Sunteți pe pagina 1din 10

Practic problema fluxului de putere implică rezolvarea unor ecuaţii algebrice neliniare, care

reprezintă reţeaua în stare stabilă. Metoda lui Newton cu caracteristicile sale de convergenţă, s-a
dovedit a fi cea mai de succes pentru rezolvarea acestor ecuaţii. Pentru ilustrarea ecuaţiilor
fluxului de putere, acesta din urmă implică două porturi de reţea de conectare a nodurilor k şi m
prezentate în Figura 4, şi rezultă expresiile de mai jos.

Puterea activă şi reactivă injectată în nodul k (Pk și Qk) sunt:

unde

Figura 4 – Schema generală cu două noduri.


Ecuațiile nodale ale fluxuluide putere P=f(V,θ,G,B) și Q=g(V,θ,G,B) și linearizarea lor în
punctul de bază, (P0, Q0)

Variabilele utilizate în ecuaţiile (4,5) sunt: P şi Q sunt vectori activ şi reactiv a puterii
nodale injectate ca funcţie mărimea tensiunii nodale V şi unghiul θ, şi conductanţa G şi
susceptanţa B.

ΔP=Pspec-Pcal – este vectorul activ.

ΔQ=Qspec-Qcal – este vectorul reactiv.

Δθ şi ΔV sunt vectori al schimbărilor incrementale în nodul cu tensiune şi unghi.

J este matricea derivatelor parţiale a puterii active şi reactive cu respectarea valorii


tensiunii şi unghiului.

i – indică numnărul iteraţiilor.

Compensatorul static SVC este un şunt conectat FACTS controler a cărui funcţie de bază
este de a regla tensiunea în nodul dat variind reactanţa echivalentă. Practic este alcătuit dintr- un
condesator fix (FC) şi reactorul cotrolat de tiristor (TCR). În general acestea sunt două
configuraţii ale SVC.
Figura 5 – (a) modelul unghiului; (b) susceptanţa totală

- SVC modelul susceptanţei. Variind susceptanţa Bsvc ce reprezintă susceptanţa


echivalentă a tuturor modulelor şuntate şi acest model este prezentat în figura 5(b).
- SVC modelul unghiului. Reactanţa echivalentă X svc, care este fucţie de unghiul α,
alcătuită din combinaţie paralelă din reactor cotrolat de tiristor (TCR) şi reactanţa
capacitivă fixată, prezentată în figura 5 (a). Acest model prevede informaţie despre
SVC prin intermediul unghiului se determină nivelul de compensare.

În figura 6 este prezentată starea de echilibru şi caracteristica dinamică volt-amperică a


SVC. În gama de control activă, curent/susceptanţă şi puterea reactivă este variată pentru a regla
tensiunea în corespundere cu caracteristica dată. Valorile aşteptate depind de reglarea tensiunii,
de injectarea puterii reactive produse de diverse surse, şi alte elmente ale sistemului. La limita
capacitivă, SVCurile devin ca şunt capacitiv. La limita inductivă, SVCurile devin un şunt reactor
(curentul sau puterea reactivă deasemenea pot fi limitate).
Figura 6 – starea de echilibru şi caracteristica dinamică volt-amperică a SVC

Metoda unghiului poate fi dezvoltată cu respectarea caracteristicii sinusoidale a tensiunii.


Ecuaţiile diferenţiale şi algebrice pot fi scrise în felul următor:

Reactanţa XTCR este:

unde

În ceea ce priveşte unghiul avem următoarea expresie


La valoarea unghiului α=900, TCR conduce totalmente şi reactanţa echivalentă XTCR devine
XL, pe când la valoarea de α=1800 TCR este blocat şi reactanţa echivalentă tinde spre infinit.
Reactanţa eficace XSVC este determinată prin combinarea în paralel a reactanţelor XC şi XTCR.

unde

Reactanța echivalentă a SVC este prezentată prin relația (9). În figura 7 este reprezentată
susceptanţa echivalentă (BSVC=-1/XSVC) ca funcţie de unghi. BSVC variază continuu, modificându-
se lin de ambele părţi ale axei abciselor. Prin urmare, linearizarea ecuaţiilor SVC, bazată pe B SVC
cu respectarea unghiului α, este mai bine primită decât modelul bazat pe XSVC.

Figura 7 – Caracteristica susceptanţei echivalente a SVC


Iniţializarea variabilelor SVC bazată pe caracteristica susceptanţei echivalente (Figura 7), astfel
impendanţa este iniţializată în punctul de rezonanţă XTCR=XC, QSVC=0, ce corespunde valorii
unghiului α=1150, pentru parametrii aleşi L şi C, XL=0,1134 Ω şi Xc =0,2267 Ω.
Conceptul TCSC constă în utilizarea unui circuit extrem de simplu. Condensatorul este unit
în serie cu linia de transmisie şi inductanţa împreună cu tiristorul sunt unite în paralel cu
capacitatea. Deci nu este necesar de echipament ca transformator de putere. Aceasta face TCSC
să fie mai econome în comparaţie cu alte dispozitive FACTS.

Figura 8 – Schema TCSC


Pentru prima dată această schemă a fost utilizată în 1992 în Arizona şi aceasta a permis
mărirea capacităţii de transmitere a liniilor electrice cu 30%, dar a fost observat că această
schemă duce la micşorarea oscilaţiilor electromecanice. O altă parte pozitivă a acestei scheme
constă în compensarea în serie fără a cauza rezonanţa subsincronă prin intermediul capacităţii
unite în serie. Pentru prima dată TCSC pentru atenuarea rezonanţei a fost instalat în Suedia de
către compania ABB.
TCSC constă din condensator şuntat de către TCR (reactor bazat pe tiristoare). TCR
reprezintă o reactanţă variabilă XL reglată de către unghiul α.

Figura 9 – circuitul echivalent al TCR

Pentru α de la 0 la 900, XL variază de la reactanţa dată la infinit. Acest reactor controlat este
conectat în serie cu condensatorul, deci varierea capacităţii face posibilă la modificarea
impendanţei liniei. Reactanţa XTCSC cu respectarea unghiului α
unde

Figura 10 – circuitul echivalent al TCSC


Impendanţa caracteristică
În figura de mai jos este prezentată caracteristica TCSC.

Figura 11 – Impendanţa caracteristică a TCSC


Reactanţa TCR, XL(α) variază de la valoarea minimă până la infinit. De asemenea reactanţa
efectivă a TCSC începe să crească de la valoarea TCR (XL) până atinge valoarea rezonanţei
paralele XL(α) = XC, teoretic XTCSC este infinit. Aceasta este porţiunea inductivă. Mai departe
creşterea XL(α) duce la regiunea capacitivă, ce începe sa descrească de la infinit până la valoarea
minimă a reactanţei capacitive XC.
Astfel impendanţa caracteristică al TCSC ne arată că ambele regiuni, atât capacitivă cât şi
inductivă sunt posibile prin varierea unghiului α.
90 ≤ α ≤ αLlim regiunea inductivă;
αLlim ≤ α ≤ αClim regiunea capacitivă;
Între αLlim ≤ α ≤ αClimregiunea de rezonanţă.
În timp ce selectăm inductanţa XL, trebuie să fie mai mică decât XC, pentru a obţine atât
reactanţa inductivă cât şi cea capacitivă.
Să presupunem că XC este mai mic ca XL, atunci numai regiunea capacitivă este posibilă în
impendanţa caracteristică. În orice reţea şuntată valoarea efectivă a reactanţei urmează reactanţa
mai mică prezentă în ramură. Deci numai regiunea capacitivă poate să apară.
De asemenea XL nu trebuie să fie egal cu XC, în caz contrar rezonanţa va dezvolta ca
rezultat impendanţă infinită-condiţie inaccteptabilă.

S-ar putea să vă placă și