Sunteți pe pagina 1din 14

Proiectarea unui sistem cu celule solare pentru alimentarea unei pompe de apa

Cuprins:
1) Efectul fotovoltaic
2) Tipuri de celule fotovoltaice(caracteristicile electrice ale celulelor:

exemplu) 3) Structura sistemelor solare 3.1) Sistem autonom 3.1.1) Sistem cu celule solare consummator 3.1.2) Sistem cu celule solare regulator de incarcare si baterii de acumulatoare + consummator 3.1.3) Sistem cu celule solare si convertoare c.c-c.a, c.c-c.a. si baterii de acumulatoare 3.2) Sistem fotovoltaic pentru alimentarea unei pompe de apa 3.3) Sisteme cuplate la retea structura 4) Model experimental de sistem

4.1) Alegerea configuratiei sistemului sursa electrica - pompa apa. Celula regulator incarcare baterie invertor pompa apa 4.2) Calcularea si alegerea componentelor 4.3) Prezentarea standului 4.4) Date experimentale 5) Proiectarea unui sistem fotovoltaic pentru alimentarea unei pompe actionate electric

1) EFECTUL FOTOVOLTAIC Efectul de apariie a unei tensiuni electromotoare, sub aciunea energiei solare, denumit efect fotovoltaic, a fost descoperit de fizicianul francez Alexandre-Edmond Becquerel, n anul 1839. Denumirea acestui efect provine din grecescul phos, care nseamn lumin i din numele fizicianului Allesandro Volta, realizatorul primei baterii electrice din lume. Efectul fotovoltaic este datorat eliberrii de sarcini electrice negative (electroni) i pozitive (goluri), ntr-un material solid, atunci cnd suprafaa acestuia interacioneaz cu lumina. Datorit polarizrii electrice a materialului respectiv, care se produce sub aciunea luminii, apare o tensiune electromotoare, care poate genera current electric ntr-un circuit nchis. Dispozitivele care funcioneaz pe baza acestui fenomen, sunt denumite celule fotovoltaice, sau celule electrice solare. Pentru a permite furnizarea unei puteri elctrice rezonabile, celulele fotovoltaice nu funcioneaz individual ci legate n serie ntr-un mumr mai mare, alctuind panouri fotovoltaice, sau panouri electrice solare (a nu se confunda cu panourile

solare pentru producerea energiei termice, denumite i colectori solari sau panouri solare termice). Celulele fotovoltaice pot fi realizate din mai multe materiale semiconductoare, dar peste 95% din celulele solare sunt realizate din siliciu (Si), care este al doilea element chimic cel mai rspndit n scoara terestr, reprezentnd cca. 25% din aceasta, deci este disponibil n cantiti suficiente, fiind astfel i ieftin. n plus, procesele de prelucrare a acestui material nu sunt agresive pentru mediul ambiant. n figura 1.1 este prezentat structura energetic a materialelor semiconductoare, deci i a siliciului.

Fig. 1.1. Structura energetic a materialeor semiconductoare

Analizarea acestei scheme energetice este util n vederea nelegerii condiiilor n care semiconductorii pot deveni materiale conductoare de curent electric. n situaii normale, electronii ocup n jurul nucleelor atomilor materialului respectiv, diferite nivelele energetice denumite i straturi sau benzi energetice. Aceste nivele energetice accesibile pentru electroni, sunt separate debenzi energetice interzise, reprezentnd adevrate

bariere energetice pentru electroni. Nivelul energetic cel mai ridicat dintre cele ocupate de electroni, este denumit i band energetic de valen, sau mai simplu band de valen. Urmtorul nivel energetic accesibil electronilor, dar neocupat de acetia, este denumit band energetic de conduie, sau mai simplu band de conducie. Este evident c pentru materiale diferite, nivelele energetice ale benzii de valen i ale benzii de conducie sunt diferite. Diferena de potenial energetic E, dintre banda de conducie i banda de valen, reprezentnd i valoarea barierei energetice dintre cele dou straturi, este diferena dintre nivelurile energetice Ec al benzii de conducie i Ev al benzii de valen E=Ec-Ev. n cazul siliciului monocristalin, valoarea acestei bariere energetice este E1eV, iar n cazul siliciului amorf poate s ajung la E1,7eV. Aceste valori ale barierei energetice, reprezint cuante de energie care trebuie s fie transmise electronilor de pe stratul de valen pentru ca acetia s devin liberi, adic pentru a putea trece pe banda de conducie. Prin supunerea materialelor semiconductoare de tipul siliciului la radiaia solar, fotonii, sau cuantele de lumin cum mai sunt numii acetia, sunt capabili s transmit electronilor de pe banda de valen, energia necesar pentru a depi bariera energetic i a trece pe banda de conducie. Acest fenomen se produce n celulele fotovoltaice. n vederea fabricrii celulelor fotovoltaice, Si este impurificat (dopat) cu diferite elemente chimice, pentru obinerea unui surplus de sarcini electrice negative (electroni) sau pozitive (goluri). Se obin astfel straturi de siliciu semiconductoare de tip n, respectiv de tip p, n funcie de tipul sarcinilor electrice care predomin. Prin alturarea a dou asemenea straturi de material semiconductor, caracterizate prin predominana diferit a

sarcinilor electrice, n zona de contact, se obine o aa numit jonciune de tip p-n de tipul celei reprezentate schematic n figura 1.2.

Fig. 1.2. Jonciune p-n Sub aciunea diferenei de potenial electric, manifestat n zona de contact, electronii excedentari din stratul n, prezint tendina de migraie n stratul p, deficitar n electroni. Analog, golurile excedentare din stratul p, prezint tendina de a migra n stratul n, deficitar n sarcin electric pozitiv. Aceast tendin de deplasare a sarcinilor electrice este reprezentat n figura 1.3.

Fig. 1.3. Tendina de migrare a sarcinilor electrice ntre straturile jonciunii p-n Amploarea migraiei sarcinilor electrice ntre cele dou straturi ale jonciunii p-n este limitat de nivelul energetic al purttorilor celor dou tipuri de

sarcini electrice. Astfel, cu toate c nu se va realiza o reechilibrare la nivelul sarcinilor electrice n toat profunzimea celor dou straturi, o zon superficial din stratul p va fi ocupat de sarcini electrice negative (electroni), iar o zon superficial din stratul n, va fi ocupat de sarcini electrice pozitive (goluri). Ca efect, se va produce o redistribuire a sarcinilor electrice n zona jonciunii p-n, de tipul celei reprezentate n figura 1.4.

Fig. 1.4.. Apariia unei diferene de potenial electric n zona jonciunii p-n Se observ c efectul acestei redistribuiri este reprezentat de apariia unei diferene de potenial locale, la nivelul jonciunii. Aceast diferen intern de potenial reprezint o barier care mpiedic o eventual deplasare ulterioar a sarcinilor electrice negative din stratul n spre stratul p i a celor pozitive din stratul p spre stratul n. Sarcinile electrice libere din cele dou straturi sunt respinse din zona jonciunii spre suprafeele acestor straturi, opuse jonciunii p-n. Este cunoscut faptul c lumina prezint un caracter dual, avnd att caracteristici de und, conform teoriei ondulatorii a luminii, ct i caracteristici corpusculare, conform teoriei corpusculare, sau fotonice a luminii. Din punctul de vedere al efectului fotovoltaic este mai util ca lumina s fie considerat ca avnd caracter corpuscular.

Dac jonciunea p-n este supus radiaiei solare, fotonii avnd un nivel energetic suficient de ridicat (cu att mai ridicat cu ct radiaia solar prezint o intensitate mai mare), sunt capabili s transfere suficient energie electronilor aflai pe straturile de valen ale atomilor, pentru a treace pe straturile de conducie i s devin electroni liberi. Sub aciunea diferenei interne de potenial, care se manifest local la nivelul jonciunii p-n, electronii liberi care se formeaz n stratul n, sunt respini spre suprafaa stratului n al jonciunii, iar electronii liberi care se formeaz n stratul p, sunt atrai spre zona de jonciune, pe care o vor traversa i odat ajuni n stratul n, sunt respini spre suprafaa acestui strat. Fiecare electron liber, n momentul trecerii sale pe stratul de conducie, las n urm un gol (sarcin electric pozitiv) n structura atomului pe care l-a prsit, astfel c sub aciunea radiaiei solare nu apar doar electroni liberi ci perechi de sarcini electrice negative (electroni) i positive (goluri). Sub aciunea diferenei interne de potenial, care se manifest local la nivelul jonciunii p-n, golurile care se formeaz n stratul p sunt respinse spre periferia stratului p al jonciunii, iar golurile care se formeaz n stratul n, sunt atrase spre zona de jonciune, pe care o vor traversa i odat ajuni n stratul p, sunt respini spre suprafaa acestui strat. n urma deplasrii sarcinilor electrice n cele dou straturi i n zona jonciunii p-n, conform mecanismului prezentat, se produce o polarizare electric la nivelul suprafeelor exterioare ale jonciunii p-n, aa cum se observ n figura 1.5.

Fig. 1.5. Polarizarea suprafeelor exterioare ale jonciunii p-n Dac suprafeele exterioare ale jonciunii p-n sunt acoperite cu cte un strat metalic, reprezentnd fiecare cte un electrod, ntre acetia se va manifesta o diferen de potenial, care ntr-un circuit nchis va produce manifestarea unui curent electric. Diferena de potenial i curentul electric se pot menine la un nivel constant atta tip ct se manifest radiaia solar. Este evident c variaia intensitii radiaiei solare va produce i variaii ale diferenei de potenial, dar mai ales ale intensitii curentului electric aa cumse va arta ulterior. Jonciunea p-n, mpreun cu cei doi electrozi, alctuiete o celul fotovoltaic sau o celul elctric solar avnd construcia de tipul celei reprezentate n figura 1.6.

Fig. 1.6. Elementele constructive ale unei celule fotovoltaice Grosimea total a unei celule fotovoltaice este ce cca. 0,3mm, iar grosimea stratului n, este de cca. 0,002mm. Uzual, deasupra electrodului negativ al celulei fotovoltaice, se amplaseaza un strat antireflexie, cu rolul de a mpiedica reflexia radiaiei solare incidente pe suprafaa celulei electrice solare, astfel nct o cantitate ct mai mare de energie s fie transferat electronilor de valen din cele dou straturi semiconductoare. Celulele fotovoltaice au dimensiuni uzulale de 10x10cm i mai recent de 15x15cm.

Primele celule fotovoltaice, au fost utilizate n 1958, pe satelitul Vanguard I, prezentat n figura 1.7. Eficiena de conversie a energiei radiaiei solare n electricitate era de 10%, iar puterea total a acelor celule fotovoltaice a fost de cca. 0,1W. Pn n 2005, puterea total instalat pe planet a panourilor fotovoltaice, depea 1.000.000.000W=1GW.

Fig. 1.7. Primele panouri solare, montate pe Vanguard I Eficiena celulelor fotovoltaice depinde de doi factori: Intensitatea radiaiei solare incidente pe suprafaa celulei; Eficiena procesului de conversie a energiei radiaiei solare n energie electric. n prezent, construciile de celule fotovoltaice au eficiene n jurul valorii de 15%, ceea ce reprezint o valoare destul de sczut. Din acest motiv, panourile fotovoltaice sunt amplasate preponderent n zone caracterizate prin radiaie solar intens. Cu toate acestea, ri ca Germania sau Austria reprezint exemple de utilizare pe scar larg a acestei tehnologii, cu toate c nu sunt favorizate din punct de vedere al intensitii radiaiei solare.

2) TIPURI DE CELULE FOTOVOLTAICE n funcie de natura cristalin a materialului semiconductor utilizat la fabricarea acestora (de regul siliciul, aa cum s-a artat anterior), se disting trei tipuri de celule fotovoltaice: - monocristaline; - policristaline; - amorfe. Monocristalele se obin sub form de baghet sau vergea, prin turnarea siliciului pur. Aceste baghete se taie ulterior n plci foarte subiri care se utilizeaz la fabricaia celulelor fotovoltaice. Acest proces tehnologic asigur cel mai ridicat nivel de eficien a conversiei fotoelectrice, dar este i cel mai costisitor. Policristalele se obin n urma unui proces de producie mai puin ieftin, constnd din turnarea siliciului lichid n blocuri, care ulterior sunt tiate n plci subiri. n procesul de solidificare, se formeaz cristale de diferite dimensiuni i forme, iar la marginea acestor cristale apar i unele defecte de structur. Ca urmare a acestor defecte, celulele fotovoltaice fabricate prin aceast metod sunt mai puin eficiente.

Structura amorf se obine prin depunerea unui film extrem de subire de siliciu pe o suprafa de sticl, sau pe un substrat realizat dintr-un alt material. n acest caz, solidificarea atomilor nu se realizeaz ntr-o structur cristalin ci sub forma unei reele atomice cu dispunere neregulat, denumit structur amorf. n aceast reea atomic apar i numeroase defecte, care diminueaz performanele electrice ale materialului. Grosimea stratului amorf de siliciu, obinut prin aceast metod este mai mic de1m. Pentru comparaie grosimea unui fir de pr uman este de 50100m. Costurile de fabricaie ale silicului amorf sunt foarte reduse, datort cantitii extrem de reduse de material utilizat, dar eficiena celulelor fotovoltaice care utilizeaz siliciu amorf este mult mai redus dect a celor care utilizeaz structuri cristaline de material. Datorit costului redus, celulele fotovoltaice cu siliciu amorf se utilizeaz preponderent la fabricarea echipamentelor cu putere redus, cum sunt ceasurile sau, calculatoare de buzunar. n tabelul alturat sunt prezentate performanele celor trei tipuri de celule fotovoltaice din punct de vedere al conversiei energiei radiaiei solare n energie electric.

Performanele diferitelor tipuri de celule fotovoltaice

Eficien n condiii Material Siliciu monocristalin Siliciu policristalin Siliciu amorf de laborator 24 % 18 % 13 %

Eficien n condiii de producie n serie 1417 % 1315 % 57 %

n continuare sunt prezentate cteva dintre fenomenele care limiteaz creterea eficienei celulelor fotovoltaice: O parte semnificativ din fotonii care alctuiesc radiaia solar, au un nivel energetic insuficient pentru a determina trecerea electronilor de pe stratul de valen pe cel de conducie; Energia fotonilor cu nivel energetic prea sczut, se transform n cldur i nu n energie electric; Apar pierderi optice datorate reflexiei dadiaiei solare, pe suprafaa celulelor fotovoltaice; Apar pierderi datorate rezistenei electrice a materialului semiconductor sau cablurilor electrice de legtur; Defectele de structur a materialelor din care este realizat celula fotovoltaic nrutesc performanele acestora. n figura 2.1 sunt prezentate eficienele maxime teoretice, ale conversiei fotovoltaice care pot fi atinse n condiii optime, pentru diferite tipuri de materiale semiconductoare, mpreun cu valoarea barierei energetice adic diferena dintre nivelul energetic al benzii de conducie i al benzii de valen.

Fig. 2.1. Eficiena teoretic i nivelul barierei energetice, pentru diferite materiale semiconductoare Se observ c de exemplu pentru Si monocristalin, valoarea efcienei teoretice este de cca. 28%, dar valorile acestui parametru sunt situate pentru toate materialele sub 30%.