TI1. Tranzistoare cu efect de cimp cu poarta izolaté (TEC- MOS). Clasificarea, principiul de functionare a TEC-MOS, parametri si caracteristici. MOS-FET vine de la Metal Oxid Semiconductor- Field Effect Tranzistor, ceea ce inseamn ca este vorba despre un FET in care poarta este izolata de celelalte elemente ale tranzistorului printr-un strat de oxid. Find un FET rezulta ca terminalele MOS-FET-ului pistreazi denumirile folosite in cazul JPET-ului. Se poate observa ci poarta este izolata de struetura p-n printr-un strat izolator de $i02 si curentul de poarti este de ordinul zecilor de picoamperi (pA). Canal de G 44] 44 joversare (a) Zona de goluri Tinand cont de modul de functionare tranzistoarele TEC-MOS sunt de 2 feluri; *cu canal initial , caz in care canalul superficial este intotdeauna prezent find realizat prinmijloace tehnologice; cu canal indus, situafie in care canalul apare in conditiile in care tranzistorul este polarizatcorespunzator (sunt cele mai folosite tipuri de tranzistoare). Dupa tipul jonctiunii pot fi: *cu canal n (NMOS) cu canal p (PMOS).TEC-MOS cu canalindus TEG-MOB'eu canal inital D D G " G re s s canal p canal n canal p canal a ‘Tranzitorii MOS cu canal indus au o structura asemanatoare cu tranzistorii MOS cu canal initial, cu deoscbirea ca intre sursd si dren nu exist canalul conductor din fabricatie. La acest tip de tranzistor canalul este format prin aparitia stratului de inversie la suprafafa substratului La o tensiune Ucs=0 tranzistorul este blocat, ceea ce inseamni ca indiferent de valoarea tensiunii dintre drend si sursa curentul prin tranzistor va fi nul. Din acest motiv la simbolizarea tranzistorului se utilizeaza linia intreruptd intre drend gi sursa. Canalul n se formeazi la suprafafa substratului dacd alimentim tranzistorul intre grila si sursi cu o tensiune ucs=Ur, unde Up este tensiunea de prag a tranzistorului. Curentul de dren se modifica in funotie de Ups similar cu situatia de la MOS cu canal initial. Canalul se stranguleaz pentru Un=Up. De aici rezulta ca strangularea canalului apare pentru Ups= Ugs-Up.canal n indus Fig. 2 Structura tranzistorului TEC-MOS (a) si formarea canalului indus la polarizare in (b). a b Fig. 3. Caracteristica de transfer (a) si caracteristica de iesire (b) a tranzistorului TEC-MOS cu canal indus.Canal n -Uss +Uss Fig. 4. Caracteristica de transfer in comparatiea unui TECMOS cu canal indus de tip p si canal indus n.TECMOS qi canal in cazul acestui tip de tranzistor canalul superficial intre surs si dren prin care se realizeazi conductia de curent intre cei doi electrozi, este realizat tehnologic (sinu indus). Structura schematic’ a unui TECMOS cu canal inifial de tip n este prezentat& jn fig. Sa. Se poate observa cd poarta este izolati de structura p-n printr-un strat izolator de SiO2. Din fabricatie, intre sursa si drena (zone de tip n puternic dopate) exist’ un canal conductor tot de tip n, astfel ineat, chiar i atunci cand poarta nu este polarizati, la stabilirea unei diferente de potential intre drend gi surs4, prin canal va trece un curent nenul. G- giila (poarta) S- sursa METAL J oxip (io) _D- drena it, substrat_ 4 canal initial n B-baza a Fig. 5. Structura schematica a unui TECMOS cu canal initial de tip nTipurile tranzistoarelor TEC-MOS |) Convetioune: «Ho, efos | s PD P v- AOS + | t D, & Or4) TRS a ee see wn Qe auely, GS ae S) Troma w specs P wl