PROCEDEUL LIGA

Pentru obinerea microstructurilor metalice i din polimeri, dezvoltate n spaiu, pe 2 1/2 axe i pe 3 axe, cu raport mare ntre nlimea i dimensiunea lor n plan, a fost fcut cunoscut, n anul 1980, procedeul LIGA. Cel care a comunicat apariia acestui nou procedeu de lucru a fost Wolfgang Ehrfeld, de la Centrul de Cercetri Nucleare din Karlsruhe. Prima realizare a fost o minicentrifug pentru separarea izotopilor de uraniu, din nichel, a crei dimensiune minim n plan era de 5 m i avea o nlime de 300 m. Numele procedeului este un acronim al denumirilor n limba german ale metodelor de lucru pe care se bazeaz procedeul: Lithographie, Galvanoformung, Abformung (litografie, galvanoplastie, modelare/turnare). Procedeul i-a gsit numeroase aplicaii: zone Fresnel, elemente fluidice, lentile i prisme din PMMA, microcontacte din nichel, microbobine din cupru, cleme metalice i roi dinate din nichel formate pe un substrat separat i asamblate ulterior cu arborii, prisme hexagonale din nichel - adaosuri metalice pentru materiale compozite, duze pentru tragerea fibrelor din materiale plastice, microturbine din nichel sau cupru - cu fibr optic integrat pentru msurarea turaiei turbinei, micromotoare magnetice, micromotoare electrostatice, mti metalice pentru structurarea n plasm a suprafeelor asferice nanometrice.

1. Descrierea procedeului pentru structuri spatiale 2 1/2D si 3D

Procesul tehnologic schematic de obinere a microstructurilor prin procedeul LIGA rezult din fig.1. Spre deosebire de procesele de microstructurare superficial a siliciului, pe care s-au bazat celelalte prelucrri micromecanice, la aplicarea procedeului LIGA, grosimea stratului de rezist corespunde cu nlimea dorit a microstructurii, deci va fi de cteva sute de micrometri; substratul se prefer a fi metalic, iar daca este un dielectric sau semiconductor - el va fi acoperit nainte cu un strat metalic subire care s-i confere proprieti conductive; rezistul utilizat este PMMA (denumirea comercial: PLEXIGLAS); masca prin intermediul creia este configurat stratul de rezist este de o construcie special, astfel nct s aib caliti absorbante sau transparente pentru radiaia utilizat; radiaia X sincrotronic folosit, de lungime de und 0,1...2 nm are calitatea de a fi foarte puternic - pentru a putea aciona pe ntreaga grosime foarte mare a rezistului, are o divergen foarte mic apreciat la ~5 mrad (practic, radiaia este paralel) i aceasta permite obinerea pereilor verticali de mare nlime (de altfel -litografia cu radiaie sincrotronic poart i numele de "litografie adnc"). Zonele expuse radiaiei X vor deveni uor solubile n developant, deci PMMA lucreaza ca un rezist pozitiv.

Figura 1

Etapele de expunere i developare(fig.1 a) reprezint faza de LITOGRAFIE. Utiliznd depunerea galvanic rezult un profil negativ al formei obinute din rezist; se poate depune cupru, nichel, aur sau orice alt metal; depunerea este selectiv i se face pe substratul conductiv neacoperit de configuraia din rezist. Dac grosimea stratului metalic depus este inferioar grosimii stratului de PMMA, dup ndeprtarea rezistului se obine microstructura metalic unicat. Dac depunerea galvanic continu pn la acoperirea complet a modelului de PMMA, se obine o form cu goluri reprezentnd negativul modelului. Rigiditatea formei depinde de grosimea stratului metalic care acoper modelul. Aceasta este etapa de GALVANIZARE. In continuare, prin aplicarea unei plci de injectare prin reeaua creia se poate injecta material plastic, se pot obine rapid i ieftin numeroase copii din polimeri; este faza de MODELARE/TURNARE/INJECTARE. Poate urma o a doua GALVANIZARE care va copia - n negativ - profilul structurilor din polimeri, fixate la placa de injectare. Placa metalic de turnare, acoperit n prealabil cu un strat de separare, va servi drept electrod, iar depunerea galvanic va reprezenta copia independent metalic. Forma din polimeri poate constitui modelul pentru presarea pulberilor ceramice; se obin astfel piese unicat a cror desprindere de pe model se va face prin distrugerea acestuia. Pentru obinerea microstructurilor 3D exist mai multe variante (fig.1 b, c, d, e) care se deosebesc ntre ele prin etapa de expunere. Radiaia X poate fi nclinat cu unghiuri diferite fa de suprafaa rezistului, poate fi rotit sau expunerea se poate face secvenial -n fiecare secven folosindu-se cte o masc cu configuraii diferite.

2. Masca pentru radiatie X sincrotronica

Masca pentru radiaie X sincrotronica are trei componente distincte: - un suport cu ct mai mare transparen la radiaia X, de grosime ct mai mic i care s poat fi obinut sub form de membran subire; - pentru asigurarea contrastului e necesar un material absorbant care s poat avea o grosime ct mai mare, fr ca precizia conturului configuraiei s fie afectat; - o ram care s asigure rigiditatea mecanic necesar poziionrii, centrrii i schimbrii automate a mtii. Dintre materialele suport care ndeplinesc condiiile de mai sus se utilizeaz siliciul i titanul, dar pentru motive de stabilitate dimensional se recomand, de asemenea, beriliul i nitrura de bor. Grosimile de membran care asigur transparen de 90% a radiaiei sincrotronice cu lungimea de und X=0,53 nm sunt urmtoarele: beriliu - 19 m, nitrur de bor - 6,7 m, siliciu - 0,55 m, titan - 0,45m. Ca material absorbant se recomand aur, wolfram sau tantal. Capacitatea absorbant este apreciat prin raportul ntre densitatea de putere a radiaiei rezultat la trecerea prin zona transparent i prin zona opac; acest raport trebuie s depeasc valoarea 1000 pentru ca masca s fie considerat a avea contrast suficient. Grosimile uzuale sunt de ~ 17 m - pentru aur i ~ 18 m - pentru wolfram. Principalele etape ale tehnologiei de realizare a mastii pentru procedeul LIGA sunt: - obtinerea suportului - structura stratului de resist pentru masca intermediara - depunderea galvanica a structurii absorbante - copierea mastii intermediare pe masca de lucru Rama care sustine suportul structurii absorbante sau membrane transparenta la raze X, poate fi confectionata din INVAR (aliaj cu 18% Co, 28% Ni, 54% Fe) si este formata odata cu suportul, printr-o succesiune de operatii cunoscuta (prelucrarea mecanica a semifabricatului masiv din INVAR pana la obtinerea rugozitatii Ra=0.25 m, aplicarea stratului support, corodarea partiala a grosimii ramie pentru a mentine un perete de 1 mm cu rol de rigidizare, structura stratului de resist, depunerea galvanica selectiva a structurii absorbante, indepartarea rezistului, corodarea completa a peretului INVAR)

Fig.2 arata etapele de realizare a membranei suport din titan, prin transfer. Un strat de carbon de slaba aderenta la placheta de siliciu este depus selectiv prin procedeul CVD, astfel incat marginea plachetei sa ramana libera (a); prin pulverizare catodica se depune un strat de 2-3 m grosime, din titan materialul suportului mastii, avand o buna aderenta la marginea plachetei de siliciu (b); placheta este lipita cu un adeziv pe rama (c); printr-o usoara indoire a plachetei de siliciu se asigura desprinderea membranei (d); prin corodare uscata in plasma de oxigen se inlatura stratul intermediar de carbon (e).

Realizarea mastii intermediare este prezentata schematic in fig.3 . Pentru configurarea structurii absorbante se foloseste litografia cu fascicul de electroni. Fig. 3a : suportul este o placheta de siliciu corodata partial in zona viitoarei membrane pana la o grosime de 2 m. Marginea plachetei poate fi aplicata pe o placa de sticla, pentru a usura manipularea. Se depun straturi de aderenta si de amorsare a depunerii galvanice. Grosimea stratului de resist de baza nu depaseste grosimea uzuala la litografia optica sau la litografia electronica 1500 nm. Stratul metalic intermediar are rolul de a fi purtatorul profilului structurii de rezist de baza in care se va depune galvanic absorbantul radiatiei sincrotronice; acesta poate sa fie ,de exemplu nichel, si va fi depus autocatalytic. Pentru configurarea stratului de electronorezist PMMA se utilizeaza expunerea prin baleiere cu fascicul de electroni.

Se obtine fig. 3- o masca de PMMA care va contribui la configurarea stratului metalic intermediar, prin corodare anizotropa in plasma reactiva CHF3. Stratul intermediar metalic foloseste ca masca pentru structurarea stratului de rezist de baza, cu grosimea de 1500 m prin corodarea reactiva in plasma de oxigen; el va constitui forma de depunere galvanica a structurii absorbante. Fig. 3c : structura absorbanta din aur se depunde galvanic intr-o grosime de 1 m. Fig 3d : prin dizolvarea modelului de rezist se indeparteaza si stratul intermediar metalic , iar ceea ce se obtine este masca intermediara necesara litografiei cu raze X.

Masca de lucru are o structura asemanatoare mastii intermediare, cu deosebirea ca structura absorbanta are o inaltime mult mai mare (10- 20 m) Succesiunea principalelor etape (fig. 4) arata modul de transpunere a profilului mastii intermediare in stratul gros de PMMA prin radiatie sincrotronica. Membrana mastii de lucru poate fi obtinuta prin transfer procedeu descris mai sus. Structura stratului gros de PMMA se face printr-o succesiune de expuneri si developari repetate. Grosimea maxima ce poate fi structurata la o expunere este de 100 m. Pentru diminuarea factorului de imprecizie se utilizeaza opritoare atasate ramei mastii intermediare, care trebuie sa vina de fiecare data in contact cu opritoarele ramie mastii de lucru; precizia de

pozitionare obtinuta este sub 0.2 m, cu conditia ca temperature din spatiul de lucru sa fie riguros controlata. Aplicare unui strat uniform si de grosime mare pana la 1 mm de rezist se face prin turnarea si uniformizarea prin laminare a unui monomer urmata de polimerizarea acestuia la temperature inalta, sau la temperature camerei daca I se adauga un initiator de polimerizare; in urma polimerizarii MMA trece in PMMA. Pentru asigurarea aderentei stratului de PMMA la membrane suport de Ti, astfel incat modelul sa nu se desprinda de suport la mentinerea indelungata in baia de galvanizare, se recomanda crearea unor ancose mecanice la suprafata stratului de titan prin oxidarea umeda superficiala a acestuia, pe 30-40 m, prin cufundare intr-o solutie de hidroxid de sodiu si peroxid.

3. Microgalvanizarea
Celula de microgalvanizare (fig 5) trebuie sa asigure depunerea metalului in cele mai inguste adancituri; de aceea anodul va fi format din bile de nichel depolarizate introduse intr-un cos; catodul va fi rotit continuu, iar electrolitul continuu filtrat. Diagrama foloseste pentru uniformizarea densitatii de curent. Se mai pot depune, prin microgalvanizare: aur ( masti necesare procedeului LIGA), cupru (microbobine). Aliaje nichel-cobalt ,aliaje fier-nichel (micromotoare electromagnetice). Microstructura metalica astfel obtinuta poate fi utilizata ca atare sau poate constitui forma in care va fi injectat sau preset polimerul unor viitoare microstructuri dintr-un asemenea material. La realizarea formei de presare sau injectare cu rigiditate sporita se va proceda asa cum rezulta din fig 6. Pe o placa de baza, care ulterior va fi sacrificata, este realizata microstructura din rezist (PMMA) prin litografie adanca cu radiatie X sincrotronica.(fig 6a) Utilizand placa de baza drept electrod , se obtine negativul metalic din nichel al mictrostructurii din rezist (fig 6b). Depunerea continua pentru a forma o placa metalica groasa de 5 mm menita sa rigidizeze mictrostructurile metalice. Intre etapele b si c regimul de depunere va diferi prin densitatea de curent, care insa nu trebuie sa duca la inducerea unor tensiuni interne deoarece ar putea compromite legatura dintre microstructura metalica si placa de rigidizare.

Prelucrarea mecanica finala trebuie sa micsoreze abaterile de planeitate ale placii de rigidizare (fig 6c). Rugozitatea si abaterile de planeitate ale partii posterioare a formei ar putea afecta dimensiunile si forma mictrostructurii din material plastic pentru ca, la contactul cu placa de otel a masinii de injectare (fig 6c), forma se poate deforma. Exista si posibilitatea netezirii suprafetei depuse de nichel prin adaugarea in baia de depunere a unui agent de netezire care este un produs organic. Dezavantajul acestui process provine din faptul ca afentul de netezire este retinut la filtrarea electrolitului prin carbune active, deci compozitia electrolitului trebuie refacuta dupa filtrarea prin carbune activ. Placa de baza este indepartata prin prelucrare mecanica, pentru a elibera microstructura de rezist (fig 6d). Indepartarea placii se poate face si fara a o sacrifice, daca inaintea procesului de litografiere se aplica pe placa de baza un strat care sa reduca aderenta la suprafata sa si care va fi indepartat in faza d prin dizolvare selectiva dupa tehnica straturilor de sacrificiu. Prelucrarea mecanica ar putea fi necesara ulterior indepartarii placii de baza numai in masura in care rugozitatea sa initiala nu asigura rugozitatea si planitatea impusa placii de formare. Microstructura de rezist este indepartata prin dizolvare sau corodare uscata (fig 6e).

4. Microinjectarea
Polimerii utilizati pentru obtinerea microstructurilor pot fi: - termorigizi (Poliuteran UP) - termoplastici (Policlorura de vinil PVC, Acrilonitril- butadienstiren ABS. Polimetilmetacrilat PMMA) Instalatiile de injectare sau presare folosite pentru etapa de formare a microstructurilor din polimeri nu se deosebesc de cele clasice, ci numai de ciclul de lucru adaptat raportului foarte mare intre adancimea structurii h si dimensiunea sa minima transversala dmin . Daca la discurile compacte (unde h=0.1 m iar dmin =0.6 m) raportul h/d=0.16 la structurile micromecanice obtinute prin procedeul LIGA acest raport este cu doua ordine de marime mai mare h/d=50. De aceea, temperature formei este mai mare decat la procesele obisnuite de injectare si mentinuta tot timpul formarii la o valoare cu 70C inferioara temperaturii de topire a polimerului. Aceasta face ca timpul de umplere a formei sa creasca, iar viteza de injectare sa scada. Ciclul de lucru al masinii de injectat cu melc evolueaza dupa schema reprezentata in fig 7. Reducerea vitezei de deplasare a melcului in intervalul tn1 si t n2 fata de momentul initial, ca si variatia de presiune in aceleasi intervale, asigura umplerea completa a formelor celor mai complicate si cu raport mare h/d.

5. Aplicatii ale procedeului LIGA - Microbobine

Microbobinele (fig 8) sunt din cupru. Pentru a preveni scurtcircuitarea, infasurarea trebuie realizata pe un substrat isolator(placa ceramica sau placheta de siliciu) pe care mai este aplicat un strat isolator (Si3N4 de exemplu) si apoi un strat metalic (de obicei titan). Dupa etapele de litografie adanca cu radiatie X sincrotronica si galvanizare urmata de dizorvarea formei de PMMA, este indepartat stratul de titan dintre spirele bobinei prin corodare uscata sau chiar umeda; la corodarea umeda timpul de corodare trebuie controlat pentru a se evita pericolul

corodarii si al stratului de titan de sub spire. Controlul procesului de corodare este asigurat de masurarea inductivitatii bobinei si intreruperea procesului la atingerea valorii proiectate. Daca asemenea microstructuri trebuie realizate pe suprafetele deja procesate ale plachetei de siliciu si pentru a evita deteriorarea acestora , se poate proceda la aplicarea unui procedeu de curand facut cunoscut: realizarea structurilor metalice prin imprimare (fig 8b). Se aplica un strat de monomer care prin polimerizare trece intr-un polimer thermoplastic, de exemplu PMMA(fig 8b1). Dupa intarire se incalzeste toata placheta pana la temperatura de inmuiere a polimerului 160C pentru PMMA, cand forma pregatita prin litografie adanca, este imprimata pein presare in stratul vascos, pana la o oarecare distanta de stratul metalic. Se raceste pana la 80C, dupa care forma este indepartata (fig 8b2). Stratul isolator ramas este indepartat prin corodare in plasma reactiva (RIE) de oxigen. Dirijarea perpendiculara a ionilor pe substrat este importanta pentru a nu modifica grosimea structurii. Inaltimea formei trebuie astfel proiectata incat sa fie compensate corodarea ei si in planul superior (fig8 b3). Stratul de descoperit de titan va reprezenta catodul de galvanizare selective pentru formarea micreostructurii metalice. Forma de PMMA este indepartata prin corodare umeda selective(fig 8b4). Izolarea electrica intre spirele bobinei este realizata prin corodarea in plasma reactiva de argon sau corodare umeda. Legaturile electrice cu placheta de siliciu, in etapa de procesare a siliciului sunt asigurate prin deschiderea in stratul izolator de Si3N4 a zonelor de conectare , utilizand procesele fotolitografice (fig 8 b5).