contiene elementos lineales pero no fuentes. Se trata de seleccionar la carga que extraiga de la fuente ja, la mxima potencia media.

Figura A.1

Dado que trabajaremos con seales sinusoidales ser ms cmodo operar con los fasores correspondientes a cada seal, ya estos permiten agilizar notablemente los clculos y formalizar ms concisamente la teora del rgimen permanente sinusoidal. e(t) = Em cos (t + e ) E = |E| eje v(t) = Vm cos (t + v ) V = |V | ejv i(t) = I cos (t + ) I = |I| eji m i ZG = RG + jXG ZL = RL + jXL

Por denicin la potencia media real asociada al par de terminales de la carga ser la mitad del producto del fasor voltaje y el conjugado del fasor de corriente. PL = 1 Re {V I } 2 (A.1)

Siendo el fasor de voltaje y corriente en la carga: V = ZL E E; I = ZL + ZG ZL + ZG

71

 E E E E 1 1 8 ZL PL = Re ZL PL = Re 2 ZL + ZG ZL + ZG 2 ZL + ZG ZL + ZG | {z }| {z }
A A

2 2 RL Eef RL 2Eef 1 = PL = q 2 2 (RL + RG )2 + (XL + XG )2 (RL + RG )2 + (XL + XG )2

( 2 ) E 1 1 PL = Re ZL = RL |I|2 ZL + ZG 2 2

(A.2)

(A.3)

Al trabajar con la ecuacin A.3 recordamos que E, RG , y XG son cantidades jas, mientras que RL y XL son las variables independientes. Por lo tanto, para maximizar PL hay que encontrar los valores de RL y XL , para los cuales las derivadas parciales PL /XL y PL /RL sean cero.
2 2RL Eef (XL + XG ) P =h i2 = 0 XL = XG XL 2 2 (RL + RG ) + (XL + XG )

(A.4)

P = RL

2 Eef

h i (RL + RG )2 + (XL + XG )2 2RL (RL + RG ) = 0 RL = RG h i2 (RL + RG )2 + (XL + XG )2

(A.5)

queda claro que las dos derivadas son iguales a cero cuando ZL = ZG . Estas condiciones dan

lugar a expresar la mxima potencia media que se puede suministrar a la carga. 1 Eef = 4 RG
2

Pav = PL |ZL =Z

(A.6)

Esta ltima expresin es tambin conocida como la mxima potencia disponible en el generador. Si el voltaje de la fuente se expresa en trminos de valores de pico, la ecuacin anterior se convierte en: 2 2 2 Eef 1 |E|2 = 2 Pav = 8 RG 2 4RG

Pav

(A.7)

El producto de dos nmero complejos conjugados vale: A = A ej ; A = A ej ; A A = A ej+j =

72

Referencias
[1] [2] [3] Jia-Sheng Hong, M.J. Lancaster. Microwave Filters for RF/Microwave Applications. David M. Pozar. Microwave Engineering. G. Matthaei, L. Young, E.M.T. Jones. Microwave Filters, Impedance-Matching Net-

works, and Coupling Structures. [4] Jose Miguel Miranda, Jose Luis Sebastin, Manuel Sierra, Jose Margineda. Ingenieria

de Microondas. [5] Alexandru Tugulea. Two-Dimensional Equations for The Analysis of Microstrip Line

Dispersion and Step Discontinuities [6] K. Kurokawa. Power Waves and the Scattering Matrix, IEEE ransactions on Microwave

Theory and Techniques, Vol. MTT-13, No. 2, March, 1965. [7] Cesar Lugo Jr, Dane Thompson, John Papapolymereu. Recongurable Bandpass Fil-

ter with Variable Bandwidth at 5.8GHz, Using a Capacitive Gap Variation Technique, 33rd European Microwave Conference Munich 2003. [8] [9] Robert A. Chipman. Lneas de transmision. James W. Nilsson. Circuitos elctricos

73