Sunteți pe pagina 1din 2

Tranzistorul cu efect de cmp (TEC) este un dispozitiv semiconductor unipolar a crui funcionare este asigurat de un singur

tip de conductori (electroni sau goluri).


TEC are ca principiu de funcionare efectul de cmp, adic controlul valorii curentului prin tranzistor se obine cu un cmp
electric care modific conducia cii de trecere a curentului prin dispozitiv. Calea de trecere se numete canal i este partea activ a
unui TEC.
Clasificare TEC:
TEC din punctul de vedere al tipului de canal poate fi:
a) Cu canal n atunci cnd curentul prin dispozitiv este asigurat de electroni ca sarcini
electrice;
b) Cu canal p atunci cnd curentul prin dispozitiv este asigurat de goluri ca sarcini
electrice.
TEC dup modul n care se controleaz valoarea curentului prin canal se mpart n:
1. TEC cu jonciuni (TECJ);
2. TEC cu gril izolat (MOSFET).
n fig. alturat sunt prezentate:
a. TECJ cu canal tip n;
b. TECJ cu canal tip p;
Unde terminalele TEC sunt:
- Surs (S) - electrodul prin care purttorii ptrund n canal.
- Dren (D) - electrodul prin care purttorii sunt evacuai din canal.
- Poart sau Gril (P sau G) electrodul prin care se controleaz valoarea curentului
prin dispozitiv creat de o tensiune aplicat ntre dou terminale ale tranzistorului.
Principiul de funcionare. Caracteristicile de ieire i transfer a TEC:
Fie un TECJ cu canal de tip n, dac U
GS
=0 i U
DS
=0, atunci regiunea de trecere are aceeai
lrgime n lungul canalului, reducnd ntr-o mic msur lrgimea canalului.
Fie TECJ cu canal de tip n, polarizat ca n fig. alturat, atunci prin grila TECJ circul un
curent de intensitate mic, de ordinul nano-amperilor, iar dipolul dren-surs implic cureni mult
mai mari dect cei de gril.
Curentul de dren I
D
este dat de electronii care se deplaseaz de la surs spre dren atunci cnd
tensiunea dren-surs U
DS
este pozitiv.
Funcionarea TECJ de tip n poate fi descris cu ajutorul caracteristicii de ieire I
D
=f(U
DS
), cnd
U
GS
=const. n fig. alturat este prezentat caracteristica de ieire a TECJ cu canal de tip n. n
caracteristic se observ 3 zone (regimuri) de funcionare:
1. La valori mici ale U
DS
val. curentului I
D
crete liniar. Pt U
GS
=0 se obine panta
cea mai mare;
2. La valori medii ale U
DS
valoarea I
D
crete neliniar; acest regim nu are o aplicaie
practic;
3. La valori U
DS
U
DSsat
tranzistorul se comport ca un generator de curent constant
I
D
, n zona (S) are loc saturaia curentului I
D
; dac tensiunea U
GS
< U
p
(U
p
- tensiune
de blocare gril-surs) atunci tranzistorul se blocheaz si curentul de dren I
D
=0.
Pentru valori mari ale U
DS
are loc strpungerea electric a canalului i curentul va
crete brusc.
Dependena I
D
=f(U
GS
), cnd U
GS
=const. se numete caracteristica de transfer. Caracteristica de
transfer a TECJ cu canal de tip n este prezentat n fig. alturat. Valoarea maxim pe care o poate atinge
curentul de dren se noteaz cu I
DSS
i se numete curent de dren de saturare i se obine pentru U
GS
=0
i U
DS
>|U
P
|.
| |
|
|
\ .

Pentru TECJ cu canal p funcionarea este similar, dar sensul curentului I
D
i polaritile tensiunilor
trebuie schimbate.
Tranzistoarele TEC MOS:
Tranzistoarele TECJ i TEC-MOS sunt asemntoare n ce privete principiul de
funcionare i caracteristicile electrice.
Clasificarea TEC-MOS:
1. Cu canal indus (de tip n sau p);
2. Cu canal intercalat (de tip n sau p) canalul exist chiar i la U
GS
=0 .
Tranzistoarele TEC-MOS funcioneaz n dou moduri de baz:
1) La polarizare invers a grilei;
2) La polarizare direct a grilei pentru creterea nr. de purttori de sarcin n canal.










TEC-MOS cu canal indus:
Conducia se realizeaz la suprafaa substratului de Si ntre surs (S) i dren (D). pentru a
se putea stabili un curent electric ntre S i D, suprafaa semiconductorului trebuie inversat ca
tip de conductibilitate prin aplicarea tensiunii pe gril.
1. U
GS
<0 ntre S i D nu circul curent electric d-ce regiunile sursei i drenei
formeaz mpreun cu semiconductorul de tip n 2 jonciuni p-n n opoziie, astfel nct la
orice polarizare una din jonciuni va fi polarizat invers, blocnd calea de conducie.
2. U
GS
>0 apare un curent dinspre gril spre semiconductor, care duce la respingerea
golurilor de la suprafaa semic-lui formnd o poriune de sarcin spaial. La depirea val.
U
GS
>U
p
concentraia electronilor devine mai mare ca concentraia golurilor, astfel se
schimb tipul de conductibilitate a semic-lui.
Stratul semiconductorului unde s-a produs inversia tipului de conductibilitate se
numete Canal indus. n fig. alturat este sunt prezentate caracteristicile de transfer
i ieire pentru TEC-MOS cu canal indus de tip n. caracteristica de transfer pentru
TEC-MOS cu canal indus de tip p va fi n cadranul II oglindit.

TEC-MOS cu canal intercalat(iniial) (TEC-MIS):
Canalul intercalat poate fi realizat prin intermediul unei anumite sarcini la
suprafaa semiconductorului sau modificnd prin difuzie de impuriti tipul
conductibilitii pe o mic adncime la suprafaa substratului. Dac U
GS
=0, ntre S i
D exist o anumit conductan
TEC-MIS lucreaz n 2 regimuri:
1. De srcire: U
GS
<0;
2. De mbogire: U
GS
>0;









Principiul de amplificare a semnalelor alternative cu ajutorul TEC:
n fig. alturat este prezentat circuitul amplificator cuplat cu TEC-MOS. Rezistenele R1R5 se folosesc pentru polarizarea
tranzistorului astfel nct punctul static de funcionare a lui s fie situat n regim de saturaie.
Semnalul de intrare se aplic prin
condensatorul C2 la grila tranzistorului.
Grila i substratul semiconductor formeaz
un condensator minuscul, astfel o capacitate
mic i o sarcin stocat poate duce la
apariia unei tensiuni mari ntre armturile
condensatorului. Semnalul de ieire este
obinut dup separarea componentei
continue prin condensatorul C1.
O prioritate important a etajelor
amplificatoare cuplate cu TEC-MOS este c
la tensiuni de peste 100V precum i la
atingerea terminalului grilei TEC-MOS cu
mna dielectricul format de stratul SiO2 se va strpunge.
Selectarea punctului de funcionare. Trasarea dreptei de sarcin:
Conform teoremei II a lui Kirchhoff
pentru circuitul din fig. alturat avem
( ) i
formulele:

GS
U ;
| |
|
|
\ .
, pentru care
obinem: