TEMA 2. DIODO DE POTENCIA.

2.1. INTRODUCCIN. 2.1.1. Fsica de semiconductores. 2.1.2. Unin p-n. 2.2. ESTRUCTURA BSICA. CARACTERSTICA ESTTICA. 2.3. POLARIZACIN INVERSA. 2.3.1. Tcnicas para elevar la tensin VRRM 2.3.1.1. Biselado 2.3.1.2. Anillos de guarda 2.3.2. Caractersticas de Catalogo 2.4. POLARIZACIN DIRECTA. 2.5. CARACTERSTICAS DINMICAS. 2.6. PRDIDAS EN LOS DISPOSITIVOS. 2.7. DIODO SCHOTTKY DE POTENCIA.

INTRODUCCIN. Fsica de Semiconductores

ni
qE G 0 kT

Concentracin Intrnseca:

n = A0 T e
2 i 3

Para T=300K, ni=1.5 1010 elect./cm3

Concentracin de Portadores Minoritarios:

p0 n0 = ni2 ; p0 + N d = n0 + N a
En un cristal tipo p: Material n Material p

Minoritarios Mayoritarios

p0 n0

ni2 Nd ni2 Na

n0 N d p0 N a

n0

ni2 p Na Na y 0

Recombinacin de Portadores Minoritarios:

El valor de es muy importante para conocer la velocidad de conmutacin de un dispositivo bipolar y sus prdidas en conduccin. sube con la Temperatura y con las concentraciones de portadores muy altas (n>nb 1017, Recombinacin de Auger). Control de centros de recombinacin: a) Impurezas de oro b) Radiacin con electrones (varios MeV)

d (n) n = dt

Tiempo (s)

Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 1 de 14

Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 2 de 14

INTRODUCCIN. Unin p-n

D Ron La anchura de la capa de deplexin es: 2 c (N A + N D ) W0 = qN A N D Donde c es el potencial de contacto de la unin p-n: kT N A N D c = ln q ni2 Grficamente:

ESTRUCTURA BSICA. CARACTERSTICA ESTTICA DEL DIODO DE TRES CAPAS

Dimetro=60150mm Espesor= 0.31 mm
Tamaos aproximados de un diodo tpico de alta tensin y alta corriente

NA p

ND n

W0 El campo elctrico mximo que soporta el Silicio es tericamente 300.000 V/cm, pero debido a impurezas e imperfecciones de la estructura cristalina, en la prctica es de 200.000 V/cm.

W0 : Anchura de la zona de deplexin

nodo 10m NA=1019imp/cm3

p+

nFuertemente Dopado Ligeramente dopado Diodo Ideal iD 1/Ron 1/Ron

+

dRD ND=1014imp/cm3

250m ND=1019imp/cm3 Ctodo

VBD

VBD V V vD

dRD : Es funcin de la tensin inversa a soportar A : rea de la seccin perpendicular al plano del dibujo, es funcin de la corriente mxima
Seccin de un diodo de potencia tpico mostrando su estructura de tres capas.

Efecto de la concentracin de impurezas en la tensin inversa y en la cada en conduccin

Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 3 de 14

Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 4 de 14

ESTRUCTURA BSICA. CARACTERSTICA ESTTICA DEL DIODO DE TRES CAPAS

Area La estructura de tres capas permite: a) En polarizacin inversa: la unin formada por las capas p n al estar poco dopada soporta una tensin muy elevada. b) En polarizacin directa: la circulacin de electrones desde la capa n+ inunda de electrones la capa n- con lo que desde el punto de vista de la cada en conduccin es equivalente a un diodo muy dopado. iD 1/Ron VBD V 1V vD n
+ -

POLARIZACIN INVERSA.
= Potencial Externo Aplicado =-Edx = Extensin de la zona de deplexin = Conexin metlica (nodo y ctodo)

Area Area

p+
E
-

p+
E

n-

Emax x

n+
Emax x

Curva caracterstica esttica del diodo de potencia. Mxima Velocidad Mxima Cada en tensin de de Aplicaciones corriente conduccin ruptura conmutacin Circuitos de 30kV ~500mA ~10V ~100nS alta tensin Rectificadores ~5kV ~10kA 0.7 - 2.5 V ~25S 50 Hz Circuitos ~3kV ~2kA 0.7 - 1.5 V <5S conmutados Rectificadores ~100V ~300A 0.2 - 0.9 V ~30nS de BT y AF ~300 V Referencias y (funciona fijacin de ~75 W en tensiones ruptura)

a) Diodo sin perforar b) Diodo perforado Lmites de la zona de deplexin y distribucin del campo elctrico en diodos. El valor Emax es la mxima intensidad de campo elctrico que puede soportar el silicio y que ya se vio era unos 200.000 V/cm. Si suponemos espesores de las capas de los dos diodos iguales, en el caso b (perforado), el rea bajo la curva de la distribucin del campo elctrico es casi el doble que en el caso a. Por tanto, la tensin inversa que se puede aplicar es prcticamente el doble. Esto es una ventaja muy importante, no solo en diodos, sino en casi todos los dispositivos de potencia que estudiaremos en este curso.

Tipo de Diodo Rectificadores de alta tensin Propsito general Rpidos (fast recovery) Diodos Schottky Diodos Zener de potencia

Principales caractersticas de los diodos de potencia

Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 5 de 14

Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 6 de 14

POLARIZACIN INVERSA. Tcnicas para Mejorar VBD . Biselado

NODO

POLARIZACIN INVERSA. Tcnicas para Mejorar VBD. Anillos de Guarda

Difusin de Impurezas SiO2

p+

SiO2

SiO2
Regin de deplexin

Experimentalmente se comprueba que no se produce acumulacin de lneas de campo para R6*Wdep Para un diodo de 1000V, es aprox. Wdep=100, luego R=600. Como Wdiff R, el tiempo de fabricacin es excesivamente alto y por tanto no resulta rentable.

p+

Wdiff

n
n+
CTODO

Wdep : Anchura de la zona de deplexin n-

Unin pn. Proceso de difusin Anillo de guarda a potencial flotante

da

db

V1 V2

(V1 V2 ) > (V1 V2 )

da db

SiO2
p+

SiO2 p+
p+

biselado de los bordes de un diodo de tres capas. Ventajas del biselado: Eliminacin por ataque qumico de zonas con posibles defectos en la estructura cristalina (zona del corte mecnico). Disminucin de la intensidad del campo elctrico en las zonas ms frgiles (superficie), al hacer d2 >d1 .

n-

n+

Unin p-n empleando anillos de guarda.

Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 7 de 14

Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 8 de 14

POLARIZACIN INVERSA. Caractersticas de Catalogo

Primer subndice
T=Dir. Polarizado y conduce D=Dir. Polarizado y no conduce R=Inversamente Polarizado F=Directamente Polarizado Subndices empleados por los fabricantes de semiconductores.

POLARIZACIN DIRECTA
Caractersticas de catlogo en Polarizacin Directa: Corriente media nominal, IFW(AV) : Valor medio de la mxima corriente de pulsos senoidales que es capaz de soportar el dispositivo en forma continuada con la cpsula mantenida a una determinada temperatura (tpicamente 100 C). Corriente de pico repetitivo, IFRM : Corriente mxima que puede ser soportada cada 20ms con duracin de pico 1ms. Corriente de pico nico, IFSM : Corriente mxima que puede ser soportada por una sola vez cada 10 ms minutos siempre que la duracin del pico sea inferior a 10ms.

Segundo subndice
W=De trabajo R=Repetitivo S=No Repetitivo

Tercer subndice
M=Valor Mximo (AV)=Valor Medio (RMS)=Valor Eficaz

Caractersticas de Catlogo en Polarizacin Inversa: Tensin inversa de trabajo, VRWM : Mxima tensin inversa que puede soportar de forma continuada sin peligro de avalancha. Tensin inversa de pico repetitivo, VRRM : Mxima tensin inversa que puede soportar por tiempo indefinido si la duracin del pico es inferior a 1ms y su frecuencia de repeticin inferior a 100 Hz. Tensin inversa de pico nico, VRSM : Mxima tensin inversa que puede soportar por una sola vez cada 10 ms minutos si la duracin del pico es inferior a 10 ms. Tensin de ruptura, VBD : Valor de la tensin capaz de provocar la avalancha aunque solo se aplique una vez por un tiempo superior a 10 ms.

Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 9 de 14

Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 10 de 14

CARACTERSTICAS DINMICAS
iD IF 0.9IF 0.1IF 0.25Irr tr vD Vfr VON 1.1VON t VR tON Encendido del diodo Apagado del diodo
VON

CARACTERSTICAS DINMICAS
El tiempo de recuperacin inversa es el mayor de los dos tiempos de conmutacin y el responsable de la mayor parte de las prdidas de conmutacin.
iD IF diD/dt ta tb 0.25Irr vD Irr t Qrr (Carga Almacenada)

Qrr Carga Almacenada

La carga almacenada que se elimina por arrastre es:

Qrr = i f dt
0

t rr

Irr trr
trr

Aproximando el rea bajo la corriente a un tringulo ser:

I rr t rr 2 Qrr Qrr t rr 2 I rr
t VR

Pico de tensin debido a L diD/dt L=bobina en serie con D. (tb<<ta)

La derivada de la corriente durante ta depende del circuito externo, y normalmente ser: ta>> tb es decir: ta trr . Si se resuelve el circuito y se conoce el valor de la derivada de iD:

Curvas de tensin y corriente del diodo durante la conmutacin. Tensin directa, VON. Cada de tensin del diodo en rgimen permanente para la corriente nominal. Tensin de recuperacin directa, Vfr. Tensin mxima durante el encendido. Tiempo de recuperacin directa, tON. Tiempo para alcanzar el 110% de VON. Tiempo de subida, tr. Tiempo en el que la corriente pasa del 10% al 90% de su valor directo nominal. Suele estar controlado por el circuito externo (inductivo). Tiempo de recuperacin inversa, trr. Tiempo que durante el apagado del diodo, tarda la intensidad en alcanzar su valor mximo (negativo) y retornar hasta un 25% de dicho valor mximo. (Tip. 10s para los diodos normales y 1s para los diodos rpidos (corrientes muy altas).

Prdidas muy elevadas al ser la corriente y la tensin muy altas

diD I rr I rr se obtiene: = dt ta trr

I rr 2 Qrr

diD dt

El valor de Qrr puede obtenerse del catlogo del fabricante.

Curvas de tensin y corriente del diodo durante la conmutacin a corte. Los factores que influyen en el tiempo de recuperacin inversa son: IF; cuanto mayor sea, mayor ser trr. Esto se debe a que la carga almacenada ser mayor. VR; cuanto mayor sea, menor ser trr. En este caso si la tensin inversa es mayor se necesita menos tiempo para evacuar los portadores almacenados. diF/dt; cuanto mayor sea, menor ser trr. No obstante, el aumento de esta pendiente aumentar el valor de la carga almacenada Q. Esto producir mayores prdidas. T; cuanto mayor sea la temperatura, aumentarn tanto Q como trr.

Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 11 de 14

Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 12 de 14

PRDIDAS EN LOS DISPOSITIVOS

Bloqueo: Se suelen despreciar. En Conmutacin. Son funcin de la frecuencia de trabajo. (Adems de las corrientes, tensiones y la forma como evolucionan). En Conduccin: Uso de catlogos:
PD
SiO2
p+

DIODO SCHOTTKY DE POTENCIA

NODO Zona de deplexin Unin Rectificadora: Zona deplexin muy estrecha situada en la soldadura: VBD muy baja Unin hmica: Efecto Tnel. SiO2
p+

=60 =120 =180

180

PD

n-

n+ CTODO

IAV

25C

Curvas tpicas suministradas por un fabricante para el clculo de las prdidas en conduccin de un diodo Las prdidas aumentan con: La intensidad directa. La pendiente de la intensidad. La frecuencia de conmutacin. La tensin inversa aplicada. La temperatura de la unin.

125C

Tc

Diodo Schottky de potencia iD Diodo Schottky Diodo Normal

1/RON 1/RON VBD

VBD V V vD

Caracterstica I-V de un diodo Schottky Uso en circuitos donde se precise: Alta velocidad Bajas tensiones Potencias bajas Por ej. Fuentes de alimentacin conmutadas.

Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 13 de 14

Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 14 de 14