TBJ Caractersticas eltricas

Jos Milton Alves de Souza / Ra Alves Tamarindo Universidade Federal do Vale do So Francisco Campus Juazeiro AV. Antnio Carlos Magalhes, S/N, Country Club 48902-130 Juazeiro/ BA - Brasil.
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1. Objetivos
Verificar o comportamento I-V de entrada e de sada dos Transistores Bipolares de Juno (TBJ), compreender o princpio da amplificao de corrente no TBJ e apresentar aspectos relativos ao projeto de fontes cc empregando esses dispositivos.

funcionamento consideravelmente previsvel e bastante insensvel s variaes nos parmetros do dispositivo. A fig.1 mostra uma estrutura simplificada de uma TBJ.

2. Introduo terica
O transistor um dispositivo semicondutor de trs terminais. Os dispositivos de trs terminais so muito mais usados que os dispositivos de dois terminais, porque eles podem ser usados em vrias aplicaes, que se estendem desde a amplificao de sinais at o projeto de circuitos eltricos lgicos e de memria. O princpio bsico envolvido nesses dispositivos o uso de uma tenso entre dois terminais para controlar o fluxo de corrente no terceiro terminal. Desse modo, um dispositivo de trs terminais pode ser usado como uma fonte controlada, a qual base para o projeto de amplificadores. Tambm, no caso extremo, o sinal de controle pode ser usado para fazer a corrente no terceiro terminal variar de zero at um valor significativo, permitindo, portanto, que o dispositivo funcione como uma chave. O transistor bipolar consiste em duas junes p-n construdas de um modo especial e conectadas em srie e em oposio. A conduo de corrente se d tanto por eltrons quanto por lacunas, da o termo bipolar. O TBJ, sempre referido por transistor, amplamente usado em circuitos discretos, assim como no projeto de CIs, tanto analgicos como digitais. As caractersticas do dispositivo so to bem compreendidas que possvel projetar circuitos com transistores cujo

Fig. 1: Uma estrutura simplificada do transistor np-n

Conforme mostrado na fig.1, o TBJ constitui-se de trs regies semicondutoras: a regio do emissor (tipo n), a regio da base (tipo p) e a regio do coletor (tipo n). Esse dispositivo chamado de transistor np-n. Um terminal conectado em cada uma das trs regies do transistor, sendo estes terminais denominados de emissor (E), Base (B) e coletor (C). O transistor consiste em duas junes p-n, a juno emissor-base (JEB) e a juno coletor-base (JCB). Dependendo da condio de polarizao (direta ou reversa) de cada uma dessas junes, so obtidos diferentes modos de operao do TBJ, conforme mostra a tabela 1.
Tabela 1: Modos de operao do TBJ

Modo Corte Ativo Saturao

JBE Reversa Direta Direta

JBC Reversa Reversa Direta

O modo ativo aquele em que o transistor usado para operar como um amplificador. As aplicaes de chaveamento utilizam os modos de corte e de saturao. Pelo fato de o coletor ser mais positivo do que a base, eltrons bem-sucedidos sero arremessados atravs da regio de depleo da JCB para o coletor. Eles sero coletados para constituir a corrente do coletor . Por converso costuma-se adotar o sentido de como o oposto ao fluxo de eltrons; logo fluir entrando pelo terminal do coletor. A corrente do coletor pode ser expressar da seguinte forma:

Quando operados na regio ativa, os TBJs mostram certa dependncia da corrente de coletor com a tenso de coletor, com o resultado de que suas caractersticas no so retas perfeitamente horizontais. Para notar essa dependncia mais claramente, considere o circuito conceitual mostrado na fig.2.

Em que a corrente de saturao. A corrente de base pode ser expressa pela seguinte relao:

Ou da seguinte maneira:

Fig. 2: Circuito conceitual para medio das caractersticas de ic-vCE do TBJ

Onde, uma constante e chamada de ganho de corrente de emissor comum. J corrente de emissor a soma algbrica de podendo ser relacionada da seguinte forma:

Ou

O transistor est conectado configurao emissor comum e sua tenso VEB pode ter qualquer valor desejado, variando-se a tenso da fonte cc conectada entre a base e o emissor. Para cada valor de VEB, a curva caracterstica correspondente pode ser medida ponto a ponto variando-se a fonte cc conectada entre o coletor e o emissor e anotando-se os valores correspondentes da corrente de coletor. O resultado uma famlia de curvas mostradas na fig.3.

Isto ,

Alternativamente, pode-se expressar da seguinte forma:

Em que a constante relacionada por:

A Constante chamada de ganho de corrente em base comum.

Fig. 3: As caractersticas ic-vCE de um TBJ real

( ) Observa-se que as curvas caractersticas, embora ainda sejam retas, apresentam uma inclinao finita. Na verdade, quando extrapoladas, as linhas caractersticas se encontram em um ponto do eixo negativo de , em que . A tenso , um nmero positivo, um parmetro para um dado TBJ, com valores tpicos na faixa de 50 a 100 V. Ela chamada de tenso Early. Para um dado valor de , aumentando-se aumenta a tenso de polarizao reversa sobre a juno coletorbase e, portanto, aumenta-se a largura da regio de depleo dessa juno. Isto, por sua vez, resulta em uma diminuio da largura da base. Esse o efeito Early.

Mantendo a sada do divisor de tenso em aberto, tem-se a seguinte corrente: ( ) Assim, ( ) ( )

3. Experimento 3.1. Materiais utilizados Fonte de tenso CC 15V; 1TBJ BC337 Fonte de tenso CC com frequncia e amplitude regulveis; 1 Multmetro digital 1 Resistor de 15K 1 Resistor de 1K 1 Resistor de 560; 1 Potencimetro de 100; Osciloscpio Terico e

Sabendo que o potencimetro pode varia entre uma faixa de valores de 0 e 100. Tem-se para o valor mximo e mnimo de tenso: ( ) Para x=100: ( )

( )

Para x=0: ( )

Experimental
Com o objetivo de obter a caracterstica I-V dos Transistores Bipolares de Juno, a posteriormente foi montado o seguinte circuito para verificao dos valores mnimos e mximos de tenso reais no terminal de sada do divisor.

3.2.Procedimentos Experimental Terico

Primeiramente foi obtido o equivalente de Thevenin do circuito divisor de tenso, da figura 4, para isto, tem-se: ( Portanto, ) ( )

Fig. 4: Divisor de tenso

Fig. 6: Montagem para levantamento da curva iC-vCE

Obs: o resistor de 13 K foi substitudo por um de 15 K . Em seguida o TBJ foi conectado a este circuito anterior, conforme figura abaixo:

Fig. 5: Montagem para levantamento da curva iB-vBE

A posteriormente, foi ajustada a tenso na base em aproximadamente 600mV, para obteno dos pontos. E, posteriormente com valores de 650mV e 700mV aproximadamente, para comparaes. Em seguida, foi inserido um resistor de 1K (resistor Rc) entre o terminal do coletor e o terminal da fonte cc ajustvel, V1. E, novamente foram aferidos pontos de tenso e corrente, conforme proposto na montagem acima. Para uma verificao dinmica das caractersticas de sada iC-vCE, utilizando o gerador de funes e osciloscpio foi montado o circuito proposto na figura abaixo:

Com isso, o potencimetro foi excursionado progressivamente para variar o nvel de tenso no divisor de tenso, para averiguao dos pontos de corrente e tenso de modo a obter a curva IB-vBE para quatro valores diferentes de V1, que a fonte ajustvel conectada ao coletor, so esses: ~5V, ~10V, ~15V e com a fonte em aberto. Posteriormente, ao ampermetro e o voltmetro foram realocados para ento obter a caracterstica iC-vCE como mostrado na figura abaixo:

Fig.7: Circuito dinmica

para

visualizao

Onde, os valores correspondentes ao equivalente de Thevenin so referentes ao divisor de tenso proposto anteriormente, R2 o resistor de 1K e a fonte alternada dada pelo gerador de sinais. Os canais

do osciloscpio foram conectados para verificao da tenso sobre o resistor de 1K e o entre os terminais de coletor e emissor do TBJ. Isto para, obter valores de tenso e corrente (devido ao resistor) e, ento plotar a curva iC-vCE utilizando o modo dual do osciloscpio.

3.3.Resultados e discusses
Na montagem experimental e calculo tericos valores mximo e mnimo foram:
Tabela 2: Valores mximos e mnimos no equivalente de Thvenin terico e experimental.

Mnimo Mximo

Terico(mv) Experimental (mV) 540 531 633 633

Os resistores de 15 K e de 560 servem para realizar a diviso de tenso, mantendo a mesma limitada a determinados valores e alm disso, limitar a corrente que posteriormente ser conectada a base do TBJ. Foi Observado que acima de 600mV aproximadamente o TBJ encontra-se em conduo, quando observa-se a curva iB-vBE a partir desse valor de tenso que a corrente cresce muito rapidamente em uma funo que se aproxima da exponencial.

regio tipo p com isso a corrente que esta entrando no terminal de base nunca alcanara uma escala to grande como de mA e sempre ter ordem de grandeza na faixa de A a nA. Conforme proposto nos procedimentos experimentais foram obtidos pontos para plotar curvas caractersticas do TBJ. Como a curva iB-vBE figura---- para diversos valores de tenso ajustvel V1, conectada ao coletor como 5V;10V;15V. Os valores calculados Teoricamente eram esperados que quanto maior o valor de V1 que tambm pode ser compreendida como VCE mais rpido o crescimento da curva. No grfico da figura-- acima se percebe que as curvas referente V1 em 10V e 5V confundem-se em determinados momentos, isso pode ser justificado pelo fato da instabilidade notado na realizao do experimento. Para tentar amenizar tal efeito foi inserido em resistor de 3,9 ao terminal do emissor. Os valores mximos de corrente observado para cada valor de VCE medido encontra-se na tabela abaixo:
Tabela 3: Valores mximos de corrente

VCE 5mV 10mV 15mV

IB-max 0,0354mA 0,0300mA 0,0450mA

Caracterstica IB-VBE do TBJ

Enquanto que os valores esperados foram calculados a partir da equao:

Para os valores esperados, considerando , tem-se: IB-max= 0,0350mA;

Vcc = 5V Vcc = 15V
Fig. 8: Curva caracterstica IB-VBE do TBJ.

Vcc = 10V

O nvel mximo de corrente entrando no terminal de base no alcana a escala de mA, como o caso de uma juno p-n comum, pois h reposio de buracos na

Observa-se que o valor esperado diferente do valor esperado, isto pode ser justificado pelo fato do dispositivo real apresentar dificuldade em relao obteno de dados experimentais de tenso e corrente devido dissipao de potncia. Alm disso, h questes relacionadas com percas para o meio, por tratar-se de um dispositivo real. Desconectando a fonte cc foi observado o seguinte comportamento:

Caracterstica IB-VBE do TBJ com coletor em aberto

0,06 0,04 IB(mA) 0,02 0

-0,02

0,52

0,54

0,56 0,58 VBE(V)

0,6

0,62

Fig. 8: Fonte cc do terminal do coletor aberta

Observou-se que quando o terminal do coletor encontrou-se aberto a corrente teve maior crescimento quando comparado com os casos anteriores, isto porque a corrente que fluiu no dispositivo basicamente uma corrente de base, funcionando como um diodo. A partir dos dados de corrente (iC) e tenso (vCE) foram plotados os seguintes grficos para valor de VBE:

Curvas caractersticas IC-VCE

VCE (V) VBE = 0,598V VBE = 0,643V

Fig. 9: Caractersticas iC-vCE do TBJ

Observou-se que este ta condizente com o grfico esperado teoricamente e que o efeito Early mais visvel quanto maior a tenso VBE. Contudo parte desta inclinao pode ser devido ao efeito de dissipao de potencia, visto que o dispositivo estava operando alm de seu mximo valor de potncia. Para um valor fixo de VBE o valor mnimo de foi de -0,65mA e ocorreu em VCE=0,08V e o valor mximo de foi de 0,87mA e ocorreu em VCE=15,27V. Para um valor fixo de VBE 643mV, o valor mnimo medido de foi

de 0,26mA e ocorreu em VCE= 0,09V, j o mximo valor obtido para foi de 1,28mA que ocorreu em VCE=15,28V. Devido variao de temperatura, a corrente de coletor se desestabiliza para certos valores de VCE, ento quando VBE for 700mV a corrente se desestabilizar mais rpido, ou seja, para valores de Vce menores. O valor estimado para quando VBE=600mV de 0,69mA, o valor estimado para quando VBE=650mV de 1,96mA. Para o primeiro caso em que VBE=598mV, o valor estimado de no mnimo foi de 0,123(V/mA), e para o mximo foi de 29,37(V/mA). Para o segundo caso em que VBE=643mV, o valor estimado de no mnimo foi de 0,346(V/mA), e para o mximo foi de 11,94(V/mA). As semelhanas e discrepncias nas correntes dos valores estimados e dos valores medidos esto diretamente relacionadas com a variao trmica do componente que vai aquecendo com o decorrer das medidas, assim no incio a medida mais confivel depois de certo tempo vai aumentando a diferena dos valores esperados devido a essa instabilidade trmica. Para tentar melhorar as medidas foi usado um resistor para aumentar a estabilidade trmica do transistor. Ao deixar em aberto o terminal da base, a corrente no flui, similarmente como se estivesse polarizando o diodo reversamente, o tamanho da barreira de depleo bastante alto para que haja fluxo de eltrons (corrente). Quando inserido uma resistncia ao terminal do coletor, tem-se que, para determinar o levantamento dos pontos das curvas iB-vBE e iC-vCE dos TBJs, primeiro, se deve determinar o ponto cc de polarizao. Para isso, considera-se vi=0 e utiliza a tcnica ilustrada na fig.11 abaixo para determinar a corrente de polarizao da base IB.

IC (mA)

Que pode ser reescrita como:

Fig. 10: Construo Grfica para a determinao da corrente cc de polarizao

A seguir, se usa as caractersticas iC-vCE mostradas na fig.12.

E que representa a relao linear entre Essa relao pode ser representada por uma reta como mostrado na fig.12. Como Rc pode ser considerada a carga do amplificador, a reta com inclinao conhecido com reta de carga. O ponto de polarizao cc, ou ponto quiescente Q, ser a interseo da reta de carga com a curva correspondente corrente de base . As coordenadas do ponto Q fornecem a corrente do coletor e a tenso cc coletoremissor . Quando inserido a resistncia de 1K ao terminal do coletor foram obtidos os pontos que deram origem a curva da figura seguinte:

Curvas caracteticas IC-VCE

IC (mA) VCE (V) VBE = 0,682V VBE = 0,697V VBE = 0,724V

Fig. 11: Construo grfica para a determinao da corrente cc do coletor IC e da tenso coletoremissor VCE. Fig. 12: Caractersticas iC-vCE do TBJ com insero da resistncia RC

Cada uma dessas curvas caractersticas obtida ajustando-se a corrente de base para um valor constante, variando e medindo os valores correspondentes de . Determinada a corrente de polarizao sabe-se que o ponto de operao estar sobre a curva , correspondendo ao valor da corrente de base (a curva para ). Onde esse valor se encontra na curva ser determinado pelo circuito do coletor. O circuito do coletor impe a restrio:

Observou-se que as curvas se tornaram mais prximas de serem valores constantes, ou seja, a inclinao foi reduzida quando comparada com a curva iC-vCE sem a presena da resistncia. Quando se buscou a verificao das caractersticas por meio da visualizao dinmica, no foram obtidos resultados satisfatrios, visto que um canal do osciloscpio no detectava sinal. Isto pode ser explicado pelo fato da referncia do osciloscpio est entre o terminal do coletor e a resistncia enquanto que a ponta de prova est no terminal do emissor

(potencial nulo, terra), possivelmente impossibilitando a visualizao.

4. Concluses
Confirmou-se que a juno n-p-n tem caractersticas bastantes especificas relacionadas conduo e corte. Essa juno depende da barreira de depleo para conduzir ou est diretamente polarizada, ou para est em corte, ou seja, reversamente polarizada. O TBJ (Transistor Bipolar de Juno) formado por essa unio n-p-n (semicondutores tipo n e tipo p) que denominado coletor, base e emissor viramse que as curvas obtidas so caracterizadas pelo controle da tenso em cima que cada parte do TBJ (emissor, base e coletor), a tenso de base funciona como um registro que deixa fluir mais ou menos eltrons de acordo com a tenso aplicada na mesma. Usou-se o teorema de Thvenin para simplificar o circuito proposto. Buscou-se observar o Efeito Early nas curvas obtidas. Atravs da reta de carga determinou-se a corrente cc da base e a corrente cc do coletor. 5. Referncias [1] BOYLESTAD, R.L. & NASHELSKY, L. Dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos. 8.ed. So Paulo: Prentice Hall, 2004. [2] MARQUES, Angelo E. B. Dispositivos semicondutores: diodos e transistores. Coleo Estude e use. Srie Eletrnica Analgica.10.ed. So Paulo: rica, 2006. [3] SEDRA & SMITH. Microeletrnica. 5.ed. So Paulo: Pearson Prentice Hall, 2007.